JP2592311B2 - 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置Info
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- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気記録媒体の製造方法に関し、特にス
パッタリング法により連続的に多層構造の薄膜を基板の
自公転運動によって形成する光磁気記録媒体の製造方法
及び製造装置に関する。
パッタリング法により連続的に多層構造の薄膜を基板の
自公転運動によって形成する光磁気記録媒体の製造方法
及び製造装置に関する。
［従来技術］ 近年、光磁気記録媒体は、レーザ光による書き込み・
読みだし可能な光磁気ディスクとして大容量データ・フ
ァイル等に広く利用されている。
読みだし可能な光磁気ディスクとして大容量データ・フ
ァイル等に広く利用されている。
この光磁気ディスクは、ガラス，プラスティック等の
透明基板上に誘電体層，記録層，保護層等の層構造を有
する。光磁気効果を示す前記記録層には希土類金属（以
下REと称する）からなる層と遷移金属（以下TMと称す
る）とからなる層を夫々数Å〜10数Åの厚さで交互に少
なくとも２層以上積層した層構造とする事により、磁化
量，保磁力，光磁気効果（カー効果）の優れた特性を得
る事が出来、また製造上の制御性においても良好であ
る。
透明基板上に誘電体層，記録層，保護層等の層構造を有
する。光磁気効果を示す前記記録層には希土類金属（以
下REと称する）からなる層と遷移金属（以下TMと称す
る）とからなる層を夫々数Å〜10数Åの厚さで交互に少
なくとも２層以上積層した層構造とする事により、磁化
量，保磁力，光磁気効果（カー効果）の優れた特性を得
る事が出来、また製造上の制御性においても良好であ
る。
その製造方法としては、スパッタ室内に前記REターゲ
ット及びTMターゲットを配設し、前記両ターゲットの上
方に対向配置した基板もしくは基板ホルダを自公転させ
ながらスパッタリングする方法（例えば、特開昭61−77
155号及び同62−71041号等）が開示されており、この方
法によって、積層膜構造を均一な分布で生産することが
出来る。特に、該製造方法は自公転方式であることによ
り、スパッタ粒子のスパッタ角度分布による薄膜の膜厚
分布を修正するためスパッタ源と基板との間に配置され
るシャッタ部材を省略することが出来る。このため、前
記薄膜を形成するため前記基板上に付着するスパッタ粒
子の付着効率が高められる。更に、前記シャッタ部材に
付着するスパッタ粒子に起因したダストの発生が無いの
で、該ダストが基板上に付着して生じる前記薄膜のピン
ホールの発生を減らし、良好な薄膜を生産することがで
きる。
ット及びTMターゲットを配設し、前記両ターゲットの上
方に対向配置した基板もしくは基板ホルダを自公転させ
ながらスパッタリングする方法（例えば、特開昭61−77
155号及び同62−71041号等）が開示されており、この方
法によって、積層膜構造を均一な分布で生産することが
出来る。特に、該製造方法は自公転方式であることによ
り、スパッタ粒子のスパッタ角度分布による薄膜の膜厚
分布を修正するためスパッタ源と基板との間に配置され
るシャッタ部材を省略することが出来る。このため、前
記薄膜を形成するため前記基板上に付着するスパッタ粒
子の付着効率が高められる。更に、前記シャッタ部材に
付着するスパッタ粒子に起因したダストの発生が無いの
で、該ダストが基板上に付着して生じる前記薄膜のピン
ホールの発生を減らし、良好な薄膜を生産することがで
きる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記製造方法では、基板上に適宜積層
して形成された薄膜の総合膜厚分布は均一に形成されて
いるが、RE層及びTM層の１層当たりの膜厚分布は前記総
合膜厚分布に較べて均一でないと云った問題が生じた。
このため、作製された光磁気記録媒体のC/N比が充分に
大きくなく、また、エンベロープも良好でないと云った
問題があった。
して形成された薄膜の総合膜厚分布は均一に形成されて
いるが、RE層及びTM層の１層当たりの膜厚分布は前記総
合膜厚分布に較べて均一でないと云った問題が生じた。
このため、作製された光磁気記録媒体のC/N比が充分に
大きくなく、また、エンベロープも良好でないと云った
問題があった。
そこで、本発明者らが種々実験を行ったところ、各層
の膜厚分布の均一性は、基板或いは基板ホルダの自公転
数の比に大きく起因していることが確認された。
の膜厚分布の均一性は、基板或いは基板ホルダの自公転
数の比に大きく起因していることが確認された。
即ち、本発明の目的は上記問題点を解消することにあ
り、前記RE層及びTM層の各層毎の膜厚分布を常時均一に
し、その結果として、C/N比及びエンベロープが良好な
膜質の光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供す
ることにある。
り、前記RE層及びTM層の各層毎の膜厚分布を常時均一に
し、その結果として、C/N比及びエンベロープが良好な
膜質の光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の上記目的は、基板上に少なくとも希土類金属
層と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に希土類
金属ターゲットと遷移金属ターゲットとを並設し、前記
両ターゲットに対向すると共に公転軸が前記両ターゲッ
ト面の各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位
置するようにした前記基板を自公転させながら前記両タ
ーゲットによるスパッタリングを行う光磁気記録媒体の
製造方法において、前記基板の自転数（W2）と公転数
（W1）との比（W2/W1）を４以上とすることを特徴とす
る光磁気記録媒体の製造方法により達成される。
層と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に希土類
金属ターゲットと遷移金属ターゲットとを並設し、前記
両ターゲットに対向すると共に公転軸が前記両ターゲッ
ト面の各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位
置するようにした前記基板を自公転させながら前記両タ
ーゲットによるスパッタリングを行う光磁気記録媒体の
製造方法において、前記基板の自転数（W2）と公転数
（W1）との比（W2/W1）を４以上とすることを特徴とす
る光磁気記録媒体の製造方法により達成される。
又、本発明の目的は、基板上に少なくとも希土類金属
層と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に並設さ
れた希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲットと、
前記両ターゲットに対向するように前記基板を保持する
自転ホルダと、公転軸が前記両ターゲット面の各々の幾
何学的中心を通る各垂線から等距離に位置するように前
記自転ホルダを公転させる公転ホルダとを備え、 前記公転ホルダの回転数に対する前記自転ホルダの回
転数の比が４以上となるようにして前記両ターゲットに
よるスパッタリングを行うことを特徴とする光磁気記録
媒体の製造装置により達成される。
層と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に並設さ
れた希土類金属ターゲット及び遷移金属ターゲットと、
前記両ターゲットに対向するように前記基板を保持する
自転ホルダと、公転軸が前記両ターゲット面の各々の幾
何学的中心を通る各垂線から等距離に位置するように前
記自転ホルダを公転させる公転ホルダとを備え、 前記公転ホルダの回転数に対する前記自転ホルダの回
転数の比が４以上となるようにして前記両ターゲットに
よるスパッタリングを行うことを特徴とする光磁気記録
媒体の製造装置により達成される。
尚、本発明において公転軸が前記両ターゲットの面の
各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位置する
とは、両ターゲット面の各々の幾何学的中心（例えば、
円板ターゲットにおいて円中心）を通る各垂線が、公転
軸を円中心とする円の円周上に位置することを意味す
る。
各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位置する
とは、両ターゲット面の各々の幾何学的中心（例えば、
円板ターゲットにおいて円中心）を通る各垂線が、公転
軸を円中心とする円の円周上に位置することを意味す
る。
［実施態様］ 以下、本発明の方法を適用した装置にもとづいて本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法に適用し
たスパッタリング装置の要部概略図である。
たスパッタリング装置の要部概略図である。
第１図に示すように、スパッタ室15内には、底部に配
置したカソード電極16a,16b上に、ターゲット1aと1bが
設けられている。また、前記ターゲット1a,1bは、その
裏面側に対応して前記スパッタ室15の外部に設けた永久
磁石17a,17bにより、ターゲット表面に磁界が形成され
ている。
置したカソード電極16a,16b上に、ターゲット1aと1bが
設けられている。また、前記ターゲット1a,1bは、その
裏面側に対応して前記スパッタ室15の外部に設けた永久
磁石17a,17bにより、ターゲット表面に磁界が形成され
ている。
なお、前記電極16a,16bは、それぞれターゲット電源1
8が繋げられており、該ターゲット1a,1bに個々に適した
スパッタパワーを与え、所望の積層薄膜が形成出来るよ
うになされている。
8が繋げられており、該ターゲット1a,1bに個々に適した
スパッタパワーを与え、所望の積層薄膜が形成出来るよ
うになされている。
前記両ターゲット1a,1bの上方には、プラスチック基
板２がアノード電極を兼ねた自転ホルダ３に保持されて
前記両ターゲット1aと1bの両方に対してほぼ均等な距離
になるような位置に配置されている。前記自転ホルダ３
は、その中心に回転軸７を有しており、該回転軸７は公
転駆動モータ６により回転する公転ホルダ４を貫通して
上方に延びている。前記回転軸７の上方端寄には遊星ギ
ア5aが固着されている。そして、該遊星ギア5aは前記公
転駆動モータ６の回転軸８の周りに固定された固定ギア
5bと噛み合うことにより、前記固定ギア5bの周囲を公転
しながら自転する。
板２がアノード電極を兼ねた自転ホルダ３に保持されて
前記両ターゲット1aと1bの両方に対してほぼ均等な距離
になるような位置に配置されている。前記自転ホルダ３
は、その中心に回転軸７を有しており、該回転軸７は公
転駆動モータ６により回転する公転ホルダ４を貫通して
上方に延びている。前記回転軸７の上方端寄には遊星ギ
ア5aが固着されている。そして、該遊星ギア5aは前記公
転駆動モータ６の回転軸８の周りに固定された固定ギア
5bと噛み合うことにより、前記固定ギア5bの周囲を公転
しながら自転する。
この際、本実施態様では、前記公転ホルダ４の回転数
に対する前記自転ホルダ３の回転数の比が約４と成るよ
うに設定した。即ち、前記自転ホルダ３の自転数（W2）
と公転数（W1）との比である自公転比（W2/W1）も、約
４となる。
に対する前記自転ホルダ３の回転数の比が約４と成るよ
うに設定した。即ち、前記自転ホルダ３の自転数（W2）
と公転数（W1）との比である自公転比（W2/W1）も、約
４となる。
なお、前記自転ホルダ３は前記公転ホルダ４に対して
複数個（第１図では２個）装着されるように構成されて
いる。
複数個（第１図では２個）装着されるように構成されて
いる。
前記ターゲット1aと1bは、例えば、1aが遷移金属、1b
が希土類金属にて形成されていることにより、前記基板
２上に遷移金属と希土類金属の積層薄膜を形成すること
ができる。
が希土類金属にて形成されていることにより、前記基板
２上に遷移金属と希土類金属の積層薄膜を形成すること
ができる。
そこで、上記のように構成された前記スパッタリング
装置のスパッタ室15にアルゴン（Ar）ガス等の不活性ガ
スを導入し、且つ前記ターゲット1a,1bに適宜スパッタ
パワーを付加させた状態にしておき、前記自転ホルダ３
に予め誘電体層を形成したプラスチック基板２を装着す
る。
装置のスパッタ室15にアルゴン（Ar）ガス等の不活性ガ
スを導入し、且つ前記ターゲット1a,1bに適宜スパッタ
パワーを付加させた状態にしておき、前記自転ホルダ３
に予め誘電体層を形成したプラスチック基板２を装着す
る。
そして、前記公転駆動モータ６を駆動して、前記公転
ホルダ４及び自転ホルダ３を回転させながら前記基板２
上に希土類金属と遷移金属の積層薄膜を形成する。
ホルダ４及び自転ホルダ３を回転させながら前記基板２
上に希土類金属と遷移金属の積層薄膜を形成する。
本発明によれば、前記自転ホルダ３の自公転比を４ま
たはそれ以上に設けることにより、RE,TM両ターゲット
の各々の有効成膜領域（プラズマ密度の高い領域）で前
記基板２が2.5回転以上回転して成膜が行われるため、R
E層及びTM層の各層毎に膜厚分布を均一にすることがで
きる。
たはそれ以上に設けることにより、RE,TM両ターゲット
の各々の有効成膜領域（プラズマ密度の高い領域）で前
記基板２が2.5回転以上回転して成膜が行われるため、R
E層及びTM層の各層毎に膜厚分布を均一にすることがで
きる。
さらに詳しく説明すると、本発明者らは、前記自公転
方式のスパッタリング装置において、自公転比と膜厚分
布との関係は、第２図に示したグラフの様になること
を、シミュレーション解析及び実現により明らかにする
ことができた。
方式のスパッタリング装置において、自公転比と膜厚分
布との関係は、第２図に示したグラフの様になること
を、シミュレーション解析及び実現により明らかにする
ことができた。
即ち、第１の実験として、RE層及びTM層の各層単独の
膜厚分布を測定する為、スパッタ室内中央にTbターゲッ
トを一つ配設し、これらに対向してプラスチック基板を
公転半径190mmで且つターゲット〜基板間距離が150mmと
なるように配置させた。そして、真空排気して圧力を５
×10-7Torrまで脱ガス化した後、Arガスをスパッタ室に
導入しガス圧を1.0×10-3Torrとした。次に前記Tbター
ゲットに1kWの放電パワーを印加してスパッタを維持
し、前記基板の公転速度を15rpmに固定する一方、前記
基板の自転速度を変えて、自公転比が２〜６の範囲につ
いてTbの単層膜を形成し、膜厚分布を測定した。その結
果を第２図に破線で示した。
膜厚分布を測定する為、スパッタ室内中央にTbターゲッ
トを一つ配設し、これらに対向してプラスチック基板を
公転半径190mmで且つターゲット〜基板間距離が150mmと
なるように配置させた。そして、真空排気して圧力を５
×10-7Torrまで脱ガス化した後、Arガスをスパッタ室に
導入しガス圧を1.0×10-3Torrとした。次に前記Tbター
ゲットに1kWの放電パワーを印加してスパッタを維持
し、前記基板の公転速度を15rpmに固定する一方、前記
基板の自転速度を変えて、自公転比が２〜６の範囲につ
いてTbの単層膜を形成し、膜厚分布を測定した。その結
果を第２図に破線で示した。
また、第２の実験として、スパッタ室内に公転軸の中
心から対称の位置に、それぞれの中心までの距離が190m
mとなるようにTbターゲットとFeCoターゲットを配設
し、その他は第１の実験と同じ条件で多層膜を形成し、
その総合膜厚（45層）の膜厚分布の測定結果を第２図に
実線で示した。
心から対称の位置に、それぞれの中心までの距離が190m
mとなるようにTbターゲットとFeCoターゲットを配設
し、その他は第１の実験と同じ条件で多層膜を形成し、
その総合膜厚（45層）の膜厚分布の測定結果を第２図に
実線で示した。
第２図から、多層膜の総合膜厚（45層）の膜厚分布に
関しては、自公転比が整数値近傍を除けば全域に渡って
一定であるが、各１層当たりの膜厚分布に関しては、自
公転比が４以下になると急激に悪化することが確認され
た。
関しては、自公転比が整数値近傍を除けば全域に渡って
一定であるが、各１層当たりの膜厚分布に関しては、自
公転比が４以下になると急激に悪化することが確認され
た。
光磁気記録媒体で記録層を自公転方式によりRE金属層
とTM金属層を積層構造でスパッタリングする場合、既述
したように、C/N比，エンベロープ等を良好にするため
には各１層当たりの膜厚分布を均一にすれば良いので、
前記自公転基板ホルダの自公転比を４以上にしてスパッ
タリングすることにより、C/N比，エンベローブ等の特
性の極めて良好な膜質を得ることが出来る。
とTM金属層を積層構造でスパッタリングする場合、既述
したように、C/N比，エンベロープ等を良好にするため
には各１層当たりの膜厚分布を均一にすれば良いので、
前記自公転基板ホルダの自公転比を４以上にしてスパッ
タリングすることにより、C/N比，エンベローブ等の特
性の極めて良好な膜質を得ることが出来る。
なお、自公転比の上限に関しては、特に制限はない
が、際限なく大きくすることは機械的な複雑さを増大
し、装置が大型化し、その割には膜厚分布の均一化効果
は大きくならないので、所望の値に留めておくことが好
ましい。
が、際限なく大きくすることは機械的な複雑さを増大
し、装置が大型化し、その割には膜厚分布の均一化効果
は大きくならないので、所望の値に留めておくことが好
ましい。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明の磁気記録媒体の製造方法
及び製造装置によれば、基板上に少なくとも希土類金属
と遷移金属を積層するため、スパッタ室内に希土類金属
ターゲットと遷移金属ターゲットとを並設し、前記両タ
ーゲットに対向すると共に公転軸が前記両ターゲット面
の各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位置す
るようにした前記基板を自公転させてスパッタリングす
る際の基板もしくは基板ホルダの自公転比を４以上とす
ることにより、各１層当たりの膜厚分布を均一にするこ
とができ、これにより、C/N,エンペロープ等の特性の極
めて良好な膜質が得られる。
及び製造装置によれば、基板上に少なくとも希土類金属
と遷移金属を積層するため、スパッタ室内に希土類金属
ターゲットと遷移金属ターゲットとを並設し、前記両タ
ーゲットに対向すると共に公転軸が前記両ターゲット面
の各々の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位置す
るようにした前記基板を自公転させてスパッタリングす
る際の基板もしくは基板ホルダの自公転比を４以上とす
ることにより、各１層当たりの膜厚分布を均一にするこ
とができ、これにより、C/N,エンペロープ等の特性の極
めて良好な膜質が得られる。
［実施例］ 以下、実施例により本発明の効果を更に明確にする。
第１図に示した本発明の装置を用いて光磁気記録媒体
の記録層を成膜した。
の記録層を成膜した。
スパッタ室15内にREターゲットとしてφ８インチTbタ
ーゲット1a,TMターゲットとしてφ８インチFeCoターゲ
ット1bをそれぞれ中心距離200mmで並設し、これらに対
向してφ5.25インチのプラスチック基板２を装着した二
つの自転ホルダ３を公転軸が前記両ターゲットの各中心
線から等距離に位置するように公転半径190mmで、且つ
ターゲット〜基板間距離が150mmとなるように配置させ
た。以上のような幾何学的条件において、予め光学膜Si
Nを800Å成膜されたプラスチック・ディスク基板２を前
記自転ホルダ３に装着し、真空排気して圧力を５×10-7
Torrまで脱ガス化した後、Arガスを35SCCMをスパッタ室
に導入しガス圧力を2.0mTorrとした。次に、Tbターゲッ
トに900W,FeCoターゲットに2100Wの放電パワーを印加し
てスパッタを維持し、一方、前記自転ホルダ３を公転数
W1が30rpm,自転数W2が128rpm（自公転比:W2/W1＝4.27）
となる様に回転させ、３分20秒間成膜を行い、RE層とTM
層の交互積層記録層の総膜厚を1000Åとした。このよう
にして製作されたサンプルを５枚取り出し、その動特性
を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝30mmの箇所に
おいてC/N比は平均50dB（0.9μｍビット長），エンベロ
ープは0.5dB以下という非常に良好な膜質を得ることが
出来た。
ーゲット1a,TMターゲットとしてφ８インチFeCoターゲ
ット1bをそれぞれ中心距離200mmで並設し、これらに対
向してφ5.25インチのプラスチック基板２を装着した二
つの自転ホルダ３を公転軸が前記両ターゲットの各中心
線から等距離に位置するように公転半径190mmで、且つ
ターゲット〜基板間距離が150mmとなるように配置させ
た。以上のような幾何学的条件において、予め光学膜Si
Nを800Å成膜されたプラスチック・ディスク基板２を前
記自転ホルダ３に装着し、真空排気して圧力を５×10-7
Torrまで脱ガス化した後、Arガスを35SCCMをスパッタ室
に導入しガス圧力を2.0mTorrとした。次に、Tbターゲッ
トに900W,FeCoターゲットに2100Wの放電パワーを印加し
てスパッタを維持し、一方、前記自転ホルダ３を公転数
W1が30rpm,自転数W2が128rpm（自公転比:W2/W1＝4.27）
となる様に回転させ、３分20秒間成膜を行い、RE層とTM
層の交互積層記録層の総膜厚を1000Åとした。このよう
にして製作されたサンプルを５枚取り出し、その動特性
を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝30mmの箇所に
おいてC/N比は平均50dB（0.9μｍビット長），エンベロ
ープは0.5dB以下という非常に良好な膜質を得ることが
出来た。
［比較例］ 次に、比較例として、基板ホルダ３の自転数W2を68rp
m（自公転比:W2/W1＝2.27）に変え、その他の条件は、
全て前記実施例と同一条件として成膜を行った。このサ
ンプルを同様に５枚取り出して動特性を測定した結果、
回転基板の中心からＲ＝30mmの箇所においてC/N比は平
均47dB（0.9μｍビット長），エンベロープは1.0dB以上
と云った特性となった。
m（自公転比:W2/W1＝2.27）に変え、その他の条件は、
全て前記実施例と同一条件として成膜を行った。このサ
ンプルを同様に５枚取り出して動特性を測定した結果、
回転基板の中心からＲ＝30mmの箇所においてC/N比は平
均47dB（0.9μｍビット長），エンベロープは1.0dB以上
と云った特性となった。
以上の結果から、RE金属とTM金属を二元同時に積層構
造で成膜した場合、自公転比が４以下ではC/N比及びエ
ンベロープ共に低下し、充分な膜質が得られないこと確
認された。
造で成膜した場合、自公転比が４以下ではC/N比及びエ
ンベロープ共に低下し、充分な膜質が得られないこと確
認された。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法を適用した
スパッタリング装置の要部概略図、第２図は自公転基板
を有するスパッタリング装置における自公転基板の自公
転比と基板上に形成される薄膜の膜厚分布との関係を示
す図である。 （図中符号） 1a,1b……ターゲット、２……プラスティック基板、 ３……自転ホルダ、４……公転ホルダ 5a……遊星ギア、5b……固定ギア ６……公転駆動モータ、7,8……回転軸 15……スパッタ室、16a,16b……電極 17a,17b……永久磁石、18……電源。
スパッタリング装置の要部概略図、第２図は自公転基板
を有するスパッタリング装置における自公転基板の自公
転比と基板上に形成される薄膜の膜厚分布との関係を示
す図である。 （図中符号） 1a,1b……ターゲット、２……プラスティック基板、 ３……自転ホルダ、４……公転ホルダ 5a……遊星ギア、5b……固定ギア ６……公転駆動モータ、7,8……回転軸 15……スパッタ室、16a,16b……電極 17a,17b……永久磁石、18……電源。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に少なくとも希土類金属層と遷移金
属層を積層するため、スパッタ室内に希土類金属ターゲ
ットと遷移金属ターゲットとを並設し、前記両ターゲッ
トに対向すると共に公転軸が前記両ターゲット面の各々
の幾何学的中心を通る各垂線から等距離に位置するよう
にした前記基板を自公転させながら前記両ターゲットに
よるスパッタリングを行う光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、 前記基板の自転数（W2）と公転数（W1）との比（W2/W
1）を４以上とすることを特徴とする光磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２】基板上に少なくとも希土類金属層と遷移金
属層を積層するため、スパッタ室内に並設された希土類
金属ターゲット及び遷移金属ターゲットと、前記両ター
ゲットに対向するように前記基板を保持する自転ホルダ
と、公転軸が前記両ターゲット面の各々の幾何学的中心
を通る各垂線から等距離に位置するように前記自転ホル
ダを公転させる公転ホルダとを備え、 前記公転ホルダの回転数に対する前記自転ホルダの回転
数の比が４以上となるようにして前記両ターゲットによ
るスパッタリングを行うことを特徴とする光磁気記録媒
体の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261579A JP2592311B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| DE19893934887 DE3934887A1 (de) | 1988-10-19 | 1989-10-19 | Verfahren zum herstellen eines photomagnetischen aufzeichnungstraegers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261579A JP2592311B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210636A JPH02210636A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2592311B2 true JP2592311B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17363879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261579A Expired - Lifetime JP2592311B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2592311B2 (ja) |
| DE (1) | DE3934887A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2801296B2 (ja) * | 1989-10-18 | 1998-09-21 | 株式会社クラレ | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| CA2059094C (en) * | 1991-01-10 | 1997-06-03 | Optical Coating Laboratory, Inc. | High ratio planetary drive system for vacuum chamber |
| DE19501804A1 (de) * | 1995-01-21 | 1996-07-25 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
| DE19730993B4 (de) * | 1997-07-18 | 2008-04-03 | Ald Vacuum Technologies Ag | Vakuumbeschichtungsvorrichtung zum allseitigen Beschichten von Substraten durch Rotation der Substrate im Partikelstrom |
| GB0215699D0 (en) | 2002-07-06 | 2002-08-14 | Trikon Holdings Ltd | Deposition methods and apparatus |
| GB2390378B (en) * | 2002-07-06 | 2005-08-03 | Trikon Holdings Ltd | Deposition methods and apparatus |
| DE10337732B4 (de) * | 2003-08-11 | 2009-11-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Beschichtungsanlage zum Beschichten von Substraten für optische Komponenten |
| US8500973B2 (en) | 2004-08-20 | 2013-08-06 | Jds Uniphase Corporation | Anode for sputter coating |
| US7879209B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Cathode for sputter coating |
| US7682495B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-03-23 | Tango Systems, Inc. | Oscillating magnet in sputtering system |
| WO2006113170A2 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Tango Systems, Inc. | Sputtering system |
| CZ2014115A3 (cs) | 2014-02-26 | 2015-09-09 | Hvm Plasma, Spol.S R.O. | Způsob unášení substrátů při depozici tenké vrstvy na povrch substrátů a rotační stolek pro unášení substrátů podle způsobu |
| CN104233212B (zh) * | 2014-09-18 | 2017-01-25 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种行星转动镀膜机上薄膜厚度直接光控的安装方法 |
| CN109564955A (zh) * | 2017-08-02 | 2019-04-02 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 成膜设备及成膜方法 |
| KR20210016036A (ko) * | 2019-03-12 | 2021-02-10 | 가부시키가이샤 알박 | 성막 방법 |
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Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5838757B2 (ja) * | 1979-09-29 | 1983-08-25 | 株式会社東芝 | 原子炉遠隔停止制御装置 |
| JPS592743B2 (ja) * | 1980-10-17 | 1984-01-20 | 富士通株式会社 | 蒸着装置 |
| DE3130654A1 (de) * | 1981-08-03 | 1983-02-17 | Kurt 3015 Wennigsen Alten | Dichtung des spaltes zwischen dem rand einer gebaeudeoeffnung und dem heck eines an diese herangefahrenen fahrzeuges |
| JPH0689447B2 (ja) * | 1986-10-07 | 1994-11-09 | 日本真空技術株式会社 | 自公転式基板ホルダ取付装置 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63261579A patent/JP2592311B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-19 DE DE19893934887 patent/DE3934887A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02210636A (ja) | 1990-08-22 |
| DE3934887A1 (de) | 1990-04-26 |
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