JP2583261B2 - 充填剤 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、充填剤、詳しくは半導体等の電子部品の封
止材、電気絶縁ペースト、放熱シートなどに有用な充填
剤に関するものである。
止材、電気絶縁ペースト、放熱シートなどに有用な充填
剤に関するものである。
半導体はますます高集積化、高電力化される方向にあ
り、高熱伝導性及び低熱膨張性を付与できる充填剤が望
まれている。このような特性を有する充填剤として窒化
硅素や窒化アルミニウム等の粉末が提案されている。例
えば、特開昭61-91243号公報には、窒化アルミニウムと
エポキシ樹脂とからなる封止材用樹脂組成物が、そして
窒化硅素充填剤については、特開昭61-101522号、同61-
221220、同61-285247、同62-43415号の公報において、
α−窒化硅素、β−窒化硅素の結晶形、粒径が60メツシ
ユ以上の細径、粉末状、繊維状、ウイスカー状の形状が
示されている。
り、高熱伝導性及び低熱膨張性を付与できる充填剤が望
まれている。このような特性を有する充填剤として窒化
硅素や窒化アルミニウム等の粉末が提案されている。例
えば、特開昭61-91243号公報には、窒化アルミニウムと
エポキシ樹脂とからなる封止材用樹脂組成物が、そして
窒化硅素充填剤については、特開昭61-101522号、同61-
221220、同61-285247、同62-43415号の公報において、
α−窒化硅素、β−窒化硅素の結晶形、粒径が60メツシ
ユ以上の細径、粉末状、繊維状、ウイスカー状の形状が
示されている。
しかしながら、これらの刊行物には窒化物粉末を充填
剤として使用する際の成形性、低熱膨張性及び高熱伝導
性を一挙に発現させるための適性条件は示されていな
い。
剤として使用する際の成形性、低熱膨張性及び高熱伝導
性を一挙に発現させるための適性条件は示されていな
い。
本発明者らは、これらの窒化物粉末は高熱伝導性かつ
耐熱性に優れたセラミツク成形体を製造するのに好まし
いフアインセラミツクス粉末として主に検討されてきて
いるが、樹脂組成物用の充填剤としての研究は広範囲か
つ詳細になされていないことに着目し、成形性、高熱伝
導性及び低熱膨張性の全てに優れた樹脂組成物を得るた
めの充填剤について窒化物の製造条件から鋭意検討した
結果、本発明の完成に到つたものである。
耐熱性に優れたセラミツク成形体を製造するのに好まし
いフアインセラミツクス粉末として主に検討されてきて
いるが、樹脂組成物用の充填剤としての研究は広範囲か
つ詳細になされていないことに着目し、成形性、高熱伝
導性及び低熱膨張性の全てに優れた樹脂組成物を得るた
めの充填剤について窒化物の製造条件から鋭意検討した
結果、本発明の完成に到つたものである。
すなわち、本発明は、見かけ気孔率が15〜35%である
硅素及び又はアルミニウムの粉末窒化物の粉砕物であつ
て、しかも比表面積の測定値/理論値の比が2以上であ
ることを特徴とする充填剤である。
硅素及び又はアルミニウムの粉末窒化物の粉砕物であつ
て、しかも比表面積の測定値/理論値の比が2以上であ
ることを特徴とする充填剤である。
以下、さらに詳しく本発明について説明する。
窒化物の代表的製造法として次の3つの方法が公知で
ある。
ある。
(1)金属ハロゲン化物とアンモニアから直接気相合成
もしくは金属イミド、金属アミドを経由して製造する方
法 (2)金属酸化物を還元窒化する方法 (3)金属を直接窒化する方法 本発明者らは(1)〜(3)の方法によつて得られる
粉末の充填剤としての特性を詳細に検討した結果、
(1)の方法で得られる窒化物は最も高純度であるが、
平均粒径が1μm以下であり、また、(2)の方法によ
る窒化物粉末も平均粒径がたかだか5μm以下であり、
しかもいずれの粉末も粒度分布がシヤープであるため、
充填剤として使用した場合、得られる樹脂組成物の流動
性が不足するので粉末を高充填することができず、高熱
伝導性及び低熱膨張性を十分に付与できないことがわか
つた。しかるに、(3)の方法による窒化物の粉末の場
合、平均粒径が0.1〜100μmの広範囲にわたつて調節可
能であるため、流動性が良好な充填剤を得ることがで
き、しかも気孔率が15〜35%である反応焼結塊(硅素及
び又はアルミニウムの粉末窒化物)を粉砕して得られる
ものであるため、特異的に高熱伝導性及び低熱膨張性に
優れた樹脂組成物を得ることができたのである。
もしくは金属イミド、金属アミドを経由して製造する方
法 (2)金属酸化物を還元窒化する方法 (3)金属を直接窒化する方法 本発明者らは(1)〜(3)の方法によつて得られる
粉末の充填剤としての特性を詳細に検討した結果、
(1)の方法で得られる窒化物は最も高純度であるが、
平均粒径が1μm以下であり、また、(2)の方法によ
る窒化物粉末も平均粒径がたかだか5μm以下であり、
しかもいずれの粉末も粒度分布がシヤープであるため、
充填剤として使用した場合、得られる樹脂組成物の流動
性が不足するので粉末を高充填することができず、高熱
伝導性及び低熱膨張性を十分に付与できないことがわか
つた。しかるに、(3)の方法による窒化物の粉末の場
合、平均粒径が0.1〜100μmの広範囲にわたつて調節可
能であるため、流動性が良好な充填剤を得ることがで
き、しかも気孔率が15〜35%である反応焼結塊(硅素及
び又はアルミニウムの粉末窒化物)を粉砕して得られる
ものであるため、特異的に高熱伝導性及び低熱膨張性に
優れた樹脂組成物を得ることができたのである。
本発明における窒化物としては、窒化硅素や窒化アル
ミニウム等が挙げられ、より高熱伝導性を樹脂組成物に
付与したい場合は窒化アルミニウムを、より低熱膨張性
を付与したい場合は窒化硅素を選択する。なお、窒化硅
素には、α−窒化硅素及びβ−窒化硅素の2種類の結晶
形が存在するがどちらでもよく、勿論両者の混合物であ
つてもよい。結晶形の相違よりも多孔質な粉末であるこ
との方が樹脂組成物に高熱伝導性及び低熱膨張性の付与
するうえで重要である。
ミニウム等が挙げられ、より高熱伝導性を樹脂組成物に
付与したい場合は窒化アルミニウムを、より低熱膨張性
を付与したい場合は窒化硅素を選択する。なお、窒化硅
素には、α−窒化硅素及びβ−窒化硅素の2種類の結晶
形が存在するがどちらでもよく、勿論両者の混合物であ
つてもよい。結晶形の相違よりも多孔質な粉末であるこ
との方が樹脂組成物に高熱伝導性及び低熱膨張性の付与
するうえで重要である。
(3)の方法による反応焼結塊は、通常、見かけ気孔
率が10〜50%であるが、本発明の充填剤を製造するに
は、見かけ気孔率が15〜35%好ましくは20〜33%であ
る。見かけ気孔率が35%を超える反応焼結塊を粉砕して
も多孔性の粉末は得難く樹脂組成物に十分な高熱伝導性
と低熱膨張性を付与することができない。一方、見かけ
気孔率が15%未満であつても粉砕物の多孔性が不足して
いるので同様な欠点が現われる。
率が10〜50%であるが、本発明の充填剤を製造するに
は、見かけ気孔率が15〜35%好ましくは20〜33%であ
る。見かけ気孔率が35%を超える反応焼結塊を粉砕して
も多孔性の粉末は得難く樹脂組成物に十分な高熱伝導性
と低熱膨張性を付与することができない。一方、見かけ
気孔率が15%未満であつても粉砕物の多孔性が不足して
いるので同様な欠点が現われる。
本発明の窒化物粉末の多孔性は、比表面積の測定値S
(m2/g)と粒度分布から算出される理論比表面積So(m2
/g)との比S/Soで評価することができ、S/So≧2好まし
くはS/So≧2.5特に好ましくはS/So≧2.7である。すなわ
ち、材質が同じでも、多孔性粉末の方が中実な粉末より
も高熱伝導性及び低熱膨張性をより効果的に樹脂組成物
に付与できるという驚くべきことを本発明者らは見出し
たのである。S/So≧2であるような窒化物粉末を得るに
は、反応焼結塊の見かけ気孔率が15〜35%でなければな
らず、見かけ気孔率が15%未満であつたり、35%を超え
たりするとS/So≧2である窒化物粉末を得難い。なお
(1)の方法において金属イミドの熱処理条件を調節す
ることにより、S/So≧2である粉末を得ることも可能で
あるが、粒径が小さすぎるためか、それを充填剤として
使用しても成形性、高熱伝導性及び低熱膨張性が本発明
品のようには向上しない。
(m2/g)と粒度分布から算出される理論比表面積So(m2
/g)との比S/Soで評価することができ、S/So≧2好まし
くはS/So≧2.5特に好ましくはS/So≧2.7である。すなわ
ち、材質が同じでも、多孔性粉末の方が中実な粉末より
も高熱伝導性及び低熱膨張性をより効果的に樹脂組成物
に付与できるという驚くべきことを本発明者らは見出し
たのである。S/So≧2であるような窒化物粉末を得るに
は、反応焼結塊の見かけ気孔率が15〜35%でなければな
らず、見かけ気孔率が15%未満であつたり、35%を超え
たりするとS/So≧2である窒化物粉末を得難い。なお
(1)の方法において金属イミドの熱処理条件を調節す
ることにより、S/So≧2である粉末を得ることも可能で
あるが、粒径が小さすぎるためか、それを充填剤として
使用しても成形性、高熱伝導性及び低熱膨張性が本発明
品のようには向上しない。
本発明における理論比表面積Soの算出法は次の様に定
義される。充填剤の形状を球と仮定すると粒径i(μ
m)の粒子の比表面積Si(m2/g)はSi=6/ρ・i(ρは
充填剤の真比重(g/cm3))で算出される。そこで、粒
度分布測定器で無機質充填剤の粒度分布を測定し、粒径
i(μm)の粒子の含有率がai(%)である場合、充填
剤の理論比表面積Soは で算出される。
義される。充填剤の形状を球と仮定すると粒径i(μ
m)の粒子の比表面積Si(m2/g)はSi=6/ρ・i(ρは
充填剤の真比重(g/cm3))で算出される。そこで、粒
度分布測定器で無機質充填剤の粒度分布を測定し、粒径
i(μm)の粒子の含有率がai(%)である場合、充填
剤の理論比表面積Soは で算出される。
(3)の方法によつて反応焼結塊を得るために使用さ
れる原料粉末は、65メツシユ以下好ましくは200メツシ
ユ以下特に好ましくは325メツシユ以下である。65メツ
シユよりも粗粒であると未反応分が残り、低熱膨張性や
電気絶縁性が損われる。良好な電気絶縁性を確保するた
めには、未反応金属の残存率が1%以下好ましくは0.5
%以下特に好ましくは0.3%以下になるように窒化条件
を決めることが重要である。
れる原料粉末は、65メツシユ以下好ましくは200メツシ
ユ以下特に好ましくは325メツシユ以下である。65メツ
シユよりも粗粒であると未反応分が残り、低熱膨張性や
電気絶縁性が損われる。良好な電気絶縁性を確保するた
めには、未反応金属の残存率が1%以下好ましくは0.5
%以下特に好ましくは0.3%以下になるように窒化条件
を決めることが重要である。
なお、本発明における未反応金属の残存率はX線回折
チヤートから得られる金属粉末と窒化物粉末との所定位
置のピークの高さの和に対する本発明の金属粉末のピー
クの比で代表させるものとする。具体的なピークは以下
のとおりである。
チヤートから得られる金属粉末と窒化物粉末との所定位
置のピークの高さの和に対する本発明の金属粉末のピー
クの比で代表させるものとする。具体的なピークは以下
のとおりである。
本発明の窒化物 α−窒化硅素の(210)面 本発明の窒化物 β−窒化硅素の(101)面 〃 窒化アルミニウムの(101)面 未反応金属 金属シリコンの(111)面 〃 金属アルミニウムの(111)面 (3)の方法によつて反応焼結塊を得るために使用さ
れる金属シリコンは、通常市販されている純度95%以上
好ましくは97%以上のものでよいが、256K以上の高集積
度DRAM等にはウラン含有率が1ppb未満である高純度金属
シリコンが好ましく、具体的には半導体用の金属シリコ
ン及びその製造工程で生ずる加工残や切粉等である。
れる金属シリコンは、通常市販されている純度95%以上
好ましくは97%以上のものでよいが、256K以上の高集積
度DRAM等にはウラン含有率が1ppb未満である高純度金属
シリコンが好ましく、具体的には半導体用の金属シリコ
ン及びその製造工程で生ずる加工残や切粉等である。
金属アルミニウムも通常市販されている純度90%以上
好ましくは99%以上のものでよいが、低ウランが要求さ
れる場合には、純度99.999%以上の半導体用超高純度ア
ルミニウムが使用される。製法的には、金属アルミニウ
ム地金を粉砕してもよいが、反応性を高めたり不純物の
混入を防ぐためにアトマイズ粉や鱗片状の粉末の方がさ
らに好ましい。
好ましくは99%以上のものでよいが、低ウランが要求さ
れる場合には、純度99.999%以上の半導体用超高純度ア
ルミニウムが使用される。製法的には、金属アルミニウ
ム地金を粉砕してもよいが、反応性を高めたり不純物の
混入を防ぐためにアトマイズ粉や鱗片状の粉末の方がさ
らに好ましい。
(3)の方法による反応焼結塊を得るため、原料粉末
をそのまま高温窒化させてもよいが、見かけ気孔率が15
〜35%の反応焼結塊を収率よく得るためには、原料粉末
を混合、必要ならばカルボキシメチルセルロース、ポリ
ビニルアルコール等のバインダーを添加し、成形、脱
脂、高温窒化させるのが好ましい。
をそのまま高温窒化させてもよいが、見かけ気孔率が15
〜35%の反応焼結塊を収率よく得るためには、原料粉末
を混合、必要ならばカルボキシメチルセルロース、ポリ
ビニルアルコール等のバインダーを添加し、成形、脱
脂、高温窒化させるのが好ましい。
高温窒化するためのガス雰囲気としては、窒素及び/
又はアンモニアガス雰囲気下で実施するのがよい。な
お、必要ならば、水素、一酸化炭素を共存させてもよ
い。高温窒化する温度としては、600〜1800℃好ましく
は700〜1600℃であり、段階的にプログラム昇温させる
のが最も好ましい。
又はアンモニアガス雰囲気下で実施するのがよい。な
お、必要ならば、水素、一酸化炭素を共存させてもよ
い。高温窒化する温度としては、600〜1800℃好ましく
は700〜1600℃であり、段階的にプログラム昇温させる
のが最も好ましい。
見かけ気孔率が15〜35%である反応焼結塊を得るため
には、原料金属の粒度及び比表面積、成形条件、雰囲気
ガス農度、温度条件、マグネシウム、鉄、銅、ニツケ
ル、バナジウム等の触媒の添加、反応緩衝剤としての窒
化硅素、窒化アルミニウムの添加及び発熱反応である
(3)の方法と吸熱反応である(2)の方法を併用する
方法、具体的には、シリコン、アルミニウムの少なくと
も1つとシリカ、アルミナの少なくとも1つとカーボン
混合物を窒化する方法等により行うことができる。例え
ば、反応緩衝剤として添加する窒化物粉末の量は、原料
金属粉末100重量部当り200重量部以下好ましくは150重
量部以下特に好ましくは100重量部以下である。添加量
が200重量部を超えると、反応焼結塊の見かけ気孔率が3
5%を超えるため、S/So≧2である窒化物粉末を得るこ
とができない。また(2)と(3)の方法を併用する場
合においても、原料金属粉末100重量部当り金属酸化物
の量が100重量部を超えるとフアイバー状もしくは粒状
の窒化物の割合が増大し、反応焼結塊というよりはむし
ろ単なる凝集塊となり、粉砕してもS/So≧2の窒化物粉
末を得ることができない。したがつて、金属酸化物の添
加量は原料金属粉末100重量部当り100重量部以下好まし
くは75重量部以下特に好ましくは50重量部以下である。
には、原料金属の粒度及び比表面積、成形条件、雰囲気
ガス農度、温度条件、マグネシウム、鉄、銅、ニツケ
ル、バナジウム等の触媒の添加、反応緩衝剤としての窒
化硅素、窒化アルミニウムの添加及び発熱反応である
(3)の方法と吸熱反応である(2)の方法を併用する
方法、具体的には、シリコン、アルミニウムの少なくと
も1つとシリカ、アルミナの少なくとも1つとカーボン
混合物を窒化する方法等により行うことができる。例え
ば、反応緩衝剤として添加する窒化物粉末の量は、原料
金属粉末100重量部当り200重量部以下好ましくは150重
量部以下特に好ましくは100重量部以下である。添加量
が200重量部を超えると、反応焼結塊の見かけ気孔率が3
5%を超えるため、S/So≧2である窒化物粉末を得るこ
とができない。また(2)と(3)の方法を併用する場
合においても、原料金属粉末100重量部当り金属酸化物
の量が100重量部を超えるとフアイバー状もしくは粒状
の窒化物の割合が増大し、反応焼結塊というよりはむし
ろ単なる凝集塊となり、粉砕してもS/So≧2の窒化物粉
末を得ることができない。したがつて、金属酸化物の添
加量は原料金属粉末100重量部当り100重量部以下好まし
くは75重量部以下特に好ましくは50重量部以下である。
以上のようにして得られた反応焼結塊は、粉砕条件や
分級条件を適宜、制御することにより粒度分布や平均粒
径を変化させることができるが、樹脂用の充填剤として
の成形性を良好にしたり、S/So≧2である粉末とするた
めに、平均粒径が1μm以上好ましくは3μm以上特に
好ましくは5μm以上とする。平均粒径が1μm未満の
粉末では反応焼結塊が有していた多孔性が粉砕等により
損われ、S/Soが2以上である粉末を得難く、高熱伝導
性、低熱膨張性及び成形性に優れた樹脂組成物を得るこ
とが困難となる。また、粒度分布としては、粉砕品をそ
のまま篩で粗粒子を除去したり、必要に応じて分級した
ものでもよいが、好ましくはRRS粒度線図において最大
粒径からの累積重量%の10〜30重量%の1点と70〜90重
量%の1点とを結んだ直線の勾配が1.0以下特に好まし
くは0.75以下となる粒度分布である。勾配が1.0以下で
あると、流動性が良好でかつ成形物への気泡の巻きこみ
も少ないため、充填剤をより高充填することができ、一
段と熱伝導性、耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を高めること
ができ、しかもピンホール等に起因する電気絶縁不良等
を抑制することができる。
分級条件を適宜、制御することにより粒度分布や平均粒
径を変化させることができるが、樹脂用の充填剤として
の成形性を良好にしたり、S/So≧2である粉末とするた
めに、平均粒径が1μm以上好ましくは3μm以上特に
好ましくは5μm以上とする。平均粒径が1μm未満の
粉末では反応焼結塊が有していた多孔性が粉砕等により
損われ、S/Soが2以上である粉末を得難く、高熱伝導
性、低熱膨張性及び成形性に優れた樹脂組成物を得るこ
とが困難となる。また、粒度分布としては、粉砕品をそ
のまま篩で粗粒子を除去したり、必要に応じて分級した
ものでもよいが、好ましくはRRS粒度線図において最大
粒径からの累積重量%の10〜30重量%の1点と70〜90重
量%の1点とを結んだ直線の勾配が1.0以下特に好まし
くは0.75以下となる粒度分布である。勾配が1.0以下で
あると、流動性が良好でかつ成形物への気泡の巻きこみ
も少ないため、充填剤をより高充填することができ、一
段と熱伝導性、耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を高めること
ができ、しかもピンホール等に起因する電気絶縁不良等
を抑制することができる。
ここでRRS粒度線図とは、Rosin-Rammlerの次式に従う
粒度分布を表わす粒度線図のことである。
粒度分布を表わす粒度線図のことである。
R(Dp)=100exp(−b Dpn) (但し、式中R(Dp)は最大粒径から粒径Dpまでの累積
重量%、Dpは粒径、b及びnは定数である) RRS粒度線図における勾配とは、RRS粒度線図の最大粒
径からの累積重量%が10〜30重量%の1点と70〜90重量
%の1点とを結んだ直線で代表されるRosin-Rammlerの
式のn値のことをいう。なお、実際の粒度測定におい
て、最大粒径からの累積重量%の10〜30重量%の範囲の
1点と70〜90重量%の範囲の1点を結ぶ直線が2本以上
引き得る場合には、これらの直線の勾配の平均値で代表
させることとする。
重量%、Dpは粒径、b及びnは定数である) RRS粒度線図における勾配とは、RRS粒度線図の最大粒
径からの累積重量%が10〜30重量%の1点と70〜90重量
%の1点とを結んだ直線で代表されるRosin-Rammlerの
式のn値のことをいう。なお、実際の粒度測定におい
て、最大粒径からの累積重量%の10〜30重量%の範囲の
1点と70〜90重量%の範囲の1点を結ぶ直線が2本以上
引き得る場合には、これらの直線の勾配の平均値で代表
させることとする。
本発明の充填剤は、気孔率が20〜35%である反応焼結
塊を粉砕して得られるS/SO≧2である窒化物粉末を必須
成分とするが、この成分以外に、形状が破砕状、球状、
ウイスカー状、繊維状又は鱗片状である溶融シリカ、生
シリカ、シリカチタニアガラス、クリストバライト化シ
リカ、珪酸アルミニウム、アルミナ、サイアロン、シリ
コンオキシナイトライド、窒化チタン、窒化ホウ素等の
第2成分を含んだものであつてもよい。第2成分の割合
は、必須成分重量に対して10倍量以下好ましくは3倍量
以下特に好ましくは1倍量以下である。10倍量を超える
と熱伝導性、耐熱衝撃性の少なくとも1つの特性が損わ
れる。なお、第2成分の充填剤を使用する場合、要求さ
れる封止材の特性に応じて充填剤を使いわけることが大
切である。すなわち、耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を重視
する場合は溶融シリカやシリカチタニアガラスを選び、
熱伝導性を重視する場合はサイアロン、シリコンオキシ
ナイトライド、窒化ホウ素、アルミナを選び、金型等の
摩耗抑制とほどほどの熱伝導性及びコスト低減のために
は生シリカ、クリストバライト化シリカ、珪酸アルミニ
ウム等を選ぶ。
塊を粉砕して得られるS/SO≧2である窒化物粉末を必須
成分とするが、この成分以外に、形状が破砕状、球状、
ウイスカー状、繊維状又は鱗片状である溶融シリカ、生
シリカ、シリカチタニアガラス、クリストバライト化シ
リカ、珪酸アルミニウム、アルミナ、サイアロン、シリ
コンオキシナイトライド、窒化チタン、窒化ホウ素等の
第2成分を含んだものであつてもよい。第2成分の割合
は、必須成分重量に対して10倍量以下好ましくは3倍量
以下特に好ましくは1倍量以下である。10倍量を超える
と熱伝導性、耐熱衝撃性の少なくとも1つの特性が損わ
れる。なお、第2成分の充填剤を使用する場合、要求さ
れる封止材の特性に応じて充填剤を使いわけることが大
切である。すなわち、耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を重視
する場合は溶融シリカやシリカチタニアガラスを選び、
熱伝導性を重視する場合はサイアロン、シリコンオキシ
ナイトライド、窒化ホウ素、アルミナを選び、金型等の
摩耗抑制とほどほどの熱伝導性及びコスト低減のために
は生シリカ、クリストバライト化シリカ、珪酸アルミニ
ウム等を選ぶ。
本発明の充填剤の最大粒径としては、小さいほど成型
時における素子表面の配線、パツシベーンヨン膜、ボン
デイングワイヤ等に傷をつけたり破損をさせたりするこ
とが少なくなるが、トランスフアー成形時のゲート詰り
を考慮した最大粒径は、500μm以下好ましくは149μm
以下特に好ましくは74μm以下である。なお、ダイボン
デイング接着用や銅箔接着用には、44μm以下さらに必
要により20μm以下とすることにより、平滑性と接着性
を向上させた樹脂組成物とすることができる。
時における素子表面の配線、パツシベーンヨン膜、ボン
デイングワイヤ等に傷をつけたり破損をさせたりするこ
とが少なくなるが、トランスフアー成形時のゲート詰り
を考慮した最大粒径は、500μm以下好ましくは149μm
以下特に好ましくは74μm以下である。なお、ダイボン
デイング接着用や銅箔接着用には、44μm以下さらに必
要により20μm以下とすることにより、平滑性と接着性
を向上させた樹脂組成物とすることができる。
本発明の充填剤に含まれるイオン性不純物としては、
Fe++5000ppm以下、Na+100ppm以下、Cl-50ppm以下であ
り、好ましくはFe++1000ppm以下、Na+30ppm以下、Cl-20
ppm以下、特に好ましくはFe++100ppm以下、Na+10ppm以
下、Cl-10ppm以下である。特にNa+が100ppmを超えたりC
l-が50ppmを超えたりすると耐湿信頼性が劣る。
Fe++5000ppm以下、Na+100ppm以下、Cl-50ppm以下であ
り、好ましくはFe++1000ppm以下、Na+30ppm以下、Cl-20
ppm以下、特に好ましくはFe++100ppm以下、Na+10ppm以
下、Cl-10ppm以下である。特にNa+が100ppmを超えたりC
l-が50ppmを超えたりすると耐湿信頼性が劣る。
本発明の充填剤の樹脂組成物中の含有率は、20〜97重
量%好ましくは30〜95重量%特に好ましくは40〜90重量
%である。樹脂充填材の含有率が20重量%未満である
と、樹脂組成物の成形性は優れるが、熱応力が大きく耐
熱衝熱性や耐湿信頼性が低下する。一方、97重量%を超
えると、樹脂組成物の成形性が損われ、未充填部やボイ
ドが多発し、電気絶縁性や信頼性が損われる。
量%好ましくは30〜95重量%特に好ましくは40〜90重量
%である。樹脂充填材の含有率が20重量%未満である
と、樹脂組成物の成形性は優れるが、熱応力が大きく耐
熱衝熱性や耐湿信頼性が低下する。一方、97重量%を超
えると、樹脂組成物の成形性が損われ、未充填部やボイ
ドが多発し、電気絶縁性や信頼性が損われる。
本発明の充填剤が使用される樹脂としては、ビスフエ
ノール型エポキシ樹脂、フエノールノボラツク型エポキ
シ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、
グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などのエポキ
シ樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズオキサゾ
ール、ポリベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、
ポリピラゾール、ポリキノキサリン、ポリキナゾリンジ
オン、ポリベンズオキサジノン、ポリインドロン、ポリ
キナゾロン、ポリインドキシル、シリコン樹脂、シリコ
ン−エポキシ樹脂、フエノール樹脂、メラミン樹脂、ユ
リア樹脂、不飽和ポリエステル、ポリアミノビスマレイ
ミド、ジアリルフタレート樹脂、フツ素樹脂、TPX樹脂
(メチルペンテンポリマー「三井石油化学社製商品
名」)、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、66−ナイロン及びMXD−ナイロン、アモルフア
スナイロン等のポリアミド、ポリブチレンテレフタレー
ト及びポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、
ポリフエニレンスルフイド、変性ポリフエニレンエーテ
ル、ポリアリレート、全芳香族ポリエステル、ポリスル
ホン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエーテルスルホン、ポリカーボネート、マレイミド変
性樹脂、ABS樹脂、AAS(アクリロニトリル・アクリルゴ
ム・スチレン)樹脂、AES(アクリロニトリル−エチレ
ン・プロピレン・ジエンゴム−スチレン)樹脂等が挙げ
られるが、封止材、電気絶縁ペースト等には、通常、エ
ポキシ樹脂やシリコン−エポキシ樹脂、より高温下での
金属との接着強度や曲げ強度等の保持のためには、ケル
イミド(三井石油化学社製商品名)、BT樹脂(三菱瓦斯
化学社製商品名)等のポリアミノビスマレイミド系樹
脂、ゲートやランナーを再利用できる封止用樹脂として
は、ポリフエニレンスルフイド、ポリフエニレンスルフ
イドと液晶ポリマー及び/又はエポキシ基含有ポリマー
とのアロイ等が好ましい。
ノール型エポキシ樹脂、フエノールノボラツク型エポキ
シ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、
グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などのエポキ
シ樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズオキサゾ
ール、ポリベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、
ポリピラゾール、ポリキノキサリン、ポリキナゾリンジ
オン、ポリベンズオキサジノン、ポリインドロン、ポリ
キナゾロン、ポリインドキシル、シリコン樹脂、シリコ
ン−エポキシ樹脂、フエノール樹脂、メラミン樹脂、ユ
リア樹脂、不飽和ポリエステル、ポリアミノビスマレイ
ミド、ジアリルフタレート樹脂、フツ素樹脂、TPX樹脂
(メチルペンテンポリマー「三井石油化学社製商品
名」)、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、66−ナイロン及びMXD−ナイロン、アモルフア
スナイロン等のポリアミド、ポリブチレンテレフタレー
ト及びポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、
ポリフエニレンスルフイド、変性ポリフエニレンエーテ
ル、ポリアリレート、全芳香族ポリエステル、ポリスル
ホン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエーテルスルホン、ポリカーボネート、マレイミド変
性樹脂、ABS樹脂、AAS(アクリロニトリル・アクリルゴ
ム・スチレン)樹脂、AES(アクリロニトリル−エチレ
ン・プロピレン・ジエンゴム−スチレン)樹脂等が挙げ
られるが、封止材、電気絶縁ペースト等には、通常、エ
ポキシ樹脂やシリコン−エポキシ樹脂、より高温下での
金属との接着強度や曲げ強度等の保持のためには、ケル
イミド(三井石油化学社製商品名)、BT樹脂(三菱瓦斯
化学社製商品名)等のポリアミノビスマレイミド系樹
脂、ゲートやランナーを再利用できる封止用樹脂として
は、ポリフエニレンスルフイド、ポリフエニレンスルフ
イドと液晶ポリマー及び/又はエポキシ基含有ポリマー
とのアロイ等が好ましい。
本発明の充填剤を使用した樹脂組成物には、耐熱衝撃
性を高めるために、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレ
ンプロピレンゴム、シリコーンゴム、ポリエステルエラ
ストマー、ポリブタジエン等のゴム成分をこれら樹脂中
に含有させることもできる。さらに必要に応じて、ベン
ゾグアナミン、2,4−ジヒドラジノ−6−メチルアミノ
−S−トリアジン、2−メチルイミダゾール、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−
エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導
体、弗化ホウ素の各種アミン錯体、トリスジメチルアミ
ノメチルフエノール、1,8−ジアザ・ビシクロ(5,4,0)
−ウンデセン−7,ベンジルジメチルアミン等の第3級ア
ミン化合物、ジシアンジアミド、ビスフエノール型エポ
キシ樹脂もしくはクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂
とアンモニアとの反応により得られるアミノアルコール
化合物、アジピン酸ヒドラジド等の含窒素硬化(促進)
剤、フエノールノボラツク、クレゾールノボラツク等の
フエノール系硬化剤、無水テトラヒドロフタル酸、無水
ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル
酸等の酸無水物系硬化剤、トリフエニルホスフイン、ト
リシクロヘキシルホスフイン、メチルジフエニルホスフ
イン、トリトリルホスフイン、1,2−ビス(ジフエニル
ホスフイノ)エタン、ビス(ジフエニルホスフイノ)メ
タン等の有機ホスフイン系硬化(促進)剤、ビス−(ト
リブチル錫)オキシド、ジオクテン酸錫、オクタン酸ア
ンチモン、酪酸錫、一酸化鉛、硫化鉛、炭酸鉛等の硬化
触媒、白金化合物等の重合触媒、ベンゾイルペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド等の加硫剤、カルナバワツク
ス、モンタナワツクス、ポリエステルオリゴマー、シリ
コン油、低分子量ポリエチレン、パラフイン、直鎖脂肪
酸の金属塩、酸アミド、エステル等の滑剤・離型剤、2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチルフエノール、1,3,5−ト
リス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフ
エノール)ブタン、ジステアリルチオジプロピオネー
ト、トリノニルフエニルホスフアイト、トリデシルホス
フアイト等の安定剤、2,2′−ジヒドロキシ−4−メト
キシベンゾフエノン、2(2′−ヒドロキシ−5−メチ
ルフエニル)ベンゾトリアゾール、4−t−ブチルフエ
ニルサリチレート、エチル−2−シアノ−3,3−ジフエ
ニルアクリレート等の光安定剤、ベンガラ、カーボンブ
ラツク等の着色剤、三酸化アンチモン、四酸化アンチモ
ン、トリフエニルスチビン、水和アルミナ、フエロセ
ン、ホスフアゼン、ヘキサブロモベンゼン、テトラブロ
モフタル酸無水物、トリクレジルホスフエート、テトラ
ブロモビスフエノールA、臭素化エポキシ誘導体等の難
燃剤、ビニルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のシラン
系カツプリング剤、イソプロピルトリインステアロイル
チタネート、ジクミルフエニルオキシアセテートチタネ
ート、ビス(ジオクチルパイロホスフエート)オキシア
セテートチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼン
スルホニルチタネート等のチタン系カツプリング剤、ア
セトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のア
ルミ系カツプリング剤等を配合することができる。
性を高めるために、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレ
ンプロピレンゴム、シリコーンゴム、ポリエステルエラ
ストマー、ポリブタジエン等のゴム成分をこれら樹脂中
に含有させることもできる。さらに必要に応じて、ベン
ゾグアナミン、2,4−ジヒドラジノ−6−メチルアミノ
−S−トリアジン、2−メチルイミダゾール、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−
エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導
体、弗化ホウ素の各種アミン錯体、トリスジメチルアミ
ノメチルフエノール、1,8−ジアザ・ビシクロ(5,4,0)
−ウンデセン−7,ベンジルジメチルアミン等の第3級ア
ミン化合物、ジシアンジアミド、ビスフエノール型エポ
キシ樹脂もしくはクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂
とアンモニアとの反応により得られるアミノアルコール
化合物、アジピン酸ヒドラジド等の含窒素硬化(促進)
剤、フエノールノボラツク、クレゾールノボラツク等の
フエノール系硬化剤、無水テトラヒドロフタル酸、無水
ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル
酸等の酸無水物系硬化剤、トリフエニルホスフイン、ト
リシクロヘキシルホスフイン、メチルジフエニルホスフ
イン、トリトリルホスフイン、1,2−ビス(ジフエニル
ホスフイノ)エタン、ビス(ジフエニルホスフイノ)メ
タン等の有機ホスフイン系硬化(促進)剤、ビス−(ト
リブチル錫)オキシド、ジオクテン酸錫、オクタン酸ア
ンチモン、酪酸錫、一酸化鉛、硫化鉛、炭酸鉛等の硬化
触媒、白金化合物等の重合触媒、ベンゾイルペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド等の加硫剤、カルナバワツク
ス、モンタナワツクス、ポリエステルオリゴマー、シリ
コン油、低分子量ポリエチレン、パラフイン、直鎖脂肪
酸の金属塩、酸アミド、エステル等の滑剤・離型剤、2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチルフエノール、1,3,5−ト
リス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフ
エノール)ブタン、ジステアリルチオジプロピオネー
ト、トリノニルフエニルホスフアイト、トリデシルホス
フアイト等の安定剤、2,2′−ジヒドロキシ−4−メト
キシベンゾフエノン、2(2′−ヒドロキシ−5−メチ
ルフエニル)ベンゾトリアゾール、4−t−ブチルフエ
ニルサリチレート、エチル−2−シアノ−3,3−ジフエ
ニルアクリレート等の光安定剤、ベンガラ、カーボンブ
ラツク等の着色剤、三酸化アンチモン、四酸化アンチモ
ン、トリフエニルスチビン、水和アルミナ、フエロセ
ン、ホスフアゼン、ヘキサブロモベンゼン、テトラブロ
モフタル酸無水物、トリクレジルホスフエート、テトラ
ブロモビスフエノールA、臭素化エポキシ誘導体等の難
燃剤、ビニルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のシラン
系カツプリング剤、イソプロピルトリインステアロイル
チタネート、ジクミルフエニルオキシアセテートチタネ
ート、ビス(ジオクチルパイロホスフエート)オキシア
セテートチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼン
スルホニルチタネート等のチタン系カツプリング剤、ア
セトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のア
ルミ系カツプリング剤等を配合することができる。
本発明の充填剤を含有する樹脂組成物は、前記に示し
た各成分の所定量をヘンシエルミキサー等により充分混
合後、ロール、バンバリーミキサー、ニーダー、らいか
い機、アジホモミキサー、2軸押出機、1軸押出機等の
公知の混練手段により加熱混練して製造することができ
る。
た各成分の所定量をヘンシエルミキサー等により充分混
合後、ロール、バンバリーミキサー、ニーダー、らいか
い機、アジホモミキサー、2軸押出機、1軸押出機等の
公知の混練手段により加熱混練して製造することができ
る。
本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は
以下の実施例に限定されるものではない。実施例および
比較例において「部」、「%」とあるのは、「重量
部」、「重量%」を意味する。
以下の実施例に限定されるものではない。実施例および
比較例において「部」、「%」とあるのは、「重量
部」、「重量%」を意味する。
α−窒化硅素粉末の製造 金属Si粉末(最大粒径149μm、平均粒径10μm、純
度99.9%)100部、カルボキシメチルセルロースのアン
モニウム塩5%水溶液10部をVブレンダーにて20分間混
合し、金型プレス成形、乾燥、脱脂後窒素気流中で1000
℃まで200℃/hrで昇温し、1000〜1450℃の間を10℃/hr
で昇温し、1450℃でさらに10hr反応をさせて見かけ気孔
率23.3%を得た。この反応焼結塊を粗砕後、ボールミル
で3hr及び8hr微粉砕し目開き141μmの篩網で粗粒を除
去し、表−1に示すそれぞれ粉末A-1及びA-2を得た。
度99.9%)100部、カルボキシメチルセルロースのアン
モニウム塩5%水溶液10部をVブレンダーにて20分間混
合し、金型プレス成形、乾燥、脱脂後窒素気流中で1000
℃まで200℃/hrで昇温し、1000〜1450℃の間を10℃/hr
で昇温し、1450℃でさらに10hr反応をさせて見かけ気孔
率23.3%を得た。この反応焼結塊を粗砕後、ボールミル
で3hr及び8hr微粉砕し目開き141μmの篩網で粗粒を除
去し、表−1に示すそれぞれ粉末A-1及びA-2を得た。
さらに粉末A-2をターボグラシフアイア(日清エンジ
ニアリング社製)空気分級機で分級し粉末A-12を得た。
ニアリング社製)空気分級機で分級し粉末A-12を得た。
β−窒化硅素粉末の製造 金属Si粉末(最大粒径149μm、平均粒径10μm、純
度99.9%)100部、β−窒化硅素粉末(最大粒径149μ
m、平均粒径4.6μm)もしくはアエロジルOX-50(日本
アエロジル社製)X部(表−1に記載)、カルボキシメ
チルセルロースのアンモニウム塩5%水溶液0.1×(100
+X)部をVブレンダーにて20分間混合後、金型プレス
成形、乾燥、脱脂後窒素気流中で250℃/hrの昇温速度で
1450℃まで昇温し、1450℃でさらに48hr時間反応させ
て、それぞれ見かけ気孔率14.5%、20.9%、33.3%、3
9.6%、27.8%である反応焼結塊を得た。この反応焼結
塊を粗砕後ボールミルで3hr粉砕し、目開き149μmの篩
網で粗粒を除去してそれぞれ粉末A-3〜A-7を得た。
度99.9%)100部、β−窒化硅素粉末(最大粒径149μ
m、平均粒径4.6μm)もしくはアエロジルOX-50(日本
アエロジル社製)X部(表−1に記載)、カルボキシメ
チルセルロースのアンモニウム塩5%水溶液0.1×(100
+X)部をVブレンダーにて20分間混合後、金型プレス
成形、乾燥、脱脂後窒素気流中で250℃/hrの昇温速度で
1450℃まで昇温し、1450℃でさらに48hr時間反応させ
て、それぞれ見かけ気孔率14.5%、20.9%、33.3%、3
9.6%、27.8%である反応焼結塊を得た。この反応焼結
塊を粗砕後ボールミルで3hr粉砕し、目開き149μmの篩
網で粗粒を除去してそれぞれ粉末A-3〜A-7を得た。
窒化アルミニウム破砕粉末の製造 アトマイズアルミニウム粉末(最大粒径200μm、純
度99.99%)100部を黒鉛トレーに厚さ3cmになるように
均一に充填し、0.3気圧の窒素雰囲気下中、650℃で3h
r、750℃で2hr反応させたのち、さらに1000℃まで30℃/
hrで昇温し、その温度で1気圧の窒素雰囲気にし5hr反
応させて見かけ気孔率29.7%である反応焼結塊を得た。
これを前述と同様に粗粒を除去して粉末A-8を得た。
度99.99%)100部を黒鉛トレーに厚さ3cmになるように
均一に充填し、0.3気圧の窒素雰囲気下中、650℃で3h
r、750℃で2hr反応させたのち、さらに1000℃まで30℃/
hrで昇温し、その温度で1気圧の窒素雰囲気にし5hr反
応させて見かけ気孔率29.7%である反応焼結塊を得た。
これを前述と同様に粗粒を除去して粉末A-8を得た。
シリカ還元窒化法による窒化硅素粉末の製造 アエロジルOX-50(日本アエロジル社製)100部、ラン
プブラツク100部、イツトリア0.5部及びα−窒化硅素
(α化率92%、平均粒径0.9μm)20部を10hr湿式混合
し乾燥・粉砕して原料粉末を得た。この原料粉末を黒鉛
トレーに厚さ1cm以下になるように薄く充填し、窒素雰
囲気下、1450℃で7時間反応させた後、石英ボートにう
つしかえ、空気中700℃、3時間脱炭処理し、冷却後、
解砕篩分けして粉末A-9を得た。
プブラツク100部、イツトリア0.5部及びα−窒化硅素
(α化率92%、平均粒径0.9μm)20部を10hr湿式混合
し乾燥・粉砕して原料粉末を得た。この原料粉末を黒鉛
トレーに厚さ1cm以下になるように薄く充填し、窒素雰
囲気下、1450℃で7時間反応させた後、石英ボートにう
つしかえ、空気中700℃、3時間脱炭処理し、冷却後、
解砕篩分けして粉末A-9を得た。
シリコンイミド分解法による窒化硅素粉末の製造 アンモニアガス(純度99%)と4塩化珪素(純度99
%)とを気相状態で、アンモニア/4塩化珪素モル比7の
条件で常温で反応させて得られた窒化硅素前駆体を、Si
C製坩堝に入れ、窒素雰囲気下にて1550℃に昇温し10分
間保持した後1450℃まで30℃/分の速度で降温し、1450
℃に0.5hr及び6hr保持した後冷却・解砕・篩分けして粉
末A-10及びA-11を得た。
%)とを気相状態で、アンモニア/4塩化珪素モル比7の
条件で常温で反応させて得られた窒化硅素前駆体を、Si
C製坩堝に入れ、窒素雰囲気下にて1550℃に昇温し10分
間保持した後1450℃まで30℃/分の速度で降温し、1450
℃に0.5hr及び6hr保持した後冷却・解砕・篩分けして粉
末A-10及びA-11を得た。
エポキシ樹脂組成物の製造 クレゾールノボラツクエポキシ樹脂(エポキシ当量21
5)150部、臭素化クレゾールノボラツクエポキシ樹脂
(エポキシ当量350)45部、フエノールノボラツク樹脂
(フエノール当量107)87部からなる樹脂組成物に表−
1で示す充填剤、三酸化アンチモン5.6部、カーボンブ
ラツク3部、カルナバワツクス4.4部および硬化促進剤
として2−ウンデシルイミダゾール2.5部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン5部をミキシングロ
ールで混練後粉砕してエポキシ樹脂組成物を調整した。
これらの樹脂組成物を次に示す評価試験を実施した。そ
の結果を表−2に示す。
5)150部、臭素化クレゾールノボラツクエポキシ樹脂
(エポキシ当量350)45部、フエノールノボラツク樹脂
(フエノール当量107)87部からなる樹脂組成物に表−
1で示す充填剤、三酸化アンチモン5.6部、カーボンブ
ラツク3部、カルナバワツクス4.4部および硬化促進剤
として2−ウンデシルイミダゾール2.5部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン5部をミキシングロ
ールで混練後粉砕してエポキシ樹脂組成物を調整した。
これらの樹脂組成物を次に示す評価試験を実施した。そ
の結果を表−2に示す。
この実施例において記載した測定値は次の方法によつ
た。
た。
(1)見掛け気孔率 窒化硅素の場合は水浸漬法、窒化アルミニウムの場合
はキシレン浸漬法による乾燥重量(W1)、液中重量
(W2)、飽液重量(W3)により、次式で算出した。
はキシレン浸漬法による乾燥重量(W1)、液中重量
(W2)、飽液重量(W3)により、次式で算出した。
(2)α化率 X線回折測定により、次式で算出した。
hα(102);α−窒化珪素の(102)面の高さ hα(210);α−窒化珪素の(210)面の高さ hβ(101);β−窒化珪素の(101)面の高さ hβ(210);β−窒化珪素の(210)面の高さ (3)粒径 超音波分散機US-300(日本精機社製)で1分間超音波
分散させた後、レーザー回折式法による粒度測定(シー
ラス社製Granulometerモデル715型)を用いて行なつ
た。
分散させた後、レーザー回折式法による粒度測定(シー
ラス社製Granulometerモデル715型)を用いて行なつ
た。
(4)比表面積 カンタソープ(カンタークロム社製比表面積測定機)
を使用し、BET1点法で測定した。なお、Soの算出におい
て、α−窒化珪素、β−窒化硅素、窒化アルミニウムの
真比重はいずれとも3.18g/cm3とした。
を使用し、BET1点法で測定した。なお、Soの算出におい
て、α−窒化珪素、β−窒化硅素、窒化アルミニウムの
真比重はいずれとも3.18g/cm3とした。
(5)流動性(スパイラルフロー) EMMI規格に準じた金型を使用し成形温度170℃,成形7
0kg/cm2で測定した。
0kg/cm2で測定した。
(6)熱膨張率 熱膨張率測定装置(アルバツク社製「TM-7000」)を
用い、室温〜150℃の範囲の熱膨張率を測定した。
用い、室温〜150℃の範囲の熱膨張率を測定した。
(7)耐熱衝撃性(耐T/S性) アイランドサイズ4×7.5mmの16ピンリードフレーム
を各組成物によりトランスフアー成形し、16ピンDIP型
成形体を−196℃の液体と260℃の液体に30秒ずつ浸漬を
200回繰り返し、25個以上の成形体表面にクラツクが発
生するまでの回数を求めた。試料価数は50個である。
を各組成物によりトランスフアー成形し、16ピンDIP型
成形体を−196℃の液体と260℃の液体に30秒ずつ浸漬を
200回繰り返し、25個以上の成形体表面にクラツクが発
生するまでの回数を求めた。試料価数は50個である。
(8)熱伝導率 熱伝導率測定装置(アグネ社製「ARC-TC-1型」)を用
い、室温において温度傾斜法で測定した。
い、室温において温度傾斜法で測定した。
(9)スパーク品数 10個のタブレツトを1個ずつ高周波予熱した際にスパ
ークが発生したタブレツトの個数を示す。
ークが発生したタブレツトの個数を示す。
本発明の充填剤を使用することにより、成形性、低熱
膨張性及び高熱伝導性に優れた樹脂組成物を得ることが
できる。
膨張性及び高熱伝導性に優れた樹脂組成物を得ることが
できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08K 3/28 KAG C08K 3/28 KAG 3/34 KAH 3/34 KAH C09D 5/25 PQX C09D 5/25 PQX 7/12 PSK 7/12 PSK (56)参考文献 特開 昭61−272267(JP,A) 特開 昭61−91243(JP,A) 特開 昭58−91016(JP,A) 特開 昭61−35542(JP,A) 特開 昭60−195160(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】見かけの気孔率が15〜35%である硅素及び
又はアルミニウムの粉末窒化物の粉砕物であって、しか
も比表面積の測定値/理論値の比が2以上であることを
特徴とする充填剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63004779A JP2583261B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 充填剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63004779A JP2583261B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 充填剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01182331A JPH01182331A (ja) | 1989-07-20 |
JP2583261B2 true JP2583261B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=11593308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63004779A Expired - Fee Related JP2583261B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 充填剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2583261B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
JP4627105B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2011-02-09 | 電気化学工業株式会社 | 高熱伝導性組成物とその用途 |
JP5082213B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2012-11-28 | 三菱化学株式会社 | 金属窒化物および金属窒化物の製造方法 |
JP4757778B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2011-08-24 | 電気化学工業株式会社 | 窒化珪素粉末、その製造方法及び用途 |
JP5440977B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2014-03-12 | 電気化学工業株式会社 | 高純度窒化ケイ素微粉末の製造方法 |
KR102431063B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2022-08-09 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 질화알루미늄계 분말 및 그 제조방법 |
JP2019034864A (ja) * | 2017-08-11 | 2019-03-07 | 東洋アルミニウム株式会社 | 窒化アルミニウム系フィラー |
KR20250007607A (ko) * | 2022-04-27 | 2025-01-14 | 컴버즈션 신세시스 컴퍼니 리미티드 | β상 질화 규소 주상 입자, 복합 입자, 방열용 소결 기판, 수지 복합물, 및, 무기 복합물, 그리고, β상 질화 규소 주상 입자의 제조 방법, 복합 입자의 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60195160A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Tokuyama Soda Co Ltd | 複合シ−ト |
JPS6135542A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP63004779A patent/JP2583261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01182331A (ja) | 1989-07-20 |
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---|---|---|---|
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