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JP2021106337A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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Hiromichi Kitajima
宏通 北嶋
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Abstract

【課題】温度変化による信号伝送特性の劣化が抑制された高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１０と、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２０と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）と、を備え、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さく、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。【選択図】図４Ａ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
特許文献１には、両面実装可能な配線基板の上面にフィルタが実装され、下面に電力増幅器および低雑音増幅器が実装された構成を有する半導体モジュールが開示されている。配線基板に配置されるフィルタとして、例えば、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタが用いられる。
特開２０１１−４０６０２号公報
しかしながら、特許文献１に開示された半導体モジュールにおいて、フィルタとして、例えば弾性表面波フィルタなどを用いた場合、弾性表面波フィルタの通過特性は温度に依存して周波数変化する（周波数温度特性を有する）。また、半導体モジュールには発熱量の大きい電力増幅器が配置されているため、半導体モジュールの温度が局所的に変化する。この半導体モジュールの温度変化に起因して、周波数温度特性を有するフィルタの通過特性が変動し、半導体モジュールの信号伝送特性が劣化する場合がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、温度変化による信号伝送特性の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、前記第１主面に配置された電力増幅器と、前記第２主面に配置された低雑音増幅器と、前記第１主面または前記第２主面に配置された第１弾性波フィルタと、前記第１主面または前記第２主面に配置された第２弾性波フィルタと、を備え、前記第１弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値は、前記第２弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値よりも小さく、前記第１弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離は、前記第２弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離よりも小さい。
本発明によれば、温度変化による信号伝送特性の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 音速膜積層型弾性波フィルタの構造を模式的に表す平面図および断面図である。 温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタの構造を模式的に表す断面図である。 ＬＴ基板型弾性波フィルタの構造を模式的に表す断面図である。 バルク弾性波フィルタの構造を模式的に表す断面図である。 ＬＴ基板型弾性波フィルタおよび音速膜積層型弾性波フィルタの通過特性を示すグラフである。 実施例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 変形例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 実施例３に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例３に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、包括的又は具体的な例を示すものである。また、以下の実施の形態、実施例および変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または、大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。
また、以下において、平行及び垂直等の要素間の関係性を示す用語、及び、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
また、以下において、基板に配置された物体Ａおよび物体Ｂにおいて、「ＡとＢとの距離」とは、ＡとＢとの最短距離のことを意味する。言い換えると、「ＡとＢとの距離」とは、物体Ａの外縁と物体Ｂの外縁とを結ぶ複数の線分のうち最も短い線分の長さである。
また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
また、以下において、「ＡとＢとが接続されている」とは、ＡとＢとが物理的に接続されている場合に適用されるだけでなく、ＡとＢとが電気的に接続されている場合にも適用される。
（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された信号に基づいて処理された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低い周波数の信号を用いてデータ処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ４０の接続を制御する制御部としての機能を有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ４０の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、電力増幅器１０と、低雑音増幅器２０と、送信フィルタ３０Ｔと、受信フィルタ３０Ｒと、スイッチ４０と、を備える。
アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続されている。
電力増幅器１０は、送信入力端子１１０から入力された通信バンドＡの送信信号を増幅する増幅器である。
低雑音増幅器２０は、通信バンドＡの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２０へ出力する増幅器である。
送信フィルタ３０Ｔは、アンテナ接続端子１００と送信入力端子１１０とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信信号を通過させる。
受信フィルタ３０Ｒは、アンテナ接続端子１００と受信出力端子１２０とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信信号を通過させる。
送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ３０を構成している。
スイッチ４０は、アンテナスイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００に接続され、（１）アンテナ接続端子１００と送信経路ＡＴおよび受信経路ＡＲとの接続、ならびに、（２）アンテナ接続端子１００と他の送信経路および受信経路との接続、を切り替える。なお、スイッチ４０は、上記（１）および（２）を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成されてもよい。
なお、高周波モジュール１を構成する各信号経路上に、さらに、インピーダンス整合回路、フィルタ、およびスイッチなどが配置されていてもよい。
高周波モジュール１の構成において、電力増幅器１０、送信フィルタ３０Ｔ、およびスイッチ４０は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を伝送する送信回路を構成する。また、スイッチ４０、受信フィルタ３０Ｒ、および低雑音増幅器２０は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を伝送する受信回路を構成する。
上記の回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡの高周波信号を、送信、受信、および送受信の少なくともいずれかで実行することが可能である。
なお、高周波モジュール１は、上記送信回路および上記受信回路のほか、通信バンドＡと異なる通信バンドの送信信号を伝送する送信回路および通信バンドＡと異なる通信バンドの受信信号を伝送する受信回路を有していてもよい。また、高周波モジュール１では、上記送信回路および上記受信回路がスイッチ４０を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよい。
また、電力増幅器１０および低雑音増幅器２０は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
また、低雑音増幅器２０およびスイッチ４０は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に形成されていてもよい。さらに、半導体ＩＣは、電力増幅器１０を含んでいてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、送信信号と受信信号とを周波数分割複信（ＦＤＤ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送するデュプレクサ３０を構成しているが、送信信号と受信信号とを時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送してもよい。この場合には、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。
また、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒのそれぞれは、（１）音速膜積層型の弾性波フィルタ、（２）温度補償ＬＮ基板型の弾性波フィルタ、（３）ＬＴ基板型の弾性波フィルタ、および（４）バルク弾性波フィルタのいずれかであってもよい。
以下では、上記（１）−（４）の弾性波フィルタの構造および特性について説明する。
［２．弾性波フィルタの構造および特性］
図２Ａは、音速膜積層型の弾性波フィルタの構造を模式的に表す平面図および断面図である。具体的には、図２Ａには、音速膜積層型の弾性波フィルタを構成する弾性波共振子６０の一例を模式的に表す概略図が示されており、（ａ）は弾性波共振子６０を構成するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極５４の平面図、（ｂ）および（ｃ）は、（ａ）に示した弾性波共振子６０の一点鎖線における断面図である。
なお、上記（１）−（４）の弾性波フィルタのタイプとしては、例えば、図２Ａに示された弾性波共振子６０が直列および並列に複数配置されたラダー型のフィルタ、または、図２Ａに示された弾性波共振子６０が弾性波伝搬方向に並んで複数配置された縦結合型のフィルタなどが挙げられる。なお、図２Ａに示された弾性波共振子６０は、典型的な構造を説明するためのものであって、例えば、弾性波共振子６０のＩＤＴ電極５４を構成する電極指の本数および長さなどは、これに限定されない。
音速膜積層型の弾性波フィルタを構成する１つの弾性波共振子６０は、図２Ａの（ｃ）に示すように、圧電性を有する基板５０と、ＩＤＴ電極５４と、保護層５５と、を有している。
図２Ａの（ａ）に示すように、基板５０の上には、互いに対向する一対の櫛形電極６０ａおよび６０ｂが形成されている。櫛形電極６０ａは、互いに平行な複数の電極指６１ａと、複数の電極指６１ａを接続するバスバー電極６２ａとで構成されている。また、櫛形電極６０ｂは、互いに平行な複数の電極指６１ｂと、複数の電極指６１ｂを接続するバスバー電極６２ｂとで構成されている。複数の電極指６１ａおよび６１ｂは、弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）と直交する方向に沿って形成されている。
また、複数の電極指６１ａおよび６１ｂ、ならびに、バスバー電極６２ａおよび６２ｂで構成されるＩＤＴ電極５４は、図２Ａの（ｂ）に示すように、例えば、密着層５４０と主電極層５４２との積層構造となっている。
密着層５４０は、基板５０と主電極層５４２との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。主電極層５４２は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。
保護層５５は、櫛形電極６０ａおよび６０ｂを覆うように形成されている。保護層５５は、主電極層５４２を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。
なお、密着層５４０、主電極層５４２および保護層５５を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極５４は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極５４は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護層５５は、形成されていなくてもよい。
次に、基板５０の積層構造について説明する。
図２Ａの（ｃ）に示すように、基板５０は、高音速支持基板５１と、低音速膜５２と、圧電膜５３と、を備え、高音速支持基板５１、低音速膜５２および圧電膜５３がこの順で積層された構造を有している。
圧電膜５３は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からθ°回転した軸を法線とする面で切断したリチウムタンタレート単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。なお、各フィルタの要求仕様により、圧電膜５３として使用される圧電単結晶の材料およびカット角θが適宜選択されてもよい。
高音速支持基板５１は、低音速膜５２、圧電膜５３ならびにＩＤＴ電極５４を支持する基板である。高音速支持基板５１は、さらに、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、高音速支持基板５１中のバルク波の音速が高速となる高音速層であり、弾性表面波を圧電膜５３および低音速膜５２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板５１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板５１は、例えば、シリコン基板である。
低音速膜５２は、圧電膜５３を伝搬するバルク波よりも、低音速膜５２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜５３と高音速支持基板５１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜５２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。
つまり、音速膜積層型の弾性波フィルタは、バルク波音速が互いに異なる複数の層（低音速層および高音速層）が積層された構造を有している。
なお、基板５０の上記積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性波共振子を構成し得るので、当該弾性波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
なお、高音速支持基板５１は、支持基板と、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板には、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、および水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、およびフォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、シリコンおよび窒化ガリウム等の半導体、ならびに樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜、ダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
なお、音速膜積層型の弾性波フィルタを構成する基板５０は、上記のように高音速支持基板５１、低音速膜５２および圧電膜５３がこの順で積層された構造でなくてもよく、以下の積層構造を有していてもよい。
すなわち、基板５０は、支持基板と、エネルギー閉じ込め層と、圧電膜とがこの順で積層された構造を有していてもよい。圧電膜上にＩＤＴ電極５４が形成される。圧電膜は、例えば、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックスが用いられる。支持基板は、圧電膜、エネルギー閉じ込め層、およびＩＤＴ電極５４を支持する基板である。
エネルギー閉じ込め層は、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有し、例えば、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層と、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層とが、交互に積層されていてもよい。
つまり、音速膜積層型の弾性波フィルタは、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有する複数の層（低音響インピーダンス層および高音響インピーダンス層）が積層された構造を有していてもよい。
以下、本明細書において、バルク波音速が互いに異なる複数の層が積層された構造、または、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有するフィルタを、音速膜積層型弾性波フィルタと記す。
図２Ｂは、温度補償ＬＮ基板型の弾性波フィルタ（ＴＣ−ＳＡＷ）の構造を模式的に表す断面図である。図２Ａに示された音速膜積層型の弾性波フィルタでは、ＩＤＴ電極５４は圧電性を有する基板５０上に形成されている。これに対して、温度補償ＬＮ基板型の弾性波フィルタでは、図２Ｂに示すように、ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、圧電体層の単層からなる基板５７であってもよい。温度補償ＬＮ基板型の弾性波フィルタは、例えば、基板５７と、ＩＤＴ電極５４と、温度補償層５８と、を有し、基板５７、ＩＤＴ電極５４、および温度補償層５８が、この順で積層された構成となっている。
基板５７は、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。なお、弾性波フィルタの要求通過特性などに応じて、適宜、カット角を変更してもよい。
ＩＤＴ電極５４は、図２Ａの（ａ）に示されたＩＤＴ電極５４と同様の構成である。
温度補償層５８は、基板５７上およびＩＤＴ電極５４上に形成されている。温度補償層５８層は、周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の絶対値を小さくすることを目的とする絶縁層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。なお、温度補償層５８は、さらに、主電極層５４２を外部環境から保護する、および、耐湿性を高めるなどの機能を有していてもよい。
つまり、温度補償ＬＮ基板型の弾性波フィルタは、周波数温度特性を調整する絶縁層が形成されたＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタである。
以下、本明細書において、周波数温度特性を調整する絶縁層が形成されたＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタを、温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタと記す。
図２Ｃは、ＬＴ基板型の弾性波フィルタ（ＬＴ−ＳＡＷ）の構造を模式的に表す断面図である。ＬＴ基板型の弾性波フィルタでは、図２Ｃに示すように、ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、圧電体層の単層からなる基板５９であってもよい。ＬＴ基板型の弾性波フィルタは、例えば、基板５９と、ＩＤＴ電極５４と、を有し、基板５９およびＩＤＴ電極５４が積層された構成となっている。
基板５９は、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。なお、弾性波フィルタの要求通過特性などに応じて、適宜、カット角θを変更してもよい。
ＩＤＴ電極５４は、図２Ａの（ａ）に示されたＩＤＴ電極５４と同様の構成である。
なお、ＬＴ基板型の弾性波フィルタにおいて、基板５９上およびＩＤＴ電極５４上に、主電極層５４２を外部環境から保護する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする保護層が形成されていてもよい。上記保護層は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。
つまり、ＬＴ基板型の弾性波フィルタは、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタである。
以下、本明細書において、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタを、ＬＴ基板型弾性波フィルタと記す。
図２Ｄは、バルク弾性波フィルタ（ＢＡＷ）の構造を模式的に表す断面図である。バルク弾性波フィルタは、図２Ｄに示すように、例えば、支持基板６５と、下部電極６６と、圧電膜６７と、上部電極６８と、を有しており、支持基板６５、下部電極６６、圧電膜６７、および上部電極６８がこの順で積層された構成となっている。
支持基板６５は、下部電極６６、圧電膜６７、および上部電極６８を支持するための基板であり、例えば、シリコン基板である。なお、支持基板６５は、下部電極６６と接触する領域に、空洞が設けられている。これにより、圧電膜６７を自由に振動させることが可能となる。
下部電極６６および上部電極６８は、例えば、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。
圧電膜６７は、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＫＮ（ニオブ酸カリウム）、ＬＮ（リチウムニオベイト）、ＬＴ（リチウムタンタレート）、水晶、およびＬｉＢＯ（ホウ酸リチウム）の少なくとも１つを主成分とする。
バルク弾性波フィルタの上記構成において、下部電極６６と、圧電膜６７と、上部電極６８とは、バルク弾性波（ＢＡＷ）共振子を構成している。ＢＡＷ共振子は、下部電極６６と上部電極６８との間に電気的なエネルギーを印加することで圧電膜６７内にてバルク弾性波を誘発して共振を発生させるものである。このＢＡＷ共振子により生成されるバルク弾性波は、下部電極６６と上部電極６８との間を、圧電膜６７の膜面に垂直な方向に伝搬する。
つまり、バルク弾性波フィルタは、バルク弾性波を利用したフィルタである。
以下、本明細書において、バルク弾性波を利用したフィルタを、バルク弾性波フィルタと記す。
図３は、ＬＴ基板型弾性波フィルタおよび音速膜積層型弾性波フィルタの通過特性を示すグラフである。同図の（ａ）には、ＬＴ基板型弾性波フィルタの温度変化に対する通過特性が示され、同図の（ｂ）には、音速膜積層型弾性波フィルタの温度変化に対する通過特性が示されている。同図に示すように、弾性波フィルタは、高温（図３では＋８５℃）になると、通過特性が高周波数側へシフトし、低温（図３では−３５℃）になると、通過特性が低周波数側へシフトする。
ここで、図３の（ａ）に示すように、ＬＴ基板型弾性波フィルタでは、温度変化に対する周波数シフトの度合いを示す周波数温度係数（ＴＣＦ）は、例えば−４０ｐｐｍ／℃である。一方、図３の（ｂ）に示すように、音速膜積層型弾性波フィルタでは、周波数温度係数（ＴＣＦ）は、例えば−８ｐｐｍ／℃である。つまり、音速膜積層型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、ＬＴ基板型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
表１に、各弾性波フィルタの典型的なＴＣＦを示す。
Figure 2021106337
表１より、音速膜積層型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、バルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
また、バルク弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、ＬＴ基板型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
また、温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、ＬＴ基板型弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュール基板に実装する場合、モジュール基板表面の回路部品レイアウト面積を小さくすることが必要となる。この場合、発熱量の大きい電力増幅器がモジュール基板上に配置されると、高周波モジュール１の温度が局所的に変化する。この高周波モジュール１の温度変化に起因して、上記のように周波数温度特性を有する弾性波フィルタの通過特性が変動し、高周波モジュール１の信号伝送特性が劣化するという問題が発生する。
これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、電力増幅器の発熱に起因して弾性波フィルタの通過特性が変化することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る弾性波フィルタの通過特性の変化を抑制する構成について説明する。
［３．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図４Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図４Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。なお、図４Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図４Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、を有している。
モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１０、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、モジュール基板９１の主面９１ａ（第１主面）に配置されている。一方、低雑音増幅器２０およびスイッチ４０は、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）に配置されている。なお、スイッチ４０は、主面９１ａに配置されていてもよい。
送信フィルタ３０Ｔは、第１弾性波フィルタの一例であり、受信フィルタ３０Ｒは、第２弾性波フィルタの一例である。ここで、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さい。つまり、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
また、図４Ａの（ａ）に示すように、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
高周波モジュール１Ａの上記構成によれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きい受信フィルタ３０Ｒが、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい送信フィルタ３０Ｔよりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。このため、送信フィルタ３０Ｔは、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒは、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
なお、本実施例では、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値が受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さいとしている。送信フィルタ３０Ｔには電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号が入力されるため、送信フィルタ３０Ｔは、温度上昇し易いため、ＴＣＦの絶対値が小さいほうが望ましい。なお、高周波モジュール１Ａが、入力信号の電力レベルによる温度上昇の影響が小さい構成となっている場合には、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも大きくてもよい。ただし、この場合には、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも大きく設定される。
つまり、本発明に係る高周波モジュールは、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値が第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい場合、第１弾性波フィルタと電力増幅器１０との距離が、第２弾性波フィルタと電力増幅器１０との距離よりも小さいことを特徴としている。
また、本実施例では、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、ともに、主面９１ａ（第１主面）に配置されているが、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、主面９１ａおよび９１ｂに振り分けられていてもよい。
この場合であっても、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔが、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さければ、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
これによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかであってもよい。
これによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
これによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。図４Ａの（ｂ）に示すように、複数の外部接続端子１５０は、主面９１ｂの外縁領域に配置されていてもよい。複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
外部接続端子１５０の上記配置構成によれば、低雑音増幅器２０の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路への外来ノイズの流入を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の外部接続端子１５０が主面９１ｂに配置され、かつ、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）が主面９１ｂに配置され、かつ、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）が主面９１ａに配置されてもよい。この場合、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、音速膜積層型弾性波フィルタであってもよい。音速膜積層型弾性波フィルタは、シリコン基板で構成されているので、シリコン基板側から研磨することで低背化することが可能である。
これによれば、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が容易な低雑音増幅器２０、スイッチ４０、および音速膜積層型弾性波フィルタが配置されるので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１０は、主面９１ａ（第１主面）に実装されている。
電力増幅器１０は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、電力増幅器１０の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器１０を主面９１ｂに実装した場合、電力増幅器１０に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器１０を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。
これに対して、電力増幅器１０を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器１０と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１０の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１０からの外部基板への放熱性が向上した高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。
なお、放熱性の観点から、図４Ａの（ｂ）に示すように、電力増幅器１０が配置された主面９１ａの領域と対向する主面９１ｂの領域には、上記貫通電極または放熱部材が配置されることが望ましいため、当該領域には回路素子が配置されていないことが望ましい。
また、本実施例では、電力増幅器１０は主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２０は主面９１ｂに配置されている。これによれば、電力増幅器１０と低雑音増幅器２０とが、モジュール基板９１を挟んで配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上させることが可能となる。
また、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、低雑音増幅器２０およびスイッチ４０は、１つの半導体ＩＣ７０に内蔵されていてもよい。これにより、主面９１ｂ側のｚ軸方向の高さを低減でき、また主面９１ｂの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
なお、外部接続端子１５０は、図４Ａおよび４Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、図４Ｃに示すように、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極１６０であってもよい。図４Ｃに示すように、外部接続端子１５０がバンプ電極１６０である場合には、樹脂部材９３は主面９１ｂ上には配置されない。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、外部接続端子１５０は、主面９１ａに配置されていてもよい。
なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）がバルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）がＬＴ基板型弾性波フィルタである場合には、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、常に、第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さくなる。よって、この場合には、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値が第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さいことを発明特定事項としなくてもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）が音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）がバルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかである場合には、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、常に、第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さくなる。よって、この場合には、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値が第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さいことを発明特定事項としなくてもよい。
［４．実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの回路素子配置構成］
図５Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの平面構成概略図である。また、図５Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの断面構成概略図であり、具体的には、図５ＡのＶＢ−ＶＢ線における断面図である。なお、図５Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。また、図５Ａの（ａ）には、主面９１ｂ上に配置された電力増幅器１０が破線で示されている。一方、図５Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
実施例２に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
本実施例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、電力増幅器１０およびスイッチ４０の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第２主面）および主面９１ｂ（第１主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、送信フィルタ３０Ｔ、受信フィルタ３０Ｒ、およびスイッチ４０は、モジュール基板９１の主面９１ａ（第２主面）に配置されている。一方、電力増幅器１０および低雑音増幅器２０は、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第１主面）に配置されている。なお、スイッチ４０は、主面９１ｂに配置されていてもよい。
送信フィルタ３０Ｔは第１弾性波フィルタの一例であり、受信フィルタ３０Ｒは第２弾性波フィルタの一例である。ここで、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さい。つまり、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
また、図５Ｂに示すように、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
高周波モジュール１Ｃの上記構成によれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きい受信フィルタ３０Ｒが、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい送信フィルタ３０Ｔよりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。このため、送信フィルタ３０Ｔは、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒは、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ｃの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例では、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、ともに、主面９１ａ（第２主面）に配置されているが、送信フィルタ３０Ｔおよび受信フィルタ３０Ｒは、主面９１ａおよび９１ｂに振り分けられていてもよい。
この場合であっても、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔが、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さければ、温度変化による高周波モジュール１Ｃの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかであってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
これらの第１弾性波フィルタおよび第２弾性波フィルタの組み合わせによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ｃの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第１主面）側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。図５Ａの（ｂ）に示すように、複数の外部接続端子１５０は、主面９１ｂの外縁領域に配置されていてもよい。複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
外部接続端子１５０の上記配置構成によれば、低雑音増幅器２０の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路への外来ノイズの流入を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、外部接続端子１５０は、主面９１ａに配置されていてもよい。
［５．実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの回路素子配置構成］
図６Ａは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの平面構成概略図である。また、図６Ｂは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの断面構成概略図であり、具体的には、図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。なお、図６Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図６Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
実施例３に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
本実施例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、受信フィルタ３０Ｒおよびスイッチ４０の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、電力増幅器１０、送信フィルタ３０Ｔ、およびスイッチ４０は、モジュール基板９１の主面９１ａ（第１主面）に配置されている。一方、低雑音増幅器２０および受信フィルタ３０Ｒは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）に配置されている。なお、スイッチ４０は、主面９１ｂに配置されていてもよい。
送信フィルタ３０Ｔは第１弾性波フィルタの一例であり、受信フィルタ３０Ｒは第２弾性波フィルタの一例である。ここで、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さい。つまり、第１弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値は、第２弾性波フィルタのＴＣＦの絶対値よりも小さい。
また、図６Ｂに示すように、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
高周波モジュール１Ｄの上記構成によれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きい受信フィルタ３０Ｒが、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい送信フィルタ３０Ｔよりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。このため、送信フィルタ３０Ｔは、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒは、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ｄの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、バルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかであってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄにおいて、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
これらの第１弾性波フィルタおよび第２弾性波フィルタの組み合わせによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ｄの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。図６Ａの（ｂ）に示すように、複数の外部接続端子１５０は、主面９１ｂの外縁領域に配置されていてもよい。複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
外部接続端子１５０の上記配置構成によれば、低雑音増幅器２０の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路への外来ノイズの流入を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、電力増幅器１０は、主面９１ａ（第１主面）に実装されている。
これによれば、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器１０と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１０の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１０からの外部基板への放熱性が向上した高周波モジュール１Ｄを提供することが可能となる。
また、本実施例では、電力増幅器１０は主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２０は主面９１ｂに配置されている。これによれば、電力増幅器１０と低雑音増幅器２０とが、モジュール基板９１を挟んで配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上させることが可能となる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄにおいて、外部接続端子１５０は、主面９１ａに配置されていてもよい。
［６．効果など］
以上、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１０と、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２０と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）と、を備え、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さく、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
これによれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きい受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）が、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）よりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。このため、送信フィルタ３０Ｔは、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒは、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、高周波モジュール１Ａは、さらに、外部接続端子１５０を備え、外部接続端子１５０は主面９１ｂに配置されていてもよい。
これにより、低雑音増幅器２０の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０を複数配置できるので、受信回路への外来ノイズの流入を抑制できる。
また、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は主面９１ａに配置され、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は主面９１ａに配置されていてもよい。
また、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は主面９１ａおよび９１ｂの一方に配置され、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は主面９１ａおよび９１ｂの他方に配置されていてもよい。
また、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は主面９１ｂに配置され、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は主面９１ａに配置され、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、音速膜積層型弾性波フィルタであってもよい。
これによれば、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が容易な低雑音増幅器２０および音速膜積層型弾性波フィルタが配置されるので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。
また、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ｂに配置された電力増幅器１０と、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２０と、主面９１ａに配置された送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）と、主面９１ａに配置された受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）と、を備え、送信フィルタ３０ＴのＴＣＦの絶対値は、受信フィルタ３０ＲのＴＣＦの絶対値よりも小さく、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
これによれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きい受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）が、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）よりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。このため、送信フィルタ３０Ｔは、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒは、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１Ｃの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、高周波モジュール１Ｃは、さらに、外部接続端子１５０を備え、外部接続端子１５０は主面９１ｂに配置されていてもよい。
これにより、低雑音増幅器２０の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０を複数配置できるので、受信回路への外来ノイズの流入を抑制できる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、アンテナ接続端子１００を備え、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、電力増幅器１０とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴ上に配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号を通過させる送信用フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅器２０とを結ぶ受信経路ＡＲ上に配置され、受信信号を通過させる受信用フィルタであってもよい。
送信フィルタ３０Ｔには電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号が入力されるので、送信フィルタ３０Ｔは温度上昇し易いため、ＴＣＦの絶対値が小さいほうが望ましい。よって、温度変化による高周波モジュール１の伝送特性の劣化を、より一層抑制できる。
また、高周波モジュール１において、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）はバルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）はＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
また、高周波モジュール１において、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）はバルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかであってもよい。
また、高周波モジュール１において、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）はＬＴ基板型弾性波フィルタであってもよい。
これによれば、送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）は、距離Ｄ３０Ｔは小さいがＴＣＦの絶対値が相対的に小さいので、電力増幅器１０による大きな温度変化を受けても通過特性の変動を抑制できる。一方、受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）は、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいが距離Ｄ３０Ｒが大きいので、電力増幅器１０による温度変化が小さく通過特性の変動を抑制できる。よって、温度変化による高周波モジュール１の伝送特性の劣化を抑制できる。
また、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１０と、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２０と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）と、を備え、送信フィルタ３０Ｔはバルク弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０ＲはＬＴ基板型弾性波フィルタであり、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
これによれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいＬＴ基板型弾性波フィルタが、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さいバルク弾性波フィルタよりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１０と、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２０と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された送信フィルタ３０Ｔ（第１弾性波フィルタ）と、主面９１ａまたは９１ｂに配置された受信フィルタ３０Ｒ（第２弾性波フィルタ）と、を備え、送信フィルタ３０Ｔは音速膜積層型弾性波フィルタであり、受信フィルタ３０Ｒはバルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、および温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタのいずれかであり、送信フィルタ３０Ｔと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｔは、受信フィルタ３０Ｒと電力増幅器１０との距離Ｄ３０Ｒよりも小さい。
これによれば、ＴＣＦの絶対値が相対的に大きいバルク弾性波フィルタ、ＬＴ基板型弾性波フィルタ、または温度補償ＬＮ基板型弾性波フィルタが、ＴＣＦの絶対値が相対的に小さい音速膜積層型弾性波フィルタよりも、発熱量が大きい電力増幅器１０から離れて配置されている。よって、温度変化による高周波モジュール１Ａの伝送特性の劣化を抑制できる。
また、通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
これにより、温度変化による信号伝送特性の劣化が抑制された通信装置５を提供することが可能となる。
（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
１０ 電力増幅器
２０ 低雑音増幅器
３０ デュプレクサ
３０Ｒ 受信フィルタ
３０Ｔ 送信フィルタ
４０ スイッチ
５０、５７、５９ 基板
５１ 高音速支持基板
５２ 低音速膜
５３、６７ 圧電膜
５４ ＩＤＴ電極
５５ 保護層
５８ 温度補償層
６０ 弾性波共振子
６０ａ、６０ｂ 櫛形電極
６１ａ、６１ｂ 電極指
６２ａ、６２ｂ バスバー電極
６５ 支持基板
６６ 下部電極
６８ 上部電極
７０ 半導体ＩＣ
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９２、９３ 樹脂部材
１００ アンテナ接続端子
１１０ 送信入力端子
１２０ 受信出力端子
１５０ 外部接続端子
１６０ バンプ電極
５４０ 密着層
５４２ 主電極層

Claims (15)

  1. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    前記第１主面に配置された電力増幅器と、
    前記第２主面に配置された低雑音増幅器と、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第１弾性波フィルタと、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第２弾性波フィルタと、を備え、
    前記第１弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値は、前記第２弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値よりも小さく、
    前記第１弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離は、前記第２弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離よりも小さい、
    高周波モジュール。
  2. さらに、外部接続端子を備え、
    前記外部接続端子は、前記第２主面に配置されている、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１弾性波フィルタは、前記第１主面に配置され、
    前記第２弾性波フィルタは、前記第１主面に配置されている、
    請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１弾性波フィルタは、前記第１主面および前記第２主面の一方に配置され、
    前記第２弾性波フィルタは、前記第１主面および前記第２主面の他方に配置されている、
    請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  5. 前記第１弾性波フィルタは、前記第２主面に配置され、
    前記第２弾性波フィルタは、前記第１主面に配置され、
    前記第１弾性波フィルタは、バルク波音速が互いに異なる複数の層、または、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有する音速膜積層型の弾性波フィルタである、
    請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    前記第１主面に配置された電力増幅器と、
    前記第１主面に配置された低雑音増幅器と、
    前記第２主面に配置された第１弾性波フィルタと、
    前記第２主面に配置された第２弾性波フィルタと、を備え、
    前記第１弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値は、前記第２弾性波フィルタの周波数温度係数の絶対値よりも小さく、
    前記第１弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離は、前記第２弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離よりも小さい、
    高周波モジュール。
  7. さらに、外部接続端子を備え、
    前記外部接続端子は、前記第１主面に配置されている、
    請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. さらに、アンテナ接続端子を備え、
    前記第１弾性波フィルタは、前記電力増幅器と前記アンテナ接続端子とを結ぶ送信経路上に配置され、前記電力増幅器で増幅された送信信号を通過させる送信用フィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、前記アンテナ接続端子と前記低雑音増幅器とを結ぶ受信経路上に配置され、受信信号を通過させる受信用フィルタである、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 前記第１弾性波フィルタは、バルク弾性波を利用したフィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタである、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 前記第１弾性波フィルタは、バルク波音速が互いに異なる複数の層、または、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有する音速膜積層型の弾性波フィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、バルク弾性波を利用したフィルタ、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタ、および、周波数温度特性を調整する絶縁層が形成されたＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタ、のいずれかである、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 前記第１弾性波フィルタは、周波数温度特性を調整する絶縁層が形成されたＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタである、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    前記第１主面に配置された電力増幅器と、
    前記第２主面に配置された低雑音増幅器と、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第１弾性波フィルタと、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第２弾性波フィルタと、を備え、
    前記第１弾性波フィルタは、バルク弾性波を利用したフィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタであり、
    前記第１弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離は、前記第２弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離よりも小さい、
    高周波モジュール。
  13. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    前記第１主面に配置された電力増幅器と、
    前記第２主面に配置された低雑音増幅器と、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第１弾性波フィルタと、
    前記第１主面または前記第２主面に配置された第２弾性波フィルタと、を備え、
    前記第１弾性波フィルタは、バルク波音速が互いに異なる複数の層、または、音響インピーダンスが互いに異なる複数の層が積層された構造を有する音速膜積層型の弾性波フィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、バルク弾性波を利用したフィルタ、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタ、および、周波数温度特性を調整する絶縁層が形成されたＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を伝搬する弾性表面波を利用したフィルタ、のいずれかであり、
    前記第１弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離は、前記第２弾性波フィルタと前記電力増幅器との距離よりも小さい、
    高周波モジュール。
  14. さらに、外部接続端子を備え、
    前記外部接続端子は、前記第２主面に配置されている、
    請求項１２または１３に記載の高周波モジュール。
  15. アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。
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