JP2022069032A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学部品の汚染リスクを事前に検知し、トラブルを未然に防ぐことが可能なレーザー加工装置を提供すること。【解決手段】レーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、レーザー発振器と、レーザー発振器から発振されたレーザービーム21を集光する集光器と、レーザービーム21をレーザー発振器から集光器へと導く光学部品とを備え、レーザービーム21の光路211中に存在するパーティクル212によって生じる光213を受光可能な位置に配設された光検知ユニット26を有し、レーザー発振器から発振したレーザービーム21を被加工物に集光照射して被加工物に加工を施しつつ、光検知ユニット26で受光したパーティクル212によって生じる光213の受光量に基づいてレーザービーム21の光路211中に存在するパーティクル212を検知することが可能である。【選択図】図3
Description
本発明は、レーザー加工装置に関する。
半導体ウエーハのような被加工物をチップ化するために、被加工物の表面に設定されたストリートに沿ってレーザービームを照射するレーザー加工装置が用いられる(例えば、特許文献1参照)。
このようなレーザー加工装置は、レーザー発振器を備えており、このレーザー発振器から発振したレーザービームを複数の光学部品を用いて集光レンズへと導き、被加工物に集光照射することで、加工を行っている。
特許文献1等に示されたレーザー加工装置で用いられる光学部品にパーティクル等が付着し汚染すると、加工点における出力低下やレーザービーム形状の歪みなどに直結する。従って、レーザー加工装置は、これらの光学部品を外部から隔離された箱の内部に配設している。
しかしながら、特許文献1等に示されたレーザー加工装置は、箱の内部に配置されている部品から発生するパーティクルや、僅かな隙間から箱の内部に侵入するパーティクルなどはふせぐことができず、箱の密閉度を上げたり汚染物質を排除するなどしてトラブルは減少しているものの、実際に問題が発生してからでないと発見できないという問題があった。
本願発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学部品の汚染リスクを事前に検知し、トラブルを未然に防ぐことが可能なレーザー加工装置を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、レーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザービームを集光する集光器と、該レーザービームを該レーザー発振器から該集光器へと導く光学部品と、を備え、該チャックテーブルに保持された被加工物と該レーザービームの集光点とを相対的に移動させることで、被加工物に加工を施すレーザー加工装置であって、該レーザービームの光路中に存在するパーティクルによって生じる光を受光可能な位置に配設された光検知ユニットを有し、該レーザー発振器から発振したレーザービームを被加工物に集光照射して被加工物に加工を施しつつ、該光検知ユニットで受光したパーティクルによって生じる光の受光量に基づいてレーザービームの光路中に存在するパーティクルを検知することが可能なことを特徴とする。
本発明は、光学部品の汚染リスクを事前に検知し、トラブルを未然に防ぐことが可能になるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るレーザー加工装置を図面に基づいて説明する。まず、実施形態1に係るレーザー加工装置1の構成を説明する。図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。実施形態1に係る図1に示すレーザー加工装置1は、被加工物200に対してパルス状のレーザービーム21を照射し、被加工物200に対してレーザー加工(加工に相当)を施す装置である。
本発明の実施形態1に係るレーザー加工装置を図面に基づいて説明する。まず、実施形態1に係るレーザー加工装置1の構成を説明する。図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。実施形態1に係る図1に示すレーザー加工装置1は、被加工物200に対してパルス状のレーザービーム21を照射し、被加工物200に対してレーザー加工(加工に相当)を施す装置である。
(被加工物)
図1に示されたレーザー加工装置1の加工対象である被加工物200は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板201を有する円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物200は、基板201の表面202に交差するストリート203が複数設定され、ストリート203によって区画された領域にデバイス204が形成されている。
図1に示されたレーザー加工装置1の加工対象である被加工物200は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板201を有する円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物200は、基板201の表面202に交差するストリート203が複数設定され、ストリート203によって区画された領域にデバイス204が形成されている。
デバイス204は、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサである。
また、実施形態1において、被加工物200は、被加工物200の外径よりも大径な円板状でかつ外縁部に環状のフレーム207が貼着された粘着テープ208が裏面205に貼着されて、フレーム207の開口209内に支持される。
実施形態1において、被加工物200は、粘着テープ208によりフレーム207の開口209内に支持された状態で、レーザー加工装置1によりレーザー加工が施されるなどして、ストリート203に沿って個々のデバイスチップ206に分割される。なお、デバイスチップ206は、基板201の一部分とデバイス204とを含んでいる。
(レーザー加工装置)
レーザー加工装置1は、被加工物200に対して、ストリート203に沿ってレーザービーム21を照射して、被加工物200にレーザー加工を施す装置である。レーザー加工装置1は、図1に示すように、被加工物200を保持する保持面11を有するチャックテーブル10と、レーザービーム照射ユニット20と、移動ユニット30と、撮像ユニット40と、制御ユニット100とを備える。
レーザー加工装置1は、被加工物200に対して、ストリート203に沿ってレーザービーム21を照射して、被加工物200にレーザー加工を施す装置である。レーザー加工装置1は、図1に示すように、被加工物200を保持する保持面11を有するチャックテーブル10と、レーザービーム照射ユニット20と、移動ユニット30と、撮像ユニット40と、制御ユニット100とを備える。
チャックテーブル10は、被加工物200を水平方向と平行な保持面11で保持する。保持面11は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル10は、保持面11上に載置された被加工物200を吸引保持する。チャックテーブル10の周囲には、被加工物200を開口209内に支持するフレーム207を挟持するクランプ部12が複数配置されている。
また、チャックテーブル10は、移動ユニット30の回転移動ユニット34により保持面11に対して直交しかつ鉛直方向と平行なZ軸方向と平行な軸心回りに回転される。チャックテーブル10は、回転移動ユニット34とともに、移動ユニット30のX軸移動ユニット31により水平方向と平行なX軸方向に移動されかつY軸移動ユニット32により水平方向と平行でかつX軸方向と直交するY軸方向に移動される。チャックテーブル10は、移動ユニット30によりレーザービーム照射ユニット20の下方の加工領域と、レーザービーム照射ユニット20の下方から離れて被加工物200が搬入、搬出される搬入出領域とに亘って移動される。
レーザービーム照射ユニット20は、チャックテーブル10に保持された被加工物200に対してパルス状のレーザービーム21を照射するユニットである。実施形態1では、レーザービーム照射ユニット20は、被加工物200に対して吸収性を有する波長又は被加工物200に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザービーム21を照射して、被加工物200にレーザー加工を施すレーザービーム照射手段である。
実施形態1では、レーザービーム照射ユニット20の一部は、図1に示すように、装置本体2から立設した立設壁3に設けられた移動ユニット30のZ軸移動ユニット33によりZ軸方向に移動される昇降部材4に支持されている。
次に、レーザービーム照射ユニット20の構成を説明する。図2は、図1に示されたレーザー加工装置のレーザービーム照射ユニットの概略の構成を説明する説明図である。レーザービーム照射ユニット20は、図2に示すように、光学部品収容ボックス22と、被加工物200を加工するためのパルス状のレーザービーム21を発振するレーザー発振器23と、チャックテーブル10の保持面11に保持された被加工物200にレーザー発振器23から発振されたレーザービーム21を集光する集光器24と、レーザー発振器23と集光器24との間のレーザービーム21の光路211上に設けられかつレーザー発振器23が発振したレーザービーム21をレーザー発振器23から集光器24へと導く少なくとも一つの光学部品25と、光検知ユニット26とを備える。
集光器24は、チャックテーブル10の保持面11とZ軸方向に対向する位置に配置された集光レンズ28を備える。集光レンズ28は、レーザー発振器23から発振されたレーザービーム21を透過して、レーザービーム21を集光点21-1に集光する。実施形態1では、レーザービーム照射ユニット20は、光学部品25として、レーザービーム21を反射するミラーを複数備えているが、本発明では、光学部品25は、ミラーに限定されない。
光学部品収容ボックス22は、内側が密閉された箱状に形成されている。実施形態1では、光学部品収容ボックス22は、光学部品25と、光検知ユニット26とを収容している。
光検知ユニット26は、光学部品収容ボックス22のレーザービーム21の光路211中に存在するパーティクル212によって生じる光213を受光可能な位置に配設されている。光検知ユニット26は、パーティクル212によって生じる光213をレンズ27を介して受光する。実施形態1では、光検知ユニット26は、パーティクル212によって生じる光213として、パーティクル212によりレーザービーム21が散乱して生成される散乱光と、レーザービーム21によりパーティクル212が放出する蛍光との少なくともいずれかを受光する。
実施形態1では、光検知ユニット26は、受光したパーティクル212によって生じる光213の受光量により変化する電圧値を制御ユニット100に出力するフォトダイオードであるが、本発明では、フォトダイオードに限定されずに、例えば、CCD(Charge Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)撮像素子等の撮像素子を備えた撮像ユニットでも良い。なお、光検知ユニット26が出力する電圧値は、パーティクル212によって生じる光213の受光量が多くなると高くなり、受光量が少なくなると低くなる。
移動ユニット30は、レーザービーム照射ユニット20とチャックテーブル10とをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。X軸方向及びY軸方向は、保持面11と平行な方向である。移動ユニット30は、チャックテーブル10をX軸方向に移動させる加工送りユニットであるX軸移動ユニット31と、チャックテーブル10をY軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるY軸移動ユニット32と、レーザービーム照射ユニット20に含まれる集光器24をZ軸方向に移動させるZ軸移動ユニット33と、チャックテーブル10をZ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット34とを備える。
Y軸移動ユニット32は、チャックテーブル10と、レーザービーム照射ユニット20とを相対的に割り出し送りするユニットである。実施形態1では、Y軸移動ユニット32は、レーザー加工装置1の装置本体2上に設置されている。Y軸移動ユニット32は、X軸移動ユニット31を支持した移動プレート15をY軸方向に移動自在に支持している。
X軸移動ユニット31は、チャックテーブル10と、レーザービーム照射ユニット20とを相対的に加工送りするユニットである。X軸移動ユニット31は、移動プレート15上に設置されている。X軸移動ユニット31は、チャックテーブル10をZ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット34を支持した第2移動プレート16をX軸方向に移動自在に支持している。Z軸移動ユニット33は、立設壁3に設置され、昇降部材4をZ軸方向に移動自在に支持している。
X軸移動ユニット31、Y軸移動ユニット32及びZ軸移動ユニット33は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ、移動プレート15,16をX軸方向又はY軸方向に移動自在に支持するとともに、昇降部材4をZ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。
また、レーザー加工装置1は、チャックテーブル10のX軸方向の位置を検出するための図示しないX軸方向位置検出ユニットと、チャックテーブル10のY軸方向の位置を検出するための図示しないY軸方向位置検出ユニットと、レーザービーム照射ユニット20に含まれる集光器24のZ軸方向の位置を検出するZ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット100に出力する。
撮像ユニット40は、チャックテーブル10に保持された被加工物200を撮像するものである。撮像ユニット40は、チャックテーブル10に保持された被加工物200を撮像するCCD(Charge Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)撮像素子等の撮像素子を備える。実施形態1では、撮像ユニット40は、レーザービーム照射ユニット20の筐体の先端に取り付けられて、レーザービーム照射ユニット20の集光器24の集光レンズ28とX軸方向に並ぶ位置に配置されている。撮像ユニット40は、被加工物200を撮像して、被加工物200とレーザービーム照射ユニット20との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を得て、得た画像を制御ユニット100に出力する。
制御ユニット100は、レーザー加工装置1の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物200に対するレーザー加工動作をレーザー加工装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット100の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置1を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置1の上述した構成要素に出力して、制御ユニット100の機能を実現する。
また、制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット110と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニット110に設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。また、制御ユニット100は、情報を記憶可能な記憶部101を備える。記憶部101の機能は、前述した記憶装置により実現される。
次に、前述したレーザー加工装置1の加工動作を説明する。図3は、図1に示されたレーザー加工装置のレーザー加工中のパーティクルによって生じる光を光検知ユニットが受光する状態を模式的に示す図である。図4は、図3に示された光検知ユニットが受光した光の受光量の一例を示す図である。
前述した構成のレーザー加工装置1は、オペレータが入力ユニット等を操作して入力した加工条件を制御ユニット100が受け付け、粘着テープ208を介して搬入出領域に位置付けられたチャックテーブル10の保持面11に被加工物200が載置される。なお、加工条件は、レーザービーム21の出力、繰り返し周波数、加工送り速度であるチャックテーブル10のX軸方向の移動速度、集光点21-1のZ軸方向の位置などを含む。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、制御ユニット100が入力ユニットからオペレータの加工動作開始指示を受け付けると、加工動作を開始する。加工動作を開始すると、レーザー加工装置1は、被加工物200を粘着テープ208を介して、チャックテーブル10の保持面11に吸引保持し、クランプ部12でフレーム207をクランプする。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、移動ユニット30がチャックテーブル10を加工領域に向かって移動して、撮像ユニット40が被加工物200を撮影する。レーザー加工装置1が、撮像ユニット40が撮像して得た画像に基づいて、アライメントを遂行する。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、加工条件に基づいて、移動ユニット30がチャックテーブル10に保持された被加工物200と、レーザービーム照射ユニット20が照射するレーザービーム21の集光点21-1とをストリート203に沿って相対的に移動させながら、レーザービーム照射ユニット20がパルス状のレーザービーム21をストリート203に照射することで、被加工物200にレーザー加工を施す。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、レーザー発振器23から発振したレーザービーム21を被加工物200の加工条件で定められたZ軸方向の位置に集光させながら、レーザービーム21を被加工物200に照射して(即ち、集光照射して)、被加工物200にレーザー加工を施す。また、実施形態1において、レーザー加工装置1は、被加工物200にレーザー加工を施しつつ、光検知ユニット26が、図3に示すように、レーザービーム照射ユニット20の光学部品収容ボックス22内のパーティクル212によって生じる光213を受光する。光検知ユニット26が、受光した光213の受光量に応じた電圧値を制御ユニット100に出力する。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、制御ユニット100が、光検知ユニット26からの光213の受光量に応じた電圧値が図4に示された予め定められたしきい値300を超えた回数と、超えた際の電圧値とを1対1で対応付けた情報102を記憶部101に記憶する。なお、電圧値がしきい値300を超えた回数は、光学部品収容ボックス22内のパーティクル212の数に対応し、超えた際の電圧値は、パーティクル212の粒径に対応する。実施形態1では、しきい値300は、レーザー加工装置1がレーザー加工する際にトラブルを生じさせる恐れがある値である。
こうして、レーザー加工装置1は、光検知ユニット26からの光213の受光量に応じた電圧値が図4に示された予め定められたしきい値300を超えた回数と、超えた電圧値とを1対1で対応付けた情報102を記憶部101に記憶することで、光学部品収容ボックス22内のパーティクル212の数と、パーティクル212の粒径に対応した情報を記憶部101に記憶することとなる。また、レーザー加工装置1は、前述した情報102を記憶部101に記憶することで、光検知ユニット26で受光したパーティクル212によって生じる光213の受光量に基づいてレーザービーム21の光路211中に存在するパーティクル212を検知することが可能となる。なお、図4の横軸は、加工動作開始からの経過時間を示し、図4の縦軸は、光検知ユニット26からの電圧値を示している。
実施形態1において、レーザー加工装置1は、被加工物200の全てのストリート203にレーザービーム21を照射すると、レーザービーム21の照射を停止する。実施形態1においてレーザー加工装置1は、移動ユニット30がチャックテーブル10を搬入出領域に向かって移動し、チャックテーブル10を搬入出領域に停止し、チャックテーブル10が被加工物200の吸引保持を停止するとともに、クランプ部12がフレーム207のクランプを解除し、チャックテーブル10の保持面11から被加工物200が搬出されて、加工動作を終了する。
以上説明したように、実施形態1に係るレーザー加工装置1は、レーザービーム21の光路211中に存在するパーティクル212によって生じた光213を受光可能な位置に配設された光検知ユニット26を備えている。そのために、レーザー加工装置1は、光検知ユニット26でパーティクル212によって生じた光213を受光することで、光学部品25の汚染源となりうる光路211内のパーティクル212を検知することが可能となる。その結果、レーザー加工装置1は、光学部品25の汚染リスクを事前に検知し、加工不良などのトラブルの発生を未然に防ぐことが可能になる。
また、実施形態1に係るレーザー加工装置1は、被加工物200のレーザー加工中に前述した情報102を記憶部101に記憶するので、光路211内のトラブルを生じさせる恐れがあるパーティクル212の数とパーティクル212の粒径をレーザー加工中に把握することができる。
〔変形例〕
本発明の実施形態1の変形例に係るレーザー加工装置を図面に基づいて説明する。図5は、実施形態1の変形例に係るレーザー加工装置の制御ユニットが記憶部に記憶する情報を示す図である。変形例に係るレーザー加工装置1は、加工動作中に記憶部101に記憶する情報102-1が異なること以外、実施形態1と同じである。
本発明の実施形態1の変形例に係るレーザー加工装置を図面に基づいて説明する。図5は、実施形態1の変形例に係るレーザー加工装置の制御ユニットが記憶部に記憶する情報を示す図である。変形例に係るレーザー加工装置1は、加工動作中に記憶部101に記憶する情報102-1が異なること以外、実施形態1と同じである。
図5に示された変形例に係るレーザー加工装置1の制御ユニット100が記憶部101に記憶する情報102-1は、光検知ユニット26からの電圧値がしきい値300を超えた時(即ち、パーティクル212を検知した時)の電圧値と加工条件と時刻とを1対1で対応付けている。
変形例に係るレーザー加工装置1は、制御ユニット100が、しきい値300を超えた際の電圧値と加工条件と時刻とを1対1で対応付けた情報102-1を記憶部101に記憶するので、記憶部101に記憶した情報102-1を解析することによりパーティクル212の発生傾向を分析することが可能となり、パーティクル212発生の原因の究明が容易になる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、レーザー加工装置1は、しきい値300を超えた際に情報102,102-1を記憶することなく、エラーを発して加工動作を中断しても良い。この場合、レーザー加工装置1は、加工動作中のパーティクル212の発生をオペレータに速やかに認識させることができる。また。本発明では、光検知ユニット26とレンズ27との間に光213を透過する各種のフィルタ(紫外線フィルタ)を配置して、光213を光検知ユニット26に受光しても良い。
1 レーザー加工装置
10 チャックテーブル
11 保持面
21 レーザービーム
23 レーザー発振器
24 集光器
26 光検知ユニット
200 被加工物
211 光路
212 パーティクル
213 光
10 チャックテーブル
11 保持面
21 レーザービーム
23 レーザー発振器
24 集光器
26 光検知ユニット
200 被加工物
211 光路
212 パーティクル
213 光
Claims (1)
- 被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、
レーザー発振器と、
該レーザー発振器から発振されたレーザービームを集光する集光器と、
該レーザービームを該レーザー発振器から該集光器へと導く光学部品と、を備え、
該チャックテーブルに保持された被加工物と該レーザービームの集光点とを相対的に移動させることで、被加工物に加工を施すレーザー加工装置であって、
該レーザービームの光路中に存在するパーティクルによって生じる光を受光可能な位置に配設された光検知ユニットを有し、
該レーザー発振器から発振したレーザービームを被加工物に集光照射して被加工物に加工を施しつつ、該光検知ユニットで受光したパーティクルによって生じる光の受光量に基づいてレーザービームの光路中に存在するパーティクルを検知することが可能なレーザー加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020177962A JP2022069032A (ja) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | レーザー加工装置 |
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JP2020177962A JP2022069032A (ja) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | レーザー加工装置 |
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ID=81521626
Family Applications (1)
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-
2020
- 2020-10-23 JP JP2020177962A patent/JP2022069032A/ja active Pending
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