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JP2023183742A - Nozzle position adjustment method and substrate processing device - Google Patents

Nozzle position adjustment method and substrate processing device Download PDF

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JP2023183742A
JP2023183742A JP2022097413A JP2022097413A JP2023183742A JP 2023183742 A JP2023183742 A JP 2023183742A JP 2022097413 A JP2022097413 A JP 2022097413A JP 2022097413 A JP2022097413 A JP 2022097413A JP 2023183742 A JP2023183742 A JP 2023183742A
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JP
Japan
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nozzle
substrate
processing
distance
position adjustment
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Pending
Application number
JP2022097413A
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Japanese (ja)
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脩平 根本
Shuhei Nemoto
章宏 中島
Akihiro Nakajima
僚 村元
Ryo Muramoto
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Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
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Publication date
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Abstract

To provide a nozzle position adjustment method and a substrate processing device that can adjust a liquid supply position with high precision.SOLUTION: The total value of a first distance by which a nozzle travels from the separated position until the engagement surface comes into contact with the end surface of a jig plate and a second distance required to move the nozzle in a posture in which the engagement surface is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position is calculated as the nozzle movement distance. Then, when substrate processing is performed, the nozzle is positioned at the processing position by moving the nozzle from the separated position by the nozzle movement distance.SELECTED DRAWING: Figure 9

Description

この発明は、基板の径方向におけるノズルの位置を調整するノズル位置調整方法および当該ノズル位置調整方法により位置調整されたノズルから処理液を基板に供給して処理する基板処理技術に関するものである。 The present invention relates to a nozzle position adjustment method for adjusting the position of a nozzle in the radial direction of a substrate, and a substrate processing technique for supplying a processing liquid to a substrate from a nozzle whose position has been adjusted by the nozzle position adjustment method.

半導体ウェハなどの基板を回転させつつ当該基板にノズルから処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理装置が知られている(例えば特許文献1)。 2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus is known that performs chemical processing, cleaning processing, etc. by supplying processing liquid from a nozzle to a substrate such as a semiconductor wafer while rotating the substrate (for example, Patent Document 1).

特開2019-149423号公報JP 2019-149423 Publication

基板処理を行う際には、ノズルは基板の上方に位置決めされた後で、処理液がノズルの先端に設けられた吐出口から基板の上面に向けて吐出される。例えば特許文献1に記載の装置では、スピンチャックに保持されて回転する基板の周縁部に処理液としてエッチング液が供給される。これによって、基板の上面周縁部に形成された薄膜が帯状またはドーナツ状にエッチング除去される。これはベベル処理(あるいはベベルエッチング処理)と称されるものであり、本発明の「基板処理」の一例に相当する。ベベル処理においては、帯状領域の幅(以下、エッチング幅という)の寸法精度を厳格に管理しなければならない。そのためには、基板の径方向において処理液が基板に供給される位置(以下「液供給位置」という)を高精度に調整する必要がある。 When processing a substrate, the nozzle is positioned above the substrate, and then a processing liquid is ejected from an ejection port provided at the tip of the nozzle toward the upper surface of the substrate. For example, in the apparatus described in Patent Document 1, an etching liquid is supplied as a processing liquid to the peripheral edge of a rotating substrate held by a spin chuck. As a result, the thin film formed on the periphery of the upper surface of the substrate is etched away in a strip or donut shape. This is called bevel processing (or bevel etching processing), and corresponds to an example of the "substrate processing" of the present invention. In bevel processing, the dimensional accuracy of the width of the band-shaped region (hereinafter referred to as etching width) must be strictly controlled. For this purpose, it is necessary to adjust with high precision the position at which the processing liquid is supplied to the substrate (hereinafter referred to as "liquid supply position") in the radial direction of the substrate.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、液供給位置を高精度に調整することができるノズル位置調整方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a nozzle position adjustment method and a substrate processing apparatus that can adjust the liquid supply position with high precision.

本発明の第1の態様は、鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を基板に供給するノズルと、ノズルを基板の径方向に移動させるノズル移動部とを備える基板処理装置において、基板の端面から予め設定された位置に処理液を供給するために径方向においてノズルを処理位置に位置決めするノズル位置調整方法であって、基板と同一形状の治具板を回転保持部で保持する第1工程と、ノズルを回転保持部から離れた離間位置に位置させる第2工程と、ノズルの係合面が回転保持部に保持された治具板の端面と対向する姿勢で、離間位置から治具板へのノズルの移動を開始する第3工程と、第3工程の実行から係合面が治具板の端面に当接するまでにノズルが移動した第1距離を計測する第4工程と、係合面が治具板の端面に当接した姿勢のノズルを処理位置まで径方向に沿って移動させるのに要する第2距離を第1距離に加算してノズル移動距離を求める第5工程と、を備え、基板処理前に、第1工程ないし第5工程を実行する一方、基板処理を実行する際には、第2工程を実行した後で、径方向においてノズルをノズル移動距離だけ移動させることで、ノズルを処理位置に位置決めすることを特徴としている。 A first aspect of the present invention includes a rotation holding unit that holds and rotates a substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, a nozzle that supplies a processing liquid for processing the substrate to the substrate, and a nozzle that rotates the substrate in a radial direction of the substrate. A nozzle position adjustment method for positioning a nozzle at a processing position in a radial direction in order to supply a processing liquid to a preset position from an end surface of a substrate in a substrate processing apparatus comprising a nozzle moving unit that moves the nozzle to a predetermined position from an end surface of the substrate. The first step is to hold a jig plate having the same shape as the rotary holder, and the second step is to position the nozzle at a separate position away from the rotary holder, and the engaging surface of the nozzle is held in the rotary holder. A third step in which the nozzle starts moving from the separated position to the jig plate in a posture facing the end surface of the jig plate, and a period from execution of the third step until the engagement surface comes into contact with the end surface of the jig plate. A fourth step is to measure the first distance that the nozzle has moved, and a second step is to measure the second distance required to move the nozzle in a posture where the engagement surface is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position. a fifth step of calculating the nozzle movement distance by adding the nozzle movement distance to the first distance, and the first to fifth steps are executed before substrate processing, while the second step is executed when substrate processing is executed. After that, the nozzle is positioned at the processing position by moving the nozzle in the radial direction by the nozzle movement distance.

また、本発明の第2の態様は、基板処理装置であって、鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を基板に供給するノズルと、ノズルを基板の径方向に移動させるノズル移動部と、基板の端面から予め設定された位置に処理液を供給するための処理位置にノズルが位置するように、ノズル移動部を制御する制御部と、を備え、制御部は、基板処理前に、基板と同一形状の治具板を用いて回転保持部から径方向に離れた離間位置に位置するノズルを処理位置まで移動させるのに要するノズル移動距離を求めるキャリブレーション部と、径方向においてノズルを離間位置からノズル移動距離だけ移動させることで、ノズルを処理位置に位置決めするノズル位置決め部と、を有し、キャリブレーション部が、ノズルの係合面が回転保持部に保持された治具板の端面と対向する姿勢で離間位置から治具板へのノズルの移動を開始した後で、係合面が治具板の端面に当接するまでにノズルが移動した第1距離を計測する計測部と、係合面が治具板の端面に当接した姿勢のノズルを処理位置まで径方向に沿って移動させるのに要する第2距離を第1距離に加算してノズル移動距離を算出する移動距離算出部と、を有することを特徴としている。 A second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus, which includes a rotation holding unit that holds and rotates a substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, and a rotation holding unit that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate. A nozzle, a nozzle moving unit that moves the nozzle in the radial direction of the substrate, and controlling the nozzle moving unit so that the nozzle is located at a processing position for supplying a processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate. a control section, the control section is configured to move a nozzle located at a distance radially away from the rotation holding section to a processing position using a jig plate having the same shape as the substrate before processing the substrate. It has a calibration section that calculates the required nozzle movement distance, and a nozzle positioning section that positions the nozzle at the processing position by moving the nozzle from the separation position by the nozzle movement distance in the radial direction, and the calibration section After the nozzle starts moving from the separated position to the jig plate with the engagement surface facing the end face of the jig plate held by the rotating holding part, the engagement surface touches the end face of the jig plate. A measurement unit that measures a first distance that the nozzle has moved before contacting the nozzle, and a second distance that is required to move the nozzle in a posture where the engagement surface is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position. and a movement distance calculation unit that calculates the nozzle movement distance by adding the nozzle movement distance to the first distance.

従来では、離間位置から処理位置にノズルを移動させるのに必要なノズル移動距離はオペレータ作業により決定されていた。そのため、ノズル移動距離については、オペレータ間でバラツキが生じ、これが液供給位置の精度低下の主要因の一つであった。これに対し、これら第1態様および第2態様にかかる発明では、ノズル移動距離は上記した第1距離と第2距離との合計値で求められる。つまり、オペレータ作業を介在させることなく、ノズル移動距離が求められる。したがって、離間位置からノズル移動距離(=第1距離+第2距離)だけノズルを移動させることでノズルは高精度に処理位置に位置決めされる。 Conventionally, the nozzle travel distance required to move the nozzle from the remote position to the processing position has been determined by operator work. Therefore, the nozzle moving distance varies among operators, and this is one of the main causes of a decrease in the accuracy of the liquid supply position. On the other hand, in the inventions according to the first and second aspects, the nozzle movement distance is determined by the sum of the first distance and the second distance described above. In other words, the nozzle movement distance can be determined without intervening operator work. Therefore, by moving the nozzle by the nozzle movement distance (=first distance+second distance) from the separated position, the nozzle is positioned at the processing position with high precision.

また、本発明の第3の態様は、鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を基板に供給するノズルと、ノズルを基板の径方向に移動させるノズル移動部とを備える基板処理装置において、基板の端面から予め設定された位置に処理液を供給するために径方向においてノズルを処理位置に位置決めするノズル位置調整方法であって、基板と同一形状の治具板を回転保持部で保持する第7工程と、ノズルを回転保持部から離れた離間位置に位置させる第8工程と、第8工程の前後で、回転保持部に保持された治具板の端面と対向するように位置調整治具をノズルに取り付ける第9工程と、位置調整治具が治具板の端面と対向する姿勢で、離間位置から治具板へのノズルの移動を開始する第10工程と、第10工程の実行から位置調整治具が治具板の端面に当接するまでにノズルが移動した第3距離を計測する第11工程と、位置調整治具が治具板の端面に当接した姿勢のノズルを処理位置まで径方向に沿って移動させるのに要する第4距離を第3距離に加算してノズル移動距離を求める第12工程と、を備え、基板処理前に、第7工程ないし第12工程を実行する一方、基板処理を実行する際には、第8工程を実行した後で、径方向においてノズルをノズル移動距離だけ移動させることで、ノズルを処理位置に位置決めすることを特徴としている。 Further, a third aspect of the present invention includes a rotation holding unit that holds and rotates the substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, a nozzle that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate, and a nozzle that supplies the substrate with a processing liquid for processing the substrate. A nozzle position adjustment method for positioning a nozzle at a processing position in a radial direction in order to supply a processing liquid to a preset position from an end surface of a substrate in a substrate processing apparatus equipped with a nozzle moving unit that moves in a radial direction. , a seventh step in which a jig plate having the same shape as the substrate is held in a rotating holding section, an eighth step in which the nozzle is positioned at a separate position away from the rotating holding section, and before and after the eighth step, A ninth step of attaching the position adjustment jig to the nozzle so as to face the end surface of the held jig plate, and a ninth step of attaching the position adjustment jig to the nozzle so as to face the end surface of the jig plate from the separated position. a 10th step in which the nozzle starts moving; an 11th step in which the nozzle moves from execution of the 10th step until the position adjustment jig comes into contact with the end surface of the jig plate; and a 11th step in which the nozzle moves. a twelfth step of calculating the nozzle movement distance by adding a fourth distance required to move the nozzle in a posture in which the tool is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position to the third distance; In preparation, the seventh to twelfth steps are executed before substrate processing, while when substrate processing is performed, the nozzle is moved in the radial direction by the nozzle movement distance after the eighth step is executed. , the nozzle is positioned at the processing position.

また、本発明の第4の態様は、基板処理装置であって、鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を基板に供給するノズルと、ノズルを基板の径方向に移動させるノズル移動部と、基板の端面から予め設定された位置に処理液を供給するための処理位置にノズルが位置するように、ノズル移動部を制御する制御部と、を備え、制御部は、基板処理前に、基板と同一形状の治具板を用いて回転保持部から径方向に離れた離間位置に位置するノズルを処理位置まで移動させるのに要するノズル移動距離を求めるキャリブレーション部と、径方向においてノズルを離間位置からノズル移動距離だけ移動させることで、ノズルを処理位置に位置決めするノズル位置決め部と、を有し、キャリブレーション部が、ノズルに取り付けられた位置調整治具が回転保持部に保持された治具板の端面と対向する姿勢で離間位置から治具板へのノズルの移動を開始した後で、位置調整治具が治具板の端面に当接するまでにノズルが移動した第3距離を計測する計測部と、位置調整治具が治具板の端面に当接した姿勢のノズルを処理位置まで径方向に沿って移動させるのに要する第4距離を第3距離に加算してノズル移動距離を算出する移動距離算出部と、を有することを特徴としている。 Further, a fourth aspect of the present invention is a substrate processing apparatus, which includes a rotation holding unit that holds and rotates a substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, and a rotation holding unit that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate. A nozzle, a nozzle moving unit that moves the nozzle in the radial direction of the substrate, and controlling the nozzle moving unit so that the nozzle is located at a processing position for supplying a processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate. a control section, the control section is configured to move a nozzle located at a distance radially away from the rotation holding section to a processing position using a jig plate having the same shape as the substrate before processing the substrate. It has a calibration section that calculates the required nozzle movement distance, and a nozzle positioning section that positions the nozzle at the processing position by moving the nozzle from the separation position by the nozzle movement distance in the radial direction, and the calibration section After the position adjustment jig attached to the rotary holder starts moving the nozzle from the separated position to the jig plate in a posture facing the end face of the jig plate held by the rotation holding part, the position adjustment jig A measurement unit that measures a third distance traveled by the nozzle until it comes into contact with the end surface of the plate, and a position adjustment jig that moves the nozzle in a position where it is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position. and a moving distance calculating section that calculates a nozzle moving distance by adding a fourth distance required for the third distance to the third distance.

これら第3態様および第4態様にかかる発明では、ノズル移動距離は上記した第3距離と第4距離との合計値で求められる。つまり、オペレータ作業を介在させることなく、ノズル移動距離が求められる。したがって、離間位置からノズル移動距離(=第3距離+第4距離)だけノズルを移動させることでノズルは高精度に処理位置に位置決めされる。 In the inventions according to the third and fourth aspects, the nozzle movement distance is determined by the sum of the third distance and the fourth distance described above. In other words, the nozzle movement distance can be determined without intervening operator work. Therefore, by moving the nozzle by the nozzle movement distance (=third distance + fourth distance) from the separated position, the nozzle is positioned at the processing position with high precision.

このように構成された発明では、オペレータ作業を介在させることなく、ノズル移動距離を求め、当該ノズル移動距離に基づいてノズルの位置を調整しているため、液供給位置を高精度に調整することができる。 In the invention configured in this way, the nozzle movement distance is determined without intervening operator work, and the nozzle position is adjusted based on the nozzle movement distance, so the liquid supply position can be adjusted with high precision. Can be done.

本発明に係る基板処理装置の第1実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing system equipped with a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. 本発明に係る基板処理装置の第1実施形態の構成を示す図である。1 is a diagram showing the configuration of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. 図2のA-A線矢視平面図である。3 is a plan view taken along the line AA in FIG. 2. FIG. スピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the dimensional relationship between a substrate held by a spin chuck and a rotating cup portion. 第1実施形態において処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a treatment liquid discharge nozzle on the upper surface side that is installed in the treatment mechanism in the first embodiment. 第2実施形態において処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a processing liquid discharge nozzle on the upper surface side that is installed in the processing mechanism in the second embodiment. 図2に示す基板処理装置の演算処理部で実行される機能を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing functions executed by a calculation processing section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 2. FIG. 図2に示す基板処理装置により実行されるベベル処理を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing bevel processing performed by the substrate processing apparatus shown in FIG. 2. FIG. ベベル処理に含まれるキャリブレーション処理を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing calibration processing included in bevel processing. キャリブレーション処理中の装置各部を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing each part of the apparatus during calibration processing. ベベル処理中の装置各部を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing various parts of the apparatus during bevel processing. 第2実施形態におけるキャリブレーション処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows calibration processing in a 2nd embodiment. 第2実施形態におけるキャリブレーション処理中の装置各部を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing each part of the apparatus during calibration processing in the second embodiment. センタリング処理後の治具ウェハの偏心例を示すグラフである。7 is a graph showing an example of eccentricity of a jig wafer after centering processing.

図1は本発明に係る基板処理装置の第1実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。これは基板処理システム100の外観を示すものではなく、基板処理システム100の外壁パネルやその他の一部構成を除外することでその内部構造をわかりやすく示した模式図である。この基板処理システム100は、例えばクリーンルーム内に設置され、一方主面のみに回路パターン等(以下「パターン」と称する)が形成された基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。そして、基板処理システム100に装備される処理ユニット1において本発明に係るノズル位置調整方法が実行される。本明細書では、基板の両主面のうちパターンが形成されているパターン形成面(一方主面)を「表面」と称し、その反対側のパターンが形成されていない他方主面を「裏面」と称する。また、下方に向けられた面を「下面」と称し、上方に向けられた面を「上面」と称する。また、本明細書において「パターン形成面」とは、基板において、任意の領域に凹凸パターン形成されている面を意味する。 FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing system equipped with a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This is a schematic diagram that does not show the external appearance of the substrate processing system 100, but clearly shows the internal structure of the substrate processing system 100 by excluding the outer wall panel and other parts of the structure. This substrate processing system 100 is installed in, for example, a clean room, and is a single-wafer type device that processes one substrate W on which a circuit pattern or the like (hereinafter referred to as a "pattern") is formed only on one main surface. Then, the nozzle position adjustment method according to the present invention is executed in the processing unit 1 installed in the substrate processing system 100. In this specification, the pattern-formed surface (one main surface) on which a pattern is formed among both main surfaces of the substrate is referred to as the "front surface", and the other main surface on the opposite side, on which no pattern is formed, is referred to as the "back surface". It is called. Further, the surface facing downward is referred to as the "lower surface", and the surface facing upward is referred to as the "upper surface". Furthermore, in this specification, the term "pattern-formed surface" refers to a surface on which a concavo-convex pattern is formed in an arbitrary region of the substrate.

ここで、本実施形態における「基板」としては、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として半導体ウェハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。 Here, the "substrate" in this embodiment includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, and a substrate for a magnetic disk. Various substrates such as substrates and magneto-optical disk substrates can be applied. The following description will be made with reference to the drawings, taking as an example a substrate processing apparatus mainly used for processing semiconductor wafers, but the invention is similarly applicable to the processing of the various substrates exemplified above.

図1に示すように、基板処理システム100は、基板Wに対して処理を施す基板処理部110と、この基板処理部110に結合されたインデクサ部120とを備えている。インデクサ部120は、基板Wを収容するための容器C(複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)など)を複数個保持することができる容器保持部121を有している。また、インデクサ部120は、容器保持部121に保持された容器Cにアクセスして、未処理の基板Wを容器Cから取り出したり、処理済みの基板Wを容器Cに収納したりするためのインデクサロボット122を備えている。各容器Cには、複数枚の基板Wがほぼ水平な姿勢で収容されている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 100 includes a substrate processing section 110 that processes a substrate W, and an indexer section 120 coupled to the substrate processing section 110. The indexer unit 120 has a container C for accommodating the substrates W (FOUP (Front Opening Unified Pod), SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, OC (Open Cassette), etc. that accommodates a plurality of substrates W in a sealed state). It has a container holding part 121 that can hold a plurality of containers. The indexer section 120 is also an indexer for accessing the container C held in the container holding section 121 and taking out an unprocessed substrate W from the container C or storing a processed substrate W in the container C. A robot 122 is provided. Each container C accommodates a plurality of substrates W in a substantially horizontal posture.

インデクサロボット122は、装置筐体に固定されたベース部122aと、ベース部122aに対し鉛直軸まわりに回動可能に設けられた多関節アーム122bと、多関節アーム122bの先端に取り付けられたハンド122cとを備える。ハンド122cはその上面に基板Wを載置して保持することができる構造となっている。このような多関節アームおよび基板保持用のハンドを有するインデクサロボットは公知であるので詳しい説明を省略する。 The indexer robot 122 includes a base portion 122a fixed to the device housing, a multi-joint arm 122b rotatable around a vertical axis with respect to the base portion 122a, and a hand attached to the tip of the multi-joint arm 122b. 122c. The hand 122c has a structure that allows the substrate W to be placed and held on its upper surface. An indexer robot having such a multi-joint arm and a hand for holding a substrate is well known, so a detailed description thereof will be omitted.

基板処理部110は、インデクサロボット122が基板Wを載置する載置台112と、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット111と、この基板搬送ロボット111を取り囲むように配置された複数の処理ユニット1とを備えている。具体的には、基板搬送ロボット111が配置された空間に面して複数の処理ユニット1が配置されている。これらの処理ユニット1に対して基板搬送ロボット111は載置台112にランダムにアクセスし、載置台112との間で基板Wを受け渡す。一方、各処理ユニット1は基板Wに対して所定の処理を実行するものであり、本発明に係る基板処理装置に相当するものである。本実施形態では、これらの処理ユニット(基板処理装置)1は同一の機能を有している。このため、複数基板Wの並列処理が可能となっている。なお、基板搬送ロボット111はインデクサロボット122から基板Wを直接受け渡すことが可能であれば、必ずしも載置台112は必要ない。 The substrate processing unit 110 includes a mounting table 112 on which an indexer robot 122 places a substrate W, a substrate transfer robot 111 arranged approximately at the center in a plan view, and a plurality of substrate transfer robots 111 arranged so as to surround the substrate transfer robot 111. A processing unit 1 is provided. Specifically, a plurality of processing units 1 are arranged facing the space where the substrate transfer robot 111 is arranged. For these processing units 1, the substrate transfer robot 111 randomly accesses the mounting table 112 and transfers the substrate W to and from the mounting table 112. On the other hand, each processing unit 1 executes a predetermined process on a substrate W, and corresponds to a substrate processing apparatus according to the present invention. In this embodiment, these processing units (substrate processing apparatuses) 1 have the same function. Therefore, parallel processing of multiple substrates W is possible. Note that if the substrate transfer robot 111 can directly transfer the substrate W from the indexer robot 122, the mounting table 112 is not necessarily required.

図2は本発明に係る基板処理装置の第1実施形態の構成を示す図である。また、図3は図2のA-A線矢視平面図である。図2、図3および以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。基板処理装置(処理ユニット)1は、回転機構2、飛散防止機構3、上面保護加熱機構4、処理機構5、雰囲気分離機構6、昇降機構7、センタリング機構8および基板観察機構9を備えている。これら各部2~9は、チャンバ11の内部空間12に収容された状態で、装置全体を制御する制御ユニット10と電気的に接続されている。そして、各部2~9は、制御ユニット10からの指示に応じて動作する。 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a plan view taken along the line AA in FIG. 2. FIG. In FIGS. 2, 3, and the figures referred to below, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified for ease of understanding. The substrate processing apparatus (processing unit) 1 includes a rotation mechanism 2, a scattering prevention mechanism 3, an upper surface protection heating mechanism 4, a processing mechanism 5, an atmosphere separation mechanism 6, an elevating mechanism 7, a centering mechanism 8, and a substrate observation mechanism 9. . Each of these parts 2 to 9 is housed in the internal space 12 of the chamber 11 and is electrically connected to a control unit 10 that controls the entire apparatus. Each section 2 to 9 operates according to instructions from the control unit 10.

制御ユニット10としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御ユニット10においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのCPUが演算処理を行うことにより、基板処理装置1の各部を制御する。なお、制御ユニット10の詳しい構成および動作については、後で詳述する。また、本実施形態では、各基板処理装置1に対して制御ユニット10を設けているが、1台の制御ユニットにより複数の基板処理装置1を制御するように構成してもよい。また、基板処理システム100全体を制御する制御ユニット(図示省略)により基板処理装置1を制御するように構成してもよい。 As the control unit 10, for example, one similar to a general computer can be adopted. That is, in the control unit 10, each part of the substrate processing apparatus 1 is controlled by a CPU serving as a main control part performing arithmetic processing according to a procedure described in a program. Note that the detailed configuration and operation of the control unit 10 will be described in detail later. Further, in this embodiment, the control unit 10 is provided for each substrate processing apparatus 1, but a configuration may be adopted in which a plurality of substrate processing apparatuses 1 are controlled by one control unit. Further, the substrate processing apparatus 1 may be configured to be controlled by a control unit (not shown) that controls the entire substrate processing system 100.

図2に示すように、チャンバ11の天井壁11aには、ファンフィルタユニット(FFU)13が取り付けられている。このファンフィルタユニット13は、基板処理装置1が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバ11内の処理空間に供給する。ファンフィルタユニット13は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバ11内に送り出すためのファンおよびフィルタ(例えばHEPA(High Efficiency Particulate Air)フィルタ)を備えており、天井壁11aに設けられた開口11bを介して清浄空気を送り込む。これにより、チャンバ11内の処理空間に清浄空気のダウンフローが形成される。また、ファンフィルタユニット13から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレート14が天井壁11aの直下に設けられている。 As shown in FIG. 2, a fan filter unit (FFU) 13 is attached to the ceiling wall 11a of the chamber 11. This fan filter unit 13 further purifies the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 1 is installed and supplies the purified air to the processing space in the chamber 11 . The fan filter unit 13 is equipped with a fan and a filter (for example, a HEPA (High Efficiency Particulate Air) filter) for taking in air in the clean room and sending it out into the chamber 11. to supply clean air. As a result, a downflow of clean air is formed in the processing space within the chamber 11 . Further, in order to uniformly disperse the clean air supplied from the fan filter unit 13, a punching plate 14 having a large number of blowing holes is provided directly below the ceiling wall 11a.

図1および図3に示すように、基板処理装置1では、チャンバ11の側面にシャッター15が設けられている。シャッター15にはシャッター開閉機構(図示省略)が接続されており、制御ユニット10からの開閉指令に応じてシャッター15を開閉させる。より具体的には、基板処理装置1では、未処理の基板Wをチャンバ11に搬入する際にシャッター開閉機構はシャッター15を開き、基板搬送ロボット111のハンド(図示省略)によって未処理の基板Wがフェースアップ姿勢で回転機構2のスピンチャック(本発明の「回転保持部」の一例に相当)21に搬入される。つまり、基板Wは上面Wfを上方に向けた状態でスピンチャック21上に載置される。そして、当該基板搬入後に基板搬送ロボット111のハンドがチャンバ11から退避すると、シャッター開閉機構はシャッター15を閉じる。そして、チャンバ11の処理空間(後で詳述する密閉空間SPsに相当)内で基板Wの周縁部Wsに対するベベル処理が実行される。また、ベベル処理の終了後においては、シャッター開閉機構がシャッター15を再び開き、基板搬送ロボット111のハンドが処理済の基板Wをスピンチャック21から搬出する。このように、本実施形態では、チャンバ11の内部空間12が常温環境に保たれる。なお、本明細書において「常温」とは、5℃~35℃の温度範囲にあることを意味する。 As shown in FIGS. 1 and 3, in the substrate processing apparatus 1, a shutter 15 is provided on the side surface of the chamber 11. A shutter opening/closing mechanism (not shown) is connected to the shutter 15, and opens and closes the shutter 15 in response to opening/closing commands from the control unit 10. More specifically, in the substrate processing apparatus 1, when carrying the unprocessed substrate W into the chamber 11, the shutter opening/closing mechanism opens the shutter 15, and the hand (not shown) of the substrate transfer robot 111 moves the unprocessed substrate W into the chamber 11. is carried into the spin chuck (corresponding to an example of the "rotation holding part" of the present invention) 21 of the rotation mechanism 2 in a face-up position. That is, the substrate W is placed on the spin chuck 21 with the upper surface Wf facing upward. Then, when the hand of the substrate transfer robot 111 retreats from the chamber 11 after carrying in the substrate, the shutter opening/closing mechanism closes the shutter 15. Then, bevel processing is performed on the peripheral edge portion Ws of the substrate W within the processing space of the chamber 11 (corresponding to a sealed space SPs to be described in detail later). Further, after the bevel processing is finished, the shutter opening/closing mechanism opens the shutter 15 again, and the hand of the substrate transfer robot 111 carries out the processed substrate W from the spin chuck 21. In this manner, in this embodiment, the internal space 12 of the chamber 11 is maintained at room temperature. In this specification, "normal temperature" means a temperature range of 5°C to 35°C.

回転機構2は、基板Wを、その表面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転させるとともに、基板Wと同一方向に飛散防止機構3の一部を同期して回転させる機能を有している。回転機構2は、基板Wおよび飛散防止機構3の回転カップ部31を、主面中心を通る鉛直な回転軸AXまわりに回転させる。なお、回転機構2により一体的に回転する部材や部位などを明示するために、図2では被回転部位にドットを付している。 The rotation mechanism 2 has a function of rotating the substrate W while holding it in a substantially horizontal position with its surface facing upward, and also synchronously rotating a part of the scattering prevention mechanism 3 in the same direction as the substrate W. have. The rotation mechanism 2 rotates the substrate W and the rotation cup portion 31 of the scattering prevention mechanism 3 around a vertical rotation axis AX passing through the center of the main surface. In order to clearly indicate the members and parts that are integrally rotated by the rotation mechanism 2, dots are attached to the parts to be rotated in FIG.

回転機構2は、基板Wより小さい円板状の部材であるスピンチャック21を備えている。スピンチャック21は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸AXに一致するように設けられている。スピンチャック21の下面には、円筒状の回転軸部22が連結されている。回転軸部22は、その軸線を回転軸AXと一致させた状態で、鉛直方向に延設されている。また、回転軸部22には、回転駆動部(例えば、モータ)23が接続されている。回転駆動部23は、制御ユニット10からの回転指令に応じて回転軸部22をその軸線周りに回転駆動する。したがって、スピンチャック21は、回転軸部22とともに回転軸AXまわりに回転可能である。回転駆動部23と回転軸部22とは、スピンチャック21を回転軸AX中心に回転させる機能を担っており、回転軸部22の下端部および回転駆動部23は筒状のケーシング24内に収容されている。 The rotation mechanism 2 includes a spin chuck 21 that is a disc-shaped member smaller than the substrate W. The spin chuck 21 is provided so that its upper surface is substantially horizontal and its center axis coincides with the rotation axis AX. A cylindrical rotating shaft portion 22 is connected to the lower surface of the spin chuck 21 . The rotating shaft portion 22 extends in the vertical direction with its axis aligned with the rotating shaft AX. Further, a rotation drive unit (for example, a motor) 23 is connected to the rotation shaft unit 22 . The rotation drive section 23 rotates the rotation shaft section 22 around its axis in response to a rotation command from the control unit 10. Therefore, the spin chuck 21 is rotatable around the rotation axis AX together with the rotation shaft portion 22. The rotation drive section 23 and the rotation shaft section 22 have a function of rotating the spin chuck 21 around the rotation axis AX, and the lower end of the rotation shaft section 22 and the rotation drive section 23 are housed in a cylindrical casing 24. has been done.

スピンチャック21の中央部には、図示省略の貫通孔が設けられており、回転軸部22の内部空間と連通している。内部空間には、バルブ(図示省略)が介装された配管25を介してポンプ26が接続されている。当該ポンプ26およびバルブは、制御ユニット10に電気的に接続されており、制御ユニット10からの指令に応じて動作する。これによって、負圧と正圧とが選択的にスピンチャック21に付与される。例えば基板Wがスピンチャック21の上面に略水平姿勢で置かれた状態でポンプ26が負圧をスピンチャック21に付与すると、スピンチャック21は基板Wを下方から吸着保持する。一方、ポンプ26が正圧をスピンチャック21に付与すると、基板Wはスピンチャック21の上面から取り外し可能となる。また、ポンプ26の吸引を停止すると、スピンチャック21の上面上で基板Wは水平移動可能となる。 A through hole (not shown) is provided in the center of the spin chuck 21 and communicates with the internal space of the rotating shaft portion 22 . A pump 26 is connected to the internal space via a pipe 25 provided with a valve (not shown). The pump 26 and the valve are electrically connected to the control unit 10 and operate according to commands from the control unit 10. As a result, negative pressure and positive pressure are selectively applied to the spin chuck 21. For example, when the pump 26 applies negative pressure to the spin chuck 21 with the substrate W placed on the upper surface of the spin chuck 21 in a substantially horizontal position, the spin chuck 21 attracts and holds the substrate W from below. On the other hand, when the pump 26 applies positive pressure to the spin chuck 21, the substrate W can be removed from the top surface of the spin chuck 21. Further, when the suction of the pump 26 is stopped, the substrate W becomes horizontally movable on the upper surface of the spin chuck 21.

スピンチャック21には、回転軸部22の中央部に設けられた配管28を介して窒素ガス供給部29が接続されている。窒素ガス供給部29は、基板処理システム100が設置される工場のユティリティーなどから供給される常温の窒素ガスを制御ユニット10からの窒素ガス供給指令に応じた流量およびタイミングでスピンチャック21に送給し、基板Wの下面Wb側で窒素ガスを中央部から径方向外側に流通させる。なお、本実施形態では、窒素ガスを用いているが、その他の不活性ガスを用いてもよい。この点については、後で説明する中央ノズルから吐出される加熱ガスについても同様である。また、「流量」とは、窒素ガスなどの流体が単位時間当たりに移動する量を意味している。 A nitrogen gas supply section 29 is connected to the spin chuck 21 via a pipe 28 provided at the center of the rotating shaft section 22 . The nitrogen gas supply unit 29 supplies room-temperature nitrogen gas supplied from a utility in the factory where the substrate processing system 100 is installed to the spin chuck 21 at a flow rate and timing according to a nitrogen gas supply command from the control unit 10. Then, on the lower surface Wb side of the substrate W, nitrogen gas is caused to flow from the center to the outside in the radial direction. Note that although nitrogen gas is used in this embodiment, other inert gases may be used. The same applies to the heated gas discharged from the central nozzle, which will be described later. Moreover, "flow rate" means the amount by which a fluid such as nitrogen gas moves per unit time.

回転機構2は、基板Wと一体的にスピンチャック21を回転させるのみならず、当該回転に同期して回転カップ部31を回転させるために、動力伝達部27を有している。動力伝達部27は、非磁性材料または樹脂で構成される円環部材27aと、円環部材27aに内蔵される磁石27bと、回転カップ部31の一構成である下カップ32に内蔵される磁石27cとを有している。円環部材27aは回転軸部22に取り付けられ、回転軸部22とともに回転軸AXまわりに回転可能となっている。円環部材27aの外周縁部では、複数(本実施形態では36個)の磁石27bが回転軸AXを中心として放射状で、しかも等角度間隔(本実施形態では10゜)で配置されている。本実施形態では、互いに隣り合う2つの磁石27bの一方では、外側および内側がそれぞれN極およびS極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれS極およびN極となるように配置されている。 The rotation mechanism 2 includes a power transmission section 27 in order to not only rotate the spin chuck 21 integrally with the substrate W but also rotate the rotary cup section 31 in synchronization with the rotation. The power transmission section 27 includes an annular member 27a made of a non-magnetic material or resin, a magnet 27b built into the annular member 27a, and a magnet built into a lower cup 32, which is a component of the rotating cup section 31. 27c. The annular member 27a is attached to the rotating shaft portion 22 and is rotatable together with the rotating shaft portion 22 around the rotating axis AX. On the outer peripheral edge of the annular member 27a, a plurality of magnets 27b (36 in this embodiment) are arranged radially around the rotation axis AX at equal angular intervals (10 degrees in this embodiment). In this embodiment, one of the two adjacent magnets 27b is arranged so that the outer and inner sides are N and S poles, respectively, and the other is arranged so that the outer and inner sides are S and N poles, respectively. It is located.

これらの磁石27bと同様に、複数(本実施形態では36個)の磁石27cが回転軸AXを中心として放射状で、しかも等角度間隔(本実施形態では10゜)で配置されている。これらの磁石27cは下カップ32に内蔵される。下カップ32は次に説明する飛散防止機構3の構成部品であり、円環形状を有している。つまり、下カップ32は、円環部材27aの外周面と対向可能な内周面を有している。この内周面の内径は円環部材27aの外径よりも大きい。そして、当該内周面を円環部材27aの外周面から所定間隔(=(上記内径-上記外径)/2)だけ離間対向させながら下カップ32が回転軸部22および円環部材27aと同心状に配置されている。この下カップ32の外周縁上面には、係合ピンおよび連結用マグネットが設けられており、これらにより上カップ33が下カップ32と連結され、この連結体が回転カップ部31として機能する。 Similar to these magnets 27b, a plurality of magnets 27c (36 in this embodiment) are arranged radially around the rotation axis AX at equal angular intervals (10 degrees in this embodiment). These magnets 27c are built into the lower cup 32. The lower cup 32 is a component of the scattering prevention mechanism 3, which will be described next, and has an annular shape. That is, the lower cup 32 has an inner peripheral surface that can face the outer peripheral surface of the annular member 27a. The inner diameter of this inner peripheral surface is larger than the outer diameter of the annular member 27a. Then, the lower cup 32 is placed concentrically with the rotating shaft portion 22 and the annular member 27a, with the inner circumferential surface facing away from the outer circumferential surface of the annular member 27a by a predetermined distance (=(inner diameter - outer diameter)/2). It is arranged in a shape. An engaging pin and a connecting magnet are provided on the upper surface of the outer periphery of the lower cup 32, and the upper cup 33 is connected to the lower cup 32 by these, and this connecting body functions as the rotating cup portion 31.

下カップ32は、図面への図示を省略したベアリングによって、上記配置状態のまま、回転軸AXまわりに回転可能に支持されている。この下カップ32の内周縁部において、複数(本実施形態では36個)の磁石27cが回転軸AXを中心として放射状で、しかも等角度間隔(本実施形態では10゜)で配置されている。また、互いに隣り合う2つの磁石27cの配置についても磁石27bと同様である。つまり、一方では、外側および内側がそれぞれN極およびS極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれS極およびN極となるように配置されている。 The lower cup 32 is rotatably supported around the rotation axis AX in the above arrangement state by a bearing not shown in the drawings. At the inner peripheral edge of the lower cup 32, a plurality of magnets 27c (36 in this embodiment) are arranged radially around the rotation axis AX at equal angular intervals (10 degrees in this embodiment). Further, the arrangement of the two adjacent magnets 27c is also similar to that of the magnet 27b. That is, on the one hand, the outer side and the inner side are arranged as north and south poles, respectively, and on the other hand, the outer side and the inner side are arranged as south poles and north poles, respectively.

このように構成された動力伝達部27では、回転駆動部23により回転軸部22とともに円環部材27aが回転すると、磁石27b、27cの間での磁力作用によって、下カップ32がエアギャップ(円環部材27aと下カップ32との隙間)を維持しつつ円環部材27aと同じ方向に回転する。これにより、回転カップ部31が回転軸AXまわりに回転する。つまり、回転カップ部31は基板Wと同一方向でしかも同期して回転する。 In the power transmission section 27 configured in this way, when the annular member 27a is rotated together with the rotating shaft section 22 by the rotary drive section 23, the lower cup 32 is moved into an air gap (circle) due to the magnetic force between the magnets 27b and 27c. It rotates in the same direction as the annular member 27a while maintaining the gap between the annular member 27a and the lower cup 32. As a result, the rotating cup portion 31 rotates around the rotation axis AX. That is, the rotating cup portion 31 rotates in the same direction as the substrate W and in synchronization with the substrate W.

飛散防止機構3は、スピンチャック21に保持された基板Wの外周を囲みながら回転軸AXまわりに回転可能な回転カップ部31と、回転カップ部31を囲むように固定的に設けられる固定カップ部34と、を有している。回転カップ部31は、下カップ32に上カップ33が連結されることで、回転する基板Wの外周を囲みながら回転軸AXまわりに回転可能に設けられている。 The scattering prevention mechanism 3 includes a rotating cup part 31 that can rotate around the rotation axis AX while surrounding the outer periphery of the substrate W held by the spin chuck 21, and a fixed cup part that is fixedly provided so as to surround the rotating cup part 31. 34. The rotating cup portion 31 is provided so as to be rotatable around the rotation axis AX while surrounding the outer periphery of the rotating substrate W by connecting the upper cup 33 to the lower cup 32 .

図4はスピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。下カップ32は円環形状を有している。その外径は基板Wの外径よりも大きく、鉛直上方からの平面視においてスピンチャック21で保持された基板Wから径方向にはみ出た状態で下カップ32は回転軸AXまわりに回転自在に配置されている。当該はみ出た領域、つまり下カップ32の上面周縁部321では、周方向に沿って鉛直上方に立設する係合ピンと平板状の下マグネットとが交互に取り付けられており、係合ピンの合計本数は3本であり、下マグネットの合計個数は3個である。これら係合ピンおよび下マグネットは回転軸AXを中心として放射状で、しかも等角度間隔(本実施形態では60゜)で配置されている。 FIG. 4 is a diagram showing the dimensional relationship between the substrate held by the spin chuck and the rotating cup portion. The lower cup 32 has an annular shape. The outer diameter of the lower cup 32 is larger than the outer diameter of the substrate W, and the lower cup 32 is arranged to be rotatable around the rotation axis AX in a state in which it protrudes in the radial direction from the substrate W held by the spin chuck 21 when viewed vertically from above. has been done. In the protruding area, that is, the upper peripheral edge 321 of the lower cup 32, engaging pins and flat lower magnets that stand vertically upward along the circumferential direction are attached alternately, and the total number of engaging pins is is three, and the total number of lower magnets is three. These engagement pins and lower magnets are arranged radially around the rotation axis AX at equal angular intervals (60 degrees in this embodiment).

一方、上カップ33は、図2、図3および図4に示すように、下円環部位331と、上円環部位332と、これらを連結する傾斜部位333とを有している。下円環部位331の外径D331は下カップ32の外径D32と同一であり、下円環部位331は下カップ32の周縁部321の鉛直上方に位置している。 On the other hand, the upper cup 33 has a lower annular part 331, an upper annular part 332, and an inclined part 333 connecting these parts, as shown in FIGS. 2, 3, and 4. The outer diameter D331 of the lower annular portion 331 is the same as the outer diameter D32 of the lower cup 32, and the lower annular portion 331 is located vertically above the peripheral edge 321 of the lower cup 32.

上カップ33は、昇降機構7により鉛直方向において昇降可能となっている。上カップ33が昇降機構7により上方に移動されると、鉛直方向において上カップ33と下カップ32との間に基板Wの搬入出用の搬送空間が形成される。一方、昇降機構7により上カップ33が下方に移動されると、係合ピンと連結用マグネットとの作用により下カップ32に対して上カップ33が水平方向に位置決めされるとともに上カップ33および下カップ32が互いに結合される。これによって、図3の部分拡大図に示すように、水平方向に延びる隙間GPcを形成した状態で、上カップ33および下カップ32が鉛直方向に一体化される。そして、回転カップ部31は隙間GPcを形成したまま回転軸AXまわりに回転自在となっている。 The upper cup 33 can be raised and lowered in the vertical direction by the raising and lowering mechanism 7. When the upper cup 33 is moved upward by the lifting mechanism 7, a transport space for loading and unloading the substrate W is formed between the upper cup 33 and the lower cup 32 in the vertical direction. On the other hand, when the upper cup 33 is moved downward by the lifting mechanism 7, the upper cup 33 is positioned horizontally with respect to the lower cup 32 by the action of the engagement pin and the coupling magnet, and the upper cup 33 and the lower cup 32 are coupled to each other. As a result, as shown in the partially enlarged view of FIG. 3, the upper cup 33 and the lower cup 32 are integrated in the vertical direction with a gap GPc extending in the horizontal direction being formed. The rotary cup portion 31 is rotatable around the rotation axis AX while forming the gap GPc.

回転カップ部31では、図4に示すように、上円環部位332の外径D332は下円環部位331の外径D331よりも若干小さい。また、下円環部位331および上円環部位332の内周面の径d331、d332を比較すると、下円環部位331の方が上円環部位332よりも大きく、鉛直上方からの平面視で、上円環部位332の内周面が下円環部位331の内周面の内側に位置する。そして、上円環部位332の内周面と下円環部位331の内周面とが上カップ33の全周にわたって傾斜部位333により連結される。このため、傾斜部位333の内周面、つまり基板Wを取り囲む面は、傾斜面334となっている。すなわち、図8に示すように、傾斜部位333は回転する基板Wの外周を囲んで基板Wから飛散する液滴を捕集可能となっており、上カップ33および下カップ32で囲まれた空間が捕集空間SPcとして機能する。 In the rotary cup portion 31, as shown in FIG. 4, the outer diameter D332 of the upper annular portion 332 is slightly smaller than the outer diameter D331 of the lower annular portion 331. Also, when comparing the diameters d331 and d332 of the inner circumferential surfaces of the lower annular portion 331 and the upper annular portion 332, the lower annular portion 331 is larger than the upper annular portion 332, and when viewed in plan from vertically above, the lower annular portion 331 is larger than the upper annular portion 332. , the inner circumferential surface of the upper annular portion 332 is located inside the inner circumferential surface of the lower annular portion 331. The inner circumferential surface of the upper annular portion 332 and the inner circumferential surface of the lower annular portion 331 are connected by the inclined portion 333 over the entire circumference of the upper cup 33. Therefore, the inner circumferential surface of the inclined portion 333, that is, the surface surrounding the substrate W, forms an inclined surface 334. That is, as shown in FIG. 8, the inclined portion 333 can surround the outer periphery of the rotating substrate W to collect droplets scattered from the substrate W, and forms a space surrounded by the upper cup 33 and the lower cup 32. functions as a collection space SPc.

しかも、捕集空間SPcを臨む傾斜部位333は、下円環部位331から基板Wの周縁部の上方に向かって傾斜している。このため、傾斜部位333に捕集された液滴は傾斜面334に沿って上カップ33の下端部、つまり下円環部位331に流動し、さらに隙間GPcを介して回転カップ部31の外側に排出可能となっている。 Furthermore, the inclined portion 333 facing the collection space SPc is inclined upward from the lower annular portion 331 to the peripheral edge of the substrate W. Therefore, the droplets collected on the inclined portion 333 flow along the inclined surface 334 to the lower end of the upper cup 33, that is, the lower annular portion 331, and further to the outside of the rotating cup portion 31 via the gap GPc. It can be discharged.

固定カップ部34は、回転カップ部31を取り囲むように設けられ、排出空間SPeを形成する。固定カップ部34は、図2に示すように、液受け部位341と、液受け部位341の内側に設けられた排気部位342とを有している。液受け部位341は、隙間GPcの反基板側開口(図3における部分拡大図の右手側開口)を臨むように開口したカップ構造を有している。つまり、液受け部位341の内部空間が排出空間SPeとして機能しており、隙間GPcを介して捕集空間SPcと連通されている。したがって、回転カップ部31により捕集された液滴は気体成分とともに隙間GPcを介して排出空間SPeに案内される。そして、液滴は液受け部位341の底部に集められ、固定カップ部34から排液される。一方、気体成分は排気部位342に集められる。この排気部位342は排気機構38と接続されている。このため、制御ユニット10からの指令に応じて排気機構38が作動することで固定カップ部34の圧力が調整され、排気部位342内の気体成分が効率的に排気される。また、排気機構38の精密制御により、排出空間SPeの圧力や流量が調整される。例えば排出空間SPeの圧力が捕集空間SPcの圧力よりも下がる。その結果、捕集空間SPc内の液滴を効率的に排出空間SPeに引き込み、捕集空間SPcからの液滴の移動を促進することができる。 The fixed cup part 34 is provided so as to surround the rotating cup part 31, and forms a discharge space SPe. As shown in FIG. 2, the fixed cup part 34 has a liquid receiving part 341 and an exhaust part 342 provided inside the liquid receiving part 341. The liquid receiving portion 341 has a cup structure that opens so as to face the opening on the side opposite to the substrate of the gap GPc (the opening on the right side in the partially enlarged view in FIG. 3). That is, the internal space of the liquid receiving part 341 functions as a discharge space SPe, and is communicated with the collection space SPc via the gap GPc. Therefore, the droplets collected by the rotary cup portion 31 are guided to the discharge space SPe through the gap GPc together with the gas component. The droplets are then collected at the bottom of the liquid receiving portion 341 and drained from the fixed cup portion 34. Meanwhile, gaseous components are collected at exhaust site 342. This exhaust section 342 is connected to the exhaust mechanism 38. Therefore, by operating the exhaust mechanism 38 in response to a command from the control unit 10, the pressure in the fixed cup portion 34 is adjusted, and the gas component within the exhaust portion 342 is efficiently exhausted. Moreover, the pressure and flow rate of the exhaust space SPe are adjusted by precise control of the exhaust mechanism 38. For example, the pressure in the discharge space SPe is lower than the pressure in the collection space SPc. As a result, the droplets in the collection space SPc can be efficiently drawn into the discharge space SPe, and the movement of the droplets from the collection space SPc can be promoted.

上面保護加熱機構4は、図2および図3に示すように、スピンチャック21に保持されている基板Wの上面Wfの上方に配置された遮断板41を有している。この遮断板41は水平な姿勢で保持された円板部42を有している。円板部42はヒータ駆動部422により駆動制御されるヒータ421を内蔵している。この円板部42は基板Wよりも若干短い直径を有している。そして、円板部42の下面が基板Wの上面Wfのうち周縁部Wsを除く表面領域を上方から覆うように、円板部42は支持部材43により支持されている。円板部42の周縁部には、切欠部44が設けられている。切欠部44は径方向外側に向かって開口している。これによって、円板部42が処理機構5に含まれる処理液吐出ノズルと干渉するのを防止している。すなわち、処理液吐出ノズルが切欠部44により形成された径方向外側に延びる切欠空間内を径方向Xに往復移動可能となっている。 The upper surface protection heating mechanism 4 has a blocking plate 41 arranged above the upper surface Wf of the substrate W held by the spin chuck 21, as shown in FIGS. 2 and 3. This blocking plate 41 has a disk portion 42 held in a horizontal position. The disk portion 42 has a built-in heater 421 that is driven and controlled by a heater drive portion 422 . This disk portion 42 has a slightly smaller diameter than the substrate W. The disk portion 42 is supported by the support member 43 so that the lower surface of the disk portion 42 covers the surface area of the upper surface Wf of the substrate W excluding the peripheral edge portion Ws from above. A notch 44 is provided at the peripheral edge of the disc portion 42 . The cutout portion 44 is open radially outward. This prevents the disk portion 42 from interfering with the processing liquid discharge nozzle included in the processing mechanism 5. That is, the treatment liquid discharge nozzle is capable of reciprocating in the radial direction X within the notch space formed by the notch portion 44 and extending radially outward.

支持部材43の下端部は円板部42の中央部に取り付けられている。支持部材43と円板部42とを上下に貫通するように、円筒状の貫通孔が形成されている。また、当該貫通孔に対し、中央ノズル45が上下に挿通している。この中央ノズル45には、図2に示すように、配管46を介して窒素ガス供給部47と接続されている。窒素ガス供給部47は、基板処理システム100が設置される工場の用力などから供給される常温の窒素ガスを制御ユニット10からの窒素ガス供給指令に応じた流量およびタイミングで中央ノズル45に供給する。また、本実施形態では、配管46の一部にリボンヒータ48が取り付けられている。リボンヒータ48は制御ユニット10からの加熱指令に応じて発熱して配管46内を流れる窒素ガスを加熱する。 The lower end portion of the support member 43 is attached to the center portion of the disc portion 42. A cylindrical through hole is formed to vertically penetrate the support member 43 and the disk portion 42 . Further, a central nozzle 45 is inserted vertically into the through hole. This central nozzle 45 is connected to a nitrogen gas supply section 47 via a pipe 46, as shown in FIG. The nitrogen gas supply unit 47 supplies room-temperature nitrogen gas, which is supplied from the utilities of the factory where the substrate processing system 100 is installed, to the central nozzle 45 at a flow rate and timing according to a nitrogen gas supply command from the control unit 10. . Further, in this embodiment, a ribbon heater 48 is attached to a part of the pipe 46. The ribbon heater 48 generates heat in response to a heating command from the control unit 10 and heats the nitrogen gas flowing inside the pipe 46 .

こうして加熱された窒素ガス(以下「加熱ガス」という)が中央ノズル45に向けて圧送され、中央ノズル45から吐出される。円板部42がスピンチャック21に保持された基板Wに近接した処理位置に位置決めされた状態で加熱ガスが供給されることによって、加熱ガスは基板Wの上面Wfとヒータ内蔵の円板部42とに挟まれた空間の中央部から周縁部に向って流れる。これによって、基板Wの周囲の雰囲気が基板Wの上面Wfに入り込むのを抑制することができる。その結果、上記雰囲気に含まれる液滴が基板Wと円板部42とで挟まれた空間に巻き込まれるのを効果的に防止することができる。また、ヒータ421による加熱と加熱ガスによって上面Wfが全体的に加熱され、基板Wの面内温度を均一化することができる。これによって、基板Wが反るのを抑制し、処理液の着液位置を安定化させることができる。 The nitrogen gas heated in this way (hereinafter referred to as "heated gas") is forced toward the central nozzle 45 and is discharged from the central nozzle 45. By supplying heating gas while the disk portion 42 is positioned at a processing position close to the substrate W held by the spin chuck 21, the heating gas is applied to the upper surface Wf of the substrate W and the disk portion 42 with a built-in heater. It flows from the center of the space between the two toward the periphery. This makes it possible to suppress the atmosphere around the substrate W from entering the upper surface Wf of the substrate W. As a result, droplets contained in the atmosphere can be effectively prevented from being drawn into the space sandwiched between the substrate W and the disk portion 42. Further, the entire upper surface Wf is heated by the heating by the heater 421 and the heating gas, and the in-plane temperature of the substrate W can be made uniform. Thereby, it is possible to suppress the substrate W from warping and to stabilize the position where the processing liquid lands.

図2に示すように、支持部材43の上端部は、基板Wを搬入出する基板搬送方向(図3の左右方向)と直交する水平方向に延びる梁部材49に固定されている。この梁部材49は昇降機構7と接続されており、制御ユニット10からの指令に応じて昇降機構7により昇降される。例えば図2では梁部材49が下方に位置決めされることで、支持部材43を介して梁部材49に連結された円板部42が処理位置に位置している。一方、制御ユニット10からの上昇指令を受けて昇降機構7が梁部材49を上昇させると、梁部材49、支持部材43および円板部42が一体的に上昇するとともに、上カップ33も連動して下カップ32から分離して上昇する。これによって、スピンチャック21と、上カップ33および円板部42との間が広がり、スピンチャック21に対する基板Wの搬出入を行うことが可能となる。 As shown in FIG. 2, the upper end portion of the support member 43 is fixed to a beam member 49 extending in a horizontal direction perpendicular to the substrate conveyance direction (left-right direction in FIG. 3) in which the substrate W is carried in and out. This beam member 49 is connected to the lifting mechanism 7, and is raised and lowered by the lifting mechanism 7 in response to commands from the control unit 10. For example, in FIG. 2, the beam member 49 is positioned downward, so that the disk portion 42 connected to the beam member 49 via the support member 43 is located at the processing position. On the other hand, when the lifting mechanism 7 raises the beam member 49 in response to a lifting command from the control unit 10, the beam member 49, the support member 43, and the disc part 42 rise integrally, and the upper cup 33 also moves in conjunction. The cup 32 separates from the lower cup 32 and rises. This widens the space between the spin chuck 21, the upper cup 33, and the disk portion 42, and it becomes possible to carry the substrate W into and out of the spin chuck 21.

処理機構5は、図2および図3に示すように、基板Wの上面側に配置される処理液吐出ノズル51Fと、基板Wの下面側に配置される処理液吐出ノズル51Bと、処理液吐出ノズル51F、51Bに処理液を供給する処理液供給部52とを有している。以下においては、上面側の処理液吐出ノズル51Fと下面側の処理液吐出ノズル51Bとを区別するために、それぞれ「上面ノズル51F」および「下面ノズル51B」と称する。また、図2において、処理液供給部52が2つ図示されているが、これらは同一である。 As shown in FIGS. 2 and 3, the processing mechanism 5 includes a processing liquid discharge nozzle 51F arranged on the upper surface side of the substrate W, a processing liquid discharge nozzle 51B arranged on the lower surface side of the substrate W, and a processing liquid discharge nozzle 51B arranged on the lower surface side of the substrate W. It has a processing liquid supply section 52 that supplies processing liquid to the nozzles 51F and 51B. Hereinafter, in order to distinguish the processing liquid discharge nozzle 51F on the upper surface side and the processing liquid discharge nozzle 51B on the lower surface side, they will be referred to as "upper surface nozzle 51F" and "lower surface nozzle 51B", respectively. Furthermore, although two processing liquid supply sections 52 are illustrated in FIG. 2, they are the same.

図5Aは、処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図である。本実施形態では、3本の上面ノズル51Fが設けられるとともに、それらに対して処理液供給部52が接続されている。また、処理液供給部52はSC1、DHF、機能水(CO2水など)を処理液として供給可能に構成されており、3本の上面ノズル51FからSC1、DHFおよび機能水がそれぞれ独立して吐出可能となっている。 FIG. 5A is a perspective view showing a processing liquid discharge nozzle on the upper surface side that is installed in the processing mechanism. In this embodiment, three upper surface nozzles 51F are provided, and a processing liquid supply section 52 is connected to them. In addition, the processing liquid supply unit 52 is configured to be able to supply SC1, DHF, and functional water (CO2 water, etc.) as processing liquids, and SC1, DHF, and functional water are each independently discharged from the three upper nozzles 51F. It is possible.

各上面ノズル51Fでは、ノズル本体部51F1と、ノズル本体部51F1と一体化された係合部51F2とが一体化されている。係合部51F2は、ノズル本体部51F1よりも高い硬度を有する材料、例えばPBI(POLYBENZIMIDAZOLE:ポリベンゾイミダゾール)やアモルファスカーボンなどを用いることができる。図3中の拡大図に示すように、係合部51F2のうち基板Wの中心に向けて露出した面が、後で説明するようにキャリブレーション処理時に係合面512として機能する。 In each upper surface nozzle 51F, a nozzle main body portion 51F1 and an engaging portion 51F2 integrated with the nozzle main body portion 51F1 are integrated. The engaging portion 51F2 can be made of a material having higher hardness than the nozzle body portion 51F1, such as PBI (POLYBENZIMIDAZOLE) or amorphous carbon. As shown in the enlarged view in FIG. 3, the surface of the engaging portion 51F2 exposed toward the center of the substrate W functions as the engaging surface 512 during the calibration process, as will be described later.

ノズル本体部51F1の先端下面には、処理液を吐出する吐出口511が設けられている。そして、図3中の拡大図に示すように、各吐出口511を基板Wの上面Wfの周縁部を向けた姿勢で複数(本実施形態では3個)の上面ノズル51Fの下方部が円板部42の切欠部44に配置されるとともに、上面ノズル51Fの上方部がノズルホルダ53と一体的に基板Wの径方向Xに移動自在となっている。このノズルホルダ53はノズル移動部54に接続されている。このノズル移動部54は、上面ノズル51Fを一括して径方向Xに移動させる機能を有している。したがって、制御ユニット10からのノズル移動指令に応じてノズル移動部54は3本の上面ノズル51Fを一括して方向Xに駆動させる。このノズル移動指令には、後で詳述するノズル移動距離に関する情報が含まれている。この情報に基づき上面ノズル51Fが径方向Xに指定されたノズル移動距離だけ移動されると、上面ノズル51Fがベベル処理位置(図9、図10中の符号Pt参照)に位置決めされる。これによって、上面ノズル51Fから処理液が基板Wの端面から予め設定された位置に供給される。こうしてノズル51Fをベベル処理位置に高精度に位置決めするため、本実施形態では、基板Wに対するベベル処理に先立って、キャリブレーション処理が実行される。このキャリブレーション処理については、ノズル移動部54の構成・動作と一緒に、後で説明する。 A discharge port 511 for discharging the processing liquid is provided on the lower surface of the tip of the nozzle body portion 51F1. As shown in the enlarged view in FIG. 3, the lower part of the plurality of (three in this embodiment) upper surface nozzles 51F is shaped like a disk, with each discharge port 511 facing toward the peripheral edge of the upper surface Wf of the substrate W. The upper nozzle 51F is disposed in the notch 44 of the portion 42, and the upper part of the upper nozzle 51F is movable integrally with the nozzle holder 53 in the radial direction X of the substrate W. This nozzle holder 53 is connected to a nozzle moving section 54. This nozzle moving section 54 has a function of moving the upper surface nozzles 51F in the radial direction X all at once. Therefore, the nozzle moving unit 54 collectively drives the three upper surface nozzles 51F in the direction X in response to a nozzle movement command from the control unit 10. This nozzle movement command includes information regarding the nozzle movement distance, which will be described in detail later. When the upper surface nozzle 51F is moved by the designated nozzle movement distance in the radial direction X based on this information, the upper surface nozzle 51F is positioned at the bevel processing position (see symbol Pt in FIGS. 9 and 10). As a result, the processing liquid is supplied from the upper surface nozzle 51F to a preset position from the end surface of the substrate W. In order to position the nozzle 51F at the bevel processing position with high precision in this manner, in this embodiment, a calibration process is executed prior to the bevel processing on the substrate W. This calibration process will be explained later along with the configuration and operation of the nozzle moving section 54.

ベベル処理位置に位置決めた上面ノズル51Fの吐出口511は基板Wの上面Wfの周縁部に向いている。そして、制御ユニット10からの供給指令に応じて処理液供給部52が3種類の処理液のうち供給指令に対応する処理液を当該処理液用の上面ノズル51Fに供給すると、当該上面ノズル51Fの吐出口511から上記処理液が基板Wの上面Wfの周縁部に吐出される。 The discharge port 511 of the upper surface nozzle 51F positioned at the bevel processing position is directed toward the peripheral edge of the upper surface Wf of the substrate W. Then, in response to a supply command from the control unit 10, the processing liquid supply section 52 supplies the processing liquid corresponding to the supply command among the three types of processing liquids to the upper nozzle 51F for the processing liquid. The processing liquid is discharged from the discharge port 511 onto the peripheral edge of the upper surface Wf of the substrate W.

また、ノズル移動部54の構成部品の一部に対し、雰囲気分離機構6の下密閉カップ部材61が着脱自在に固定されている。つまり、ベベル処理を実行する際には、上面ノズル51Fおよびノズルホルダ53は、ノズル移動部54を介して下密閉カップ部材61と一体化されており、昇降機構7によって下密閉カップ部材61とともに鉛直方向Zに昇降される。一方、キャリブレーション処理を実行する際には、下密閉カップ部材61は取り外され、上面ノズル51Fおよびノズルホルダ53はノズル移動部54により径方向Xに往復移動されるとともに昇降機構7により鉛直方向Zに昇降される。 Further, a lower sealing cup member 61 of the atmosphere separation mechanism 6 is detachably fixed to a part of the components of the nozzle moving section 54. That is, when performing bevel processing, the upper surface nozzle 51F and the nozzle holder 53 are integrated with the lower sealing cup member 61 via the nozzle moving part 54, and are vertically moved together with the lower sealing cup member 61 by the lifting mechanism 7. It is raised and lowered in direction Z. On the other hand, when performing the calibration process, the lower sealing cup member 61 is removed, the upper surface nozzle 51F and the nozzle holder 53 are reciprocated in the radial direction be raised and lowered.

本実施形態では、基板Wの下面Wbの周縁部に向けて処理液を吐出するために、下面ノズル51Bおよびノズル支持部57がスピンチャック21に保持された基板Wの下方に設けられている。ノズル支持部57は、鉛直方向に延設された薄肉の円筒部位571と、円筒部位571の上端部において径方向外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部位572とを有している。円筒部位571は、円環部材27aと下カップ32との間に形成されたエアギャップに遊挿自在な形状を有している。そして、図2に示すように、円筒部位571がエアギャップに遊挿されるとともにフランジ部位572がスピンチャック21に保持された基板Wと下カップ32との間に位置するように、ノズル支持部57は固定配置されている。フランジ部位572の上面周縁部に対し、3つの下面ノズル51Bが取り付けられている。各下面ノズル51Bは、基板Wの下面Wbの周縁部に向けて開口した吐出口(図示省略)を有しており、配管58を介して処理液供給部52から供給される処理液を吐出可能となっている。 In this embodiment, in order to discharge the processing liquid toward the peripheral edge of the lower surface Wb of the substrate W, the lower surface nozzle 51B and the nozzle support part 57 are provided below the substrate W held by the spin chuck 21. The nozzle support portion 57 has a thin cylindrical portion 571 extending in the vertical direction, and a flange portion 572 having an annular shape that is folded outward in the radial direction at the upper end of the cylindrical portion 571. The cylindrical portion 571 has a shape that can be freely inserted into the air gap formed between the annular member 27a and the lower cup 32. As shown in FIG. 2, the nozzle support portion 57 is arranged so that the cylindrical portion 571 is loosely inserted into the air gap and the flange portion 572 is located between the substrate W held by the spin chuck 21 and the lower cup 32. are fixedly placed. Three lower nozzles 51B are attached to the upper peripheral edge of the flange portion 572. Each lower surface nozzle 51B has a discharge port (not shown) that opens toward the peripheral edge of the lower surface Wb of the substrate W, and can discharge the processing liquid supplied from the processing liquid supply section 52 via the piping 58. It becomes.

これら上面ノズル51Fおよび下面ノズル51Bから吐出される処理液により、基板Wの周縁部に対するベベル処理が実行される。また、基板Wの下面側では、周縁部Wsの近傍までフランジ部位572が延設される。このため、配管28を介して下面側に供給された窒素ガスが、フランジ部位572に沿って捕集空間SPcに流れる。その結果、捕集空間SPcから液滴が基板Wに逆流するのを効果的に抑制する。 The processing liquid discharged from the upper nozzle 51F and the lower nozzle 51B performs bevel processing on the peripheral edge of the substrate W. Further, on the lower surface side of the substrate W, a flange portion 572 is extended to the vicinity of the peripheral edge portion Ws. Therefore, the nitrogen gas supplied to the lower surface side via the pipe 28 flows into the collection space SPc along the flange portion 572. As a result, droplets are effectively prevented from flowing back to the substrate W from the collection space SPc.

雰囲気分離機構6は、下密閉カップ部材61と、上密閉カップ部材62とを有している。下密閉カップ部材61および上密閉カップ部材62はともに上下に開口した筒形状を有している。そして、それらの内径は回転カップ部31の外径よりも大きく、雰囲気分離機構6は、スピンチャック21、スピンチャック21に保持された基板W、回転カップ部31および上面保護加熱機構4を上方からすっぽりと囲むように配置されている、より詳しくは、図2に示すように、上密閉カップ部材62は、その上方開口が天井壁11aの開口11bを下方から覆うように、パンチングプレート14の直下位置に固定配置されている。このため、チャンバ11内に導入された清浄空気のダウンフローは、上密閉カップ部材62の内部を通過するものと、上密閉カップ部材62の外側を通過するものとに分けられる。 The atmosphere separation mechanism 6 includes a lower sealed cup member 61 and an upper sealed cup member 62. Both the lower sealing cup member 61 and the upper sealing cup member 62 have a cylindrical shape that is open upward and downward. The inner diameters of these parts are larger than the outer diameter of the rotary cup part 31, and the atmosphere separation mechanism 6 supports the spin chuck 21, the substrate W held by the spin chuck 21, the rotary cup part 31, and the upper surface protection heating mechanism 4 from above. More specifically, as shown in FIG. 2, the upper sealing cup member 62 is arranged to completely surround the punching plate 14, so that the upper opening covers the opening 11b of the ceiling wall 11a from below. is placed in a fixed position. Therefore, the downflow of clean air introduced into the chamber 11 is divided into one that passes through the inside of the upper sealing cup member 62 and one that passes outside the upper sealing cup member 62 .

また、上密閉カップ部材62の下端部は、内側に折り込まれた円環形状を有するフランジ部621を有している。このフランジ部621の上面にオーリング63が取り付けられている。上密閉カップ部材62の内側において、下密閉カップ部材61が鉛直方向に移動自在に配置されている。 Further, the lower end portion of the upper sealing cup member 62 has a flange portion 621 having an annular shape that is folded inward. An O-ring 63 is attached to the upper surface of this flange portion 621. A lower hermetic cup member 61 is disposed inside the upper hermetic cup member 62 so as to be movable in the vertical direction.

下密閉カップ部材61の上端部は、外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部611を有している。このフランジ部611は、鉛直上方からの平面視で、フランジ部621と重なり合っている。このため、下密閉カップ部材61が下降すると、図3および図14に示すように、下密閉カップ部材61のフランジ部611がオーリング63を介して上密閉カップ部材62のフランジ部621で係止される。これにより、下密閉カップ部材61は下限位置に位置決めされる。この下限位置では、鉛直方向において上密閉カップ部材62と下密閉カップ部材61とが繋がり、上密閉カップ部材62の内部に導入されたダウンフローがスピンチャック21に保持された基板Wに向けて案内される。 The upper end portion of the lower sealing cup member 61 has a flange portion 611 having an annular shape that is folded outward. This flange portion 611 overlaps with the flange portion 621 in plan view from vertically above. Therefore, when the lower sealing cup member 61 is lowered, the flange portion 611 of the lower sealing cup member 61 is locked with the flange portion 621 of the upper sealing cup member 62 via the O-ring 63, as shown in FIGS. 3 and 14. be done. Thereby, the lower sealing cup member 61 is positioned at the lower limit position. At this lower limit position, the upper sealing cup member 62 and the lower sealing cup member 61 are connected in the vertical direction, and the downflow introduced into the inside of the upper sealing cup member 62 is guided toward the substrate W held by the spin chuck 21. be done.

下密閉カップ部材61の下端部は、外側に折り込まれた円環形状を有するフランジ部612を有している。このフランジ部612は、鉛直上方からの平面視で、固定カップ部34の上端部(液受け部位341の上端部)と重なり合っている。したがって、上記下限位置では、図3中の拡大図に示すように、下密閉カップ部材61のフランジ部612がオーリング64を介して固定カップ部34で係止される。これにより、鉛直方向において下密閉カップ部材61と固定カップ部34が繋がり、上密閉カップ部材62、下密閉カップ部材61および固定カップ部34により密閉空間SPsが形成される。この密閉空間SPs内において、基板Wに対するベベル処理が実行可能となっている。つまり、下密閉カップ部材61が下限位置に位置決めされることで、密閉空間SPsが密閉空間SPsの外側空間SPoから分離される(雰囲気分離)。したがって、外側雰囲気の影響を受けることなく、ベベル処理を安定して行うことができる。また、ベベル処理を行うために処理液を用いるが、処理液が密閉空間SPsから外側空間SPoに漏れるのを確実に防止することができる。よって、外側空間SPoに配置する部品の選定・設計の自由度が高くなる。 The lower end portion of the lower sealing cup member 61 has a flange portion 612 that is folded outward and has an annular shape. This flange portion 612 overlaps with the upper end portion of the fixed cup portion 34 (the upper end portion of the liquid receiving portion 341) in a plan view from vertically above. Therefore, at the lower limit position, the flange portion 612 of the lower sealing cup member 61 is locked by the fixed cup portion 34 via the O-ring 64, as shown in the enlarged view in FIG. Thereby, the lower sealed cup member 61 and the fixed cup part 34 are connected in the vertical direction, and a sealed space SPs is formed by the upper sealed cup member 62, the lower sealed cup member 61, and the fixed cup part 34. Bevel processing on the substrate W can be performed within this sealed space SPs. That is, by positioning the lower sealed cup member 61 at the lower limit position, the sealed space SPs is separated from the outer space SPo of the sealed space SPs (atmosphere separation). Therefore, bevel processing can be stably performed without being affected by the outside atmosphere. Furthermore, although a processing liquid is used to perform the bevel processing, it is possible to reliably prevent the processing liquid from leaking from the closed space SPs to the outer space SPo. Therefore, the degree of freedom in selecting and designing components to be placed in the outer space SPo is increased.

下密閉カップ部材61は鉛直上方にも移動可能に構成されている。また、鉛直方向における下密閉カップ部材61の中間部には、上記したように、ノズル移動部54の一部を介してノズルヘッド56(=上面ノズル51F+ノズルホルダ53)が固定されている。また、これ以外にも、図2および図3に示すように、梁部材49を介して上面保護加熱機構4が下密閉カップ部材61の中間部に固定されている。つまり、図3に示すように、下密閉カップ部材61は、周方向において互いに異なる3箇所で梁部材49の一方端部、梁部材49の他方端部およびノズル移動部54とそれぞれ接続されている。そして、昇降機構7が梁部材49の一方端部、梁部材49の他方端部およびノズル移動部54を昇降させることで、それに伴って下密閉カップ部材61も昇降する。 The lower sealing cup member 61 is configured to be movable vertically upward as well. Further, as described above, the nozzle head 56 (=upper surface nozzle 51F+nozzle holder 53) is fixed to the intermediate portion of the lower sealing cup member 61 in the vertical direction via a part of the nozzle moving section 54. In addition to this, as shown in FIGS. 2 and 3, the upper surface protection heating mechanism 4 is fixed to the intermediate portion of the lower sealing cup member 61 via a beam member 49. That is, as shown in FIG. 3, the lower sealing cup member 61 is connected to one end of the beam member 49, the other end of the beam member 49, and the nozzle moving part 54 at three different locations in the circumferential direction. . Then, as the elevating mechanism 7 moves up and down one end of the beam member 49, the other end of the beam member 49, and the nozzle moving section 54, the lower sealing cup member 61 also moves up and down accordingly.

この下密閉カップ部材61の内周面では、図2、図3および図14に示すように、内側に向けて突起部613が上カップ33と係合可能な係合部位として複数本(4本)突設されている。各突起部613は上カップ33の上円環部位332の下方空間まで延設されている。また、各突起部613は、下密閉カップ部材61が下限位置に位置決めされた状態で上カップ33の上円環部位332から下方に離れるように取り付けられている。そして、下密閉カップ部材61の上昇によって各突起部613が下方から上円環部位332に係合可能となっている。この係合後においても、下密閉カップ部材61がさらに上昇することで上カップ33を下カップ32から離脱させることが可能となっている。 On the inner circumferential surface of the lower sealing cup member 61, as shown in FIGS. 2, 3, and 14, a plurality of protrusions 613 (four protrusions) are provided inwardly as engagement portions capable of engaging with the upper cup 33. ) is installed protrudingly. Each protrusion 613 extends to the space below the upper annular portion 332 of the upper cup 33. Further, each protrusion 613 is attached so as to be spaced downward from the upper annular portion 332 of the upper cup 33 with the lower sealing cup member 61 positioned at the lower limit position. As the lower sealing cup member 61 rises, each protrusion 613 can engage with the upper annular portion 332 from below. Even after this engagement, the upper cup 33 can be separated from the lower cup 32 by further raising the lower sealing cup member 61.

本実施形態では、昇降機構7により下密閉カップ部材61が上面保護加熱機構4およびノズルヘッド56とともに上昇し始めた後で、上カップ33も一緒に上昇する。これによって、上カップ33、上面保護加熱機構4およびノズルヘッド56がスピンチャック21から上方に離れる。下密閉カップ部材61の退避位置への移動によって、基板搬送ロボット111のハンドがスピンチャック21にアクセスするための搬送空間が形成される。そして、当該搬送空間を介してスピンチャック21への基板Wのローディングおよびスピンチャック21からの基板Wのアンローディングが実行可能となっている。このように、本実施形態では、昇降機構7による下密閉カップ部材61の最小限の上昇によってスピンチャック21に対する基板Wのアクセスを行うことが可能となっている。 In this embodiment, after the lower sealing cup member 61 begins to rise together with the upper surface protection heating mechanism 4 and the nozzle head 56 by the lifting mechanism 7, the upper cup 33 also rises together. As a result, the upper cup 33, the upper surface protection heating mechanism 4, and the nozzle head 56 are separated upward from the spin chuck 21. By moving the lower sealed cup member 61 to the retracted position, a transfer space is created for the hand of the substrate transfer robot 111 to access the spin chuck 21 . The loading of the substrate W onto the spin chuck 21 and the unloading of the substrate W from the spin chuck 21 can be performed through the transfer space. In this manner, in this embodiment, the substrate W can be accessed to the spin chuck 21 by raising the lower sealing cup member 61 with the minimum amount by the lifting mechanism 7.

昇降機構7は2つの昇降駆動部71、72を有している。昇降駆動部71では、図3に示すように、第1昇降モータ711が設けられている。第1昇降モータ711は、制御ユニット10からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生する。この第1昇降モータ711に対し、2つの昇降部712、713が連結されている。昇降部712、713は、第1昇降モータ711から上記回転力を同時に受ける。そして、昇降部712は、第1昇降モータ711の回転量に応じて梁部材49の一方端部を支持する支持部材491を鉛直方向Zに昇降させる。また、昇降部713は、第1昇降モータ711の回転量に応じてノズルヘッド56を支持しながら径方向Xに移動させるノズル移動部54を鉛直方向Zに昇降させる。 The elevating mechanism 7 has two elevating drive parts 71 and 72. As shown in FIG. 3, the elevating drive unit 71 is provided with a first elevating motor 711. The first lifting motor 711 operates in response to a drive command from the control unit 10 to generate rotational force. Two lifting parts 712 and 713 are connected to this first lifting motor 711. The elevating parts 712 and 713 simultaneously receive the rotational force from the first elevating motor 711. Then, the elevating section 712 moves the support member 491 that supports one end of the beam member 49 up and down in the vertical direction Z according to the amount of rotation of the first elevating motor 711. Further, the elevating section 713 moves the nozzle moving section 54, which supports the nozzle head 56 and moves it in the radial direction X, up and down in the vertical direction Z according to the amount of rotation of the first elevating motor 711.

昇降駆動部72は、図3に示すように、第2昇降モータ721と昇降部722とを有している。第2昇降モータ721は、制御ユニット10からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生し、昇降部722に与える。昇降部722は、第2昇降モータ721の回転量に応じて梁部材49の他方端部を支持する支持部材492を鉛直方向に昇降させる。 As shown in FIG. 3, the elevating drive section 72 includes a second elevating motor 721 and an elevating section 722. The second elevating motor 721 operates in response to a drive command from the control unit 10 to generate rotational force and applies it to the elevating section 722 . The elevating section 722 vertically moves the support member 492 that supports the other end of the beam member 49 according to the amount of rotation of the second elevating motor 721 .

昇降駆動部71、72は、下密閉カップ部材61の側面に対し、その周方向において互いに異なる3箇所にそれぞれ固定される支持部材491、492、54を同期して鉛直方向に移動させる。したがって、上面保護加熱機構4、ノズルヘッド56および下密閉カップ部材61の昇降を安定して行うことができる。また、下密閉カップ部材61の昇降に伴って上カップ33も安定して昇降させることができる。 The elevating and lowering drive units 71 and 72 synchronously move support members 491, 492, and 54, which are respectively fixed at three different locations in the circumferential direction of the lower sealing cup member 61, in the vertical direction. Therefore, the upper surface protection heating mechanism 4, the nozzle head 56, and the lower sealing cup member 61 can be moved up and down stably. Further, as the lower sealing cup member 61 is raised and lowered, the upper cup 33 can also be raised and lowered stably.

センタリング機構8は、スピンチャック21にローディングされた基板Wの端面に対して近接および離間可能な当接部材81と、当接部材81を水平方向に移動させるためのセンタリング駆動部82とを有している。本実施形態では、回転軸AXを中心として放射状の3つの当接部材81が等角度間隔で配置されており、そのうちの1つのみが図2に図示されている。このセンタリング機構8は、ポンプ26による吸引を停止している間(つまりスピンチャック21の上面上で基板Wが水平移動可能となっている間)に、制御ユニット10からのセンタリング指令に応じてセンタリング駆動部82が当接部材81を基板Wに近接させる(センタリング処理)。このセンタリング処理によりスピンチャック21に対する基板Wの偏心が解消され、基板Wの中心がスピンチャック21の中心と一致する。 The centering mechanism 8 includes an abutting member 81 that can approach and move away from the end surface of the substrate W loaded onto the spin chuck 21, and a centering drive unit 82 that moves the abutting member 81 in the horizontal direction. ing. In this embodiment, three radial contact members 81 are arranged at equal angular intervals around the rotation axis AX, and only one of them is illustrated in FIG. 2 . This centering mechanism 8 performs centering in response to a centering command from the control unit 10 while the pump 26 stops suction (that is, while the substrate W is horizontally movable on the upper surface of the spin chuck 21). The drive unit 82 brings the contact member 81 close to the substrate W (centering process). This centering process eliminates the eccentricity of the substrate W with respect to the spin chuck 21, and the center of the substrate W coincides with the center of the spin chuck 21.

基板観察機構9は、基板Wの周縁部を観察するための観察ヘッド91を有している。この観察ヘッド91は、基板Wの周縁部に対して近接および離間可能に構成されている。観察ヘッド91には、観察ヘッド駆動部92が接続されている。そして、観察ヘッド91により基板Wの周縁部を観察する際には、制御ユニット10から観察指令に応じて観察ヘッド駆動部92が観察ヘッド91を基板Wに近接させる(観察処理)。そして、観察ヘッド91を用いて基板Wの周縁部が撮像される。撮像された画像は制御ユニット10に送られる。この画像に基づいてベベル処理が良好に行われたか否かを制御ユニット10が検査する。 The substrate observation mechanism 9 has an observation head 91 for observing the peripheral edge of the substrate W. This observation head 91 is configured to be able to approach and move away from the peripheral edge of the substrate W. An observation head drive unit 92 is connected to the observation head 91 . When observing the peripheral edge of the substrate W using the observation head 91, the observation head driving section 92 moves the observation head 91 close to the substrate W in response to an observation command from the control unit 10 (observation processing). Then, the peripheral edge of the substrate W is imaged using the observation head 91. The captured image is sent to the control unit 10. Based on this image, the control unit 10 checks whether the bevel processing has been performed satisfactorily.

制御ユニット10は、演算処理部10A、記憶部10B、読取部10C、画像処理部10D、駆動制御部10E、通信部10Fおよび排気制御部10Gを有している。記憶部10Bは、ハードディスクドライブなどで構成されており、上記基板処理装置1によりキャリブレーション処理およびベベル処理を実行するためのプログラムを記憶している。当該プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体RM(例えば、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等)に記憶されており、読取部10Cにより記録媒体RMから読み出され、記憶部10Bに保存される。また、当該プログラムの提供は、記録媒体RMに限定されるものではなく、例えば当該プログラムが電気通信回線を介して提供されるように構成してもよい。画像処理部10Dは、基板観察機構9により撮像された画像に種々の処理を施す。駆動制御部10Eは、基板処理装置1の各駆動部を制御する。通信部10Fは、基板処理システム100の各部を統合して制御する制御部などと通信を行う。排気制御部10Gは排気機構38を制御する。 The control unit 10 includes an arithmetic processing section 10A, a storage section 10B, a reading section 10C, an image processing section 10D, a drive control section 10E, a communication section 10F, and an exhaust control section 10G. The storage unit 10B is composed of a hard disk drive and the like, and stores programs for executing calibration processing and bevel processing by the substrate processing apparatus 1. The program is stored, for example, in a computer-readable recording medium RM (for example, an optical disk, a magnetic disk, a magneto-optical disk, etc.), is read from the recording medium RM by the reading section 10C, and is stored in the storage section 10B. . Further, provision of the program is not limited to the recording medium RM, and the program may be provided via a telecommunications line, for example. The image processing unit 10D performs various processes on the image captured by the board observation mechanism 9. The drive control section 10E controls each drive section of the substrate processing apparatus 1. The communication unit 10F communicates with a control unit that integrates and controls each unit of the substrate processing system 100. The exhaust control section 10G controls the exhaust mechanism 38.

また、制御ユニット10には、各種情報を表示する表示部10H(例えばディスプレイなど)や操作者からの入力を受け付ける入力部10J(例えば、キーボードおよびマウスなど)が接続されている。 Further, the control unit 10 is connected to a display section 10H (for example, a display) that displays various information and an input section 10J (for example, a keyboard, a mouse, etc.) that receives input from an operator.

演算処理部10Aは、CPU(= Central Processing Unit)やRAM(=Random Access Memory)等を有するコンピュータにより構成されており、記憶部10Bに記憶されているプログラムにしたがって基板処理装置1の各部を以下のように制御し、キャリブレーション処理およびベベル処理を実行する。これらの処理を実行するため、演算処理部10Aは、上記プログラムを実行することで、図6に示す機能を果たす。 The arithmetic processing unit 10A is composed of a computer having a CPU (=Central Processing Unit), a RAM (=Random Access Memory), etc., and processes each part of the substrate processing apparatus 1 as follows according to a program stored in the storage unit 10B. Control as follows to execute calibration processing and bevel processing. In order to execute these processes, the arithmetic processing unit 10A performs the functions shown in FIG. 6 by executing the above program.

図6は、図2に示す基板処理装置の演算処理部で実行される機能を示すブロック図である。演算処理部10Aは、キャリブレーション部10Kと、ノズル位置決め部10Lと、を含んでいる。キャリブレーション部10Kは、基板Wと同一形状の治具ウェハ(本発明の「治具板」の一例に相当)を用いてスピンチャック21から径方向Xに離れたホーム位置(図9中の符号Ph参照)に位置する上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptまで移動させるのに要するノズル移動距離を求める。この機能を果たすために、キャリブレーション部10Kは、計測部10K1と、移動距離算出部10K2とを有している。計測部10K1は、上面ノズル51Fの係合面512がスピンチャック21に保持された治具ウェハ(図9中の符号JW)の端面と対向する姿勢でホーム位置から治具ウェハへの上面ノズル51Fの移動を開始した後で、係合面512が治具ウェハの端面に当接するまでに上面ノズル51Fが移動した第1距離を計測する。また、移動距離算出部10K2は、係合面512が治具ウェハの端面に当接した姿勢の上面ノズル51Fをベベル処理位置まで径方向Xに沿って移動させるのに要する第2距離M2を記憶部10Bから読み出し、第1距離に加算してノズル移動距離を算出する。 FIG. 6 is a block diagram showing functions executed by the arithmetic processing section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 2. The calculation processing section 10A includes a calibration section 10K and a nozzle positioning section 10L. The calibration unit 10K uses a jig wafer having the same shape as the substrate W (corresponding to an example of the "jig plate" of the present invention) to move to a home position (reference numeral in FIG. 9) away from the spin chuck 21 in the radial direction The nozzle movement distance required to move the upper surface nozzle 51F located at the bevel processing position Pt (see Ph) is determined. In order to perform this function, the calibration section 10K includes a measurement section 10K1 and a movement distance calculation section 10K2. The measurement unit 10K1 moves the top nozzle 51F from the home position to the jig wafer in a posture such that the engagement surface 512 of the top nozzle 51F faces the end surface of the jig wafer (symbol JW in FIG. 9) held by the spin chuck 21. After starting to move, the first distance that the upper surface nozzle 51F has moved until the engagement surface 512 comes into contact with the end surface of the jig wafer is measured. Furthermore, the movement distance calculation unit 10K2 stores a second distance M2 required to move the upper surface nozzle 51F in a posture in which the engagement surface 512 is in contact with the end surface of the jig wafer to the bevel processing position along the radial direction X. The nozzle movement distance is calculated by reading the distance from the unit 10B and adding it to the first distance.

一方、ノズル位置決め部10Lは、キャリブレーション部10Kにより算出されたノズル移動距離に基づき上面ノズル51Fを位置決めする。より具体的には、ノズル位置決め部10Lは、径方向Xにおいて上面ノズル51Fを離間位置からノズル移動距離だけ移動させることで、上面ノズル51Fをベベル処理位置に位置決めする。 On the other hand, the nozzle positioning section 10L positions the upper surface nozzle 51F based on the nozzle movement distance calculated by the calibration section 10K. More specifically, the nozzle positioning unit 10L positions the upper nozzle 51F at the bevel processing position by moving the upper nozzle 51F from the separated position in the radial direction X by the nozzle movement distance.

図7は、図2に示す基板処理装置により実行されるベベル処理を示すフローチャートである。図8は、ベベル処理に含まれるキャリブレーション処理を示すフローチャートである。図9は、キャリブレーション処理中の装置各部を示す模式図である。図10は、ベベル処理中の装置各部を示す模式図である。ここでは、ノズル移動部54の構成について説明した後で、キャリブレーション処理およびベベル処理において実行されるノズル位置調整について詳述する。 FIG. 7 is a flowchart showing bevel processing performed by the substrate processing apparatus shown in FIG. FIG. 8 is a flowchart showing the calibration process included in the bevel process. FIG. 9 is a schematic diagram showing each part of the apparatus during calibration processing. FIG. 10 is a schematic diagram showing each part of the apparatus during bevel processing. Here, after explaining the configuration of the nozzle moving unit 54, the nozzle position adjustment executed in the calibration process and the bevel process will be explained in detail.

ノズル移動部54は、図9および図10に示すように、ノズルヘッド56(=上面ノズル51F+ノズルホルダ53)を保持したまま、昇降部713のリフター713aの上端部に取り付けられている。このため、制御ユニット10からの昇降指令に応じてリフター713aが鉛直方向に伸縮すると、それに応じてノズル移動部54およびノズルヘッド56が鉛直方向Zに移動する。 As shown in FIGS. 9 and 10, the nozzle moving section 54 is attached to the upper end of the lifter 713a of the elevating section 713 while holding the nozzle head 56 (=top nozzle 51F+nozzle holder 53). Therefore, when the lifter 713a expands and contracts in the vertical direction in response to a lift command from the control unit 10, the nozzle moving section 54 and the nozzle head 56 move in the vertical direction Z accordingly.

また、ノズル移動部54では、ベース部材541がリフター713aの上端部に固着されている。このベース部材541には、直動アクチュエータ542が取り付けられている。直動アクチュエータ542は、径方向Xにおけるノズル移動の駆動源として機能するモータ(以下「ノズル駆動モータ」という)543と、ノズル駆動モータ543の回転軸に連結されたボールねじなどの回転体の回転運動を直線運動に変換してスライダー544を径方向Xに往復移動させる運動変換機構545とを有している。また、運動変換機構545では、スライダー544の径方向Xへの移動を安定化させるために、例えばLMガイド(登録商標)などのガイドが用いられている。 Further, in the nozzle moving section 54, a base member 541 is fixed to the upper end of the lifter 713a. A linear actuator 542 is attached to this base member 541. The linear actuator 542 includes a motor (hereinafter referred to as "nozzle drive motor") 543 that functions as a drive source for nozzle movement in the radial direction It has a motion conversion mechanism 545 that converts the motion into linear motion and reciprocates the slider 544 in the radial direction X. Furthermore, in the motion conversion mechanism 545, a guide such as an LM guide (registered trademark) is used to stabilize the movement of the slider 544 in the radial direction X.

こうして径方向Xに往復駆動されるスライダー544には、連結部材546を介してヘッド支持部材547が連結されている。このヘッド支持部材547は、径方向Xに延びる棒形状を有している。ヘッド支持部材547の(+X)方向端部はスライダー544に固着される。一方、ヘッド支持部材547の(-X)方向端部はスピンチャック21に向かって水平に延設され、その先端部にノズルヘッド56が取り付けられている。このため、制御ユニット10からのノズル移動指令に応じてノズル駆動モータ543が回転すると、その回転方向に対応して(+X)方向または(-X)方向に、しかも回転量に対応した距離だけ、スライダー544、ヘッド支持部材547およびノズルヘッド56が一体的に移動する。その結果、ノズルヘッド56に装着されている上面ノズル51Fが径方向Xに位置決めされる。例えば、図7中の(a)欄に示すように、上面ノズル51Fが予め設定されたホーム位置(本発明の「離間位置」の一例に相当)Phに位置決めされたとき、運動変換機構545に設けられたバネ部材548がスライダー544により圧縮され、スライダー544に対して(-X)方向に付勢力を与える。これにより、運動変換機構545に含まれるバックラッシを制御することができる。つまり、運動変換機構545はガイドなどの機械部品を有しているため、径方向Xに沿ったバックラッシをゼロとすることは事実上困難であり、これについて十分な考慮を払わないと、径方向Xにおける上面ノズル51Fの位置決め精度が低下してしまう。そこで、本実施形態では、バネ部材548を設けたことで、上面ノズル51Fをホーム位置Phに静止させた際には、常時、バックラッシを(-X)方向に片寄らせている。これにより、次に図7ないし図10を参照しつつ説明するキャリブレーション処理を含むベベル処理を実行することでバックラッシの影響を抑えることができ、高精度なノズル位置決めが可能となる。 A head support member 547 is connected to the slider 544, which is thus reciprocated in the radial direction X, via a connection member 546. This head support member 547 has a rod shape extending in the radial direction X. The (+X) direction end of the head support member 547 is fixed to the slider 544. On the other hand, the end of the head support member 547 in the (-X) direction extends horizontally toward the spin chuck 21, and the nozzle head 56 is attached to the tip thereof. Therefore, when the nozzle drive motor 543 rotates in response to a nozzle movement command from the control unit 10, the nozzle drive motor 543 rotates in the (+X) direction or (-X) direction corresponding to the direction of rotation, and by a distance corresponding to the amount of rotation. Slider 544, head support member 547, and nozzle head 56 move integrally. As a result, the upper surface nozzle 51F mounted on the nozzle head 56 is positioned in the radial direction X. For example, as shown in column (a) in FIG. A provided spring member 548 is compressed by the slider 544 and applies a biasing force to the slider 544 in the (-X) direction. Thereby, backlash included in the motion conversion mechanism 545 can be controlled. In other words, since the motion conversion mechanism 545 has mechanical parts such as guides, it is practically difficult to make the backlash along the radial direction X zero, and unless sufficient consideration is given to this, The positioning accuracy of the upper surface nozzle 51F at X is reduced. Therefore, in this embodiment, by providing the spring member 548, the backlash is always biased in the (-X) direction when the upper surface nozzle 51F is stationary at the home position Ph. Thereby, by executing bevel processing including calibration processing, which will be described next with reference to FIGS. 7 to 10, the influence of backlash can be suppressed, and highly accurate nozzle positioning becomes possible.

本実施形態では、ベベル処理を行う際、演算処理部10Aは、上面ノズル51Fをベベル処理位置に移動させて位置決めするために必要なノズル移動距離(図9および図10中の符号M)を既に取得し、記憶部10Bに保存されているか否かを判定する(ステップS1)。ここで、ノズル移動距離Mが取得されていないとき(ステップS1で「NO」)のみ、演算処理部10Aはキャリブレーション処理(ステップS2)を実行する。一方、ノズル移動距離Mを取得済みであるとき(ステップS1で「YES」)、キャリブレーション処理をスキップしてステップS3に進む。 In this embodiment, when performing bevel processing, the arithmetic processing unit 10A has already calculated the nozzle movement distance (symbol M in FIGS. 9 and 10) required to move and position the upper surface nozzle 51F to the bevel processing position. It is determined whether the information is acquired and stored in the storage unit 10B (step S1). Here, only when the nozzle movement distance M has not been acquired ("NO" in step S1), the calculation processing unit 10A executes the calibration process (step S2). On the other hand, if the nozzle movement distance M has been acquired ("YES" in step S1), the calibration process is skipped and the process proceeds to step S3.

キャリブレーション処理を実行する場合、オペレータが雰囲気分離機構6を取り外し、演算処理部10Aにより図8および図9に示す工程が実行された後に、雰囲気分離機構6を元に戻してステップS3に進む。このキャリブレーション処理では、上面ノズル51Fが径方向Xにおいてスピンチャック21から離間したホーム位置Phに位置するように、演算処理部10Aはノズル駆動モータ543を制御する(ステップS201)。この位置決め時には、上面ノズル51Fのホーム位置Phへの移動により、図9中の(a)欄に示すように、スライダー544がバネ部材548を圧縮し、圧縮に伴う付勢力がスライダー544に与えられる。これによって、運動変換機構545において発生するバックラッシが(-X)方向に片寄らされている。また、本実施形態では、後の工程を考慮して、鉛直方向Zにおいて上面ノズル51Fがベベル処理を行う際の高さ位置(以下「処理高さ位置」という)Ztよりも低い高さ位置Zhに位置決めされている。この高さ位置Zhは、次のステップS202でスピンチャック21に載置される治具ウェハJWの高さに一致している。 When performing the calibration process, the operator removes the atmosphere separation mechanism 6, and after the arithmetic processing unit 10A executes the steps shown in FIGS. 8 and 9, the atmosphere separation mechanism 6 is returned to its original position and the process proceeds to step S3. In this calibration process, the arithmetic processing unit 10A controls the nozzle drive motor 543 so that the upper surface nozzle 51F is located at the home position Ph separated from the spin chuck 21 in the radial direction X (step S201). During this positioning, as the upper surface nozzle 51F moves to the home position Ph, the slider 544 compresses the spring member 548, as shown in column (a) in FIG. 9, and a biasing force accompanying the compression is applied to the slider 544. . As a result, the backlash generated in the motion conversion mechanism 545 is biased in the (-X) direction. In addition, in this embodiment, in consideration of later steps, a height position Zh lower than a height position Zt (hereinafter referred to as "processing height position") when the upper nozzle 51F performs bevel processing in the vertical direction Z is set. is positioned. This height position Zh corresponds to the height of the jig wafer JW to be placed on the spin chuck 21 in the next step S202.

ステップS202では、治具ウェハJWがスピンチャック21に載置される。この載置作業、いわゆるローディング作業は、オペレータにより行われてもよいし、基板搬送ロボット111により行われてもよい。このローディング作業中は、スピンチャック21への負圧付与は停止されている。 In step S202, the jig wafer JW is placed on the spin chuck 21. This placement work, so-called loading work, may be performed by an operator or by the substrate transfer robot 111. During this loading operation, application of negative pressure to the spin chuck 21 is stopped.

演算処理部10Aは、上記負圧付与の停止を維持したまま、センタリング駆動部82にセンタリング指令を与える。これに対応してセンタリング駆動部82が当接部材81を治具ウェハJWに近接させ、治具ウェハJWの中心をスピンチャック21の中心に一致させる(センタリング処理)。これに続いて、演算処理部10Aは、ポンプ26に負圧付与指令を与える。これによって、治具ウェハJWがスピンチャック21に吸着保持される(ステップS203)。この治具ウェハJWの端面は、図9の(a)欄に示すように、上面ノズル51Fの係合面512と同一高さに位置しながら対向している。 The arithmetic processing unit 10A gives a centering command to the centering drive unit 82 while maintaining the stoppage of negative pressure application. Correspondingly, the centering drive section 82 moves the contact member 81 close to the jig wafer JW to align the center of the jig wafer JW with the center of the spin chuck 21 (centering process). Following this, the arithmetic processing unit 10A gives a negative pressure application command to the pump 26. As a result, the jig wafer JW is attracted and held on the spin chuck 21 (step S203). As shown in column (a) of FIG. 9, the end surface of this jig wafer JW is located at the same height as the engagement surface 512 of the upper surface nozzle 51F and faces it.

次のステップS204では、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543に駆動指令を与え、上面ノズル51Fの治具ウェハJWへの移動を開始する。この移動開始と同時に、演算処理部10Aは治具ウェハJWの移動距離のカウントを開始するとともに、上面ノズル51Fの係合面512が治具ウェハJWの端面と当接するまで上記カウントを継続する(ステップS205)。本実施形態では、治具ウェハJWの端面への係合面512の当接は、ノズル駆動モータ543の駆動電流の値(以下「電流値」という)が急激に変動し、予め設定した設定値を超えたか否かに基づいて判定している(ステップS206)。これによって、治具ウェハJWの端面への係合面512の当接を精度良く検出することができる。なお、本実施形態では、当該当接判定が電流値により行われているが、判定方法はこれに限定されるものではない。例えばノズルヘッド56にカメラや光センサなどの光学部品を取り付け、光学部品による光学検出により上記当接判定を行うように構成してもよい。また、上面ノズル51Fが治具ウェハJWに近接するのに応じて治具ウェハJWの移動速度を減速するように、演算処理部10Aがノズル駆動モータ543を制御してもよい。これにより、上面ノズル51Fが治具ウェハJWに当接する際の衝撃を緩和することができる。 In the next step S204, the arithmetic processing unit 10A gives a drive command to the nozzle drive motor 543 to start moving the upper surface nozzle 51F toward the jig wafer JW. Simultaneously with the start of this movement, the calculation processing unit 10A starts counting the moving distance of the jig wafer JW, and continues counting until the engagement surface 512 of the upper surface nozzle 51F comes into contact with the end surface of the jig wafer JW ( Step S205). In this embodiment, when the engagement surface 512 comes into contact with the end surface of the jig wafer JW, the value of the drive current of the nozzle drive motor 543 (hereinafter referred to as "current value") changes rapidly, and the value is set to a preset value. The determination is made based on whether or not it exceeds (step S206). This makes it possible to accurately detect the contact of the engagement surface 512 with the end surface of the jig wafer JW. Note that in this embodiment, the contact determination is performed based on the current value, but the determination method is not limited to this. For example, an optical component such as a camera or an optical sensor may be attached to the nozzle head 56, and the above contact determination may be performed by optical detection by the optical component. Further, the arithmetic processing unit 10A may control the nozzle drive motor 543 so as to reduce the moving speed of the jig wafer JW as the upper surface nozzle 51F approaches the jig wafer JW. Thereby, it is possible to reduce the impact when the upper surface nozzle 51F contacts the jig wafer JW.

治具ウェハJWの端面への係合面512の当接と同時に、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543に移動停止指令を与え、径方向Xに沿った上面ノズル51Fの移動を停止させる。これにより、図9の(b)欄に示すように、上面ノズル51Fの係合面512が治具ウェハJWの端面に当接した姿勢で上面ノズル51Fは当接位置Peに位置する。また、これと並行して、演算処理部10AはステップS205でカウントされた移動距離を記憶部10Bに保存する(ステップS207)。この移動距離は、ホーム位置Phから当接位置Peまでに上面ノズル51Fが移動した距離を意味しており、本発明の「第1距離」の一例に相当している。そこで、以下においては、当該移動距離を第1距離M1と称する。 Simultaneously with the engagement surface 512 coming into contact with the end surface of the jig wafer JW, the arithmetic processing unit 10A gives a movement stop command to the nozzle drive motor 543 to stop the movement of the upper surface nozzle 51F along the radial direction X. As a result, as shown in column (b) of FIG. 9, the upper nozzle 51F is located at the contact position Pe with the engagement surface 512 of the upper nozzle 51F in contact with the end surface of the jig wafer JW. Further, in parallel with this, the arithmetic processing unit 10A stores the moving distance counted in step S205 in the storage unit 10B (step S207). This moving distance means the distance that the upper surface nozzle 51F has moved from the home position Ph to the contact position Pe, and corresponds to an example of the "first distance" of the present invention. Therefore, hereinafter, the moving distance will be referred to as a first distance M1.

次に、演算処理部10Aは、上面ノズル51Fを当接位置Peに位置させたまま、昇降機構7に上昇指令を与える。これによって、図9の(c)欄に示すように、上面ノズル51Fは処理高さ位置Ztまで上昇する(ステップS208)。これに続いて、演算処理部10Aは、第2距離M2を記憶部10Bから読み出し、ノズル駆動モータ543に駆動指令を与え、図9の(d)欄に示すように、回転軸AXに向かう方向、つまり(-X)方向に第2距離M2だけ上面ノズル51Fをさらに移動させる(ステップS209)。この移動後の上面ノズル51Fは設計通りであれば、ベベル処理位置Ptに位置しているはずである。そこで、本実施形態では、ベベル処理位置Ptでの上面ノズル51Fの位置決めがオペレータに確認されるのを待って、演算処理部10Aはノズル移動距離Mを決定する。ここで、上面ノズル51Fのベベル処理位置Ptへの位置決めが確認されなかった場合(ステップS210で「NO」)には、キャリブレーション処理を中断し、エラー処理に進む。 Next, the arithmetic processing unit 10A gives an ascending command to the elevating mechanism 7 while keeping the upper nozzle 51F at the contact position Pe. As a result, as shown in column (c) of FIG. 9, the upper surface nozzle 51F rises to the processing height position Zt (step S208). Following this, the arithmetic processing unit 10A reads the second distance M2 from the storage unit 10B, gives a drive command to the nozzle drive motor 543, and as shown in column (d) of FIG. That is, the upper surface nozzle 51F is further moved by the second distance M2 in the (-X) direction (step S209). If the upper surface nozzle 51F after this movement is as designed, it should be located at the bevel processing position Pt. Therefore, in the present embodiment, the arithmetic processing unit 10A determines the nozzle movement distance M after the operator confirms the positioning of the upper surface nozzle 51F at the bevel processing position Pt. Here, if the positioning of the upper surface nozzle 51F to the bevel processing position Pt is not confirmed ("NO" in step S210), the calibration process is interrupted and the process proceeds to error processing.

ステップS210でベベル処理位置Ptへの位置決めが確認されると、演算処理部10Aは、ステップS207で得られた第1距離M1に上記第2距離M2を加算してノズル移動距離Mを算出する(ステップS211)。このノズル移動距離Mは記憶部10Bに保存される。また、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543にホーム復帰指令を与え、上面ノズル51Fをホーム位置Phに戻す(ステップS212)。より具体的には、上面ノズル51Fが(+X)方向にノズル移動距離Mだけ移動され、治具ウェハJWから離間する。さらに、演算処理部10Aは、ポンプ26に負圧停止指令を与え、スピンチャック21への負圧付与を停止する。 When positioning to the bevel processing position Pt is confirmed in step S210, the arithmetic processing unit 10A calculates the nozzle movement distance M by adding the second distance M2 to the first distance M1 obtained in step S207 ( Step S211). This nozzle movement distance M is stored in the storage section 10B. Further, the calculation processing unit 10A gives a home return command to the nozzle drive motor 543 to return the top nozzle 51F to the home position Ph (step S212). More specifically, the upper surface nozzle 51F is moved by a nozzle movement distance M in the (+X) direction and separated from the jig wafer JW. Furthermore, the arithmetic processing unit 10A gives a negative pressure stop command to the pump 26 to stop applying negative pressure to the spin chuck 21.

ステップS213では、治具ウェハJWがスピンチャック21から搬出される。こうしてキャリブレーション処理が完了すると、オペレータにより雰囲気分離機構6が元に戻される。上記搬出作業、いわゆるアンローディング作業は、オペレータにより行われてもよいし、基板搬送ロボット111により行われてもよい。 In step S213, the jig wafer JW is carried out from the spin chuck 21. When the calibration process is thus completed, the atmosphere separation mechanism 6 is returned to its original position by the operator. The above-mentioned unloading operation, so-called unloading operation, may be performed by an operator or by the substrate transfer robot 111.

図7に戻って、ベベル処理の説明を続ける。ステップS3では、図10の(a)欄に示すように、ベベル処理を受ける前の基板Wがスピンチャック21に載置される。このローディング作業中においては、上面ノズル51Fはホーム位置Phおよび処理高さ位置Ztに位置している。また、スピンチャック21への負圧付与は停止されている。そして、このような待機状態で、ローディング作業は基板搬送ロボット111により行われる。 Returning to FIG. 7, the description of the bevel process will be continued. In step S3, as shown in column (a) of FIG. 10, the substrate W before being beveled is placed on the spin chuck 21. During this loading operation, the upper surface nozzle 51F is located at the home position Ph and the processing height position Zt. Further, application of negative pressure to the spin chuck 21 is stopped. Then, in such a standby state, a loading operation is performed by the substrate transfer robot 111.

これに続いて、上記ステップS203と同様にして、基板Wに対するセンタリング処理および基板Wの吸着保持が実行される(ステップS4)。 Subsequently, in the same manner as in step S203 above, centering processing for the substrate W and suction and holding of the substrate W are performed (step S4).

次に、演算処理部10Aは、記憶部10Bからノズル移動距離Mを読み出す。そして、し、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543にノズル移動指令を与え、図10の(b)欄に示すように、回転軸AXに向かう方向、つまり(-X)方向にノズル移動距離Mだけ上面ノズル51Fを移動させる(ステップS5)。 Next, the arithmetic processing unit 10A reads the nozzle movement distance M from the storage unit 10B. Then, the arithmetic processing unit 10A gives a nozzle movement command to the nozzle drive motor 543, and as shown in column (b) of FIG. The upper surface nozzle 51F is moved by M (step S5).

こうして、基板Wの周縁部への処理液の供給準備が完了すると、演算処理部10Aは、回転駆動部23に回転指令を与えて基板Wを回転軸AX周りに回転させるとともに、処理液供給部52に供給指令を与えて上面ノズル51Fに処理液を供給する。これによって基板Wの周縁部に対してベベル処理が施される(ステップS6)。 When preparations for supplying the processing liquid to the peripheral edge of the substrate W are thus completed, the processing unit 10A gives a rotation command to the rotation drive unit 23 to rotate the substrate W around the rotation axis AX, and the processing liquid supply unit 52 to supply the processing liquid to the upper nozzle 51F. As a result, bevel processing is performed on the peripheral edge of the substrate W (step S6).

なお、本実施形態では、ベベル処理が完了した後、演算処理部10Aは、観察ヘッド駆動部92に観察指令に与え、観察ヘッド91を基板Wに近接させる(観察処理)。そして、観察ヘッド91を用いて撮像された基板Wの周縁部の画像に基づいてベベル処理が良好に行われたか否かを演算処理部10Aが検査する。そして、所望のエッチング幅が得られなかった場合(ステップS7で「NO」)には、ベベル処理を中断し、エラー処理が実行される。 In this embodiment, after the bevel process is completed, the arithmetic processing unit 10A gives an observation command to the observation head drive unit 92 to bring the observation head 91 close to the substrate W (observation process). Then, based on the image of the peripheral edge of the substrate W taken using the observation head 91, the arithmetic processing unit 10A inspects whether the bevel processing has been performed satisfactorily. If the desired etching width is not obtained ("NO" in step S7), the bevel process is interrupted and error processing is executed.

以上のように、第1実施形態によれば、従来技術よりも少ないオペレータ作業で、上面ノズル51Fの係合面512が治具ウェハJWの端面に当接するまでの上面ノズル51Fの移動距離(第1距離M1)と、係合面512が治具ウェハJWの端面に当接した姿勢の上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptまで径方向Xに沿って移動させるのに要する距離(第2距離)とが取得される。そして、それらの合計値をノズル移動距離Mとして求めている。したがって、第1実施形態によって、オペレータ毎にノズル移動距離Mが相違するという従来の問題を解消し、液供給位置を高精度に調整することが可能となっている。また、オペレータ作業が少なくなることで、基板処理に要するトータルコストの削減、基板処理装置1間やチャンバ11間での位置決め精度誤差も少なくなる。その結果、ベベル処理を安定して実行することができる。 As described above, according to the first embodiment, the movement distance of the upper surface nozzle 51F until the engagement surface 512 of the upper surface nozzle 51F comes into contact with the end surface of the jig wafer JW (the distance 1 distance M1), and the distance (second distance) required to move the upper surface nozzle 51F in a posture where the engagement surface 512 is in contact with the end surface of the jig wafer JW to the bevel processing position Pt along the radial direction X. is obtained. Then, the total value of these values is determined as the nozzle moving distance M. Therefore, according to the first embodiment, the conventional problem that the nozzle moving distance M is different for each operator can be solved, and the liquid supply position can be adjusted with high precision. Further, since the operator's work is reduced, the total cost required for substrate processing is reduced, and errors in positioning accuracy between substrate processing apparatuses 1 and between chambers 11 are also reduced. As a result, bevel processing can be stably executed.

また、第2距離M2は、ベベル処理位置Ptと基板Wの径方向サイズとにより設計的に決まっている値であることから、第1距離M1を計測した直後にノズル移動距離Mを算出することも可能である。つまり、図8中のステップS207~S209を省略し、直ちにステップS211に進んでもよい。これにより、キャリブレーション処理に要する時間を短縮することができる。ただし、第1実施形態では、図8および図9の(d)欄に示すように、上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptまで移動させ、治具ウェハJWに対する上面ノズル51Fの相対位置を確認した後でノズル移動距離Mが決定される。したがって、より高精度にノズル位置調整を行うことができる。 Furthermore, since the second distance M2 is a value determined by design based on the bevel processing position Pt and the radial size of the substrate W, the nozzle movement distance M is calculated immediately after measuring the first distance M1. is also possible. That is, steps S207 to S209 in FIG. 8 may be omitted and the process may immediately proceed to step S211. Thereby, the time required for the calibration process can be shortened. However, in the first embodiment, as shown in columns (d) of FIGS. 8 and 9, after moving the top nozzle 51F to the bevel processing position Pt and checking the relative position of the top nozzle 51F with respect to the jig wafer JW. The nozzle moving distance M is determined. Therefore, the nozzle position can be adjusted with higher precision.

また、ホーム位置Phでは、常にバネ部材548で発生する付勢力がスライダー544に与えられ、運動変換機構545において発生するバックラッシが(-X)方向に片寄っている。これによって、バックラッシによる第1距離M1の計測結果のバラツキを確実に抑制し、ノズル移動距離Mを正確に求めることができる。その結果、バックラッシの影響を受けることなく、上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptに高精度で位置決めすることができる。バネ部材548の装着は任意であり、また次に説明する第2実施形態においてバネ部材548を装着してもよい。 Further, at the home position Ph, the biasing force generated by the spring member 548 is always applied to the slider 544, and the backlash generated in the motion conversion mechanism 545 is biased in the (-X) direction. Thereby, it is possible to reliably suppress variations in the measurement results of the first distance M1 due to backlash, and to accurately obtain the nozzle movement distance M. As a result, the upper surface nozzle 51F can be positioned at the bevel processing position Pt with high precision without being affected by backlash. The spring member 548 may be attached optionally, and the spring member 548 may be attached in the second embodiment described below.

また、第1距離M1の計測に先立って、治具ウェハJWに対するセンタリング処理を実行しているので、第1距離M1を安定して求めることができる。 Moreover, since the centering process is performed on the jig wafer JW prior to measuring the first distance M1, the first distance M1 can be stably determined.

さらに、第1実施形態では、上面ノズル51Fでは、互いに異なる硬度を有する2種類の部品が一体化されている。もちろん、単一材料で上面ノズル51Fを形成してもよいが、係合面512の治具ウェハJWとの当接による摩耗が問題となる場合がある。これに対し、第1実施形態では、係合部51F2の硬度がノズル本体部51F1のそれよりも高いため、上記摩耗を効果的に抑制することができる。つまり、係合面512での摩耗による装置稼働の低下を抑制することができる。 Furthermore, in the first embodiment, two types of components having different hardnesses are integrated in the upper surface nozzle 51F. Of course, the upper surface nozzle 51F may be formed of a single material, but wear due to contact of the engagement surface 512 with the jig wafer JW may become a problem. On the other hand, in the first embodiment, since the hardness of the engaging portion 51F2 is higher than that of the nozzle body portion 51F1, the above-mentioned wear can be effectively suppressed. In other words, deterioration in device operation due to wear on the engagement surface 512 can be suppressed.

上記したように、第1実施形態では、上面ノズル51Fの一部(係合面512)を治具ウェハJWに当接させているが、ノズル移動距離Mを求めるための専用の位置調整治具を用いてもよい(第2実施形態)。以下、図5B、図11および図12を参照しつつ、本発明の第2実施形態について説明する。 As described above, in the first embodiment, a part of the upper surface nozzle 51F (the engagement surface 512) is brought into contact with the jig wafer JW, but a position adjustment jig is used exclusively for determining the nozzle movement distance M. may also be used (second embodiment). A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 5B, 11, and 12.

図5Bは、第2実施形態において処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図である。図11は、第2実施形態におけるキャリブレーション処理を示すフローチャートである。図12は、第2実施形態におけるキャリブレーション処理中の装置各部を示す模式図である。第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、係合面512の代わりに位置調整治具PJを上面ノズル51Fに着脱しながらノズル移動距離Mを求める点と、バネ部材548が設けられていない点とである。その他の点においては、第1実施形態と共通する。そこで、以下においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。 FIG. 5B is a perspective view showing a processing liquid discharge nozzle on the upper surface side that is installed in the processing mechanism in the second embodiment. FIG. 11 is a flowchart showing the calibration process in the second embodiment. FIG. 12 is a schematic diagram showing each part of the apparatus during calibration processing in the second embodiment. The second embodiment differs greatly from the first embodiment in that the nozzle movement distance M is determined while attaching and detaching a position adjustment jig PJ to and from the upper nozzle 51F instead of the engagement surface 512, and a spring member 548 is provided. This is because it is not. Other points are the same as the first embodiment. Therefore, in the following, the differences will be mainly explained, and the same components will be given the same reference numerals and the explanation will be omitted.

第2実施形態におけるキャリブレーション処理では、図12の(a)欄に示すように、上面ノズル51Fが径方向Xにおいてスピンチャック21から離間したホーム位置Phに位置するように、演算処理部10Aはノズル駆動モータ543を制御する(ステップS221)。また、ホーム位置Phでは、上面ノズル51Fは、鉛直方向Zにおいてベベル処理位置Ptと同じ高さ位置Ztに、位置決めされる。 In the calibration process in the second embodiment, as shown in column (a) of FIG. The nozzle drive motor 543 is controlled (step S221). Further, at the home position Ph, the upper surface nozzle 51F is positioned at the same height position Zt as the bevel processing position Pt in the vertical direction Z.

次に、第1実施形態と同様に、治具ウェハJWのローディング(ステップS222)と、治具ウェハJWのセンタリングおよび吸着保持(ステップS23)とが実行される。その後で、短冊状の位置調整治具PJの下端部を治具ウェハJWの端面と対向させながら位置調整治具PJの上端部がオペレータにより上面ノズル51Fの側面に着脱自在に取り付けた(ステップS224)ことを確認すると、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543に駆動指令を与え、位置調整治具PJおよび上面ノズル51Fの治具ウェハJWへの移動を開始する。この移動開始と同時に、演算処理部10Aは治具ウェハJWの移動距離のカウントを開始するとともに、位置調整治具PJの下端部が治具ウェハJWの端面と当接するまで上記カウントを継続する(ステップS226)。そして、第1実施形態と同様に、ノズル駆動モータ543の電流値の変動に基づいて演算処理部10Aは治具ウェハJWへの位置調整治具PJの当接を検出する(ステップS227)。もちろん、上記した光学検出によって、治具ウェハJWへの位置調整治具PJの当接を検出するように構成してもよい。 Next, similarly to the first embodiment, loading of the jig wafer JW (step S222) and centering and suction holding of the jig wafer JW (step S23) are performed. Thereafter, the upper end of the positioning jig PJ was removably attached to the side surface of the upper nozzle 51F by the operator while the lower end of the strip-shaped positioning jig PJ faced the end surface of the jig wafer JW (step S224 ), the arithmetic processing unit 10A gives a drive command to the nozzle drive motor 543 to start moving the position adjustment jig PJ and the upper surface nozzle 51F to the jig wafer JW. Simultaneously with the start of this movement, the arithmetic processing unit 10A starts counting the moving distance of the jig wafer JW, and continues counting until the lower end of the position adjustment jig PJ comes into contact with the end surface of the jig wafer JW ( Step S226). Then, as in the first embodiment, the arithmetic processing unit 10A detects the contact of the position adjustment jig PJ with the jig wafer JW based on the fluctuation of the current value of the nozzle drive motor 543 (step S227). Of course, the above optical detection may be used to detect the contact of the position adjustment jig PJ with the jig wafer JW.

治具ウェハJWの端面への位置調整治具PJの当接と同時に、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543に移動停止指令を与え、径方向Xに沿った上面ノズル51Fの移動を停止させる。これにより、図12の(b)欄に示すように、位置調整治具PJが治具ウェハJWの端面に当接した姿勢で上面ノズル51Fは当接位置Peに位置する。また、これと並行して、演算処理部10AはステップS205でカウントされた移動距離を記憶部10Bに保存する(ステップS228)。この移動距離は、この移動距離は、ホーム位置Phから当接位置Peまでに上面ノズル51Fが移動した距離を意味しており、本発明の「第3距離」の一例に相当している。そこで、以下においては、当該移動距離を第3距離M3と称する。 Simultaneously with the contact of the position adjustment jig PJ to the end surface of the jig wafer JW, the arithmetic processing unit 10A gives a movement stop command to the nozzle drive motor 543 to stop the movement of the upper surface nozzle 51F along the radial direction X. . As a result, as shown in column (b) of FIG. 12, the upper surface nozzle 51F is located at the contact position Pe with the position adjustment jig PJ in contact with the end surface of the jig wafer JW. In parallel with this, the arithmetic processing unit 10A stores the moving distance counted in step S205 in the storage unit 10B (step S228). This moving distance means the distance that the upper surface nozzle 51F has moved from the home position Ph to the contact position Pe, and corresponds to an example of the "third distance" of the present invention. Therefore, hereinafter, the moving distance will be referred to as a third distance M3.

次に、演算処理部10Aは、図12の(c)欄に示すように、位置調整治具PJがオペレータによって取り外された(ステップS229)後で、第4距離M4を記憶部10Bから読み出し、ノズル駆動モータ543に駆動指令を与え、図12の(d)欄に示すように、回転軸AXに向かう方向、つまり(-X)方向に第4距離M4だけ上面ノズル51Fをさらに移動させる(ステップS230)。この移動後の上面ノズル51Fは設計通りであれば、ベベル処理位置Ptに位置しているはずである。ベベル処理位置Ptでの上面ノズル51Fの位置決めがオペレータに確認されるのを待って、演算処理部10Aはノズル移動距離Mを決定する。ここで、上面ノズル51Fのベベル処理位置Ptへの位置決めが確認されなかった場合(ステップS231で「NO」)には、キャリブレーション処理を中断し、エラー処理に進む。 Next, as shown in column (c) of FIG. 12, after the position adjustment jig PJ is removed by the operator (step S229), the arithmetic processing unit 10A reads the fourth distance M4 from the storage unit 10B, A drive command is given to the nozzle drive motor 543 to further move the upper surface nozzle 51F by a fourth distance M4 in the direction toward the rotation axis AX, that is, in the (-X) direction, as shown in column (d) of FIG. S230). If the upper surface nozzle 51F after this movement is as designed, it should be located at the bevel processing position Pt. After waiting for the operator to confirm the positioning of the upper surface nozzle 51F at the bevel processing position Pt, the arithmetic processing unit 10A determines the nozzle movement distance M. Here, if the positioning of the upper surface nozzle 51F to the bevel processing position Pt is not confirmed ("NO" in step S231), the calibration process is interrupted and the process proceeds to error processing.

ステップS231でベベル処理位置Ptへの位置決めが確認されると、演算処理部10Aは、ステップS228で得られた第3距離M3に上記第4距離M4を加算してノズル移動距離Mを算出する(ステップS232)。このノズル移動距離Mは記憶部10Bに保存される。また、演算処理部10Aは、ノズル駆動モータ543にホーム復帰指令を与え、上面ノズル51Fをホーム位置Phに戻す(ステップS233)。より具体的には、上面ノズル51Fが(+X)方向にノズル移動距離Mだけ移動され、治具ウェハJWから離間する。さらに、演算処理部10Aは、ポンプ26に負圧停止指令を与え、スピンチャック21への負圧付与を停止する。 When positioning to the bevel processing position Pt is confirmed in step S231, the arithmetic processing unit 10A calculates the nozzle movement distance M by adding the fourth distance M4 to the third distance M3 obtained in step S228 ( Step S232). This nozzle movement distance M is stored in the storage section 10B. The arithmetic processing unit 10A also gives a home return command to the nozzle drive motor 543 to return the top nozzle 51F to the home position Ph (step S233). More specifically, the upper surface nozzle 51F is moved by a nozzle movement distance M in the (+X) direction and separated from the jig wafer JW. Furthermore, the arithmetic processing unit 10A gives a negative pressure stop command to the pump 26 to stop applying negative pressure to the spin chuck 21.

ステップS234では、治具ウェハJWがスピンチャック21から搬出される。こうしてキャリブレーション処理が完了すると、オペレータにより雰囲気分離機構6が元に戻される。上記搬出作業、いわゆるアンローディング作業は、オペレータにより行われてもよいし、基板搬送ロボット111により行われてもよい。なお、キャリブレーション処理に続いて、第1実施形態と同様のベベル処理が実行される。 In step S234, the jig wafer JW is carried out from the spin chuck 21. When the calibration process is thus completed, the atmosphere separation mechanism 6 is returned to its original position by the operator. The above-mentioned unloading operation, so-called unloading operation, may be performed by an operator or by the substrate transfer robot 111. Note that, following the calibration process, bevel processing similar to that in the first embodiment is executed.

以上のように、第2実施形態においても、従来技術よりも少ないオペレータ作業で、上面ノズル51Fに取り付けられた位置調整治具PJが治具ウェハJWの端面に当接するまでの上面ノズル51Fの移動距離(第3距離M3)と、位置調整治具PJが治具ウェハJWの端面に当接した姿勢の上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptまで径方向Xに沿って移動させるのに要する距離(第4距離)とが取得される。そして、それらの合計値をノズル移動距離Mとして求めている。したがって、第2実施形態においても、第1実施形態と同等に、オペレータ毎にノズル移動距離Mが相違するという従来の問題を解消し、液供給位置を高精度に調整することが可能となっている。また、オペレータ作業が少なくなることで、基板処理に要するトータルコストの削減、基板処理装置1間やチャンバ11間での位置決め精度誤差も少なくなる。その結果、ベベル処理を安定して実行することができる。 As described above, in the second embodiment as well, the upper surface nozzle 51F can be moved until the position adjustment jig PJ attached to the upper surface nozzle 51F comes into contact with the end surface of the jig wafer JW with less operator work than in the conventional technology. The distance (third distance M3) and the distance (third distance M3) required to move the upper surface nozzle 51F in the position where the position adjustment jig PJ is in contact with the end surface of the jig wafer JW along the radial direction X to the bevel processing position Pt. 4 distance) is obtained. Then, the total value of these values is determined as the nozzle moving distance M. Therefore, in the second embodiment, as in the first embodiment, the conventional problem of the nozzle moving distance M being different for each operator can be solved, and the liquid supply position can be adjusted with high precision. There is. Further, since the operator's work is reduced, the total cost required for substrate processing is reduced, and errors in positioning accuracy between substrate processing apparatuses 1 and between chambers 11 are also reduced. As a result, bevel processing can be stably executed.

また、第4距離M4は、ベベル処理位置Ptと、位置調整治具PJおよび基板Wの径方向サイズとにより設計的に決まっている値であることから、第3距離M3を計測した直後にノズル移動距離Mを算出することも可能である。つまり、図11中のステップS230~S232を省略し、直ちにステップS233に進んでもよい。これにより、キャリブレーション処理に要する時間を短縮することができる。ただし、第1実施形態と同様に、上面ノズル51Fをベベル処理位置Ptまで移動させ、治具ウェハJWに対する上面ノズル51Fの相対位置を確認した後でノズル移動距離Mが決定される。したがって、より高精度にノズル位置調整を行うことができる。 In addition, since the fourth distance M4 is a value determined by design based on the bevel processing position Pt and the radial size of the position adjustment jig PJ and the substrate W, the nozzle It is also possible to calculate the moving distance M. That is, steps S230 to S232 in FIG. 11 may be omitted and the process may immediately proceed to step S233. Thereby, the time required for the calibration process can be shortened. However, similarly to the first embodiment, the nozzle movement distance M is determined after the upper surface nozzle 51F is moved to the bevel processing position Pt and the relative position of the upper surface nozzle 51F with respect to the jig wafer JW is confirmed. Therefore, the nozzle position can be adjusted with higher precision.

また、第3距離M3の計測に先立って、治具ウェハJWに対するセンタリング処理を実行しているので、第3距離M3を安定して求めることができる。 Moreover, since the centering process for the jig wafer JW is performed prior to measuring the third distance M3, the third distance M3 can be stably determined.

さらに、第2実施形態では、第3距離M3の計測の前後で上面ノズル51Fに対する位置調整治具PJの着脱を行っており、上面ノズル51Fの高さ位置を常時、ベベル処理位置Ptと同じ高さ位置に維持することができ、キャリブレーション処理およびベベル処理を安定して行うことができる。 Furthermore, in the second embodiment, the position adjustment jig PJ is attached to and removed from the top nozzle 51F before and after measuring the third distance M3, and the height position of the top nozzle 51F is always set at the same height as the bevel processing position Pt. The calibration process and bevel process can be performed stably.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、治具ウェハJWをセンタリングしたことで、治具ウェハJWの中心が回転軸AXとほぼ一致している。ただし、回転軸AXに対する治具ウェハJWの中心のズレ量、つまり偏心量をゼロとすることは難しく、例えば図13に示すように、径方向Xにおける治具ウェハJWの端面位置は周期的に変動し、偏心量Mdはゼロよりも大きくなる。そこで、第1実施形態において、ステップS203において治具ウェハJWの端面が最も(+X)方向に位置するときの回転角で治具ウェハJWを吸着保持するとともに、ステップS211において演算処理部10Aは次式、
ノズル移動距離M=M1+M2+Md
にしたがってノズル移動距離Mを算出するように構成してもよい(第3実施形態)。また、第2実施形態において、ステップS223において治具ウェハJWの端面が最も(+X)方向に位置するときの回転角で治具ウェハJWを吸着保持するとともに、ステップS232において演算処理部10Aは次式、
ノズル移動距離M=M3+M4+Md
にしたがってノズル移動距離Mを算出するように構成してもよい(第4実施形態)。これらの実施形態によれば、偏心の影響を抑制することができる。なお、治具ウェハJWの端面が最も(-X)方向に位置するときの回転角で治具ウェハJWを吸着保持してキャリブレーション処理を行う場合には、逆にMdだけ減算すればよい。このようにノズル移動距離Mを偏心量Mdだけ補正することで偏心の影響を最小化することができ、ノズル位置調整を高精度に実施可能となる。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above, and various changes other than those described above can be made without departing from the spirit thereof. For example, in the embodiment described above, by centering the jig wafer JW, the center of the jig wafer JW substantially coincides with the rotation axis AX. However, it is difficult to make the amount of deviation of the center of the jig wafer JW with respect to the rotation axis AX, that is, the amount of eccentricity, zero. For example, as shown in FIG. 13, the end face position of the jig wafer JW in the radial direction The eccentricity Md becomes larger than zero. Therefore, in the first embodiment, in step S203, the jig wafer JW is suctioned and held at the rotation angle at which the end surface of the jig wafer JW is located most in the (+X) direction, and in step S211, the arithmetic processing unit 10A formula,
Nozzle movement distance M=M1+M2+Md
The nozzle movement distance M may be calculated according to (third embodiment). In addition, in the second embodiment, in step S223, the jig wafer JW is suctioned and held at the rotation angle when the end surface of the jig wafer JW is located most in the (+X) direction, and in step S232, the arithmetic processing unit 10A formula,
Nozzle movement distance M=M3+M4+Md
The nozzle movement distance M may be calculated according to (fourth embodiment). According to these embodiments, the influence of eccentricity can be suppressed. Note that when performing the calibration process by suctioning and holding the jig wafer JW at the rotation angle when the end surface of the jig wafer JW is located most in the (-X) direction, conversely, only Md may be subtracted. By correcting the nozzle moving distance M by the amount of eccentricity Md in this manner, the influence of eccentricity can be minimized, and the nozzle position can be adjusted with high precision.

また、上記実施形態では、雰囲気分離機構6を有する基板処理装置1に本発明を適用しているが、雰囲気分離機構6を有さない基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。また、回転カップ部31を有する基板処理装置に本発明を適用しているが、常時、静止したカップ部により基板Wから飛散する液滴を捕集する基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the present invention is applied to the substrate processing apparatus 1 having the atmosphere separation mechanism 6, but the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus not having the atmosphere separation mechanism 6. . Further, although the present invention is applied to a substrate processing apparatus having the rotating cup section 31, the present invention is also applicable to a substrate processing apparatus in which droplets scattered from the substrate W are always collected by a stationary cup section. can do.

この発明は、基板の径方向Xにおけるノズルの位置を調整するノズル位置調整方法および当該ノズル位置調整方法により位置調整されたノズルから処理液を基板に供給して処理する基板処理技術全般に本発明を適用することができる。 This invention relates to a nozzle position adjustment method for adjusting the position of a nozzle in the radial direction can be applied.

1…基板処理装置(処理ユニット)
10…制御ユニット
10A…演算処理部
10B…記憶部
10K…キャリブレーション部
10L…ノズル位置決め部
10K1…計測部
10K2…移動距離算出部
512…(上面ノズルの)係合面
51B…処理液吐出ノズル(上面ノズル)
543…(ノズル駆動)モータ
545…運動変換機構
548…バネ部材
AX…回転軸
JW…治具ウェハ
M…ノズル移動距離
M1…第1距離
M2…第2距離
M3…第3距離
M4…第4距離
Md…偏心量
Pe…当接位置
Ph…ホーム位置(離間位置)
PJ…位置調整治具
Pt…(ベベル)処理位置
Z…鉛直方向
1...Substrate processing equipment (processing unit)
10... Control unit 10A... Arithmetic processing section 10B... Storage section 10K... Calibration section 10L... Nozzle positioning section 10K1... Measurement section 10K2... Movement distance calculation section 512... Engagement surface (of the upper nozzle) 51B... Processing liquid discharge nozzle ( top nozzle)
543...(nozzle drive) motor 545...motion conversion mechanism 548...spring member AX...rotation axis JW...jig wafer M...nozzle movement distance M1...first distance M2...second distance M3...third distance M4...fourth distance Md... Eccentricity Pe... Contact position Ph... Home position (separated position)
PJ…position adjustment jig Pt…(bevel) processing position Z…vertical direction

Claims (16)

鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を前記基板に供給するノズルと、前記ノズルを前記基板の径方向に移動させるノズル移動部とを備える基板処理装置において、前記基板の端面から予め設定された位置に前記処理液を供給するために前記径方向において前記ノズルを処理位置に位置決めするノズル位置調整方法であって、
前記基板と同一形状の治具板を前記回転保持部で保持する第1工程と、
前記ノズルを前記回転保持部から離れた離間位置に位置させる第2工程と、
前記ノズルの係合面が前記回転保持部に保持された前記治具板の端面と対向する姿勢で、前記離間位置から前記治具板への前記ノズルの移動を開始する第3工程と、
前記第3工程の実行から前記係合面が前記治具板の端面に当接するまでに前記ノズルが移動した第1距離を計測する第4工程と、
前記係合面が前記治具板の端面に当接した姿勢の前記ノズルを前記処理位置まで前記径方向に沿って移動させるのに要する第2距離を前記第1距離に加算してノズル移動距離を求める第5工程と、を備え、
前記基板処理前に、前記第1工程ないし前記第5工程を実行する一方、
前記基板処理を実行する際には、前記第2工程を実行した後で、前記径方向において前記ノズルを前記ノズル移動距離だけ移動させることで、前記ノズルを前記処理位置に位置決めすることを特徴とするノズル位置調整方法。
A rotation holding unit that holds and rotates a substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, a nozzle that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate, and a nozzle moving unit that moves the nozzle in the radial direction of the substrate. A nozzle position adjustment method for positioning the nozzle at a processing position in the radial direction in order to supply the processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate in a substrate processing apparatus comprising:
a first step of holding a jig plate having the same shape as the substrate in the rotation holding section;
a second step of locating the nozzle at a separate position away from the rotation holding part;
a third step of starting the movement of the nozzle from the separated position to the jig plate in a posture in which the engagement surface of the nozzle faces the end face of the jig plate held by the rotation holding part;
a fourth step of measuring a first distance traveled by the nozzle from execution of the third step until the engagement surface abuts the end surface of the jig plate;
A nozzle movement distance is determined by adding a second distance required to move the nozzle in a posture in which the engagement surface is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position to the first distance. A fifth step of determining
While performing the first step to the fifth step before the substrate processing,
When performing the substrate processing, after performing the second step, the nozzle is positioned at the processing position by moving the nozzle by the nozzle movement distance in the radial direction. How to adjust the nozzle position.
請求項1に記載のノズル位置調整方法であって、
前記第5工程は、前記基板処理装置の記憶部に予め記憶された前記第2距離を前記記憶部から読み出して実行されるノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 1,
The fifth step is a nozzle position adjustment method executed by reading out the second distance stored in advance in a storage unit of the substrate processing apparatus from the storage unit.
請求項1に記載のノズル位置調整方法であって、
前記係合面が前記治具板の端面に当接した姿勢の前記ノズルを前記治具板の上方に移動させた後で、前記ノズルを前記径方向に前記第2距離に移動させる第6工程を、さらに備え、
前記基板処理前に、前記第6工程を実行するノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 1,
A sixth step of moving the nozzle in the radial direction to the second distance after moving the nozzle with the engagement surface in contact with the end surface of the jig plate above the jig plate. Furthermore,
A nozzle position adjustment method in which the sixth step is performed before the substrate processing.
鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、基板処理のための処理液を前記基板に供給するノズルと、前記ノズルを前記基板の径方向に移動させるノズル移動部とを備える基板処理装置において、前記基板の端面から予め設定された位置に前記処理液を供給するために前記径方向において前記ノズルを処理位置に位置決めするノズル位置調整方法であって、
前記基板と同一形状の治具板を前記回転保持部で保持する第7工程と、
前記ノズルを前記回転保持部から離れた離間位置に位置させる第8工程と、
前記第8工程の前後で、前記回転保持部に保持された前記治具板の端面と対向するように位置調整治具を前記ノズルに取り付ける第9工程と、
前記位置調整治具が前記治具板の端面と対向する姿勢で、前記離間位置から前記治具板への前記ノズルの移動を開始する第10工程と、
前記第10工程の実行から前記位置調整治具が前記治具板の端面に当接するまでに前記ノズルが移動した第3距離を計測する第11工程と、
前記位置調整治具が前記治具板の端面に当接した姿勢の前記ノズルを前記処理位置まで前記径方向に沿って移動させるのに要する第4距離を前記第3距離に加算してノズル移動距離を求める第12工程と、を備え、
前記基板処理前に、前記第7工程ないし前記第12工程を実行する一方、
前記基板処理を実行する際には、前記第8工程を実行した後で、前記径方向において前記ノズルを前記ノズル移動距離だけ移動させることで、前記ノズルを前記処理位置に位置決めすることを特徴とするノズル位置調整方法。
A rotation holding unit that holds and rotates a substrate around a rotation axis extending in the vertical direction, a nozzle that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate, and a nozzle moving unit that moves the nozzle in the radial direction of the substrate. A nozzle position adjustment method for positioning the nozzle at a processing position in the radial direction in order to supply the processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate in a substrate processing apparatus comprising:
a seventh step of holding a jig plate having the same shape as the substrate in the rotation holding section;
an eighth step of locating the nozzle at a separate position away from the rotation holding part;
Before and after the eighth step, a ninth step of attaching a position adjustment jig to the nozzle so as to face an end surface of the jig plate held by the rotation holding part;
a tenth step of starting movement of the nozzle from the separated position to the jig plate with the position adjustment jig facing an end surface of the jig plate;
an eleventh step of measuring a third distance traveled by the nozzle from execution of the tenth step until the position adjustment jig comes into contact with the end surface of the jig plate;
moving the nozzle by adding a fourth distance required for moving the nozzle in a posture in which the position adjustment jig is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position to the third distance; A twelfth step of calculating the distance,
While performing the seventh step to the twelfth step before the substrate processing,
When performing the substrate processing, after performing the eighth step, the nozzle is positioned at the processing position by moving the nozzle by the nozzle movement distance in the radial direction. How to adjust the nozzle position.
請求項4に記載のノズル位置調整方法であって、
前記第12工程は、前記基板処理装置の記憶部に予め記憶された前記第4距離を前記記憶部から読み出して実行されるノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 4,
The twelfth step is a nozzle position adjustment method that is executed by reading out the fourth distance previously stored in a storage unit of the substrate processing apparatus from the storage unit.
請求項4に記載のノズル位置調整方法であって、
前記治具板の端面に当接した前記位置調整治具を前記ノズルから取り外した後で、前記ノズルを前記径方向に前記第4距離に移動させる第13工程を、さらに備え、
前記第10工程での前記姿勢は、前記ノズルが前記治具板の上方に位置する一方で前記位置調整治具の下端部が前記鉛直方向において前記治具板と同一の高さに位置する姿勢であり、
前記第13工程は、前記基板処理前に実行されるノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 4,
further comprising a thirteenth step of moving the nozzle to the fourth distance in the radial direction after removing the position adjustment jig that is in contact with the end surface of the jig plate from the nozzle,
The attitude in the tenth step is such that the nozzle is located above the jig plate, while the lower end of the position adjustment jig is located at the same height as the jig plate in the vertical direction. and
The thirteenth step is a nozzle position adjustment method performed before the substrate processing.
請求項1ないし6のいずれか一項に記載のノズル位置調整方法であって、
前記基板処理を実行する前に、前記回転保持部に保持された前記基板の中心の前記回転軸に対する偏心量を計測するとともに、前記偏心量に基づき前記ノズル移動距離を補正するノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to any one of claims 1 to 6,
Before performing the substrate processing, a nozzle position adjustment method that measures an amount of eccentricity of the center of the substrate held by the rotation holding unit with respect to the rotation axis, and corrects the nozzle movement distance based on the amount of eccentricity.
請求項7に記載のノズル位置調整方法であって、
前記回転保持部による前記治具板の保持前に、前記治具板の中心を前記回転軸に一致させるセンタリング処理を実行し、
前記補正は、補正前の前記ノズル移動距離に前記偏心量を加えることであるノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 7,
Before holding the jig plate by the rotation holding unit, performing a centering process to align the center of the jig plate with the rotation axis,
The nozzle position adjustment method wherein the correction is performed by adding the eccentricity amount to the nozzle movement distance before correction.
請求項1ないし6のいずれか一項に記載のノズル位置調整方法であって、
前記ノズル移動部が前記ノズルを移動させるための駆動源としてモータを有するとき、
前記治具板の端面への当接を前記モータに与えられる電流の変動または前記モータにかかる負荷の変動に基づいて検知するノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to any one of claims 1 to 6,
When the nozzle moving unit has a motor as a drive source for moving the nozzle,
A nozzle position adjustment method in which contact with an end surface of the jig plate is detected based on fluctuations in current applied to the motor or fluctuations in load applied to the motor.
請求項1ないし6のいずれか一項に記載のノズル位置調整方法であって、
前記治具板の端面への当接を前記ノズルに取り付けられた光学部品により検知するノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to any one of claims 1 to 6,
A nozzle position adjustment method in which contact with an end surface of the jig plate is detected by an optical component attached to the nozzle.
請求項1ないし6のいずれか一項に記載のノズル位置調整方法であって、
前記ノズル移動部が、モータおよび前記モータの回転運動を直線運動に変換する運動変換機構を有する直動アクチュエータを有するとき、
前記ノズルを前記離間位置に位置させるときには、前記運動変換機構に含まれるバックラッシが前記径方向の一方側に片寄って存在するように前記ノズルを位置決めするノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to any one of claims 1 to 6,
When the nozzle moving unit includes a motor and a linear actuator having a motion conversion mechanism that converts rotational motion of the motor into linear motion,
When the nozzle is located at the separated position, the nozzle is positioned so that backlash included in the motion conversion mechanism is biased toward one side in the radial direction.
請求項11に記載のノズル位置調整方法であって、
前記離間位置に位置する前記ノズルに対し、前記回転軸に向かう付勢力は与えることで、前記バックラッシが前記径方向のうち前記回転軸に向かう方向に片寄らせるノズル位置調整方法。
The nozzle position adjustment method according to claim 11,
A nozzle position adjustment method for biasing the backlash in a direction toward the rotation axis in the radial direction by applying a biasing force toward the rotation axis to the nozzle located at the separated position.
鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、
基板処理のための処理液を前記基板に供給するノズルと、
前記ノズルを前記基板の径方向に移動させるノズル移動部と、
前記基板の端面から予め設定された位置に前記処理液を供給するための処理位置に前記ノズルが位置するように、前記ノズル移動部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理前に、前記基板と同一形状の治具板を用いて前記回転保持部から前記径方向に離れた離間位置に位置する前記ノズルを前記処理位置まで移動させるのに要するノズル移動距離を求めるキャリブレーション部と、
前記径方向において前記ノズルを前記離間位置から前記ノズル移動距離だけ移動させることで、前記ノズルを前記処理位置に位置決めするノズル位置決め部と、を有し、
前記キャリブレーション部が、
前記ノズルの係合面が前記回転保持部に保持された前記治具板の端面と対向する姿勢で前記離間位置から前記治具板への前記ノズルの移動を開始した後で、前記係合面が前記治具板の端面に当接するまでに前記ノズルが移動した第1距離を計測する計測部と、
前記係合面が前記治具板の端面に当接した姿勢の前記ノズルを前記処理位置まで前記径方向に沿って移動させるのに要する第2距離を前記第1距離に加算して前記ノズル移動距離を算出する移動距離算出部と、
を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
a rotation holding unit that holds and rotates the substrate around a rotation axis extending in the vertical direction;
a nozzle that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate;
a nozzle moving unit that moves the nozzle in a radial direction of the substrate;
a control unit that controls the nozzle moving unit so that the nozzle is located at a processing position for supplying the processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate;
The control unit includes:
Before the substrate processing, a nozzle movement distance required to move the nozzle located at a radially distant position from the rotation holding part to the processing position using a jig plate having the same shape as the substrate is determined. The desired calibration part and
a nozzle positioning unit that positions the nozzle at the processing position by moving the nozzle from the separated position by the nozzle movement distance in the radial direction;
The calibration section
After the nozzle starts moving from the separated position to the jig plate in a posture in which the engagement surface of the nozzle faces the end surface of the jig plate held by the rotation holding part, the engagement surface a measuring unit that measures a first distance traveled by the nozzle until it comes into contact with an end surface of the jig plate;
moving the nozzle by adding a second distance required to move the nozzle in a posture in which the engagement surface is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position to the first distance; a moving distance calculation unit that calculates the distance;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項13に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記処理液を吐出する吐出口を有するノズル本体部と、前記係合面を有し、前記ノズル本体部と一体化された係合部とを備え、
前記係合部の硬度は前記ノズル本体の硬度よりも高い基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 13,
The nozzle includes a nozzle body having a discharge port for discharging the processing liquid, and an engagement portion having the engagement surface and being integrated with the nozzle body,
The hardness of the engaging portion is higher than the hardness of the nozzle body.
鉛直方向に延びる回転軸まわりに基板を保持して回転させる回転保持部と、
基板処理のための処理液を前記基板に供給するノズルと、
前記ノズルを前記基板の径方向に移動させるノズル移動部と、
前記基板の端面から予め設定された位置に前記処理液を供給するための処理位置に前記ノズルが位置するように、前記ノズル移動部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理前に、前記基板と同一形状の治具板を用いて前記回転保持部から前記径方向に離れた離間位置に位置する前記ノズルを前記処理位置まで移動させるのに要するノズル移動距離を求めるキャリブレーション部と、
前記径方向において前記ノズルを前記離間位置から前記ノズル移動距離だけ移動させることで、前記ノズルを前記処理位置に位置決めするノズル位置決め部と、を有し、
前記キャリブレーション部が、
前記ノズルに取り付けられた位置調整治具が前記回転保持部に保持された前記治具板の端面と対向する姿勢で前記離間位置から前記治具板への前記ノズルの移動を開始した後で、前記位置調整治具が前記治具板の端面に当接するまでに前記ノズルが移動した第3距離を計測する計測部と、
前記位置調整治具が前記治具板の端面に当接した姿勢の前記ノズルを前記処理位置まで前記径方向に沿って移動させるのに要する第4距離を前記第3距離に加算して前記ノズル移動距離を算出する移動距離算出部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
a rotation holding unit that holds and rotates the substrate around a rotation axis extending in the vertical direction;
a nozzle that supplies a processing liquid for substrate processing to the substrate;
a nozzle moving unit that moves the nozzle in a radial direction of the substrate;
a control unit that controls the nozzle moving unit so that the nozzle is located at a processing position for supplying the processing liquid to a preset position from an end surface of the substrate;
The control unit includes:
Before the substrate processing, a nozzle movement distance required to move the nozzle located at a radially distant position from the rotation holding part to the processing position using a jig plate having the same shape as the substrate is determined. The desired calibration part and
a nozzle positioning unit that positions the nozzle at the processing position by moving the nozzle from the separated position by the nozzle movement distance in the radial direction;
The calibration section
After the position adjustment jig attached to the nozzle starts moving the nozzle from the separated position to the jig plate in a posture facing the end surface of the jig plate held by the rotation holding part, a measurement unit that measures a third distance that the nozzle has moved until the position adjustment jig comes into contact with an end surface of the jig plate;
A fourth distance required for moving the nozzle in a posture in which the position adjustment jig is in contact with the end surface of the jig plate along the radial direction to the processing position is added to the third distance, and the nozzle is adjusted. a moving distance calculation unit that calculates a moving distance;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項15に記載の基板処理装置であって、
前記位置調整治具の硬度は前記ノズルの高度よりも高い基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 15,
In the substrate processing apparatus, the hardness of the position adjustment jig is higher than the height of the nozzle.
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