JP2022045188A

JP2022045188A - ガス回収装置、半導体製造システムおよびガス回収方法

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Publication number: JP2022045188A
Application number: JP2020150742A
Authority: JP
Inventors: 雄也松原; Yuya Matsubara
Original assignee: Kioxia Corp
Current assignee: Kioxia Corp
Priority date: 2020-09-08
Filing date: 2020-09-08
Publication date: 2022-03-18
Also published as: CN114146526A; US11766635B2; TW202210164A; CN114146526B; US20220072473A1; TWI773366B

Abstract

【課題】総流量が多いガスから回収対象ガスを効率的に回収することができるガス回収装置、半導体製造システムおよびガス回収方法を提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、ガス回収装置は、筐体と、チューブとを備える。筐体は、ガスが流入する流入口と、ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、ガスのうち第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられている。筐体は、第１排出口を介して内部が排気される。チューブは、筐体の内部において流入口から第２排出口まで設けられ、第１ガスの透過性が高く、第２ガスの透過性が低い。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、ガス回収装置、半導体製造システムおよびガス回収方法に関する。

半導体プロセスで生じた排気ガスは希少なヘリウムガスを含むが、防爆のための希釈ガスおよび無害化のための燃焼ガスが加わることで総流量が増加した排気ガスからヘリウムを回収することは困難である。

特開２０１９－１１８８６０号公報

総流量が多いガスから回収対象ガスを効率的に回収することができるガス回収装置、半導体製造システムおよびガス回収方法を提供する。

一の実施形態によれば、ガス回収装置は、筐体と、チューブとを備える。筐体は、ガスが流入する流入口と、ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、ガスのうち第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられている。筐体は、第１排出口を介して内部が排気される。チューブは、筐体の内部において流入口から第２排出口まで設けられ、第１ガスの透過性が高く、第２ガスの透過性が低い。

第１の実施形態による半導体製造システムを示す図である。第２の実施形態による半導体製造システムにおいて、ガス回収装置を示す図である。第３の実施形態による半導体製造システムにおいて、ガス回収装置を示す図である。第４の実施形態による半導体製造システムにおいて、ポンプを示す図である。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１から図４において、同一または類似する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１実施形態による半導体製造システム１を示す図である。図１に示すように、第１実施形態による半導体製造システム１は、プロセス装置２と、第１ポンプ３と、希釈ガス供給装置４と、除害装置５と、ガス回収ユニット６と、第２ポンプ７とを備える。

プロセス装置２は、回収対象ガスを含むプロセスガスを用いて半導体装置を製造し、半導体装置の製造によって生じた排気ガスを排出する。排気ガスは、プロセスガスのうち反応に用いられなかったガスや、プロセスガスの反応の結果生じた副生成ガスを含む。回収対象ガスは、例えば、希ガスである。希ガスは、ヘリウムガスであってもよい。排気ガスは、回収対象ガス以外にも、例えば、シランガス、アンモニアガス、アルゴンガス等を含む。

第１ポンプ３は、ガスの下流側において配管８を介してプロセス装置２に接続されている。第１ポンプ３は、プロセス装置２の内部を排気することでプロセス装置２から排気ガスを吸引し、吸引された排気ガスを下流側に排出する。

希釈ガス供給装置４は、ガスの下流側において配管８を介して第１ポンプ３に接続されている。希釈ガス供給装置４は、第１ポンプ３の下流の配管８上に設けられたバルブ４１と、バルブ４１に接続されたガス源４２とを有する。可燃ガスを含む排気ガスの防爆を確保するため、希釈ガス供給装置４は、バルブ４１を開いた状態でガス源４２から第１ポンプ３の下流の配管８に希釈ガスを供給することで、第１ポンプ３の下流の排気ガスを希釈する。希釈ガスは、例えば窒素ガスである。希釈ガス供給装置４から供給される希釈ガスの流量は、プロセス装置２から排出される排気ガスの流量よりも多くてもよい。

除害装置５は、ガスの下流側において配管８を介して希釈ガス供給装置４に接続されている。除害装置５は、希釈された排気ガスに対してガス源５１から酸素ガスを添加し、酸素ガスを用いて排気ガスを燃焼させる。排気ガスが燃焼することで、排気ガスから有害ガスが除去されて、排気ガスが無害化される。例えば、除害装置５は、排気ガスからシランガスおよびアンモニアガスを除去することで排気ガスを無害化する。除害装置５において排気ガスに添加される酸素ガスの流量は、プロセス装置２から排出される排気ガスの流量よりも多くてもよい。

ガス回収ユニット６は、ガスの下流側において配管８を介して除害装置５に接続されている。プロセス装置２から排出された排気ガスは、除害装置５から排出されるまでの間に他のガスが添加されることで総流量が増加されている。ガス回収ユニット６は、このような総流量が多い排気ガスから回収対象ガスを効率的に回収するために設けられている。

ガス回収ユニット６は、中空の筐体６１と、中空のガス分離チューブ６２とを備える。筐体６１には、流入口６１１と、第１排出口６１２と、第２排出口６１３とが設けられている。流入口６１１には、除害装置５から排出された排気ガスが流入する。第１排出口６１２は、流入口６１１に流入した排気ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する。第２排出口６１３は、流入口６１１に流入した排気ガスのうち第１ガス以外の第２ガスを排出する。第１ガスは、例えば、回収対象ガスとしてのヘリウムガスと、水蒸気と、酸素ガスとの混合ガスである。第２ガスは、例えば、窒素ガスと、二酸化炭素ガスと、アルゴンガスとの混合ガスである。筐体６１は、第１排出口６１２を介して内部が排気される。

ガス分離チューブ６２は、筐体６１の内部において流入口６１１から第２排出口６１３まで設けられている。すなわち、ガス分離チューブ６２は、ガスの上流側の一端が流入口６１１に接続され、ガスの下流側の一端が第２排出口６１３に接続されている。ガス分離チューブ６２（より具体的にはガス分離チューブ６２の側壁）は、第１ガスの透過性が高く、第２ガスの透過性が低い。第１ガスに対して高い透過性を有するとともに第２ガスに対して低い透過性を有することで、ガス分離チューブ６２は、第１ガスと第２ガスとを分離する。第１ガスは、第２ガスよりも分子サイズが小さいためにガス分離チューブ６２の透過性が高くてもよい。または、第１ガスは、第２ガスよりもガス分離チューブ６２との相互作用が弱いためにガス分離チューブ６２の透過性が高くてもよい。あるいは、第１ガスは、第２ガスよりも分子サイズが小さく、かつ、第２ガスよりもガス分離チューブ６２との相互作用が弱いためにガス分離チューブ６２の透過性が高くてもよい。

第１ガスを効率的に透過させるため、ガス分離チューブ６２は、多孔質材料で形成されている。多孔質材料は、有機材料であってもよい。有機材料は、フッ素樹脂であってもよい。例えば、ガス分離チューブ６２は、フッ素樹脂の一例であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で安価に形成されていてもよい。ＰＴＦＥで形成されたガス分離チューブ６２は、分子量が小さく拡散係数が高い、またはチューブ材への溶解度が高いガスを選択的に透過させやすい。

具体的には、ＰＴＦＥで形成されたガス分離チューブ６２は、複数のガスの混合ガスのうち、分子量が小さく拡散係数が大きいガス、または溶解度が高いガスを透過させやすい。例えば、ＰＴＦＥのヘリウムガスの透過係数（単位：cm³*cm*cm^-2*s^-1*cmHg^-1）は、１．９×１０^－９である。ＰＴＦＥの酸素ガスの透過係数は、４．２×１０^－１０である。ＰＴＦＥの水蒸気の透過係数は、３．６×１０^－８である。ＰＴＦＥの二酸化炭素ガスの透過係数は、１．２×１０^－９である。一方、ＰＴＦＥで形成されたガス分離チューブ６２は、混合ガスのうち、分子量が大きく拡散係数が小さいガス、または溶解度が低いガスは透過させづらい。具体的には、ＰＴＦＥの窒素ガスの透過係数は、１．４×１０^－１０である。

第２ポンプ７は、ガスの下流側において配管８を介してガス回収ユニット６に接続されている。第２ポンプ７は、第１排出口６１２を介して筐体６１の内部を排気することで、筐体６１の内部においてガス分離チューブ６２の外部がガス分離チューブ６２の内部よりも低圧になるようにガス分離チューブ６２の内部と外部との間に圧力差を生じさせる。回収対象ガスを効率よく回収する観点から、第２ポンプ７は、筐体６１の内部を真空状態になるように排気することが望ましい。ガス分離チューブ６２の内部と外部との間の圧力差によって、ガス分離チューブ６２内の排気ガスのうちガス分離チューブ６２の透過性が高い第１ガスは、ガス分離チューブ６２の内部から外部に透過して第１排出口６１２から排出される。一方、ガス分離チューブ６２の透過性が低い第２ガスは、ガス分離チューブ６２内に留まって第２排出口６１３側への進行を継続する。

第１ガスに含まれる回収対象ガスは、次式にしたがってガス分離チューブ６２の内部から外部に透過してもよい。
Ｖ＝（Ａ×ΔＰ×Ｌ×Ｓ）／ｄ（１）
但し、式（１）において、Ｖは、ガス分離チューブ６２に対する回収対象ガスの透過量（ｓｃｃｍ）である。Ａは、ガス分離チューブ６２に対する回収対象ガスの透過係数である。ΔＰは、ガス分離チューブ６２の内部と外部との間の圧力差である。Ｌは、ガス分離チューブ６２の長さである。Ｓは、ガス分離チューブ６２内のガス流路の断面積である。ｄは、ガス分離チューブ６２の内半径と外半径との差、すなわち、ガス分離チューブ６２の側壁の径方向の厚みである。

式（１）にしたがって、所望量Ｖの回収対象ガスを回収するためのガス分離チューブ６２の寸法Ｌ、Ｓ、ｄを設計することができる。

第２ポンプ７に対してガスの下流側には、図示しない回収対象ガスの精製ラインが接続されている。第２ポンプ７は、回収対象ガスの精製ラインに向けて第１ガスを排出する。例えば、第１ガスが回収対象ガスとしてのヘリウムガスと、水蒸気と、酸素ガスとの混合ガスである場合、精製ラインでは、水蒸気および酸素ガスをヘリウムガスから分離することでヘリウムガスを回収することができる。

以上の構成を有する半導体製造システム１において、第１ポンプ３による吸引力によってプロセス装置２から排出された排気ガスは、第１ポンプ３の下流側の流路において希釈ガス供給装置４から供給された希釈ガスによって希釈されて防爆が確保される。希釈ガスによって希釈されることで、排気ガスの総流量は増加する。

次いで、希釈された排気ガスは、除害装置５内に流入し、除害装置５内において、酸素ガスを用いて燃焼されることで無害化される。酸素ガスが添加されることで、排気ガスの総流量は更に増加する。

次いで、無害化された排気ガスは、流入口６１１を通ってガス回収ユニット６のガス分離チューブ６２内に流入する。第２ポンプ７による筐体６１内の排気によって、ガス分離チューブ６２の内部と外部との間には、ガス分離チューブ６２の外部が内部よりも低圧になるように圧力差が生じている。ガス分離チューブ６２内に流入した排気ガスは、第２排出口６１３に向かってガス分離チューブ６２内を進行する。

ガス分離チューブ６２内を進行する過程で、ガス分離チューブ６２内の排気ガスのうちガス分離チューブ６２の透過性が高い第１ガスは、ガス分離チューブ６２の内部と外部との圧力差によってガス分離チューブ６２の内部から外部に透過する。ガス分離チューブ６２を透過した第１ガスは、第２ポンプ７に吸引されて第１排出口６１２からガス回収ユニット６の外部に排出される。

一方、ガス分離チューブ６２内の排気ガスのうちガス分離チューブ６２の透過性が低い第２ガスは、ガス分離チューブ６２の内部と外部との圧力差によってもガス分離チューブ６２を透過しない。ガス分離チューブ６２を透過しない第２ガスは、第２排出口６１３からガス回収ユニット６の外部に排出される。

第１排出口６１２から排出された第１ガスは、第２ポンプ７によって回収対象ガスの精製ラインに向けて排出され、精製ラインにおいて回収対象ガスが分離されて回収される。

第１の実施形態によれば、筐体６１内の排気によって生じるガス分離チューブ６２の内部と外部との圧力差を駆動力として、ガス分離チューブ６２内の排気ガスのうちガス分離チューブ６２に対する透過性が高い第１ガスを選択的にガス分離チューブ６２から外部に透過させて第１排出口６１２から排出させることができる。これにより、総流量が多い排気ガスから第１ガスに含まれた回収対象ガスを効率的に回収することができる。

（第２の実施形態）
次に、ガス分離チューブ６２を螺旋状に設ける第２の実施形態について説明する。図２は、第２の実施形態による半導体製造システム１において、ガス回収ユニット６を示す図である。

図２に示すように、第２の実施形態のガス回収ユニット６においては、ガス分離チューブ６２が流入口６１１から第２排出口６１３まで螺旋状に設けられている。

ガス分離チューブ６２が螺旋状に設けられていることで、筐体６１内の制約されたスペースにおいて、無理のない構成でガス分離チューブ６２の表面積を大きくすることができる。ガス分離チューブ６２の表面積を大きくすることで、ガス分離チューブ６２内における排気ガスの滞在期間を長くすることができる。ガス分離チューブ６２内における排気ガスの滞在期間を長くすることで、ガス分離チューブ６２を透過せずに第２排出口６１３から排出されてしまう第１ガスの量を抑えることができる。これにより、総流量が多い排気ガスから回収対象ガスを更に効率的に回収することができる。

（第３の実施形態）
次に、ガス分離チューブ６２を折り返し部を有するように設ける第３の実施形態について説明する。図３は、第３の実施形態による半導体製造システム１において、ガス回収ユニット６を示す図である。

図３に示すように、第３の実施形態のガス回収ユニット６においては、ガス分離チューブ６２が流入口６１１から第２排出口６１３まで折り返し部を有するように設けられている。

ガス分離チューブ６２が折り返し部を有するように設けられていることで、第２の実施形態と同様に、筐体６１内の制約されたスペースにおいて無理のない構成でガス分離チューブ６２の表面積を大きくすることができる。これにより、総流量が多い排気ガスから回収対象ガスを更に効率的に回収することができる。

（第４の実施形態）
次に、第２ポンプ７のシールガスとして回収対象ガスと同種のガスを用いる第４の実施形態について説明する。図４は、第４の実施形態による半導体製造システム１において、第２ポンプ７を示す図である。

第２ポンプ７は、ガス流路のシールに油や液体ではなくガスを使用するドライポンプである。具体的には、図４に示すように、第２ポンプ７は、筐体７１と、筐体７１の内部に配置されたポンプ本体７２と、ガスの上流側および下流側においてポンプ本体７２に接続された配管７３とを有する。ポンプ本体７２は、例えば、ケーシングと、ケーシング内に収容され、回転動作によって第１ガスを吸排するロータと、ロータを回転する動力を発生させるモータとを有する。モータによる振動によって配管７３とポンプ本体７２との連結部が緩んで配管７３から第１ガスが漏れることを抑制するため、筐体７１内には、ガス源７４からシールガスが供給される。シールガスは、配管７３とポンプ本体７２との連結部に供給されることで連結部から外部に第１ガスが漏れることを抑制する。

シールガスとしては、窒素ガスを用いることが多い。これに対して、本実施形態では、シールガスとして、回収対象ガスと同種のガス、例えばヘリウムガスを用いる。シールガスとして回収対象ガスと同種のガスを用いることで、回収対象ガスに不純物が混入することを防止することができる。これにより、純度が高い回収対象ガスを回収することができる。

上述した第２～第４の実施形態は、これらを適宜組み合わせてもよい。

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

（付記）
（１）ガスが流入する流入口と、前記ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられ、前記第１排出口を介して内部が排気される筐体と、前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、を備えるガス回収装置。
（２）前記チューブは、前記流入口から前記第２排出口まで螺旋状に設けられている、（１）のガス回収装置。
（３）前記チューブは、前記流入口から前記第２排出口まで折り返し部を有するように設けられている、（１）または（２）のガス回収装置。
（４）前記第１排出口に接続されたポンプを更に備える、（１）～（３）のいずれかのガス回収装置。
（５）前記ポンプは、前記第１排出口を介して前記筐体の内部を排気することで、前記筐体の内部において前記チューブの外部が前記チューブの内部よりも低圧になるように前記チューブの内部と外部との間に圧力差を生じさせ、前記第１ガスは、前記圧力差によって前記チューブの内部から外部に透過して前記第１排出口から排出される、（４）のガス回収装置。
（６）前記ポンプは、前記筐体の内部を真空状態になるように排気する、（５）のガス回収装置。
（７）前記回収対象ガスは、次式にしたがって前記チューブの内部から外部に透過する、（５）または（６）のガス回収装置。
Ｖ＝（Ａ×ΔＰ×Ｌ×Ｓ）／ｄ
但し、Ｖ：チューブに対する回収対象ガスの透過量、Ａ：チューブに対する回収対象ガスの透過係数、ΔＰ：チューブの内部と外部との間の圧力差、Ｌ：チューブの長さ、Ｓ：チューブ内のガス流路の断面積、ｄ：チューブの内半径と外半径との差
（８）前記ポンプは、シールガスとして前記回収対象ガスと同種のガスを用いる、（１）～（７）のいずれかのガス回収装置。
（９）前記ポンプは、前記回収対象ガスの精製ラインに向けて前記第１ガスを排出する、（１）～（８）のいずれかのガス回収装置。
（１０）前記チューブは、多孔質材料を含有する、（１）～（９）のいずれかのガス回収装置。
（１１）前記チューブは、有機材料を含有する、（１０）に記載のガス回収装置。
（１２）前記チューブは、フッ素樹脂を含有する、（１１）に記載のガス回収装置。
（１３）前記第１ガスは、前記ガスのうち分子量が小さく拡散係数が高い、または前記チューブ材への溶解度が高いガスを含む、（１２）に記載のガス回収装置。
（１４）前記回収対象ガスは、希ガスである、（１）～（１３）のいずれかに記載のガス回収装置。
（１５）前記流入口に流入するガスは、半導体製造装置から排出された排気ガスである、（１）～（１４）のいずれかのガス回収装置。
（１６）回収対象ガスを含むプロセスガスを用いて半導体装置を製造し、前記半導体装置の製造によって生じた排気ガスを排出する半導体製造装置と、前記排気ガスを希釈ガスで希釈する希釈装置と、前記希釈された排気ガスを酸素ガスを用いて燃焼させることで前記排気ガスを無害化する除害装置と、前記無害化された排気ガスから前記回収対象ガスを回収するガス回収装置と、を備え、前記ガス回収装置は、前記無害化された排気ガスが流入する流入口と、前記無害化された排気ガスのうち前記回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記無害化された排気ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられ、前記第１排出口を介して内部が排気される筐体と、前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、を備える、半導体製造システム。
（１７）前記第１ガスは、前記回収対象ガスであるヘリウムガスと、水素ガスと、水蒸気と、酸素ガスとを含み、前記第２ガスは、前記希釈ガスである窒素ガスと、二酸化炭素ガスと、アルゴンガスとを含む、（１６）の半導体製造システム。
（１８）前記除害装置は、前記希釈された排気ガスからシランガスおよびアンモニアガスを除去することで前記希釈された排気ガスを無害化する、（１７）の半導体製造システム。
（１９）ガスが流入する流入口と、前記ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられた筐体と、前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、を備えるガス回収装置を用いて前記回収対象ガスを回収し、前記回収対象ガスの回収は、前記第１排出口を介して前記筐体の内部を排気することで、前記筐体の内部において前記チューブの内部よりも前記チューブの外部が低圧になるように前記チューブの内部と外部との間に圧力差を生じさせ、前記圧力差によって前記第１ガスを前記チューブの内部から外部に透過させて前記第１排出口から排出させることを含む、ガス回収方法。
（２０）前記第１排出口から排出された前記第１ガスから前記回収対象ガスを分離することを更に含む、（１９）のガス回収方法。

６：ガス回収ユニット、６１：筐体、６１１：流入口、６１２：第１排出口、６１３：第２排出口、６２：ガス分離チューブ

Claims

ガスが流入する流入口と、前記ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられ、前記第１排出口を介して内部が排気される筐体と、
前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、を備えるガス回収装置。
前記チューブは、前記流入口から前記第２排出口まで螺旋状に設けられている、請求項１に記載のガス回収装置。
前記チューブは、前記流入口から前記第２排出口まで折り返し部を有するように設けられている、請求項１または２に記載のガス回収装置。
前記第１排出口に接続されたポンプを更に備える、請求項１～３のいずれか１項に記載のガス回収装置。
前記ポンプは、前記第１排出口を介して前記筐体の内部を排気することで、前記筐体の内部において前記チューブの外部が前記チューブの内部よりも低圧になるように前記チューブの内部と外部との間に圧力差を生じさせ、
前記第１ガスは、前記圧力差によって前記チューブの内部から外部に透過して前記第１排出口から排出される、請求項４に記載のガス回収装置。
前記ポンプは、前記筐体の内部を真空状態になるように排気する、請求項５に記載のガス回収装置。
前記回収対象ガスは、次式にしたがって前記チューブの内部から外部に透過する、請求項５または６に記載のガス回収装置。
Ｖ＝（Ａ×ΔＰ×Ｌ×Ｓ）／ｄ
但し、
Ｖ：チューブに対する回収対象ガスの透過量
Ａ：チューブに対する回収対象ガスの透過係数
ΔＰ：チューブの内部と外部との間の圧力差
Ｌ：チューブの長さ
Ｓ：チューブ内のガス流路の断面積
ｄ：チューブの内半径と外半径との差
回収対象ガスを含むプロセスガスを用いて半導体装置を製造し、前記半導体装置の製造によって生じた排気ガスを排出する半導体製造装置と、
前記排気ガスを希釈ガスで希釈する希釈装置と、
前記希釈された排気ガスを酸素ガスを用いて燃焼させることで前記排気ガスを無害化する除害装置と、
前記無害化された排気ガスから前記回収対象ガスを回収するガス回収装置と、を備え、
前記ガス回収装置は、
前記無害化された排気ガスが流入する流入口と、前記無害化された排気ガスのうち前記回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記無害化された排気ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられ、前記第１排出口を介して内部が排気される筐体と、
前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、を備える、半導体製造システム。
ガスが流入する流入口と、前記ガスのうち回収対象ガスを含む第１ガスを排出する第１排出口と、前記ガスのうち前記第１ガス以外の第２ガスを排出する第２排出口とが設けられた筐体と、
前記筐体の内部において前記流入口から前記第２排出口まで設けられ、前記第１ガスの透過性が高く、前記第２ガスの透過性が低いチューブと、
を備えるガス回収装置を用いて前記回収対象ガスを回収し、
前記回収対象ガスの回収は、
前記第１排出口を介して前記筐体の内部を排気することで、前記筐体の内部において前記チューブの内部よりも前記チューブの外部が低圧になるように前記チューブの内部と外部との間に圧力差を生じさせ、
前記圧力差によって前記第１ガスを前記チューブの内部から外部に透過させて前記第１排出口から排出させることを含む、ガス回収方法。