JP2024063536A - 評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 - Google Patents
評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024063536A JP2024063536A JP2022171581A JP2022171581A JP2024063536A JP 2024063536 A JP2024063536 A JP 2024063536A JP 2022171581 A JP2022171581 A JP 2022171581A JP 2022171581 A JP2022171581 A JP 2022171581A JP 2024063536 A JP2024063536 A JP 2024063536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distribution
- substrate
- posterior
- parameter
- posterior distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 358
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 89
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 23
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000002790 cross-validation Methods 0.000 claims description 8
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】基板上の領域の配列を高精度に求めるのに有利な新たな技術を提供する。【解決手段】基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、を有することを特徴とする評価方法を提供する。【選択図】図7
Description
本発明は、評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置に関する。
露光装置は、基板上に10層以上のパターン(回路パターン)を重ね合わせて転写するが、各層間でのパターンの重ね合わせ精度が良好でない場合には、回路特性に不都合が生じることがある。このような場合、チップが所期の特性を満たさず、チップが不良品となり、歩留まりを低下させてしまう。従って、基板上において露光すべき複数の領域(ショット領域)のそれぞれと原版のパターンとを精密に位置合わせ(アライメント)する必要がある。
露光装置では、基板上の各領域に配置されたアライメントマークを検出し、かかるアライメントマークの位置情報と原版のパターンの位置情報とに基づいて、基板上の各領域を原版のパターンに対してアライメントしている。理想的には、基板上の全ての領域に対してアライメントマークの検出を行うことで、最も高精度なアライメントが可能となるが、生産性の観点から現実的ではない。そこで、基板と原版とのアライメント方式としては、現在、グローバルアライメント方式が主流となっている(特許文献1及び2参照)。
グローバルアライメント方式では、基板上の各領域の相対位置が領域の位置座標の関数モデルで表現できると想定し、基板上の複数(4~16個)のサンプル領域のみに配置されたアライメントマークの位置を計測する。次いで、想定した関数モデル及びアライメントマークの位置の計測結果から回帰分析的な統計演算処理を用いて、関数モデルのパラメータを推定する。そして、パラメータ及び関数モデルを用いて、ステージ座標系における各領域の位置座標(基板上の領域の配列)を算出してアライメントを行う。グローバルアライメント方式では、一般的に、ステージ座標を変数とする多項式モデルが用いられ、ステージ座標の1次の多項式であるスケーリング、回転、一律オフセットなどが主に用いられている(特許文献3参照)。また、基板上の領域の配列の高次成分もパラメータとして考慮した回帰モデルを用いた技術も提案されている(特許文献4参照)。
デバイスの微細化や高集積化に伴い、アライメント精度の改善が要求されているため、関数モデルの多項式次数もより高次成分を用いることで関数モデルの自由度を高める必要がある。しかしながら、関数モデルの自由度に対して基板内のアライメントマークの位置を計測すべき計測点が少ない場合、過学習(Overfitting)が起こるため、未計測領域の補正誤差が増大する。一方、過学習を抑制するために、アライメントマークの位置を計測すべき計測点を増やすと、計測時間が増加して生産性が低下する。これらは、トレードオフの関係にあるため、少ない計測点、且つ、高い自由度のモデル関数を用いて、高次成分を含む基板上の領域の配列を高精度に予測することができる技術が求められている。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上の領域の配列を高精度に求めるのに有利な新たな技術を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての評価方法は、基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板上の領域の配列を高精度に求めるのに有利な新たな技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての露光装置1の構成を示す概略図である。露光装置1は、半導体素子などのデバイスの製造工程に用いられるリソグラフィ装置である。露光装置1は、本実施形態では、原版2(レチクル又はマスク)のパターンを投影光学系3を介して基板4に投影して基板4を露光する。
露光装置1は、図1に示すように、原版2に形成されたパターンを投影(縮小投影)する投影光学系3と、前工程で下地パターンやアライメントマークが形成された基板4を保持するチャック5と、を有する。また、露光装置1は、チャック5を保持して基板4を所定の位置に位置決めする基板ステージ6と、基板4に設けられたマーク(アライメントマーク)の位置を計測するアライメント光学系7と、制御部CNと、記憶部SUと、を有する。
制御部CNは、例えば、CPUやメモリなどを含むコンピュータ(情報処理装置)で構成され、記憶部SUなどに記憶されたプログラムに従って露光装置1の各部を統括的に制御する。制御部CNは、本実施形態では、原版2を介して基板4を露光する露光処理を制御することに加えて、基板上の複数のショット領域(基板上の複数の領域)の配列(ショット配列、領域の配列)を求める処理部として機能する。
記憶部SUは、露光装置1の各部を制御して基板4を露光する露光処理を実施するために必要なプログラムや各種情報(データ)などを記憶する。また、記憶部SUは、制御部CNがショット配列を求めるために必要なプログラムや各種情報(データ)なども記憶する。
図2は、アライメント光学系7の構成を示す概略図である。アライメント光学系7は、基板4の各ショット領域に割り当てられたマーク(アライメントマーク)を光学的に検出して位置計測データを取得する機能を有し、本実施形態では、光源8と、ビームスプリッタ9と、レンズ10及び13と、センサ14とを含む。
光源8からの光は、ビームスプリッタ9で反射され、レンズ10を介して、基板4に設けられたアライメントマーク11又は12を照明する。アライメントマーク11又は12で回折された光は、レンズ10、ビームスプリッタ9及びレンズ13を介して、センサ14で受光される。
図3を参照して、露光装置1における露光処理(露光方法)について説明する。ここでは、基板4をアライメントして露光するまでの工程の概略を説明する。S101では、露光装置1に基板4を搬入する。S102では、プリアライメントを実施する。具体的には、基板4に設けられたプリアライメント用のアライメントマーク11をアライメント光学系7で検出して、基板4の位置をラフに求める。この際、アライメントマーク11の検出は、基板4の複数のショット領域に対して行い、基板4の全体のシフト及び1次線形成分(倍率や回転)を求める。
S103では、ファインアライメントを実施する。具体的には、まず、プリアライメントの結果に基づいて、ファインアライメント用のアライメントマーク12をアライメント光学系7で検出可能な位置に基板ステージ6を駆動する。そして、基板4の複数のショット領域のそれぞれに設けられたアライメントマーク12をアライメント光学系7で検出し、基板4の全体のシフト及び1次線形成分(倍率や回転)を精密に求める。この際、多数のショット領域の位置を求めることで、基板4のショット配列の高次成分を精密に求めることもできる。これにより、基板4の各ショット領域の精密な位置、即ち、ショット配列を求めることができる。なお、ショット配列の高次成分は、使用する露光装置の位置決めなどの機差によって生じたり、デバイス製造過程において作用する力に起因する基板の変形(歪み)によって生じたりする。
S104では、基板4を露光する。具体的には、ファインアライメントで求められたショット配列に基づいて、基板ステージ6を介して基板4を位置決めしながら、基板4の各ショット領域を露光する。これにより、原版2のパターンが、投影光学系3を介して、基板4の各ショット領域に転写される。S105では、露光装置1から基板4を搬出する。
本実施形態では、基板4のショット配列のずれが発生している場合には、S103のファインアライメントにおいて、高次成分を補正する。ここでは、ショット配列を推定する回帰モデルとして、3次多項式モデルを例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、回帰モデルとして、任意の次数モデルを用いてもよいし、多項式以外の他のモデル(三角関数モデルや対数モデル)を用いてもよい。
基板4の変形を3次多項式モデルで表す場合、各ショット領域の位置ずれ(ShiftX,ShiftY)は、以下の式(1)で表される。なお、各ショット領域の位置ずれは、かかる位置ずれを補正するための補正値(アライメント補正値)ともいえる。
式(1)において、x、yは、基板4のショット領域の位置を示している。基板4の各ショット領域の実際の位置計測データから、式(1)におけるk1からk20までの係数(回帰係数)を決定する。そして、係数を決定した式(1)に基づいて、各ショット領域の位置ずれを求める。
位置計測データを得るために、アライメント光学系7は、例えば、図4に示すように、複数のショット領域のうちの一部のショット領域、所謂、サンプルショット領域(サンプル領域)に割り当てられたアライメントマークを検出する。図4では、サンプルショット領域の数を14としている。基板4のショット配列の高次成分を補正するためには、多くのショット領域をサンプルショット領域とする必要がある。但し、サンプルショット領域の数の増加は、計測時間(アライメント時間)とトレードオフの関係にあるため、実際には、デバイスの生産性も考慮して、サンプルショット領域の数が決定される。
以下、図5を参照して、本実施形態において、サンプルショット領域の数が少なくても高次成分の過学習を抑制するための、ショット配列を推定するモデルのパラメータの最適化(モデルの更新)について説明する。
まず、ロット内の1枚目の基板4A(第1基板)に対して、サンプルショット領域の数をモデルの自由度に対して過学習しない程度、且つ、モデルの自由度に対して十分な数(第1数)に設定する。そして、基板4Aの各サンプルショット領域に割り当てられたアライメントマークをアライメント光学系7で検出して第1位置計測データを取得する。
次に、第1位置計測データ(D)、モデル、モデルのパラメータθから、データ尤度(第1尤度データ)P(D|θ)を算出する。パラメータθは、式(1)の係数k1~k20を意味している。
次いで、パラメータθの事前分布P(θ)を規定する。事前分布は、データに対する事前情報がない場合には、事前分布P(θ)として、無情報事前分布を規定する。無情報事前分布としては、代表的には、一様分布、分散を大きく設定した正規分布、ジェフリース(Jeffreys)の事前分布などが用いられる。
次に、事前分布P(θ)と、データ尤度P(D|θ)とを用いて、ベイズの定理を用いたベイズ推定から、パラメータθの事後分布(第1事後分布)p(θ|D)を算出する。なお、ベイズの定理は、以下の式(2)で表される。
式(2)において、θは、モデルのパラメータを示し、Dは、位置計測データを示し、p(θ|D)は、新たな位置計測データが得られた際のパラメータθの事後分布を示している。また、p(D|θ)は、パラメータθからデータが発生する確率を表すデータ尤度(尤度関数)を示し、p(θ)は、パラメータθの事前分布を示し、p(D)は、位置計測データDの周辺尤度を示している。
なお、事後分布p(θ|D)の算出において、周辺尤度p(D)が解析的に算出できない場合には、近似推論を用いてもよい。近似推論は、例えば、サンプリング手法であるマルコフ連鎖モンテカルロ法(MCMC:Markov chain Monte Carlo)や近似確率分布を用いて解析的に計算する変分推論などを含む。事後分布p(θ|D)は、設計者が設定したモデルによって決まる確率分布(モデルのパラメータの確率分布)であり、分布の分散が各パラメータの値の「確信度」と解釈するのがベイズ推定の特徴である。なお、モデルは、本実施形態では、基板座標(基板の位置)を変数とする多項式モデルであり、パラメータは、ShiftXとShiftYとで、それぞれ10個である。
次いで、ロット内の2枚目以降の基板4B(第1基板よりも後に処理される第2基板)に対して、サンプルショット領域の数を、基板4Aに対して設定したサンプルショットの数よりも小さい数(第2数)に設定する。そして、基板4Bの各サンプルショット領域に割り当てられたアライメントマークをアライメント光学系7で検出して第2位置計測データを取得する。
ここで、例えば、3次多項式モデルにおいて、基板4Aのサンプルショット領域の数を16に設定したとすると、基板4Bのサンプルショット領域の数を4~8に設定する。3次多項式モデルに対するサンプルショット領域の数が4~8であると、モデルの自由度に対する計測点数が少ないため、過学習が発生する可能性が極めて高くなる。このような過学習を抑制するために、本実施形態では、以下の処理を実施する。
第2位置計測データ(D)、モデル、モデルのパラメータθから、データ尤度(第2尤度データ)P(D|θ)を算出する。そして、基板4Aで求めた事後分布P(θ|D)を事前分布P(θ)とし(置き換えて)、第2位置計測データから算出されたデータ尤度P(D|θ)を用いて、ベイズの定理を用いたベイズ推定から、事後分布(第2事後分布)p(θ|D)を算出する。かかる事後分布p(θ|D)は、図6に示すように、第1位置計測データ(多点データ)から求めた分布(事前分布)と、第2位置計測データ(少数点データ)から求めた分布(データ尤度)とが混合された分布(事後分布)となる。このようにして得られた分布は、ロット内の基板のショット配列のずれが近似している場合、第2位置計測データのみで得られる分布よりも、実際の基板のショット配列のずれに近くなっていることが期待される。実際の各ショット領域の位置ずれ(ShiftX,ShiftY)は、パラメータθの事後分布の最頻値、平均値又は中央値などの統計値に基づいて、規定したモデルからの統計的推定によって算出する。
このようにして算出された事後分布に基づいてモデルのパラメータを決定してモデルを更新し、更新したモデルを用いて第2位置計測データから基板4Bの各ショット領域の位置ずれ(ショット配列)を求めることで、高次成分を補正することができる。
本実施形態によれば、1枚目の基板では、モデルの自由度に対して十分なサンプルショット領域の数を設定する必要があるが、2枚目以降の基板では、過学習を抑制しながら、サンプルショット領域の数を低減することが可能となる。
一方、ロット内の基板のショット配列のずれのばらつきが大きい場合やロット内にショット配列が異常な基板が存在する場合がある。ロット内において、基板のショット配列のずれにばらつきがあるということは、事後分布の算出に用いる2つの分布、即ち、事前分布とデータ尤度との間に大きな乖離があるということである。事後分布は、事前分布とデータ尤度との重み付き平均となる。このため、事後分布は、データ尤度よりも、事前分布の方向に大きくシフトしてしまう。このように算出された事後分布は、基板のショット配列のずれを正しく表現できていないため、これを用いてショット配列を求める(ファイアライメントを実施する)と、事前分布を用いていない場合よりもアライメント精度が低下する可能性がある。
そこで、本実施形態では、位置計測データ(第1位置計測データ)から得られた回帰係数の事後分布(第1事後分布)が基板の歪みを正しく表現できているのか否かを評価する。回帰係数が未計測位置データを含めた全てのデータに対して正しく予測(推定)できることを、機械学習では、「汎化性能」と称する。本実施形態では、回帰係数の事後分布の汎化性能を評価することで、事後分布が基板のショット配列のずれを正しく表現できているのかを判断(確認)する。なお、回帰係数の事後分布の汎化性能を評価する処理(評価方法)は、制御部CNで行われてもよいし、外部の情報処理装置で行われてもよい。また、かかる処理は、ショット配列を求める処理(ファインアライメント)の一部として組み込まれてもよいし、ショット配列を求める処理から独立した処理として行われてもよい。
以下、本実施形態における事後分布の汎化性能を評価する評価方法について説明する前に、一般的な汎化性能の評価方法を、回帰係数の算出を例として説明する。まず、データを、学習データと、テストデータとに分割(分類)する。本実施形態では、データとは、位置計測データ(アライメント計測値)である。学習データとテストデータとの分割比率は、一般的には、8:2である。
次いで、学習データを用いて、設定された回帰モデル(多項式関数やZernike関数など)の回帰係数を算出(学習)する。次に、算出された回帰係数を用いて、テストデータの予測精度(学習データから算出された回帰係数(回帰モデル)とテストデータとの差分)を評価する。ここで、テストデータは、回帰係数の学習に用いられていない。従って、汎化性能が高い場合には、テストデータの予測精度は学習データに近づくが、汎化性能が低い場合には、テストデータの予測精度は学習データから離れる。
このような手法は、機械学習では、「交差検証」と称され、本実施形態のような回帰係数の事後分布の汎化性能の評価に用いることができる。但し、かかる手法では、学習データとテストデータとでデータセット(即ち、2つのデータセット)を準備する必要があり、テストデータは、回帰係数の学習に用いることができない。
上述したように、露光装置1では、デバイスの生産性の観点から、アライメントマークの位置を計測する計測点の数(サンプルショット領域の数)を多くすることは現実的ではない。従って、データを、学習データと、テストデータとに明確に分割することは、学習データの数の不足に繋がり、モデル自体を正しく学習することができない可能性がある。このように、データが少ない場合には、学習データとテストデータとに分割する手法を工夫する必要がある。
本実施形態では、上述したように、位置計測データの数が少ないことが想定される。そこで、交差検証でも、学習データとテストデータとを交互に使い分けるK-交差検証の極端な事例であるleave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、事後分布の汎化性能を評価する。LOOCV法は、図7に示すように、データセットから、テストデータとして1つのデータを選択し、それ以外のデータで学習を行い、最後に、1つのテストデータで汎化性能を評価する。次に、テストデータとして選択した1つのデータとは異なるデータを新たなテストデータとして選択して同様な処理を行う。これを、データセットの全てのデータに対して行うことで、データセットに含まれるデータの数分の汎化性能値(汎化性能を評価するための評価値)が得られる。そして、各データから得られた汎化性能値を平均することで汎化性能を評価することができる。図7は、LOOCV法を説明するための図であって、5つのデータ(位置計測データ)を含むデータセットに対する具体的なLOOCV法を示している。
このように、LOOCV法を用いることで、学習データとテストデータとに分割するほどデータ数がない場合であっても、効率的に汎化性能を評価することができる。なお、本実施形態では、汎化性能の評価にLOOCV法を用いているが、これに限定されるものではない。例えば、LOOCV法に代えて、モデルの適合度合いを表す指標である赤池情報量基準(Akaike’s Information Criterion(AIC))を用いてもよい。
図8を参照して、本実施形態における事後分布の汎化性能を評価する評価方法として、LOOCV法を用いた評価方法について具体的に説明する。ここでは、図8に示すように、事前分布として、第1位置計測データから事前に取得した第1事後分布(以下、「分布A」と称する)が、事前分布リストに保存されている。事前分布リストは、これまでに取得された事後分布を保存するためのデータベースとして、例えば、記憶部SUに記憶(格納)されている。
まず、事前分布リストに保存されている分布Aを取得する。そして、上述したように、事前分布リストから取得した分布Aを事前分布とし、第2位置計測データから求めたデータ尤度を用いて、ベイズの定理を用いたベイズ推定から事後分布を求め、ショット配列を推定する回帰モデルの回帰係数を算出する。
次いで、算出された回帰係数の汎化性能を評価するために、上述したように、LOOCV法を用いて、テストデータの予測精度(予測誤差)に相当する汎化性能値を算出する。ここでは、回帰係数の算出に用いた第2位置計測データを用いる。
次に、回帰係数の汎化性能(が基準を満たしているかどうか)を評価する。本実施形態では、算出した汎化性能値と閾値とを比較して、汎化性能値が閾値を超えているかどうかを判定することで、回帰係数の汎化性能を評価する。
汎化性能値が閾値を超えている場合には、算出した回帰係数で回帰モデルを更新し、更新したモデルを用いて第2位置計測データからショット配列を決定する。これにより、各ショット領域の位置ずれが求められ、かかる位置ずれを補正するためのアライメント補正値を決定することができる。
一方、汎化性能値が閾値を超えていない場合には、サンプルショット領域の数を第1数(第2数よりも多い数)に設定し、各サンプルショット領域に割り当てられたアライメントマークを検出して第3位置計測データ(多点データ)を取得する。そして、上述したように、第3位置計測データから求めたデータ尤度を用いて、ベイズの定理を用いたベイズ推定から事後分布(第3事後分布)を求め、ショット配列を推定する回帰モデルの回帰係数を算出する。また、算出した回帰係数で回帰モデルを更新し、更新したモデルを用いて第3位置計測データからショット配列を決定する。これにより、各ショット領域の位置ずれが求められ、かかる位置ずれを補正するためのアライメント補正値を決定することができる。
なお、第3位置計測データから得られた事後分布(第3事後分布)は、次回以降の事前分布の選択に用いるために、事前分布リストに保存する(事前分布リストを更新する)とよい。これにより、第1位置計測データから取得した第1事後分布である分布Aに加えて、第3位置計測データから取得した第3事後分布が分布Bとして事前分布リストに保存されることになる。
また、図9に示すように、事前分布として、事前に取得された複数の事後分布が事前分布リストに保存されている場合には、事前分布リストから、少なくとも2つの事後分布を取得する。図9は、本実施形態における事後分布の汎化性能を評価する評価方法として、LOOCV法を用いた評価方法について具体的に説明ための図である。図8を参照するに、例えば、分布A及びBの2つの分布が事前分布リストに保存されている場合には、事前分布リストから分布A及びBを取得する。そして、分布A及びBのそれぞれについて、上述したように、回帰係数を算出し、LOOCV法を用いて、テストデータの予測精度(予測誤差)に相当する汎化性能値を算出する。
次に、分布A及びBのそれぞれから算出した回帰係数の汎化性能(が基準を満たしているかどうか)を評価する。本実施形態では、分布Aに対して算出された汎化性能値と、分布Bに対して算出された汎化性能値とを比較して、汎化性能が高い方の分布(即ち、汎化性能値が最も高い分布)を特定する。そして、分布A及びBのうち汎化性能が高い方の分布の汎化性能値と、閾値とを比較して、汎化性能値が閾値を超えているかどうかを判定することで、回帰係数の汎化性能を評価する。
このように、本実施形態における回帰係数の汎化性能の評価では、汎化性能が基準を満たし(汎化性能値が閾値を超え)、且つ、汎化性能が最も高い分布を特定(選択)しているが、これに限定されるものではない。例えば、汎化性能が最も高くなくても、汎化性能が基準を満たしている分布を特定(選択)してもよい。
分布A及びBのうち汎化性能が高い方の分布の汎化性能値が閾値を超えている場合には、汎化性能が高い方の分布から算出した回帰係数で回帰モデルを更新し、更新したモデルを用いて第2位置計測データからショット配列を決定する。これにより、各ショット領域の位置ずれが求められ、かかる位置ずれを補正するためのアライメント補正値を決定することができる。
一方、分布A及びBのうち汎化性能が高い方の分布の汎化性能値が閾値を超えていない場合には、上述したように、第3位置計測データ(多点データ)を取得する。そして、第3位置計測データから求めたデータ尤度を用いて、ベイズの定理を用いたベイズ推定から事後分布(第3事後分布)を求め、ショット配列を推定する回帰モデルの回帰係数を算出する。また、算出した回帰係数で回帰モデルを更新し、更新したモデルを用いて第3位置計測データからショット配列を決定する。これにより、各ショット領域の位置ずれが求められ、かかる位置ずれを補正するためのアライメント補正値を決定することができる。
また、第3位置計測データから得られた事後分布(第3事後分布)は、次回以降の事前分布の選択に用いるために、事前分布リストに保存するとよい。これにより、分布A及びBに加えて、第3位置計測データから取得した第3事後分布が分Cとして事前分布リストに保存されることになる。
なお、図8及び図9において、例えば、第2位置計測データに対して分布Aの汎化性能が閾値を超えていない場合であっても、分布Aを事前分布リストから消去(削除)する必要はない。これは、第2位置計測データとは異なる位置計測データに対する分布Aの汎化性能が閾値を超える可能性もあり、このような場合に、多点計測(第3位置計測データの取得)が不要となるからである。
また、本実施形態では、汎化性能値が閾値を超えていない場合に、多点計測を行っているが、これに限定されるものではない。このような場合には、例えば、歪みが異常な基板と判断されるため、かかる基板のショット配列を求めずに、かかる基板に対する露光を中止して露光装置1から搬出するようにしてもよい。
また、汎化性能の評価の結果は、ユーザが確認することができるように、例えば、半導体プロセス管理サーバに通知(オンライン報告)することが好ましい。特に、汎化性能値が閾値を超えていない場合には、その旨を通知することで、プロセス品質管理を行うことが可能となる。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、液晶表示素子、半導体素子、フラットパネルディスプレイ、MEMSなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、上述した露光装置1(露光方法)を用いて感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。また、現像された感光剤のパターンをマスクとして基板に対してエッチング工程やイオン注入工程などを行い、基板上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチングなどの工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンを形成する。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシング(加工)を行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離など)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明は、上述の実施形態の1つ以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1つ以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
本明細書の開示は、以下の評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置を含む。
(項目1)
基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を有することを特徴とする評価方法。
基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を有することを特徴とする評価方法。
(項目2)
前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする項目1に記載の評価方法。
前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする項目1に記載の評価方法。
(項目3)
前記位置計測データは、第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データであり、
前記第2事後分布は、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて得られることを特徴とする項目1に記載の評価方法。
前記位置計測データは、第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データであり、
前記第2事後分布は、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて得られることを特徴とする項目1に記載の評価方法。
(項目4)
前記第2工程は、
前記第2位置計測データを、学習データと、テストデータとに分類する工程と、
前記学習データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記パラメータの確率分布を示す事後分布を得る工程と、
前記事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルと前記テストデータとの差分を求める工程と、
前記差分と閾値とを比較することで、前記第1事後分布の汎化性能を評価する工程と、
を含むことを特徴とする項目3に記載の評価方法。
前記第2工程は、
前記第2位置計測データを、学習データと、テストデータとに分類する工程と、
前記学習データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記パラメータの確率分布を示す事後分布を得る工程と、
前記事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルと前記テストデータとの差分を求める工程と、
前記差分と閾値とを比較することで、前記第1事後分布の汎化性能を評価する工程と、
を含むことを特徴とする項目3に記載の評価方法。
(項目5)
基板上の複数の領域を露光する露光方法であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める工程と、
求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程と、
を有し、
前記配列を求める工程は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
基板上の複数の領域を露光する露光方法であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める工程と、
求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程と、
を有し、
前記配列を求める工程は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
(項目6)
前記第1工程では、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースから前記第1事後分布を取得する、ことを特徴とする項目5に記載の露光方法。
前記第1工程では、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースから前記第1事後分布を取得する、ことを特徴とする項目5に記載の露光方法。
(項目7)
前記データベースには、前記パラメータの確率分布を示す複数の事後分布が保存されており、
前記第1工程では、前記データベースから、前記第1事後分布として、少なくとも2つの事後分布を取得し、
前記第2工程では、前記第1事後分布として、前記少なくとも2つの事後分布のそれぞれを評価し、
前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された事後分布から、前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いる前記第1事後分布を選択することを特徴とする項目6に記載の露光方法。
前記データベースには、前記パラメータの確率分布を示す複数の事後分布が保存されており、
前記第1工程では、前記データベースから、前記第1事後分布として、少なくとも2つの事後分布を取得し、
前記第2工程では、前記第1事後分布として、前記少なくとも2つの事後分布のそれぞれを評価し、
前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された事後分布から、前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いる前記第1事後分布を選択することを特徴とする項目6に記載の露光方法。
(項目8)
前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価され、且つ、前記第2工程で前記汎化性能が最も高いと評価された事後分布を、前記第1事後分布として選択することを特徴とする項目7に記載の露光方法。
前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価され、且つ、前記第2工程で前記汎化性能が最も高いと評価された事後分布を、前記第1事後分布として選択することを特徴とする項目7に記載の露光方法。
(項目9)
前記配列を求める工程は、
前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、
前記第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第3位置計測データを取得して、前記第3位置計測データから、前記パラメータの確率分布を示す第3事後分布を得る工程と、
前記第3事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第3位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める工程と、
を含むことを特徴とする項目5乃至8のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
前記配列を求める工程は、
前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、
前記第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第3位置計測データを取得して、前記第3位置計測データから、前記パラメータの確率分布を示す第3事後分布を得る工程と、
前記第3事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第3位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める工程と、
を含むことを特徴とする項目5乃至8のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
(項目10)
前記第3事後分布を、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースに保存する工程を更に含むことを特徴とする項目9に記載の露光方法。
前記第3事後分布を、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースに保存する工程を更に含むことを特徴とする項目9に記載の露光方法。
(項目11)
前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、その旨を通知することを特徴とする項目5乃至10のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、その旨を通知することを特徴とする項目5乃至10のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
(項目12)
前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程を中止することを特徴とする項目5乃至11のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程を中止することを特徴とする項目5乃至11のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
(項目13)
前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする項目5乃至12のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする項目5乃至12のうちいずれか1項目に記載の露光方法。
(項目14)
原版を介して基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める処理部と、
前記処理部で求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めするステージと、を有し、
前記処理部は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得し、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価し、
前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を求め、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求めることを特徴とする露光装置。
原版を介して基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める処理部と、
前記処理部で求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めするステージと、を有し、
前記処理部は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得し、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価し、
前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を求め、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求めることを特徴とする露光装置。
(項目15)
項目5乃至13のうちいずれか1項目に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
項目5乃至13のうちいずれか1項目に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
(項目16)
基板上の複数の領域の配列を求める方法であって、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を有することを特徴とする方法。
基板上の複数の領域の配列を求める方法であって、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を有することを特徴とする方法。
(項目17)
コンピュータに、
基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
コンピュータに、
基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
(項目18)
項目1乃至4のうちいずれか1項目に記載の評価方法を実行することを特徴とする情報処理装置。
項目1乃至4のうちいずれか1項目に記載の評価方法を実行することを特徴とする情報処理装置。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
1:露光装置 2:原版 3:投影光学系 4:基板 5:基板チャック 6:基板ステージ 7:検出光学系 CN:制御部 SU:記憶部
Claims (18)
- 基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を有することを特徴とする評価方法。 - 前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする請求項1に記載の評価方法。
- 前記位置計測データは、第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データであり、
前記第2事後分布は、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて得られることを特徴とする請求項1に記載の評価方法。 - 前記第2工程は、
前記第2位置計測データを、学習データと、テストデータとに分類する工程と、
前記学習データから、前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記パラメータの確率分布を示す事後分布を得る工程と、
前記事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルと前記テストデータとの差分を求める工程と、
前記差分と閾値とを比較することで、前記第1事後分布の汎化性能を評価する工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の評価方法。 - 基板上の複数の領域を露光する露光方法であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める工程と、
求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程と、
を有し、
前記配列を求める工程は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記第1工程では、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースから前記第1事後分布を取得する、ことを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記データベースには、前記パラメータの確率分布を示す複数の事後分布が保存されており、
前記第1工程では、前記データベースから、前記第1事後分布として、少なくとも2つの事後分布を取得し、
前記第2工程では、前記第1事後分布として、前記少なくとも2つの事後分布のそれぞれを評価し、
前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された事後分布から、前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いる前記第1事後分布を選択することを特徴とする請求項6に記載の露光方法。 - 前記第3工程では、前記少なくとも2つの事後分布のうち、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価され、且つ、前記第2工程で前記汎化性能が最も高いと評価された事後分布を、前記第1事後分布として選択することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。
- 前記配列を求める工程は、
前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、
前記第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第3位置計測データを取得して、前記第3位置計測データから、前記パラメータの確率分布を示す第3事後分布を得る工程と、
前記第3事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第3位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める工程と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の露光方法。 - 前記第3事後分布を、事前に取得された前記パラメータの確率分布を示す事後分布が保存されているデータベースに保存する工程を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の露光方法。
- 前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、その旨を通知することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記配列を求める工程において、前記第2工程で前記汎化性能が前記基準を満たすと評価された前記第1事後分布がない場合に、前記基板を位置決めしながら前記複数の領域を露光する工程を中止することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記第2工程では、leave-one-out cross-validation(LOOCV)法を用いて、前記第1事後分布の汎化性能を評価することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 原版を介して基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、
前記基板上の前記複数の領域の配列を求める処理部と、
前記処理部で求められた前記配列に基づいて、前記基板を位置決めするステージと、を有し、
前記処理部は、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得し、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価し、
前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を求め、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求めることを特徴とする露光装置。 - 請求項5乃至13のうちいずれか1項に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 - 基板上の複数の領域の配列を求める方法であって、
第1基板上の複数の領域のうちの第1数のサンプル領域に割り当てられたマークの第1位置計測データから、前記配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
前記第2工程で前記汎化性能が基準を満たすと評価された前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて、前記第1基板よりも後に処理される第2基板上の複数の領域のうちの前記第1数よりも小さい第2数のサンプル領域に割り当てられたマークの第2位置計測データから、前記第2事後分布を得る第3工程と、
前記第2事後分布に基づいて前記パラメータを決定して前記回帰モデルを更新し、更新した前記回帰モデルを用いて前記第2位置計測データから前記第2基板上の複数の領域の配列を求める第4工程と、
を有することを特徴とする方法。 - コンピュータに、
基板上の複数の領域のうちのサンプル領域に割り当てられたマークの位置計測データから、前記複数の領域の配列を推定するための回帰モデルのパラメータの確率分布を示す事前分布を用いて得られる、前記パラメータの確率分布を示す第1事後分布を取得する第1工程と、
前記第1事後分布を前記パラメータの確率分布を示す事前分布として用いて前記パラメータの確率分布を示す第2事後分布を得る際の前記第1事後分布の汎化性能を評価する第2工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。 - 請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の評価方法を実行することを特徴とする情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022171581A JP2024063536A (ja) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022171581A JP2024063536A (ja) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024063536A true JP2024063536A (ja) | 2024-05-13 |
Family
ID=91030612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022171581A Pending JP2024063536A (ja) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024063536A (ja) |
-
2022
- 2022-10-26 JP JP2022171581A patent/JP2024063536A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11782349B2 (en) | Methods of determining corrections for a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus | |
CN110622069B (zh) | 用于预测器件制造工艺的良率的方法 | |
US8334968B2 (en) | Recording medium storing program for determining exposure parameter, exposure method, and method of manufacturing device | |
TW200900872A (en) | Method for predicting resist pattern shape, computer readable medium storing program for predicting resist pattern shape, and computer for predicting resist pattern shape | |
US8230369B2 (en) | Simulation method and simulation program | |
US8097473B2 (en) | Alignment method, exposure method, pattern forming method, and exposure apparatus | |
US12130562B2 (en) | Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory storage medium, and information processing apparatus | |
TWI720439B (zh) | 用於加速一製造製程模型之校準的方法、電腦程式產品及系統 | |
TWI746019B (zh) | 用於判定特徵對效能的貢獻的方法及設備 | |
US8049191B2 (en) | Method of transferring pattern of reticle, computer readable storage medium, and method of manufacturing device | |
JP2024063536A (ja) | 評価方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、基板上の複数の領域の配列を求める方法、プログラム及び情報処理装置 | |
JP2004200632A (ja) | 位置検出方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 | |
KR20230047898A (ko) | 기판상의 복수의 숏 영역의 배열을 구하는 방법, 노광 방법, 노광 장치, 물품의 제조 방법, 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 정보처리장치 | |
JP7580297B2 (ja) | 基板上の複数のショット領域の配列を求める方法、露光装置、物品の製造方法、プログラム及び情報処理装置 | |
US12025924B2 (en) | Method of determining set of sample shot regions, method of obtaining measurement value, information processing apparatus, lithography apparatus, storage medium, and article manufacturing method | |
TWI824461B (zh) | 將基板區域之量測資料模型化的方法及其相關設備 | |
JP2024121638A (ja) | 基板上の複数の領域の配列を求める方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、プログラム及び情報処理装置 | |
CN117120933A (zh) | 对衬底区域上的测量数据进行建模的方法及相关联的装置 |