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JP2023065884A - Current-carrying member and heater - Google Patents

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JP2023065884A
JP2023065884A JP2021176277A JP2021176277A JP2023065884A JP 2023065884 A JP2023065884 A JP 2023065884A JP 2021176277 A JP2021176277 A JP 2021176277A JP 2021176277 A JP2021176277 A JP 2021176277A JP 2023065884 A JP2023065884 A JP 2023065884A
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JP
Japan
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conductive
unit
constricted
conductive region
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP2021176277A
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Japanese (ja)
Inventor
森人 池田
Morihito Ikeda
英紀 安田
Hidenori Yasuda
達矢 吉弘
Tatsuya Yoshihiro
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Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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Abstract

To provide a current-carrying member and a heater which can suppress local deterioration caused by heat generation while allowing electromagnetic waves in a specific frequency bandwidth to be transmitted therethrough.SOLUTION: A current-carrying member has a conductive film 13. The conductive film 13 has: a conductive part made up of multiple pieces of wiring; and a plurality of non-conductive parts 22. The non-conductive parts 22 include a plurality of units U1 extending from points C1 in different directions. Two of the non-conductive parts 22 adjacent to each other are arranged in such a manner that their coupling points C1 may be adjacent to each other in a direction where the units U1 extend. The closest units U1 of the two non-conductive parts 22 extend in a direction where they face each other. The conductive part has a narrowing conductive region R1 which is located between the closest units U1. The wiring density in the narrowing conductive region R1 is higher than that in other regions.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、特定の周波数帯域の電磁波に対して透過性を有する通電部材およびその通電部材を備えたヒータに関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a current-carrying member having transparency to electromagnetic waves in a specific frequency band and a heater provided with the current-carrying member.

従来から、いわゆるミリ波およびマイクロ波等の電磁波を用いたセンサおよび通信機器等が一般的に利用されている。これらの機器は例えば自動車等に搭載され、その周囲には、保護のためのカバーが設置されることが多い。このようなカバーへの着雪および着氷、または、水蒸気等によって生じる曇りは、カバーの内側に配置されたセンサにおける誤検出または通信機器における通信障害の原因となることが知られている。着雪、着氷および曇りを除去するためには、例えば、特許文献1に開示されるような発熱部材が開発されている。特許文献1の発熱部材は、被めっき層付き立体構造物と、その被メッキ層上に配置された金属層を有する導電性積層体を備え、金属層を電熱線として機能させている。 2. Description of the Related Art Conventionally, sensors, communication devices, and the like using electromagnetic waves such as so-called millimeter waves and microwaves have been generally used. These devices are mounted in automobiles, for example, and are often covered with protective covers. It is known that the accumulation of snow and ice on the cover, or the fogging caused by water vapor or the like causes erroneous detection in sensors arranged inside the cover or communication failure in communication equipment. In order to remove snow, ice, and fog, a heat-generating member as disclosed in Patent Document 1, for example, has been developed. The heat-generating member of Patent Document 1 includes a three-dimensional structure with a layer to be plated and a conductive laminate having a metal layer disposed on the layer to be plated, and the metal layer functions as a heating wire.

また、例えば特許文献1の発熱部材等により形成される導電性の面は、センサおよび通信機器等が送受信する電磁波を吸収または反射してしまうために、センサおよび通信機器における感度低下および誤検出の原因となることが知られている。このようなセンサの感度低下および誤検出等を抑制するために、例えば、非特許文献1に開示されているような金属メッシュの構造が知られている。非特許文献1の金属メッシュには、互いに直交する2つの方向に沿って格子状に配列された十字形状の複数の非導電部が形成されている。これらの複数の非導電部により、十字形状のサイズに対応する周波数帯域の電磁波が金属メッシュを透過しやすくなる。 In addition, for example, the conductive surface formed by the heat-generating member or the like of Patent Document 1 absorbs or reflects electromagnetic waves transmitted and received by the sensor and communication equipment, etc., so that the sensitivity of the sensor and communication equipment decreases and false detection occurs. known to cause. For example, a metal mesh structure as disclosed in Non-Patent Document 1 is known in order to suppress such sensor sensitivity reduction and erroneous detection. The metal mesh of Non-Patent Document 1 is formed with a plurality of cross-shaped non-conductive portions arranged in a grid pattern along two directions perpendicular to each other. These non-conductive portions facilitate transmission of electromagnetic waves in the frequency band corresponding to the cross-shaped size through the metal mesh.

国際公開第2017/163830号WO2017/163830

Vyachesla V.Komarov,Valery P.Meschanov著、「Transmission properties of metal mesh filters at 90 GHz」,Jounal of Computational Electronics、2019年2月28日、18:696-704Vyachesla V. Komarov, Valery P.; Meschanov, “Transmission properties of metal mesh filters at 90 GHz,” Journal of Computational Electronics, Feb. 28, 2019, 18:696-704.

しかしながら、特許文献1に開示されている発熱部材では、特定の周波数帯域の電磁波のみを透過させることができないため、発熱機能と、特定の周波数帯域の電磁波のみを透過させる機能とを両立させることは困難であった。
また、本発明者らは、非特許文献1に開示されている金属メッシュに通電して、この金属メッシュを発熱させようとした場合に、複数の非導電部間において電流が集中的に流れることにより局所的な発熱が生じ、その部分において金属メッシュが酸化してしまう等、金属メッシュが劣化してしまうことを発見した。そこで、電流の集中を避けるために複数の非導電部間の間隔を広げることが考えられるが、この間隔を広げると、非導電部のサイズに対応する特定の周波数帯域を有する電磁波の透過率が低下してしまうという問題があった。
However, the heat-generating member disclosed in Patent Document 1 cannot transmit only electromagnetic waves in a specific frequency band. It was difficult.
In addition, the present inventors found that when the metal mesh disclosed in Non-Patent Document 1 is energized to generate heat, the current flows intensively between a plurality of non-conductive parts. It was discovered that the metal mesh deteriorates, for example, the metal mesh is oxidized at that portion due to localized heat generation. Therefore, it is conceivable to widen the interval between the plurality of non-conductive portions in order to avoid concentration of the current. I had a problem with it going down.

本発明は、このような問題点を解消するためのものであり、特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる通電部材を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a current-carrying member capable of suppressing local deterioration due to heat generation while transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band.

上記の目的を達成するために、本発明に係る通電部材は、導電膜が形成された通電部材であって、導電膜は、複数の配線からなる導電部と、規則的な繰り返しパターンを形成するように配列された複数の非導電部とを有し、複数の非導電部は、それぞれ、連結点において互いに連結され且つ連結点から互いに異なる方向に向かって延びる細長い形状を有する複数の単位ユニットを含み、単位ユニットが延びる方向において連結点が互いに隣接するように、互いに隣接する2つの非導電部が配置され、2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットは、互いに対向する方向に向かって延び、導電部は、2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットの間に位置する狭窄導電領域を有し、狭窄導電領域における配線の配線密度は、狭窄導電領域以外の導電部の領域における配線の配線密度よりも高いことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a current-carrying member according to the present invention is a current-carrying member having a conductive film formed thereon, wherein the conductive film forms a conductive portion composed of a plurality of wirings and a regular repeating pattern. each of the plurality of non-conductive portions is connected to each other at a connection point and has a plurality of unitary units having an elongated shape extending in mutually different directions from the connection point. two non-conductive parts adjacent to each other are arranged so that the connection points are adjacent to each other in the direction in which the unit units extend, and the unit units closest to each other of the two non-conductive parts are arranged in the direction facing each other The conductive portion has a constricted conductive region located between the unit units closest to each other of the two non-conductive portions, and the wiring density of the wiring in the constricted conductive region is the same as that in the region of the conductive portion other than the constricted conductive region. The wiring density is higher than that of the wiring.

複数の配線は、複数の単位セルが配列されたメッシュ形状を形成し、狭窄導電領域における配線は、狭窄導電領域に含まれる単位セルの内部に配置された少なくとも1本の補助配線を有し、補助配線は、両端が単位セルの外郭線を形成する配線に接続されることにより単位セルを分割することが好ましい。
また、補助配線は、狭窄導電領域を流れる電流の向きに沿って延びることができる。
The plurality of wirings form a mesh shape in which the plurality of unit cells are arranged, the wiring in the constricted conductive region has at least one auxiliary wiring arranged inside the unit cells included in the constricted conductive region, Preferably, the auxiliary wiring divides the unit cell by being connected to wiring forming the outline of the unit cell at both ends.
Also, the auxiliary wiring can extend along the direction of the current flowing through the constricted conductive region.

2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットの間の距離は、単位ユニットの長さの2倍よりも短いことが好ましい。
また、2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットの間の距離は、単位ユニットの長さの0.3倍以上、単位ユニットの長さの0.6倍以下であることがより好ましい。
The distance between the closest unit units of the two non-conductive parts is preferably less than twice the length of the unit unit.
Further, it is more preferable that the distance between the two non-conductive portions closest to each other is 0.3 times or more the length of the unit unit and 0.6 times or less the length of the unit unit.

非導電部は、4つの単位ユニットにより構成され、4つの単位ユニットは、十字形状を形成するように連結点において互いに連結されることができる。
導電膜は、曲面に沿った形状を有することができる。
The non-conducting part is composed of four unit units, and the four unit units can be connected to each other at connection points to form a cross shape.
The conductive film can have a shape along a curved surface.

本発明に係るヒータは、上記の通電部材を備えることを特徴とする。 A heater according to the present invention includes the conducting member described above.

本発明に係る通電部材によれば、導電膜が形成され、導電膜は、複数の配線からなる導電部と、規則的な繰り返しパターンを形成するように配列された複数の非導電部とを有し、複数の非導電部は、それぞれ、連結点において互いに連結され且つ連結点から互いに異なる方向に向かって延びる細長い形状を有する複数の単位ユニットを含み、単位ユニットが延びる方向において連結点が互いに隣接するように、互いに隣接する2つの非導電部が配置され、2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットは、互いに対向する方向に向かって延び、導電部は、2つの非導電部の互いに最も近接する単位ユニットの間に位置する狭窄導電領域を有し、狭窄導電領域における配線の配線密度は、狭窄導電領域以外の導電部の領域における配線の配線密度よりも高いため、特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 According to the current-carrying member of the present invention, a conductive film is formed, and the conductive film has a conductive portion composed of a plurality of wirings and a plurality of non-conductive portions arranged so as to form a regular repeating pattern. and each of the plurality of non-conductive portions includes a plurality of elongated unit units connected to each other at the connection point and extending in different directions from the connection point, and the connection points are adjacent to each other in the direction in which the unit units extend. two non-conductive portions adjacent to each other are arranged so that the unit units closest to each other of the two non-conductive portions extend in directions facing each other; It has a constricted conductive area located between the closest unit units, and the wiring density of the wiring in the constricted conductive area is higher than the wiring density of the wiring in the area of the conductive part other than the constricted conductive area. local deterioration due to heat generation can be suppressed while allowing electromagnetic waves to pass through.

本発明の実施の形態1に係る通電部材の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing part of the current-carrying member according to Embodiment 1 of the present invention; 本発明の実施の形態1における導電膜の部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view of a conductive film according to Embodiment 1 of the present invention; 本発明の実施の形態1における導電部を拡大して示す図である。4 is an enlarged view of a conductive portion according to Embodiment 1 of the present invention; FIG. 本発明の実施の形態1における非導電部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the non-conductive part in Embodiment 1 of this invention. 補助配線を有さない導電膜の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a conductive film without auxiliary wiring; 本発明の実施の形態1の第1の変形例における導電膜の部分平面図である。FIG. 10 is a partial plan view of a conductive film in a first modification of Embodiment 1 of the present invention; 本発明の実施の形態1の第2の変形例における導電膜の部分平面図である。FIG. 11 is a partial plan view of a conductive film in a second modification of Embodiment 1 of the present invention; 本発明の実施の形態1の第3の変形例における導電膜の部分平面図である。FIG. 11 is a partial plan view of a conductive film in a third modification of Embodiment 1 of the present invention; 本発明の実施の形態1の第4の変形例における導電膜の部分平面図である。FIG. 11 is a partial plan view of a conductive film in a fourth modification of the first embodiment of the invention; 本発明の実施の形態1の第5の変形例における導電膜の部分平面図である。FIG. 11 is a partial plan view of a conductive film in a fifth modification of the first embodiment of the invention; 本発明の実施の形態2における導電膜の部分平面図である。FIG. 10 is a partial plan view of a conductive film according to Embodiment 2 of the present invention; 本発明の実施の形態2において複数の単位ユニットが延びる方向に隣接する4つの非導電部を拡大して示す図である。FIG. 10 is an enlarged view of four non-conductive portions adjacent to each other in the direction in which a plurality of unit units extend according to the second embodiment of the present invention; 実施例1における狭窄導電領域の模式的な拡大図である。4 is a schematic enlarged view of a constricted conductive region in Example 1. FIG. 補助配線を有さない導電膜の他の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of a conductive film having no auxiliary wiring; 補助配線を有さない導電膜のさらに他の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing still another example of a conductive film having no auxiliary wiring;

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の通電部材を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「~」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α~数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「平行」および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
The current-carrying member of the present invention will be described in detail below based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
It should be noted that the drawings described below are examples for explaining the present invention, and the present invention is not limited to the drawings shown below.
In the following, "~" indicating a numerical range includes the numerical values described on both sides. For example, when ε is a numerical value α to a numerical value β, the range of ε is a range including the numerical values α and β, and represented by mathematical symbols α≦ε≦β.
Angles such as “parallel” and “perpendicular” include error ranges generally accepted in the relevant technical field unless otherwise specified.
In addition, "same" includes the margin of error that is generally allowed in the relevant technical field.

また、「(メタ)アクリレート」はアクリレートおよびメタクリレートの双方、または、いずれかを表し、「(メタ)アクリル」はアクリルおよびメタクリルの双方、または、いずれかを表す。また、「(メタ)アクリロイル」はアクリロイルおよびメタクリロイルの双方、または、いずれかを表す。
なお、可視光に対して透明とは、特に断りがなければ、可視光透過率が、波長380nm~800nmの可視光波長域において、40%以上のことであり、好ましくは80.0%以上、より好ましくは90.0%以上のことである。また、以下の説明において、透明とは、特に断りがなければ、可視光に対して透明であることを示す。
可視光透過率は、JIS(日本工業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
Moreover, "(meth)acrylate" represents both or either of acrylate and methacrylate, and "(meth)acryl" represents both or either of acrylic and methacrylic. Moreover, "(meth)acryloyl" represents both or either of acryloyl and methacryloyl.
Unless otherwise specified, the term “transparent to visible light” means that the visible light transmittance is 40% or more, preferably 80.0% or more, in the visible light wavelength range of 380 nm to 800 nm. More preferably, it is 90.0% or more. Moreover, in the following description, the term “transparent” means transparent to visible light unless otherwise specified.
The visible light transmittance is measured using "Plastics--Determination of Total Light Transmittance and Total Light Reflectance" defined in JIS (Japanese Industrial Standards) K 7375:2008.

実施の形態1
図1に、本発明の実施の形態1に係る通電部材11を示す。通電部材11は、フィルム状の部材であり、絶縁性の透明な基板12と、基板12の片面上に形成された導電膜13を備えている。
導電膜13は、透明であり、例えば75.0%以上の可視光透過率を有している。
Embodiment 1
FIG. 1 shows a conducting member 11 according to Embodiment 1 of the present invention. The current-carrying member 11 is a film-like member and includes an insulating transparent substrate 12 and a conductive film 13 formed on one side of the substrate 12 .
The conductive film 13 is transparent and has a visible light transmittance of, for example, 75.0% or more.

図2に示すように、導電膜13は、複数の配線M1からなるメッシュ形状の導電部21と、規則的な繰り返しパターンを形成するように配列された複数の十字形状の非導電部22とを有している。 As shown in FIG. 2, the conductive film 13 includes a mesh-shaped conductive portion 21 composed of a plurality of wirings M1 and a plurality of cross-shaped non-conductive portions 22 arranged to form a regular repeating pattern. have.

複数の配線M1は、定められた方向およびその方向に対して直交する方向に沿って延びている。以下では、複数の配線M1が延びる、互いに直交する2つの方向を、X方向およびY方向と呼ぶ。特に、図2において下から上に向かう方向を+Y方向、上から下に向かう方向を-Y方向、左から右に向かう方向を+X方向、左から右に向かう方向を-X方向と呼ぶ。 A plurality of wirings M1 extend along a predetermined direction and a direction orthogonal to the direction. Hereinafter, the two orthogonal directions in which the wirings M1 extend are referred to as the X direction and the Y direction. In particular, in FIG. 2, the direction from bottom to top is called +Y direction, the direction from top to bottom is called -Y direction, the direction from left to right is called +X direction, and the direction from left to right is called -X direction.

複数の非導電部22は、X方向において隣り合う一対の非導電部22と、Y方向において隣り合う一対の非導電部22が、それぞれ最も近接するように、X方向およびY方向に沿って等間隔に配列されている。 A pair of non-conductive portions 22 adjacent in the X direction and a pair of non-conductive portions 22 adjacent in the Y direction are closest to each other along the X direction and the Y direction. arranged at intervals.

また、非導電部22の十字形状の縁部G1は複数の配線M1により形成されている。縁部G1の内側は、配線M1が存在せず、電気が通らない領域である。 A cross-shaped edge portion G1 of the non-conductive portion 22 is formed by a plurality of wirings M1. The inner side of the edge G1 is a region where the wiring M1 does not exist and electricity does not pass.

ここで、図2では、説明を分かりやすくするために、複数の非導電部22の縁部G1が、縁部G1以外の位置に配置されている複数の配線M1と比較して太い線で描かれているが、実際は縁部G1を構成する複数の配線M1とそれ以外の位置に配置されている複数の配線M1は互いに同一の線幅を有している。 Here, in FIG. 2, in order to make the explanation easier to understand, the edges G1 of the plurality of non-conductive portions 22 are drawn with thicker lines than the plurality of wirings M1 arranged at positions other than the edges G1. However, actually, the plurality of wirings M1 forming the edge G1 and the plurality of wirings M1 arranged at other positions have the same line width.

図3に示すように、導電部21を構成する複数の配線M1は、線幅Wを有し、配線M1の中心線CL間の距離として定義されるメッシュピッチEを隔てて配置されている。複数の配線M1は、矩形の複数の単位セルA1が配列されたメッシュ形状を形成している。 As shown in FIG. 3, the plurality of wirings M1 forming the conductive portion 21 have a wiring width W and are arranged at a mesh pitch E defined as the distance between the center lines CL of the wirings M1. The plurality of wirings M1 form a mesh shape in which a plurality of rectangular unit cells A1 are arranged.

配線M1の線幅Tは、特に制限されないが、上限は、1000.00μm以下が好ましく、500.00μm以下がより好ましく、300.00μm以下がさらに好ましい。線幅Tの下限は、0.50μm以上が好ましく、1.00μm以上がより好ましい。線幅Tが上述の範囲内であれば、導電部21が高い導電率を有することができる。また、導電性の観点から、配線M1の厚みは0.01μm以上200.00μm以下に設定することができるが、その上限は、30.00μm以下が好ましく、20.00μm以下がより好ましく、9.00μm以下がさらに好ましく、5.00μm以下が特に好ましい。配線M1の厚みの下限は、0.01μm以上が好ましく、0.10μm以上がより好ましく、0.5μm以上がさらに好ましい。 The line width T of the wiring M1 is not particularly limited, but the upper limit is preferably 1000.00 μm or less, more preferably 500.00 μm or less, and even more preferably 300.00 μm or less. The lower limit of the line width T is preferably 0.50 μm or more, more preferably 1.00 μm or more. If the line width T is within the range described above, the conductive portion 21 can have high conductivity. From the viewpoint of conductivity, the thickness of the wiring M1 can be set to 0.01 μm or more and 200.00 μm or less. 00 μm or less is more preferable, and 5.00 μm or less is particularly preferable. The lower limit of the thickness of the wiring M1 is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.10 μm or more, and even more preferably 0.5 μm or more.

導電膜13のシート抵抗は、0.05Ω/□以上10.00Ω/□以下であることが好ましく、0.20Ω/□以上3.00Ω/□以下がより好ましい。このように、導電膜13は、10.00Ω/□以下の低いシート抵抗を有しているため、電圧制限がある条件において大きい発熱量を有する高いヒータ性能を有し、且つ、高い電磁波透過率を有している。また、導電膜13は、0.20Ω/□以上の抵抗値を有しているため、電流制限がある条件においても大きい発熱量を有する高いヒータ性能を有する。 The sheet resistance of the conductive film 13 is preferably 0.05 Ω/square or more and 10.00 Ω/square or less, more preferably 0.20 Ω/square or more and 3.00 Ω/square or less. As described above, the conductive film 13 has a low sheet resistance of 10.00Ω/□ or less, so that it has a high heater performance with a large amount of heat generation under the condition that the voltage is limited, and a high electromagnetic wave transmittance. have. Moreover, since the conductive film 13 has a resistance value of 0.20Ω/□ or more, it has a high heater performance with a large amount of heat generation even under the condition of current limitation.

図4に示すように、非導電部22は、十字形状の中心を連結点C1として、長方形の形状を有する4つの単位ユニットU1の一端部がそれぞれ連結点C1において連結されることにより構成されている。これらの4つの単位ユニットU1は、それぞれ、連結点C1から、+X方向、-X方向、+Y方向および-Y方向の、互いに異なる方向に向かって延びている。また、複数の非導電部22のうち最も近接する2つの非導電部22の連結点C1を結ぶ線分K1が延びる方向は、複数の非導電部22の単位ユニットU1が延びる方向と同一である。例えば、図4に示される線分K1はX方向に平行に延びており、線分K1が延びる方向は、4つの単位ユニットU1のうち2つの単位ユニットU1が延びる方向である+X方向または-X方向と同一である。 As shown in FIG. 4, the non-conductive portion 22 is configured by connecting one end portions of four unit units U1 each having a rectangular shape with a connection point C1 at the center of the cross shape. there is These four unit units U1 extend from the connecting point C1 in different directions of +X direction, -X direction, +Y direction and -Y direction. In addition, the direction in which the line segment K1 connecting the connecting points C1 of the two closest non-conductive portions 22 among the plurality of non-conductive portions 22 extends is the same as the direction in which the unit unit U1 of the plurality of non-conductive portions 22 extends. . For example, the line segment K1 shown in FIG. 4 extends parallel to the X direction, and the direction in which the line segment K1 extends is the +X direction or the -X direction, which is the direction in which two of the four unit units U1 extend. Same as direction.

図4の例において、非導電部22に含まれる4つの単位ユニットU1は、それぞれ、長方形の形状を有しており、長辺の方向において長さL1を有し、短辺の方向において幅L2を有している。また、非導電部22は、X方向およびY方向において、単位ユニットU1の長さL1の2倍の長さを有する長さL3を有している。 In the example of FIG. 4, each of the four unit units U1 included in the non-conductive portion 22 has a rectangular shape with a length L1 in the long side direction and a width L2 in the short side direction. have. In addition, the non-conductive portion 22 has a length L3 twice as long as the length L1 of the unit unit U1 in the X direction and the Y direction.

ここで、非導電部22は、そのサイズ、すなわち幅L2および長さL3(長さL1)に対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させるためのものである。そのため、非導電部22を透過させようとする電磁波の周波数帯に応じて非導電部22のサイズが設計される。例えば、非導電部22に、76.5GHzを中心とするいわゆるミリ波と呼ばれる周波数帯の電磁波を透過させる場合には、例えば、幅L2を280μmに設計し、長さL3を1400μmに設計することができる。ただし、複数の非導電部22の位置関係にも依存するため、幅L2と長さL3は、適宜調節され得る。
このように、導電膜13に非導電部22が形成されているため、導電膜13は、特定の周波数帯域を有する電磁波を透過させられる。
Here, the non-conductive portion 22 is for transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to its size, ie width L2 and length L3 (length L1). Therefore, the size of the non-conductive portion 22 is designed according to the frequency band of the electromagnetic wave that is to be transmitted through the non-conductive portion 22 . For example, when transmitting an electromagnetic wave in a so-called millimeter wave frequency band centered at 76.5 GHz through the non-conductive portion 22, for example, the width L2 is designed to be 280 μm and the length L3 is designed to be 1400 μm. can be done. However, since it also depends on the positional relationship of the plurality of non-conductive portions 22, the width L2 and the length L3 can be adjusted as appropriate.
Since the non-conductive portion 22 is formed in the conductive film 13 in this manner, the conductive film 13 allows electromagnetic waves having a specific frequency band to pass therethrough.

また、導電膜13において、単位ユニットU1が延びる方向において連結点C1が互いに一直線上に隣接するように、互いに隣接する2つの非導電部22が配置されている。ここで、単位ユニットU1が延びる方向において連結点C1が互いに一直線上に隣接することには、互いに隣接する2つの連結点C1を結ぶ線分と一方の連結点C1から延びる単位ユニットU1の中心線とのなす角度、および、互いに隣接する2つの連結点C1を結ぶ線分と他方の連結点C1から延びる単位ユニットU1の中心線とのなす角度が、いずれも0°~15°の角度範囲に収まるように、連結点C1が隣接することが含まれる。 In the conductive film 13, two non-conductive portions 22 adjacent to each other are arranged such that the connecting points C1 are adjacent to each other on a straight line in the direction in which the unit U1 extends. Here, in order for the connection points C1 to be adjacent to each other on a straight line in the direction in which the unit U1 extends, the line segment connecting the two adjacent connection points C1 and the center line of the unit U1 extending from one of the connection points C1 and the angle formed by the line segment connecting two adjacent connecting points C1 and the center line of the unit U1 extending from the other connecting point C1 are both within the angle range of 0° to 15°. To fit, the contiguous connection point C1 is included.

図4の例では、X方向において互いに隣接する左右2つの非導電部22のうち、左側の非導電部22を構成する4つの単位ユニットU1の1つが延びる方向である+X方向、および、右側の非導電部22を構成する4つの単位ユニットU1の1つが延びる方向である-X方向に沿って、左側の非導電部22の連結点C1と右側の非導電部22の連結点C1が互いに一直線上に隣接している。この例では、互いに隣接する2つの連結点C1を結ぶ線分と一方の連結点C1から延びる単位ユニットU1の中心線とのなす角度、および、互いに隣接する2つの連結点C1を結ぶ線分と他方の連結点C1から延びる単位ユニットU1の中心線とのなす角度は、いずれも0°である。 In the example of FIG. 4, of the two left and right non-conductive portions 22 adjacent to each other in the X direction, the +X direction, which is the direction in which one of the four unit units U1 constituting the left non-conductive portion 22 extends, and the right side The connecting point C1 of the left non-conductive portion 22 and the connecting point C1 of the right non-conductive portion 22 are aligned along the −X direction, which is the direction in which one of the four unit units U1 constituting the non-conductive portion 22 extends. adjacent to the line. In this example, the angle formed by the line segment connecting the two adjacent connection points C1 and the center line of the unit unit U1 extending from one of the connection points C1, and the angle between the line segment connecting the two adjacent connection points C1 All the angles formed with the center line of the unit U1 extending from the other connection point C1 are 0°.

また、これらの2つの非導電部22の互いに最も近接するそれぞれの単位ユニットU1は、互いに対向する方向に向かって延びている。図4に示す例では、例えば、左側の非導電部22の+X方向に向かって延びる単位ユニットU1と、右側の非導電部22の-X方向に向かって延びる単位ユニットU1とが、互いに対向する方向に向かって延びている。ここで、2つの単位ユニットU1が互いに対向する方向に向かって延びるとは、一方の単位ユニットU1が延びる方向と他方の単位ユニットU1が延びる方向との間の角度が、それらの方向が平行である場合を180°として、165°~180°の範囲にある状態で、2つの単位ユニットU1がそれぞれの方向に向かって延びていることをいう。 Also, the unit units U1 of these two non-conductive portions 22 that are closest to each other extend in directions facing each other. In the example shown in FIG. 4, for example, the unit unit U1 extending in the +X direction of the left non-conductive portion 22 and the unit unit U1 extending in the -X direction of the right non-conductive portion 22 face each other. extending in the direction Here, two unit units U1 extending in directions facing each other means that the angle between the direction in which one unit unit U1 extends and the direction in which the other unit unit U1 extends is such that the directions are parallel to each other. Assuming that one case is 180°, it means that two unit units U1 extend in respective directions within a range of 165° to 180°.

また、導電部21は、単位ユニットU1が延びる方向において互いに隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の間で、且つ、それらの2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1の間に位置する狭窄導電領域R1と、狭窄導電領域R1以外の領域である周辺導電領域R2を有している。図4の例では、狭窄導電領域R1は、例えば、左側の非導電部22において連結点C1から+X方向に向かって延びる単位ユニットU1と、右側の非導電部22において連結点C1から-X方向に向かって延びる単位ユニットU1の間に位置する1つの単位セルA1からなる。 Also, the conductive portion 21 is located between two non-conductive portions 22 having connection points C1 adjacent to each other in the direction in which the unit units U1 extend, and the unit unit U1 closest to each other of the two non-conductive portions 22. It has a constricted conductive region R1 positioned between and a peripheral conductive region R2 which is a region other than the constricted conductive region R1. In the example of FIG. 4, the constricted conductive region R1 includes, for example, a unit unit U1 extending in the +X direction from the connection point C1 in the left non-conductive portion 22, and a unit unit U1 extending in the +X direction from the connection point C1 in the right non-conductive portion 22. It consists of one unit cell A1 located between the unit units U1 extending toward.

また、導電部21を構成する複数の配線M1は、狭窄導電領域R1に含まれる単位セルA1の内部に補助配線S1を有している。補助配線S1は、両端が単位セルA1の外郭線を形成する配線M1に接続されることにより、単位セルA1を2つに分割している。 In addition, the plurality of wirings M1 forming the conductive portion 21 has an auxiliary wiring S1 inside the unit cell A1 included in the constricted conductive region R1. The auxiliary wiring S1 divides the unit cell A1 into two by connecting both ends to the wiring M1 forming the outline of the unit cell A1.

このように、狭窄導電領域R1には、単位セルA1の外郭線を形成する複数の配線M1と、単位セルA1内に配置された補助配線S1が含まれているため、狭窄導電領域R1における配線密度は、周辺導電領域R2における配線密度よりも高い。ここで、配線密度は、例えば、導電膜13の単位面積あたりにおける配線M1の体積により定義される。 As described above, the constricted conductive region R1 includes a plurality of wirings M1 forming the outline of the unit cell A1 and the auxiliary wirings S1 arranged in the unit cell A1. The density is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2. Here, the wiring density is defined by the volume of the wiring M1 per unit area of the conductive film 13, for example.

ここで、例えば図5に示すように、狭窄導電領域R1が補助配線S1を含まず、狭窄導電領域R1における配線密度と周辺導電領域R2における配線密度とが互いに等しい導電膜33を考える。導電膜33に対して例えば+Y方向に向かって電流を流すと、電流は導電部21を流れるが、周辺導電領域R2を構成する複数の配線M1の数に対して狭窄導電領域R1を構成する複数の配線M1の数が少ないため、狭窄導電領域R1において電流が集中的に流れる。このような電流の集中により、狭窄導電領域R1において局所的な発熱が生じ、狭窄導電領域R1を構成する複数の配線M1が劣化してしまうことがある。 Here, for example, as shown in FIG. 5, consider a conductive film 33 in which the constricted conductive region R1 does not include the auxiliary wiring S1 and the wiring density in the constricted conductive region R1 and the wiring density in the peripheral conductive region R2 are equal to each other. When a current is passed through the conductive film 33 in the +Y direction, for example, the current flows through the conductive portion 21, but the number of wirings M1 forming the constricted conductive region R1 is greater than the number of the wirings M1 forming the peripheral conductive region R2. Since the number of wirings M1 is small, current flows intensively in the constricted conductive region R1. Due to such concentration of current, heat is locally generated in the constricted conductive region R1, and the plurality of wirings M1 forming the constricted conductive region R1 may deteriorate.

本発明の実施の形態1における導電膜13では、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高いため、狭窄導電領域R1における電流の集中が抑制されて、狭窄導電領域R1に含まれる複数の配線M1が局所的な発熱により劣化することが抑制される。 In the conductive film 13 according to the first embodiment of the present invention, since the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than that in the peripheral conductive region R2, the concentration of current in the constricted conductive region R1 is suppressed and the constricted conductive region R1 is suppressed from deteriorating due to local heat generation.

また、本発明者らは、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高い、本発明の実施の形態1における導電膜13では、驚くべきことに、狭窄導電領域R1における配線密度と周辺導電領域R2における配線密度とが等しい図5に示すような導電膜33と比較して、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波の透過率がさらに向上することを見出した。 Further, the present inventors have surprisingly found that the conductive film 13 according to the first embodiment of the present invention, in which the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2, Compared to the conductive film 33 shown in FIG. 5 in which the wiring density and the wiring density in the peripheral conductive region R2 are the same, the transmittance of electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 is further improved. found to do.

以上から、本発明の実施の形態1に係る通電部材11によれば、導電部21の狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高いため、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 As described above, according to the conducting member 11 according to the first embodiment of the present invention, the wiring density in the constricted conductive region R1 of the conductive portion 21 is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2. Local deterioration due to heat generation can be suppressed while transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size.

また、図示しないが、本発明の実施の形態1に係る通電部材11と、通電部材11における導電膜13に電圧を印加するための電源装置によりヒータを構成することができる。このヒータは、例えば自動車等に設置された、いわゆるミリ波およびマイクロ波等の電磁波を用いたセンサおよび通信機器等を覆うように配置される場合に特に有用である。 Further, although not shown, a heater can be configured by the current-carrying member 11 according to the first embodiment of the present invention and a power supply device for applying a voltage to the conductive film 13 of the current-carrying member 11 . This heater is particularly useful when it is arranged so as to cover sensors and communication equipment that use electromagnetic waves such as so-called millimeter waves and microwaves, which are installed in automobiles and the like.

例えば、センサおよび通信機器等の周囲において着雪または着氷等が生じると、センサにおける誤検出または通信機器における通信障害が生じやすくなることが知られている。 For example, it is known that erroneous detection in sensors or communication failure in communication devices tends to occur when snow or ice builds up around sensors, communication devices, and the like.

本発明の実施の形態1に係る通電部材11を備えるヒータによれば、ヒータに生じた着雪または着氷等を除去でき、通電部材11における複数の非導電部22のサイズに対応する周波数帯の電磁波を透過させられるため、着雪または着氷等の影響を抑制し、センサまたは通信機器等における誤検出および通信障害等を抑制することができる。さらに、このヒータは、本発明の実施の形態1に係る通電部材11を備えており、発熱により導電膜13に局所的な劣化が生じることも抑制されるため、耐久性に優れる。 According to the heater provided with the current-carrying member 11 according to the first embodiment of the present invention, it is possible to remove snow or ice build-up on the heater, and the frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 in the current-carrying member 11 can be removed. of electromagnetic waves can be transmitted, the influence of snow or ice accretion can be suppressed, and erroneous detection, communication failure, or the like in sensors or communication devices can be suppressed. Furthermore, since this heater includes the current-carrying member 11 according to the first embodiment of the present invention, the occurrence of local deterioration of the conductive film 13 due to heat generation is also suppressed, so that the heater is excellent in durability.

なお、図4では、狭窄導電領域R1が1つの単位セルA1により構成される例が示されているが、狭窄導電領域R1は、2つ以上の単位セルA1により構成されていてもよい。図6に、狭窄導電領域R1が2つの単位セルA1により構成される例を示す。この例では、狭窄導電領域R1を構成する2つの単位セルA1のそれぞれが補助配線S1を含んでいるが、一方の単位セルA1にのみ補助配線S1が含まれていてもよい。この場合でも、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高くなるため、通電部材11は、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 Although FIG. 4 shows an example in which the constricted conductive region R1 is composed of one unit cell A1, the constricted conductive region R1 may be composed of two or more unit cells A1. FIG. 6 shows an example in which the constricted conductive region R1 is composed of two unit cells A1. In this example, each of the two unit cells A1 forming the constricted conductive region R1 includes the auxiliary wiring S1, but only one of the unit cells A1 may include the auxiliary wiring S1. Even in this case, since the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2, the conductive member 11 transmits electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22. However, local deterioration due to heat generation can be suppressed.

このように、狭窄導電領域R1が複数の単位セルA1で構成されている場合に、狭窄導電領域R1を構成する複数の単位セルA1のうち少なくとも1つが補助配線S1を含むことができる。 Thus, when the constricted conductive region R1 is composed of a plurality of unit cells A1, at least one of the plurality of unit cells A1 forming the constricted conductive region R1 can include the auxiliary wiring S1.

また、通電部材11における複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波の透過率を維持するために、互いの連結点C1が最も近接する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1の間の距離F1は、単位ユニットU1の長さL1の2倍よりも短いことが好ましい。 In addition, in order to maintain the transmittance of electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 in the current-carrying member 11, the two non-conductive portions 22 whose connection points C1 are closest to each other are located closest to each other. The distance F1 between adjacent unit units U1 is preferably shorter than twice the length L1 of unit unit U1.

また、狭窄導電領域R1における電流の集中を抑制し、且つ、通電部材11における複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波の透過率を維持するために、互いの連結点C1が最も近接する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットの間の距離F1は、例えば図7に示すように、単位ユニットU1の長さL1の0.3倍以上、単位ユニットU1の長さL1の0.6倍以下であること、すなわち、以下の不等式(1)を満たすことが特に好ましい。
0.3×L1≦F1≦0.6×L1・・・(1)
In addition, in order to suppress current concentration in the constricted conductive region R1 and maintain the transmittance of electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 in the current-carrying member 11, For example, as shown in FIG. 7, the distance F1 between the unit units closest to each other in the two non-conductive portions 22 to which C1 is closest is 0.3 times or more the length L1 of the unit unit U1. is 0.6 times or less of the length L1, that is, it is particularly preferable to satisfy the following inequality (1).
0.3×L1≦F1≦0.6×L1 (1)

図7の例では、単位ユニットU1は、複数の配線M1のメッシュピッチEすなわち単位セルA1の幅の3.5倍の長さL1を有している。また、互いの連結点C1が最も近接する2つの非導電部22間の距離F1は、単位セルA1の幅の2倍に等しい。そのため、F1=2/3.5×L1≒0.57×L1となり、距離F1は不等式(1)を満たしている。 In the example of FIG. 7, the unit unit U1 has a mesh pitch E of a plurality of wires M1, that is, a length L1 that is 3.5 times the width of the unit cell A1. Also, the distance F1 between the two non-conductive portions 22 whose connecting points C1 are closest to each other is equal to twice the width of the unit cell A1. Therefore, F1=2/3.5*L1≈0.57*L1, and the distance F1 satisfies the inequality (1).

また、狭窄導電領域R1における電流の集中を抑制する観点から、狭窄導電領域R1内に配置される補助配線S1は、狭窄導電領域R1を流れる電流の向きに沿って延びていることが好ましい。例えば、図8に示すように、電流Jが流れる方向が+Y方向に決まっている場合には、導電膜がX方向において等電位となるため、図2に示す導電膜13から、Y方向において互いに隣接する非導電部22の間に配置され且つX方向に沿って延びる補助配線S1を除いて、X方向において互いに隣接する非導電部22の間に配置され且つY方向に沿って延びる補助配線S1を残すことができる。この場合でも、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高いため、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 Further, from the viewpoint of suppressing current concentration in the constricted conductive region R1, the auxiliary wiring S1 arranged in the constricted conductive region R1 preferably extends along the direction of the current flowing through the constricted conductive region R1. For example, as shown in FIG. 8, when the direction in which the current J flows is determined to be the +Y direction, the conductive films have the same potential in the X direction. Except for the auxiliary wiring S1 arranged between the adjacent non-conductive portions 22 and extending along the X direction, the auxiliary wiring S1 arranged between the non-conductive portions 22 adjacent to each other in the X direction and extending along the Y direction. can be left. Even in this case, since the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2, even though the electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 are transmitted, localized heat generation due to heat generation deterioration can be suppressed.

また、狭窄導電領域R1における単位セルA1は、例えば図9に示すように、複数の補助配線S1を含むことができる。図9の例では、狭窄導電領域R1における単位セルA1が、3本の補助配線S1を含んでいる。このように、狭窄導電領域R1における単位セルA1が複数の補助配線S1を含む場合でも、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高いため、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 Also, the unit cell A1 in the constricted conductive region R1 can include a plurality of auxiliary wirings S1, as shown in FIG. 9, for example. In the example of FIG. 9, the unit cell A1 in the constricted conductive region R1 includes three auxiliary wirings S1. Thus, even when the unit cell A1 in the constricted conductive region R1 includes a plurality of auxiliary wirings S1, the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than that in the peripheral conductive region R2. Local deterioration due to heat generation can be suppressed while transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size.

また、図10に示すように、狭窄導電領域R1における単位セルA1は、互いに交差するように配置された複数の補助配線S1を含むこともできる。この図の例では、狭窄導電領域R1を構成する1つの単位セルA1は、互いに直交する2本の補助配線S1を含んでいる。このような場合でも、狭窄導電領域R1における配線密度が周辺導電領域R2における配線密度よりも高いため、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 Further, as shown in FIG. 10, the unit cell A1 in the constricted conductive region R1 can also include a plurality of auxiliary wirings S1 arranged so as to intersect each other. In the example of this figure, one unit cell A1 forming the constricted conductive region R1 includes two auxiliary wirings S1 orthogonal to each other. Even in such a case, since the wiring density in the constricted conductive region R1 is higher than the wiring density in the peripheral conductive region R2, it is possible to generate heat while transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22. can suppress local deterioration due to

また、図1では、導電膜13が平面に沿った形状を有していることが示されているが、曲面に沿った形状を有することもできる。例えば、曲面を有する基板12上に導電膜13が形成されることにより、導電膜13を、基板12の曲面形状に沿った形状を有するように形成することができる。この曲面形状としては、例えば、球、円柱および円錐等の任意の立体形状の表面に沿った形状が挙げられる。 In addition, although FIG. 1 shows that the conductive film 13 has a shape along a plane, it can also have a shape along a curved surface. For example, by forming the conductive film 13 on the substrate 12 having a curved surface, the conductive film 13 can be formed to have a shape that follows the curved shape of the substrate 12 . The curved shape includes, for example, a shape along the surface of any three-dimensional shape such as a sphere, a cylinder, and a cone.

また、導電膜13は、より複雑な立体の表面に沿った形状を有することもできる。複雑な立体としては、例えば、自動車のエンブレム、レーダのレドーム、レーダのフロントカバー、自動車のヘッドランプカバー、アンテナ、または、リフレクタ等が挙げられる。本発明の実施の形態の通電部材11を、このような立体の形状に沿って配置することにより、例えば、通電部材11を自動車のエンブレムに沿って配置し、エンブレムの内部にレーダを搭載することが可能である。 Moreover, the conductive film 13 can also have a shape along the surface of a more complicated three-dimensional shape. Complex solids include, for example, automobile emblems, radar radomes, radar front covers, automobile headlamp covers, antennas, or reflectors. By arranging the conducting member 11 according to the embodiment of the present invention along such a three-dimensional shape, for example, the conducting member 11 can be arranged along the emblem of an automobile and a radar can be mounted inside the emblem. is possible.

また、自動車のエンブレムに沿って通電部材11を配置する場合等、通電部材11によって覆われる部材のデザインを外部の観察者に視認させたい場合には、通電部材11が透明性を有していることが望ましい。このような場合に、複数の配線M1の存在が目立たないようにするために、複数の配線M1のメッシュピッチEの上限は、800.00μm以下が好ましく、600.00μm以下がより好ましく、400.00μm以下がさらに好ましい。また、メッシュピッチEの下限は、5.00μm以上が好ましく、30.00μm以上がより好ましく、80.00μm以上がさらに好ましい。 In addition, when it is desired to make the design of the member covered by the conducting member 11 visible to an outside observer, such as when the conducting member 11 is arranged along the emblem of the automobile, the conducting member 11 has transparency. is desirable. In such a case, in order to make the presence of the plurality of wirings M1 inconspicuous, the upper limit of the mesh pitch E of the plurality of wirings M1 is preferably 800.00 μm or less, more preferably 600.00 μm or less, and 400.00 μm or less. 00 μm or less is more preferable. Moreover, the lower limit of the mesh pitch E is preferably 5.00 μm or more, more preferably 30.00 μm or more, and even more preferably 80.00 μm or more.

また、通電部材11が75.0%以上の可視光透過率を有するために、複数の配線M1により形成されるメッシュ形状の開口率は、75%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。ここで、メッシュ形状の開口率とは、メッシュ形状の部分が占める領域のうち配線M1を除いた透過性部分の割合のことであり、すなわち、メッシュ形状の部分の全体の面積に対する複数の単位セルA1が占める合計の面積の割合に相当する。 In addition, since the conductive member 11 has a visible light transmittance of 75.0% or more, the opening ratio of the mesh shape formed by the plurality of wirings M1 is preferably 75% or more, and is 80% or more. is more preferable. Here, the aperture ratio of the mesh shape means the ratio of the transparent portion excluding the wiring M1 to the area occupied by the mesh shape portion. It corresponds to the proportion of the total area occupied by A1.

なお、単位セルA1の形状は、特に限定されず、例えば、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、平行四辺形、台形等の四角形、(正)六角形、(正)八角形等の(正)多角形、円、楕円、星形等を組み合わせた幾何学図形とすることもできる。 The shape of the unit cell A1 is not particularly limited. ) Geometric figures combining (regular) polygons such as octagons, circles, ellipses, stars and the like can also be used.

また、非導電部22の単位ユニットU1のサイズは、非導電部22を透過させようとする電磁波の周波数帯に対応して設計されることが説明されている。例えば、76.5GHzを中心とするミリ波の周波数帯の電磁波を透過させるために、単位ユニットU1が延びる方向におけるその単位ユニットU1の長さL1は、700μmに設計され得る。本発明においては、例えば、この長さL1を0.1mm以上すなわち100.0μm以上1000.0mm以下に設計することができる。 Further, it is explained that the size of the unit unit U1 of the non-conductive portion 22 is designed according to the frequency band of the electromagnetic wave that is to be transmitted through the non-conductive portion 22. FIG. For example, in order to transmit electromagnetic waves in the millimeter wave frequency band centered at 76.5 GHz, the length L1 of the unit unit U1 in the direction in which the unit unit U1 extends can be designed to be 700 μm. In the present invention, for example, this length L1 can be designed to be 0.1 mm or more, that is, 100.0 μm or more and 1000.0 mm or less.

また、非導電部22が4つの単位ユニットU1により構成されることが説明されているが、2つの単位ユニットにより構成されることもでき、3つの単位ユニットにより構成されることもでき、5つ以上の単位ユニットにより構成されることもできる。 Further, although it has been described that the non-conductive portion 22 is composed of four unit units U1, it may be composed of two unit units, three unit units, or five unit units. It can also be configured by the unit units described above.

また、非導電部22の単位ユニットU1は、長方形の形状を有することが説明されているが、単位ユニットU1の形状は、細長い形状であれば長方形に特に限定されない。例えば、単位ユニットU1は、楕円形状等を有することができる。 Also, although the unit unit U1 of the non-conductive portion 22 is described as having a rectangular shape, the shape of the unit unit U1 is not particularly limited to a rectangle as long as it is elongated. For example, unit U1 can have an elliptical shape or the like.

また、非導電部22の十字形状の縁部G1は、規則的なメッシュ形状を形成する複数の配線M1の一部として形成されているが、これらの配線M1とは別に、すなわち、これらの配線M1からずれた位置に形成されていてもよい。ただし、この場合に、縁部G1は配線M1と電気的に接続されている必要がある。 In addition, the cross-shaped edge G1 of the non-conductive portion 22 is formed as part of a plurality of wirings M1 forming a regular mesh shape, but separately from these wirings M1, that is, these wirings It may be formed at a position shifted from M1. However, in this case, the edge G1 must be electrically connected to the wiring M1.

また、非導電部22の4つの単位ユニットU1は、複数の配線M1が延びる方向と同一の方向に延びているが、例えば、4つの単位ユニットU1が延びる方向と、複数の配線M1が延びる方向とは、互いに異なっていてもよい。しかしながら、4つの単位ユニットU1が延びる方向と、複数の配線M1が延びる方向とが互いに同一である方が、通電部材11を見る際に十字形状の非導電部22の存在が目立ちにくい。そのため、例えば通電部材11に透明性が求められる場合には、非導電部22の存在が目立ちにくいという観点から、4つの単位ユニットU1が延びる方向と、複数の配線M1が延びる方向とが互いに同一である方が好ましい。 The four unit units U1 of the non-conductive portion 22 extend in the same direction as the multiple wirings M1. may be different from each other. However, when the direction in which the four unit units U1 extend and the direction in which the plurality of wirings M1 extend are the same, the presence of the cross-shaped non-conductive portion 22 is less noticeable when the current-carrying member 11 is viewed. Therefore, for example, when transparency is required for the conductive member 11, the direction in which the four unit units U1 extend and the direction in which the plurality of wirings M1 extend are the same from the viewpoint that the presence of the non-conductive portion 22 is inconspicuous. is preferable.

また、図示しないが、非導電部22の内側に、縁部G1とは電気的に接続されない、導電性を有するダミー配線が配置されることもできる。ただし、ダミー配線は、電磁波に干渉させないために、単位ユニットU1の長さL1よりも短いことが好ましい。 Also, although not shown, a conductive dummy wiring that is not electrically connected to the edge G1 can be arranged inside the non-conductive portion 22 . However, the dummy wiring is preferably shorter than the length L1 of the unit U1 so as not to interfere with electromagnetic waves.

実施の形態2
実施の形態1では、複数の非導電部22が、X方向において隣り合う一対の非導電部22と、Y方向において隣り合う一対の非導電部22が、それぞれ最も近接するように、X方向およびY方向に沿って配列されることが説明されているが、複数の非導電部22の配列は、特にこれに限定されない。
Embodiment 2
In Embodiment 1, the plurality of non-conductive portions 22 are arranged in the X direction and the Y direction so that the pair of non-conductive portions 22 adjacent in the X direction and the pair of non-conductive portions 22 adjacent in the Y direction are closest to each other. Although it is described that they are arranged along the Y direction, the arrangement of the plurality of non-conductive portions 22 is not particularly limited to this.

図11に、実施の形態2における導電膜13Aの部分平面図を示す。複数の非導電部22は、互いに最も近接する2つの非導電部22がY方向においてパターンピッチP1、X方向においてパターンピッチP2だけずれるように互い違いに配列されている。複数の非導電部22は、このようにして互い違いに配列されているため、Y方向に沿って、パターンピッチP1の2倍の長さを有するパターンピッチQ1の間隔で配列され、X方向に沿ってパターンピッチP2の2倍の長さを有するパターンピッチQ2の間隔で配列されている。 FIG. 11 shows a partial plan view of the conductive film 13A in the second embodiment. The plurality of non-conductive portions 22 are alternately arranged such that two non-conductive portions 22 closest to each other are shifted by a pattern pitch P1 in the Y direction and by a pattern pitch P2 in the X direction. Since the plurality of non-conductive portions 22 are arranged in a staggered manner in this way, they are arranged along the Y direction at intervals of the pattern pitch Q1 having a length twice as long as the pattern pitch P1, and along the X direction. are arranged at intervals of a pattern pitch Q2 having a length twice as long as the pattern pitch P2.

ここで、パターンピッチP1は、互いに最も近接する2つの非導電部22の連結点C1間のY方向における距離を示し、パターンピッチP2は、互いに最も近接する2つの非導電部22の連結点C1間のX方向における距離を示す。また、パターンピッチQ1は、Y方向に沿って隣接して配置された2つの非導電部22の連結点C1間の距離を示し、パターンピッチQ2は、X方向に沿って隣接して配置された2つの非導電部22の連結点C1間の距離を示す。 Here, the pattern pitch P1 indicates the distance in the Y direction between the connecting points C1 of the two non-conductive portions 22 that are closest to each other, and the pattern pitch P2 is the connecting point C1 of the two non-conductive portions 22 that are closest to each other. indicates the distance in the X direction between In addition, the pattern pitch Q1 indicates the distance between the connecting points C1 of two non-conductive portions 22 arranged adjacent to each other along the Y direction, and the pattern pitch Q2 indicates the distance between the connection points C1 of two adjacent non-conductive portions 22 arranged along the X direction. The distance between the connection points C1 of the two non-conductive portions 22 is shown.

また、複数の非導電部22のうち最も近接する2つの非導電部22の連結点C1を結ぶ線分K2が延びる方向は、複数の非導電部22のそれぞれの4つの単位ユニットU1が延びる方向、すなわち、+Y方向、-Y方向、+X方向および-X方向とは異なる。また、4つの単位ユニットU1は、それぞれ長さL1を有している。 Further, the direction in which the line segment K2 connecting the connecting points C1 of the two closest non-conductive portions 22 among the plurality of non-conductive portions 22 extends is the direction in which the four unit units U1 of each of the plurality of non-conductive portions 22 extend. , that is, the +Y direction, the −Y direction, the +X direction and the −X direction. Also, the four unit units U1 each have a length L1.

図12に、X方向およびY方向に互いに隣接する4つの単位ユニットU2、U3、U4およびU5の拡大図を示す。4つの単位ユニットU2、U3、U4およびU5は、図11における単位ユニットU1と等しいが、説明を分かりやすくするために、単位ユニットU2、U3、U4およびU5と表記する。 FIG. 12 shows an enlarged view of four unitary units U2, U3, U4 and U5 adjacent to each other in the X and Y directions. The four unitary units U2, U3, U4 and U5 are equivalent to the unitary unit U1 in FIG. 11, but are denoted as unitary units U2, U3, U4 and U5 for ease of explanation.

導電部21は、図12に示すように、単位ユニットU2およびU3が延びる方向(+X方向および-X方向)において一直線上に互いに隣接する連結点C2およびC3を有する2つの非導電部22Aおよび22Bの間で、且つ、それらの2つの非導電部22Aおよび22Bの互いに最も近接する単位ユニットU2およびU3の間と、単位ユニットU4およびU5が延びる方向(+Y方向および-Y方向)において一直線上に互いに隣接する連結点C4およびC5を有する2つの非導電部22Cおよび22Dの間で、且つ、それらの2つの非導電部22Cおよび22Dの互いに最も近接する単位ユニットU4およびU5の間に位置する十字形状の狭窄導電領域R1を有している。また、導電部21は、図12には示されていないが狭窄導電領域R1以外の領域である周辺導電領域R2を有している。 Conductive portion 21, as shown in FIG. 12, has two non-conductive portions 22A and 22B having connection points C2 and C3 that are adjacent to each other on a straight line in the direction in which unit units U2 and U3 extend (+X direction and −X direction). between and between unit units U2 and U3 closest to each other of those two non-conductive portions 22A and 22B, and on a straight line in the direction in which unit units U4 and U5 extend (+Y direction and −Y direction) A cross located between two non-conductive portions 22C and 22D having connection points C4 and C5 adjacent to each other and between unitary units U4 and U5 closest to each other of those two non-conductive portions 22C and 22D. It has a constricted conductive region R1 shaped. The conductive portion 21 also has a peripheral conductive region R2, which is not shown in FIG. 12 but is a region other than the constricted conductive region R1.

図12に示す十字形状の狭窄導電領域R1は、5つの単位セルA1により構成されており、十字形状の中央部に配置された単位セルA1に、互いに交差するように配置された2本の補助配線S2およびS3が含まれている。 The cross-shaped constricted conductive region R1 shown in FIG. 12 is composed of five unit cells A1. Wires S2 and S3 are included.

補助配線S2およびS3の向きは特に限定されないが、図12に示されるような向きで配置されることにより、電流Jが狭窄導電領域R1を通過する経路をより短縮して、狭窄導電領域R1における電流Jの集中をより抑制することが可能である。 The orientation of the auxiliary wirings S2 and S3 is not particularly limited, but by arranging them in the orientation shown in FIG. Concentration of the current J can be further suppressed.

このようにして、狭窄導電領域R1が補助配線S1を含むことにより、狭窄導電領域R1の配線密度が周辺導電領域R2の配線密度よりも高くなるため、実施の形態1の通電部材11と同様に、実施の形態2の通電部材によれば、狭窄導電領域R1における電流Jの集中を抑制して、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の劣化を抑制できる。 Since the constricted conductive region R1 includes the auxiliary wiring S1 in this way, the wiring density of the constricted conductive region R1 becomes higher than the wiring density of the peripheral conductive region R2. According to the conducting member of the second embodiment, concentration of the current J in the constricted conductive region R1 can be suppressed, and deterioration of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 can be suppressed.

また、本発明者らは、実施の形態2における通電部材に対しても、実施の形態1の通電部材11と同様に、狭窄導電領域R1内に補助配線S1が存在しない場合と比較して、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波の透過率が向上することを見出した。 In addition, the present inventors also found that the current-carrying member according to the second embodiment is similar to the current-carrying member 11 of the first embodiment, compared with the case where the auxiliary wiring S1 is not present in the constricted conductive region R1. It has been found that the transmittance of electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 is improved.

以上から、本発明の実施の形態2の通電部材によれば、実施の形態1の通電部材11と同様に、複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波を透過させながらも、発熱による局所的な劣化を抑制できる。 As described above, according to the current-carrying member of the second embodiment of the present invention, as with the current-carrying member 11 of the first embodiment, while transmitting electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22, Also, local deterioration due to heat generation can be suppressed.

なお、実施の形態2の通電部材における複数の非導電部22のサイズに対応する特定の周波数帯域の電磁波の透過率を維持するために、単位ユニットU2およびU3が延びる方向(+X方向および-X方向)において隣接する2つの非導電部22Aおよび22Bの互いに最も近接する単位ユニットU2およびU3間の距離F2は、実施の形態1における端部T1およびT2間の距離F1と同様に、単位ユニットU2およびU3の長さL1の2倍よりも短いことが好ましい。また、単位ユニットU4およびU5が延びる方向(+Y方向および-Y方向)において隣接する2つの非導電部22Cおよび22Dの互いに最も近接する単位ユニットU4およびU5間の距離F3も、距離F1と同様にして、単位ユニットU4およびU5の長さL1の2倍よりも短いことが好ましい。 In addition, in order to maintain the transmittance of electromagnetic waves in a specific frequency band corresponding to the size of the plurality of non-conductive portions 22 in the conductive member of Embodiment 2, the direction in which the unit units U2 and U3 extend (+X direction and −X direction The distance F2 between unit units U2 and U3 of two non-conductive portions 22A and 22B that are closest to each other in the direction ) is similar to the distance F1 between ends T1 and T2 in the first embodiment. and less than twice the length L1 of U3. Also, the distance F3 between unit units U4 and U5 closest to each other in two non-conductive portions 22C and 22D adjacent in the direction in which unit units U4 and U5 extend (+Y direction and −Y direction) is the same as distance F1. Therefore, it is preferably shorter than twice the length L1 of the units U4 and U5.

また、図12に示す例では、狭窄導電領域R1を構成する5つの単位セルA1のうち、十字形状の中央部に配置された1つの単位セルA1が2本の補助配線S2およびS3を含んでいるが、この単位セルA1は、補助配線S2およびS3の一方のみを含んでいてもよく、3本以上の補助配線を含んでいてもよい。また、狭窄導電領域R1を構成する5つの単位セルA1のうち、少なくとも1つの単位セルA1に少なくとも1本の補助配線が含まれることもできる。また、補助配線S2およびS3は、1つの単位セルA1内のみに配置されていなくてもよく、複数の単位セルA1にまたがって配置されることもできる。 In the example shown in FIG. 12, of the five unit cells A1 forming the constricted conductive region R1, one unit cell A1 arranged in the center of the cross shape includes two auxiliary wirings S2 and S3. However, the unit cell A1 may include only one of the auxiliary wirings S2 and S3, or may include three or more auxiliary wirings. Also, at least one auxiliary wiring may be included in at least one unit cell A1 among the five unit cells A1 forming the constricted conductive region R1. Further, the auxiliary wirings S2 and S3 may not be arranged only within one unit cell A1, and may be arranged across a plurality of unit cells A1.

以下では、実施の形態1の通電部材11を構成する各部材について詳細に説明する。なお、実施の形態2の通電部材の各部材についても、以下の説明を適用する。 Below, each member which constitutes current-carrying member 11 of Embodiment 1 will be described in detail. Note that the following description also applies to each member of the current-carrying member of the second embodiment.

<基板>
基板12は、絶縁性を有し且つ少なくとも導電膜13を支持できれば特に限定されるものではないが、透明であることが好ましく、樹脂材料により構成されることが好ましい。
基板12を構成する樹脂材料の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル(Polymethyl methacrylate:PMMA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(Acrylonitrile butadiene styrene:ABS)、ポリエチレンテレフタラート(Polyethylene terephthalate:PET)、ポリカーボネート(Polycarbonate:PC)、ポリシクロオレフィン、(メタ)アクリル、ポリエチレンナフタレート(Polyethylene naphthalate:PEN)、ポリエチレン(Polyethylene:PE)、ポリプロピレン(Polypropylene:PP)、ポリスチレン(Polystyrene:PS)、ポリ塩化ビニル(Polyvinyl chloride:PVC)、ポリ塩化ビニリデン(Polyvinylidene chloride:PVDC)、ポリフッ化ビニリデン(PolyVinylidene difluoride:PVDF)、ポリアリレート(Polyarylate:PAR)、ポリエーテルサルホン(Polyethersulfone:PES)、高分子アクリル、フルオレン誘導体、結晶性シクロオレフィンポリマー(Cyclo Olefin Polymer:COP)、トリアセチルセルロース(Triacetylcellulose:TAC)等が挙げられる。
<Substrate>
The substrate 12 is not particularly limited as long as it has insulating properties and can support at least the conductive film 13, but is preferably transparent and preferably made of a resin material.
Specific examples of the resin material forming the substrate 12 include polymethyl methacrylate (PMMA), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), polyethylene terephthalate (PET), and polycarbonate (PC). ), polycycloolefin, (meth) acrylic, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polyvinyl chloride (PVC) ), Polyvinylidene chloride (PVDC), Polyvinylidene difluoride (PVDF), Polyarylate (PAR), Polyethersulfone (PES), Polymer acrylic, Fluorene derivative, Crystalline cyclo Olefin polymer (Cyclo Olefin Polymer: COP), triacetyl cellulose (TAC) and the like can be mentioned.

ここで、基板12の透明性および耐久性の観点から、基板12は、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリエチレンテレフタラート樹脂のいずれかを主成分として構成されることが好ましい。ここで、基板12の主成分とは、基板12の構成成分のうち80%以上を占めることをいうものとする。 Here, from the viewpoint of the transparency and durability of the substrate 12, the substrate 12 is preferably composed mainly of any one of polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, acrylonitrile-butadiene-styrene resin, and polyethylene terephthalate resin. . Here, the main component of the substrate 12 means that it occupies 80% or more of the constituent components of the substrate 12 .

基板12の可視光透過率は、85.0%~100.0%であることが好ましい。
また、基板12の厚みは、特に制限されないが、取り扱い性等の点から、0.05mm以上2.00mm以下が好ましく、0.10mm以上1.00mm以下がより好ましい。
The visible light transmittance of the substrate 12 is preferably 85.0% to 100.0%.
The thickness of the substrate 12 is not particularly limited, but is preferably 0.05 mm or more and 2.00 mm or less, and more preferably 0.10 mm or more and 1.00 mm or less, from the viewpoint of handleability.

<プライマー層>
導電膜13を強固に支持するために、基板12と導電膜13との間にプライマー層を設けてもよい。プライマー層は、導電膜13を強固に支持できれば材料に限定はないが、導電膜13が複数の配線M1により形成される場合に、特にウレタン系の樹脂材料により構成されることが好ましい。
<Primer layer>
A primer layer may be provided between the substrate 12 and the conductive film 13 in order to firmly support the conductive film 13 . The material of the primer layer is not limited as long as it can firmly support the conductive film 13, but when the conductive film 13 is formed of a plurality of wirings M1, it is preferably made of a urethane-based resin material.

<配線>
配線M1は、導電性を有する材料により構成される。配線M1としては、金属、金属酸化物、炭素素材および導電性高分子等が使用できる。例えば、配線M1が金属により構成される場合に、その金属の種類は特に限定されず、例えば、銅、銀、アルミニウム、クロム、鉛、ニッケル、金、すず、および、亜鉛等が挙げられるが、導電性の観点から、銅、銀、アルミニウム、金がより好ましい。金属性の配線M1を形成する方法として、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、銀塩法、金属含有インクまたはその前駆体の印刷、インクジェット方式、レーザーダイレクトストラクチャリング法を用いることができ、さらにこれらの組み合わせを用いることもできる。金属としてバルクの材料を用いることができ、ナノワイヤ、ナノ粒子を用いることもできる。配線M1が炭素素材により構成される場合に、配線M1として、その構造や組成特に限定はされないが、カーボンナノチューブ、フラーレン、カーボンナノバッド、グラフェンおよびグラファイト等を使用することができる。配線M1が金属酸化物により構成される場合に、配線M1としてITO(Indium Tin Oxide:インジウムチンオキサイド、酸化インジウムスズ)を用いることができる。配線M1が導電性高分子により構成される場合に、配線M1としてPEDOT-PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)等を使用することができる。
<Wiring>
The wiring M1 is made of a conductive material. A metal, a metal oxide, a carbon material, a conductive polymer, or the like can be used as the wiring M1. For example, when the wiring M1 is made of metal, the type of metal is not particularly limited, and examples thereof include copper, silver, aluminum, chromium, lead, nickel, gold, tin, and zinc. From the viewpoint of conductivity, copper, silver, aluminum and gold are more preferable. As a method for forming the metallic wiring M1, a semi-additive method, a full-additive method, a subtractive method, a silver salt method, printing of a metal-containing ink or its precursor, an inkjet method, and a laser direct structuring method can be used. , and combinations of these may also be used. A bulk material can be used as the metal, and nanowires and nanoparticles can also be used. When the wiring M1 is made of a carbon material, the wiring M1 is not particularly limited in structure or composition, but carbon nanotubes, fullerenes, carbon nanobuds, graphene, graphite, and the like can be used. When the wiring M1 is made of metal oxide, ITO (Indium Tin Oxide) can be used as the wiring M1. When the wiring M1 is made of a conductive polymer, PEDOT-PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) or the like can be used as the wiring M1.

以下に、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができ、本発明の範囲は、以下の実施例により限定的に解釈されるべきものではない。 The present invention will be described in more detail below based on examples. The materials, amounts used, proportions, processing details, processing procedures, etc. shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention, and the scope of the present invention is limited by the following examples. not to be interpreted.

<実施例1>
(基板の準備)
厚み250.0μmのポリカーボネート樹脂フィルム(帝人製パンライトPC-2151)を基板として準備した。
<Example 1>
(Preparation of substrate)
A polycarbonate resin film (PANLITE PC-2151 manufactured by Teijin) having a thickness of 250.0 μm was prepared as a substrate.

(プライマー層形成用組成物の調製)
以下の成分を混合し、プライマー層形成用組成物を得た。
Z913-3(アイカ工業社製) 33質量部
IPA(イソプロピルアルコール) 67質量部
(Preparation of composition for forming primer layer)
The following components were mixed to obtain a composition for forming a primer layer.
Z913-3 (manufactured by Aica Kogyo Co., Ltd.) 33 parts by mass IPA (isopropyl alcohol) 67 parts by mass

(プライマー層の形成)
得られたプライマー層形成用組成物を、基板上に、平均乾燥膜厚が0.5μmとなるようにバー塗布し、80℃で3分間乾燥させた。その後、形成されたプライマー層形成用組成物の層に対して、1000mJの照射量で紫外線(Ultraviolet:UV)を照射し、厚み0.4μmのプライマー層を形成した。
(Formation of primer layer)
The obtained composition for forming a primer layer was bar-coated on a substrate so as to have an average dry film thickness of 0.5 μm, and dried at 80° C. for 3 minutes. After that, the formed layer of the composition for forming a primer layer was irradiated with ultraviolet rays (UV) at an irradiation dose of 1000 mJ to form a primer layer having a thickness of 0.4 μm.

(被めっき層前駆体層形成用組成物の調製)
以下の成分を混合し、被めっき層前駆体層形成用組成物を得た。
IPA(イソプロピルアルコール) 38.00質量部
ポリブタジエンマレイン酸 4.00質量部
FOM-03008(富士フイルム和光純薬社製) 1.00質量部
IRGACURE OXE02(BASF社製、ClogP=6.55)
0.05質量部
なお、FOM-03008は、以下の化学式で表される化合物を主成分として含む。

Figure 2023065884000002
(Preparation of composition for forming precursor layer of plated layer)
The following components were mixed to obtain a composition for forming a precursor layer for a plating layer.
IPA (isopropyl alcohol) 38.00 parts by mass Polybutadiene maleic acid 4.00 parts by mass FOM-03008 (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 1.00 parts by mass IRGACURE OXE02 (manufactured by BASF, ClogP = 6.55)
0.05 part by mass Note that FOM-03008 contains a compound represented by the following chemical formula as a main component.
Figure 2023065884000002

(被めっき層前駆体層付き基板の作製)
得られた被めっき層前駆体層形成用組成物をプライマー層上に膜厚0.2μmとなるようにバー塗布し、120℃の雰囲気下で1分間乾燥させた。その後、直ちに、被めっき層前駆体層形成用組成物上に厚み12.0μmのポリプロピレンフィルムを貼り合わせることにより、被めっき層前駆体層付き基板を作製した。
(Preparation of substrate with precursor layer to be plated)
The obtained composition for forming a precursor layer of a layer to be plated was bar-coated on the primer layer so as to have a film thickness of 0.2 μm, and dried in an atmosphere of 120° C. for 1 minute. Immediately thereafter, a 12.0 μm-thick polypropylene film was laminated on the composition for forming the precursor layer of the layer to be plated, thereby producing a substrate with a precursor layer to be plated.

(被めっき層付き基板の作製)
Y方向において110.804mmの幅を有し、X方向において100.804mmの幅を有し、6.00mmの厚みを有し、図2に示す複数の配線M1により形成される導電部21、複数の非導電部22、および、Y方向の両端部に配置された図示しない一対の電極パッドに対応する露光用パターンが形成された石英ガラス製のフォトマスクを用意した。このフォトマスクでは、X方向およびY方向に沿って複数の非導電部22が配列されており、X方向に互いに隣接する非導電部22の最も互いに近接する単位ユニットU1間に位置する単位セルA1と、Y方向に互いに隣接する非導電部22の最も互いに隣接する単位ユニットU1間に位置する単位セルA1により、導電部21の狭窄導電領域R1が構成されている。また、この狭窄導電領域R1には、1本の補助配線S1が配置されている。
(Preparation of substrate with layer to be plated)
A conductive portion 21 having a width of 110.804 mm in the Y direction, a width of 100.804 mm in the X direction, a thickness of 6.00 mm, and formed of a plurality of wirings M1 shown in FIG. and a pair of electrode pads (not shown) arranged at both ends in the Y direction. In this photomask, a plurality of non-conductive portions 22 are arranged along the X direction and the Y direction. , and the unit cells A1 located between the most adjacent unit units U1 of the non-conductive portions 22 adjacent to each other in the Y direction constitute the constricted conductive region R1 of the conductive portion 21 . In addition, one auxiliary wiring S1 is arranged in this constricted conductive region R1.

配線M1の線幅Wに対応する露光用パターンの線幅は0.004mmであり、X方向およびY方向において互いに隣接する配線M1のメッシュピッチEに対応する露光パターンの間隔は0.280mmであった。単位ユニットU1の幅L2に対応する露光パターンの幅は、互いに隣接する配線M1に対応する露光パターンの間隔と同様に0.280mmであった。また、単位ユニットU1の長さL1に対応する露光パターンの長さは0.700mmであり、非導電部22の長さL3に対応する露光パターンの幅は1.400mmであった。X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1間の距離F1に対応する露光パターンの距離は、メッシュピッチEと等しく0.280mmであった。また、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1間の距離に対応する露光パターンの距離は、メッシュピッチEの6倍である1.680mmであった。 The line width of the exposure pattern corresponding to the line width W of the wiring M1 was 0.004 mm, and the interval between the exposure patterns corresponding to the mesh pitch E of the wiring M1 adjacent to each other in the X and Y directions was 0.280 mm. rice field. The width of the exposure pattern corresponding to the width L2 of the unit U1 was 0.280 mm, the same as the interval between the exposure patterns corresponding to the wirings M1 adjacent to each other. The length of the exposure pattern corresponding to the length L1 of the unit U1 was 0.700 mm, and the width of the exposure pattern corresponding to the length L3 of the non-conductive portion 22 was 1.400 mm. The exposure pattern distance corresponding to the distance F1 between the closest unit units U1 of the two non-conductive portions 22 having the connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction is equal to the mesh pitch E, which is 0. .280 mm. Also, the distance of the exposure pattern corresponding to the distance between the connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction was 1.680 mm, which is six times the mesh pitch E.

以下では、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1間の距離F1をギャップピッチ、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1間の距離をパターンピッチと呼ぶことがある。 Below, the distance F1 between the closest unit units U1 of the two non-conductive portions 22 having connecting points C1 that are adjacent to each other on a straight line in the X and Y directions is defined as the gap pitch, A distance between connecting points C1 adjacent on a line is sometimes called a pattern pitch.

また、このフォトマスクには、中央部に1つの非導電部22を含み且つX方向とY方向において1.680mmの幅を有する領域が、X方向およびY方向において、それぞれ、59個並ぶように露光パターンが形成されている。そのため、フォトマスクは、59×59=3481個の非導電部22に対応する露光パターンが形成されている。 In addition, in this photomask, 59 regions each having a width of 1.680 mm in the X direction and the Y direction including one non-conductive portion 22 in the central portion are arranged in the X direction and the Y direction. An exposure pattern is formed. Therefore, the photomask is formed with an exposure pattern corresponding to 59×59=3481 non-conductive portions 22 .

このフォトマスクを被めっき層前駆体層付き基板に対してフィルムマスク越しに紫外線(エネルギー量200mJ/cm、波長365nm)を照射した。次に、紫外線が照射された後の被めっき層前駆体層付き基板を純水シャワーにより5分間現像処理し、被めっき層付き基板を作製した。 This photomask was used to irradiate the substrate with the layer-to-be-plated precursor layer with ultraviolet rays (energy amount: 200 mJ/cm 2 , wavelength: 365 nm) through the film mask. Next, the substrate with the layer-to-be-plated precursor layer after being irradiated with the ultraviolet rays was developed by showering pure water for 5 minutes to produce a substrate with the layer-to-be-plated.

(導電膜の形成)
被めっき層付き基板を、35℃の1質量%の炭酸水素ナトリウム水溶液に5分間浸漬させた。次に、被めっき層付き基板を、55℃のパラジウム触媒付与液RONAMERSE SMT(ロームアンドハース電子材料株式会社製)に5分間浸漬させた。被めっき層付き基板を水洗した後、続けて35℃のCIRCUPOSIT6540(ロームアンドハース電子材料株式会社製)に5分間浸漬させ、その後、再び水洗した。さらに、被めっき層付き基板を、45℃のCIRCUPOSIT4500(ロームアンドハース電子材料株式会社製)に20分間浸漬させた後、水洗して、被めっき層上に導電膜を形成した。これにより、基板上に、図2に示すような導電部21、複数の非導電部22、および、基板の+Y方向端部と-Y方向端部に配置され且つ基板のX方向の全体にわたって形成された図示しない電極パッドが形成された、銅製の導電膜を有する実施例1の通電部材を得た。一対の電極パッドは、それぞれ導電部21と互いに電気的に接続されている。
(Formation of conductive film)
The substrate with the layer to be plated was immersed in a 1% by mass sodium hydrogen carbonate aqueous solution at 35° C. for 5 minutes. Next, the substrate with the layer to be plated was immersed in a 55° C. palladium catalyst application liquid RONAMERSE SMT (manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) for 5 minutes. After the substrate with the layer to be plated was washed with water, it was continuously immersed in CIRCUPOSIT6540 (manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) at 35° C. for 5 minutes, and then washed with water again. Further, the substrate with the layer to be plated was immersed in CIRCUPOSIT 4500 (manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) at 45° C. for 20 minutes and then washed with water to form a conductive film on the layer to be plated. As a result, a conductive portion 21, a plurality of non-conductive portions 22, and a plurality of non-conductive portions 22 as shown in FIG. Thus, a current-carrying member of Example 1 having a conductive film made of copper and having electrode pads (not shown) formed thereon was obtained. The pair of electrode pads are electrically connected to the conductive portion 21, respectively.

実施例1の通電部材を、例えば、Y方向に沿って延びる配線の幅方向に沿ってすなわちXZ面に平行な面に沿って切断し、光学顕微鏡により配線の断面を撮影することにより、配線の厚みを測定したところ、配線は、0.003mmの厚みを有していた。また、配線を光学顕微鏡で観察したところ、その線幅Wは0.010mmであった。 The conductive member of Example 1 is cut, for example, along the width direction of the wiring extending along the Y direction, that is, along a plane parallel to the XZ plane, and the cross section of the wiring is photographed with an optical microscope. When the thickness was measured, the wiring had a thickness of 0.003 mm. Further, when the wiring was observed with an optical microscope, the line width W was 0.010 mm.

また、図13に示すように、狭窄導電領域R1である1つの単位セルA1の外郭線を形成する4本の配線M1の中心線CLで囲まれた部分の面積を狭窄導電領域R1の面積として算出し、これらの4本の中心線CLで囲まれた部分における複数の配線M1の体積の合計を狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積として算出した。この場合に、狭窄導電領域R1の面積は、(メッシュピッチE)×(メッシュピッチE)により算出される。また、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は、[3×(メッシュピッチE)-2×(線幅W)]×(線幅W)×(配線M1の厚み)により算出される。 Also, as shown in FIG. 13, the area of the constricted conductive region R1 is defined as the area of the portion surrounded by the center line CL of the four wirings M1 forming the outline of one unit cell A1, which is the constricted conductive region R1. The sum of the volumes of the plurality of wirings M1 in the portion surrounded by these four center lines CL was calculated as the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1. In this case, the area of the constricted conductive region R1 is calculated by (mesh pitch E)×(mesh pitch E). Also, the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is calculated by [3×(mesh pitch E)−2×(line width W)]×(line width W)×(thickness of wiring M1).

このようにして算出された狭窄導電領域R1の面積は約0.078mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約2.460×10-5mmであった。そのため、狭窄導電領域R1の配線密度は、(狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積)/(狭窄導電領域R1の面積)=0.314×10-3mmであった。 The area of the constricted conductive region R1 calculated in this manner was approximately 0.078 mm 2 , and the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 was approximately 2.460×10 −5 mm 3 . Therefore, the wiring density of the constricted conductive region R1 was (volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1)/(area of the constricted conductive region R1)=0.314×10 −3 mm.

また、狭窄導電領域R1から補助配線S1を取り除いた構成は、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の構成と等しいため、狭窄導電領域R1から補助配線S1を取り除いた領域を、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1とみなして、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積と、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積を算出した。この場合に、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積は、狭窄導電領域R1の面積と同様に、(メッシュピッチE)×(メッシュピッチE)により算出される。また、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積は、[2×(メッシュピッチE)-(線幅W)]×(線幅W)×(配線M1の厚み)により算出される。 Further, since the structure obtained by removing the auxiliary wiring S1 from the constricted conductive region R1 is the same as the structure of the unit cell A1 constituting the peripheral conductive region R2, the region obtained by removing the auxiliary wiring S1 from the constricted conductive region R1 is referred to as the peripheral conductive region R2. , the area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 and the volume of the plurality of wires M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 were calculated. In this case, the area of the unit cells A1 forming the peripheral conductive region R2 is calculated by (mesh pitch E)×(mesh pitch E), like the area of the constricted conductive region R1. In addition, the volume of the plurality of wirings M1 in the unit cell A1 that configures the peripheral conductive region R2 is given by [2×(mesh pitch E)−(line width W)]×(line width W)×(thickness of wiring M1). Calculated.

このようにして算出された周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積は約0.078mmであり、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積は約1.650×10-5mmであった。そのため、周辺導電領域R2の配線密度は、(周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積)/(周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積)=0.210×10-3mmであった。 The area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 calculated in this manner is approximately 0.078 mm 2 , and the volume of the multiple wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 is approximately 1.650 mm 2 . It was ×10 −5 mm 3 . Therefore, the wiring density of the peripheral conductive region R2 is (the volume of the plurality of wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2)/(the area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2)=0.210× It was 10 −3 mm.

そのため、実施例1における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=149%であった。 Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Example 1 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=149%. Met.

<実施例2>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図6に示すような、狭窄導電領域R1が2つの単位セルA1で構成される導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして実施例2の通電部材を作製した。
<Example 2>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A conductive member of Example 2 was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to a conductive film in which the constricted conductive region R1 was composed of two unit cells A1 was used.

実施例2で使用されたフォトマスクにおいて、非導電部22に対応する露光パターンのサイズは、実施例1で使用されたフォトマスクにおける非導電部22に対応する露光パターンのサイズと同じであるが、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1間の距離F1、すなわちギャップピッチは、メッシュピッチEの2倍である0.560mmであり、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1間の距離すなわちパターンピッチは、メッシュピッチEの7倍である1.960mmであった。 In the photomask used in Example 2, the size of the exposure pattern corresponding to the non-conductive portion 22 is the same as the size of the exposure pattern corresponding to the non-conductive portion 22 in the photomask used in Example 1. , the distance F1 between the closest unit units U1 of the two non-conductive portions 22 having connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction, that is, the gap pitch is twice the mesh pitch E. The distance between connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction, that is, the pattern pitch was 1.960 mm, which is seven times the mesh pitch E.

また、このフォトマスクには、中央部に1つの非導電部22を含み且つX方向とY方向において1.960mmの幅を有する領域が、X方向およびY方向において、それぞれ、50個並ぶように露光パターンが形成されている。そのため、フォトマスクは、50×50=2500個の非導電部22に対応する露光パターンが形成されている。 In addition, in this photomask, 50 regions each having a width of 1.960 mm in the X direction and the Y direction, including one non-conductive portion 22 in the central portion, were arranged in the X direction and the Y direction. An exposure pattern is formed. Therefore, the photomask is formed with an exposure pattern corresponding to 50×50=2500 non-conductive portions 22 .

また、実施例1と同様の方法により、2つの単位セルA1により構成される狭窄導電領域R1の外郭線を形成する複数の配線M1の中心線CLで囲まれた部分の面積を狭窄導電領域R1の面積として算出し、これらの複数の中心線CLで囲まれた部分における複数の配線M1の体積の合計を狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積として算出した。実施例2における狭窄導電領域R1の面積は約0.157mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約4.920×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.314×10-3mmであった。 Further, by the same method as in Example 1, the area of the portion surrounded by the center line CL of the plurality of wirings M1 forming the outline of the constricted conductive region R1 composed of the two unit cells A1 is reduced to the constricted conductive region R1. and the total volume of the plurality of wirings M1 in the portion surrounded by the plurality of center lines CL was calculated as the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1. The area of the constricted conductive region R1 in Example 2 is about 0.157 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is about 4.920×10 −5 mm 3 , and the wiring of the constricted conductive region R1 The density was 0.314×10 −3 mm.

また、実施例1と同様の方法により、実施例2における周辺導電領域R2を構成し且つ互いに隣接する2つの単位セルA1の面積、周辺導電領域R2を構成し且つ互いに隣接する2つの単位セルA1における複数の配線M1の体積、および、周辺導電領域R2の配線密度を算出した。実施例2における周辺導電領域R2を構成し且つ互いに隣接する2つの単位セルA1の面積は約0.157mmであり、周辺導電領域R2を構成し且つ互いに隣接する2つの単位セルA1における複数の配線M1の体積は約3.300×10-5mmであり、周辺導電領域R2の配線密度は0.210×10-3mmであった。 Further, by the same method as in Example 1, the area of the two unit cells A1 forming the peripheral conductive region R2 and adjacent to each other in Example 2, the area of the two unit cells A1 forming the peripheral conductive region R2 and adjacent to each other, , and the wiring density of the peripheral conductive region R2 were calculated. The area of the two unit cells A1 that form the peripheral conductive region R2 and are adjacent to each other in Example 2 is about 0.157 mm 2 . The volume of the wiring M1 was about 3.300×10 −5 mm 3 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 was 0.210×10 −3 mm.

そのため、実施例2における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=149%であった。 Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Example 2 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=149%. Met.

<実施例3>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図8に示すように、X方向において2つの非導電部22に挟まれる狭窄導電領域R1が、電流Jが流れる方向であるY方向に沿って延びる補助配線S1を有するような導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして実施例3の通電部材を作製した。
<Example 3>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. , except for using a photomask corresponding to a conductive film such that the constricted conductive region R1 sandwiched between two non-conductive portions 22 in the X direction has an auxiliary wiring S1 extending along the Y direction, which is the direction in which the current J flows. produced a current-carrying member of Example 3 in the same manner as in Example 1.

実施例3で使用されたフォトマスクは、Y方向において2つの非導電部22に挟まれる狭窄導電領域R1が補助配線S1を含まない以外は、実施例1で使用されたフォトマスクと同一である。 The photomask used in Example 3 is the same as the photomask used in Example 1, except that the constricted conductive region R1 sandwiched between the two non-conductive portions 22 in the Y direction does not include the auxiliary wiring S1. .

また、実施例1と同様の方法により、実施例3における狭窄導電領域R1の面積、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積および狭窄導電領域R1の配線密度を算出した。実施例3における狭窄導電領域R1の面積は約0.078mmであった。また、補助配線S1を含む狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は、実施例1の狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積と同様に約2.460×10-5mmであり、補助配線S1を含まない狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は、実施例1の周辺導電領域R2における複数の配線M1の体積と同様に約1.650×10-5mmであった。実施例3の導電膜は、補助配線S1を含む狭窄導電領域R1と同数の、補助配線S1を含まない狭窄導電領域R1を有しているため、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は、補助配線S1を含む狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積と補助配線S1を含まない狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積との平均を計算することにより得られる。このようにして算出された狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は、約2.055×10-5mmであった。そのため、狭窄導電領域R1の配線密度は0.262×10-3mmであった。 Further, the area of the constricted conductive region R1, the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1, and the wiring density of the constricted conductive region R1 in the third example were calculated by the same method as in the first example. The area of the constricted conductive region R1 in Example 3 was about 0.078 mm 2 . Also, the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 including the auxiliary wiring S1 is approximately 2.460×10 −5 mm 3 similar to the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 of the first embodiment. , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 that does not include the auxiliary wiring S1 is about 1.650×10 −5 mm 3 similar to the volume of the plurality of wirings M1 in the peripheral conductive region R2 of the first embodiment. rice field. Since the conductive film of Example 3 has the same number of constricted conductive regions R1 that do not include the auxiliary wiring S1 as the constricted conductive regions R1 that include the auxiliary wiring S1, the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is , is obtained by calculating the average of the volume of the plurality of wirings M1 in the narrowed conductive region R1 including the auxiliary wiring S1 and the volume of the plurality of wirings M1 in the narrowed conductive region R1 not including the auxiliary wiring S1. The volume of the multiple wirings M1 in the constricted conductive region R1 calculated in this manner was approximately 2.055×10 −5 mm 3 . Therefore, the wiring density of the constricted conductive region R1 was 0.262×10 −3 mm.

また、実施例1と同様の方法により、実施例3における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積、および、周辺導電領域R2の配線密度を算出した。実施例3における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積は約0.078mmであり、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積は約1.650×10-5mmであり、周辺導電領域R2の配線密度は0.210×10-3mmであった。 Further, by the same method as in Example 1, the area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 3, the volume of the plurality of wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2, and the peripheral conductive The wiring density of the region R2 was calculated. The area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 3 is approximately 0.078 mm 2 , and the volume of the multiple wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 is approximately 1.650×10 − 5 mm 3 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 was 0.210×10 −3 mm.

そのため、実施例3における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=125%であった。 Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Example 3 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=125%. Met.

<実施例4>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図10に示すように、狭窄導電領域R1内に互いに直交する2本の補助配線S1が含まれるような導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして実施例4の通電部材を作製した。
<Example 4>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A conductive member of Example 4 was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to a conductive film in which two auxiliary wirings S1 orthogonal to each other were included in the constricted conductive region R1 was used. .

実施例3で使用されたフォトマスクは、狭窄導電領域R1内に互いに直交する2本の補助配線S1が含まれる以外は、実施例1で使用されたフォトマスクと同一である。 The photomask used in Example 3 is the same as the photomask used in Example 1, except that two auxiliary wirings S1 orthogonal to each other are included in the constricted conductive region R1.

また、実施例1と同様の方法により、実施例4における狭窄導電領域R1の面積、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積および狭窄導電領域R1の配線密度を算出した。実施例4における狭窄導電領域R1の面積は約0.078mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約3.936×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.502×10-3mmであった。 Further, the area of the constricted conductive region R1, the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1, and the wiring density of the constricted conductive region R1 in the fourth example were calculated by the same method as in the first example. The area of the constricted conductive region R1 in Example 4 is about 0.078 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is about 3.936×10 −5 mm 3 , and the wiring of the constricted conductive region R1 The density was 0.502×10 −3 mm.

また、実施例1と同様の方法により、実施例4における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積、および、周辺導電領域R2の配線密度を算出した。実施例4における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積は約0.078mmであり、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積は約1.650×10-5mmであり、周辺導電領域R2の配線密度は0.210×10-3mmであった。 Further, by the same method as in Example 1, the area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 4, the volume of the plurality of wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2, and the peripheral conductive The wiring density of the region R2 was calculated. The area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 4 is approximately 0.078 mm 2 , and the volume of the multiple wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 is approximately 1.650×10 − 5 mm 3 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 was 0.210×10 −3 mm.

そのため、実施例4における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=239%であった。 Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Example 4 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=239%. Met.

<実施例5>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図11に示す導電膜13Aに対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして実施例5の通電部材を作製した。実施例5で使用されるフォトマスクでは、複数の非導電部22のうち互いに最も近接する2つの非導電部22の連結点C1を結ぶ線分K2が延びる方向と、非導電部22の4つの単位ユニットU1がそれぞれ延びる方向とが異なるように、複数の非導電部22に対応する露光パターンが配列されている。
<Example 5>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A conducting member of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to 13A was used. In the photomask used in Example 5, the direction in which the line segment K2 connecting the connecting points C1 of the two non-conductive portions 22 closest to each other among the plurality of non-conductive portions 22 extends, and the four non-conductive portions 22 The exposure patterns corresponding to the plurality of non-conductive portions 22 are arranged such that the directions in which the unit units U1 extend are different from each other.

実施例5で使用されたフォトマスクにおいて、配線M1の線幅Wに対応する露光用パターンの線幅は0.004mmであり、X方向およびY方向において互いに隣接する配線M1のメッシュピッチEに対応する露光パターンの間隔は0.310mmであった。単位ユニットU1の幅L2に対応する露光パターンの幅は、互いに隣接する配線M1に対応する露光パターンの間隔と同様に0.310mmであった。また、単位ユニットU1の長さL1に対応する露光パターンの長さは0.775mmであり、非導電部22の長さL3に対応する露光パターンの幅は1.550mmであった。X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1間の距離F2に対応する露光パターンの距離すなわちギャップピッチは、メッシュピッチEの3倍である0.930mmであった。また、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1間の距離に対応する露光パターンの距離すなわちパターンピッチP2、Q2は、メッシュピッチEの8倍である2.480mmであった。 In the photomask used in Example 5, the line width of the exposure pattern corresponding to the line width W of the wiring M1 is 0.004 mm, corresponding to the mesh pitch E of the wiring M1 adjacent to each other in the X direction and the Y direction. The interval between the exposed patterns was 0.310 mm. The width of the exposure pattern corresponding to the width L2 of the unit U1 was 0.310 mm, the same as the interval between the exposure patterns corresponding to the wirings M1 adjacent to each other. The length of the exposure pattern corresponding to the length L1 of the unit U1 was 0.775 mm, and the width of the exposure pattern corresponding to the length L3 of the non-conductive portion 22 was 1.550 mm. The distance of the exposure pattern corresponding to the distance F2 between the closest unit units U1 of the two non-conductive portions 22 having the connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction, ie, the gap pitch, is the mesh pitch E was 0.930 mm, which is three times the Also, the distances of the exposure patterns corresponding to the distances between connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in the X direction and the Y direction, that is, the pattern pitches P2 and Q2 were eight times the mesh pitch E, 2.480 mm.

また、実施例1と同様の方法により、5つの単位セルA1により構成される十字形状の狭窄導電領域R1の外郭線を形成する複数の配線M1の中心線CLで囲まれた部分の面積を狭窄導電領域R1の面積として算出し、これらの複数の中心線CLで囲まれた部分における複数の配線M1の体積の合計を狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積として算出した。実施例5における狭窄導電領域R1の面積は約0.288mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約8.030×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.279×10-3mmであった。 Further, by the same method as in Example 1, the area of the portion surrounded by the center line CL of the plurality of wirings M1 forming the outline of the cross-shaped narrowed conductive region R1 composed of the five unit cells A1 is narrowed. The area of the conductive region R1 was calculated, and the total volume of the plurality of wirings M1 in the portion surrounded by the plurality of center lines CL was calculated as the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1. The area of the constricted conductive region R1 in Example 5 is about 0.288 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is about 8.030×10 −5 mm 3 , and the wiring of the constricted conductive region R1 The density was 0.279×10 −3 mm.

また、実施例1と同様の方法により、実施例5における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積、および、周辺導電領域R2の配線密度を算出した。実施例5における周辺導電領域R2を構成する単位セルA1の面積は約0.288mmであり、周辺導電領域R2を構成する単位セルA1における複数の配線M1の体積は約5.490×10-5mmであり、周辺導電領域R2の配線密度は0.190×10-3mmであった。 Further, the area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 5, the volume of the plurality of wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2, and the peripheral conductive The wiring density of the region R2 was calculated. The area of the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 in Example 5 is approximately 0.288 mm 2 , and the volume of the multiple wirings M1 in the unit cell A1 forming the peripheral conductive region R2 is approximately 5.490×10 − 5 mm 3 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 was 0.190×10 −3 mm.

そのため、実施例5における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=146%であった。 Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Example 5 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=146%. Met.

<比較例1>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図5に示すように、狭窄導電領域R1内に補助配線S1を含まない導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして比較例1の通電部材を作製した。
<Comparative Example 1>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A conductive member of Comparative Example 1 was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to a conductive film that did not include the auxiliary wiring S1 in the constricted conductive region R1 was used.

比較例1で使用されたフォトマスクは、狭窄導電領域R1内に補助配線S1を含まない以外は、実施例1で使用されたフォトマスクと同一である。 The photomask used in Comparative Example 1 is the same as the photomask used in Example 1, except that the auxiliary wiring S1 is not included in the constricted conductive region R1.

また、比較例1における狭窄導電領域R1の面積は約0.078mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約1.650×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.210×10-3mmであった。また、周辺導電領域R2の単位セルA1の面積は約0.078mmであり、周辺導電領域R2の単位セルA1における複数の配線M1の体積は約1.650×10-5mmであり、周辺導電領域R2配線密度は、狭窄導電領域R1の配線密度と同一の0.210×10-3mmであった。そのため、比較例1における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=100%であった。 Further, the area of the constricted conductive region R1 in Comparative Example 1 is approximately 0.078 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is approximately 1.650×10 −5 mm 3 , and the constricted conductive region R1 was 0.210×10 −3 mm. Further, the area of the unit cell A1 in the peripheral conductive region R2 is approximately 0.078 mm 2 , the volume of the multiple wirings M1 in the unit cell A1 in the peripheral conductive region R2 is approximately 1.650×10 −5 mm 3 , The wiring density in the peripheral conductive region R2 was 0.210×10 −3 mm, which is the same as the wiring density in the narrow conductive region R1. Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Comparative Example 1 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=100%. Met.

<比較例2>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図14に示すように、狭窄導電領域R1内に補助配線S1を含まない導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして比較例2の通電部材を作製した。
<Comparative Example 2>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A current-carrying member of Comparative Example 2 was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to a conductive film that did not include the auxiliary wiring S1 in the constricted conductive region R1 was used.

比較例2で使用されたフォトマスクは、狭窄導電領域R1内に補助配線S1を含まない以外は、実施例2で使用されたフォトマスクと同一である。 The photomask used in Comparative Example 2 is the same as the photomask used in Example 2, except that the auxiliary wiring S1 is not included in the constricted conductive region R1.

また、比較例2における狭窄導電領域R1の面積は約0.157mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約3.300×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.210×10-3mmであった。また、周辺導電領域R2の互いに隣接する2つの単位セルA1の面積は約0.157mmであり、周辺導電領域R2の互いに隣接する2つの単位セルA1における複数の配線M1の体積は約3.300×10-5mmであり、周辺導電領域R2配線密度は、狭窄導電領域R1の配線密度と同一の0.210×10-3mmであった。そのため、比較例2における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=100%であった。 Further, the area of the constricted conductive region R1 in Comparative Example 2 is approximately 0.157 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is approximately 3.300×10 −5 mm 3 , and the constricted conductive region R1 was 0.210×10 −3 mm. Also, the area of two unit cells A1 adjacent to each other in the peripheral conductive region R2 is approximately 0.157 mm 2 , and the volume of the wirings M1 in the two unit cells A1 adjacent to each other in the peripheral conductive region R2 is approximately 3.5 mm 2 . 300×10 −5 mm 3 , and the wiring density in the peripheral conductive region R2 was 0.210×10 −3 mm, which is the same as the wiring density in the constricted conductive region R1. Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Comparative Example 2 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=100%. Met.

<比較例3>
実施例1の被めっき層付き基板の作製の工程で使用するフォトマスクとして、図2に示す導電膜13に対応する露光パターンが形成されたフォトマスクを使用する代わりに、図15に示すように、狭窄導電領域R1内に補助配線S1を含まない導電膜に対応するフォトマスクを使用する以外は、実施例1と同様にして比較例2の通電部材を作製した。
<Comparative Example 3>
Instead of using a photomask on which an exposure pattern corresponding to the conductive film 13 shown in FIG. A current-carrying member of Comparative Example 2 was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a photomask corresponding to a conductive film that did not include the auxiliary wiring S1 in the constricted conductive region R1 was used.

また、比較例3における狭窄導電領域R1の面積は約0.288mmであり、狭窄導電領域R1における複数の配線M1の体積は約5.490×10-5mmであり、狭窄導電領域R1の配線密度は0.190×10-3mmであった。また、周辺導電領域R2の互いに隣接する2つの単位セルA1の面積は約0.288mmであり、周辺導電領域R2の互いに隣接する2つの単位セルA1における複数の配線M1の体積は約5.490×10-5mmであり、周辺導電領域R2配線密度は、狭窄導電領域R1の配線密度と同一の0.190×10-3mmであった。そのため、比較例3における周辺導電領域R2の配線密度に対する狭窄導電領域R1の配線密度の比率は、(狭窄導電領域R1の配線密度)/(周辺導電領域R2の配線密度)×100%=100%であった。 Further, the area of the constricted conductive region R1 in Comparative Example 3 is about 0.288 mm 2 , the volume of the plurality of wirings M1 in the constricted conductive region R1 is about 5.490×10 −5 mm 3 , and the constricted conductive region R1 was 0.190×10 −3 mm. The area of two unit cells A1 adjacent to each other in the peripheral conductive region R2 is approximately 0.288 mm 2 , and the volume of the wirings M1 in the two unit cells A1 adjacent to each other in the peripheral conductive region R2 is approximately 5.5 mm 2 . 490×10 −5 mm 3 , and the wiring density in the peripheral conductive region R2 was 0.190×10 −3 mm, which is the same as the wiring density in the constricted conductive region R1. Therefore, the ratio of the wiring density of the constricted conductive region R1 to the wiring density of the peripheral conductive region R2 in Comparative Example 3 is (wiring density of the constricted conductive region R1)/(wiring density of the peripheral conductive region R2)×100%=100%. Met.

以上のようにして得られた実施例1~5および比較例1~3の通電部材に対して、以下に示す評価を行った。
(ミリ波透過評価)
通電部材に対して、ミリ波ネットワークアナライザ(KeysightTechnologies社製Millimeter Wave Network Analyzers N5290A)を用いて、特定波長のミリ波の透過率(ミリ波透過率)を測定した。この際に、まず、通電部材を直径80mmの穴を有する2mm厚のステンレス板に張り付けた。また、ミリ波ネットワークアナライザの2つのポートを互いに向き合わせて設置した。また、2つのポートの中間点にステンレス板の直径80mmの穴が位置するように、且つ、平板状の通電部材の表面が2つのポートを結ぶ線分に対して垂直となるように、ステンレス板に張り付けられた通電部材を配置した。なお、測定に用いる電磁波として、通電部材のY方向において電場が振動し且つ通電部材のX方向において磁場が振動する偏波を使用した。この状態で、通電部材に対する、76.5GHzのミリ波の透過率を測定した。この際に、2つのポートの間に通電部材を配置せずにミリ波透過率を測定した場合を100%として、通電部材のミリ波透過率を百分率で算出した。測定されたミリ波透過率が85%以上の通電部材に対して、電磁波に対する優れた透過性を有しているとして評価Aを付し、測定されたミリ波透過率が80%以上85%未満の通電部材に対して、電磁波に対して実用上問題のない透過性を有しているとして評価Bを付し、測定されたミリ波透過率が80%未満の通電部材に対して、電磁波に対して十分な透過性を有していないとして評価Cを付すことにした。
The conductive members of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 obtained as described above were evaluated as follows.
(millimeter wave transmission evaluation)
A millimeter wave network analyzer (Millimeter Wave Network Analyzers N5290A manufactured by Keysight Technologies) was used to measure the millimeter wave transmittance of a specific wavelength (millimeter wave transmittance) for the current-carrying member. At this time, first, the current-carrying member was attached to a 2 mm thick stainless steel plate having a hole with a diameter of 80 mm. Also, the two ports of the millimeter wave network analyzer were placed facing each other. In addition, the stainless steel plate was placed so that a hole with a diameter of 80 mm in the stainless steel plate was positioned at the midpoint between the two ports, and the surface of the plate-like current-carrying member was perpendicular to the line connecting the two ports. A current-carrying member attached to the As the electromagnetic wave used for the measurement, a polarized wave in which the electric field oscillates in the Y direction of the current-carrying member and the magnetic field oscillates in the X direction of the current-carrying member was used. In this state, the transmittance of millimeter waves of 76.5 GHz with respect to the current-carrying member was measured. At this time, the millimeter-wave transmittance of the current-carrying member was calculated as a percentage, with the case where the millimeter-wave transmittance measured without the current-carrying member placed between the two ports being 100%. A current-carrying member having a measured millimeter-wave transmittance of 85% or more was given an evaluation of A as having excellent transparency to electromagnetic waves, and a measured millimeter-wave transmittance of 80% or more and less than 85%. Evaluation B is given to the current-carrying member as having practically no problem in permeability to electromagnetic waves, and the current-carrying member having a measured millimeter wave transmittance of less than 80% to electromagnetic waves It was decided to attach the evaluation C because it does not have sufficient permeability to the light.

(劣化評価)
まず、通電部材の一対の電極パッドの全体にそれぞれ導電テープを貼り付けた。次に、導電膜が水平面に対して直交するように通電部材を固定した。この際に、導電膜の両面側の150mmの範囲にはいかなる障害物をも配置しないようにした。次に、電源装置(菊水電子工業製DME1600;デジタルマルチメータ)に接続されたワニ口クリップを、一対の電極パッドに貼り付けられた導電テープにそれぞれ取り付けた。この状態で、通電部材の一対の電極パッドに貼り付けられた導電テープ間の抵抗値N1を測定した。なお、事前に、同一の電極パッドに対して、2枚の導電テープを互いに接触しないように貼合し、それらの抵抗を測定することにより、電極パッドを介した接触抵抗を測定した。接触抵抗は、0.05Ω以下であり、抵抗値N1に対して十分に無視できることを確認した。
(degradation evaluation)
First, a conductive tape was attached to the entire pair of electrode pads of the current-carrying member. Next, the conductive member was fixed so that the conductive film was perpendicular to the horizontal plane. At this time, no obstacles were placed in the range of 150 mm on both sides of the conductive film. Next, alligator clips connected to a power supply (Kikusui Electronics DME1600; digital multimeter) were attached to the conductive tapes attached to the pair of electrode pads. In this state, the resistance value N1 between the conductive tapes attached to the pair of electrode pads of the conducting member was measured. In addition, the contact resistance via the electrode pad was measured in advance by bonding two conductive tapes to the same electrode pad so as not to contact each other and measuring their resistance. It was confirmed that the contact resistance was 0.05Ω or less and could be sufficiently ignored with respect to the resistance value N1.

その後、通電部材を、温度25℃、相対湿度60%、無風の条件に設定した恒温槽内に通電部材を配置し、導電膜の温度が90℃に維持されるように、電源装置を用いて導電膜に対して4000時間電圧を印加し続けた。この際に、導電膜の温度は、サーモメータ(FLIR社製ETS320)を用いて測定した。導電膜に電圧を印加して4000時間が経過した後に、一対の電極パッドに取り付けられたそれぞれの導電テープ間の抵抗値N2を測定し、抵抗値N1に対する抵抗値N2の比により、劣化係数N2/N1を算出した。算出された劣化係数N2/N1が1.2以下の通電部材に対して、劣化が非常に抑制されているとして評価Aを付し、劣化係数N2/N1が1.2よりも大きく1.3以下の通電部材に対して、劣化が十分に抑制され実用上問題がないとして評価Bを付し、劣化係数N2/N1が1.3よりも大きく1.4以下である通電部材に対して、実用上問題がある程度に劣化が発生しているとして評価Cを付し、劣化係数N2/N1が1.4よりも大きい通電部材に対して、著しい劣化が発生しているとして評価Dを付すことにした。 After that, the current-carrying member is placed in a constant temperature bath set at a temperature of 25°C, a relative humidity of 60%, and no wind, and a power supply is used to maintain the temperature of the conductive film at 90°C. A voltage was continuously applied to the conductive film for 4000 hours. At this time, the temperature of the conductive film was measured using a thermometer (ETS320 manufactured by FLIR). After 4000 hours have passed since the voltage was applied to the conductive film, the resistance value N2 between the respective conductive tapes attached to the pair of electrode pads was measured, and the deterioration coefficient N2 was obtained from the ratio of the resistance value N2 to the resistance value N1. /N1 was calculated. A current-carrying member having a calculated deterioration coefficient N2/N1 of 1.2 or less was given an evaluation of A because deterioration was greatly suppressed, and the deterioration coefficient N2/N1 was greater than 1.2 and 1.3. For the following current-carrying members, the deterioration is sufficiently suppressed and there is no problem in practical use, and a rating of B is given. A rating of C is given for the fact that deterioration has occurred to some extent that is problematic for practical use, and a rating of D is given for the current-carrying member whose deterioration coefficient N2/N1 is greater than 1.4 for the fact that significant deterioration has occurred. made it

(視認性評価)
通電部材から1.5m離れた位置に10人の観察者を配置し、通電部材を蛍光灯にかざした状態で、それぞれの観察者が通電部材を目視し、非導電部または補助配線が視認されるか否かの評価を行った。10人の観察者のうち3人未満しか非導電部を視認したとの評価を下さなかった通電部材に対して、優れた視認性を有しているとして評価Aを付し、10人の観察者のうち4人または5人が非導電部を視認したとの評価を下した通電部材に対して、十分な視認性を有しているとして評価Bを付し、10人の観察者のうち5人以上が、非導電部を視認したとの評価を下した場合に、その通電部材に対して評価Cを付すことにした。
(Visibility evaluation)
Ten observers were placed at a position 1.5 m away from the current-carrying member, and each observer looked at the current-carrying member while holding the current-carrying member over a fluorescent lamp, and the non-conductive portion or the auxiliary wiring was visually recognized. We evaluated whether or not Evaluation A was given for excellent visibility to the current-carrying member, which was evaluated by less than 3 out of 10 observers as visually recognizing the non-conductive part, and 10 observers. 4 or 5 of the observers evaluated that the non-conductive part was visually recognized, and the evaluation B was given as having sufficient visibility. When 5 or more persons evaluated that the non-conductive portion was visually recognized, the current-carrying member was given an evaluation of C.

以下の表1に、実施例1~5、比較例1~3に対する劣化評価およびミリ波透過評価の結果を示す。ここで、表1では、図2、図5、図6、図8、図10および図14に示されるようなパターンを有する実施例1~実施例4、比較例1および比較例2の通電部材のパターンを、最近接の非導電部の連結点を結ぶ線分の方向が、単位ユニットの方向と同一となるパターンと記載している。また、図11および図15に示されるようなパターンを有する実施例5および比較例3の通電部材のパターンを、最近接の非導電部の連結点を結ぶ線分の方向が、単位ユニットの方向と異なるパターンと記載している。

Figure 2023065884000003
Table 1 below shows the results of deterioration evaluation and millimeter wave transmission evaluation for Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3. Here, in Table 1, current-carrying members of Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 and 2 having patterns as shown in FIGS. 2, 5, 6, 8, 10 and 14 is described as a pattern in which the direction of the line segment connecting the connection points of the closest non-conductive portions is the same as the direction of the unit. In addition, the direction of the line segment connecting the connection points of the nearest non-conductive portions of the conductive member patterns of Example 5 and Comparative Example 3 having patterns as shown in FIGS. 11 and 15 is the direction of the unit. described as a different pattern.
Figure 2023065884000003

表1に示すように、実施例1~5の通電部材は、ミリ波透過評価と劣化評価がいずれもAまたはBであり、ミリ波を透過させる機能を有しながらも、導電膜に通電しても配線の劣化が生じにくいことがわかる。
実施例1~5の通電部材では、狭窄導電領域R1の配線密度が周辺導電領域R2の配線密度よりも高いため、狭窄導電領域R1における電流Jの集中が抑制されて配線が劣化しにくく、さらに、ミリ波の透過性も向上していると考えられる。
As shown in Table 1, the current-carrying members of Examples 1 to 5 were evaluated as A or B in both the millimeter wave transmission evaluation and the deterioration evaluation, and while having the function of transmitting millimeter waves, they did not conduct electricity to the conductive film. It can be seen that deterioration of the wiring is less likely to occur even if the
In the conductive members of Examples 1 to 5, since the wiring density of the constricted conductive region R1 is higher than the wiring density of the peripheral conductive region R2, the concentration of the current J in the constricted conductive region R1 is suppressed and the wiring is less likely to deteriorate. , and the permeability of millimeter waves is also considered to be improved.

また、実施例4および5の通電部材は、ミリ波透過評価と劣化評価がいずれもAであり、ミリ波に対する優れた透過性を有し、配線の劣化が非常に抑制されている。実施例4については、パターンピッチが1.680mmと比較的短く、配線密度の比率が239%と高いことに起因すると考えられる。また、実施例5については、最近接の非導電部22の連結点C1を結ぶ線分の方向が、単位ユニットU1が延びる方向とは異なるため、最近接の非導電部22間の距離が比較的短く且つ電流Jの経路が比較的広いこと、および、狭窄導電領域R1の配線密度が周辺導電領域R2の配線密度よりも高いことに起因していると考えられる。 In addition, the current-carrying members of Examples 4 and 5 were rated as A in both the millimeter wave transmission evaluation and the deterioration evaluation, and thus had excellent permeability to millimeter waves, and the deterioration of the wiring was greatly suppressed. In Example 4, the pattern pitch is relatively short at 1.680 mm, and the wiring density ratio is high at 239%. In addition, in Example 5, since the direction of the line segment connecting the connecting points C1 of the nearest non-conductive portions 22 is different from the direction in which the unit unit U1 extends, the distance between the nearest non-conductive portions 22 is compared. This is probably because the path of the current J is relatively short and the path of the current J is relatively wide, and the wiring density of the constricted conductive region R1 is higher than that of the peripheral conductive region R2.

比較例1の通電部材は、ミリ波透過評価がBであるが、劣化評価がDであった。比較例1では、狭窄導電領域R1の配線密度と周辺導電領域R2の配線密度とが互いに等しいため、狭窄導電領域R1において電流Jが集中しやすく、配線が劣化しやすいと考えられる。 The current-carrying member of Comparative Example 1 was graded B in the millimeter wave transmission evaluation, but was graded D in the deterioration evaluation. In Comparative Example 1, the wiring density of the constricted conductive region R1 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 are equal to each other.

比較例2の通電部材は、ミリ波透過評価がCであり、劣化評価がDであった。比較例2では、ギャップピッチが0.560mmと比較的広く、さらに、狭窄導電領域R1の配線密度と周辺導電領域R2の配線密度とが互いに等しいため、ミリ波を透過しにくく、狭窄導電領域R1における電流Jの集中も生じやすいと考えられる。 The current-carrying member of Comparative Example 2 was C in the millimeter wave transmission evaluation and D in the deterioration evaluation. In Comparative Example 2, the gap pitch is relatively wide at 0.560 mm, and the wiring density of the constricted conductive region R1 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 are equal to each other. It is considered that concentration of the current J at is also likely to occur.

比較例3の通電部材は、ミリ波透過評価がBであるが、劣化評価がCであった。比較例3では、最近接の非導電部22の連結点C1を結ぶ線分の方向が、単位ユニットU1が延びる方向とは異なるため、最近接の非導電部22間の距離が比較的短く且つ電流Jの経路が比較的広いため、比較例1および2と比べてミリ波透過評価および劣化評価は優れているが、狭窄導電領域R1の配線密度と周辺導電領域R2の配線密度とが互いに等しいため狭窄導電領域R1において電流Jが集中しやすいと考えられる。 The current-carrying member of Comparative Example 3 was graded B in the millimeter wave transmission evaluation, but was graded C in the deterioration evaluation. In Comparative Example 3, the direction of the line segment connecting the connecting points C1 of the nearest non-conductive portions 22 is different from the direction in which the unit unit U1 extends, so the distance between the nearest non-conductive portions 22 is relatively short and Since the path of the current J is relatively wide, the millimeter wave transmission evaluation and deterioration evaluation are superior to those of Comparative Examples 1 and 2, but the wiring density of the constricted conductive region R1 and the wiring density of the peripheral conductive region R2 are equal to each other. Therefore, it is considered that the current J tends to concentrate in the constricted conductive region R1.

また、視認性評価については、実施例1~5および比較例1~3のいずれもAまたはBであり、いずれの通電部材も十分な視認性を有していた。 Further, the visibility evaluation was A or B in all of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, and all current-carrying members had sufficient visibility.

また、最近接の非導電部22の連結点C1を結ぶ線分の方向が、単位ユニットU1の方向と同一となるパターンを有する実施例1~4の通電部材に対して、X方向およびY方向において互いに一直線上に隣接する連結点C1を有する2つの非導電部22の互いに最も近接する単位ユニットU1間の距離F1、すなわち、ギャップピッチと、単位ユニットU1の長さL1との関係に着目して劣化評価およびミリ波透過評価をまとめた表2を以下に示す。 In addition, with respect to the current-carrying member of Examples 1 to 4 having a pattern in which the direction of the line segment connecting the connection point C1 of the closest non-conductive portion 22 is the same as the direction of the unit unit U1, the X direction and the Y direction Focusing on the relationship between the gap pitch and the length L1 of the unit unit U1, that is, the distance F1 between the closest unit units U1 of the two non-conductive portions 22 having the connecting points C1 adjacent to each other on a straight line in Table 2 summarizing the deterioration evaluation and the millimeter wave transmission evaluation is shown below.

Figure 2023065884000004
Figure 2023065884000004

表2から、実施例1、3および4において、ギャップピッチ(距離F1)が、0.3×L1以上0.6×L1以下であるため不等式(1)を満たし、実施例2において、ギャップピッチ(距離F1)が0.6×L1よりも大きいため不等式(2)を満たしていないことが分かる。実施例1~4は、ミリ波透過性評価、劣化評価および視認性評価のいずれも評価Aまたは評価Bであり、ミリ波を透過させる機能を有しながらも、導電膜に通電しても配線の劣化が生じにくい。ミリ波透過性評価に着目すると、不等式(1)を満たす実施例1、3および4が評価Aであり、不等式(1)を満たさない実施例2が評価Bである。これにより、不等式(1)を満たすことによって、ミリ波透過性に優れた通電部材が得られることが分かる。 From Table 2, in Examples 1, 3 and 4, the gap pitch (distance F1) is 0.3 × L1 or more and 0.6 × L1 or less, so the inequality (1) is satisfied, and in Example 2, the gap pitch Since (distance F1) is greater than 0.6×L1, it can be seen that inequality (2) is not satisfied. Examples 1 to 4 were rated A or B in all of the millimeter wave transmittance evaluation, deterioration evaluation, and visibility evaluation. deterioration is less likely to occur. Focusing on the millimeter wave transmittance evaluation, Examples 1, 3 and 4 that satisfy the inequality (1) are evaluated A, and Example 2 that does not satisfy the inequality (1) is evaluated B. Accordingly, it can be seen that a current-carrying member having excellent millimeter-wave transmittance can be obtained by satisfying the inequality (1).

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上において、本発明の通電部材について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施態様に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。 The present invention is basically configured as described above. Although the current-carrying member of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention. Of course.

11 通電部材、12 基板、13,13A,33 導電膜、21 導電部、22,22A,22B,22C,22D 非導電部、A1 単位セル、C1,C2,C3,C4,C5 連結点、CL 中心線、E メッシュピッチ、F1 距離、G1 縁部、J 電流、K1,K2 線分、L1,L3 長さ、L2 幅、M1 配線、P1,P2,Q1,Q2 パターンピッチ、R1 狭窄導電領域、R2 周辺導電領域、S1,S2,S3 補助配線、U1,U2,U3,U4,U5 単位ユニット、W 線幅。 11 current-carrying member 12 substrate 13, 13A, 33 conductive film 21 conductive portion 22, 22A, 22B, 22C, 22D non-conductive portion A1 unit cell C1, C2, C3, C4, C5 connection point CL center Line, E Mesh pitch, F1 Distance, G1 Edge, J Current, K1, K2 Line segment, L1, L3 Length, L2 Width, M1 Wiring, P1, P2, Q1, Q2 Pattern pitch, R1 Constricted conductive region, R2 Peripheral conductive area, S1, S2, S3 auxiliary wiring, U1, U2, U3, U4, U5 unit unit, W line width.

Claims (8)

導電膜が形成された通電部材であって、
前記導電膜は、複数の配線からなる導電部と、規則的な繰り返しパターンを形成するように配列された複数の非導電部とを有し、
前記複数の非導電部は、それぞれ、連結点において互いに連結され且つ前記連結点から互いに異なる方向に向かって延びる細長い形状を有する複数の単位ユニットを含み、
前記単位ユニットが延びる方向において前記連結点が互いに隣接するように、互いに隣接する2つの前記非導電部が配置され、
前記2つの前記非導電部の互いに最も近接する前記単位ユニットは、互いに対向する方向に向かって延び、
前記導電部は、前記2つの前記非導電部の前記互いに最も近接する前記単位ユニットの間に位置する狭窄導電領域を有し、
前記狭窄導電領域における前記配線の配線密度は、前記狭窄導電領域以外の前記導電部の領域における前記配線の配線密度よりも高い通電部材。
A current-carrying member having a conductive film formed thereon,
The conductive film has a conductive portion composed of a plurality of wires and a plurality of non-conductive portions arranged to form a regular repeating pattern,
The plurality of non-conductive parts each include a plurality of unitary units having an elongated shape that are connected to each other at a connection point and extend in different directions from the connection point,
Two non-conductive portions adjacent to each other are arranged such that the connection points are adjacent to each other in the direction in which the unit unit extends,
the unit units closest to each other of the two non-conductive portions extend in directions facing each other;
the conductive portion has a constricted conductive region located between the unit units closest to each other of the two non-conductive portions;
The current-carrying member, wherein the wiring density of the wiring in the constricted conductive region is higher than the wiring density of the wiring in the region of the conductive portion other than the constricted conductive region.
前記複数の配線は、複数の単位セルが配列されたメッシュ形状を形成し、
前記狭窄導電領域における前記配線は、前記狭窄導電領域に含まれる前記単位セルの内部に配置された少なくとも1本の補助配線を有し、
前記補助配線は、両端が前記単位セルの外郭線を形成する前記配線に接続されることにより前記単位セルを分割する請求項1に記載の通電部材。
the plurality of wires form a mesh shape in which a plurality of unit cells are arranged;
the wiring in the constricted conductive region has at least one auxiliary wiring arranged inside the unit cell included in the constricted conductive region;
2. The conducting member according to claim 1, wherein both ends of said auxiliary wiring divide said unit cell by being connected to said wiring forming an outline of said unit cell.
前記補助配線は、前記狭窄導電領域を流れる電流の向きに沿って延びている請求項2に記載の通電部材。 3. The current-carrying member according to claim 2, wherein said auxiliary wiring extends along the direction of current flowing through said constricted conductive region. 前記2つの前記非導電部の前記互いに最も近接する前記単位ユニットの間の距離は、前記単位ユニットの長さの2倍よりも短い請求項1~3のいずれか一項に記載の通電部材。 4. The current-carrying member according to claim 1, wherein the distance between said closest unit units of said two non-conductive parts is shorter than twice the length of said unit unit. 前記2つの前記非導電部の前記互いに最も近接する前記単位ユニットの間の距離は、前記単位ユニットの長さの0.3倍以上、前記単位ユニットの長さの0.6倍以下である請求項4に記載の通電部材。 The distance between the closest unit units of the two non-conductive parts is 0.3 times or more the length of the unit unit and 0.6 times or less the length of the unit unit. Item 5. The current-carrying member according to item 4. 前記非導電部は、4つの前記単位ユニットにより構成され、
前記4つの単位ユニットは、十字形状を形成するように前記連結点において互いに連結される請求項1~5のいずれか一項に記載の通電部材。
The non-conductive portion is composed of four unit units,
The current-carrying member according to any one of claims 1 to 5, wherein the four units are connected to each other at the connecting points so as to form a cross shape.
前記導電膜は、曲面に沿った形状を有する請求項1~6のいずれか一項に記載の通電部材。 The conducting member according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive film has a shape along a curved surface. 請求項1~7のいずれか一項に記載の前記通電部材を備えるヒータ。 A heater comprising the conducting member according to any one of claims 1 to 7.
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