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JP2591202Y2 - Vertical CVD equipment - Google Patents

Vertical CVD equipment

Info

Publication number
JP2591202Y2
JP2591202Y2 JP1997002195U JP219597U JP2591202Y2 JP 2591202 Y2 JP2591202 Y2 JP 2591202Y2 JP 1997002195 U JP1997002195 U JP 1997002195U JP 219597 U JP219597 U JP 219597U JP 2591202 Y2 JP2591202 Y2 JP 2591202Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holder
wafer holder
transfer arm
flat surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1997002195U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10128U (en
Inventor
博信 宮
昭生 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=16738038&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2591202(Y2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP1997002195U priority Critical patent/JP2591202Y2/en
Publication of JPH10128U publication Critical patent/JPH10128U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2591202Y2 publication Critical patent/JP2591202Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本考案は、ウェーハ表面に低温酸
化膜(LTO膜)あるいはリンドープ低温酸化膜等のC
VD膜等の生成を行う縦型CVD装置に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、ウェーハの表面にポリシリコン
膜、窒化膜などのCVD膜を生成する場合には、直接、
石英製ウェーハボート5上にウェーハ2を装填して行わ
れるが、SiH4 とO2 を用いたLTO膜(生成温度3
00〜400℃)やPSG膜(LTO膜にリンをドープ
した膜)、あるいはSiH4 とN2Oを用いる高温酸化
膜(HTO膜、生成温度700〜850℃)、リンドー
プポリシリコン膜などの生成においては、ボートに保持
される石英製のウェーハホルダが用いられており、図4
に示したように、ウェーハホルダ16の上にウェーハ2
の裏面が密着して載置されて、膜生成が行われる。 【0003】 【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
縦型CVD装置のウェーハホルダ16にあっては、ウェ
ーハホルダ16上にウェーハ2の裏面が密着しているた
めに、ウェーハ2をウェーハホルダ16に装着あるいは
脱着する時に、自動搬送を行うのは困難であるという問
題がある。また、ウェーハ2がウェーハホルダ16上を
自由に移動できるので、ウェーハホルダ16が移動する
際に、ウェーハが脱落することがあるという問題があ
る。 【0004】本願考案はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、ウェーハの自動搬送を行うことができる縦型CV
D装置を提供することを目的とする。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案の縦型CVD装置は、ウェーハ処理に際して
ウェーハを保持するウェーハホルダと、未処理ウェーハ
または処理済みウェーハを収納するカセットと、前記カ
セットからウェーハホルダへ、またはウェーハホルダか
らカセットへウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
と、ウェーハホルダに保持されたウェーハを処理する処
理室と、を有し、前記ウェーハホルダは、平坦面を持つ
ウェーハホルダ本体と、保持されるウェーハに沿って前
記ウェーハホルダ本体の平坦面上に設けられウェーハが
載置されると共に載置されたウェーハの周面に当接可能
な複数個のつめと、を備え、該複数のつめによって、保
持されたウェーハをウェーハホルダ本体の平坦面から浮
かして、ウェーハとウェーハホルダ本体の平坦面との間
に前記ウェーハ搬送アームが挿入可能な隙間を形成して
おり、前記ウェーハ搬送アームが前記隙間を出入りする
ことによって、ウェーハをウェーハホルダのつめに載置
し、またはウェーハをウェーハホルダのつめから取り出
すことを特徴とする。 【0006】 【作用】未処理ウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
が、ウェーハホルダの上方から下降して、つめにウェー
ハを接触させた後、さらに下降して、ウェーハとウェー
ハホルダ本体の平坦面との間の隙間から脱出すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となくウェーハをつめに載置することができる。また、
ウェーハホルダ上に保持された処理済みウェーハに対し
て、ウェーハ搬送アームがウェーハとウェーハホルダ本
体の平坦面との間の隙間に挿入して、上昇することで、
ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触することな
くウェーハをウェーハホルダから取り出して搬送するこ
とができる。 【0007】 【実施例】図1は、本考案の縦型CVD装置に用いられ
るウェーハホルダの1実施例を示す斜視図である。この
実施例では、ウェーハホルダ6の面一のウェーハホルダ
本体6aの上には保持されるウェーハ2に沿って複数個
(本例では4個)のつめ7が設けられている。各つめ7
には、ウェーハホルダ本体6aよりも上方にあってウェ
ーハ2が載置される段差部7aが形成されている。段差
部7aは、ウェーハ2の裏面と接触する略平坦な平坦面
7bと、平坦面7bと直交しウェーハ2の周面に当接可
能な移動制限面7cとを有しており、この平坦面7bと
移動制限面7cからなる段差部7aは、載置されるウェ
ーハ2の中心側を向いている。段差部7aによってウェ
ーハ2をウェーハホルダ本体6a面より例えば4mm程
度浮かすことにより、ウェーハ2をウェーハホルダ6に
装着あるいは脱着する時にはウェーハ2とウェーハホル
ダ本体6aとの間にウェーハ立替機3のウェーハ搬送ア
ーム4の真空吸着部4aを挿入して、ウェーハ2の裏面
を吸着して移動を行うことができる。また、複数の移動
制限面7cがウェーハ2の周面の回りに間隔をおいて配
置されるので、これらの移動制限面7cによってウェー
ハホルダ6上でのウェーハ2の横方向の移動が制限され
ている。 【0008】図2は、縦型CVD装置を示す斜視図であ
る。ウェーハホルダ6は、縦型石英製ウェーハボート5
上に約1.1度の角度をもって保持されており、少なく
とも1つ以上のつめ7がウェーハ2を下方から支持する
ことで、ウェーハ2の脱落を阻止し、また、ウェーハボ
ート5を回転または昇降させた時にウェーハ2が動かな
いようにすることができる。 【0009】未処理のウェーハ2が納められたカセット
1は、カセットエレベータ8に載置されており、ウェー
ハ立替機3の伸縮及び上下機構を持ったウェーハ搬送ア
ーム4の真空吸着部4a(図3参照)によって、カセッ
ト1からウェーハ2が吸着されて取り出される。次い
で、ウェーハ立替機3のウェーハ搬送アーム4が、取り
出されたウェーハ2を90度回転してボート5上に保持
されたウェーハホルダ6上に搬送する。ウェーハホルダ
6上方にウェーハ2がくるとウェーハ搬送アーム4は下
降してウェーハ2をウェーハホルダ6のつめ7の段差部
7a上に密着させる。同時に真空吸着部4aによる吸着
が解除されてウェーハ2は段差部7a上に載せられる。
ウェーハ搬送アーム4は更に下降し、次いで縮まり、ウ
ェーハ2とウェーハホルダ本体6aとの間の隙間から脱
出し、次のウェーハ2の搬送の準備をする。 【0010】ウェーハ搬送アーム4の厚みが2mm程度
有るため、ウェーハ2とウェーハホルダ本体6aとの間
の隙間は前記のように4mm位とすれば、ウェーハ2の
ウェーハホルダ6への装着または脱着の際にウェーハ搬
送アーム4が十分、該隙間内を上下動することができ
る。昇降機構10によってボート5が昇降し、所定数の
ウェーハ2がボート5に移載されると、ボート移し替え
機構9によって膜生成処理済みのウェーハを載置したボ
ート5と未処理ウェーハを載置したボート5とを移し替
え、未処理ウェーハを載置したボート5を昇降機構11
により反応管12(処理室)内に下方から入れて、ガス
インレット13より反応ガスを供給して反応管12内で
ウェーハ表面にCVD膜を生成する。 【0011】また、膜生成処理が終了すると、上記と逆
の手順でウェーハ2をカセット1に搬送する。以上のよ
うな手順でウェーハ2の自動搬送を行うことができる。
ウェーハホルダ本体6a上につめ7が設けられているた
め、当該ウェーハホルダ6を用いて後記表1の生成条件
下においてLTO膜を生成した場合には、後記表2のN
o.2に示すようにウェーハ周辺部の膜厚が厚くなり、ウ
ェーハ周辺5mm部分の膜厚均一性は±10%を越えて
しまい全体の膜厚均一性は±4〜8%になる。後記表2
のNo.1に示すように、従来のウェーハホルダ16を用い
た場合の全体の膜厚均一性が±2〜3%と比較して、膜
厚均一性が悪くなるものの、ウェーハ2を自動搬送する
ことができるようになるため、製造コストの低減を図る
ことができる。 【0012】 【表1】 【0013】 【表2】【0014】 【考案の効果】以上説明したように、本考案の縦型CV
D装置によれば、ウェーハホルダ本体の平坦面上に、保
持されるウェーハに沿って複数個のつめが備えられ、つ
めによってウェーハをウェーハホルダ本体の平坦面から
浮かしてウェーハとウェーハホルダ本体との間にウェー
ハ搬送アームが挿入可能な隙間を形成することとしてい
るので、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触す
ることなく、つめにウェーハを載置することができ、逆
の動作として、ウェーハ搬送アームが前記隙間に入って
ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触することな
く、つめに載置されたウェーハを取り出して搬送するこ
とができるので、ウェーハの自動搬送が可能になり、ウ
ェーハ処理を効率良く行うことができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-temperature oxide film (LTO film) such as a low-temperature oxide film (LTO film)
The present invention relates to a vertical CVD apparatus that generates a VD film and the like. Conventionally, when a CVD film such as a polysilicon film or a nitride film is formed on the surface of a wafer,
This is carried out by loading the wafer 2 on a quartz wafer boat 5 and using an LTO film (forming temperature 3) using SiH 4 and O 2.
00 to 400 ° C.), PSG film (LTO film doped with phosphorus), high-temperature oxide film using SiH 4 and N 2 O (HTO film, generation temperature 700 to 850 ° C.), phosphorus-doped polysilicon film, etc. In the production, a quartz wafer holder held by a boat is used.
As shown in the figure, the wafer 2 is placed on the wafer holder 16.
Are placed in close contact with each other to form a film. [0003] However, in the wafer holder 16 of the conventional vertical CVD apparatus, since the back surface of the wafer 2 is in close contact with the wafer holder 16, the wafer 2 is There is a problem that it is difficult to carry out automatic conveyance when attaching or detaching to or from the holder 16. Further, since the wafer 2 can freely move on the wafer holder 16, there is a problem that the wafer may drop off when the wafer holder 16 moves. [0004] The present invention has been made in view of such a problem, and a vertical CV capable of automatically carrying a wafer.
It is intended to provide a D device. In order to achieve the above object, a vertical CVD apparatus according to the present invention accommodates a wafer holder for holding a wafer during wafer processing and an unprocessed or processed wafer. A cassette, a wafer transfer arm for transferring a wafer from the cassette to the wafer holder or from the wafer holder to the cassette, and a processing chamber for processing the wafer held by the wafer holder, the wafer holder has a flat surface A wafer holder body having a plurality of pawls provided on a flat surface of the wafer holder body along the held wafer, on which the wafer is mounted and which can contact the peripheral surface of the mounted wafer; The plurality of claws allow the held wafer to float from the flat surface of the wafer holder body. A gap is formed between the wafer and the flat surface of the wafer holder main body so that the wafer transfer arm can be inserted thereinto, and the wafer transfer arm moves in and out of the gap to place the wafer on the claw of the wafer holder. Or removing the wafer from the claws of the wafer holder. A wafer transfer arm for transferring an unprocessed wafer is lowered from above the wafer holder to bring the wafer into contact with the claws, and then further lowered to allow the wafer and the flat surface of the wafer holder main body to move down. By escaping from the gap therebetween, the wafer can be placed on the claws without the wafer transfer arm coming into contact with the wafer holder. Also,
For the processed wafer held on the wafer holder, the wafer transfer arm is inserted into the gap between the wafer and the flat surface of the wafer holder main body, and ascends,
The wafer can be taken out of the wafer holder and transferred without the wafer transfer arm contacting the wafer holder. FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a wafer holder used in a vertical CVD apparatus according to the present invention. In this embodiment, a plurality (four in this example) of pawls 7 are provided along the wafer 2 held on the wafer holder main body 6a flush with the wafer holder 6. Each pawl 7
Is formed with a stepped portion 7a above the wafer holder main body 6a and on which the wafer 2 is placed. The step portion 7a has a substantially flat flat surface 7b in contact with the back surface of the wafer 2, and a movement limiting surface 7c orthogonal to the flat surface 7b and capable of contacting the peripheral surface of the wafer 2. The step portion 7a composed of 7b and the movement limiting surface 7c faces the center of the wafer 2 to be placed. The wafer 2 is lifted from the surface of the wafer holder main body 6a by, for example, about 4 mm by the stepped portion 7a, so that the wafer transfer of the wafer reloading machine 3 between the wafer 2 and the wafer holder main body 6a is performed when the wafer 2 is attached to or detached from the wafer holder 6. The vacuum suction part 4a of the arm 4 can be inserted and the back surface of the wafer 2 can be sucked and moved. Further, since the plurality of movement limiting surfaces 7c are arranged at intervals around the peripheral surface of the wafer 2, the movement of the wafer 2 on the wafer holder 6 in the lateral direction is limited by these movement limiting surfaces 7c. I have. FIG. 2 is a perspective view showing a vertical CVD apparatus. The wafer holder 6 is a vertical quartz wafer boat 5
The wafer 2 is held at an angle of about 1.1 degrees, and at least one or more pawls 7 support the wafer 2 from below, thereby preventing the wafer 2 from falling off and rotating or moving the wafer boat 5 up and down. When this is done, the wafer 2 can be prevented from moving. The cassette 1 containing the unprocessed wafers 2 is mounted on a cassette elevator 8 and has a vacuum suction unit 4a (FIG. 3) of a wafer transfer arm 4 having a telescopic unit of a wafer refilling machine 3 and a vertical mechanism. 2), the wafer 2 is sucked out of the cassette 1 and taken out. Next, the wafer transfer arm 4 of the wafer changer 3 rotates the taken-out wafer 2 by 90 degrees and transfers it to the wafer holder 6 held on the boat 5. When the wafer 2 comes above the wafer holder 6, the wafer transfer arm 4 descends to bring the wafer 2 into close contact with the step 7 a of the pawl 7 of the wafer holder 6. At the same time, the suction by the vacuum suction unit 4a is released, and the wafer 2 is placed on the step 7a.
The wafer transfer arm 4 is further lowered and then contracted, escapes from the gap between the wafer 2 and the wafer holder main body 6a, and prepares for transfer of the next wafer 2. Since the thickness of the wafer transfer arm 4 is about 2 mm, if the gap between the wafer 2 and the wafer holder body 6a is about 4 mm as described above, the mounting or detachment of the wafer 2 to or from the wafer holder 6 can be performed. At this time, the wafer transfer arm 4 can sufficiently move up and down in the gap. When the boat 5 is moved up and down by the elevating mechanism 10 and a predetermined number of wafers 2 are transferred to the boat 5, the boat 5 on which the film-formed wafers are mounted and the unprocessed wafers are mounted by the boat transfer mechanism 9. The boat 5 on which the unprocessed wafers are placed is moved to the lifting mechanism 11.
The reaction gas is supplied from the gas inlet 13 into the reaction tube 12 (processing chamber) from below, and a CVD film is formed on the wafer surface in the reaction tube 12. When the film forming process is completed, the wafer 2 is transferred to the cassette 1 in the reverse procedure. The automatic transfer of the wafer 2 can be performed according to the above procedure.
Since the pawl 7 is provided on the wafer holder main body 6a, when the wafer holder 6 is used to form an LTO film under the conditions shown in Table 1 below, N
As shown in o.2, the film thickness at the peripheral portion of the wafer becomes thick, and the uniformity of the film thickness at the 5 mm peripheral portion exceeds ± 10%, and the uniformity of the entire film thickness becomes ± 4 to 8%. Table 2 below
As shown in No. 1, although the overall film thickness uniformity when using the conventional wafer holder 16 is lower than ± 2 to 3%, the wafer 2 is automatically transferred. Therefore, manufacturing costs can be reduced. [Table 1] [Table 2] As described above, the vertical CV according to the present invention is provided.
According to the D apparatus, on the flat surface of the wafer holder main body, a plurality of claws are provided along the held wafer. Since a gap is formed between the wafer transfer arms so that the wafer transfer arms can be inserted, the wafer can be placed on the nails without the wafer transfer arms coming into contact with the wafer holder. It is possible to take out and transport the wafer placed on the claw without the wafer transport arm coming into the gap and contacting the wafer holder, so that the automatic transport of the wafer is possible, and the wafer processing is efficiently performed. Can be.

【図面の簡単な説明】 【図1】(a)及び(b)はそれぞれ本考案に使用され
るウェーハホルダの1実施例を示す斜視図及びそのIV
−IV線断面図である。 【図2】本考案の縦型CVD装置を示す斜視図である。 【図3】図2に使用するウェーハ搬送アームの斜視図で
ある。 【図4】従来のウェーハホルダを示す側面図である。 【符号の説明】 1 カセット 2 ウェーハ 4 ウェーハ搬送アーム 6 ウェーハホルダ 6a ウェーハホルダ本体 7 つめ 7a 段差部 12 反応管(処理室)
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 (a) and 1 (b) are perspective views showing an embodiment of a wafer holder used in the present invention, respectively, and its IV.
FIG. 4 is a sectional view taken along line IV. FIG. 2 is a perspective view showing the vertical CVD apparatus of the present invention. FIG. 3 is a perspective view of a wafer transfer arm used in FIG. 2; FIG. 4 is a side view showing a conventional wafer holder. [Description of Signs] 1 cassette 2 wafer 4 wafer transfer arm 6 wafer holder 6a wafer holder main body 7 pawl 7a step 12 reaction tube (processing chamber)

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】 1.ウェーハ処理に際してウェーハを保持するウェーハ
ホルダと、 未処理ウェーハまたは処理済みウェーハを収納するカセ
ットと、 前記カセットからウェーハホルダへ、またはウェーハホ
ルダからカセットへウェーハを搬送するウェーハ搬送ア
ームと、 ウェーハホルダに保持されたウェーハを処理する処理室
と、を有し、 前記ウェーハホルダは、平坦面を持つウェーハホルダ本
体と、保持されるウェーハに沿って前記ウェーハホルダ
本体の平坦面上に設けられウェーハが載置されると共に
載置されたウェーハの周面に当接可能な複数個のつめ
と、を備え、該複数のつめによって、保持されたウェー
ハをウェーハホルダ本体の平坦面から浮かして、ウェー
ハとウェーハホルダ本体の平坦面との間に前記ウェーハ
搬送アームが挿入可能な隙間を形成しており、 前記ウェーハ搬送アームが前記隙間を出入りすることに
よって、ウェーハをウェーハホルダのつめに載置し、ま
たはウェーハをウェーハホルダのつめから取り出すこと
を特徴とする縦型CVD装置。 2.前記各つめには、ウェーハが載置され且つ載置され
たウェーハの周面に当接可能な段差部が設けられること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の縦型
CVD装置。
(57) [Rules for requesting registration of utility model] A wafer holder for holding wafers during wafer processing, a cassette for storing unprocessed wafers or processed wafers, a wafer transfer arm for transferring wafers from the cassette to the wafer holder or from the wafer holder to the cassette, and a wafer holder A processing chamber for processing the processed wafer, wherein the wafer holder is provided on a flat surface of the wafer holder main body along a wafer holder main body having a flat surface and a held wafer, and the wafer is mounted thereon. And a plurality of claws that can be brought into contact with the peripheral surface of the placed wafer, wherein the plurality of claws allow the held wafer to float from the flat surface of the wafer holder body, and the wafer and the wafer holder Form a gap between the flat surface of the main body and the wafer transfer arm. A vertical CVD apparatus, wherein the wafer transfer arm moves in and out of the gap to place a wafer on a nail of a wafer holder or remove a wafer from a nail of a wafer holder. 2. The vertical CVD apparatus according to claim 1, wherein each of the claws is provided with a step portion on which a wafer is mounted and which can be brought into contact with a peripheral surface of the mounted wafer. .
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