JP2024108116A - 発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補助電極の周辺のバンク構造の露出を防止してアウトギャッシングの放出を防止することができる発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に互いに離隔した複数のアノードと、複数のアノードのうち隣り合うアノードとの間に位置する補助電極と、複数のアノードの発光部を露出させ、補助電極の一部を露出するバンクホールを有するバンクと、バンクホールを囲むバンク側面及びバンクホール周辺のバンク上に備えられたバンク保護パターンと、発光部及びバンク上に備えられた中間層及びバンクホール内に補助電極と接続したカソードとを含む。アクティブ領域に補助電極とカソードが接続される部分を備え、表示領域全領域にカソードで均一な電圧印加が可能で、輝度ムラを防止し、バンクホール周辺のバンク保護パターンを備え、バンク露出部分のアウトギャッシングによる中間層損傷を防止し、発光表示装置の信頼性を向上させることができる。【選択図】図２

Description

本発明は表示装置に関し、補助電極の周辺のバンク構造の露出を防止してアウトギャッシングの放出を防止することができる発光表示装置及びその製造方法を含む。

情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が様々な形で増加している。

発光素子によって画素を構成する発光表示装置は、別途の光源ユニットを必要とせず、スリム化あるいはフレキシブルに有利であり、また色純度が良いという利点がある。

一例として、発光素子は、異なる２つの電極と、その間の発光層とを含み、いずれかの一方の電極で発生した電子と他方の電極で発生した正孔とが、発光層の内に注入されると、注入された電子及び正孔が結合して励起子（エキシトン；ｅｘｃｉｔｏｎ）が生成され、生成された励起子が励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄｓｔａｔｅ）に落ちながら発光が行われる。

発光表示装置において、画素に備えられた発光素子は、対向する２つの電極のうちの一方の電極が全ての画素で共通の共通電極の形態で備えられているが、大面積化するほど、電源部との距離の差により共通電極の内領域別抵抗の相違によって輝度ムラが発生する可能性がある。また、共通電極が透明性のために厚さが薄くなるほど共通電極の抵抗が大きいため、電圧降下を引き起こす可能性があり、それによって発光素子の電流が変動または減少する可能性がある。

本発明は上記問題点を解決できるものであり、特に、本発明は、アクティブ領域に補助電極とカソードが接続される部分を備えた発光表示装置を提供するものであり、表示領域全ての領域に、カソードで均一な電圧印加が可能であり、輝度ムラを防ぐことができる。

また、本発明の発光表示装置は、補助電極をバンクと一部重畳する形態で形成しながら、バンクホール周辺のバンク保護パターンを備え、バンク露出部分のアウトギャッシング（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）による中間層損傷を防止し、発光表示装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の発光表示装置は、基板上に互いに離隔した複数のアノードと、複数のアノードのうち隣り合うアノード同士の間に位置する補助電極と、複数のアノードの発光部を露出し、補助電極の一部を露出するバンクホールを有するバンクと、バンクホールを囲むバンク側面及びバンクホール周辺のバンク上に備えられたバンク保護パターンと、発光部及びバンク上に備えられた中間層及びバンクホールの内に補助電極と接続したカソードとを含むことがある。

本発明の別の態様において、発光表示装置の製造方法は、基板上に互いに離隔した複数のアノードを形成する第１工程と、複数のアノードのうち隣り合うアノード同士の間に補助電極を形成する第２工程と、複数のアノードの発光部を露出するバンクを形成する第３工程と、バンク上に第１保護パターンを形成する第４工程と、第１保護パターンと重畳するカソードと中間層を形成する第５工程とを含む。

本発明の発光表示装置は、次のような効果がある。

第１に、バンクと重なる部分の補助電極を備え、補助電極上の構成をカソード形成前除去工程を通じて補助電極の一部が露出させ、カソードと補助電極とを直接接続する。したがって、アクティブ領域（表示領域）においてカソードと補助電極が接続される部分を備えることにより、カソードの電圧均一性を向上させて輝度低減を防止することができる。

第２に、補助電極を露出させるために形成されたバンクホールにおいて、バンクホールを囲むバンクの側面およびバンク上にバンク保護パターンを形成することにより、バンク露出によるアウトギャッシングを防止することができる。

第３に、中間層形成前のバンクの上面及び側面が、バンク保護パターンによってカバーされ、続いて形成する中間層が、バンク層と直接接続されることを防止され、露出によるバンクの劣化を防止するとともに、中間層及びバンクの接触面積を減らし、バンクアウトギャッシングによる中間層のダメージを防止することができる。

第４に、バンク保護パターンは、表示装置分野で用いられる透明な無機絶縁膜を用いることができるので、別途物質を追加することなく信頼性を有する発光表示装置の製造が可能である。これは、親環境（Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ ｆｒｉｅｎｄｌｙ）、低電力およびプロセスの最適化の利点から、ＥＳＧ（Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ／Ｓｏｃｉａｌ／Ｇｏｖｅｒｎａｎｃｅ）の効果を有する。

第５に、互いに異なる色を発光する発光部の間にバンクホールを備える場合、バンクホールを形成する過程で、中間層をバンクホールから除去し、隣接する色発光部間の中間層パターン化が可能であるので、隣接する色発光部間漏れ電流を防止することができる。

本発明の発光表示装置を概略的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態による発光表示装置を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光表示装置を示す平面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光表示装置を示す平面図である。 本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程である。 本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程である。 本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程である。 本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程である。 本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程である。

以下、添付の図面を参照して、本開示の様々な実施形態を説明する。明細書の全体を通して同じ参照番号は実質的に同じ構成要素を意味する。以下の説明において、本開示に関連する技術または構成の具体的な説明が本開示の要旨を不必要に曖昧にする可能性があると判断される場合、その詳細な説明は省略する。なお、以下の説明で使用される構成要素名は、明細書作成の容易さを考慮して選択されたものであり、実際の製品の部品名と異なる場合がある。

本開示の様々な実施形態を説明するための図面に開示された形状、サイズ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本開示は図面に示された事項に限定されない。本開示全体を通して同じ参照番号は同じ構成要素を指す。なお、本開示の説明において、関連する公知技術の具体的な説明が本開示の要旨を不必要に曖昧にすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本開示で言及される「含む」、「有する」、「成る」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されることがある。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。

本開示の様々な実施形態に含まれる構成要素を解釈する際に、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

本開示の様々な実施形態を説明するにあたって、位置関係について説明する場合に、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「まさに」または「直接」が使用されない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が配置され得る。

本開示の様々な実施形態を説明するにあたって、時間関係について説明する場合に、例えば、「～後に」、「～に続く」、「～次に」、「～前に」などで時間的先後関係が説明される場合、「すぐ」または「直」が使用されない限り連続的でない場合も含まれ得る。

本開示の様々な実施形態を説明する際に、「第１～」、「第２～」などを様々な構成要素を説明するために使用することがあるが、これらの用語は、同じ類似の構成要素間で区別するために使用だけである。したがって、本開示において「第１～」として修飾される構成要素は、特に断りのない限り、本開示の技術的思想内で「第２～」と修飾される構成要素と同じであり得る。

本開示の様々な実施形態の各々の特徴は、部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各様々な実施形態は互いに独立して実施可能であり、関連して一緒に実施可能であり得る。

以下、図面を参照して本開示の発光表示装置及びその製造方法について説明する。

図１は、本発明の一実施形態による発光表示装置を概略的に示すブロック図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態による発光表示装置１０００は、表示パネル１１、映像処理部１２、タイミング制御部１３、データ駆動部１４、スキャン駆動部１５、電源部１６を含むことがある。

表示パネル１１は、データ駆動部１４から供給されたデータ信号ＤＡＴＡ、スキャン駆動部１５から供給されたスキャン信号、及び電源供給部１６から供給された電源に対応して映像を表示することがある。

表示パネル１１は、複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬとの交差領域ごとに配置されたサブ画素ＳＰを含むことがある。サブ画素ＳＰの構造は、発光表示装置１０００の種類に応じて多様に変更することがある。

例えば、サブ画素ＳＰは、構造に応じて上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、または両面発光（ｄｕａｌ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式で形成することがある。サブ画素ＳＰは、特定の種類のカラーフィルタが形成されるか、カラーフィルタが形成されずにそれ自体の色を発光する単位を意味する。例えば、サブ画素ＳＰは、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素を含むことがある。あるいは、サブ画素ＳＰは、一例として、赤色サブ画素、青色サブ画素、白色サブ画素および緑色サブ画素を含むことがある。サブ画素ＳＰは、発光特性に応じて１つ以上の他の発光面積を有することがある。例えば、青色サブ画素とは異なる色を発光するサブ画素は、異なる発光面積を有することがある。

１つ以上のサブ画素ＳＰは１つの単位画素（ｐｉｘｅｌ）を形成することがある。例えば、１つの単位画素は赤、緑、青のサブ画素を含み、赤、緑、青のサブ画素を繰り返し配置することがある。あるいは、１つの単位画素は赤、緑、青および白のサブ画素を含み、赤、緑、青および白のサブ画素が繰り返し配置されるか、または赤、緑、青および白のサブ画素がクワッド（ｑｕａｄ）タイプとして配置することがある。本開示による実施形態におけるサブ画素のカラータイプ、配置タイプ、配置順序などは、発光特性、素子の寿命、装置の仕様（ｓｐｅｃ）等に応じて様々な形態で構成されるが、それらに限定されない。

表示パネル１１は、サブ画素ＳＰが配置されて映像を表示する表示領域（ＡＡ：点線領域の内）と表示領域ＡＡ周辺の非表示領域ＮＡとに区分することがある。スキャン駆動部１５は、表示パネル１１の非表示領域ＮＡに実装されることがある。また、非表示領域ＮＡには、パッド電極ＰＤを含むパッド部ＰＡＤを含むことがある。

ここで、表示領域ＡＡはアクティブ領域と呼ばれ、非表示領域ＮＡは非アクティブ領域とも呼ばれる。

映像処理部１２は、外部から供給されたデータ信号ＤＡＴＡと共にデータイネーブル信号ＤＥ等を出力することがある。映像処理部１２は、データイネーブル信号ＤＥの外にも垂直同期信号、水平同期信号およびクロック信号のうちの１つ以上を出力することがあるが、これらの信号は説明の便宜上その図は省略する。

タイミング制御部１３は、映像処理部１２から駆動信号とともにデータ信号ＤＡＴＡを供給されることがある。駆動信号はデータイネーブル信号ＤＥを含むことがある。あるいは、駆動信号は、垂直同期信号、水平同期信号およびクロック信号を含むことがある。タイミング制御部１３は、駆動信号に基づいてデータ駆動部１４の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号ＤＤＣとスキャン駆動部１５の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号ＧＤＣを出力する。

データ駆動部１４は、タイミング制御部１３から供給されたデータタイミング制御信号ＤＤＣに応答してタイミング制御部１３から供給されるデータ信号ＤＡＴＡをサンプリングしてラッチしてガンマ基準電圧に変換して出力することがある。

データ駆動部１４は、データ線ＤＬを介してデータ信号ＤＡＴＡを出力することがある。データ駆動部１４は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で具現することがある。例えば、データ駆動部１４は、表示パネル１１の非表示領域ＮＡに配置されたパッド電極ＰＤとフレキシブル回路フィルム（図示せず）を介して電気的に接続されることがある。

スキャン駆動部１５は、タイミング制御部１３から供給されたゲートタイミング制御信号ＧＤＣに応答してスキャン信号を出力することがある。スキャン駆動部１５は、ゲートラインＧＬを介してスキャン信号を出力することがある。スキャン駆動部１５は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で具現され、あるいは表示パネル１１にゲートインパネル（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ；ＧＩＰ）方式で具現されることがある。

電源部１６は、表示パネル１１を駆動するための高電位電圧、低電位電圧などを出力することがある。電源部１６は、高電位電圧を第１電源ラインＥＶＤＤ（駆動電源ラインまたは画素電源ライン）を介して表示パネル１１に供給することがあり、低電位電圧を第２電源ラインＥＶＳＳ（補助電源線または共通電源線）を介して表示パネル１１に供給することがある。

表示パネル１１は、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡとに区分され、表示領域ＡＡ内で互いに交差してマトリクス状に形成されるゲート線ＧＬとデータ線ＤＬにより定義される複数のサブ画素ＳＰを含むことがある。

サブ画素ＳＰは、赤色（ｒｅｄ）光、緑色（ｇｒｅｅｎ）光、青色（ｂｌｕｅ）光、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）光、マゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）光、シアン（ｃｙａｎ）光のうち少なくとも２つ以上の光を放出するサブピクセルを含むことがある。また、複数のサブ画素ＳＰは、特定の種類のカラーフィルタが形成され、あるいはカラーフィルタが形成されずに自身の色を発光することがある。しかし、本発明は必ずしもこれに限定されるわけではなく、サブ画素ＳＰは、カラータイプ、配置タイプ並びに配置順序等は、発光特性、素子の寿命及び装置のスペック等によって様々な形態で構成されることがある。

サブ画素ＳＰのそれぞれは、光が出る発光部と発光部周辺の非発光部とを含むことがある。

以下、表示領域の発光部と非発光部の構成について図面を参照して説明する。

図２は本発明の一実施形態による発光表示装置を示す断面図である。

図２に示すように、本発明の第１実施形態に係る発光表示装置は、基板１００上に互いに離隔した複数のアノード２１０と、複数のアノードのうち隣接するアノードとの間に位置する補助電極２０５と、複数のアノードの発光部ＥＭを露出し、補助電極の一部を露出するバンクホールＬＯＰを有するバンク１５０と、バンクホールＬＯＰを囲むバンク側面及びバンクホールＬＯＰ周辺のバンク１５０上に備えられたバンク保護パターンＰＰと、発光部ＥＭ及びバンク１５０上に備えられた中間層２２０及びバンクホールＬＯＰの内に補助電極２０５と、接続されたカソード２３０を含む。

各発光部ＥＭに積層されたアノード２１０、中間層２２０及びカソード２３０は、発光素子ＥＤをなす。

アノード２１０は、各発光部ＥＭ毎に備えられ、下部の薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、駆動信号を印加されて発光部ＥＭ別に区分されて動作することがある。カソード２３０は、発光部ＥＭにわたって連続的に形成される。本発明の発光表示装置のカソード２３０は、非表示領域ＮＡで電源供給部（図１の１６）に接続され、非表示領域ＮＡに備えられた共通電源線または補助電源線に接続されて電気的信号を印加するだけでなく、表示領域ＡＡの内でもバンク１５０と重畳された領域に備えられた補助電極２０５と接続され、共通電圧または低電位電圧を印加することがある。したがって、大面積化した発光表示装置において電源部から離れるほど輝度ムラが発生する現象を防止し、表示領域ＡＡ全体で輝度を均一に調整することがある。

バンク１５０とアノード２１０との非重畳部分は発光部ＥＭと定義される。また、バンク１５０は内部にバンクホールＬＯＰを備え、補助電極２０５を露出させて、カソード２３０はバンクホールＬＯＰを介して入って補助電極２０５と接続される。ここで、バンクホールＬＯＰを囲むバンク１５０の側面ＢＬＳ及びバンク１５０の上面ＢＴＳは直接カソード２３０と接続されず、保護パターンＰＰが位置してバンク１５０露出によるアウトギャッシングによる影響を防ぐことがある。

バンク１５０は有機絶縁材料からなり、一定の高さを有することがある。バンク１５０は、約１μｍ～５μｍの高さを有し、発光部ＥＭの間に位置してバンク１５０の高さの差で領域を区分することがある。

バンク１５０は、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、アクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）などの有機物のうちの少なくとも１つの材料からなることがある。本発明の発光表示装置において、バンク１５０は有機物からなり、バンク１５０と重畳する補助電極２０５の露出がバンク１５０及び中間層ＯＳ形成後に行われるが、補助電極２０５の露出時に一緒に露出するバンク１５０の側面および／または上面にバンク保護パターンＰＰをさらに形成して、バンク露出後のエージングにより炭素系成分が放出されるアウトギャッシングが中間層ＯＳに影響を与えることを防ぐことがある。

発光素子ＥＤの互いに対向するアノード２１０とカソード２３０との間に位置する中間層２２０は、少なくとも１つの発光層と少なくとも１つの共通層とを含むスタックの構成を有する。一例として中間層２２０をなすスタックは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含むことがある。別の例では、中間層２２０は複数のスタックを含み、スタックとスタックとの間に電荷生成層を含むことがある。そして、個々のスタックは正孔輸送層、発光層および電子輸送層を含むことがある。

中間層２２０に含まれる発光層は、発光部ＥＭ別に異なる色を発光する発光層を含むことがある。あるいは、他の例として、中間層２２０に含まれる発光層は、異なる色を発光する発光層が重なって含まれることがある。中間層２２０に異なる色を発光する発光層を含む場合、発光表示装置は、出射側にカラーフィルタをさらに備えて色を表現してもよい。

本発明の発光表示装置において、中間層２２０は、バンク１５０と重なる領域でバンク保護パターンＰＰによって囲まれることで、バンク１５０と直接接しなくなり、それにより、補助電極２０５とカソード２３０との接続のためにバンク１５０内にバンクホールＬＯＰを形成するときに露出するバンクの側面からのアウトギャッシングが中間層２２０に影響を及ぼすことを防止することができる。

一方、バンク保護パターンＰＰは、バンク１５０の上面ＢＴＳ上に位置する第１保護パターン２１５と、バンクホールＬＯＰを囲むバンク側面ＢＬＳ及びバンク上の中間層２２０の上面および側面にわたって形成された第２の保護パターン２２５を含むことがある。

第１保護パターン２１５および第２保護パターン２２５は、バンク１５０の上面ＢＴＳと重なり、中間層２２０の下部および上部に位置することがある。

バンク保護パターンＰＰは、第１保護パターン２１５と第２保護パターン２２５の両方を備えるか、あるいは一部のみを備えてよい。一方のみを備える場合でも、バンクホールＬＯＰの形成時に発生するバンク１５０の変形による中間層２２０及びカソード２３０を保護することができる。バンク保護パターンＰＰのうち少なくともバンクホールＬＯＰの側面に備えられた第２保護パターン２２５を含むことは、バンク１５０変形による中間層２２０の保護により効果的であり得る。

バンク保護パターンＰＰは、例えば、バンク１５０の上面ＢＴＳ及び側面ＢＬＳに位置して中間層２２０及びカソード２３０を保護するものであり、炭素化合物からなるアウトギャッシングに対する保護特性を有する無機絶縁材料からなることがある。例えば、バンク保護パターンＰＰは、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、アルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）などの材料で形成することがある。バンク保護パターンＰＰの第１保護パターン２１５および第２保護パターン２２５は、無機絶縁物質の群で同種であっても異なる物質であってもよい。また、バンク保護パターンＰＰは、カソード２３０と接触部分での電気的影響を防止するために無機絶縁材料で形成することが好ましい。

一方、発光表示装置は近年、極寒または極暑の屋外環境で利用される用途に適用があるため、屋外環境における紫外線に対する発光表示装置の内部保護のためにバンク保護パターンＰＰに紫外線遮蔽物質を含むことがある。例えば、バンク保護パターンＰＰは、亜鉛（ｚｉｎｃ）、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、チタン（ｔｉｔａｎｉｕｍ）およびタンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ）のうちの少なくとも１つを含む酸化膜または窒化膜であり得る。このような紫外線遮蔽成分を含むバンク保護パターンＰＰは、バンク１５０と重なる領域で内部中間層２２０を囲んでおり、紫外線に対するバンク１５０の変形を防止し、バンクのアウトギャッシングを防止することによって中間層２２０を安定化することがある。

互いに異なる工程で形成された第１保護パターン２１５と第２保護パターン２２５とが、バンクホールＬＯＰを囲むバンク側面ＢＬＳとバンクの上面ＢＴＳとが接する部分で互いに合うことがある。

一方、本発明の発光表示装置では、補助電極２０５はアノード２１０と同一層に位置することがある。また、補助電極２０５は、アノード２１０と同一物質で形成することがある。したがって、補助電極２０５とアノード２１０を同一工程で形成することができ、カソード２３０の表示領域ＡＡ内の接続構造に別途金属をさらに用いる必要がなく、補助電極２０５を材料の追加やマスクは追加されない。したがって、本発明の発光表示装置は、補助電極２０５が非発光部に位置することで、補助電極２０５を備えるために発光部が占める領域を調整する必要がなく、開口率を維持し、発光表示装置全体の輝度を改善することができる。

発光素子ＥＤのカソード２３０上には、発光素子ＥＤの保護および出光効果を高めるためにキャッピング層をさらに含むことがある。また、発光素子ＥＤの上部には封止層３００がさらに備えられ、外部からの外気及び水分に対して発光素子ＥＤを保護することができる。

アノード２１０と接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）について説明する。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、半導体層１０３、半導体層１０３のチャネルとゲート絶縁膜１０７を介して重畳したゲート電極１０４、半導体層１０３の両側とそれぞれ接続したソース電極１０５およびドレイン電極１０６を含むことがある。薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１０６は、発光素子ＥＤのアノード２１０と平坦化膜１０８及び保護膜１０９を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して接続することがある。

場合によっては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極１０５がアノード２１０と接続されていることがある。

そして、半導体層１０３の下側には、基板１００の下部から基板１００に入射した光によって半導体層１０３が影響を受けることを防止するために遮光層１０１がさらに設けられることがある。

遮光層１０１と半導体層１０３との間にはバッファ層１０２が設けられ、バッファ層１０２は遮光層１０１を覆って基板１００上の全ての領域に設けられることがある。

半導体層１０３は、酸化物半導体、非晶質シリコン、結晶質シリコンのうち少なくとも１つを含むことがある。

図示の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一例は、一例として、ゲート電極１０４と、ソース電極１０５とドレイン電極１０６とが同一平面にあるコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を示したものであるが、本発明はこれに限定されない。例えば、薄膜トランジスタは、ゲート電極が半導体層の下部に位置するボトムゲートであってもよく、ゲート電極が半導体層の上部にあるトップゲートであってもよい。また、薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極とドレイン電極とは異なる平面、すなわち異なる層に位置することがある。

場合によっては、半導体層１０３は、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６と接続する部分に導電層をさらに含むことがある。

平坦化膜１０８は、平坦性のために設けられるものであり、例えば、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブチン系樹脂（Ｂｅｎｚｏ ｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅｒｅｓｉｎ）及びアクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）等の有機物少なくとも１つの材料からなることがある。

平坦化膜１０８の平坦な上面にアノード２１０及び補助電極２０５をそれぞれ接して形成することがある。

アノード２１０（ピクセル電極または第１電極）および補助電極２０５は、金属、その合金、金属と酸化物金属の組み合わせで形成することがある。例えば、アノード２１０及び補助電極２０５は、上部発光方式の場合、透明導電膜及び反射効率の高い不透明導電膜を含む多層構造で形成することがある。アノード２１０及び補助電極２０５の透明導電膜としては、インジウム－チン－オキシド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキシド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のようなの仕事関数値が比較的に大きい材質からなり、不透明導電膜としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ）のうちの一種か、またはそれらの合金の単層または多層からなることがある。例えば、アノード２１０は、透明導電膜、不透明導電膜および透明導電膜が順次積層された構造で形成されてもよいし、透明導電膜および不透明導電膜が順次積層された構造で形成されることがある。場合によっては、アノード２１０が多層膜である場合、補助電極２０５は多層膜のうち一部の膜のみで形成されることがある。補助電極２０５はカソード２３０と直接接続される構成であり、補助電極２０５は導電率の高い不透明導電膜または反射電極のみからなることがある。

カソード２３０は、インジウム－チン－オキシド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）又はインジウム－ジンク－オキシド（Ｉｎｄｉｏ－Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ）のような透明導電材料から構成されることがあり、又は光が透過あるほど薄い厚さ有する銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはそれらの少なくともいずれかを含む合金からなることがある。

図２に示すように、補助電極２０５は、薄膜トランジスタＴＦＴの少なくとも１つの電極と同一層に形成される共通電源線ＶＳＳＬと平坦化膜１０８及び保護膜１０９を貫通した第２コンタクトホールＣＴ２を介して接続することがある。

共通電源線ＶＳＳＬは、基板１００の非表示領域ＮＡまで延びて電源部に接続され、低電位電圧の供給を受けることがある。

基板１００から発光素子ＥＤの全ての平坦化膜１０８までの構成は、薄膜トランジスタを含む点で薄膜トランジスタアレイ基板８００と呼ばれることもある。図２は発光部ＥＤごとに単一の薄膜トランジスタＴＦＴのみを示しているが、本発明の発光表示装置はこれに限らず、回路駆動のためにサブ画素毎に複数の薄膜トランジスタと少なくとも一つのキャパシタとを含むことがある。薄膜トランジスタアレイ基板８００は、サブ画素ごとに備えられた複数の薄膜トランジスタ及びキャパシタを含む。

薄膜トランジスタアレイ基板８００内の遮光層１０１と半導体層１０３との間のバッファ層１０２、ゲート絶縁膜１０７、保護膜１０９は無機絶縁層で形成することがある。無機絶縁層の例としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、金属酸化膜などを含むことがある。

平坦化膜１０８は有機絶縁物質からなり、一例としてフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブチン系樹脂（ｂｅｎｚｏ ｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｒｅｓｉｎ）、アクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）などの有機物のうち少なくとも１つの材料からなることがある。

発光素子ＥＤは、薄膜トランジスタアレイ基板８００上に備えられることがある。

本発明の発光表示装置において、アノード２１０の発光部ＥＭの定義のためのバンク１５０の形成と、バンク１５０と重なった補助電極２０５の一部を露出するためのバンクホールＬＯＰの形成は、同時に行ってもよいし、他の工程で形成してもよい。バンク１５０の形成とバンクホールＬＯＰの形成とが異なる工程で形成する構造については、方法と共に後述する。

バンク保護パターンＰＰの第１保護パターン２１５は、バンクホールＬＯＰ形成前のバンクの上面ＢＴＳに沿って設けられ、バンクの上面ＢＴＳと接する。そして、バンク保護パターンＰＰの第２保護パターン２２５は、中間層２２０の形成後、バンクホールＬＯＰに対応するバンク１５０の高さを除去した後に形成される。第２保護パターン２２５は、中間層２２０の上面及び側面と共にバンクホールＬＯＰを囲むバンク１５０の側面ＢＬＳに接して形成される。

図３は本発明の第１実施形態に係る発光表示装置を示す平面図である。

図３に示すように、本発明の第１実施形態に係る発光表示装置１０００は、互いに異なる色を発光する第１～第３発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３を含み、互いに隣接する同一色を発光する発光部ＥＭ１の間にバンク保護パターンＰＰを備えることがある。

発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３は、例えば、青、緑、赤を発光する発光部であってもよい。しかしながら、本発明はこれに限定されず、第１～第３の発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３が組み合わせて白色を発光することができれば、他の色の発光部の組み合わせでもよい。他の例として、第１～第３発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３は、それぞれシアン、マゼンタ、イエロー発光部であることがある。

一方、発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３は、互いに同じサイズであっても異なるサイズであってもよい。図３に示す例は、第１の発光部ＥＭ１が最も大きく、第２、第３の発光部ＥＭ２、ＥＭ３が第１の発光部ＥＭ１よりも小さいサイズで、１つの第１の発光部ＥＭ１と第２、第３発光部ＥＭ２、ＥＭ３とが隣接した形態を示す。同一面積で発光効率の低い色発光部を第１発光部ＥＭ１とし、発光表示装置１０００で大きな面積を占め、第１発光部ＥＭ１と第２、第３発光部ＥＭ２、ＥＭ３との間の相対効率差を補償することがある。

第１～第３発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３には、それぞれ第１～第３アノード２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃが備えられることがある。第１～第３のアノード２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃは、各発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３の全体と発光部の一番端とから延びて非発光部のバンク１５０と一部重なる。このとき、第１～第３アノード２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃは互いに離隔しており、図２で説明した下側の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続され、それぞれ独立に駆動される。

一方、図３に示すように、本発明の第１実施形態に係る発光表示装置１０００は、補助電極２０５とカソード２３０との接続部分ＣＴＡを、同一色を有する発光部ＥＭ１間に備えた例を示したものである。これは一例であり、本発明の発光表示装置はこれに限らず、異なる色を有する発光部の間にも設けることがある。また、第１発光部ＥＭ１の間に加えて、第２発光部ＥＭ２間または／および第３発光部ＥＭ３の間にも補助電極２０５とカソード２３０との接続を有することがある。

バンクホールＬＯＰは補助電極２０５の一部を露出しており、バンクホールＬＯＰ周辺のバンク１５０の側面及び上面にはバンク保護パターンＰＰが位置してバンクホールＬＯＰ形成時バンク露出によるアウトギャッシングが中間層２２０およびカソード２３０に伝達されるのを防止する。

バンク保護パターンＰＰの端部は、図２および図３に示すように、バンクホールＬＯＰの周りのバンク１５０を完全に保護するために、発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３の縁部に位置するアノード２１０：２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃと接触することがある。

図３の隣接する同一色を発光する第１発光部ＥＭ１の一部とその間を通るＩ～Ｉ’線上の領域は、図２に示す領域に対応することがある。

しかし、本発明の発光表示装置はこれに限定されない。以下に説明する他の色を発光する発光部間にも、バンクホールおよびバンクホール周辺のバンク保護パターンを形成することがある。

図４は、本発明の第２実施形態に係る発光表示装置を示す平面図である。

図４に示すように、本発明の第２実施形態に係る発光表示装置２０００は、隣り合う第１発光部ＥＭ１と第２発光部ＥＭ２との間及び第１発光部ＥＭ１と、第３発光部ＥＭ３の間にバンクホールＬＯＰ及びバンクホールＬＯＰの周辺バンク３５０の上面及び側面にバンク保護パターンＰＰを備える。

図２のように、バンクホールＬＯＰから中間層２２０が除去されるので、本発明の第２実施形態に係る発光表示装置２０００は、第１発光部ＥＭ１と第２発光部ＥＭ２との間及び第１発光部ＥＭ１と第３発光部ＥＭ３との間に中間層２２０の不連続が発生する。したがって、共通層を備えることにより中間層２２０の不連続が生成され、隣接する第１発光部ＥＭ１と第２発光部ＥＭ２との間及び第１発光部ＥＭ１と第３発光部ＥＭ３との間共通層は互いに区別され、共通層に起因する漏れ電流を防止することができる。

例えば、第１発光部ＥＭ１が青色発光部、第２発光部ＥＭ２が緑色発光部、第３発光部ＥＭ３が赤色発光部である場合、第１発光部ＥＭ１が高いターンオン電圧を有し、第２、第３発光部ＥＭ２、ＥＭ３が低いターンオン電圧を有する時に、第１発光部ＥＭ１の選択的なターンオン状態において、オフ状態の第２、第３発光部ＥＭ２、ＥＭ３が弱く漏れ発光する色漏れが発生する可能性がある。このような色漏れは、第１～第３発光部ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３で、移動度が大きい共通層によって顕著となる可能性がある。本発明の第２実施形態に係る発光表示装置２０００は、バンク３５０のうちバンクホールＬＯＰを、異なる色を発光する第１発光部ＥＭ１と第２発光部ＥＭ２との間及び第１発光部ＥＭ１と第３発光部ＥＭ３との間に位置させ、バンクホールＬＯＰ形成時にバンク１５０の除去とともにバンクホールＬＯＰに対応した中間層２２０を一緒に除去して、水平に流れる漏れ電流の原因を取り除く。したがって、本発明の第２実施形態に係る発光表示装置２０００は補助電極２０５とカソード２３０との接続による表示領域ＡＡにおける輝度ムラを解決するだけでなく、隣接する発光部の間の側部リーク電流も防ぐことができる。

本発明の第２実施形態に係る発光表示装置２０００は、隣接する色発光部間の中間層パターン化が可能であり、隣接する色発光部間のリーク電流を防止することがある。

以下、本発明の発光表示装置の製造方法について説明する。

図５Ａ～図５Ｅは、本発明の発光表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図２で説明した基板１００上に薄膜トランジスタＴＦＴを含む薄膜トランジスタアレイ基板８００を形成する。

薄膜トランジスタアレイ基板８００上の最上面は平坦化膜（図２の１０８参照）であることがある。

図５Ａに示すように、薄膜トランジスタアレイ基板８００上に互いに離隔した複数のアノード２１０と、複数のアノードのうち隣り合うアノードとの間に補助電極２０５を形成する。アノード２１０と補助電極２０５は、反射効率の高い不透明導電膜をパターニングして形成することがある。あるいは、アノード２１０と補助電極２０５を多層構造に形成する場合、透明導電膜および反射効率の高い不透明導電膜を含む多層構造に形成することがある。アノード２１０及び補助電極２０５の透明導電膜としては、インジウム－チン－オキシド（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ；ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキシド（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ；ＩＺＯ）等の仕事関数値が比較的大きい材質からなり、不透明導電膜としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、又はタングステン（Ｗ）からなる群から選択されるいずれか、またはそれらの合金の単層または多層からなることがある。例えば、アノード２１０は、透明導電膜、不透明導電膜および透明導電膜が順次積層された構造で形成されるか、透明導電膜および不透明導電膜が順次積層された構造で形成されることがある。

場合によっては、アノード２１０が多層膜である場合、補助電極２０５は多層膜のうち一部の膜のみで形成されることがある。補助電極２０５はカソード２３０と直接接続される構成であり、補助電極２０５は導電率の高い不透明導電膜または反射電極のみからなることがある。

続いて、補助電極２０５全体を覆い、縁部分が隣接するアノード２１０の一番端と重なり、アノード２１０の発光部ＥＭを露出するバンク膜１５０Ａを形成する。

バンク膜１５０Ａを露出する第１開口部ＯＰ１を有し、アノード２１０の発光部に対応して遮光部ＳＨ１を有するマスク４００を薄膜トランジスタアレイ基板８００上に対応させて、バンク膜１５０Ａの上面ＢＴＳに保護パターン材料を蒸着して、第１保護パターン膜２１５Ａを形成する。この場合、第１保護パターン膜２１５Ａはバンク膜１５０Ａの表面を覆うものであり、その後形成される中間層２２０がバンク膜１５０Ａと直接接することを防止して、バンク膜１５０Ａの選択的な除去過程におけるバンク膜１５０Ａの露出によるアウトギャッシング発生の影響を防止する。

続いて、図５ｂのように、発光部ＥＭと非発光部ＮＥＭに連続した中間物質層２２０Ａを形成する。中間物質層２２０Ａはアノード２１０の発光部ＥＭと接し、バンク膜１５０Ａと重なる領域には第１保護パターン膜２１５Ａと接する。

中間物質層２２０Ａは少なくとも１つのスタックを含み、スタックは少なくとも１つの発光層および少なくとも１つの共通層を含む。共通層はオープンマスクで形成され、中間物質層２２０Ａの少なくとも共通層は発光部ＥＭだけでなく非発光部ＮＥＭにも設けられる。中間物質層２２０Ａに含まれる発光層も、場合によっては、発光部ＥＭと非発光部ＮＥＭの両方に設けられる。

続いて、図５ｃのように、補助電極２０５の一部を露出するように中間層２２０Ａ、第１保護パターン膜２１５Ａ及びバンク膜１５０Ａを除去してバンクホールＬＯＰを有するバンク１５０を形成する。このような除去過程は、例えば、レーザ照射により行うことがある。

そして、バンク１５０において、バンクホールＬＯＰを形成した後、バンクホールＬＯＰを囲むバンクの側面ＢＬＳを露出されることがある。そして、中間物質層は、バンクホールＬＯＰ対応部分が除去され、隣接発光部間に不連続を有する中間層２２０で形成される。

続いて、図５Ｄに示すように、発光部ＥＭに対応して第１遮光部ＳＨ２を有し、バンクホールＬＯＰに対応した第２遮光部ＳＨ３を有し、露出したバンク１５０に対応して第２開口部ＯＰ２を有する第２マスク４１０を薄膜トランジスタアレイ基板８００上に対応させた後、第２開口部ＯＰ２を介して保護パターン物質を蒸着して第２保護パターン２２５を形成する。

ここで、第２保護パターン２２５は、バンク１５０と重なる中間層２２０の上面およびバンクホールＬＯＰを囲む中間層２２０の側面およびバンク側面ＢＬＳに形成される。

次に、図５Ｅと同様に、中間層２２０上にカソード２３０（第２電極または共通電極）を形成する。

カソード２３０はオープンマスクで形成され、発光部ＥＭ上には中間層２２０と接して位置し、バンクホールＬＯＰでは補助電極２０５と直接接する。

そして、バンクホールＬＯＰ周辺バンク側面ＢＬＳ及びバンク上面ＢＴＳとは第２保護パターン２２５により直接バンク１５０と接することなく離隔され、バンクが図５Ｃの過程でレーザ照射で変形が発生してアウトギャッシングが発生しても、第２の保護パターン２２５がそれを遮断して中間層２２０および保護パターン２２５を保護する。

発光部ＥＭで積層されたアノード２１０、中間層２２及びカソード２３０は発光素子ＥＤをなす。

そして、発光素子ＥＭ上には保護のために封止層３００が備えられる。

封止層３００は、例えば、無機封止膜と有機封止膜とが交番に形成することがある。

本発明の発光表示装置は、バンクと重なる補助電極を備え、補助電極上の構成をカソード形成前に除去する工程を通じて補助電極の一部を露出させ、カソードと補助電極とを直接接続させる。したがって、アクティブ領域（表示領域）にカソードと補助電極が接続される部分を備えることにより、カソードの電圧均一性を向上させて輝度低減を防止することができる。

また、本発明の発光表示装置は、補助電極を露出させるために形成されたバンクホール内のバンクホールを囲むバンク側面およびバンク上にバンク保護パターンを形成し、バンク露出によるアウトギャップを防止することがある。

そして、本発明の発光表示装置は、中間層形成前のバンクの上面及び側面をバンク保護パターンで覆い、その後形成する中間層がバンク層と直接接続されることを防止し、露出によるバンクの劣化を防止するとともに、中間層とバンクの非接触状態を維持し、バンクアウトギャッシングによる中間層ダメージを防止することができる。これにより、アウトギャッシングによる影響によってサブ画素の発光部が縮小することを防止し、発光表示装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の発光表示装置において、バンク保護パターンは、表示装置分野で用いられる透明無機絶縁膜を用いることができ、別途物質を追加することなく信頼性を有する発光表示装置の製造が可能である。これは環境にやさしい、低電力およびプロセス最適化の利点でＥＳＧ（Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ／Ｓｏｃｉａｌ／Ｇｏｖｅｒｎａｎｃｅ）効果を有する。

また、本発明の発光表示装置は、異なる色を発光する発光部間にバンクホールを備えた場合、バンクホールを形成する過程で、中間層をバンクホールから除去し、隣接する色発光部間の中間層パターン化が可能であって、隣接する色発光部間のリーク電流を防止することができる。

本発明の一実施形態に係る発光表示装置は、基板上に互いに離隔した複数のアノードと、複数のアノードのうち隣り合うアノード同士の間に位置する補助電極と、複数のアノードの発光部とを露出するバンクホールを有するバンクと、バンクホールを囲むバンク側面及びバンクホール周辺のバンク上に備えられたバンク保護パターンと、発光部及びバンク上に備えられた中間層及びバンクホール内に補助電極と接続したカソードを含むことがある。

バンク保護パターンは、バンクホール周辺のバンクの上面に接する第１保護パターンと、バンク上の中間層とバンクホールを囲むバンク側面と接する第２保護パターンとを含むことがある。

第１保護パターンと第２保護パターンは、バンクホールを囲むバンク側面とバンクの上面が接する部分で互いに合うことがある。

第１保護パターンおよび第２保護パターンは、バンクの上面と重なって中間層の下部および上部に位置することがある。

バンク保護パターンは無機絶縁膜であることがある。

バンク保護パターンは紫外線遮蔽成分を含むことがある。

補助電極上の中間層の縁部は、バンクホールを囲むバンク上に配置することがある。

バンクと重なった中間層は、バンク保護パターンによって囲まれてもよい。

複数のアノードと補助電極は同じ層に配置することがある。

カソードとバンクが互いに重畳する部分で、カソードとバンクの間にバンク保護パターンを挟んで配置することがある。

本発明の一実施形態に係る発光表示装置の製造方法は、基板上に互いに離隔した複数の陽極を形成する第１工程と、複数の陽極のうち隣接する陽極との間に補助電極を形成する第２工程と、複数のアノードの発光部を露出するバンクを形成する第３工程と、バンク上に第１保護パターンを形成する第４工程と、第１保護パターンと重なる中間層及びカソードを形成する第５工程を含むことがある。

第５工程は、中間層形成後、補助電極の一部を露出するように中間層、第１保護パターン及びバンクを除去してバンクホールを形成する工程と、バンクホールを囲むバンクの側面及び中間層の側面とバンクと重畳する中間層上に第２保護パターンを形成する工程と、バンクホール内で補助電極と接続し、バンク上で第２保護パターンと重畳し、中間層上にカソードを形成する工程を含むことがある。

一方、以上で説明した本発明は上述した実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることは、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者にとって明らかであろう。

１００基板
１０１遮光層
１０２バッファ層
１０３半導体層
１０４ゲート電極
１０５ソース電極
１０６ドレイン電極
１０７ゲート絶縁膜
１０８平坦化膜
１０９保護膜
１５０バンク
２０５補助電極
２１０アノード
２１５第１保護パターン
２２０中間層
２２５第２の保護パターン
２３０カソード
ＰＰ保護パターン
ＥＭ発光部
ＬＯＰバンクホール
３００封止層
ＥＤ発光素子
８００薄膜トランジスタアレイ基板
１０００、２０００発光表示装置

Claims (12)

1. 基板上に互いに離間した複数のアノード；
   前記複数のアノードのうち隣接するアノード同士の間に配置される補助電極；
   前記複数のアノードの発光部を露出し、前記補助電極の一部を露出するバンクホールを有するバンク；
   前記バンクホールを囲むバンク側面及び前記バンクホール周辺の前記バンクに配置されるバンク保護パターン；
   前記発光部および前記バンク上に配置される中間層；及び
   前記バンクホール内に前記補助電極と接続されたカソード
   を含む、発光表示装置。
2. 前記バンク保護パターンは、
   前記バンクホール周辺の前記バンクの上面に接する第１保護パターンと、
   前記バンク上の前記中間層と前記バンクホールを囲む前記バンク側面と接する第２保護パターン
   を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記第１保護パターンと前記第２保護パターンとは、前記バンクホールを囲む前記バンク側面と前記バンクの上面が接する領域で互いに出合う、請求項２に記載の発光表示装置。
4. 前記第１保護パターン及び前記第２保護パターンは、前記バンクの上面と重なって前記中間層の下部及び上部に位置する、請求項２に記載の発光表示装置。
5. 前記バンク保護パターンは、無機絶縁膜である、請求項１に記載の発光表示装置。
6. 前記バンク保護パターンは、紫外線遮蔽成分を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
7. 前記補助電極上の前記中間層の縁部は、前記バンクホールを囲む前記バンク上に配置される、請求項１に記載の発光表示装置。
8. 前記バンクと重なる中間層は、前記バンク保護パターンによって囲まれる、請求項１に記載の発光表示装置。
9. 前記複数のアノードと前記補助電極は、同一層に配置される、請求項１に記載の発光表示装置。
10. 前記カソードと前記バンクが互いに重なる部分で、前記カソードと前記バンクの間に挟まれて前記バンク保護パターンが配置される、請求項１に記載の発光表示装置。
11. 基板上に互いに離間した複数のアノードを形成すること；
    前記複数のアノードのうち隣接するアノード同士の間に補助電極を形成すること；
    前記複数のアノードの発光部を露出するバンクを形成すること；
    前記バンク上に第１保護パターンを形成すること；並びに
    前記第１保護パターンと重なる中間層及びカソードを形成すること
    を含む、発光表示装置の製造方法。
12. 前記中間層及びカソードを形成することは、
    前記中間層を形成した後、前記補助電極の一部を露出させるように前記中間層、前記第１保護パターン及び前記バンクを除去してバンクホールを形成する工程；
    前記バンクホールを囲む前記バンクの側面と前記中間層の側面上と、前記バンクと重なる前記中間層上に第２の保護パターンを形成する工程；
    前記中間層上に前記カソードを形成し、前記カソードが、前記バンクホール内で前記補助電極と接続し、前記バンク上で前記第２の保護パターンと重畳する工程
    を含む、請求項１１に記載の発光表示装置の製造方法。

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