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JP2023032665A - 基板の分割方法 - Google Patents

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修三 三谷
Shuzo Mitani
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Abstract

【課題】基板に形成された複数のチップ間隔を良好に広げる。【解決手段】改質層形成ステップの実施後かつチップ間隔拡張ステップの実施前に、密着ステップにおいて、基板１に対して、エキスパンドテープ２を密着させている。したがって、チップ間隔拡張ステップにて、エキスパンドテープ２を拡張した際に、改質層１０５を起点に基板１を良好に分割して複数のチップ１０７を良好に形成すること、および、複数のチップ１０７間の間隔１０９を良好に広げることが可能である。【選択図】図４

Description

本発明は、基板の分割方法に関する。
従来、特許文献１に示すように、内部に分割起点となる改質層が形成され、エキスパンドテープに貼着された基板を分割する方法として、エキスパンドテープを拡張することで、改質層を起点に基板を分割する、または既に改質層を起点に基板がチップへと分割されている場合はチップの間隔を広げる方法がある。
特開２０１２－１０９３３８号公報
しかし、上記の分割方法においてエキスパンドテープと基板との接着度が弱いと、エキスパンドテープを拡張した際に基板が一緒に拡張されず、チップに分割されない領域が基板に発生するおそれがある。
また、基板の裏面側にエキスパンドテープを貼着し、裏面側からエキスパンドテープ越しにレーザ光線を照射して基板に分割起点となる改質層を形成した後、エキスパンドテープを拡張して、分割起点に沿ってチップに分割、または既にチップに分割されている場合は、チップの間隔を広げるプロセスを実施する場合がある。
しかし、このプロセスにおいては、基板にエキスパンドテープを貼着してから、エキスパンドテープを拡張するまでに時間がかかる。このため、エキスパンドテープと基板との接着度が低下し、エキスパンドテープの拡張時に、チップ間隔を良好に広げることが困難となることがある。
したがって、本発明の目的は、エキスパンドテープの拡張によって、基板を良好に分割して複数のチップを形成すること、および、複数のチップ間の間隔を良好に広げることにある。
本発明の基板の分割方法は、基板を分割予定ラインに沿って分割する基板の分割方法であって、該基板の裏面にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップと、該エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、該基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を、該基板の内部に集光点を位置づけた状態で、分割予定ラインに沿って照射し、該基板の内部に分割起点となる改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの実施後に、該エキスパンドテープを拡張し、該改質層を起点に複数のチップ間に形成される間隔を広げるチップ間隔拡張ステップと、を備え、該改質層形成ステップの実施後かつ該チップ間隔拡張ステップの実施前に、該基板に該エキスパンドテープを密着させる密着ステップをさらに備える。
該密着ステップでは、該基板または該エキスパンドテープのいずれか一方を支持テーブルによって支持した状態で、いずれか他方に対してローラーを転動させてもよい。
該エキスパンドテープには、糊層が積層され、該チップ間隔拡張ステップにおいて、該糊層を該改質層に沿って分割してもよい。
本発明の基板の分割方法では、改質層形成ステップの実施後かつチップ間隔拡張ステップの実施前に、密着ステップにおいて、基板に対して、エキスパンドテープを密着させている。そのため、チップ間隔拡張ステップにて、エキスパンドテープを拡張した際に、基板がエキスパンドテープとともに引っ張られ、改質層を起点に基板を良好に分割して複数のチップを良好に形成すること、および、複数のチップ間の間隔を良好に広げることが可能である。
ワークセットを示す斜視図である。 エキスパンドテープ貼着ステップを示す説明図である。 改質層形成ステップを示す説明図である。 密着ステップを示す説明図である。 チップ間隔拡張ステップを示す説明図である。 チップ間隔拡張ステップを示す説明図である。 他の改質層形成ステップを示す説明図である。 他の密着ステップを示す説明図である。 研削ステップを示す説明図である。
［第１実施形態］
図１に示す円板状の基板１は、たとえば、円板状の半導体ウェーハであり、その材質は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素、またはＳｉＣ等である。基板１の表面１０には、格子状の分割予定ライン１００が形成されており、分割予定ライン１００によって区画された領域には、デバイス１０１が形成されている。
また、基板１の表面１０には、デバイス１０１を保護する保護シート５が、貼着されていてもよい。
本実施形態では、基板１は、図１に示すように、環状フレーム３およびエキスパンドテープ２を含むワークセット１９の状態で取り扱われる。
以下に、本実施形態にかかる基板の分割方法について説明する。この方法は、ワークセット１９を形成すること、および、形成されたワークセット１９における基板１を分割予定ライン１００に沿って分割すること、を含む。
（エキスパンドテープ貼着ステップ）
このステップでは、まず、環状フレーム３の円形の開口３０の内側に、基板１を位置づける。そして、基板１の裏面１１側から、基板１の裏面１１および環状フレーム３にエキスパンドテープ２を貼着する。これにより、ワークセット１９が形成される。
なお、エキスパンドテープ２の片側の面は、粘着性を有する粘着面２０である。さらに、エキスパンドテープ２の粘着面２０の中央部分には、糊層４が積層されている。糊層４は、たとえば、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）である。
基板１の裏面１１および環状フレーム３へのエキスパンドテープ２の貼着は、図２に示すエキスパンドテープ貼着装置１２によって行われる。エキスパンドテープ貼着装置１２は、第１支持テーブル６１と、ローラー１２０とを備えている。
第１支持テーブル６１は、基板１の表面１０に貼着された保護シート５および環状フレーム３を支持するための、支持面６１０を有している。ローラー１２０は、紙面奥行き方向（Ｙ軸方向）に延在する円筒状の部材である。ローラー１２０には、図示しない転動機構が接続されており、ローラー１２０は、この転動機構によってＸ軸方向に転動する。なお、保護シート５は基板１に貼着されず、支持面６１０の上に設置されていてもよい。
エキスパンドテープ貼着装置１２によって基板１の裏面１１および環状フレーム３にエキスパンドテープ２を貼着する際には、まず、第１支持テーブル６１の支持面６１０に、環状フレーム３を載置する。
また、支持面６１０における環状フレーム３の開口３０の内側に、基板１を、その表面１０を下側に向けて載置する。これにより、第１支持テーブル６１にて、基板１の裏面１１が露出される。
そして、環状フレーム３および基板１の裏面１１の上に、エキスパンドテープ２を、粘着面２０が下向きとなり、かつ、糊層４が基板１の裏面１１に重なるように載置する。これにより、エキスパンドテープ２の糊層４が基板１の裏面１１に接触して、糊層４が基板１の裏面１１に貼着される。さらに、エキスパンドテープ２における糊層４の外側の粘着面２０が環状フレーム３の上面に接触して、エキスパンドテープ２が環状フレーム３に貼着される。
次に、エキスパンドテープ２における粘着面２０とは反対側の面である接触面２１における＋Ｘ方向側の端部に、ローラー１２０を位置づけて、ローラー１２０を－Ｘ方向に転動させる。これにより、エキスパンドテープ２の糊層４が基板１の裏面１１に押し付けられて、糊層４と基板１の裏面１１との接着度が向上する。また、エキスパンドテープ２の粘着面２０が環状フレーム３に押し付けられて、粘着面２０と環状フレーム３との接着度が向上する。
このようにして、図１に示すような、基板１、エキスパンドテープ２および環状フレーム３が一体化されたワークセット１９が形成される。
なお、ローラー１２０が接触面２１の－Ｘ方向側の端部に位置づけられている状態で、第１支持テーブル６１を－Ｘ方向に水平移動させて、ローラー１２０を第１支持テーブル６１に対して相対的に＋Ｘ方向に移動させることによって、エキスパンドテープ２を基板１の裏面１１および環状フレーム３に押し付けてもよい。
（改質層形成ステップ）
このステップでは、エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、図３に示すレーザ加工装置１３によって、基板１の分割予定ライン１００に対するレーザ加工を行う。すなわち、このステップでは、基板１に対して透過性を有する波長のレーザ光線を、基板１の内部に集光点を位置づけた状態で、分割予定ライン１００に沿って照射し、基板１の内部に分割起点となる改質層を形成する。
レーザ加工装置１３は、図３に示すように、第２支持テーブル６２を備えている。第２支持テーブル６２は、ワークセット１９を支持するための支持面６２０を備えている。
第２支持テーブル６２の側方には、４つのフレーム固定ユニット６２８が、第２支持テーブル６２を囲むように配設されており、図３には、それらのフレーム固定ユニット６２８のうちの２つが示されている。フレーム固定ユニット６２８は、環状フレーム３を外周側から挟持して固定するクランプである。
また、第２支持テーブル６２は、図示しない水平移動機構に接続されている。第２支持テーブル６２およびフレーム固定ユニット６２８は、この水平移動機構によって一体的に水平移動する。
さらに、第２支持テーブル６２は、図示しない回転機構に接続されている。第２支持テーブル６２およびフレーム固定ユニット６２８は、この回転機構によって一体的に回転する。
また、レーザ加工装置１３は、支持面６２０に支持されたワークセット１９の基板１に対して、基板１に対して透過性を有する波長のレーザ光線７０を照射する照射ヘッド７を備えている。
基板１の分割予定ライン１００に対するレーザ加工を行う際には、まず、エキスパンドテープ貼着装置１２（図２参照）からワークセット１９を取り外し、図３に示すように、ワークセット１９の基板１を、その表面１０に貼着された保護シート５を下側に向けて、レーザ加工装置１３における第２支持テーブル６２の支持面６２０に載置する。これによって、第２支持テーブル６２が、基板１を、保護シート５を介して支持する。
このとき、第２支持テーブル６２に接続された図示しない吸引源を作動させて、吸引力を第２支持テーブル６の支持面６２０に伝達することにより、支持面６２０によって基板１を吸引保持してもよい。
また、フレーム固定ユニット６２８により、ワークセット１９の環状フレーム３を外周側から挟持して、環状フレーム３を固定する。
次いで、基板１が第２支持テーブル６２に支持されている状態で、レーザ加工装置１３の照射ヘッド７を、基板１の上方に位置づける。このとき、照射ヘッド７の向きを下向きにして、照射ヘッド７から照射されるレーザ光線７０が－Ｚ方向に向くようにする。また、レーザ光線７０の集光点７００が基板１の内部に位置づけられるように、照射ヘッド７の集光調整を行う。
さらに、レーザ光線７０の照射位置が、基板１における１つの分割予定ライン１００の－Ｘ方向側の端部に位置づけられるように、水平移動機構および回転機構によって、第２支持テーブル６２の位置を調整する。
そして、照射ヘッド７からレーザ光線７０を照射しつつ、水平移動機構によって第２支持テーブル６２を－Ｘ方向に移動させる。これにより、照射ヘッド７が、第２支持テーブル６２に支持された基板１に対して＋Ｘ方向に相対移動して、照射ヘッド７からのレーザ光線７０が、分割予定ライン１００に沿って照射される。
これにより、図４に示すように、基板１の内部に改質層１０５が形成される。この改質層１０５は、後述のチップ間隔拡張ステップにて基板１が分割される際に、基板１の分割起点となる。
その後、水平移動機構により、第２支持テーブル６２をＹ軸方向に移動させることにより、レーザ光線７０の照射位置を、既にレーザ光線７０が照射された分割予定ライン１００と平行な他の分割予定ライン１００に位置づけて、その分割予定ライン１００に対して同様にレーザ加工を行う。さらに、回転機構によって、第２支持テーブル６２を９０度回転させることにより、レーザ光線７０の照射位置を、既にレーザ光線７０が照射された分割予定ライン１００と交差する１つの分割予定ライン１００に位置づけて、この分割予定ライン１００に対して同様のレーザ加工を行う。
このようにして、最終的には、図１に示したすべての分割予定ライン１００に沿ってレーザ光線７０を照射して、基板１の内部に、各分割予定ライン１００に沿って改質層１０５を形成する。
（密着ステップ）
このステップでは、改質層形成ステップの実施後かつ後述のチップ間隔拡張ステップの実施前に、ワークセット１９の基板１にエキスパンドテープ２を密着させる。
基板１にエキスパンドテープ２を密着させる際には、ワークセット１９の基板１またはエキスパンドテープ２のいずれか一方をレーザ加工装置１３の第２支持テーブル６２によって支持した状態で、いずれか他方に対してローラーを転動させる。本実施形態では、図４に示すように、第２支持テーブル６２によって基板１を支持した状態で、エキスパンドテープ２に対して、レーザ加工装置１３に備えられたローラー１３０を転動させる。
このローラー１３０は、図２に示したエキスパンドテープ貼着装置１２のローラー１２０と同様に、紙面奥行き方向（Ｙ軸方向）に延在する円筒状の部材であり、図示しない転動機構によってＸ軸方向に転動するように構成されている。
具体的には、まず、第２支持テーブル６２によって基板１を支持した状態で、図４に示すように、エキスパンドテープ２の接触面２１の＋Ｘ方向側の部分に、ローラー１３０を接触させる。
そして、転動機構によってローラー１３０を－Ｘ方向に転動させることにより、ローラー１３０が、エキスパンドテープ２を基板１に押し付ける。これにより、基板１にエキスパンドテープ２が密着する。
このとき、ローラー１３０の転動動作によって基板１から分割されるチップに振動が生じ、改質層１０５を起点にして基板１の一部が分割されて、図６に示すようなチップ１０７が形成されてもよい。
なお、密着ステップにおいては、ローラー１３０を－Ｘ方向に転動させる代わりに、ローラー１３０を接触面２１における＋Ｘ方向側の端部に固定して、第２支持テーブル６２を＋Ｘ方向に水平移動させてもよい。この場合にも、ローラー１３０がエキスパンドテープ２を基板１に押し付けて、基板１にエキスパンドテープ２が密着する。
（チップ間隔拡張ステップ）
このステップでは、改質層形成ステップおよび密着ステップの実施後に、図５および図６に示すエキスパンダ１４によってエキスパンドテープ２を拡張し、改質層１０５を起点に複数のチップ１０７間に形成される間隔１０９を広げる。
エキスパンダ１４は、保持テーブル６３を備えている。保持テーブル６３は、ワークセット１９を保持するための保持面６３０を備えている。また、エキスパンダ１４は、保持テーブル６３の周囲に、環状フレーム３を固定する４つのフレーム保持ユニット６４を備えており、図５には、それらのフレーム保持ユニット６４のうちの２つが示されている。４つのフレーム保持ユニット６４は、たとえば、同一円周上に等しい間隔をあけて配設されている。フレーム保持ユニット６４は、環状フレーム３を外周側から挟持して固定する挟持クランプ６４８と、挟持クランプ６４８を支持する軸部６４４とを備えている。
また、エキスパンダ１４は、円筒状の４つの突き上げ部材９を備えており、図５には、それらの突き上げ部材９のうちの２つが示されている。４つの突き上げ部材９は、たとえば、４つのフレーム保持ユニット６４がなす円の内側において、同一円周上に等しい間隔をあけて配設されている。
突き上げ部材９および保持テーブル６３は、図示しない昇降機構に接続されており、この昇降機構によってＺ軸方向に昇降する。突き上げ部材９の上端には、球状のコロ部材９０が回転自在に取り付けられている。コロ部材９０は、突き上げ部材９がエキスパンドテープ２を突き上げる際に、エキスパンドテープ２の接触面２１に接触して摩擦を緩和する。
エキスパンドテープ２を拡張する際には、まず、レーザ加工装置１３（図４参照）からワークセット１９を取り外し、基板１から、その表面１０に貼着された保護シート５を剥離する。そして、図５に示すように、基板１の表面１０を上側に向けた状態で、ワークセット１９の基板１を、保持テーブル６３の保持面６３０に載置する。さらに、ワークセット１９の環状フレーム３を、４つのフレーム保持ユニット６４の挟持クランプ６４８によって挟持して固定する。
これにより、図５に示すように、ワークセット１９におけるエキスパンドテープ２の接触面２１に、突き上げ部材９のコロ部材９０が接触する。そして、この状態で、突き上げ部材９および保持テーブル６３を＋Ｚ方向に上昇させる。これにより、図６に示すように、コロ部材９０がエキスパンドテープ２を突き上げて、エキスパンドテープ２を面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に拡張する。
このようなエキスパンドテープ２の面方向への拡張に伴って、エキスパンドテープ２に貼着されている基板１に、放射状の引張力が加えられる。その結果、改質層１０５を起点に、基板１が分割されて複数のチップ１０７が形成されて、複数のチップ１０７間に間隔１０９が形成される。また、形成された各チップ１０７間の間隔１０９が、所定の大きさに広げられる。
また、チップ間隔拡張ステップにおいては、上記のようにエキスパンドテープ２を拡張した際に、エキスパンドテープ２に積層された糊層４も、改質層１０５に沿って分割される。つまり、チップ間隔拡張ステップでは、エキスパンドテープ２の拡張によって、改質層１０５に沿って、基板１と糊層４とが一体的に分割される。
以上のように、本実施形態では、改質層形成ステップの実施後かつチップ間隔拡張ステップの実施前に、密着ステップにおいて、基板１に対してエキスパンドテープ２を密着させている。そのため、たとえば、時間経過により基板１とエキスパンドテープ２との接着度が低下した場合でも、密着ステップの実施により、両者の接着度を回復させることができる。したがって、チップ間隔拡張ステップにて、エキスパンドテープ２を拡張した際に、基板１がエキスパンドテープ２とともに引っ張られ、改質層１０５を起点に基板１を良好に分割して複数のチップ１０７を良好に形成すること、および、複数のチップ１０７間の間隔１０９を良好に広げることが可能である。また、密着ステップによって、ローラー１３０が基板に圧力をかけながら転動することで、ローラー１３０の押圧によるチップ１０７の微少な動きにより、改質層１０５を起点にクラックが伸展し、チップ間隔拡張ステップおいて、チップ１０７間の間隔１０９が良好に広がる効果もある。
また、本実施形態では、密着ステップにおいて、第２支持テーブル６２によって基板１を支持した状態で、エキスパンドテープ２に対してローラー１３０を転動させている。従って、基板１に対して、エキスパンドテープ２を容易に密着させることができる。なお、密着ステップは、レーザ加工装置１３の第２支持テーブル６２ではなく、エキスパンダ１４の保持テーブル６３に基板１が支持された状態で実施しても良い。
また、基板１に貼着されるエキスパンドテープ２には糊層４が積層されており、この糊層４は、チップ間隔拡張ステップにおいて、基板１とともに、改質層１０５に沿って分割される。この分割された各糊層４は、チップ１０７を積層する際に、接着材の役割を果たす。
なお、チップ間隔拡張ステップにおいては、図６に示すように各チップ１０７間の間隔１０９を所定の大きさに広げた後、保持テーブル６３の保持面６３０を吸引源（図示せず）に接続させて、保持面６３０によって、エキスパンドテープ２側から、各チップ１０７を吸引保持してもよい。これにより、各チップ１０７間の間隔１０９を維持することができる。
［第２実施形態］
本実施形態では、改質層形成ステップにおいて、レーザ光線７０を第２支持テーブル６２越しに基板１に照射する点が、第１実施形態と異なる。以下に、本実施形態にかかる基板の分割方法について説明する。
（エキスパンドテープ貼着ステップ）
本実施形態でも、まず、図２に示すように、第１実施形態のエキスパンドテープ貼着ステップと同様にして、基板１の裏面１１にエキスパンドテープ２を貼着することによって、ワークセット１９を形成する。
（改質層形成ステップ）
このステップでは、エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、図７に示すように、上述したレーザ加工装置１３によって基板１の分割予定ライン１００に対するレーザ加工を行う。
レーザ加工装置１３は、上述したように、第２支持テーブル６２およびフレーム固定ユニット６２８を備えており、これらは、図示しない水平移動機構および回転機構によって水平移動あるいは回転移動される。ただし、本実施形態では、第２支持テーブル６２が、照射ヘッド７から照射されるレーザ光線７０を透過する素材である半透明体または透明体（たとえばガラス）からなる。
本実施形態では、レーザ加工装置１３によって基板１の分割予定ライン１００に対するレーザ加工を行う際には、まず、図７に示すように、ワークセット１９におけるエキスパンドテープ２の接触面２１を下側に向けて、ワークセット１９の基板１を、エキスパンドテープ２を介して、第２支持テーブル６２の支持面６２０に載置する。これによって、第２支持テーブル６２が、エキスパンドテープ２を支持する（すなわち、第２支持テーブル６２が、エキスパンドテープ２を介して、基板１を支持する）。
このとき、第２支持テーブル６２に接続された図示しない吸引源を作動して、吸引力を第２支持テーブル６２の支持面６２０に伝達させることにより、支持面６２０によってエキスパンドテープ２を吸引保持してもよい。
また、フレーム固定ユニット６２８により、ワークセット１９の環状フレーム３を外周側から挟持して、環状フレーム３を固定する。
次いで、基板１が第２支持テーブル６２に支持されている状態で、照射ヘッド７を、第２支持テーブル６２の下方に位置づける。また、図７に示すように、照射ヘッド７の向きを上向きにして、照射ヘッド７から照射されるレーザ光線７０が＋Ｚ方向に向くようにする。さらに、レーザ光線７０が、第２支持テーブル６２を透過して基板１に向けて照射されて、その集光点７００が基板１の内部に位置づけられるように、照射ヘッド７の集光調整を行う。
さらに、レーザ光線７０の照射位置が、基板１における１つの分割予定ライン１００の－Ｘ方向側の端部に位置づけられるように、水平移動機構および回転機構によって、第２支持テーブル６２の位置を調整する。
そして、照射ヘッド７からレーザ光線７０を照射しつつ、上述の図示しない水平移動機構によって第２支持テーブル６２およびフレーム固定ユニット６２８を－Ｘ方向に移動させる。これにより、照射ヘッド７が、第２支持テーブル６２に支持された基板１に対して＋Ｘ方向に相対移動して、照射ヘッド７からのレーザ光線７０が、分割予定ライン１００に沿って照射される。これにより、図８に示すように、基板１の内部に改質層１０５が形成される。
その後、第１実施形態と同様に、水平移動機構および回転機構によって第２支持テーブル６２を移動させながらレーザ光線７０の照射を行うことにより、基板１の内部に、全ての分割予定ライン１００に沿って改質層１０５を形成する。
なお、第２実施形態における改質層形成ステップの実施時には、基板１の表面１０に保護シート５が貼着されていなくてもよい。
（密着ステップ）
このステップでは、第１実施形態と同様に、改質層形成ステップの実施後かつチップ間隔拡張ステップの実施前に、ワークセット１９の基板１にエキスパンドテープ２を密着させる。なお、上記の改質層形成ステップを、基板１の表面１０に保護シート５が貼着されていない状態で行った場合には、密着ステップの開始時に、基板１の表面１０に保護シート５を貼着しておく。
基板１にエキスパンドテープ２を密着させる際には、本実施形態では、図８に示すように、第２支持テーブル６２によってエキスパンドテープ２を支持した状態で、基板１に対してローラー１３０を転動させる。
具体的には、まず、第２支持テーブル６２によってエキスパンドテープ２を支持した状態で、基板１に貼着された保護シート５の表面５０の＋Ｘ方向側の端部にローラー１３０を接触させる。
そして、図示しない転動機構によってローラー１３０を－Ｘ方向に転動させることにより、エキスパンドテープ２が基板１に押し付けられて、基板１にエキスパンドテープ２が密着する。
なお、第１実施形態における密着ステップと同様に、ローラー１３０の転動動作によって基板１の内部に振動が伝わり、改質層１０５を起点に基板１の一部が分割されて、図６に示すようなチップ１０７が形成されてもよい。
また、密着ステップでは、ローラー１３０を－Ｘ方向に転動させる代わりに、ローラー１３０を接触面２１における＋Ｘ方向側の端部に固定して、第２支持テーブル６２を＋Ｘ方向に水平移動させてもよい。
（チップ間隔拡張ステップ）
このステップでは、第１実施形態でのチップ間隔拡張ステップと同様にして、図５および図６に示したエキスパンダ１４によって、エキスパンドテープ２を拡張し、改質層１０５を起点に複数のチップ１０７間に形成される間隔１０９を広げる。すなわち、エキスパンドテープ２の拡張によって、改質層１０５を起点に、基板１を分割して複数のチップ１０７を形成するとともに、形成された各チップ１０７の間隔１０９を所定の大きさに広げる。
また、第１実施形態でのチップ間隔拡張ステップと同様に、エキスパンドテープ２を拡張した際に、エキスパンドテープ２に積層された糊層４を、改質層１０５に沿って分割する。つまり、エキスパンドテープ２の拡張によって、基板１と糊層４とが一体的に分割される。
以上のように、第２実施形態でも、改質層形成ステップの実施後かつチップ間隔拡張ステップの実施前に、密着ステップにおいて、基板１に対して、エキスパンドテープ２を密着させている。そのため、チップ間隔拡張ステップにて、エキスパンドテープ２を拡張した際に、改質層１０５を起点に基板１を良好に分割して複数のチップ１０７を良好に形成すること、および、複数のチップ１０７間の間隔１０９を良好に広げることが可能である。
また、第２実施形態では、密着ステップにおいて、第２支持テーブル６２によってエキスパンドテープ２を支持した状態で、基板１に対してローラー１３０を転動させている。したがって、第１実施形態での密着ステップと同様に、基板１に対して、エキスパンドテープ２を容易に密着させることができる。
なお、第１および第２実施形態では、密着ステップを、レーザ加工装置１３において、第２支持テーブル６２およびローラー１３０を用いて実施している。これに関し、密着ステップを、エキスパンダ１４において、図示しない密着ステップ用の支持テーブルおよびローラーを用いて実施してもよい。あるいは、密着ステップを、レーザ加工装置１３およびエキスパンダ１４とは別の、支持テーブルおよびローラーを備えた図示しない独立した密着装置によって実施してもよい。
また、チップ間隔拡張ステップにおいては、突き上げ部材９によってエキスパンドテープ２を拡張する代わりに、図示しない円柱状の拡張ドラムによって、エキスパンドテープ２の接触面２１を支持して、この拡張ドラムを上昇させることによって、エキスパンドテープ２を下から押し上げて拡張してもよい。
さらに、第１および第２実施形態に示した基板の分割方法は、エキスパンドテープ貼着ステップの実施前に実施される研削ステップを備えていてもよい。この研削ステップは、図９に示す研削装置１５によって実施される。研削装置１５は、研削機構８およびチャックテーブル６９を備えている。研削ステップでは、チャックテーブル６９に保持された基板１の裏面１１を、研削機構８によって仕上げ厚みに研削する。
研削機構８は、スピンドル８０と、Ｚ軸方向の回転軸８５を軸にしてスピンドル８０を回転させるスピンドルモータ８２と、スピンドル８０の下端に配置されたマウント８３と、マウント８３に装着された研削ホイール８４とを備えている。研削ホイール８４は、ホイール基台８４１と、ホイール基台８４１の下面に環状に配列された略直方体状の複数の研削砥石８４０とを備えている。研削砥石８４０は、たとえば仕上げ研削砥石である。
研削機構８は、図示しない昇降機構に接続されており、この昇降機構によってＺ軸方向に昇降可能である。
チャックテーブル６９の上面は、基板１を保持するための保持面６９０である。チャックテーブル６９は、図示しない回転機構に接続されており、保持面６９０の中心を通るＺ軸方向の回転軸６５を軸にして回転可能である。
研削機構８による基板１の裏面１１の研削の際には、チャックテーブル６９の保持面６９０に、基板１を、その表面１０に貼着された保護シート５を下側に向けて載置する。そして、保持面６９０に接続された図示しない吸引源によって、保護シート５の表面５０を吸引する。これにより、チャックテーブル６９が、保持面６９０によって、保護シート５を介して基板１を吸引保持する。
次いで、図示しない回転機構により、Ｚ軸方向の回転軸６５を軸にしてチャックテーブル６９を回転させて、チャックテーブル６９に保持された基板１を回転させる。また、スピンドルモータ８２により、回転軸８５を軸にして研削砥石８４０を回転させる。この状態で、図示しない昇降機構によって研削砥石８４０を－Ｚ方向に下降させことにより、研削砥石８４０の下面８４２が、基板１の裏面１１に接触し、この裏面１１を研削する。研削機構８による基板１の研削中には、たとえば、図示しない厚み測定機構による基板１の厚み測定が行われ、基板１の裏面１１が仕上げ厚みに研削されたら、研削を終了する。
１：基板 １０：表面 １１：裏面
１００：分割予定ライン １０１：デバイス １０５：改質層 １０７：チップ
１０９：チップ間の間隔
２：エキスパンドテープ ２０：粘着面 ２１：接触面
３：環状フレーム ３０：開口
４：糊層 ５：保護シート ５０：表面 １９：ワークセット
６１：第１支持テーブル ６２：第２支持テーブル ６３：保持テーブル
６４：フレーム保持ユニット ６５：回転軸 ６９：チャックテーブル
６１０：支持面 ６２０：支持面 ６２８：フレーム固定ユニット
６４４：軸部 ６４８：挟持クランプ ６９０：保持面
７：照射ヘッド ７０：レーザ光線 ７００：集光点
８：研削機構 ８０：スピンドル ８２：スピンドルモータ ８３：マウント
８４：研削ホイール ８４１：ホイール基台 ８４０：研削砥石 ８４２：下面
８５：回転軸
９：突き上げ部材 ９０：コロ部材
１２：エキスパンドテープ貼着装置 １３：レーザ加工装置 １４：エキスパンダ
１５：研削装置
１２０：ローラー １３０：ローラー

Claims (3)

  1. 基板を分割予定ラインに沿って分割する基板の分割方法であって、
    該基板の裏面にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップと、
    該エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、該基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を、該基板の内部に集光点を位置づけた状態で、分割予定ラインに沿って照射し、該基板の内部に分割起点となる改質層を形成する改質層形成ステップと、
    該改質層形成ステップの実施後に、該エキスパンドテープを拡張し、該改質層を起点に複数のチップ間に形成される間隔を広げるチップ間隔拡張ステップと、を備え、
    該改質層形成ステップの実施後かつ該チップ間隔拡張ステップの実施前に、該基板に該エキスパンドテープを密着させる密着ステップをさらに備えることを特徴とする、
    基板の分割方法。
  2. 該密着ステップでは、該基板または該エキスパンドテープのいずれか一方を支持テーブルによって支持した状態で、いずれか他方に対してローラーを転動させることを特徴とする、
    請求項１に記載の基板の分割方法。
  3. 該エキスパンドテープには、糊層が積層され、
    該チップ間隔拡張ステップにおいて、該糊層を該改質層に沿って分割することを特徴とする、
    請求項１に記載の基板の分割方法。
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