JP2022108900A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】光センサを備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備える表示装置であって、前記第２基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記液晶層側に位置し、前記光センサと重なる第１開口ＯＰ１を有する枠状の第１遮光部材ＢＭＡと、前記第１遮光部材を覆う透明な有機絶縁層と、前記有機絶縁層の前記液晶層側に配置され、前記第１開口と重なる第２開口ＯＰ２と、第１画素開口及び第２画素開口と、を有する遮光層ＢＭ１と、前記第１画素開口に配置された第１カラーフィルタと、前記第２画素開口に配置され前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備える表示装置。
【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、指紋センサや静脈センサ等、生体情報を検出する生体センサが内蔵された液晶表示装置が開発されている。生体センサとしては、例えば、光電変換素子を用いた光センサが適用されている。光センサのＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の低下を抑制するために、光センサの上層に斜めの入射光を遮断するコリメータとしての遮光層が配置されている。しかしながら、遮光層は、光センサの周辺に位置する画素を斜めに透過する光も遮断してしまうため、斜め視野での輝度低下や、斜め視野での表示光の不所望な色づきが生じる恐れがある。

特許第３８４０５９５号公報 特許第６４７９１５１号公報

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、光センサを備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備える表示装置であって、前記第２基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記液晶層側に位置し、前記光センサと重なる第１開口を有する枠状の第１遮光部材と、前記第１遮光部材を覆う透明な有機絶縁層と、前記有機絶縁層の前記液晶層側に配置され、前記第１開口と重なる第２開口と、第１画素開口及び第２画素開口と、を有する遮光層と、前記第１画素開口に配置された第１カラーフィルタと、前記第２画素開口に配置され前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備え、第１方向において、前記第２開口は、前記第１画素開口と前記第２画素開口との間に位置し、前記第１遮光部材は、前記第１方向と交差する第２方向に延出した第１外縁及び第２外縁を有し、前記第１外縁は、平面視で前記第２開口と前記第１画素開口との間で前記遮光層に重畳し、前記第２外縁は、平面視で前記第２開口と前記第２画素開口との間で前記遮光層に重畳する、表示装置が提供される。

本実施形態によれば、光センサを備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備える表示装置であって、前記第２基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記液晶層側に位置し、前記光センサと重なる第１開口を有する枠状の第１遮光部材と、前記絶縁基板の前記液晶層側に位置する帯状の第２遮光部材と、前記第１遮光部材及び前記第２遮光部材を覆う透明な有機絶縁層と、前記有機絶縁層の前記液晶層側に配置され、前記第１開口と重なる第２開口と、第１画素開口及び第２画素開口と、を有する遮光層と、前記第１画素開口に配置された第１カラーフィルタと、前記第２画素開口に配置され前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備え、前記第１遮光部材及び前記第２遮光部材は、第１方向に並び、前記第１方向において、前記第２画素開口は、前記第１画素開口と前記第２開口との間に位置し、前記第２遮光部材は、平面視で前記第１画素開口と前記第２画素開口との間に位置する、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置を模式的に示す図である。 図２は、本実施形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。 図３は、画素に配置された第１遮光部材及び遮光層を示す平面図である。 図４は、図３に示したＩ－Ｉ’線に沿った表示パネルの断面図である。 図５は、図３に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルの断面図である。 図６は、第１実施形態に係る第１遮光部材、遮光層、第１金属層、第２金属層の関係を示す斜視図である。 図７は、画素に配置された第１金属層及び遮光層を示す平面図である。 図８は、図７に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルの断面図である。 図９は、第２実施形態に係る第１遮光部材、遮光層、第１金属層、第２金属層の関係を示す斜視図である。 図１０は、画素に配置された第１遮光部材、第２遮光部材、及び、遮光層を示す平面図である。 図１１は、図１０に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルの断面図である。 図１２は、第３実施形態に係る第１遮光部材、第２遮光部材、遮光層、第１金属層、第２金属層の関係を示す斜視図である。 図１３は、画素に配置された第１遮光部材、第２遮光部材、第３遮光部材、第４遮光部材、及び、遮光層を示す平面図である。 図１４は、図１３に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った表示パネルの断面図である。 図１５は、第４実施形態に係る第１遮光部材、第２遮光部材、第３遮光部材、第４遮光部材、遮光層、第１金属層、第２金属層の関係を示す斜視図である。 図１６は、副画素が位置する第１領域、及び、光センサが位置する第２領域における第１基板の詳細な層構造を示す断面図である。 図１７は、画素を示す平面図である。 図１８は、画素を示す他の平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１実施形態］
まず、図１乃至図６を参照して、第１実施形態の構成について説明する。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰを模式的に示す図である。本実施形態の表示装置ＤＳＰは、液晶表示装置である。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、カバー部材ＣＭと、バックライトユニットＢＬと、を備えている。

表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１と対向する第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置する液晶層ＬＣと、を備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、光センサＳＳと、第１金属層Ｍ１と、を備えている。第１金属層Ｍ１は、光センサＳＳより液晶層ＬＣ側に位置している。また、第２基板ＳＵＢ２は、第１遮光部材ＢＭＡと、遮光層ＢＭ１と、を備えている。遮光層ＢＭ１は、第１遮光部材ＢＭＡより液晶層ＬＣ側に位置している。本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型である。

第１遮光部材ＢＭＡは、光センサＳＳと重なる第１開口ＯＰ１を有している。遮光層ＢＭ１は、光センサＳＳと重なる第２開口ＯＰ２を有している。第１金属層Ｍ１は、光センサＳＳと重なる第３開口ＯＰ３を有している。第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び、第３開口ＯＰ３は、互いに重なる位置に形成されている。また、遮光層ＢＭ１は、光センサＳＳと重ならない位置において画素開口ＰＯＰを有している。

シール材ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には、図示しないスペーサによって所定のセルギャップが形成される。液晶層ＬＣは、このセルギャップ内に充填されている。

カバー部材ＣＭは、表示パネルＰＮＬの上に設けられている。カバー部材ＣＭは、例えば、ガラス基板や樹脂基板である。カバー部材ＣＭは、生体等の物体が接触する上面ＵＳＦを有している。図１に示す構成例は、指Ｆが上面ＵＳＦに接触している状態を示している。

バックライトユニットＢＬは、表示パネルＰＮＬの下に設けられている。バックライトユニットＢＬは、上面ＵＳＦに向けて照明光ＩＬを出射する。

光センサＳＳは、例えば、指Ｆで反射された照明光ＩＬを検出することで、指Ｆの表面の凹凸（例えば、指紋）を検出することができる。光センサＳＳは、より正確な信号を得るために、上面ＵＳＦの法線方向と平行な入射光を検出することが望ましい。第１遮光部材ＢＭＡ、遮光層ＢＭ１、及び、第１金属層Ｍ１は、光センサＳＳに入射する光を平行化するコリメータとして機能する。つまり、第１遮光部材ＢＭＡ、遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１によって上面ＵＳＦの法線方向に対して傾斜した光が遮断される。例えば、照明光ＩＬのうち、指Ｆで反射された反射光は、第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び、第３開口ＯＰ３を通り、光センサＳＳにおいて検出される。すなわち、指Ｆで反射された反射光は、カバー部材ＣＭ、第２基板ＳＵＢ２、液晶層ＬＣ、第１基板ＳＵＢ１の光センサＳＳより上層を透過し、光センサＳＳにおいて検出される。

上記のように表示装置ＤＳＰに光センサＳＳを搭載することで、表示装置ＤＳＰに指紋センサとしての機能を付加することができる。また、光センサＳＳは、指紋の検出に加えて、指Ｆの内部で反射された反射光を検出することで、生体に関する情報を検出することができる。ここで、生体に関する情報とは、例えば、静脈等の血管像や脈拍、脈波等である。

図２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。
一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上とし、矢印の先端から逆に向かう方向を下とする。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、上述した表示パネルＰＮＬと、表示パネルＰＮＬに実装された配線基板１と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡと、を備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に露出した実装部ＭＴを有している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。図２において、シール材ＳＥが配置された領域は斜線で示されている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

画素ＰＸは、赤色（Ｒ）を表示する副画素ＳＰＸ１、緑色（Ｇ）を表示する副画素ＳＰＸ２、青色（Ｂ）を表示する副画素ＳＰＸ３、光センサＳＳによって構成されている。画素ＰＸ内において、副画素ＳＰＸ１、副画素ＳＰＸ２、及び、副画素ＳＰＸ３は、この順に第１方向Ｘに並んでいる。光センサＳＳは、副画素ＳＰＸ３の第２方向Ｙ、且つ、副画素ＳＰＸ２の第１方向Ｘに並んでいる。表示領域ＤＡ全体では、複数の光センサＳＳは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。光センサＳＳは、例えば、１つの画素ＰＸに１つずつ配置されている。

表示パネルＰＮＬは、図示した例では、平面視で矩形状に形成されている。表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに延出する側縁Ｅ１及びＥ２と、第２方向に延出する側縁Ｅ３及びＥ４と、を有している。図示した例では、側縁Ｅ１及びＥ２が短辺であり、側縁Ｅ３及びＥ４が長辺である。

配線基板１は、フレキシブル基板であり、実装部ＭＴに実装されている。また、配線基板１は、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップ２を備えている。なお、駆動ＩＣチップ２は、実装部ＭＴに実装されても良い。

図３は、画素ＰＸ１に配置された第１遮光部材ＢＭＡ及び遮光層ＢＭ１を示す平面図である。図３において、第１遮光部材ＢＭＡが配置された領域は斜線で示されている。以下、画素ＰＸ１に配置される第１遮光部材ＢＭＡのみを図示し、画素ＰＸ１に隣接する画素に配置される第１遮光部材ＢＭＡの図示を省略する。後述する第２乃至第４遮光部材についても同様である。また、遮光層ＢＭ１が配置された領域は、ドットで示されている。

第１遮光部材ＢＭＡは、第１開口ＯＰ１を有し、枠状に形成されている。第１遮光部材ＢＭＡは、遮光層ＢＭ１と重なっている。遮光層ＢＭ１は、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んだ複数の第１部分ＢＭ１１と、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んだ複数の第２部分ＢＭ１２と、を有している。遮光層ＢＭ１は、それぞれの副画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２、ＳＰＸ３を区画している。また、遮光層ＢＭ１は、第１画素開口ＰＯＰ１、第２画素開口ＰＯＰ２、第３画素開口ＰＯＰ３、及び、第２開口ＯＰ２を有している。第１画素開口ＰＯＰ１、第２画素開口ＰＯＰ２、及び、第３画素開口ＰＯＰ３は、それぞれ隣り合う２本の第１部分ＢＭ１１と、隣り合う２本の第２部分ＢＭ１２とによって囲まれている。画素ＰＸ１において、第１画素開口ＰＯＰ１、第２画素開口ＰＯＰ２、第３画素開口ＰＯＰ３は、第１方向Ｘに並んでいる。また、第３画素開口ＰＯＰ３は、第２開口ＯＰ２の第２方向Ｙに並んでいる。第２開口ＯＰ２は、第１開口ＯＰ１と重なる位置に形成されている。なお、画素ＰＸ１に隣接する画素ＰＸ２や他の画素ＰＸについても画素ＰＸ１と同様の構成を有している。

ここで、画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２及び第２開口ＯＰ２と、画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１と、に着目する。第１方向Ｘにおいて、第２開口ＯＰ２は、画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２と画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１との間に位置している。第１遮光部材ＢＭＡは、第２方向Ｙに延出した外縁（第１外縁）ＥＧ１及び外縁（第２外縁）ＥＧ２を有している。外縁ＥＧ１は、平面視で第２開口ＯＰ２と画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１との間で遮光層ＢＭ１に重畳している。外縁ＥＧ２は、平面視で第２開口ＯＰ２と画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２との間で遮光層ＢＭ１に重畳している。

図４は、図３に示したＩ－Ｉ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、構成層３、絶縁層１１乃至１４、第２金属層Ｍ２、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３などを備えている。

絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの透明な基板である。構成層３は、絶縁基板１０の上に位置している。構成層３は、スイッチング素子や絶縁層などを含んでいる。構成層３の詳細な構成については、図１６において説明する。絶縁層１１は、構成層３を覆っている。絶縁層１２は、絶縁層１１を覆っている。第２金属層Ｍ２は、絶縁層１２の上に位置している。絶縁層１３は、第２金属層Ｍ２及び絶縁層１２を覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に位置している。絶縁層１４は、共通電極ＣＥを覆っている。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、絶縁層１４の上に位置している。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、及び、絶縁層１４は、図示しない配向膜によって覆われている。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、透明な有機絶縁層２１、遮光層ＢＭ１、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣなどを備えている。

絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板などの透明な基板である。絶縁基板２０は、液晶層ＬＣ側の面２０Ａを有している。有機絶縁層２１は、絶縁基板２０の液晶層ＬＣ側に配置され、面２０Ａを覆っている。遮光層ＢＭ１及びカラーフィルタ層ＣＦは、有機絶縁層２１の液晶層ＬＣ側に配置されている。遮光層ＢＭ１は、第２金属層Ｍ２と重なっている。遮光層ＢＭ１は、例えば黒色に着色された樹脂によって形成されている。

カラーフィルタ層ＣＦは、第１方向Ｘに並んだ第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３を有している。第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３の色は互いに異なっている。第１カラーフィルタＣＦ１は、第１画素開口ＰＯＰ１に配置されている。第２カラーフィルタＣＦ２は、第２画素開口ＰＯＰ２に配置されている。第３カラーフィルタＣＦ３は、第３画素開口ＰＯＰ３に配置されている。第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれの端部は、遮光層ＢＭ１の第２部分ＢＭ１２と重なっている。また、第１カラーフィルタＣＦ１は画素電極ＰＥ１と重なり、第２カラーフィルタＣＦ２は画素電極ＰＥ２と重なり、第３カラーフィルタＣＦ３は画素電極ＰＥ３と重なっている。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、図示しない配向膜によって覆われている。

絶縁層１１及び１４は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の透明な無機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１２、１３、２１は、透明な有機絶縁材料によって形成されている。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３及び共通電極ＣＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。

なお、第２金属層Ｍ２は、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれの端部に重なっている。これにより、第３方向Ｚに対して一定以上の角度から表示パネルＰＮＬを観察した際に、オンされた画素と隣接する画素のカラーフィルタを透過した光が混ざる混色現象の発生を抑制することができる。

図５は、図３に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
光センサＳＳは、構成層３の上に配置され、絶縁層１１によって覆われている。第１金属層Ｍ１は、絶縁層１１の上に配置され、絶縁層１２によって覆われている。第２金属層Ｍ２は、第１金属層Ｍ１と液晶層ＬＣとの間に位置している。

カラーフィルタ層ＣＦは、光センサＳＳと重なる赤外線カット層ＩＲＣを有している。赤外線カット層ＩＲＣは、第２開口ＯＰ２に配置されている。赤外線カット層ＩＲＣは、表示装置ＤＳＰを太陽光下で使用する際に光センサＳＳに対してノイズとなる赤外線を遮断する。赤外線カット層ＩＲＣを光センサＳＳの上に配置することで、ノイズとなる光による光センサＳＳの誤作動の発生を抑制することができる。
なお、図４において、青色の第３カラーフィルタＣＦ３と重なっていた画素電極ＰＥ３は、図５に示すように赤外線カット層ＩＲＣとも重なっている。

第１遮光部材ＢＭＡは、絶縁基板２０の液晶層ＬＣ側に位置している。図示した例では、第１遮光部材ＭＢＡは、面２０Ａに位置している。第１遮光部材ＢＭＡは、例えば黒色に着色された樹脂によって形成されている。第１遮光部材ＢＭＡの外縁ＥＧ１及び外縁ＥＧ２は、赤外線カット層ＩＲＣに重畳している。外縁ＥＧ１は、第１カラーフィルタＣＦ１に重畳せず、外縁ＥＧ２は、第２カラーフィルタＣＦ２に重畳しない。有機絶縁層２１は、第１遮光部材ＢＭＡを覆っている。有機絶縁層２１は、第１遮光部材ＢＭＡと遮光層ＢＭ１との間に介在している。

有機絶縁層２１は、第１厚さＴ１を有している。表示パネルＰＮＬは、第１金属層Ｍ１の下面ＭＡと有機絶縁層２１の下面２１Ａとの間に第２厚さＴ２を有している。第１厚さＴ１は、第２厚さＴ２より大きい。

次に、本実施形態によって得ることができる効果について説明する。
まず、第１遮光部材ＢＭＡが図５に示す第１遮光部材ＢＭＡの周辺の点線の位置まで形成されていると仮定する。また、図２に示した表示パネルＰＮＬの側縁Ｅ３側から表示パネルＰＮＬを斜めに観察する場合の観察位置を観察点Ｐ１とし、図２に示した表示パネルＰＮＬの側縁Ｅ４側から表示パネルＰＮＬを斜めに観察する場合の観察位置を観察点Ｐ２とする。

観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色（Ｒ）の第１カラーフィルタＣＦ１を透過する光が第１遮光部材ＢＭＡによって遮られる。これにより、観察点Ｐ１から観察される表示光が例えばシアン色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。また、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、緑色（Ｇ）の第２カラーフィルタＣＦ２を透過する光が第１遮光部材ＢＭＡによって遮られる。これにより、観察点Ｐ２から観察される表示光が例えば紫色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。
特に、有機絶縁層２１の第１厚さＴ１が大きい程、第１遮光部材ＢＭＡによって斜め視野への光が遮られ易くなり、このような視角による色づきが生じ易い。

本実施形態によれば、第１遮光部材ＢＭＡの外縁ＥＧ１は、第２開口ＯＰ２と第１画素開口ＰＯＰ１との間に位置し、第１遮光部材ＢＭＡの外縁ＥＧ２は、第２開口ＯＰ２と第２画素開口ＰＯＰ２との間に位置している。そのため、第１遮光部材ＢＭＡによって斜め視野への光が遮断されず、表示光の不所望な色づきの発生を抑制することができる。また、有機絶縁層２１の第１厚さＴ１を低減させることなく上記の課題を解決することができる。

次に、外縁ＥＧ１及びＥＧ２の位置について、さらに詳細に規定する。
第１金属層Ｍ１は、第３開口ＯＰ３に面した内縁ＩＥ３１及びＩＥ３２を有している。内縁ＩＥ３１は側縁Ｅ４側に位置し、内縁ＩＥ３２は側縁Ｅ３側に位置している。また、遮光層ＢＭ１は、第２開口ＯＰ２に面した内縁ＩＥ２１及びＩＥ２２を有している。内縁ＩＥ２１は側縁Ｅ４側に位置し、内縁ＩＥ２２は側縁Ｅ３側に位置している。内縁ＩＥ２１、ＩＥ２２、ＩＥ３１、ＩＥ３２は、第２方向Ｙに延出している（図６参照）。内縁ＩＥ３２と内縁ＩＥ２１とを繋ぐ線を線ＬＮ１とすると、外縁ＥＧ１は、線ＬＮ１と交差する位置まで第１開口ＯＰ１に近づけることができる。同様に、内縁ＩＥ３１と内縁ＩＥ２２とを繋ぐ線を線ＬＮ２とすると、外縁ＥＧ２は、線ＬＮ２と交差する位置まで第１開口ＯＰ１に近づけることができる。外縁ＥＧ１及びＥＧ２の位置をこのように規定することによって、第１遮光部材ＢＭＡの外側から光センサＳＳに入り込む光の発生を抑制することができる。
なお、図５に示した例では、外縁ＥＧ１は線ＬＮ１上に位置し、外縁ＥＧ２は線ＬＮ２上に位置している。

図６は、第１実施形態に係る第１遮光部材ＢＭＡ、遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２の関係を示す斜視図である。
第１開口ＯＰ１は、第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１を有している。第２開口ＯＰ２は、第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２を有している。一例では、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは同等である。

第１遮光部材ＢＭＡは、第１開口ＯＰ１と外縁ＥＧ１との間の幅Ｗ１１と、第１開口ＯＰ１と外縁ＥＧ２との間の幅Ｗ１２と、を有している。遮光層ＢＭ１は、第２開口ＯＰ２と第１画素開口ＰＯＰ１との間の幅Ｗ２１と、第２開口ＯＰ２と第２画素開口ＰＯＰ２との間の幅Ｗ２２と、を有している。幅Ｗ１１は、幅Ｗ２１より小さい。また、幅Ｗ１２は、幅Ｗ２２より小さい。

第１金属層Ｍ１は、枠状に形成されている。第２金属層Ｍ２は、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んだ複数の第１部分Ｍ２１と、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んだ複数の第２部分Ｍ２２と、を有している。第１部分Ｍ２１は遮光層ＢＭ１の第１部分ＢＭ１１と重なり、第２部分Ｍ２２は遮光層ＢＭ１の第２部分ＢＭ１２と重なる。また、第２金属層Ｍ２は、第１部分Ｍ２１及び第２部分Ｍ２２によって区画された複数の開口ＯＰ１１、ＯＰ１２、ＯＰ１３を有している。開口ＯＰ１１は、第１画素開口ＰＯＰ１と重なっている。開口ＯＰ１２は、第２画素開口ＰＯＰ２と重なっている。開口（第４開口）ＯＰ１３は、第３画素開口ＰＯＰ３及び第２開口ＯＰ２と重なっている。開口ＯＰ１３は、第１遮光部材ＢＭＡの第１開口ＯＰ１及び第１金属層Ｍ１の第３開口ＯＰ３とも重なっている。開口ＯＰ１３は、第２開口ＯＰ２と第３開口ＯＰ３との間に位置している。

［第２実施形態］
次に、図７乃至図９を参照して、第２実施形態の構成について説明する。第２実施形態は、第１実施形態と比較して第１金属層Ｍ１の第１方向Ｘの幅が小さい点で相違している。

図７は、画素ＰＸ１に配置された第１金属層Ｍ１及び遮光層ＢＭ１を示す平面図である。図７において、第１金属層Ｍ１が配置された領域は斜線で示されている。第１金属層Ｍ１は、遮光層ＢＭ１と重なっている。
ここで、画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２及び第２開口ＯＰ２と、画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１と、に着目する。第１方向Ｘにおいて、第２開口ＯＰ２は、画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２と画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１との間に位置している。第１金属層Ｍ１は、第２方向Ｙに延出した外縁（第３外縁）ＥＧ３及び外縁（第４外縁）ＥＧ４を有している。外縁ＥＧ３は、平面視で第２開口ＯＰ２と画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１との間で遮光層ＢＭ１に重畳している。外縁ＥＧ４は、平面視で第２開口ＯＰ２と画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２との間で遮光層ＢＭ１に重畳している。

図８は、図７に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１金属層Ｍ１の外縁ＥＧ３及び外縁ＥＧ４は、赤外線カット層ＩＲＣに重畳している。外縁ＥＧ３は、第１カラーフィルタＣＦ１に重畳せず、外縁ＥＧ４は、第２カラーフィルタＣＦ２に重畳しない。

次に、本実施形態によって得ることができる効果について説明する。
まず、第１金属層Ｍ１が図８に示す第１金属層Ｍ１の周辺の点線の位置まで形成されていると仮定する。

観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、緑色（Ｇ）の第２カラーフィルタＣＦ２を透過する光が第１金属層Ｍ１によって遮られる。これにより、観察点Ｐ１から観察される表示光が例えば紫色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。また、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色（Ｒ）の第１カラーフィルタＣＦ１を透過する光が第１金属層Ｍ１によって遮られる。これにより、観察点Ｐ２から観察される表示光が例えばシアン色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。

第２実施形態によれば、第１金属層Ｍ１の外縁ＥＧ３は、第２開口ＯＰ２と第１画素開口ＰＯＰ１との間に位置し、第１金属層Ｍ１の外縁ＥＧ４は、第２開口ＯＰ２と第２画素開口ＰＯＰ２との間に位置している。そのため、第１金属層Ｍ１によって斜め視野への光が遮断されず、表示光の不所望な色づきの発生を抑制することができる。

図９は、第２実施形態に係る第１遮光部材ＢＭＡ、遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２の関係を示す斜視図である。図９に示す第１遮光部材ＢＭＡ、遮光層ＢＭ１、及び、第２金属層Ｍ２の構成は、図６に示した構成と同様である。
第１金属層Ｍ１は、第３開口ＯＰ３と外縁ＥＧ３との間の幅Ｗ３１と、第３開口ＯＰ３と外縁ＥＧ４との間の幅Ｗ３２と、を有している。遮光層ＢＭ１は、図６に示したように幅Ｗ２１及び幅Ｗ２２を有している。幅Ｗ３１は、幅Ｗ２１より小さい。また、幅Ｗ３２は、幅Ｗ２２より小さい。

［第３実施形態］
次に、図１０乃至図１２を参照して、第３実施形態の構成について説明する。第３実施形態は、第１実施形態と比較して第２遮光部材ＢＭＢを備える点で相違している。

図１０は、画素ＰＸ１に配置された第１遮光部材ＢＭＡ、第２遮光部材ＢＭＢ、及び、遮光層ＢＭ１を示す平面図である。図１０において、第１遮光部材ＢＭＡ及び第２遮光部材ＢＭＢが配置された領域は斜線で示されている。
表示パネルＰＮＬは、第２方向Ｙに延出した帯状の第２遮光部材ＢＭＢを備えている。第２遮光部材ＢＭＢは、遮光層ＢＭ１と重なっている。第１遮光部材ＢＭＡ及び第２遮光部材ＢＭＢは、第１方向Ｘに並んでいる。

ここで、画素ＰＸ１の第１画素開口ＰＯＰ１、第２画素開口ＰＯＰ２、及び、第２開口ＯＰ２に着目する。第１方向Ｘにおいて、第２画素開口ＰＯＰ２は、第１画素開口ＰＯＰ１と第２開口ＯＰ２との間に位置している。第２遮光部材ＢＭＢは、平面視で第１画素開口ＰＯＰ１と第２画素開口ＰＯＰ２との間に位置している。

第２遮光部材ＢＭＢの第２方向Ｙの幅Ｗ３は、第１画素開口ＰＯＰ１の第２方向Ｙの幅Ｗ４より小さい。例えば、幅Ｗ３は、幅Ｗ４の約半分である。また、例えば、幅Ｗ３は、第１遮光部材ＢＭＡの第２方向Ｙの幅Ｗ５と等しい。なお、幅Ｗ３の例はこれに限らず、幅Ｗ４の半分より大きくても小さくてもよいし、幅Ｗ５より大きくても小さくてもよい。

第３実施形態の第１遮光部材ＢＭＡは、第１及び第２実施形態と比較して、第１方向Ｘの幅が小さく形成されていない。遮光層ＢＭ１は、画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１に面した内縁ＩＥ１と、画素ＰＸ１の第２画素開口ＰＯＰ２に面した内縁ＩＥ２と、を有している。内縁ＩＥ１は、第１画素開口ＰＯＰ１に対して第２開口ＯＰ２側に位置している。内縁ＩＥ２は、第２画素開口ＰＯＰ２に対して第２開口ＯＰ２側に位置している。内縁ＩＥ１及びＩＥ２は、第２方向Ｙに延出している。第１遮光部材ＢＭＡの外縁ＥＧ１は、例えば、内縁ＩＥ１に重なっている。第１遮光部材ＢＭＡの外縁ＥＧ２は、例えば、内縁ＩＥ２に重なっている。

図１１は、図１０に示したＩＩ－ＩＩ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１１（ａ）は、表示パネルＰＮＬを観察点Ｐ１から観察した場合を示している。図１１（ｂ）は、表示パネルＰＮＬを観察点Ｐ２から観察した場合を示している。
第２基板ＳＵＢ２は、第２遮光部材ＢＭＢを備えている。第２遮光部材ＢＭＢは、絶縁基板２０の液晶層ＬＣ側に位置している。図示した例では、第２遮光部材ＢＭＢは、面２０Ａに位置している。第２遮光部材ＢＭＢは、第１遮光部材ＢＭＡと同一材料によって形成され、例えば黒色に着色された樹脂によって形成されている。有機絶縁層２１は、第１遮光部材ＢＭＡ及び第２遮光部材ＢＭＢを覆っている。

次に、本実施形態によって得ることができる効果について説明する。
図１１（ａ）に示すように、観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色（Ｒ）の第１カラーフィルタＣＦ１を透過する光Ｌ２１が第１遮光部材ＢＭＡによって遮られる。これにより、観察点Ｐ１から観察される表示光が例えばシアン色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。

第３実施形態によれば、第２遮光部材ＢＭＢが第１カラーフィルタＣＦ１と第２カラーフィルタＣＦ２との間に重なっている。そのため、観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、緑色（Ｇ）の第２カラーフィルタＣＦ２を透過する光Ｌ２２も第２遮光部材ＢＭＢによって遮られる。赤色の光Ｌ２１の減少に対して緑色の光Ｌ２２も減少させることで、表示色のバランスを調整することができる。よって、表示光の色づきを低減することができる。

図１１（ｂ）に示すように、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、緑色（Ｇ）の第２カラーフィルタＣＦ２を透過する光Ｌ３１が第１遮光部材ＢＭＡによって遮られる。これにより、観察点Ｐ２から観察される表示光が例えば紫色の波長に近づく色づきが生じる恐れがある。

第３実施形態によれば、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色（Ｒ）の第１カラーフィルタＣＦ１を透過する光Ｌ３２が第２遮光部材ＢＭＢによって遮られる。緑色の光Ｌ３１の減少に対して赤色の光Ｌ３２も減少させることで、表示色のバランスを調整することができる。よって、表示光の色づきを低減することができる。

図１２は、第３実施形態に係る第１遮光部材ＢＭＡ、第２遮光部材ＢＭＢ、遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２の関係を示す斜視図である。図１２に示す遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１、及び、第２金属層Ｍ２の構成は、図６に示した構成と同様である。

第１遮光部材ＢＭＡは、図６に示したように幅Ｗ１１及び幅Ｗ１２を有している。遮光層ＢＭ１は、図６に示したように幅Ｗ２１及び幅Ｗ２２を有している。第３実施形態においては、例えば、幅Ｗ１１は幅Ｗ２１と等しく、幅Ｗ１２は幅Ｗ２２と等しい。また、第２遮光部材ＢＭＢは、第１方向Ｘに幅Ｗ１３を有している。第１画素開口ＰＯＰ１と第２画素開口ＰＯＰ２との間の第２部分ＢＭ１２は、第１方向Ｘに幅Ｗ２３を有している。例えば、幅Ｗ１３は幅Ｗ２３と等しい。

［第４実施形態］
次に、図１３乃至図１５を参照して、第４実施形態の構成について説明する。第４実施形態は、第３実施形態と比較して、第３画素開口ＰＯＰ３の位置が第１画素開口ＰＯＰ１及び第２画素開口ＰＯＰ２に対して第２方向Ｙにシフトしている点で相違している。

図１３は、画素ＰＸ１に配置された第１遮光部材ＢＭＡ、第２遮光部材ＢＭＢ、第３遮光部材ＢＭＣ、第４遮光部材ＢＭＤ、及び、遮光層ＢＭ１を示す平面図である。図１３において、第１遮光部材ＢＭＡ、第２遮光部材ＢＭＢ、第３遮光部材ＢＭＣ、及び、第４遮光部材ＢＭＤが配置された領域は斜線で示されている。
遮光層ＢＭ１の第１部分ＢＭ１１は、第１方向Ｘに延出した第１延出部ＥＰ１及び第２延出部ＥＰ２を有している。第１延出部ＥＰ１、第３画素開口ＰＯＰ３、第２延出部ＥＰ２は、第１方向Ｘに並んでいる。

表示パネルＰＮＬは、第２方向Ｙに延出した帯状の第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤを備えている。第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、遮光層ＢＭ１と重なっている。第３遮光部材ＢＭＣは、その一部が平面視で第２画素開口ＰＯＰ２と第３画素開口ＰＯＰ３との間に位置し、他の部分が第１延出部ＥＰ１に重なっている。第４遮光部材ＢＭＤは、その一部が平面視で第３画素開口ＰＯＰ３と画素ＰＸ２の第１画素開口ＰＯＰ１との間に位置し、他の部分が第２延出部ＥＰ２に重なっている。第２遮光部材ＢＭＢ、第３遮光部材ＢＭＣ、及び、第４遮光部材ＢＭＤは、この順に第１方向Ｘに並んでいる。第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、第１遮光部材ＢＭＡの第２方向Ｙに並んでいる。なお、図示した例では、第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、第１遮光部材ＢＭＡとつながっているが、第１遮光部材ＢＭＡから離間していてもよい。

図１４は、図１３に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第２基板ＳＵＢ２は、第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤを備えている。第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、絶縁基板２０の液晶層ＬＣ側に位置している。図示した例では、第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、面２０Ａに位置している。第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、第２遮光部材ＢＭＢと同一材料によって形成され、例えば黒色に着色された樹脂によって形成されている。有機絶縁層２１は、第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤを覆っている。また、画素電極ＰＥ３は、第１延出部ＥＰ１と第２延出部ＥＰ２との間の第３画素開口ＰＯＰ３に重なっている。

次に、本実施形態によって得ることができる効果について説明する。
第３実施形態で示したように、観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色及び緑色の光が低減された表示光が観察される。そのため、観察点Ｐ１から観察される表示光は正面から観察される表示光と比べて青色の光の割合が大きくなっている。なお、正面からの観察とは、第３方向Ｚに表示パネルＰＮＬを観察する場合に相当する。

第４実施形態によれば、第３遮光部材ＢＭＣが第２カラーフィルタＣＦ２と第３カラーフィルタＣＦ３との間に重なっている。そのため、観察点Ｐ１から表示パネルＰＮＬを観察した場合、青色（Ｂ）の第３カラーフィルタＣＦ３を透過する光Ｌ４１が第３遮光部材ＢＭＣによって遮られる。赤色及び緑色の光の減少に対して青色の光Ｌ４１も減少させることで、表示色のバランスを調整することができる。よって、表示光の色づきを低減することができる。

同様に、第３実施形態で示したように、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、赤色及び緑色の光が低減された表示光が観察される。そのため、観察点Ｐ２から観察される表示光は正面から観察される表示光と比べて青色の光の割合が大きくなっている。

第４実施形態によれば、第４遮光部材ＢＭＤが第３カラーフィルタＣＦ３と第１カラーフィルタＣＦ１との間に重なっている。そのため、観察点Ｐ２から表示パネルＰＮＬを観察した場合、青色（Ｂ）の第３カラーフィルタＣＦ３を透過する光Ｌ４２が第４遮光部材ＢＭＤによって遮られる。赤色及び緑色の光の減少に対して青色の光Ｌ４２も減少させることで、表示色のバランスを調整することができる。よって、表示光の色づきを低減することができる。

また、第１延出部ＥＰ１、第３画素開口ＰＯＰ３、及び、第２延出部ＥＰ２は、第１方向Ｘに並んでいる。第３遮光部材ＢＭＣは第１延出部ＥＰ１と重なり、第４遮光部材ＢＭＤは第２延出部ＥＰ２と重なっている。緑色（Ｇ）の第２カラーフィルタＣＦ２は、第１延出部ＥＰ１と重なる位置では表示に寄与せず、赤色（Ｒ）の第１カラーフィルタＣＦ１は第２延出部ＥＰ２と重なる位置では表示に寄与しない。そのため、第３遮光部材ＢＭＣ及び第４遮光部材ＢＭＤは、第１延出部ＥＰ１及び第２延出部ＥＰ２と重なる位置においては、青色（Ｂ）の第３カラーフィルタＣＦ３を通る光のみを遮光することができる。よって、赤色及び緑色の光を過度に低減させずに、青色の光を低減させることができる。

図１５は、第４実施形態に係る第１遮光部材ＢＭＡ、第２遮光部材ＢＭＢ、第３遮光部材ＢＭＣ、第４遮光部材ＢＭＤ、遮光層ＢＭ１、第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２の関係を示す斜視図である。
第３遮光部材ＢＭＣは、第１方向Ｘに幅Ｗ１４を有している。第４遮光部材ＢＭＤは、第１方向Ｘに幅Ｗ１５を有している。遮光層ＢＭ１は、第２画素開口ＰＯＰ２と第３画素開口ＰＯＰ３との間の幅Ｗ２４と、第３画素開口ＰＯＰ３と第１画素開口ＰＯＰ１との間の幅Ｗ２５と、を有している。例えば、幅Ｗ１４は幅Ｗ２４と等しく、幅Ｗ１５は幅Ｗ２５と等しい。

また、第３遮光部材ＢＭＣは、第２方向Ｙに幅Ｗ４１を有している。第４遮光部材ＢＭＤは、第２方向Ｙに幅Ｗ４２を有している。第３画素開口ＰＯＰ３は、第２方向Ｙに幅Ｗ６を有している。幅Ｗ４１及びＷ４２は、それぞれ幅Ｗ６より小さい。

第２金属層Ｍ２は、第３実施形態に示した構成と比較して、開口ＯＰ１３の位置が開口ＯＰ１１及びＯＰ１２に対して第２方向Ｙにシフトしている点で相違している。第２金属層Ｍ２の第１部分Ｍ２１は、第１方向Ｘに延出した第３延出部ＥＰ３及び第４延出部ＥＰ４を有している。第３延出部ＥＰ３、開口ＯＰ１３、第４延出部ＥＰ４は、第１方向Ｘに並んでいる。

次に、図１６乃至図１８を参照して、光センサＳＳや画素ＰＸ１などの詳細な構成について説明する。

図１６は、副画素ＳＰＸが位置する第１領域ＡＲ１、及び、光センサＳＳが位置する第２領域ＡＲ２における第１基板ＳＵＢ１の詳細な層構造を示す断面図である。
まず、第１領域ＡＲ１の層構造について説明する。
スイッチング素子ＳＷ１は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁層９は、スイッチング素子ＳＷ１を覆っている。中継電極ＲＥ１は、絶縁層９の上に位置している。中継電極ＲＥ１は、絶縁層９に形成されたコンタクトホールＣＨ１１を介してスイッチング素子ＳＷ１と接続されている。絶縁層１１は、中継電極ＲＥ１を覆っている。中継電極ＲＥ２は、絶縁層１１の上に位置している。中継電極ＲＥ２は、絶縁層１１に形成されたコンタクトホールＣＨ２１を介して中継電極ＲＥ１と接続されている。

絶縁層１２は、中継電極ＲＥ２を覆っている。中継電極ＲＥ３は、絶縁層１２の上に位置している。中継電極ＲＥ３は、絶縁層１２に形成されたコンタクトホールＣＨ３１を介して中継電極ＲＥ２と接続されている。絶縁層１３は、中継電極ＲＥ３を覆っている。中継電極ＲＥ４は、絶縁層１３の上に位置している。中継電極ＲＥ４は、絶縁層１３に形成されたコンタクトホールＣＨ４１を介して中継電極ＲＥ３と接続されている。

絶縁層１４は、中継電極ＲＥ４を覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に位置している。画素電極ＰＥは、絶縁層１４に形成されたコンタクトホールＣＨ５１を介して中継電極ＲＥ４と接続されている。配向膜ＡＬは、画素電極ＰＥ及び絶縁層１４を覆っている。なお、中継電極ＲＥ４及び上述した共通電極ＣＥは、共に絶縁層１３と絶縁層１４との間の同層に位置している。

次に、第２領域ＡＲ２の層構造について説明する。
スイッチング素子ＳＷ２は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁層９は、スイッチング素子ＳＷ２を覆っている。光センサＳＳは、下部電極ＥＬ１、下部電極ＥＬ１の上に重畳した光電変換素子３０、光電変換素子３０の上に重畳した上部電極（透明電極）ＥＬ２を備えている。下部電極ＥＬ１は、絶縁層９の上に位置している。下部電極ＥＬ１は、絶縁層９に形成されたコンタクトホールＣＨ１２を介してスイッチング素子ＳＷ２と接続されている。下部電極ＥＬ１は、不透明な金属材料によって形成されている。すなわち、下部電極ＥＬ１は、光電変換素子３０に対して遮光層として機能し、絶縁基板１０を透過した光が光電変換素子３０に侵入するのを抑制している。なお、下部電極ＥＬ１及び中継電極ＲＥ１は、共に絶縁層９と絶縁層１１との間の同層に位置している。

光電変換素子３０は、フォトダイオードであり、照射される光に応じた電気信号を出力する。より具体的には、光電変換素子３０は、ＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードである。

光電変換素子３０は、ｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、ｎ型半導体層３３を有している。ｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、ｎ型半導体層３３は、この順に積層されている。なお、ｎ型半導体層３３、ｉ型半導体層３２、ｐ型半導体層３１の順に積層されてもよい。ｐ型半導体層３１は、例えば、多結晶シリコンによって形成され、ｉ型半導体層３２、及び、ｎ型半導体層３３は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）によって形成されている。なお、半導体層の材料は、これに限定されず、アモルファスシリコンが多結晶シリコンや微結晶シリコン等に置換されてもよいし、多結晶シリコンがアモルファスシリコンや微結晶シリコン等に置換されてもよい。

絶縁層１１は、下部電極ＥＬ１及び光電変換素子３０を覆っている。上部電極ＥＬ２は、光センサＳＳにおいて受光側に位置し、ｎ型半導体層３３と電気的に接続されている。上部電極ＥＬ２は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料によって形成された透明電極である。第１金属層Ｍ１は、上部電極ＥＬ２の上に配置され、上部電極ＥＬ２に接している。第１金属層Ｍ１の第３開口ＯＰ３は、下部電極ＥＬ１、光電変換素子３０、上部電極ＥＬ２と重なる位置に形成されている。絶縁層１２は、第１金属層Ｍ１を覆っている。第２金属層Ｍ２は、絶縁層１２の上に位置している。なお、第１金属層Ｍ１及び中継電極ＲＥ２は、共に絶縁層１１と絶縁層１２との間の同層に位置している。第２金属層Ｍ２及び中継電極ＲＥ３は、共に絶縁層１２と絶縁層１３との間の同層に位置している。また、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２、絶縁層９などは、上述した構成層３に含まれている。

図１７は、画素ＰＸ１を示す平面図である。
ソース線Ｓ１１乃至Ｓ１４は、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいる。ソース線Ｓ２１乃至Ｓ２４は、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいる。ソース線Ｓ２１乃至Ｓ２４は、それぞれソース線Ｓ１１乃至Ｓ１４の上に重なっている。ゲート線Ｇ１、Ｇ１１、Ｇ２は、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んでいる。なお、ゲート線Ｇ１及びＧ２は、上述した遮光層ＢＭ１の第１部分ＢＭ１１と、第２金属層Ｍ２の第１部分Ｍ２１に重なっている。また、ソース線Ｓ１１乃至Ｓ１４と、ソース線Ｓ２１乃至Ｓ２４は、上述した遮光層ＢＭ１の第２部分ＢＭ１２と、第２金属層Ｍ２の第２部分Ｍ２２に重なっている。

第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、及び、第３カラーフィルタＣＦ３は、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいる。第１カラーフィルタＣＦ１は、第２方向Ｙに延出した端部Ｃ１及びＣ２を有している。第２カラーフィルタＣＦ２は、第２方向Ｙに延出した端部Ｃ３及びＣ４を有している。第３カラーフィルタＣＦ３は、第２方向Ｙに延出した端部Ｃ５及びＣ６を有している。端部Ｃ１はソース線Ｓ１１及びＳ２１と重なり、端部Ｃ２及びＣ３はソース線Ｓ１２及びＳ２２と重なり、端部Ｃ４及びＣ５はソース線Ｓ１３及びＳ２３と重なり、端部Ｃ６はソース線Ｓ１４及びＳ２４と重なっている。なお、端部Ｃ１乃至Ｃ６は、上述した遮光層ＢＭ１の第２部分ＢＭ１２と、第２金属層Ｍ２の第２部分Ｍ２２にも重なっている。

第３カラーフィルタＣＦ３は、ゲート線Ｇ１１と重なる位置には配置されていない。ゲート線Ｇ１１と重なる位置には、赤外線カット層ＩＲＣが配置されている。図１７において、赤外線カット層ＩＲＣが配置された領域は斜線で示されている。赤外線カット層ＩＲＣは、第２方向Ｙに並んだ２つの第３カラーフィルタＣＦ３の間に位置している。

ここで、副画素ＳＰＸ１のスイッチング素子ＳＷ１の構成について説明する。なお、副画素ＳＰＸ２及びＳＰＸ３のスイッチング素子ＳＷ１の構成については、副画素ＳＰＸ１のスイッチング素子ＳＷ１と同様である。
スイッチング素子ＳＷ１は、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と、半導体層ＳＣ１と、を備えている。半導体層ＳＣ１は、その一部分がソース線Ｓ１２と重なるように配置され、他の部分がソース線Ｓ１１とＳ１２との間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣ１は、ソース線Ｓ１２と重なる位置においてゲート線Ｇ１と交差し、ソース線Ｓ１１とＳ１２との間においてもゲート線Ｇ１と交差している。ゲート線Ｇ１において、半導体層ＳＣ１と重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子ＳＷ１は、ダブルゲート構造を有している。半導体層ＳＣ１は、その一端部ＳＣＡにおいてコンタクトホールＣＨ１を通じてソース線Ｓ１２と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいてコンタクトホールＣＨ２を通じて図示しないドレイン電極と電気的に接続されている。

次に、光センサＳＳと接続されたスイッチング素子ＳＷ２の構成について説明する。
スイッチング素子ＳＷ２は、ゲート電極ＧＥ３及びＧＥ４と、半導体層ＳＣ２と、を備えている。半導体層ＳＣ２は、その一部分がソース線Ｓ２３と重なるように配置され、他の部分がソース線Ｓ２３とＳ２４との間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣ２は、ソース線Ｓ２３とＳ２４との間において２箇所でゲート線Ｇ１１と交差している。ゲート線Ｇ１１において、半導体層ＳＣ２と重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ３及びＧＥ４として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子ＳＷ２は、ダブルゲート構造を有している。半導体層ＳＣ２は、その一端部ＳＣＣにおいてコンタクトホールＣＨ３を通じてソース線Ｓ２３と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＤにおいてコンタクトホールＣＨ４を通じて下部電極と電気的に接続されている。半導体層ＳＣ１及びＳＣ２は、例えば多結晶シリコンによって形成されている。

図１８は、画素ＰＸ１を示す他の平面図である。
画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第１方向Ｘに並んでいる。画素電極ＰＥ１は、ソース線Ｓ１１とソース線Ｓ１２との間に位置している。画素電極ＰＥ２は、ソース線Ｓ１２とソース線Ｓ１３との間に位置している。画素電極ＰＥ３は、ソース線Ｓ１３とソース線Ｓ１４との間に位置している。また、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、ゲート線Ｇ１とゲート線Ｇ２との間に位置している。ゲート線Ｇ１１は、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３に重なっている。

画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ矩形状の基部ＢＳ１乃至ＢＳ３を備えている。基部ＢＳ１乃至ＢＳ３は、平面視で、ゲート線Ｇ１とゲート線Ｇ１１との間に位置している。また、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出した帯電極ＰＡ１乃至ＰＡ３を備えている。帯電極ＰＡ１乃至ＰＡ３は、それぞれ基部ＢＳ１乃至ＢＳ３に繋がっている。図示した例では、帯電極ＰＡ１乃至ＰＡ３は、それぞれ２本であるが、１本でもよいし、３本以上であってもよい。

画素電極ＰＥ１は、第１画素開口ＰＯＰ１と重なっている。画素電極ＰＥ２は、第２画素開口ＰＯＰ２と重なっている。画素電極ＰＥ３は、第３画素開口ＰＯＰ３と、光センサＳＳの両方に重なっている。
なお、図示した例では、ソース線Ｓ１１乃至Ｓ１４、Ｓ２１乃至Ｓ２４、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３などは第２方向Ｙに平行に延出しているが、第２方向Ｙに対して斜めに延出していてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＳＳ…光センサ、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
ＬＣ…液晶層、２０…絶縁基板、２１…有機絶縁層、
ＢＭＡ…第１遮光部材、ＢＭＢ…第２遮光部材、
ＢＭＣ…第３遮光部材、ＢＭＤ…第４遮光部材、
ＯＰ１…第１開口、ＯＰ２…第２開口、ＯＰ３…第３開口、
ＰＯＰ１…第１画素開口、ＰＯＰ２…第２画素開口、ＰＯＰ３…第３画素開口、
ＢＭ１…遮光層、ＣＦ１…第１カラーフィルタ、ＣＦ２…第２カラーフィルタ、
ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ３、ＥＧ４…外縁、ＩＲＣ…赤外線カット層、
ＥＬ１…下部電極、Ｍ１…第１金属層、Ｍ２…第２金属層、
ＥＰ１…第１延出部、ＥＰ２…第２延出部、ＥＰ３…第３延出部、ＥＰ４…第４延出部、
Ｔ１…第１厚さ、Ｔ２…第２厚さ。

Claims (12)

1. 光センサを備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備える表示装置であって、
   前記第２基板は、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板の前記液晶層側に位置し、前記光センサと重なる第１開口を有する枠状の第１遮光部材と、
   前記第１遮光部材を覆う透明な有機絶縁層と、
   前記有機絶縁層の前記液晶層側に配置され、前記第１開口と重なる第２開口と、第１画素開口及び第２画素開口と、を有する遮光層と、
   前記第１画素開口に配置された第１カラーフィルタと、
   前記第２画素開口に配置され前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備え、
   第１方向において、前記第２開口は、前記第１画素開口と前記第２画素開口との間に位置し、
   前記第１遮光部材は、前記第１方向と交差する第２方向に延出した第１外縁及び第２外縁を有し、
   前記第１外縁は、平面視で前記第２開口と前記第１画素開口との間で前記遮光層に重畳し、
   前記第２外縁は、平面視で前記第２開口と前記第２画素開口との間で前記遮光層に重畳する、表示装置。
2. 前記第１外縁は、前記第１カラーフィルタに重畳せず、
   前記第２外縁は、前記第２カラーフィルタに重畳しない、請求項１に記載の表示装置。
3. さらに、前記第２開口に配置された赤外線カット層を備える、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記第１開口の前記第１方向に沿った幅と、前記第２開口の前記第１方向に沿った幅が同等である、請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１基板は、前記光センサより前記液晶層側に配置され、前記第１開口及び前記第２開口と重なる第３開口を有する枠状の第１金属層を備え、
   前記光センサは、受光側に位置する透明電極を備え、
   前記第１金属層は、前記透明電極に接する、請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１金属層は、前記第２方向に延出した第３外縁及び第４外縁を有し、
   前記第３外縁は、平面視で前記第２開口と前記第１画素開口との間で前記遮光層に重畳し、
   前記第４外縁は、平面視で前記第２開口と前記第２画素開口との間で前記遮光層に重畳する、請求項５に記載の表示装置。
7. 光センサを備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備える表示装置であって、
   前記第２基板は、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板の前記液晶層側に位置し、前記光センサと重なる第１開口を有する枠状の第１遮光部材と、
   前記絶縁基板の前記液晶層側に位置する帯状の第２遮光部材と、
   前記第１遮光部材及び前記第２遮光部材を覆う透明な有機絶縁層と、
   前記有機絶縁層の前記液晶層側に配置され、前記第１開口と重なる第２開口と、第１画素開口及び第２画素開口と、を有する遮光層と、
   前記第１画素開口に配置された第１カラーフィルタと、
   前記第２画素開口に配置され前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備え、
   前記第１遮光部材及び前記第２遮光部材は、第１方向に並び、
   前記第１方向において、前記第２画素開口は、前記第１画素開口と前記第２開口との間に位置し、
   前記第２遮光部材は、平面視で前記第１画素開口と前記第２画素開口との間に位置する、表示装置。
8. 前記第１方向と交差する第２方向において、前記第２遮光部材の幅は、前記第１画素開口の幅より小さい、請求項７に記載の表示装置。
9. さらに、前記遮光層は、前記第１方向と交差する第２方向において前記第２開口に並んだ第３画素開口と、前記第１方向に延出した第１延出部及び第２延出部と、を有し、
   前記第１延出部、前記第３画素開口、及び、前記第２延出部は、前記第１方向に並び、
   前記第２基板は、前記絶縁基板の前記液晶層側に位置する帯状の第３遮光部材及び第４遮光部材を備え、
   前記第３遮光部材は、前記第１延出部に重なり、
   前記第４遮光部材は、前記第２延出部に重なっている、請求項７又は８に記載の表示装置。
10. 前記第１基板は、前記光センサより前記液晶層側に配置され、前記第１開口及び前記第２開口と重なる第３開口を有する枠状の第１金属層を備え、
    前記光センサは、受光側に位置する透明電極を備え、
    前記第１金属層は、前記透明電極に接する、請求項７乃至９の何れか１項に記載の表示装置。
11. 前記有機絶縁層の第１厚さは、前記第１金属層の下面と前記有機絶縁層の下面との間の第２厚さより大きい、請求項５又は１０に記載の表示装置。
12. 前記第１基板は、前記第１金属層より前記液晶層側に位置する第２金属層を備え、
    前記第２金属層は、前記第２開口と前記第３開口との間に第４開口を有する、請求項５又は１０に記載の表示装置。

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