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JP2024113724A - Circuit Board - Google Patents

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JP2024113724A
JP2024113724A JP2023018849A JP2023018849A JP2024113724A JP 2024113724 A JP2024113724 A JP 2024113724A JP 2023018849 A JP2023018849 A JP 2023018849A JP 2023018849 A JP2023018849 A JP 2023018849A JP 2024113724 A JP2024113724 A JP 2024113724A
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copper foil
circuit board
power semiconductor
prepreg
power
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Inventor
大介 槇尾
Daisuke MAKIO
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Imasen Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

【課題】電気抵抗や熱抵抗を低減して、低インピーダンスで且つ放熱特性に優れた電力変換装置用の回路基板を提供する【解決手段】回路基板は、入力部を一方の面側に配置し、且つ出力部を入力部に対して反対側となる面側に配置したパワー半導体１Ａ，１Ｂと、パワー半導体１Ａ，１Ｂを封止して平坦な上面と平坦な下面を形成しているプリプレグ２と、パワー半導体１Ａ，１Ｂ及びプリプレグ２によって形成された平坦な上面に貼り付けられて、パワー半導体１Ａ，１Ｂと導通する第一の銅箔３と、パワー半導体１Ａ，１Ｂ及びプリプレグ２によって形成された平坦な下面に貼り付けられて、パワー半導体１Ａ，１Ｂと導通する第二の銅箔４と、第二の銅箔４の少なくとも一部に塗布された導電性接着剤５と、導電性接着剤５を介して第二の銅箔に接着するバスバー７と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図１[Problem] To provide a circuit board for a power converter with low impedance and excellent heat dissipation characteristics by reducing electrical resistance and thermal resistance. [Solution] The circuit board is characterized by comprising: power semiconductors 1A, 1B with an input section arranged on one side and an output section arranged on the side opposite to the input section; a prepreg 2 that seals the power semiconductors 1A, 1B and forms a flat upper surface and a flat lower surface; a first copper foil 3 that is attached to the flat upper surface formed by the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2 and is electrically connected to the power semiconductors 1A, 1B; a second copper foil 4 that is attached to the flat lower surface formed by the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2 and is electrically connected to the power semiconductors 1A, 1B; a conductive adhesive 5 that is applied to at least a part of the second copper foil 4; and a bus bar 7 that is bonded to the second copper foil via the conductive adhesive 5. [Selected Figure] Figure 1

Description

本発明は、回路基板に関する。特に、電力変換装置に用いられる主回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board. In particular, it relates to a main circuit board used in a power conversion device.

電力変換装置とは、交流電源から入力された電流を直流に変換したり、バッテリから入力される直流電流を交流に変換したり、入力された電力を異なる電圧に昇圧または降圧して出力する装置である。具体的には、ＤＣ／ＤＣコンバータ、インバータ等の装置が該当する。近年の電力変換装置は、高出力に対応しつつ小型化することが求められている。また、高出力化した電力変換装置のパワー半導体は発熱量が増大するため、放熱性能の向上が求められている。 A power conversion device is a device that converts current input from an AC power source to DC, converts DC current input from a battery to AC, and outputs the input power by stepping up or stepping down to a different voltage. Specifically, this includes devices such as DC/DC converters and inverters. In recent years, there has been a demand for power conversion devices to be compact while still capable of handling high output. In addition, the power semiconductors in high-output power conversion devices generate more heat, so there is a demand for improved heat dissipation performance.

従来の主回路基板は、アルミまたは銅の基板上に絶縁層を配置し、絶縁層の上に導体である銅箔を重ねて金属基板を形成し、この金属基板上にパッケージングされたパワー半導体を搭載している。特許文献１には、半導体素子と、熱伝導性を有する絶縁層が形成された金属基板と、半導体素子を第１所定位置に配置するための第１位置決め部材を有する樹脂部材と、を備え、半導体素子は、第１位置決め部材により第１所定位置に配置された状態で、金属基板の絶縁層上に接着剤により接着されている、半導体装置が開示されている。 Conventional main circuit boards have an insulating layer placed on an aluminum or copper substrate, and copper foil, which is a conductor, is layered on the insulating layer to form a metal substrate, on which packaged power semiconductors are mounted. Patent Document 1 discloses a semiconductor device that includes a semiconductor element, a metal substrate on which a thermally conductive insulating layer is formed, and a resin member having a first positioning member for positioning the semiconductor element in a first predetermined position, and in which the semiconductor element is bonded with an adhesive onto the insulating layer of the metal substrate while being positioned in the first predetermined position by the first positioning member.

近年の電力変換装置のパワー半導体モジュールには、高い電力密度に対応するための専用のモジュールが開発されている。この専用のパワー半導体モジュールは、金属の上に絶縁層を配置し、絶縁層の上に導体である銅板を重ね、その上にたとえばＦＥＴ等のパワー半導体のチップを搭載してボンディングワイヤー等で接続したものを、モールドして形成されている。 In recent years, specialized modules have been developed for power semiconductor modules in power conversion devices to handle high power densities. These specialized power semiconductor modules are formed by placing an insulating layer on top of metal, placing a copper plate, which is a conductor, on top of the insulating layer, mounting a power semiconductor chip such as an FET on top of that, connecting it with bonding wires, etc., and molding the resulting structure.

実用新案登録第３２３５４２１号Utility Model Registration No. 3235421

従来は、金属基板上にパッケージングされた半導体を搭載する場合、パッケージングの外側に入出力端子を配置していた。このため、入力コンデンサと主回路素子の間のインピーダンスを下げることに限界があり、結果として電気抵抗や熱抵抗を大きく下げることが困難であった。このような課題は、専用のパワー半導体モジュールであっても同様であり、モールドした構造上入出力端子の位置が制限されるため、入力コンデンサと主回路素子の間のインピーダンスを下げることに限界があった。また、基板面積の有効活用にも限界があり、小型化が困難になっていた。 Conventionally, when mounting packaged semiconductors on a metal substrate, the input/output terminals were placed on the outside of the packaging. This placed a limit on how much impedance could be reduced between the input capacitor and the main circuit elements, making it difficult to significantly reduce electrical resistance and thermal resistance. The same issue exists with dedicated power semiconductor modules, where the molded structure restricts the position of the input/output terminals, limiting how much impedance can be reduced between the input capacitor and the main circuit elements. There are also limits to how effectively the substrate area can be utilized, making miniaturization difficult.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、従来よりも電気抵抗や熱抵抗を低減して、低インピーダンスで且つ放熱特性に優れた電力変換装置用の回路基板を提供することを解決すべき課題としている。 The present invention was made in consideration of the above problems, and the problem to be solved is to provide a circuit board for a power conversion device that has lower electrical resistance and thermal resistance than conventional devices, and has low impedance and excellent heat dissipation characteristics.

本発明は、回路基板に関する。本発明の回路基板は、入力部を一方の面側に配置し、且つ出力部を入力部に対して反対側となる面側に配置したパワー半導体と、パワー半導体を封止して平坦な上面と平坦な下面を形成しているプリプレグと、パワー半導体及びプリプレグによって形成された平坦な上面に貼り付けられて、パワー半導体と導通する第一の銅箔と、パワー半導体及びプリプレグによって形成された平坦な下面に貼り付けられて、パワー半導体と導通する第二の銅箔と、第二の銅箔の少なくとも一部に塗布された導電性接着剤と、導電性接着剤を介して第二の銅箔に接着するバスバーと、を備えていることを特徴とする。 The present invention relates to a circuit board. The circuit board of the present invention is characterized by comprising: a power semiconductor having an input section arranged on one side and an output section arranged on the side opposite to the input section; a prepreg that encapsulates the power semiconductor and forms a flat upper surface and a flat lower surface; a first copper foil that is attached to the flat upper surface formed by the power semiconductor and the prepreg and is electrically connected to the power semiconductor; a second copper foil that is attached to the flat lower surface formed by the power semiconductor and the prepreg and is electrically connected to the power semiconductor; a conductive adhesive applied to at least a portion of the second copper foil; and a bus bar that is bonded to the second copper foil via the conductive adhesive.

本発明の回路基板のパワー半導体は、入力部を上面側に配置し、且つ出力部を下面側に配置しており、第一の銅箔に接続する入力コンデンサをさらに備えていることが好ましい。 The power semiconductor of the circuit board of the present invention preferably has an input section arranged on the upper surface side and an output section arranged on the lower surface side, and further includes an input capacitor connected to the first copper foil.

本発明の他の形態として、回路基板のパワー半導体は、入力部を下面側に配置し、且つ出力部を上面側に配置することができる。 In another embodiment of the present invention, the power semiconductor of the circuit board can have the input section arranged on the underside and the output section arranged on the upper side.

本発明の回路基板は、パワー半導体をＭＯＳＦＥＴとし、ＭＯＳＦＥＴのソースを一方の面側に配置し、ドレインをソースが配置されている面と反対側の面側に配置することができる。 The circuit board of the present invention can use a MOSFET as the power semiconductor, with the source of the MOSFET arranged on one side and the drain arranged on the side opposite to the side on which the source is arranged.

本発明の回路基板は、バスバーの下面に、高熱伝導性のプリプレグを貼り付けることができる。 The circuit board of the present invention can have a highly thermally conductive prepreg attached to the underside of the busbar.

本発明の回路基板は、入力部を一方の面側に配置し、且つ出力部を入力部に対して反対側となる面側に配置したパワー半導体をプリプレグによって封止して平坦な上面と平坦な下面を形成している、そして、平坦な上面と平坦な下面のそれぞれに銅箔を貼り付けることでパワー半導体と銅箔との間で導通をとり、その銅箔に銅バスバーを貼り付けて基板を形成することで、銅バスバーを熱拡散に利用して放熱性を高めることができる。 The circuit board of the present invention has a power semiconductor with an input section on one side and an output section on the side opposite the input section, sealed with prepreg to form a flat upper surface and a flat lower surface. Copper foil is attached to each of the flat upper surface and the flat lower surface to ensure electrical continuity between the power semiconductor and the copper foil, and a copper bus bar is attached to the copper foil to form the board, which uses the copper bus bar for thermal diffusion to improve heat dissipation.

本発明の回路基板は、平坦な上面と下面が形成されていることで、基板表面に他の素子等を実装することができ、基板表面を活用できる。 The circuit board of the present invention has flat upper and lower surfaces, which allows other elements to be mounted on the board surface, making the most of the board surface.

本発明の回路基板は、第一の銅箔と第二の銅箔に自由にパターンを形成することができ、自由度の高い配線が可能となる。 The circuit board of the present invention allows for free patterning on the first copper foil and the second copper foil, enabling highly flexible wiring.

本発明の回路基板は、第一の銅箔に入力コンデンサを接続することでインピーダンスを下げることができ、入力コンデンサを小型化することができる。 The circuit board of the present invention can reduce impedance by connecting an input capacitor to the first copper foil, allowing the input capacitor to be made smaller.

本発明の回路基板は、バスバーの下面に高熱伝導性のプリプレグが貼り付けられていることで絶縁性能を付与することができる。 The circuit board of the present invention can be given insulating properties by attaching a highly thermally conductive prepreg to the underside of the busbar.

図１は、本発明の一実施例の回路基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a circuit board according to an embodiment of the present invention. 図２は本発明の回路基板に封止されたパワー半導体の断面図である。をFIG. 2 is a cross-sectional view of a power semiconductor sealed in a circuit board according to the present invention. 図３は、上面に入力コンデンサを配置し、下面にヒートシンクを配置した回路基板の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a circuit board having an input capacitor disposed on its upper surface and a heat sink disposed on its lower surface.

以下、本発明に係る回路基板を、電力変換装置の主回路基板として具現化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。さらに、主回路基板の製造方法を、図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下の実施形態は例示であって、特許請求の範囲を限定することを意図したものではない。 Below, an embodiment in which the circuit board according to the present invention is embodied as a main circuit board for a power conversion device will be described in detail with reference to the drawings. Furthermore, a manufacturing method for the main circuit board will be described in detail with reference to the drawings. Note that the following embodiments are merely examples and are not intended to limit the scope of the claims.

以下、本明細書において、上下左右という相対的な方向を示す用語は、図１に示した回路基板Ｓにおける上下左右の方向を基準として定義されているものとする。 In the following description, terms indicating relative directions such as up, down, left, and right are defined based on the up, down, left, and right directions of the circuit board S shown in Figure 1.

本実施形態の回路基板は、パワー半導体１と、プリプレグ２と、銅箔３と、バスバー７とを備えている。図１に、２個のパワー半導体１Ａ，１Ｂを含んでスイッチング回路を形成した回路基板Ｓを示す。回路基板Ｓは、さらに多くのパワー半導体を含むことができる。パワー半導体としては、ダイオード、トランジスタ、またはこれらを集積した集積回路を適用することができる。 The circuit board of this embodiment includes a power semiconductor 1, a prepreg 2, a copper foil 3, and a bus bar 7. Figure 1 shows a circuit board S including two power semiconductors 1A and 1B to form a switching circuit. The circuit board S may include even more power semiconductors. As the power semiconductor, a diode, a transistor, or an integrated circuit integrating these may be used.

パワー半導体１Ａ、１Ｂは、プリプレグ２によって封止されている。パワー半導体１Ａ，１Ｂとプリプレグ２によって、回路基板Ｓには、平坦な上面と下面が形成されている。本実施形態におけるプリプレグ２には、ガラスエポキシ繊維に樹脂を含浸させた材料が好適に適用される。 The power semiconductors 1A and 1B are sealed with the prepreg 2. The power semiconductors 1A and 1B and the prepreg 2 form flat upper and lower surfaces on the circuit board S. In this embodiment, the prepreg 2 is preferably made of a material in which glass epoxy fibers are impregnated with resin.

第一の銅箔３は、パワー半導体１Ａ，１Ｂとプリプレグ２によって形成された平坦な上面に貼り付けられ、第一の銅箔３とパワー半導体１Ａ，１Ｂの入力部とが接触し、導通している。また、第二の銅箔４は、パワー半導体１Ａ，１Ｂとプリプレグ２によって形成された平坦な下面に貼り付けられ、第二の銅箔４とパワー半導体１Ａ，１Ｂの入力部とが接触し、導通している。第一の銅箔３および第二の銅箔４と、パワー半導体１Ａ，１Ｂとは、ハーフブリッジ回路を形成する。 The first copper foil 3 is attached to the flat upper surface formed by the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2, and the first copper foil 3 is in contact with and conductive to the input parts of the power semiconductors 1A, 1B. The second copper foil 4 is attached to the flat lower surface formed by the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2, and the second copper foil 4 is in contact with and conductive to the input parts of the power semiconductors 1A, 1B. The first copper foil 3, the second copper foil 4, and the power semiconductors 1A, 1B form a half-bridge circuit.

パワー半導体１は、入力部を一方の面に配置し、出力部を他方の面に配置している。図２に、パワー半導体１に、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ-Ｏｘｉｄｅ-Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を適用した場合であって、ソース１２を下面側に配置しドレイン１３を上面側に配置したＭＯＳＦＥＴを模式的に示す。ゲート１１の配置は上面側と下面側のどちらに配置することもできるが、図２ではゲート１１とソース１２を同じ下面側に配置した例を示している。 The power semiconductor 1 has an input section arranged on one surface and an output section arranged on the other surface. Figure 2 shows a schematic diagram of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) applied to the power semiconductor 1, in which the source 12 is arranged on the bottom surface and the drain 13 is arranged on the top surface. The gate 11 can be arranged on either the top or bottom surface, but Figure 2 shows an example in which the gate 11 and source 12 are arranged on the same bottom surface.

好適な実施形態では、第一の銅箔３および第二の銅箔４は、それぞれ、プリプレグ２に貼り付ける前にエッチングして所望のパターンを形成しておくことができる。別形態として、第一の銅箔３をパワー半導体１Ａ，１Ｂとプリプレグ２の上面に貼り付けた後エッチング処理を行い、さらに第二の銅箔４をパワー半導体１Ａ，１Ｂとプリプレグ２の下面に貼り付けた後にエッチング処理を行って所望のパターンを形成することが可能である。 In a preferred embodiment, the first copper foil 3 and the second copper foil 4 can each be etched to form a desired pattern before being attached to the prepreg 2. Alternatively, the first copper foil 3 can be attached to the upper surface of the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2 and then etched, and the second copper foil 4 can be attached to the lower surface of the power semiconductors 1A, 1B and the prepreg 2 and then etched to form a desired pattern.

パターンが形成された第二の銅箔４にはバスバー７が接着されている。第二の銅箔４とバスバー７の接着のために、第二の銅箔４の大電流導通経路の形成が必要な箇所には高熱伝導性の導電性接着剤５が塗布されて、導電性接着層が形成されている。また、第二の銅箔４とバスバー７との間で絶縁が必要な箇所には、高熱伝導性のプリプレグ６が配置されている。導電性接着剤５および高熱伝導性のプリプレグ６を介して、バスバー７が第二の銅箔４に接着されている。導電性接着剤５および高熱伝導性のプリプレグ６は、共に、たとえば３．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有する材料が適用される。 A bus bar 7 is bonded to the second copper foil 4 on which the pattern is formed. To bond the second copper foil 4 and the bus bar 7, a highly thermally conductive adhesive 5 is applied to the areas of the second copper foil 4 where a large current conduction path needs to be formed, forming a conductive adhesive layer. A highly thermally conductive prepreg 6 is disposed in the areas where insulation is needed between the second copper foil 4 and the bus bar 7. The bus bar 7 is bonded to the second copper foil 4 via the conductive adhesive 5 and the highly thermally conductive prepreg 6. For both the conductive adhesive 5 and the highly thermally conductive prepreg 6, a material having a thermal conductivity of, for example, 3.0 W/mK or more is used.

バスバー７には、銅バスバーが好適に適用される。パワー半導体１Ａ，１Ｂは、銅バスバー７によって熱を拡散させ放熱することができるので、回路基板Ｓ全体の放熱特性が向上する。 A copper bus bar is preferably used for the bus bar 7. The power semiconductors 1A and 1B can dissipate heat by diffusing it through the copper bus bar 7, improving the heat dissipation characteristics of the entire circuit board S.

図３に示すように、バスバー７の下面にさらに高熱伝導性のプリプレグ６’を配置して絶縁性能を付与するとともに、プリプレグ６’の下面にヒートシンク８を接着してさらに放熱性を向上させることができる。 As shown in FIG. 3, a highly thermally conductive prepreg 6' can be placed on the underside of the busbar 7 to provide insulation, and a heat sink 8 can be bonded to the underside of the prepreg 6' to further improve heat dissipation.

また、第一の銅箔３の上面に入力コンデンサ９を配置することができる。第一の銅箔３に直接接することで、インピーダンスを下げることが可能であり、入力コンデンサ９を小型化できる。さらに、入力コンデンサ９の上面に入力基板１０を配置することで、入力基板１０は第一の銅箔３から最短距離で接続することになり、一層のインピーダンスの低減が実現される。 In addition, the input capacitor 9 can be placed on the upper surface of the first copper foil 3. By directly contacting the first copper foil 3, it is possible to lower the impedance and make the input capacitor 9 smaller. Furthermore, by placing the input board 10 on the upper surface of the input capacitor 9, the input board 10 is connected to the first copper foil 3 at the shortest distance, achieving a further reduction in impedance.

別形態として、本発明の回路基板Ｓについて、パワー半導体１の入力部を下面側に配置し、且つ出力部を上面側に配置した場合であっても、同様に放熱性を高めた回路基板Ｓを得ることができる。 As another embodiment, even if the input portion of the power semiconductor 1 of the circuit board S of the present invention is arranged on the underside and the output portion is arranged on the upper side, a circuit board S with similarly improved heat dissipation properties can be obtained.

回路基板Ｓは、たとえば以下の製造方法によって、製造することができる。
－ パワー半導体１の入力部を一方の面側に配置し、出力部を前記入力部に対して反対側となる面側に配置するように、パワー半導体１をパッケージングする工程。
－ プリプレグ２によって、パワー半導体１とプリプレグ２とが平坦な上面と平坦な下面とを形成するように、パワー半導体１をモールディングする封止工程。
－ 第一の銅箔３を、パワー半導体１とプリプレグ２とで形成された平坦な上面に貼り付けて、第一の銅箔３とパワー半導体１とを導通させる工程。
－ 第二の銅箔４を、パワー半導体１とプリプレグ２とで形成された平坦な下面に貼り付けて、第二の銅箔４とパワー半導体１とを導通させる工程。
－ 第二の銅箔４の下面の電流導通経路となる箇所に導電性接着剤５を塗布して導電性接着剤層を形成し、第二の銅箔４の電流導通経路以外の箇所に、高熱伝導性のプリプレグを塗布する工程。
－ 導電性接着剤５とプリプレグ６によって第二の銅箔４にバスバー７を接着する工程。 The circuit board S can be manufactured, for example, by the following manufacturing method.
packaging the power semiconductor 1 so that the input is located on one side of the power semiconductor 1 and the output is located on the side opposite to the input;
an encapsulation step in which the power semiconductor 1 is moulded by the prepreg 2 so that the power semiconductor 1 and the prepreg 2 form a flat upper surface and a flat lower surface.
A step of attaching a first copper foil 3 to the flat upper surface formed by the power semiconductor 1 and the prepreg 2, thereby making the first copper foil 3 and the power semiconductor 1 electrically conductive.
A step of attaching a second copper foil 4 to the flat lower surface formed by the power semiconductor 1 and the prepreg 2, thereby making the second copper foil 4 and the power semiconductor 1 electrically conductive.
a step of applying a conductive adhesive 5 to the underside of the second copper foil 4 in a location that will become a current conduction path to form a conductive adhesive layer, and applying a highly thermally conductive prepreg to the location of the second copper foil 4 other than the current conduction path.
- gluing a busbar 7 to the second copper foil 4 by means of a conductive adhesive 5 and a prepreg 6;

本発明に係る回路基板は、特に電力変換装置に好適に搭載される。電力変換装置は、車両、発電機、その他各種の産業用機器または家庭用機器に適用することができる。 The circuit board according to the present invention is particularly suitable for mounting on a power conversion device. The power conversion device can be applied to vehicles, generators, and various other industrial or household equipment.

Ｓ 回路基板
１，１Ａ，１Ｂ パワー半導体
２ プリプレグ
３ 第一の銅箔
４ 第二の銅箔
５ 導電性接着剤
６，６’ プリプレグ
７ バスバー
８ ヒートシンク
９ 入力コンデンサ
１０ 入力基板
１１ ゲート
１２ ソース
１３ ドレイン S Circuit board 1, 1A, 1B Power semiconductor 2 Prepreg 3 First copper foil 4 Second copper foil 5 Conductive adhesive 6, 6' Prepreg 7 Bus bar 8 Heat sink 9 Input capacitor 10 Input board 11 Gate 12 Source 13 Drain

Claims (5)

入力部を一方の面側に配置し、且つ出力部を前記入力部に対して反対側となる面側に配置したパワー半導体と、
前記パワー半導体を封止して平坦な上面と平坦な下面を形成しているプリプレグと、
前記パワー半導体及び前記プリプレグによって形成された前記平坦な上面に貼り付けられて、前記パワー半導体と導通する第一の銅箔と、
前記パワー半導体及び前記プリプレグによって形成された前記平坦な下面に貼り付けられて、前記パワー半導体と導通する第二の銅箔と、
前記第二の銅箔の少なくとも一部に塗布された導電性接着剤と、
前記導電性接着剤を介して前記第二の銅箔に接着するバスバーと、
を備えていることを特徴とする回路基板。 A power semiconductor having an input section disposed on one surface side and an output section disposed on a surface side opposite to the input section;
A prepreg that encapsulates the power semiconductor and forms a flat upper surface and a flat lower surface;
A first copper foil is attached to the flat upper surface formed by the power semiconductor and the prepreg and is electrically connected to the power semiconductor;
A second copper foil is attached to the flat lower surface formed by the power semiconductor and the prepreg and is electrically connected to the power semiconductor;
A conductive adhesive applied to at least a portion of the second copper foil;
a bus bar bonded to the second copper foil via the conductive adhesive;
A circuit board comprising: 前記パワー半導体は、前記入力部を上面側に配置し、且つ前記出力部を下面側に配置しており、
前記第一の銅箔に接続する入力コンデンサをさらに備えていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 The power semiconductor has the input portion disposed on an upper surface side and the output portion disposed on a lower surface side,
2. The circuit board of claim 1, further comprising an input capacitor connected to said first copper foil. 前記パワー半導体は、前記入力部を下面側に配置し、且つ前記出力部を上面側に配置していることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, characterized in that the power semiconductor has the input section disposed on the lower surface side and the output section disposed on the upper surface side. 前記パワー半導体がＭＯＳＦＥＴであり、ＭＯＳＦＥＴのソースを一方の面側に配置し、ドレインをソースが配置されている面と反対側の面側に配置していることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, characterized in that the power semiconductor is a MOSFET, the source of the MOSFET is arranged on one side, and the drain is arranged on the side opposite to the side on which the source is arranged. 前記バスバーの下面に、高熱伝導性のプリプレグが貼り付けられていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, characterized in that a highly thermally conductive prepreg is attached to the underside of the bus bar.
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