JP2022128810A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な構造で、ＥＳＲを増加することなく、且つ基板に曲げ等のストレスが加わった場合であっても、クラックが発生しにくい積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサ１は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１５とが交互に積層され、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＡＡ及び第２の主面ＡＢ、積層方向Ｔと交差する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＣＡ及び第２の端面ＣＢ、並びに積層方向Ｔと長さ方向Ｌと交差する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢを備えた積層体２と、積層体２における、第１の端面ＣＡ及び第２の端面ＣＢのそれぞれに配置され、内部電極層と電気接続する外部電極３と、を具備し、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢ、並びに、第１の主面ＡＡ及び第２の主面ＡＢのうちの基板実装側の面である第２の主面ＡＢ、の少なくともいずれかにスリット３０が設けられている。【選択図】図１
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
積層セラミックコンデンサが実装された状態で、基板に曲げ等のたわみストレスが加わると、積層セラミックコンデンサの基板実装面の側における、外部電極の端部にクラックが発生することがある。
従来、このようなクラックを抑制するめに、外部電極の表面の一部と積層体の表面とを覆う樹脂部と、外部電極の表面のうち、樹脂部で覆われた部分の残部を直接覆うめっき層を形成する技術が開示されている（特許文献１参照）。
従来、このようなクラックを抑制するめに、外部電極の表面の一部と積層体の表面とを覆う樹脂部と、外部電極の表面のうち、樹脂部で覆われた部分の残部を直接覆うめっき層を形成する技術が開示されている（特許文献１参照）。
しかし、上記技術によるは、電極構造が複雑な上、ＥＳＲ（等価直列抵抗）も大きくなる。
本発明は、簡単な構造で、ＥＳＲを増加することなく、且つ基板に曲げ等のストレスが加わった場合であっても、クラックが発生しにくい積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層され、積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面、前記積層方向と交差する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面、並びに、前記積層方向と前記長さ方向と交差する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面を備えた積層体と、前記積層体における、前記第１の端面及び前記第２の端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と電気接続する外部電極と、を具備し、前記第１の側面及び前記第２の側面、並びに、前記第１の主面及び前記第２の主面のうちの基板実装側の面である前記第２の主面、の少なくともいずれかにスリットが設けられている。
本発明によれば、簡単な構造で、ＥＳＲを増加することなく、且つ基板に曲げ等のストレスが加わった場合であっても、クラックが発生しにくい積層セラミックコンデンサを提供することができる。
以下、本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、実施形態の積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、図１の積層セラミックコンデンサ１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１の積層セラミックコンデンサ１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。
（積層セラミックコンデンサ１）
積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備える。積層体２は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１５とが積層された内層部１１を含む。
積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備える。積層体２は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１５とが積層された内層部１１を含む。
以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、積層セラミックコンデンサ１において、一対の外部電極３が設けられている方向を長さ方向Ｌとする。誘電体層１４と内部電極層１５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を幅方向Ｗとする。なお、実施形態においては、幅方向Ｗは長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。
また、以下の説明において、図２に示す積層体２の６つの外周面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面を第１の主面ＡＡと第２の主面ＡＢとし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面を第１の側面ＢＡと第２の側面ＢＢとし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面を第１の端面ＣＡと第２の端面ＣＢとする。
なお、第１の主面ＡＡと第２の主面ＡＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Ａとし、第１の側面ＢＡと第２の側面ＢＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Ｂとし、第１の端面ＣＡと第２の端面ＣＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Ｃとして説明する。
なお、第１の主面ＡＡと第２の主面ＡＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Ａとし、第１の側面ＢＡと第２の側面ＢＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Ｂとし、第１の端面ＣＡと第２の端面ＣＢとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Ｃとして説明する。
（積層体２）
積層体２は、積層体チップ１０と、サイドギャップ部２０とを備える。
積層体２は、積層体チップ１０と、サイドギャップ部２０とを備える。
（積層体チップ１０）
積層体チップ１０は、内層部１１と、内層部１１の両方の主面Ａ側に配置される外層部１２を備える。
積層体チップ１０は、内層部１１と、内層部１１の両方の主面Ａ側に配置される外層部１２を備える。
（内層部１１）
内層部１１は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１５とが積層されている。
内層部１１は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１５とが積層されている。
（誘電体層１４）
誘電体層１４は、例えば、Ｂａ、Ｔｉを含むセラミック材料で製造され、内部電極層１５はＮｉを含み、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、ＴＣ系のコンデンサである。
しかし、これに限らず、誘電体層１４は、Ｃａ，Ｚｒ，Ｔｉを含むセラミック材料で製造され、内部電極層１５はＣｕを含むチタン酸バリウム系のコンデンサであってもよい。
誘電体層１４は、例えば、Ｂａ、Ｔｉを含むセラミック材料で製造され、内部電極層１５はＮｉを含み、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、ＴＣ系のコンデンサである。
しかし、これに限らず、誘電体層１４は、Ｃａ，Ｚｒ，Ｔｉを含むセラミック材料で製造され、内部電極層１５はＣｕを含むチタン酸バリウム系のコンデンサであってもよい。
（内部電極層１５）
内部電極層１５は、複数の第１の内部電極層１５Ａと、複数の第２の内部電極層１５Ｂとを備える。第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとは交互に配置されている。なお、第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部電極層１５として説明する。
内部電極層１５は、複数の第１の内部電極層１５Ａと、複数の第２の内部電極層１５Ｂとを備える。第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとは交互に配置されている。なお、第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部電極層１５として説明する。
第１の内部電極層１５Ａは、第２の内部電極層１５Ｂと対向する第１の対向部１５２ａと、第１の対向部１５２ａから第１の端面ＣＡ側に引き出された第１の引き出し部１５１ａとを備える。第１の引き出し部１５１ａの端部は、第１の端面ＣＡに露出し、後述の第１の外部電極３Ａに電気的に接続されている。
第２の内部電極層１５Ｂは、第１の内部電極層１５Ａと対向する第２の対向部１５２ｂと、第２の対向部１５２ｂから第２の端面ＣＢに引き出された第２の引き出し部１５１ｂとを備える。第２の引き出し部１５１ｂの端部は、後述の第２の外部電極３Ｂに電気的に接続されている。
以上の内部電極層１５によれば、第１の内部電極層１５Ａの第１の対向部１５２ａと、第２の内部電極層１５Ｂの第２の対向部１５２ｂとに電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。
第２の内部電極層１５Ｂは、第１の内部電極層１５Ａと対向する第２の対向部１５２ｂと、第２の対向部１５２ｂから第２の端面ＣＢに引き出された第２の引き出し部１５１ｂとを備える。第２の引き出し部１５１ｂの端部は、後述の第２の外部電極３Ｂに電気的に接続されている。
以上の内部電極層１５によれば、第１の内部電極層１５Ａの第１の対向部１５２ａと、第２の内部電極層１５Ｂの第２の対向部１５２ｂとに電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。
図３（ｂ）は図３（ａ）の部Ｐの拡大図である。図３（ｂ）に示す、積層体２の中心を通る幅方向Ｗ及び積層方向Ｔの断面であるＷＴ断面において、積層方向Ｔにおいて上下に隣り合う２つの第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとの幅方向Ｗの端部の積層方向Ｔにおける位置のずれｄは０．５μｍ以内である。すなわち、積層方向Ｔにおいて上下に隣り合う第１の内部電極層１５Ａと第２の内部電極層１５Ｂとの幅方向Ｗの端部は、幅方向Ｗ上において略同位置にあり、端部の位置が積層方向Ｔで揃っている。
（外層部１２）
外層部１２は、内層部１１の誘電体層１４と同じ誘電体セラミック材料で製造されている。
外層部１２は、内層部１１の誘電体層１４と同じ誘電体セラミック材料で製造されている。
（サイドギャップ部２０）
サイドギャップ部２０は、内層部１１と外層部１２とが積層されている部分の両側面Ｂ側に設けられている。サイドギャップ部２０は、積層体チップ１０の両側面に露出している内部電極層１５の幅方向Ｗ側の端部を、その端部に沿って覆う。サイドギャップ部２０は、誘電体層１４と同様の誘電体セラミック材料で製造されている。
サイドギャップ部２０は、内層部１１と外層部１２とが積層されている部分の両側面Ｂ側に設けられている。サイドギャップ部２０は、積層体チップ１０の両側面に露出している内部電極層１５の幅方向Ｗ側の端部を、その端部に沿って覆う。サイドギャップ部２０は、誘電体層１４と同様の誘電体セラミック材料で製造されている。
（外部電極３）
外部電極３は、積層体２の第１の端面ＣＡに設けられた第１の外部電極３Ａと、積層体２の第２の端面ＣＢに設けられた第２の外部電極３Ｂとを備える。なお、第１の外部電極３Ａと第２の外部電極３Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部電極３として説明する。外部電極３は、端面Ｃだけでなく、主面Ａ及び側面Ｂの端面Ｃ側の一部も覆っている。
外部電極３は、積層体２の第１の端面ＣＡに設けられた第１の外部電極３Ａと、積層体２の第２の端面ＣＢに設けられた第２の外部電極３Ｂとを備える。なお、第１の外部電極３Ａと第２の外部電極３Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部電極３として説明する。外部電極３は、端面Ｃだけでなく、主面Ａ及び側面Ｂの端面Ｃ側の一部も覆っている。
外部電極３は、例えば、Ｂａ（バリウム）及びを含むガラスが混入されたＣｕペーストを焼結して形成されたもので、積層体２が焼結されたシリカのちに別途焼結されるポストファイアの電極である。
（スリット３０）
実施形態では、図１及び図３に示すように、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおける、長さ方向Ｌの中央部にスリット３０が設けられている。図４は、スリット３０を含む長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗを通る、ＬＷ断面の部分拡大図である。図４において（ａ）は本実施形態、（ｂ）及び（ｃ）は変形例を示す。
実施形態では、図１及び図３に示すように、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおける、長さ方向Ｌの中央部にスリット３０が設けられている。図４は、スリット３０を含む長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗを通る、ＬＷ断面の部分拡大図である。図４において（ａ）は本実施形態、（ｂ）及び（ｃ）は変形例を示す。
図４（ａ）の実施形態のスリット３０は、ＬＷ断面が三角形である。そして、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおいて積層方向Ｔの全長に渡って設けられている。
だたし、これに限定されない。図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、スリット３０のＬＷ断面の変形例であり、図４（ｂ）のようにスリット３０のＬＷ断面は、半円又は半楕円形であってもよく、また、図４（ｃ）のようにスリット３０のＬＷ断面は、矩形であってもよい。また、スリット３０のＬＷ断面は、これらの変形例にも限定されず、他の形状であってもよい。
また、積層セラミックコンデンサ１のサイズが、例えば、長さ方向Ｌが０．１ｍｍから３．２ｍｍで、積層方向Ｔの厚みが０．０５ｍｍから２．５ｍｍで、幅方向Ｗの厚みが０．０５ｍｍから３．２ｍｍの場合、図４に示すスリット３０の幅Ｌ１は、０．００１ｍｍから０．１ｍｍが好ましく、深さＷ１は側面ＢＡもしくは側面ＢＢの寸法の５０％未満が好ましい。
図５は、スリット３０の他の変形例を示す図である。スリット３０は、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおいて積層方向Ｔの全長に渡って設けられていなくてもよく、図５（ａ）に示すように積層方向Ｔの前記第２の主面ＡＢ側の一部に設けられていてもよい。
また、スリット３０は、第２の主面ＡＢに設けられていてもよい。
図５（ｂ）は、スリット３０が、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において、幅方向Ｗの全長に渡って設けられている例を示したものである。
図５（ｃ）は、スリット３０が、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において、幅方向Ｗの中央の一部に渡って設けられている例を示したものである。
図５（ｄ）は、スリット３０が、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおける長さ方向Ｌの中央部において積層方向Ｔの全長と、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において幅方向Ｗの全長に渡って設けられている例を示したものである。
図５（ｂ）は、スリット３０が、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において、幅方向Ｗの全長に渡って設けられている例を示したものである。
図５（ｃ）は、スリット３０が、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において、幅方向Ｗの中央の一部に渡って設けられている例を示したものである。
図５（ｄ）は、スリット３０が、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおける長さ方向Ｌの中央部において積層方向Ｔの全長と、第２の主面ＡＢにおける長さ方向Ｌの中央部において幅方向Ｗの全長に渡って設けられている例を示したものである。
（積層セラミックコンデンサ１の製造方法）
図６は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。図７は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する図である。
積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、素材シート準備工程Ｓ１１と、素材シート積層工程Ｓ１２と、マザーブロック形成工程Ｓ１３と、マザーブロック切断工程Ｓ１４と、サイドギャップ部形成工程Ｓ１５と、第１焼成工程Ｓ１６と、エッチング工程Ｓ１７と、外部電極形成工程Ｓ１８と、第２焼成工程Ｓ１９と、スリット形成工程Ｓ２０と、を含む。
図６は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。図７は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する図である。
積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、素材シート準備工程Ｓ１１と、素材シート積層工程Ｓ１２と、マザーブロック形成工程Ｓ１３と、マザーブロック切断工程Ｓ１４と、サイドギャップ部形成工程Ｓ１５と、第１焼成工程Ｓ１６と、エッチング工程Ｓ１７と、外部電極形成工程Ｓ１８と、第２焼成工程Ｓ１９と、スリット形成工程Ｓ２０と、を含む。
（素材シート準備工程Ｓ１１）
セラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーが準備される。
このセラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてシート状に成形されることで、内層部用セラミックグリーンシート１０１が製作される。
また、外層部１２となる外層部用セラミックグリーンシート１１２も同様に作製される。
セラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーが準備される。
このセラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてシート状に成形されることで、内層部用セラミックグリーンシート１０１が製作される。
また、外層部１２となる外層部用セラミックグリーンシート１１２も同様に作製される。
続いて、内層部用セラミックグリーンシート１０１に、導電体ペースト１０２が帯状のパターンを有するようにスクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等によって印刷される。
これにより、誘電体層１４となる内層部用セラミックグリーンシート１０１の表面に内部電極層１５となる導電体ペースト１０２が印刷された素材シート１０３が準備される。
これにより、誘電体層１４となる内層部用セラミックグリーンシート１０１の表面に内部電極層１５となる導電体ペースト１０２が印刷された素材シート１０３が準備される。
（素材シート積層工程Ｓ１２）
次いで、素材シート積層工程Ｓ１２において、図７（ａ）に示すように素材シート１０３が複数枚積層される。具体的には、帯状の導電体ペースト１０２が同一の方向を向き且つその帯状の導電体ペースト１０２が隣り合う素材シート１０３間において幅方向Ｗにおいて半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シート１０３が積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シート１０３の両側に、外層部１２となる外層部用セラミックグリーンシート１１２積み重ねられる。
次いで、素材シート積層工程Ｓ１２において、図７（ａ）に示すように素材シート１０３が複数枚積層される。具体的には、帯状の導電体ペースト１０２が同一の方向を向き且つその帯状の導電体ペースト１０２が隣り合う素材シート１０３間において幅方向Ｗにおいて半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シート１０３が積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シート１０３の両側に、外層部１２となる外層部用セラミックグリーンシート１１２積み重ねられる。
（マザーブロック形成工程Ｓ１３）
続いて、マザーブロック形成工程Ｓ１３において、積み重ねられた複数の素材シート１０３と、外層部用セラミックグリーンシート１１２とを熱圧着する。これにより、図７（ｂ）に示すように、マザーブロック１１０が形成される。
続いて、マザーブロック形成工程Ｓ１３において、積み重ねられた複数の素材シート１０３と、外層部用セラミックグリーンシート１１２とを熱圧着する。これにより、図７（ｂ）に示すように、マザーブロック１１０が形成される。
（マザーブロック切断工程Ｓ１４）
次いで、マザーブロック切断工程Ｓ１４において、マザーブロック１１０を積層体チップ１０の寸法に対応した図７（ｂ）に示す切断線Ｘ及び切断線Ｘと交差する切断線Ｙに沿って切断する。これにより、図７（ｃ）に示す積層体チップ１０が製造される。なお、実施形態で切断線Ｙは切断線Ｘと直交している。
次いで、マザーブロック切断工程Ｓ１４において、マザーブロック１１０を積層体チップ１０の寸法に対応した図７（ｂ）に示す切断線Ｘ及び切断線Ｘと交差する切断線Ｙに沿って切断する。これにより、図７（ｃ）に示す積層体チップ１０が製造される。なお、実施形態で切断線Ｙは切断線Ｘと直交している。
（サイドギャップ部形成工程Ｓ１５）
次に、内層部用セラミックグリーンシート１０１と同様の誘電体粉末にセラミックスラリーが作製される。そして、樹脂フィルム上に、セラミックスラリーを塗布し、乾燥して、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートが作製される。
そして、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートを積層体チップ１０の両側部に張り付けることで、図７（ｄ）に示すサイドギャップ部２０となる層が形成される。
次に、内層部用セラミックグリーンシート１０１と同様の誘電体粉末にセラミックスラリーが作製される。そして、樹脂フィルム上に、セラミックスラリーを塗布し、乾燥して、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートが作製される。
そして、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートを積層体チップ１０の両側部に張り付けることで、図７（ｄ）に示すサイドギャップ部２０となる層が形成される。
（第１焼成工程Ｓ１６）
積層体チップ１０にサイドギャップ部２０となる層が形成されたものは、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理された後、窒素－水素－水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成され、焼結されて積層体２となる。
積層体チップ１０にサイドギャップ部２０となる層が形成されたものは、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理された後、窒素－水素－水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成され、焼結されて積層体２となる。
（外部電極形成工程Ｓ１８）
続いて積層体２の端面Ｃに、外部電極３となる導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布する。
続いて積層体２の端面Ｃに、外部電極３となる導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布する。
（第２焼成工程Ｓ１９）
そして、設定された焼成温度で、窒素雰囲気中で所定時間加熱する。これにより、図７（ｅ）に示すスリット３０形成前の積層セラミックコンデンサ１が製造される。
そして、設定された焼成温度で、窒素雰囲気中で所定時間加熱する。これにより、図７（ｅ）に示すスリット３０形成前の積層セラミックコンデンサ１が製造される。
（スリット形成工程Ｓ２０）
そして、外部電極３が積層体２に焼き付けられて積層セラミックコンデンサ１に、実施形態においては、断面が三角形で、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおいて積層方向Ｔの全長に渡るスリット３０を形成する。これにより、スリット３０が形成された積層セラミックコンデンサ１が製造される。
そして、外部電極３が積層体２に焼き付けられて積層セラミックコンデンサ１に、実施形態においては、断面が三角形で、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢにおいて積層方向Ｔの全長に渡るスリット３０を形成する。これにより、スリット３０が形成された積層セラミックコンデンサ１が製造される。
（効果）
図８は、実施形態と異なりスリット３０が形成されていない比較形態の積層セラミックコンデンサ１Ａを示した図である。
積層セラミックコンデンサが実装される基板には、外部からの衝撃や熱に起因して、伸縮や撓みといった変形が生じることがある。基板が変形すると、はんだ実装された積層セラミックコンデンサ１には、基板の変形に伴う応力が伝わる。
その結果。比較形態の積層セラミックコンデンサ１Ａにおいては、図８に示すように、第２の主面ＡＢにおける外部電極３の境界部を起点として積層体２の内側に向かうクラック４０が発生する場合がある。
図８は、実施形態と異なりスリット３０が形成されていない比較形態の積層セラミックコンデンサ１Ａを示した図である。
積層セラミックコンデンサが実装される基板には、外部からの衝撃や熱に起因して、伸縮や撓みといった変形が生じることがある。基板が変形すると、はんだ実装された積層セラミックコンデンサ１には、基板の変形に伴う応力が伝わる。
その結果。比較形態の積層セラミックコンデンサ１Ａにおいては、図８に示すように、第２の主面ＡＢにおける外部電極３の境界部を起点として積層体２の内側に向かうクラック４０が発生する場合がある。
しかし、本実施形態によると、第１の側面ＢＡ及び第２の側面ＢＢ、第２の主面ＡＢの少なくとも一面にスリット３０が設けられている。ゆえに、第２の主面ＡＢにおける外部電極３の境界部に応力が集中せずに応力が緩和される。したがって、第２の主面ＡＢにおける外部電極３の境界部近傍を起点とするクラック４０の発生が抑制される。
以上、本発明の実施形態について説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
例えば、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は積層体チップ１０を製造した後、積層体チップ１０の両側面にサイドギャップ部２０を貼り付ける構成であった。しかし、これに限らず、サイドギャップ部２０は、積層体チップ１０の製造時に一緒に製造されるものであってもよい。
例えば、実施形態の積層セラミックコンデンサ１は積層体チップ１０を製造した後、積層体チップ１０の両側面にサイドギャップ部２０を貼り付ける構成であった。しかし、これに限らず、サイドギャップ部２０は、積層体チップ１０の製造時に一緒に製造されるものであってもよい。
Ａ 主面
ＡＡ 第１の主面
ＡＢ 第２の主面
Ｂ 側面
ＢＡ 第１の側面
ＢＢ 第２の側面
Ｃ 端面
ＣＡ 第１の端面
ＣＢ 第２の端面
Ｔ 積層方向
Ｗ 幅方向
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ 外部電極
３Ａ 第１の外部電極
３Ｂ 第２の外部電極
１０ 積層体チップ
１１ 内層部
１２ 外層部
１４ 誘電体層
１５ 内部電極層
１５Ａ 第１の内部電極層
１５Ｂ 第２の内部電極層
２０ サイドギャップ部
３０ スリット
４０ クラック
ＡＡ 第１の主面
ＡＢ 第２の主面
Ｂ 側面
ＢＡ 第１の側面
ＢＢ 第２の側面
Ｃ 端面
ＣＡ 第１の端面
ＣＢ 第２の端面
Ｔ 積層方向
Ｗ 幅方向
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ 外部電極
３Ａ 第１の外部電極
３Ｂ 第２の外部電極
１０ 積層体チップ
１１ 内層部
１２ 外層部
１４ 誘電体層
１５ 内部電極層
１５Ａ 第１の内部電極層
１５Ｂ 第２の内部電極層
２０ サイドギャップ部
３０ スリット
４０ クラック
Claims (6)
- 複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層され、
積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面、
前記積層方向と交差する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面、並びに
前記積層方向と前記長さ方向と交差する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面を備えた積層体と、
前記積層体における、前記第１の端面及び前記第２の端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と電気接続する外部電極と、を具備し、
前記第１の側面及び前記第２の側面、並びに、前記第１の主面及び前記第２の主面のうちの基板実装側の面である前記第２の主面、の少なくともいずれかにスリットが設けられている、
積層セラミックコンデンサ。 - 前記スリットは、前記第１の側面及び前記第２の側面において前記積層方向の全長に渡って設けられている、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記スリットは、前記第１の側面及び前記第２の側面において前記積層方向の前記第２の主面側の一部に設けられている、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記スリットは、前記第２の主面の前記幅方向の全長に渡って設けられている、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記スリットは、前記第２の主面の前記幅方向の一部に設けられている、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極層は、前記第１の側面及び前記第２の側面の側の端部における前記積層方向のずれが、０．５μｍ以下である、
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021027237A JP2022128810A (ja) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 積層セラミックコンデンサ |
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021027237A Pending JP2022128810A (ja) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 積層セラミックコンデンサ |
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| JP5029672B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2012-09-19 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法ならびに集合部品 |
| KR20130123661A (ko) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법 |
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2021
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2022
- 2022-02-10 US US17/668,411 patent/US11972900B2/en active Active
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| US20220270820A1 (en) | 2022-08-25 |
| US11972900B2 (en) | 2024-04-30 |
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