JP2024152807A - ノズルユニット、液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板面内における温度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】本開示の一側面に係るノズルユニットは、溶液を用いた液処理を基板に対して施す液処理装置用のユニットである。このノズルユニットは、ガスを流通させる吐出流路と、吐出流路を流れるガスを基板の表面に向けて吐出する吐出口とを有するガスノズルを備える。吐出口は、表面に沿った第１方向に延びるように形成されている。吐出口からのガスが放射状に吐出されるように、吐出流路の第１方向における幅が吐出口に近づくにつれて大きくなる。
【選択図】図７

Description

本開示は、ノズルユニット、液処理装置及び液処理方法に関する。

特許文献１は、基板の表面に現像液を供給することで、基板の表面に形成されているレジスト膜を現像するように構成された現像装置を開示している。当該現像装置は、所定温度に調整されたエアを上方から基板に吹き付ける送風機と、所定温度に調整された温調水の循環によりチャック装置及び現像液供給管を所定温度に維持する温度調整器とを備える。

特開２００４－２７４０２８号公報

本開示は、基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能なノズルユニット及び液処理装置を提供する。

本開示の一側面に係るノズルユニットは、溶液を用いた液処理を基板に対して施す液処理装置用のユニットである。このノズルユニットは、ガスを流通させる吐出流路と、吐出流路を流れるガスを基板の表面に向けて吐出する吐出口とを有するガスノズルを備える。吐出口は、表面に沿った第１方向に延びるように形成されている。吐出口からのガスが放射状に吐出されるように、吐出流路の第１方向における幅が吐出口に近づくにつれて大きくなる。

本開示によれば、基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能なノズルユニット及び液処理装置が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、基板処理システムの内部の一例を概略的に示す側面図である。 図３は、基板処理システムの内部の一例を概略的に示す上面図である。 図４は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。 図５は、ノズルユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図６は、ノズルユニットの一例を模式的に示す別の側面図である。 図７（ａ）～図７（ｃ）は、ガスノズルの一例を示す模式図である。 図８（ａ）～図８（ｃ）は、ガスノズルの別の例を示す模式図である。 図９（ａ）～図９（ｃ）は、ガスノズルの別の例を示す模式図である。 図１０は、コントローラの機能構成の一例を示すブロック図である。 図１１は、コントローラのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図１２は、液処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、液処理方法の一例を説明するための模式図である。 図１４は、液処理方法の一例を説明するための模式図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、液処理方法の一例を説明するための模式図である。 図１６（ａ）は、冷却ガスを供給しなかった場合の面内温度分布の一例を示す図である。図１６（ｂ）は、冷却ガスを供給した場合の面内温度分布の一例を示す図である。 図１７は、面内線幅分布のばらつきの一例を示すグラフである。 図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、冷却ガスをワークＷの表面に供給することによるワークの表面の温度変化を測定した結果の一例を示す図である。 図１９は、維持期間のうち冷却ガスの供給期間を変更した場合のワークの表面の温度変化をシミュレーションした結果の一例を示す図である。 図２０は、維持期間全体における冷却ガスを供給する期間の割合とワーク面内におけるレジストパターンの線幅のばらつきとの対応関係を評価した結果の位置例を示す図である。 図２１（ａ）は、冷却ガスの供給割合が４５％の場合のワークの表面における面内温度分布の一例を示す図である。図２１（ｂ）は、冷却ガスの供給割合が６３％の場合のワークの表面における面内線幅（ＣＤ）分布の一例を示す図である。図２１（ｃ）は、冷却ガスの供給割合が８１％の場合のワークの表面における面内線幅（ＣＤ）分布の一例を示す図である。 図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、冷却ガスの供給位置を変更した場合にレジストパターンの線幅のばらつきがどの程度変化するかを評価した結果の一例を示す図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態に係るノズルユニットは、溶液を用いた液処理を基板に対して施す液処理装置用のユニットである。このノズルユニットは、ガスを流通させる吐出流路と、吐出流路を流れるガスを基板の表面に向けて吐出する吐出口とを有するガスノズルを備える。吐出口は、表面に沿った第１方向に延びるように形成されている。吐出口からのガスが放射状に吐出されるように、吐出流路の第１方向における幅が吐出口に近づくにつれて大きくなる。

このノズルユニットでは、ガスノズルの吐出口からのガスが、吐出口が延びる第１方向において放射状に吐出される。そのため、基板の表面のうち、吐出口の第１方向における幅よりも長い領域に対して、ガスノズルからのガスが供給される。これにより、吐出口の第１方向の幅よりも長い上記領域を基板の中央部に合わせてガスを吐出することができる。その結果、液処理において当該ガスが供給された領域である基板の中央部は、基板の周縁部よりも冷却される。したがって、基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

吐出口のうちの第１方向における両端部のそれぞれが第１方向から見て視認可能となるように、ガスノズルが構成されていてもよい。この場合、第１方向における吐出口の長さの増大を抑制しつつ、表面上のより広い範囲にガスを供給することができる。したがって、ノズルユニットを簡素化することが可能となる。

吐出口の開口縁を含む面の第１方向における中央部分が、表面に向かって突出していてもよい。この場合、吐出流路において開口縁を含む面まで向かう流路の長さの開口面内での差が小さくなる。したがって、開口縁を含む面内においてガスの流速の均一性を向上させることが可能となる。

上記ノズルユニットは、表面に向けて第２ガスを吐出する第２吐出口を有する第２ガスノズルと、表面に沿って、ガスノズルと第２ガスノズルとを共に移動させる駆動部とを更に備えてもよい。この場合、一の駆動部によって２つのノズルを移動できるので、駆動部を含むノズルユニットを簡素化することが可能となる。

吐出口から吐出されるガスの流速は、第２吐出口から吐出される第２ガスの流速よりも小さくてもよい。この場合、ガスノズルと第２ガスノズルとを異なる目的の処理に合わせて使用することが可能となる。

上記ノズルユニットは、表面に向けて処理液を吐出する第３吐出口を有する処理液ノズルを更に備えてもよい。駆動部は、ガスノズル、第２ガスノズル、及び処理液ノズルを共に移動させてもよい。この場合、一の駆動部によって３つのノズルを移動できるので、駆動部を含むノズルユニットを簡素化することが可能となる。

第１方向に直交すると共に表面に沿う第２方向において、ガスノズルと処理液ノズルとは互いに異なる位置に配置されていてもよい。ガスノズルからのガスの表面における到達位置と、処理液ノズルからの処理液の表面における到達位置との間の第２方向における距離が、吐出口と第３吐出口との間の第２方向における距離よりも小さくなるように、ガスノズル及び処理液ノズルが構成されていてもよい。この場合、ガスノズルからのガスを使用した処理と、処理液ノズルからの処理液を用いた処理との間の切り替え時間を短縮することが可能となる。

第２方向において、第２ガスノズルと処理液ノズルとは互いに異なる位置に配置されていてもよい。第１方向から見て、処理液ノズルからの処理液の吐出方向の表面に対する傾きが、第２ガスノズルからの第２ガスの吐出方向の表面に対する傾きに比べて小さくなるように、第２ガスノズル及び処理液ノズルが構成されていてもよい。この場合、処理液ノズルから吐出される処理液による基板の表面に対する影響を抑制することが可能となる。

第２方向において、ガスノズル、第２ガスノズル、及び処理液ノズルがこの順で配置されていてもよい。この場合、ガスノズル及び第２ガスノズルへのガスの供給路が短くなるようにノズルユニットを構成することが可能となる。

一つの例示的実施形態に係る液処理装置は、上記ノズルユニットと、表面が上方を向いた状態の基板を保持して回転させる基板保持ユニットと、ノズルユニットと基板保持ユニットとを制御する制御ユニットと、を備える。制御ユニットは、基板保持ユニットにより基板を回転させた状態で、表面においてガスの到達領域が延びる方向が基板の回転方向に交差するようにガスノズルにガスを吐出させることで、当該ガスノズルにより表面のうち中央部を含む領域にガスを供給させる。この場合、基板の中央部において周方向に沿ってもガスを拡散させて供給することができ、基板の周縁部に比べて中央部の温度を減少させることができる。したがって、基板面内において中央部と周縁部との温度差を縮小させることが可能となる。

一つの例示的実施形態に係る液処理方法は、基板上に処理液が滞留した状態を維持しながら、基板上に滞留する処理液の上面のうち少なくとも周縁部より内側の領域に対して、基板の周方向と比べて半径方向へ拡散するように、処理液の上方からガスを供給する。

上記の液処理方法では、ガスを供給することによって、ガスが供給された領域の近傍では基板が冷却される。ここで、基板の周方向と比べて半径方向へ拡散するようにガスを供給することで、周縁部よりも中央部が冷却される。したがって、基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

基板上に滞留する処理液へ向けてガスを供給する間は、ガスの供給による処理液の移動によって基板の表面が露出しないように、ガスの流量及び流速が調整されてもよい。この場合、ガスがその衝撃によって処理液の膜を荒らすまたは崩すような液処理への悪影響が生じないように、薬液の温度感度に合った適切な基板上の一部の処理部分の冷却を行うことができる。

基板上に処理液が滞留した状態を基板上の全体において形成してから、基板上から処理液の排除を開始するまでの維持期間において、ガスを供給しない非供給期間が含まれてもよい。この場合、維持期間のうちガスを供給しない非供給期間を設けることで、ガスによる基板の冷却状況を調整することができる。したがって、基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

非供給期間は、維持期間のうちの前半に設けられてもよい。維持期間のうちの前半に非供給期間を設けることで、維持期間全体にわたって基板面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

基板を回転しながらガスの供給を行い、ガスを、基板上において基板の中心を含まない領域に到達するように供給してもよい。基板を回転しながらガスを供給する場合、基板の中心にガスが到達すると、基板の中心と周縁部側との間で、ガスの供給量に差が生じ得る。このため、中心にガスが到達しないように供給位置を調節することで、ガスによる冷却をより均一に行うことができる。

以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が鉛直方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。

［基板処理システム］
まず、図１～図３を参照して、基板処理システム１の構成について説明する。基板処理システム１は、塗布現像装置２（液処理装置）と、露光装置３とを備える。

塗布現像装置２は、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成するように構成されている。また、塗布現像装置２は、レジスト膜Ｒの現像処理を行うように構成されている。露光装置３は、塗布現像装置２との間でワークＷを授受して、ワークＷの表面Ｗａ（図４等参照）に形成されたレジスト膜Ｒの露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。露光装置３は、例えば、液浸露光等の方法によりレジスト膜Ｒの露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射してもよい。

処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよいし、多角形など円形以外の板状に形成されていてもよい。ワークＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。ワークＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。

エネルギー線は、例えば、電離放射線、非電離放射線などであってもよい。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、例えば、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーなどであってもよい。

（塗布現像装置）
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成するように構成されている。また、塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理後にレジスト膜Ｒの現像処理を行うように構成されている。

図１～図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６と、制御装置１００（制御ユニット）とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを含む。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのワークＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ワークＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、図１及び図３に示されるように、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、図２及び図３に示されるように、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１からワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリア１１内に戻すように構成されている。

処理ブロック５は、図２及び図３に示されるように、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４を含む。

処理モジュールＰＭ１は、ワークＷの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ１は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらにワークＷを搬送するように構成された搬送アームＡ２とを含む。処理モジュールＰＭ１の液処理ユニットＵ１は、例えば、下層膜形成用の塗布液をワークＷに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ１の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によってワークＷに形成された塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理を行うように構成されていてもよい。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ２は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらにワークＷを搬送するように構成された搬送アームＡ３とを含む。処理モジュールＰＭ２の液処理ユニットＵ１は、例えば、中間膜形成用の塗布液をワークＷに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ２の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によってワークＷに形成された塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理を行うように構成されていてもよい。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ３は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜Ｒを形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらにワークＷを搬送するように構成された搬送アームＡ４とを含む。処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１は、例えば、レジスト膜形成用の塗布液（レジスト液）をワークＷに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ３の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によりワークＷに形成された塗布膜を硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）を行うように構成されていてもよい。

レジスト液が含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもよいし、ネガ型レジスト材料であってもよい。ポジ型レジスト材料は、パターン露光部が溶け出しパターン未露光部（遮光部）が残るレジスト材料である。ネガ型レジスト材料は、パターン未露光部（遮光部）が溶け出し、パターン露光部が残るレジスト材料である。

処理モジュールＰＭ４は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらにワークＷを搬送するように構成された搬送アームＡ５とを含む。処理モジュールＰＭ４の液処理ユニットＵ１は、現像液等の溶液を用いて現像処理（液処理）をワークＷに対して施すように構成されている。例えば、レジスト膜Ｒを部分的に除去してレジストパターン（図示せず）を形成するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２は、例えば、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等を行うように構成されていてもよい。

処理ブロック５は、図２及び図３に示されるように、キャリアブロック４の近傍に位置する棚ユニット１４を含む。棚ユニット１４は、上下方向に延びており、上下方向に並ぶ複数のセルを含む。棚ユニット１４の近傍には搬送アームＡ６が設けられている。搬送アームＡ６は、棚ユニット１４のセル同士の間でワークＷを昇降させるように構成されている。

処理ブロック５は、インターフェースブロック６の近傍に位置する棚ユニット１５を含む。棚ユニット１４は、上下方向に延びており、上下方向に並ぶ複数のセルを含む。

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ７を内蔵しており、露光装置３に接続されている。搬送アームＡ７は、棚ユニット１５のワークＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニット１５に戻すように構成されている。

（液処理ユニット）
続いて、図４～図６を参照して、処理モジュールＰＭ４の液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、図４に示されるように、筐体Ｈ内に、基板保持部２０（基板保持ユニット）と、供給部３０と、供給部４０と、カバー部材７０と、ブロアＢとを含む。筐体Ｈの下部には、制御装置１００からの信号に基づいて動作することにより、筐体Ｈ内の気体を排気するように構成された排気部Ｖ１が設けられている。排気部Ｖ１は、例えば、開度に応じて排気量が調節可能なダンパであってもよい。排気部Ｖ１によって筐体Ｈからの排気量を調節することにより、筐体Ｈ内の温度、圧力、湿度などを制御することができる。排気部Ｖ１は、ワークＷの液処理の間、筐体Ｈ内を常時排気するように制御されてもよい。

＜基板保持部＞
基板保持部２０は、ワークＷを保持して回転させるように構成されている。例えば、基板保持部２０は、表面Ｗａが上方を向いた状態のワークＷを保持して回転させる。基板保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを含む。

回転部２１は、制御装置１００からの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させるように構成されている。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上には表面Ｗａが上方を向いた状態のワークＷが配置される。保持部２３は、例えば吸着等によりワークＷを略水平に保持するように構成されている。すなわち、基板保持部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）周りでワークＷを回転させる。本実施形態では、基板保持部２０に保持されているワークＷの表面Ｗａは、Ｘ－Ｙ平面に沿っている。

＜供給部＞
供給部３０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。処理液Ｌ１は、例えば、現像液であってもよい。供給部３０は、供給機構３１と、駆動機構３２と、ノズル３３とを含む。

供給機構３１は、制御装置１００からの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている処理液Ｌ１を、ポンプ等の送液機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。駆動機構３２は、制御装置１００からの信号に基づいて、ノズル３３を高さ方向及び水平方向において移動させるように構成されている。ノズル３３は、供給機構３１から供給される処理液Ｌ１を、ワークＷの表面Ｗａに吐出するように構成されている。

＜供給部＞
供給部４０は、処理液Ｌ２と、冷却ガスＧ１（ガス）と、乾燥ガスＧ２（第２ガス）とをワークＷの表面Ｗａに供給するように構成されている。処理液Ｌ２は、例えば、リンス液（洗浄液）であってもよい。冷却ガスＧ１及び乾燥ガスＧ２は、気体であれば特に限定されないが、不活性ガス（例えば窒素）であってもよい。冷却ガスＧ１及び乾燥ガスＧ２の温度は、２０℃～２５℃程度であってもよい。供給部４０は、供給機構４１Ａ～４１Ｃと、ノズルユニット４３とを含む。

図４に示されるように、供給機構４１Ａは、制御装置１００からの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている冷却ガスＧ１を、ポンプ等の送気機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。供給機構４１Ｂは、制御装置１００からの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている乾燥ガスＧ２を、ポンプ等の送気機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。供給機構４１Ｃは、制御装置１００からの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている処理液Ｌ２を、ポンプ等の送液機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。

ノズルユニット４３は、供給機構４１Ａ～４１Ｃから供給される冷却ガスＧ１、乾燥ガスＧ２、及び処理液Ｌ２をそれぞれ、ワークＷの表面Ｗａに吐出するように構成されている。ノズルユニット４３は、図５に示されるように、保持アーム４４と、乾燥ガスノズル４５と、冷却ガスノズル４６と、処理液ノズル４７と、保持アーム４４を移動させることでこれらのノズルを移動させる駆動部４９とを含む。以下、ノズルユニット４３の各部について説明する。

〔保持アーム〕
保持アーム４４は、乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７を保持するように構成されている。保持アーム４４は、例えば、水平（図示ではＸ軸方向）に延びる水平部４４ａと、上下方向に延びる鉛直部４４ｂとを含む。水平部４４ａの一端部は、基板保持部２０に保持されているワークＷと重ならない位置において、駆動部４９に接続されていてもよい。水平部４４ａの他端部には、鉛直部４４ｂの上端が接続されている。鉛直部４４ｂは、水平部４４ａの先端部から下方（－Ｚ方向）のワークＷの表面Ｗａに向かって延びている。鉛直部４４ｂの下端とワークＷの表面Ｗａとは、上下方向において離間している。保持アーム４４の内部には、供給機構４１Ａから供給される冷却ガスＧ１を流通させるガス流路４２ａが設けられていてもよい。さらに、保持アーム４４の内部には、供給機構４１Ｂから供給される乾燥ガスＧ２を流通させるガス流路４２ｂ、及び供給機構４１Ｃから供給される処理液Ｌ２を流通させる処理液流路４２ｃが設けられていてもよい。

〔乾燥ガスノズル〕
乾燥ガスノズル４５（第２ガスノズル）は、ワークＷの表面Ｗａに向けて乾燥ガスＧ２を吐出するように構成されている。乾燥ガスノズル４５は、表面Ｗａの上方から表面Ｗａに対して略垂直な向きに乾燥ガスＧ２を吐出してもよい。Ｙ軸方向及びＸ軸方向のそれぞれから見て、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の吐出方向は、表面Ｗａに対して略垂直である。

図５に示される例では、乾燥ガスノズル４５は、保持アーム４４の鉛直部４４ｂの下端に設けられている。乾燥ガスノズル４５には、鉛直方向に延びるガス流路４５ａが設けられる。ガス流路４５ａは、保持アーム４４の水平部４４ａ内を通り且つ鉛直部４４ｂの下端へ延びるガス流路４２ｂから連続している。乾燥ガスノズル４５は、ガス流路４２ｂを介してガス流路４５ａに供給される乾燥ガスＧ２を表面Ｗａに向けて吐出する吐出口４５ｂ（第２吐出口）を含む。吐出口４５ｂは、例えば、乾燥ガスノズル４５の下端面に設けられており、その下端面において開口している。吐出口４５ｂの形状（輪郭）は、乾燥ガスＧ２の吐出方向（図示のＺ軸方向）から見て円形であってもよい。

〔冷却ガスノズル〕
冷却ガスノズル４６は、ワークＷの表面Ｗａに向けて冷却ガスＧ１を吐出するように構成されている。冷却ガスノズル４６は、表面Ｗａの上方から、表面Ｗａに対して放射状に冷却ガスＧ１を吐出する。例えば、図６に示されるように、冷却ガスノズル４６は、Ｘ軸方向から見て、表面Ｗａに対して異なる複数の角度に沿って冷却ガスＧ１を吐出する。冷却ガスノズル４６は、放射状の吐出範囲において均一に冷却ガスＧ１を吐出してもよい。一方、冷却ガスノズル４６は、Ｙ軸方向から見て、表面Ｗａに対して傾斜した一方向に冷却ガスＧ１を吐出してもよい。

図５及び図６に示される例では、冷却ガスノズル４６は、保持アーム４４の水平部４４ａのうち、鉛直部４４ｂ近傍の下方において、水平部４４ａの下端に対して固定されている。冷却ガスノズル４６には、供給機構４１Ａから供給される冷却ガスＧ１を流通させるガス流路４２ａに連続するガス流路５１が設けられる。ガス流路４２ａは、保持アーム４４の水平部４４ａの下端に開口している。ガス流路５１は、ガス流路４２ａの下端の開口に連続するように形成される。また、冷却ガスノズル４６は、ガス流路５１を流れる冷却ガスＧ１をワークＷの表面Ｗａに向けて吐出する吐出口５２を含む。例えば、冷却ガスノズル４６は、ガス流路５１を内部に形成するブロック状の本体部５３を有しており、吐出口５２が、本体部５３に含まれる少なくとも一つの面において開口している。

ガス流路５１は、上流側に位置する供給流路５５と、下流側に位置する吐出流路５６とを含む。なお、本開示において、「上流」及び「下流」の用語は、ガス又は液の流れを基準にして使用される。供給流路５５の上流側の一端部は、保持アーム４４の水平部４４ａの内部に設けられたガス流路４２ａに接続されており、供給流路５５の下流側の他端部は、吐出流路５６の上流側の一端部に接続されている。吐出流路５６の下流側の他端部に吐出口５２が設けられている。供給流路５５は、例えば鉛直下向きに冷却ガスＧ１を流通させる。吐出流路５６は、ワークＷの表面Ｗａに対して所定角度傾斜した傾斜面Ｄ０の延在方向に沿って冷却ガスＧ１を流通させて、吐出口５２へ到達させる。吐出流路５６は、傾斜面Ｄ０に沿って一方向に冷却ガスＧ１を流通させたうえで、冷却ガスＧ１の流通方向を放射状に広げる。以下、吐出流路５６において放射状に広がる前に冷却ガスＧ１が流通する一方向を「方向Ｄ１」という。この方向Ｄ１は、傾斜面Ｄ０に沿って延びる。方向Ｄ１は、例えば、Ｙ軸方向から見て、ワークＷの表面Ｗａに対して傾斜している。

冷却ガスノズル４６がワークＷの表面Ｗａに対して放射状に冷却ガスＧ１を吐出するためのノズルの形状（特にガス流路５１の形状）について、図７を参照しながら説明する。図７では、冷却ガスノズル４６の先端部分（吐出口５２の近傍部分）が示されており、先端部分が直方体状に形成された例が示されている。また、方向Ｄ１を紙面の上下方向又は紙面に垂直な方向に合わせた状態で、上記先端部分の正面図、下面図、及び側面図が示されている。また、Ｙ軸方向及び方向Ｄ１に直交する方向を方向Ｄ２（図７（ｂ）及び図７（ｃ）参照）とする。

吐出流路５６は、上流側に位置する第１領域５７と、下流側に位置する第２領域５８とを含む。第１領域５７は、上流側に配置されているガス流路（上述のガス流路４２ｂ及び供給流路５５）から供給される冷却ガスＧ１を方向Ｄ１に沿って流通させる。第１領域５７は、対向配置された一対の側面５７ａ，５７ｂと、対向配置された一対の壁面５７ｃ，５７ｄとによって構成される。側面５７ａ，５７ｂは、Ｙ軸方向の両端に位置して方向Ｄ１及び方向Ｄ２に沿って延在しており、互いに平行である。壁面５７ｃ，５７ｄは、Ｙ軸方向及び方向Ｄ１に沿って延在しており、互いに平行である。壁面５７ｃ，５７ｄは、方向Ｄ２において対向して配置されている。これらの側面５７ａ，５７ｂ及び壁面５７ｃ，５７ｄによって、第１領域５７が形成される。第１領域５７の断面形状は、一例として、Ｙ軸方向が長手方向となって延びる長方形となる。第１領域５７のＹ軸方向における断面積は、方向Ｄ１によらず略一定である。このような第１領域５７では、冷却ガスＧ１が方向Ｄ１に沿って流れる。

第２領域５８は、第１領域５７から供給される冷却ガスＧ１を吐出口５２に導く。第２領域５８は、第１領域５７内を方向Ｄ１に沿って流れる冷却ガスＧ１をＹ軸方向において放射状に広げるように形成されている。第２領域５８は、対向配置された一対の傾斜面５８ａ，５８ｂと、対向配置された一対の壁面５８ｃ，５８ｄとによって構成される。壁面５８ｃ，５８ｄは、それぞれ壁面５７ｃ，５７ｄに連続し、Ｙ軸方向及び方向Ｄ１に沿って延在しており、互いに平行である。そのため、第２領域５８の方向Ｄ２に沿った幅は、第１領域５７と同一となっている（図７（ｃ）参照）。壁面５７ｃ，５７ｄ及び壁面５８ｃ，５８ｄの延在方向が、傾斜面Ｄ０の延在方向に対応する。

傾斜面５８ａ，５８ｂは、第２領域５８のＹ軸方向の両端に設けられる。傾斜面５８ａ，５８ｂの上流側の一端は、側面５７ａ，５７ｂにそれぞれ接続されており、傾斜面５８ａ，５８ｂのそれぞれの下流側の一端は、吐出口５２（吐出口５２のＹ軸方向における両端部）に接続されている。

傾斜面５８ａ，５８ｂのそれぞれは、方向Ｄ１に対して傾斜している。具体的には、傾斜面５８ａは、方向Ｄ１に対して、吐出口５２に近づくにつれて傾斜面５８ｂとの距離が広がるように外側に向かって傾斜している。傾斜面５８ｂは、方向Ｄ１に対して、吐出口５２に近づくにつれて傾斜面５８ａとの距離が広がるように外側に向かって傾斜している。傾斜面５８ａ，５８ｂのそれぞれは、側面５７ａ，５７ｂとの接続部分から吐出口５２に向かうにつれて、冷却ガスノズル４６の軸Ａｘから離間する方向（外側）に向かって傾斜している。冷却ガスノズル４６の軸Ａｘは、方向Ｄ１に沿うと共に、方向Ｄ１から見た場合の吐出口５２の中心を通る仮想的な軸である。以上のように、第２領域５８の少なくとも傾斜面５８ａ，５８ｂは、吐出口５２に向かうにつれて両者の間隔が広がる逆テーパ状に形成されている。この結果、第２領域５８（吐出流路５６）のＹ軸方向における幅は、Ｙ軸方向において吐出口５２からの冷却ガスＧ１が放射状に吐出されるように、吐出口５２に近づくにつれて大きくなる。なお、傾斜面５８ａ，５８ｂの傾斜角度（方向Ｄ１に対する傾斜角度）は、略同一としてもよい。

冷却ガスノズル４６の吐出口５２は、表面Ｗａに沿った一方向に沿って延びるように形成されている。本開示において、一方向に沿って延びる形状とは、一方向における幅が当該一方向に対して直交する方向における幅に比べて大きい形状を意味する。一例では、吐出口５２は、一方向が長手方向（長軸）となり、当該一方向に対して直交する方向が短手方向（短軸）となる形状とされている。具体的には、吐出口５２は、長方形状、長手方向の端部が丸形の角丸長方形、楕円形、又はこれらに類似する形状とされる。例えば、図７（ａ）～図７（ｃ）に示されるように、吐出口５２は、Ｙ軸方向（第１方向）に沿って延びる形状を有する。図７（ａ）～図７（ｃ）に示される例では、吐出口５２は、少なくともＹ軸方向に沿って延びる長方形のスリットである。一例として、吐出口５２の一方向（Ｙ軸方向）の長さと、一方向に対して直交する方向（図７（ｂ）においてＹ軸方向に対して直交する方向Ｄ２）の長さとの比は、１００：１～１０：１とされる。この吐出口５２には、上述したように吐出流路５６から冷却ガスＧ１が送られる。

図７（ａ）～図７（ｃ）に例示される冷却ガスノズル４６では、吐出口５２は、方向Ｄ１から見て（方向Ｄ１に沿って流れるガスの下流から上流を見て）視認可能となるように形成されている。例えば、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示されるように、冷却ガスノズル４６の本体部５３には、ワークＷの表面Ｗａと対向する底面６１が設けられ得る。このとき、吐出口５２は底面６１に設けられる。吐出口５２は、方向Ｄ１から見て、底面６１のＹ軸方向における一端から他端まで延びるように形成されている。

吐出口５２は、当該吐出口５２のＹ軸方向における両端部のそれぞれがＹ軸方向から見て視認可能となるように形成されていてもよい。より詳細に説明すると、吐出口５２のうちの吐出流路５６（第２領域５８）の傾斜面５８ａ，５８ｂにそれぞれ接続される部分５２ａ，５２ｂがＹ軸方向から見て視認可能となるように吐出口５２が形成されている。なお、部分５２ａ，５２ｂがＹ軸方向から見て視認可能とは、Ｙ軸方向の一方の向きから部分５２ａが視認可能であり、Ｙ軸方向の他方の向きから部分５２ｂが視認可能であることである。

図７（ａ）～図７（ｃ）に示される例では、吐出口５２の開口縁を含んで構成される面（以下、「開口面」という。）が、方向Ｄ１に直交する開口底面と、当該開口底面に接続され且つＹ軸方向において対向する一対の開口側面とを含む。吐出口５２の開口縁とは、本体部５３の外表面と吐出口５２（吐出流路５６の端部）とを接続する稜線であり、開口面とは、当該稜線を全て含む仮想的な面である。冷却ガスノズル４６の吐出口５２は、例えば、上述の底面６１に加えて、底面６１に接続され且つＹ軸方向において互いに逆向きとなる側面６２ａ，６２ｂそれぞれにおいても開口している。この場合、吐出流路５６の傾斜面５８ａ，５８ｂよりも下流側の部分は、本体部５３をＹ軸方向に貫通している。例えば、側面６２ａ，６２ｂのそれぞれにおいて、吐出口５２は、底面６１との接続部分から方向Ｄ１に沿って延びるように形成されている。

上記の構成を有することで、冷却ガスノズル４６のガス流路５１に流れた冷却ガスＧ１は、吐出流路５６の第１領域５７及び第２領域５８を経て、吐出口５２から放射状に吐出される。その結果、表面Ｗａの上方から表面Ｗａに対して冷却ガスＧ１が吐出される。一例として、図６に示されるように、冷却ガスノズル４６は、軸Ａｘに対して、所定角度（例えば－４５°～＋４５°）の範囲内の複数の角度で特定される方向へ、冷却ガスＧ１を吐出する。

なお、冷却ガスノズル４６の吐出口５２の形状は以上の例に限られない。吐出口５２の開口縁を含む開口面が、当該開口面のＹ軸方向における中央部分が表面Ｗａに向かって突出するように形成されていてもよい。より詳細には、開口面のＹ軸方向における両端部に比べて、開口面のＹ軸方向の上記中央部分が表面Ｗａに向かって突出していてもよい。この場合も、吐出口５２のＹ軸方向における両端部のそれぞれがＹ軸方向から見て視認可能である。

例えば、図８（ａ）～図８（ｃ）に示されるように、本体部５３の底面６１は、Ｙ軸方向における中央部分が、第２領域５８の傾斜面５８ａ，５８ｂの端部から表面Ｗａに向かって突出するように湾曲している。この例では、吐出口５２の開口縁を含む開口面が、当該開口面のＹ軸方向における中央部分が表面Ｗａに向かって突出するように湾曲している。底面６１のＹ軸方向における一端（吐出口５２の部分５２ａ）は傾斜面５８ａに接続されており、底面６１のＹ軸方向における他端（吐出口５２の部分５２ｂ）は傾斜面５８ｂに接続されている。この場合も、吐出口５２のうちの傾斜面５８ａ，５８ｂに接続される部分５２ａ，５２ｂが、Ｙ軸方向から見てそれぞれ視認可能である。吐出流路５６の傾斜面５８ａ，５８ｂよりも下流側の部分は、本体部５３をＹ軸方向に貫通している。湾曲状に代えて、Ｘ軸方向から見て、上記開口面（本体部５３の底面６１）が台形状に形成されていてもよい。台形状である場合も、開口面のＹ軸方向における両端部に比べて、開口面のＹ軸方向の中央部分（上底に対応する部分）が表面Ｗａに向かって突出している。

吐出口５２のＹ軸方向における両端部がＹ軸方向のいずれの向きからも視認できないように、吐出口５２が形成されていてもよい。例えば、図９（ａ）～図９（ｃ）に示されるように、吐出口５２が、底面６１において開口しており、底面６１に接続される側面６２ａ，６２ｂにおいて開口していなくてもよい。吐出口５２のうちの傾斜面５８ａ，５８ｂに接続される部分（部分５２ａ，５２ｂ）は、Ｙ軸方向から見て視認できずに、方向Ｄ１から見て視認可能である。この場合、吐出口５２のＹ軸方向における両端部の間の距離が、底面６１のＹ軸方向における距離よりも小さい。なお、図８に示される吐出口５２（湾曲した開口面を有する吐出口５２）のＹ軸方向における幅が、湾曲した底面６１のＹ軸方向の長さよりも小さくてもよい。

図７～図９のいずれの例においても、吐出口５２及び吐出流路５６（これらの３次元形状）は、軸Ａｘを通ると共に吐出口５２が延びる方向に垂直な面（Ｘ－Ｚ平面）に関して面対称となっている。吐出口５２及び吐出流路５６を有する冷却ガスノズル４６から吐出される冷却ガスＧ１は、軸ＡｘからＹ軸方向の両側それぞれに向けて広がるように吐出される。これにより、冷却ガスノズル４６（吐出口５２）からの冷却ガスＧ１が放射状に吐出され、ワークＷの表面Ｗａにおいて、Ｙ軸方向に延びる領域に冷却ガスＧ１が到達する。

冷却ガスＧ１が放射状に吐出されることによって、図６に示されるように、表面Ｗａにおいて冷却ガスＧ１が到達する領域（以下、「到達領域ＡＲ」という。）のＹ軸方向の幅は、吐出口５２のＹ軸方向における幅よりも大きくなる。Ｙ軸方向において、到達領域ＡＲの一端と軸Ａｘとの距離は、吐出口５２の一端と軸Ａｘとの距離よりも大きく、到達領域ＡＲの他端と軸Ａｘとの距離は、吐出口５２の他端と軸Ａｘとの距離よりも大きい。到達領域ＡＲのＹ軸方向における幅は、傾斜面５８ａに沿って延びる仮想線ＩＬａが表面Ｗａと交差する点と、傾斜面５８ｂに沿って延びる仮想線ＩＬｂが表面Ｗａの交差する点との間の距離に略一致する。到達領域ＡＲのＹ軸方向における幅は、円形のワークＷの半径よりも小さくてもよい。一例では、到達領域ＡＲの上記幅は、ワークＷの半径の０．４倍～０．８倍であってもよく、０．５倍～０．７倍であってもよく、０．５５倍～０．６５倍であってもよい。

図５に戻り、乾燥ガスノズル４５と冷却ガスノズル４６とは、保持アーム４４を介して互いに接続されているので、保持アーム４４が移動すると、乾燥ガスノズル４５と冷却ガスノズル４６とが共に移動する。図５に示されるように、Ｘ軸方向（第２方向）において乾燥ガスノズル４５と冷却ガスノズル４６とは、互いに異なる位置に配置されている。Ｙ軸方向から見て、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２のワークＷの表面Ｗａにおける到達位置と、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａにおける到達位置（到達領域ＡＲ）との間のＸ軸方向における距離が、乾燥ガスノズル４５の吐出口４５ｂと冷却ガスノズル４６の吐出口５２との間のＸ軸方向における距離よりも小さくなるように、乾燥ガスノズル４５及び冷却ガスノズル４６が構成されている。

一例では、Ｙ軸方向から見て、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ１と、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ２とが、表面Ｗａの近傍（例えば、表面Ｗａ）において交差する。これにより、ノズルユニット４３が定位置に位置する場合に乾燥ガスノズル４５と冷却ガスノズル４６からそれぞれ乾燥ガスＧ２及び冷却ガスＧ１が吐出されるとすると、Ｙ軸方向から見て、乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達領域（到達位置）と、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲとが互いに重なる。

図６に示されるように、Ｘ軸方向から見て、乾燥ガスノズル４５は、冷却ガスノズル４６と重なるように配置される。例えば、乾燥ガスノズル４５のＹ軸方向における位置は、冷却ガスノズル４６におけるＹ軸方向の中央（軸Ａｘ）の位置に略一致する。この場合、Ｘ軸方向から見て、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達領域（到達位置）は、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲの中央の位置に略一致する。なお、乾燥ガスノズル４５のＹ軸方向における位置は、冷却ガスノズル４６におけるＹ軸方向の中央（軸Ａｘ）の位置と異なっていてもよい。この場合、Ｘ軸方向から見て、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達領域（到達位置）は、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲの中央の位置からずれる。

冷却ガスノズル４６の吐出口５２から吐出される冷却ガスＧ１の流速が、乾燥ガスノズル４５の吐出口４５ｂから吐出される乾燥ガスＧ２の流速よりも小さくなるように、冷却ガスノズル４６及び乾燥ガスノズル４５が構成されていてもよい。例えば、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とには略同一の流量（単位時間あたりの流量）のガスがそれぞれ供給され、吐出口５２の開口面積が吐出口４５ｂの開口面積よりも大きくなるように、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とがそれぞれ構成されている。あるいは、供給機構４１Ａから冷却ガスノズル４６に供給される冷却ガスＧ１の流量が、供給機構４１Ｂから乾燥ガスノズル４５に供給される乾燥ガスＧ２の流量よりも小さくなるように、供給機構４１Ａ，４１Ｂが制御装置１００によって制御される。

冷却ガスＧ１が吐出後に拡散しやすいように、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とが配置されていてもよい。例えば、吐出口５２が延びる方向から見て、冷却ガスＧ１の吐出方向に沿った（図５の仮想線ＩＬ１に沿った）吐出口５２と表面Ｗａとの距離が、乾燥ガスＧ２の吐出方向に沿った（図５の仮想線ＩＬ２に沿った）吐出口４５ｂと表面Ｗａとの距離よりも長くなるように、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とが配置されていてもよい。目的が異なる２種類のガスノズルから略同一の流量（単位時間あたりの流量）でガスが供給される場合でも、当該２つのガスノズルの構成（配置）によって、表面Ｗａ（より詳細には、表面Ｗａ上の処理液の液面）に与えるガスによる圧力が、処理目的に応じた程度に調節されてもよい。具体的には、冷却ガスＧ１の供給の際には、ノズルと表面との距離を大きくすることで、ワークＷの表面Ｗａが露出しないように、処理液の液面を乱さない又は処理液を吹き飛ばさない程度に冷却ガスＧ１による圧力を弱めることができる。一方、乾燥ガスＧ２の供給の際には、ノズルと表面との距離を小さくすることで、ワークＷの表面Ｗａが露出した乾燥領域Ｄ（詳細は後述する。）を形成するように、処理液に流れを作る又は処理液を吹き飛ばす程度に乾燥ガスＧ２による圧力を強めることができる。

冷却ガスＧ１と乾燥ガスＧ２とに同じ種類のガスを用いる場合には、当該ガスの供給源を共用させてもよい。具体的には、１つのガスの供給源に接続される１つの流路が、２つの流路に分岐されていてもよい。当該２つの流路のそれぞれに制御装置１００によって開閉状態の切替が可能なバルブが設けられおり、一方の流路が冷却ガスノズル４６の吐出口５２まで冷却ガスＧ１を導くガス流路４２ａに接続されており、他方の流路が乾燥ガスノズル４５の吐出口４５ｂまで乾燥ガスＧ２を導くガス流路４２ｂに接続されていてもよい。

〔処理液ノズル〕
処理液ノズル４７は、ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液Ｌ２を吐出するように構成されている。処理液ノズル４７は、例えば、表面Ｗａの上方から、表面Ｗａに対して鉛直とは異なる方向から処理液Ｌ２を吐出する。例えば、Ｙ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の吐出方向が表面Ｗａに対して傾いており、Ｘ軸方向から見て、当該吐出方向が表面Ｗａに対して略垂直である。

図５に示される例では、処理液ノズル４７は、ホルダ４８を介して保持アーム４４に接続されている。ホルダ４８は、保持アーム４４の鉛直部４４ｂの側面に接続されており、表面Ｗａに沿う方向に最も近い底面において処理液ノズル４７を保持している。処理液ノズル４７には、供給機構４１Ｃから供給される処理液Ｌ２を流通させる処理液流路４２ｃが接続されている。処理液流路４２ｃは、例えば、保持アーム４４の水平部４４ａの内部、保持アーム４４の外部、及びホルダ４８の内部に設けられていてもよい。保持アーム４４の外部に処理液流路４２ｃが設けられている場合、処理液流路４２ｃを覆う被覆材等が設けられていてもよい。処理液ノズル４７には、処理液Ｌ２の吐出方向に沿って延びる処理液流路４７ａが設けられる。処理液流路４７ａは、ホルダ４８に設けられた処理液流路４２ｃの端部から連続している。さらに、処理液ノズル４７は、処理液流路４７ａを介して供給される処理液Ｌ２を表面Ｗａに向けて吐出する吐出口４７ｂ（第３吐出口）を含む。吐出口４７ｂは、例えば、処理液ノズル４７の下端面に設けられており、その下端面において開口している。吐出口４７ｂの形状（輪郭）は、処理液Ｌ２の吐出方向から見て円形であってもよい。

処理液ノズル４７と冷却ガスノズル４６とは、保持アーム４４及びホルダ４８を介して互いに接続されているので、保持アーム４４が移動すると、処理液ノズル４７と冷却ガスノズル４６とが共に移動する。本実施形態では、乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７が、保持アーム４４等を介して互いに接続されているので、保持アーム４４の移動に伴って、これらの３つのノズルが共に移動する。図５に示されるように、Ｘ軸方向において、冷却ガスノズル４６、乾燥ガスノズル４５、及び処理液ノズル４７が互いに異なる位置に配置されている。例えば、Ｙ軸方向から見て、冷却ガスノズル４６、乾燥ガスノズル４５、及び処理液ノズル４７がこの順に配置されている。

Ｙ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２のワークＷの表面Ｗａにおける到達位置と、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａにおける到達位置（到達領域ＡＲ）との間のＸ軸方向における距離が、処理液ノズル４７の吐出口４７ｂと冷却ガスノズル４６の吐出口５２との間のＸ軸方向における距離よりも小さくなるように、処理液ノズル４７及び冷却ガスノズル４６が構成されている。なお、処理液ノズル４７と乾燥ガスノズル４５との間においても、到達位置と吐出口とについて同様の関係が成立する。

一例では、Ｙ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ３と、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ１とが、表面Ｗａの近傍（例えば、表面Ｗａ）において交差する。これにより、ノズルユニット４３が定位置に位置する場合に、Ｙ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の到達領域（到達位置）と、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲとが互いに重なり得る。本実施形態では、Ｙ軸方向から見て、上記仮想線ＩＬ１，ＩＬ３に加えて、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ２が、表面Ｗａ上の一点において互いに交差するように、ノズルユニット４３が構成されている。

Ｙ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の吐出方向の表面Ｗａに対する傾きが、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の吐出方向の表面Ｗａに対する傾きに比べて小さくなるように、乾燥ガスノズル４５及び処理液ノズル４７が構成されている。例えば、Ｙ軸方向から見て、処理液Ｌ２の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ３と表面Ｗａとのなす角（９０度以下のなす角）が、乾燥ガスＧ２の吐出方向に延びる仮想線ＩＬ２と表面Ｗａのとのなす角（９０度以下のなす角）よりも小さい。なお、乾燥ガスＧ２の吐出方向と冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の吐出方向との表面Ｗａに対する傾きについても、同様の大小関係が成立する。

図６に示されるように、処理液ノズル４７と乾燥ガスノズル４５とは、Ｙ軸方向において互いに略同一の位置に配置されていてもよい。Ｘ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達領域（到達位置）と、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達領域（到達位置）とは、互いに略一致していてもよい。図６に示される例と異なり、処理液ノズル４７と乾燥ガスノズル４５とは、Ｙ軸方向において互いに異なる位置に配置されていてもよい。Ｘ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達領域（到達位置）と、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達領域（到達位置）とは、互いに異なっていてもよい。

Ｘ軸方向から見て、乾燥ガスノズル４５と同様に、処理液ノズル４７は、冷却ガスノズル４６と重なるように配置されていてもよい。例えば、処理液ノズル４７のＹ軸方向における位置は、冷却ガスノズル４６におけるＹ軸方向の中央（軸Ａｘ）の位置に略一致する。この場合、Ｘ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達領域（到達位置）は、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲの中央の位置に略一致する。なお、処理液ノズル４７のＹ軸方向における位置が、冷却ガスノズル４６におけるＹ軸方向の中央（軸Ａｘ）の位置と異なっていてもよい。この場合、Ｘ軸方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達領域（到達位置）は、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａの到達領域ＡＲの中央の位置からずれる。

乾燥ガスノズル４５の吐出口４５ｂと表面Ｗａとの間のＺ軸方向における距離（最短距離）は、処理液ノズル４７の吐出口４７ｂとの表面Ｗａとの間のＺ軸方向における距離（最短距離）よりも大きくてもよい。吐出口４５ｂと表面Ｗａとの間のＺ軸方向における距離（最短距離）は、冷却ガスノズル４６の吐出口５２と表面Ｗａとの間のＺ軸方向における距離（最短距離）よりも大きくてもよい。以上の３つのノズルの配置関係は一例であって、３つのノズルはどのように配置されていてもよい。

〔駆動部〕
駆動部４９は、制御装置１００からの信号に基づいて、保持アーム４４を高さ方向及び水平方向（ワークＷの表面Ｗａに沿う方向）において移動させるように構成されている。駆動部４９は、例えば、上述したように保持アーム４４の水平部４４ａの基端部に接続されている。駆動部４９は、冷却ガスノズル４６の吐出口５２が延びる方向（Ｙ軸方向）において保持アーム４４を変位させるリニアアクチュエータと、Ｚ軸方向において保持アーム４４を変位させる昇降アクチュエータとを含んでいてもよい。なお、駆動部４９は、Ｘ軸方向において保持アーム４４を変位させるリニアアクチュエータを含んでいなくてもよい。

駆動部４９による保持アーム４４の変位に伴って、乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７が共に移動する。一例では、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲ（到達予定の領域）が延びる方向が、基板保持部２０に保持されているワークＷの半径方向に沿うように、駆動部４９は保持アーム４４を水平に（Ｙ軸方向に）変位させる。この場合、乾燥ガスノズル４５からの冷却ガスＧ１の到達位置（到達予定の位置）及び処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の到達位置（到達予定の位置）も、ワークＷの半径方向において変位する。

＜カバー部材＞
図４に戻り、カバー部材７０は、基板保持部２０の周囲に設けられている。カバー部材７０は、カップ本体７１と、排液口７２と、排気口７３とを含む。カップ本体７１は、ワークＷの処理のためにワークＷに供給された処理液Ｌ１，Ｌ２を受け止める集液容器として構成されている。排液口７２は、カップ本体７１の底部に設けられており、カップ本体７１によって集められた排液を液処理ユニットＵ１の外部に排出するように構成されている。

排気口７３は、カップ本体７１の底部に設けられている。排気口７３には、制御装置１００からの信号に基づいて動作することにより、カップ本体７１内の気体を排気するように構成された排気部Ｖ２が設けられている。そのため、ワークＷの周囲を流れた下降流（ダウンブロー）は、排気口７３及び排気部Ｖ２を通じて、液処理ユニットＵ１の外部に排出される。排気部Ｖ２は、例えば、開度に応じて排気量が調節可能なダンパであってもよい。排気部Ｖ２によってカップ本体７１からの排気量を調節することにより、カップ本体７１内の温度、圧力、湿度などを制御することができる。

ブロアＢは、液処理ユニットＵ１において、基板保持部２０及びカバー部材７０の上方に配置されている。ブロアＢは、制御装置１００からの信号に基づいて、カバー部材７０に向かう下降流を形成するように構成されている。ブロアＢは、ワークＷの液処理の間、下降流を常時形成するように制御されてもよい。

（制御装置）
制御装置１００は、塗布現像装置２の要素を部分的又は全体的に制御するように構成されている。制御装置１００は、少なくともノズルユニット４３と基板保持部２０とを含む液処理ユニットＵ１を制御する。制御装置１００は、図１０に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、制御装置１００の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、制御装置１００を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、塗布現像装置２の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、又は光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。当該プログラムは、塗布現像装置２の各部を動作させるように構成されていてもよい。

処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２などを動作させるための信号を生成してもよい。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信するように構成されている。

制御装置１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。制御装置１００は、図１１に示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含む。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、プロセッサＣ２と、メモリＣ３と、ストレージＣ４と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。

プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバＣ５は、塗布現像装置２の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と塗布現像装置２の各種装置（例えば、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２など）との間で、信号の入出力を行う。

塗布現像装置２は、一つの制御装置１００を備えていてもよいし、複数の制御装置１００で構成されるコントローラ群（制御ユニット）を備えていてもよい。塗布現像装置２がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置１００によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置１００の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００が複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００は、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

［基板処理方法］
続いて、図１２～図１５を参照して、基板処理方法の一例として、ワークＷの液処理方法について説明する。図１２は、液処理方法の一例を示すフローチャートである。

まず、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ３においてワークＷを処理することにより、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを塗布現像装置２に形成させる（ステップＳ１１）。次に、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、ワークＷを処理モジュールＰＭ３から露光装置３に搬送アームＡ７等により搬送させる。次に、制御装置１００とは異なる別の制御装置が、露光装置３を制御して、ワークＷの表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒを所定のパターンで露光装置３により露光させる（ステップＳ１２）。

次に、制御装置１００は、塗布現像装置２の各部を制御して、ワークＷを露光装置３から処理モジュールＰＭ４の液処理ユニットＵ１に搬送アームＡ５等により搬送させる。これにより、ワークＷは表面Ｗａが上方を向いた状態で基板保持部２０に保持される。次に、制御装置１００は、供給部３０を制御して、ワークＷの表面Ｗａ、すなわちレジスト膜Ｒの上面に、処理液Ｌ１（現像液）を供給部３０に供給させる（ステップＳ１３）。

ステップＳ１３において、制御装置１００は、供給部３０を制御して、回転していないワークＷの上方においてノズル３３を水平に移動させながら、ノズル３３から処理液Ｌ１をワークＷの表面Ｗａに向けて供給部３０に供給させてもよい。この場合、図１３（ａ）に例示されるように、処理液Ｌ１は、ワークＷの一端から他端へと順に供給される。あるいは、制御装置１００は、基板保持部２０及び供給部３０を制御して、ワークＷを基板保持部２０により回転させつつ、ワークＷの上方においてノズル３３を水平に移動させながら、ノズル３３から処理液Ｌ１をワークＷの表面Ｗａに向けて供給部３０に供給させてもよい。この場合、処理液Ｌ１は、ワークＷの中心から周縁にかけて、あるいは、ワークＷの周縁から中心にかけて、螺旋状に供給される。ステップＳ１３により、ワークＷの表面Ｗａのレジスト膜Ｒの上面全体を覆うように、処理液Ｌ１が滞留する状態が形成される。

次に、制御装置１００は、ワークＷの表面Ｗａすなわち処理液Ｌ１の上面に、供給部４０により、冷却ガスＧ１を冷却ガスノズル４６の吐出口５２から供給させる（ステップＳ１４）。制御装置１００は、ステップＳ１４において、基板保持部２０によりワークＷを回転させつつ、冷却ガスＧ１を吐出口４７ｂから表面Ｗａに向けて冷却ガスノズル４６により吐出させてもよい。このとき、ワークＷの表面Ｗａ上の処理液Ｌ１は、冷却ガスＧ１によって吹き飛ばされないほうがよい。すなわち、処理液Ｌ１が供給されている状態のワークＷの表面Ｗａが、冷却ガスＧ１の噴射によって露出しないほうがよい。処理液Ｌ１がワークＷの表面Ｗａ上に滞留した状態で冷却ガスＧ１を供給することで、冷却ガスＧ１の供給によるワークＷの表面温度を調整しながら処理液Ｌ１による処理を継続することができる。より具体的には、ワークＷの表面Ｗａのうちの冷却ガスＧ１が供給される一部の領域の温度を調整することにより、ワークＷの表面Ｗａの温度分布が調整される。

冷却ガスＧ１は、図１３（ｂ）に示されるように、ワークＷの表面Ｗａのうち中央部を少なくとも含む領域に対して噴射される。例えば、図１４に示されるように、制御装置１００は、ノズルユニット４３の駆動部４９により、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲがワークＷの半径方向に沿うと共に、到達領域ＡＲの長手方向（吐出口５２が延びる方向）における一端がワークＷの中心ＣＰに略一致するように、冷却ガスノズル４６を配置させる。以下、上記のように配置される冷却ガスノズル４６の位置を「吐出位置」と称する。制御装置１００は、冷却ガスノズル４６が上記吐出位置に配置された状態で、基板保持部２０によりワークＷを回転させる。そして、制御装置１００は、基板保持部２０によりワークＷを回転させつつ、冷却ガスノズル４６の吐出口５２から冷却ガスＧ１が吐出されるように供給部４０を制御する。

上記吐出位置の冷却ガスノズル４６の吐出口５２からの冷却ガスＧ１が、回転しているワークＷに吐出されることで、冷却ガスＧ１の表面Ｗａにおける到達領域ＡＲが延びる方向が、ワークＷの回転方向（図示の方向Ｒ１又は方向Ｒ２）に直交する。この際、上面視において（Ｚ軸方向から見て）、吐出口５２から到達領域ＡＲに向かう方向が、ワークＷの回転方向に対して順方向であってもよい（ワークＷが方向Ｒ１に回転されてもよい）。上面視において、吐出口５２から到達領域ＡＲに向かう方向が、ワークＷの回転方向に対して逆方向であってもよい（ワークＷが方向Ｒ２に回転されてもよい）。

以上のように冷却ガスノズル４６から冷却ガスＧ１が吐出されることで、到達領域ＡＲの長手方向における幅と同程度の半径を有する範囲（図示の中央部ＣＲ）において表面Ｗａ上に冷却ガスＧ１が供給される。なお、冷却ガスノズル４６が吐出位置に配置された状態において、吐出口５２からの冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲが延びる方向が、ワークＷの回転方向に対して直交ではなく交差していればよい。すなわち、到達領域ＡＲが延びる方向が、ワークＷの半径方向に対して直交していなければよい。

冷却ガスＧ１の処理液Ｌ１への噴射は、レジスト膜Ｒの現像期間中、継続されてもよい。冷却ガスＧ１の処理液Ｌ１への噴射は、例えば、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１が供給されてから、現像が完了するまで、あるいは、後続の処理が開始されるまで、継続されてもよい。ステップＳ１４において、制御装置１００は、排気部Ｖ２を制御して、カップ本体７１内からの排気を停止した状態、あるいは、カップ本体７１内から排気を継続した状態で、ワークＷの表面Ｗａへの冷却ガスＧ１の供給を行ってもよい。

次に、制御装置１００は、基板保持部２０及び供給部４０を制御して、回転中のワークＷの表面Ｗａすなわち処理液Ｌ１の上面に、供給部４０により、処理液Ｌ２（リンス液）を処理液ノズル４７から供給させる（ステップＳ１５）。これにより、図１５（ａ）に示されるように、レジスト膜Ｒのうち処理液Ｌ１との反応で溶解したレジストの溶解物が、処理液Ｌ１と共に、処理液Ｌ２によってワークＷの表面Ｗａから洗い流される（排出される）。こうして、ワークＷの表面ＷａにレジストパターンＲＰが形成される。

ステップＳ１５における処理液Ｌ２の吐出開始前に、制御装置１００は、駆動部４９により、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達領域がワークＷの中心ＣＰに位置するように処理液ノズル４７（保持アーム４４）を変位させる。本実施形態では、駆動部４９は、ワークＷの半径方向と交差する方向において変位させずに、ワークＷの半径方向において処理液ノズル４７を変位させる。ステップＳ１５において、制御装置１００は、排気部Ｖ２を制御して、カップ本体７１内から排気を継続した状態で、ワークＷの表面Ｗａへの処理液Ｌ２の供給を供給部４０に実行させてもよい。ステップＳ１５におけるカップ本体７１内からの排気量は、ステップＳ１４におけるカップ本体７１内からの排気量よりも大きくなるように設定されてもよい。

次に、制御装置１００は、回転中のワークＷの表面Ｗａ、すなわち表面Ｗａに残る処理液Ｌ２の上面に、供給部４０により、乾燥ガスＧ２を乾燥ガスノズル４５から供給させる（ステップＳ１６）。ステップＳ１６における乾燥ガスＧ２の吐出開始時点において、乾燥ガスＧ２の到達位置がワークＷの中心ＣＰに略一致するように、制御装置１００は、駆動部４９により保持アーム４４を水平に（Ｙ軸方向に）移動させてもよい。Ｙ軸方向において、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達位置と、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の表面Ｗａの到達位置とが互いに略一致している場合、保持アーム４４の上記移動が省略されてもよい。上述した乾燥ガスノズル４５と処理液ノズル４７との配置関係の一例では、少なくともＸ軸方向において、乾燥ガスＧ２の上記到達位置と処理液Ｌ２の上記到達位置とが互いに略一致する（図５参照）。そのため、処理液Ｌ２の供給から乾燥ガスＧ２の供給への切り替えの度に、少なくともＸ軸方向において保持アーム４４の位置を変更する必要がない。

ステップＳ１６において、制御装置１００は、駆動部４９により、ワークＷの上方においてワークＷの中心から周縁へと乾燥ガスノズル４５が移動するように、保持アーム４４を水平に移動させてもよい。これにより、ワークＷの略中央に存在する処理液Ｌ２が周囲に吹き飛ばされ且つ蒸発し、図１５（ｂ）に示されるように、ワークＷの中央部に乾燥領域Ｄが形成される。ここで、乾燥領域Ｄは、処理液Ｌ２が蒸発することによりワークＷの表面Ｗａが露出した状態の領域をいうが、表面Ｗａ上にごくわずかの（例えばマイクロオーダーの）液滴が付着している場合も含むものとする。この乾燥領域Ｄは、ワークＷの回転により生ずる遠心力で、ワークＷの中央部から周縁側に向けて拡がる。乾燥領域Ｄが形成された後は、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の供給が停止されてもよい。

ステップＳ１６において、制御装置１００は、排気部Ｖ２を制御して、カップ本体７１内から排気を継続した状態で、ワークＷの表面Ｗａへの乾燥ガスＧ２の供給を行ってもよい。ステップＳ１６におけるカップ本体７１内からの排気量は、ステップＳ１４におけるカップ本体７１内からの排気量よりも大きくなるように設定されてもよい。

乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の供給停止後において、ワークＷの表面Ｗａ上に残る処理液Ｌ２は、ワークＷの回転により生ずる遠心力で、ワークＷの中央部から周縁側に向けて拡がる。その後、ワークＷの表面Ｗａ上の処理液Ｌ２がワークＷの周縁部から振り切られると、ワークＷの乾燥が完了する。以上により、ワークＷの液処理が終了する。

［実施形態の効果］
以上に説明したノズルユニット４３では、冷却ガスノズル４６の第１方向（Ｙ軸方向）に延びる吐出口５２から冷却ガスＧ１が放射状に吐出される。そのため、ワークＷの表面Ｗａのうちの吐出口５２の第１方向の幅よりも長い到達領域ＡＲに対して、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１が供給される。これにより、上記到達領域ＡＲをワークＷの中央部に合わせて冷却ガスＧ１を吐出することができ、その結果、現像処理の実行時において冷却ガスＧ１を供給することによって、冷却ガスＧ１が吐出された領域であるワークＷの中央部が、周縁部よりも冷却される。したがって、ワークＷ面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

現像処理において、詳細には現像液をワークＷの表面Ｗａに供給した後に、リンス液を供給するまでの間において、冷却ガスＧ１を用いない場合、筐体内の排気等の影響により、ワークＷの周縁部から放熱が促進されやすい。そのため、ワークＷの面内に温度差が生ずることがあり、その結果、面内において現像速度が異なってしまい、ワークＷ面内におけるレジストパターンの線幅にばらつきが生じうる。これに対して、上記実施形態に係るノズルユニット４３においては、冷却ガスＧ１が供給された部分の現像液上面近傍の雰囲気が置換されて他部分よりもその部分での現像液の気化が進むことによる気化熱で冷却が進むと考えられる。また、冷却ガスＧ１は、ある程度の圧力を持って冷却ガスノズル４６から供給されるため、冷却ガスノズル４６から吐出された後に膨張する。その結果、冷却ガスＧ１自体の温度が下がり（断熱膨張冷却）、ワークＷの表面Ｗａのうち冷却ガスＧ１が吐出された領域が冷却されると考えられる。このように、冷却ガスＧ１の供給によって、ワークＷの表面Ｗａを局所的に冷却できることを利用して、ワークＷ面内における温度分布の均一性を向上させることができる。そのため、ワークＷ面内におけるレジストパターンの線幅のばらつきを低下させることが可能となる。

以上の実施形態の一例では、吐出口５２のうちの第１方向における両端部のそれぞれが第１方向から見て視認可能となるように、冷却ガスノズル４６が構成されている。この場合、第１方向における吐出口５２の長さの増大を抑制しつつ、ワークＷ上のより広い範囲に冷却ガスＧ１を吐出することができる。したがって、ノズルユニット４３を簡素化することが可能となる。

以上の実施形態の一例では、吐出口５２の開口縁を含む面（開口面）の第１方向における中央部分が、表面Ｗａに向かって突出している。この場合、吐出口５２の中央付近（軸Ａｘ）と、吐出口５２のＹ軸方向の両端部との間で、ガス流路５１において開口面までの流路の長さの差が小さくなる。これにより、開口面内において吐出される冷却ガスＧ１の流速の均一性を向上させることができ、その結果、冷却ガスＧ１の表面Ｗａにおける到達領域ＡＲ内において、冷却ガスＧ１による冷却の程度について均一化を図ることができる。したがって、ワークＷ面内における温度分布の均一性を更に向上させることが可能となる。例えば、図７に示される例では、正面から見た際の角部において流路が他の部分よりも長くなり、その角部での流速が弱まる場合がある。図８に示される例では、吐出口５２の開口縁を含む面（開口面）が湾曲しており、正面から見た際に角部が存在しないので、流速が他の部分に比べて弱まるおそれがなく、流速の均一性を更に向上させることができる。

以上の実施形態に係るノズルユニット４３は、表面Ｗａに向けて乾燥ガスＧ２を吐出する吐出口４５ｂを有する乾燥ガスノズル４５と、表面Ｗａに沿って、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とを共に移動させる駆動部４９とを更に備える。この場合、一の駆動部４９によって２つのノズルを移動できるので、これらの２つのノズルを個別の駆動部で移動させる場合に比べて、駆動部４９を含むノズルユニット４３を簡素化することが可能となる。

以上の実施形態では、冷却ガスノズル４６の吐出口５２から吐出される冷却ガスＧ１の流速は、乾燥ガスノズル４５の吐出口４５ｂから吐出される乾燥ガスＧ２の流速よりも小さい。この場合、表面Ｗａ上の液を吹き飛ばさない程度のガスが必要な処理と、表面Ｗａ上の液を吹き飛ばす程度のガスが必要な処理とに、冷却ガスノズル４６と乾燥ガスノズル４５とを使用することが可能となる。

以上の実施形態に係るノズルユニット４３は、表面Ｗａに向けて処理液Ｌ２を吐出する吐出口４７ｂを有する処理液ノズル４７を更に備える。駆動部４９は、冷却ガスノズル４６、乾燥ガスノズル４５、及び処理液ノズル４７を共に移動させる。この場合、一の駆動部４９によって３つのノズルを移動できるので、これらの３つのノズルを個別に移動させる駆動部を備える場合に比べて、ノズルユニット４３を簡素化することが可能となる。

以上の実施形態では、第１方向に直交すると共に表面Ｗａに沿う第２方向（Ｘ軸方向）において、冷却ガスノズル４６と処理液ノズル４７とは互いに異なる位置に配置されている。冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の表面Ｗａにおける到達位置（到達領域ＡＲ）と、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の表面Ｗａにおける到達位置との間の第２方向における距離が、冷却ガスノズル４６の吐出口５２と処理液ノズル４７の吐出口４７ｂとの間の第２方向における距離よりも小さくなるように、冷却ガスノズル４６及び処理液ノズル４７が構成されている。この場合、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１を使用した処理（ステップＳ１４）と、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２を用いた処理（ステップＳ１５）との間の切り替え時間を短縮することが可能となる。

以上の実施形態では、第２方向において、乾燥ガスノズル４５と処理液ノズル４７とは互いに異なる位置に配置されている。第１方向から見て、処理液ノズル４７からの処理液Ｌ２の吐出方向の表面Ｗａに対する傾きが、乾燥ガスノズル４５からの乾燥ガスＧ２の吐出方向の表面Ｗａに対する傾きに比べて小さくなるように、乾燥ガスノズル４５及び処理液ノズル４７が構成されていてもよい。この場合、処理液ノズル４７から表面Ｗａに対して略垂直に処理液Ｌ２を吐出する場合に比べて、処理液ノズル４７から吐出される処理液Ｌ２による表面Ｗａにおける影響を、抑制することが可能となる。

以上の実施形態では、第２方向において、冷却ガスノズル４６、乾燥ガスノズル４５、及び処理液ノズル４７がこの順で配置されている。この場合、乾燥ガスノズル４５及び冷却ガスノズル４６へのガスの供給路が短くなるようにノズルユニット４３を構成することが可能となる。

以上の実施形態に係る塗布現像装置２は、ノズルユニット４３と、表面Ｗａが上方を向いた状態のワークＷを保持して回転させる基板保持部２０と、ノズルユニット４３と基板保持部２０とを制御する制御装置１００と、を備える。制御装置１００は、基板保持部２０によりワークＷを回転させた状態で、表面Ｗａにおいて冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲが延びる方向がワークＷの回転方向（方向Ｒ１，Ｒ２）に交差するように冷却ガスノズル４６に冷却ガスＧ１を吐出させることで、冷却ガスノズル４６により表面Ｗａのうち中央部ＣＲを含む領域にガスを供給させる。この場合、冷却ガスノズル４６から吐出される冷却ガスＧ１を表面Ｗａの中央部ＣＲにおいて周方向に沿っても拡散されることができ、ワークＷの周縁部に比べて中央部ＣＲの温度を減少させることができる。したがって、ワークＷ面内において中央部と周縁部との温度差を小さくすることが可能となる。

以上の実施形態に係る液処理方法では、ガス（冷却ガスＧ１）を供給することによって、ガスが供給された領域では、ワークＷが冷却される。ここで、ワークＷの周方向と比べて半径方向へ拡散するようにガスを供給することで、周縁部よりも中央部が冷却される。したがって、ワークＷの面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

以上の実施形態では、ワークＷ上に滞留する処理液Ｌ１へ向けてガスを供給する間は、ガスの供給による処理液Ｌ１の移動によってワークＷの表面が露出しないように、ガスの流量及び流速が調整されてもよい。この場合、ガスがその衝撃によって処理液Ｌ１の膜を荒らすまたは崩すような液処理への悪影響が生じないように、薬液の温度感度（冷却感度）に合った適切なワークＷ上の一部の領域の冷却を行うことができる

図１６及び図１７を用いて、本実施形態の効果について更に説明する。図１６（ａ）は、冷却ガスの供給を行わなかった場合、すなわち上述のステップＳ１４（図１２参照）が省略された場合でのワークＷの表面Ｗａにおける温度分布（面内温度分布）を示す図である。図１６（ａ）に示される表面Ｗａの各温度は、ステップＳ１３の現像液の供給が終了した後、レジスト膜Ｒの現像が進行した所定時間経過後に測定された結果である。一方、図１６（ｂ）は、ステップＳ１４の冷却ガスの供給を行った場合でのワークＷの表面Ｗａの面内温度分布を示す図である。図１６（ｂ）に示されるワークＷの各温度は、ステップＳ１４を行いつつ、ステップＳ１３が終了してから上記と同じ所定時間が経過した後に、表面Ｗａにおける温度が測定された結果である。

図１６（ａ）及び図１６（ｂ）では、温度の大きさが色の濃さで示されており、色が濃い領域ほど、測定された温度が高いことを示している。図１６（ａ）に示される結果から、冷却ガスを供給しなかった場合、ワークＷの周縁部に比べて中央部の温度が高いことがわかる。一方、図１６（ｂ）に示される結果から、冷却ガスをワークＷの中央部に供給することで、中央部の温度が周縁部と同程度まで低下し、中央部と周縁部との間の温度差が図１６（ａ）に示される結果に比べて小さいことがわかる。

図１７には、面内線幅分布のばらつき（標準偏差）の比較結果が示されている。図１７では、冷却ガスを供給しなかった場合の上記標準偏差を１００としたときの比較結果が示されており、冷却ガスを供給した場合には、標準偏差が７１まで低下している。すなわち、冷却ガスを供給することで面内線幅分布の均一性が３０％程度向上していることがわかる。

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

（冷却ガスの供給方法について）
上記の一連の手順の説明では、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の供給については、種々の手法を採用できることについて説明した。ただし、冷却ガスＧ１の処理液Ｌ１への噴射のタイミングおよび手法を最適化することで、ワークＷの表面Ｗａにおける面内温度分布の均一性を向上させることができる。この結果、例えば、処理後（現像後）のワークＷにおけるレジスト膜Ｒの線幅（ＣＤ）の均一性を向上させることができる。この点について説明する。

まず、冷却ガスＧ１の供給タイミングに係る検討を行った結果について説明する。図１２でも説明したように、冷却ガスＧ１の供給は、ワークＷの表面Ｗａ（レジスト膜Ｒの上面）に、処理液Ｌ１（現像液）を供給部３０に供給させた（ステップＳ１３）後に行われる。また、冷却ガスＧ１の供給は、ワークＷの表面Ｗａ（処理液Ｌ１）の上面に、処理液Ｌ２（リンス液）を処理液ノズル４７から供給させる（ステップＳ１５）前に行われる。

制御装置１００は、ワークＷの表面Ｗａへの処理液Ｌ１の供給（ステップＳ１３）が終わった後から、処理液Ｌ２（リンス液）の供給（ステップＳ１５）を開始するまでの間に、処理液Ｌ１がワークＷの表面Ｗａに滞留する時間を確保する。このワークＷの表面Ｗａへの処理液Ｌ１の供給（ステップＳ１３）と処理液Ｌ２（リンス液）の供給（ステップＳ１５）の間は、処理液Ｌ１がワークＷの表面Ｗａに滞留した状態を維持する時間帯であるので、この時間帯を「維持期間」ということとする。上記の維持期間には、冷却ガスＧ１の供給（ステップＳ１４）を行うための時間が含まれる。冷却ガスＧ１の供給は、ワークＷの表面Ｗａへの処理液Ｌ１の供給（ステップＳ１３）と処理液Ｌ２（リンス液）の供給（ステップＳ１５）の間の維持期間全てにおいて行われる必要はなく、その一部においてのみ行われていてもよい。

維持期間のうちの一部において冷却ガスＧ１の供給を行う場合の一例として、維持期間のうち前半の期間は冷却ガスＧ１の供給は行わず、維持期間のうち後半の期間において冷却ガスＧ１の供給を行う構成としてもよい。すなわち、維持期間のうち前半の時間は、冷却ガスＧ１の供給を行わない期間（非供給期間）としてもよい。ここでの非供給時間とは、例えば、冷却ガスノズル４６を含む液処理ユニットＵ１の各部の移動、ガスまたは処理液の流路に設けられるバルブの開閉等、通常の液処理に係る動作に由来して冷却ガスＧ１の供給が停止され得る期間よりも長い期間である。

このように後半の期間のみ冷却ガスＧ１の供給を行う構成とすることで、維持期間が経過する途中の段階でのワークＷの表面Ｗａにおける温度差を小さくすることができ、ワークＷ面内におけるレジストパターンの線幅の均一性を向上させることができる。この点について、図１８及び図１９を参照しながら説明する。

図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、冷却ガスＧ１をワークＷの表面Ｗａに供給することによるワークＷの表面Ｗａの温度変化を測定したものである。図１８（ａ）は、維持期間Ｔの全期間にわたって冷却ガスＧ１を供給した場合の結果を示している。また、図１８（ｂ）は、維持期間の前半の期間Ｔ１は冷却ガスＧ１を供給せず、後半の期間Ｔ２において冷却ガスＧ１を供給した場合の結果を示している。また、図１８（ａ）、（ｂ）のそれぞれでは、温度測定点のワークＷの中心からの距離が０ｍｍ，９ｍｍ，３７ｍｍ，７４ｍｍ，１１０ｍｍ，１４７ｍｍである測定点における温度変化の結果を示している。この評価に用いたワークＷは、半径が１４７ｍｍの円板状である。なお、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）では、冷却ガスＧ１を供給する冷却ガスノズル４６の配置は同じ条件としている。具体的には、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲがワークＷの半径方向に沿うと共に、到達領域ＡＲの長手方向の中心が、ワークＷの中心から５０ｍｍ外方に移動した位置となるように冷却ガスノズル４６を配置させる。到達領域ＡＲの長手方向の中心とは、吐出口５２が延びる方向における中心を指す。

図１８（ａ）に示すように、維持期間Ｔの全期間で冷却ガスＧ１を供給した場合、冷却ガスＧ１の供給時からの時間経過（維持期間Ｔの開始時刻からの時間経過）に応じて測定地点間の温度差が大きくなっている。一方、図１８（ｂ）に示す結果によれば、維持期間の前半の期間Ｔ１及び後半の期間Ｔ２のいずれの期間においても、測定地点間の温度差が図１８（ａ）に示す結果よりも小さくなっている。処理液Ｌ１を供給した後のワークＷの表面Ｗａにおいて、各時刻での各地点での温度差は、処理液Ｌ１による処理（例えば、処理液Ｌ１が現像液である場合には、現像液による現像）の進行に影響を与える場合がある。そのため、維持期間Ｔ中の各時刻における測定地点間の温度差は、ワークＷの表面Ｗａにおける処理液Ｌ１による処理の結果のばらつきと関連すると考えられる。このため、図１８（ｂ）に示すように、維持期間の一部において冷却ガスＧ１を供給する構成とすることで、ワークＷの表面Ｗａにおける処理の進捗のばらつきを抑制することができる。また、その結果、処理の結果のばらつきを抑制することができる。

なお、図１９では、維持期間のうち前半の期間Ｔ１において冷却ガスＧ１の供給を行い、維持期間のうち後半の期間Ｔ２は冷却ガスＧ１の供給を行わない場合のワークＷの表面Ｗａの温度変化をシミュレーションした結果を示している。つまり、図１８（ｂ）で示した条件と比べて、冷却ガスＧ１を供給する期間及び供給しない期間を入れ替えたものである。また、図１９では、ワークＷの周縁部（Ｅｄｇｅ）と、中心（Ｃｅｎｔｅｒ）と、のシミュレーション結果を示している。図１９に示すように、維持期間のうち前半の期間Ｔ１において冷却ガスＧ１の供給を行った場合、維持期間が終了するまで（後半の期間Ｔ２が終了するまで）、冷却ガスＧ１の供給時からの時間経過に応じて測定地点間の温度差が大きくなった状態が維持される。この傾向は、維持期間Ｔの開始時刻からの時間経過に応じて測定地点間の温度差が大きくなっている図１８（ａ）に示す結果と類似している。なお、後半の期間Ｔ２では温度差が小さくなっているが、図１９に示すようにある程度の温度差が後半の期間Ｔ２の終盤まで維持されている。この点から、図１８（ｂ）に示す条件としたほうが、ワークＷの表面Ｗａにおける処理の進捗のばらつきを抑制することができる。
すなわち、維持期間の後半の期間Ｔ２に冷却ガスＧ１を供給し、前半の期間Ｔ１は冷却ガスＧ１を供給しない期間（非供給期間）とすることで、冷却ガスＧ１の供給によるワークＷの表面Ｗａにおける処理の結果のばらつきを抑制する効果が高められると考えられる。

図２０は、処理液Ｌ１を現像液とした場合に、維持期間全体における冷却ガスＧ１を供給する期間の割合とワークＷ面内におけるレジストパターンの線幅のばらつきとの対応関係を評価した結果を示している。図２０では、横軸の割合０％とは冷却ガスＧ１を供給していない結果を示していて、割合１００％とは維持期間全体において冷却ガスＧ１を供給した結果を示している。また、０％と１００％との間の横軸の各数字は、図１８（ｂ）に示す結果と同様に後半の期間Ｔ２に冷却ガスＧ１を供給するとした場合に、冷却ガスＧ１を供給する後半の期間Ｔ２を維持期間全体に対してどの程度変化させたかを示している。例えば、割合７２％とは、維持期間全体のうち、前半の期間Ｔ１（非供給期間）の割合が２８％であって、後半の期間Ｔ２の冷却ガスＧ１の供給期間の割合７２％であるように冷却ガスＧ１の供給時間を制御したことを示している。また、縦軸の３ｓｉｇｍａとは、各条件におけるレジストパターンの線幅の測定結果のばらつきに係る３ｓｉｇｍａを示している。

また、図２１は、図２０に示す各条件のうち、割合４５％、割合６３％、割合８１％の条件におけるワークＷの表面Ｗａにおける線幅（ＣＤ）の分布（面内線幅（ＣＤ）分布）を示す図（コンター図）である。図２１（ａ）が割合４５％での結果を示し、図２１（ｂ）が割合６３％での結果を示し、図２１（ｃ）が割合８１％での結果を示している。いずれも、冷却ガスＧ１の供給に係る維持期間が経過した後に測定された結果である。なお、図２１についても図１６と同様に線幅（ＣＤ）の大きさが色の濃さで示されており、色が濃い領域ほど、測定された線幅（ＣＤ）が大きいことを示している。

図２０に示す結果では、割合３６％～割合８１％の結果は、いずれも３ｓｉｇｍａが同程度であり、線幅のばらつきは同程度であると推定される。一方、図２１に示す結果によれば、３ｓｉｇｍａが同程度であったとしても、図２１（ａ）（割合４５％）及び図２１（ｃ）（割合８１％）に示す結果によれば、ワークＷの周縁部に比べて中央部の線幅が小さい（細い）ことがわかる。一方、図２１（ｂ）（割合６３％）に示される結果では、ワークＷの中央と周縁部との間で線幅の偏りが小さくなっていることが確認された。このように、３ｓｉｇｍａが同程度であっても、面内に線幅の偏りが生じる場合とそうでない場合が存在する。上記の図２０に示すレジストパターンの線幅の３ｓｉｇｍａの結果と、ワークＷの表面Ｗａにおける面内の線幅（ＣＤ）の偏りを示す図２１に示す結果と、の組み合わせから、冷却ガスＧ１を供給する際の最適時間を特定することができる。

図２０，２１によれば、例えば、維持期間のうち、後半の期間Ｔ２における冷却ガスＧ１の供給時間の割合を割合６３％とした場合、割合４５％，８１％の場合と比較すると、レジストパターンの線幅のばらつきは同程度に小さくすることができる（図２０）。一方、後半の期間Ｔ２における冷却ガスＧ１の供給時間の割合を６３％にした場合、割合４５％，８１％の場合と比較して、面内の線幅の偏りを小さくすることができる。なお、この条件は、レジスト液、現像液の種類、レジストパターンの大きさ、冷却ガスＧ１の供給量（速度）等によっても大きく変わることが考えられる。したがって、製造条件の変更に応じて冷却ガスＧ１を供給するタイミングの調整等を行うことによって、製造条件に応じたレジストパターンの線幅のばらつきをより抑制することが可能な冷却ガスＧ１の供給条件を特定することができる。

図２２は、冷却ガスＧ１の供給位置を変更した場合にレジストパターンの線幅のばらつきがどの程度変化するかを評価した結果を示している。図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、いずれもワークＷの表面Ｗａに対する冷却ガスノズル４６以外は同じ条件で処理を行った場合の結果を示している。いずれにおいても、冷却ガスノズル４６からの冷却ガスＧ１の到達領域ＡＲがワークＷの半径方向に沿うように冷却ガスノズル４６を配置した。さらに、到達領域ＡＲの長手方向（吐出口５２が延びる方向）の中心が、ワークＷの中心からそれぞれ３０ｍｍ、５０ｍｍ、７０ｍｍ、９０ｍｍ、１００ｍｍ、１１０ｍｍ外方に移動した位置となるように冷却ガスノズル４６を配置した。なお、冷却ガスノズル４６による到達領域ＡＲの長手方向の長さは８０ｍｍ程度であり、ワークＷの半径は１４７ｍｍである。したがって、「中心から３０ｍｍ」の場合には、到達領域ＡＲがワークＷの中心と重なっている状態となっている。図２２におる横軸は上記の「中心からの距離」を示している。また、縦軸の３ｓｉｇｍａとは、各条件におけるレジストパターンの線幅の測定結果のばらつきに係る３ｓｉｇｍａを示している。なお、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、互いに異なるタイミングで評価を行った結果を示している。そのため、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）の両方に「９０ｍｍ」の結果が含まれているが、縦軸の３ｓｉｇｍａの結果が変化している。

図２２（ａ）に示す結果によれば、中心からの距離が大きくなるにつれて３ｓｉｇｍａが小さくなっているため、冷却ガスノズル４６を中心から外方へ移動させることによって、ワークＷのレジストパターンの線幅のばらつきが小さくなっている。一方、図２２（ｂ）に示す結果によれば、冷却ガスノズル４６の中心からの距離が１００ｍｍである場合にワークＷのレジストパターンの線幅のばらつきが小さくなっている。このことから、冷却ガスノズル４６の中心からの距離が１００ｍｍとなるように冷却ガスノズル４６を配置することで、レジストパターンの線幅のばらつきを抑制することができる。なお、この条件についても、レジスト液、現像液の種類、レジストパターンの大きさ、冷却ガスＧ１の供給量（速度）等によっても大きく変わることが考えられる。したがって、製造条件の変更に応じて冷却ガスＧ１を供給する冷却ガスノズル４６の位置の調整を行うことによって、製造条件に応じたレジストパターンの線幅のばらつきを抑制することが可能な冷却ガスＧ１の供給条件を特定することができる。

以上の変形例のように、ワークＷ上に処理液Ｌ１が滞留した状態をワークＷ上の全体（概ね全体）に形成してから、基板上から処理液の排除を開始するまでの維持期間Ｔにおいて、ガスを供給しない非供給期間が含まれてもよい。この場合、維持期間Ｔのうちガスを供給しない非供給期間を設けることで、ガスによるワークＷの冷却状況を調整することができる。したがって、面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。

また、非供給期間は、維持期間のうちの前半に設けられてもよい。維持期間Ｔのうちの前半に非供給期間を設けることで、維持期間全体にわたってワークＷの面内における温度分布の均一性を向上させることが可能となる。なお、非供給期間よりも前にもガスを供給する期間を設けてもよい。このように、維持期間のうちどの期間を非供給期間とするかは特に限定されず、適宜変更することができる。

また、ワークＷを回転しながらガスの供給を行い、ガスを、ワークＷ上において基板の中心を含まない領域に到達するように供給してもよい。上記で説明したように、ワークＷを回転しながらガスを供給する場合、ワークＷの中心にガスが到達するように冷却ガスノズル４６を配置すると、ワークＷの中心と周縁部側との間で、ガスの供給量に差が生じ得る。このため、中心にガスが到達しないように供給位置を調節することで、ガスによる冷却をより均一に行うことができる。

（他の変形例について）
次に、冷却ガスＧ１の供給条件以外の変形例について説明する。上述した例のノズルユニット４３では、乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７が互いに接続され、一つの駆動部４９によって共に移動するが、ノズルユニット４３は、いずれか２つのノズルを移動させる駆動部と、残りの１つのノズルを移動させる駆動部とを有してもよい。この場合、一の駆動部によって移動する２つのノズルが互いに接続され、他の駆動部によって移動する１つのノズルが上記２つのノズルと接続されていなくてもよい。あるいは、ノズルユニット４３は、これらの３つのノズルを個別に移動させる３つの駆動部を有してもよく、これらの３つのノズルが互いに接続されていなくてもよい。なお、ノズルユニット４３は、乾燥ガスノズル４５と処理液ノズル４７との少なくとも一方を有していなくてもよい。

上述した例のノズルユニット４３では、Ｙ軸方向（吐出口５２が延びる方向）から見て、乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７からのガス又は処理液の表面Ｗａにおける到達位置が互いに略一致するが、到達位置の互いに関係はこれに限られない。これらの３つのノズルのうちのいずれか２つのノズルによるガス等の到達位置が互いに略一致し、他の１つのノズルによるガス等の到達位置が上記２つのノズルによる到達位置と異なっていてもよい。３つのノズルによるガス等の到達位置が互いに異なっていてもよい。これらの到達位置に応じて、３つのノズルの吐出口からのガス等の吐出方向が上述の例とは異なる方向であってもよい。

Ｘ軸方向における乾燥ガスノズル４５、冷却ガスノズル４６、及び処理液ノズル４７の配置（順序）は上述の例に限られず、これらの３つのノズルがいずれの順序で配置されていてもよい。これらの３つのノズルの吐出口の高さ関係は上述の例に限られず、いずれのノズルの吐出口が他の２つのノズルの吐出口よりも高くてもよく、いずれか２つのノズルの高さ位置が互いに略一致していてもよく、３つのノズルの吐出口の高さ位置が互いに略一致していてもよい。

現像処理以外の液処理を行う液処理ユニットＵ１が、上述と同様のノズルユニット４３を有していてもよい。塗布現像装置２（基板処理システム１）は、上述の例に限られず、少なくとも、一方向に沿って延びる吐出口を含み且つガスを放射状に吐出するガスノズルを有するノズルユニットを備えていれば、どのように構成されていてもよい。

２…塗布現像装置、Ｕ１…液処理ユニット、２０…基板保持部、４３…ノズルユニット、４５…乾燥ガスノズル、４５ｂ…吐出口、４６…冷却ガスノズル、４７…処理液ノズル、４７ｂ…吐出口、４９…駆動部、５２…吐出口、５６…吐出流路、１００…制御装置、Ｗ…ワーク、Ｗａ…表面。

Claims (15)

1. 溶液を用いた液処理を基板に対して施す液処理装置用のノズルユニットであって、
   ガスを流通させる吐出流路と、前記吐出流路を流れる前記ガスを前記基板の表面に向けて吐出する吐出口とを有するガスノズルを備え、
   前記吐出口は、前記表面に沿った第１方向に延びるように形成されており、
   前記吐出口からの前記ガスが放射状に吐出されるように、前記吐出流路の前記第１方向における幅が前記吐出口に近づくにつれて大きくなる、ノズルユニット。
2. 前記吐出口のうちの前記第１方向における両端部のそれぞれが前記第１方向から見て視認可能となるように、前記ガスノズルが構成されている、請求項１に記載のノズルユニット。
3. 前記吐出口の開口縁を含む面の前記第１方向における中央部分が、前記表面に向かって突出している、請求項２に記載のノズルユニット。
4. 前記表面に向けて第２ガスを吐出する第２吐出口を有する第２ガスノズルと、
   前記表面に沿って、前記ガスノズルと前記第２ガスノズルとを共に移動させる駆動部とを更に備える、請求項１～３のいずれか一項に記載のノズルユニット。
5. 前記吐出口から吐出される前記ガスの流速は、前記第２吐出口から吐出される前記第２ガスの流速よりも小さい、請求項４に記載のノズルユニット。
6. 前記表面に向けて処理液を吐出する第３吐出口を有する処理液ノズルを更に備え、
   前記駆動部は、前記ガスノズル、前記第２ガスノズル、及び前記処理液ノズルを共に移動させる、請求項４又は５に記載のノズルユニット。
7. 前記第１方向に直交すると共に前記表面に沿う第２方向において、前記ガスノズルと前記処理液ノズルとは互いに異なる位置に配置されており、
   前記ガスノズルからの前記ガスの前記表面における到達位置と、前記処理液ノズルからの前記処理液の前記表面における到達位置との間の前記第２方向における距離が、前記吐出口と前記第３吐出口との間の前記第２方向における距離よりも小さくなるように、前記ガスノズル及び前記処理液ノズルが構成されている、請求項６に記載のノズルユニット。
8. 前記第２方向において、前記第２ガスノズルと前記処理液ノズルとは互いに異なる位置に配置されており、
   前記第１方向から見て、前記処理液ノズルからの前記処理液の吐出方向の前記表面に対する傾きが、前記第２ガスノズルからの前記第２ガスの吐出方向の前記表面に対する傾きに比べて小さくなるように、前記第２ガスノズル及び前記処理液ノズルが構成されている、請求項７に記載のノズルユニット。
9. 前記第２方向において、前記ガスノズル、前記第２ガスノズル、及び前記処理液ノズルがこの順で配置されている、請求項７又は８に記載のノズルユニット。
10. 請求項１～９のいずれか一項に記載のノズルユニットと、
    前記表面が上方を向いた状態の前記基板を保持して回転させる基板保持ユニットと、
    前記ノズルユニットと前記基板保持ユニットとを制御する制御ユニットとを備え、
    前記制御ユニットは、前記基板保持ユニットにより前記基板を回転させた状態で、前記表面において前記ガスの到達領域が延びる方向が前記基板の回転方向に交差するように前記ガスノズルに前記ガスを吐出させることで、当該ガスノズルにより前記表面のうち中央部を含む領域に前記ガスを供給させる、液処理装置。
11. 基板上に処理液が滞留した状態を維持しながら、前記基板上に滞留する前記処理液の上面のうち少なくとも周縁部より内側の領域に対して、前記基板の周方向と比べて半径方向へ拡散するように、前記処理液の上方からガスを供給する、液処理方法であって、
    前記ガスの供給を、前記基板を回転しながら行う、液処理方法。
12. 前記基板上に滞留する前記処理液へ向けて前記ガスを供給する間は、前記ガスの供給による前記処理液の移動によって前記基板の表面が露出しないように、前記ガスの流量及び流速が調整される、請求項１１に記載の液処理方法。
13. 前記基板上に処理液が滞留した状態を前記基板上の全体において形成してから、前記基板上から前記処理液の排除を開始するまでの維持期間において、前記ガスを供給しない非供給期間が含まれる、請求項１１または１２に記載の液処理方法。
14. 前記非供給期間は、前記維持期間のうちの前半に設けられる、請求項１３に記載の液処理方法。
15. 前記ガスを、前記基板上において前記基板の中心を含まない領域に到達するように供給する、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の液処理方法。

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