JP2023533491A - パターニングプロセスの調整方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 497
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 375
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 298
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims abstract description 301
- 238000012549 training Methods 0.000 claims abstract description 226
- 230000006399 behavior Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 235
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims description 55
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 37
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 36
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 29
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 20
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 claims description 18
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 9
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000013016 learning Effects 0.000 description 8
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 238000013526 transfer learning Methods 0.000 description 5
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000035045 associative learning Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 210000003050 axon Anatomy 0.000 description 1
- 230000003925 brain function Effects 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001424 field-emission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/706835—Metrology information management or control
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、全体として本明細書に援用される、2020年7月9日に出願されたPCT出願第PCT/CN2020/101030号、2020年7月20日に出願された欧州特許出願第20186710.8号、及び2021年5月10日に出願された欧州特許出願第21172961.1号の優先権を主張するものである。
[000128] 有利に、本機械学習モデルは、(例えば、ウェーハ及び/又はレチクルステージなどの)位置、速度、及び加速度を含む、パラメータ空間におけるセットポイント及び外乱力の関連の変動、並びにリソグラフィ装置(例えば、スキャナ)ステッピング、熱ドリフト、長期ドリフト、冷却フード効果、液浸フード効果、トライボロジー機械制御効果、及び/又はパターニングプロセスに関連する他の効果における関連の変動も考慮に入れるために、(本明細書に記載されるような)様々な制御入力に基づいて訓練されるように構成される。
[000135] 幾つかの実施形態では、制御出力は、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの熱膨張に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む。幾つかの実施形態では、制御出力は、ウェーハ加熱制御調整を含み、制御出力を決定することは、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、ウェーハ加熱制御調整を決定することとを含む。
[000156] 動的レンズ加熱モデルは、一般的に、レンズタイプに基づいてレンズ加熱を予測するために使用される物理的モデルである。動的レンズ加熱モデルは、対応するレンズタイプを有するスキャナに関する所与の熱負荷を有する所与の使用事例に関して、生のレンズ加熱パラメータ(例えば、ミュー、タウ、及び/又は他のパラメータ)をシミュレートするために使用されてもよい。時間を経たフィールド位数ごとのシミュレートした収差は、ミュー及びタウパラメータによってパラメータ化することができる。幾つかの実施形態では、ミューパラメータは、レンズが飽和したときに、レンズ加熱がどのくらい大きくなり得るかを示唆するスケーリングファクタである。タウパラメータは、どのくらい速くレンズが加熱又は冷却され得るかを示唆する時定数である。幾つかの実施形態では、他の生のレンズ加熱パラメータがシミュレートされ、ゼルニケごとに、及びフィールド位数ごとにミュー/タウ値にフィットされてもよい。これらのミュー/タウ値は、露光中のレンズ加熱効果を補償するためにスキャナレンズ加熱フィードフォワード制御に使用することができる。正確な物理的動的レンズ加熱モデルは、(EUV)レンズ加熱が高度に非線形であるという事実を含む多くの理由から、計算コストが高い。
Costtotal(Zn_m)=Costmu_tau(Zn_m)+w?CostLHFF(Zn_m)
に従って導入され、式中、Cost mu tau (Z n m)は、予測されたミュータウ値に関連する費用であり、wは、重み項であり、CostLHFF (Z n m)は、レンズ加熱フィードフォワード制御信号に関連する費用である。幾つかの実施形態では、モデルは、リカレントニューラルネットワーク手法を直接使用して、LHFFフィールド位数時系列、又は生のLHFFフィールドデータスリット通過時系列を予測するように構成されてもよい。この実施形態では、費用関数は、例えば、第2項(純粋なLHFF項)のみを含む。
1. 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、
制御入力を受け取ることであって、制御入力が、パターニングプロセスを制御するためのものであり、制御入力が、パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
訓練された機械学習モデルを用いて、制御入力に基づいて、パターニングプロセスの制御出力を生成することであって、機械学習モデルが、パターニングプロセスのシミュレーション及び/又は実際のプロセスデータから生成された訓練データを用いて訓練されたものであり、訓練データが、1)パターニングプロセスの複数の動作条件に対応する複数の訓練制御入力であって、パターニングプロセスの複数の動作条件が、経時的なパターニングプロセスの動作条件に特有の挙動に関連する、複数の訓練制御入力と、2)訓練制御入力に基づいて物理的モデルを使用して生成された訓練制御出力と、を含む、生成することと、をコンピュータに行わせる、非一時的コンピュータ可読媒体。
2. 経時的なパターニングプロセスの動作条件に特有の挙動が、経時的なパターニングプロセスにおけるドリフトを含む、条項1に記載の媒体。
3. 機械学習モデルが、パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを再訓練することによって、経時的に更新されるようにさらに構成される、条項1又は2に記載の媒体。
4. 再訓練が微調整を含む、条項3に記載の媒体。
5. 制御入力が、パターニングプロセスをモニタリング及び/又は診断することに関連する、条項1~4の何れか一項に記載の媒体。
6. 機械学習モデルが、パラメータ化モデルを含む、条項1~5の何れか一項に記載の媒体。
7. 機械学習モデルが、人工ニューラルネットワーク、畳み込みニューラルネットワーク、及び/又はリカレントニューラルネットワークを含む、条項1~6の何れか一項に記載の媒体。
8. パターニングプロセスが、パターニングプロセス装置を用いて行われ、装置が、半導体リソグラフィ装置、光学メトロロジ検査ツール、又は電子ビーム検査ツールを含み、命令がさらに、少なくとも部分的に制御出力に基づいてパターニングプロセス装置を制御することをコンピュータに行わせる、条項1~7の何れか一項に記載の媒体。
9. 1つ又は複数のパラメータが、1つ又は複数のリソグラフィ装置、光学メトロロジ検査ツール、及び/又は電子ビーム検査ツールパラメータ、及び/又は関連のリソグラフィ及び/又は検査プロセスパラメータを含む、条項1~8の何れか一項に記載の媒体。
10. 制御入力が、パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、条項1~9の何れか一項に記載の媒体。
11. 制御入力が、回折パターン画像、モーションセットポイント、又はウェーハ及び/又はレチクルのロードシーケンスを含む、条項1~10の何れか一項に記載の媒体。
12. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項1~11の何れか一項に記載の媒体。
13. パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御が、1)スキャナのウェーハ及び/又はレチクルステージの移動を制御すること、2)スキャナのレンズにおける屈曲波加熱要素を制御すること、及び/又は3)瞳整形及び/又はフィールドディストーション制御で使用される可動ミラーなどのスキャナの1つ若しくは複数のミラーを制御することの一方又は両方による、スキャナの作動を制御することを含む、条項12に記載の媒体。
14. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの熱膨張に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項1~13の何れか一項に記載の媒体。
15. 制御出力が、ウェーハ加熱制御調整、レチクル加熱制御調整、及び/又はミラー加熱制御調整を含む、条項14に記載の媒体。
16. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、ウェーハ加熱制御調整を決定することと、を含む、条項15に記載の媒体。
17. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリントを予測することを含み、ウェーハ加熱制御調整を決定することが、予測されたオーバーレイフィンガープリントに基づく、条項16に記載の媒体。
18. 制御出力が、レンズ加熱制御調整を含む、条項14に記載の媒体。
19. 制御出力を決定することが、
レンズ加熱に関連するミュータウパラメータ値、レンズ加熱フィードフォワード時間系列、及び/又はレンズ加熱フィールド時間系列を予測することと、
ミュータウ値、レンズ加熱フィードフォワード値、及び/又はレンズ加熱フィールド値に基づいて、レンズ加熱費用関数を決定することと、
レンズ加熱費用関数に基づいて、機械学習モデルパラメータの重みを決定することと、
機械学習モデルによるレンズ加熱予測に基づいて、レンズ加熱制御調整を決定することと、
を含む、条項18に記載の媒体。
20. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント、フォーカスフィンガープリント、及び/又はイメージングフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント、フォーカスフィンガープリント、及び/又はイメージングフィンガープリントに基づいて、レンズ加熱制御調整を決定することと、を含む、条項18に記載の媒体。
21. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントのトライボロジー機械制御に関連した1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項1~20の何れか一項に記載の媒体。
22. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、ウェーハ、レチクル、レンズ/ミラー調整を決定することと、を含む、条項21に記載の媒体。
23. パターニングプロセスからのシミュレートした、及び/又は実際のプロセス訓練データを用いて機械学習モデルを訓練することが、初期較正を含み、
機械学習モデルが、パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを再訓練することによって、経時的に更新されるように構成され、
再訓練が、パターニングプロセスで経時的に生じるドリフトを考慮に入れるように構成された1つ又は複数のドリフト較正により微調整されるように機械学習モデルを構成することを含む、条項1~22の何れか一項に記載の媒体。
24. 訓練及び/又は更新が、オフライン、オンライン、又はオフライン及びオンラインの組み合わせで行われる、条項1~23の何れか一項に記載の媒体。
25. シミュレートした訓練データが、物理的モデルを使用して生成された複数の訓練制御入力及び対応する訓練制御出力ペアを含み、
機械学習モデルが、訓練制御入力に基づいて、予測制御出力を予測するように構成され、
機械学習モデルが、機械学習モデルの1つ又は複数の構成を更新するためにフィードバックとして訓練制御出力を使用するように構成され、1つ又は複数の構成が、訓練制御出力と予測制御出力の比較に基づいて更新される、条項1~24の何れか一項に記載の媒体。
26. 機械学習モデルが、
第1の更新モデルパラメータ値を決定するために機械学習モデルを用いて生産環境ローカルパターニングプロセスに関連するローカルな実際のプロセスデータを受け取ることと、
機械学習モデルに少なくとも部分的に外部訓練データを提供することによって得られる第2の更新モデルパラメータ値を受け取ることであって、外部訓練データが、パターニングプロセス装置間変動を示す、受け取ることと、
初期モデルパラメータ値を第1及び/又は第2の更新モデルパラメータ値で更新することによって機械学習モデルを調整することと、
を行うために構成されるように、パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを微調整することによって経時的に更新されるように、コンピュータに機械学習モデルを構成させるように命令がさらに構成される、条項1~25の何れか一項に記載の媒体。
27. 調整が、経時的なローカルパターニングプロセスにおけるドリフトを考慮に入れる、条項26に記載の媒体。
28. パターニングプロセスの制御出力を生成する方法であって、方法が、
制御入力を受け取ることであって、制御入力が、パターニングプロセスを制御するためのものであり、制御入力が、パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
訓練された機械学習モデルを用いて、制御入力に基づいて、パターニングプロセスの制御出力を生成することであって、機械学習モデルが、パターニングプロセスのシミュレーション及び/又は実際のプロセスデータから生成された訓練データを用いて訓練されたものであり、訓練データが、1)パターニングプロセスの複数の動作条件に対応する複数の訓練制御入力であって、パターニングプロセスの複数の動作条件が、経時的なパターニングプロセスの動作条件に特有の挙動に関連する、複数の訓練制御入力と、2)訓練制御入力に基づいて物理的モデルを使用して生成された訓練制御出力と、を含む、生成することと、
を含む、方法。
29. 経時的なパターニングプロセスの動作条件に特有の挙動が、経時的なパターニングプロセスにおけるドリフトを含む、条項28に記載の方法。
30. パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを再訓練することによって、機械学習モデルを経時的に更新することをさらに含む、条項28又は29に記載の方法。
31. 再訓練が微調整を含む、条項30に記載の方法。
32. 制御入力が、パターニングプロセスをモニタリング及び/又は診断することに関連する、条項28~31の何れか一項に記載の方法。
33. 機械学習モデルが、パラメータ化モデルを含む、条項28~32の何れか一項に記載の方法。
34. 機械学習モデルが、人工ニューラルネットワーク、畳み込みニューラルネットワーク、及び/又はリカレントニューラルネットワークを含む、条項28~33の何れか一項に記載の方法。
35. パターニングプロセスが、パターニングプロセス装置を用いて行われ、装置が、半導体リソグラフィ装置、光学メトロロジ検査ツール、又は電子ビーム検査ツールを含み、方法が、少なくとも部分的に制御出力に基づいてパターニングプロセス装置を制御することをさらに含む、条項28~34の何れか一項に記載の方法。
36. 1つ又は複数のパラメータが、1つ又は複数のリソグラフィ装置、光学メトロロジ検査ツール、及び/又は電子ビーム検査ツールパラメータ、及び/又は関連のリソグラフィ及び/又は検査プロセスパラメータを含む、条項28~35の何れか一項に記載の方法。
37. 制御入力が、パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、条項28~36の何れか一項に記載の方法。
38. 制御入力が、回折パターン画像、モーションセットポイント、又はウェーハ及び/又はレチクルのロードシーケンスを含む、条項28~37の何れか一項に記載の方法。
39. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項28~38の何れか一項に記載の方法。
40. パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御が、1)スキャナのウェーハ及び/又はレチクルステージの移動を制御すること、2)スキャナのレンズにおける屈曲波加熱要素を制御すること、及び/又は3)スキャナの1つ若しくは複数のミラーを制御することの一方又は両方による、スキャナの作動を制御することを含む、条項39に記載の方法。
41. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの熱膨張に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項28~40の何れか一項に記載の方法。
42. 制御出力が、ウェーハ加熱制御調整、レチクル加熱制御調整、及び/又はミラー加熱制御調整を含む、条項41に記載の方法。
43. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、ウェーハ加熱制御調整を決定することと、を含む、条項42に記載の方法。
44. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリントを予測することを含み、ウェーハ加熱制御調整を決定することが、予測されたオーバーレイフィンガープリントに基づく、条項43に記載の方法。
45. 制御出力が、レンズ加熱制御調整を含む、条項41に記載の方法。
46. 制御出力を決定することが、
レンズ加熱に関連するミュータウパラメータ値、レンズ加熱フィードフォワード時間系列、及び/又はレンズ加熱フィールド時間系列を予測することと、
ミュータウ値、レンズ加熱フィードフォワード値、及び/又はレンズ加熱フィールド値に基づいて、レンズ加熱費用関数を決定することと、
レンズ加熱費用関数に基づいて、機械学習モデルパラメータの重みを決定することと、
機械学習モデルによるレンズ加熱予測に基づいて、レンズ加熱制御調整を決定することと、
を含む、条項45に記載の方法。
47. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント、フォーカスフィンガープリント、及び/又はイメージングフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント、フォーカスフィンガープリント、及び/又はイメージングフィンガープリントに基づいて、レンズ加熱制御調整を決定することと、を含む、条項45に記載の方法。
48. 制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントのトライボロジー機械制御に関連した1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項28~47の何れか一項に記載の方法。
49. 制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、ウェーハ、レチクル、レンズ/ミラー調整を決定することと、を含む、条項48に記載の方法。
50. パターニングプロセスからのシミュレートした、及び/又は実際のプロセス訓練データを用いて機械学習モデルを訓練することが、初期較正を含み、
機械学習モデルが、パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを再訓練することによって、経時的に更新されるように構成され、
再訓練が、パターニングプロセスで経時的に生じるドリフトを考慮に入れるように構成された1つ又は複数のドリフト較正により微調整されるように機械学習モデルを構成することを含む、条項28~49の何れか一項に記載の方法。
51. 訓練及び/又は更新が、オフライン、オンライン、又はオフライン及びオンラインの組み合わせで行われる、条項28~50の何れか一項に記載の方法。
52. シミュレートした訓練データが、物理的モデルを使用して生成された複数の訓練制御入力及び対応する訓練制御出力ペアを含み、
機械学習モデルが、訓練制御入力に基づいて、予測制御出力を予測するように構成され、
機械学習モデルが、機械学習モデルの1つ又は複数の構成を更新するためにフィードバックとして訓練制御出力を使用するように構成され、1つ又は複数の構成が、訓練制御出力と予測制御出力の比較に基づいて更新される、条項28~51の何れか一項に記載の方法。
53. 機械学習モデルが、
第1の更新モデルパラメータ値を決定するために機械学習モデルを用いて生産環境ローカルパターニングプロセスに関連するローカルな実際のプロセスデータを受け取ることと、
機械学習モデルに少なくとも部分的に外部訓練データを提供することによって得られる第2の更新モデルパラメータ値を受け取ることであって、外部訓練データが、パターニングプロセス装置間変動を示す、受け取ることと、
初期モデルパラメータ値を第1及び/又は第2の更新モデルパラメータ値で更新することによって機械学習モデルを調整することと、
を行うために構成されるように、パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて機械学習モデルを微調整することによって経時的に更新されるように機械学習モデルを構成することをさらに含む、条項28~52の何れか一項に記載の方法。
54. 調整が、経時的なローカルパターニングプロセスにおけるドリフトを考慮に入れる、条項53に記載の方法。
55. 機械学習モデルを訓練する方法であって、方法が、
パターニングプロセスをシミュレートすることによって訓練データを生成することであって、訓練データが、複数の訓練制御入力及び対応する訓練制御出力を含み、訓練制御入力が、パターニングプロセスに使用される1つ又は複数のパラメータを含み、訓練制御出力が、1つ又は複数のパラメータの調整を含む、生成することと、
予測制御出力を生成するために、訓練制御入力をベース機械学習モデルに提供することと、
ベース機械学習モデルの1つ又は複数の構成を更新するためにフィードバックとして訓練制御出力を使用することであって、1つ又は複数の構成が、
機械学習モデルが、新しい制御入力に基づいて新しい制御出力を生成するように構成されるように、
訓練制御出力と予測制御出力の比較に基づいて更新される、使用することと、
を含む、方法。
56. 機械学習モデルが、パターニングプロセスからの実際の、及び/又はシミュレートしたプロセスデータを用いて機械学習モデルを再訓練することによって、経時的に更新されるように構成される、条項55に記載の方法。
57. パターニングプロセスが、物理的モデルを用いてシミュレートされる、条項55に記載の方法。
58. 機械学習モデルが人工ニューラルネットワークである、条項55~57の何れか一項に記載の方法。
59. 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、
複数の対応する動作条件に関するパターニングプロセスを制御するための複数の制御入力を受け取ることであって、制御入力のそれぞれが、パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
1つ又は複数のパラメータの1つ又は複数の調整に関連する複数の制御出力を生成すること、又は受け取ることであって、複数の制御出力が、複数の動作条件を受けるパターニングプロセスの挙動のシミュレーションで使用される物理的モデルの出力に基づく、生成すること、又は受け取ることと、
受け取った複数の制御入力及び複数の生成された又は受け取った制御出力を入力することによって、新しい制御入力に対応する新しい制御出力を推論するように構成された機械学習モデルを訓練することと、
をコンピュータに行わせる、非一時的コンピュータ可読媒体。
60. 制御出力が、1つ又は複数のパラメータの調整を含む、条項1~54の何れか一項に記載の一時的コンピュータ可読媒体又は方法。
61. 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、プロセスの時間依存挙動に関連する測定パラメータデータ、及び時間依存挙動中のプロセスの状態に関連するコンテキストデータを受け取ることと、プロセスの物理的モデルにコンテキストデータを入力することに基づいて、時間依存挙動を特徴付ける1つ又は複数のパラメータの第1の値を決定することと、履歴測定パラメータデータ及び履歴コンテキストデータに関して訓練された機械学習モデルにコンテキストデータを提供することによって、1つ又は複数のパラメータの第2の値を決定することと、1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定することと、1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、測定パラメータデータ及びコンテキストデータを使用して機械学習モデルを訓練することと、をコンピュータに行わせる、非一時的コンピュータ可読媒体。
62. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定するための命令が、機械学習モデルのエージェントのごとく機能するように構成され、1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、エージェントが、機械学習モデルに報酬を与える、条項61に記載のコンピュータ可読媒体。
63. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定するための命令が、さらなる機械学習モデルとして実装される、条項61又は62に記載のコンピュータ可読媒体。
64. さらなる機械学習モデルが、機械学習モデルのエージェントであるように構成され、エージェントが、i)第1及び第2の値、並びに測定パラメータデータを入力として使用することと、ii)1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、機械学習モデルに報酬を与えることと、を行うように構成される、条項63に記載のコンピュータ可読媒体。
65. 機械学習モデル及びさらなる機械学習モデルが、ニューラルネットワークアーキテクチャに基づく、条項63又は64に記載のコンピュータ可読媒体。
66. 機械学習モデルが、生成ブランチとして構成され、さらなる機械学習モデルが、敵対的生成ネットワーク(GAN)の弁別ブランチとして構成される、条項65に記載のコンピュータ可読媒体。
67. 機械学習モデルが、畳み込みニューラルネットワーク(CNN)、又はエンコーダ-デコーダベースモデルの一方を含む、条項61~66の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
68. エンコーダ-デコーダモデルが、コンテキストデータを潜在空間にマッピングするように構成されたエンコーダ、及びマッピングされたコンテキストデータに基づいて、1つ又は複数のパラメータを再構築するように構成されたデコーダを含む、条項67に記載のコンピュータ可読媒体。
69. 測定パラメータデータ及び時間依存挙動が、エッチング装置又はリソグラフィ装置内の加熱誘発挙動に関連し、コンテキストデータが、リソグラフィ又はエッチング装置の状態及び/又は設定に関連する、条項61~68の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
70. 加熱誘発挙動が、リソグラフィ装置によって照明されるパターニングデバイスの加熱に関連し、1つ又は複数のパラメータが、リソグラフィ装置の状態及び/又は設定がコンテキストデータに対応する場合には、パターンデバイスの加熱により生じたパターニングデバイスのジオメトリ変形を特徴付ける、条項69に記載のコンピュータ可読媒体。
71. 1つ又は複数のパラメータが、ジオメトリ変形及びコンテキストデータに関連する1つ又は複数の変形モードを含む、条項70に記載のコンピュータ可読媒体。
72. コンテキストデータが、プロセスを受ける基板の処理履歴、リソグラフィ装置によって照明されるパターニングデバイス上のエリアのサイズ、1つ又は複数の基板の処理中にパターニングデバイス上のエリアが受ける強度又はドーズ、パターニングデバイスの透過のうちの1つ又は複数を含む、条項70又は71に記載のコンピュータ可読媒体。
73. 測定パラメータデータが、パターニングデバイスに提供される複数のフィーチャに関連する位置データを含む、条項72に記載のコンピュータ可読媒体。
74. 1つ又は複数のパラメータの第1の値が、少なくとも部分的に、履歴測定パラメータデータに基づく、条項61~73の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
75. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかに応じて、1つ又は複数のパラメータの第1又は第2の値をデータベース構造に保存するための命令をさらに含む、条項61~74の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
76. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらかに基づいて、プロセスの実施で使用される装置を構成するための命令をさらに含む、条項61~75の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
77. 装置が、リソグラフィ装置であり、プロセスが、半導体製造プロセスである、条項76に記載のコンピュータ可読媒体。
78. 測定パラメータデータを受け取るための命令が、対応するコンテキストデータに関する要件に基づいて、受け取った測定パラメータデータをフィルタリングする命令をさらに含み、機械学習モデルが、フィルタリングされた測定パラメータデータを使用して訓練される、条項61~77の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
79. リソグラフィ装置のための制御入力として、1つ又は複数のパラメータの第1及び/又は第2の値を使用する命令をさらに含む、条項61~78の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
80. リソグラフィ装置の制御出力を予測するために1つ又は複数のパラメータの第1及び/又は第2の値を使用する命令をさらに含む、条項61~79の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
81. 方法であって、方法が、プロセスの時間依存挙動に関連する測定パラメータデータ、及び時間依存挙動中のプロセスの状態に関連するコンテキストデータを受け取ることと、プロセスの物理的モデルにコンテキストデータを入力することに基づいて、時間依存挙動を特徴付ける1つ又は複数のパラメータの第1の値を決定することと、履歴測定パラメータデータ及び履歴コンテキストデータに関して訓練された機械学習モデルにコンテキストデータを提供することによって、1つ又は複数のパラメータの第2の値を決定することと、1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定することと、1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、測定パラメータデータ及びコンテキストデータを使用して機械学習モデルを訓練することと、を含む、方法。
82. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定するための命令が、機械学習モデルのエージェントのごとく機能するように構成され、1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、エージェントが、機械学習モデルに報酬を与える、条項81に記載の方法。
83. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかを決定することが、さらなる機械学習モデルを使用する、条項81又は82に記載の方法。
84. さらなる機械学習モデルが、機械学習モデルのエージェントであるように構成され、エージェントが、i)第1及び第2の値、並びに測定パラメータデータを入力として使用することと、ii)1つ又は複数のパラメータの第2の値が、1つ又は複数のパラメータの第1の値よりも測定パラメータデータに良く一致する場合には、機械学習モデルに報酬を与えることと、を行うように構成される、条項83に記載の方法。
85. 機械学習モデル及びさらなる機械学習モデルが、ニューラルネットワークアーキテクチャに基づく、条項83又は84に記載の方法。
86. 機械学習モデルが、生成ブランチとして構成され、さらなる機械学習モデルが、敵対的生成ネットワーク(GAN)の弁別ブランチとして構成される、条項85に記載の方法。
87. 機械学習モデルが、畳み込みニューラルネットワーク(CNN)、又はエンコーダ-デコーダベースモデルの一方を含む、条項81~86の何れか一項に記載の方法。
88. エンコーダ-デコーダモデルが、コンテキストデータを潜在空間にマッピングするように構成されたエンコーダ、及びマッピングされたコンテキストデータに基づいて、1つ又は複数のパラメータを再構築するように構成されたデコーダを含む、条項87に記載の方法。
89. 測定パラメータデータ及び時間依存挙動が、エッチング装置又はリソグラフィ装置内の加熱誘発挙動に関連し、コンテキストデータが、リソグラフィ又はエッチング装置の状態及び/又は設定に関連する、条項81~88の何れか一項に記載の方法。
90. 加熱誘発挙動が、リソグラフィ装置によって照明されるパターニングデバイスの加熱に関連し、1つ又は複数のパラメータが、リソグラフィ装置の状態及び/又は設定がコンテキストデータに対応する場合には、パターンデバイスの加熱により生じたパターニングデバイスのジオメトリ変形を特徴付ける、条項89に記載の方法。
91. 1つ又は複数のパラメータが、ジオメトリ変形及びコンテキストデータに関連する1つ又は複数の変形モードを含む、条項90に記載の方法。
92. コンテキストデータが、プロセスを受ける基板の処理履歴、リソグラフィ装置によって照明されるパターニングデバイス上のエリアのサイズ、1つ又は複数の基板の処理中にパターニングデバイス上のエリアが受ける強度又はドーズ、パターニングデバイスの透過のうちの1つ又は複数を含む、条項90又は91に記載の方法。
93. 測定パラメータデータが、パターニングデバイスに提供される複数のフィーチャに関連する位置データを含む、条項92に記載の方法。
94. 1つ又は複数のパラメータの第1の値が、少なくとも部分的に、履歴測定パラメータデータに基づく、条項81~93の何れか一項に記載の方法。
95. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらが測定パラメータデータにより良く一致するかに応じて、1つ又は複数のパラメータの第1又は第2の値をデータベース構造に保存することをさらに含む、条項81~94の何れか一項に記載の方法。
96. 1つ又は複数のパラメータの第1の値又は第2の値のどちらかに基づいて、プロセスの実施で使用される装置を構成することをさらに含む、条項81~95の何れか一項に記載の方法。
97. 装置が、リソグラフィ装置であり、プロセスが、半導体製造プロセスである、条項96に記載の方法。
98. 測定パラメータデータを受け取ることが、対応するコンテキストデータに関する要件に基づく、受け取った測定パラメータデータのフィルタリングをさらに含み、機械学習モデルが、フィルタリングされた測定パラメータデータを使用して訓練される、条項81~97の何れか一項に記載の方法。
100. 訓練制御入力が、動作条件を含む、条項1~54の何れか一項に記載の一時的コンピュータ可読媒体又は方法。
101. 訓練制御入力が、パターニングプロセスで使用されるレチクルの透過、レチクルの照明に使用されるリソグラフィ装置のフィールドサイズ、レチクルの照明に使用される放射の強度のうちの1つ又は複数である、条項100に記載の一時的コンピュータ可読媒体又は方法。
102. 訓練制御出力が、パターニングプロセスの時間依存挙動を特徴付ける1つ又は複数のパラメータの値である、条項100又は101に記載の一時的コンピュータ可読媒体又は方法。
103. リソグラフィ装置の状態及び/又は設定が動作条件に対応する場合には、1つ又は複数のパラメータが、レチクルの加熱によって生じるレチクルのジオメトリ変形を特徴付ける、条項102に記載の一時的コンピュータ可読媒体又は方法。
Claims (20)
- 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、コンピュータによって実行されると、
制御入力を受け取ることであって、前記制御入力が、パターニングプロセスを制御するためのものであり、前記制御入力が、前記パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
訓練された機械学習モデルを用いて、前記制御入力に基づいて、前記パターニングプロセスの制御出力を生成することであって、前記機械学習モデルが、前記パターニングプロセスのシミュレーション及び/又は実際のプロセスデータから生成された訓練データを用いて訓練されたものであり、前記訓練データが、1)前記パターニングプロセスの複数の動作条件に対応する複数の訓練制御入力であって、前記パターニングプロセスの前記複数の動作条件が、経時的な前記パターニングプロセスの動作条件に特有の挙動に関連する、複数の訓練制御入力と、2)前記複数の訓練制御入力に対応した複数の訓練制御出力であって、各訓練制御出力が、入力として対応する訓練制御入力を有する物理的モデルを使用して生成される、複数の訓練制御出力と、を含む、生成することと、
を前記コンピュータに行わせる、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 経時的な前記パターニングプロセスの前記動作条件に特有の挙動が、経時的な前記パターニングプロセスにおけるドリフトを含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記機械学習モデルが、人工ニューラルネットワーク、畳み込みニューラルネットワーク、及び/又はリカレントニューラルネットワークを含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記1つ又は複数のパラメータが、リソグラフィ装置、光学メトロロジ検査ツール、及び/又は電子ビーム検査ツールパラメータ、及び/又は関連するリソグラフィ及び/又は検査プロセスパラメータの1つ又は複数を含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記制御入力が、回折パターン画像、モーションセットポイント、又はウェーハ及び/若しくはレチクルのロードシーケンスを含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの動作制御が、1)リソグラフィ装置のウェーハ及び/又はレチクルステージの移動を制御すること、2)前記リソグラフィ装置のレンズにおける屈曲波加熱要素を制御すること、及び/又は3)瞳整形及び/又は露光フィールドディストーション制御で使用される可動ミラーなどの、前記リソグラフィ装置の1つ若しくは複数のミラーを制御することの一方又は両方による、前記リソグラフィ装置の作動を制御することを含む、請求項6に記載の媒体。
- 前記制御出力が、パターニングプロセス装置の1つ又は複数のコンポーネントの熱膨張に関連する1つ又は複数のパラメータの調整を含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記制御出力が、ウェーハ加熱制御調整、レチクル加熱制御調整、及び/又はミラー加熱制御調整を含む、請求項8に記載の媒体。
- 前記制御出力を決定することが、オーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントを予測することと、前記予測されたオーバーレイフィンガープリント及び/又はフォーカスフィンガープリントに基づいて、前記ウェーハ加熱制御調整を決定することと、を含む、請求項9に記載の媒体。
- 前記制御出力が、レンズ加熱制御調整を含み、前記制御出力を決定することが、
レンズ加熱に関連するミュータウパラメータ値、レンズ加熱フィードフォワード時間系列、及び/又はレンズ加熱フィールド時間系列を予測すること、
前記ミュータウ値、レンズ加熱フィードフォワード値、及び/又はレンズ加熱フィールド値に基づいて、レンズ加熱費用関数を決定すること、
前記レンズ加熱費用関数に基づいて、機械学習モデルパラメータの重みを決定すること、並びに
前記機械学習モデルによるレンズ加熱予測に基づいて、前記レンズ加熱制御調整を決定すること、
のうちの1つを含む、請求項9に記載の媒体。 - 前記パターニングプロセスからのシミュレートした、及び/又は実際のプロセス訓練データを用いて前記機械学習モデルを訓練することが、初期較正を含み、
前記機械学習モデルが、前記パターニングプロセスからの新しい実際のプロセスデータを用いて前記機械学習モデルを再訓練することによって、経時的に更新されるように構成され、
前記再訓練が、前記パターニングプロセスで経時的に生じるドリフトを考慮に入れるように構成された1つ又は複数のドリフト較正により微調整されるように前記機械学習モデルを構成することを含む、請求項1に記載の媒体。 - 前記訓練データが、前記物理的モデルを使用して生成された複数の訓練制御入力及び対応する訓練制御出力ペアを含み、
前記機械学習モデルが、訓練制御入力に基づいて、予測制御出力を予測するように構成され、
前記機械学習モデルが、前記機械学習モデルの1つ又は複数の構成を更新するためにフィードバックとして訓練制御出力を使用するように構成され、前記1つ又は複数の構成が、前記訓練制御出力と前記予測制御出力の比較に基づいて更新される、請求項1に記載の媒体。 - 前記訓練制御入力が、前記動作条件を含む、請求項1に記載の媒体。
- 前記訓練制御入力が、前記パターニングプロセスで使用されるレチクルの透過、前記レチクルの照明に使用されるリソグラフィ装置のフィールドサイズ、前記レチクルの照明に使用される放射の強度のうちの1つ又は複数である、請求項14に記載の媒体。
- 前記訓練制御出力が、前記パターニングプロセスの前記時間依存挙動を特徴付ける1つ又は複数のパラメータの値である、請求項14又は15に記載の媒体。
- 前記リソグラフィ装置の前記状態及び/又は設定が前記動作条件に対応する場合には、前記1つ又は複数のパラメータが、前記レチクルの加熱によって生じる前記レチクルのジオメトリ変形を特徴付ける、請求項16に記載の媒体。
- パターニングプロセスの制御出力を生成する方法であって、前記方法が、
制御入力を受け取ることであって、前記制御入力が、パターニングプロセスを制御するためのものであり、前記制御入力が、前記パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
訓練された機械学習モデルを用いて、前記制御入力に基づいて、前記パターニングプロセスの制御出力を生成することであって、前記機械学習モデルが、前記パターニングプロセスのシミュレーション及び/又は実際のプロセスデータから生成された訓練データを用いて訓練されたものであり、前記訓練データが、1)前記パターニングプロセスの複数の動作条件に対応する複数の訓練制御入力であって、前記パターニングプロセスの前記複数の動作条件が、経時的な前記パターニングプロセスの動作条件に特有の挙動に関連する、複数の訓練制御入力と、2)前記複数の訓練制御入力に対応した複数の訓練制御出力であって、各訓練制御出力が、入力として対応する訓練制御入力を有する物理的モデルを使用して生成される、複数の訓練制御出力と、を含む、生成することと、
を含む、方法。 - 前記訓練制御入力が、前記動作条件を含み、前記パターニングプロセスで使用されるレチクルの透過、前記レチクルの照明に使用されるリソグラフィ装置のフィールドサイズ、前記レチクルの照明に使用される放射の強度のうちの1つ又は複数であり、前記訓練制御出力が、前記パターニングプロセスの前記時間依存挙動を特徴付ける1つ又は複数のパラメータの値である、請求項18に記載の方法。
- 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、コンピュータによって実行されると、
複数の対応する動作条件に関するパターニングプロセスを制御するための複数の制御入力を受け取ることであって、前記制御入力のそれぞれが、前記パターニングプロセスで使用される1つ又は複数のパラメータを含む、受け取ることと、
前記1つ又は複数のパラメータの1つ又は複数の調整に関連する複数の制御出力を生成すること、又は受け取ることであって、前記複数の制御出力が、前記複数の動作条件を受ける前記パターニングプロセスの挙動のシミュレーションで使用される物理的モデルの前記出力に基づく、生成すること、又は受け取ることと、
前記受け取った複数の制御入力及び複数の生成された又は受け取った制御出力を入力することによって、新しい制御入力に対応する新しい制御出力を推論するように構成された機械学習モデルを訓練することと、
を前記コンピュータに行わせる、非一時的コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2020101030 | 2020-07-09 | ||
CNPCT/CN2020/101030 | 2020-07-09 | ||
EP20186710.8A EP3944020A1 (en) | 2020-07-20 | 2020-07-20 | Method for adjusting a patterning process |
EP20186710.8 | 2020-07-20 | ||
EP21172961.1 | 2021-05-10 | ||
EP21172961 | 2021-05-10 | ||
PCT/EP2021/065947 WO2022008174A1 (en) | 2020-07-09 | 2021-06-14 | Method for adjusting a patterning process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023533491A true JP2023533491A (ja) | 2023-08-03 |
JP7523601B2 JP7523601B2 (ja) | 2024-07-26 |
Family
ID=76422011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022580736A Active JP7523601B2 (ja) | 2020-07-09 | 2021-06-14 | パターニングプロセスの調整方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230273529A1 (ja) |
JP (1) | JP7523601B2 (ja) |
KR (1) | KR20230023789A (ja) |
CN (1) | CN115777085A (ja) |
TW (1) | TWI782597B (ja) |
WO (1) | WO2022008174A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4216106A1 (en) * | 2022-01-19 | 2023-07-26 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a production system and method for thermally controlling at least part of an environment |
EP4261618A1 (en) * | 2022-04-14 | 2023-10-18 | ASML Netherlands B.V. | A method of determining a correction for control of a lithography and/or metrology process, and associated devices |
CN117313640B (zh) * | 2022-06-14 | 2024-09-20 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 光刻掩膜生成模型的训练方法、装置、设备及存储介质 |
WO2024132326A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Method to infer and estimate reticle temperature based on reticle shape measurements |
WO2024132447A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for determining reticle deformations |
WO2024132448A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for determining reticle deformations |
WO2024132427A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for determining reticle deformations |
WO2024141236A1 (en) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for determining reticle deformation |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036734A1 (nl) | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
KR101295203B1 (ko) | 2008-10-06 | 2013-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 2차원 타겟을 이용한 리소그래피 포커스 및 조사량 측정 |
NL2007176A (en) | 2010-08-18 | 2012-02-21 | Asml Netherlands Bv | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method. |
KR102521159B1 (ko) | 2014-11-25 | 2023-04-13 | 피디에프 솔루션즈, 인코포레이티드 | 반도체 제조 공정을 위한 개선된 공정 제어 기술 |
NL2017882A (en) | 2015-12-17 | 2017-06-26 | Asml Netherlands Bv | Optical metrology of lithographic processes using asymmetric sub-resolution features to enhance measurement |
KR102485767B1 (ko) | 2017-02-22 | 2023-01-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 전산 계측 |
JP7137943B2 (ja) | 2018-03-20 | 2022-09-15 | 株式会社日立ハイテク | 探索装置、探索方法及びプラズマ処理装置 |
EP3654103A1 (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-20 | ASML Netherlands B.V. | Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process |
WO2020114686A1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Method to predict yield of a semiconductor manufacturing process |
-
2021
- 2021-06-14 JP JP2022580736A patent/JP7523601B2/ja active Active
- 2021-06-14 US US18/012,222 patent/US20230273529A1/en active Pending
- 2021-06-14 KR KR1020237001600A patent/KR20230023789A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-06-14 CN CN202180048684.0A patent/CN115777085A/zh active Pending
- 2021-06-14 WO PCT/EP2021/065947 patent/WO2022008174A1/en active Application Filing
- 2021-06-28 TW TW110123502A patent/TWI782597B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230273529A1 (en) | 2023-08-31 |
KR20230023789A (ko) | 2023-02-17 |
WO2022008174A1 (en) | 2022-01-13 |
TWI782597B (zh) | 2022-11-01 |
JP7523601B2 (ja) | 2024-07-26 |
CN115777085A (zh) | 2023-03-10 |
TW202209095A (zh) | 2022-03-01 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230222 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7523601 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |