JP2022539397A - ハウジングアセンブリ、アンテナデバイス及び電子機器 - Google Patents

Abstract

本出願は、ハウジングアセンブリ、アンテナデバイス及び電子機器を提供する。ハウジングアセンブリは、誘電体基板、インピーダンスマッチングレイヤー及びカップリング構造を含む。誘電体基板は、プリセット周波数帯域の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する。インピーダンスマッチングレイヤーと誘電体基板は積み重ねられ、インピーダンスマッチングレイヤーはプリセット周波数帯域のＲＦ信号に対して空間インピーダンスマッチングを行うために用いられる。カップリング構造と誘電体基板は積み重ねられ、カップリング構造は一層又は複数層のカップリングエレメントアレイレイヤーを含み、カップリングエレメントアレイレイヤーはプリセット周波数帯域で共振特性を有する。ハウジングアセンブリは、カップリング構造に対応する領域内で、プリセット周波数帯域のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、第二透過率は第一透過率より大きい。本出願に実施形態に係わるハウジングアセンブリはＲＦ信号の透過率を高めることができる。

Description

公序良俗違反のため、不掲載とする。

第一開口４５及び第二開口４５ｃは両方ともストリップスロットである。第一開口４５ｂは垂直偏波スロット又は水平偏波スロットであることができる。第二開口４５ｃは垂直偏波スロット又は水平偏波スロットであることができる。第一開口４５ｂが垂直偏波スロットである場合、第二開口４５ｃは水平偏波スロットである。第一開口４５ｂが水平偏波スロットである場合、第二開口４５ｃは垂直偏波スロットである。本出願では、第一開口４５ｂの延在方向がＸ方向であり、第二開口４５ｃの延在方向がＹ方向であることを例として説明する。第一開口４５ｂの延在方向と第二開口４５ｃの延在方向が垂直する場合、フィードグラウンドレイヤー４５は二重偏波開口４５ａを有するフィードグラウンドレイヤーである。この場合、アンテナモジュール２０は二重偏波アンテナモジュールであるので、アンテナモジュール２０の放射方向を調整することができる。放射方向を調整することができるので、標的放射を達成することができ、アンテナモジュール２０の放射利得を増加することができる。「アンテナの偏波」とは、アンテナが電磁波を放射するときに形成された電界強度の方向を指す。

Claims (28)

1. ハウジングアセンブリであって、
   誘電体基板、インピーダンスマッチングレイヤー及びカップリング構造を含み、
   前記誘電体基板は、プリセット周波数帯域の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一透過率を有し、
   前記インピーダンスマッチングレイヤーと前記誘電体基板は積み重ねられ、前記インピーダンスマッチングレイヤーは前記プリセット周波数帯域のＲＦ信号に対して空間インピーダンスマッチングを行うために用いられ、
   前記カップリング構造と前記誘電体基板は積み重ねられ、前記カップリング構造は一層又は複数層のカップリングエレメントアレイレイヤーを含み、前記カップリングエレメントアレイレイヤーは前記プリセット周波数帯域で共振特性を有し、
   前記ハウジングアセンブリは、前記カップリング構造に対応する領域内で、前記プリセット周波数帯域のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、前記第二透過率は前記第一透過率より大きい、
   ことを特徴とするハウジングアセンブリ。
2. 前記インピーダンスマッチングレイヤーは前記誘電体基板の片側に位置し、前記カップリング構造は前記インピーダンスマッチングレイヤーにおける前記誘電体基板から離れた側に片側に位置するか、或いは、
   前記カップリング構造は前記誘電体基板の片側に位置し、前記インピーダンスマッチングレイヤーは前記カップリング構造における前記誘電体基板から離れた片側に位置する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
3. 前記カップリングエレメントアレイレイヤーは、さらに、前記プリセット周波数帯域で二重偏波共振特性を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
4. 前記カップリング構造は、前記誘電体基板の表面に貼り合せている一層のカップリングエレメントアレイレイヤーを含み、
   前記インピーダンスマッチングレイヤーは、前記カップリングエレメントアレイレイヤーにおける前記誘電体基板から離れた片側に位置し、且つ前記カップリングエレメントアレイレイヤーをカプセル化して保護するために用いられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
5. 前記カップリング構造は一層のカップリングエレメントアレイレイヤーを含み、
   前記インピーダンスマッチングレイヤーは第一マッチングレイヤー及び第二マッチングレイヤーを含み、
   前記第一マッチングレイヤーは前記誘電体基板の表面に位置し、
   前記カップリングエレメントアレイレイヤーは前記第一マッチングレイヤーにおける前記誘電体基板から離れた片側に位置し、
   前記第一マッチングレイヤーは、前記カップリングエレメントアレイレイヤーを前記誘電体基板に接続するために用いられ、
   前記第二マッチングレイヤーは前記カップリングエレメントアレイレイヤーにおける前記第一マッチングレイヤーから離れた片側に位置し、前記第二マッチングレイヤーは前記カップリングエレメントアレイレイヤーをカプセル化して保護するために用いられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
6. 前記カップリング構造は離間して設置された第一アレイレイヤー及び第二アレイレイヤーを含み、
   前記インピーダンスマッチングレイヤーは第一マッチングレイヤー及び第二マッチングレイヤーを含み、
   前記第一アレイレイヤーは前記誘電体基板の１つの表面に位置し、
   前記第一マッチングレイヤーは前記第一アレイレイヤーにおける前記誘電体基板から離れた片側に位置し、
   前記第一マッチングレイヤーは、前記第一アレイレイヤーを前記誘電体基板に接続するために用いられ、且つ前記第一アレイレイヤーをカプセル化して保護するために用いられ、
   前記第二アレイレイヤーは前記第一マッチングレイヤーにおける前記第一アレイレイヤーから離れた片側に位置し、
   前記第二マッチングレイヤーは前記第二アレイレイヤーにおける前記第一マッチングレイヤーから離れた片側に位置し、前記第二マッチングレイヤーは前記第二アレイレイヤーをカプセル化して保護するために用いられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
7. 前記カップリング構造は離間して設置された第一アレイレイヤー及び第二アレイレイヤーを含み、
   前記インピーダンスマッチングレイヤーは、第一マッチングレイヤー、第二マッチングレイヤー及び第三マッチングレイヤーを含み、
   前記第一マッチングレイヤーは前記誘電体基板の一つの表面に位置し、
   前記第一アレイレイヤーは前記第一マッチングレイヤーにおける前記誘電体基板から離れた片側に位置し、
   前記第二マッチングレイヤーは前記第一アレイレイヤーにおける前記第一マッチングレイヤーから離れた片側に位置し、
   前記第二アレイレイヤーは前記第二マッチングレイヤーにおける前記第一アレイレイヤーから離れた片側に位置し、
   前記第三マッチングレイヤーは前記第二アレイレイヤーにおける前記第二マッチングレイヤーから離れた片側に位置し、前記第三マッチングレイヤーは前記第二アレイレイヤーをカプセル化して保護するために用いられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
8. 前記第一アレイレイヤー及び前記第二アレイレイヤーはそれぞれ前記第二マッチングレイヤーの対向する両側に位置し、前記第一アレイレイヤーは前記第二アレイレイヤーよりも前記誘電体基板に近い、
   ことを特徴とする請求項７に記載のハウジングアセンブリ。
9. 前記第二マッチングレイヤーでの前記第一アレイレイヤーの投影と前記第二マッチングレイヤーでの前記第二アレイレイヤーの投影は少なくとも部分的に重ねていない、
   ことを特徴とする請求項８に記載のハウジングアセンブリ。
10. 前記第一アレイレイヤーはスルーホールを有し、前記第一アレイレイヤーでの前記第二アレイレイヤーの投影は前記スルーホールに位置する、
    ことを特徴とする請求項９に記載のハウジングアセンブリ。
11. 前記スルーホールは、円形、楕円形、正方形、三角形、長方形、六角形、環形、十字形、又はエルサレム十字形である、
    ことを特徴とする請求項１０に記載のハウジングアセンブリ。
12. 前記第一マッチングレイヤーは接着剤であり、前記第二マッチングレイヤーはベアリングレイヤーであり、前記第三マッチングレイヤーは接着剤である、
    ことを特徴とする請求項７に記載のハウジングアセンブリ。
13. 前記第一アレイレイヤーは正方形のパッチであり、一辺の長さは１．６ｍｍであり、
    前記第二アレイレイヤーは正方形のパッチであり、一辺の長さは１．０５ｍｍであり、
    前記スルーホールは正方形であり、そのサイズは１．３ｍｍ×１．３ｍｍであり、
    前記誘電体基板の厚さは０．５５ｍｍであり、
    前記第一マッチングレイヤーの厚さは０．０２ｍｍであり、前記第二マッチングレイヤーの厚さは０．４５ｍｍであり、前記第三マッチングレイヤーの厚さは０．０３ｍｍである、
    ことを特徴とする請求項１０に記載のハウジングアセンブリ。
14. 前記カップリングエレメントアレイレイヤーは、アレイに配置された複数のカップリングエレメントを含み、前記カップリングエレメントは導電性材料からなり、前記カップリングエレメントは前記プリセット周波数帯域で二重周波数二重偏波共振特性を有する、
    ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載のハウジングアセンブリ。
15. 前記プリセット周波数帯域は、少なくとも第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ）ミリ波のすべての周波数帯域を含む、
    ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載のハウジングアセンブリ。
16. アンテナデバイスであって、
    アンテナモジュールと、請求項１～１５のいずれか一項に記載のハウジングアセンブリと、を含み、
    前記アンテナモジュールと前記カップリング構造は離間して設置され、前記アンテナモジュールは前記カップリング構造における前記誘電体基板から離れた片側に位置し、
    前記カップリング構造の少なくとも一部は、前記アンテナモジュールがＲＦ信号を送受信するプリセット方向範囲内に位置し、
    前記カップリング構造は、前記アンテナモジュールが送受信するＲＦ信号の周波数を一致させ、前記ＲＦ信号の透過率を向上させるために用いられ、
    前記インピーダンスマッチングレイヤーは、前記ＲＦ信号の帯域幅を高めるために、前記アンテナモジュールが送受信するＲＦ信号に対して空間インピーダンスマッチングを行うために用いられる、
    ことを特徴とするアンテナデバイス。
17. 前記アンテナモジュールはアレイに配置された複数のアンテナラジエータを含み、
    前記アンテナラジエータは第一フィードポイントと第二フィードポイントを有し、
    前記第一フィードポイントは前記アンテナラジエータに第一電流信号を供給するように構成され、前記第一電流信号は、第一周波数帯域のＲＦ信号を送受信するように、前記アンテナラジエータを励起して前記第一周波数帯域で共振させるために用いられ、
    前記第二フィードポイントは前記アンテナラジエータに第二電流信号を供給するように構成され、前記第二電流信号は、前記アンテナラジエータを励起して第二周波数帯域で共振させるために用いられ、
    前記第一周波数帯域と前記第二周波数帯域は異なる、
    ことを特徴とする請求項１６に記載のアンテナデバイス。
18. 前記アンテナデバイスはサポートプレート、ＲＦチップ及びＲＦラインを含み、前記アンテナラジエータは前記サポートプレートにおける前記カップリング構造に隣接する表面に位置し、前記ＲＦチップは前記サポートプレートにおける前記カップリング構造から離れた表面に位置し、前記ＲＦラインは前記ＲＦチップ及び前記アンテナラジエータを電気的に接続するために用いられる、
    ことを特徴とする請求項１７に記載のアンテナデバイス。
19. 前記サポートプレートは位置制限穴を有し、前記ＲＦラインは前記位置制限穴に位置する、
    ことを特徴とする請求項１８に記載のアンテナデバイス。
20. 前記サポートプレートは前記アンテナラジエーターを取り囲む複数の金属化ビアを有し、２つの隣接する前記アンテナラジエーターを分離する、
    ことを特徴とする請求項１８に記載のアンテナデバイス。
21. 前記アンテナデバイスは、サポートプレート、ＲＦチップ、フィードグラウンドレイヤー及びフィードラインを含み、
    前記アンテナラジエータは前記サポートプレートにおける前記カップリング構造に隣接する表面に位置し、
    前記ＲＦチップは前記サポートプレートにおける前記カップリング構造から離れた表面に位置し、
    前記フィードグラウンドレイヤーは、前記サポートプレートと前記ＲＦチップとの間に位置し、前記アンテナラジエータの接地電極として機能し、
    前記フィードラインは前記ＲＦチップと前記フィードグラウンドレイヤーとの間に設置され、前記フィードラインは前記ＲＦチップに電気的に接続され、
    前記フィードグラウンドレイヤーは開口を有し、前記フィードグラウンドレイヤーでの前記フィードラインの投影は少なくとも部分的に前記開口に位置し、前記フィードラインは前記開口を介して前記アンテナラジエータに対してカップリングフィードを実行する、
    ことを特徴とする請求項１７に記載のアンテナデバイス。
22. 前記第一電流信号によって励起された前記アンテナラジエータの共振モードの偏波方向と前記第二電流信号によって励起された前記アンテナラジエータの共振モードの偏波方向は異なる、
    ことを特徴とする請求項１７～２１のいずれか一項に記載のアンテナデバイス。
23. 電子機器であって、
    メインボードと、アンテナモジュールと、請求項１～１５のいずれか一項に記載のハウジングアセンブリと、を含み、
    前記メインボードは前記ハウジングアセンブリに組み立てられ、
    前記ハウジングアセンブリにおける前記カップリング構造に面する片側には収容空間が形成されており、前記アンテナモジュールは前記収容空間に受け入れられ且つ前記メインボードに電気的に接続され、
    前記アンテナモジュールは少なくとも１つのアンテナラジエータを含み、前記アンテナラジエータは前記メインボードの制御下でＲＦ信号を送受信するために用いられ、前記ＲＦ信号は前記ハウジングアセンブリを透過できる、
    ことを特徴とする電子機器。
24. 前記電子機器はバッテリカバーをさらに含み、前記バッテリカバーは誘電体基板として機能し、前記バッテリカバーの材質は、プラスチック、ガラス、サファイア及びセラミックのうちのいずれか１つ又は複数である、
    ことを特徴とする請求項２３に記載の電子機器。
25. 前記バッテリカバーは後部プレート及び前記後部プレートを取り囲むサイドプレートを含み、前記サイドプレートは前記アンテナラジエータがＲＦ信号を送受信するプリセット方向範囲内に位置し、前記カップリング構造は前記アンテナラジエーターに面する前記サイドプレートの片側に位置し、前記サイドプレートは前記誘電体基板として機能する、
    ことを特徴とする請求項２４に記載の電子機器。
26. 前記バッテリカバーは後部プレート及び前記後部プレートを囲むサイドプレートを含み、前記後部プレートは前記アンテナラジエータがＲＦ信号を送受信するプリセット方向範囲内に位置し、前記カップリング構造は前記アンテナラジエーターに面する前記後部プレートの片側に位置し、前記後部プレートは前記誘電体基板として機能する、
    ことを特徴とする請求項２４に記載の電子機器。
27. 前記電子機器はスクリーンをさらに含み、前記スクリーンは前記誘電体基板として機能する、
    ことを特徴とする請求項２３に記載の電子機器。
28. 前記電子機器はさらに保護カバーを含み、前記保護カバーは前記アンテナラジエータがＲＦ信号を送受信するプリセット方向範囲内に位置し、前記保護カバーは前記誘電体基板として機能する、
    ことを特徴とする請求項２３に記載の電子機器。

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