JP2542519B2 - ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法 - Google Patents
ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般式［Ｉ］ （式中、Ｒは炭素数２〜20の直鎖状又は分枝鎖状又は環
状のアルキル基又はアルケニル基を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のジメチルアルキル（又はアルケ
ニル）シリルメチルポリシラン（以下、ポリシラン
［Ｉ］と称する）に関する発明、及び原料である一般式
［II］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示される1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−ア
ルキル（又はアルケニル）ジシラン（以下、ジシラン
［II］と称する）を、アルカリ金属又はアルカリ土類金
属の存在下に、縮合反応させることからなるポリシラン
［Ｉ］の製造法に関する。
状のアルキル基又はアルケニル基を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のジメチルアルキル（又はアルケ
ニル）シリルメチルポリシラン（以下、ポリシラン
［Ｉ］と称する）に関する発明、及び原料である一般式
［II］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示される1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−ア
ルキル（又はアルケニル）ジシラン（以下、ジシラン
［II］と称する）を、アルカリ金属又はアルカリ土類金
属の存在下に、縮合反応させることからなるポリシラン
［Ｉ］の製造法に関する。
本発明のポリシラン［Ｉ］は、フォトレジスト材料、
有機半導体、光情報記憶材料などの電子材料又はプレセ
ラミックスとしての機能を有する有用な化合物であり、
文献未載の新規化合物である。
有機半導体、光情報記憶材料などの電子材料又はプレセ
ラミックスとしての機能を有する有用な化合物であり、
文献未載の新規化合物である。
（従来の技術） 従来、ポリシラン類の製造法としては、一般式［II
I］ （式中、Ｘはアルキル基又はアリール基を、ｌは正の整
数を表わす） で示される鎖状又は環状のポリシランを製造する方法
［The Journal of American Chemical Society,71,963
（1949）、Chemistry Letters,1976,551（1976）及びJo
urnal of Polymer Science:Polymer Letters Edition,2
1,819（1983）］、及び一般式［IV］ （式中、Ｘは前記と同一の意味を、Ｙはアルキル基又は
アリール基を、ｎ及びｍは正の整数を表わす） で示されるジメチルポリシランとアリールアルキルポリ
シランのコポリマーを製造する方法［アメリカ特許第4,
260,780号及びJournal of Polymer Science:Polymer Ch
emistry Edition,22,159（1984）］が開示されている。
I］ （式中、Ｘはアルキル基又はアリール基を、ｌは正の整
数を表わす） で示される鎖状又は環状のポリシランを製造する方法
［The Journal of American Chemical Society,71,963
（1949）、Chemistry Letters,1976,551（1976）及びJo
urnal of Polymer Science:Polymer Letters Edition,2
1,819（1983）］、及び一般式［IV］ （式中、Ｘは前記と同一の意味を、Ｙはアルキル基又は
アリール基を、ｎ及びｍは正の整数を表わす） で示されるジメチルポリシランとアリールアルキルポリ
シランのコポリマーを製造する方法［アメリカ特許第4,
260,780号及びJournal of Polymer Science:Polymer Ch
emistry Edition,22,159（1984）］が開示されている。
（発明が解決すべき問題点） 従来のポリシラン類は、前記の一般式［III］で示さ
れるように、ケイ素−ケイ素結合よりなる主鎖にアルキ
ル基及びアリール基を導入したホモポリマー、あるいは
一般式［IV］で示されるように、ジメチルシラン単位と
アリールアルキルシラン単位が不規則に重合したコポリ
マーの如きポリシランのみであり、本発明の如くケイ素
−ケイ素結合よりなる主鎖に、置換基としてジメチルア
ルキルシリル基又はジメチルアルケニルシリル基を導入
したポリシランは見い出されていない。
れるように、ケイ素−ケイ素結合よりなる主鎖にアルキ
ル基及びアリール基を導入したホモポリマー、あるいは
一般式［IV］で示されるように、ジメチルシラン単位と
アリールアルキルシラン単位が不規則に重合したコポリ
マーの如きポリシランのみであり、本発明の如くケイ素
−ケイ素結合よりなる主鎖に、置換基としてジメチルア
ルキルシリル基又はジメチルアルケニルシリル基を導入
したポリシランは見い出されていない。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、ケイ素−ケイ素結合よりなる主鎖に置
換基としてジメチルアルキル（又はアルケニル）シリル
基を導入したポリシランの製造法として、 一般式［II］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示されるジシラン［II］を原料とし、このジシラン
［II］をアルカリ金属又はアルカリ土類金属の存在下に
縮合反応させることにより、一般式［Ｉ］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のポリシラン［Ｉ］が得られるこ
とを見い出し、本発明を完成したものである。
換基としてジメチルアルキル（又はアルケニル）シリル
基を導入したポリシランの製造法として、 一般式［II］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示されるジシラン［II］を原料とし、このジシラン
［II］をアルカリ金属又はアルカリ土類金属の存在下に
縮合反応させることにより、一般式［Ｉ］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のポリシラン［Ｉ］が得られるこ
とを見い出し、本発明を完成したものである。
本発明のポリシラン［Ｉ］の製造法は、ジシラン［I
I］をアルカリ金属又はアルカリ土類金属の存在下に、
非プロトン溶媒例えばｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ベ
ンゼン、トルエン、テトラヒドロフランなどの溶媒中で
縮合させる。本発明で用いるアルカリ金属としてはリチ
ウム、ナトリウム、カリウムなどが、アルカリ土類金属
としてはマグネシウム、カルシウムなどが好ましいが、
特にリチウム、ナトリウム、カリウムが好適である。ま
た、本発明の原料であるジシラン［II］の置換基Ｒは、
炭素数２〜20の直鎖状又は分枝鎖状又は環状のアルキル
基又はアルケニル基であり、具体的にはエチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、イソプ
ロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチ
ル基、シクロヘキシル基、２−シクロヘキセン−１−イ
ル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基などが例
示されるがこれらに限定されるものではない。
I］をアルカリ金属又はアルカリ土類金属の存在下に、
非プロトン溶媒例えばｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ベ
ンゼン、トルエン、テトラヒドロフランなどの溶媒中で
縮合させる。本発明で用いるアルカリ金属としてはリチ
ウム、ナトリウム、カリウムなどが、アルカリ土類金属
としてはマグネシウム、カルシウムなどが好ましいが、
特にリチウム、ナトリウム、カリウムが好適である。ま
た、本発明の原料であるジシラン［II］の置換基Ｒは、
炭素数２〜20の直鎖状又は分枝鎖状又は環状のアルキル
基又はアルケニル基であり、具体的にはエチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、イソプ
ロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチ
ル基、シクロヘキシル基、２−シクロヘキセン−１−イ
ル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基などが例
示されるがこれらに限定されるものではない。
本発明において、ジシラン［II］１当量に対してアル
カリ金属又はアルカリ土類金属は最少２当量必要であ
り、通常は２〜３当量用いる。反応温度は０℃以上、反
応溶媒の沸点以下で行う。反応時間は使用するアルカリ
金属又はアルカリ土類金属の種類、反応溶媒や反応温度
により変動するが、通常は１〜50時間を要する。反応終
了後、反応溶媒を除去し、必要に応じてポリシラン類の
通常の精製法、例えばベンゼン−アルコール計で再沈澱
を繰り返す等の手段により精製してポリシラン［Ｉ］を
得る。
カリ金属又はアルカリ土類金属は最少２当量必要であ
り、通常は２〜３当量用いる。反応温度は０℃以上、反
応溶媒の沸点以下で行う。反応時間は使用するアルカリ
金属又はアルカリ土類金属の種類、反応溶媒や反応温度
により変動するが、通常は１〜50時間を要する。反応終
了後、反応溶媒を除去し、必要に応じてポリシラン類の
通常の精製法、例えばベンゼン−アルコール計で再沈澱
を繰り返す等の手段により精製してポリシラン［Ｉ］を
得る。
（発明の効果） 本発明は、ジシラン［II］をアルカリ金属又はアルカ
リ土類金属の存在下に縮合反応を行うことにより、ケイ
素−ケイ素結合よりなる主鎖に置換基としてジメチルア
ルキル（又はアルケニル）シリル基を導入したポリシラ
ン［Ｉ］を見い出したものである。本発明で得られるポ
リシラン［Ｉ］は重量平均分子量（ｗ）5,000〜500,0
00、分散度（w/ｎ）1.5〜30.0であり、フォトレジ
スト材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電子材料
又はプレセラミックスとしての機能を有する。
リ土類金属の存在下に縮合反応を行うことにより、ケイ
素−ケイ素結合よりなる主鎖に置換基としてジメチルア
ルキル（又はアルケニル）シリル基を導入したポリシラ
ン［Ｉ］を見い出したものである。本発明で得られるポ
リシラン［Ｉ］は重量平均分子量（ｗ）5,000〜500,0
00、分散度（w/ｎ）1.5〜30.0であり、フォトレジ
スト材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電子材料
又はプレセラミックスとしての機能を有する。
（実 施 例） 以下、実施例により本発明により説明する。
実施例 １ 冷却管、滴下ロート、温度計及び攪拌機を備えた１
四つ口フラスコをアルゴン置換した後に、トルエン300g
及びナトリウム23g（１モル）を仕込み、攪拌しながら
1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−ｎ−プロピル
ジシラン107.6g（0.5モル）のトルエン溶液を、反応温
度を50℃に保ちながら１時間を要して滴下した。滴下終
了後、引続き50℃で20時間反応する。反応終了後室温ま
で冷却し、副生したナトリウム塩を別したのち、液
を濃縮してトルエンを留去する。濃縮残にベンゼン300m
lを加え、攪拌しながらエタノール１を加えてポリシ
ランを晶析させた。減圧下に付着した溶媒を完全に除去
し、白色粉末のジメチルｎ−プロピルシリルメチルポリ
シラン23.1gを得た。収率32％。
四つ口フラスコをアルゴン置換した後に、トルエン300g
及びナトリウム23g（１モル）を仕込み、攪拌しながら
1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−ｎ−プロピル
ジシラン107.6g（0.5モル）のトルエン溶液を、反応温
度を50℃に保ちながら１時間を要して滴下した。滴下終
了後、引続き50℃で20時間反応する。反応終了後室温ま
で冷却し、副生したナトリウム塩を別したのち、液
を濃縮してトルエンを留去する。濃縮残にベンゼン300m
lを加え、攪拌しながらエタノール１を加えてポリシ
ランを晶析させた。減圧下に付着した溶媒を完全に除去
し、白色粉末のジメチルｎ−プロピルシリルメチルポリ
シラン23.1gを得た。収率32％。
H1−核磁気共鳴スペクトル（60MHz,CDCl3） δppm ＝0.1〜0.7（ブロード,Si−CH3 ,9H） ＝0.7〜1.3（ブロード,Si−CH2 ＋Ｃ−CH3 ,5H） ＝1.3〜1.7（ブロード,C−CH2 −C,2H） ゲルパーミエーションクロマトグラフィー 測定条件：カラム 日立化成GL−R400M 溶離剤 テトラヒドロフラン 流 速 1.0ml/min 重量平均分子量（ｗ）22,000 分散度（w/ｎ）4.5 実施例 ２〜９ 第１表記載のジシラン［II］を原料とし、実施例１と
同様に操作して、対応するポリシラン［Ｉ］を得た。収
率及び分析値を第１表に記載する。
同様に操作して、対応するポリシラン［Ｉ］を得た。収
率及び分析値を第１表に記載する。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式［Ｉ］ （式中、Ｒは炭素数２〜20の直鎖状又は分枝鎖状又は環
状のアルキル基又はアルケニル基を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のジメチルアルキル−又はジメチ
ルアルケニル−シリルメチルポリシラン。 - 【請求項２】一般式［II］ （式中、Ｒは炭素数２〜20の直鎖状又は分枝鎖状又は環
状のアルキル基又はアルケニル基を表わす） で示される1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−ア
ルキル−又は1,1−ジクロロ−1,2,2−トリメチル−２−
アルケニル−ジシランを、アルカリ金属又はアルカリ土
類金属の存在下に、縮合反応させることを特徴とする、
一般式［Ｉ］ （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量（
ｗ）が5,000〜500,000のジメチルアルキル−又はジメチ
ルアルケニル−シリルメチルポリシランの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300993A JP2542519B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300993A JP2542519B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01141915A JPH01141915A (ja) | 1989-06-02 |
| JP2542519B2 true JP2542519B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=17891537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300993A Expired - Fee Related JP2542519B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542519B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007025565A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device |
| WO2007095972A1 (en) | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductordevice including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprissing multiple organic components for use in a semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62300993A patent/JP2542519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01141915A (ja) | 1989-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |