JP2022039440A - 硬化性シリコーン組成物、封止材、および光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)平均単位式(I):(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)eで表わされ、式(I)中、R1は各々独立に、アルケニル基を含む一価の炭化水素基であり、ただし、一分子当たりのアルケニル基の個数は平均して2個未満であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c<0.9、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である、一分子当たりに平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
(B)一分子当たりに2個以上のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)硬化反応用触媒、
を含む、硬化性シリコーン組成物により、上記課題を解決する。
【選択図】なし
Description
ポリシロキサン、(C)触媒量の白金系触媒を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物において、(A)成分及び(B)成分のオルガノポリシロキサンがシラノールを含有しないことを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物が記載されている。
(A)平均単位式(I):(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)eで表わされ、式(I)中、R1は各々独立に、アルケニル基を含む一価の炭化水素基であり、ただし、一分子当たりのアルケニル基の個数は平均して2個未満であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c<0.9、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である、一分子当たりに平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
(B)一分子当たりに少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)硬化反応用触媒、
を含む、硬化性シリコーン組成物に関する。
本発明に係る硬化性シリコーン組成物は、
(A)平均単位式(I):(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)eで表わされ、式(I)中、R1は各々独立に、アルケニル基を含む一価の炭化水素基であり、ただし、一分子当たりのアルケニル基の個数は平均して2個未満であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c<0.9、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である、一分子当たりに平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
(B)一分子当たりに少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)硬化反応用触媒、
を含む。
(A)成分は、一分子中に平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサンであり、以下の平均単位式(I)で表される。
平均単位式(I):(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e(式(I)中、R1は各々独立に、アルケニル基を含む一価の炭化水素基であり、ただし、一分子当たりのアルケニル基の個数は平均して2個未満であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦0.95、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である)。本発明に係る硬化性シリコーン組成物は、1種類の(A)一分子中に平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサンを含んでもよいし、2種類以上の(A)一分子中に平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサンを含んでもよい。
式(1)CH2=CH- + 2ICl → CH2I-CHCl- + ICl(過剰)
式(2)ICl+KI → I2 + KCl
滴定に要したチオ硫酸ナトリウムの量と、別途作成したブランク液との滴定量の差から、成分中のアルケニル基量を定量することができる。
1分子当たりのアルケニル基(ビニル基)の個数=数平均分子量(実測値)/設計構造のビニル基当量
本発明の硬化性シリコーン組成物は、架橋剤として、(B)成分の一分子当たりに2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む。(B)成分は1種のみのオルガノハイドロジェンポリシロキサンを用いてもよく、2種以上のオルガノハイドロジェンポリシロキサンを組み合わせて用いてもよい。
1分子当たりのケイ素原子結合水素原子の個数=数平均分子量(実測値)/設計構造のケイ素原子結合水素原子当量
本発明の硬化性シリコーン組成物は、(C)成分として、オルガノポリシロキサン成分を硬化するための硬化反応用触媒を含む。本発明に係る硬化性シリコーン組成物は、1種類の(C)硬化反応用触媒を含んでもよいし、2種類以上の(C)硬化反応用触媒を含んでもよい。
本発明に係る硬化性シリコーン組成物は、(D)成分として、上記(A)及び(B)成分以外の他のオルガノポリシロキサン成分を含んでもよい。(D)成分のオルガノポリシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、レジン状、および三次元網状構造が例示される。(D)成分は、これらの分子構造を有する1種のオルガノポリシロキサンであるか、あるいはこれらの分子構造を有する2種以上のオルガノポリシロキサンの混合物であってもよい。
R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3
(式中、R1は各々独立に、一価の炭化水素基であり、mは5~1,000の整数である。)で表される直鎖状のオルガノポリシロキサンを含み得る。
(R1 2SiO)n
(式中、R1は各々独立に、一価の炭化水素基であり、nは3~50の整数である。)で表される環状のオルガノポリシロキサンを含み得る。
(R2 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
(式中、R2は同じかまたは異なるハロゲン置換または非置換の一価の炭化水素基又はエポキシ基含有有機基であり、但し、少なくとも1個のR2はエポキシ基含有有機基であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c<0.9、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である)で表される、エポキシ基含有レジン状オルガノポリシロキサンを含み得る。
本発明は、本発明の硬化性シリコーン組成物を含む封止材にも関する。本発明の封止材は、光半導体用の封止材である。本発明の封止材の形状は、特に限定されないが、好ましくはフィルム状またはシート状である。そのため、本発明はまた、本発明の硬化性シリコーン組成物を固化して得られるフィルムにも関する。本発明のフィルムは、半導体素子を封止するためのフィルム状封止材に好ましく用いられ得る。本発明の封止材またはフィルムにより封止される半導体は特に限定されず、例えば、SiC、GaN等の半導体または発光ダイオードなどの光半導体が挙げられる。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子が上記本発明の封止材で封止されものである。換言すれば、光半導体素子が上記本発明の硬化性シリコーン組成物の硬化物により封止、被覆、または接着されている。この光半導体素子としては、発光ダイオード(LED)、半導体レーザ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、固体撮像、フォトカプラー用発光体と受光体が例示され、特に、発光ダイオード(LED)であることが好ましい。
成分a-1:数平均分子量が1600であり、平均単位式(Me3SiO1/2)0.13(ViMe2SiO1/2)0.09(MeSiO3/2)0.39(PhSiO3/2)0.39で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均ビニル基数:1.5
成分a-2:数平均分子量が1700であり、平均単位式(Me3SiO1/2)0.15(ViMe2SiO1/2)0.07(MeSiO3/2)0.39(PhSiO3/2)0.39で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均ビニル基数:1.3
成分a-3:数平均分子量が1200であり、平均単位式(Me3SiO1/2)0.07(ViMe2SiO1/2)0.18(PhSiO3/2)0.75で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均ビニル基数:1.8
成分a-4:数平均分子量が1400であり、平均単位式(Me3SiO1/2)0.13(ViMe2SiO1/2)0.09(MeSiO3/2)0.39(PhSiO3/2)0.39で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均Vi基数:1.3
成分a’-1:平均単位式(Me3SiO1/2)0.05(ViMe2SiO1/2)0.17(MeSiO3/2)0.39(PhSiO3/2)0.39で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均ビニル基数:3.0
成分a’-2:平均単位式(ViMe2SiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75で表されるレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン 一分子当たりの平均ビニル基数:2.5
成分b-1:平均単位式(HMe2SiO3/2)60(PhSiO3/2)40で表される、オルガノハイドロジェンポリシロキサン:一分子当たりに含まれる平均のケイ素原子結合水素原子の数4.6個
成分c:白金濃度が4.0質量%である白金と1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンの錯体:全オルガノポリシロキサン成分100質量部に対して、5000ppmの量(触媒量)
成分d-1:一般式 ViMe2SiO(MePhSiO)20SiViMe2で表される分子鎖両末端アルケニル基封鎖直鎖状オルガノポリシロキサン
成分d-2:一般式 ViMe2SiO(Me2SiO)60(Ph2SiO)30SiViMe2で表される分子鎖両末端アルケニル基封鎖直鎖状オルガノポリシロキサン
成分d-3:一般式 (ViMeSiO)4で表されるアルケニル基含有環状オルガノポリシロキサン
成分d-4:平均単位式(ViMe2SiO1/2)0.18(EpMeSiO2/2)0.29(PhSiO3/2)0.53で表されるエポキシ基含有レジン状オルガノポリシロキサン
各成分を表1及び2に示す組成(質量%)で混合し、硬化性シリコーン組成物を調製した。
実施例または比較例にかかる各組成物において、硬化物の伸びを次のようにして測定し、結果を表1に示した。
Claims (6)
- (A)平均単位式(I):(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)eで表わされ、式(I)中、R1は各々独立に、アルケニル基を含む一価の炭化水素基であり、ただし、一分子当たりのアルケニル基の個数は平均して2個未満であり、Xは水素原子またはアルキル基であり、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c<0.9、0≦d<0.5、及び0≦e<0.4であり、a+b+c+d=1.0であり、かつ、c+d>0である、一分子当たりに平均して2個未満のアルケニル基を含有するレジン状アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、
(B)一分子当たりに2個以上のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(C)硬化反応用触媒、
を含む、硬化性シリコーン組成物。 - (B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンが、一分子当たりに3個以上のケイ素原子結合水素原子を含む、請求項1に記載の硬化性シリコーン組成物。
- (A)及び(B)成分とは異なる、(D)直鎖状オルガノポリシロキサンをさらに含む、請求項1または2に記載の硬化性シリコーン組成物。
- レジン状オルガノポリシロキサンと直鎖状オルガノポリシロキサンとの質量比が、9:1~1:9である、請求項3に記載の硬化性シリコーン組成物。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の硬化性シリコーン組成物を含む、封止材。
- 請求項5に記載の封止材を備える、光半導体装置。
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