JP2023524120A - ステンシル回避設計方法、ステンシル回避設計装置、電子デバイス及び記憶媒体 - Google Patents
ステンシル回避設計方法、ステンシル回避設計装置、電子デバイス及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023524120A JP2023524120A JP2022567149A JP2022567149A JP2023524120A JP 2023524120 A JP2023524120 A JP 2023524120A JP 2022567149 A JP2022567149 A JP 2022567149A JP 2022567149 A JP2022567149 A JP 2022567149A JP 2023524120 A JP2023524120 A JP 2023524120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stencil
- pattern
- opening pattern
- stencil opening
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 32
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004614 Process Aid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0005—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for designing circuits by computer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
- H05K3/1225—Screens or stencils; Holders therefor
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2115/00—Details relating to the type of the circuit
- G06F2115/12—Printed circuit boards [PCB] or multi-chip modules [MCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Architecture (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
Abstract
Description
ステンシル設計においては、プロセスが異なり、求められる場面が異なるため、実際の状況に基づいて要求に適合するステンシル開口を設計する必要がある。実際には、ステンシル開口が設計されたとき、ステンシルの開口とPCB基板におけるスルーホール、ソルダレジストパターン、Profile(PCB基板の輪郭)、素子本体(Body)等とが一定の距離を保っていなければならない。このとき、SMTプロセスが要求する距離の範囲に達するように、ステンシル開口に対して回避処理を行う必要がある。現在、電子製造業では作業者が肉眼で調査することがほとんどである。その際、手動で当該箇所を特定し、回避処理を行う開口を選択するが、これでは回避処理を行う必要があるステンシル開口を極めて容易に遺漏してしまい、後の使用においてエラーレートが高くなってしまう。また、この方法では多くの時間を浪費してしまう。
したがって、作業者が手動で回避を行う従来の方法では主に以下の問題が生じることになる。(1)どの位置の開口に回避が必要か否かを作業者が探し出す必要があるため、長時間を要する。(2)作業者が手動で回避させる方法では、回避後のステンシル開口データの全てがSMTプロセスの要求を満たしていることを保証することができないため、カバー率が低くなる。(3)作業者が手動で回避させる方法では、回避の際にデータの遺漏問題が生じないことを保証することができないため、容易に遺漏する。
以上の問題が生じると、はんだブリッジ、はんだ不足、はんだ漏れ等の状況が生じやすくなる、及び、はんだ漏れが原因のノンウェッティング問題が引き起こされる等、ステンシル開口設計の性能に影響を及ぼし、PCB回路基板における印刷の質に影響してしまう。
本発明が解決しようとする技術課題は、以下の技術手段によって実現される。
プロセッサ、通信インターフェース、メモリは、通信バスによって相互間の通信を完成させ、メモリはコンピュータプログラムを記憶するために用いられ、プロセッサは、前記コンピュータプログラムを実行するとき、上述のうちのいずれか1つの実施例に記載のステンシル回避設計方法を実現させるために用いられる。
この方法によれば、ステンシル回避設計の効率、精度、カバー率及び包括性を高めることができる。人為的介入を減らして、回避されるステンシル開口に手作業による見間違い又は遺漏があることにより回避がされない又は回避不足になるという問題、回避後のステンシル開口がプロセス要求等を満たしていないために修正が繰り返されるという問題が発生することを避けることができる。
従来、作業者が肉眼で調査する場合と比べると、本発明の方法は、人的要求及び作業方法に対して相当大きな優位性がある。自動化が手作業に代替されることは、現在、各業界の傾向となっており、本発明はまさにこの傾向の発展に応えるものでもある。したがって、ステンシル開口設計の時間を大幅に短縮し、ステンシル設計の質を高めることで、PCB基板における印刷の質を高めることができる。
図1及び図2を参照して本実施例の技術手段を理解されたい。本実施例はステンシル回避設計方法を提供し、具体的には、以下のステップ1.1~ステップ1.5を含むことができる。
予め設定された距離が予め設定された閾値範囲を満たしている場合には、当該第一ステンシル開口パターンに対して回避処理を行う必要があるということを示しており、予め設定された閾値範囲を満たしている第一パターンを第二パターンとし、第一ステンシル開口パターンを第二ステンシル開口パターンとする。予め設定された閾値範囲は、例えば、0から0.2mmまでである。すなわち、0<予め設定された距離<0.2mmであるとき、予め設定された距離は予め設定された閾値範囲を満たしている。第二パターンが確定された後、第二パターンに対して処理を行い第三パターンを取得し、当該第三パターンと、当該第三パターンとの間の距離が予め設定された閾値範囲を満たしている第二ステンシル開口パターンとに対して、衝突処理を行う必要がある。
衝突が生じる場合には、衝突が生じている第二ステンシル開口パターンに対して裁断処理を行い、第三ステンシル開口パターンを取得する必要がある。第二ステンシル開口パターンを裁断した後に取得する第三ステンシル開口パターンが最終的なステンシル開口の要求を満たしているとは限らないため、当該第三ステンシル開口パターンが条件を満たしているか否かを更に確定させるために、第三ステンシル開口パターンにおける第一面積比、幅厚比、第二面積比、寸法比、第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する第二ステンシル開口パターンの面積との関係を通じて当該第三ステンシル開口パターンに調整が必要か否かを確定させることができ、それによって最終的なステンシル開口パターンを取得する。
第一面積比とは、第三ステンシル開口パターンの面積と孔壁面積との比率を意味しており、第二面積比とは、第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する第二ステンシル開口パターンの面積との比率を意味している。第三ステンシル開口パターンの面積とは、ステンシル開口の面積を意味しており、孔壁面積とは、当該第三ステンシル開口パターンの孔壁の総面積を意味しており、第三ステンシル開口パターンに対応する第二ステンシル開口パターンとは、第三ステンシル開口パターンが裁断される前の第二ステンシル開口パターンのことを意味している。そして、第三ステンシル開口パターンに基づいて当該第三ステンシル開口パターンを含むことができる第一最小矩形フレームを取り、第二ステンシル開口パターンに基づいて当該第二ステンシル開口パターンを含むことができる第二最小矩形フレームを取る。幅厚比とは、第一最小矩形フレームの幅の辺と当該第三ステンシル開口パターンの厚さとの比率を意味している。寸法比とは、第一最小矩形フレームの長辺と第二最小矩形フレームの長辺との比率、第一最小矩形フレームの幅の辺と第二最小矩形フレームの幅の辺の比を意味しており、幅の辺とは、矩形フレームにおいて長さが長辺よりも短い短辺を意味している。
まず、素子実装データに基づいてはんだペースト層データを生成し、次に、はんだペースト層データを通じて、異なる素子の種類に対して相応のステンシル開口パターン(Stencil Aperture)を製作(設計)する。これらのステンシル開口パターンが、第一ステンシル開口パターンである。つまり、回避のために必要である完成されたステンシル開口パターンデータを取得する。また、回避されるステンシル開口データGerberファイル(*.gbr)を相応に選択し、当該ファイルデータをインポートしてステンシル開口層を抽出することで、第一ステンシル開口パターンを取得することもできる。
全てのスルーホールがスルーホールA1からスルーホールA5を含み、全ての第一ステンシル開口パターンが第一ステンシル開口パターンB1から第一ステンシル開口パターンB8を含む場合には、スルーホールA1からスルーホールA5と第一ステンシル開口パターンB1から第一ステンシル開口パターンB8との二者間の予め設定された距離を計算する。図3bに示すように、d1はスルーホールA1と第一ステンシル開口パターンB1との間の距離の測定値を示しており、d1=0.07mmである。d2はスルーホールA2と第一ステンシル開口パターンB3との間の距離の測定値を示しており、d2=0.12mmである。d3はスルーホールA3と第一ステンシル開口パターンB5との間の距離の測定値を示しており、d3=0.18mmである。d4はスルーホールA4と第一ステンシル開口パターンB7との間の距離の測定値を示しており、d4=0.3mmである。d5はスルーホールA5と第一ステンシル開口パターンB8との間の距離の測定値を示しており、d5=0.33mmである。
スルーホールと第一ステンシル開口パターンとの間の予め設定された距離をAB距離とし、0<AB距離<0.2mmである場合には、当該スルーホールと第一ステンシル開口パターンとの間の予め設定された距離は予め設定された閾値範囲を満たしていることを表している。d1=0.07mm,d2=0.12mm,d3=0.18mmであることから、スルーホールA1、スルーホールA2、スルーホールA3と第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB3、第一ステンシル開口パターンB5とが予め設定された閾値範囲を満たしているパターンになる。
図3cに示すように、この場合は、スルーホールA1、スルーホールA2、スルーホールA3及び第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB3及び第一ステンシル開口パターンB5をそれぞれスルーホールA11、スルーホールA12、スルーホールA13及び第一ステンシル開口パターンB11、第一ステンシル開口パターンB13及び第一ステンシル開口パターンB15と記載している。
第一閾値は、例えば、0.66、第二閾値は1.5、第三閾値は20%、第四閾値は50%、第五閾値は50%にする。例えば、第一ステンシル開口パターンB21、第一ステンシル開口パターンB23、第一ステンシル開口パターンB25については、第一ステンシル開口パターンB21、第一ステンシル開口パターンB23、第一ステンシル開口パターンB25における第一面積比が>0.66、幅厚比が>1.5、第二面積比が>50%、寸法比が>50%になり、かつ、第三ステンシル開口パターンの面積/第二ステンシル開口パターンの面積が<20%になる。
2種類の調整方法が用いられるときは、まず寸法を調整する方法を行う。次に位置を調整する方法を行うことの優先度に関し、まず位置を調整する方法を行い、次に形状を調整する方法を行うことの優先度よりも高くする。
3種類の調整方法が用いられるときは、寸法を調整する方法が優先して用いられ、次に位置を調整する方法が用いられ、次に形状を調整する方法が用いられる。
まず、第三ステンシル開口パターンB21の寸法を修正し(例えば、0.05倍縮小する)、次に、第三ステンシル開口パターンB21の位置を修正し(例えば、パターンを0.001mm移動させる等、スルーホールA11から離れる方向に特定距離移動させる)、次に、第三ステンシル開口パターンB21の形状を修正する(例えば、長さ、幅等のいずれかの辺の寸法を微調整し、微調整する寸法と微調整前の寸法との比率が0.5%~10%の閾値範囲内であればよい)ことによって、図3fのような新たなステンシル開口B31が生じる。当該ステンシル開口B31は、第三ステンシル開口パターンB21をスルーホールから離れる方向に特定距離移動させることで第三ステンシル開口パターンB21の位置を修正し、増加した第三ステンシル開口パターンB21の幅部分の寸法が微調整前の寸法の0.5%~10%の閾値範囲内を満たすように操作して幅厚比を高めるという方法によって実現したものである。
第三ステンシル開口パターンにおけるパターン処理の総回数Nが予め設定された回数閾値よりも小さいか等しく、かつ、N回のパターン処理を経た第三ステンシル開口パターンが第一条件、第二条件及び第三条件を同時に満たしている場合には、最終的なステンシル開口パターンを取得する。第三ステンシル開口パターンにおけるパターン処理の総回数Nが予め設定された回数閾値と等しく、かつ、N回のパターン処理を経た第三ステンシル開口パターンが第一条件、第二条件及び第三条件を同時に満たすことができないときは、第四ステンシル開口パターンを取得する。
実行回数が予め設定した回数閾値以下である場合は、上述の調整方法では要求を満たすステンシル開口パターンを取得することができないことを示しており、当該要求を満たすことができないステンシル開口パターンを第四ステンシル開口パターンとする。例えば、図3gにおいて、ステンシル開口パターンBi1はi回のパターン処理を経たステンシル開口パターンである。予め設定された回数閾値は、例えば、20回である。図3hに示したものは、i回のパターン処理を経て取得した最終的なステンシル開口パターンである。
この方法によれば、ステンシル開口回避設計の効率、精度、カバー率及び包括性を高めることができる。これにより、人為的介入を減らして、回避されるステンシル開口に手動による見間違い又は遺漏があることにより回避がされない又は回避不足になるという問題、及び回避後のステンシル開口がプロセス要求等を満たしていないために修正が繰り返されるという問題を避けることができる。
従来、作業員が肉眼で調査していた場合と比べると、本発明の方法は、人的要求及び作業方法に対して相当大きな優位性がある。自動化が人力に代替されることは、現在、各業界の傾向となっており、本発明はまさにこの傾向の発展に応えるものでもあり、ステンシル開口設計の時間を大幅に短縮し、ステンシル設計の質を高めることで、PCB基板における印刷の質を高めることができる。
図4a~図4hは、本発明の実施例が提供する輪郭に係るステンシル回避設計の過程を示す図である。図4a~図4hを参照すると、本発明は上述の実施例に基づき、第一パターンがPCB基板の輪郭(Profile)であるときを例として、本発明が提供する輪郭及びステンシル回避設計方法を用いて輪郭及びステンシル開口に対して回避を行う具体的なプロセスを説明する。当該プロセスは、具体的に、以下のステップ2.1~ステップ2.12を含んでいる。
回避処理を行う必要があるPCB基板の輪郭(Profile)、4つの第一ステンシル開口パターン(第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2、第一ステンシル開口パターンB3、第一ステンシル開口パターンB4を含む)を図4aに示す。
図4bに示すように、d1は輪郭と第一ステンシル開口パターンB1との間の距離の測定値を示しており、d1=0.07mmである。d2は輪郭と第一ステンシル開口パターンB2との間の距離の測定値を示しており、d2=0.13mmである。d3は輪郭と第一ステンシル開口パターンB3との間の距離の測定値を示しており、d3=0.18mmである。d4は輪郭と第一ステンシル開口パターンB4との間の距離の測定値を示しており、d4=0.4mmである。d5は輪郭と第一ステンシル開口パターンB1との間の距離の測定値を示しており、d5=0.21mmである。d6は輪郭と第一ステンシル開口パターンB2との間の距離の測定値を示しており、d6=0.38mmである。d7は輪郭と第一ステンシル開口パターンB3との間の距離の測定値を示しており、d7=0.3mmである。d8は輪郭と第一ステンシル開口パターンB4との間の距離の測定値を示しており、d8=0.36mmである。
したがって、輪郭と第一ステンシル開口パターンB1左辺との間の予め設定された距離(すなわち、d1)、輪郭と第一ステンシル開口パターンB2右辺との間の予め設定された距離(すなわち、d2)、輪郭と第一ステンシル開口パターンB3右辺との間の予め設定された距離(すなわち、d3)がいずれも予め設定された距離を満たしている場合には、図4cに示すように、第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2及び第一ステンシル開口パターンB3をそれぞれ第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12及び第二ステンシル開口パターンB13とする。
図4cにおける第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12及び第二ステンシル開口パターンB13内の黒の縦線は、移動した後のパターンである。移動後のパターンは、第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12及び第二ステンシル開口パターンB13とそれぞれ衝突処理が行われる。
図4fのステンシル開口B31は、第三ステンシル開口パターンB21を輪郭から離れる方向に特定距離移動させることで第三ステンシル開口パターンB21の位置を修正し、増加させた開口の幅部分の寸法が微調整前の寸法の0.5%~10%の閾値範囲内を満たすように操作して幅厚比を高めるという方法によって実現したものである。
図5a~図5hは、本発明の実施例が提供するソルダレジストパターンに係るステンシル回避設計の過程を示す図である。図5a~図5hを参照して、上述の実施例に基づき、第一パターンがソルダレジストである場合を例として、本発明が提供するソルダレジストパターン及びステンシル回避設計方法を用いてソルダレジスト及びステンシル開口に対して回避を行う具体的なプロセスを説明する。
当該プロセスは、具体的に、以下のステップ3.1~ステップ3.12を含んでいる。
図5aに示すように、回避処理を行う必要があるのは5つのソルダレジスト(ソルダレジストS1、ソルダレジストS2、ソルダレジストS3、ソルダレジストS4、ソルダレジストS5を含む)及び5つの第一ステンシル開口パターン(第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2、第一ステンシル開口パターンB3、第一ステンシル開口パターンB4、第一ステンシル開口パターンB5を含む)である。
図5bに示すように、d1はソルダレジストS1と第一ステンシル開口パターンB1との間の距離の測定値を示しており、d1=0.07mmである。d2はソルダレジストS2と第一ステンシル開口パターンB2との間の距離の測定値を示しており、d2=0.13mmである。d3はソルダレジストS3と第一ステンシル開口パターンB3との間の距離の測定値を示しており、d3=0.18mmである。d4はソルダレジストS4と第一ステンシル開口パターンB4との間の距離の測定値を示しており、d4=0.35mmである。d5はソルダレジストS5と第一ステンシル開口パターンB5との間の距離の測定値を示しており、d5=0.38mmである。
予め設定された閾値範囲を満たしている第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2、第一ステンシル開口パターンB3を、図5cの第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12、第二ステンシル開口パターンB13とすることができる。
図5cは、ソルダレジストS11、ソルダレジストS12、ソルダレジストS13、すなわち、ソルダレジストS1、ソルダレジストS2、ソルダレジストS3が外向きに拡大された後に第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12、第二ステンシル開口パターンB13と衝突が生じる部分を示している。
まず、第三ステンシル開口パターンの寸法を修正し(例えば、0.05倍縮小する)、次に、第三ステンシル開口パターンの位置を修正し(例えば、0.001mm移動させる等、ソルダレジストから離間する方向に特定距離移動させる)、次に、第三ステンシル開口パターンの形状を修正する(例えば、長さ、幅等のいずれかの辺の寸法を微調整し、微調整する寸法と微調整前の寸法との比率が0.5%~10%の閾値範囲内であればよい)ことによって、新たなステンシル開口パターンが作成される。例えば、図5fのステンシル開口B31は、第三ステンシル開口パターンB21を輪郭から離れる方向に特定距離移動させることで第三ステンシル開口パターンB21の位置を修正し、増加した開口の幅部分の寸法が微調整前の寸法の0.5%~10%の閾値範囲内を満たすように操作して幅厚比を高めるという方法によって実現したものである。
図6a~図6hは、本発明の実施例が提供する素子本体に係るステンシル回避設計の過程を示す図である。図6a~図6hを参照して、上述の実施例に基づき、第一パターンが素子本体であるときを例として、本発明が提供する素子本体及びステンシル回避設計方法を用いて素子本体及びステンシル開口に対して回避を行う具体的なプロセスを説明する。
当該プロセスは、具体的に、以下のステップ4.1~ステップ4.12を含んでいる。
まず、素子実装データに基づいてはんだペースト層データを生成し、次に、はんだペースト層データを通じて、異なる素子の種類に対して相応のステンシル開口パターンを製作(設計)する。
図6aに示すように、回避処理を行う必要があるのは、5つの素子本体(素子本体P1、素子本体P2、素子本体P3、素子本体P4、素子本体P5を含む)及び5つの第一ステンシル開口パターン(第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2、第一ステンシル開口パターンB3、第一ステンシル開口パターンB4、第一ステンシル開口パターンB5を含む)である。
図6bに示すように、d1は素子本体P1と第一ステンシル開口パターンB1との間の距離の測定値を示しており、d1=0.07mmである。d2は素子本体P2と第一ステンシル開口パターンB2との間の距離の測定値を示しており、d2=0.15mmである。d3は素子本体P3と第一ステンシル開口パターンB3との間の距離の測定値を示しており、d3=0.18mmである。d4は素子本体P4と第一ステンシル開口パターンB4との間の距離の測定値を示しており、d4=0.3mmである。d5は素子本体P5と第一ステンシル開口パターンB5との間の距離の測定値を示しており、d5=0.33mmである。予め設定された閾値範囲を満たしている第一ステンシル開口パターンB1、第一ステンシル開口パターンB2、第一ステンシル開口パターンB3は、図6cの第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12、第二ステンシル開口パターンB13を設定することができる。
図6cは、素子本体P11、素子本体P12、素子本体P13、すなわち、素子本体P1、素子本体P2、素子本体P3が外向きに拡大された後に第二ステンシル開口パターンB11、第二ステンシル開口パターンB12、第二ステンシル開口パターンB13と衝突が生じる部分を示している。
例えば、まず、第三ステンシル開口パターンの寸法を修正し(例えば、0.05倍縮小する)、次に、第三ステンシル開口パターンの位置を修正し(例えば、0.001mm移動させる等、素子本体から離れる方向に特定距離移動させる)、次に、第三ステンシル開口パターンの形状を修正する(例えば、長さ、幅等のいずれかの辺の寸法を微調整し、微調整する寸法と微調整前の寸法との比率が0.5%~10%の閾値範囲内であればよい)ことによって、新たなステンシル開口パターンが作成される。
図6fのステンシル開口B31は、第三ステンシル開口パターンB21を輪郭から離れる方向に特定距離移動させることで第三ステンシル開口パターンB21の位置を修正し、増加した開口の幅部分の寸法が微調整前の寸法の0.5%~10%の閾値範囲内を満たすように操作して幅厚比を高めるという方法によって実現したものである。
図7は、本発明の実施例が提供するステンシル回避設計装置の構造模式図である。図7を参照すると、当該ステンシル回避設計装置は、所定数の第一パターン及び所定数の第一ステンシル開口パターンを取り込むための取り込みモジュールと、第一パターンと第一ステンシル開口パターンとの間の予め設定された距離が予め設定された閾値範囲内であるか否かを判断し、予め設定された距離が予め設定された閾値範囲の条件を満たしている場合には、予め設定された閾値範囲を満たしている第二パターン及び第二ステンシル開口パターンを取得するための第一分析モジュールと、第二パターンに基づいて、第二ステンシル開口パターンと衝突処理を行うために用いられる第三パターンを取り込むためのパターン処理モジュールと、第三パターンが第二ステンシル開口パターンと衝突するか否かを判断し、衝突が生じる場合には、第二ステンシル開口パターンを裁断して第三ステンシル開口パターンを取得するための第二分析モジュールと、第三ステンシル開口パターンにおける第一面積比、幅厚比、第二面積比、第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する第二ステンシル開口パターンの面積との関係に基づいて最終的なステンシル開口パターンを取得するための検出モジュールと、を含んでいる。
図8は、本発明の実施例が提供する電子デバイスの構造模式図である。図8を参照すると、当該電子デバイス1100は、プロセッサ1101、通信インターフェース1102、メモリ1103及び通信バス1104を含んでいる。プロセッサ1101、通信インターフェース1102、メモリ1103は、通信バス1104によって相互間の通信を完成させ、メモリ1103は、コンピュータプログラムを記憶するために用いられ、プロセッサ1101は、コンピュータプログラムを実行する場合において、上述の方法を実現させるために用いられる。
本発明は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供し、コンピュータプログラムが記憶されている。上述のコンピュータプログラムがプロセッサによって実行される場合において、以下のステップ1.1~ステップ1.5が実行される。
Claims (11)
- ステンシル回避設計方法であって、
所定数の第一パターン及び所定数の第一ステンシル開口パターンを取り込むことと、
前記第一パターンと前記第一ステンシル開口パターンとの間の予め設定された距離が予め設定された閾値範囲内であるか否かを判断し、前記予め設定された閾値範囲の条件を満たしている場合には、前記予め設定された閾値範囲を満たしている第二パターン及び第二ステンシル開口パターンを取得することと、
前記第二パターンに基づいて第三パターンを得ることと、
前記第三パターンが前記第二ステンシル開口パターンと衝突するか否かを判断し、衝突が生じる場合には、前記第二ステンシル開口パターンを裁断して第三ステンシル開口パターンを取得することと、
前記第三ステンシル開口パターンにおける第一面積比、幅厚比、第二面積比、寸法比、前記第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する前記第二ステンシル開口パターンの面積との関係に基づいて最終的なステンシル開口パターンを取得することと、
を含むことを特徴とするステンシル回避設計方法。 - 前記第二パターンに基づいて第三パターンを得ることは、
前記予め設定された閾値範囲を満たしている前記第二パターンを予め設定された方向に沿って外向きに拡大又は内向きに縮小させて前記第三パターンを取得することを含み、
前記予め設定された方向とは、前記第二ステンシル開口パターンに向かう方向を意味することを特徴とする請求項1に記載のステンシル回避設計方法。 - 前記第二ステンシル開口パターンを裁断して第三ステンシル開口パターンを取得することは、
前記第二ステンシル開口パターンの衝突部分を裁断して前記第三ステンシル開口パターンを取得することを含むことを特徴とする請求項2に記載のステンシル回避設計方法。 - 前記第一面積比とは、前記第三ステンシル開口パターンの面積と孔壁面積との比率のことであり、前記第二面積比とは、前記第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する前記第二ステンシル開口パターンの面積との比率を意味することを特徴とする請求項3に記載のステンシル回避設計方法。
- 前記第三ステンシル開口パターンにおける第一面積比、幅厚比、第二面積比、前記第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する前記第二ステンシル開口パターンの面積との関係に基づいて最終的なステンシル開口パターンを取得することに関し、
前記第三ステンシル開口パターンが第一条件、第二条件及び第三条件を満たしているか否かを判断するステップ1.51と、
前記第一条件、前記第二条件及び前記第三条件を同時に満たすことができない場合には、予め設定された方法に従って前記第三ステンシル開口パターンに対して処理を行うことによって、パターン処理された第三ステンシル開口パターンを取り込むステップ1.52と、
前記パターン処理された第三ステンシル開口パターンに対してステップ1.51及びステップ1.52を繰り返し行い、前記第三ステンシル開口パターンにおけるパターン処理の総回数Nが予め設定された回数閾値よりも小さいか等しく、かつ、N回のパターン処理を経た第三ステンシル開口パターンが前記第一条件、前記第二条件及び前記第三条件を同時に満たしている場合には、最終的なステンシル開口パターンを取得し、前記第三ステンシル開口パターンにおけるパターン処理の総回数Nが前記予め設定された回数閾値と等しく、かつ、N回のパターン処理を経た第三ステンシル開口パターンが前記第一条件、前記第二条件及び前記第三条件を同時に満たすことができない場合には、第四ステンシル開口パターンを取得するステップ1.53と、
修正を経た前記第四ステンシル開口パターンを取り込むことによって、最終的なステンシル開口パターンを取得するステップ1.54と、
を含み、
前記第一条件とは、前記第一面積比が第一閾値よりも大きく、かつ、前記幅厚比が第二閾値よりも大きいことを意味し、
前記第二条件とは、前記第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する前記第二ステンシル開口パターンの面積との比率が第三閾値よりも小さいことを意味し、
前記第三条件とは、前記第二面積比が第四閾値よりも大きく、前記寸法比が第五閾値よりも大きいことを意味するものであることを特徴とする請求項4に記載のステンシル回避設計方法。 - 前記予め設定された方法は、寸法を調整する方法、位置を調整する方法、形状を調整する方法のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項5に記載のステンシル回避設計方法。
- 予め設定された方法に従って前記第三ステンシル開口パターンに対して処理を行うことによって、パターン処理された第三ステンシル開口パターンを取り込むことは、
予め設定された順序に基づき、前記予め設定された方法に従って前記第三ステンシル開口パターンに対して処理を行うことによって、前記パターン処理された第三ステンシル開口パターンを取り込むことを含み、
前記予め設定された順序では、前記寸法を調整する方法の優先度が前記位置を調整する方法の優先度よりも高く、前記位置を調整する方法の優先度が前記形状を調整する方法の優先度よりも高くなっていることを含むことを特徴とする請求項6に記載のステンシル回避設計方法。 - 前記第一パターンは、スルーホールパターン、ソルダレジストパターン、輪郭パターン、素子本体パターンのうちの少なくとも1種類を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のステンシル回避設計方法。
- ステンシル回避設計装置であって、
所定数の第一パターン及び所定数の第一ステンシル開口パターンを取り込むための取り込みモジュールと、
前記第一パターンと前記第一ステンシル開口パターンとの間の予め設定された距離が予め設定された閾値範囲内であるか否かを判断し、前記予め設定された閾値範囲の条件を満たしている場合には、前記予め設定された閾値範囲を満たしている第二パターン及び第二ステンシル開口パターンを取得するための第一分析モジュールと、
前記第二パターンに基づいて、前記第二ステンシル開口パターンと衝突処理を行うために用いられる第三パターンを取得するためのパターン処理モジュールと、
前記第三パターンが前記第二ステンシル開口パターンと衝突するか否かを判断し、衝突が生じる場合には、前記第二ステンシル開口パターンを裁断して第三ステンシル開口パターンを取得するための第二分析モジュールと、
前記第三ステンシル開口パターンにおける第一面積比、幅厚比、第二面積比、前記第三ステンシル開口パターンの面積とこれに対応する前記第二ステンシル開口パターンの面積との関係に基づいて最終的なステンシル開口パターンを取得するための検出モジュールと、
を含むことを特徴とするステンシル回避設計装置。 - プロセッサ、通信インターフェース、メモリ及び通信バスを含み、
プロセッサ、通信インターフェース、メモリは、通信バスによって相互間の通信を完成させ、
メモリはコンピュータプログラムを記憶するために用いられ、
プロセッサは、前記コンピュータプログラムを実行するときに、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のステンシル回避設計方法を実現させるために用いられることを特徴とする電子デバイス。 - コンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、プロセッサによって実行されるときに、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のステンシル回避設計方法を実現させることを特徴とする記憶媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010974513.8 | 2020-09-16 | ||
CN202010974513.8A CN112232014B (zh) | 2020-09-16 | 2020-09-16 | 钢网避让设计方法、设计装置、电子设备及存储介质 |
PCT/CN2021/097211 WO2022057313A1 (zh) | 2020-09-16 | 2021-05-31 | 钢网避让设计方法、设计装置、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023524120A true JP2023524120A (ja) | 2023-06-08 |
JP7479616B2 JP7479616B2 (ja) | 2024-05-09 |
Family
ID=74106955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022567149A Active JP7479616B2 (ja) | 2020-09-16 | 2021-05-31 | ステンシル回避設計方法、ステンシル回避設計装置、電子デバイス及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11775731B2 (ja) |
EP (1) | EP4145331A4 (ja) |
JP (1) | JP7479616B2 (ja) |
CN (1) | CN112232014B (ja) |
WO (1) | WO2022057313A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112232014B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-07-29 | 上海望友信息科技有限公司 | 钢网避让设计方法、设计装置、电子设备及存储介质 |
CN112788859B (zh) * | 2021-01-21 | 2022-04-01 | 上海望友信息科技有限公司 | 一种屏蔽框钢网开口方法、装置、电子设备及存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040089413A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-05-13 | Michael Murphy | System and method for modifying electronic design data |
JP2004334302A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子回路基板用camデータ作成方法、電子回路基板用cad/camシステムとそれに使用するコンピュータプログラム、及び電子回路基板の製造方法 |
JP2005228999A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sharp Corp | 半導体集積回路のレイアウトパターン修正装置、半導体集積回路のレイアウトパターン修正方法、半導体集積装置の製造方法、半導体集積回路のレイアウトパターン修正プログラムおよび可読記録媒体 |
JP2012150214A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Renesas Electronics Corp | マスクの製造方法ならびに光近接効果補正の補正方法および半導体装置の製造方法 |
JP2019532377A (ja) * | 2016-07-26 | 2019-11-07 | 上海望友信息科技有限公司 | プリント基板メタルマスクの製造方法及びプリント基板メタルマスク製造システム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007265179A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | レイアウト検証方法、レイアウト検証装置 |
CN108829907A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-11-16 | 上海望友信息科技有限公司 | 基于eda封装库创建钢网库的方法及系统、存储介质及终端 |
US10785867B2 (en) * | 2018-09-25 | 2020-09-22 | International Business Machines Corporation | Automatic determination of power plane shape in printed circuit board |
CN109977518B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-02-12 | 上海望友信息科技有限公司 | 网板阶梯的设计方法、系统、计算机可读存储介质及设备 |
CN110600402B (zh) * | 2019-08-27 | 2022-05-13 | 上海望友信息科技有限公司 | 钢网开口的设计方法、钢网开口的设计装置及电子设备 |
CN111191408A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-22 | 深圳市元征科技股份有限公司 | 一种pcb元件布局校验方法、装置、服务器及存储介质 |
CN111291530B (zh) * | 2020-02-23 | 2022-08-12 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种pcb板中避免走线与阻焊层重叠的方法及系统 |
CN112232014B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-07-29 | 上海望友信息科技有限公司 | 钢网避让设计方法、设计装置、电子设备及存储介质 |
-
2020
- 2020-09-16 CN CN202010974513.8A patent/CN112232014B/zh active Active
-
2021
- 2021-05-31 JP JP2022567149A patent/JP7479616B2/ja active Active
- 2021-05-31 WO PCT/CN2021/097211 patent/WO2022057313A1/zh unknown
- 2021-05-31 EP EP21868150.0A patent/EP4145331A4/en active Pending
- 2021-05-31 US US18/009,804 patent/US11775731B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040089413A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-05-13 | Michael Murphy | System and method for modifying electronic design data |
JP2004334302A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子回路基板用camデータ作成方法、電子回路基板用cad/camシステムとそれに使用するコンピュータプログラム、及び電子回路基板の製造方法 |
JP2005228999A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sharp Corp | 半導体集積回路のレイアウトパターン修正装置、半導体集積回路のレイアウトパターン修正方法、半導体集積装置の製造方法、半導体集積回路のレイアウトパターン修正プログラムおよび可読記録媒体 |
JP2012150214A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Renesas Electronics Corp | マスクの製造方法ならびに光近接効果補正の補正方法および半導体装置の製造方法 |
JP2019532377A (ja) * | 2016-07-26 | 2019-11-07 | 上海望友信息科技有限公司 | プリント基板メタルマスクの製造方法及びプリント基板メタルマスク製造システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4145331A1 (en) | 2023-03-08 |
JP7479616B2 (ja) | 2024-05-09 |
CN112232014A (zh) | 2021-01-15 |
WO2022057313A1 (zh) | 2022-03-24 |
CN112232014B (zh) | 2022-07-29 |
US11775731B2 (en) | 2023-10-03 |
US20230205973A1 (en) | 2023-06-29 |
EP4145331A4 (en) | 2024-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2023524120A (ja) | ステンシル回避設計方法、ステンシル回避設計装置、電子デバイス及び記憶媒体 | |
JP4282051B2 (ja) | 半導体集積回路製造用マスクパターンデータ生成方法およびその検証方法 | |
CN110908256B (zh) | 一种光刻套刻标识设计方法 | |
US20150067619A1 (en) | Advanced correction method | |
CN108663897B (zh) | 光学邻近校正方法 | |
JP2010127970A (ja) | 半導体装置の製造不良箇所の予測方法、予測装置及び予測プログラム | |
CN108009316B (zh) | Opc修正方法 | |
US10061209B2 (en) | Method for verifying a pattern of features printed by a lithography process | |
CN113495426A (zh) | 一种光学临近效应修正方法及装置 | |
CN115509081A (zh) | 光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质 | |
CN116699939A (zh) | 一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质 | |
CN112230508A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
WO2022110902A1 (zh) | 光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质 | |
CN111103768A (zh) | 一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法 | |
CN115480441A (zh) | 光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备 | |
CN112230509A (zh) | 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法 | |
US8806391B2 (en) | Method of optical proximity correction according to complexity of mask pattern | |
CN115933305A (zh) | 一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质 | |
CN115903369A (zh) | Opc前对虚拟图形进行优化的方法及掩膜版的制作方法 | |
CN112015058B (zh) | 一种版图边界图案的修正方法与修正系统 | |
US8443310B2 (en) | Pattern correcting method, mask forming method, and method of manufacturing semiconductor device | |
CN111929982A (zh) | 金属层光刻工艺热点的修复方法 | |
CN114441925B (zh) | 一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用 | |
US9952500B2 (en) | Adjusting of patterns in design layout for optical proximity correction | |
CN117631461A (zh) | 光学邻近修正方法及掩膜板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7479616 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |