[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2021132158A - 基板液処理装置及び液体吐出評価方法 - Google Patents

基板液処理装置及び液体吐出評価方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021132158A
JP2021132158A JP2020027414A JP2020027414A JP2021132158A JP 2021132158 A JP2021132158 A JP 2021132158A JP 2020027414 A JP2020027414 A JP 2020027414A JP 2020027414 A JP2020027414 A JP 2020027414A JP 2021132158 A JP2021132158 A JP 2021132158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
temperature
substrate
nozzle
discharge nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020027414A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7362505B2 (ja
Inventor
輝史 脇山
Terufumi Wakiyama
輝史 脇山
裕一 道木
Yuichi Michiki
裕一 道木
明賢 田中
Akiyoshi Tanaka
明賢 田中
稔 田代
Minoru Tashiro
稔 田代
玲王 北山
Reo Kitayama
玲王 北山
周 山本
Shu Yamamoto
周 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020027414A priority Critical patent/JP7362505B2/ja
Priority to KR1020210018574A priority patent/KR20210106356A/ko
Priority to CN202110182809.0A priority patent/CN113275193B/zh
Priority to US17/179,551 priority patent/US20210260612A1/en
Publication of JP2021132158A publication Critical patent/JP2021132158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7362505B2 publication Critical patent/JP7362505B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/12Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature position or movement of the target relative to the spray apparatus
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/10Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to temperature or viscosity of liquid or other fluent material discharged
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/14Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with oscillating elements; with intermittent operation
    • B05B3/16Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with oscillating elements; with intermittent operation driven or controlled by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • B05C11/1018Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target responsive to distance of target
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】基板に液体を供給するための液体供給部に生じうる吐出位置ずれに関する情報を得ることができる技術を提供する。【解決手段】制御部は、液体供給部を制御し、第1液体吐出ノズルを移動させつつ第1液体吐出ノズルから基板の表面に向けて液体を吐出させて、基板の表面における液体の着地位置を継続的に変える。制御部は、第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路に沿って移動させた場合に温度測定部によって測定されるスポット温度に基づく第1温度情報と、第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路とは異なる第2ノズル経路に沿って移動させた場合に温度測定部によって測定されるスポット温度に基づく第2温度情報とを比較することによって、液体供給部の吐出位置ずれ情報を導き出す。【選択図】図4

Description

本開示は、基板液処理装置及び液体吐出評価方法に関する。
ノズルを移動させつつノズルから基板に向けて処理液を吐出させる装置が知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2013−251335号公報
基板の液処理を精度良く行う観点からは、ノズルから吐出される処理液を基板の所望位置に着地させることが有利である。基板の所望位置に処理液を精度良く着地させるには、基板に液体を供給するための液体供給部に吐出位置ずれが生じているのか否か、及び、どの程度の吐出位置ずれが生じているのかを把握することが有利である。
本開示は、基板に液体を供給するための液体供給部に生じうる吐出位置ずれに関する情報を得ることができる技術を提供する。
本開示の一態様は、基板を保持する基板保持部と、回転軸線を中心に基板を回転させる回転機構と、基板と異なる温度の液体を吐出する第1液体吐出ノズルと、第1液体吐出ノズルを移動させるノズル移動機構と、を具備する液体供給部と、基板の表面のうちの特定スポットの温度及び特定スポット上の液体の温度のうちの少なくともいずれか一方であるスポット温度を測定する温度測定部と、液体供給部を制御し、第1液体吐出ノズルを移動させつつ第1液体吐出ノズルから基板の表面に向けて液体を吐出させて、基板の表面における液体の着地位置を継続的に変える制御部であって、第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路に沿って移動させた場合に温度測定部によって測定されるスポット温度に基づく第1温度情報と、第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路とは異なる第2ノズル経路に沿って移動させた場合に温度測定部によって測定されるスポット温度に基づく第2温度情報とを比較することによって、液体供給部の吐出位置ずれ情報を導き出す制御部と、を備える基板液処理装置に関する。
本開示によれば、基板に液体を供給するための液体供給部に生じうる吐出位置ずれに関する情報を得ることができる。
図1は、処理システムの一例の概略を示す図である。 図2は、処理ユニットの一例の概略を示す図である。 図3は、制御部の機能構成の一例を示すブロック図である。 図4は、基板保持部に保持されている基板の一例を示す上面図である。 図5は、正常な配管の一例を説明するための概略図である。 図6は、配管誤接続の一例を説明するための概略図である。 図7は、液体吐出ノズルの吐出異常の一例を説明するための概略図である。 図8は、吐出位置ずれ量の算出方法の一例を説明するためのグラフである。 図9は、吐出位置ずれ量の算出方法の他の例を説明するためのグラフである。
図1は、処理システム80の一例の概略を示す図である。図1に示す処理システム80は、搬入出ステーション91及び処理ステーション92を有する。搬入出ステーション91は、複数のキャリアCを具備する載置部81と、第1搬送機構83及び受渡部84が設けられている搬送部82とを含む。各キャリアCには、複数の基板Wが水平状態で収容されている。処理ステーション92には、搬送路86の両側に設置されている複数の処理ユニット10と、搬送路86を往復移動する第2搬送機構85とが設けられている。
基板Wは、第1搬送機構83によりキャリアCから取り出されて受渡部84に載せられ、第2搬送機構85によって受渡部84から取り出される。そして基板Wは、第2搬送機構85によって対応の処理ユニット10に搬入され、対応の処理ユニット10において所定の液処理(例えばめっき処理)が施される。その後、基板Wは、第2搬送機構85によって対応の処理ユニット10から取り出されて受渡部84に載せられ、その後、第1搬送機構83によって載置部81のキャリアCに戻される。
処理システム80は制御部93を備える。制御部93は、例えばコンピュータによって構成され、演算処理部及び記憶部を具備する。制御部93の記憶部には、処理システム80で行われる各種処理のためのプログラム及びデータが記憶される。制御部93の演算処理部は、記憶部に記憶されているプログラムを適宜読み出して実行することにより、処理システム80の各種デバイスを制御して各種処理を行う。
制御部93の記憶部に記憶されるプログラム及びデータは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)及びメモリカードなどがある。
図2は、処理ユニット10の一例の概略を示す図である。
処理ユニット10は、制御部93(図1参照)とともに基板液処理装置を構成し、基板保持部11、回転駆動部12、液体供給部15、温度測定部20、カップ構造体21、不活性ガス供給部22及び処理チャンバー23を備える。基板保持部11、回転駆動部12、液体供給部15、温度測定部20及びカップ構造体21は、処理チャンバー23の内側に設置されている。不活性ガス供給部22は、不活性ガス(例えば窒素)を処理チャンバー23内に供給する。
基板保持部11は、第2搬送機構85(図1参照)を介して供給される基板Wを保持する。図示の基板保持部11は基板Wの裏面を吸着保持するバキューム方式を採用するが、基板保持部11は他の方式(例えばメカニカルチャック方式)によって基板Wを保持してもよい。回転駆動部12は、基板保持部11に回転動力を与えて、基板保持部11に保持されている基板Wを基板保持部11とともに回転させる。図示の回転駆動部12は、回転軸線A1上に延在し且つ先端部に基板保持部11が固定的に取り付けられている回転駆動軸と、回転軸線A1を中心に回転駆動軸を回転させる回転駆動本体部とを具備する。このように図示の例では、基板保持部11及び回転駆動部12によって、回転軸線A1を中心に基板Wを回転させる回転機構13の少なくとも一部が構成されている。
液体供給部15は、ノズル駆動部16、駆動アーム17、吐出ヘッド18及び液体吐出ノズル19を備える。ノズル駆動部16は、旋回軸線A2上に延在し且つ先端部に駆動アーム17が固定的に取り付けられている旋回駆動軸と、旋回軸線A2を中心に旋回駆動軸を回転させる旋回駆動本体部とを具備する。駆動アーム17の一端側には、ノズル駆動部16の旋回駆動軸が取り付けられており、駆動アーム17の他端側には吐出ヘッド18が取り付けられている。吐出ヘッド18には液体吐出ノズル19が設けられている。吐出ヘッド18を介して駆動アーム17に取り付けられている液体吐出ノズル19は、駆動アーム17及び吐出ヘッド18とともに旋回軸線A2を中心に移動する。このように図示の例では、ノズル駆動部16及び駆動アーム17によって、液体吐出ノズル19を移動させるノズル移動機構の少なくとも一部が構成されている。
液体吐出ノズル19は、液体供給管(後述の図5及び図6に示す第1液体供給管33a及び第2液体供給管33b参照)を介して液体タンク(図示省略)から供給される液体を吐出する。液体供給管は、駆動アーム17及び吐出ヘッド18を通って液体吐出ノズル19につながっており、制御部93(図1参照)の制御下で液体供給管内の液体の流れをコントロールする弁等のデバイスが取り付けられている。
液体供給部15が有する液体吐出ノズル19の数は限定されない。図2には一つの液体吐出ノズル19のみが図示されているが、液体供給部15は2以上の液体吐出ノズル19(後述の図5及び図6に示す第1液体吐出ノズル19a及び第2液体吐出ノズル19b参照)を具備していてもよい。一例として、めっき液等の処理液を吐出する液体吐出ノズル、純水(DIW)等のリンス液を吐出する液体吐出ノズル、及び基板の洗浄に用いられる洗浄液を吐出する液体吐出ノズルが、吐出ヘッド18に設けられていてもよい。
本実施形態の液体吐出ノズル19は、基板Wと異なる温度の液体を吐出することができる。すなわち液体吐出ノズル19は、基板Wよりも高い又は低い温度の液体を吐出することができる。基板Wは、通常は、処理チャンバー23内の温度(すなわち環境温度)と同じ温度を有する。例えば環境温度が常温(5〜35℃)の場合、液体吐出ノズル19は、常温よりも高い又は低い温度の液体を吐出することができる。液体吐出ノズル19から吐出される液体の温度を調整する方法は限定されない。典型的には、液体吐出ノズル19に接続される液体供給管及び/又は液体タンクに設けられる温度調整器(例えば制御部93の制御下で駆動される加熱器及び/又は冷却器)によって、液体吐出ノズル19から吐出される液体の温度を調整することができる。
温度測定部20は、基板保持部11により保持されている基板Wの温度を測定する。温度測定部20は、典型的には赤外線センサを具備する非接触式の温度測定デバイスであり、基板保持部11に保持されている基板Wの表面(特に液体吐出ノズル19から吐出された液体が載せられる上面)の温度を測定する。より厳密には、温度測定部20は、基板Wの表面に液体が載せられていない場合には基板Wの表面の温度を測定し、基板Wの表面(特に測定対象箇所)に液体が載せられている場合には基板Wの表面上の液体の温度を測定する。本実施形態の温度測定部20は、基板Wの表面(上面)のうちの一部領域(以下「特定スポット」とも称する)の温度及び特定スポット上の液体の温度のうちの少なくとも一方であるスポット温度を測定する。すなわち基板Wの表面の特定スポット上に液体が存在しない場合、温度測定部20は、特定スポット自体(すなわち基板W自体)の温度をスポット温度として測定する。一方、特定スポット上に液体が存在している場合、温度測定部20は、特定スポット上の液体の温度をスポット温度として測定する。
温度測定部20の測定対象は、基板Wの表面の一部のみであってもよいし、基板Wの表面の全部であってもよい。温度測定部20は、基板Wの上面のうちの特定スポットのみを測定対象としてもよいし、基板Wの上面のうち特定スポットを含み且つ特定スポットよりも広い範囲を測定対象としてもよい。温度測定部20が「基板Wの表面のうち特定スポットを含み且つ特定スポットよりも広い範囲」を測定する場合、制御部93は、温度測定部20の測定結果を解析することによってスポット温度を取得してもよい。図示の温度測定部20は基板Wの上方から外れた位置に設置されているが、温度測定部20の設置位置は限定されず、基板Wの直上に温度測定部20が配置されていてもよい。
後述のように、温度測定部20は、基板Wが回転している状態で、スポット温度を取得する。したがって特定スポットを構成する基板Wの一部領域は、基板Wの回転状態に応じて変わりうる。すなわち基板Wのうち「特定スポットに対応する温度測定部20の測定範囲に含まれる一部領域」が特定スポットを構成するが、この特定スポットに対応する基板Wの一部領域は、基板Wの回転状態に応じて変わりうる。
カップ構造体21は、リング状の平面形状を有し、基板保持部11に保持されている基板Wを取り囲むように設けられている。カップ構造体21は、基板Wから飛散した液体を受け止めてドレンダクト(図示省略)に案内したり、基板Wの周囲の気体が拡散するのを防ぐように気体の流れを整えたりする。カップ構造体21の具体的な構成は限定されない。例えば、カップ構造体21は、主として液体を案内するためのカップと、主として気体の流れを整えるためのカップとを、別体として有していてもよい。
処理ユニット10は、上述されていない他のデバイスを更に具備していてもよい。例えば、処理チャンバー23内から気体を排出するための排気デバイスや、基板Wから落下(飛散)した液体を処理チャンバー23内から排出するための排液デバイスが設けられていてもよい。また基板W上の液体を加熱して基板Wの液処理を促進するための加熱装置が設けられていてもよい。
図3は、制御部93の機能構成の一例を示すブロック図である。図3に示される各ブロック(特に制御部93が有する各ブロック)は、任意のハードウェア及び/又はソフトウェアによって構成可能であり、単一のデバイスによって構成されていてもよいし、2以上のデバイスが組み合わされて構成されていてもよい。また図3に示される2以上のブロックが共通のデバイスによって構成されていてもよい。
制御部93には、例えば基板保持部11、回転駆動部12、液体供給部15、温度測定部20及び出力部30が接続されている。制御部93は、制御部93に接続される各種デバイスの駆動制御を行う制御駆動部94、後述の吐出位置ずれ情報を導き出す評価部95、及び各種のデータ及びプログラムが記憶される記憶部96を含む。
制御駆動部94は、基板保持部11を制御して、基板保持部11における基板Wの保持及び解放を行う。また制御駆動部94は、回転駆動部12を制御して、基板保持部11及び基板保持部11に保持されている基板Wを回転させる。また制御駆動部94は、液体供給部15を制御して、液体吐出ノズル19を移動させたり、液体吐出ノズル19から液体を吐出させたりする。また温度測定部20は、測定結果を制御部93に送信する。評価部95は、温度測定部20から送信される測定結果に基づいて吐出位置ずれ情報を導き出す。導き出された吐出位置ずれ情報は、記憶部96に記憶されているデータ及び/又はプログラムの修正及び/又は追加に用いられてもよいし、出力部30に送信され、出力部30において映像及び/又は音声によって出力されてもよい。
[吐出位置ずれ情報の導出]
次に、吐出位置ずれ情報の導出方法の典型例について説明する。
図4は、基板保持部11に保持されている基板Wの一例を示す上面図である。図4では、理解を容易にするため、各種要素が簡略化されて示されており、カップ構造体21及び不活性ガス供給部22等の図示が省略されている。
制御部93の制御駆動部94は液体供給部15を制御し、液体吐出ノズル19を移動させつつ液体吐出ノズル19から基板Wの表面に向けて液体を吐出させて、基板Wの表面における液体の着地位置を継続的に変える。具体的には、制御駆動部94は、液体吐出ノズル19を、基板Wの表面の上方において、相互に異なる第1ノズル経路41及び第2ノズル経路42の各々に沿って移動させながら、液体吐出ノズル19から真下に(すなわち鉛直方向に)液体を吐出させる。この際、液体吐出ノズル19から吐出される液体は、基板Wの温度(通常は処理チャンバー23内の雰囲気温度)と異なる温度を有する。したがって基板W上に液体が着地することによって、基板Wの温度は徐々に変わる。
本実施形態の液体吐出ノズル19は、旋回軸線A2を中心とした円弧状の移動軌道40に沿って、往復移動可能に設けられている。移動軌道40に沿って移動軌道40の一方側から他方側に向かう経路が第1ノズル経路41に該当し、移動軌道40に沿って移動軌道40の他方側から一方側に向かう経路が第2ノズル経路42に該当する。図示の例では、移動軌道40が回転軸線A1を通過する。したがって、移動軌道40に沿って移動軌道40の一方側から回転軸線A1に向かう経路が第1ノズル経路41に該当し、移動軌道40に沿って移動軌道40の他方側から回転軸線A1に向かう経路が第2ノズル経路42に該当する。基板保持部11に保持されている基板Wが継続的に回転させられている状態で、液体吐出ノズル19は、第1ノズル経路41及び第2ノズル経路42に沿って移動しながら液体を吐出する。
液体吐出ノズル19が移動しながら基板Wに向けて液体を吐出している間、温度測定部20は、基板Wの特定スポット45a(すなわち基板Wの一部分)におけるスポット温度を継続的に測定し、測定結果を制御部93に送信する。
図示の温度測定部20は、基板Wの上面における複数の温度測定スポット45において、基板Wの表面自体の温度又は基板Wの表面上の液体の温度を測定することができる。特定スポット45aは、これらの複数の温度測定スポット45のうちの1つである。特定スポット45aは、典型的には、基板Wの外周エッジと回転軸線A1との間に位置する。基板Wを回転させながら液体吐出ノズル19から基板Wの表面に継続的に吐出される液体は、基板Wの表面のうち回転軸線A1から等距離にある環状の領域に継続的に着地する。すなわち、液体吐出ノズル19の移動速度に比べて基板Wは非常に高速で回転しているので、液体吐出ノズル19から吐出された液体は、結果的に、基板Wの上面のうち回転軸線A1を中心とした周方向に広がる環状領域に付与される。基板Wの表面のうち回転軸線A1からの距離が回転軸線A1と特定スポット45aとの間の距離に等しい環状の領域を、特定環状領域46と称する。
制御部93の評価部95は、液体吐出ノズル19を第1ノズル経路41に沿って移動させた場合に温度測定部20によって測定されるスポット温度に基づき、第1温度情報を取得する。また評価部95は、液体吐出ノズル19を第2ノズル経路42に沿って移動させた場合に温度測定部20によって測定されるスポット温度に基づき、第2温度情報を取得する。このように第1温度情報及び第2温度情報は、基板Wを回転させながら基板Wの表面における液体の着地位置を継続的に変えることによって得られるスポット温度の測定結果に基づいている。
第1温度情報を取得する場合、第1ノズル経路41に沿って移動する液体吐出ノズル19から吐出された液体の基板Wの表面における着地位置の軌跡は、基板Wの表面の特定環状領域46を通過する。同様に、第2温度情報を取得する場合、第2ノズル経路42に沿って移動する液体吐出ノズル19から吐出された液体の基板Wの表面における着地位置の軌跡は、特定環状領域46を通過する。
評価部95は、上述のようにして得られる第1温度情報及び第2温度情報を比較することによって、液体供給部15の吐出位置ずれ情報を導き出す。ここでいう吐出位置ずれ情報は、液体吐出ノズル19から吐出された液体の基板Wの表面における着地位置のずれに関する情報であり、第1温度情報及び第2温度情報に基づいて求められる。吐出位置ずれ情報は、典型的には、駆動アーム17の移動位置のずれに関する情報、液体吐出ノズル19に接続される液体供給管の配管エラーに関する情報、及び液体吐出ノズル19からの液体の吐出方向のずれに関する情報を含みうる。吐出位置ずれ情報に含まれうるこれらの情報の典型例は後述される。
上述の構成を有する本実施形態の各処理ユニット10及び制御部93(すなわち基板液処理装置)は、以下の工程を含む液体吐出評価方法を実施する。
まず、基板Wを回転させている状態で、液体吐出ノズル19を第1ノズル経路41に沿って移動させつつ、基板Wとは異なる温度(すなわち基板Wよりも高い又は低い温度)の液体を液体吐出ノズル19から基板Wの表面(特に上面)に向けて吐出させる。これにより、基板Wの表面における液体の着地位置が継続的に変えられながら、基板Wの表面のうちの特定スポット45aの温度及び特定スポット45a上の液体の温度のうちの少なくともいずれか一方であるスポット温度が温度測定部20によって測定される。このようにして得られる温度測定部20の測定結果は、温度測定部20から制御部93に第1温度情報として送られる。したがって第1温度情報は、液体吐出ノズル19を第1ノズル経路41に沿って移動させた場合に温度測定部20によって測定されるスポット温度に基づいている。
その後、基板Wを回転させている状態で、液体吐出ノズル19を第2ノズル経路42に沿って移動させつつ、基板Wとは異なる温度の液体を液体吐出ノズル19から基板Wの表面(特に上面)に向けて吐出させる。これにより、基板Wの表面における液体の着地位置が継続的に変えられながら、基板Wの表面のうちの特定スポット45aの温度及び特定スポット45a上の液体の温度のうちの少なくともいずれか一方であるスポット温度が温度測定部20によって測定される。このようにして得られる温度測定部20の測定結果は、温度測定部20から制御部93に第2温度情報として送られる。したがって第2温度情報は、液体吐出ノズル19を第2ノズル経路42に沿って移動させた場合に温度測定部20によって測定されるスポット温度に基づいている。
なお、第2温度情報を取得するために基板W上に液体吐出ノズル19から液体を吐出させる前に、基板Wの温度は処理チャンバー23の雰囲気温度に戻される。すなわち第1温度情報が取得された後、液体吐出ノズル19から基板W上への液体の供給が止められ、スピン乾燥処理により基板W上から液体が取り除かれて基板Wの温度が処理チャンバー23内の雰囲気温度と同じに調整される。その後、第2温度情報を取得するために、液体吐出ノズル19から基板W上への液体の供給が行われる。後述の第1温度情報及び第2温度情報の比較を容易にするため、同じ条件下で第1温度情報及び第2温度情報を取得することが好ましい。例えば、液体吐出ノズル19の移動速度、液体吐出ノズル19から吐出される液体の温度、及び基板Wの回転速度等の条件が、第1温度情報を取得する処理と第2温度情報を取得する処理との間で揃えられることが好ましい。
制御部93は、液体吐出ノズル19を第1ノズル経路41に沿って移動させた場合に得られる第1温度情報と、液体吐出ノズル19を第2ノズル経路42に沿って移動させた場合に得られる第2温度情報とを比較することによって、吐出位置ずれ情報を導き出す。このようにして導き出された吐出位置ずれ情報は、任意の用途に使われることが可能である。例えば、吐出位置ずれ情報は、履歴情報として記憶部96に記憶されてもよいし、記憶部96に記憶されているデータ及び/又はプログラムの修正に用いられてもよいし、出力部30を介してユーザに報知されてもよい。
例えば、制御部93(例えば評価部95)は、導出された吐出位置ずれ情報に基づき、液体吐出ノズル19から吐出された液体の基板W上における着地位置のずれ量(以下「液体着地ずれ量」とも称する)を導き出してもよい。この場合、制御部93(例えば制御駆動部94)は、導出された液体着地ずれ量をキャンセルするように液体供給部15を駆動制御することによって、液体吐出ノズル19から吐出された液体を基板Wの所望位置に精度良く着地させることが可能である。例えば、制御部93が、ノズル駆動部16のエンコーダの出力結果に応じて液体吐出ノズル19の位置を監視している場合、制御部93は、エンコーダの出力と液体吐出ノズル19の位置との対応関係を、吐出位置ずれ情報に基づいて修正してもよい。
[吐出位置ずれの典型例]
液体吐出ノズル19からの液体が基板Wの所望位置からずれた位置に着地する現象(すなわち「吐出位置ずれ」)は、様々な要因で生じる。
例えば、液体吐出ノズル19の設置の位置精度が不十分であることに起因して、液体供給部15に吐出位置ずれが生じることがある。この場合、制御部93(例えば評価部95)は、吐出位置ずれ情報から液体吐出ノズル19の位置ずれ量を算出し、液体供給部15(例えばノズル駆動部16)の駆動量を液体吐出ノズル19の位置ずれ量に基づいて調整してもよい。また制御部93は、必要に応じ、液体吐出ノズル19の位置ずれ量に基づいて、記憶部96に記憶されているデータ及び/又はプログラムをアップデートしてもよい。このように制御部93によって導出される吐出位置ずれ情報は、液体吐出ノズル19の設置の位置精度に関する情報を含みうる。
また液体供給部15が複数の液体吐出ノズル19を具備する場合、液体吐出ノズル19間における配管誤接続(配管エラー)に起因して、液体供給部15に吐出位置ずれが生じることがある。
例えば図5及び図6に示すように、液体供給部15が第1液体吐出ノズル19a及び第2液体吐出ノズル19bを具備する場合を想定する。この場合、配管が適切に行われていれば、図5に示すように、第1液体吐出ノズル19aに第1液体供給管33aが接続され、第2液体吐出ノズル19bに第2液体供給管33bが接続される。しかしながら図6に示すように、第1液体吐出ノズル19aに第2液体供給管33bが誤って接続され、第2液体吐出ノズル19bに第1液体供給管33aが誤って接続されることがある。例えば、図5に示すように第1液体吐出ノズル19aから液体50を吐出させる場合、制御部93(特に制御駆動部94)の制御下で、第1液体供給管33aに設けられている供給弁34が開かれ、第2液体供給管33bに設けられている供給弁34が閉じられる。しかしながら図6に示すような配管エラーが生じている場合、本来意図されている第1液体吐出ノズル19aからは液体50が吐出されず、代わりに第2液体吐出ノズル19bから液体50が意図せずに吐出される。
このように吐出位置ずれ情報は、第1液体吐出ノズル19aに接続される液体供給管と第2液体吐出ノズル19bに接続される液体供給管との間の配管エラーに関する情報を含みうる。なお、配管誤接続に起因する吐出位置ずれの程度(すなわち吐出位置ずれ量)は、液体吐出ノズル19間の距離に対応している。したがって制御部93(例えば評価部95)は、吐出位置ずれ情報から得られる具体的な吐出位置ずれ量に基づいて、配管エラーに起因する吐出位置ずれが生じているか否かを推定することが可能である。
また液体吐出ノズル19からの液体50の吐出方向が不適切な場合にも、吐出位置ずれが生じる。液体吐出ノズル19から液体50が吐出される方向は、本来意図された吐出方向(図7の符号「D1」で示される吐出方向参照)と一致することが理想的である。しかしながら実際には、液体吐出ノズル19の加工精度や取付精度に起因して、液体吐出ノズル19から液体50が吐出される方向が、本来意図された吐出方向からずれてしまうことがある(図7の符号「D2」で示される吐出方向参照)。このように吐出位置ずれ情報は、液体吐出ノズル19からの液体の吐出方向のずれに関する情報を含みうる。
[吐出位置ずれ量の算出例]
吐出位置ずれ量の算出方法の具体例について説明する。以下に説明する例において、旋回軸線A2を中心とした液体吐出ノズル19の移動の速度は、ノズル経路(すなわち第1ノズル経路41及び第2ノズル経路42)によらず、一定である。
図8は、吐出位置ずれ量の算出方法の一例を説明するためのグラフである。図8において、横軸は、基板Wの表面(特に上面)のエッジからの液体吐出ノズル19の移動時間を示し、縦軸は、温度測定部20により測定されるスポット温度を示す。なお図8に示す移動時間は、液体吐出ノズル19から吐出される液体が基板Wの表面のエッジに着地することが想定される位置に液体吐出ノズル19が到達したタイミングを起点としている。したがって液体吐出ノズル19から真下(すなわち鉛直方向)に液体が吐出されることが意図されている場合、液体吐出ノズル19が基板Wの上面のエッジと鉛直方向に重なる位置に到達したタイミングが、図8に示す移動時間の起点とされる。
上述の第1温度情報及び第2温度情報の各々は、基板Wの表面のエッジからの液体吐出ノズル19の移動時間と、温度測定部20により測定されるスポット温度と、に基づいて定められる経時温度情報を含んでいてもよい。図8において、第1温度情報に含まれる経時温度情報(すなわち「第1経時温度情報」)が符号「I1」で示されており、第2温度情報に含まれる経時温度情報(すなわち「第2経時温度情報」)が符号「I2」で示されている。
制御部93(特に評価部95)は、第1経時温度情報I1において閾値温度t0に対応づけられる移動時間T1と、第2経時温度情報I2において閾値温度t0に対応づけられる移動時間T2と、を比較することによって吐出位置ずれ情報を導き出すことができる。
閾値温度t0は、液体吐出ノズル19から吐出された液体の影響を受けて変動及び到達しうるスポット温度に基づいて定められることが好ましい。一例として、液体吐出ノズル19から吐出された液体が特定環状領域46に着地するタイミング、当該タイミングの直前、又は当該タイミングの直後に到達しうるスポット温度を、閾値温度t0として用いてもよい。ここでいう「液体吐出ノズル19から吐出された液体が特定環状領域46に着地するタイミング」は、液体吐出ノズル19から真下に液体が吐出される場合には、液体吐出ノズル19が特定環状領域46の上方を横切るタイミングとしうる。
閾値温度t0は、予め定められた値であってもよいし、実際に取得された第1経時温度情報I1及び第2経時温度情報I2に基づいて適応的に定められる値であってもよい。一例として、閾値温度t0は、第1経時温度情報I1についてのスポット温度の移動時間に関する微分係数と、第2経時温度情報I2についてのスポット温度の移動時間に関する微分係数と、に基づいて定められてもよい。例えば、第1経時温度情報I1及び第2経時温度情報I2において「スポット温度の移動時間に関する微分係数の最大値が示されるスポット温度」に基づいて、閾値温度t0が定められてもよい。
例えば、吐出位置ずれが生じていない理想的な状態に液体供給部15が置かれている場合、液体吐出ノズル19が基板Wの上面エッジから特定環状領域46の上方に到達するまでの移動時間は、ノズル経路にかかわらず一定である。したがってこの場合、「液体吐出ノズル19の移動時間」及び「スポット温度」は、第1経時温度情報I1と第2経時温度情報I2との間で、ほぼ同様の挙動を示す。具体的には、第1経時温度情報I1において閾値温度t0に対応する移動時間T1と、第2経時温度情報I2において閾値温度t0に対応する移動時間T2とが、同じ又はほぼ同じとなる。
一方、液体供給部15に吐出位置ずれが生じている場合、第1ノズル経路41と第2ノズル経路42との間で、液体吐出ノズル19が基板Wの上面エッジから特定環状領域46の上方に到達するまでの移動時間に差が生じる。制御部93は、この移動時間差(すなわち第1ノズル経路41と第2ノズル経路42との間における移動時間の差)から、吐出位置ずれ量を導き出すことが可能である。
例えば、制御部93は、温度測定部20の測定結果から、第1経時温度情報I1において閾値温度t0に対応する移動時間T1と、第2経時温度情報I2において閾値温度t0に対応する移動時間T2との間の差を算出することができる。この移動時間の差(すなわち「T2−T1」)を「移動時間差ΔTa」と称する(図8参照)。制御部93は、この移動時間差ΔTaの2分の1(すなわち「ΔTa/2」)に対して液体吐出ノズル19の移動速度を乗じることで得られる値を「移動軌道40に沿った方向に関する液体吐出ノズル19の位置ずれ量」として算出することができる。このように制御部93は、吐出位置ずれ量を直接的に求めることができる。
また制御部93は、「第1経時温度情報I1において閾値温度t0に対応する移動時間T1と、第2経時温度情報I2において閾値温度t0に対応する移動時間T2との和」の2分の1(すなわち「(T1+T2)/2」)を算出することができる。「(T1+T2)/2」は、移動軌道40上の中心位置を液体吐出ノズル19が通過するタイミングにおける「基板Wの表面のエッジからの液体吐出ノズル19の移動時間」に対応する。図4に示す例では、移動軌道40のうち回転軸線A1が通過する位置が「移動軌道40上の中心位置」に該当する。また制御部93は、「(T1+T2)/2」に対して液体吐出ノズル19の移動速度を乗じることで得られる値を「基板Wの上面エッジから移動軌道40上の中心位置までの移動軌道40に沿った距離」として算出することができる。このように制御部93は、吐出位置ずれ量を間接的に求めることもできる。
上述のようにして直接的及び/又は間接的に求められる「吐出位置ずれ量」に基づいて、制御部93は、液体吐出ノズル19の移動制御に用いられるプログラムやデータの適正化を行うことができる。これにより液体吐出ノズル19から吐出された液体を、基板W上の所望位置に精度良く着地させることができる。
図9は、吐出位置ずれ量の算出方法の他の例を説明するためのグラフである。図9において、横軸は、基板Wの上面エッジからの液体吐出ノズル19の移動時間を示し、縦軸は、スポット温度の移動時間に関する微分係数を示す。なお図9における移動時間は、上述の図8における移動時間と同様に定義される。
制御部93は、第1経時温度情報I1についてのスポット温度の移動時間に関する微分係数に基づいて定められる第1基準移動時間T11を取得してもよい。また制御部93は、第2経時温度情報I2についてのスポット温度の移動時間に関する微分係数に基づいて定められる第2基準移動時間T12を取得してもよい。そして制御部93は、第1基準移動時間T11と第2基準移動時間T12とを比較することによって、吐出位置ずれ情報を導き出してもよい。
例えば、吐出位置ずれが生じていない理想的な状態に液体供給部15が置かれている場合、「液体吐出ノズル19の移動時間」及び「スポット温度」は、第1経時温度情報I1と第2経時温度情報I2との間で非常に似た挙動を示す。したがって、スポット温度の移動時間に関する微分係数も、第1経時温度情報I1と第2経時温度情報I2との間で非常に似た挙動を示す。そのため、スポット温度の移動時間に関する微分係数が最大値を示す移動時間(すなわち第1基準移動時間T11及び第2基準移動時間T12)は、第1経時温度情報I1と第2経時温度情報I2との間で同じ又はほぼ同じになる。
通常、「スポット温度の移動時間に関する微分係数が最大値を示す移動時間」は、液体吐出ノズル19から吐出される液体が特定環状領域46に着地するタイミングに応じて定まると考えられる。例えば、液体吐出ノズル19から真下に液体が吐出されることが意図されている場合、「スポット温度の移動時間に関する微分係数が最大値を示す移動時間」は、液体吐出ノズル19が特定環状領域46の上方を横切るタイミングに応じて定まると考えられる。
そのため、液体供給部15に吐出位置ずれが生じている場合、第1経時温度情報I1と第2経時温度情報I2との間で、スポット温度の移動時間に関する微分係数が最大値を示す移動時間に差が生じる。この移動時間の差(すなわち「T12−T11」)を「移動時間差ΔTb」と称する(図9参照)。制御部93は、温度測定部20の測定結果から、この移動時間差ΔTbを算出することができる。そして制御部93は、「ΔTb/2」に対して液体吐出ノズル19の移動速度を乗じることで得られる値を「移動軌道40に沿った方向に関する液体吐出ノズル19の位置ずれ量」として算出することができる。また制御部93は、「(T11+T12)/2」を、移動軌道40上の中心位置を液体吐出ノズル19が通過するタイミングにおける「基板Wの表面のエッジからの液体吐出ノズル19の移動時間」として算出することができる。また制御部93は、「(T11+T12)/2」に対して液体吐出ノズル19の移動速度を乗じることで得られる値を「基板Wの表面のエッジから移動軌道40上の中心位置までの移動軌道40に沿った距離」として算出することができる。このように制御部93は、第1基準移動時間T11及び第2基準移動時間T12の比較に基づいて、吐出位置ずれ量を直接的及び/又は間接的に求めることができる。
以上説明したように上述の基板液処理装置及び液体吐出評価方法によれば、基板Wに液体を供給するための液体供給部15に生じうる吐出位置ずれに関する情報を得ることができる。
一般に、液体吐出ノズル19の位置調整は手動的に行われることが多い。例えば、基板液処理装置の起動時や液体吐出ノズル19の交換時に、ユーザが、必要に応じて、液体吐出ノズル19の位置を調整することが多い。このような人手を介した調整方法による場合、液体吐出ノズル19の位置を必ずしも精度良くは調整することができず、またユーザの作業ミスによって配管誤接続などの人為的エラーが突発的に生じうる。また人手を介した調整方法による場合、液体吐出ノズル19の位置調整を高頻度で行うことはユーザの負担が大きいため、実際には限られたタイミングでのみ液体吐出ノズル19の位置調整が行われる。この場合、パーツ不良などのイレギュラーな要因に基づいて突発的に生じる吐出位置ずれに対し、迅速に対処することが難しい。
一方、上述の基板液処理装置及び液体吐出評価方法によれば、人手を介することなく吐出位置ずれに関する情報が得られ、また人手を介することなく液体吐出ノズル19の移動制御の適正化を行うことが可能である。そのため、信頼性が非常に高い吐出位置ずれに関する情報に基づいて、簡単且つ高精度な液体吐出ノズル19の移動制御を実現することが可能である。
[変形例]
特定スポット45aは、基板Wのうちの1箇所のみであってもよいし(図4参照)、基板Wのうちのお互いに離れた複数箇所であってもよい。すなわち温度測定部20によって取得されるスポット温度は、基板Wのうちの1箇所の特定スポット45aを対象として得られる測定温度に基づいていてもよいし、基板Wのうちの複数箇所の特定スポット45aを対象として得られる測定温度に基づいていてもよい。複数の特定スポット45aに基づいて得られるスポット温度は、例えば、それぞれの特定スポット45aで得られるスポット温度の平均値であってもよい。或いは、それぞれの特定スポット45aで得られるスポット温度に固有の係数を掛け合わせて得られる値の和によって、スポット温度が導き出されてもよい。
液体吐出ノズル19の移動軌道40は、図4に示す移動軌道40には限定されない。例えば移動軌道40は、回転軸線A1を横切らなくてもよいし、非円弧状の形状を有していてもよい。
本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。
また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の液体吐出評価方法に含まれる1又は複数の手順(ステップ)をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的(non−transitory)な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。
10 処理ユニット
11 基板保持部
13 回転機構
15 液体供給部
16 ノズル駆動部
17 駆動アーム
19 液体吐出ノズル
20 温度測定部
41 第1ノズル経路
42 第2ノズル経路
45a 特定スポット
50 液体
93 制御部
A1 回転軸線
W 基板

Claims (10)

  1. 基板を保持する基板保持部と、
    回転軸線を中心に前記基板を回転させる回転機構と、
    前記基板と異なる温度の液体を吐出する第1液体吐出ノズルと、前記第1液体吐出ノズルを移動させるノズル移動機構と、を具備する液体供給部と、
    前記基板の表面のうちの特定スポットの温度及び前記特定スポット上の前記液体の温度のうちの少なくともいずれか一方であるスポット温度を測定する温度測定部と、
    前記液体供給部を制御し、前記第1液体吐出ノズルを移動させつつ前記第1液体吐出ノズルから前記基板の前記表面に向けて前記液体を吐出させて、前記基板の前記表面における前記液体の着地位置を継続的に変える制御部であって、前記第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路に沿って移動させた場合に前記温度測定部によって測定される前記スポット温度に基づく第1温度情報と、前記第1液体吐出ノズルを前記第1ノズル経路とは異なる第2ノズル経路に沿って移動させた場合に前記温度測定部によって測定される前記スポット温度に基づく第2温度情報とを比較することによって、前記液体供給部の吐出位置ずれ情報を導き出す制御部と、
    を備える基板液処理装置。
  2. 前記第1温度情報及び前記第2温度情報は、前記基板を回転させながら前記基板の前記表面における前記液体の着地位置を継続的に変えることによって得られる前記スポット温度の測定結果に基づいており、
    前記第1温度情報を取得する場合、前記第1ノズル経路に沿って移動する前記第1液体吐出ノズルから吐出された前記液体の前記基板の前記表面における着地位置の軌跡は、前記基板の前記表面のうち前記回転軸線からの距離が前記回転軸線と前記特定スポットとの間の距離に等しい特定環状領域を、通過し、
    前記第2温度情報を取得する場合、前記第2ノズル経路に沿って移動する前記第1液体吐出ノズルから吐出された前記液体の前記基板の前記表面における着地位置の軌跡は、前記特定環状領域を通過する請求項1に記載の基板液処理装置。
  3. 前記第1液体吐出ノズルは円弧状の移動軌道に沿って移動し、
    前記第1ノズル経路は、前記移動軌道に沿って前記移動軌道の一方側から他方側に向かう経路であり、
    前記第2ノズル経路は、前記移動軌道に沿って前記移動軌道の前記他方側から前記一方側に向かう経路である請求項1又は2に記載の基板液処理装置。
  4. 前記ノズル移動機構は、前記第1液体吐出ノズルとともに移動する駆動アームを有し、
    前記吐出位置ずれ情報は、前記駆動アームの移動位置のずれに関する情報を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  5. 前記液体供給部は第2液体吐出ノズルを具備し、
    前記吐出位置ずれ情報は、前記第1液体吐出ノズルに接続される液体供給管と前記第2液体吐出ノズルに接続される液体供給管との間の配管エラーに関する情報を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  6. 前記吐出位置ずれ情報は、前記第1液体吐出ノズルからの前記液体の吐出方向のずれに関する情報を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  7. 前記第1温度情報及び前記第2温度情報の各々は、前記基板の前記表面のエッジからの前記第1液体吐出ノズルの移動時間と、前記温度測定部により測定される前記スポット温度と、に基づいて定められる経時温度情報を含み、
    前記制御部は、前記第1温度情報の前記経時温度情報において閾値温度に対応づけられる前記移動時間と、前記第2温度情報の前記経時温度情報において前記閾値温度に対応づけられる前記移動時間と、を比較することによって前記吐出位置ずれ情報を導き出す請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  8. 前記閾値温度は、前記第1温度情報の前記経時温度情報についての前記スポット温度の前記移動時間に関する微分係数と、前記第2温度情報の前記経時温度情報についての前記スポット温度の前記移動時間に関する微分係数と、に基づいて定められる請求項7に記載の基板液処理装置。
  9. 前記第1温度情報及び前記第2温度情報の各々は、前記基板の前記表面のエッジからの前記第1液体吐出ノズルの移動時間と、前記温度測定部により測定される前記スポット温度と、基づいて定められる経時温度情報を含み、
    前記制御部は、前記第1温度情報の前記経時温度情報についての前記スポット温度の前記移動時間に関する微分係数に基づいて定められる第1基準移動時間と、前記第2温度情報の前記経時温度情報についての前記スポット温度の前記移動時間に関する微分係数に基づいて定められる第2基準移動時間と、を比較することによって前記吐出位置ずれ情報を導き出す請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  10. 第1液体吐出ノズルを第1ノズル経路に沿って移動させつつ前記第1液体吐出ノズルから基板の表面に向けて液体を吐出させることによって、前記基板の前記表面における前記液体の着地位置を継続的に変えながら、前記基板の表面のうちの特定スポットの温度及び前記特定スポット上の前記液体の温度のうちの少なくともいずれか一方であるスポット温度を測定する工程と、
    前記第1液体吐出ノズルを前記第1ノズル経路とは異なる第2ノズル経路に沿って移動させつつ前記第1液体吐出ノズルから前記基板の前記表面に向けて前記液体を吐出させることによって、前記基板の前記表面における前記液体の着地位置を継続的に変えながら、前記スポット温度を測定する工程と、
    前記第1液体吐出ノズルを前記第1ノズル経路に沿って移動させた場合に得られる前記スポット温度に基づく第1温度情報と、前記第1液体吐出ノズルを前記第2ノズル経路に沿って移動させた場合に得られる前記スポット温度に基づく第2温度情報とを比較することによって、吐出位置ずれ情報を導き出す工程と
    を含む液体吐出評価方法。
JP2020027414A 2020-02-20 2020-02-20 基板液処理装置及び液体吐出評価方法 Active JP7362505B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020027414A JP7362505B2 (ja) 2020-02-20 2020-02-20 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
KR1020210018574A KR20210106356A (ko) 2020-02-20 2021-02-09 기판 액 처리 장치 및 액체 토출 평가 방법
CN202110182809.0A CN113275193B (zh) 2020-02-20 2021-02-10 基片液处理装置和液体释放评价方法
US17/179,551 US20210260612A1 (en) 2020-02-20 2021-02-19 Substrate liquid processing apparatus and liquid discharge evaluation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020027414A JP7362505B2 (ja) 2020-02-20 2020-02-20 基板液処理装置及び液体吐出評価方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021132158A true JP2021132158A (ja) 2021-09-09
JP7362505B2 JP7362505B2 (ja) 2023-10-17

Family

ID=77275811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020027414A Active JP7362505B2 (ja) 2020-02-20 2020-02-20 基板液処理装置及び液体吐出評価方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210260612A1 (ja)
JP (1) JP7362505B2 (ja)
KR (1) KR20210106356A (ja)
CN (1) CN113275193B (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234280A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2011077245A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
JP2015103656A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020004817A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社Screenホールディングス 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5036290B2 (ja) * 2006-12-12 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム
JP5976276B2 (ja) * 2011-01-11 2016-08-23 セイコーエプソン株式会社 液体噴射装置
WO2013018197A1 (ja) * 2011-08-02 2013-02-07 有限会社ワイ・システムズ 半導体層の温度測定方法および温度測定装置
JP5146618B1 (ja) * 2012-05-30 2013-02-20 富士ゼロックス株式会社 発光素子の製造方法
JP5954776B2 (ja) 2012-05-30 2016-07-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6289961B2 (ja) * 2014-03-27 2018-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6707386B2 (ja) * 2016-04-07 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法及び記憶媒体
JP6925143B2 (ja) * 2017-03-07 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 液滴吐出装置、液滴吐出方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6846238B2 (ja) * 2017-03-07 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 液滴吐出装置、液滴吐出方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP7034011B2 (ja) * 2018-06-06 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板温度計測方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234280A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2011077245A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
JP2015103656A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020004817A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社Screenホールディングス 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210106356A (ko) 2021-08-30
CN113275193A (zh) 2021-08-20
US20210260612A1 (en) 2021-08-26
JP7362505B2 (ja) 2023-10-17
CN113275193B (zh) 2023-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102461723B1 (ko) 제어 장치
US9620402B2 (en) Alignment apparatus and substrate processing apparatus
TWI635929B (zh) 研磨裝置及研磨狀態監視方法
TWI491452B (zh) Spiral coating device and spiral coating method
EP2478999A2 (en) Polishing method and polishing apparatus
KR101312789B1 (ko) 웨이퍼의 위치 결정 방법
EP2053648A1 (en) Substrate conveyance device and vertical heat treatment equipment
KR20230098505A (ko) 연마 장치 및 연마 방법
US10847387B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
CN103928298A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
TWI801451B (zh) 基板固持裝置及具備基板固持裝置之基板處理裝置
KR102570853B1 (ko) 기판 이면 연마 부재의 드레싱 장치 및 드레싱 방법
KR20240134043A (ko) 배향된 웨이퍼 로딩을 통한 비대칭 보정
JP2021132158A (ja) 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
US11534886B2 (en) Polishing device, polishing head, polishing method, and method of manufacturing semiconductor device
US20240094645A1 (en) Substrate processing apparatus
KR20190100374A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2024074986A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2024012546A (ja) ワークホール検出装置、ワークホール検出方法、研磨システム及びウェーハの搬送制御方法
TWI819165B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7487006B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
US20240308016A1 (en) Wafer grinding apparatus and wafer grinding method
TWI806604B (zh) 單晶圓處理設備、單晶圓處理方法和單晶圓處理系統
US20230256463A1 (en) Substrate treating apparatus, substrate treating system, and substrate treating method
JP2017085177A (ja) 基板搬送装置および剥離システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221124

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7362505

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150