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JP2023023670A - ceramic heater - Google Patents

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JP2023023670A
JP2023023670A JP2021129395A JP2021129395A JP2023023670A JP 2023023670 A JP2023023670 A JP 2023023670A JP 2021129395 A JP2021129395 A JP 2021129395A JP 2021129395 A JP2021129395 A JP 2021129395A JP 2023023670 A JP2023023670 A JP 2023023670A
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JP
Japan
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joint
ceramic
joint portion
shaft
vertical direction
Prior art date
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Pending
Application number
JP2021129395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
浩正 下嶋
Hiromasa Shimojima
徹夫 北林
Tetsuo Kitabayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

To provide a ceramic heater capable of suppressing heat from escaping from a ceramic base material to a shaft.SOLUTION: A ceramic heater 100 includes a ceramic substrate 110, an electrode foil 120, and a shaft 130, and in a region where a groove 114 is formed on the side surface of a bonding portion 113 of the ceramic substrate 110, there are a first position P1, a second position P2, and a third position P3 arranged in order upward from the bonding surface 113a, the width L1 of the bonding portion 113 at the first position P1, the width L2 of the bonding portion 113 at the second position P2, and the width L3 of the bonding portion 113 at the third position P3 satisfying L2<L1 and L2<L3<2LS.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、セラミックスヒータに関する。 The present invention relates to ceramic heaters.

特許文献1には、上面に被加熱物が載置されるセラミックス基材と、前記セラミックス基材に埋設された発熱抵抗体と、セラミックス基材を支持する支持部材(シャフト)を備えたシャフト付きセラミックスヒータが開示されている。支持部材は、略円筒形の筒部と、筒部の上端に配置された、外径が筒部よりも大きくなった拡張部が設けられている。拡張部の上面と、セラミックス基材の下面とが接合されている。また、拡張部の下面の、筒部と拡張部との境界部分には、筒部を取り囲むように設けられた凹部が形成されている。 In Patent Document 1, a ceramic substrate on which an object to be heated is placed, a heating resistor embedded in the ceramic substrate, and a support member (shaft) for supporting the ceramic substrate. A ceramic heater is disclosed. The support member is provided with a substantially cylindrical tubular portion and an enlarged portion disposed at the upper end of the tubular portion and having an outer diameter larger than that of the tubular portion. The upper surface of the extension and the lower surface of the ceramic base are joined together. In addition, a recessed portion surrounding the tubular portion is formed at the boundary portion between the tubular portion and the enlarged portion on the lower surface of the extended portion.

特開2019-220554号公報JP 2019-220554 A

拡張部の下面の、筒部と拡張部との境界部分に凹部が形成されているので、セラミックス基材から拡張部へと流れ込んだ熱が、筒状部へと逃げていくことが抑制される。しかしながら、セラミックス基材と支持部材(シャフト)との接合部分において、セラミックス基材から支持部材(シャフト)へと熱が逃げていくことを抑制することはできない。 Since the concave portion is formed on the lower surface of the extended portion at the boundary between the cylindrical portion and the extended portion, the heat that has flowed from the ceramic base material to the extended portion is suppressed from escaping to the cylindrical portion. . However, it is not possible to prevent heat from escaping from the ceramic base material to the support member (shaft) at the joint between the ceramic base material and the support member (shaft).

本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、セラミックス基材からシャフトへと熱が逃げていくことを抑制することができるセラミックスヒータを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a ceramic susceptor capable of suppressing heat from escaping from a ceramic base material to a shaft.

本発明の態様に従えば、被加熱物が載置される上面、前記上面と上下方向において対向する下面、及び、前記下面から前記上下方向の下方側に突出する接合部であって、前記上面と平行な接合面を有する接合部を有するセラミックス基材と、
前記セラミックス基材に埋設された発熱体と、
前記接合面に接合された上面を有する筒状のシャフトと、を備え、
前記セラミックス基材の前記接合部の側面は、前記接合面から前記上下方向の上方に向かって順に並んだ第1位置、第2位置、第3位置であって、
前記第1位置における前記接合部の、前記上下方向に直交する水平方向の幅をL1とし、
前記第2位置における前記接合部の、前記水平方向の幅をL2とし、
前記第3位置における前記接合部の、前記水平方向の幅をL3とし、
前記上面における前記シャフトの前記水平方向の幅をLSとしたときに、
L1>L2
且つ
L2<L3<2LS
を満たすような第1位置、第2位置、第3位置を有することを特徴とするセラミックスヒータが提供される。
According to the aspect of the present invention, an upper surface on which an object to be heated is placed, a lower surface facing the upper surface in the vertical direction, and a joint portion projecting downward in the vertical direction from the lower surface, the upper surface A ceramic substrate having a joint having a joint surface parallel to the
a heating element embedded in the ceramic base;
a cylindrical shaft having an upper surface joined to the joint surface;
Side surfaces of the joint portion of the ceramic base material are arranged in order from the joint surface upward in the vertical direction, the second position, and the third position,
L1 is the width of the joint portion in the first position in the horizontal direction orthogonal to the vertical direction;
Let L2 be the width in the horizontal direction of the joint at the second position,
L3 is the width in the horizontal direction of the joint portion at the third position;
When the horizontal width of the shaft on the upper surface is LS,
L1 > L2
and L2<L3<2LS
There is provided a ceramic susceptor characterized by having a first position, a second position, and a third position that satisfy:

上記態様においては、セラミックス基材の接合部の側面には、L2<L1であり、かつ、L2<L3<2LSであるような第1位置、第2位置、第3位置が存在する。この場合には、少なくとも第2位置において、接合部の断面積が一時的に細くなるくびれが形成されている。これにより、セラミックス基材からシャフトに流れる熱の流れを抑制することができる。 In the above aspect, the side surface of the joining portion of the ceramic substrate has a first position, a second position, and a third position where L2<L1 and L2<L3<2LS. In this case, at least at the second position, a constriction is formed that temporarily narrows the cross-sectional area of the joint. Thereby, the flow of heat from the ceramic base material to the shaft can be suppressed.

図1は、セラミックスヒータ100の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a ceramic susceptor 100. FIG. 図2は、電極箔120の概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram of electrode foil 120 . 図3は、セラミックスヒータ100を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the ceramic susceptor 100. FIG. 図4(a)~(e)は、セラミックス基材110の製造方法の流れを示す図である。4A to 4E are diagrams showing the flow of the method for manufacturing the ceramic substrate 110. FIG. 図5(a)~(e)は、セラミックス基材110の別の製造方法の流れを示す図である。5A to 5E are diagrams showing the flow of another manufacturing method for the ceramic substrate 110. FIG. 図6(a)~(c)はセラミックスヒータ100の製造方法の流れを示す図である。6A to 6C are diagrams showing the flow of the manufacturing method of the ceramic susceptor 100. FIG. 図7(a)、(b)はセラミックスヒータ100Aの製造方法の流れを示す図である。7A and 7B are diagrams showing the flow of the manufacturing method of the ceramic susceptor 100A. 図8(a)、(b)はセラミックスヒータ100Bの製造方法の流れを示す図である。8A and 8B are diagrams showing the flow of the manufacturing method of the ceramic susceptor 100B. 図9は実施例1のセラミックスヒータ100の図3相当図である。FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 3 of the ceramic heater 100 of Example 1. FIG. 図10は実施例2のセラミックスヒータ100の図3相当図である。FIG. 10 is a view equivalent to FIG. 3 of the ceramic heater 100 of Example 2. FIG. 図11は実施例3のセラミックスヒータ100の図3相当図である。FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 3 of the ceramic heater 100 of Example 3. FIG. 図12は実施例5のセラミックスヒータ100Bの図3相当図である。FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 3 of the ceramic susceptor 100B of Example 5. FIG. 図13は比較例のセラミックスヒータ100Cの図3相当図である。FIG. 13 is a view corresponding to FIG. 3 of a ceramic susceptor 100C of a comparative example. 実施例1~5及び比較例の結果をまとめた表である。1 is a table summarizing the results of Examples 1 to 5 and Comparative Examples.

<セラミックスヒータ100>
本発明の実施形態に係るセラミックスヒータ100について図1を参照しつつ説明する。セラミックスヒータ100は、シリコンウェハなどの半導体ウェハ(以下、単にウェハ10という)の加熱に用いられる。なお、以下の説明においては、セラミックスヒータ100が使用可能に設置された状態(図1の状態)を基準として上下方向5が定義される。図1に示されるように、本実施形態に係るセラミックスヒータ100は、セラミックス基材110と、電極箔120と、シャフト130と、給電線140とを備える。
<Ceramic heater 100>
A ceramic susceptor 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. A ceramic heater 100 is used to heat a semiconductor wafer such as a silicon wafer (hereinafter simply referred to as wafer 10). In the following description, the vertical direction 5 is defined based on the state in which the ceramic susceptor 100 is installed so as to be usable (state shown in FIG. 1). As shown in FIG. 1, a ceramic susceptor 100 according to this embodiment includes a ceramic substrate 110, an electrode foil 120, a shaft 130, and a feeder line 140. As shown in FIG.

セラミックス基材110は、直径12インチ(約300mm)の円形の板状の形状を有する部材であり、その上面である載置面111には加熱対象であるウェハ10が載置される。なお、図1では図面を見やすくするためにウェハ10とセラミックス基材110の載置面111とを離して図示している。また、図1において図示されていないが、後述のようにサンドブラスト加工を行うことにより、載置面111には、複数の突起(複数の凸状部)が形成されている。また、図3に示されるように、セラミックス基材110の下面である裏面112の略中央には、下方に向かって突出する接合部113(本発明の接合部の一例)が設けられている。セラミックス基材110は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミックス焼結体により形成することができる。 The ceramic base 110 is a member having a circular plate-like shape with a diameter of 12 inches (approximately 300 mm), and the wafer 10 to be heated is mounted on the mounting surface 111 which is the upper surface of the ceramic base 110 . In FIG. 1, the wafer 10 and the mounting surface 111 of the ceramic substrate 110 are separated from each other for easy viewing of the drawing. Further, although not shown in FIG. 1, a plurality of projections (a plurality of convex portions) are formed on the mounting surface 111 by performing sandblasting as will be described later. Further, as shown in FIG. 3, a joint portion 113 (an example of the joint portion of the present invention) protruding downward is provided approximately in the center of the rear surface 112, which is the lower surface of the ceramic substrate 110. As shown in FIG. The ceramic base 110 can be made of, for example, a ceramic sintered body such as aluminum nitride, alumina, or silicon nitride.

図1に示されるように、セラミックス基材110の内部には、電極箔120(本発明の発熱体の一例)が埋設されている。図2に示されるように、電極箔120は帯状に裁断された金属製の箔であり、左右対称な形状を有している。電極箔120の外径は約300mmである。電極箔120の略中央には、給電線140(図1参照)と接続される端子部121が設けられている。電極箔120はタングステン(W)箔、モリブデン(Mo)箔、モリブデン及び/又はタングステンを含む合金の箔等の耐熱金属(高融点金属)の箔により形成されている。タングステン箔、モリブデン箔の純度は99%以上であることが好ましい。電極箔120の厚さは0.15mm以下である。なお、電極箔120の抵抗値を高くして、セラミックスヒータ100の消費電流を低減させるという観点からは、電極箔120の厚さを0.1mm以下にすることが好ましい。また、帯状に裁断された電極箔120の幅は2.5mm~20mmであることが好ましく、5mm~15mmであることがさらに好ましい。本実施形態においては、電極箔120は、図2に示される形状に裁断されているが電極箔120の形状はこれには限られず、適宜変更しうる。なお、セラミックス基材110の内部には電極箔120に加えて、ウェハ10をジョンセン・ラーベック力により載置面111に引き付けるための静電チャック電極及びセラミックス基材110の上方にプラズマを発生させるためのプラズマ電極のうち少なくとも一方が埋設されていてもよい。 As shown in FIG. 1, an electrode foil 120 (an example of the heating element of the present invention) is embedded inside the ceramic base 110 . As shown in FIG. 2, the electrode foil 120 is a metal foil cut into strips and has a symmetrical shape. The outer diameter of the electrode foil 120 is approximately 300 mm. At approximately the center of the electrode foil 120, a terminal portion 121 connected to the feeder line 140 (see FIG. 1) is provided. The electrode foil 120 is formed of a heat-resistant metal (high melting point metal) foil such as a tungsten (W) foil, a molybdenum (Mo) foil, or an alloy foil containing molybdenum and/or tungsten. The purity of tungsten foil and molybdenum foil is preferably 99% or higher. The electrode foil 120 has a thickness of 0.15 mm or less. From the viewpoint of reducing the current consumption of the ceramic heater 100 by increasing the resistance value of the electrode foil 120, it is preferable to set the thickness of the electrode foil 120 to 0.1 mm or less. The width of the electrode foil 120 cut into strips is preferably 2.5 mm to 20 mm, more preferably 5 mm to 15 mm. In this embodiment, the electrode foil 120 is cut into the shape shown in FIG. 2, but the shape of the electrode foil 120 is not limited to this and can be changed as appropriate. Inside the ceramic base 110, in addition to the electrode foil 120, an electrostatic chuck electrode for attracting the wafer 10 to the mounting surface 111 by the Johnsen-Rahbek force and an electrode for generating plasma above the ceramic base 110 are provided. At least one of the plasma electrodes may be buried.

図3に示されるように、セラミックス基材110の裏面112の略中央には、下方に向かって突出する凸部(以下、接合部113という)が設けられている。接合部113は、上下方向5(後述のシャフト130の長手方向6)に延びる略円柱形状を有している。接合部113の側面には、接合部113を周方向に取り囲むように一周する溝114が形成されている。 As shown in FIG. 3, a convex portion (hereinafter referred to as joint portion 113) protruding downward is provided at substantially the center of back surface 112 of ceramic base 110. As shown in FIG. The joint portion 113 has a substantially cylindrical shape extending in the vertical direction 5 (longitudinal direction 6 of the shaft 130 to be described later). A groove 114 is formed in the side surface of the joint 113 so as to surround the joint 113 in the circumferential direction.

接合部113の下側の端面である接合面113aには、シャフト130が接続されている。シャフト130は中空の略円筒形状の円筒部131と、円筒部131の下方に設けられた大径部132(図1参照)を有する。大径部132は、円筒部131の径よりも大きな径を有している。以下の説明において、円筒部131の長手方向をシャフト130の長手方向6として定義する。図1に示されるように、セラミックスヒータ100の使用状態において、シャフト130の長手方向6は上下方向5と平行である。 A shaft 130 is connected to a joint surface 113 a that is a lower end surface of the joint portion 113 . The shaft 130 has a hollow cylindrical portion 131 and a large diameter portion 132 (see FIG. 1) provided below the cylindrical portion 131 . The large diameter portion 132 has a diameter larger than that of the cylindrical portion 131 . In the following description, the longitudinal direction of the cylindrical portion 131 is defined as the longitudinal direction 6 of the shaft 130 . As shown in FIG. 1, the longitudinal direction 6 of the shaft 130 is parallel to the vertical direction 5 when the ceramic heater 100 is in use.

円筒部131の上面は、セラミックス又はガラス等の接合剤によりセラミックス基材110の接合部113に固定されている。また、円筒部131とシャフト130は接合剤を用いない拡散接合によって固定されてもよい。なお、シャフト130は、セラミックス基材110と同じように、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等のセラミックス焼結体により形成されてもよい。あるいは、断熱性を高めるために、セラミックス基材110より熱伝導率の低い材料で形成されてもよい。 The upper surface of the cylindrical portion 131 is fixed to the joint portion 113 of the ceramic base 110 with a bonding agent such as ceramics or glass. Alternatively, the cylindrical portion 131 and the shaft 130 may be fixed by diffusion bonding without using a bonding agent. It should be noted that the shaft 130 may be made of a ceramic sintered body such as alumina, aluminum nitride, or silicon nitride, like the ceramic base 110 . Alternatively, it may be formed of a material having a lower thermal conductivity than the ceramic base 110 in order to improve heat insulation.

図3に示されるように、シャフト130は中空の円筒形状を有しており、その内部には長手方向6に延びる貫通孔が形成されている。図1に示されるように、シャフト130の中空の部分(貫通孔)には、電極箔120に電力を供給するための給電線140が配置されている。給電線140の上端は、電極箔120の中央に配置された端子部121(図2参照)に電気的に接続されている。給電線140の下端には、給電端子が設けられており、不図示のヒータ用電源に接続される。これにより、給電線140を介して電極箔120に電力が供給される。 As shown in FIG. 3, the shaft 130 has a hollow cylindrical shape and a through hole extending in the longitudinal direction 6 is formed therein. As shown in FIG. 1 , a feeder line 140 for supplying power to the electrode foil 120 is arranged in the hollow portion (through hole) of the shaft 130 . The upper end of the feeder line 140 is electrically connected to the terminal portion 121 (see FIG. 2) arranged in the center of the electrode foil 120 . A power supply terminal is provided at the lower end of the power supply line 140 and is connected to a heater power supply (not shown). Thereby, power is supplied to the electrode foil 120 through the feeder line 140 .

次に、セラミックスヒータ100の製造方法について説明する。以下では、セラミックス基材110及びシャフト130が窒化アルミニウムで形成される場合を例に挙げて説明する。 Next, a method for manufacturing the ceramic susceptor 100 will be described. A case in which the ceramic base 110 and the shaft 130 are made of aluminum nitride will be described below as an example.

まず、セラミックス基材110の製造方法について説明する。図4(a)に示されるように、窒化アルミニウム(AlN)粉末を主成分とする造粒粉Pをカーボン製の有床型501に投入し、パンチ502で仮プレスする。有床型501には、接合部113を形成するための窪みが設けられている。なお、造粒粉Pには、5wt%以下の焼結助剤(例えば、Y)が含まれることが好ましい。次に、図4(b)に示されるように、仮プレスされた造粒粉Pの上に、所定形状に裁断された電極箔120を配置する。なお、電極箔120は、加圧方向に垂直な面(有床型501の底面)に平行になるように配置される。このとき、Wのペレット又はMoのペレットを電極箔120の端子121の位置に埋設してもよい。 First, a method for manufacturing the ceramic substrate 110 will be described. As shown in FIG. 4( a ), granulated powder P containing aluminum nitride (AlN) powder as a main component is put into a floored mold 501 made of carbon and temporarily pressed with a punch 502 . The floored mold 501 is provided with a depression for forming the joint portion 113 . The granulated powder P preferably contains 5 wt % or less of a sintering aid (for example, Y 2 O 3 ). Next, as shown in FIG. 4B, an electrode foil 120 cut into a predetermined shape is placed on the granulated powder P that has been temporarily pressed. In addition, the electrode foil 120 is arranged so as to be parallel to the surface (bottom surface of the floored mold 501) perpendicular to the pressurizing direction. At this time, a pellet of W or a pellet of Mo may be embedded in the position of the terminal 121 of the electrode foil 120 .

図4(c)に示されるように、電極箔120を覆うようにさらに造粒粉Pを有床型501に投入し、パンチ502でプレスして成形する。次に、図4(d)に示されるように、電極箔120が埋設された造粒粉Pをプレスした状態で焼成する。焼成の際に加える圧力は、1MPa以上であることが好ましい。また、1800℃以上の温度で焼成することが好ましい。次に、図4(e)に示されるように、端子121を形成するために、電極箔120までの止まり穴加工を行うなどの必要な加工を行い、セラミックス基材110が形成される。なお、ペレットを埋設した場合には、ペレットまでの止まり穴加工を行えばよい。 As shown in FIG. 4(c), granulated powder P is put into a floored mold 501 so as to cover the electrode foil 120, and is pressed with a punch 502 to be molded. Next, as shown in FIG. 4D, the granulated powder P in which the electrode foil 120 is embedded is pressed and fired. The pressure applied during firing is preferably 1 MPa or more. Moreover, it is preferable to bake at the temperature of 1800 degreeC or more. Next, as shown in FIG. 4(e), in order to form terminals 121, necessary processing such as blind hole drilling up to the electrode foil 120 is performed, and the ceramic substrate 110 is formed. In addition, when the pellet is embedded, a blind hole may be drilled to the pellet.

なお、セラミックス基材110は以下の方法によっても製造することができる。図5(a)に示されるように、窒化アルミニウムの造粒粉Pにバインダーを加えてCIP成型し、円板状に加工して、窒化アルミニウムの成形体510を作製する。次に、図5(b)に示されるように、成形体510の脱脂処理を行い、バインダーを除去する。 Note that the ceramic base 110 can also be manufactured by the following method. As shown in FIG. 5A, a binder is added to aluminum nitride granulated powder P, CIP molding is performed, and the mixture is processed into a disk shape to produce an aluminum nitride compact 510 . Next, as shown in FIG. 5B, the compact 510 is degreased to remove the binder.

図5(c)に示されるように、脱脂された成形体510に、電極箔120を埋設するための凹部511を形成する。成形体510の凹部511に電極箔120を配置し、別の成形体510を積層する。次に、図5(d)に示されるように、電極箔120を挟むように積層された成形体510をプレスした状態で焼成する。焼成の際に加える圧力は、1MPa以上であることが好ましい。また、1800℃以上の温度で焼成することが好ましい。次に、図5(e)に示されるように、端子121を形成するために、電極箔120までの止まり穴加工を行うなどの必要な加工を行い、セラミックス基材110が形成される。 As shown in FIG. 5C, recesses 511 for embedding the electrode foils 120 are formed in the degreased compact 510 . The electrode foil 120 is arranged in the concave portion 511 of the molded body 510, and another molded body 510 is laminated. Next, as shown in FIG. 5(d), the molded body 510 laminated so as to sandwich the electrode foil 120 is fired while being pressed. The pressure applied during firing is preferably 1 MPa or more. Moreover, it is preferable to bake at the temperature of 1800 degreeC or more. Next, as shown in FIG. 5(e), in order to form terminals 121, necessary processing such as blind hole drilling up to the electrode foil 120 is performed, and the ceramic base 110 is formed.

このようにして形成されたセラミックス基材110の上面(載置面111)に対して平面研削を行い、ラップ加工(鏡面研磨加工)を行う。さらに、載置面111に対してサンドブラスト加工を行うことにより、載置面111に不図示の複数の突起(複数の凸状部)を形成する。なお、載置面111に複数の突起を形成するための加工方法は、サンドブラスト加工が好適であるが、他の加工方法を用いることもできる。 The upper surface (mounting surface 111) of the ceramic substrate 110 thus formed is subjected to surface grinding and lapping (mirror polishing). Furthermore, by sandblasting the mounting surface 111 , a plurality of projections (a plurality of convex portions) (not shown) are formed on the mounting surface 111 . Sandblasting is suitable as a processing method for forming the plurality of projections on the mounting surface 111, but other processing methods can also be used.

さらに、図6(a)に示されるように、セラミックス基材110の下面(裏面112)に切削加工を行い、裏面112の略中央に接合部113を形成する。接合部113の外径は後に接合されるシャフト130の円筒部131の外径と同じであることが好ましい。接合部113の外径(直径)は100mm以下であることが好ましい。接合部113の高さ(上下方向5の長さ)は2mm以上であることが好ましく、5mm以上であることがさらに好ましい。接合部113の高さの上限に制限はないが製作上の容易さを鑑みると20mm以下であることが好ましい。また、接合部113の接合面113aは、載置面111に平行である。接合部113の接合面113aの表面粗さRaは1.6μm以下であることが好ましい。 Further, as shown in FIG. 6A, the lower surface (rear surface 112) of the ceramic substrate 110 is cut to form a joint portion 113 substantially at the center of the rear surface 112. As shown in FIG. The outer diameter of the joint portion 113 is preferably the same as the outer diameter of the cylindrical portion 131 of the shaft 130 to be joined later. The outer diameter (diameter) of the joint portion 113 is preferably 100 mm or less. The height (length in the vertical direction 5) of the joint 113 is preferably 2 mm or more, more preferably 5 mm or more. Although there is no upper limit to the height of the joint 113, it is preferably 20 mm or less in view of ease of manufacture. A joint surface 113 a of the joint portion 113 is parallel to the mounting surface 111 . The surface roughness Ra of the joint surface 113a of the joint portion 113 is preferably 1.6 μm or less.

図6(b)に示されるように、接合部113の接合面113aにシャフト130の円筒部131を固定する。シャフト130の円筒部131の長さは例えば、50mm~500mmにすることができる。なお、シャフト130は、以下のようにして形成することができる。まず、バインダーを数wt%添加した窒化アルミニウムの造粒粉Pを静水圧(1MPa程度)で成形し、成形体を所定形状に加工する。その後、窒素雰囲気中で、焼成する。例えば、1900℃の温度で2時間焼成する。そして、焼成後に焼結体を所定形状に加工することによりシャフト130が形成される。円筒部131の上面とセラミックス基剤110の接合部113の接合面113aとを、1600℃以上、1MPa以上の一軸圧力下で、拡散接合により固定することができる。この場合には、接合部113の接合面113aの表面粗さRaは0.4μm以下であることが好ましく、0.2μm以下であることがさらに好ましい。また、円筒部131の上面とセラミックス基剤110の接合部113の接合面113aとを、接合剤を用いて接合することもできる。接合剤として、例えば、10wt%のYを添加したAlN接合材ペーストを用いることができる。例えば、円筒部131の上面とセラミックス基剤110の接合部113の接合面113aとの界面に上記のAIN接合剤ペーストを15μmの厚さで塗布し、載置面111に垂直な方向(シャフト130の長手方向6)に5kPaの力を加えつつ、1700℃の温度で1時間加熱することにより、接合することができる。あるいは、円筒部131の上面とセラミックス基剤110の接合部113の接合面113aとを、ねじ止め、ろう付け等によって固定することもできる。 As shown in FIG. 6B, the cylindrical portion 131 of the shaft 130 is fixed to the joint surface 113a of the joint portion 113. As shown in FIG. The length of the cylindrical portion 131 of the shaft 130 can be, for example, 50 mm to 500 mm. In addition, the shaft 130 can be formed as follows. First, granulated powder P of aluminum nitride to which several wt % of binder is added is compacted under hydrostatic pressure (approximately 1 MPa), and the compact is processed into a predetermined shape. After that, it is fired in a nitrogen atmosphere. For example, it is baked at a temperature of 1900° C. for 2 hours. Then, the shaft 130 is formed by processing the sintered body into a predetermined shape after firing. The upper surface of the cylindrical portion 131 and the bonding surface 113a of the bonding portion 113 of the ceramic base 110 can be fixed by diffusion bonding at 1600° C. or higher and under a uniaxial pressure of 1 MPa or higher. In this case, the surface roughness Ra of the joint surface 113a of the joint portion 113 is preferably 0.4 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. Alternatively, the upper surface of the cylindrical portion 131 and the joint surface 113a of the joint portion 113 of the ceramic base 110 may be joined using a joint agent. As the bonding agent, for example, AlN bonding material paste to which 10 wt % of Y 2 O 3 is added can be used. For example, the above-described AIN bonding agent paste is applied to the interface between the upper surface of the cylindrical portion 131 and the bonding surface 113a of the bonding portion 113 of the ceramic base 110 to a thickness of 15 μm, and is applied in a direction perpendicular to the mounting surface 111 (the shaft 130 It can be joined by heating at a temperature of 1700° C. for 1 hour while applying a force of 5 kPa in the longitudinal direction 6). Alternatively, the upper surface of the cylindrical portion 131 and the joint surface 113a of the joint portion 113 of the ceramic base 110 can be fixed by screwing, brazing, or the like.

次に、図6(c)に示されるように、セラミックス基材110の接合部113の側面に切削加工又は研削加工を行い、溝114を形成する。本実施形態においては、溝114の断面は略半円形状である。溝114は接合部113の側面を一周するように形成されている。なお、本実施形態においては、溝114の上端はセラミックス基材110の裏面112と接しておらず、溝114の上端とセラミックス基材110の裏面112との間には、上下方向5に隙間があいている。なお、以下の説明において、シャフト130の、接合部113の接合面113aと接合される面における外径(水平方向の幅)を、シャフト130の上面の外径LSと称する。図6(c)に示されるように、接合部113の側面の、溝114が形成された領域には、接合面113aから上方に向かって順番に並んだ3つの位置(第1位置P1、第2位置P2、第3位置P3)であって、第1位置P1における接合部113の幅(水平方向の長さ)L1と、第2位置P2における接合部113の幅(水平方向の長さ)L2と、第3位置P3における接合部113の幅(水平方向の長さ)L3とが、L2<L1であり、かつ、L2<L3<2LSであるような第1位置P1~第3位置P3が存在する。なお、図6(c)に示される例においては、溝114の下端が第1位置P1に相当し、溝114の上下方向における中央が第2位置P2に相当し、溝114の上端が第3位置P3に相当する。 Next, as shown in FIG. 6C, the side surface of the joining portion 113 of the ceramic substrate 110 is cut or ground to form a groove 114. Next, as shown in FIG. In this embodiment, the cross section of groove 114 is substantially semicircular. The groove 114 is formed so as to encircle the side surface of the joint portion 113 . In this embodiment, the upper end of the groove 114 is not in contact with the back surface 112 of the ceramic base 110, and there is a gap in the vertical direction 5 between the upper end of the groove 114 and the back surface 112 of the ceramic base 110. is open In the following description, the outer diameter (width in the horizontal direction) of the surface of shaft 130 that is joined to joint surface 113a of joint portion 113 is referred to as the outer diameter LS of the upper surface of shaft 130 . As shown in FIG. 6(c), in the area of the side surface of the joint 113 where the groove 114 is formed, there are three positions (first position P1, first position P1, second 2 position P2, third position P3), the width (horizontal length) L1 of the joint 113 at the first position P1 and the width (horizontal length) of the joint 113 at the second position P2 L2 and the width (horizontal length) L3 of the joint 113 at the third position P3 satisfy L2<L1 and L2<L3<2LS. exists. In the example shown in FIG. 6C, the lower end of the groove 114 corresponds to the first position P1, the vertical center of the groove 114 corresponds to the second position P2, and the upper end of the groove 114 corresponds to the third position P1. It corresponds to position P3.

上記の説明においては、接合部113の接合面113aにシャフト130の円筒部131を固定した後に、セラミックス基材110の接合部113の側面に溝114を形成していた。しかしながら、先にセラミックス基材110の接合部113の側面に溝114を形成した後、接合部113の接合面113aにシャフト130の円筒部131を固定してもよい。 In the above description, the groove 114 is formed in the side surface of the joint portion 113 of the ceramic substrate 110 after the cylindrical portion 131 of the shaft 130 is fixed to the joint surface 113a of the joint portion 113 . However, the cylindrical portion 131 of the shaft 130 may be fixed to the joint surface 113a of the joint portion 113 after forming the groove 114 in the side surface of the joint portion 113 of the ceramic base material 110 in advance.

接合部113の接合面113aにシャフト130の円筒部131を固定する前に、セラミックス基材110の接合部113に切削加工又は研削加工を行う場合を考える。この場合には、溝114を有するセラミックスヒータ100に代えて、図7(a)に示されるセラミックスヒータ100Aのように、接合部113の接合面113aの角部分を円周方向に沿って面取りしてもよい。これにより、接合部113の接合面113aの角部分に面取りされた凹部115が形成される。凹部115の断面形状は曲率半径1mm以上の曲線形状を有している。接合部113の接合面113aに凹部115を形成した後、図7(b)に示されるように、接合部113の接合面113aにシャフト130の円筒部131を固定する。固定方法は、上述の方法と同じである。なお、接合部113の接合面113aにおける外径(水平方向の幅)Lbは、フランジ133の上面における外径(水平方向の幅)LSよりも小さい。また、凹部115の表面粗さRaは0.1μm以下であることが好ましい。 Consider a case where the joint portion 113 of the ceramic substrate 110 is cut or ground before the cylindrical portion 131 of the shaft 130 is fixed to the joint surface 113 a of the joint portion 113 . In this case, instead of the ceramic susceptor 100 having the groove 114, the corner portion of the joint surface 113a of the joint portion 113 is chamfered along the circumferential direction like the ceramic susceptor 100A shown in FIG. may As a result, a chamfered concave portion 115 is formed in the corner portion of the joint surface 113 a of the joint portion 113 . The cross-sectional shape of the concave portion 115 has a curved shape with a radius of curvature of 1 mm or more. After forming the concave portion 115 in the joint surface 113a of the joint portion 113, the cylindrical portion 131 of the shaft 130 is fixed to the joint surface 113a of the joint portion 113 as shown in FIG. 7B. The fixing method is the same as the method described above. The outer diameter (horizontal width) Lb of the joint surface 113 a of the joint portion 113 is smaller than the outer diameter (horizontal width) LS of the upper surface of the flange 133 . Also, the surface roughness Ra of the concave portion 115 is preferably 0.1 μm or less.

あるいは、図8(a)に示されるセラミックスヒータ100Bのように、接合部113の側面が、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状になるように、切削加工又は研削加工を行うこともできる。接合部113の断面形状は曲率半径1mm以上の曲線形状を有している。なお、図8(a)に示されるように、シャフト130の上端には、円筒部131よりも外径が大きいフランジ133が設けられている。そして、図8(b)に示されるように、接合部113の接合面113aにシャフト130のフランジ133を固定する。なお、接合部113の接合面113aにおける外径(水平方向の幅)Lbは、フランジ133の上面における外径(水平方向の幅)LSよりも小さい。また、テーパー形状となっている接合部113の側面の表面粗さRaは0.1μm以下であることが好ましい。 Alternatively, as in the ceramic susceptor 100B shown in FIG. 8A, cutting or grinding may be performed so that the side surface of the joint 113 tapers toward the joint surface 113a. can. The cross-sectional shape of the joint portion 113 has a curved shape with a radius of curvature of 1 mm or more. In addition, as shown in FIG. 8( a ), a flange 133 having an outer diameter larger than that of the cylindrical portion 131 is provided at the upper end of the shaft 130 . Then, as shown in FIG. 8B, the flange 133 of the shaft 130 is fixed to the joint surface 113a of the joint portion 113. As shown in FIG. The outer diameter (horizontal width) Lb of the joint surface 113 a of the joint portion 113 is smaller than the outer diameter (horizontal width) LS of the upper surface of the flange 133 . Further, the surface roughness Ra of the side surface of the tapered joining portion 113 is preferably 0.1 μm or less.

このようにして、本実施形態に係るセラミックスヒータ100、100A、100Bを製造することができる。図6(c)に示されるように、接合部113に溝114が形成されているセラミックスヒータ100の場合、接合部113の溝114の中央(外径がL2となる位置)における水平断面積は、溝114の下端(外径がL1となる位置)及び溝114の上端(外径がL3となる位置)の水平断面積よりも小さくなっている。つまり、接合部113の溝114が形成されている領域には、接合部113の水平断面積が一時的に細くなるくびれが形成されている。これにより、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。言い換えると、セラミックス基材110からシャフト130に向かって熱が逃げることを抑制することができる。 Thus, the ceramic susceptors 100, 100A, and 100B according to this embodiment can be manufactured. As shown in FIG. 6(c), in the case of the ceramic susceptor 100 in which the groove 114 is formed in the joint 113, the horizontal cross-sectional area at the center of the groove 114 in the joint 113 (the position where the outer diameter is L2) is , the horizontal cross-sectional area of the lower end of the groove 114 (the position where the outer diameter is L1) and the upper end of the groove 114 (the position where the outer diameter is L3). That is, a constriction that temporarily narrows the horizontal cross-sectional area of the joint portion 113 is formed in the region where the groove 114 of the joint portion 113 is formed. Thereby, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed. In other words, it is possible to suppress heat from escaping from the ceramic base 110 toward the shaft 130 .

接合部113に凹部115が形成されているセラミックスヒータ100Aの場合(図7(a)、7(b)参照)、又は、接合部113の側面が、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状であるセラミックスヒータ100Bの場合(図8(a)、8(b)参照)には、接合部113の接合面113aにおける外径(水平方向の幅)Lbは、シャフト130の円筒部131の上面における外径(水平方向の幅)LSよりも小さい。この場合にも、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。つまり、セラミックス基材110からシャフト130に向かって熱が逃げることを抑制することができる。 In the case of the ceramic susceptor 100A in which the recessed portion 115 is formed in the joint portion 113 (see FIGS. 7A and 7B), or the side surface of the joint portion 113 is tapered toward the joint surface 113a. In the case of the ceramic susceptor 100B having a shape (see FIGS. 8A and 8B), the outer diameter (horizontal width) Lb of the joint surface 113a of the joint portion 113 is equal to that of the cylindrical portion 131 of the shaft 130. It is smaller than the outer diameter (horizontal width) LS at the top surface. Also in this case, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed. That is, it is possible to suppress heat from escaping from the ceramic base 110 toward the shaft 130 .

以下、本発明について実施例及び比較例を用いて更に説明する。但し、本発明は、以下に説明する実施例及び比較例に限定されない。 The present invention will be further described below using examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples described below.

[実施例1]
図9に実施例1のセラミックスヒータ100を示す。図9には示されていないが、電極箔120として、モリブデンメッシュ(線径0.1mm、メッシュサイズ#50、平織り)を図2の形状に裁断したものを作製した。そして、このような電極箔120を埋設した直径310mm、厚さ25mmのセラミックス基材110を作製した。セラミックス基材110の裏面111に、外径70mm、高さ10mmの接合部113を形成した。接合部113の接合面113aは、表面粗さRaが0.2μmとなるように加工した。また、外径が70mm、内径が60mmのシャフト130を作製した。なお、シャフト130の上面における内径は50mmである。シャフト130の上面の表面粗さは0.2μmである。シャフト130の上面と、接合部113の接合面113aとを、上述の手順で、拡散接合により接合した。その後、接合部113の側面に溝114を形成した。溝114の断面は幅6mm、深さ3mmの略矩形状であり、溝114の幅方向(上下方向)の中心は、裏面111から上下方向に5mm離れた位置にある。つまり、溝114の上端と裏面111との間の上下方向の距離は2mmである。溝114の断面において、隅部の曲率半径(R寸法)は、工具の角のR寸法と同程度(0.3mm以下)である。また、溝114の内面の表面粗さRaは1.0μmであった。
[Example 1]
FIG. 9 shows the ceramic heater 100 of Example 1. As shown in FIG. Although not shown in FIG. 9, the electrode foil 120 was prepared by cutting a molybdenum mesh (wire diameter 0.1 mm, mesh size #50, plain weave) into the shape shown in FIG. Then, a ceramic substrate 110 having a diameter of 310 mm and a thickness of 25 mm in which such electrode foil 120 was embedded was produced. A joint portion 113 having an outer diameter of 70 mm and a height of 10 mm was formed on the back surface 111 of the ceramic substrate 110 . The joint surface 113a of the joint portion 113 was processed so that the surface roughness Ra was 0.2 μm. Also, a shaft 130 having an outer diameter of 70 mm and an inner diameter of 60 mm was produced. The inner diameter of the upper surface of the shaft 130 is 50 mm. The surface roughness of the upper surface of shaft 130 is 0.2 μm. The upper surface of the shaft 130 and the bonding surface 113a of the bonding portion 113 were bonded by diffusion bonding according to the procedure described above. After that, a groove 114 was formed on the side surface of the joint 113 . The cross section of the groove 114 has a substantially rectangular shape with a width of 6 mm and a depth of 3 mm, and the center of the groove 114 in the width direction (vertical direction) is positioned 5 mm away from the rear surface 111 in the vertical direction. That is, the vertical distance between the upper end of the groove 114 and the rear surface 111 is 2 mm. In the cross section of the groove 114, the curvature radius (R dimension) of the corner is approximately the same as the R dimension of the corner of the tool (0.3 mm or less). Moreover, the surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 was 1.0 μm.

以下の手順でセラミックスヒータ100の気密評価を行った。まず、作成したセラミックスヒータ100をプロセスチャンバに設置した。そして、セラミックスヒータ100に不図示の外部電源から電流を流し、設定温度650℃~200℃の温度サイクルを繰り返した。1サイクル毎に目視による破損の有無のチェックと、ヘリウムリークディテクタを用いたリークチェックを行った。リークチェックにおいては、シャフト130の下方の開口部をヘリウムリークディテクタに接続した後、シャフト130の外側からヘリウムガスを吹き付け、接合部分180などからのヘリウムリークの有無を評価した。10-8Pa・m/s以上のリークが認められた場合に、リーク発生ありと判断した。本実施例においては、4回の温度サイクルを繰り返してもリーク発生は認められなかった。 The airtightness evaluation of the ceramic susceptor 100 was performed in the following procedure. First, the produced ceramic heater 100 was installed in a process chamber. Then, a current was supplied to the ceramic heater 100 from an external power source (not shown), and the temperature cycle was repeated at set temperatures of 650.degree. C. to 200.degree. A check for the presence or absence of damage by visual inspection and a leak check using a helium leak detector were performed every cycle. In the leak check, after connecting the lower opening of the shaft 130 to a helium leak detector, helium gas was blown from the outside of the shaft 130 to evaluate whether there was a helium leak from the joint 180 or the like. When a leak of 10 −8 Pa·m 3 /s or more was observed, it was determined that a leak occurred. In this example, no leakage was observed even after repeating the temperature cycle four times.

さらに、以下の手順でセラミックスヒータ100の温度評価を行った。セラミックスヒータ100に不図示の外部電源から電流を流し、不図示の熱電対により設定温度400℃で温度制御を行った。設定温度を400℃に保った状態で、セラミックス基板110の載置面111に温度評価用のシリコンウェハを載せた。そして、温度評価用のシリコンウェハの、直径290mmの領域の温度分布を赤外線カメラで計測した。なお、温度評価用のシリコンウェハは、直径300mmのシリコンウェハの上面に厚さ30μmの黒体膜をコーティングしたものである。黒体膜とは、放射率(輻射率)が90%以上である膜であり、例えば、カーボンナノチューブを主原料とする黒体塗料をコーティングすることにより成膜することができる。赤外線カメラで測定された温度評価用のシリコンウェハの温度分布の、最大温度から最小温度を引いた値を温度差Δとして求めた。温度差Δは、セラミックス基板110の載置面111の温度分布のばらつきの指標となる。実施例1において、設定温度400℃に対する温度差Δが3.5℃であった。 Furthermore, temperature evaluation of the ceramic susceptor 100 was performed according to the following procedure. A current was applied to the ceramic heater 100 from an external power source (not shown), and the temperature was controlled at a set temperature of 400° C. by a thermocouple (not shown). A silicon wafer for temperature evaluation was placed on the mounting surface 111 of the ceramic substrate 110 while the set temperature was maintained at 400.degree. Then, the temperature distribution in a region with a diameter of 290 mm on the silicon wafer for temperature evaluation was measured with an infrared camera. The silicon wafer for temperature evaluation was obtained by coating the upper surface of a silicon wafer with a diameter of 300 mm with a black body film with a thickness of 30 μm. A black body film is a film having an emissivity (emissivity) of 90% or more, and can be formed by coating a black body paint containing carbon nanotubes as a main raw material, for example. A value obtained by subtracting the minimum temperature from the maximum temperature of the temperature distribution of the silicon wafer for temperature evaluation measured with an infrared camera was obtained as the temperature difference Δ. The temperature difference Δ serves as an index of variations in temperature distribution on the mounting surface 111 of the ceramic substrate 110 . In Example 1, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 3.5°C.

[実施例2]
図10に実施例2のセラミックスヒータ100を示す。実施例2のセラミックスヒータ100は、溝114の断面形状が曲率半径3mmの半円形状であることと、溝114の幅方向(上下方向)の中心が、裏面111から上下方向に3mm離れた位置にあることとを除いて、実施例1のセラミックスヒータ100と同様である。なお、溝114の上端と裏面111との間の上下方向の距離は0mmである。溝114の内面の表面粗さは1.0μmであった。実施例2においては、12回の温度サイクルを繰り返してもリーク発生は認められなかった。また、設定温度400℃に対する温度差Δが3.7℃であった。
[Example 2]
FIG. 10 shows a ceramic susceptor 100 of Example 2. As shown in FIG. In the ceramic susceptor 100 of Example 2, the cross-sectional shape of the groove 114 is a semicircular shape with a radius of curvature of 3 mm, and the center of the groove 114 in the width direction (vertical direction) is positioned vertically away from the back surface 111 by 3 mm. It is the same as the ceramic susceptor 100 of Example 1 except that Note that the vertical distance between the upper end of the groove 114 and the back surface 111 is 0 mm. The surface roughness of the inner surface of the groove 114 was 1.0 μm. In Example 2, no leakage was observed even after repeating the temperature cycle 12 times. Moreover, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 3.7°C.

[実施例3]
図11に実施例3のセラミックスヒータ100を示す。実施例3のセラミックスヒータ100は、セラミックス基材110の中心に向かってくびれた形状を有する溝114が形成されていることを除いて、実施例1のセラミックスヒータ100と同様である。溝114の断面形状において、溝114の深さ方向の先端は、曲率半径3mmの半円状の形状を有する。曲率半径の中心間の距離Dは50mmである。また、曲率半径の中心と、裏面111との間の上下方向の距離は3mmである。溝114の内面の表面粗さRaは1.0μmである。実施例3においては、12回の温度サイクルを繰り返してもリーク発生は認められなかった。また、設定温度400℃に対する温度差Δが3.3℃であった。
[Example 3]
FIG. 11 shows a ceramic heater 100 of Example 3. As shown in FIG. The ceramic susceptor 100 of Example 3 is the same as the ceramic susceptor 100 of Example 1 except that a groove 114 having a constricted shape toward the center of the ceramic substrate 110 is formed. In the cross-sectional shape of the groove 114, the tip of the groove 114 in the depth direction has a semicircular shape with a radius of curvature of 3 mm. The distance D between the centers of the radii of curvature is 50 mm. Also, the vertical distance between the center of the radius of curvature and the back surface 111 is 3 mm. The surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 is 1.0 μm. In Example 3, no leakage was observed even after repeating the temperature cycle 12 times. Also, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 3.3°C.

[実施例4]
実施例4のセラミックスヒータ100は、溝114の断面形状の隅部の曲率半径が1mmであることと、溝114の内面の表面粗さが0.09μmであることとを除いて、実施例1と同様である。実施例4においては、12回の温度サイクルを繰り返してもリーク発生は認められなかった。また、設定温度400℃に対する温度差Δが3.5℃であった。
[Example 4]
The ceramic susceptor 100 of Example 4 is the same as that of Example 1 except that the radius of curvature of the cross-sectional corner of the groove 114 is 1 mm and the surface roughness of the inner surface of the groove 114 is 0.09 μm. is similar to In Example 4, no leakage was observed even after repeating the temperature cycle 12 times. Moreover, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 3.5°C.

[実施例5]
図12に実施例5のセラミックスヒータ100Bを示す。実施例5のセラミックスヒータ100の接合部113の側面は、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状の曲面である。接合部113の高さ(裏面112から接合面113aまでの上下方向の距離)は5mmであり、接合部113の断面形状は、曲率半径5mmの円弧状の曲線部を有する。接合部113の側面の表面粗さRaは0.08μmである。また、シャフト130は、円筒部131の上端部分に、円筒部131よりも外径の大きいフランジ部133が設けられている。円筒部131は外径60mm、内径50mmであるのに対して、フランジ133は外径70mm、内径50mmである。実施例5においては、12回の温度サイクルを繰り返してもリーク発生は認められなかった。また、設定温度400℃に対する温度差Δが5.7℃であった。
[Example 5]
FIG. 12 shows a ceramic heater 100B of Example 5. As shown in FIG. The side surface of the joint portion 113 of the ceramic susceptor 100 of Example 5 is a tapered curved surface tapering toward the joint surface 113a. The height of the joint 113 (the vertical distance from the back surface 112 to the joint surface 113a) is 5 mm, and the sectional shape of the joint 113 has an arcuate curved portion with a curvature radius of 5 mm. The surface roughness Ra of the side surface of the joint 113 is 0.08 μm. Further, the shaft 130 is provided with a flange portion 133 having an outer diameter larger than that of the cylindrical portion 131 at the upper end portion of the cylindrical portion 131 . The cylindrical portion 131 has an outer diameter of 60 mm and an inner diameter of 50 mm, while the flange 133 has an outer diameter of 70 mm and an inner diameter of 50 mm. In Example 5, no leakage was observed even after repeating the temperature cycle 12 times. Also, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 5.7°C.

[比較例]
図13に比較例のセラミックスヒータ100Cを示す。比較例では、セラミックス基材110の接合部113の縦断面形状は略矩形状であり、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状を有していない。また、接合部113の側面には外径が一時的に細くなるような凹部又は溝は設けられていない。接合部113の外径は90mmである。また、シャフト130の、円筒部131の上端部分に、円筒部131よりも外径の大きいフランジ部133が設けられている。円筒部131は外径70mm、内径50mmである。フランジ133は外径90mm、内径60mmであり、厚さは15mmである。比較例においては、2回の温度サイクルを繰り返した後、リーク発生が認められた。また、設定温度400℃に対する温度差Δが6.1℃であった。
[Comparative example]
FIG. 13 shows a ceramic susceptor 100C of a comparative example. In the comparative example, the vertical cross-sectional shape of the joint portion 113 of the ceramic base material 110 is substantially rectangular, and does not have a tapered shape that tapers toward the joint surface 113a. Further, the side surface of the joint portion 113 is not provided with a concave portion or a groove that temporarily narrows the outer diameter. The joint portion 113 has an outer diameter of 90 mm. A flange portion 133 having an outer diameter larger than that of the cylindrical portion 131 is provided at the upper end portion of the cylindrical portion 131 of the shaft 130 . The cylindrical portion 131 has an outer diameter of 70 mm and an inner diameter of 50 mm. The flange 133 has an outer diameter of 90 mm, an inner diameter of 60 mm, and a thickness of 15 mm. In the comparative example, after repeating the temperature cycle twice, leakage was observed. Moreover, the temperature difference Δ with respect to the set temperature of 400°C was 6.1°C.

<実施例及び比較例のまとめ>
図14は、上述の実施例1~5及び比較例の結果をまとめた表を示している。
<Summary of Examples and Comparative Examples>
FIG. 14 shows a table summarizing the results of Examples 1 to 5 and Comparative Example described above.

図9~11に示されているように、実施例1~4のセラミックスヒータ100においては、接合部113の側面に溝114が形成されている。実施例1~4では、接合部113の側面の、溝114が形成された領域には、接合面113aから上方に向かって順番に並んだ3つの位置(第1位置P1、第2位置P2、第3位置P3)であって、第1位置P1における接合部113の幅(水平方向の長さ)L1と、第2位置P2における接合部113の幅(水平方向の長さ)L2と、第3位置P3における接合部113の幅(水平方向の長さ)L3とが、L2<L1であり、かつ、L2<L3<2LSであるような第1位置P1、第2位置P2、第3位置P3が存在する。この場合には、少なくとも第2位置P2において、接合部113の水平断面積が一時的に細くなるくびれが形成されている。これにより、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。これに対して、比較例(図13参照)では、このような第1位置P1~第3位置P3は存在せず、接合部113には、水平断面積が一時的に細くなる部分は形成されていない。そのため、実施例1~4のセラミックスヒータ100における載置面111の温度分布のばらつきを、比較例のセラミックスヒータ100Cと比べて小さくすることができたと考えられる。 As shown in FIGS. 9 to 11, in the ceramic heaters 100 of Examples 1 to 4, grooves 114 are formed on the side surfaces of the joining portion 113. As shown in FIGS. In Examples 1 to 4, three positions (first position P1, second position P2, third position P3), the width (horizontal length) L1 of the joint 113 at the first position P1, the width (horizontal length) L2 of the joint 113 at the second position P2, and the A first position P1, a second position P2, and a third position where the width (horizontal length) L3 of the joint portion 113 at the third position P3 satisfies L2<L1 and L2<L3<2LS. P3 exists. In this case, a constriction is formed in which the horizontal cross-sectional area of the joint portion 113 is temporarily narrowed at least at the second position P2. Thereby, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed. On the other hand, in the comparative example (see FIG. 13), such first position P1 to third position P3 do not exist, and a portion where the horizontal cross-sectional area is temporarily narrowed is not formed in the joint portion 113. not Therefore, it is considered that the variation in the temperature distribution of the mounting surface 111 in the ceramic heaters 100 of Examples 1 to 4 could be reduced as compared with the ceramic heater 100C of the comparative example.

図12に示されるように、実施例5においては、セラミックスヒータ100Bの接合部113の側面は、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状の曲面となっている。そして、接合部113の接合面113aにおける外径(水平方向の幅)Lbは、シャフト130の円筒部131の上面における外径(水平方向の幅)LSよりも小さい。これにより、実施例1~4と同様に、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。そのため、実施例5のセラミックスヒータ100Bにおける載置面111の温度分布のばらつきを、比較例のセラミックスヒータ100Cと比べて小さくすることができたと考えられる。 As shown in FIG. 12, in Example 5, the side surface of the joint portion 113 of the ceramic susceptor 100B is a tapered curved surface tapering toward the joint surface 113a. The outer diameter (horizontal width) Lb of the joint surface 113 a of the joint portion 113 is smaller than the outer diameter (horizontal width) LS of the upper surface of the cylindrical portion 131 of the shaft 130 . As a result, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed, as in the first to fourth embodiments. Therefore, it is considered that the variation in the temperature distribution of the mounting surface 111 of the ceramic heater 100B of Example 5 could be made smaller than that of the ceramic heater 100C of the comparative example.

実施例1と実施例4とを比較すると、実施例1のセラミックヒータ100においては、溝114の断面形状の隅部の曲率半径が0.3mm未満であるのに対して、実施例4のセラミックヒータ100では溝114の断面形状の隅部の曲率半径が1mmである。このように、溝114の断面形状の隅部の曲率半径を1mm以上とすることにより、隅部で発生する応力を緩和することができ、隅部においてクラックが発生することを抑制することができる。これに起因して、実施例4のセラミックヒータ100は、実施例1のセラミックヒータ100と比べて、リークが発生しづらくなっていると考えられる。さらに、実施例1においては、隅部を含めた溝114の内面の表面粗さRaが1.0μmであるのに対して、実施例4では、隅部を含めた溝114の内面の表面粗さRaが0.09μmである。このように、隅部を含めた溝114の内面の表面粗さRaを0.1μm以下とすることにより、隅部においてクラックが発生することを抑制することができると考えられる。このことも、実施例4のセラミックヒータ100は、実施例1のセラミックヒータ100と比べて、リークが発生しづらくなっていることに寄与していると考えられる。 Comparing Example 1 and Example 4, in the ceramic heater 100 of Example 1, the radius of curvature of the corner of the cross-sectional shape of the groove 114 is less than 0.3 mm, whereas the ceramic heater of Example 4 In the heater 100, the radius of curvature of the corner of the cross-sectional shape of the groove 114 is 1 mm. Thus, by setting the radius of curvature of the corners of the cross-sectional shape of the groove 114 to 1 mm or more, the stress generated at the corners can be alleviated, and the occurrence of cracks at the corners can be suppressed. . As a result, the ceramic heater 100 of Example 4 is less prone to leakage than the ceramic heater 100 of Example 1. Furthermore, in Example 1, the surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 including the corners was 1.0 μm, whereas in Example 4, the surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 including the corners was 1.0 μm. The height Ra is 0.09 μm. By setting the surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 including the corners to 0.1 μm or less in this way, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the corners. This is also considered to contribute to the fact that the ceramic heater 100 of Example 4 is less likely to leak than the ceramic heater 100 of Example 1.

<実施形態の作用効果>
上記実施形態及び実施例において、セラミックスヒータ100は、セラミックス基材110と、セラミックス基材110に埋設された金属製の電極箔120と、シャフト130とを備えている。セラミックス基材110の載置面111と対向する裏面112には、接合部113が設けられている。接合部113の側面には溝114が設けられている。上述のように、接合部113の側面の、溝114が形成された領域には、接合面113aから上方に向かって順番に並んだ第1位置P1、第2位置P2、第3位置P3であって、第1位置P1における接合部113の幅(水平方向の長さ)L1と、第2位置P2における接合部113の幅(水平方向の長さ)L2と、第3位置P3における接合部113の幅(水平方向の長さ)L3とが、L2<L1であり、かつ、L2<L3<2LSであるような第1位置P1、第2位置P2、第3位置P3が存在する。この場合には、少なくとも第2位置P2において、接合部113の水平断面積が一時的に細くなるくびれが形成されている。これにより、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。
<Action and effect of the embodiment>
In the above embodiments and examples, the ceramic susceptor 100 includes the ceramic base 110 , the metal electrode foil 120 embedded in the ceramic base 110 , and the shaft 130 . A joint portion 113 is provided on a rear surface 112 of the ceramic base 110 that faces the mounting surface 111 . A groove 114 is provided on the side surface of the joint portion 113 . As described above, in the region of the side surface of the joint 113 where the groove 114 is formed, there are the first position P1, the second position P2, and the third position P3 arranged in order upward from the joint surface 113a. The width (horizontal length) L1 of the joint 113 at the first position P1, the width (horizontal length) L2 of the joint 113 at the second position P2, and the joint 113 at the third position P3 There are a first position P1, a second position P2, and a third position P3 where L2<L1 and L2<L3<2LS. In this case, a constriction is formed in which the horizontal cross-sectional area of the joint portion 113 is temporarily narrowed at least at the second position P2. Thereby, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed.

上記実施形態及び実施例において、セラミックスヒータ100A、100Bの接合部113の側面は、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状の曲面を有している。そして、接合部113の接合面113aにおける外径(水平方向の幅)Lbは、シャフト130の円筒部131の上面における外径(水平方向の幅)LSよりも小さい。これにより、セラミックス基材110からシャフト130に流れる熱の流れを抑制することができる。 In the embodiments and examples described above, the side surfaces of the joint portions 113 of the ceramic heaters 100A and 100B have tapered curved surfaces that taper toward the joint surface 113a. The outer diameter (horizontal width) Lb of the joint surface 113 a of the joint portion 113 is smaller than the outer diameter (horizontal width) LS of the upper surface of the cylindrical portion 131 of the shaft 130 . Thereby, the flow of heat from the ceramic base 110 to the shaft 130 can be suppressed.

上記実施形態及び実施例において、セラミックヒータ100の溝114の断面形状は、曲率半径が1mm以上の曲線部を有することができる。特に、セラミックヒータ100の溝114の断面形状の、隅部などの曲率半径が最も小さい部分の曲率半径を1mm以上にすることができる。同様に、セラミックヒータ100A、100Bの断面形状は、曲率半径が1mm以上の曲線部を有することができる。曲率半径が1mm以上の曲線部において、応力を緩和することができ、この部分でクラックが発生することを抑制することができる。これにより、セラミックスヒータ100、100A、100Bでリークが発生することを抑制することができる。 In the above embodiments and examples, the cross-sectional shape of the groove 114 of the ceramic heater 100 may have a curved portion with a radius of curvature of 1 mm or more. In particular, the radius of curvature of the smallest radius of curvature, such as corners, of the cross-sectional shape of the groove 114 of the ceramic heater 100 can be set to 1 mm or more. Similarly, the cross-sectional shape of the ceramic heaters 100A and 100B can have a curved portion with a curvature radius of 1 mm or more. The stress can be relieved at the curved portion with a radius of curvature of 1 mm or more, and the occurrence of cracks at this portion can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of leakage in the ceramic heaters 100, 100A, and 100B.

上記実施形態及び実施例において、セラミックヒータ100の溝114の内面の表面粗さRaを0.1μm以下にすることができる。同様に、セラミックヒータ100A、100Bの接合部113の側面の、接合面113aに向かって先細るようなテーパー形状の曲面の表面粗さRaを0.1μm以下にすることができる。これにより、表面粗さRaを0.1μm以下にした部分でクラックが発生することを抑制することができ、セラミックスヒータ100、100A、100Bでリークが発生することを抑制することができる。 In the above embodiments and examples, the surface roughness Ra of the inner surface of the groove 114 of the ceramic heater 100 can be set to 0.1 μm or less. Similarly, the surface roughness Ra of the tapered curved surface tapering toward the joint surface 113a of the joint portion 113 of the ceramic heaters 100A and 100B can be reduced to 0.1 μm or less. As a result, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the portions where the surface roughness Ra is 0.1 μm or less, and it is possible to suppress the occurrence of leaks in the ceramic heaters 100, 100A, and 100B.

<変更形態>
上述の実施形態は、あくまで例示に過ぎず、適宜変更しうる。例えば、セラミックス基材110、シャフト130の形状、寸法は上記実施形態のものには限られず、適宜変更しうる。接合部113の形状、寸法及び溝114の断面形状、幅等の寸法も適宜変更しうる。また、接合部113の側面に設けられたテーパー形状の曲面の形状、寸法等も適宜変更しうる。上記実施形態においては、電極箔として、モリブデン箔、タングステン箔、モリブデン及び/又はタングステンを含む合金の箔を用いていたが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、モリブデン、タングステン以外の金属の箔、又は、合金の箔を用いることもできる。
<Change form>
The above-described embodiment is merely an example, and can be changed as appropriate. For example, the shape and dimensions of the ceramic substrate 110 and the shaft 130 are not limited to those of the above embodiment, and can be changed as appropriate. The shape and dimensions of the joint 113 and the cross-sectional shape, width and other dimensions of the groove 114 can also be changed as appropriate. Also, the shape, dimensions, etc. of the tapered curved surface provided on the side surface of the joint 113 can be changed as appropriate. In the above embodiments, molybdenum foil, tungsten foil, and alloy foil containing molybdenum and/or tungsten are used as the electrode foil, but the present invention is not limited to such an aspect. For example, metal foils other than molybdenum and tungsten, or alloy foils may be used.

上記実施形態及び実施例1~5において、シャフト130の上端にフランジ133が形成されていない場合、シャフト130の上面の径と、接合部113接合面113aの径は同じであったが、本発明はそのような態様には限られず、シャフト130の上面の径と、接合部113接合面113aの径とを適宜の大きさに変更しうる。 In the above-described embodiment and Examples 1 to 5, when the flange 133 was not formed on the upper end of the shaft 130, the diameter of the upper surface of the shaft 130 and the diameter of the joint surface 113a of the joint portion 113 were the same. is not limited to such an aspect, and the diameter of the upper surface of the shaft 130 and the diameter of the joint surface 113a of the joint portion 113 can be changed to appropriate sizes.

以上、発明の実施形態及びその変更形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記の記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれうることが請求の範囲の記載からも明らかである。 Although the embodiments of the invention and their modifications have been described above, the technical scope of the invention is not limited to the scope of the above description. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements may be made to the above embodiments. It is also clear from the description of the scope of claims that forms with such modifications or improvements can also be included in the technical scope of the present invention.

明細書、及び図面中において示した製造方法における各処理の実行順序は、特段に順序が明記されておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるので無い限り、任意の順序で実行しうる。便宜上、「まず、」「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するわけではない。 The execution order of each process in the manufacturing method shown in the specification and drawings is not specified in particular, and unless the output of the previous process is used in the subsequent process, in any order can be executed. For the sake of convenience, "first", "next", etc. are used for explanation, but it does not mean that it is essential to carry out in this order.

100 セラミックスヒータ
110 セラミックス基材
113 接合部
114 溝
115 凹部
120 電極箔
130 シャフト
140 給電線
REFERENCE SIGNS LIST 100 ceramic heater 110 ceramic substrate 113 junction 114 groove 115 recess 120 electrode foil 130 shaft 140 feeder line

Claims (6)

被加熱物が載置される上面、前記上面と上下方向において対向する下面、及び、前記下面から前記上下方向の下方側に突出する接合部であって、前記上面と平行な接合面を有する接合部を有するセラミックス基材と、
前記セラミックス基材に埋設された発熱体と、
前記接合面に接合された上面を有する筒状のシャフトと、を備え、
前記セラミックス基材の前記接合部の側面は、前記接合面から前記上下方向の上方に向かって順に並んだ第1位置、第2位置、第3位置であって、
前記第1位置における前記接合部の、前記上下方向に直交する水平方向の幅をL1とし、
前記第2位置における前記接合部の、前記水平方向の幅をL2とし、
前記第3位置における前記接合部の、前記水平方向の幅をL3とし、
前記上面における前記シャフトの前記水平方向の幅をLSとしたときに、
L1>L2
且つ
L2<L3<2LS
を満たすような第1位置、第2位置、第3位置を有することを特徴とするセラミックスヒータ。
A bonding having an upper surface on which an object to be heated is placed, a lower surface that faces the upper surface in the vertical direction, and a joint portion that projects downward in the vertical direction from the lower surface and has a joint surface parallel to the upper surface. a ceramic base having a portion;
a heating element embedded in the ceramic base;
a cylindrical shaft having an upper surface joined to the joint surface;
Side surfaces of the joint portion of the ceramic base material are arranged in order from the joint surface upward in the vertical direction, the second position, and the third position,
L1 is the width of the joint portion in the first position in the horizontal direction orthogonal to the vertical direction;
Let L2 be the width in the horizontal direction of the joint at the second position,
L3 is the width in the horizontal direction of the joint portion at the third position;
When the horizontal width of the shaft on the upper surface is LS,
L1 > L2
and L2<L3<2LS
A ceramic susceptor characterized by having a first position, a second position, and a third position that satisfy:
前記セラミックス基材の前記接合部の、前記第1位置、前記第2位置、前記第3位置を含む領域の、前記上下方向に平行な断面は、曲率半径が1mm以上の曲線部を有する請求項1に記載のセラミックスヒータ。 3. A cross section parallel to the vertical direction of a region including the first position, the second position, and the third position of the joint portion of the ceramic base material has a curved portion with a radius of curvature of 1 mm or more. 2. The ceramic susceptor according to 1. 前記セラミックス基材の前記接合部の側面の、前記第1位置、前記第2位置、前記第3位置を含む領域の表面粗さRaは、0.1μm以下である請求項1又は2に記載のセラミックスヒータ。 3. The surface roughness Ra of a region including the first position, the second position, and the third position of the side surface of the joint portion of the ceramic base material according to claim 1 or 2, wherein the surface roughness Ra is 0.1 μm or less. ceramic heater. 被加熱物が載置される上面、前記上面と上下方向において対向する下面、及び、前記下面から前記上下方向の下方側に突出する接合部であって、前記上面と平行な接合面を有する接合部を有するセラミックス基材と、
前記セラミックス基材に埋設された発熱体と、
前記接合面に接合された上面を有するフランジ、及び前記フランジから前記上下方向の前記下方側に延びる筒部を有するシャフトと、を備え、
前記接合部は、前記上下方向に直交する水平方向の幅が、前記接合面に向かって先細るようなテーパー形状を有しており、
前記接合部の前記接合面における前記水平方向の幅は、前記フランジの前記上面における前記水平方向の幅よりも小さいことを特徴とするセラミックスヒータ。
A bonding having an upper surface on which an object to be heated is placed, a lower surface that faces the upper surface in the vertical direction, and a joint portion that projects downward in the vertical direction from the lower surface and has a joint surface parallel to the upper surface. a ceramic base having a portion;
a heating element embedded in the ceramic base;
a flange having an upper surface joined to the joint surface; and a shaft having a tubular portion extending downward in the vertical direction from the flange,
The joint portion has a tapered shape in which a width in a horizontal direction perpendicular to the vertical direction tapers toward the joint surface,
A ceramic susceptor, wherein the horizontal width of the joint surface of the joint portion is smaller than the horizontal width of the upper surface of the flange.
前記セラミックス基材の前記接合部の、前記上下方向に平行な断面は、曲率半径が1mm以上の曲線部を有する請求項4に記載のセラミックスヒータ。 5. The ceramic susceptor according to claim 4, wherein the joint portion of the ceramic base material has a curved portion with a curvature radius of 1 mm or more in a cross section parallel to the vertical direction. 前記セラミックス基材の前記接合部の側面の表面粗さRaは、0.1μm以下である請求項4又は5に記載のセラミックスヒータ。 6. The ceramic susceptor according to claim 4, wherein the surface roughness Ra of the joint portion of the ceramic substrate is 0.1 [mu]m or less.
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