JP2023082289A - サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】印刷媒体が凸部に引っかかることを抑制できるサーマルプリントヘッドを提供する。【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１において、主面１１を有し単結晶半導体からなる基材１０と、絶縁層１９と、ｘ方向に配列された複数の発熱部４１を含む抵抗体層４と、基材１０と複数の発熱部４１との間に形成され、ガラス材料からなるグレーズである蓄熱層１５とを備えた。基材１０は、主面１１から突出し、ｘ方向に延びる凸部１２を備える。凸部１２は、主面１１と平行な頂面１３１を有する頂部１３と、頂部１３と主面１１とにつながり、主面１１に対して傾斜した傾斜部１４とを備える。傾斜部１４は、主面１１につながり、主面１１に対して第１傾斜角α１だけ傾斜した第１斜面１４１と、第１斜面１４１と頂面１３１との間に介在し、主面１１に対して第２傾斜角α２だけ傾斜した第２斜面１４２とを備える。蓄熱層１５は、頂面１３１にだけ形成されている。【選択図】 図６

Description

本開示は、サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法に関する。

特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般的に、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、蓄熱層を介してヘッド基板に形成された抵抗体層上に、抵抗体層の一部を露出させるように上流側導電層および下流側導電層を積層することで形成されている。上流側電極層と下流側電極層との間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。蓄熱層は、発熱部が発する熱を蓄えるために形成され、高速印字を可能にしている。

特許文献１に開示されたサーマルプリントヘッドは、基材としてＳｉ（シリコン）が用いられ、異方性エッチングによって凸部が形成されている。凸部の頂面には蓄熱層が形成され、凸部にはさらに絶縁層、抵抗体層、電極層、および保護層がこの順で形成されている。凸部上で、電極層から露出する抵抗体層が発熱部を構成する。印刷媒体は、プラテンローラによって搬送され、凸部に配置された発熱部に押圧されることで印刷が行われる。凸部の頂面につながる傾斜外面の、基材の主面に対する傾斜角α１は、例えば５０～６０度である。印刷媒体に厚みがある場合、プラテンローラによって搬送されてきた印刷媒体の先端の下端が凸部の傾斜外面に接触して引っかかる場合がある。

特開２０２１－１１０２１号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印刷媒体が凸部に引っかかることを抑制できるサーマルプリントヘッドを提供すること、また、そのサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題とする。

本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の一方を向く主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材と、前記主面の上に形成され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、前記基材と前記複数の発熱部との間に形成され、かつ、ガラス材料からなるグレーズである蓄熱層とを備え、前記基材は、前記主面から突出し、かつ、前記主走査方向に延びる凸部を備え、前記凸部は、前記主面と平行な頂面を有する頂部と、前記頂部と前記主面とにつながり、かつ、前記主面に対して傾斜した傾斜部とを備え、前記傾斜部は、前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面と、前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面とを備え、前記蓄熱層は、前記頂面にだけ形成されている。

本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、前記基材に第１の異方性エッチングを施して、厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突出した凸部と、前記凸部の前記主面に平行な天面から凹み、かつ、主走査方向に延びる２本の溝を形成する第１エッチング工程と、前記天面の前記２本の溝ではさまれた領域にガラスペーストを配置して焼成することで蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程と、前記基材に第２の異方性エッチングを施して、前記凸部の一部を除去することで、前記凸部に、前記天面のうち前記２本の溝ではさまれた領域である頂面と、前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面と、前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面と、を形成する第２エッチング工程と、前記蓄熱層の上に、前記主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程とを備えている。

本開示に係るサーマルプリントヘッドは、印刷媒体が凸部に引っかかることを抑制できる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図２は、図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。 図３は、図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。 図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図１に示すサーマルプリントヘッドの要部断面図である。 図６は、図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大断面図である。 図７は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図８は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図９は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１０は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１１は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１２は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１３は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１４は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１５は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１６は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の他の一例の一工程を示す断面図である。 図１７は、図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の他の一例の一工程を示す断面図である。 図１８は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。 図１９は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。 図２０は、本開示の第４実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。 図２１は、本開示の第５実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。 図２２は、図２１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図２３は、図２１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

＜第１実施形態＞
図１～図６は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、接続基板５、複数のワイヤ６１，６２、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１は、プラテンローラ９９（図４参照）によって搬送される印刷媒体（図示略）に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。印刷媒体としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。

図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部断面図であり、図４の一部を拡大した断面図である。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部拡大断面図であり、図５の一部を拡大した断面図である。図１～図３においては、理解の便宜上、後述する保護層２を省略している。図１および図２においては、理解の便宜上、保護樹脂７８を省略している。また、図２においては、理解の便宜上、ワイヤ６１を省略している。また、これらの図において、ヘッド基板１の長手方向（主走査方向）をｘ方向とし、短手方向（副走査方向）をｙ方向とし、厚さ方向をｚ方向として説明する。また、ｙ方向については、図１～図３の下方（図４～図６の右方）を印刷媒体が送られてくる「上流」とし、図１～図３の上方（図４～図６の左方）を印刷媒体が排出される「下流」とする。また、ｚ方向については、図４～図６の上方（ｚ方向を示す矢印が指す方向）を「上方」とし、その反対方向を「下方」とする。以下の図においても同様である。

図４に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１において、ヘッド基板１および接続基板５は、放熱部材８上で、ｙ方向に隣接して搭載されている。ヘッド基板１には、後に詳説する構成により、ｘ方向に配列される複数の発熱部４１が形成されている。この発熱部４１は、接続基板５に搭載されたドライバＩＣ７により選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９９によって発熱部４１に押圧される印刷媒体に印字を行う。

ヘッド基板１は、図１～図６に示すように、基材１０、蓄熱層１５、絶縁層１９、保護層２、電極層３、および、抵抗体層４を備えている。

基材１０は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Ｓｉが好適である。基材１０は、図１に示すように、ｚ方向視において、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする細長矩形状である。基材１０の大きさは限定されないが、一例を挙げると、ｘ方向の寸法は、たとえば２０ｍｍ以上３００ｍｍ以下、ｙ方向の寸法は、たとえば１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、ｚ方向の寸法は、たとえば７２５μｍである。基材１０において、ｙ方向のドライバＩＣ７に近い側が上流側であり、ドライバＩＣ７から遠い側が下流側である。印刷媒体は、プラテンローラ９９によって、ｙ方向の上流側から下流側に搬送される。

基材１０は、図１、図２、図５および図６に示すように、主面１１および凸部１２を有している。主面１１は、ｚ方向の上方を向く。本開示では、主面１１は、ｘ－ｙ平面（ｘ方向とｙ方向で規定される平面、他の平面も同様）に沿って広がっており、ｘ－ｙ平面に略平行な平面である。主面１１は、（１００）面である。凸部１２は、主面１１からｚ方向に突出しており、ｘ方向に延びている。凸部１２は、主面１１の下流側寄りに形成されている。凸部１２は、ｙ－ｚ平面に沿う断面の形状が、ｘ方向に一様である。以下では、ｙ－ｚ平面に沿う断面を「ｙ－ｚ断面」という。凸部１２は、ｚ方向下方側の端部におけるｙ方向の寸法Ｗ１が、たとえば５００μｍ程度であり、ｚ方向上方側の端部におけるｙ方向の寸法Ｗ２が、たとえば２００μｍ程度である。寸法Ｗ１，Ｗ２は限定されないが、本実施形態では、寸法Ｗ１は、寸法Ｗ２の２倍以上１０倍以下である。また、凸部１２のｚ方向の寸法Ｈ１は、たとえば１５０μｍ程度である。凸部１２は、図６に示すように、頂部１３および一対の傾斜部１４を含んでいる。

頂部１３は、図５および図６に示すように、凸部１２のうち、主面１１からのｚ方向の距離が相対的に大きい部分である。頂部１３は、主面１１と平行な頂面１３１を有する。頂面１３１は、略平面である。頂面１３１は、ｚ方向視において、ｘ方向に長く延びる細長矩形状である。上記寸法Ｈ１は、頂面１３１と主面１１とのｚ方向における離間距離である。

一対の傾斜部１４は、図５および図６に示すように、凸部１２のうち、頂部１３からｙ方向に離れるほど低位となるように主面１１および頂面１３１に対して傾斜する部分である。一対の傾斜部１４はそれぞれ、主面１１と頂部１３とに繋がり、ｙ方向においてこれらに挟まれている。一対の傾斜部１４には、頂部１３に対して上流側の傾斜部１４と下流側の傾斜部１４とがある。一対の傾斜部１４はそれぞれ、図６に示すように、第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３を有する。第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３は、ｙ方向に並んでいる。第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３は、いずれも、主面１１および頂面１３１に対して傾斜している。

第１斜面１４１は、ｙ方向において主面１１および第２斜面１４２につながり、かつ、主面１１に対して第１傾斜角α１だけ傾斜している。本実施形態では、第１斜面１４１は（１１１）面であり、第１傾斜角α１は、たとえば５４．８°である。第２斜面１４２は、ｙ方向において第１斜面１４１および第３斜面１４３につながり、かつ、主面１１に対して第２傾斜角α２だけ傾斜している。第２傾斜角α２は、第１傾斜角α１より小さく、本実施形態では、たとえば３１°である。第３斜面１４３は、ｙ方向において第２斜面１４２および頂面１３１につながり、かつ、主面１１に対して第３傾斜角α３だけ傾斜している。第３傾斜角α３は、第２傾斜角α２より大きい。本実施形態では、第３斜面１４３は（１１１）面であり、第３傾斜角α３は、第１傾斜角α１と同じ、たとえば５４．８°である。第３斜面１４３は、第１斜面１４１および第２斜面１４２と比較して、ｘ方向に直交する方向の寸法が十分小さい。なお、第１傾斜角α１、第２傾斜角α２、および第３傾斜角α３は限定されない。第２傾斜角α２は第１傾斜角α１より小さく、第３傾斜角α３は第２傾斜角α２より大きければよい。

蓄熱層１５は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなるグレーズである。当該グレーズ（蓄熱層１５）は、たとえばガラスペーストを焼成することにより形成される。本実施形態では、蓄熱層１５の熱膨張係数は、基材１０の材料であるＳｉと同程度である。なお、蓄熱層１５のガラス材料の特性は限定されない。図５および図６に示すように、蓄熱層１５は、凸部１２の頂部１３の上に配置されている。蓄熱層１５は、頂面１３１に接しており、本実施形態では、蓄熱層１５は、第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３には接していない。蓄熱層１５は、頂面１３１にだけ形成されている。蓄熱層１５は、ｘ方向に延びており、頂面１３１のｙ方向の全幅にわたって形成されている。

本実施形態では、後述する製造方法に示すように、蓄熱層１５は、ディスペンサーを用いてガラスペーストを配置して焼成する工程により形成される。なお、ガラスペーストを配置する回数は限定されず、１回だけガラスペーストを配置して焼成してもよいし、２回以上配置してもよい。また、ガラスペーストの配置方法は限定されず、たとえば、孔版印刷（たとえばスクリーン印刷）などによって配置してもよい。

本実施形態では、蓄熱層１５の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）Ｈ２は、たとえば１０μｍ以上２００μｍ以下（好ましくは１５μｍ以上６０μｍ以下）である。また、蓄熱層１５の幅寸法（ｙ方向の寸法）に対する厚さ寸法Ｈ２の比率（いわゆるアスペクト比）は、０．０５以上０．２５以下である。本実施形態では、蓄熱層１５が頂面１３１のｙ方向の全幅にわたって形成されているので、蓄熱層１５の幅寸法は、頂面１３１の幅寸法（ｙ方向の寸法）、すなわち、凸部１２のｚ方向上方側の端部におけるｙ方向の寸法Ｗ２と同じになっている。なお、蓄熱層１５の各寸法は限定されない。蓄熱層１５は、充分に蓄熱が可能であり、かつ、不必要に蓄熱し過ぎないように、厚さ寸法Ｈ２および幅寸法Ｗ２が設計される。蓄熱層１５の必要な厚さ（またはアスペクト比）に応じて、ガラスペーストの配置回数および配置方法は設定される。

図６に示すように、蓄熱層１５には、その上面において、ｙ方向両端に一対のラウンド部１５１が形成されている。一対のラウンド部１５１はそれぞれ、盛り上がるように湾曲した部分である。一対のラウンド部１５１により、蓄熱層１５の表面が、一対の傾斜部１４（凸部１２）の各第３斜面１４３にかけて滑らかに連続させられている。各ラウンド部１５１は、蓄熱層１５を形成する際にガラスペーストを焼成することにより形成される。図６の例示においては、蓄熱層１５の上面は、ｙ方向において一対のラウンド部１５１の間に略平坦な面が介在した形状になっている。なお、蓄熱層１５の上面は、この略平坦な面がなく、一対のラウンド部１５１同士が繋がった形状であってもよい。この場合、蓄熱層１５の上面は、ｚ方向上方に湾曲した凸面になる。

絶縁層１９は、図５および図６に示すように、基材１０の主面１１側に形成され、基材１０および蓄熱層１５を覆う。絶縁層１９は、主面１１と、凸部１２のそれぞれ一対の第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３と、蓄熱層１５の上面とに接する。絶縁層１９は、基材１０を、抵抗体層４および電極層３に対してより確実に絶縁するためのものである。絶縁層１９は、基材１０の、抵抗体層４または電極層３が形成される領域に形成されていればよい。絶縁層１９は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ₂またはＳｉＮ（窒化ケイ素）からなる。ＳｉＯ₂からなる絶縁層１９の形成方法としては、たとえばＴＥＯＳ（ オルトケイ酸テトラエチル； テトラエトキシシランともいう） を原料ガスとした成膜が挙げられる。絶縁層１９の厚さは特に限定されず、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下である。

抵抗体層４は、図５および図６に示すように、絶縁層１９上に形成され、絶縁層１９を覆う。抵抗体層４は、絶縁層１９を挟んで、主面１１および凸部１２にわたって形成されている。抵抗体層４は、たとえばＴａＮ（窒化タンタル）からなる。抵抗体層４の厚さは特に限定されず、たとえば０．０２μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは０．０８μｍ程度）である。

抵抗体層４は、図３、図５および図６に示すように、複数の発熱部４１を含む。複数の発熱部４１は、抵抗体層４のうち後述する電極層３に覆われずに露出する部分である。複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。複数の発熱部４１は、ｘ方向に配列され、ｘ方向において互いに離間している。複数の発熱部４１のｙ方向における形成領域は、凸部１２の頂部１３（頂面１３１）のｙ方向の一部または全部を含んだ領域とされる。したがって、各発熱部４１は、ｚ方向視において、蓄熱層１５に重なっている。

電極層３は、複数の発熱部４１に通電するための導通経路を構成する。電極層３は、抵抗体層４に積層され、基材１０に支持されている。電極層３は、抵抗体層４よりも抵抗値が小さい金属材料からなり、たとえばＣｕ（銅）からなる。電極層３の厚さは特に限定されず、たとえば０．３μｍ以上２．０μｍ以下である。なお、電極層３は、Ｃｕ層と、Ｔｉ（チタン）層とが積層された構成であってもよい。この場合、Ｔｉ層は、Ｃｕ層と抵抗体層４との間に介在し、たとえば厚さ１５０ｎｍ程度である。

電極層３は、図１～図３、図５および図６に示すように、複数の個別電極３１および共通電極３２を含んでいる。抵抗体層４のうち、複数の個別電極３１と共通電極３２との間において電極層３から露出した部分が、複数の発熱部４１となっている。

複数の個別電極３１はそれぞれ、概ねｙ方向に延びる帯状である。各個別電極３１は、各発熱部４１よりもｙ方向上流側に配置されている。図３および図６に表れているように、本実施形態では、各個別電極３１のｙ方向下流側の先端は、ｙ方向上流側の傾斜部１４まで延びている。各個別電極３１のｙ方向上流側の先端には、電極パッド部３１１が形成されている。電極パッド部３１１は、接続基板５に搭載されるドライバＩＣ７とワイヤ６１により接続される部分である。

共通電極３２は、図２および図３に示すように、共通部３２３および複数の櫛歯部３２４を含んでいる。共通部３２３は、複数の櫛歯部３２４を共通に繋げる。共通部３２３は、ｘ方向に延びている。共通部３２３は、複数の櫛歯部３２４のｙ方向下流側に位置する。各櫛歯部３２４は、共通部３２３の上流側の端縁からｙ方向に延びる帯状である。複数の櫛歯部３２４は、互いに離間し、ｘ方向に並んでいる。各櫛歯部３２４のｙ方向上流側の先端は、各個別電極３１の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。よって、各櫛歯部３２４のｙ方向上流側の先端と、各個別電極３１のｙ方向下流側の先端との間において、抵抗体層４が電極層３から露出する。図３および図６に表れているように、各櫛歯部３２４のｙ方向上流側の先端は、ｙ方向下流側の傾斜部１４まで延びている。各櫛歯部３２４のｙ方向下流側部分と共通部３２３とは、図２に示すように、主面１１上に形成されている。

なお、ｚ方向視における各個別電極３１および共通電極３２の各形状、また、各個別電極３１および共通電極３２の形成領域は、上述したものに限定されない。例えば、共通電極３２も各発熱部４１よりもｙ方向上流側に配置されてもよい。この場合、共通部３２３は複数の櫛歯部３２４のｙ方向上流側に配置され、複数の櫛歯部３２４はそれぞれ各個別電極３１の間に配置される。そして、櫛歯部３２４と個別電極３１とを導通させるための折り返し配線が、各発熱部４１のｙ方向下流側に配置される。

保護層２は、図５および図６に示すように、電極層３および抵抗体層４を覆っている。保護層２は、絶縁性の材料からなり、たとえばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）のいずれかあるいはそれら２つ以上の積層体からなる。保護層２の厚さは特に限定されず、たとえば１．０μｍ以上１０μｍ以下である。

保護層２は、図５に示すように、ｚ方向に貫通するパッド用開口２１を有する。パッド用開口２１は、複数の個別電極３１に設けた電極パッド部３１１をそれぞれ露出させている。

接続基板５は、図１および図４に示すように、ヘッド基板１に対してｙ方向上流側に隣接して配置されている。接続基板５は、たとえばＰＣＢ基板である。接続基板５は、たとえば、図１に示すように、ｚ方向視において、ｘ方向を長手方向とする細長矩形状である。接続基板５は、図４に示すように、ドライバＩＣ７およびコネクタ５９が搭載されている。

コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をプリンタ（図示略）に接続するために用いられる。コネクタ５９は、図４に示すように、接続基板５に取り付けられており、接続基板５の配線パターン（図示略）に接続されている。

ドライバＩＣ７は、図１および図４に示すように、接続基板５上に搭載されており、複数の発熱部４１を個別に通電させる。ドライバＩＣ７は、図４および図５に示すように、複数のワイヤ６１によって、各個別電極３１の各電極パッド部３１１にそれぞれ接続されている。また、ドライバＩＣ７は、複数のワイヤ６２によって、接続基板５上に形成された配線パターンに接続されている。ドライバＩＣ７にはコネクタ５９を介して外部から送信される印字信号、制御信号および複数の発熱部４１に供給される電圧が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号および制御信号にしたがって個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。

ドライバＩＣ７および複数のワイヤ６１，６２は、図４および図５に示すように、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るように形成された保護樹脂７８で覆われている。保護樹脂７８は、エポキシ樹脂などの黒色の絶縁性材料が用いられている。

放熱部材８は、図４に示すように、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、複数の発熱部４１により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材８はたとえばアルミ等の金属製である。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図７～図１５を参照しつつ、以下に説明する。図７は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図８～図１５はそれぞれ、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例の一工程を示す断面図であって、図６に示す断面に対応する。なお、図８～図１５に示すｘ方向、ｙ方向、およびｚ方向は、図１～図６と同じ方向を示している。

図７に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、基材準備工程Ｓ１０、第１エッチング工程Ｓ２０、蓄熱層形成工程Ｓ３０、第２エッチング工程Ｓ４０、再焼成工程Ｓ５０、絶縁層形成工程Ｓ６０、発熱部形成工程Ｓ７０、保護層形成工程Ｓ８０、および切断工程Ｓ９０を備えている。

基材準備工程Ｓ１０は、材料となる基材１０Ａを準備する工程である。当該工程では、図８に示すように、基材１０Ａを準備する。基材１０Ａは、単結晶半導体からなり、たとえばＳｉウエハである。基材１０Ａは、主面１１Ａを有する。主面１１Ａは、略平坦であり、ｚ方向の上方を向く。主面１１Ａは（１００）面である。

第１エッチング工程Ｓ２０は、基材１０Ａに１回目のエッチング処理を施す工程であり、図９に示すように、凸部１２Ａを形成する工程である。当該工程では、まず、基材１０Ａの主面１１Ａの一部に所定のマスク層９１（図８および図９において２点鎖線で示す）を形成する。マスク層９１は、ｘ方向に延びており、２本のスリット９２を備えている。２本のスリット９２は、互いに平行にｘ方向に延びており、ｚ方向においてマスク層９１を貫通している。そして、たとえばアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う。このアルカリ水溶液としては、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などが挙げられる。これにより、図９に示すように、主面１１および凸部１２Ａを有する基材１０が形成される。主面１１は、主面１１Ａと同じく（１００）面である。

凸部１２Ａは、主面１１からｚ方向に突出しており、ｘ方向に延びている。凸部１２Ａは、頂部１３Ａおよび一対の傾斜部１４Ａを含んでいる。頂部１３Ａは、主面１１と平行な天面１３１Ａを有する。天面１３１Ａは、ｚ方向視において、ｘ方向に長く延びる細長矩形状である。天面１３１Ａは、（１００）面である。天面１３１Ａは、マスク層９１に覆われてエッチングされずに残った主面１１Ａの一部である。また、頂部１３Ａは、マスク層９１の２本のスリット９２に対応する位置に、２本の溝１３２Ａを有している。各溝１３２Ａは、天面１３１Ａからｚ方向に凹み、ｘ方向に延びる、ｘ方向視Ｖ字形状の溝である。各溝１３２Ａを構成する１対の側面はそれぞれ、（１１１）面であり、主面１１および天面１３１Ａに対して傾斜している。各側面の第３傾斜角α３は、たとえば５４．８度である。一対の傾斜部１４Ａは、ｙ方向において頂部１３Ａを挟んで配置されている。一対の傾斜部１４Ａはそれぞれ、斜面１４１Ａを有する。一対の斜面１４１Ａはそれぞれ、（１１１）面であり、主面１１および天面１３１Ａに対して傾斜している。各斜面１４１Ａの第１傾斜角α１は、たとえば５４．８度である。その後、マスク層９１を除去する。

蓄熱層形成工程Ｓ３０は、図１０に示すように、蓄熱層１５を形成する工程である。当該工程では、まず、凸部１２Ａの天面１３１Ａの２本の溝１３２Ａで挟まれた領域に、ガラスペーストを配置する。本実施形態では、たとえばディスペンサーを用いてガラスペーストを配置する。配置されたガラスペーストは流動性があるが、表面張力により、天面１３１Ａと溝１３２Ａとの境界線を越えることが阻止される。本実施形態では、溝１３２Ａの側面の第３傾斜角α３が相対的に大きいので、当該効果が大きい。本実施形態では、ガラスペーストを配置した後、その上に重ねてもう一度ガラスペーストを配置する。つまり、本実施形態では、ガラスペーストを２回配置する。なお、ガラスペーストを配置する回数は限定されない。ガラスペーストを２回以上配置する場合は、ガラスペーストを配置した後、乾燥工程により乾燥させて、その形状をより維持しやすい性状にしてから、次のガラスペーストを配置してもよい。また、ガラスペーストの配置方法は限定されず、たとえば、孔版印刷（たとえばスクリーン印刷）などによって配置してもよい。

その後、ガラスペーストを焼成することによって、図１０に示すように、蓄熱層１５が形成される。焼成時の加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、天面１３１Ａと溝１３２Ａとの境界線を越えることが阻止される。本実施形態では、溝１３２Ａの側面の第３傾斜角α３が相対的に大きいので、当該効果が大きい。ガラスペーストは、焼成後の蓄熱層１５の熱膨張係数が基材１０の材料であるＳｉと同程度になるように調整されている。なお、ガラスペーストの組成は限定されない。ガラスペーストを複数回配置した場合も、同じ組成のガラスペーストを用いることで、焼成後の蓄熱層１５は、境界がなく一体となる。なお、ガラスペーストを複数回配置する場合は、ガラスペーストを配置するたびに焼成を行ってもよい。

第２エッチング工程Ｓ４０は、２回目のエッチング処理を施す工程であり、図１１に示すように、凸部１２Ａの一部を除去する工程である。当該工程では、もう一度アルカリ水溶液を用いた第２の異方性エッチングを行う。当該アルカリ水溶液は、ＫＯＨあるいはＴＭＡＨが用いられる。第２エッチング工程Ｓ４０では、蓄熱層１５がマスク層としての機能を有するので、別途マスク層を形成する必要がない。第２の異方性エッチングにより、図１１に示すように、各傾斜部１４Ａおよび頂部１３Ａのうち２点鎖線で示す部分が除去される。これにより、第２斜面１４２が形成される。第２斜面１４２の第２傾斜角α２は、たとえば３１°である。斜面１４１Ａのうちエッチングで除去されなかった部分が第１斜面１４１になる。また、天面１３１Ａのうち２本の溝１３２Ａではさまれた領域が残って、頂面１３１になる。また、各溝１３２Ａの一方の側面（蓄熱層１５に近い方の側面）が残って、頂面１３１につながり、かつ、主面１１に対して第３傾斜角α３だけ傾斜している第３斜面１４３になる。

再焼成工程Ｓ５０は、蓄熱層１５を再焼成する工程である。第２エッチング工程Ｓ４０では、蓄熱層１５の表面に微細な凹凸が形成される場合がある。再焼成工程Ｓ５０では、蓄熱層１５を溶融させたのちに固化させる再焼成を行う。これにより、蓄熱層１５の表面が滑らかな面になる。なお、再焼成工程Ｓ５０は省略してもよい。

絶縁層形成工程Ｓ６０は、図１２に示すように、蓄熱層１５および基材１０を覆う絶縁層１９を形成する工程である。当該工程では、たとえばＣＶＤを用いて、たとえばＴＥＯＳを原料ガスとした成膜を行う。絶縁層１９は、主面１１、凸部１２の一対の傾斜部１４（第１斜面１４１、第２斜面１４２、第３斜面１４３）および蓄熱層１５を覆う。なお、絶縁層１９の形成方法は限定されない。

発熱部形成工程Ｓ７０は、絶縁層１９上に、発熱部４１および発熱部４１に通電するための電極層３を形成する工程である。まず、図１３に示すように、抵抗体膜４Ａを形成する（Ｓ７１）。抵抗体膜４Ａの形成は、たとえばスパッタリングにより絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜４Ａは、絶縁層１９の全面を覆う。次いで、図１４に示すように、導電膜３Ａを形成する（Ｓ７２）。導電膜３Ａの形成は、たとえばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。導電膜３Ａは、抵抗体膜４Ａの全面を覆う。なお、導電膜３Ａの形成では、絶縁層１９上にＴｉ層を形成した後、Ｃｕ層を形成した構成でもよい。次いで、図１５に示すように、導電膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａに選択的なエッチングを施すことにより、導電膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａを部分的に除去する（Ｓ７３）。これにより、ｘ方向に分離された抵抗体層４と、複数の発熱部４１を残して抵抗体層４を覆う複数の個別電極３１および共通電極３２とが形成される。

保護層形成工程Ｓ８０は、保護層２を形成する工程である。当該工程では、たとえばＣＶＤを用いて、絶縁層１９、電極層３、および抵抗体層４のそれぞれの上に、たとえばＳｉＮを堆積させることにより行われる。その後、パッド用開口２１を形成するために、保護層２をエッチング等により部分的に除去する。

切断工程Ｓ９０は、基材１０を切断する工程である。当該工程では、基材１０をｘ方向およびｙ方向に沿って切断し、個片に分割する。以上により、ヘッド基板１が得られる。そして、放熱部材８上へのヘッド基板１および接続基板５の組付け、接続基板５へのドライバＩＣ７の搭載、複数のワイヤ６１，６２のボンディング、保護樹脂７８の形成等を行うことにより、図１～図６に示したサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。

上記した製造方法は一例であり、これに限定されない。たとえば、蓄熱層形成工程Ｓ３０の前に、第２エッチング工程Ｓ４０を行ってもよい。以下では、上記した製造方法を「第１製造方法」とし、蓄熱層形成工程Ｓ３０の前に第２エッチング工程Ｓ４０を行う製造方法を「第２製造方法」とする。第２製造方法は、第１製造方法において、蓄熱層形成工程Ｓ３０と第２エッチング工程Ｓ４０とを入れ替えた製造方法である。基材準備工程Ｓ１０および第１エッチング工程Ｓ２０は、第１製造方法と共通する。

第２製造方法では、第１エッチング工程Ｓ２０の後に、第２エッチング工程Ｓ４０を行う。第２エッチング工程Ｓ４０において、エッチング処理を施す前に、図１６に示すように、凸部１２Ａの天面１３１Ａの２本の溝１３２Ａで挟まれた領域を覆うマスク層９３を形成する。その後、第２の異方性エッチングを行うことで、図１７に示すように、各傾斜部１４Ａおよび頂部１３Ａのうち２点鎖線で示す部分が除去される。これにより、第１斜面１４１、第２斜面１４２、および第３斜面１４３が形成される。また、天面１３１Ａのうちマスク層９３に覆われた領域が、頂面１３１として残っている。その後、マスク層９３を除去する。次に、蓄熱層形成工程Ｓ３０で、頂面１３１にガラスペーストを配置して焼成することで、蓄熱層１５が形成される。配置されるガラスペーストおよび焼成時に加熱されたガラスペーストは流動性があるが、表面張力により、天面１３１Ａと第３斜面１４３との境界線を越えることが阻止される。第２製造方法では、蓄熱層１５が形成される前に、第２エッチング工程Ｓ４０が行われるので、再焼成工程Ｓ５０を省略できる。その後の絶縁層形成工程Ｓ６０、発熱部形成工程Ｓ７０、保護層形成工程Ｓ８０、および切断工程Ｓ９０は、第１製造方法と共通する。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の作用について説明する。

本実施形態によると、サーマルプリントヘッドＡ１は、傾斜部１４が第１斜面１４１および第２斜面１４２を備えている。第２斜面１４２は、ｙ方向において、第１斜面１４１と頂面１３１との間に配置される。また、第２斜面１４２の第２傾斜角α２は第１斜面１４１の第１傾斜角α１より小さい。したがって、傾斜部１４が第２斜面１４２を備えていない場合と比較して、プラテンローラ９９によって搬送された印刷媒体が、凸部１２に引っかかることを抑制できる。なお、傾斜部１４は、ｙ方向において、第２斜面１４２と頂面１３１との間に配置された第３斜面１４３を備えているが、第３斜面１４３のｘ方向に直交する方向の寸法が十分小さいので、印刷媒体の凸部１２への引っかかりについてほとんど影響を与えない。

また、本実施形態によると、ｙ方向において頂面１３１につながる第３斜面１４３の第３傾斜角α３は、第２斜面１４２の第２傾斜角α２より大きい。したがって、第２斜面１４２が頂面１３１につながる場合と比較して、製造工程におけるガラスペーストの配置時、および、焼成での加熱時に、頂面１３１に配置されたガラスペーストが、頂面１３１から流れ出すことをより抑制できる。

また、本実施形態によると、サーマルプリントヘッドＡ１は、基材１０と抵抗体層４との間に形成された蓄熱層１５を備えている。抵抗体層４の各発熱部４１は、ｚ方向視において、蓄熱層１５に重なっている。したがって、各発熱部４１が発する熱は、蓄熱層１５に蓄えられる。蓄熱層１５は、ガラスペーストを配置して焼成することで形成される。そのため、たとえば蓄熱層としてのＳｉＯ₂をスパッタリングで付着させて形成する場合と比較して、蓄熱層１５は、圧倒的な厚みで、かつ圧倒的に短時間で形成される。このことは、サーマルプリントヘッドＡ１の製造効率の向上およびコスト低減に大いに寄与する。

また、本実施形態によると、蓄熱層１５は、ガラスペーストを２回配置することで形成される。したがって、ガラスペーストを１回だけ配置する場合と比較して、より厚い蓄熱層１５が形成可能である。

また、本実施形態によると、蓄熱層１５の幅（ｙ方向の寸法Ｗ２）に対するｚ方向の寸法Ｈ２の比率は、０．０５以上０．２以下である。したがって、蓄熱層１５は、各発熱部４１が発する熱を適切に蓄えることができる。

また、本実施形態によると、基材１０が凸部１２を有しており、複数の発熱部４１は、凸部１２の頂部１３（頂面１３１）上に形成されている。これにより、印刷媒体は、プラテンローラ９９を介して確実に発熱部４１に押圧される。また、凸部１２は、単結晶半導体に対して異方性エッチングを施すことにより形成されるため、そのｙ－ｚ断面はｘ方向について一様となる。つまり、印刷媒体の発熱部４１に対する押圧接触状態は、ｘ方向各所において一定となる。このことは、ヘッド基板１の製造ロットが異なっても変わらないので、印字品質のバラツキを抑制できる。

図１８～図２３は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図１８は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２を示す要部拡大断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２は、第２斜面１４２と第３斜面１４３との間に平行面１４４が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態に係る基材１０の各傾斜部１４は、平行面１４４をさらに備えている。平行面１４４は、ｙ方向において第２斜面１４２と第３斜面１４３との間に配置され、第２斜面１４２および第３斜面１４３につながっている。平行面１４４は、主面１１と平行である。

本実施形態においても、傾斜部１４が、第１斜面１４１と頂面１３１との間に配置された第２斜面１４２を備えているので、印刷媒体が凸部１２に引っかかることを抑制できる。また、傾斜部１４が、ｙ方向において頂面１３１につながる第３斜面１４３を備えているので、製造工程において、ガラスペーストが頂面１３１から流れ出すことをより抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ２は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成により、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。

＜第３実施形態＞
図１９は、本開示の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３を示す要部拡大断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ３は、第２斜面１４２と第３斜面１４３との間に第４斜面１４５が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態に係る基材１０の各傾斜部１４は、第４斜面１４５をさらに備えている。第４斜面１４５は、ｙ方向において第２斜面１４２と第３斜面１４３との間に配置され、第２斜面１４２および第３斜面１４３につながっている。第４斜面１４５は、主面１１に対して第３傾斜角α３だけ傾斜しており、ｙ方向において第３斜面１４３とは反対側に傾斜している。つまり、第３斜面１４３と第４斜面１４５とは、ｘ方向視においてＶ字形状になっている。第４斜面１４５は、図１０に示す溝１３２Ａの他方の側面（蓄熱層１５から離れた方の側面）のうち、第２エッチング工程Ｓ４０によって除去されずに残った部分である。

本実施形態においても、傾斜部１４が、第１斜面１４１と頂面１３１との間に配置された第２斜面１４２を備えているので、印刷媒体が凸部１２に引っかかることを抑制できる。また、傾斜部１４が、ｙ方向において頂面１３１につながる第３斜面１４３を備えているので、製造工程において、ガラスペーストが頂面１３１から流れ出すことをより抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ３は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成により、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。

第１～３実施形態は、凸部１２の形状がそれぞれ異なる。これらの違いは、第１エッチング工程Ｓ２０で形成された一対の溝１３２Ａのｙ方向における配置位置および深さ（ｚ方向の寸法）、第２エッチング工程Ｓ４０でのエッチング処理時間などによって生じる。逆に、これらのパラメータを調整することで、凸部１２の形状を所望の形状に調整することができる。

＜第４実施形態＞
図２０は、本開示の第４実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ４を示す要部拡大断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ４は、絶縁層１９が蓄熱層１５を覆っていない点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

本実施形態に係る絶縁層１９は、主面１１と凸部１２の一対の傾斜部１４（第１斜面１４１、第２斜面１４２、第３斜面１４３）のみを覆っており、蓄熱層１５を覆っていない。このような絶縁層１９は、絶縁層形成工程Ｓ６０において、ＣＶＤを用いたＳｉＯ₂の積層ではなく、たとえば基材１０を熱酸化させてＳｉＯ₂膜を形成する熱酸化処理によって形成される。本実施形態の場合、絶縁層１９が蓄熱層１５を覆っていないが、蓄熱層１５自体が絶縁体なので、基材１０は、抵抗体層４および電極層３に対して絶縁できる。

本実施形態においても、傾斜部１４が、第１斜面１４１と頂面１３１との間に配置された第２斜面１４２を備えているので、印刷媒体が凸部１２に引っかかることを抑制できる。また、傾斜部１４が、ｙ方向において頂面１３１につながる第３斜面１４３を備えているので、製造工程において、ガラスペーストが頂面１３１から流れ出すことをより抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ４は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成により、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。

さらに、本実施形態によると、絶縁層１９は、基材１０を熱酸化させることで得られるＳｉＯ₂膜で構成できる。したがって、絶縁層形成工程Ｓ６０において、ＣＶＤを用いてＳｉＯ₂を積層する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。なお、サーマルプリントヘッドＡ４は、第２製造方法によって製造される場合は、蓄熱層１５と頂面１３１との間に、絶縁層１９が形成されてもよい。

＜第５実施形態＞
図２１～図２３は、本開示の第５実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ５を説明するための図である。図２１は、サーマルプリントヘッドＡ５を示す要部拡大断面図であり、図６に対応する図である。図２２および図２３は、それぞれ、サーマルプリントヘッドＡ５の製造方法の一例の一工程を示す断面図であって、図２１に示す断面に対応する。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ５は、第３斜面１４３が主面１１に対して略直交する面である点で、上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。

図２１に示すように、本実施形態に係る基材１０の凸部１２において、第３斜面１４３は主面１１に対して略直交する面である。つまり、第３傾斜角α３が略直角である。サーマルプリントヘッドＡ５の製造方法は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法に対して、溝１３２Ａの形成方法が異なる。

サーマルプリントヘッドＡ５の製造方法では、図２２に示すように、第１エッチング工程Ｓ２０において主面１１Ａに形成されるマスク層９１は、スリット９２を備えていない。したがって、第１エッチング工程Ｓ２０では溝１３２Ａが形成されない。その後、図２３に示すように、天面１３１Ａに２本の溝１３２Ａを形成する。溝１３２Ａの形成方法は限定されず、たとえばレーザを用いて形成してもよいし、ダイシングブレードを用いていわゆるハーフカットの状態とすることで形成してもよい。その後の工程は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法と同様である。

本実施形態においても、傾斜部１４が、第１斜面１４１と頂面１３１との間に配置された第２斜面１４２を備えているので、印刷媒体が凸部１２に引っかかることを抑制できる。また、傾斜部１４が、ｙ方向において頂面１３１につながる第３斜面１４３を備えているので、製造工程において、ガラスペーストが頂面１３１から流れ出すことをより抑制できる。また、サーマルプリントヘッドＡ５は、サーマルプリントヘッドＡ１と共通する構成により、サーマルプリントヘッドＡ１と同等の効果を奏する。

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成、および、本開示に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
厚さ方向（ｚ方向）の一方を向く主面（１１）を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材（１０）と、
前記主面の上に形成され、かつ、主走査方向（ｘ方向）に配列された複数の発熱部（４１）を含む抵抗体層（４）と、
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層（１９）と、
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成され、かつ、ガラス材料からなるグレーズである蓄熱層（１５）と、
を備え、
前記基材は、前記主面から突出し、かつ、前記主走査方向に延びる凸部（１２）を備え、
前記凸部は、
前記主面と平行な頂面（１３１）を有する頂部（１３）と、
前記頂部と前記主面とにつながり、かつ、前記主面に対して傾斜した傾斜部（１４）と、
を備え、
前記傾斜部は、
前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面（１４１）と、
前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面（１４２）と、
を備え、
前記蓄熱層は、前記頂面にだけ形成されている、
サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角より大きい、
付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記傾斜部は、前記頂面につながり、かつ、前記主面に対して第３傾斜角だけ傾斜した第３斜面（１４３）をさらに備えている、
付記１または２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記第１傾斜角と前記第３傾斜角とは等しい、
付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記第２斜面と前記第３斜面とがつながっている、
付記３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６、第２実施形態、図１８〕
前記傾斜部は、前記第２斜面および前記第３斜面につながり、かつ、前記主面と平行である平行面（１４４）をさらに備えている、
付記３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７、図６〕
前記凸部の副走査方向の寸法（Ｗ１）は、前記頂部の副走査方向の寸法（Ｗ２）の２倍以上１０倍以下である、
付記１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記単結晶半導体は、Ｓｉからなり、
前記主面は、（１００）面である、
付記１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９、図６〕
前記蓄熱層の副走査方向の寸法（Ｗ２）に対する前記厚さ方向の寸法（Ｈ２）の比率は、０．０５以上０.２５以下である、
付記１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、１５μｍ以上６０μｍ以下である、
付記１ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記蓄熱層は、前記頂面の副走査方向の全幅にわたって形成されている、
付記１ないし１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２、図７〕
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程（Ｓ１０）と、
前記基材に第１の異方性エッチングを施して、厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突出した凸部と、前記凸部の前記主面に平行な天面から凹み、かつ、主走査方向に延びる２本の溝を形成する第１エッチング工程（Ｓ２０）と、
前記天面の前記２本の溝ではさまれた領域にガラスペーストを配置して焼成することで蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程（Ｓ３０）と、
前記基材に第２の異方性エッチングを施して、前記凸部の一部を除去することで、前記凸部に、前記天面のうち前記２本の溝ではさまれた領域である頂面と、前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面と、前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面と、を形成する第２エッチング工程（Ｓ４０）と、
前記蓄熱層の上に、前記主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程（Ｓ７０）と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１２－１〕
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
前記基材に第１の異方性エッチングを施して、厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突出した凸部と、前記凸部の前記主面に平行な天面から凹み、かつ、主走査方向に延びる２本の溝を形成する第１エッチング工程と、
前記基材に第２の異方性エッチングを施して、前記凸部の一部を除去することで、前記凸部に、前記天面のうち前記２本の溝ではさまれた領域である頂面と、前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角（５５°）だけ傾斜した第１斜面と、前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角（３１°）だけ傾斜した第２斜面と、を形成する第２エッチング工程と、
前記頂面にガラスペーストを配置して焼成することで蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程と、
前記蓄熱層の上に、前記主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１３〕
前記第２エッチング工程では、前記凸部に、前記頂面につながり、かつ、前記主面に対して前記第１傾斜角だけ傾斜した第３斜面がさらに形成される、
付記１２に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１４〕
前記第２エッチング工程と前記発熱部形成工程との間に行われ、前記蓄熱層および前記基材を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程（Ｓ６０）をさらに備えている、
付記１２または１３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１５〕
前記第２エッチング工程と前記絶縁層形成工程との間に行われ、焼成により前記蓄熱層を溶融させたのちに固化させる再焼成工程（Ｓ５０）をさらに備えている、
付記１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

Ａ１～Ａ５：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１０ ：基材
１１ ：主面
１２ ：凸部
１３ ：頂部
１３１ ：頂面
１４ ：傾斜部
１４１ ：第１斜面
１４２ ：第２斜面
１４３ ：第３斜面
１４４ ：平行面
１４５ ：第４斜面
１５ ：蓄熱層
１５１ ：ラウンド部
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２１ ：パッド用開口
３ ：電極層
３１ ：個別電極
３１１ ：電極パッド部
３２ ：共通電極
３２３ ：共通部
３２４ ：櫛歯部
４ ：抵抗体層
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５９ ：コネクタ
６１ ：ワイヤ
６２ ：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
９９ ：プラテンローラ
１０Ａ ：基材
１１Ａ ：主面
１２Ａ ：凸部
１３Ａ ：頂部
１３１Ａ ：天面
１３２Ａ ：溝
１４Ａ ：傾斜部
１４１Ａ ：斜面
３Ａ ：導電膜
４Ａ ：抵抗体膜
９１，９３：マスク層
９２ ：スリット

Claims (15)

1. 厚さ方向の一方を向く主面を有し、かつ、単結晶半導体からなる基材と、
   前記主面の上に形成され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
   前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、
   前記基材と前記複数の発熱部との間に形成され、かつ、ガラス材料からなるグレーズである蓄熱層と、
   を備え、
   前記基材は、前記主面から突出し、かつ、前記主走査方向に延びる凸部を備え、
   前記凸部は、
   前記主面と平行な頂面を有する頂部と、
   前記頂部と前記主面とにつながり、かつ、前記主面に対して傾斜した傾斜部と、
   を備え、
   前記傾斜部は、
   前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面と、
   前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面と、
   を備え、
   前記蓄熱層は、前記頂面にだけ形成されている、
   サーマルプリントヘッド。
2. 前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角より大きい、
   請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 前記傾斜部は、前記頂面につながり、かつ、前記主面に対して第３傾斜角だけ傾斜した第３斜面をさらに備えている、
   請求項１または２に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 前記第１傾斜角と前記第３傾斜角とは等しい、
   請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 前記第２斜面と前記第３斜面とがつながっている、
   請求項３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
6. 前記傾斜部は、前記第２斜面および前記第３斜面につながり、かつ、前記主面と平行である平行面をさらに備えている、
   請求項３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 前記凸部の副走査方向の寸法は、前記頂部の副走査方向の寸法の２倍以上１０倍以下である、
   請求項１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
8. 前記単結晶半導体は、Ｓｉからなり、
   前記主面は、（１００）面である、
   請求項１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
9. 前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、０．０５以上０.２５以下である、
   請求項１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
10. 前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、１５μｍ以上６０μｍ以下である、
    請求項１ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
11. 前記蓄熱層は、前記頂面の副走査方向の全幅にわたって形成されている、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
12. 単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
    前記基材に第１の異方性エッチングを施して、厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突出した凸部と、前記凸部の前記主面に平行な天面から凹み、かつ、主走査方向に延びる２本の溝を形成する第１エッチング工程と、
    前記天面の前記２本の溝ではさまれた領域にガラスペーストを配置して焼成することで蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程と、
    前記基材に第２の異方性エッチングを施して、前記凸部の一部を除去することで、前記凸部に、前記天面のうち前記２本の溝ではさまれた領域である頂面と、前記主面につながり、かつ、前記主面に対して第１傾斜角だけ傾斜した第１斜面と、前記第１斜面と前記頂面との間に介在し、かつ、前記主面に対して第２傾斜角だけ傾斜した第２斜面と、を形成する第２エッチング工程と、
    前記蓄熱層の上に、前記主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
    を備えている、
    サーマルプリントヘッドの製造方法。
13. 前記第２エッチング工程では、前記凸部に、前記頂面につながり、かつ、前記主面に対して前記第１傾斜角だけ傾斜した第３斜面がさらに形成される、
    請求項１２に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
14. 前記第２エッチング工程と前記発熱部形成工程との間に行われ、前記蓄熱層および前記基材を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程をさらに備えている、
    請求項１２または１３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
15. 前記第２エッチング工程と前記絶縁層形成工程との間に行われ、焼成により前記蓄熱層を溶融させたのちに固化させる再焼成工程をさらに備えている、
    請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

Images