JP2023108397A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光を分岐させて対象物に照射するレーザ加工装置及びレーザ加工方法において、ラインに沿って第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、支持部２と、レーザ光源３１と、空間光変調器１３２と、集光部３４と、を備える。空間光変調器１３２の表示部１３２Ａに表示させる変調パターンは、第１溝Ｍ１を形成する第１分岐レーザ光ＬＡと第２溝Ｍ２を形成する第２分岐レーザ光ＬＢと、にレーザ光Ｌを分岐させる分岐パターンを含む。ライン１５に沿う方向において第１分岐レーザ光ＬＡの集光点ＳＡ２の位置と第２分岐レーザ光ＬＢの集光点ＳＢ１の位置との間隔ｄ２３は、幅方向において第１分岐レーザ光ＬＡの集光点ＳＡ２の位置と第２分岐レーザ光ＬＢの集光点ＳＢ１の位置との間隔Ｙ１よりも大きい。
【選択図】図６

Description

本発明の一態様は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。

対象物をラインに沿って切断する際、例えば対象物の表層側をラインに沿って除去するグルービング加工が実施される場合がある（例えば、特許文献１，２参照）。このようなグルービング加工では、対象物にレーザ光を照射することにより、ラインに沿って対象物に溝が形成される。

特開２００７－１７３４７５号公報 特開２０１７－０１１０４０号公報

上述したような技術では、例えばタクト（作業効率）の向上等のため、対象物に照射するレーザ光を複数の分岐レーザ光へ分岐させることで、ラインに沿って少なくとも第１溝及び第２溝を対象物に形成する場合がある。しかしこの場合、各分岐レーザ光の集光点（加工点）が互いに影響を受ける可能性があり、良好に第１溝及び第２溝を形成できない問題が生じ得る。

そこで、本発明の一態様は、レーザ光を分岐させて対象物に照射するレーザ加工装置及びレーザ加工方法において、ラインに沿って第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成することを目的とする。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置は、ラインに沿って対象物にレーザ光を照射することにより、ラインに沿って対象物に溝を形成するレーザ加工装置であって、対象物を支持する支持部と、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源で出射したレーザ光が入射する表示部を有し、表示部に表示させた変調パターンに応じてレーザ光を変調する空間光変調器と、空間光変調器で変調したレーザ光を、支持部に支持された対象物に集光する集光部と、を備え、変調パターンは、第１溝を形成する１又は複数の第１分岐レーザ光と、第２溝を形成する１又は複数の第２分岐レーザ光と、にレーザ光を少なくとも分岐させる分岐パターンを含み、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、第１溝及び第２溝の幅方向において第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも大きい。

このレーザ加工装置では、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置（以下、「第１加工位置」ともいう）と第２分岐レーザ光の集光点の位置（以下、「第２加工位置」ともいう）との間隔が、幅方向における第１加工位置と第２加工位置との間隔よりも大きい。このことから、互いの影響（例えば、各集光点の干渉、及び、熱影響が残った状態で加工するような影響等、以下同様）が出にくくなるまで、第１加工点と第２加工点とを離すことが可能となり、第１溝及び第２溝のそれぞれを対象物に独立した溝として確実に形成することができる。したがって、ラインに沿って第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、第２溝は、第１溝に対して第１溝の幅方向の端部が重なっていてもよい。この場合、第１溝及び第２溝を含む複合溝を対象物に形成することができる。このような複合溝は、例えば、対象物の内部に形成された改質領域から伸展させた亀裂を効果的に誘引することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、分岐パターンは、第１及び第２分岐レーザ光に加えて、第２溝に対して第２溝の幅方向の端部が重なる第３溝を形成する１又は複数の第３分岐レーザ光に、レーザ光を分岐させてもよい。この場合、幅の広い複合溝を形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、レーザ光のパルスピッチよりも大きくてもよい。この場合、第１加工位置と第２加工位置との間隔が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、ラインに沿う方向において複数の第１分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、レーザ光のパルスピッチよりも大きくてもよい。この場合、複数の第１加工位置の間隔が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第１溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、ラインに沿う方向において複数の第１分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも小さくてもよい。この場合、複数の第１加工位置の間隔を、ＨＡＺ（Heat-Affected-Zone）が抑制できるように互いに影響する範囲に設定することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、ラインに沿う方向において複数の第２分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、レーザ光のパルスピッチよりも大きくてもよい。この場合、複数の第２加工位置の間隔が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第２溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置において、ラインに沿う方向において複数の第２分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも小さくてもよい。この場合、複数の第２加工位置の間隔を、ＨＡＺが抑制できるように互いに影響する範囲に設定することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、分岐パターンは、２つの第１分岐レーザ光及び２つの第２分岐レーザ光にレーザ光を分岐させてもよい。この場合、各集光点でのエネルギーを下げることができ、ＨＡＺを抑制することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、分岐パターンは、３つの第１分岐レーザ光及び３つの第２分岐レーザ光にレーザ光を分岐させてもよい。この場合、各集光点でのエネルギーを一層下げることができ、ＨＡＺを一層抑制することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工装置では、分岐パターンは、ラインに沿った一次元アレイ状に集光点が並ぶようにレーザ光を分岐させてもよい。これにより、幅の狭い溝を対象物に形成することが可能となる。

本発明の一態様に係るレーザ加工方法は、ラインに沿って対象物にレーザ光を照射することにより、ラインに沿って対象物に溝を形成するレーザ加工方法であって、レーザ光を出射し、出射したレーザ光を空間光変調器の表示部に入射させ、表示部に表示させた変調パターンに応じてレーザ光を変調し、変調したレーザ光を対象物に集光する工程を備え、変調パターンは、第１溝を形成する１又は複数の第１分岐レーザ光と、第２溝を形成する１又は複数の第２分岐レーザ光と、にレーザ光を少なくとも分岐させる分岐パターンを含み、ラインに沿う方向において隣り合う第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、第１溝及び第２溝の幅方向において第１分岐レーザ光の集光点の位置と第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも大きい。

このレーザ加工方法においても、ラインに沿って第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

本発明の一態様によれば、レーザ光を分岐させて対象物に照射するレーザ加工装置及びレーザ加工方法において、ラインに沿って第１溝及び第２溝を対象物に良好に形成することが可能となる。

ウェハの内部に改質領域を形成するレーザ加工装置の構成図である。 グルービング加工を実施するレーザ加工装置の構成図である。 加工対象となるウェハの平面図である。 図３に示されるウェハの一部分の断面図である。 図３に示されるストリートの一部分の平面図である。 第１分岐レーザ光の各集光点の位置及び第２分岐レーザ光の各集光点の位置をＺ方向から見た場合の例を示す図である。 （ａ）は、一実施形態に係るレーザ加工方法を説明するためのウェハの断面図である。（ｂ）は、図７（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｃ）は、図７（ｂ）の続きを示すウェハの断面図である。 （ａ）は、図７（ｃ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｂ）は、図８（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｃ）は、図８（ｂ）の続きを示すウェハの断面図である。 （ａ）は、図８（ｃ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｂ）は、図９（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。 図９（ｂ）のウェハの一部を拡大した断面図である。 （ａ）は、変形例に係るウェハの図１０に対応する断面図である。（ｂ）は、他の変形例に係るウェハの図１０に対応する断面図である。（ｃ）は、更に他の変形例に係るウェハの図１０に対応する断面図である。 図９（ｂ）の続きを示すウェハの断面図である。 従来例に係るウェハの図１０に対応する断面図である。 第１分岐レーザ光の各集光点の位置及び第２分岐レーザ光の各集光点の位置をＺ方向から見た場合の他の例を示す図である。 （ａ）は、第１分岐レーザ光の各集光点の位置、第２分岐レーザ光の各集光点の位置及び第３分岐レーザ光の各集光点の位置をＺ方向から見た場合の例を示す図である。（ｂ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。 （ａ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。（ｂ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。（ｃ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。 （ａ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。（ｂ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。（ｃ）は、変形例に係る複合溝を示すウェハの断面図である。 複合溝を形成した場合における亀裂の逸れを評価した試験結果を示す図である。 （ａ）は、複合溝を形成する方法の他の例を示すウェハの断面図である。（ｂ）は、図１９（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。 （ａ）は、複合溝を形成する方法の更に他の例を示すウェハの断面図である。（ｂ）は、図２０（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。 改質領域の形成位置を補正する工程を含むレーザ加工の例を説明するフローチャートである。 グルービング加工用の光学系と改質領域形成用の光学系とを搭載したレーザ加工装置を示す斜視図である。 （ａ）は、変形例に係るレーザ加工方法を説明するためのウェハの断面図である。（ｂ）は、図２３（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｃ）は、図２３（ｂ）の続きを示すウェハの断面図である。 （ａ）は、図２３（ｃ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｂ）は、図２４（ａ）の続きを示すウェハの断面図である。（ｃ）は、図２４（ｂ）の続きを示すウェハの断面図である。 図２４（ｃ）の続きを示すウェハの断面図である。

以下、本発明の一態様に係る実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施形態では、ウェハ（対象物）の内部に改質領域を形成する。ウェハの内部に改質領域を形成する装置として、例えば図１に示されるレーザ加工装置１００を用いることができる。図１に示されるように、レーザ加工装置１００は、支持部１０２と、光源１０３と、光軸調整部１０４と、空間光変調器１０５と、集光部１０６と、光軸モニタ部１０７と、可視撮像部１０８Ａと、赤外撮像部１０８Ｂと、移動機構１０９と、管理ユニット１５０と、を備えている。レーザ加工装置１００は、ウェハ２０にレーザ光Ｌ０を照射することでウェハ２０に改質領域１１を形成する装置である。以下の説明では、互いに直交する３方向を、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向という。一例として、Ｘ方向は第１水平方向であり、Ｙ方向は第１水平方向に垂直な第２水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。

支持部１０２は、例えばウェハ２０を吸着することでウェハ２０を支持する。支持部１０２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って移動可能である。支持部１０２は、Ｚ方向に沿った回転軸を中心に回転可能である。光源１０３は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌ０を出射する。レーザ光Ｌ０は、ウェハ２０に対して透過性を有している。光軸調整部１０４は、光源１０３から出射されたレーザ光Ｌ０の光軸を調整する。光軸調整部１０４は、例えば、位置及び角度の調整が可能な複数の反射ミラーによって構成されている。

空間光変調器１０５は、レーザ加工ヘッドＨ内に配置されている。空間光変調器１０５は、光源１０３から出射されたレーザ光Ｌ０を変調する。空間光変調器１０５は、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）である。空間光変調器１０５では、その表示部（液晶層）に表示する変調パターンを適宜設定することで、レーザ光Ｌ０の変調が可能である。本実施形態では、光軸調整部１０４からＺ方向に沿って下側に進行したレーザ光Ｌ０は、レーザ加工ヘッドＨ内に入射し、ミラーＭＭ１によって反射され、空間光変調器１０５に入射する。空間光変調器１０５は、そのように入射したレーザ光Ｌ０を反射しつつ変調する。

集光部１０６は、レーザ加工ヘッドＨの底壁に取り付けられている。集光部１０６は、空間光変調器１０５によって変調されたレーザ光Ｌ０を、支持部１０２によって支持されたウェハ２０に集光する。本実施形態では、空間光変調器１０５によって反射されたレーザ光Ｌ０は、ダイクロイックミラーＭＭ２によって反射され、集光部１０６に入射する。集光部１０６は、そのように入射したレーザ光Ｌ０をウェハ２０に集光する。集光部１０６は、集光レンズユニット１６１が駆動機構１６２を介してレーザ加工ヘッドＨの底壁に取り付けられることで構成されている。駆動機構１６２は、例えば圧電素子の駆動力によって、集光レンズユニット１６１をＺ方向に沿って移動させる。

なお、レーザ加工ヘッドＨ内において、空間光変調器１０５と集光部１０６との間には、結像光学系（図示省略）が配置されている。結像光学系は、空間光変調器１０５の反射面と集光部１０６の入射瞳面とが結像関係にある両側テレセントリック光学系を構成している。これにより、空間光変調器１０５の反射面でのレーザ光Ｌ０の像（空間光変調器１０５によって変調されたレーザ光Ｌ０の像）が集光部１０６の入射瞳面に転像（結像）される。レーザ加工ヘッドＨの底壁には、Ｘ方向において集光レンズユニット１６１の両側に位置するように一対の測距センサＳ１，Ｓ２が取り付けられている。各測距センサＳ１，Ｓ２は、ウェハ２０のレーザ光入射面に対して測距用の光（例えば、レーザ光）を出射し、レーザ光入射面で反射された測距用の光を検出することで、レーザ光入射面の変位データを取得する。

光軸モニタ部１０７は、レーザ加工ヘッドＨ内に配置されている。光軸モニタ部１０７は、ダイクロイックミラーＭＭ２を透過したレーザ光Ｌ０の一部を検出する。光軸モニタ部１０７による検出結果は、例えば、集光レンズユニット１６１に入射するレーザ光Ｌ０の光軸と集光レンズユニット１６１の光軸との関係を示す。可視撮像部１０８Ａは、可視光Ｖ０を出射し、可視光Ｖ０によるウェハ２０の像を画像として取得する。可視撮像部１０８Ａは、レーザ加工ヘッドＨ内に配置されている。赤外撮像部１０８Ｂは、赤外光を出射し、赤外光によるウェハ２０の像を赤外線画像として取得する。赤外撮像部１０８Ｂは、レーザ加工ヘッドＨの側壁に取り付けられている。

移動機構１０９は、レーザ加工ヘッドＨ及び支持部１０２の少なくとも何れかをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させる機構を含む。移動機構１０９は、レーザ光Ｌ０の集光点ＣがＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動するように、モータ等の公知の駆動装置の駆動力によりレーザ加工ヘッドＨ及び支持部１０２の少なくとも何れかを駆動する。移動機構１０９は、支持部１０２を回転させる機構を含む。移動機構１０９は、モータ等の公知の駆動装置の駆動力により支持部１０２を回転駆動する。

管理ユニット１５０は、制御部１５１と、ユーザインタフェース１５２と、記憶部１５３と、を有する。制御部１５１は、レーザ加工装置１００の各部の動作を制御する。制御部１５１は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部１５１では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。ユーザインタフェース１５２は、各種データの表示及び入力を行う。ユーザインタフェース１５２は、グラフィックベースの操作体系を有するＧＵＩ（Graphical User Interface）を構成する。

ユーザインタフェース１５２は、例えばタッチパネル、キーボード、マウス、マイク、タブレット型端末、モニタ等の少なくとも何れかを含む。ユーザインタフェース１５２は、例えばタッチ入力、キーボード入力、マウス操作、音声入力等により、各種の入力を受け付け可能である。ユーザインタフェース１５２は、その表示画面上に各種の情報を表示可能である。ユーザインタフェース１５２は、入力を受け付ける入力受付部、及び、受け付けた入力に基づき設定画面を表示可能な表示部に相当する。記憶部１５３は、例えばハードディスク等であり、各種データを記憶する。

以上のように構成されたレーザ加工装置１００では、ウェハ２０の内部にレーザ光Ｌ０が集光されると、レーザ光Ｌ０の集光点（少なくとも集光領域の一部）Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが吸収され、ウェハ２０の内部に改質領域１１が形成される。改質領域１１は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１１としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１１は、複数の改質スポット１１ｓ及び複数の改質スポット１１ｓから伸展する亀裂を含む。

一例として、ウェハ２０を切断するためのライン１５に沿って、ウェハ２０の内部に改質領域１１を形成する場合におけるレーザ加工装置１００の動作について説明する。

まず、レーザ加工装置１００は、ウェハ２０に設定されたライン１５がＸ方向に平行となるように支持部１０２を回転させる。レーザ加工装置１００は、赤外撮像部１０８Ｂによって取得された画像（例えば、ウェハ２０が有する機能素子層の像）に基づいて、Ｚ方向から見た場合にレーザ光Ｌ０の集光点Ｃがライン１５上に位置するように、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って支持部１０２を移動させる。レーザ加工装置１００は、可視撮像部１０８Ａによって取得された画像（例えば、ウェハ２０のレーザ光入射面の像）に基づいて、レーザ光Ｌ０の集光点Ｃがレーザ光入射面上に位置するように、Ｚ方向に沿ってレーザ加工ヘッドＨ（すなわち、集光部１０６）を移動させる（ハイトセット）。レーザ加工装置１００は、その位置を基準として、レーザ光Ｌ０の集光点Ｃがレーザ光入射面から所定深さに位置するように、Ｚ方向に沿ってレーザ加工ヘッドＨを移動させる。

続いて、レーザ加工装置１００は、光源１０３からレーザ光Ｌ０を出射させると共に、レーザ光Ｌ０の集光点Ｃがライン１５に沿って相対的に移動するように、Ｘ方向に沿って支持部１０２を移動させる。このとき、レーザ加工装置１００は、１対の測距センサＳ１，Ｓ２のうちのレーザ光Ｌ０の加工進行方向における前側に位置する一方によって取得されたレーザ光入射面の変位データに基づいて、レーザ光Ｌ０の集光点Ｃがレーザ光入射面から所定深さに位置するように、集光部１０６の駆動機構１６２を動作させる。

以上により、ライン１５に沿って且つウェハ２０のレーザ光入射面から一定深さに、１列の改質領域１１が形成される。パルス発振方式によって光源１０３からレーザ光Ｌ０が出射されると、複数の改質スポット１１ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１１ｓは、１パルスのレーザ光Ｌ０の照射によって形成される。１列の改質領域１１は、１列に並んだ複数の改質スポット１１ｓの集合である。隣り合う改質スポット１１ｓは、レーザ光Ｌ０のパルスピッチ（ウェハ２０に対する集光点Ｃの相対的な移動速度をレーザ光Ｌ０の繰り返し周波数で除した値）によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。

本実施形態では、ウェハ２０のストリートの表層が除去されるように、ライン１５に沿ってストリートにレーザ光を照射して、ライン１５に沿ってウェハ２０に溝を形成するグルービング加工を行う。グルービング加工を実施する装置として、例えば図２に示されるレーザ加工装置１を用いることができる。

図２に示されるように、レーザ加工装置１は、支持部２と、照射部３と、撮像部４と、制御部５と、を備えている。支持部２は、ウェハ２０を支持する。支持部２は、例えばウェハ２０を吸着することで、ストリートを含むウェハ２０の表面が照射部３及び撮像部４と向かい合うようにウェハ２０を保持する。一例として、支持部２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って移動可能であり、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として回転可能である。

照射部３は、支持部２によって支持されたウェハ２０のストリートにレーザ光Ｌを照射する。照射部３は、レーザ光源３１と、整形光学系３２と、ダイクロイックミラー３３と、集光部３４と、を含んでいる。レーザ光源３１は、レーザ光Ｌを出射する。整形光学系３２は、レーザ光源３１から出射されたレーザ光Ｌを調整する。整形光学系３２は、レーザ光Ｌの位相を変調する空間光変調器１３２を含む。

空間光変調器１３２は、レーザ光源３１で出射したレーザ光Ｌが入射する表示部１３２Ａを有する。空間光変調器１３２は、表示部１３２Ａに表示させた変調パターンに応じてレーザ光Ｌを変調する。整形光学系３２では、空間光変調器の変調面と集光部３４の入射瞳面とが結像関係にある両側テレセントリック光学系を構成する結像光学系を含んでいてもよい。整形光学系３２は、レーザ光Ｌの出力を調整するアッテネータ、及び、レーザ光Ｌの径を拡大するビームエキスパンダを更に含んでいてもよい。

ダイクロイックミラー３３は、整形光学系３２から出射されたレーザ光Ｌを反射して集光部３４に入射させる。集光部３４は、ダイクロイックミラー３３によって反射されたレーザ光Ｌ（空間光変調器１３２で変調したレーザ光Ｌ）を、支持部２に支持されたウェハ２０のストリートに集光する。

照射部３は、光源３５と、ハーフミラー３６と、撮像素子３７と、を更に含んでいる。光源３５は、可視光Ｖ１を出射する。ハーフミラー３６は、光源３５から出射された可視光Ｖ１を反射して集光部３４に入射させる。ダイクロイックミラー３３は、ハーフミラー３６と集光部３４との間において可視光Ｖ１を透過させる。集光部３４は、ハーフミラー３６によって反射された可視光Ｖ１を、支持部２によって支持されたウェハ２０のストリートに集光する。撮像素子３７は、ウェハ２０のストリートによって反射されて集光部３４、ダイクロイックミラー３３及びハーフミラー３６を透過した可視光Ｖ１を検出する。レーザ加工装置１では、制御部５が、撮像素子３７による検出結果に基づいて、例えばレーザ光Ｌの集光点がウェハ２０のストリートに位置するように、Ｚ方向に沿って集光部３４を移動させる。

撮像部４は、支持部２によって支持されたウェハ２０のストリートの画像データを取得する。撮像部４は、レーザ加工装置１００により改質領域１１が形成されたウェハ２０の内部を観察する内部観察カメラである。撮像部４は、ウェハ２０に対して赤外光を出射し、赤外光によるウェハ２０の像を画像データとして取得する。撮像部４としては、ＩｎＧａＡｓカメラを用いることができる。

制御部５は、レーザ加工装置１の各部の動作を制御する。制御部５は、処理部５１と、記憶部５２と、入力受付部５３と、を含んでいる。処理部５１は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置である。処理部５１では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。記憶部５２は、例えばハードディスク等であり、各種データを記憶する。入力受付部５３は、オペレータから各種データの入力を受け付けるインターフェース部である。一例として、入力受付部５３は、キーボード、マウス、ＧＵＩ（Graphical User Interface）の少なくとも一つである。

レーザ加工装置１は、グルービング加工を実施する。グルービング加工では、支持部２によって支持されたウェハ２０の各ストリートにレーザ光Ｌがライン１５に沿って照射されるように、制御部５が照射部３を制御し、レーザ光Ｌがライン１５に沿って相対的に移動するように、制御部５が支持部２を制御する（詳しくは後述）。

図３及び図４に示されるように、ウェハ２０は、半導体基板（基板）２１と、機能素子層２２と、を有する。ウェハ２０の厚さは、例えば７７５μｍである。半導体基板２１は、表面２１ａ及び裏面２１ｂを有している。半導体基板２１は、例えば、シリコン基板である。半導体基板２１には、結晶方位を示すノッチ２１ｃが設けられている。半導体基板２１には、ノッチ２１ｃの替わりにオリエンテーションフラットが設けられていてもよい。機能素子層２２は、半導体基板２１の表面２１ａに形成されている。機能素子層２２は、複数の機能素子２２ａを含んでいる。複数の機能素子２２ａは、半導体基板２１の表面２１ａに沿って二次元に配置されている。各機能素子２２ａは、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。各機能素子２２ａは、複数の層がスタックされて３次元的に構成される場合もある。

ウェハ２０には、複数のストリート２３が形成されている。複数のストリート２３は、隣り合う機能素子２２ａの間において外部に露出した領域である。つまり、複数の機能素子２２ａは、ストリート２３を介して互いに隣り合うように配置されている。一例として、複数のストリート２３は、マトリックス状に配列された複数の機能素子２２ａに対して、隣り合う機能素子２２ａの間を通るように格子状に延在している。図５に示されるように、ストリート２３の表層には、絶縁膜２４及び複数の金属構造物２５，２６が形成されている。絶縁膜２４は、例えば、Low-k膜である。各金属構造物２５，２６は、例えば、金属パッドである。金属構造物２５と金属構造物２６とは、例えば、厚さ、面積、材料の少なくとも一つにおいて、互いに相違している。

図３及び図４に示されるように、ウェハ２０には、ライン１５が複数設定されている。ウェハ２０は、複数のライン１５のそれぞれに沿って機能素子２２ａごとに切断されること（すなわち、機能素子２２ａごとにチップ化されること）が予定されているものである。各ライン１５は、ウェハ２０の厚さ方向から見た場合に、各ストリート２３を通っている。一例として、各ライン１５は、ウェハ２０の厚さ方向から見た場合に、各ストリート２３の中央を通るように延在している。各ライン１５は、レーザ加工装置１，１００によってウェハ２０に設定された仮想的なラインである。各ライン１５は、ウェハ２０に実際に引かれたラインであってもよい。

本実施形態において、空間光変調器１３２の表示部１３２Ａに表示させる変調パターンは、第１溝を形成する複数（ここでは２つ）の第１分岐レーザ光と、第２溝を形成する複数（ここでは２つ）の第２分岐レーザ光と、にレーザ光Ｌを分岐させる分岐パターンを含む。図６に示されるように、本実施形態では、ライン１５に沿うＸ方向においてライン１５の一方側から他方側に向かって、２つの第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２が並んだ後、２つの第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２が並ぶ。形成する溝の幅方向に対応するＹ方向において、第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２の位置は、互いに等しい。Ｙ方向において第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２の位置は、互いに等しい。

第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２の各位置を第１加工点とも称し、第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２の各位置を第２加工点とも称する。Ｘ方向において、隣り合う第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ２の位置と第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１の位置との間の距離を、間隔ｄ２３とする。換言すると、間隔ｄ２３は、隣接する第１加工点及び第２加工点のＸ方向における距離である。形成する溝の幅方向に対応するＹ方向において、第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２の位置と第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２の位置との間の距離を、間隔Ｙ１とする。

間隔ｄ２３は、間隔Ｙ１よりも大きい。間隔ｄ２３は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。間隔ｄ２３は、例えば２０μｍ以上である。ライン１５に沿うＸ方向において複数の第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２の位置の間隔ｄ１２は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。間隔ｄ１２は、間隔ｄ２３よりも小さい。Ｘ方向において複数の第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２の位置の間隔ｄ３４は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。間隔ｄ３４は、間隔ｄ２３よりも小さい。分岐パターンは、ライン１５に沿った一次元アレイ状（略一次元アレイ状、実質的に一次元アレイ状、及び、おおよそ一次元アレイ状を含む、以下同じ）に集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＢ１，ＳＢ２が並ぶように、レーザ光Ｌを分岐させる。

図８（ｂ）に示されるように、第１分岐レーザ光ＬＡにより形成される第１溝Ｍ１と第２分岐レーザ光ＬＢにより形成される第２溝Ｍ２とは、複合溝ＭＨを構成する。複合溝ＭＨは、ライン１５と直交する断面視において、Ｗ字形状を呈する溝（Ｗ溝）である。複合溝ＭＨは、ライン１５と直交する断面視において、底側に２つの谷部分及び１つの山部分を有する形状の溝である。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２のそれぞれは、ライン１５と直交する断面視において、Ｖ字形状を呈する溝（Ｖ溝）である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。換言すると、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、そのＹ方向の端部が重なりながらＸ方向に延びる。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、周縁部が接するように設けられている。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、同じ深さ及び同じ幅の溝である。

複合溝ＭＨは、ウェハ２０における機能素子層２２側に、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１に到達するように設けられている。第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部は、半導体基板２１の機能素子層２２側に至る。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２において重複する端部（複合溝ＭＨの底側の山部分）は、機能素子層２２の半導体基板２１側に至る。複合溝ＭＨにおける最も開口側の溝幅であるグルービング幅は、例えば１２μｍとされている。グルービング幅は、入力受付部５３（図２参照）を介して適宜に入力され得る。グルービング幅は、ストリート２３の幅よりも狭い。

なお、間隔ｄ１２及び間隔ｄ３４は、互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。一例として、パルスピッチが０．５μｍの場合、間隔ｄ１２は１０μｍ、間隔ｄ２３は２０μｍ、間隔ｄ３４は１０μｍ、間隔Ｙ１は５μｍであってもよい。間隔Ｙ１は、複合溝ＭＨが断面視でＷ字形状を形成可能な間隔であり、グルービング幅よりも小さくてもよい。

次に、レーザ加工装置１００及びレーザ加工装置１を用いたレーザ加工方法について、図７～図１１を参照しつつ説明する。

まず、図７（ａ）に示されるように、ウェハ２０を用意する。ウェハ２０の機能素子層２２側の表面に研削用テープ２８を貼付する。図７（ｂ）に示されるように、研削装置においてウェハ２０の半導体基板２１の裏面２１ｂ側を研削し、所望の厚さまでウェハ２０を薄化する（研削工程）。図７（ｃ）に示されるように、研削用テープ２８を取り外し、ウェハ２０における機能素子層２２側の表面に、機能素子層２２（機能素子２２ａ）を保護する保護膜２９を塗布する。

続いて、図８（ａ）に示されるように、レーザ加工装置１において、支持部２によりウェハ２０を吸着して支持した後、当該ウェハ２０に対してグルービング加工を実施する。グルービング加工では、ウェハ２０のストリート２３にレーザ光Ｌがライン１５に沿って照射されるように制御部５が照射部３を制御し、レーザ光Ｌがライン１５に沿って相対的に移動するように制御部５が支持部２を制御する。これにより、図８（ｂ）に示されるように、ウェハ２０におけるストリート２３の表層が除去されて、第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２を含む複合溝ＭＨが形成される。

具体的には、グルービング加工では、レーザ光Ｌを出射し、出射したレーザ光Ｌを空間光変調器１３２（図２参照）の表示部１３２Ａ（図２参照）に入射させ、表示部１３２Ａに表示させた変調パターンによりレーザ光Ｌを第１分岐レーザ光ＬＡ及び第２分岐レーザ光ＬＢに分岐し、第１分岐レーザ光ＬＡ及び第２分岐レーザ光ＬＢをウェハ２０に集光する。グルービング加工では、例えば、Ｚ方向において、機能素子層２２の表面に第１分岐レーザ光ＬＡ及び第２分岐レーザ光ＬＢが集光するように、集光部３４（図２参照）を移動又は空間光変調器１３２により変調する。第１分岐レーザ光ＬＡの集光により第１溝Ｍ１を形成すると共に、第２分岐レーザ光ＬＢの集光により第２溝Ｍ２を形成する。

上述したように、変調パターンは、分岐パターンを含む。分岐パターンは、入力受付部５３（図２参照）を介して入力されたグルービング幅に基づき、制御部５において適宜に生成することができる。例えば分岐パターンは、第１分岐レーザ光ＬＡ及び第２分岐レーザ光ＬＢの集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＢ１，ＳＢ２が図６に示される一次元アレイ状に位置して、当該グルービング幅の複合溝ＭＨが実現されるように、公知の種々の手法により制御部５により自動生成することができる。

複合溝ＭＨを形成する加工条件は、特に限定されず、公知の種々の知見に基づき設定することができる。複合溝ＭＨを形成する加工条件は、入力受付部５３を介して適宜に入力され得る。複合溝ＭＨを形成する加工条件は、例えば以下の条件としてもよい。以下の条件の例では、バーストパルスを用いていないが、例えば膜剥がれを抑制するために、バーストパルスを用いてもよい（以下、同様）。
レーザ光Ｌの波長：５１５ｎｍ
レーザ光Ｌのパルス幅：６００ｆｓ
レーザ光Ｌのパルスピッチ：０．５μｍ
加工エネルギー（各集光点の総エネルギー）：４．０μＪ
スキャン数 :１ｐａｓｓ
複合溝ＭＨの底部の位置：半導体基板２１の表面２１ａから３μｍ

続いて、図８（ｃ）に示されるように、支持部２からウェハ２０を取り外し、例えば薬液等を用いて保護膜２９を除去する。図９（ａ）に示されるように、ウェハ２０の半導体基板２１の裏面２１ｂに、リングフレームＲＦが設けられた透明ダイシング用テープ（テープ）ＤＣを貼り付ける。透明ダイシング用テープＤＣは、エキスパンドフィルムとも称される。

続いて、図９（ｂ）に示されるように、レーザ加工装置１００において、ライン１５に沿ってウェハ２０にレーザ光Ｌ０を照射することで、ライン１５に沿ってウェハ２０の内部に改質領域１１を形成する。ここでは、半導体基板２１の裏面２１ｂに透明ダイシング用テープＤＣが貼り付けられた状態で、支持部１０２によりウェハ２０を吸着して支持した後、透明ダイシング用テープＤＣを介して半導体基板２１の内部にレーザ光Ｌ０の集光点を合わせ、裏面２１ｂをレーザ光入射面としてウェハ２０にレーザ光Ｌ０を照射する。

レーザ光Ｌ０は、透明ダイシング用テープＤＣ及び半導体基板２１に対して透過性を有している。半導体基板２１の内部にレーザ光Ｌ０が集光されると、レーザ光Ｌ０の集光点に対応する部分においてレーザ光Ｌ０が吸収され、半導体基板２１の内部に改質領域１１が形成されると共に、改質領域１１から亀裂９が伸展する。改質領域１１を形成する加工条件は、特に限定されず、公知の種々の知見に基づき設定することができる。改質領域１１を形成する加工条件は、ユーザインタフェース１５２（図１参照）を介して適宜に入力され得る。改質領域１１を形成する加工条件は、例えば以下の条件としてもよい。
レーザ光Ｌ０の波長 ：１０９９ｎｍ
レーザ光Ｌ０のパルス幅 ：７００ｎｓｅｃ
レーザ光Ｌ０のパルスピッチ ：６．５μｍ
加工エネルギー：２２μＪ
スキャン数：８ｐａｓｓ

改質領域１１から機能素子層２２側に伸展する亀裂９は、複合溝ＭＨの２つの第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２に向かうように当該伸展が誘引されて、その端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達する。例えば図１０に示される例では、Ｙ方向においてライン１５からの改質領域１１のズレが実質的に無く、この場合、誘引された亀裂９は、第１溝Ｍ１における第２溝Ｍ２側の内面に到達する。或いは、例えば図１１（ａ）に示される例のように、Ｙ方向においてライン１５からの改質領域１１のズレがある場合、誘引された亀裂９は、第１溝Ｍ１の底部に到達していてもよい。或いは、例えば図１１（ｂ）に示される例のように、Ｙ方向においてライン１５からの改質領域１１のズレがある場合、誘引された亀裂９は、第１溝Ｍ１における第２溝側とは反対側の内面に到達していてもよい。或いは、例えば図１１（ｃ）に示される例のように、Ｙ方向においてライン１５からの改質領域１１のズレがある場合、誘引された亀裂９は、第１溝Ｍ１における第２溝Ｍ２側の内面に到達していてもよい。

続いて、図１２に示されるように、エキスパンド装置（図示省略）において、貼付された透明ダイシング用テープＤＣを拡張することにより、各ライン１５に沿って半導体基板２１の内部に形成された改質領域１１からウェハ２０の厚さ方向に亀裂を伸展させ、ウェハ２０をライン１５に沿って切断する。これにより、ウェハ２０を機能素子２２ａごとにチップ化し、複数のチップＴ１を得る。

上記において、例えば、透明ダイシング用テープＤＣの代わりに、機能素子層２２側に保護テープを貼付し、半導体基板２１の裏面２１ｂからレーザ光Ｌ０を照射して改質領域１１を形成した後に、半導体基板２１の裏面２１ｂ側に透明ダイシング用テープＤＣを貼付し、機能素子層２２側の保護テープを剥がした上で、透明ダイシング用テープＤＣを拡張して分割してもよい。また例えば、サポート材を用いて、保護膜が付いた状態でレーザ加工（グルービング加工及び改質領域１１の形成）を行い、その後、保護膜を除去し、透明ダイシング用テープＤＣを貼付し、透明ダイシング用テープＤＣを拡張して分割してもよい。

ところで、図１３に示されるように、ライン１５に沿ってウェハ２０に単一のＶ溝Ｍ０を形成する場合には、ウェハ２０においてＶ溝Ｍ０よりもＺ方向の内側に形成された改質領域１１からの亀裂９が、Ｖ溝Ｍ０を逸れるように伸展しやすい。そのため、当該亀裂９がライン１５から大きく逸れてしまう。この場合、ウェハ２０を切断した場合の切断品質が悪化してしまう。分割品質の悪化、引きちぎれの発生、及び割れ残りの可能性が高まる。

この点、本実施形態では、端部が重なる第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２を含む複合溝ＭＨをウェハ２０に形成する。これにより、グルービング幅が広くならないように抑えながら、これら２つの第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２に向かうように亀裂９の伸展を誘引し、単一のＶ溝Ｍ０が形成される場合に比べて亀裂９の誘引効果を高めることができ、逸れるように亀裂９が伸展することを抑制することが可能となる。すなわち、グルービング幅を狭くしながら、改質領域１１から伸展する亀裂９の逸れを抑制することが可能となる。亀裂９の逸れをグルービング幅内に収めることができる。分割品質の向上が可能となり、全数のチップ分割を確実に実現可能となる。ストリート２３の幅を狭くすることが可能となる。

本実施形態は、改質領域１１を形成した後、亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達した状態で、ウェハ２０に貼付された透明ダイシング用テープＤＣを拡張することにより、ウェハ２０をライン１５に沿って切断する工程を更に備えている。この場合、ウェハ２０をライン１５に沿って精度よく切断することが可能となる。

本実施形態では、ウェハ２０は、半導体基板２１及び機能素子層２２を有する。複合溝ＭＨは、ウェハ２０における機能素子層２２側に、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１に到達するように設けられている。この場合、第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２による亀裂９の誘引効果を一層高めることが可能となる。

本実施形態は、複合溝ＭＨを形成する前に、機能素子層２２上に保護膜２９を形成する工程を備えている。この場合、機能素子層２２を保護膜２９により効果的に保護することが可能となる。本実施形態では、複合溝ＭＨは、ライン１５と直交する断面視において、Ｗ字形状を呈している。この場合、グルービング幅を狭くしながら亀裂９の逸れを抑制する上記効果が顕著となる。本実施形態は、複合溝ＭＨを形成する前に、ウェハ２０を研削して薄化する工程を備えている。この場合、複合溝ＭＨの形成前に研削によりウェハ２０を薄化することができる。

ここで、本実施形態に係るレーザ加工装置１及びレーザ加工方法では、Ｘ方向において、隣り合う第１加工点と第２加工点と（第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ２の位置と第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１の位置と）の間隔ｄ２３が、Ｙ方向における第１加工位置と第２加工位置との間隔Ｙ１よりも大きい。このことから、互いの影響が出にくくなるまで、第１加工点と第２加工点とを離すことが可能となる。影響とは、例えば先行する加工点との干渉、及び、熱影響が残った状態で加工するような影響のことである。また、その影響が実質的になくなるまで、第１加工点と第２加工点とを離すことが可能となる。その結果、第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２のそれぞれをウェハ２０に独立した溝として確実に形成することができる。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２を、それぞれの底部が明瞭に形成されるようにしっかり形成することができる。したがって、レーザ光Ｌを複数の分岐レーザ光へ分岐させてウェハ２０に照射するレーザ加工装置１及びレーザ加工方法において、ライン１５に沿って第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２をウェハ２０に良好に形成することが可能となる。

本実施形態では、第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対して第１溝Ｍ１の幅方向の端部が重なっている。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２を含む複合溝ＭＨをウェハ２０に形成することができる。このような複合溝ＭＨは、例えばウェハ２０の内部に形成された改質領域１１から伸展させた亀裂９を効果的に誘引することが可能となる。

本実施形態では、Ｘ方向における間隔ｄ２３は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。この場合、第１加工位置と第２加工位置との間隔が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２をウェハ２０に良好に形成することが可能となる。

本実施形態では、Ｘ方向において複数の第１加工位置の間隔ｄ１２は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。この場合、複数の第１加工位置の間隔ｄ１２が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第１溝Ｍ１を良好に形成することが可能となる。

本実施形態では、Ｘ方向において複数の第１加工位置の間隔ｄ１２は、間隔ｄ２３よりも小さい。この場合、複数の第１加工位置の間隔を、形成した第１溝Ｍ１の周辺に発生する熱影響等のＨＡＺ（Heat-Affected-Zone）が抑制できるように、互いに影響する範囲に設定することが可能となる。

本実施形態では、Ｘ方向において複数の第２加工位置の間隔ｄ３４は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。この場合、複数の第２加工位置の間隔が狭すぎて互いの影響が顕著になってしまうことを抑制し、第２溝Ｍ２を良好に形成することが可能となる。

本実施形態において、Ｘ方向において複数の第２加工位置の間隔ｄ３４は、間隔ｄ２３よりも小さい。この場合、複数の第２加工位置の間隔を、形成した第２溝Ｍ２の周辺に発生する熱影響等のＨＡＺが抑制できるように、互いに影響する範囲に設定することが可能となる。

本実施形態では、分岐パターンは、２つの第１分岐レーザ光ＬＡ及び２つの第２分岐レーザ光ＬＢにレーザ光Ｌを分岐させる。この場合、各集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＢ１，ＳＢ２でのエネルギーを下げることができ、ＨＡＺを抑制することが可能となる。

本実施形態では、分岐パターンは、ライン１５に沿った一次元アレイ状に各集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＢ１，ＳＢ２が並ぶようにレーザ光Ｌを分岐させる。これにより、幅の狭い複合溝ＭＨをウェハ２０に形成することが可能となる。また、ウェハ２０の抗折強度の向上が可能となる。

Ｙ方向においてライン１５の位置からの改質領域１１の位置のズレが無くても、単一のＶ溝Ｍ０を形成する場合には、改質領域１１から伸びる亀裂９が蛇行した結果、不具合が起きる可能性がある。この点、本実施形態では、Ｗ溝としての複合溝ＭＨを形成することから、当該不具合が抑制することが可能となる。

なお、本実施形態では、分岐パターンは、第１溝Ｍ１を形成する３つの第１分岐レーザ光ＬＡと第２溝Ｍ２を形成する３つの第２分岐レーザ光ＬＢとに、レーザ光Ｌを分岐させてもよい。この場合、例えば図１４に示されるように、ライン１５の一方側から他方側に向かって、ライン１５に沿うＸ方向において、３つの第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３が並んだ後、３つの第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３が並ぶ。形成する溝の幅方向に対応するＹ方向において、第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３の位置は、互いに等しい。Ｙ方向において第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３の位置は、互いに等しい。このような分岐パターンによれば、各集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３でのエネルギーを一層下げることができ、ＨＡＺを一層抑制することが可能となる。

本実施形態では、空間光変調器１３２の表示部１３２Ａに表示させる分岐パターンは、第１溝Ｍ１を形成する１又は複数（ここでは、２つ）の第１分岐レーザ光ＬＡと、第２溝Ｍ２を形成する１又は複数（ここでは、２つ）の第２分岐レーザ光ＬＢと、第３溝Ｍ３を形成する１又は複数（ここでは、２つ）の第３分岐レーザ光とに、レーザ光Ｌを分岐させてもよい。この場合、例えば図１５（ａ）に示されるように、ライン１５の一方側から他方側に向かって、ライン１５に沿うＸ方向において、２つの第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２が並び、２つの第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２が並んだ後、２つの第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１，ＳＣ２が並ぶ。形成する溝の幅方向に対応するＹ方向において、第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１，ＳＣ２の位置は、互いに等しい。

Ｘ方向において、隣り合う第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ２の位置と第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１の位置との間の距離を、間隔ｄ４５とする。間隔ｄ４５は、間隔ｄ２３と等しい。Ｙ方向において、第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２の位置と第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１，ＳＣ２の位置との間の距離を、間隔Ｙ２とする。間隔Ｙ２は、間隔Ｙ１と等しい。間隔ｄ４５は、間隔Ｙ１よりも大きい。間隔ｄ４５は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。ライン１５に沿うＸ方向において複数の第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１，ＳＣ２の位置の間隔ｄ５６は、レーザ光Ｌのパルスピッチよりも大きい。間隔ｄ５６は、間隔ｄ２３よりも小さい。分岐パターンは、ライン１５に沿った一次元アレイ状に集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＣ１，ＳＣ２が並ぶようにレーザ光Ｌを分岐させる。この場合には、図１５（ｂ）に示されるように、幅の広い複合溝ＭＨ１を形成することが可能となる。

第１分岐レーザ光ＬＡにより形成される第１溝Ｍ１と、第２分岐レーザ光ＬＢにより形成される第２溝Ｍ２と、第３分岐レーザ光により形成される第３溝Ｍ３とは、複合溝ＭＨ１を構成する。複合溝ＭＨ１は、ライン１５と直交する断面視において、底側に３つの谷部分及び２つの山部分を有する形状の溝である。第１溝Ｍ１、第２溝Ｍ２及び第３溝Ｍ３のそれぞれは、ライン１５と直交する断面視においてＶ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。換言すると、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、そのＹ方向の端部が重なりながらＸ方向に延びる。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、周縁部が接するように設けられている。第３溝Ｍ３は、第２溝Ｍ２に対してＹ方向の端部が重なる。換言すると、第２溝Ｍ２と第３溝Ｍ３とは、そのＹ方向の端部が重なりながらＸ方向に延びる。第２溝Ｍ２と第３溝Ｍ３とは、周縁部が接するように設けられている。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２と第３溝Ｍ３とは、同じ深さ及び同じ幅の溝である。

複合溝ＭＨ１は、ウェハ２０における機能素子層２２側に、第１溝Ｍ１の底部、第２溝Ｍ２の底部及び第３溝Ｍ３の底部の全てが半導体基板２１に到達するように設けられている。第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部は、半導体基板２１の機能素子層２２側に至る。第１溝Ｍ１、第２溝Ｍ２及び第３溝Ｍ３において重複する端部（複合溝ＭＨ１の底側の２つの山部分）は、機能素子層２２の半導体基板２１側に至る。

ちなみに、本実施形態では、図１６（ａ）に示されるように、ウェハ２０における機能素子層２２側に複合溝ＭＨ２が設けられていてもよい。複合溝ＭＨ２は、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とにより構成されるＷ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。複合溝ＭＨ２は、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１に到達するように設けられている。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２において重複する端部（複合溝ＭＨ２の底側の山部分）は、機能素子層２２の表面側に至る。複合溝ＭＨ２の第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、複合溝ＭＨ（図８（ｂ）参照）に比べて、互いの底部がＹ方向に離れている。このような複合溝ＭＨ２においても、複合溝ＭＨと同様な効果が奏される。

本実施形態では、図１６（ｂ）に示されるように、ウェハ２０における機能素子層２２側に複合溝ＭＨ３が設けられていてもよい。複合溝ＭＨ３は、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とにより構成されるＷ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。第１溝Ｍ１は、第２溝Ｍ２よりも深さが深い溝である。複合溝ＭＨ３は、第１溝Ｍ１の底部が半導体基板２１に到達し且つ第２溝Ｍ２の底部が半導体基板２１に到達しないように設けられている。つまり、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の何れか一方が半導体基板２１に到達するように設けられている。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２において重複する端部（複合溝ＭＨ３の底側の山部分）は、機能素子層２２の半導体基板２１側に至る。このような複合溝ＭＨ３においても、複合溝ＭＨと同様な効果が奏される。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２による亀裂９の誘引効果を一層高めることが可能となる。

本実施形態では、図１６（ｃ）に示されるように、ウェハ２０における機能素子層２２側に複合溝ＭＨ４が設けられていてもよい。複合溝ＭＨ４は、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とにより構成されるＷ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。第１溝Ｍ１は、第２溝Ｍ２よりも深さが深い溝である。複合溝ＭＨ４は、第１溝Ｍ１の底部が半導体基板２１に到達し且つ第２溝Ｍ２の底部が半導体基板２１に到達しないように設けられている。つまり、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の何れか一方が半導体基板２１に到達するように設けられている。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２において重複する端部（複合溝ＭＨ４の底側の山部分）は、機能素子層２２の表面側に至る。複合溝ＭＨ４の第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、複合溝ＭＨ３（図１６（ｂ）参照）に比べて、互いの底部がＹ方向に離れている。このような複合溝ＭＨ４においても、複合溝ＭＨと同様な効果が奏される。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２による亀裂９の誘引効果を一層高めることが可能となる。

本実施形態では、図１７（ａ）に示されるように、ウェハ２０における機能素子層２２側に複合溝ＭＨ５が設けられていてもよい。複合溝ＭＨ５は、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とにより構成されるＷ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、同じ深さ及び同じ幅の溝である。複合溝ＭＨ２は、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１に到達しないように設けられている。このような複合溝ＭＨ５においても、複合溝ＭＨと同様な効果が奏される。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２の深さを浅くすることが可能となる。

本実施形態では、図１７（ｂ）に示されるように、ウェハ２０における機能素子層２２側に複合溝ＭＨ６が設けられていてもよい。複合溝ＭＨ６は、第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とにより構成されるＷ溝である。第２溝Ｍ２は、第１溝Ｍ１に対してＹ方向の端部が重なる。第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、同じ深さ及び同じ幅の溝である。複合溝ＭＨ６は、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１に到達しないように設けられている。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２において重複する端部（複合溝ＭＨ６の底側の山部分）は、機能素子層２２の表面側に至る。複合溝ＭＨ６の第１溝Ｍ１と第２溝Ｍ２とは、複合溝ＭＨ５（図１７（ａ）参照）に比べて、互いの底部がＹ方向に離れている。このような複合溝ＭＨ６においても、複合溝ＭＨと同様な効果が奏される。第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２による亀裂９の誘引効果を一層高めることが可能となる。

図１８は、複合溝ＭＨを形成した場合における亀裂９の逸れを評価した試験結果を示す図である。図中において、掘れ量は、複合溝ＭＨの底部の位置であって、半導体基板２１の表面２１ａから半導体基板２１に入り込む量である。シフト量は、複合溝ＭＨの幅方向において、形成される改質領域１１と複合溝ＭＨの中心とのズレ量に対応する。「〇」は、亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達するように誘引されたことを意味する。「逸れ」は、亀裂９が複合溝ＭＨから逸れ、亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達しないことを意味する。図中の試験では、グルービング幅は１２μｍである。図１８に示されるように、複合溝ＭＨによれば、形成される改質領域１１が複合溝ＭＨに対して幅方向にズレた場合でも、一定範囲であれば、亀裂９の誘引効果が得られることがわかる。また、堀れ量が大きいほど、シフト量に対して亀裂９の誘引効果を効果的に発揮できることがわかる。

本実施形態のグルービング加工では、空間光変調器１３２の表示部１３２Ａに分岐パターンを表示することでレーザ光Ｌを分岐させてなる第１分岐レーザ光ＬＡ及び第２分岐レーザ光ＬＢによって第１溝Ｍ１及び第２溝Ｍ２を同時形成したが、これに限定されない。グルービング加工は、ウェハ２０にレーザ光Ｌを照射し、ライン１５に沿って第１溝Ｍ１をウェハ２０に形成する工程と、ウェハ２０にレーザ光Ｌを照射し、当該ライン１５に沿って第２溝Ｍ２をウェハ２０に形成する工程と、を含んでいればよい。

例えば図１９（ａ）に示されるように、集光部３４を介してレーザ光Ｌを機能素子層２２に集光することにより、ウェハ２０における機能素子層２２側の表層を除去し、第１溝Ｍ１を形成する。その後、図１９（ｂ）に示されるように、集光部３４及び支持部２（図２参照）の少なくとも何れかをＹ方向（第１溝Ｍ１の幅方向）に所定量に移動させ、集光部３４を介してレーザ光Ｌを機能素子層２２に集光することにより、ウェハ２０における機能素子層２２側の表層を除去し、第２溝Ｍ２を形成してもよい。

また例えば図２０（ａ）に示されるように、集光部３４を介してレーザ光Ｌを機能素子層２２に集光することにより、ウェハ２０における機能素子層２２側の表層を除去し、第１溝Ｍ１を形成する。その後、空間光変調器１３２の表示部１３２Ａにレーザ光Ｌの集光点をＹ方向（第１溝Ｍ１の幅方向）に所定量にずらすシフトパターンを表示させて、図２０（ｂ）に示されるように、集光部３４を介してレーザ光Ｌを機能素子層２２に集光することにより、ウェハ２０における機能素子層２２側の表層を除去し、第２溝Ｍ２を形成してもよい。

本実施形態では、改質領域１１を形成する工程は、複合溝ＭＨの幅方向において、複合溝ＭＨの中心位置からの改質領域１１の形成位置のズレ量（以下、「幅方向ズレ量」ともいう）がグルービング幅の半値よりも大きい場合、改質領域１１の形成位置を当該中心位置に合うように補正する工程を含んでいてもよい。一例として、例えば図２１に示される以下の工程を含んでいてもよい。

改質領域１１を形成する工程では、まず、複合溝ＭＨの幅方向に対応するＹ方向において、改質領域１１の形成位置（改質領域１１の形成を予定する位置）を基準加工位置である複合溝ＭＨの中心位置に合わせる（ステップＳ１１）。複合溝ＭＨの中心位置は、例えば赤外撮像部１０８Ｂ（図１参照）により撮像された画像に基づいて把握できる。続いて、上記のようにライン１５に沿って改質領域１１を形成する（ステップＳ１２）。

Ｘ方向に延びるライン１５の全てに沿って改質領域１１の形成が完了した場合（ステップＳ１３でＹＥＳ）、レーザ加工が完了したとして処理を終了し、後段の工程に移行する。一方、Ｘ方向に延びるライン１５の全てに沿って改質領域１１の形成が完了していない場合（ステップＳ１３でＮＯ）、改質領域１１の形成位置をＹ方向に所定距離（隣接する２つの当該ライン１５間に対応する距離）だけ、レーザ加工ヘッドＨ及び支持部１０２（図１参照）の少なくとも何れかをＹ方向に移動させる（ステップＳ１４）。

改質領域１１の幅方向ズレ量がグルービング幅の半値（１／２の値）よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ１５）。改質領域１１の幅方向ズレ量は、例えば赤外撮像部１０８Ｂ（図１参照）により撮像された画像に基づいて把握できる。上記ステップＳ１５でＹＥＳの場合、Ｙ方向における改質領域１１の形成位置の補正を実行する（ステップＳ１６）。上記ステップＳ１６では、Ｙ方向において、改質領域１１の形成位置が複合溝ＭＨの中心位置に合うように、レーザ加工ヘッドＨ及び支持部１０２（図１参照）の少なくとも何れかの位置をＹ方向に調整する。上記ステップＳ１５でＮＯの場合又は上記ステップＳ１６の後、上記ステップＳ１２の処理に戻る。以上のような変形例に係るレーザ加工方法によれば、グルービング幅を利用して、改質領域１１の形成位置を補正することが可能となる。

［変形例］
本発明の一態様は、上記実施形態に限定されない。

上記実施形態では、グルービング加工を行うレーザ加工装置１とウェハ２０の内部に改質領域１１を形成するレーザ加工装置１００とを別々の装置としたが、これに限定されない。例えば、グルービング加工用の装置と改質領域１１形成用の装置とを搬送アームで連結して一体にしてもよい。一例として、図２２に示されるレーザ加工装置２００のように、ステージ２０２を共通にして、グルービング加工用の加工装置に対応する光学系２１０Ａと改質領域１１形成用の加工装置に対応する光学系２１０Ｂとを搭載してもよい。なお、このようなレーザ加工装置２００は、ステージ（支持部）２０２を移動させる移動機構２０５及び光学系２１０Ａ，２１０Ｂを移動させる移動機構２０６を備える。

レーザ加工装置１００及びレーザ加工装置１を用いたレーザ加工方法については、上述した方法に限定されず、例えば次の方法であってもよい。すなわち、まず、図２３（ａ）に示されるように、ウェハ２０を用意する。ウェハ２０の機能素子層２２側の表面に保護膜２９を塗布する。続いて、図２３（ｂ）に示されるように、レーザ加工装置１において、支持部２によりウェハ２０を吸着して支持した後、当該ウェハ２０に対してグルービング加工を実施する。グルービング加工では、ウェハ２０のストリート２３にレーザ光Ｌがライン１５に沿って照射されるように制御部５が照射部３を制御し、レーザ光Ｌがライン１５に沿って相対的に移動するように制御部５が支持部２を制御する。これにより、ウェハ２０におけるストリート２３の表層が除去されて、複合溝ＭＨが形成される。

続いて、図２３（ｃ）に示されるように、支持部２からウェハ２０を取り外し、例えば薬液等を用いて保護膜２９を除去する。図２４（ａ）に示されるように、ウェハ２０の機能素子層２２側の表面に研削用テープ２８を貼付する。レーザ加工装置１００において、ライン１５に沿ってウェハ２０にレーザ光Ｌ０を照射することで、ライン１５に沿ってウェハ２０の内部に改質領域１１を形成する。ここでは、支持部１０２によりウェハ２０を吸着して支持した後、半導体基板２１の内部にレーザ光Ｌ０の集光点を合わせて裏面２１ｂからウェハ２０にレーザ光Ｌ０を照射するスキャンを、当該集光点のＺ方向の位置を変えて複数回繰り返す。これにより、半導体基板２１の内部にてＺ方向に複数列の改質領域１１が形成されると共に、改質領域１１から亀裂９が伸展する。

続いて、図２４（ｂ）に示されるように、研削装置においてウェハ２０の半導体基板２１の裏面２１ｂ側を研削し、改質領域１１が除去される所望の厚さまでウェハ２０を薄化する。図２４（ｃ）に示されるように、ウェハ２０の半導体基板２１の裏面２１ｂに、リングフレームＲＦが設けられた透明ダイシング用テープＤＣに貼り付ける。そして、図２５に示されるように、エキスパンド装置（図示省略）において、貼付された透明ダイシング用テープＤＣを拡張することにより、各ライン１５に沿ってウェハ２０の厚さ方向に亀裂９を伸展させ、ウェハ２０をライン１５に沿って切断する。これにより、ウェハ２０を機能素子２２ａごとにチップ化し、複数のチップＴ１を得る。このような変形例に係るレーザ加工方法では、複合溝ＭＨの形成後に研削によりウェハ２０を薄化することができる。

上記実施形態及び上記変形例では、撮像部４は、可視光を利用してウェハ２０のストリートの画像データを取得するカメラを備えていてもよい。上記実施形態及び上記変形例では、切断後のストリート２３の少なくとも表層を撮像した画像や、赤外線を利用した透視画像を利用して、ストリート２３の各領域におけるレーザ光Ｌの照射条件（レーザＯＮ／ＯＦＦ制御、レーザパワー）をコントロールする情報を作成して、その情報に基づいてグルービング加工をコントロールできる。上記実施形態及び上記変形例では、ストリート２３に対する複数回のレーザ光Ｌの走査によって、ストリート２３の表層を除去してもよい。上記実施形態及び上記変形例では、レーザ光Ｌ０が各ライン１５に沿って相対的に移動するように、支持部１０２のみを制御してもよいし、レーザ加工ヘッドＨのみを制御してもよいし、或いは、支持部１０２及びレーザ加工ヘッドＨの両方を制御してもよい。上記実施形態及び上記変形例では、レーザ光Ｌが各ストリート２３に沿って相対的に移動するように、支持部２のみを制御してもよいし、照射部３のみを制御してもよいし、或いは、支持部２及び照射部３の両方を制御してもよい。

上記実施形態及び上記変形例では、レーザ光Ｌを分岐してなる複数の分岐レーザ光の各集光点のエネルギーは、均等であってもよいし、分岐比率を変えて強弱をつけてもよい。上記実施形態及び上記変形例では、Ｙ方向において第１分岐レーザ光の集光点ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３の位置を同一としたが、これらの少なくとも何れかが間隔Ｙ１よりも狭い範囲でＹ方向にシフトしていてもよい。Ｙ方向において第２分岐レーザ光の集光点ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３の位置を同一としたが、これらの少なくとも何れかが間隔Ｙ１よりも狭い範囲でＹ方向にシフトしていてもよい。Ｙ方向において第３分岐レーザ光の集光点ＳＣ１，ＳＣ２の位置を同一としてが、これらの少なくとも何れかが間隔Ｙ１又は間隔Ｙ２よりも狭い範囲でＹ方向にシフトしていてもよい。間隔Ｙ１は、間隔Ｙ２と等しくてもよいし異なっていてもよい。

上記実施形態及び上記変形例では、第１溝Ｍ１の底部及び第２溝Ｍ２の底部の双方が半導体基板２１の表面２１ａに位置していてもよい。上記実施形態及び上記変形例において、分岐パターンでレーザ光Ｌを分岐させる分岐数は限定されず、複数であればよい。上記実施形態及び上記変形例では、改質領域１１の形成時に亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達してもよいし、改質領域１１を形成した後の工程において亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達してもよい。上記実施形態及び上記変形例において、「亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達する」とは、例えば後段の工程にてウェハ２０をチップ化することを目的に加工が行われていれば、ライン１５の一部分で亀裂９の端が第１溝Ｍ１の内面又は第２溝Ｍ２の内面に到達していない場合も含まれる。

１…レーザ加工装置、２…支持部、９…亀裂、１１…改質領域、１５…ライン、２０…ウェハ（対象物）、２１…半導体基板（基板）、２２…機能素子層、２９…保護膜、３１…レーザ光源、３４…集光部、１００…レーザ加工装置、１３２…空間光変調器、１３２Ａ…表示部、２００…レーザ加工装置、２０２…ステージ（支持部）、ｄ１２…間隔、ｄ２３…間隔、ｄ３４…間隔、ｄ４５…間隔、ｄ５６…間隔、ＤＣ…透明ダイシング用テープ（テープ）、Ｌ…レーザ光、Ｌ０…レーザ光、ＬＡ…第１分岐レーザ光、ＬＢ…第２分岐レーザ光、Ｍ１…第１溝（溝）、Ｍ２…第２溝（溝）、Ｍ３…第３溝（溝）、ＭＨ，ＭＨ１，ＭＨ２，ＭＨ３，ＭＨ４，ＭＨ５，ＭＨ６…複合溝、ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３…第１分岐レーザ光の集光点、ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３…第２分岐レーザ光の集光点、ＳＣ１，ＳＣ２…第３分岐レーザ光の集光点、Ｙ１，Ｙ２…間隔。

Claims (12)

1. ラインに沿って対象物にレーザ光を照射することにより、前記ラインに沿って前記対象物に溝を形成するレーザ加工装置であって、
   前記対象物を支持する支持部と、
   前記レーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源で出射した前記レーザ光が入射する表示部を有し、前記表示部に表示させた変調パターンに応じて前記レーザ光を変調する空間光変調器と、
   前記空間光変調器で変調した前記レーザ光を、前記支持部に支持された前記対象物に集光する集光部と、を備え、
   前記変調パターンは、第１溝を形成する１又は複数の第１分岐レーザ光と、第２溝を形成する１又は複数の第２分岐レーザ光と、に前記レーザ光を少なくとも分岐させる分岐パターンを含み、
   前記ラインに沿う方向において隣り合う前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、前記第１溝及び前記第２溝の幅方向において前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも大きい、レーザ加工装置。
2. 前記第２溝は、前記第１溝に対して前記第１溝の幅方向の端部が重なる、請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記分岐パターンは、前記第１及び第２分岐レーザ光に加えて、前記第２溝に対して前記第２溝の幅方向の端部が重なる第３溝を形成する１又は複数の第３分岐レーザ光に、前記レーザ光を分岐させる、請求項２に記載のレーザ加工装置。
4. 前記ラインに沿う方向において隣り合う前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、前記レーザ光のパルスピッチよりも大きい、請求項１～３の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
5. 前記ラインに沿う方向において複数の前記第１分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、前記レーザ光のパルスピッチよりも大きい、請求項１～４の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
6. 前記ラインに沿う方向において複数の前記第１分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、前記ラインに沿う方向において隣り合う前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも小さい、請求項１～５の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
7. 前記ラインに沿う方向において複数の前記第２分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、前記レーザ光のパルスピッチよりも大きい、請求項１～６の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
8. 前記ラインに沿う方向において複数の前記第２分岐レーザ光の集光点の位置の間隔は、前記ラインに沿う方向において隣り合う前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも小さい、請求項１～７の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
9. 前記分岐パターンは、２つの前記第１分岐レーザ光及び２つの前記第２分岐レーザ光に前記レーザ光を分岐させる、請求項１～８の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
10. 前記分岐パターンは、３つの前記第１分岐レーザ光及び３つの前記第２分岐レーザ光に前記レーザ光を分岐させる、請求項１～９の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
11. 前記分岐パターンは、前記ラインに沿った一次元アレイ状に集光点が並ぶように前記レーザ光を分岐させる、請求項１～１０の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
12. ラインに沿って対象物にレーザ光を照射することにより、前記ラインに沿って前記対象物に溝を形成するレーザ加工方法であって、
    前記レーザ光を出射し、出射した前記レーザ光を空間光変調器の表示部に入射させ、前記表示部に表示させた変調パターンに応じて前記レーザ光を変調し、変調した前記レーザ光を前記対象物に集光する工程を備え、
    前記変調パターンは、第１溝を形成する１又は複数の第１分岐レーザ光と、第２溝を形成する１又は複数の第２分岐レーザ光と、に前記レーザ光を少なくとも分岐させる分岐パターンを含み、
    前記ラインに沿う方向において隣り合う前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔は、前記第１溝及び前記第２溝の幅方向において前記第１分岐レーザ光の集光点の位置と前記第２分岐レーザ光の集光点の位置との間隔よりも大きい、レーザ加工方法。

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