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JP2021511649A - 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末 - Google Patents

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Abstract

本出願は、フィルム層がパターン化構造を有する表示パネルを提供し、前記表示パネルは、少なくとも第1の位置と、前記第1の位置とは異なる第2の位置とを有し、前記第1の位置及び前記第2の位置は、予め設定された条件を満たす。第1の位置及び第2の位置を通過するフィルム層が該対応関係を満たすため、光線が2つの経路を通過して表示パネルから射出された後、その位相差は小さくなる。同じ位相の光線が表示パネルを通過した後に発生した位相差は回折の発生の重要な理由の1つであるため、本出願の実施例における手段を採用し、同じ位相の光線が2つの経路を通って表示パネルを通過した後、位相差は予め設定された範囲内にあり、位相差による回折現象を低減させ、表示パネルの後方のカメラ感知画像の解像度を向上させ、表示パネルの後ろの感光性素子は鮮明でリアルな画像を取得することができ、全画面表示を実現する。【選択図】図1

Description

本出願は、表示技術分野に関し、具体的には、表示パネル、ディスプレイ及び表示端末に関する。
表示端末の急速な発展に伴い、画面比率に対するユーザーの要件がますます高くなり、表示端末の全画面表示は、業界でますます注目されている。一般的に、全画面のほとんどはスロット又は開孔の方式であり、例えばアップルのノッチ画面などはいずれも、カメラ、センサーなどの素子に対応するディスプレイ領域にスロット又は開孔する。撮影機能を実現する時に、外部光線はディスプレイにおけるスロット又は孔を通過してディスプレイの下方のカメラに入射され、それにより撮影を実現する。しかし、ノッチ画面または開孔画面はいずれも、本当の全画面ではないため、業界で本当の全画面を開発することが急務である。
これに基づいて、上記技術的問題を考慮して、全画面を実現可能な表示パネル、ディスプレイ及び表示端末を提供する必要がある。
この目的のために、本出願は、以下の技術案を提供する。
本出願の実施例は、基板と、前記基板上に順次設けられた複数のフィルム層と、を含み、少なくとも1つの前記フィルム層はパターン化構造を有する表示パネルを提供し、前記表示パネルは、少なくとも第1の位置と、前記第1の位置とは異なる第2の位置とを有し、前記第1の位置及び前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層は異なり、前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はiであり、各フィルム層の厚さはそれぞれd1、d2……diであり、前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はjであり、各フィルム層の厚さはそれぞれD1、D2……Djであり、i、jは自然数であり、前記第1の位置及び前記第2の位置は、
1=d1*n1+d2*n2+…+di*ni
2=D1*N1+D2*N2+…+Dj*Nj
(m−δ)λ≦L1−L2≦(m+δ)λ、
(ここで、n1、n2…niはそれぞれ前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、N1、N2…Niはそれぞれ前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、n1、n2…ni、N1、N2…Njは1〜2の定数であり、λは380〜780nmの定数であり、mは自然数であり、δは0〜0.2の定数である)という条件を満たす。
あるいは、前記λは可視光の波長であり、前記n1、n2…ni、N1、N2…Njは前記可視光の波長で対応するフィルム層の屈折率である。
あるいは、前記L1−L2の値は0である。
あるいは、前記表示パネルは、アクティブマトリクス有機発光ダイオード(Active Matrix Organic Light Emitting Diode、AMOLEDと略称される)表示パネル又はパッシブマトリクス有機発光ダイオード(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode、PMOLEDと略称される)表示パネルであり、前記フィルム層は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、及び画素定義層を含み、
前記第1の位置又は第2の位置を通過するフィルム層は、それぞれ第1の経路、第2の経路又は第3の経路であり、
前記第1の経路は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、及び基板を含み
前記第2の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、第1の電極層、及び基板を含み、
前記第3の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、及び基板を含む。
あるいは、前記表示パネルは薄膜封止方式を採用したフレキシブルディスプレイであり、前記封止層は薄膜封止層を含み、前記薄膜封止層は有機材料封止層を含み、前記第1の経路の有機材料封止層の厚さは、他の経路の有機材料封止層の厚さよりも大きい。
あるいは、前記表示パネルは、ガラス粉封止方式を採用したハードディスプレイであり、前記封止層は、真空ギャップ層及び封止基板を含み、前記第1の経路の真空ギャップ層の厚さは、他の経路の真空ギャップ層の厚さよりも大きい。
あるいは、前記λの値の範囲は500−600nmであり、好ましくは550nmである。
あるいは、前記表示パネルはAMOLED表示パネルであり、前記フィルム層は導電線を更に含み、前記導電線は単層線路又は多層線路であり、前記導電線は、走査線、データ線、電源線、リセット線のうちの少なくとも1つを含み、
前記第1の位置又は第2の位置を通過するフィルム層は、第4の経路を更に含み、前記第4の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、導電線、及び基板を含む。
あるいは、前記導電線は単層線路であり、前記導電線は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、且つ前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じであり、前記第4の経路と前記第2の経路に含まれるフィルム層及びフィルム層の厚さは同じであり、
又は、前記導電線は多層線路であり、前記導電線における少なくとも一層は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、且つ前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じまたは異なる。
あるいは、前記導電線は二層線路であり、第1の導電線路及び第2の導電線路を含み、前記第1の導電線路は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、前記フィルム層は平坦化層を更に含み、前記第2の導電線路は、平坦化層と前記基板との間に設けられ、前記第1の導電線路及び前記第2の導電線路と前記第1の電極層との材料は同じであり、前記第4の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、前記第1の導電線路及び/又は前記第2の導電線路、基板を含む。
あるいは、前記基板上の前記導電線の投影が前記基板上の前記第1の電極層の投影と部分的に重なる場合、前記経路は第5の経路を更に含み、前記第5の経路は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、第2の導電線路、及び基板を含む。
あるいは、前記表示パネルはAMOLED表示パネルであり、前記フィルム層は、画素定義層上に設けられた支持層と、画素回路を製造するための薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFTと略称される)構造層とを更に含み、
前記支持層は透明な構造であり、前記第2の経路、前記第3の経路、及び前記第4の経路の少なくとも1つは支持層及び/又はTFT構造層を更に含む。
あるいは、前記表示パネルはAMOLED表示パネルであり、前記フィルム層は画素定義層上に設けられた支持層と、画素回路を製造するためのTFT構造層とを更に含み、前記支持層は不透明な構造であり、前記TFT構造層は前記支持層の下方に設けられる。
あるいは、前記表示パネルはAMOLED表示パネルであり、前記第1の電極は円形、楕円形又はダンベル形である。
あるいは、前記画素定義層上に画素開口が形成され、前記画素開口は、第1タイプの画素開口を含み、前記基板上の前記第1タイプの画素開口の投影の各辺はいずれも曲線であり、且つ各辺が互いに平行ではない。
あるいは、前記基板上の前記第1タイプの画素開口の投影は1つのパターンユニット又は複数の互いに連結するパターンユニットであり、前記パターンユニットは円形又は楕円形である。
あるいは、前記導電線は延伸方向に湾曲して設けられ、前記第1の電極の周りに前記導電線が設けられ、前記導電線は前記第1の電極の縁の周りに円弧状に延びる。
あるいは、延伸方向での前記導電線の2つの辺はいずれも波状であり、前記2つの辺のピークは対向して設置され、且つトラフは対向する。
あるいは、前記表示パネルはPMOLED表示パネルであり、前記フィルム層は画素定義層上に設けられた分離カラムを更に含み、前記経路は第6の経路を更に含み、前記第6の経路は、第2の電極層、分離カラム、画素定義層、及び基板を含み、前記分離カラムの材料は透明な材料である。
あるいは、前記分離層は複数の第1タイプの分離カラムを含み、前記第1タイプの分離カラムの延伸方向に、前記第1タイプの分離カラムの幅は連続的又は断続的に変化し、前記延伸方向は前記基板に平行であり、前記幅は、前記延伸方向に垂直な方向での、前記基板上に形成された前記第1タイプの分離カラムの投影のサイズである。
あるいは、前記表示パネルはPMOLED表示パネルであり、延伸方向での前記第1の電極又は第2の電極の2つの辺はいずれも波状であり、前記2つの辺のピークは対向して設置され、且つトラフは対向し、好ましくは、隣接する第1の電極又は第2の電極のピーク及びトラフは、ピークがずれているように設けられる。
あるいは、前記フィルム層は導電線を更に含み、前記導電線は単層線路又は多層線路であり、前記導電線は、走査線、データ線、電源線、リセット線のうちの少なくとも1つを含む。
あるいは、前記導電線が単層線路である場合、前記導電線は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、又は、前記導電線が多層線路である場合、前記導電線の少なくとも一層は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じまたは異なる。
あるいは、前記基板上の前記導電線の投影が前記基板上の前記第1の電極層の投影と部分的に重なる場合、前記第1の位置又は第2の位置を通過するフィルム層は第7の経路を更に含み、前記第7の経路は、封止層、第2の電極層、発光構造層、第1の電極層、導電線、及び基板を含む。
あるいは、第1の位置及び第2の位置に対して、2つの位置を通過するフィルム層における異なる1つ又は複数のフィルム層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、前記第1の位置及び前記第2の位置が前記条件を満たすようにする。
本出願の実施例は、ディスプレイをさらに提供し、少なくとも1つの表示領域を有し、前記少なくとも1つの表示領域は第1の表示領域を含み、前記第1の表示領域の下方に感光性デバイスを設けることができ、
前記第1の表示領域に上記実施例のいずれか1つに記載の表示パネルが設けられ、前記少なくとも1つの表示領域の各表示領域はいずれも動的又は静的画像を表示することに用いられる。
あるいは、前記少なくとも1つの表示領域は第2の表示領域を更に含み、前記第1の表示領域に設けられた表示パネルはPMOLED表示パネル又はAMOLED表示パネルであり、前記第2の表示領域に設けられた表示パネルはAMOLED表示パネルである。
本出願の実施例は、表示端末をさらに提供し、
デバイス領域を有する機器本体と、
前記機器本体上に覆われた上記実施例に記載のディスプレイと、を含み、
前記デバイス領域は前記第1の表示領域の下方に位置し、且つ前記デバイス領域内に、前記第1の表示領域を透過して光線を収集する感光性デバイスが設けられる。
あるいは、前記デバイス領域はスロット領域であり、及び前記感光性デバイスは、カメラ及び/又は光線センサーを含む。
本出願の技術案は、以下の利点を有する。
(1)本出願の実施例が提供する表示パネルにおいて、そのフィルム層はパターン化構造を有し、前記表示パネルは、少なくとも第1の位置と、前記第1の位置とは異なる第2の位置とを有し、前記第1の位置及び前記第2の位置は、(m−0.2)λ<L1−L2<(m+0.2)λという条件を満たす。第1の位置及び第2の位置を通過するフィルム層が上記関係を満たすため、光線が2つの経路を通過して表示パネルから射出された後、その位相差は小さい。同じ位相の光線が表示パネルを通過した後に発生した位相の違いは回折の発生の重要な理由の1つであるため、本出願の実施例における手段を採用し、同じ位相の光線が2つの経路を通って表示パネルを通過した後、位相差は予め設定された範囲内にあり、位相の違いによる回折現象を低減させ、光線が表示面を通過した後に発生した回折による画像の歪みが小さくなり、表示パネルの後方のカメラ感知画像の解像度を向上させ、表示パネルの後ろの感光性素子は鮮明でリアルな画像を取得することができ、全画面表示を実現する。
(2)本出願の実施例が提供する表示パネルにおいて、上記第1の位置及び前記第2の位置は、各経路の光が入射する位置に対応し、表示パネルを通過する経路は複数の経路であり、経路の数は、表示パネルに垂直な光線が表示パネルを通過する時に通過する経路の種類に従って確定され、異なる経路に含まれるフィルム層は異なる。従って、複数の経路がある場合、入射光がそのうちの2つの経路を通過して形成した光路間の差と入射光波長の整数倍との誤差は、予め設定された範囲内にあり、これらの経路の光が表示パネルを通過した後のこれらの回折を効果的に低減することができ、条件を満たす経路が多いほど、光線が表示パネルを通過した後の回折現象が弱くなる。好ましい手段としては、経路内の光が任意の2つの経路を通過した後に形成した光路間の差と入射光波長の整数倍との誤差は、予め設定された範囲内にある。これにより、光線が表示パネルを通過した後の位相の違いによる位相差は解消され、それにより回折現象の発生を大幅に低減することができる。
(3)本出願の実施例における表示パネルは、PMOLEDであってもよく、AMOLEDであってもよく、表示パネルの異なるフィルム層構造に基づいて、光線が表示パネルを通過する時に異なる経路を形成することができ、ある経路の1つのフィルム層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、該経路を通過する光線の光路と他の1つ又は複数の経路を通過する光線の光路との間の差を満たすようにし、上記関係を満たすために、必要に応じて厚さを調整し、厚さが性能要件を満たす場合に調整することができない場合、該フィルム層の材料を調整することができ、それにより該フィルム層の屈折率を変更し、上記目的を達成する。
(4)本出願の実施例における表示パネルは、画素定義層の厚さ又は前記電極層の厚さを優先的に調整することができ、画素定義層の厚さが他のフィルム層よりも厚いため、調整が容易であり、性能要件を満たす前提下で、画素定義層の厚さを調整することによって、該経路を通過する光の光路長光路を調整する。また、画素定義層の材料を調整して屈折率を変化させ、画素定義層の屈折率を調整することによって該経路を通過する光の光路を調整してもよく、それにより光が表示パネルを通過した後の回折現象が低下する。
(5)本出願の実施例においてディスプレイ、及び該ディスプレイを有する表示端末をさらに提供し、上記実施例における表示パネルを採用し、表示パネルの下方に、カメラや光感受性素子などの感光性素子が設けられ、表示パネルが回折をより良く解消することができるため、カメラと感光性素子はよりリアルな入射光線を取得することができる。
本出願の具体的な実施形態又は従来技術の技術案をより明確に説明するために、以下に具体的な実施形態又は従来技術の記述において必要な図面を用いて簡単に説明を行うが、当然ながら、以下に記載する図面は本出願のいくつかの実施形態であり、当業者であれば、創造的な労力を要することなく、これらの図面に基づいて他の図面に想到しうる。
本出願の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の別の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の別の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の別の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の別の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の別の実施例における光線が表示パネルを通過する構造図である。 本出願の別の実施例における表示パネルの構造図である。 本出願の実施例における表示パネルの陰極の構造概略図である。 本出願の実施例における光線が陰極を通過する構造概略図である。 本出願の実施例における第1タイプの分離カラムの上面図である。 本出願の別の実施例における第1タイプの分離カラムの上面図である。 本出願の実施例におけるAMOLEDディスプレイの陽極の上面図である。 本出願の別の実施例におけるAMOLED表示パネルの陽極の上面図である。 本出願の別の実施例におけるAMOLED表示パネルの陽極の上面図である。 本出願の実施例における画素定義層の開口投影の上面図である。 本出願の別の実施例における画素定義層の開口投影及び陽極の上面図である。 本出願の実施例におけるPMOLED表示パネルの電極パターンの上面図である。 本出願の実施例におけるPMOLED表示パネルの陽極及び陰極パターンの上面図である。 本出願の別の実施例におけるPMOLED表示パネルの陰極及び陽極パターンの上面図である。 本出願の実施例における第1の電極の縁の周りに円弧状に延びる導電線の上面図である。 本出願の実施例における不透明な支持層を楕円形に設定する上面図である。 本出願の実施例におけるディスプレイの構造概略図である。 本出願の実施例における端末構造の概略図である。 本出願の実施例における機器本体の概略図である。
本出願の説明において、用語「中心」、「横方向」、「上」、「下」「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」及び「外」などが指示する方位又は位置関係は図面に基づいて示された方位又は位置関係であり、単に本出願の説明及び説明の簡略化の便宜上のものであり、言及された装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されなければならないことを示したり暗示したりすることを意図するものではなく、従って、本出願を制限するものと理解されるべきではないことを理解する必要がある。また、素子が「別の素子上に形成される」と呼ばれる場合、別の素子上に直接接続されることも、中央の素子が同時に存在することもある。1つの素子が別の素子「に接続される」と見なされる場合、別の素子に直接接続されることも、中央の素子が同時に存在することもある。逆に、素子が別の素子「上」に「直接」存在すると呼ばれる場合、中間素子が存在しない。
背景技術に説明したように、従来技術の全画面は本当の全画面ではなく、しかし、研究中に、表示パネルをカメラなどの感光性デバイス上に直接覆う場合、まず、カメラなどの感光性デバイスの上方に位置する表示パネルが高光透過率を有することを要件することを発見し、しかし、発明者はさらに、カメラなどの感光性デバイスを透明な表示パネルの下方に設ける場合に、撮影した写真がぼやけていることを発見する。さらには、発明者は、研究によって、この問題の発生の根本的な理由が、ディスプレイ内にパターン化されたフィルム層構造があるため、外部光線がこれらのパターン化されたフィルム層構造を通過した後、回折が発生し、さらに撮影のぼけが生じることであることを発見する。
さらには、発明者は、パターン化されたフィルム層のある領域及びパターン化されたフィルム層のない領域で異なる断面構造を形成するため、光線がディスプレイに入射して感光性素子に到達する場合、通過した光路が異なることを発見する。光線が透明ディスプレイの異なる領域を通過する時、異なるフィルム層構造は、屈折率及び厚さの違いにより、光線の光路間に差を生じさせる。光線がこれらの異なる領域を通過した後、元の同じ位相の光線は位相の違いが発生し、この位相の違いは回折の発生の重要な理由の1つであり、該位相の違いにより明らかな回折現象を引き起こし、光線が表示パネルを通過した後に回折縞が発生することを引き起こし、撮影画面は、歪み、ぼやけ状況が発生する。
また、電子機器のディスプレイ内に画素開口、電極、導電配線などが存在するため、外部光線はこれらの領域の縁を通過する時により複雑な回折強度分布を引き起こし、それにより回折縞が発生し、さらにカメラなどの感光性デバイスの正常な動作に影響を与える。例えば、透明な表示領域の下方に位置するカメラが動作する時、外部光線は、ディスプレイ内の導線の材料配線、電極の縁又は画素開口の縁を通過した後により明らかな回折が発生し、それによりカメラで撮影された画面は歪みの問題が発生する。
本実施例は表示パネルを提供し、図1に示すように、基板1と、前記基板1上に順次設けられた第1のフィルム層2及び第2のフィルム層3と、を含み、第1のフィルム層2はパターン化構造を有し、第2のフィルム層3は第1のフィルム層2上に設けられたフィルム層である。第2のフィルム層はパターン化構造を有するため、該表示パネル上に第1の位置Aと、第1の位置とは異なる第2の位置Bとを有し、第1の位置A及び第2の位置Bに前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層は異なり、例えば図における経路a及び経路bである。本実施手段において、経路a及び経路bは異なるフィルム層を含み、経路aは第2のフィルム層3、第1のフィルム層2、及び基板1を含み、経路bは、第2のフィルム層3及び基板1を含む。経路a及び経路bは、以下の条件を満たす。
基板1、第1のフィルム層2、第2のフィルム層3に対応するフィルム層係数はn1、n2、n3であり、基板1の厚さはd1であり、第1のフィルム層の厚さはd2であり、経路a内の第2のフィルム層の距離はdaであり、経路b内の第2のフィルム層の距離はdbであり、本実施例において、d2+da=db、La=n1xd1+n2xd2+n3xda、Lb=n1xd1+n3xdb、L=La−Lbであり、Lは、
(m−0.2)λ<L<(m+0.2)λ
(ここで、mは自然数で、λは距離係数で、値の範囲は380〜780nmである)という条件を満たす。
本実施例において、フィルム層係数はn1、n2、n3であり、それぞれ基板1、第1のフィルム層2、第2のフィルム層3に対応し、λは可視光の波長である。
本手段における表示パネルにおいて、そのフィルム層はパターン化構造を有するため、第1の位置A及び第2の位置Bに前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層は異なり、第1の位置A及び第2の位置Bは光が表示パネルを垂直に通過する2つの位置に対応し、2つの光が通過する経路を形成する。第1のフィルム層及び第2のフィルム層の厚さを合理的に設定し、第1のフィルム層及び第2のフィルム層のフィルム層係数を合理的に選択することによって、位置A及び位置Bが上記条件を満たし、即ち、光が経路a及び経路bから基板表面に垂直に表示パネルに入射した後、2つの経路間の光路間の差及び光の波長は上記条件を満たし、光線が2つの経路を通過して表示パネルから射出された後、その位相差は小さい。同じ位相の光線が表示パネルを通過した後に発生した位相差は回折の発生の重要な理由の1つであるため、本実施例における手段を採用し、同じ位相の光線が2つの経路を通って表示パネルを通過した後、位相差が小さく、発生した回折現象が弱く、位相の違いによる回折現象を低減させ、光線が表示パネルを通過した後に回折による上記画像歪みは発生せず、表示パネルの後方のカメラ感知画像の解像度を向上させ、表示パネルの後ろの感光性素子は鮮明でリアルな画像を取得することができ、全画面表示を実現する。
いくつかの具体的的な実施手段において、La−Lbの差を0に選択し、即ち、2つの経路の光路は0であり、整数倍と比較し、より良く操作し、より良く実現する。
他の代替実施手段において、第1の位置及び第2の位置を通過するフィルム層の数は実際の状況に従って確定され、前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はiであり、各フィルム層の厚さはそれぞれd1、d2……diであり、前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はjであり、各フィルム層の厚さはそれぞれD1、D2……Djであり、i、jは自然数であり、前記第1の位置及び前記第2の位置は、
1=d1*n1+d2*n2+…+di*ni
2=D1*N1+D2*N2+…+Dj*Nj
(m−0.2)λ<L1−L2<(m+0.2)λ、
(ここで、n1、n2…niはそれぞれ前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、N1、N2…Niはそれぞれ前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、n1、n2…ni、N1、N2…Niの値の範囲は1〜2であり、λは距離係数であり、値の範囲は380〜780nmであり、mは自然数である。上記n1、n2…ni、N1、N2…Niの値の範囲は1〜2であり、透明な画面の各フィルム層の屈折率の値の範囲に対応し、距離係数λは可視光の波長に対応する。第1の位置を通過する光の光路はL1で、第2の位置を通過する光の光路はL2であり、即ち、第1の位置及び第2の位置からパネルを通過する光の光路間の差はL1−L2であり、上記条件において、該光路間の差と波長の整数倍との誤差は予め設定された範囲内にあり、光が第1の位置及び第2の位置からパネルを通過した後、位相の違いは小さく、引き起こした回折現象は明らかではない。
第1の位置及び第2の位置は、第1の位置及び第2の位置を通過するフィルム層が異なる限り、光が入射する任意の位置に対応してもよく、他の実施形態としては、上記フィルム層は複数のフィルム層であってもよく、そのうちの1つ又は複数のフィルム層はパターン化構造を有し、これにより光が表示パネルを垂直に通過する時、複数の経路を形成し、各経路は異なるフィルム層を含み、光がそのうちの少なくとも2つの経路を通過する光路間の差と光の波長とは上記対応関係があり、それにより光がこの2つの経路を通過した後の回折現象を低減させる。これらの経路を通過した光が表示パネルを通過した後の回折を効果的に低減することができ、条件を満たす経路が多いほど、光線が表示パネルを通過した後の回折現象が弱くなる。さらに好ましい手段としては、前記外部入射光は、前記基板表面に垂直な方向から前記表示パネルに入射し、前記複数の経路のうちの任意の2つの経路を通過した後、得られた光路間の差はいずれも上記対応関係を満たす。これにより、光線が表示パネルを通過した後の位相の違いによる位相差は解消され、それにより回折現象の発生を大幅に低減することができる。
1つの具体的な実施形態としては、本実施形態における表示パネルはAMOLED表示パネルであり、図2に示すように、該表示パネルは、基板001、積層002、平坦化層003、導電線0041、陽極層0042、画素定義層005、発光構造層006、及び陰極層007を含む。
デバイスの透明度を向上させるために、ここでの基板001は、剛性基板、例えばガラス基板、石英基板又はプラスチック基板などの透明な基板であってもよく、基板001は、PI薄膜なの可撓性透明な基板であってもよい。基板は、光線がすべての経路を垂直に通過する場合に同じであるため、基板は、光線が異なる経路を通過する光路間の差に対して実質的な影響を与えない。
基板001上に積層002が設けられ、積層002は、画素回路を含み、具体的には、1つ又は複数のスイッチングデバイス及びコンデンサなどのデバイスを含み、必要に応じて、複数のスイッチングデバイス、例えば2T1C、7T1Cなどの画素回路を直列または並列に接続し、本実施例はこれに限定されない。スイッチングデバイスは、薄膜トランジスタTFTであってもよく、薄膜トランジスタは、酸化物薄膜トランジスタ又は低温ポリシリコン薄膜トランジスタ(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor、LTPS TFTと略称される)であってもよく、薄膜トランジスタは、インジウムガリウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタ(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor、IGZO TFTと略称される)であることが好ましい。別の代替実施例において、スイッチングデバイスは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor、MOSFETと略称される)であってもよく、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Translator、IGBTと略称される)などの従来のスイッチング特性を有する他の素子であってもよく、本実施例におけるスイッチング機能を実現することができ且つ表示パネルに集積することができる電子素子は、いずれも本出願の保護範囲内にある。。
画素駆動回路は様々なデバイスを含むため、ソース、ドレイン、ゲート、ゲート絶縁層、アクティブ層、層間絶縁層などの多層フィルム層構造も形成され、各フィルム層はパターン化されたフィルム層構造を形成する。異なる経路内に、光線が通過する経路は異なるため、前記画素回路の各フィルム層の厚さ又は屈折率を調整することによって光が通過する経路の光路を調整することができる。積層002の各経路上のフィルム層を調整する以外、他のフィルム層を調整し、共同作用して該経路を通過する光の光路を調整してもよい。
積層002上に平坦化層003が設けられ、平坦化層003によって1つの平坦な平面を形成し、電極及び導線などの設置を容易にする。積層002はパターン化構造を有するため、異なる位置の平坦化層003のの厚さは異なり、異なる位置の平坦化層の厚さ及び屈折率を調整することによって、異なる経路の光路を調整することができる。
平坦化層003上に陽極層0042及び導電線0041が設けられる。図2における陽極層0042及び導電線0041は同じ層であり、他の実施例において、陽極層0042及び導電線0041は、走査線、データ線、電源線、リセット線のうちの少なくとも1つを含むそれぞれ製造された異なる層であってもよく、走査線は、SCAN線及びEM線を含んでもよく、データ線はVdataで、電源線はVDD又はVSSで、リセット線はVrefである。導電線は、平坦化層上に設けられた一層又は多層導線であってもよく、導電線は一定の間隔で交差設置した多層であってもよい。陽極層0042及び導電線0041は、透明な導電性材料を採用することができ、一般的にインジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxid、ITOと略称される)を採用することができ、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide、IZO)、又は銀ドープ酸化インジウムスズ(Ag+ITO)、又は銀ドープ酸化インジウム亜鉛(Ag+IZO)であってもよい。ITOプロセスが成熟し、コストが低いため、導電材料はインジウム亜鉛酸化物であることが好ましい。さらには、高光透過率に基づいて、各導電配線の抵抗を低減することを保証するために、透明な導電性材料は、アルミニウムドープ酸化亜鉛、銀ドープITO又は銀ドープIZOなどの材料を採用する。
陽極層0042及び導電線0041の厚さ及び屈折率を調整することが可能であり、厚さ又は屈折率を調整する又は厚さ及び屈折率を同時に調整することによって、該経路を通過する光の光路を調整し、それにより他の経路の光路との間の差が上記条件を満たすようにする。陽極層0042がITOである場合、その厚さは一般に20ナノメートル−200ナノメートルであり、該範囲内にITO層の厚さを調整してもよい。導電線0041及び陽極層0042をそれぞれ製造する時、その厚さ及び屈折率をそれぞれ調整することができ、導電線が多層である場合、各層の導線の厚さ及び/又は屈折率をそれぞれ調整してもよい。同じ層により形成された場合、導電線0041及び陽極層0042の厚さ及び屈折率を同時にしか調整できない。
本実施手段において、導電線0041及び陽極層0042は同じ層に設けられ、他の実施手段において、導電線0041が多層線路である場合、導電線の一層は前記陽極層と同じ層に設けられてもよく、導電線と陽極層との材料は同じでも異なっていてもよい。
他の実施手段において、導電線は二層線路であってもよく、例えば第1の導電線路及び第2の導電線路を含み、第1の導電線路は陽極層と同じ層に設けられ、第2の導電線路は平坦化層と基板との間に設けられ、前記第1の導電線路及び前記第2の導電線路と前記第1の電極層(陽極層)との材料は同じであり、封止層、第2の電極層(陰極層)、画素定義層、前記第1の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成し、封止層、第2の電極層、画素定義層、第2の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成してもよく、第1の導電線路と第2の導電線路との投影重複部分で、封止層、第2の電極層(陰極層)、画素定義層、第1の導電線路、第2の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成してもよい。
具体的な実施形態において、前記基板上の前記導電線の投影が、前記基板上の前記第1の電極層(陽極層)の投影と部分的に重なる場合、光が通過する経路はまた、封止層、第2の電極層(陰極層)、発光層、第1の電極層(陽極層)、第2の導電線路、及び基板を含んでもよい。
陽極層0042上に、画素の位置を制限するための画素定義層005が設けられ、画素定義層005上に画素開口が形成される。画素定義層005の厚さが大きく、調整可能な範囲はより大きい。一般的に画素定義層005の厚さは0.3−3マイクロメートルであり、該範囲内に画素定義層005の厚さを調整することができる。従って、画素定義層005の厚さを調整することによって、光路が上記要件を満たすようにすることが好ましい。画素定義層005の厚さを単独に調整することによって、光路が要件を満たすようにすることができない場合、画素定義層005の材料の調整と組み合わせることによって、その屈折率を調整することができる。画素定義層005の厚さ及び屈折率を同時に調整することによって、該経路を通過する光の光路を調整することもできる。
いくつかの実施形態において、画素定義層005の上方に、生産中にマスク(mask)を支持するための支持層0051が設けられる。図3に示すように、支持層0051が透明な構造である場合、支持層0051を通過する光線経路に対して、支持層0051の厚さ及び屈折率を調整することによって該経路の光路を調整することもできる。積層002内の画素駆動回路構造が複雑で、各フィルム層の調整も複雑であるため、支持層0051を不透明な構造に設定してもよく、図4に示すように、例えば黒色の不透明な構造(黒色の不透明な支持層Spacerを選択することができ、又はSPCと略称される)を採用し、画素回路内の1つ又は複数のTFT構造は、黒色の不透明な構造によって遮蔽され、黒色の支持層0051の下方に設けられ、これにより、光線は表示パネルを通過する時に画素回路内の複数のフィルム層構造を通過せず、該部分のパターン化構造による回折現象の発生を回避すると共に、異なる経路の光路を調整するプロセスを簡略化する。
画素定義層005上に画素開口が形成され、画素開口内及び画素定義層005の上方に発光構造層006が設けられ、ここでOLED(Organic Light−Emitting Diode、有機発光ダイオード)を採用する。発光構造層006に対して、一般的に光取り出し層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層を含む。発光層の以外、残りの各層が全面として設けられるため、残りの各層は光が通過する経路の光路間の差に影響を与えない。発光層は、画素開口内に設けられ、異なる発光サブ画素が含む発光層の発光材料は異なり、赤発光材料、青発光材料、緑発光材料を含む。異なる発光サブ画素に対して、発光層の発光材料の厚さ又は屈折率を調整し、又は発光材料の厚さ及び屈折率を同時に調整することによって該経路を通過する光線の光路を調整することもできる。
発光構造層全体の厚さが小さいため、該発光層の調整可能な範囲が小さく、一般的に他のフィルム層との組み合わせによって光路を調整し、上記要件を満たすために光路を単独に調整することは困難である。
発光構造層006の上方に陰極層007が設けられる。陰極層が全面として設けられるため、陰極層は各経路を通過する光の光路間の差に実質的な影響を与えない。図5に示すように、陰極層007の上方に光取り出し層008が設けられてもよく、光取り出し層008はいくつかの実施形態では省略されてもよい。
光取り出し層008の外側に封止層が設けられる。封止層は、ハードディスプレイで封止されてもよく、有機薄膜で封止されてもよい。図5の表示パネルは、ガラス粉封止(即ちFrit封止)方式を採用するハードディスプレイであり、前記封止層は、低真空ギャップ層009及び封止基板010を含み、真空ギャップ層内に不活性ガスが充填され、封止基板は封止ガラスである。
図5に示す表示パネルにおいて、光線が該表示パネルを通過する場合、複数の光路を形成することができる。表示パネルがトップエミッション構造及びボトムエミッション構造という2種の異なる方式を有するため、該表示パネルがトップエミッション構造である場合、封止の片側は外側に向かい、基板は内部にあり、カメラは基板の下方に設けられる。表示パネルがボトムエミッション構造である場合、基板の片側は外側に向かい、封止の片側は内側に向かい、カメラは封止ガラスの下方に設けられる。該表示パネルは透明な表示パネルであり、表示パネルの下方に設けられたカメラが動作する場合、カメラ領域の画素は、外部光線の透過を容易にするために発光しない。
トップエミッション構造またはボトムエミッション構造であっても、パネルを通過する光線の経路は同じである。該実施例において、トップエミッション構造を例として説明し、光線は、封止ガラス010の片側からディスプレイに入射し、光線が表示パネルから通過する場合、様々な経路を形成する。図6に示す通りである。
経路Aは、封止基板010、真空ギャップ層009、光取り出し層008、陰極層007、発光構造層006、陽極層0042、平坦化層003、積層002、及び基板001を順次通過する。
経路Bは、封止ガラス層010、真空ギャップ層009、光取り出し層008、陰極層007、発光構造層006、画素定義層005、平坦化層003、積層002、及び基板001を順次通過する。
経路Cは、封止ガラス層010、真空ギャップ層009、光取り出し層008、陰極層007、発光構造層006、画素定義層005、導電線0041、平坦化層003、積層002、及び基板001を順次通過する。
経路Dは、経路Aが順次通過する封止ガラス層010、真空ギャップ層009、光取り出し層008、陰極層007、発光構造層006、画素定義層005、陽極層0042、平坦化層003、積層002、及び基板001を順次通過する。
経路Aの低真空ギャップ層の厚さは、他の経路の低真空ギャップ層の厚さよりも大きい。
経路Aを通過する光線の光路はLAであり、経路Bを通過する光線の光路はLBであり、経路Cを通過する光線の光路はLCであり、上記1つ又は複数のフィルム層の厚さ又は屈折率を調整することによって、
(m−δ)λ<LA−LB<(m+δ)λ
(ここで、mは整数で、λは光の波長で、δは0〜0.2の定数であり、例えば0、0.1、0.15、0.2などの適切な値を選択することができる。選択したδが小さいほど、光線が2つの経路を通過した後の位相差が小さくなる。)ようにする。
経路A、経路B、経路Cの任意の2つの経路間の光路の差は、いずれも上記関係を満たす。
δを0に選択する場合、経路A、経路B、経路Cの間の光路間の差がいずれも光の波長の整数倍であることを満たす。これにより、光線が経路A、経路B、経路Cという3つの経路を通過した後、入射光線の位相と射出光線の位相との違いが小さく、回折現象の発生を大幅に低減することができる。
上記光路LA、LB、LCの計算式は以下の通りである。
L=d1*n1+d2*n2+…+di*ni(ここで、Lは光路で、iは、光が通過する経路の構造層の数で、di、d2、…、diは、光が通過する経路の各構造層の厚さで、n1、n2、…、niは、前記光が通過する経路の各構造層の屈折率である)。
各層の厚さ及び屈折率を測定することによって、各経路の光路を算出することができる。
経路の各フィルム層を調整することによって、上記光路間の差の要件を満たすために、まず、該層のどのフィルム層が光路に影響を与えるかを確定する必要があり、各経路が多くのフィルム層を通過するが、光路間の差を計算する時、経路がいずれも同じフィルム層を有し、フィルム層の材料及び厚さがいずれも同じである場合、この2つの経路間の光路間の差に影響を与えない。異なる材料のフィルム層、又は同じ材料で異なる厚さのフィルム層のみが、光路間の差に影響を与える。
具体的には、経路A及び経路Bについては、基板001、封止基板010、光取り出し層008、陰極層007の材料が同じで、且つ厚さが同じであるため、考慮を必要としなくてもよい。経路A及び経路Bの異なる層は、真空ギャップ層009(経路A及び経路Bの両方は真空ギャップ層があるが、厚さが異なる)、画素定義層005(経路Bは画素定義層がある)、陽極層0042(経路Aは陽極層がある)であり、経路A及び経路Bの真空ギャップ層009の厚さの差が、経路Bの画素定義層005の厚さと同じであるため、画素定義層005の厚さを調整すると、それに応じて、経路A及び経路Bの真空ギャップ層009の厚さの差も調整される。以上から分かるように、経路A及び経路Bに影響を与える主要なフィルム層は、陽極層0042及び画素定義層005である。陽極層0042の厚さ及び/又は屈折率を調整し、又は画素定義層005の厚さ及び/又は屈折率を調整し、又は陽極層0042及び画素定義層005の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、前記経路A及び経路Bの光路間の差と波長の整数倍との誤差は予め設定された範囲内にあるようにする。
当然ながら、上記経路A及び経路Bにおいて、発光構造層006の内部の発光層も異なり、画素開口内の発光層と開口外の発光層とは異なる可能性があり、発光層を調整することによって経路の光路をさらに調整してもよい。また、経路A及び経路Bに位置する平坦化層003及び積層002のフィルム層構造も異なっていてもよく、異なるフィルム層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって光路を調整することができる。無機絶縁層002の画素回路構造が複雑であるため、黒色の支持層0051を画素回路のスイッチングデバイスの上方に設けることも可能であり、従って、光線は画素回路を通過せず、光線が画素回路の性能に影響を与えることを回避すると共に、画素回路の各フィルム層の存在による光線回折問題を回避する。
経路B及びCに対して、含まれる各層を贅言せず、その存在する主要な区別は、経路Cが導電線0041を含み、経路Cの画素定義層005の厚さが経路Bの画素定義層005の厚さと異なり、経路Cの画素定義層005の厚さと経路Bの画素定義層005の厚さとの差が、導電線0041の厚さと同じであることであり、従って、導電線0041の厚さ及び屈折率を調整することによって、経路B及び経路Cの光路間の差が上記関係を満たすようにする。経路Cの導電線は、二層線路であってもよく、第1の導電線路及び第2の導電線路を含み、前記第1の導電線路は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、前記第2の導電線路は、平坦化層と前記基板との間に設けられ、第1の導電線路及び第2の導電線路の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、前記外部入射光が経路B及び経路Cを通過した後、得られた光路間の差と前記外部入射光の波長の整数倍との誤差は予め設定された範囲内にあり、光線が2つの経路を通過した後の位相の違いを小さくする。
経路A及び経路Cの区別は、封止層、画素定義層005、陽極層0042、及び導電線0041であり、封止層の厚さは画素定義層005の厚さによって確定されるため、画素定義層005の厚さ又は屈折率を調整し、又は画素定義層005の厚さ及び屈折率を同時に調整することができる。陽極層0042及び導電線0041が同じ層である場合、陽極層0042及び導電線0041は、経路A及び経路Cの光路間の差に実質的な影響を与えず、陽極層0042及び導電線0041が異なる層である場合、陽極層0042及び導電線0041の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、経路A及び経路Cの光路間の差を調整することもできる。
経路Aと経路Dとの区別は、封止層及び画素定義層005であり、封止層の厚さは画素定義層005の厚さによって確定されるため、画素定義層005の厚さ又は屈折率を調整し、又は画素定義層005の厚さ及び屈折率を同時に調整することによって、経路A及び経路Dの光路間の差を調整することができる。
経路Bと経路Dとの区別は、画素定義層005及び陽極層0042であり、従って、画素定義層005及び陽極層0042の厚さ/又は屈折率を調整することによって、経路B及び経路Dの光路間の差を調整することができる。
経路Cと経路Dとの区別は、陽極層0042及び導電線0041であり、陽極層0042及び導電線0041が同じ層である場合、経路A及び経路Cの光路は同じであり、光路間の差がなく、陽極層0042及び導電線0041が異なる層である場合、陽極層0042及び導電線0041の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、経路C及び経路Dの光路間の差を調整することもできる。
支持層0051が透明な構造である場合、経路B、経路C、経路Dは、支持層を含むこともでき、経路B、経路C、経路Dは、画素回路を形成するTFT構造層を含むこともでき、TFT構造層は多層を含むため、具体的的な構造に基づいて、経路B、経路C、経路Dにおける、TFT構造を有する異なる層に設けられる。支持層0051が画素定義層005上に設けられるため、支持層0051は経路Aに現れない。
上記実施手段における導電線は、単層導電線路又は多層導電線路であってもよく、前記導電線は、走査線、データ線、電源線、リセット線のうちの少なくとも1つを含み、走査線は、SCAN線及びEM線を含んでもよく、データ線はVdataであり、電源線はVDD又はVSSであり、リセット線はVrefである。他の実施手段において、導電線は二層線路であってもよく、例えば第1の導電線路及び第2の導電線路を含み、第1の導電線路は陽極層と同じ層に設けられ、第2の導電線路は平坦化層と基板との間に設けられ、前記第1の導電線路及び前記第2の導電線路と前記第1の電極層(陽極層)との材料は同じであり、封止層、第2の電極層(陰極層)、画素定義層、前記第1の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成し、封止層、第2の電極層(陰極層)、画素定義層、第2の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成してもよく、第1の導電線路と第2の導電線路との投影重複部分で、封止層、第2の電極層(陰極層)、画素定義層、第1の導電線路、第2の導電線路、及び基板は、1つの光の経路を形成してもよい。具体的な実施形態において、前記基板上の前記導電線の投影が、前記基板上の前記第1の電極層(陽極層)の投影と部分的に重なる場合、光が通過する経路はまた、封止層、第2の電極層(陰極層)、発光層、第1の電極層(陽極層)、第2の導電線路、及び基板を含んでもよい。
図6を参照すると、以上の実施例に基づいて、本出願の別の実施例で開示されたAMOLED表示パネルは、経路Aの陽極層0042の厚さ、及び経路Cの画素定義層005の厚さを調整することによって、経路A及び経路Cの光路を同じにすることが好ましい。
上記ハード封止の方式に加えて、薄膜封止の方式を採用してもよく、図7に示すように、光取り出し層008の外側で薄膜封止を行い、薄膜封止層を形成し、前記薄膜封止層は、無機材料封止層012及び有機材料封止層011を含み、無機材料封止層012は全面として設けられ、厚さが均一であるため、各経路の光路間の差に影響を与えない。有機材料封止層011は画素開口を充填し、画素開口を充填した後に封止層全体を形成する。従って、異なる経路において、有機材料封止層の厚さが異なるため、前記画素開口内に位置する前記有機材料封止層011の厚さ、又は前記有機材料封止層の屈折率を調整することによって、該経路を通過する光の光路の調整を実現することができる。有機材料封止層の厚さ及び屈折率を同時に調整したり、他の方式と組み合わせて共同で調整したりすることもできる。経路Aの有機材料封止層の厚さは、他の経路の有機材料封止層の厚さよりも大きい。
上述したように、光が表示パネルを通過する時に、複数の経路を形成することができ、例えば前記経路は、封止層、第2の電極層、発光構造層、第1の電極層、及び基板を含み、及び/又は前記経路は、封止層、第2の電極層、発光構造層、画素定義層、及び基板を含み、及び/又は前記経路は、封止層、第2の電極層、発光構造層、画素定義層、導電線、及び基板を含む。異なる位置の複数の導線の分布、画素回路の分布状況を考慮すると、より多くの経路を形成することもできる。本出願の構想に基づいて、異なる経路における異なる1つ又は複数のフィルム層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、少なくとも2つの経路の光路間の差と光の波長の整数倍との誤差が予め設定された範囲内にあることを満たされば、光がこの2つの経路を通過した後の回折を低減することができ、条件を満たす経路が多いほど、回折をより良く低減することができる。あるいは、封止層、発光構造層、第1の電極層、画素定義層、絶縁層、導電線のうちの1つ又は複数の層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、前記光路間の1つ又は複数の差及び光の波長の整数倍は予め設定された範囲内にある。具体的な調整方式は、既に上記実施例にそれぞれ説明され、ここでは贅言しない。
上記実施例におけるAMOLEDのディスプレイに対して、横方向に生じる回折をさらに低減するために、陽極層の電極、画素開口及び導線の形状を調整することによって、回折をさらに低減することができる。AMOLEDディスプレイにおいて、陽極300の形状はいずれも、図12に示すような円形、又は図13に示すような楕円形、又は図14に示すようなダンベル形に設定することが可能であり、また、陽極は、他の各箇所での異なる曲率半径を有する曲線で構成されてもよい。光がスリット、小孔又はディスクなどの障害物を通過する時に、異なる程度の湾曲発散伝播が発生するため、元の直線伝播から外れ、このような現象は回折と呼ばれる。回折中、回折縞の分布は、スリットの幅、小孔のサイズなどの障害物のサイズにより影響され、同じ幅を有する位置で生成された回折縞の位置は一致するため、より明らかな回折効果が発生する。陽極形状を円形、楕円形又はダンベル形に変更することによって、光線が陽極層を通過する時、陽極の異なる幅の位置で異なる位置及び拡散方向を有する回折縞を生成できるよう確保することができるため、回折効果を弱め、さらにカメラが該表示パネルの下方に設けられる時、撮影された画像がより高い解像度を有するよう確保する。
回折をさらに低減するために、基板上の画素定義層005上の開口の投影の各辺は互いに平行ではなく、且つ各辺はいずれも曲線であり、即ち、開口は、各方向にいずれも異なる幅を有し且つ同じ位置で異なる回折拡散方向を有し、外部光線が該開口を通過する場合、異なる幅位置で、異なる位置及び拡散方向を有する回折縞を生成することができ、さらにより顕著な回折効果は生じず、それにより該表示パネルの下方に設けられた感光性素子が正常に動作できるよう確保することができる。
関連技術において、画素定義層上の開口はいずれも、画素サイズに基づいて長方形又は正方形に設定される。長方形の開口を例として説明し、長方形は2組の互いに平行な辺があるため、長さ方向及び幅方向の両方で同じ幅を有する。従って、外部光線が該開口を通過する場合、長さ方向又は幅方向の異なる位置でいずれも同じ位置を有し且つ拡散方向が一致する回折縞を生成するため、明らかな回折効果が発生し、該表示パネルの下方に位置する感光性素子は正常に動作することができない。本実施例における表示パネルは、該問題を非常にうまく解決し、表示パネルの下方の感光性素子が正常に動作できるよう確保することができる。
代替実施例において、基板上の開口の投影の各辺が採用する曲線は、円形、楕円形、曲率が変化する他の曲線のうちの少なくとも1つであってもよい。開口の各辺は曲線であり、従って、光線が開口を通過する場合、生成された回折縞は、一方向に拡散せず、360度方向に拡散するため、回折が非常に明らかではなく、より良い回折改善効果を有する。
代替実施例において、基板上の開口の投影のパターンユニットは円形、楕円形又はダンベル形又は波状であり、陽極300の形状と類似し、図12−14に示される陽極300の形状を参照し、ここでは贅言しない。基板上の開口の投影の形状は、対応する発光構造の形状に基づいて確定することができる。例えば、発光構造のアスペクト比に基づいて数を確定することができる。一実施例において、基板上の開口の投影の形状は軸対称構造であってもよく、それにより最終の表示効果に影響を与えることなく表示パネル全体上の各画素が一致する開口率を有するよう確保する。図12を参照し、基板上の開口の投影が1つの円形である場合、対応する発光構造の形状は、アスペクト比が1.5未満の長方形又は正方形であり、開口投影の対称軸は対応する発光構造の対称軸と対応する。投影の円の直径は発光構造の最小幅よりも小さい。具体的には、投影の円の直径は、発光構造の形状及び開口率に基づいて確定することができる。確定過程は関連技術における開口のサイズの確定方法で確定することができ、ここでは贅言しない。画素開口及び陽極電極は偏心して設けられてもよく、即ち画素開口の円心は陽極電極の円心と重なっていない。
開口に対応するサブ画素のアスペクト比は1.5〜2.5である。この時、開口の投影は、2つの円形を互いに連通して形成したダンベル形である。2つの円は、それぞれ、対応する発光構造の長さ方向に沿って配置される。一実施例において、2つの円間に接続部があり、接続部の両辺はいずれも曲線であり、光線が接続部を通過する時、各方向に拡散することもできることを確保し、それにより回折効果を改善する。
開口に対応する発光構造のアスペクト比は2.5よりも大きい。この時、開口の投影は、3つ以上の円形を互いに連通して形成した波状である。3つ以上の円形は、それぞれ、対応する発光構造の長さ方向に沿って配置される。一実施例において、投影において接続部も形成される。接続部はアーク線であり、即ち3つ以上の円形の交差位置はアーク線で接続されるため、光線が接続部を通過する時、各方向に拡散することもできることを確保し、それにより回折効果を改善する。
開口に対応する発光構造のアスペクト比が1.5に等しい場合、開口の投影は、1つの円形であってもよく、2つの円形が互いに連結されたダンベル形であってもよい。開口に対応する発光構造のアスペクト比が2.5に等しい場合、投影は、2つの円形が互いに連結されたダンベル形であってもよく、3つの円形が互いに連結された波状であってもよく、図15に示す通りである。陽極層0042が円形である場合、画素開口005も円形であり、図16に示す通りである。
別の実施例において、表示パネルはPMOLEDであり、PMOLEDの構造がAMOLEDの構造とは異なるため、光線がPMOLEDを通過する場合、異なる経路を形成する。図8に示すように、PMOLEDは、基板110、陽極層120、画素定義層130、分離カラム140、発光構造層150、及び陰極層160を含み、陽極層120は、複数の第1の電極を含み、複数の陽極は基板110上に規則的に配列される。陽極上に発光構造層150が形成され、発光構造層150上に陰極層160が形成される。分離カラム140は、画素定義層130上に形成され、且つ隣接する第1の電極間に設けられる。分離カラム140は、隣接する2つのサブ画素領域の陰極を分離することに用いられ、図8に示すように、分離カラム140は逆台形構造であり、透明なフォトレジストなどの透明な材料である。分離カラム140の表面は、隣接する領域の表面の高さよりも高いため、表示パネルの表面に陰極を製造する時に、分離カラム140の上方に形成された陰極は隣接する画素領域上の陰極と切断し、それにより隣接するサブ画素領域の陰極の分離を実現し、最終的に各サブ画素領域が正常に駆動されるよう確保する。PMOLEDにおいて、分離カラム140を更に含むため、光線が通過する経路の一部において、分離カラム140を更に含む。図9に示すように、経路Cは、陰極層160、分離カラム140、画素定義層130、及び基板110を含み、経路Dは、陰極層160、発光構造層150、陽極層120、及び基板110を含む。経路C及び経路Dにおいて、異なるフィルム層は、分離カラム140、画素定義層130、発光構造層150、及び陽極層120を含み、そのうちの1つ又は複数の層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、該経路C及び経路Dを通過する光の光路間の差を調整することができる。各経路において、異なるフィルム層の厚さ及び/又は屈折率を調整することによって、光が通過する光路の調整を実現することができる。他の経路の調整方式は上記実施例と同じであるため、贅言しない。上記実施例における経路A、経路B、経路C、経路Dは第1の経路、第2の経路、第3の経路、第4の経路などと呼ばれてもよい。
具体的的な実施形態としては、上記光は可視光として選択することができ、光の波長は380〜780ナノメートルであり、前記光の波長は500−600ナノメートルであることが好ましく、該範囲内の光線(即ち緑色光)は、人間の目に敏感である。人間の目が緑に最も敏感であるため、入射光は緑色光に基づいて選択することができ、即ち各経路を通過する光路を調整する時に、λは、540ナノメートル、550ナノメートル、560ナノメートルなどの500ナノメートル〜560ナノメートルの緑色光の波長を選択することができる。緑色光の波長が赤と青との間にあるため、緑色光を選択すると、赤色光及び青色光の両方を同時に考慮することができる。
発明者は、さらなる研究によって、表示パネル領域内の画像を通過する外部光線をさらに低減するために、横方向の回折も発生するため、回折縞が発生し、さらにカメラなどの感光性デバイスの正常な動作に影響を与えることを発見する。
上記理由による回折現象の低減を回避するために、上記分離カラム140は、複数の第1タイプの分離カラムを含み、前記第1タイプの分離カラムの延伸方向に、前記第1タイプの分離カラムの幅は連続的又は断続的に変化し、前記延伸方向は前記基板に平行であり、前記幅は、前記延伸方向に垂直な方向での、前記基板上に形成された前記第1タイプの分離カラムの投影のサイズである。図10は、一実施例における第1タイプの分離カラムの構造概略図である。第1タイプの分離カラムの延伸方向に、第1タイプの分離カラムの幅は連続的に変化する。外部光線が第1タイプの分離カラムを通過する場合、異なる最大幅位置で生成された回折縞の位置は異なり、それにより回折は明らかではなく、回折を改善する効果を達成する。図11は、別の実施例における第1タイプの分離カラムの上面図であり、即ちその頂面構造の概略図である。この時、非直線形状は、複数の折れ線部の縁を接続することによって形成され、それにより回折効果を改善するように、第1タイプの分離カラムが延伸方向に沿って変化する幅を有するよう確保する。本実施例において、各折れ線部の開口は、画素に対する影響を低減するように、サブ画素領域に向かって設けられ、画素開口率を確保すると共にその輝度が要件を満たすよう確保する。他の実施例において、各画素領域に対応する折れ線部は、より多くの折れ線部で構成されてもよく、それにより鋸歯状縁を形成する。
回折をさらに低減するために、図17に示すように、PMOLEDにおける陽極及び陰極の形状は延伸方向での2つの辺がいずれも波状であり、前記2つの辺のピークが対向して設置され、且つトラフが対向して設置されるように設定されてもよい。さらには、隣接する2つの電極のピーク及びトラフは交互に設けられる。
陽極及び陰極の両方は短冊状の波状電極として設けられてもよく、図18に示すように、第2の電極160の延伸方向と第1の電極120の延伸方向とは互いに垂直であり、それにより重複領域で表示パネルの発光領域を形成し、第1の電極120は陽極であり、第2の電極160は陰極である。本実施例において、各陽極は、1行/列又は複数行/列のサブ画素を駆動することに用いられる。一般的に、1つの画素(又は画素ユニット)は、赤、緑、青の3つのサブ画素を少なくとも含む。他の実施例において、1つの画素ユニットは、赤、緑、青、白の4つのサブ画素を含んでもよい。サブ画素の配置方式は、RGBサブ画素の並列配列、V型配列及びPenTile配列などであってもよい。本出願において、いずれもRGBサブ画素が並列に配列された画素ユニットを例として説明する。本実施例における表示パネルは、RGBサブ画素配列以外の他の配列方式に適用することもできることが理解される。他の実施例において、各陰極が対応して駆動する画素の列/行の数はMであり、各陽極に対応する画素の列/行の数はNであり、Mは3N以上でなければならない。具体的には、RBGサブ画素で1つの画素ユニットを構成し、陰極が対応して駆動するサブ画素の列/行の数Mは3Nである。他の実施例において、RGBWサブ画素で1つの画素ユニットを構成する場合、陰極が対応して駆動するサブ画素の列/行の数Mは4Nである。他の実施例において、陰極により列画素を駆動し陽極により行画素を駆動し、両者は陽極及び陰極の配置方向が異なるだけであることが理解される。
図19は、別の実施例におけるPMOLED表示パネルにおける陰極及び陽極の構造概略図である。この時、1つの画素ユニットは、赤、緑、青の3つのサブ画素を含むため、各陽極120は、1列の画素ユニットを駆動することに用いられ、各陰極160は、1行のサブ画素を駆動することに用いられる。陽極のパターンは、図17を参照することができ、即ちピークTの対向位置でのその幅W1は30マイクロメートル〜(A−X)マイクロメートルであり、トラフBの対向位置でのその幅W2はXマイクロメートル〜W1であり、最小間隔D1は(A−W1)であり、最大間隔D2は(A−W2)である。Xは最小プロセスサイズである。
図19を参照し、陰極の2つの辺のピークの対向位置での幅W3はXマイクロメートル〜((A−X)/3)マイクロメートルである。他の実施例において、1つの画素ユニット内のサブ画素がNである場合、陰極160の2つの辺のピークTの対向位置での幅W3はXマイクロメートル〜((A−X)/N)マイクロメートルであることが理解される。本実施例において、陰極160の2つの辺のトラフの対向位置での幅W4はXマイクロメートル〜W1であり、最小間隔D3は(A−W3)であり、最大間隔D4は(A−W4)である。Aは画素のサイズであり、Xは最小プロセスサイズである。上記実施例において、隣接する電極の間隔はいずれも4マイクロメートル〜20マイクロメートルである。
AMOLED表示パネル及びPMOLED表示パネルに対して、図20に示すように、導電線は延伸方向に湾曲して設けられ、前記第1の電極の周りに前記導電線が設けられ、前記導電線は前記第1の電極の縁の周りに円弧状に延びる。図17に示すように、延伸方向での前記導電線の2つの辺はいずれも波状であり、前記2つの辺のピークは対向して設置され、且つトラフは対向する。図20に示すように、透明な電極配線がある場合、画素電極のサイズに基づいて、配線を円弧形の配線に設計し、従来の直線に対して回折をさらに解消することができる。
また、表示パネルにおいて非透明領域がある場合、非透明領域を円形又は楕円形に設計し、回折を抑制することもできる。従って、不透明な支持層0051を円形又は楕円形に設定することができ、図21に示すように、支持層0051の形状を楕円形に設定することによって、回折をさらに低減する。
本実施例において、ディスプレイをさらに提供し、図22に示すように、ディスプレイは、第1の表示領域161及び第2の表示領域162を含み、第1の表示領域161及び第2の表示領域162はいずれも、静的又は動的画像を表示することに用いられ、第1の表示領域161は、上記実施例のいずれかにおいて述べた表示パネルを採用し、第1の表示領域161はディスプレイの上部に位置する。上記表示パネルにおいて、光線がそのうちの少なくとも2つの経路を通って表示パネルを通過した後、位相の違いが発生しないため、回折干渉を低減する。光が表示パネルにおけるすべての経路を通過した後、位相が変化しない場合、位相の違いによる回折干渉を回避することができ、画面の下方のカメラは、鮮明でリアルな画像情報を取得することができる。
代替実施例において、ディスプレイは、3つ以上の表示領域を含むこともでき、例えば3つの表示領域(第1の表示領域、第2の表示領域、及び第3の表示領域)を含み、第1の表示領域は、上記実施例のいずれかにおいて述べた表示パネルを採用し、第2の表示領域及び第3の表示領域がどのような表示パネルを採用するかは、本実施例では限定されず、PMOLED表示パネルであってもよく、AMOLED表示パネルであってもよく、当然ながら、本実施例における表示パネルを採用することもできる。
本実施例は、機器本体に覆われた上記ディスプレイを含む表示機器をさらに提供する。上記表示機器は携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、携帯情報端末、ipod、デジタルカメラ、カーナビなどの表示機能を有する製品又は部材であってもよい。
図23は、一実施例における表示端末の構造概略図であり、該表示端末は、機器本体810及びディスプレイ820を含む。ディスプレイ820は機器本体810上に設けられ、且つ該機器本体810に互いに接続される。ディスプレイ820は、静的又は動的画像を表示するために前述の実施例のいずれかにおけるディスプレイを採用してもよい。
図24は、一実施例における機器本体810の構造概略図である。本実施例において、機器本体810にスロット領域812及び非スロット領域814が設けられてもよい。スロット領域812内にカメラ930及び光センサーなどの感光性デバイスが設けられてもよい。この時、カメラ930及び光センサーなどの上記感光性デバイスが該第1の表示領域を透過して外部光線に対して収集などの操作を行うようにするために、ディスプレイ820の第1の表示領域の表示パネルはスロット領域812に対応して密接する。第1の表示領域内の表示パネルは該第1の表示領域を透過した外部光線による回折現象を効果的に改善することができるため、表示機器におけるカメラ930によって撮影された画像の品質を効果的に向上させ、回折による撮影された画像の歪みを回避することができ、また、外部光線を感知する光センサーの精度及び感度を向上させることもできる。
図面を参照して本出願の実施例を説明したが、当業者は、本出願の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変形を行うことができ、このような修正及び変形はいずれも、添付の請求項によって限定される範囲内に含まれる。

Claims (20)

  1. 基板と、前記基板上に順次設けられた複数のフィルム層と、を含み、少なくとも1つの前記フィルム層はパターン化構造を有する表示パネルであって、前記表示パネルは、少なくとも第1の位置と、前記第1の位置とは異なる第2の位置とを有し、前記第1の位置及び前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層は異なり、前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はiであり、各フィルム層の厚さはそれぞれd1、d2……diであり、前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層の数はjであり、各フィルム層の厚さはそれぞれD1、D2……Djであり、i、jは自然数であり、前記第1の位置及び前記第2の位置は、
    1=d1*n1+d2*n2+…+di*ni
    2=D1*N1+D2*N2+…+Dj*Nj
    (m−δ)λ≦L1−L2≦(m+δ)λ、
    (ここで、n1、n2…niはそれぞれ前記第1の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、N1、N2…Niはそれぞれ前記第2の位置に前記表示パネルの厚さ方向に沿って通過するフィルム層に対応するフィルム層係数であり、n1、n2…ni、N1、N2…Njは1〜2の定数であり、λは380〜780nmの定数であり、mは自然数であり、δは0〜0.2の定数である)という条件を満たすことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記λは可視光の波長であり、前記n1、n2…ni、N1、N2…Njは前記可視光の波長で対応するフィルム層の屈折率であることを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  3. 前記L1−L2の値は0であることを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  4. 前記表示パネルは、アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネル又はパッシブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記フィルム層は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、及び画素定義層を含み、
    前記第1の位置又は第2の位置に通過するフィルム層は、それぞれ第1の経路、第2の経路又は第3の経路であり、
    前記第1の経路は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、及び基板を含み
    前記第2の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、第1の電極層、及び基板を含み、
    前記第3の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、及び基板を含むことを特徴とする請求項1又は2又は3に記載の表示パネル。
  5. 前記表示パネルは、薄膜封止方式を採用したフレキシブルディスプレイ又はハードディスプレイであり、前記封止層は薄膜封止層を含み、前記薄膜封止層は有機材料封止層を含み、前記第1の経路の有機材料封止層の厚さは、他の経路の有機材料封止層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  6. 前記表示パネルは、ガラス粉封止方式を採用したハードディスプレイであり、前記封止層は、真空ギャップ層及び封止基板を含み、前記第1の経路の真空ギャップ層の厚さは、他の経路の真空ギャップ層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  7. 前記表示パネルはアクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記フィルム層は導電線を更に含み、
    前記第1の位置又は第2の位置を通過するフィルム層は、第4の経路を更に含み、前記第4の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、導電線、及び基板を含むことを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  8. 前記導電線は単層線路であり、前記導電線は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、且つ前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じであり、前記第4の経路と前記第2の経路に含まれるフィルム層及びフィルム層の厚さは同じであり、
    又は、前記導電線は多層線路であり、前記導電線における少なくとも一層は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、且つ前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じまたは異なることを特徴とする請求項7に記載の表示パネル。
  9. 前記導電線は二層線路であり、第1の導電線路及び第2の導電線路を含み、前記第1の導電線路は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、前記フィルム層は平坦化層を更に含み、前記第2の導電線路は、平坦化層と前記基板との間に設けられ、前記第1の導電線路及び前記第2の導電線路と前記第1の電極層との材料は同じであり、前記第4の経路は、封止層、第2の電極層、画素定義層、前記第1の導電線路及び/又は前記第2の導電線路、基板を含むことを特徴とする請求項8に記載の表示パネル。
  10. 前記基板上の前記導電線の投影が前記基板上の前記第1の電極層の投影と部分的に重なる場合、前記経路は第5の経路を更に含み、前記第5の経路は、封止層、第2の電極層、発光層、第1の電極層、第2の導電線路、及び基板を含むことを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。
  11. 前記表示パネルはアクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記フィルム層は、画素定義層上に設けられた支持層と、画素回路を製造するための薄膜トランジスタ構造層とを更に含み、
    前記支持層は透明な構造であり、前記第2の経路、前記第3の経路、及び前記第4の経路の少なくとも1つは、支持層及び/又は薄膜トランジスタ構造層を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の表示パネル。
  12. 前記表示パネルはアクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記フィルム層は、画素定義層上に設けられた支持層と、画素回路を製造するための薄膜トランジスタ構造層とを更に含み、前記支持層は不透明な構造であり、前記薄膜トランジスタ構造層は前記支持層の下方に設けられることを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  13. 前記画素定義層上に画素開口が形成され、前記画素開口は、第1タイプの画素開口を含み、前記基板上の前記第1タイプの画素開口の投影の各辺はいずれも曲線であり、且つ各辺が互いに平行ではないことを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  14. 前記導電線は延伸方向に湾曲して設けられ、前記第1の電極の周りに前記導電線が設けられ、前記導電線は前記第1の電極の縁に円弧状に延びることを特徴とする請求項8に記載の表示パネル。
  15. 前記表示パネルはパッシブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記フィルム層は画素定義層上に設けられた分離カラムを更に含み、前記経路は第6の経路を更に含み、前記第6の経路は、第2の電極層、分離カラム、画素定義層、及び基板を含み、前記分離カラムの材料は透明な材料であることを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  16. 前記分離層は複数の第1タイプの分離カラムを含み、前記第1タイプの分離カラムの延伸方向に、前記第1タイプの分離カラムの幅は連続的又は断続的に変化し、前記延伸方向は前記基板に平行であり、前記幅は、前記延伸方向に垂直な方向での、前記基板上に形成された前記第1タイプの分離カラムの投影のサイズであることを特徴とする請求項15に記載の表示パネル。
  17. 前記表示パネルはパッシブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、延伸方向での前記第1の電極又は第2の電極の2つの辺はいずれも波状であり、前記2つの辺のピークは対向して設置され、且つトラフは対向し、隣接する第1の電極又は第2の電極のピーク及びトラフは、ピークがずれているように設けられることを特徴とする請求項4に記載の表示パネル。
  18. 前記フィルム層は導電線を更に含み、前記導電線は単層線路又は多層線路であり、前記導電線は、走査線、データ線、電源線、リセット線のうちの少なくとも1つを含み、
    前記導電線が単層線路である場合、前記導電線は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、
    前記導電線が多層線路である場合、前記導電線の少なくとも一層は前記第1の電極層と同じ層に設けられ、前記導電線と前記第1の電極層との材料は同じまたは異なり、
    前記基板上の前記導電線の投影が、前記基板上の前記第1の電極層の投影と部分的に重なる場合、前記第1の位置又は第2の位置を通過するフィルム層は第7の経路を更に含み、前記第7の経路は、封止層、第2の電極層、発光構造層、第1の電極層、導電線、及び基板を含むことを特徴とする請求項17に記載の表示パネル。
  19. ディスプレイであって、少なくとも1つの表示領域を有し、前記少なくとも1つの表示領域は第1の表示領域を含み、前記第1の表示領域の下方に感光性デバイスを設けることができ、
    前記第1の表示領域に請求項1〜18のいずれか一項に記載の表示パネルが設けられ、前記少なくとも1つの表示領域の各表示領域はいずれも動的又は静的画像を表示することに用いられることを特徴とするディスプレイ。
  20. 前記少なくとも1つの表示領域は第2の表示領域を更に含み、前記第1の表示領域に設けられた表示パネルはパッシブマトリクス有機発光ダイオード表示パネル又はアクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであり、前記第2の表示領域に設けられた表示パネルはアクティブマトリクス有機発光ダイオード表示パネルであることを特徴とする請求項19に記載のディスプレイ。
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