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JP2022015867A5 - - Google Patents

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図15は、高性能な電力制御器を用いてハロゲンランプ103の入力電力を制御した場合の、半導体基板W1の主面W1aの温度の時間変化の一例を示すグラフである。図15に示すように、上述のような制御をした場合でもオーバーシュートは生じるため、点灯を 開始してから温度が安定するまでには時間T2を要する。図15は、比較のために、図14に示すグラフが破線で併記されている。
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