JP2592396B2 - 薄膜の形成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜の形成装置に係り、
特に電子部品などの基体表面にスパッタリング或いは真
空蒸着により薄膜を形成する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属皮膜抵抗器等の電子部品などに使用
される円筒形磁器棒（セラミック基体）などに薄膜を形
成する場合には、従来からスパッタリング装置が広く使
用されている。従来のスパッタリング装置は、前記円筒
形磁器棒などの被処理物を、金網により形成された樽状
のバレル（かご）の中に大量に入れ、このバレルを回転
させながらスパッタリング着膜方式により被処理物の表
面に薄膜を形成していた。

【０００３】また、特開平４−２９８００４号公報に
は、被処理物を載せるＶ溝等を有するボードとこのボー
ドを振動させる振動子とを真空室の内部に配設して、ボ
ードを振動させながらスパッタリングを行うスパッタリ
ング装置が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バレル
を用いた前者の装置は、回転運動をするバレル内の被処
理物が、スパッタリング中に互いに重なりあって接触す
るので、相互にくっつき合ったり、被処理物の突起部分
や角の部分に薄膜が形成されにくく、膜厚が不均一にな
るという課題があった。更に、被処理物とバレルとの接
触が繰り返されることにより、被処理物に形成された薄
膜の微小欠損が生じていた。このように、この従来装置
においては、膜厚分布の不良が生じて製品の歩留まりを
低下させるという課題があった。また、バレルを構成す
る金網に着膜粒子が次第に付着して目詰まりを起こすの
で、金網のクリーニングを度々行う必要があった。

【０００５】一方、前記公報に開示された後者の装置
は、被処理物を載せるＶ溝等を有するボードを振動させ
る振動子を真空容器内に設置しているので、振動子から
の発塵、発熱のためにスパッタリング環境の維持が難し
く、また被処理物をボード上のＶ溝等の移動防止手段に
載置するため、処理数に制限があり大量生産が困難であ
るという課題があった。

【０００６】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
で、被処理物に欠損のない均一な薄膜を形成して製品の
歩留まりを向上させることができ、また良好な真空環境
が維持でき、大量生産が可能な薄膜の形成装置を提供す
ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の薄膜の形成装置は、内部が真空引きされる
容器と、前記容器内部に配設されて複数の被処理物を載
せる受皿と、該受皿の中央部を支持すると共に前記容器
の外部に延伸する主軸と、前記溶器の外部に設けられて
前記主軸を介して前記受皿を超音波振動させる振動源
と、前記容器内部に配設されて前記受皿と、少なくとも
その一部分と対向する前記被処理物に薄膜を形成するタ
ーゲットとを備え、前記振動源は前記受皿を支持する主
軸を介して振動を前記受皿に伝達し、前記主軸は振動伝
達の定在波の節部分で前記内部が真空引きされる容器に
真空封止されていることを特徴とするものである。

【０００８】また、本発明の薄膜の形成装置は、内部が
真空引きされる容器と、前記容器内部に配設されて複数
の被処理物を載せる受皿と、該受皿の中央部を支持する
と共に前記容器の外部に延伸する主軸と、前記容器の外
部に設けられて前記主軸を介して前記受皿を超音波振動
させる振動源と、前記容器内部に配設されて前記受皿と
比較して面積が同程度又は小さく、少なくともその一部
分と対向する前記被処理物に薄膜を形成するターゲット
とを備え、前記受皿又はターゲットの少なくとも一方は
それらの主軸のまわりに回転可能であり、前記ターゲッ
トが相対的に前記受皿の主軸を中心とする或る半径の円
周上を回転するように構成したことを特徴とするもので
ある。

【０００９】

【作用】本発明においては、容器の外部に設けられた振
動源により容器内部の受皿を振動させる。この受皿の振
動により受皿上の被処理物は回転動作や揺動動作などの
自由な運動をするので、この状態でスパッタリング或い
は真空蒸着をすれば、被処理物の表面には薄膜が均一に
形成される。そして、超音波振動を伝達する主軸は振動
伝達の節部分で内部が真空引きされる容器に真空封止さ
れていることから、容器内部を良好なスパッタリング環
境に保持することができる。また、ターゲットは受皿と
比較して面積が同程度又は小さく、且つ相対的に受皿の
主軸の円周上を回転するので、ターゲットの面積に対し
て受皿の被処理物を搭載する部分の面積を大きく取るこ
とができる。これにより大量処理が可能となる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図８を参
照して説明する。本実施例の薄膜の形成装置としては、
スパッタリングにより被処理物に薄膜を形成するスパッ
タリング装置の場合を示している。

【００１１】図１は本発明の第１実施例に係るスパッタ
リング装置を示す全体構成図、図２は図１の部分詳細図
である。スパッタリング装置１は、受皿２に載せられた
複数の被処理物３をスパッタリング着膜方式により薄膜
を形成する装置である。表面に薄膜が着膜する被処理物
３としては、金属皮膜抵抗器などの各種抵抗器、その他
コンデンサ、コイル、半導体などの電子部品や、装飾用
部品などの小物部品等の基体となる円筒形磁器棒（セラ
ミック）及び粉体物等である。

【００１２】スパッタリング装置１は、内部が真空引き
される容器としての真空チャンバ４と、真空チャンバ４
の内部１０に配設されて複数の被処理物３を載せる受皿
２と、真空チャンバ４の外部に設けられて受皿２を振動
させる振動源５と、真空チャンバ４に設けられて被処理
物３に薄膜を形成する薄膜形成手段６とを備えている。

【００１３】真空チャンバ４は、円形の底板７及び蓋板
８と筒状の側板９とが一体化した円筒形をなしており、
内部１０にＡｒ（アルゴン）ガスなどの不活性ガスを導
入するためのコントロールバルブ１１と、内部１０のガ
スを排気する図示しない排気ポンプに連通する排気管１
２とが取付けられている。排気管１２を介して排気ポン
プにより真空チャンバ４の内部１０が真空引きされる。
底板７の中央部には軸受１３が取付けられている。

【００１４】円形状の受皿２の外周縁には、図中上方に
僅かに突出した縁部１４が全周に渡って一体的に形成さ
れており、受皿２上に載せられた被処理物３が振動して
も落下しないようにしている。受皿２は、軸受１３に回
転自在に支持された主軸１５の上端に固定されている。
主軸１５が図示しない駆動源により回転すると、受皿２
も矢印Ｒのように回転運動を行う。

【００１５】振動源５は、主軸１５の下端部に設けられ
て主軸１５及び受皿２を振動させる振動子１６を備えて
おり、本実施例では、主軸１５の下端に振動子１６を固
定して、この振動子の動作により主軸１５を振動させて
いる。配線１７により振動子１６と接続された超音波発
振機１８から出力される信号によって前記主軸１５及び
これに固定された受皿２が振動する。

【００１６】主軸１５には、振動子１６の近傍に配設さ
れた冷却水ボックス１９と、冷却水ボックス１９に固定
された支持部材２０の下部に取付けられた冷却水ロータ
リージョイント２１と、冷却水ロータリージョイント２
１の下部に固定されて配線１７と電気的に接続される給
電スリップリング２２とが取付けられている。主軸１５
が回転すると、振動子１６、冷却水ボックス１９、支持
部材２０、冷却水ロータリージョイント２１及び給電ス
リップリング２２も一体的に回転運動をする。

【００１７】冷却水２３が流れる配水管２４が、冷却水
ロータリージョイント２１、冷却水ボックス入口２５、
冷却水ボックス出口２６、冷却水ロータリージョイント
２１の順に接続され、配管出口からは排水２３ａが排出
する。冷却水２３は加熱ヒータ５２及び振動子１６の振
動により発生した熱により高温となる主軸１５を冷却し
ている。

【００１８】図２は軸受１３の構造を示しており、図に
示すように、真空チャンバ４の底板７には円筒形のケー
ス３０が下方に向けて一体的に突出形成されている。ケ
ース３０の内方には一対のボールベアリング３１，３２
を介してスリーブ３３が回転自在に配設されている。ス
リーブ３３は、主軸１５に一体的に固定された突出片３
４にＯリングパッキング３５を介装させてセットボルト
３６により取付けられている。これにより、主軸１５の
振動がスリーブ３３には伝わらないようになっている。

【００１９】上部のボールベアリング３１の上方にはオ
イルシール又は磁気シール３７が装着されており、スト
ップリング３８によりシール３７を保持している。下部
のボールベアリング３２は、ベアリング押えケース３９
を介してセットボルト４０によりケース３０の内面に取
付けられている。このようにして、主軸１５、受皿２及
び振動源５の一部は、軸受１３に支持されながら回転運
動及び振動動作を行う。

【００２０】図１に示すように、受皿２の上方には、陰
極カソード４６が絶縁材４７を介して真空チャンバ４の
蓋板８に固定されている。陰極カソード４６の下面側に
はターゲット４８が受皿２上の被処理物３に対向して取
付けられている。陰極カソード４６及びターゲット４８
は、絶縁材４７に固定されたシールド４９によりその上
面及び側面を所定の間隙を介して覆われている。

【００２１】ターゲット４８の表面から放出されるスパ
ッタ粒子５０が受皿２の中心から縁部１４までの間の被
処理物３に着膜するような位置に、ターゲット４８は配
設されている（図５参照）。開閉操作可能なシャッター
５１が、ターゲット４８と受皿２との間に配設されてい
る。また、受皿２の上方には、赤外線ランプ等の加熱ヒ
ータ５２が真空チャンバ４に固定されており、加熱ヒー
タ５２により被処理物３の水分除去及び膜質の改善が行
われる。

【００２２】陰極カソード４６に固定されたターゲット
４８には、配線５３を介して直流高電圧源または高周波
源５４から直流高電圧または高周波電圧が印加されるよ
うになっている。

【００２３】次に、前記構成のスパッタリング装置１に
より薄膜を形成する方法について説明する。この方法で
は、容器としての真空チャンバ４の内部１０に受皿２を
配設して受皿２に複数の被処理物３を載せ、真空チャン
バ４の外部の振動源５により受皿２を振動させながら被
処理物３に薄膜を形成している。

【００２４】本実施例の動作を更に詳述すると、先ず排
気ポンプをオンして排気管１２を介して真空チャンバ４
の内部１０を真空引きするとともにコントロールバルブ
１１を開けてアルゴンガス等の不活性ガスを内部１０に
導入する。次いで、配水管２４に冷却水２３を供給して
主軸１５を冷却水ボックス１９により冷却するととも
に、図示しない駆動源により、複数の被処理物３が載せ
られた受皿２及び主軸１５を矢印Ｒのように回転させ
る。

【００２５】こうして真空チャンバ内部１０が低圧雰囲
気になった状態で、直流高電圧源または高周波源５４か
ら直流高電圧または高周波電圧を陰極４６に印加して、
陰極４６と受皿２との間でグロー放電を生じさせる。こ
れによって発生したアルゴンイオン（Ａｒ⁺ ）がターゲ
ット４８を衝撃し、この時のスパッタ作用によりターゲ
ット４８の表面からスパッタ粒子５０が放出する。

【００２６】そして、ターゲット４８の表面のプリスパ
ッタが完了した後、シャッター５１を開いてスパッタ粒
子５０を被処理物３に着膜させる。スパッタ粒子５０が
被処理物３に着膜し且つ堆積することにより、被処理物
３の表面に薄膜が形成される。受皿２は主軸１５により
回転しているので、受皿２の全体の被処理物３に薄膜の
形成がなされ、且つ加熱ヒータ５２により水分除去と膜
質の改善が行われる。

【００２７】一方、超音波発振機１８から配線１７、給
電スリップリング２２を介して振動子１６を振動動作さ
せれば、主軸１５が振動を伝達し受皿２は振動する。こ
れにより、被処理物３も受皿２上で揺動運動や回転運動
などの自由運動をするので、スパッタ粒子５０は被処理
物３の全面に渡って堆積しながら成膜を行う。

【００２８】この場合、長時間運転すると振動子１６及
び主軸１５が発熱して加熱されるが、冷却水２３により
常に振動子１６及び主軸１５は冷却されているので高温
になることはなくスパッタリング環境を維持しつつ連続
運転ができる。このように、本発明の第１の実施例は、
回転運動する受皿２上で被処理物３を振動させながらス
パッタリングしているので、被処理物同士が互いに重な
りあったり接触したりしたまま成膜することがなく、被
処理物３の受皿２への付着という問題を最小限に止める
ことができる。したがって、被処理物３に欠損のない均
一な薄膜を形成して製品の歩留まりを向上させることが
できる。また、従来のスパッタリング装置のような金網
がないため、成膜時間が短くなり、受皿２のクリーニン
グの回数は少なくて済む。

【００２９】更に、受皿２に被処理物３を多数載せるこ
とができるので、また他方式に見られるような被処理物
の挿入治具や取付治具を必要とせず成膜時間を短くでき
るので、稼動率も高くなり大量生産に適している。

【００３０】図３は本発明の第２実施例に係る薄膜の形
成装置としてのスパッタリング装置６０の全体構造図で
ある。第１実施例のスパッタリング装置１が受皿２を回
転させる大量生産向けの装置であるのに対して、本第２
実施例のスパッタリング装置６０は、受皿６２を固定し
た少量生産向けの装置である。なお、第１実施例と同一
または相当部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。

【００３１】図示するように、内部１０が真空引きされ
る容器としての真空チャンバ６３は円筒形状をなしてお
り、その底板６４の中央部には主軸６５が縦方向に固定
されている。主軸６５の上端には複数の被処理物３を載
せる受皿６２が固定されている。主軸６５の下端部に
は、主軸６５及び受皿６２を振動させる振動源６６が取
付けられており、振動源６６は、真空チャンバ６３の外
部に設けられている。振動源６６の振動子１６と、配線
１７を介して振動子１６に超音波を出力する超音波発振
機１８は、第１実施例と同様の構成である。

【００３２】振動子１６及び振動により温度上昇する主
軸６５を冷却するために、冷却水ボックス１９が主軸６
５に取付けられており、水配管２４を介して冷却水２３
が冷却水ボックス１９に供給されたのち排水２３ａとし
て排出される。

【００３３】主軸６５にはフランジ６７が固定されてお
り、フランジ６７は、真空チャンバ６３の底板６４に形
成された支持部材６８にボルト等の締結部材により締結
固定されている。フランジ６７と支持部材６８との間に
はＯリングパッキング６９が介装されており、これによ
り、主軸６５の振動が真空チャンバ６３に伝わらないよ
うにしている。

【００３４】薄膜形成手段６は第１実施例と同様の構成
であるが、本実施例では受皿６２が回転しないので、受
皿６２の全体にスパッタ粒子５０を放出させるために、
陰極カソード４６、ターゲット４８及びシャッター５１
が真空チャンバ６３の中央部の受皿６２に対向するよう
に配設している。赤外線ランプからなる加熱ヒータ５２
は、受皿６２上の被処理物３の全体を加熱できるように
傾斜して真空チャンバ６３に取付けられている。

【００３５】前記構成を有するスパッタリング装置６０
において、受皿６２全体に複数の被処理物３を載せ、振
動源６６により主軸６５を介して受皿６２を振動させれ
ば、被処理物３は受皿６２上で振動する。この状態で、
薄膜形成手段６によりスパッタ粒子５０をターゲット４
８の表面から放出させれば、スパッタ粒子５０は被処理
物３の表面に着膜し且つ堆積して成膜が行われる。ま
た、加熱ヒータ５２により被処理物３を加熱することに
より、水分除去と膜質改善がなされる。したがって、本
第２実施例においても、第１実施例と同様の作用効果を
奏する。

【００３６】図４は本発明の第３実施例に係るスパッタ
リング装置８０を示す全体構造図である。このスパッタ
リング装置８０は、受皿８２及び主軸８３を固定し、陰
極カソード８４、ターゲット８５及び加熱ヒータ８６を
一体的に回転させる大量生産向けの装置である。なお、
第１，第２実施例と同一または相当部分には同一符号を
付してその説明を省略する。

【００３７】内部１０が真空引きされる容器としての真
空チャンバ８７の底板８８のほぼ中央部には、主軸８３
が第２実施例と同様の構成により固定されている。主軸
８３の下端部には振動源６６が設けられており、主軸の
上端部には、多数の被処理物３を載せる円形の受皿８２
が固定されている。

【００３８】真空チャンバ８７には薄膜形成手段９０が
設けられており、図示しない駆動源によりシールド回転
シャフト９１を回転させている。シールド回転シャフト
９１は真空チャンバ８７の蓋板９２のほぼ中央部に設け
られている。蓋板９２にはセットボルト９３により軸受
９４がＯリングパッキング９４ａを介装させて固定され
ており、ボールベアリング９５とオイルシールまたは磁
気シール９６とを介してシールド回転シャフト９１が軸
受９４の内方に回転自在に支持されている。

【００３９】シールド回転シャフト９１の内方には、絶
縁材９７，９８を介して陰極カソード８４が固定され、
陰極カソード８４の下面にはターゲット８５が固定され
ている。ターゲット８５は受皿８２の中心から縁部１４
までの間の真上にくるように配置されており、シールド
回転シャフト９１とともにターゲット８５が回転すれ
ば、受皿８２上の被処理物３の全体に渡ってスパッタ粒
子５０が着膜するようにしている。シールド回転シャフ
ト９１には、ヒータ取付けプレート９９が固定されてお
り、ヒータ取付けプレート９９の下面には加熱ヒータ８
６が取付けられている。

【００４０】陰極カソード８４の上部には冷却用の冷却
水ロータリージョイント１００が設けられており、冷却
水ロータリージョイント１００には配水管２４を介して
冷却水２３が流れるようになっている。更に、陰極カソ
ード８４の上部には給電スリップリング１０１が取付け
られており、ヒータ電源１０２から配線１０３及び給電
スリップリング１０１を介して加熱ヒータ８６に電流が
供給される。また、直流高電圧源または高周波源５４か
ら配線５３、給電スリップリング１０１を介して陰極カ
ソード８４に直流高電圧または高周波電圧が印加され
る。

【００４１】このように本実施例のスパッタリング装置
８０は、シールド回転シャフト９１とともにターゲット
８５及び加熱ヒータ８６を矢印Ｒのように回転させたの
で、受皿８２をターゲットの面積と比較して大きくして
大量の被処理物３をスパッタリングすることができる。
操作手順は第１実施例と同様であり、第１，第２実施例
と同様の作用効果を奏する。

【００４２】図５は本発明の第１実施例及び第３実施例
に係る受皿とターゲットの配置を示す平面図、図６はそ
の受皿の正面断面図である。図示する受皿１１０におい
ては、円形状の底板１１１の外周縁部に、上方に突出す
る円環状の外方縁部１１２を一体的に取付け、またその
内方では、上方に突出する円環状の内方縁部１１３を底
板１１１に一体的に取付けている。そして両縁部１１
２，１１３に囲まれたドーナツ状の部分Ｓに被処理物３
を載せる。小型のターゲット４８をドーナツ状部分Ｓの
上方に対向するように配置して、第１実施例に示すよう
に受皿１１０を回転し且つ振動させれば、ターゲット４
８から受皿全体の被処理物３の表面にスパッタ粒子が着
膜して成膜が行われる。このようにすれば、小型のター
ゲット４８でも、その数倍以上の面積の受皿にある大量
の被処理物３を均一にスパッタリング成膜することがで
きる。

【００４３】図７は本発明における振動の動作を説明す
る構造図、図８は図７の詳細図である。なお、図示する
スパッタリング装置８０は第３実施例に係る装置である
が、第１，第２実施例のスパッタリング装置における振
動の動作もこれと同様である。

【００４４】上述のように本実施例においては、振動源
６６を真空チャンバ８７の外部に設けて、真空チャンバ
８７の内部１０に配設されている受皿８２を主軸８３を
介して振動させている。したがって、振動源６６からの
振動を真空チャンバ８７を振動させないで効率良く受皿
８２に伝える工夫が必要である。

【００４５】すなわち、超音波発振機１８から出力され
る信号により振動子１６が振動すると振幅Ｗの定在波１
２０が主軸８３から受皿８２に発生する。振動は主軸８
３を伝わって受皿８２を振動させるが、定在波の節及び
腹部は、振動子１６の周波数によって決まる。このと
き、超音波発振機１８の周波数を調整し、図８に示すよ
うに主軸８３の長手方向中央部１２１は定在波１２０の
節となって振動せず、この中央部１２１を中心に長手方
向両端に向かって定在波１２０は腹となるようにする。

【００４６】したがって、節となる主軸８３の中央部１
２１またはその他の節となる部分にフランジ６７を設
け、このフランジ６７を真空チャンバ８７に固定すれ
ば、振動子１６から発生した振動の定在波１２０は主軸
８３の下端部から上端部に効率良く伝わる。そして、主
軸８３の上端部の先端ホーン部１２２から受皿８２で定
在波の腹部１２３になって受皿８２を振動させる。これ
により被処理物３が回転運動や揺動運動などの自由運動
をする。なお、被処理物３が均等な運動をするために
は、受皿８２には適切な寸法及び形状が必要であり、ま
た振動の強弱については、主軸８３の直径、先端ホーン
部１２２の形状及び超音波発振機１８の出力の調節によ
って決まる。

【００４７】なお、以上の実施例はスパッタリング装置
について説明されているが、真空蒸着装置についても同
様に適用可能である。又、各図中同一符号は同一又は相
当部分を示す。

【００４８】

【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、被
処理物に欠損のない均一な薄膜を形成して製品の歩留ま
りを向上させることができ、また連続運転や大量生産が
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。

【図２】図１の部分詳細図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。

【図４】本発明の第３実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。

【図５】本発明の第１実施例及び第３実施例に係る受皿
の平面図である。

【図６】図５の正面断面図である。

【図７】本発明における振動の動作を説明する構造図で
ある。

【図８】図７の詳細図である。

【符号の説明】

１，６０，８０ 薄膜の形成装置（スパッタリング装
置） ２，６２，８２，１１０ 受皿 ３ 被処理物 ４，６３，８７ 真空チャンバ（容器） ５，６６ 振動源 ６，９０ 薄膜形成手段 １０ 容器の内部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土本 正博 兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号 神港精機株式会社内 (72)発明者 野間 正男 兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号 神港精機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−41375（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部が真空引きされる容器と、前記容器
   内部に配設されて複数の被処理物を載せる受皿と、該受
   皿の中央部を支持すると共に前記容器の外部に延伸する
   主軸と、前記容器の外部に設けられて前記主軸を介して
   前記受皿を超音波振動させる振動源と、前記容器内部に
   配設されて前記受皿と、少なくともその一部分と対向す
   る前記被処理物に薄膜を形成するターゲットとを備え、
   前記振動源は前記受皿を支持する主軸を介して振動を前
   記受皿に伝達し、前記主軸は振動伝達の定在波の節部分
   で前記内部が真空引きされる容器に真空封止されている
   ことを特徴とする薄膜の形成装置。
2. 【請求項２】 内部が真空引きされる容器と、前記容器
   内部に配設されて複数の被処理物を載せる受皿と、該受
   皿の中央部を支持すると共に前記容器の外部に延伸する
   主軸と、前記容器の外部に設けられて前記主軸を介して
   前記受皿を超音波振動させる振動源と、前記容器内部に
   配設されて前記受皿と比較して面積が同程度又は小さ
   く、少なくともその一部分と対向する前記被処理物に薄
   膜を形成するターゲットとを備え、前記受皿又はターゲ
   ットの少なくとも一方はそれらの主軸のまわりに回転可
   能であり、前記ターゲットが相対的に前記受皿の主軸を
   中心とする或る半径の円周上を回転するように構成した
   ことを特徴とする薄膜の形成装置。
3. 【請求項３】 前記受皿は、外周縁部と内周縁部に突出
   部分を有する円板状の金属製の底板からなり、該受皿の
   中心は前記主軸に支持され回転可能となっており、前記
   外周縁部と内周縁部間に被処理物が載せられ、該外周縁
   部と内周縁部間の受皿の一部分が前記薄膜形成手段のタ
   ーゲットと対向するように配置されていることを特徴と
   する請求項１又は２記載の薄膜の形成装置。