JP2022034155A - Pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、センサ用取付座にボルト止めされるベースボディと、ベースボディに接着されたセンサチップとを備えた圧力センサに関する。 The present invention relates to a pressure sensor including a base body bolted to a sensor mounting seat and a sensor chip bonded to the base body.
従来、被測定流体の流量を計測するにあたっては、例えば特許文献1に記載されているように、被測定流体の圧力を圧力センサによって検出して行うことがある。この圧力を検出する圧力センサとしては、例えば図6に示すように構成されたものがある。図6に示す圧力センサ1は、センサ用取付座2に複数の取付用ボルト3によって締結されたベースボディ4と、ベースボディ4の外端部に接着されたセンサチップ5とを備えている。
Conventionally, when measuring the flow rate of the fluid to be measured, for example, as described in
センサ用取付座2は、被測定流体6の圧力が導かれる一次側導圧口2aと二次側導圧口2bとを有している。
ベースボディ4は、一次側導圧口2aと対向する一次圧バリアダイアフラム7が壁の一部となる一次側受圧室8と、二次側導圧口2bと対向する二次圧バリアダイアフラム9が壁の一部となる二次側受圧室10と、一次側受圧室8からセンサチップ5まで延びる一次側導圧路11と、二次側受圧室10からセンサチップ5まで延びる二次側導圧路12などを有している。一次側受圧室8と、二次側受圧室10と、一次側導圧路11と、二次側導圧路12は、圧力伝達用の液体13で満たされている。
The sensor mounting seat 2 has a primary side
The
ベースボディ4は、センサ用取付座2との間にメタルOリング14,15が挟まれた状態で複数の取付用ボルト3によってセンサ用取付座2に締結されている。メタルOリング14,15は、高温高圧など過酷な条件であっても高度なシール性を発揮し、超高真空においてもシール性を保持する。また、溶接等の接続手段と比較すると、取付け、取外しが容易であるため、圧力センサ1のメンテナンスや交換を容易に行うことができる。
The
ベースボディ4には、一次側導圧路11に圧力伝達用の液体13を注入するために第1の封止孔16が穿設されているとともに、二次側導圧路12に圧力伝達用の液体13を注入するために第2の封止孔17が穿設されている。
The
図6に示す従来の圧力センサ1においては、メタルOリング14,15がセンサ用取付座2とベースボディ4とに挟まれて塑性変形するように取付用ボルト3が締め込まれる。このように取付用ボルト3でベースボディ4をセンサ用取付座2に締結すると、メタルOリング14,15の周囲に大きな応力が発生し、ベースボディ4が変形する。特に、図6に示すような液体封入式の圧力センサ1は、ベースボディ4に第1および第2の封止孔16,17が形成されているために、ベースボディ4の剛性が低下し易い。
In the
ベースボディ4の変形は、センサチップ5が接着されている接着部18にも及ぶ。センサチップ5が高感度なものである場合、接着部18の歪みの影響を受けるから、取付用ボルト3による締め付け力に応じてセンサ出力が高圧側あるいは低圧側にシフトしてしまう。以下においては、このようなセンサ出力のシフトを単に「ボルティングシフト」という。
The deformation of the
ボルティングシフトの低減には、ベースボディ4の厚みを厚くすることが有効である。しかし、ベースボディ4を厚く形成すると、圧力センサ1が大型化してしまい、周辺機器と干渉するおそれがある。
近年の半導体市場向け差圧式マスフローコントローラにおいては、高精度化および小型化のニーズが高まっており、そのコンポーネントの一つである圧力センサに対しても更なる高精度化および小型化が要請されている。
To reduce the bolting shift, it is effective to increase the thickness of the
In recent years, there is an increasing need for high precision and miniaturization of differential pressure type mass flow controllers for the semiconductor market, and further high precision and miniaturization are required for the pressure sensor, which is one of its components. There is.
本発明の目的は、ベースボディが大型化することなくボルティングシフトを低減できる圧力センサを提供することである。 An object of the present invention is to provide a pressure sensor capable of reducing bolting shift without increasing the size of the base body.
この目的を達成するために本発明に係る圧力センサは、被測定流体の圧力が伝達される導圧口を有するセンサ用取付座にシール部材を介して重ねられて締結部材によって締結されたベースボディと、半導体ダイアフラムを有し、前記ベースボディにおける前記センサ用取付座とは反対側の外端部に接着されたセンサチップと、前記ベースボディの前記センサ用取付座と対向する内端部に設けられ、前記被測定流体の圧力を受けるバリアダイアフラムが壁の一部となるように形成されて前記被測定流体とは仕切られた受圧室と、前記受圧室から前記センサチップの内部まで延びるように形成され、圧力伝達用の液体で満たされた導圧路とを備え、前記導圧路に前記液体を注入する注入口は前記センサチップに設けられているものである。 In order to achieve this object, the pressure sensor according to the present invention is a base body that is superposed on a sensor mounting seat having a pressure guiding port through which the pressure of the fluid to be measured is transmitted via a seal member and fastened by a fastening member. A sensor chip having a semiconductor diaphragm and bonded to an outer end portion of the base body opposite to the sensor mounting seat, and an inner end portion of the base body facing the sensor mounting seat. The barrier diaphragm that receives the pressure of the fluid to be measured is formed so as to be a part of the wall so as to extend from the pressure receiving chamber to the inside of the sensor chip and the pressure receiving chamber separated from the fluid to be measured. A pressure guiding path formed and filled with a liquid for pressure transmission is provided, and an injection port for injecting the liquid into the pressure guiding path is provided in the sensor chip.
本発明は、前記圧力センサにおいて、前記センサチップは、前記半導体ダイアフラムによって仕切られた第1の圧力室および第2の圧力室と、前記前記半導体ダイアフラムの厚み方向に延びる第1の通路孔および第2の通路孔と、前記第1の通路孔と前記第1の圧力室とを連通する第1の連通路と、前記第2の通路孔と前記第2の圧力室とを連通する第2の連通路とを有し、前記バリアダイアフラムと、前記受圧室と、前記導圧路とは、それぞれ対をなすように設けられ、一方の前記バリアダイアフラムおよび前記受圧室と、前記導圧路とからなる第1の圧力伝達部が前記第1の通路孔の一端に接続され、他方の前記バリアダイアフラムおよび前記受圧室と、前記導圧路とからなる第2の圧力伝達部が前記第2の通路孔の一端に接続され、前記注入口は、前記第1の通路孔の他端と前記第2の通路孔の他端とによって構成されているとともに、液体が前記第1および第2の圧力伝達部と前記センサチップの内部に注入されている状態で栓部材によって閉塞されていてもよい。 In the present invention, in the pressure sensor, the sensor chip has a first pressure chamber and a second pressure chamber partitioned by the semiconductor diaphragm, and a first passage hole and a first passage hole extending in the thickness direction of the semiconductor diaphragm. The second passage hole, the first communication passage that communicates the first passage hole and the first pressure chamber, and the second passage that communicates the second passage hole and the second pressure chamber. The barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path are provided so as to be paired with each other, and the barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path are provided from one of the barrier diaphragms, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path. A first pressure transmission unit is connected to one end of the first passage hole, and a second pressure transmission unit including the other barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path is the second passage. Connected to one end of the hole, the inlet is composed of the other end of the first passage hole and the other end of the second passage hole, and the liquid transmits the first and second pressures. It may be closed by a plug member while being injected into the portion and the inside of the sensor chip.
本発明によれば、ベースボディに圧力伝達用の液体を注入するための封止孔を設ける必要がないから、封止孔が設けられていることにより生じる、ベースボディの剛性低下を抑えることが可能になる。このため、締結部材でベースボディをセンサ用取付座に締結したときのベースボディの変形に伴うセンサチップの変形を抑制することができる。このようにベースボディの歪みを抑えるにあたっては、ベースボディの厚みを厚く形成する必要はない。
したがって、ベースボディが大型化することなくボルティングシフトを低減できる圧力センサを提供することができる。
According to the present invention, since it is not necessary to provide a sealing hole for injecting a liquid for pressure transmission into the base body, it is possible to suppress a decrease in rigidity of the base body caused by the provision of the sealing hole. It will be possible. Therefore, it is possible to suppress the deformation of the sensor chip due to the deformation of the base body when the base body is fastened to the sensor mounting seat with the fastening member. In order to suppress the distortion of the base body in this way, it is not necessary to form the base body thick.
Therefore, it is possible to provide a pressure sensor that can reduce the bolting shift without increasing the size of the base body.
以下、本発明に係る圧力センサの一実施の形態を図1~図5を参照して詳細に説明する。この実施の形態においては、被測定流体の流量を測定するために用いられる圧力センサに本発明を適用する場合の一例を示す。 Hereinafter, an embodiment of the pressure sensor according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5. In this embodiment, an example of applying the present invention to a pressure sensor used for measuring the flow rate of the fluid to be measured is shown.
図1に示す圧力センサ21は、差圧式マスフローコントローラ22の層流素子23に取付けられている。差圧式マスフローコントローラ22は、流体通路24を形成する通路形成部材25と、流体の流量を調整するバルブ26と、流体が層流となって流れる層流素子23とを備えている。層流素子23には、層流素子内の上流側の流体の圧力と、下流側の流体の圧力とを検出するために、本発明に係る圧力センサ21が取付けられている。
The
圧力センサ21は、図2に示すように、層流素子23のセンサ用取付座31に取付けられている。センサ用取付座31には、層流素子23内の上流側に連通された一次側導圧口32と、層流素子23内の下流側に連通された二次側導圧口33が開口している。一次側導圧口32には、層流素子23内の上流側を流れる被測定流体34の圧力が伝達される。二次側導圧口33には、層流素子23内の下流側を流れる被測定流体34の圧力が伝達される。
As shown in FIG. 2, the
センサ用取付座31と圧力センサ21との間には、2個のメタルOリング35,36とスペーサ37とが設けられている。メタルOリング35,36は、円環状の金属材料からなるパイプによって構成されており、一次側導圧口32と二次側導圧口33とに対してそれぞれ同心円状に位置するように配置されている。この実施の形態においては、メタルOリング35,36が本発明でいう「シール部材」に相当する。スペーサ37は、メタルOリング35,36の外側に形成される隙間を塞ぐように設けられている。
Two metal O-
圧力センサ21は、センサ用取付座31にメタルOリング35,36を介して重ねられたベースボディ41と、ベースボディ41におけるセンサ用取付座31とは反対側の外端部41aに接着されたセンサチップ42とを備えている。
ベースボディ41は、複数の取付用ボルト43によってセンサ用取付座31に締結されている。取付用ボルト43は、頭部43aがベースボディ41の外端部41aをセンサ用取付座31に向けて押圧する状態で締め付けられている。
The
The
ベースボディ41のセンサ用取付座31と対向する内端部41bであって、一次側導圧口32と対応する位置には、バリアダイアフラム44が壁の一部となる一次側受圧室45が形成されている。また、ベースボディ41のセンサ用取付座31と対向する内端部41bであって、二次側導圧口33と対応する位置には、バリアダイアフラム46が壁の一部となる二次側受圧室47が形成されている。二つのバリアダイアフラム44,46および一次側受圧室45と二次側受圧室47とは、それぞれ一次側導圧口32と二次側導圧口33とが並ぶ方向に対をなすように設けられている。
A primary side
バリアダイアフラム44,46は、金属材料によって円板状に形成され、センサ用取付座31に向けて露出する状態でベースボディ41の内端部41bに外周部が液密となるように固着されている。このため、バリアダイアフラム44,46は、被測定流体34の圧力を受けるようになるとともに、一次側受圧室45内および二次側受圧室47内を被測定流体34に対して仕切る。
The barrier diaphragms 44 and 46 are formed in a disk shape by a metal material, and are fixed to the
一次側受圧室45は、ベースボディ41の内部に形成された一次側導圧路51に接続されている。二次側受圧室47は、ベースボディ41の内部に形成された二次側導圧路52に接続されている。これらの一次側導圧路51と二次側導圧路52は、一次側導圧口32と二次側導圧口33とが並ぶ方向に対をなすように設けられており、それぞれベースボディ41を内端部41bから外端部41aまで貫通するように形成されている。また、一次側導圧路51と二次側導圧路52は、圧力伝達用の液体53で満たされている。この液体53は、一次側受圧室45と二次側受圧室47にも充填されている。この実施の形態によるベースボディ41には、液体53を一次側導圧路51と二次側導圧路52とに注入するための封止孔は設けられていない。
The primary side
それぞれ対をなすように設けられているバリアダイアフラム44,46と、一次側受圧室45および二次側受圧室47と、一次側導圧路51および二次側導圧路52とのうち、一方のバリアダイアフラム44および一次側受圧室45と、一次側導圧路51とからなる第1の圧力伝達部54は、後述するセンサチップ42の第1の通路孔55(図4参照)の一端(図4においては下端)に接続されている。
One of the
また、他方のバリアダイアフラム46および二次側受圧室47と、二次側導圧路52とからなる第2の圧力伝達部56は、後述するセンサチップ42の第2の通路孔57(図5参照)の一端(図5においては下端)に接続されている。
ベースボディ41の外端部41aには、センサチップ42と図示していない外部の検出回路とを電気的に接続するために中継基板58とコネクタ59とが設けられている。
Further, the second
The
センサチップ42は、図3に示すように平面視において長方形状に形成されており、図4および図5に示すように複数の板状の部材を積み重ねて形成されている。以下において、センサチップ42の各部材を説明するうえで厚み方向を示す際は、便宜上、図4および図5の上側を板状の部材の上側として行う。
The
センサチップ42は、図4および図5において最も下に描かれている基台61と、基台61の上面に接合された流路部材62と、流路部材62の上面に接合された感圧部材63と、感圧部材63の上面に接合された蓋部材64と、蓋部材64の上面に接合された対称性調整部材65とによって構成されている。基台61はガラスによって形成され、流路部材62と、感圧部材63と、蓋部材64と、対称性調整部材65は、それぞれシリコンによって形成されている。センサチップ42の幅方向(図3~図5においては左右方向)の中央部には、上述した複数の板状部材を上下方向に貫通する第1の通路孔55と第2の通路孔57とが穿設されている。
The
第1の通路孔55の一端(基台61側であって、図4においては下端)は、センサチップ42がベースボディ41に接着されることにより一次側導圧路51に接続される。第1の通路孔55の他端は、圧力伝達用の液体53が注入された後に栓部材66によって閉塞される。栓部材66は、例えば、熱によって溶融し、冷却されて凝固することにより対称性調整部材65に固着されるものを用いることができる。第1の通路孔55が圧力伝達用の液体53で満たされることにより、一次側導圧口32内の被測定流体34の圧力が第1の圧力伝達部54を介してセンサチップ42内に伝達されるようになる。
One end of the first passage hole 55 (on the base 61 side, the lower end in FIG. 4) is connected to the primary side
第2の通路孔57の一端(基台61側であって、図5においては下端)は、センサチップ42がベースボディ41に接着されることにより二次側導圧路52に接続される。第2の通路孔57の他端は、圧力伝達用の液体53が注入された後に栓部材67によって閉塞される。栓部材67は、上述した栓部材66と同一のものである。第2の通路孔57が圧力伝達用の液体53で満たされることにより、二次側導圧口33内の被測定流体34の圧力が第2の圧力伝達部56を介してセンサチップ42内に伝達されるようになる。この実施の形態においては、一次側導圧路51および二次側導圧路52と、第1の通路孔55および第2の通路孔57とが本発明でいう「導圧路」に相当する。
One end of the second passage hole 57 (on the base 61 side, the lower end in FIG. 5) is connected to the secondary side
この実施の形態によるセンサチップ42は、第1~第4の機能部を有している。
第1の機能部は、図4および図5においてセンサチップ42の左側に感圧部材63と蓋部材64とを用いて構成された差圧計測部71である。差圧計測部71は、感圧部材63に形成された第1の半導体ダイアフラム72と、第1の半導体ダイアフラム72によって仕切られた第1の圧力室73および第2の圧力室74とを有している。第1の半導体ダイアフラム72は、感圧部材63に下方に向けて開口するように形成された第1の凹陥部75の底によって構成されている。上述した第1および第2の通路孔55,57は、第1の半導体ダイアフラム72の厚み方向に延びている。
The
The first functional unit is a differential
この実施の形態においては、第1の半導体ダイアフラム72が本発明でいう「半導体ダイアフラム」に相当する。第1の半導体ダイアフラム72の上面には、図3に示すように複数の歪みゲージ76が設けられている。歪みゲージ76は、例えば不純物拡散またはイオン打ち込みの技術によって形成されたピエゾ抵抗素子を用いることができる。歪みゲージ76は、図示していない配線によって中継基板58に電気的に接続されている。
In this embodiment, the
第1の圧力室73は、第1の凹陥部75の開口が流路部材62によって閉塞されることにより形成されている。第1の圧力室73は、感圧部材63に形成された溝からなる第1の連通路77を介して第1の通路孔55に接続されており、第1の通路孔55とともに圧力伝達用の液体53で満たされる。
第2の圧力室74は、蓋部材64に下方に向けて開口するように形成された第2の凹陥部78の開口が感圧部材63により閉塞されることによって形成されている。第2の圧力室74は、蓋部材64に形成された溝からなる第2の連通路79を介して第2の通路孔57に接続されており、第2の通路孔57とともに圧力伝達用の液体53で満たされる。このため、差圧計測部71においては、一次側導圧口32内の被測定流体34の圧力と、二次側導圧口33内の被測定流体34の圧力との差圧を計測することができる。
The
The
第2の機能部は、図4および図5においてセンサチップ42の右側に感圧部材63と蓋部材64とを用いて構成された絶対圧計測部81である。絶対圧計測部81は、感圧部材63に形成された第2の半導体ダイアフラム82と、第2の半導体ダイアフラム82によって仕切られた第1の真空室83および第3の圧力室84とを有している。第2の半導体ダイアフラム82は、感圧部材63に下方に向けて開口するように形成された第3の凹陥部85の底によって構成されている。第2の半導体ダイアフラム82の上面には、図3に示すように複数の歪みゲージ86が設けられている。これらの歪みゲージ86は、第1の半導体ダイアフラム72に設けられている歪みゲージ76と同様に形成され、中継基板58に図示していない配線を介して電気的に接続されている。
The second functional unit is an absolute
第1の真空室83は、第3の凹陥部85の開口が流路部材62によって閉塞されることにより形成されている。第1の真空室83は、真空状態で密封されている。
第3の圧力室84は、蓋部材64に下方に向けて開口するように形成された第4の凹陥部87の開口が感圧部材63により閉塞されることによって形成されている。第3の圧力室84は、蓋部材64に形成された溝からなる第3の連通路88を介して第1の通路孔55に接続されている。第3の圧力室84と第3の連通路88に圧力伝達用の液体53が満たされることにより、一次側導圧口32内の被測定流体34の絶対圧を計測することができる。
The
The
第3の機能部は、差圧計測部71の上方に設けられたダミーダイアフラム部91である。ダミーダイアフラム部91は、第2の凹陥部78の底からなるダミーダイアフラム92と、対称性調整部材65に設けられた第2の真空室93とによって構成されている。第2の真空室93は、対称性調整部材65に下方に向けて開口するように形成された第5の凹陥部94の開口が蓋部材64により閉塞されることによって形成されている。第2の真空室93内は、真空状態で密封されている。
ダミーダイアフラム部91がセンサチップ42に設けられていることにより、第1の通路孔55を含む圧力伝達路と、第2の通路孔57を含む圧力伝達路とが対称構造となるから、差圧と絶対圧とを同時に、しかも高感度に計測することができる。
The third functional unit is a
Since the
第4の機能部は、絶対圧計測部81の上方に設けられた液量調整部95である。液量調整部95は、対称性調整部材65に設けられた所定の広さの液室96によって構成されている。液室96は、対称性調整部材65に下方へ向けて開口するように形成された第6の凹陥部97の開口が蓋部材64により閉塞されることによって形成されている。
液室96は、対称性調整部材65に形成された溝からなる第4の連通路98を介して第2の通路孔57に接続されている。液室96の容積は、第1の通路孔55を含む圧力伝達路に充填された液体53の量と、第2の通路孔57を含む圧力伝達路に充填された液体53の量とが等しくなるような容積である。これらの二つの圧力伝達路内の液体53の量を同一、もしくは液体53の量の差を所定値より小さくすることにより、温度変化による液体53の膨張・収縮による特性変化(差圧のゼロ点のシフト)を低減することができる。
The fourth functional unit is a liquid
The
第1の通路孔55と第2の通路孔57に圧力伝達用の液体53を注入する作業は、栓部材66,67を対称性調整部材65に固着する以前に行われる。この注入作業は、第1の通路孔55と第2の通路孔57の上端の開口101,102にそれぞれ液体53を注入して行われる。第1および第2の通路孔55,57の上端の開口101,102が本発明でいう「注入口」に相当する。第1および第2の通路孔55,57の開口101,102に注入された圧力伝達用の液体53は、第1および第2の通路孔55,57から一次側導圧路51および二次側導圧路52を経て一次側受圧室45および二次側受圧室47まで達する。注入作業が終了した後に、第1および第2の通路孔55,57の開口101,102を栓部材66,67によって閉塞する。すなわち、開口101,102は、圧力伝達用の液体53が第1および第2の圧力伝達部54,56とセンサチップ42の内部とに注入されている状態で栓部材66,67によって閉塞される。
The work of injecting the liquid 53 for pressure transmission into the
したがって、この実施の形態による圧力センサ21においては、ベースボディ41に圧力伝達用の液体53を注入するための封止孔を設ける必要がないから、封止孔が設けられていることにより生じる、ベースボディ41の剛性低下を抑えることが可能になる。このため、ベースボディ41を取付用ボルト43でセンサ用取付座31に締結したときのベースボディ41の変形に伴うセンサチップ42の変形を抑制することができる。このようにベースボディ41の歪みを抑えるにあたっては、ベースボディ41の厚みを厚く形成する必要はない。
したがって、ベースボディ41が大型化することなくボルティングシフトを低減できる圧力センサを提供することができる。
Therefore, in the
Therefore, it is possible to provide a pressure sensor capable of reducing the bolting shift without increasing the size of the
上述した各実施の形態においては、差圧式マスフローコントローラ22に使用する圧力センサに本発明を適用する場合の例を示した。しかし、本発明はこのような限定にとらわれることはなく、センサ用取付座に締結部材で締結されるものであれば、どのような圧力センサにも適用することができる。
In each of the above-described embodiments, an example of applying the present invention to the pressure sensor used in the differential pressure type
21…圧力センサ、31…センサ用取付座、32…一次側導圧口、33…二次側導圧口、34…被測定流体、35,36…メタルOリング(シール部材)、41…ベースボディ41、41a…外端部、41b…内端部、42…センサチップ42、43…取付用ボルト(締結部材)、44,46…バリアダイアフラム、45…一次側受圧室、47…二次側受圧室、51…一次側導圧路、52…二次側導圧路、53…圧力伝達用の液体、54…第1の圧力伝達部、55…第1の通路孔、56…第2の圧力伝達部、57…第2の通路孔、66,67…栓部材、72…第1の半導体ダイアフラム(半導体ダイアフラム)、73…第1の圧力室、74…第2の圧力室、77…第1の連通路、79…第2の連通路、101,102…開口(注入口)。
21 ... Pressure sensor, 31 ... Sensor mounting seat, 32 ... Primary side pressure guiding port, 33 ... Secondary side pressure guiding port, 34 ... Measured fluid, 35, 36 ... Metal O-ring (seal member), 41 ...
Claims (2)
半導体ダイアフラムを有し、前記ベースボディにおける前記センサ用取付座とは反対側の外端部に接着されたセンサチップと、
前記ベースボディの前記センサ用取付座と対向する内端部に設けられ、前記被測定流体の圧力を受けるバリアダイアフラムが壁の一部となるように形成されて前記被測定流体とは仕切られた受圧室と、
前記受圧室から前記センサチップの内部まで延びるように形成され、圧力伝達用の液体で満たされた導圧路とを備え、
前記導圧路に前記液体を注入する注入口は前記センサチップに設けられていることを特徴とする圧力センサ。 A base body that is overlapped with a sealing member and fastened by a fastening member on a sensor mounting seat having a pressure guiding port through which the pressure of the fluid to be measured is transmitted.
A sensor chip having a semiconductor diaphragm and bonded to an outer end portion of the base body opposite to the sensor mounting seat.
A barrier diaphragm provided at the inner end of the base body facing the sensor mounting seat and receiving the pressure of the fluid to be measured is formed so as to be a part of the wall and separated from the fluid to be measured. The pressure receiving chamber and
It is provided with a pressure guiding path formed so as to extend from the pressure receiving chamber to the inside of the sensor chip and filled with a liquid for pressure transmission.
A pressure sensor characterized in that an injection port for injecting the liquid into the pressure guiding path is provided in the sensor chip.
前記センサチップは、
前記半導体ダイアフラムによって仕切られた第1の圧力室および第2の圧力室と、
前記半導体ダイアフラムの厚み方向に延びる第1の通路孔および第2の通路孔と、
前記第1の通路孔と前記第1の圧力室とを連通する第1の連通路と、
前記第2の通路孔と前記第2の圧力室とを連通する第2の連通路とを有し、
前記バリアダイアフラムと、前記受圧室と、前記導圧路とは、それぞれ対をなすように設けられ、
一方の前記バリアダイアフラムおよび前記受圧室と、前記導圧路とからなる第1の圧力伝達部が前記第1の通路孔の一端に接続され、
他方の前記バリアダイアフラムおよび前記受圧室と、前記導圧路とからなる第2の圧力伝達部が前記第2の通路孔の一端に接続され、
前記注入口は、前記第1の通路孔の他端と前記第2の通路孔の他端とによって構成されているとともに、前記液体が前記第1および第2の圧力伝達部と前記センサチップの内部とに注入されている状態で栓部材によって閉塞されていることを特徴とする圧力センサ。 In the pressure sensor according to claim 1,
The sensor chip is
A first pressure chamber and a second pressure chamber partitioned by the semiconductor diaphragm,
A first passage hole and a second passage hole extending in the thickness direction of the semiconductor diaphragm,
A first communication passage connecting the first passage hole and the first pressure chamber,
It has a second communication passage that communicates the second passage hole and the second pressure chamber.
The barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path are provided so as to form a pair.
A first pressure transmitting portion including one of the barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path is connected to one end of the first passage hole.
A second pressure transmitting portion including the other barrier diaphragm, the pressure receiving chamber, and the pressure guiding path is connected to one end of the second passage hole.
The injection port is composed of the other end of the first passage hole and the other end of the second passage hole, and the liquid is supplied to the first and second pressure transmission portions and the sensor chip. A pressure sensor characterized in that it is closed by a plug member while being injected into and inside.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020137812A JP2022034155A (en) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2020137812A JP2022034155A (en) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | Pressure sensor |
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JP2022034155A true JP2022034155A (en) | 2022-03-03 |
Family
ID=80442070
Family Applications (1)
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JP2020137812A Pending JP2022034155A (en) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | Pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2022034155A (en) |
-
2020
- 2020-08-18 JP JP2020137812A patent/JP2022034155A/en active Pending
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