JP2545170B2 - Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method - Google Patents
Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing methodInfo
- Publication number
- JP2545170B2 JP2545170B2 JP32183691A JP32183691A JP2545170B2 JP 2545170 B2 JP2545170 B2 JP 2545170B2 JP 32183691 A JP32183691 A JP 32183691A JP 32183691 A JP32183691 A JP 32183691A JP 2545170 B2 JP2545170 B2 JP 2545170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pressure
- sensitive adhesive
- radiation
- adhesive sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の技術分野】本発明はウェハ貼着用粘着シートな
らびにウェハダイシング方法に関し、さらに詳しくは、
半導体ウェハを小片に切断分離する際に発生するダイシ
ング屑を低減することができるウェハ貼着用粘着シート
ならびにウェハダイシング方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking and a wafer dicing method, and more specifically,
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking and a wafer dicing method, which can reduce dicing dust generated when a semiconductor wafer is cut and separated into small pieces.
【0002】[0002]
【発明の技術的背景】シリコン、ガリウムヒ素などの半
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハは素子
小片に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体ウェハ
は予じめ粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ、マウン
ティングの各工程が加えられている。BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide and the like are manufactured in a large diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces and then transferred to the next step, a mounting step. . At this time, the semiconductor wafer is subjected to the steps of dicing, cleaning, drying, expanding, picking up, and mounting while being adhered to the adhesive sheet in advance.
【0003】半導体ウェハのダイシング工程からピック
アップ工程に至る工程では、基材上に粘着剤が塗布され
てなる粘着シートが用いられてきた。このような粘着シ
ートにおいて、基材としてポリオレフィン系フィルムあ
るいはポリ塩化ビニル系フィルム等が用いられている。In the processes from the dicing process of semiconductor wafers to the picking-up process, an adhesive sheet in which an adhesive is applied on a base material has been used. In such an adhesive sheet, a polyolefin film, a polyvinyl chloride film, or the like is used as a base material.
【0004】ところでウェハダイシング時にはウェハと
ともに粘着剤層あるいは基材フィルムの一部も切断され
て粘着シートからダイシング屑が発生し、ウェハを汚染
することがあった。ポリオレフィン系基材フィルムがダ
イシングブレードに削り取られることにより発生するダ
イシング屑は糸状であり、そしてこの糸状の屑には粘着
剤が付着している。このような糸状の屑がダイシングさ
れたチップに付着すると容易には除去できないため、チ
ップの歩留り率が低下する。At the time of wafer dicing, the pressure-sensitive adhesive layer or a part of the base material film may be cut together with the wafer, and dicing dust may be generated from the pressure-sensitive adhesive sheet to contaminate the wafer. The dicing debris generated when the polyolefin-based substrate film is scraped off by the dicing blade has a thread-like shape, and an adhesive agent is attached to the thread-like debris. If such thread-like waste adheres to the diced chips, it cannot be easily removed, and the yield rate of the chips decreases.
【0005】[0005]
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴な
う問題点を解決しようとするものであり、特に基材フィ
ルムとしてポリオレフィン系フィルムを用いる際に粘着
シートから発生しやすいダイシング屑を低減させること
を目的としている。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, and in particular, when a polyolefin film is used as a base film, dicing scraps which are easily generated from an adhesive sheet. The purpose is to reduce.
【0006】[0006]
【発明の概要】本発明に係るウェハ貼着用粘着シート
は、基材と粘着剤層とからなり、基材フィルムが、エチ
レン・メチルメタアクリレート共重合体フィルムである
ことを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION A wafer-adhesive pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention comprises a substrate and an adhesive layer, and the substrate film is an ethylene-methylmethacrylate copolymer film.
【0007】本発明に係るウェハダイシング方法は、基
材と粘着剤層とからなるウェハ貼着用粘着シート上にウ
ェハを貼着してウェハをダイシングするに際して、基材
フィルムとして、エチレン・メチルメタアクリレート共
重合体フィルムを用いることにより、ウェハダイシング
時に発生するダイシング屑の量を低減させることを特徴
としている。In the wafer dicing method according to the present invention, when a wafer is attached to a wafer-attaching adhesive sheet consisting of a base material and an adhesive layer and the wafer is diced, ethylene / methyl methacrylate is used as the base material film. The use of the copolymer film is characterized in that the amount of dicing chips generated during wafer dicing is reduced.
【0008】[0008]
【発明の具体的説明】本発明に係るウェハ貼着用粘着シ
ートとしては、たとえば図1に示すようなエチレン・メ
チルメタアクリレート共重合体フィルム(基材フィル
ム)1上に粘着剤層2が形成されてなる粘着シート10
を例示することができる。粘着シート10の使用前には
この粘着剤層2を保護するため、図2に示すように粘着
剤層2の上面に剥離性シート3を仮粘着しておくことが
好ましい。更に図3に示すように、粘着剤層2とは反対
側の基材表面に補強層5を設けておいてもよい。補強層
5は接着剤層4を介して基材フィルム1上に積層するこ
とができる。このような補強層5を設けることにより、
エキスパンド時のテープ裂け等のトラブルを防止するこ
とができる。補強層5としては、ポリオレフィン系フィ
ルム、塩化ビニル系フィルム等の伸縮性に優れたフィル
ムが特に限定されることなく用いられる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer adhesion according to the present invention, a pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on an ethylene / methyl methacrylate copolymer film (base film) 1 as shown in FIG. 1, for example. Adhesive sheet 10
Can be illustrated. In order to protect the pressure-sensitive adhesive layer 2 before using the pressure-sensitive adhesive sheet 10, it is preferable to temporarily adhere the peelable sheet 3 to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 3, a reinforcing layer 5 may be provided on the surface of the base material opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The reinforcing layer 5 can be laminated on the base film 1 via the adhesive layer 4. By providing such a reinforcing layer 5,
Problems such as tape tearing during expansion can be prevented. As the reinforcing layer 5, a film having excellent elasticity such as a polyolefin film or a vinyl chloride film is used without particular limitation.
【0009】本発明に係る粘着シート10の形状は、テ
ープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。基材フ
ィルム1としては、エチレンとメチルメタアクリル酸と
を共重合してなるエチレン・メチルメタアクリレート共
重合体フィルムが用いられる。このエチレン・メチルメ
タアクリレート共重合体フィルムにおいて、エチレンか
ら導かれる構成単位は、好ましくは50〜99重量%、
特に好ましくは80〜95重量%、さらに好ましくは9
0〜95重量%の量で存在している。またメチルメタア
クリル酸から導かれる構成単位は、好ましくは50〜1
重量%、特に好ましくは20〜5重量%、さらに好まし
くは10〜5重量%の量で存在している。The pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention may have any shape such as a tape shape or a label shape. As the base film 1, an ethylene / methylmethacrylate copolymer film obtained by copolymerizing ethylene and methylmethacrylic acid is used. In this ethylene / methyl methacrylate copolymer film, the constitutional unit derived from ethylene is preferably 50 to 99% by weight,
Particularly preferably 80 to 95% by weight, and further preferably 9
It is present in an amount of 0-95% by weight. The structural unit derived from methylmethacrylic acid is preferably 50 to 1
%, Particularly preferably 20 to 5% by weight, more preferably 10 to 5% by weight.
【0010】また基材フィルム1は、上記のような樹脂
フィルム1枚からなっていてもよく、また2枚以上のフ
ィルムの積層体であってもよい。このような基材フィル
ム1の厚さは、通常40〜200μmであり、好ましく
は60〜150μmである。The substrate film 1 may be composed of one resin film as described above, or may be a laminate of two or more films. The thickness of such a base film 1 is usually 40 to 200 μm, preferably 60 to 150 μm.
【0011】このようなエチレン・メチルメタアクリレ
ート共重合体フィルムは弾性、強度等の機械的特性に優
れる。このようなフィルムをウェハ貼着用粘着シートの
基材フィルムとして用いるとウェハダイシング時におい
て糸状のダイシング屑の発生を低減させることができ、
また粘着シートのエキスパンディングを支障なく行なう
ことができる。Such an ethylene / methyl methacrylate copolymer film is excellent in mechanical properties such as elasticity and strength. When such a film is used as a base film of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking, it is possible to reduce the generation of thread-like dicing chips during wafer dicing,
In addition, the pressure-sensitive adhesive sheet can be expanded without any trouble.
【0012】本発明においては、上記のような基材フィ
ルム1上に粘着剤層2を形成してウェハのダイシングに
用いる。この粘着剤層2を構成する粘着剤としては従来
公知のものが広く用いられうるが、アクリル系粘着剤が
好ましく、具体的には、アクリル酸エステルを主たる構
成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ば
れたアクリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物が用いられる。たとえ
ば、アクリル酸エステルとしては、メタクリル酸エチ
ル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキ
シル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−ヒド
ロキシエチルなど、また上記のメタクリル酸をたとえば
アクリル酸に代えたものなども好ましく使用できる。In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the substrate film 1 as described above and used for dicing a wafer. As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2, conventionally known ones can be widely used, but an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable, and specifically, a homopolymer having an acrylic ester as a main constituent monomer unit. Further, an acrylic polymer selected from copolymers, copolymers with other functional monomers, and mixtures of these polymers are used. For example, as the acrylate ester, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and the like, and those in which the above methacrylic acid is replaced with acrylic acid, for example, are also preferable. Can be used.
【0013】さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高
めるため、アクリル酸あるいはメタクリル酸、アクリロ
ニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させても
よい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系
重合体の分子量は、1.0×105〜10.0×105で
あり、好ましくは、4.0×105〜8.0×105であ
る。Further, in order to enhance the compatibility with the oligomer described later, monomers such as acrylic acid or methacrylic acid, acrylonitrile and vinyl acetate may be copolymerized. The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these monomers is 1.0 × 10 5 to 10.0 × 10 5 , preferably 4.0 × 10 5 to 8.0 × 10 5 . is there.
【0014】また上記のような粘着剤層中に放射線重合
性化合物を含ませることによって、ウェハを切断分離し
た後、該粘着剤層に放射線を照射することによって、粘
着力を低下させることができる。このような放射線重合
性化合物としては、たとえば特開昭60−196,95
6号公報および特開昭60−223,139号公報に開
示されているような光照射によって三次元網状化しうる
分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個
以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的に
は、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラ
メチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシ
ペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアク
リレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴ
エステルアクリレートなどが用いられる。Further, by including a radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer as described above, the adhesive force can be lowered by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation after the wafer is cut and separated. . Examples of such radiation-polymerizable compounds include those disclosed in JP-A-60-196,95.
No. 6, and JP-A-60-223,139, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of being three-dimensionally reticulated by light irradiation. Is widely used. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4- Butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate,
Polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, etc. are used.
【0015】さらに放射線重合性化合物として、上記の
ようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンア
クリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリ
エーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネ
ート化合物たとえば2,4−トリレンジイソシアネー
ト、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシ
リレンジイソシアネート、1,4−キシリレンジイソシ
アネート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアネート
などを反応させて得られる末端イソシアネートウレタン
プレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレート
あるいはメタクリレートたとえば2−ヒドロキシエチル
アクリレートまたは2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコール
アクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート
などを反応させて得られる。このウレタンアクリレート
系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少なくとも1個
以上有する放射線重合性化合物である。Further, as the radiation-polymerizable compound, a urethane acrylate-based oligomer may be used in addition to the above-mentioned acrylate-based compound. The urethane acrylate-based oligomer is a polyol compound such as polyester type or polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4. -Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, for example, a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc., such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate , 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc. Obtained by. This urethane acrylate-based oligomer is a radiation-polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.
【0016】このようなウレタンアクリレート系オリゴ
マーとして、特に分子量が3000〜30000、好ま
しくは3000〜10000、さらに好ましくは400
0〜8000であるものを用いると、半導体ウェハ表面
が粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチッ
プ表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。ま
たウレタンアクリレート系オリゴマーを放射線重合性化
合物として用いる場合には、特開昭60−196,95
6号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物
を用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れ
たものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前
の接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力
が充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチッ
プ表面に粘着剤が残存することはない。As such a urethane acrylate-based oligomer, the molecular weight is particularly 3,000 to 30,000, preferably 3,000 to 10,000, and more preferably 400.
It is preferable to use one having a thickness of 0 to 8000 because even if the surface of the semiconductor wafer is rough, the adhesive does not adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up. When a urethane acrylate oligomer is used as a radiation-polymerizable compound, it is disclosed in JP-A-60-196,95.
Compared with the case of using a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in Japanese Patent Publication No. 6, a very excellent adhesive sheet can be obtained. That is, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive sheet before irradiation with radiation is sufficiently large, and the adhesive strength is not sufficiently reduced after irradiation with radiation, so that the adhesive does not remain on the chip surface at the time of picking up the wafer chip.
【0017】粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタンア
クリレート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘着剤
100重量部に対してウレタンアクリレート系オリゴマ
ーは50〜900重量部の範囲の量で用いられることが
好ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の
接着力が大きく、しかも放射線照射後には粘着力は大き
く低下し、容易にウェハチップを該粘着シートからピッ
クアップすることができる。Regarding the compounding ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the urethane acrylate oligomer in the pressure-sensitive adhesive, the urethane acrylate oligomer may be used in an amount of 50 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. preferable. In this case, the adhesive sheet obtained has a large initial adhesive force, and the adhesive force is greatly reduced after irradiation with radiation, and the wafer chip can be easily picked up from the adhesive sheet.
【0018】また必要に応じては、粘着剤層2中に、上
記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放
射線照射により着色する化合物を含有させることもでき
る。このような放射線照射により、着色する化合物を粘
着剤3に含ませることによって、粘着シートに放射線が
照射された後には該シートは着色され、したがって光セ
ンサーによってウェハチップを検出する際に検出精度が
高まり、ウェハチップのピックアップ時に誤動作が生ず
ることがない。また粘着シートに放射線が照射されたか
否かが目視により直ちに判明するという効果が得られ
る。If desired, the pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain, in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound, a compound which is colored by irradiation with radiation. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive 3 by such radiation irradiation, after the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with radiation, the sheet is colored, and thus the detection accuracy when detecting a wafer chip by an optical sensor is improved. As a result, malfunction does not occur when picking up a wafer chip. Further, it is possible to obtain an effect that it is possible to immediately visually confirm whether or not the adhesive sheet is irradiated with radiation.
【0019】放射線照射により着色する化合物は、放射
線の照射前には無色または淡色であるが、放射線の照射
により有色となる化合物であって、この化合物の好まし
い具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料
としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン
系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系
のものが好ましく用いられる。具体的には3−[N−
(p−トリルアミノ)]−7−アニリノフルオラン、3
−[N−(p−トリル)−N−メチルアミノ]−7−ア
ニリノフルオラン、3−[N−(p−トリル)−N−エ
チルアミノ]−7−アニリノフルオラン、3−ジエチル
アミノ−6−メチル−7−アニリノフルオラン、クリス
タルバイオレットラクトン、4,4’,4”−トリスジ
メチルアミノトリフェニルメタノール、4,4’,4”
−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどが挙げ
られる。The compound that is colored by irradiation with radiation is a compound that is colorless or light-colored before irradiation with radiation, but is colored by irradiation with radiation, and a preferable specific example of this compound is a leuco dye. As the leuco dye, conventional triphenylmethane type, fluorane type, phenothiazine type, auramine type and spiropyran type dyes are preferably used. Specifically, 3- [N-
(P-Tolylamino)]-7-anilinofluorane, 3
-[N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluorane, 3- [N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluorane, 3-diethylamino -6-Methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-trisdimethylaminotriphenylmethanol, 4,4', 4"
-Trisdimethylaminotriphenylmethane and the like.
【0020】これらロイコ染料とともに好ましく用いら
れる顕色剤としては、従来から用いられているフェノー
ルホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導
体、活性白土などの電子受容体が挙げられ、さらに、色
調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用い
ることもできる。Examples of the color developer that is preferably used with these leuco dyes include conventionally used phenol formalin resin prepolymers, aromatic carboxylic acid derivatives, and electron acceptors such as activated clay. When changing the value, various known color formers can be used in combination.
【0021】このような放射線照射によって着色する化
合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤層中
に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着剤層中に含
ませてもよい。この化合物は、粘着剤層中に0.01〜
10重量%好ましくは0.5〜5重量%の量で用いられ
ることが望ましい。該化合物が10重量%を超えた量で
用いられると、粘着シートに照射される放射線がこの化
合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層の硬化が不
十分となることがあり、一方該化合物が0.01重量%
未満の量で用いられると放射線照射時に粘着シートが充
分に着色しないことがあり、ウェハチップのピックアッ
プ時に誤動作が生じやすくなることがある。Such a compound which is colored by irradiation with radiation may be dissolved in an organic solvent or the like and then contained in the adhesive layer, or may be made into a fine powder and contained in the adhesive layer. . This compound is added to the adhesive layer in an amount of 0.01 to
It is desirable to use in an amount of 10% by weight, preferably 0.5-5% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 10% by weight, the radiation applied to the pressure-sensitive adhesive sheet may be excessively absorbed by the compound, so that the curing of the pressure-sensitive adhesive layer may be insufficient. Is 0.01% by weight
If it is used in an amount less than the above range, the adhesive sheet may not be sufficiently colored upon irradiation with radiation, and malfunction may easily occur during pickup of the wafer chip.
【0022】また場合によっては、粘着剤層2中に上記
のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散
乱性無機化合物粉末を含有させることもできる。このよ
うな光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層2に含ませるこ
とによって、たとえ半導体ウェハなどの被着物表面が何
らかの理由によって灰色化あるいは黒色化しても、該粘
着シートに紫外線などの放射線を照射すると、灰色化あ
るいは黒色化した部分でもその接着力が充分に低下し、
したがってウェハチップのピックアップ時にウェハチッ
プ表面に粘着剤が付着してしまうことがなく、しかも放
射線の照射前には充分な接着力を有しているという効果
が得られる。In some cases, the pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain a light-scattering inorganic compound powder in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound. By including such a light-scattering inorganic compound powder in the pressure-sensitive adhesive layer 2, even if the surface of an adherend such as a semiconductor wafer becomes gray or black for some reason, the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with radiation such as ultraviolet rays. Then, even in the grayed or blackened part, the adhesive strength is sufficiently reduced,
Therefore, it is possible to obtain an effect that the adhesive does not adhere to the surface of the wafer chip when the wafer chip is picked up, and has sufficient adhesive force before irradiation of radiation.
【0023】この光散乱性無機化合物は、紫外線(U
V)あるいは電子線(EB)などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるような化
合物であって、具体的には、シリカ粉末、アルミナ粉
末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末などが例示され
る。この光散乱性無機化合物は、上記のような放射線を
ほぼ完全に反射するものが好ましいが、もちろんある程
度放射線を吸収してしまうものも用いることができる。This light-scattering inorganic compound is
V) or an electron beam (EB) or the like, which is a compound capable of diffusely reflecting this radiation, and specifically, silica powder, alumina powder, silica-alumina powder, mica powder Are exemplified. The light-scattering inorganic compound is preferably a compound that reflects the above-mentioned radiation almost completely, but of course, a compound that absorbs the radiation to some extent can also be used.
【0024】光散乱性無機化合物は粉末状であることが
好ましく、その粒径は1〜100μm好ましくは1〜2
0μm程度であることが望ましい。この光散乱性無機化
合物は、粘着剤層中に0.1〜10重量%好ましくは1
〜4重量%の量で用いられることが望ましい。該化合物
を粘着剤層中に10重量%を越えた量で用いると、粘着
剤層の接着力が低下したりすることがあり、一方0.1
重量%未満であると、半導体ウェハ面が灰色化あるいは
黒色化した場合に、その部分に放射線照射しても、接着
力が充分に低下せずピックアップ時にウェハ表面に粘着
剤が残ることがある。The light-scattering inorganic compound is preferably in the form of powder and has a particle size of 1 to 100 μm, preferably 1 to 2
It is preferably about 0 μm. The light-scattering inorganic compound is contained in the pressure-sensitive adhesive layer in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1% by weight.
It is preferably used in an amount of ˜4% by weight. When the compound is used in the pressure-sensitive adhesive layer in an amount of more than 10% by weight, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer may be decreased.
When the content is less than wt%, when the semiconductor wafer surface is grayed or blackened, even if the portion is irradiated with radiation, the adhesive force may not be sufficiently reduced and the adhesive may remain on the wafer surface during pickup.
【0025】粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添
加するとによって得られる粘着シートは、半導体ウェハ
面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化したよ
うな場合に用いても、この灰色化あるいは黒色化した部
分に放射線が照射されると、この部分においてもその接
着力が充分に低下するのは、次のような理由であろうと
考えられる。すなわち、本発明で用いられる粘着シート
10は粘着剤層2を有しているが、この粘着剤層2に放
射線を照射すると、粘着剤層2中に含まれる放射線重合
性化合物が硬化してその接着力が低下することになる。
ところが半導体ウェハ面に何らかの理由によって灰色化
あるいは黒色化した部分が生ずることがある。このよう
な場合に粘着剤層2に放射線を照射すると、放射線は粘
着剤層2を通過してウェハ面に達するが、もしウェハ面
に灰色化あるいは黒色化した部分があるとこの部分では
放射線が吸収されて、反射することがなくなってしま
う。このため本来粘着剤層2の硬化に利用されるべき放
射線が、灰色化あるいは黒色化した部分では吸収されて
しまって粘着剤層2の硬化が不充分となり、接着力が充
分には低下しないことになる。したがってウェハチップ
のピックアップ時にチップ面に粘着剤が付着してしまう
のであろうと考えられる。The pressure-sensitive adhesive sheet obtained by adding the light-scattering inorganic compound powder to the pressure-sensitive adhesive layer can be used even when the semiconductor wafer surface is grayed or blackened for some reason. It is considered that the reason why the adhesive strength of this part, when it is irradiated with radiation, is sufficiently reduced in this part is as follows. That is, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 used in the present invention has the pressure-sensitive adhesive layer 2, but when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation, the radiation-polymerizable compound contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2 cures and its The adhesive strength will be reduced.
However, a grayed or blackened portion may occur on the semiconductor wafer surface for some reason. When the adhesive layer 2 is irradiated with radiation in such a case, the radiation passes through the adhesive layer 2 and reaches the wafer surface. However, if there is a grayed or blackened portion on the wafer surface, the radiation will be emitted at this portion. It is absorbed and no longer reflects. Therefore, the radiation that should originally be used for curing the pressure-sensitive adhesive layer 2 is absorbed in the grayed or blackened portion, and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is insufficiently cured, and the adhesive strength is not sufficiently reduced. become. Therefore, it is considered that the adhesive may adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up.
【0026】ところが粘着剤層2中に光散乱性無機化合
物粉末を添加すると、照射された放射線はウェハ面に達
するまでに該化合物と衝突して方向が変えられる。この
ため、たとえウェハチップ表面に灰色化あるいは黒色化
した部分があっても、この部分の上方の領域にも乱反射
された放射線が充分に入り込み、したがってこの灰色化
あるいは黒色化した部分も充分に硬化する。このため、
粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加することに
よって、たとえ半導体ウェハ表面に何らかの理由によっ
て灰色化あるいは黒色化した部分があっても、この部分
で粘着剤層の硬化が不充分になることがなく、したがっ
てウェハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着剤
が付着することがなくなる。However, when the light-scattering inorganic compound powder is added to the pressure-sensitive adhesive layer 2, the irradiated radiation collides with the compound and changes its direction before reaching the wafer surface. For this reason, even if there is a grayed or blackened portion on the wafer chip surface, the diffusely reflected radiation sufficiently enters the area above this portion, and thus the grayed or blackened portion is also sufficiently cured. To do. For this reason,
By adding the light-scattering inorganic compound powder to the adhesive layer, even if there is a grayed or blackened portion on the surface of the semiconductor wafer for some reason, curing of the adhesive layer becomes insufficient at this portion. Therefore, the adhesive does not adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up.
【0027】さらに本発明では、基材フィルム中に砥粒
が分散されていてもよい。この砥粒は、粒径が0.5〜
100μm好ましくは1〜50μmであって、モース硬
度は6〜10好ましくは7〜10である。具体的には、
グリーンカーボランダム、人造コランダム、オプティカ
ルエメリー、ホワイトアランダム、炭化ホウ素、酸化ク
ロム(III)、酸化セリウム、ダイヤモンドパウダー
などが用いられる。このような砥粒は無色あるいは白色
であることが好ましい。このような砥粒は、基材フィル
ム2中に0.5〜70重量%好ましくは5〜50重量%
の量で存在している。このような砥粒は、切断ブレード
をウェハのみならず基材フィルム2にまでも切り込むよ
うな深さで用いる場合に、特に好ましく用いられる。Further, in the present invention, abrasive grains may be dispersed in the base film. This abrasive grain has a grain size of 0.5-
The thickness is 100 μm, preferably 1 to 50 μm, and the Mohs hardness is 6 to 10, preferably 7 to 10. In particular,
Green carborundum, artificial corundum, optical emery, white alundum, boron carbide, chromium (III) oxide, cerium oxide, diamond powder and the like are used. Such abrasive grains are preferably colorless or white. Such abrasive grains are contained in the base film 2 in an amount of 0.5 to 70% by weight, preferably 5 to 50% by weight.
Present in an amount of. Such abrasive grains are particularly preferably used when the cutting blade is used at a depth that cuts not only the wafer but also the base film 2.
【0028】上記のような砥粒を基材フィルム中に含ま
せることによって、切断ブレードが基材フィルム中に切
り込んできて、切断ブレードに粘着剤が付着しても砥粒
の研磨効果により、目づまりを簡単に除去することがで
きる。By including the above-mentioned abrasive grains in the substrate film, even if the cutting blade cuts into the substrate film and the adhesive adheres to the cutting blade, the abrasive effect of the abrasive grains causes The clogging can be easily removed.
【0029】また上記の粘着剤中に、イソシアナート系
硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値
に設定することができる。このような硬化剤としては、
具体的には多価イソシアネート化合物、たとえば2,4
−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソ
シアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、
1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン
−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−
2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメ
タン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシル
メタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシア
ネートなどが用いられる。The initial adhesive force can be set to an arbitrary value by mixing an isocyanate type curing agent in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive. As such a curing agent,
Specifically, a polyvalent isocyanate compound such as 2,4
-Tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate,
1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-
2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate and the like are used.
【0030】さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場
合には、UV開始剤を混入することにより、UV照射に
よる重合硬化時間ならびにUV照射量を少なくすること
ができる。Further, in the case of UV irradiation in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, by mixing a UV initiator, the polymerization and curing time by UV irradiation and the UV irradiation amount can be shortened.
【0031】このようなUV開始剤としては、具体的に
は、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラ
ムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジ
ベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンな
どが挙げられる。Specific examples of such a UV initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether,
Examples thereof include benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl and β-chloranthraquinone.
【0032】以下、本発明に係るウェハダイシング方法
の手順を説明する。粘着シート10の上面に剥離性シー
ト3が設けられている場合には、該シート3を除去し、
次いで粘着シート10の粘着剤層2を上向きにして載置
し、図3に示すようにして、この粘着剤層2の上面にダ
イシング加工すべき半導体ウェハAを貼着する。この貼
着状態でウェハAにダイシング、洗浄、乾燥の諸工程が
加えられる。この際、粘着剤層2によりウェハチップは
粘着シートに充分に接着保持されているので、上記各工
程の間にウェハチップが脱落することはない。The procedure of the wafer dicing method according to the present invention will be described below. When the peelable sheet 3 is provided on the upper surface of the adhesive sheet 10, the sheet 3 is removed,
Next, the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is placed face up, and as shown in FIG. 3, the semiconductor wafer A to be processed by dicing is attached to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2. In this attached state, the wafer A is subjected to various processes such as dicing, cleaning and drying. At this time, since the wafer chip is sufficiently adhered and held on the adhesive sheet by the adhesive layer 2, the wafer chip does not fall off during the above steps.
【0033】次に、各ウェハチップを粘着シートからピ
ックアップして所定の基台上にマウンティングするが、
この際、ピックアップに先立ってあるいはピックアップ
時に、図5に示すように、紫外線(UV)あるいは電子
線(EB)などの電離性放射線Bを粘着シート10の粘
着剤層2に照射し、粘着剤層2中に含まれる放射線重合
性化合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層2に
放射線を照射して放射線重合性化合物を重合硬化せしめ
ると、粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの
接着力が残存するのみとなる。Next, each wafer chip is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base.
At this time, prior to or at the time of pickup, as shown in FIG. 5, the adhesive layer 2 of the adhesive sheet 10 is irradiated with ionizing radiation B such as ultraviolet rays (UV) or electron beams (EB) to obtain an adhesive layer. The radiation-polymerizable compound contained in 2 is polymerized and cured. Thus, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation to polymerize and cure the radiation-polymerizable compound, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive is greatly reduced, and only a slight adhesive force remains.
【0034】粘着シート10への放射線照射は、基材フ
ィルム1の粘着剤層2が設けられていない面から行なう
ことが好ましい。したがって前述のように、放射線とし
てUVを用いる場合には基材フィルム1は光透過性であ
ることが必要であるが、放射線としてEBを用いる場合
には基材フィルム1は必ずしも光透過性である必要はな
い。The radiation of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is preferably performed from the surface of the base film 1 on which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not provided. Therefore, as described above, when UV is used as the radiation, the base film 1 needs to be light transmissive, but when EB is used as the radiation, the base film 1 is not necessarily light transmissive. No need.
【0035】このようにウェハチップA1,A2……が設
けられた部分の粘着剤層2に放射線を照射して、粘着剤
層2の接着力を低下せしめた後、この粘着シート10を
ピックアップステーション(図示せず)に移送し、図6
に示すように、ここで常法に従って基材フィルム1の下
面から突き上げ針扞6によりピックアップすべきチップ
A1……を突き上げ、このチップA1……をたとえば吸引
コレット7によりピックアップし、これを所定の基台上
にマウンティングする。このようにしてウェハチップA
1,A2……のピックアップを行なうと、ウェハチップ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピックアップする
ことができ、汚染のない良好な品質のチップが得られ
る。なお放射線照射は、ピックアップステーションにお
いて行なうこともできる。As described above, the adhesive layer 2 in the portion where the wafer chips A 1 , A 2, ... Are provided is irradiated with radiation to reduce the adhesive force of the adhesive layer 2, and then the adhesive sheet 10 is attached. Transfer to a pick-up station (not shown), and
As shown in FIG. 1, the tip A 1 ... to be picked up is pushed up by the push-up needle bar 6 from the lower surface of the substrate film 1 according to a conventional method, and this tip A 1 ... is picked up by, for example, a suction collet 7, Mount on the designated base. In this way, the wafer chip A
When picking up 1 , A 2 ..., the adhesive can be easily picked up without adhering to the wafer chip surface, and a chip of good quality without contamination can be obtained. Radiation irradiation can also be performed at the pickup station.
【0036】放射線照射は、ウェハAの貼着面の全面に
わたって1度に照射する必要は必ずしもなく、部分的に
何回にも分けて照射するようにしてもよく、たとえば、
ピックアップすべきウェハチップA1,A2……の1個ご
とに、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管
により照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下させ
た後、突き上げ針扞6によりウェハチップA1,A2……
を突き上げて順次ピックアップを行なうこともできる。
図7には、上記の放射線照射方法の変形例を示すが、こ
の場合には、突き上げ針杆6の内部を中空とし、その中
空部に放射線発生源8を設けて放射線照射とピックアッ
プとを同時に行なえるようにしており、このようにする
と装置を簡単化できると同時にピッアップ操作時間を短
縮することができる。Irradiation does not necessarily have to be performed once at once over the entire sticking surface of the wafer A, and may be partially divided into several times. For example,
For each of the wafer chips A 1 , A 2, ... to be picked up, irradiation is performed by a radiation irradiation tube that irradiates only the corresponding back surface to reduce the adhesive strength of only the adhesive at that portion, and then the push-up needle Wafer chips A 1 , A 2 ...
You can also push up and pick up sequentially.
FIG. 7 shows a modified example of the above-mentioned radiation irradiation method. In this case, the inside of the push-up needle bar 6 is hollow, and a radiation source 8 is provided in the hollow portion to simultaneously perform radiation irradiation and pickup. In this way, the apparatus can be simplified and the pick-up operation time can be shortened at the same time.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ダイシング屑の発生を防止することができ、かつポ
リオレフィン系フィルムの弾性、強度等も保つことがで
き、エキスパンディングを容易に行なうことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the generation of dicing scraps, and also to maintain the elasticity and strength of the polyolefin film, so that the expanding can be easily performed. be able to.
【0038】[0038]
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0039】[0039]
【実施例】アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリレート
とアクリル酸との共重合体)100重量部と分子量80
00のウレタンアクリレート系オリゴマー100重量部
と、硬化剤(ジイソシアネート系)10重量部と、UV
硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)5重量部とを混合
し、粘着剤組成物を作製した。EXAMPLES 100 parts by weight of acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid) and molecular weight of 80
100 parts by weight of urethane acrylate-based oligomer of 00, 10 parts by weight of curing agent (diisocyanate-based), and UV
A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by mixing 5 parts by weight of a curing reaction initiator (benzophenone-based).
【0040】この粘着剤組成物を、エチレン・メチルメ
タアクリレート共重合体フィルム〔エチレン:メチルメ
タアクリル酸=90:10(重量比)〕(厚さ:100
μm)上に厚さ10μmとなるように塗布し、粘着シー
トを作製した。An ethylene / methylmethacrylate copolymer film [ethylene: methylmethacrylic acid = 90: 10 (weight ratio)] (thickness: 100
(μm) to have a thickness of 10 μm to prepare an adhesive sheet.
【0041】得られた粘着シートの粘着剤層上に5イン
チのシリコンウェハを貼着してウェハのダイシングを行
なった。ダイシングは下記の2つの条件にて行なった。 ダイシング条件1 ダイサー: DISCO製 2H/6T ブレード回転数: 30,000 r.p.m. ダイシングスピード: 100mm/秒 ダイシング深さ: テープ表面から30μm ブレード厚: 25μm ダイシングサイズ: 5mm×5mm カットモード: ダウンカット ダイシング条件2 ダイサー: DISCO製 2H/6T ブレード回転数: 40,000 r.p.m. ダイシングスピード: 100mm/秒 ダイシング深さ: テープ表面から30μm ブレード厚: 50μm ダイシングサイズ: 5mm×5mm カットモード: ダウンカット ダイシング後、ウェハ(チップ)上の異物を拡大鏡(1
00倍率)で観察し、異物(ダイシング屑)の個数をカ
ウントした。この結果を表1に示す。A 5-inch silicon wafer was attached on the adhesive layer of the obtained adhesive sheet, and the wafer was diced. Dicing was performed under the following two conditions. Dicing condition 1 Dicer: 2H / 6T manufactured by DISCO Blade rotation speed: 30,000 r. p. m. Dicing speed: 100 mm / sec Dicing depth: 30 μm from tape surface Blade thickness: 25 μm Dicing size: 5 mm × 5 mm Cut mode: Down cut Dicing condition 2 Dicer: DISCO 2H / 6T Blade rotation speed: 40,000 r. p. m. Dicing speed: 100 mm / sec Dicing depth: 30 μm from tape surface Blade thickness: 50 μm Dicing size: 5 mm x 5 mm Cut mode: Down cut After dicing, a foreign substance on the wafer (chip) is magnified (1)
The number of foreign matters (dicing scraps) was counted by observing at a magnification of 00. Table 1 shows the results.
【0042】[0042]
【比較例】実施例において、エチレン・メチルメタアク
リレート共重合体フィルムをポリエチレンフィルム、エ
チレン・エチルアクリレート共重合体フィルム、エチレ
ン酢酸ビニル共重合体フィルムに換えた以外は実施例と
同様に行なった。結果を表1に示す。[Comparative Example] The same procedure as in Example was repeated except that the ethylene / methyl methacrylate copolymer film was replaced with a polyethylene film, an ethylene / ethyl acrylate copolymer film, or an ethylene vinyl acetate copolymer film. The results are shown in Table 1.
【0043】[0043]
【表1】 EMMA:エチレン・メチルメタアクリレート共重合体 PE:ポリエチレン EEA:エチレン・エチルアクリレート共重合体 EVA:エチレン・酢酸ビニル共重合体[Table 1] EMMA: Ethylene / methyl methacrylate copolymer PE: Polyethylene EEA: Ethylene / ethyl acrylate copolymer EVA: Ethylene / vinyl acetate copolymer
【図1】本発明に係るウェハ貼着用粘着シートの概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking according to the present invention.
【図2】本発明に係るウェハ貼着用粘着シートの概略断
面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking according to the present invention.
【図3】本発明に係るウェハ貼着用粘着シートの概略断
面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking according to the present invention.
【図4】本発明に係るウェハダイシング方法の説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram of a wafer dicing method according to the present invention.
【図5】本発明に係るウェハダイシング方法の説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram of a wafer dicing method according to the present invention.
【図6】本発明に係るウェハダイシング方法の説明図で
ある。FIG. 6 is an explanatory diagram of a wafer dicing method according to the present invention.
【図7】本発明に係るウェハダイシング方法の説明図で
ある。FIG. 7 is an explanatory diagram of a wafer dicing method according to the present invention.
1…基材フィルム 2…粘着剤層 3…剥離性シート 4…接着剤層 5…補強層 6…突き上げ針扞 7…吸引コレット 8…放射線発生源 A…ウェハ B…放射線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate film 2 ... Adhesive layer 3 ... Releasable sheet 4 ... Adhesive layer 5 ... Reinforcing layer 6 ... Push-up needle bar 7 ... Suction collet 8 ... Radiation source A ... Wafer B ... Radiation
Claims (4)
ハ貼着用粘着シートにおいて、 基材フィルムが、エチレン・メチルメタアクリレート共
重合体フィルムであることを特徴とするウェハ貼着用粘
着シート。1. A wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer, wherein the base film is an ethylene / methyl methacrylate copolymer film.
共重合体フィルムが、エチレンから導かれる構成単位を
50〜99重量%含有し、メチルメタアクリル酸から導
かれる構成単位を1〜50重量%含有することを特徴と
する請求項1に記載のウェハ貼着用粘着シート。2. The ethylene / methyl methacrylate copolymer film contains 50 to 99% by weight of a structural unit derived from ethylene and 1 to 50% by weight of a structural unit derived from methylmethacrylic acid. The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking according to claim 1, wherein:
ハ貼着用粘着シート上にウェハを貼着してウェハをダイ
シングするに際して、 基材フィルムとして、エチレン・メチルメタアクリレー
ト共重合体フィルムを用いることにより、ウェハダイシ
ング時に発生するダイシング屑の量を低減させることを
特徴とするウェハダイシング方法。3. An ethylene / methyl methacrylate copolymer film is used as a substrate film when the wafer is attached to a wafer-attaching adhesive sheet consisting of a substrate film and an adhesive layer to dice the wafer. As a result, the wafer dicing method is characterized in that the amount of dicing debris generated during wafer dicing is reduced.
共重合体フィルムが、エチレンから導かれる構成単位を
50〜99重量%含有し、メチルメタアクリル酸から導
かれる構成単位を1〜50重量%含有することを特徴と
する請求項3に記載のウェハダイシング方法。4. The ethylene / methyl methacrylate copolymer film contains 50 to 99% by weight of a structural unit derived from ethylene and 1 to 50% by weight of a structural unit derived from methylmethacrylic acid. The wafer dicing method according to claim 3, wherein.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32183691A JP2545170B2 (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32183691A JP2545170B2 (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05156214A JPH05156214A (en) | 1993-06-22 |
JP2545170B2 true JP2545170B2 (en) | 1996-10-16 |
Family
ID=18136972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32183691A Expired - Lifetime JP2545170B2 (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2545170B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7141300B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-11-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing |
JP4554908B2 (en) * | 2003-10-24 | 2010-09-29 | 日東電工株式会社 | Dicing adhesive sheet, dicing method and semiconductor element manufacturing method |
JP4993662B2 (en) * | 2005-05-12 | 2012-08-08 | 日東電工株式会社 | Dicing adhesive sheet and dicing method using the same |
JP2007031494A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Pressure sensitive adhesive sheet for adhering wafer |
JP2007277282A (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nitto Denko Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafer |
JP4925173B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-04-25 | 日東電工株式会社 | Dicing adhesive sheet and method of processing a cut object using the same |
JP5321834B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-10-23 | アキレス株式会社 | Base film for adhesive tape |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP32183691A patent/JP2545170B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05156214A (en) | 1993-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2601956B2 (en) | Removable adhesive polymer | |
JPH05211234A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for sticking wafer and wafer dicing method | |
JP3410202B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
KR100705149B1 (en) | A process for producing a semiconductor wafer | |
JP2726350B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer | |
JP2984549B2 (en) | Energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition and method of using the same | |
JP3388674B2 (en) | Energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition and method of using the same | |
JP4511032B2 (en) | Semiconductor wafer processing tape and semiconductor wafer processing method | |
US5955512A (en) | Pressure sensitive adhesive composition and sheet having layer thereof | |
JPH0745557A (en) | Wafer sticking adhesive sheet | |
JPH0156112B2 (en) | ||
JP3299601B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer | |
JPH0215595B2 (en) | ||
JP2545170B2 (en) | Wafer sticking adhesive sheet and wafer dicing method | |
JP3255741B2 (en) | Wafer dicing method, radiation irradiation apparatus used for this method, and pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer | |
JP3073239B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer | |
JP2728333B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer and chip pick-up method | |
JP2703467B2 (en) | Base material for adhesive sheet for attaching wafer and adhesive sheet for attaching wafer | |
JPH0224872B2 (en) | ||
JP3209544B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer | |
JPH0258306B2 (en) | ||
JP3060417B2 (en) | Adhesive sheet for attaching wafer | |
JPH0214384B2 (en) | ||
JPH0224871B2 (en) | ||
JP3152685B2 (en) | Wafer dicing method and radiation irradiation apparatus used in the method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |