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JP2022187380A - Display device manufacturing method - Google Patents

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JP2022187380A
JP2022187380A JP2021095387A JP2021095387A JP2022187380A JP 2022187380 A JP2022187380 A JP 2022187380A JP 2021095387 A JP2021095387 A JP 2021095387A JP 2021095387 A JP2021095387 A JP 2021095387A JP 2022187380 A JP2022187380 A JP 2022187380A
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Japan
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light
display device
laser
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JP2021095387A
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一幸 山田
Kazuyuki Yamada
圭介 浅田
Keisuke Asada
健一 武政
Kenichi Takemasa
大樹 磯野
Daiki ISONO
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Japan Display Inc
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Japan Display Inc
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Abstract

To provide a method for manufacturing a display device that includes a process of applying a laser beam by using a light shielding mask, and prevent diffraction of a laser beam.SOLUTION: The method for manufacturing a display device includes the steps of: preparing a first substrate with a plurality of LED chips; arranging the LED chips on a second substrate so that the LED chips will be arranged between the first substrate and the second substrate; and irradiating a part of the LED chips with a laser beam through a light shielding mask fixed to a holding member for holding the first substrate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の一実施形態は、表示装置の製造方法に関する。特にLED(Light Emitting Diode)チップを実装した表示装置の製造方法に関する。 One embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing a display device. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing a display device mounted with an LED (Light Emitting Diode) chip.

近年、次世代の表示装置として、各画素に微小なLEDチップを実装したLEDディスプレイの開発が進められている。LEDディスプレイは、画素アレイを構成する回路基板上に、複数のLEDチップを実装した構造を有する。回路基板は、各画素に対応する位置に、LEDを発光させるための駆動回路を有する。これらの駆動回路は、それぞれ各LEDチップと電気的に接続される。 2. Description of the Related Art In recent years, as a next-generation display device, an LED display in which each pixel is mounted with a minute LED chip has been developed. An LED display has a structure in which a plurality of LED chips are mounted on a circuit board forming a pixel array. The circuit board has a drive circuit for causing the LED to emit light at a position corresponding to each pixel. These drive circuits are electrically connected to each LED chip, respectively.

回路基板上に複数のLEDチップを実装する方法には、様々な方法がある。例えば、支持基板に設けられたLEDチップを回路基板に接着した後、支持基板のみを除去する方法が知られている。例えば、特許文献1には、遮光マスクを用いることにより、高いスループットで選択的にLEDチップに対してレーザー光を照射する技術が記載されている。 There are various methods for mounting a plurality of LED chips on a circuit board. For example, a method is known in which only the support substrate is removed after the LED chips provided on the support substrate are adhered to the circuit board. For example, Patent Literature 1 describes a technique of selectively irradiating laser light onto LED chips with high throughput by using a light shielding mask.

米国特許第10096740号明細書U.S. Patent No. 10096740

上記従来技術のように、遮光マスクとレーザー光を照射する被対象物との間に隙間がある場合、遮光マスクの開口部においてレーザー光の回折が起こり、遮光マスクの裏側にもレーザー光が照射されてしまうおそれがある。レーザー光の回折は、レーザー光の波長が長くなるほど顕著になる。 When there is a gap between the light-shielding mask and the object to be irradiated with the laser light, as in the above-mentioned conventional technology, the laser light is diffracted at the opening of the light-shielding mask, and the laser light is also irradiated on the back side of the light-shielding mask. There is a risk that it will be done. Diffraction of laser light becomes more pronounced as the wavelength of the laser light becomes longer.

本発明の課題の一つは、遮光マスクを用いたレーザー光の照射プロセスを含む表示装置の製造方法において、レーザー光の回折を防ぐことにある。 One of the objects of the present invention is to prevent diffraction of laser light in a method of manufacturing a display device including a laser light irradiation process using a light shielding mask.

本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、複数のLEDチップが設けられた第1基板を準備し、前記第1基板と第2基板との間に前記複数のLEDチップが位置するように、前記複数のLEDチップを前記第2基板の上に配置し、前記第1基板を保持する保持部材に固定された遮光マスクを介して、前記複数のLEDチップのうちの一部にレーザー光を照射することを含む。 A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes preparing a first substrate provided with a plurality of LED chips, and disposing the plurality of LED chips between the first substrate and the second substrate. and disposing the plurality of LED chips on the second substrate, and irradiating some of the plurality of LED chips with laser light through a light-shielding mask fixed to a holding member that holds the first substrate. including irradiating

第1実施形態における表示装置の製造方法を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the manufacturing method of the display apparatus in 1st Embodiment. 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the display device according to the first embodiment; 第1実施形態の表示装置の製造方法において使用されるレーザー処理装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the laser processing apparatus used in the manufacturing method of the display apparatus of 1st Embodiment. レーザー処理装置を用いてレーザー光の照射プロセスを行っている様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the irradiation process of a laser beam is performed using a laser processing apparatus. 第1実施形態の表示装置の製造方法において使用されるレーザー処理装置における第2ワークユニットの構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of a second work unit in the laser processing apparatus used in the manufacturing method of the display device of the first embodiment; 第1実施形態における表示装置の概略の構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device according to a first embodiment; FIG. 第1実施形態に係る表示装置の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing the circuit configuration of the display device according to the first embodiment; FIG. 第1実施形態に係る表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。2 is a circuit diagram showing the configuration of a pixel circuit of the display device according to the first embodiment; FIG. 第1実施形態に係る表示装置の画素の構成を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing the configuration of a pixel of the display device according to the first embodiment; FIG. 第2実施形態の表示装置の製造方法において使用されるレーザー処理装置における第2ワークユニットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 2nd work unit in the laser processing apparatus used in the manufacturing method of the display apparatus of 2nd Embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができる。本発明は、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかしながら、図面は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. The present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below. In order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual mode. However, the drawings are merely examples and are not intended to limit the interpretation of the invention.

本発明の実施形態を説明する際、基板からLEDチップに向かう方向を「上」とし、その逆の方向を「下」とする。ただし、「上に」又は「下に」という表現は、単に、各要素の上限関係を説明しているにすぎない。例えば、基板の上にLEDチップが配置されるという表現は、基板とLEDチップとの間に他の部材が介在する場合も含む。さらに、「上に」又は「下に」という表現は、平面視において各要素が重畳する場合だけでなく、重畳しない場合をも含む。 When describing embodiments of the present invention, the direction from the substrate toward the LED chip is defined as "up", and the opposite direction is defined as "down". However, the expressions "above" or "below" merely describe the upper limit relationship of each element. For example, the expression that an LED chip is arranged on a substrate also includes the case where another member is interposed between the substrate and the LED chip. Furthermore, the expressions “above” or “below” include not only the case where each element overlaps in plan view, but also the case where they do not overlap.

本発明の実施形態を説明する際、既に説明した要素と同様の機能を備えた要素については、同一の符号又は同一の符号にアルファベット等の記号を付して、説明を省略することがある。また、ある要素について、RGBの各色に区別して説明する必要がある場合は、その要素を示す符号の後に、R、G又はBの記号を付して区別する。ただし、その要素について、RGBの各色に区別して説明する必要がない場合は、その要素を示す符号のみを用いて説明する。 When describing the embodiments of the present invention, elements having the same functions as those already described may be denoted by the same reference numerals or the same reference numerals with symbols such as alphabets, and description thereof may be omitted. In addition, when it is necessary to distinguish a certain element for each color of RGB, it is distinguished by adding a symbol of R, G or B after the code indicating the element. However, when it is not necessary to describe the elements separately for each color of RGB, only the symbols indicating the elements will be used for description.

<第1実施形態>
[表示装置の製造方法]
図1は、第1実施形態における表示装置10の製造方法を示すフローチャート図である。具体的には、図1は、素子基板200に形成された複数のLEDチップ202を回路基板100に転写する処理を示している。図2~図5は、第1実施形態における表示装置10の製造方法を示す断面図である。ここでは、図1を用いて、RGB各色のLEDチップ202を回路基板100に転写するまでのプロセスについて説明する。その際、図2~図5を用いて各プロセスの具体例について説明する。
<First embodiment>
[Manufacturing method of display device]
FIG. 1 is a flow chart showing a method for manufacturing the display device 10 according to the first embodiment. Specifically, FIG. 1 shows a process of transferring a plurality of LED chips 202 formed on an element substrate 200 to a circuit substrate 100. FIG. 2 to 5 are cross-sectional views showing the manufacturing method of the display device 10 according to the first embodiment. Here, the process up to transferring the LED chips 202 of each color of RGB to the circuit board 100 will be described with reference to FIG. At that time, specific examples of each process will be described with reference to FIGS. 2 to 5. FIG.

まず、図1のステップS11において、複数のLEDチップ202Rを有する素子基板200を準備する(図2参照)。複数のLEDチップ202Rは、赤色に発光するLEDチップである。LEDチップ202Rは、半導体基板201の上に半導体層を成長させて形成することができる。半導体基板201としては、例えばサファイア基板を用いることができる。また、半導体層としては、例えば、窒化ガリウム(GaN)を成長させることができる。ただし、この例に限らず、例えば、ヒ化ガリウム(GaAs)基板等の他の半導体基板の上で成長させた半導体層(例えば、InGaAlP層)を用いてLEDチップ202Rを形成してもよい。この場合、LEDチップ202Rを形成した他の半導体基板を、半導体基板201に接着して用いてもよい。 First, in step S11 of FIG. 1, an element substrate 200 having a plurality of LED chips 202R is prepared (see FIG. 2). The plurality of LED chips 202R are LED chips that emit red light. The LED chip 202</b>R can be formed by growing a semiconductor layer on the semiconductor substrate 201 . A sapphire substrate, for example, can be used as the semiconductor substrate 201 . Also, as the semiconductor layer, for example, gallium nitride (GaN) can be grown. However, the LED chip 202R may be formed using a semiconductor layer (for example, an InGaAlP layer) grown on another semiconductor substrate such as a gallium arsenide (GaAs) substrate. In this case, another semiconductor substrate on which the LED chip 202R is formed may be adhered to the semiconductor substrate 201 and used.

次に、図1のステップS12において、素子基板200と回路基板100との間に複数のLEDチップ202Rが位置するように、複数のLEDチップ202Rを回路基板100の上に配置する(図3参照)。具体的には、回路基板100の上に、接続電極103と各LEDチップ202Rとが向かい合うように、素子基板200を配置する。このとき、各LEDチップ202Rの端子電極203Rと接続電極103とが接するように、回路基板100と素子基板200とを位置合わせする。端子電極203Rと接続電極103との間には、接着性を有する物質を設けてもよい。 Next, in step S12 of FIG. 1, the plurality of LED chips 202R are arranged on the circuit board 100 so that the plurality of LED chips 202R are positioned between the element substrate 200 and the circuit board 100 (see FIG. 3). ). Specifically, the element substrate 200 is arranged on the circuit substrate 100 so that the connection electrodes 103 face each LED chip 202R. At this time, the circuit board 100 and the element substrate 200 are aligned so that the terminal electrodes 203R and the connection electrodes 103 of each LED chip 202R are in contact with each other. An adhesive substance may be provided between the terminal electrode 203R and the connection electrode 103. FIG.

回路基板100は、複数の画素に相当する領域を有する。図3に示すように、回路基板100は、絶縁表面を有する基板101の上に、各画素に対応してLEDチップを駆動する駆動回路102を有する。基板101としては、例えば、ガラス基板、樹脂基板、セラミックス基板又は金属基板を用いることができる。各駆動回路102は、複数の薄膜トランジスタ(TFT)で構成される。回路基板100は、アレイ基板やTFT基板などとも称される。各接続電極103は、各画素に配置され、それぞれ駆動回路102に接続される。回路基板100の詳細な構造については、後述する。 The circuit board 100 has regions corresponding to a plurality of pixels. As shown in FIG. 3, the circuit board 100 has a drive circuit 102 for driving an LED chip corresponding to each pixel on a substrate 101 having an insulating surface. As the substrate 101, for example, a glass substrate, a resin substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate can be used. Each drive circuit 102 is composed of a plurality of thin film transistors (TFTs). The circuit board 100 is also called an array board, a TFT board, or the like. Each connection electrode 103 is arranged in each pixel and connected to the drive circuit 102 . A detailed structure of the circuit board 100 will be described later.

本実施形態では、基板101の上に、薄膜形成技術を用いて各駆動回路102及び各接続電極103を形成する例を示すが、この例に限られるものではない。例えば、第三者から既製品として基板101の上に駆動回路102が形成された基板(いわゆるアクティブマトリクス基板)を取得してもよい。この場合、取得した基板上に、接続電極103を形成すればよい。 In this embodiment, an example in which each drive circuit 102 and each connection electrode 103 are formed on a substrate 101 using a thin film formation technique is shown, but the present invention is not limited to this example. For example, a substrate in which the driver circuit 102 is formed on the substrate 101 (a so-called active matrix substrate) may be acquired from a third party as an off-the-shelf product. In this case, the connection electrodes 103 may be formed on the obtained substrate.

また、本実施形態では、LEDチップ202Rとして、フリップチップ型のLEDチップを例示して説明しているが、この例に限られるものではない。例えばLEDチップ202Rは、回路基板100に近い側にアノード電極(もしくはカソード電極)を有し、回路基板100から遠い側にカソード電極(もしくはアノード電極)を有する構造であってもよい。すなわち、LEDチップ202Rは、アノード電極とカソード電極との発光層を挟んだ構造を有するフェイスアップ型のLEDチップであってもよい。この場合、接続電極103は、画素ごとに1つ設けられていればよい。 Also, in the present embodiment, a flip-chip type LED chip is described as an example of the LED chip 202R, but the LED chip 202R is not limited to this example. For example, the LED chip 202R may have an anode electrode (or cathode electrode) on the side closer to the circuit board 100 and a cathode electrode (or anode electrode) on the side farther from the circuit board 100 . That is, the LED chip 202R may be a face-up type LED chip having a structure in which a light-emitting layer of an anode electrode and a cathode electrode is sandwiched. In this case, one connection electrode 103 may be provided for each pixel.

接続電極103は、例えば、導電性を有する金属材料で構成される。本実施形態では、金属材料として、錫(Sn)を用いる。ただし、この例に限らず、後述するLEDチップ側の端子電極との間で共晶合金を形成し得る他の金属材料を用いることができる。接続電極103の厚さは、0.2μm以上5μm以下(好ましくは、1μm以上3μm以下)の範囲内で決めればよい。 The connection electrode 103 is made of, for example, a conductive metal material. In this embodiment, tin (Sn) is used as the metal material. However, it is not limited to this example, and other metal materials that can form a eutectic alloy with terminal electrodes on the LED chip side, which will be described later, can be used. The thickness of the connection electrode 103 may be determined within the range of 0.2 μm to 5 μm (preferably 1 μm to 3 μm).

次に、図1のステップS13において、素子基板200を保持する保持部材30に固定された遮光マスク40を介して、複数のLEDチップ202Rのうちの一部にレーザー光50を照射する(図4参照)。図4に示すように、本実施形態では、遮光マスク40を介したレーザー光50の照射により、接続電極103と一部のLEDチップ202Rとを一括して接合する。このプロセスは、レーザー光50の照射により、接続電極103とLEDチップ202Rの端子電極203Rとを溶融接合させるプロセスである。 Next, in step S13 of FIG. 1, laser light 50 is applied to some of the plurality of LED chips 202R through light-shielding mask 40 fixed to holding member 30 that holds element substrate 200 (see FIG. 4). reference). As shown in FIG. 4, in this embodiment, the connection electrodes 103 and some of the LED chips 202R are collectively bonded by irradiating the laser light 50 through the light shielding mask 40 . This process is a process of melting and joining the connection electrode 103 and the terminal electrode 203R of the LED chip 202R by irradiating the laser beam 50 .

レーザー光50としては、半導体基板201及びLEDチップ202Rに吸収されずに、接続電極103又は端子電極203Rで吸収されるレーザー光を選定する。本実施形態では、例えば、レーザー光50として、近赤外光を用いることができる。レーザー光50の光源としては、YAGレーザー又はYVO4レーザーなどの固体レーザーを用いてもよい。すなわち、レーザー光50は、前述の固体レーザーの基本波であってもよい。ただし、レーザー光50は、LEDチップ202Rを構成する材料に応じて、適切な波長のレーザー光を選択することが可能である。例えば、近赤外光よりも短波長のレーザー光を吸収する半導体材料を用いる場合には、上述した固体レーザーの第2高調波であるグリーンレーザ(緑色光)を用いてもよい。 As the laser beam 50, a laser beam that is absorbed by the connection electrode 103 or the terminal electrode 203R without being absorbed by the semiconductor substrate 201 and the LED chip 202R is selected. In this embodiment, for example, near-infrared light can be used as the laser light 50 . A solid-state laser such as a YAG laser or a YVO 4 laser may be used as the light source of the laser beam 50 . That is, the laser light 50 may be the fundamental wave of the solid-state laser described above. However, for the laser light 50, it is possible to select a laser light with an appropriate wavelength according to the material forming the LED chip 202R. For example, when using a semiconductor material that absorbs laser light with a shorter wavelength than near-infrared light, a green laser (green light) that is the second harmonic of the solid-state laser described above may be used.

レーザー光50の照射により、接続電極103と端子電極203Rとの間に共晶合金で構成される合金層(図示せず)が形成される。前述のとおり、本実施形態において、接続電極103は、錫(Sn)で構成される。他方、端子電極203Rは、金(Au)で構成される。すなわち、本実施形態では、合金層として、Sn-Au共晶合金で構成された層が形成される。接続電極103と端子電極203Rとの間に共晶合金で構成された合金層が形成されることにより、接続電極103と端子電極203Rとが合金層を介して強固に接合される。 An alloy layer (not shown) composed of a eutectic alloy is formed between the connection electrode 103 and the terminal electrode 203R by irradiation with the laser beam 50 . As described above, in this embodiment, the connection electrode 103 is made of tin (Sn). On the other hand, the terminal electrode 203R is made of gold (Au). That is, in the present embodiment, a layer made of Sn—Au eutectic alloy is formed as the alloy layer. By forming an alloy layer made of a eutectic alloy between the connection electrode 103 and the terminal electrode 203R, the connection electrode 103 and the terminal electrode 203R are firmly bonded via the alloy layer.

遮光マスク40は、複数の開口部40aを有する。複数の開口部40aは、例えば、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素又は青色に対応する画素の各ピッチ(画素間の間隔)に合わせて配置される。図4に示す例では、各開口部40aは、それぞれ赤色に対応する画素のピッチに合わせて配置される。すなわち、各開口部40aの位置は、LEDチップ202Rが配置される位置に対応する。 The light shielding mask 40 has a plurality of openings 40a. The plurality of openings 40a are arranged, for example, in accordance with each pitch (interval between pixels) of pixels corresponding to red, pixels corresponding to green, or pixels corresponding to blue. In the example shown in FIG. 4, the openings 40a are arranged in accordance with the pitch of the pixels corresponding to red. That is, the position of each opening 40a corresponds to the position where the LED chip 202R is arranged.

前述のとおり、本実施形態の遮光マスク40は、素子基板200を保持する保持部材30に固定されている。具体的には、図4に示すように、遮光マスク40は、保持部材30に対して接着されている。したがって、レーザー光50は、保持部材30及び遮光マスク40を介して素子基板200に照射される。そのため、本実施形態では、保持部材30の材料として、上述した固体レーザーの基本波又は第2高調波を透過させる材料を用いる。例えば、保持部材30は、ガラス、石英、又はサファイアで構成されていてもよい。保持部材30及び遮光マスク40については、後述する。 As described above, the light shielding mask 40 of this embodiment is fixed to the holding member 30 that holds the element substrate 200 . Specifically, as shown in FIG. 4 , the light shielding mask 40 is adhered to the holding member 30 . Therefore, the laser light 50 is irradiated onto the element substrate 200 through the holding member 30 and the light shielding mask 40 . Therefore, in the present embodiment, as the material of the holding member 30, a material that transmits the fundamental wave or the second harmonic of the solid-state laser described above is used. For example, the holding member 30 may be made of glass, quartz, or sapphire. The holding member 30 and the light shielding mask 40 will be described later.

本実施形態では、レーザー光50として、複数の開口部40aを含む大きさの照射領域を有する矩形状のレーザー光を用いる。なお、レーザー光50の照射領域が遮光マスク40よりも狭い場合、レーザー光の照射領域を移動させながら複数回照射することにより、遮光マスク40の全体に対してレーザー光50を照射することができる。 In this embodiment, as the laser beam 50, a rectangular laser beam having an irradiation area with a size including a plurality of openings 40a is used. When the irradiation area of the laser light 50 is narrower than the light shielding mask 40, the entire light shielding mask 40 can be irradiated with the laser light 50 by irradiating multiple times while moving the irradiation area of the laser light. .

遮光マスク40に照射されたレーザー光50は、開口部40aの位置する部分のみ通過する。すなわち、遮光マスク40を用いることにより、照射領域の広いレーザー光を用いつつ、選択的なレーザー照射を行うことが可能となる。本実施形態では、LEDチップ202Rが配置された位置に対して、選択的にレーザー光50が照射される。つまり、本実施形態によれば、複数の接続電極103と複数のLEDチップ202Rとの接合を一括して行うことができる。 The laser light 50 applied to the light shielding mask 40 passes through only the portions where the openings 40a are located. That is, by using the light-shielding mask 40, it is possible to perform selective laser irradiation while using laser light with a wide irradiation area. In this embodiment, the position where the LED chip 202R is arranged is selectively irradiated with the laser light 50 . In other words, according to this embodiment, the connection electrodes 103 and the LED chips 202R can be jointed together.

開口部40aの大きさ(面積)は、平面視において、接続電極103と端子電極203Rとの接合が確実になされる程度の大きさであればよい。例えば、平面視における開口部40aの大きさは、LEDチップ202Rの大きさよりも小さくてもよい。また、開口部40aの大きさは、LEDチップ202Rの大きさと略同一、又は、LEDチップ202Rの大きさより若干大きくてもよい。 The size (area) of the opening 40a may be such a size that the connection electrode 103 and the terminal electrode 203R can be securely joined in plan view. For example, the size of the opening 40a in plan view may be smaller than the size of the LED chip 202R. Also, the size of the opening 40a may be substantially the same as the size of the LED chip 202R, or may be slightly larger than the size of the LED chip 202R.

なお、本実施形態では、レーザー光50として照射領域が矩形状のレーザー光を用いる例を示したが、この例に限らず、照射領域が線状(細長い形状)のレーザー光を用いてもよい。この場合、線状のレーザー光を遮光マスク40に対して走査することにより、遮光マスク40の全体に対してレーザー光を照射することができる。 In this embodiment, an example of using a laser beam with a rectangular irradiation area as the laser beam 50 is shown, but the irradiation area is not limited to this example, and a laser beam with a linear (elongated shape) irradiation area may be used. . In this case, by scanning the light-shielding mask 40 with linear laser light, the entire light-shielding mask 40 can be irradiated with the laser light.

レーザー光50を照射した後、図5に示すように、レーザー光50が照射された複数のLEDチップ202Rに対し、選択的にレーザー光60を照射する。本実施形態では、前述の保持部材30及び遮光マスク40をそのまま利用する例を示したが、この例に限られるものではなく、別の遮光マスクを用いてもよいし、遮光マスクを用いなくてもよい。 After irradiating the laser beam 50, the plurality of LED chips 202R irradiated with the laser beam 50 are selectively irradiated with the laser beam 60, as shown in FIG. In this embodiment, an example in which the holding member 30 and the light shielding mask 40 described above are used as they are is shown, but the present invention is not limited to this example, and another light shielding mask may be used, or the light shielding mask may not be used. good too.

図5に示すプロセスは、レーザー光60の照射により、半導体基板201とLEDチップ202Raとを分離するプロセスであり、レーザーリフトオフと呼ばれる。レーザー光60としては、半導体基板201に吸収されず、かつ、LEDチップ202Raに吸収されるレーザー光を選定する。本実施形態では、レーザー光60として、紫外光を用いる。レーザー光60の光源としては、YAGレーザーもしくはYVO4レーザーなどの固体レーザー、又は、エキシマレーザーを用いればよい。例えば、固体レーザーを用いる場合は、第2高調波又は第3高調波を用いることができる。ただし、レーザー光60は、半導体基板201及びLEDチップ202Raを構成する材料に応じて、適切な波長のレーザー光を選択することが可能である。例えば、紫外光よりも長波長のレーザー光を吸収する半導体材料を用いる場合には、ブルーレーザ(青色光)又はグリーンレーザ(緑色光)を用いることも可能である。 The process shown in FIG. 5 is a process of separating the semiconductor substrate 201 and the LED chip 202Ra by irradiating the laser light 60, and is called laser lift-off. As the laser beam 60, a laser beam that is not absorbed by the semiconductor substrate 201 but is absorbed by the LED chip 202Ra is selected. In this embodiment, ultraviolet light is used as the laser light 60 . As the light source of the laser beam 60, a solid laser such as YAG laser or YVO4 laser, or an excimer laser may be used. For example, when using a solid-state laser, the second harmonic or the third harmonic can be used. However, for the laser light 60, it is possible to select a laser light with an appropriate wavelength according to the materials forming the semiconductor substrate 201 and the LED chip 202Ra. For example, when using a semiconductor material that absorbs laser light with a wavelength longer than that of ultraviolet light, a blue laser (blue light) or a green laser (green light) can be used.

本実施形態では、レーザー光50が照射されたLEDチップ202Rに対して、選択的にレーザー光60が照射される。その結果、LEDチップ202Raの表層部分(半導体基板201との境界部分)が変性して、半導体基板201と各LEDチップ202Raとを物理的に分離することができるようになる。 In this embodiment, the laser beam 60 is selectively irradiated to the LED chip 202R irradiated with the laser beam 50 . As a result, the surface layer portion of the LED chip 202Ra (the boundary portion with the semiconductor substrate 201) is modified, and the semiconductor substrate 201 and each LED chip 202Ra can be physically separated.

レーザー光60を照射した後、図6に示すように、素子基板200を剥離する。素子基板200は、物理的に剥離すればよい。この場合、図5に示すプロセスにおいてレーザー光60が照射されていないLEDチップ202Rは、素子基板200に残存する。他方、図5に示すプロセスにおいてレーザー光60が照射されたLEDチップ202Rは、回路基板100に強固に接合されているため、回路基板100に残存する。 After the irradiation with the laser beam 60, the element substrate 200 is peeled off as shown in FIG. The element substrate 200 may be physically separated. In this case, the LED chips 202R that have not been irradiated with the laser light 60 in the process shown in FIG. On the other hand, the LED chip 202R irradiated with the laser beam 60 in the process shown in FIG. 5 remains on the circuit board 100 because it is firmly bonded to the circuit board 100.

以上のように、回路基板100上に赤色に対応するLEDチップ202Rが実装される。緑色に対応するLEDチップ202G及び青色に対応するLEDチップ202Bについては、赤色に対応するLEDチップ202Rと同様の製造方法で回路基板100上に実装することが可能であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態では、各色のLEDチップは、同じピッチで配列されている。そのため、前述の保持部材30及び遮光マスク40は、回路基板100の位置を調整することにより、各色の各色のLEDチップに対してレーザー光50を照射する際に利用することができる。 As described above, the LED chip 202R corresponding to red is mounted on the circuit board 100. FIG. Since the LED chip 202G corresponding to green and the LED chip 202B corresponding to blue can be mounted on the circuit board 100 by the same manufacturing method as the LED chip 202R corresponding to red, detailed description thereof is omitted. do. Also, in this embodiment, the LED chips of each color are arranged at the same pitch. Therefore, by adjusting the position of the circuit board 100, the holding member 30 and the light shielding mask 40 described above can be used when irradiating the LED chips of each color with the laser light 50. FIG.

ここまで説明したプロセスを経て、図7に示すように、赤色に対応するLEDチップ202R、緑色に対応するLEDチップ202G及び青色に対応するLEDチップ202Bが、それぞれ回路基板100上の駆動回路102に接続される。 Through the process described above, as shown in FIG. 7, the LED chip 202R corresponding to red, the LED chip 202G corresponding to green, and the LED chip 202B corresponding to blue are connected to the driving circuit 102 on the circuit board 100, respectively. Connected.

[レーザー処理装置の構成]
本実施形態において、図1のステップS13で使用するレーザー処理装置300の構成について説明する。
[Configuration of laser processing apparatus]
In this embodiment, the configuration of the laser processing apparatus 300 used in step S13 of FIG. 1 will be described.

図8は、第1実施形態の表示装置10の製造方法において使用されるレーザー処理装置300の構成を示す図である。図8に示すように、レーザー処理装置300は、レーザー発振器302、反射ミラー304、ビームエキスパンダ306、第1ワークユニット308、及び第2ワークユニット310を含む。ただし、レーザー処理装置300の構成は、この例に限られるものではなく、反射ミラー304又はビームエキスパンダ306は省略されてもよいし、他の要素が追加されてもよい。 FIG. 8 is a diagram showing the configuration of a laser processing apparatus 300 used in the manufacturing method of the display device 10 of the first embodiment. As shown in FIG. 8, laser processing apparatus 300 includes laser oscillator 302 , reflecting mirror 304 , beam expander 306 , first work unit 308 and second work unit 310 . However, the configuration of the laser processing apparatus 300 is not limited to this example, and the reflecting mirror 304 or the beam expander 306 may be omitted, or other elements may be added.

本実施形態のレーザー発振器302は、3価のネオジウムイオン(Nd3+)をYAG(Yttrium Aluminium Garnet:Y3Al52)結晶に添加した固体材料を媒質とするNd:YAGレーザーである。レーザー発振器302は、1064nmの波長を有する基本波(近赤外光)を出力する。 The laser oscillator 302 of this embodiment is an Nd:YAG laser whose medium is a solid material in which trivalent neodymium ions (Nd 3+ ) are added to a YAG (Yttrium Aluminum Garnet: Y 3 Al 5 O 2 ) crystal. A laser oscillator 302 outputs a fundamental wave (near infrared light) having a wavelength of 1064 nm.

レーザー発振器302から出力されたレーザー光320aは、反射ミラー304で光路が変更され、ビームエキスパンダ306に向かう。ビームエキスパンダ306は、入力されたコリメート光のビーム径を拡大するレンズ系で構成される。ビームエキスパンダ306を経由することにより、レーザー光320aは、ビーム径(すなわち、照射範囲)が拡大されたレーザー光320bとして出力される。レーザー光320bは、図4に示したレーザー光50に対応する。 A laser beam 320 a output from a laser oscillator 302 is changed in its optical path by a reflecting mirror 304 and directed toward a beam expander 306 . The beam expander 306 is composed of a lens system that expands the beam diameter of the input collimated light. By passing through the beam expander 306, the laser beam 320a is output as a laser beam 320b with an expanded beam diameter (that is, irradiation range). Laser light 320b corresponds to laser light 50 shown in FIG.

本実施形態では、レーザー光320bの照射範囲が第2ワークユニット310の面積よりも狭い場合について説明する。この場合、レーザー光320bの照射範囲を第2ワークユニット310に対して相対的に移動させることにより、被処理対象における処理が必要な領域をカバーすることができる。レーザー光320bの照射範囲を移動させるには、例えば、レーザー発振器302、反射ミラー304及びビームエキスパンダ306で構成される光学系を移動させてもよい。逆に、第1ワークユニット308及び第2ワークユニット310を移動させることにより、相対的にレーザー光320bの照射範囲を移動させてもよい。 In this embodiment, a case where the irradiation range of the laser beam 320b is narrower than the area of the second work unit 310 will be described. In this case, by moving the irradiation range of the laser beam 320b relative to the second work unit 310, it is possible to cover the area of the object to be processed that needs to be processed. To move the irradiation range of the laser beam 320b, for example, an optical system configured by the laser oscillator 302, the reflecting mirror 304, and the beam expander 306 may be moved. Conversely, by moving the first work unit 308 and the second work unit 310, the irradiation range of the laser light 320b may be relatively moved.

ビームエキスパンダ306から出力されたレーザー光320bは、第2ワークユニット310を介して、第1ワークユニット308と第2ワークユニット310との間に配置された被処理対象(図示せず)に照射される。本実施形態では、LEDチップ202(例えば、図4に示したLEDチップ202R)が被処理対象である。 A laser beam 320b output from the beam expander 306 irradiates an object to be processed (not shown) placed between the first work unit 308 and the second work unit 310 through the second work unit 310. be done. In this embodiment, the LED chip 202 (for example, the LED chip 202R shown in FIG. 4) is the object to be processed.

第1ワークユニット308は、保持部材70を含み、被処理対象を支持する基板等を保持する。本実施形態では、保持部材70は、基板等を真空吸着により保持する機能を有する。保持部材70を構成する材料に特に制限はなく、例えば、ガラス、石英、セラミックスなどを用いることができる。 The first work unit 308 includes a holding member 70 and holds a substrate or the like that supports an object to be processed. In this embodiment, the holding member 70 has a function of holding a substrate or the like by vacuum suction. There is no particular limitation on the material forming the holding member 70, and for example, glass, quartz, ceramics, or the like can be used.

第2ワークユニット310は、保持部材30及び遮光マスク40を含み、被処理対象を支持する基板等を保持する。保持部材70と同様に、保持部材30は、基板等を真空吸着により保持する機能を有する。また、前述のとおり、遮光マスク40は、保持部材30に対して接着されている。換言すれば、保持部材30と遮光マスク40とは一体化された構造を有する。 The second work unit 310 includes a holding member 30 and a light-shielding mask 40, and holds a substrate or the like that supports an object to be processed. Like the holding member 70, the holding member 30 has a function of holding a substrate or the like by vacuum suction. Moreover, as described above, the light shielding mask 40 is adhered to the holding member 30 . In other words, the holding member 30 and the light shielding mask 40 have an integrated structure.

本実施形態において、保持部材30は、レーザー光320bを透過する材料で構成される。本実施形態では、レーザー光320bとして近赤外光を用いるため、波長1.0μm前後の光を透過する機能を有することが望ましい。そのため、保持部材30を構成する材料としては、例えば、ガラス、石英、又はサファイアなどを用いることができる。ただし、この例に限られるものではなく、保持部材30を構成する材料は、使用するレーザー光の波長に応じて適宜選択することができる。 In this embodiment, the holding member 30 is made of a material that transmits the laser beam 320b. In this embodiment, since near-infrared light is used as the laser light 320b, it is desirable to have a function of transmitting light with a wavelength of about 1.0 μm. Therefore, as a material forming the holding member 30, for example, glass, quartz, sapphire, or the like can be used. However, it is not limited to this example, and the material forming the holding member 30 can be appropriately selected according to the wavelength of the laser light to be used.

遮光マスク40は、複数の開口部40aを有し、複数の開口部40aを介して選択的にレーザー光320bを透過することができる。遮光マスク40は、例えば、インバー等の金属材料で構成することができる。保持部材30が、ガラス、石英又はサファイアなどの絶縁材料である場合、遮光マスク40は、接着層等を介して保持部材30に接着することができる。 The light shielding mask 40 has a plurality of openings 40a, and can selectively transmit the laser light 320b through the plurality of openings 40a. The light shielding mask 40 can be made of, for example, a metal material such as invar. If the holding member 30 is an insulating material such as glass, quartz, or sapphire, the light shielding mask 40 can be adhered to the holding member 30 via an adhesive layer or the like.

図9は、レーザー処理装置300を用いてレーザー光320bの照射プロセスを行っている様子を示す図である。図9に示す照射プロセスは、図4に示したレーザー光50の照射プロセスに相当する。 FIG. 9 is a diagram showing how the laser processing apparatus 300 is used to perform the irradiation process of the laser beam 320b. The irradiation process shown in FIG. 9 corresponds to the irradiation process of the laser beam 50 shown in FIG.

図9に示すように、第1ワークユニット308の保持部材70の上には、回路基板100が真空吸着により保持される。第2ワークユニット310の保持部材30の上には、遮光マスク40を介して素子基板200が真空吸着により保持される。そのため、遮光マスク40と素子基板200との間には隙間がなく、遮光マスク40に対して素子基板200が密着した状態となる。 As shown in FIG. 9, the circuit board 100 is held on the holding member 70 of the first work unit 308 by vacuum suction. The element substrate 200 is held by vacuum suction on the holding member 30 of the second work unit 310 via the light shielding mask 40 . Therefore, there is no gap between the light shielding mask 40 and the element substrate 200 , and the element substrate 200 is in close contact with the light shielding mask 40 .

保持部材70の上に回路基板100を保持し、保持部材30(厳密には遮光マスク30)の上に素子基板200を保持した状態で、回路基板100と素子基板200との位置合わせを行う。すなわち、図3に示したように、回路基板100の接続電極103とLEDチップ202Rの端子電極203Rとが接するように、回路基板100と素子基板200とを配置する。 With the circuit board 100 held on the holding member 70 and the element substrate 200 held on the holding member 30 (strictly speaking, the light shielding mask 30), the circuit board 100 and the element substrate 200 are aligned. That is, as shown in FIG. 3, the circuit board 100 and the element substrate 200 are arranged so that the connection electrodes 103 of the circuit board 100 and the terminal electrodes 203R of the LED chips 202R are in contact with each other.

回路基板100と素子基板200との位置合わせが完了したら、図9に示すように、レーザー光320bの照射を行う。このとき、遮光マスク40と素子基板200とが密着しているため、複数の開口部40aを通過したレーザー光320bは、回折することなく素子基板200に入射する。したがって、本実施形態によれば、レーザー光320bの回折を防ぎつつ、選択的にLEDチップ202Rにレーザー光320bを照射することができる。 After the alignment of the circuit board 100 and the element substrate 200 is completed, laser light 320b is irradiated as shown in FIG. At this time, since the light shielding mask 40 and the element substrate 200 are in close contact with each other, the laser light 320b passing through the plurality of openings 40a is incident on the element substrate 200 without being diffracted. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to selectively irradiate the LED chip 202R with the laser light 320b while preventing diffraction of the laser light 320b.

ここで、素子基板200を保持する第2ワークユニット310の構造について説明する。具体的には、第2ワークユニット310を構成する保持部材30及び遮光マスク40の構造について説明する。 Here, the structure of the second work unit 310 that holds the element substrate 200 will be described. Specifically, the structures of the holding member 30 and the light shielding mask 40 that constitute the second work unit 310 will be described.

図10は、第1実施形態の表示装置10の製造方法において使用されるレーザー処理装置300における第2ワークユニット310の構成を示す図である。具体的には、図10は、被処理対象を保持する側から第2ワークユニット310を見た図に対応する。なお、図10において、第2ワークユニット310の最前面には、遮光マスク40が配置される。そのため、説明の便宜上、遮光マスク40の一部の図示を省略している。 FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the second work unit 310 in the laser processing apparatus 300 used in the manufacturing method of the display device 10 of the first embodiment. Specifically, FIG. 10 corresponds to a view of the second work unit 310 from the side that holds the target to be processed. In addition, in FIG. 10, the light shielding mask 40 is arranged on the forefront of the second work unit 310 . Therefore, for convenience of explanation, the illustration of part of the light shielding mask 40 is omitted.

図10に示すように、保持部材30の保持面30aは、処理領域31及び吸着領域32を有する。処理領域31は、被処理対象である素子基板200に対し、レーザー光320bを照射するための領域である。保持部材30は、素子基板200の半導体基板201を保持面30aに真空吸着させることにより、素子基板200を保持する。このとき、素子基板200に設けられた複数のLEDチップ202は、いずれも処理領域31の内側に収まるように構成される。すなわち、保持部材30によって素子基板200が保持されたとき、複数のLEDチップ202は、処理領域31と重畳する位置に配置される。 As shown in FIG. 10 , the holding surface 30 a of the holding member 30 has a processing area 31 and an adsorption area 32 . The processing region 31 is a region for irradiating the element substrate 200 to be processed with the laser beam 320b. The holding member 30 holds the element substrate 200 by vacuum-sucking the semiconductor substrate 201 of the element substrate 200 to the holding surface 30a. At this time, all of the plurality of LED chips 202 provided on the element substrate 200 are configured to fit inside the processing region 31 . That is, when the element substrate 200 is held by the holding member 30 , the plurality of LED chips 202 are arranged at positions overlapping the processing region 31 .

吸着領域32は、素子基板200を真空吸着させるための領域である。図10に示すように、保持部材30は、吸着領域32に複数の吸着孔32aを有する。つまり、吸着領域32では、複数の吸着孔32aを用いて素子基板200を吸着する。吸着領域32は、処理領域31を囲むように設けられる。換言すれば、保持部材30によって素子基板200が保持されたとき、複数のLEDチップ202は、吸着領域32と重畳しない。 The adsorption region 32 is a region for vacuum-sucking the element substrate 200 . As shown in FIG. 10, the holding member 30 has a plurality of suction holes 32a in the suction area 32. As shown in FIG. That is, in the adsorption area 32, the element substrate 200 is adsorbed using the plurality of adsorption holes 32a. The adsorption area 32 is provided so as to surround the processing area 31 . In other words, when the element substrate 200 is held by the holding member 30 , the plurality of LED chips 202 do not overlap the adsorption area 32 .

遮光マスク40は、前述のとおり、複数の開口部40aを有する。図10に示すように、複数の開口部40aは、処理領域31の内側に配置される。また、遮光マスク40は、複数の吸着孔40bを有する。複数の吸着孔40bは、吸着領域32と重畳するように設けられる。すなわち、複数の吸着孔40bは、複数の開口部40aを囲むように設けられる。このとき、保持部材30に設けられた複数の吸着孔32a及び遮光マスク40に設けられた複数の吸着孔40bは、少なくとも一部が重畳する。好ましくは、各吸着孔32a及び各吸着孔40bは、略一致する。このように、遮光マスク40にも吸着孔40bを設けることにより、保持部材30は、遮光マスク40を介して素子基板200を吸着することができる。 The light shielding mask 40 has a plurality of openings 40a as described above. As shown in FIG. 10 , the plurality of openings 40a are arranged inside the processing region 31 . Also, the light shielding mask 40 has a plurality of suction holes 40b. A plurality of suction holes 40 b are provided so as to overlap with the suction region 32 . That is, the plurality of suction holes 40b are provided so as to surround the plurality of openings 40a. At this time, the plurality of suction holes 32a provided in the holding member 30 and the plurality of suction holes 40b provided in the light shielding mask 40 are at least partially overlapped. Preferably, each suction hole 32a and each suction hole 40b are substantially coincident. By providing the suction holes 40b in the light-shielding mask 40 as well, the holding member 30 can suction the element substrate 200 through the light-shielding mask 40 .

本実施形態では、吸着孔32a及び吸着孔40bの外形が円形である場合について例示したが、この例に限られるものではない。吸着孔32a及び吸着孔40bの外形は、多角形であってもよいし、楕円形であってもよい。また、吸着孔32a及び吸着孔40bは、孔状である必要はなく、溝状であってもよい。例えば、吸着孔32a及び吸着孔40bは、保持部材30の同心円に沿った溝であってもよい。 In the present embodiment, the case where the suction holes 32a and the suction holes 40b have circular outer shapes was exemplified, but the present invention is not limited to this example. The external shapes of the suction holes 32a and the suction holes 40b may be polygonal or elliptical. Also, the suction holes 32a and the suction holes 40b do not have to be hole-shaped, and may be groove-shaped. For example, the suction holes 32 a and the suction holes 40 b may be grooves along the concentric circles of the holding member 30 .

以上説明したとおり、本実施形態のレーザー処理装置300は、保持部材30と遮光マスク40とが一体に構成された第2ワークユニット310を備え、保持部材30を介して被処理対象にレーザー光320bを照射する構成を有する。本実施形態のレーザー処理装置300を用いた場合、遮光マスク40と被処理対象(本実施形態では、素子基板200)との間に隙間が生じないため、遮光マスク40の開口部40aを通過したレーザー光の回折を防ぐことが可能である。 As described above, the laser processing apparatus 300 of the present embodiment includes the second work unit 310 in which the holding member 30 and the light shielding mask 40 are integrated, and the laser beam 320b is directed to the object to be processed through the holding member 30. It has a configuration for irradiating When the laser processing apparatus 300 of this embodiment is used, there is no gap between the light shielding mask 40 and the object to be processed (the element substrate 200 in this embodiment). It is possible to prevent diffraction of laser light.

また、本実施形態では、レーザー発振器302から出力されたレーザー光320aをビームエキスパンダ306で拡大して照射するため、一度に広範囲のレーザー光照射が可能である。したがって、本実施形態によれば、レーザー光の回折を防ぎつつ、高いスループットでレーザー光の照射プロセスを実施することができる。 Moreover, in this embodiment, since the laser beam 320a output from the laser oscillator 302 is expanded by the beam expander 306 and irradiated, it is possible to irradiate a wide range of laser beams at once. Therefore, according to the present embodiment, the laser light irradiation process can be performed with high throughput while preventing diffraction of the laser light.

[表示装置の構成]
図11~図14を用いて、本発明の第1実施形態における表示装置10の構成について説明する。
[Configuration of display device]
The configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 14. FIG.

図11は、第1実施形態における表示装置10の概略の構成を示す平面図である。図11に示すように、表示装置10は、回路基板100、フレキシブルプリント回路基板160(FPC160)、及びICチップ170を有する。表示装置10は表示領域112、周辺領域114、及び端子領域116に区分される。 FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 10 according to the first embodiment. As shown in FIG. 11, the display device 10 has a circuit board 100, a flexible printed circuit board 160 (FPC 160), and an IC chip 170. FIG. The display device 10 is divided into a display area 112 , a peripheral area 114 and a terminal area 116 .

表示領域112は、LEDチップ202を含む複数の画素110が行方向(D1方向)及び列方向(D2方向)に配置された領域である。具体的には、本実施形態では、LEDチップ202Rを含む画素110R、LEDチップ202Gを含む画素110G、及びLEDチップ202Bを含む画素110Bが配置される。表示領域112は、映像信号に応じた画像を表示する領域として機能する。 The display area 112 is an area in which a plurality of pixels 110 including the LED chips 202 are arranged in the row direction (D1 direction) and the column direction (D2 direction). Specifically, in this embodiment, a pixel 110R including an LED chip 202R, a pixel 110G including an LED chip 202G, and a pixel 110B including an LED chip 202B are arranged. The display area 112 functions as an area for displaying an image according to the video signal.

周辺領域114は、表示領域112の周囲の領域である。周辺領域114には、各画素110に設けられた画素回路(図17に示す画素回路120)を制御するためのドライバ回路(図16に示すデータドライバ回路130及びゲートドライバ回路140)が設けられた領域である。 Peripheral area 114 is the area around display area 112 . Driver circuits (data driver circuit 130 and gate driver circuit 140 shown in FIG. 16) for controlling pixel circuits (pixel circuit 120 shown in FIG. 17) provided in each pixel 110 are provided in the peripheral region 114. area.

端子領域116は、前述のドライバ回路に接続された複数の配線が集約された領域である。フレキシブルプリント回路基板160は、端子領域116において複数の配線に電気的に接続される。外部装置(図示せず)から出力された映像信号(データ信号)又は制御信号は、フレキシブルプリント回路基板160に設けられた配線(図示せず)を介して、ICチップ170に入力される。ICチップ170は、映像信号に対して各種の信号処理を行ったり表示制御に必要な制御信号を生成したりする。ICチップ170から出力された映像信号及び制御信号は、フレキシブルプリント回路基板160を介して、表示装置10に入力される。 A terminal area 116 is an area where a plurality of wirings connected to the driver circuit described above are concentrated. Flexible printed circuit board 160 is electrically connected to a plurality of wires in terminal area 116 . A video signal (data signal) or control signal output from an external device (not shown) is input to the IC chip 170 via wiring (not shown) provided on the flexible printed circuit board 160 . The IC chip 170 performs various signal processing on video signals and generates control signals necessary for display control. Video signals and control signals output from the IC chip 170 are input to the display device 10 via the flexible printed circuit board 160 .

[表示装置10の回路構成]
図12は、第1実施形態に係る表示装置10の回路構成を示すブロック図である。図12に示すように、表示領域112には、各画素110に対応して、画素回路120が設けられている。本実施形態では、画素110R、画素110G及び画素110Bに対応して、それぞれ画素回路120R、画素回路120G及び画素回路120Bが設けられている。すなわち、表示領域112には、複数の画素回路120が、行方向(D1方向)及び列方向(D2方向)に配置されている。
[Circuit Configuration of Display Device 10]
FIG. 12 is a block diagram showing the circuit configuration of the display device 10 according to the first embodiment. As shown in FIG. 12, the display area 112 is provided with pixel circuits 120 corresponding to the respective pixels 110 . In this embodiment, pixel circuits 120R, 120G and 120B are provided corresponding to the pixels 110R, 110G and 110B, respectively. That is, in the display area 112, a plurality of pixel circuits 120 are arranged in the row direction (D1 direction) and the column direction (D2 direction).

図13は、第1実施形態に係る表示装置10の画素回路120の構成を示す回路図である。画素回路120は、データ線121、ゲート線122、アノード電源線123及びカソード電源線124に囲まれた領域に配置される。本実施形態の画素回路120は、選択トランジスタ126、駆動トランジスタ127、保持容量128及びLED129を含む。LED129は、図11に示した各LEDチップ202に対応する。画素回路120のうち、LED129以外の回路要素は、回路基板100に設けられた駆動回路102に相当する。つまり、回路基板100に対してLEDチップ202を実装した状態で画素回路120が完成する。 FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of the pixel circuit 120 of the display device 10 according to the first embodiment. The pixel circuits 120 are arranged in a region surrounded by data lines 121 , gate lines 122 , anode power lines 123 and cathode power lines 124 . The pixel circuit 120 of this embodiment includes a selection transistor 126 , a drive transistor 127 , a storage capacitor 128 and an LED 129 . LED 129 corresponds to each LED chip 202 shown in FIG. Circuit elements other than the LED 129 in the pixel circuit 120 correspond to the drive circuit 102 provided on the circuit board 100 . That is, the pixel circuit 120 is completed with the LED chip 202 mounted on the circuit board 100 .

図13に示すように、選択トランジスタ126のソース電極、ゲート電極及びドレイン電極は、それぞれデータ線121、ゲート線122及び駆動トランジスタ127のゲート電極に接続される。駆動トランジスタ127のソース電極、ゲート電極及びドレイン電極は、それぞれアノード電源線123、選択トランジスタ126のドレイン電極及びLED129に接続される。駆動トランジスタ127のゲート電極とドレイン電極との間には保持容量128が接続される。すなわち、保持容量128は、選択トランジスタ126のドレイン電極に接続される。LED129は、アノード及びカソードが、それぞれ駆動トランジスタ127のドレイン電極及びカソード電源線124に接続される。 As shown in FIG. 13, the source, gate and drain electrodes of the select transistor 126 are connected to the data line 121, the gate line 122 and the gate electrode of the drive transistor 127, respectively. The source electrode, gate electrode and drain electrode of the driving transistor 127 are connected to the anode power line 123, the drain electrode of the selection transistor 126 and the LED 129 respectively. A storage capacitor 128 is connected between the gate electrode and the drain electrode of the drive transistor 127 . That is, the holding capacitor 128 is connected to the drain electrode of the select transistor 126 . The anode and cathode of the LED 129 are connected to the drain electrode of the drive transistor 127 and the cathode power supply line 124, respectively.

データ線121には、LED129の発光強度を決める階調信号が供給される。ゲート線122には、階調信号を書き込む選択トランジスタ126を選択するためのゲート信号が供給される。選択トランジスタ126がON状態になると、階調信号が保持容量128に蓄積される。その後、駆動トランジスタ127がON状態になると、階調信号に応じた駆動電流が駆動トランジスタ127を流れる。駆動トランジスタ127から出力された駆動電流がLED129に入力されると、LED129が階調信号に応じた発光強度で発光する。 A gradation signal that determines the light emission intensity of the LED 129 is supplied to the data line 121 . The gate line 122 is supplied with a gate signal for selecting a selection transistor 126 for writing a gradation signal. When the selection transistor 126 is turned on, the gradation signal is accumulated in the holding capacitor 128 . After that, when the drive transistor 127 is turned on, a drive current corresponding to the gradation signal flows through the drive transistor 127 . When the driving current output from the driving transistor 127 is input to the LED 129, the LED 129 emits light with an emission intensity corresponding to the gradation signal.

再び図12を参照すると、表示領域112に対して列方向(D2方向)に隣接する位置には、データドライバ回路130が配置される。また、表示領域112に対して行方向(D1方向)に隣接する位置には、ゲートドライバ回路140が配置される。本実施形態では、表示領域112を両側に、2つのゲートドライバ回路140を設けているが、いずれか一方のみであってもよい。 Referring to FIG. 12 again, a data driver circuit 130 is arranged adjacent to the display area 112 in the column direction (D2 direction). A gate driver circuit 140 is arranged at a position adjacent to the display area 112 in the row direction (D1 direction). In this embodiment, two gate driver circuits 140 are provided on both sides of the display area 112, but only one of them may be provided.

データドライバ回路130及びゲートドライバ回路140は、いずれも周辺領域114に配置されている。ただし、データドライバ回路130を配置する領域は周辺領域114に限られない。例えば、データドライバ回路130は、フレキシブルプリント回路基板160に配置されていてもよい。 Both the data driver circuit 130 and the gate driver circuit 140 are arranged in the peripheral region 114 . However, the area where the data driver circuit 130 is arranged is not limited to the peripheral area 114 . For example, data driver circuitry 130 may be located on flexible printed circuit board 160 .

図13に示したデータ線121は、データドライバ回路130からD2方向に延在し、各画素回路120における選択トランジスタ126のソース電極に接続される。ゲート線122は、ゲートドライバ回路140からD1方向に延在し、各画素回路120における選択トランジスタ126のゲート電極に接続される。 The data line 121 shown in FIG. 13 extends in the D2 direction from the data driver circuit 130 and is connected to the source electrode of the select transistor 126 in each pixel circuit 120. The data line 121 shown in FIG. The gate line 122 extends in the D1 direction from the gate driver circuit 140 and is connected to the gate electrode of the select transistor 126 in each pixel circuit 120 .

端子領域116には、端子部150が配置されている。端子部150は、接続配線151を介してデータドライバ回路130と接続される。同様に、端子部150は、接続配線152を介してゲートドライバ回路140と接続される。さらに、端子部150は、フレキシブルプリント回路基板160と接続される。 A terminal portion 150 is arranged in the terminal region 116 . The terminal section 150 is connected to the data driver circuit 130 via a connection wiring 151 . Similarly, the terminal section 150 is connected to the gate driver circuit 140 via the connection wiring 152 . Furthermore, the terminal part 150 is connected to the flexible printed circuit board 160 .

[表示装置10の断面構造]
図14は、第1実施形態に係る表示装置10の画素110の構成を示す断面図である。画素110は、絶縁基板11の上に設けられた駆動トランジスタ127を有する。絶縁基板11としては、ガラス基板又は樹脂基板の上に絶縁層を設けた基板を用いることができる。
[Cross-sectional structure of display device 10]
FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the pixel 110 of the display device 10 according to the first embodiment. The pixel 110 has a drive transistor 127 provided on the insulating substrate 11 . As the insulating substrate 11, a substrate having an insulating layer provided on a glass substrate or a resin substrate can be used.

駆動トランジスタ127は、半導体層12、ゲート絶縁層13及びゲート電極14を含む。半導体層12には、絶縁層15を介してソース電極16及びドレイン電極17が接続される。図示は省略するが、ゲート電極14は、図13に示した選択トランジスタ126のドレイン電極に接続される。 The driving transistor 127 includes a semiconductor layer 12 , a gate insulating layer 13 and a gate electrode 14 . A source electrode 16 and a drain electrode 17 are connected to the semiconductor layer 12 via an insulating layer 15 . Although not shown, the gate electrode 14 is connected to the drain electrode of the selection transistor 126 shown in FIG.

ソース電極16及びドレイン電極17と同一の層には、配線18が設けられている。配線18は、図13に示したアノード電源線123として機能する。そのため、ソース電極16及び配線18は、平坦化層19の上に設けられた接続配線20によって電気的に接続される。平坦化層19は、ポリイミド、アクリル等の樹脂材料を用いた透明な樹脂層である。接続配線20は、ITOなどの金属酸化物材料を用いた透明導電層である。ただし、この例に限らず、接続配線20として、その他の金属材料を用いることもできる。 A wiring 18 is provided in the same layer as the source electrode 16 and the drain electrode 17 . The wiring 18 functions as the anode power supply line 123 shown in FIG. Therefore, the source electrode 16 and the wiring 18 are electrically connected by the connection wiring 20 provided on the planarization layer 19 . The planarizing layer 19 is a transparent resin layer using a resin material such as polyimide or acryl. The connection wiring 20 is a transparent conductive layer using a metal oxide material such as ITO. However, the connection wiring 20 is not limited to this example, and other metal materials can also be used.

接続配線20の上には、窒化シリコン等で構成された絶縁層21が設けられる。絶縁層21の上には、アノード電極22及びカソード電極23が設けられる。本実施形態において、アノード電極22及びカソード電極23は、ITOなどの金属酸化物材料を用いた透明導電層である。アノード電極22は、平坦化層19及び絶縁層21に設けられた開口を介してドレイン電極17に接続される。 An insulating layer 21 made of silicon nitride or the like is provided on the connection wiring 20 . An anode electrode 22 and a cathode electrode 23 are provided on the insulating layer 21 . In this embodiment, the anode electrode 22 and the cathode electrode 23 are transparent conductive layers using a metal oxide material such as ITO. The anode electrode 22 is connected to the drain electrode 17 through openings provided in the planarizing layer 19 and the insulating layer 21 .

アノード電極22及びカソード電極23は、それぞれ平坦化層24を介して実装パッド25a及び25bに接続される。実装パッド25a及び25bは、例えば、タンタル、タングステン等の金属材料で構成される。実装パッド25a及び25bの上には、それぞれ接続電極103a及び103bが設けられる。接続電極103a及び103bは、それぞれ図3に示した接続電極103に対応する。すなわち、本実施形態では、接続電極103a及び103bとして、錫(Sn)で構成される電極を配置する。 The anode electrode 22 and the cathode electrode 23 are connected to mounting pads 25a and 25b through the planarization layer 24, respectively. The mounting pads 25a and 25b are made of a metal material such as tantalum or tungsten. Connection electrodes 103a and 103b are provided on the mounting pads 25a and 25b, respectively. The connection electrodes 103a and 103b respectively correspond to the connection electrode 103 shown in FIG. That is, in this embodiment, electrodes made of tin (Sn) are arranged as the connection electrodes 103a and 103b.

接続電極103a及び103bには、それぞれLEDチップ202の端子電極203a及び203bが接合されている。前述のとおり、本実施形態では、端子電極203a及び203bは、金(Au)で構成される電極である。 Terminal electrodes 203a and 203b of the LED chip 202 are joined to the connection electrodes 103a and 103b, respectively. As described above, in this embodiment, the terminal electrodes 203a and 203b are electrodes made of gold (Au).

LEDチップ202は、図13に示した回路図において、LED129に相当する。すなわち、LEDチップ202の端子電極203aは、駆動トランジスタ127のドレイン電極17に接続されたアノード電極22に接続される。LEDチップ202の端子電極203bは、カソード電極23に接続される。カソード電極23は、図13に示したカソード電源線124と電気的に接続される。 The LED chip 202 corresponds to the LED 129 in the circuit diagram shown in FIG. That is, the terminal electrode 203 a of the LED chip 202 is connected to the anode electrode 22 connected to the drain electrode 17 of the driving transistor 127 . A terminal electrode 203 b of the LED chip 202 is connected to the cathode electrode 23 . Cathode electrode 23 is electrically connected to cathode power supply line 124 shown in FIG.

以上の構造を有する本実施形態の表示装置10は、LEDチップ202がレーザー照射による溶融接合により強固に実装されているため、衝撃等に対する耐性が高いという利点を有する。 The display device 10 of the present embodiment having the structure described above has the advantage that the LED chip 202 is strongly mounted by fusion bonding by laser irradiation, so that it is highly resistant to impact and the like.

<第2実施形態>
本実施形態では、第1実施形態とは異なる構造のレーザー処理装置300を用いる例について説明する。具体的には、本実施形態のレーザー処理装置300は、素子基板200を静電吸着により保持する第2ワークユニット320を備える。なお、図面において、第1実施形態と同じ要素については、同じ符号を付して重複する説明を省略する。
<Second embodiment>
In this embodiment, an example using a laser processing apparatus 300 having a structure different from that of the first embodiment will be described. Specifically, the laser processing apparatus 300 of this embodiment includes a second work unit 320 that holds the element substrate 200 by electrostatic adsorption. In the drawings, the same elements as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

図15は、第2実施形態の表示装置10の製造方法において使用されるレーザー処理装置300における第2ワークユニット320の構成を示す図である。具体的には、図15は、被処理対象を保持する側から第2ワークユニット320を見た図に対応する。なお、図10において、第2ワークユニット320の最前面には、遮光マスク42が配置される。そのため、説明の便宜上、遮光マスク42の一部の図示を省略している。 FIG. 15 is a diagram showing the configuration of the second work unit 320 in the laser processing apparatus 300 used in the manufacturing method of the display device 10 of the second embodiment. Specifically, FIG. 15 corresponds to a view of the second work unit 320 from the side that holds the target to be processed. In addition, in FIG. 10, a light shielding mask 42 is arranged on the forefront of the second work unit 320 . Therefore, for convenience of explanation, the illustration of part of the light shielding mask 42 is omitted.

図15に示すように、保持部材35は、処理領域36及び吸着領域37を有する。処理領域36は、被処理対象である素子基板200に対し、レーザー光320b(図8参照)を照射するための領域である。保持部材35は、素子基板200の半導体基板201を保持面35aに静電吸着させることにより、素子基板200を保持する。このとき、第1実施形態と同様に、素子基板200に設けられた複数のLEDチップ202は、いずれも処理領域36の内側に収まるように構成される。また、第1実施形態と同様に、保持部材35は、例えば、ガラス、石英、又はサファイアなどで構成される。 As shown in FIG. 15, the holding member 35 has a processing area 36 and an adsorption area 37 . The processing region 36 is a region for irradiating the element substrate 200 to be processed with the laser beam 320b (see FIG. 8). The holding member 35 holds the element substrate 200 by electrostatically attracting the semiconductor substrate 201 of the element substrate 200 to the holding surface 35a. At this time, as in the first embodiment, all of the plurality of LED chips 202 provided on the element substrate 200 are configured to fit inside the processing region 36 . Moreover, similarly to the first embodiment, the holding member 35 is made of, for example, glass, quartz, or sapphire.

吸着領域37は、素子基板200を静電吸着させるための領域である。図15に示すように、保持部材35の内部には、内部電極37a及び37bが設けられる。すなわち、平面視において、保持面35aのうち、内部電極37a及び37bと重畳する領域が、吸着領域37に対応する。吸着領域37は、処理領域36を囲むように設けられる。つまり、保持部材35によって素子基板200が保持されたとき、複数のLEDチップ202は、内部電極37a及び37bと重畳しないため、内部電極37a及び37bが、レーザー光320bの光路を塞ぐことはない。 The attraction area 37 is an area for electrostatically attracting the element substrate 200 . As shown in FIG. 15, inside the holding member 35, internal electrodes 37a and 37b are provided. That is, in a plan view, a region of the holding surface 35a that overlaps with the internal electrodes 37a and 37b corresponds to the adsorption region 37. As shown in FIG. The adsorption area 37 is provided so as to surround the processing area 36 . That is, when the element substrate 200 is held by the holding member 35, the plurality of LED chips 202 do not overlap the internal electrodes 37a and 37b, so the internal electrodes 37a and 37b do not block the optical path of the laser beam 320b.

本実施形態では、例えば、内部電極37aに正の電圧を印加し、内部電極37bに負の電圧を印加する。これにより、被処理対象の内部電荷が分極し、保持部材35に吸着される。すなわち、本実施形態の第2ワークユニット320は、保持部材35と被処理対象との間に生じた静電気力によって被処理対象(例えば、素子基板200)を保持する。 In this embodiment, for example, a positive voltage is applied to the internal electrode 37a and a negative voltage is applied to the internal electrode 37b. As a result, the internal charge of the object to be processed is polarized and is attracted to the holding member 35 . That is, the second work unit 320 of this embodiment holds the object to be processed (eg, the element substrate 200) by the electrostatic force generated between the holding member 35 and the object to be processed.

図15に示すように、遮光マスク42の複数の開口部42aは、処理領域36の内側に配置される。すなわち、遮光マスク42におけるマスクとして実効的に使用する部分は、処理領域36の内側に位置する。本実施形態では、遮光マスク42を金属膜で構成する。このとき、遮光マスク42の膜厚が十分に薄ければ、保持部材35と被処理対象との間に生じる静電気力にほとんど影響しない。本実施形態では、遮光マスク42の膜厚を数ミクロン程度とすることにより、遮光マスク42を介した静電吸着を可能としている。 As shown in FIG. 15, the plurality of openings 42a of the light shielding mask 42 are arranged inside the processing region 36. As shown in FIG. That is, the portion of the light shielding mask 42 that is effectively used as a mask is positioned inside the processing region 36 . In this embodiment, the light shielding mask 42 is composed of a metal film. At this time, if the film thickness of the light shielding mask 42 is sufficiently thin, it hardly affects the electrostatic force generated between the holding member 35 and the object to be processed. In the present embodiment, the film thickness of the light-shielding mask 42 is set to about several microns, thereby enabling electrostatic attraction through the light-shielding mask 42 .

本実施形態では、内部電極37a及び37bの形状を平面視で半円形状とした場合について例示したが、この例に限られるものではない。内部電極37a及び37bの形状を平面視で多角形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。また、保持部材35の内部に設ける電極の数は、2つに限らず、3つ以上であってもよい。 In this embodiment, the case where the internal electrodes 37a and 37b are semicircular in plan view has been exemplified, but the shape is not limited to this example. The shape of the internal electrodes 37a and 37b may be polygonal or elliptical in plan view. Further, the number of electrodes provided inside the holding member 35 is not limited to two, and may be three or more.

以上説明したとおり、本実施形態のレーザー処理装置300は、保持部材35と遮光マスク42とが一体に構成された第2ワークユニット320を備え、保持部材35を介して被処理対象にレーザー光320bを照射する構成を有する。本実施形態のレーザー処理装置300を用いた場合、遮光マスク42と被処理対象(本実施形態では、素子基板200)との間に隙間が生じないため、遮光マスク42の開口部42aを通過したレーザー光の回折を防ぐことが可能である。 As described above, the laser processing apparatus 300 of this embodiment includes the second work unit 320 in which the holding member 35 and the light-shielding mask 42 are integrally formed. It has a configuration for irradiating When the laser processing apparatus 300 of this embodiment is used, there is no gap between the light shielding mask 42 and the object to be processed (the element substrate 200 in this embodiment). It is possible to prevent diffraction of laser light.

<第3実施形態>
第1実施形態及び第2実施形態では、素子基板200から直接的にLEDチップ202を回路基板100へ転写する例を示したが、この例に限られるものではない。具体的には、素子基板200が有するLEDチップ202を一旦キャリア基板に転写し、その後、キャリア基板から回路基板100へ転写してもよい。この場合においても、各LEDチップ202の端子電極203と回路基板100の接続電極103とを溶融接合する際に、第1実施形態及び第2実施形態で説明したレーザー処理装置300を用いることができる。
<Third Embodiment>
In the first and second embodiments, an example in which the LED chips 202 are directly transferred from the element substrate 200 to the circuit board 100 is shown, but the present invention is not limited to this example. Specifically, the LED chips 202 included in the element substrate 200 may be temporarily transferred to a carrier substrate and then transferred from the carrier substrate to the circuit substrate 100 . In this case also, the laser processing apparatus 300 described in the first and second embodiments can be used when the terminal electrodes 203 of each LED chip 202 and the connection electrodes 103 of the circuit board 100 are melt-bonded. .

<第4実施形態>
第1実施形態及び第2実施形態では、保持部材の吸着力を用いて被処理対象(素子基板200)を保持する例を示したが、この例に限られるものではない。例えば、吸着に代えて、爪などにより機械的に保持する方法、又は、粘着剤や粘着シート等を用いて接着することにより保持する方法を用いてもよい。すなわち、保持部材は、レーザー光の照射プロセスの妨げにならない限り、いかなる方法で被処理対象を保持してもよい。
<Fourth Embodiment>
In the first and second embodiments, an example of holding the object to be processed (the element substrate 200) using the adsorption force of the holding member has been shown, but the present invention is not limited to this example. For example, instead of adsorption, a method of mechanically holding with a nail or the like, or a method of holding by adhesion using an adhesive, an adhesive sheet, or the like may be used. That is, the holding member may hold the object to be processed by any method as long as it does not interfere with the laser light irradiation process.

<第5実施形態>
第1実施形態及び第2実施形態では、保持部材と遮光マスクとを別の部材とする例を示したが、この例に限られるものではない。例えば、第2ワークユニットとして、保持部材と遮光マスクとを一体形成した構造体を用いてもよい。例えば、ガラス、石英、又はサファイア等で構成される保持部材の保持面に、黒色顔料又はカーボンブラックなどの黒色物質を添加することにより、遮光マスクとして機能する領域を形成してもよい。
<Fifth Embodiment>
In the first embodiment and the second embodiment, an example in which the holding member and the light-shielding mask are separate members has been shown, but the present invention is not limited to this example. For example, a structure in which a holding member and a light shielding mask are integrally formed may be used as the second work unit. For example, a region functioning as a light-shielding mask may be formed by adding a black substance such as black pigment or carbon black to the holding surface of the holding member made of glass, quartz, sapphire, or the like.

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。 Each of the embodiments described above as embodiments of the present invention can be implemented in combination as appropriate as long as they do not contradict each other. Based on each embodiment, a person skilled in the art appropriately adds, deletes, or changes the design of components, or adds, omits, or changes the conditions of steps, and also includes the gist of the present invention. as long as it is within the scope of the present invention.

また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 In addition, even if there are other effects that are different from the effects brought about by the aspects of each embodiment described above, those that are obvious from the description of this specification or those that can be easily predicted by those skilled in the art, Naturally, it is understood that it is brought about by the present invention.

10…表示装置、11…絶縁基板、12…半導体層、13…ゲート絶縁層、14…ゲート電極、15…絶縁層、16…ソース電極、17…ドレイン電極、18…配線、19…平坦化層、20…接続配線、21…絶縁層、22…アノード電極、23…カソード電極、24…平坦化層、25a、25b…実装パッド、40、42…遮光マスク、40a、42a…開口部、30、35…保持部材、30a、35a…保持面、31、36…処理領域、32、37…吸着領域、32a、40b…吸着孔、37a、37b…内部電極、50、60…レーザー光、70…保持部材、100…回路基板、101…基板、102…駆動回路、103、103a、103b…接続電極、110、110R、110G、110B…画素、112…表示領域、114…周辺領域、116…端子領域、120、120R、120G、120B…画素回路、121…データ線、122…ゲート線、123…アノード電源線、124…カソード電源線、126…選択トランジスタ、127…駆動トランジスタ、128…保持容量、130…データドライバ回路、140…ゲートドライバ回路、150…端子部、151、152…接続配線、160…フレキシブルプリント回路基板、170…ICチップ、200…素子基板、201…半導体基板、202、202R、202G、202B…LEDチップ、203a、203b、203R…端子電極、300…レーザー処理装置、302…レーザー発振器、304…反射ミラー、306…ビームエキスパンダ、308…第1ワークユニット、310…第2ワークユニット、320a、320b…レーザー光、 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Display apparatus 11... Insulating substrate 12... Semiconductor layer 13... Gate insulating layer 14... Gate electrode 15... Insulating layer 16... Source electrode 17... Drain electrode 18... Wiring 19... Flattening layer , 20... Connection wiring 21... Insulating layer 22... Anode electrode 23... Cathode electrode 24... Flattening layer 25a, 25b... Mounting pad 40, 42... Light shielding mask 40a, 42a... Opening 30, 35... Holding member 30a, 35a... Holding surface 31, 36... Treatment area 32, 37... Attraction area 32a, 40b... Attraction hole 37a, 37b... Internal electrode 50, 60... Laser light 70... Holding Member 100 Circuit board 101 Substrate 102 Drive circuit 103, 103a, 103b Connection electrode 110, 110R, 110G, 110B Pixel 112 Display area 114 Peripheral area 116 Terminal area 120, 120R, 120G, 120B... Pixel circuit 121... Data line 122... Gate line 123... Anode power supply line 124... Cathode power supply line 126... Selection transistor 127... Drive transistor 128... Holding capacity 130... Data driver circuit 140 Gate driver circuit 150 Terminal portion 151, 152 Connection wiring 160 Flexible printed circuit board 170 IC chip 200 Element substrate 201 Semiconductor substrate 202, 202R, 202G, 202B LED chip, 203a, 203b, 203R Terminal electrode 300 Laser processor 302 Laser oscillator 304 Reflecting mirror 306 Beam expander 308 First work unit 310 Second work unit 320a, 320b... laser light,

Claims (9)

複数のLEDチップが設けられた第1基板を準備し、
前記第1基板と第2基板との間に前記複数のLEDチップが位置するように、前記複数のLEDチップを前記第2基板の上に配置し、
前記第1基板を保持する保持部材に固定された遮光マスクを介して、前記複数のLEDチップのうちの一部にレーザー光を照射することを含む、
表示装置の製造方法。
preparing a first substrate provided with a plurality of LED chips;
disposing the plurality of LED chips on the second substrate such that the plurality of LED chips are positioned between the first substrate and the second substrate;
irradiating a part of the plurality of LED chips with laser light through a light-shielding mask fixed to a holding member that holds the first substrate;
A method for manufacturing a display device.
前記レーザー光は、前記保持部材を介して前記前記複数のLEDチップのうちの一部に照射される、請求項1に記載の表示装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein said laser light is applied to some of said plurality of LED chips through said holding member. 前記保持部材は、真空吸着により前記第1基板を保持し、前記遮光マスクは前記第1基板と前記保持部材との間に位置し、前記遮光マスクと前記第1基板との間には隙間を生じさせないようにする、請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 The holding member holds the first substrate by vacuum adsorption, the light shielding mask is positioned between the first substrate and the holding member, and a gap is provided between the light shielding mask and the first substrate. 3. The method of manufacturing the display device according to claim 1, wherein the production of the display device is prevented. 前記保持部材に前記第1基板を保持させたとき、平面視において、前記複数のLEDチップは、前記保持部材に設けられた吸着孔と重畳しない、請求項3に記載の表示装置の製造方法。 4. The method of manufacturing a display device according to claim 3, wherein when said first substrate is held by said holding member, said plurality of LED chips do not overlap suction holes provided in said holding member in plan view. 前記保持部材は、静電吸着により前記第1基板を保持し、前記遮光マスクは前記第1基板と前記保持部材との間に位置し、前記遮光マスクと前記第1基板との間には隙間を生じさせないようにする、請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 The holding member holds the first substrate by electrostatic adsorption, the light shielding mask is positioned between the first substrate and the holding member, and a gap is provided between the light shielding mask and the first substrate. 3. The method of manufacturing the display device according to claim 1, wherein 前記レーザー光の照射は、線状のレーザー光を前記遮光マスクに対して走査することを含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。 6. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the irradiation of the laser light includes scanning the light-shielding mask with a linear laser light. 前記レーザー光は、固体レーザーの基本波又は第2高調波である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。 7. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein said laser light is a fundamental wave or a second harmonic of a solid-state laser. 前記レーザー光は、近赤外光であり、
前記保持部材は、ガラス、石英、又はサファイアで構成される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
The laser light is near-infrared light,
7. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein said holding member is made of glass, quartz, or sapphire.
前記レーザー光の照射により、前記第2基板の上の接続電極と、前記複数のLEDチップのうちの一部における端子電極とを接合させる、請求項8に記載の表示装置の製造方法。 9. The method of manufacturing a display device according to claim 8, wherein the connection electrodes on the second substrate and the terminal electrodes on some of the plurality of LED chips are joined by the irradiation of the laser light.
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