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JP2024134199A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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JP2024134199A
JP2024134199A JP2023044388A JP2023044388A JP2024134199A JP 2024134199 A JP2024134199 A JP 2024134199A JP 2023044388 A JP2023044388 A JP 2023044388A JP 2023044388 A JP2023044388 A JP 2023044388A JP 2024134199 A JP2024134199 A JP 2024134199A
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JP
Japan
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circuit
detection signal
semiconductor integrated
integrated circuit
noise
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Application number
JP2023044388A
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Japanese (ja)
Inventor
広野 島崎
Hirono Shimazaki
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Lapis Technology Co Ltd
Original Assignee
Lapis Technology Co Ltd
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Publication date
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Abstract

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of protecting an internal or external circuit from electromagnetic noise intruding into the semiconductor integrated circuit device.SOLUTION: There is provided a semiconductor integrated circuit device 100, 200, 300 or 400 comprising: a noise detection signal generation circuit 20 configured to generate a detection signal upon detection of noise; and a protection circuit configured to put a target circuit into a state for avoiding influence of noise in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit 20.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電磁ノイズの侵入によって生じる誤作動を低減させる機能を備えた半導体集積回路装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device that has a function for reducing malfunctions caused by the intrusion of electromagnetic noise.

電磁ノイズの侵入を防ぐため、従来の半導体集積回路装置においては、その内外にデカップリングコンデンサ等のフィルタを設けたり、電磁シールドを実装したりして、電磁ノイズをグランドに流すことが行われている。これにより、半導体集積回路装置内部に伝搬する電磁ノイズの量を低減している。 To prevent the intrusion of electromagnetic noise, conventional semiconductor integrated circuit devices are fitted with filters such as decoupling capacitors inside and outside the device, or an electromagnetic shield is implemented to allow the electromagnetic noise to flow to ground. This reduces the amount of electromagnetic noise propagating inside the semiconductor integrated circuit device.

しかしながら、半導体集積回路装置内に侵入する電磁ノイズを上記の方法によって低減することには限界があり、完全に防ぐことは困難である。そのため、電磁ノイズがある量を超えた場合、半導体集積回路装置内に伝搬し、回路が誤動作を起こし、例えばフリーズ、暴走、通常は禁止されている危険な制御が行われる、といった致命的なエラーを生じる可能性がある。 However, there is a limit to how much the above methods can reduce the electromagnetic noise that penetrates into a semiconductor integrated circuit device, and it is difficult to completely prevent it. Therefore, if the electromagnetic noise exceeds a certain level, it will propagate into the semiconductor integrated circuit device, causing the circuit to malfunction, potentially resulting in fatal errors such as freezing, runaway, or dangerous control that is normally prohibited.

下記特許文献1には、半導体集積回路装置内に設けられるノイズ検知回路を開示している。このノイズ検知回路は、演算増幅器の一方の入力にバイアス電圧を印加し、他方の入力にバイアス電圧にノイズを重畳させて入力させ、演算増幅器の出力にラッチ回路を接続することにより、ノイズが侵入するとラッチ回路が動作してノイズを検知するものである。 Patent Document 1 below discloses a noise detection circuit that is provided within a semiconductor integrated circuit device. This noise detection circuit applies a bias voltage to one input of an operational amplifier, and inputs noise superimposed on the bias voltage to the other input. A latch circuit is connected to the output of the operational amplifier, and when noise enters, the latch circuit operates to detect the noise.

特開2013-258587号公報JP 2013-258587 A

特許文献1に開示された発明は、ラッチアップ状態に陥った半導体集積回路装置を通常の動作状態に戻すためにノイズ検知時にコアロジックへの電圧の供給を停止するものであり、半導体集積回路装置をノイズそのものから保護するためのものではない。 The invention disclosed in Patent Document 1 is intended to stop the supply of voltage to the core logic when noise is detected in order to return a semiconductor integrated circuit device that has fallen into a latch-up state to a normal operating state, but is not intended to protect the semiconductor integrated circuit device from noise itself.

したがって、本発明は、上記の事情を踏まえ、半導体集積回路装置に侵入する電磁ノイズから内部回路又は外部回路を保護することが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 Therefore, in consideration of the above circumstances, the present invention aims to provide a semiconductor integrated circuit device capable of protecting an internal circuit or an external circuit from electromagnetic noise entering the semiconductor integrated circuit device.

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路装置は、ノイズを検知した場合に検知信号を発生させるノイズ検知信号生成回路と、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて、保護対象となる回路をノイズの影響を回避する状態にする保護回路と、を備える。 To solve the above problem, the semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a noise detection signal generating circuit that generates a detection signal when noise is detected, and a protection circuit that puts the circuit to be protected into a state that avoids the effects of noise in response to the detection signal generated by the noise detection signal generating circuit.

本発明によれば、半導体集積回路装置に侵入する電磁ノイズから内部回路又は外部回路を保護することが可能な半導体集積回路装置を提供できるという効果を奏する。 The present invention has the effect of providing a semiconductor integrated circuit device that can protect an internal circuit or an external circuit from electromagnetic noise that enters the semiconductor integrated circuit device.

図1(A)は、実施形態のノイズ検知回路の一例を示す図であり、図1(B)は、実施形態のノイズ検知回路の他の一例を示す図である。FIG. 1A is a diagram illustrating an example of a noise detection circuit according to an embodiment, and FIG. 1B is a diagram illustrating another example of a noise detection circuit according to an embodiment. 図2(A)は、実施形態1の半導体集積回路装置の構成の一部分を示す図であり、図2(B)は、図2(A)の半導体集積回路装置のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。FIG. 2A is a diagram showing a part of the configuration of the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment, and FIG. 2B is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 2A when detecting noise. 図3(A)は、実施形態2の半導体集積回路装置の構成の一部分を示す図であり、図3(B)は、図3(A)の半導体集積回路装置のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。FIG. 3A is a diagram showing a part of the configuration of a semiconductor integrated circuit device of the second embodiment, and FIG. 3B is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 3A when detecting noise. 図4(A)は、実施形態3の半導体集積回路装置の構成の一部分を示す図であり、図4(B)は、図4(A)の半導体集積回路装置のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。FIG. 4A is a diagram showing a part of the configuration of a semiconductor integrated circuit device of the third embodiment, and FIG. 4B is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 4A when detecting noise. 図5は、実施形態4の半導体集積回路装置の構成の一部分を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a part of the configuration of a semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment. 図6は、実施形態4の半導体集積回路装置を構成するバックトレースメモリが保持するデータについての、アドレスマップのマトリクスを示している。FIG. 6 shows an address map matrix for data held in the backtrace memory constituting the semiconductor integrated circuit device of the fourth embodiment. 図7は、実施形態4の半導体集積回路装置400のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。FIG. 7 is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device 400 of the fourth embodiment when detecting noise. 図8は、実施形態4の半導体集積回路装置のCPUがプログラムを処理する際のプログラムメモリのアドレス遷移イメージを示している。FIG. 8 shows an image of address transition in a program memory when the CPU of the semiconductor integrated circuit device of the fourth embodiment processes a program.

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 The following describes in detail the embodiment of the present invention with reference to the drawings.

以下に説明する実施形態1から実施形態4の半導体集積回路装置100、200、300、400は、図1(A)、図1(B)に示すようなノイズ検知信号生成回路20を有している。ノイズ検知信号生成回路20は、半導体集積回路装置100、200、300、400の内部に設けられ、図1(A)に示すような外部に設けられたノイズ受信部10Aに接続され、ノイズを検知した場合に検知信号を生成する。図1(A)のノイズ受信部10Aは、例えば、導線又は導体をループ状に何回か巻いたものの両端部にコンデンサを接続して電磁波の変化を電流の変化として出力するものである。あるいは、ノイズ検知信号生成回路20は、図1(B)に示すような既知の電磁波検知器10Bに接続されてもよい。電磁波検知器10Bは、電源電圧の電圧値の変動をコンパレータによって基準電圧と比較することによりノイズを検出するもの、あるいは他の外付けの検知器であってもよい。その場合、電磁波検知器10Bは、検知した電磁波の大きさに応じた検知レベル信号を生成して出力する。検知レベル信号は、デジタル信号であってもよいし、アナログ信号であってもよい。 The semiconductor integrated circuit devices 100, 200, 300, and 400 of the first to fourth embodiments described below have a noise detection signal generating circuit 20 as shown in FIG. 1(A) and FIG. 1(B). The noise detection signal generating circuit 20 is provided inside the semiconductor integrated circuit devices 100, 200, 300, and 400, and is connected to a noise receiving unit 10A provided outside as shown in FIG. 1(A), and generates a detection signal when noise is detected. The noise receiving unit 10A in FIG. 1(A) is, for example, a conductor or a conductor wound in a loop shape, with capacitors connected to both ends thereof, and outputs changes in electromagnetic waves as changes in current. Alternatively, the noise detection signal generating circuit 20 may be connected to a known electromagnetic wave detector 10B as shown in FIG. 1(B). The electromagnetic wave detector 10B may be a detector that detects noise by comparing the fluctuation of the voltage value of the power supply voltage with a reference voltage using a comparator, or may be another external detector. In this case, the electromagnetic wave detector 10B generates and outputs a detection level signal according to the magnitude of the detected electromagnetic wave. The detection level signal may be a digital signal or an analog signal.

ノイズ検知信号生成回路20は、下記に説明する実施形態1から実施形態4において共通であるが、図1(A)のノイズ受信部10Aからの出力、又は図1(B)の電磁波検知器10Bからの出力が予め定められた値を超えた際に、ノイズ検知信号を出力する。ノイズ検知信号は、例えば単一のパルス波であるが、これに限定されない。ノイズ検知信号は、複数のパルス波であってもよいし、所定パターンの信号波であってもよい。なお、以下の説明においては、図1(A)のノイズ受信部10Aとノイズ検知信号生成回路20、あるいは図1(B)の電磁波検知器10Bとノイズ検知信号生成回路20をまとめてノイズ検知回路30と呼ぶこととする。以下の実施形態1-実施形態4の半導体集積回路装置100-400は、ノイズ検知回路30が生成した検知信号に応じて、保護対象となる回路をノイズの影響を回避した状態にする保護回路を備えており、保護回路は以下に説明する各種の形態をとる。
[実施形態1]
図2(A)を参照して、実施形態1の半導体集積回路装置100について説明する。半導体集積回路装置100は、ノイズ検知回路30が出力するノイズ検知信号に応じて、半導体集積回路装置100の全体を初期化する初期化信号を発生させる初期化信号発生回路110を含む。初期化信号発生回路110は、ノイズ検知信号を受信すると、初期化信号あるいはシステムリセット信号を所定期間発生させ、半導体集積回路装置100内に供給する。
The noise detection signal generating circuit 20, which is common to the first to fourth embodiments described below, outputs a noise detection signal when the output from the noise receiving unit 10A in FIG. 1A or the output from the electromagnetic wave detector 10B in FIG. 1B exceeds a predetermined value. The noise detection signal is, for example, a single pulse wave, but is not limited thereto. The noise detection signal may be a plurality of pulse waves or a signal wave of a predetermined pattern. In the following description, the noise receiving unit 10A in FIG. 1A and the noise detection signal generating circuit 20, or the electromagnetic wave detector 10B in FIG. 1B and the noise detection signal generating circuit 20, are collectively referred to as a noise detection circuit 30. The semiconductor integrated circuit devices 100-400 of the first to fourth embodiments described below are provided with a protection circuit that prevents the circuit to be protected from the effects of noise in response to the detection signal generated by the noise detection circuit 30, and the protection circuit takes various forms described below.
[Embodiment 1]
2A, a semiconductor integrated circuit device 100 according to the first embodiment will be described. The semiconductor integrated circuit device 100 includes an initialization signal generating circuit 110 that generates an initialization signal for initializing the entire semiconductor integrated circuit device 100 in response to a noise detection signal output by the noise detection circuit 30. Upon receiving the noise detection signal, the initialization signal generating circuit 110 generates an initialization signal or a system reset signal for a predetermined period and supplies it to the semiconductor integrated circuit device 100.

図2(B)は、図2(A)の半導体集積回路装置100のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。図2(B)に示すように、ノイズ検知回路30がノイズを検知すると、ノイズ検知信号がアサート(有効化)される。ノイズ検知信号をトリガとして、初期化信号発生回路110は、初期化信号をアサートする。 Figure 2 (B) is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device 100 of Figure 2 (A) when noise is detected. As shown in Figure 2 (B), when the noise detection circuit 30 detects noise, the noise detection signal is asserted (enabled). The noise detection signal is used as a trigger to cause the initialization signal generation circuit 110 to assert an initialization signal.

ノイズ検知回路30がノイズを検知すると、ノイズ検知信号がアサートされる。この信号をトリガとし、リセット発生回路が初期化信号をアサートする。なお、図2(B)では、ノイズ検知信号はHアクティブであり、初期化信号は、Lアクティブである。 When the noise detection circuit 30 detects noise, a noise detection signal is asserted. This signal triggers the reset generation circuit to assert an initialization signal. Note that in FIG. 2(B), the noise detection signal is H active and the initialization signal is L active.

初期化信号発生回路110は、クロック信号に同期して動作するロジック回路である。初期化信号発生回路110の出力である初期化信号がアサートされる期間は、初期化信号発生回路の制御パラメータを変更することによって変更することができ、ノイズの影響が収束するまでに想定される時間が設定される。 The initialization signal generating circuit 110 is a logic circuit that operates in synchronization with a clock signal. The period during which the initialization signal, which is the output of the initialization signal generating circuit 110, is asserted can be changed by changing the control parameters of the initialization signal generating circuit, and the expected time until the effects of noise converge is set.

上記実施形態1によれば、ノイズ検知によって半導体集積回路装置100が初期化されるため、半導体集積回路装置100のシステムが、フリーズ、暴走、通常は禁止されている制御が行われる等、致命的なエラーが発生した状態で滞留することを防止できる。 According to the above-mentioned embodiment 1, the semiconductor integrated circuit device 100 is initialized by noise detection, so that it is possible to prevent the system of the semiconductor integrated circuit device 100 from being stuck in a state where a fatal error has occurred, such as freezing, running out of control, or the execution of control that is normally prohibited.

[実施形態2]
図3(A)を参照して、実施形態2の半導体集積回路装置200について説明する。半導体集積回路装置200は、クロック発生回路210、クロックゲーティング制御回路220、クロックゲートセル230を含む。
[Embodiment 2]
3A, a semiconductor integrated circuit device 200 according to the second embodiment will be described. The semiconductor integrated circuit device 200 includes a clock generating circuit 210, a clock gating control circuit 220, and a clock gate cell 230.

クロック発生回路210は、図3(B)に示すような予め定められた周波数のクロック信号を発生させ、クロックゲーティング制御回路220及びクロックゲートセル230に供給する。 The clock generating circuit 210 generates a clock signal of a predetermined frequency as shown in FIG. 3(B) and supplies it to the clock gating control circuit 220 and the clock gate cell 230.

クロックゲーティング制御回路220は、ノイズ検知回路30が出力するノイズ検知信号に応じて、クロック発生回路210から供給されたクロック信号に同期してクロックゲーティング信号を生成し、クロックゲートセル230に出力する。クロックゲーティング信号は、半導体集積回路装置200内にシステムクロックの供給・停止を行う制御を行うための信号である。 The clock gating control circuit 220 generates a clock gating signal in synchronization with the clock signal supplied from the clock generating circuit 210 in response to the noise detection signal output by the noise detection circuit 30, and outputs the clock gating signal to the clock gate cell 230. The clock gating signal is a signal for controlling the supply and stop of the system clock within the semiconductor integrated circuit device 200.

クロックゲートセル230は、クロックゲーティング専用の標準論理ゲートセルであり、クロック発生回路210からのクロック信号とクロックゲーティング制御回路220からのクロックゲーティング信号が入力され、システムクロックが出力される。 The clock gate cell 230 is a standard logic gate cell dedicated to clock gating, which receives the clock signal from the clock generation circuit 210 and the clock gating signal from the clock gating control circuit 220 and outputs the system clock.

図3(B)は、図3(A)の半導体集積回路装置200のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。図3(B)に示すように、ノイズ検知回路30がノイズを検知すると、ノイズ検知信号がアサートされる。なお、このノイズ検知信号は、クロック発生回路210が発生させるクロック信号とは同期していない、非同期に生成される信号である。 Figure 3 (B) is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device 200 of Figure 3 (A) when noise is detected. As shown in Figure 3 (B), when the noise detection circuit 30 detects noise, a noise detection signal is asserted. Note that this noise detection signal is a signal that is generated asynchronously and is not synchronized with the clock signal generated by the clock generation circuit 210.

ノイズ検知信号をトリガとして、クロックゲーティング制御回路220は、クロック発生回路210が供給するクロック信号と同期したクロックゲーティング信号をアサートする。 The noise detection signal triggers the clock gating control circuit 220 to assert a clock gating signal synchronized with the clock signal supplied by the clock generation circuit 210.

クロックゲーティング信号がアサートされると、クロックゲートセル230により半導体集積回路装置200へのシステムクロックの供給が停止される。一方、クロックゲーティング信号がネゲートされると、半導体集積回路装置200内へのシステムクロックの供給が再開される。 When the clock gating signal is asserted, the clock gate cell 230 stops the supply of the system clock to the semiconductor integrated circuit device 200. On the other hand, when the clock gating signal is negated, the supply of the system clock to the semiconductor integrated circuit device 200 is resumed.

クロックゲーティング制御回路220によってクロックゲーティング信号がアサートされる期間は、ノイズの影響が収束するまでに想定される時間であり、例えば数クロック分の期間、あるいはそれよりも長い期間である。このクロックゲーティング信号がアサートされる期間は、クロックゲーティング制御回路220の制御パラメータを適宜設定することにより調節することが可能である。 The period during which the clock gating signal is asserted by the clock gating control circuit 220 is the time expected until the effects of noise converge, and is, for example, a period of several clocks or a longer period. The period during which the clock gating signal is asserted can be adjusted by appropriately setting the control parameters of the clock gating control circuit 220.

上記実施形態2によれば、ノイズ検知時に半導体集積回路装置200の保護対象となる回路又は全体に対するシステムクロックの供給を一時的に停止することができる。これにより、半導体集積回路装置200内部の制御回路(ロジック)が異常動作状態に陥るリスクを低減できる。さらに、上記第2実施形態の半導体集積回路装置200においては、システムクロックの供給を再開すれば、システムをリセットすることなく処理を継続することができる。なお、上記実施形態2では、ノイズ検知時にシステムクロックの供給を一時的に停止する場合を説明したが、本発明はこれに限定されず、半導体集積回路装置200の保護対象となる一部の回路に対するクロック供給を一時的に停止するものであってもよい。 According to the second embodiment, when noise is detected, the supply of the system clock to the circuits to be protected by the semiconductor integrated circuit device 200 or to the entire device can be temporarily stopped. This reduces the risk of the control circuit (logic) inside the semiconductor integrated circuit device 200 falling into an abnormal operating state. Furthermore, in the semiconductor integrated circuit device 200 of the second embodiment, if the supply of the system clock is resumed, processing can be continued without resetting the system. Note that, although the second embodiment describes a case where the supply of the system clock is temporarily stopped when noise is detected, the present invention is not limited to this, and the clock supply to some of the circuits to be protected by the semiconductor integrated circuit device 200 may also be temporarily stopped.

[実施形態3]
図4(A)を参照して、実施形態3の半導体集積回路装置300について説明する。半導体集積回路装置300は、入出力端子310、I/O回路320、内部回路330、モード切替制御回路340、I/O制御信号生成回路350を含む。
[Embodiment 3]
4A, a semiconductor integrated circuit device 300 according to the third embodiment will be described. The semiconductor integrated circuit device 300 includes an input/output terminal 310, an I/O circuit 320, an internal circuit 330, a mode switching control circuit 340, and an I/O control signal generation circuit 350.

入出力端子310は、I/O回路320から出力される信号を出力したり、外部装置から入力される信号をI/O回路320に対して入力したりする。 The input/output terminal 310 outputs signals output from the I/O circuit 320 and inputs signals input from an external device to the I/O circuit 320.

I/O回路320は、内部回路330とモード切替制御回路340とに接続されている。通常モード時には、I/O回路320は、内部回路330からの信号を入出力端子310に出力、あるいは入出力端子310に入力された外部装置からの入力信号を内部回路330に出力する。 The I/O circuit 320 is connected to the internal circuit 330 and the mode switching control circuit 340. In the normal mode, the I/O circuit 320 outputs a signal from the internal circuit 330 to the input/output terminal 310, or outputs an input signal from an external device input to the input/output terminal 310 to the internal circuit 330.

一方、安全機能モード時には、I/O回路320は、I/O制御信号生成回路350から出力されるI/O制御信号に応じて、入出力端子310をLow出力状態、High出力状態、及びH-Z(ハイインピーダンス)出力状態のいずれかに固定する。つまり、入出力端子310を安全な入出力状態に設定する。あるいは、安全機能モード時において、I/O回路320は、入出力端子310の幾つかを通常モード時と同じ状態にしたままにしてもよい。 On the other hand, in the safety function mode, the I/O circuit 320 fixes the input/output terminals 310 to one of a low output state, a high output state, and an H-Z (high impedance) output state, depending on the I/O control signal output from the I/O control signal generation circuit 350. In other words, the input/output terminals 310 are set to a safe input/output state. Alternatively, in the safety function mode, the I/O circuit 320 may leave some of the input/output terminals 310 in the same state as in the normal mode.

モード切替制御回路340は、半導体集積回路装置300のシステムクロックに同期して動作するロジック回路であるが、ノイズ検知回路30が出力するノイズ検知信号に応じて、モード切替信号を出力する。モード切替信号は、例えば予め定められた期間アサートされ、アサートされた期間は、I/O制御信号生成回路350は、入出力端子310の状態を固定するためのI/O制御信号を生成して出力する。 The mode switching control circuit 340 is a logic circuit that operates in synchronization with the system clock of the semiconductor integrated circuit device 300, and outputs a mode switching signal in response to the noise detection signal output by the noise detection circuit 30. The mode switching signal is asserted, for example, for a predetermined period, and during the asserted period, the I/O control signal generation circuit 350 generates and outputs an I/O control signal for fixing the state of the input/output terminal 310.

I/O制御信号生成回路350は、モード切替制御回路340が出力するモード切替信号に応じて、安全機能モードにおいて入出力端子310の一つ一つをどの状態に固定するかを指示するI/O制御信号を出力する。例えば、入出力端子310が第1端子、第2端子、…第8端子の8つの端子を有する場合に、第1端子はLow出力、第2端子はHigh出力、…第8端子はH-Z(ハイインピーダンス)出力に固定することを指示する信号を出力する。なお、安全機能モードにおいて入出力端子310をどの状態に固定するかについての情報は、I/O制御信号生成回路350に含まれるレジスタ等に記憶されていてもよい。その場合、I/O制御信号生成回路350は、モード切替制御回路340がアサートされた際に、当該レジスタから情報を読み出し、I/O制御信号として出力する。 The I/O control signal generation circuit 350 outputs an I/O control signal instructing which state each of the input/output terminals 310 should be fixed to in the safety function mode in response to the mode switching signal output by the mode switching control circuit 340. For example, if the input/output terminals 310 have eight terminals, the first terminal, the second terminal, ..., and the eighth terminal, the I/O control signal generation circuit 350 outputs a signal instructing that the first terminal should be fixed to a low output, the second terminal to a high output, ..., and the eighth terminal to an H-Z (high impedance) output. Note that information regarding which state the input/output terminals 310 should be fixed to in the safety function mode may be stored in a register or the like included in the I/O control signal generation circuit 350. In that case, when the mode switching control circuit 340 is asserted, the I/O control signal generation circuit 350 reads the information from the register and outputs it as an I/O control signal.

図4(B)は、図4(A)の半導体集積回路装置300のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。図4(B)に示すように、ノイズ検知回路30がノイズを検知すると、ノイズ検知信号がアサートされる。ノイズ検知信号をトリガとして、モード切替制御回路340がモード切替信号を所定期間アサートする。 Figure 4 (B) is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device 300 of Figure 4 (A) when noise is detected. As shown in Figure 4 (B), when the noise detection circuit 30 detects noise, a noise detection signal is asserted. The noise detection signal triggers the mode switching control circuit 340 to assert a mode switching signal for a predetermined period of time.

モード切替制御回路340によりモード切替信号がアサートされると、I/O制御信号生成回路350は、安全機能モードにおいて入出力端子310の一つ一つをどの状態に固定するかを指示するI/O制御信号を出力する。I/O回路320は、I/O制御信号生成回路350から出力されるI/O制御信号に応じて、入出力端子310をLow出力状態、High出力状態、及びH-Z(ハイインピーダンス)出力状態のいずれかに固定、あるいは通常モードと同じ状態にする。このように、半導体集積回路装置300においては、モード切替信号がアサートされると、I/O回路320及び入出力端子310を安全機能モードで機能させることが可能となる。 When the mode switching signal is asserted by the mode switching control circuit 340, the I/O control signal generation circuit 350 outputs an I/O control signal instructing which state each of the input/output terminals 310 should be fixed to in the safety function mode. Depending on the I/O control signal output from the I/O control signal generation circuit 350, the I/O circuit 320 fixes the input/output terminals 310 to either a low output state, a high output state, or an H-Z (high impedance) output state, or sets them to the same state as in normal mode. In this way, in the semiconductor integrated circuit device 300, when the mode switching signal is asserted, it becomes possible to cause the I/O circuit 320 and the input/output terminals 310 to function in the safety function mode.

なお、モード切替制御回路340がアサートされる期間は、制御パラメータを変更することで設定することが可能であり、ノイズの影響が収束するまでに想定される時間を設定できる。また、安全機能モードにおいて入出力端子310をどの状態とするかは、各入出力端子310に接続される外部装置、及び素子に対する安全性を考慮して決定する。 The period during which the mode switching control circuit 340 is asserted can be set by changing the control parameters, and the expected time until the effects of noise converge can be set. In addition, the state of the input/output terminals 310 in the safety function mode is determined taking into consideration the safety of external devices and elements connected to each input/output terminal 310.

上記実施形態3によれば、ノイズによる影響によって内部回路330が一時的に異常となることが考えられる場合に、入出力端子310に接続される外部装置、及び素子が危険な状態に制御されることを防止できる。特に、外部素子としてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等の高電力を扱う素子に対する意図しない制御が行われることを防止できる。 According to the third embodiment, when it is considered that the internal circuit 330 may temporarily become abnormal due to the influence of noise, it is possible to prevent the external device and elements connected to the input/output terminal 310 from being controlled to a dangerous state. In particular, it is possible to prevent unintended control of elements that handle high power, such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), as external elements.

[実施形態4]
図5を参照して、実施形態4の半導体集積回路装置400について説明する。半導体集積回路装置400は、例えばマイコンであるが、中央演算処理回路410(以下、CPU410という)、プログラムメモリ(ROM)420、データメモリ(RAM)430、周辺回路440、割込みコントローラ450、緊急停止/復旧・再開コントローラ460を含む。CPU410、データメモリ430、周辺回路440、割込みコントローラ450、緊急停止/復旧・再開コントローラ460はそれぞれアドレスバス、データバスに接続されており、各構成要素とCPU410との間でデータのやり取りが可能となっている。
[Embodiment 4]
A semiconductor integrated circuit device 400 according to the fourth embodiment will be described with reference to Fig. 5. The semiconductor integrated circuit device 400 is, for example, a microcomputer, and includes a central processing circuit 410 (hereinafter referred to as CPU 410), a program memory (ROM) 420, a data memory (RAM) 430, a peripheral circuit 440, an interrupt controller 450, and an emergency stop/recovery and restart controller 460. The CPU 410, the data memory 430, the peripheral circuit 440, the interrupt controller 450, and the emergency stop/recovery and restart controller 460 are each connected to an address bus and a data bus, enabling data to be exchanged between each component and the CPU 410.

CPU410は、プログラムメモリ420に記憶された命令を順次読み出して実行し、CPU410がアドレスバスを介して指定した構成要素と、データバスを介してデータのやり取りを行う。 The CPU 410 sequentially reads and executes the instructions stored in the program memory 420, and exchanges data with components specified by the CPU 410 via the address bus and the data bus.

プログラムメモリ420は、この半導体集積回路装置400を動作させるためのプログラムが不揮発に記録されている。データメモリ430は、CPU410がプログラムメモリ420に記録された命令を実行する際に生じる各種のデータを一時的に記憶する。 The program memory 420 stores in a non-volatile manner the programs for operating the semiconductor integrated circuit device 400. The data memory 430 temporarily stores various data that are generated when the CPU 410 executes the instructions stored in the program memory 420.

周辺回路440は、SFR(Specific Function Register:特殊機能レジスタ)に加えて、例えばタイマー回路、A/D変換回路といった、マイコンの用途に応じて半導体集積回路装置400の機能を豊富にする回路群を含んでいる。これらの回路群は、SFRの設定によってその動作が制御される。 The peripheral circuit 440 includes circuits such as a timer circuit and an A/D conversion circuit, in addition to SFRs (Specific Function Registers), that enhance the functionality of the semiconductor integrated circuit device 400 depending on the application of the microcontroller. The operation of these circuits is controlled by the settings of the SFRs.

割込みコントローラ450は、周辺回路440からの割込み信号を受信すると、CPU410に対して割込み要求信号を出力し、当該割込み要求信号に応じた処理をCPU410が優先的に実行するようにする。 When the interrupt controller 450 receives an interrupt signal from the peripheral circuit 440, it outputs an interrupt request signal to the CPU 410, and causes the CPU 410 to execute the process corresponding to the interrupt request signal with priority.

緊急停止/復旧・再開コントローラ460は、ノイズ検知回路30、バックトレースメモリ470、内部制御回路480を含み、半導体集積回路装置400がノイズ検知時に緊急停止/復旧・再開処理をする際の制御を行う主回路である。 The emergency stop/recovery and restart controller 460 includes a noise detection circuit 30, a backtrace memory 470, and an internal control circuit 480, and is the main circuit that controls the emergency stop/recovery and restart process performed by the semiconductor integrated circuit device 400 when noise is detected.

バックトレースメモリ470は、半導体集積回路装置400の各回路の内部信号、レジスタの値といった回路状態を取得し、データとして記憶している。図6は、バックトレースメモリ470が保持するデータについての、アドレスマップのマトリクスを示している。 The backtrace memory 470 acquires the circuit states, such as the internal signals and register values of each circuit of the semiconductor integrated circuit device 400, and stores them as data. Figure 6 shows an address map matrix for the data held by the backtrace memory 470.

バックトレースメモリ470へのデータの書き込みは、半導体集積回路装置400のシステムクロック又は同期サイクル毎に、各回路の状態をモニタリングし、バックトレースメモリ470の内部アドレスの先頭に行単位でスタックすることにより行われる。つまり、CPU410、周辺回路440、割込みコントローラ450の回路の内部信号、レジスタの値を、システムクロック又は同期サイクル毎に、バックトレースメモリ470の内部アドレスの最上位の行データとして順次蓄積する。蓄積されたデータがメモリサイズ上限に達した場合、あるいは超えた場合は、古いデータから順次廃棄される。 Data is written to the backtrace memory 470 by monitoring the state of each circuit for each system clock or synchronous cycle of the semiconductor integrated circuit device 400, and stacking the data row by row at the top of the internal address of the backtrace memory 470. In other words, the internal signals and register values of the circuits of the CPU 410, peripheral circuit 440, and interrupt controller 450 are sequentially stored as the top row data of the internal address of the backtrace memory 470 for each system clock or synchronous cycle. When the stored data reaches or exceeds the upper limit of the memory size, the oldest data is discarded.

また、バックトレースメモリ470からのデータの読み出しは、内部制御回路480が指定する内部アドレスが示す行に対し、CPU-IFのアドレスで指定した列を、データを参照することにより行われる。 In addition, data is read from the backtrace memory 470 by referencing the data in the column specified by the CPU-IF address for the row indicated by the internal address specified by the internal control circuit 480.

内部制御回路480は、CPU410及び割込みコントローラ450との間で各信号を送受信し、バックトレースメモリ470及びノイズ検知回路30に関わる制御を仲介する。内部制御回路480は、SFR(Specific Function Register:特殊機能レジスタ)を含む。具体的には、内部制御回路480は、ノイズ検知信号を受信した際に、SFRに設定された時間が経過した後に緊急停止割込み要求信号を生成し、当該信号をCPU410に出力する。緊急停止割込み要求信号は、半導体集積回路装置400内における優先レベルが最も高い割込み要求であり、ノンマスカブル割込み要求としてCPU410が受け付ける。 The internal control circuit 480 transmits and receives various signals between the CPU 410 and the interrupt controller 450, and mediates control related to the backtrace memory 470 and the noise detection circuit 30. The internal control circuit 480 includes a Specific Function Register (SFR). Specifically, when the internal control circuit 480 receives a noise detection signal, it generates an emergency stop interrupt request signal after the time set in the SFR has elapsed, and outputs the signal to the CPU 410. The emergency stop interrupt request signal is the interrupt request with the highest priority level within the semiconductor integrated circuit device 400, and is accepted by the CPU 410 as a non-maskable interrupt request.

さらに、内部制御回路480は、緊急停止要求信号と同時に復旧・再開割込み要求信号を生成し、当該信号をCPU410に出力する。復旧・再開割込み要求信号は、半導体集積回路装置400内における優先レベルが緊急停止割込み要求信号に次いで高い割込み要求であり、ノンマスカブル割込み要求としてCPU410が受け付ける。 Furthermore, the internal control circuit 480 generates a recovery/resume interrupt request signal at the same time as the emergency stop request signal, and outputs the signal to the CPU 410. The recovery/resume interrupt request signal has the second highest priority level within the semiconductor integrated circuit device 400 after the emergency stop interrupt request signal, and is accepted by the CPU 410 as a non-maskable interrupt request.

また、内部制御回路480は、ノイズ検知信号を受信した際に、割込み要求マスク信号を生成して割込みコントローラ450に出力する。割込みコントローラ450は、割込み要求マスク信号を内部制御回路480から受信すると、周辺回路440からの割込み要求を、CPU410が緊急停止処理、復旧・再開処理を完了するまでの間、無効とする。 When the internal control circuit 480 receives a noise detection signal, it generates an interrupt request mask signal and outputs it to the interrupt controller 450. When the interrupt controller 450 receives the interrupt request mask signal from the internal control circuit 480, it disables interrupt requests from the peripheral circuit 440 until the CPU 410 completes the emergency stop process and the recovery/restart process.

また、内部制御回路480は、ノイズ検知信号を受信した際に、更新待機信号を生成し、バックトレースメモリ470に出力する。バックトレースメモリ470は、更新待機信号を受信すると、状態モニタ信号の書き込み処理を停止する。 When the internal control circuit 480 receives a noise detection signal, it generates an update standby signal and outputs it to the backtrace memory 470. When the backtrace memory 470 receives the update standby signal, it stops writing the status monitor signal.

また、内部制御回路480は、CPU410が緊急停止処理を完了した後に行われる復旧・再開処理の指示に応じて初期化信号を生成してバックトレースメモリ470に出力する。バックトレースメモリ470は、初期化信号を受信すると、内部制御回路480のSFRにより指定された内部アドレスの内容を、他の全内部アドレスにコピーする。 The internal control circuit 480 also generates an initialization signal in response to an instruction for recovery/restart processing that is performed after the CPU 410 completes the emergency stop processing, and outputs the signal to the backtrace memory 470. Upon receiving the initialization signal, the backtrace memory 470 copies the contents of the internal address specified by the SFR of the internal control circuit 480 to all other internal addresses.

図7は、図5の半導体集積回路装置400のノイズ検知時における動作を示すタイムチャートである。まず、前提として、通常時は、プログラムメモリ420に記録されているプログラムのメインルーチンをCPU410が実行している(通常処理)。これに平行して、各回路の内部信号、レジスタの値を示す状態モニタ信号がバックトレースメモリ470にシステムクロック又は半導体集積回路装置400の同期サイクル毎に書き込まれる。 Figure 7 is a time chart showing the operation of the semiconductor integrated circuit device 400 of Figure 5 when noise is detected. First, as a premise, under normal circumstances, the CPU 410 executes the main routine of the program recorded in the program memory 420 (normal processing). In parallel with this, internal signals of each circuit and status monitor signals indicating register values are written to the backtrace memory 470 for each synchronous cycle of the system clock or the semiconductor integrated circuit device 400.

ノイズ検知回路30がノイズを検知すると、ノイズ検知信号がアサートされる。次いで、内部制御回路480は、このノイズ検知信号をトリガにして、内部制御回路480のSFRに設定された時間の経過後に、緊急停止割込み要求信号と復旧・再開割込み要求信号を同時にアサートし、CPU410に出力する。また、内部制御回路480は、ノイズ検知信号をトリガにして、更新待機信号をバックトレースメモリ470に出力し、これに応じてバックトレースメモリ470は、状態モニタ信号の書き込み処理を停止する。さらに、内部制御回路480は、割込み要求マスク信号を割込みコントローラ450に出力し、周辺回路440からの割込み要求が無効となるようにする。 When the noise detection circuit 30 detects noise, a noise detection signal is asserted. Next, the internal control circuit 480 uses this noise detection signal as a trigger to simultaneously assert an emergency stop interrupt request signal and a recovery/resume interrupt request signal after the time set in the SFR of the internal control circuit 480 has elapsed, and outputs them to the CPU 410. The internal control circuit 480 also uses the noise detection signal as a trigger to output an update wait signal to the backtrace memory 470, and in response, the backtrace memory 470 stops writing the status monitor signal. Furthermore, the internal control circuit 480 outputs an interrupt request mask signal to the interrupt controller 450, disabling interrupt requests from the peripheral circuit 440.

CPU410は、緊急停止割込み要求信号を受信すると、即座に緊急停止処理を開始する。緊急停止処理は、例えば、ノイズ検知回路30が複数個設けられていたり、緊急停止/復旧・再開コントローラ460が複数設けられていたりする場合に、緊急停止割込み要求がどこから発生したかを判別する処理が含まれる。これは、ノンマスカブル割込み要求を、複数の要求元で供給する場合には、割込み要求元を判別する必要があるためである。あるいは、緊急停止処理は、I/O回路、周辺回路を停止・初期化して安全な状態に設定する処理が含まれる。なお、緊急停止処理の実行中に次の緊急停止割込み要求信号を受信した場合には、CPU410は即座に受付、再度緊急停止処理の先頭から実行する。 When the CPU 410 receives an emergency stop interrupt request signal, it immediately starts emergency stop processing. The emergency stop processing includes processing to determine where the emergency stop interrupt request has originated, for example, when multiple noise detection circuits 30 are provided or multiple emergency stop/recovery and restart controllers 460 are provided. This is because, when a non-maskable interrupt request is supplied from multiple request sources, it is necessary to determine the interrupt request source. Alternatively, the emergency stop processing includes processing to stop and initialize I/O circuits and peripheral circuits to set them to a safe state. Note that if the next emergency stop interrupt request signal is received while the emergency stop processing is being executed, the CPU 410 immediately accepts it and executes the emergency stop processing again from the beginning.

緊急停止処理が完了すると、CPU410は、復旧・再開処理を実行する。復旧・再開処理は、I/O回路、及び周辺回路を通常時の状態に設定する処理、バックトレースメモリ470から緊急停止処理前のデータを読み出す処理、バックトレースメモリ470を初期化する処理が含まれる。 When the emergency stop processing is completed, the CPU 410 executes recovery and restart processing. The recovery and restart processing includes processing for setting the I/O circuit and peripheral circuits to normal states, processing for reading data from the backtrace memory 470 before the emergency stop processing, and processing for initializing the backtrace memory 470.

CPU410によるデータの復帰は、バックトレースメモリ470の内部アドレスの先頭行、あるいは内部制御回路480のSFRが指定する内部アドレスに記憶されている行のデータを読み出すことにより行われる。 The CPU 410 restores data by reading the data of the first row of the internal address of the backtrace memory 470, or the row stored in the internal address specified by the SFR of the internal control circuit 480.

バックトレースメモリ470の初期化は、バックトレースメモリ470の内部アドレスの先頭行、あるいは内部制御回路480のSFRが指定する内部アドレスの行の内容を、他の全内部アドレスにコピーすることにより行われる。 The backtrace memory 470 is initialized by copying the contents of the first row of the internal addresses of the backtrace memory 470, or the contents of the row of the internal address specified by the SFR of the internal control circuit 480, to all other internal addresses.

CPU410の復旧・再開処理が完了すると、CPU410は通常処理を再開する。また、内部制御回路480は、SFRに設定されている期間が経過した後に、バックトレースメモリ470への書込み処理を再開させる。ここで、書込み処理の再開はCPU410の復旧・再開処理の完了以降となるように設定される。 When the recovery and restart processing of the CPU 410 is completed, the CPU 410 resumes normal processing. In addition, the internal control circuit 480 resumes the write processing to the backtrace memory 470 after the period set in the SFR has elapsed. Here, the resumption of the write processing is set to occur after the recovery and restart processing of the CPU 410 is completed.

なお、復旧・再開処理の実行中に緊急停止割込み要求がアサートされた場合には、緊急停止処理を即座に実行し、緊急停止処理が完了した後に、復旧・再開処理を最初から実行する。 If an emergency stop interrupt request is asserted while the recovery/resume process is in progress, the emergency stop process will be executed immediately, and the recovery/resume process will be executed from the beginning after the emergency stop process is completed.

図8を参照して、実施形態4の情報処理装置のCPU410がプログラムメモリ420に記録されているプログラムを処理する際の遷移について説明する。プログラムメモリ420には、通常処理のプログラムがプログラムメモリ420の先頭アドレス「0000h」、…「x-N」…「x」…に記録されている。また、緊急停止処理のプログラムがアドレス「S」以降に記録され、復旧・正解処理のプログラムがアドレス「T」以降に記録されている。通常時に、CPU410は、プログラムメモリ420の先頭アドレス「0000h」から順に命令を読み出して実行する。 With reference to FIG. 8, the transitions when the CPU 410 of the information processing device of embodiment 4 processes a program recorded in the program memory 420 will be described. In the program memory 420, a normal processing program is recorded at the first address of the program memory 420, "0000h", ... "x-N" ... "x" .... In addition, an emergency stop processing program is recorded from address "S", and a recovery/correct processing program is recorded from address "T" onwards. Under normal circumstances, the CPU 410 reads and executes instructions in order from the first address "0000h" of the program memory 420.

アドレス「x」の命令を実行時に、緊急停止割込み要求を受け付けると、CPU410は、プログラムメモリ420の緊急停止処理の先頭アドレス「S」の処理に分岐し、アドレス「S」から順に命令を読み出して実行する。CPU410は、緊急停止処理を完了すると、復旧・再開割込み要求を受け付けて、プログラムメモリ420の復旧・再開処理の先頭アドレス「T」の処理に分岐し、アドレス「T」から順に命令を読み出して実行する。 When an emergency stop interrupt request is received while executing an instruction at address "x", the CPU 410 branches to processing the first address "S" of the emergency stop processing in the program memory 420, and reads and executes instructions in order starting from address "S". When the CPU 410 completes the emergency stop processing, it receives a recovery/resume interrupt request, branches to processing the first address "T" of the recovery/resume processing in the program memory 420, and reads and executes instructions in order starting from address "T".

CPU410は、復旧・再開処理を完了すると、緊急停止割込み要求を受け付けた時点のnサイクル前に実行したアドレス「x-N」の処理に分岐し、アドレス「x-N」から順に命令を読み出して実行する。なお、「N」は、内部制御回路480のSFRが設定している、復帰するデータが格納されているバックトレースメモリ470の内部アドレス(行)によって決定される。具体的には、例えば、CPU410によって復帰されたデータが、バックトレースメモリ470の内部アドレス「5行目」に格納されたデータであった場合、CPU410は、アドレス「x-5」の命令から処理を再開する。 When the CPU 410 completes the recovery and restart processing, it branches to the processing of address "x-N" that was executed n cycles prior to the time the emergency stop interrupt request was received, and reads and executes instructions in order starting from address "x-N". Note that "N" is determined by the internal address (row) of the backtrace memory 470 in which the data to be restored is stored, as set by the SFR of the internal control circuit 480. Specifically, for example, if the data restored by the CPU 410 is the data stored in the internal address "row 5" of the backtrace memory 470, the CPU 410 will resume processing from the instruction at address "x-5".

上記実施形態4によれば、ノイズの影響により回路が不安定となる場合に、処理を一旦停止し、ノイズが収束したところで、処理を再開することができる。また、緊急停止処理や、復旧・再開処理の内容は、プログラム(ソフトウェア)によって設定が可能となるので、この半導体集積回路装置400の用途の応じて柔軟に制御することが可能となる。 According to the fourth embodiment, when the circuit becomes unstable due to the effects of noise, processing can be temporarily stopped and resumed when the noise has subsided. In addition, the contents of the emergency stop processing and the recovery/restart processing can be set by a program (software), making it possible to flexibly control the semiconductor integrated circuit device 400 according to the application.

なお、上記実施形態1-4で説明した、ノイズ検知時に半導体集積回路装置を初期化する構成、システムクロックの供給を一時的に停止する構成、入出力端子を安全機能モードに設定する構成、緊急停止/復旧・再開処理を行う構成を任意に組み合わせてもよい。その場合、例えば、半導体集積回路装置の一部分を初期化し、他の部分へのシステムクロックの供給を一時的に停止するようにしてもよい。 The configurations described in the above embodiments 1 to 4 for initializing the semiconductor integrated circuit device when noise is detected, temporarily stopping the supply of the system clock, setting the input/output terminals to a safety function mode, and performing emergency stop/recovery/restart processing may be arbitrarily combined. In that case, for example, a portion of the semiconductor integrated circuit device may be initialized and the supply of the system clock to other portions may be temporarily stopped.

10A ノイズ受信部
10B 電磁波検知器
20 ノイズ検知信号生成回路
30 ノイズ検知回路
100 半導体集積回路装置
110 初期化信号発生回路
200 半導体集積回路装置
210 クロック発生回路
220 クロックゲーティング制御回路
230 クロックゲートセル
300 半導体集積回路装置
310 入出力端子
320 I/O回路
330 内部回路
340 モード切替制御回路
350 制御信号生成回路
400 半導体集積回路装置
420 プログラムメモリ
430 データメモリ
440 周辺回路
450 割込みコントローラ
460 復旧・再開コントローラ
470 バックトレースメモリ
480 内部制御回路
10A Noise receiving unit 10B Electromagnetic wave detector 20 Noise detection signal generating circuit 30 Noise detection circuit 100 Semiconductor integrated circuit device 110 Initialization signal generating circuit 200 Semiconductor integrated circuit device 210 Clock generating circuit 220 Clock gating control circuit 230 Clock gate cell 300 Semiconductor integrated circuit device 310 Input/output terminal 320 I/O circuit 330 Internal circuit 340 Mode switching control circuit 350 Control signal generating circuit 400 Semiconductor integrated circuit device 420 Program memory 430 Data memory 440 Peripheral circuit 450 Interrupt controller 460 Recovery/restart controller 470 Backtrace memory 480 Internal control circuit

Claims (10)

ノイズを検知した場合に検知信号を生成するノイズ検知信号生成回路と、
前記ノイズ検知信号生成回路が生成した検知信号に応じて、保護対象となる回路をノイズの影響を回避する状態にする保護回路と、を備える半導体集積回路装置。
a noise detection signal generating circuit that generates a detection signal when noise is detected;
a protection circuit that puts a circuit to be protected into a state that avoids the effects of noise in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit.
前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて前記半導体集積回路装置内の前記保護対象となる回路を初期化する信号を発生させ、前記保護対象となる回路に供給する、請求項1記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the protection circuit generates a signal for initializing the circuit to be protected in the semiconductor integrated circuit device in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit, and supplies the signal to the circuit to be protected. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて前記半導体集積回路装置の全体を初期化する初期化信号発生回路である、請求項2記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein the protection circuit is an initialization signal generating circuit that initializes the entire semiconductor integrated circuit device in response to the detection signal generated by the noise detection signal generating circuit. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて前記半導体集積回路装置内の前記保護対象となる回路に対するクロック供給を一時的に停止する、請求項1記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the protection circuit temporarily stops clock supply to the circuit to be protected within the semiconductor integrated circuit device in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて前記半導体集積回路装置のシステムクロックの供給を一時的に停止する、クロックゲーティング制御回路である、請求項4記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 4, wherein the protection circuit is a clock gating control circuit that temporarily stops the supply of a system clock to the semiconductor integrated circuit device in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて入出力端子を安全な入出力状態に設定する、請求項1記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the protection circuit sets the input/output terminals to a safe input/output state in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて入出力端子を、予め定められた期間ロウ出力状態、ハイ出力状態、及びハイインピーダンス状態のいずれかに固定するための入出力制御信号を出力する、請求項6記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 6, wherein the protection circuit outputs an input/output control signal for fixing the input/output terminal to one of a low output state, a high output state, and a high impedance state for a predetermined period in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit. 前記半導体集積回路装置は、中央演算処理回路を備え、
前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて緊急停止割込み要求信号、及び復旧・再開割込み要求信号を発生させるとともに前記検知信号を受信した時点における回路状態をデータとしてバックトレースメモリに記憶し、
前記中央演算処理回路は、前記緊急停止割込み要求信号に応じて緊急停止処理を行い、緊急停止処理を完了した後に、前記復旧・再開割込み要求信号に応じて前記バックトレースメモリから前記緊急停止処理前のデータを読み出す復旧・再開処理を行う、請求項1から7記載の半導体集積回路装置。
The semiconductor integrated circuit device includes a central processing circuit,
the protection circuit generates an emergency stop interrupt request signal and a recovery/restart interrupt request signal in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit, and stores a circuit state at the time of receiving the detection signal as data in a backtrace memory;
8. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the central processing circuit performs emergency stop processing in response to the emergency stop interrupt request signal, and after completing the emergency stop processing, performs recovery/resume processing in response to the recovery/resume interrupt request signal to read data before the emergency stop processing from the backtrace memory.
前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて前記半導体集積回路装置内の前記保護対象となる回路に対するクロック供給を一時的に停止する、請求項2、3、6、7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 2, 3, 6, and 7, wherein the protection circuit temporarily stops clock supply to the circuit to be protected within the semiconductor integrated circuit device in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit. 前記保護回路は、前記ノイズ検知信号生成回路が生成した前記検知信号に応じて入出力端子を安全な入出力状態に設定する、請求項2から5のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 2 to 5, wherein the protection circuit sets the input/output terminal to a safe input/output state in response to the detection signal generated by the noise detection signal generation circuit.
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