[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2021143395A - Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film - Google Patents

Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film Download PDF

Info

Publication number
JP2021143395A
JP2021143395A JP2020043205A JP2020043205A JP2021143395A JP 2021143395 A JP2021143395 A JP 2021143395A JP 2020043205 A JP2020043205 A JP 2020043205A JP 2020043205 A JP2020043205 A JP 2020043205A JP 2021143395 A JP2021143395 A JP 2021143395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
film
conductive layer
transparent
long
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020043205A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大輔 梶原
Daisuke Kajiwara
大輔 梶原
圭太 碓井
Keita Usui
圭太 碓井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2020043205A priority Critical patent/JP2021143395A/en
Priority to KR1020210028373A priority patent/KR20210116254A/en
Priority to TW110108665A priority patent/TW202135099A/en
Priority to CN202110268823.2A priority patent/CN113393972A/en
Publication of JP2021143395A publication Critical patent/JP2021143395A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/086Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

To provide a transparent conductive film including a transparent conductive layer having a small variation in value of resistance in the transverse direction, and a transparent conductive film manufactured by the method for manufacturing a transparent conductive film.SOLUTION: A method for manufacturing a transparent conductive film 2 includes forming a transparent conductive layer 22 on one surface of a long-sized transparent film 10 while conveying the long-sized transparent film 10 in the longitudinal direction. The transparent conductive layer 22 is formed by sputtering while conveying the long-sized transparent film 10 along the peripheral surface of a film deposition roller 15; the thickness of the transparent conductive layer 22 is more than 35 nm; and a conveyance tension per unit area on a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long-sized transparent film 10 when forming the transparent conductive layer 22 is 3.3 N/mm2 or more.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、透明導電性フィルムの製造方法および透明導電性フィルムに関し、詳しくは、透明導電性フィルムの製造方法、および、その透明導電性フィルムの製造方法により製造される透明導電性フィルムに関する。 The present invention relates to a method for producing a transparent conductive film and a transparent conductive film, and more particularly to a method for producing a transparent conductive film and a transparent conductive film produced by the method for producing the transparent conductive film.

従来から、ロールトゥロール方式により、基材フィルム上に透明導電層を積層して、導電性フィルムを製造する方法が知られている。 Conventionally, a method of manufacturing a conductive film by laminating a transparent conductive layer on a base film by a roll-to-roll method has been known.

このような方法として、例えば、長尺のPETフィルム基材を成膜ロールの周面に沿って搬送しながら、厚み25nmのITO膜をスパッタリングにより積層して、透明導電性フィルムを製造する方法が提案されている(例えば、特許文献1の実施例参照。)。 As such a method, for example, a method of producing a transparent conductive film by laminating an ITO film having a thickness of 25 nm by sputtering while transporting a long PET film base material along the peripheral surface of a film forming roll. It has been proposed (see, for example, Examples in Patent Document 1).

特開2012−234796号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-234996

一方、長尺基材を成膜ロールの周面に沿って搬送しながら、長尺基材の一方面に透明導電層を積層する場合において、搬送張力が低いと、長尺基材と成膜ロールとの密着が図れず、長尺基材の幅方向外側(短手方向両端)が浮き上がる場合がある。 On the other hand, when the transparent conductive layer is laminated on one surface of the long substrate while the long substrate is conveyed along the peripheral surface of the film forming roll, if the conveying tension is low, the film is formed with the long substrate. Adhesion with the roll may not be achieved, and the outside of the long base material in the width direction (both ends in the lateral direction) may rise.

このような場合には、長尺基材の短手方向外側を、成膜ロールによって十分に冷却できなくなる。 In such a case, the outer side of the long base material in the lateral direction cannot be sufficiently cooled by the film forming roll.

そうすると、長尺基材の短手方向外側に積層された透明導電層は、長尺基材の短手方向内側に積層された透明導電層よりも結晶化が進み、その結果、表面抵抗が低くなる。 Then, the transparent conductive layer laminated on the lateral side of the long base material is more crystallized than the transparent conductive layer laminated on the inner side of the long base material, and as a result, the surface resistance is low. Become.

一方、表面抵抗を低くする観点から、透明導電層の厚みをより厚くすることが検討される。 On the other hand, from the viewpoint of lowering the surface resistance, it is considered to increase the thickness of the transparent conductive layer.

しかし、透明導電層の厚みが厚いと、長尺基材の外側に積層された透明導電層と長尺基材の内側に積層された透明導電層との抵抗の差が大きくなるという不具合がある。 However, if the thickness of the transparent conductive layer is large, there is a problem that the difference in resistance between the transparent conductive layer laminated on the outside of the long base material and the transparent conductive layer laminated on the inside of the long base material becomes large. ..

本発明は、短手方向において、抵抗値のバラツキが小さい透明導電層を備える透明導電性フィルムの製造方法、および、その透明導電性フィルムの製造方法により製造される透明導電性フィルムを提供することにある。 The present invention provides a method for producing a transparent conductive film having a transparent conductive layer having a small variation in resistance value in the short direction, and a transparent conductive film produced by the method for producing the transparent conductive film. It is in.

本発明[1]は、長尺透明フィルムを長手方向に搬送しながら、透明導電層を前記長尺透明フィルムの一方面に形成する透明導電性フィルムの製造方法であって、前記透明導電層は、前記長尺透明フィルムを成膜ロールの周面に沿って搬送しながら、スパッタリングによって形成し、前記透明導電層の厚みは、35nmを超過し、前記透明導電層の形成時における前記長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力が、3.3N/mm以上である、透明導電性フィルムの製造方法である。 The present invention [1] is a method for producing a transparent conductive film in which a transparent conductive film is formed on one surface of the long transparent film while transporting the long transparent film in the longitudinal direction. The long transparent film is formed by sputtering while being conveyed along the peripheral surface of the film forming roll, and the thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm, and the long transparent film at the time of forming the transparent conductive layer is formed. This is a method for producing a transparent conductive film, wherein the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the film is 3.3 N / mm 2 or more.

本発明[2]は、前記長尺透明フィルムがシクロオレフィンフィルムである、上記[1]に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。 The present invention [2] includes the method for producing a transparent conductive film according to the above [1], wherein the long transparent film is a cycloolefin film.

本発明[3]は、前記長尺透明フィルムの厚みが、10μm以上70μm以下である、上記[1]または[2]に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。 The present invention [3] includes the method for producing a transparent conductive film according to the above [1] or [2], wherein the thickness of the long transparent film is 10 μm or more and 70 μm or less.

本発明[4]は、前記透明導電層が非晶質部を含む、上記[1]〜[3]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。 The present invention [4] includes the method for producing a transparent conductive film according to any one of the above [1] to [3], wherein the transparent conductive layer contains an amorphous portion.

本発明[5]は、前記透明導電層がインジウムスズ複合酸化物を主成分として含む、上記[1]〜[4]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。 The present invention [5] includes the method for producing a transparent conductive film according to any one of the above [1] to [4], wherein the transparent conductive layer contains an indium tin composite oxide as a main component. ..

本発明[6]は、前記成膜ロールの表面温度が、20℃以上60℃以下である、上記[1]〜[5]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。 The present invention [6] includes the method for producing a transparent conductive film according to any one of the above [1] to [5], wherein the surface temperature of the film forming roll is 20 ° C. or higher and 60 ° C. or lower. I'm out.

本発明[7]は、長尺透明フィルムと、透明導電層とを順に備え、前記透明導電層の厚みが、35nmを超過し、下記試験により測定される第1抵抗差および第2抵抗差が、−10Ω/□以上10Ω/□以下である、透明導電性フィルムを含んでいる。 In the present invention [7], a long transparent film and a transparent conductive layer are provided in order, the thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm, and the first resistance difference and the second resistance difference measured by the following tests are , -10Ω / □ or more and 10Ω / □ or less, including a transparent conductive film.

試験:透明導電性フィルムの短手方向一方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50を、透明導電性フィルムの短手方向一方側端部から、30mmの抵抗値R30で差し引いた値(R50−R30)を、第1抵抗差として算出する。別途、透明導電性フィルムの短手方向他方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50´を、透明導電性フィルムの短手方向他方側端部から、30mmの抵抗値R30´で差し引いた値(R50´−R30´)を、第2抵抗差として算出する。 Test: A value obtained by subtracting the resistance value R 50 of the 50 mm portion from the one side end in the lateral direction of the transparent conductive film by the resistance value R 30 of 30 mm from the one side end in the lateral direction of the transparent conductive film. (R 50- R 30 ) is calculated as the first resistance difference. Separately, the resistance value R 50 ′ of the 50 mm portion is subtracted from the other end of the transparent conductive film in the lateral direction by the resistance value R 30 ′ of 30 mm from the other end of the transparent conductive film in the lateral direction. The value (R 50 ′ −R 30 ′) is calculated as the second resistance difference.

本発明の透明導電性フィルムの製造方法において、長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力が、3.3N/mm以上である。これにより、長尺透明フィルムと成膜ロールとの密着を図ることができ、長尺透明フィルムの短手方向外側(短手方向両側)が浮き上がることを抑制できる。そうすると、成膜ロールによって、長尺透明フィルムの短手方向内側と同程度に、長尺透明フィルムの短手方向外側を十分に冷却できるため、長尺透明フィルムの短手方向外側に積層された透明導電層の結晶化を抑制できる。その結果、長尺透明フィルムの短手方向外側に積層された透明導電層と、長尺透明フィルムの短手方向内側に積層された透明導電層との抵抗の差を小さくすることができる。換言すれば、長尺透明フィルムの短手方向において、透明導電層の抵抗値のバラツキを小さくできる。 In the method for producing a transparent conductive film of the present invention, the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film is 3.3 N / mm 2 or more. As a result, the long transparent film and the film forming roll can be brought into close contact with each other, and it is possible to prevent the outside of the long transparent film in the lateral direction (both sides in the lateral direction) from being lifted. Then, since the film-forming roll can sufficiently cool the outside of the long transparent film in the short direction to the same extent as the inside of the long transparent film in the short direction, the film is laminated on the outside of the long transparent film in the short direction. Crystallization of the transparent conductive layer can be suppressed. As a result, the difference in resistance between the transparent conductive layer laminated on the outer side of the long transparent film in the lateral direction and the transparent conductive layer laminated on the inner side in the lateral direction of the long transparent film can be reduced. In other words, the variation in the resistance value of the transparent conductive layer can be reduced in the lateral direction of the long transparent film.

また、この透明導電性フィルムの製造方法において、透明導電層の厚みは、35nmを超過する。そのため、透明導電層の表面抵抗を低くすることができる。 Further, in the method for producing the transparent conductive film, the thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm. Therefore, the surface resistance of the transparent conductive layer can be lowered.

本発明の透明導電性フィルムにおいて、第1抵抗差および第2抵抗差が、所定の範囲である。そのため、長尺透明フィルムの短手方向において、透明導電層の抵抗値のバラツキを小さくできる。 In the transparent conductive film of the present invention, the first resistance difference and the second resistance difference are in a predetermined range. Therefore, the variation in the resistance value of the transparent conductive layer can be reduced in the lateral direction of the long transparent film.

図1は、本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態で用いられるフィルム製造装置の一実施形態の概略図を示す。FIG. 1 shows a schematic view of an embodiment of a film manufacturing apparatus used in one embodiment of the method for manufacturing a transparent conductive film of the present invention. 図2は、実施例1および比較例1の表面抵抗の結果を示したグラフである。FIG. 2 is a graph showing the results of surface resistance of Example 1 and Comparative Example 1.

本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態は、長尺透明フィルム10を長手方向に搬送しながら、透明導電層22を長尺透明フィルム10の一方面に形成する。 In one embodiment of the method for producing a transparent conductive film of the present invention, the transparent conductive layer 22 is formed on one surface of the long transparent film 10 while the long transparent film 10 is conveyed in the longitudinal direction.

以下、この方法で用いられるフィルム製造装置の一実施形態について、図1を参照して、説明する。 Hereinafter, an embodiment of the film manufacturing apparatus used in this method will be described with reference to FIG.

図1において、紙面左右方向は、搬送方向であり、紙面右側が搬送方向下流側であり、紙面左側が搬送方向上流側である。紙厚方向は、幅方向であり、紙面手前側が幅方向一方側、紙面奥側が幅方向他方側である。紙面上下方向は、上下方向であり、紙面上側が上側、紙面下側が下側である。 In FIG. 1, the left-right direction of the paper surface is the transport direction, the right side of the paper surface is the downstream side of the transport direction, and the left side of the paper surface is the upstream side of the transport direction. The paper thickness direction is the width direction, with the front side of the paper surface being one side in the width direction and the back side of the paper surface being the other side in the width direction. The vertical direction of the paper surface is the vertical direction, with the upper side of the paper surface being the upper side and the lower side of the paper surface being the lower side.

フィルム製造装置1は、搬送方向に長尺な透明導電性フィルム2を製造するための装置であり、図1に示すように、送出ユニット5と、スパッタユニット6と、巻取ユニット7とを備える。 The film manufacturing apparatus 1 is an apparatus for manufacturing a transparent conductive film 2 that is long in the transport direction, and includes a delivery unit 5, a sputter unit 6, and a winding unit 7 as shown in FIG. ..

送出ユニット5は、送出ロール11と、第1ガイドロール12と、送出チャンバー13とを備える。 The delivery unit 5 includes a delivery roll 11, a first guide roll 12, and a delivery chamber 13.

送出ロール11は、長尺透明フィルム10を送出するための回転軸を有する円柱部材である。送出ロール11は、フィルム製造装置1の搬送方向最上流に配置されている。送出ロール11には、送出ロール11を回転させるためのモータ(図示せず)が接続されている。 The delivery roll 11 is a cylindrical member having a rotation axis for delivering the long transparent film 10. The delivery roll 11 is arranged at the uppermost stream in the transport direction of the film manufacturing apparatus 1. A motor (not shown) for rotating the delivery roll 11 is connected to the delivery roll 11.

第1ガイドロール12は、送出ロール11から送出される長尺透明フィルム10をスパッタユニット6にガイドする回転部材である。第1ガイドロール12は、送出ロール11の搬送方向下流側かつ第2ガイドロール23(後述)の搬送方向上流側に配置されている。 The first guide roll 12 is a rotating member that guides the long transparent film 10 delivered from the delivery roll 11 to the sputter unit 6. The first guide roll 12 is arranged on the downstream side in the transport direction of the delivery roll 11 and on the upstream side in the transport direction of the second guide roll 23 (described later).

送出チャンバー13は、送出ロール11および第1ガイドロール12を収容するケーシングである。送出チャンバー13には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている。 The delivery chamber 13 is a casing that houses the delivery roll 11 and the first guide roll 12. The delivery chamber 13 is provided with a vacuum unit that allows the inside to be evacuated.

スパッタユニット6は、送出ユニット5から搬送される長尺透明フィルム10にスパッタリング法により透明導電層22(後述)を積層する。スパッタユニット6は、送出ユニット5の搬送方向下流側かつ巻取ユニット7の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。スパッタユニット6は、第2ガイドロール23と、第3ガイドロール14と、成膜ロール15と、ターゲット16と、第4ガイドロール17と、成膜チャンバー18とを備える。 The sputtering unit 6 laminates the transparent conductive layer 22 (described later) on the long transparent film 10 conveyed from the delivery unit 5 by a sputtering method. The sputter unit 6 is arranged adjacent to the delivery unit 5 on the downstream side in the transport direction and on the upstream side of the take-up unit 7 in the transport direction. The sputter unit 6 includes a second guide roll 23, a third guide roll 14, a film forming roll 15, a target 16, a fourth guide roll 17, and a film forming chamber 18.

第2ガイドロール23は、送出ユニット5(第1ガイドロール12)から搬送される長尺透明フィルム10を第3ガイドロール14にガイドする回転部材である。第2ガイドロール23は、第1ガイドロール12の搬送方向下流側かつ第3ガイドロール14の搬送方向上流側に配置されている。 The second guide roll 23 is a rotating member that guides the long transparent film 10 conveyed from the delivery unit 5 (first guide roll 12) to the third guide roll 14. The second guide roll 23 is arranged on the downstream side of the first guide roll 12 in the transport direction and on the upstream side of the third guide roll 14 in the transport direction.

第2ガイドロール23には、長尺透明フィルム10の搬送張力を測定するテンションメーター(図示せず)が接続されている。 A tension meter (not shown) for measuring the transport tension of the long transparent film 10 is connected to the second guide roll 23.

第3ガイドロール14は、第2ガイドロール23から搬送される長尺透明フィルム10を成膜ロール15にガイドする回転部材である。第3ガイドロール14は、第2ガイドロール23の搬送方向下流側かつ成膜ロール15の搬送方向上流側に配置されている。 The third guide roll 14 is a rotating member that guides the long transparent film 10 conveyed from the second guide roll 23 to the film forming roll 15. The third guide roll 14 is arranged on the downstream side in the transport direction of the second guide roll 23 and on the upstream side in the transport direction of the film forming roll 15.

成膜ロール15は、長尺透明フィルム10に透明導電層22を積層するための回転軸を有する円柱部材である。成膜ロール15は、長尺透明フィルム10を成膜ロール15の周面に沿って搬送する。成膜ロール15は、第3ガイドロール14の搬送方向下流側かつ第4ガイドロール17の搬送方向上流側に配置されている。 The film forming roll 15 is a cylindrical member having a rotation axis for laminating the transparent conductive layer 22 on the long transparent film 10. The film forming roll 15 conveys the long transparent film 10 along the peripheral surface of the film forming roll 15. The film forming roll 15 is arranged on the downstream side of the third guide roll 14 in the transport direction and on the upstream side of the fourth guide roll 17 in the transport direction.

ターゲット16は、透明導電層22の材料から形成されている。ターゲット16は、成膜ロール15の付近に配置されている。具体的には、ターゲット16は、成膜ロール15の下側に、成膜ロール15と間隔を隔てて対向配置されている。 The target 16 is formed of the material of the transparent conductive layer 22. The target 16 is arranged in the vicinity of the film forming roll 15. Specifically, the target 16 is arranged on the lower side of the film forming roll 15 so as to face the film forming roll 15 at intervals.

また、透明導電層22が第1領域(後述)および第2領域(後述)を含む場合には、ターゲット16として、第1領域の材料および第2領域の材料を別々に準備する。 When the transparent conductive layer 22 includes a first region (described later) and a second region (described later), the material of the first region and the material of the second region are separately prepared as the target 16.

詳しくは、ターゲット16は、搬送方向上流側から搬送方向下流側に順に、互いに間隔を隔てて配置される、第1領域の材料から形成される第1ターゲット(図示せず)と第2領域の材料から形成される第2ターゲット(図示せず)とを備える。 Specifically, the targets 16 are arranged in order from the upstream side in the transport direction to the downstream side in the transport direction at intervals of the first target (not shown) and the second region formed from the material of the first region. It comprises a second target (not shown) formed from the material.

第4ガイドロール17は、成膜ロール15から搬送される透明導電性フィルム2を、巻取ユニット7にガイドする回転部材である。第4ガイドロール17は、成膜ロール15の搬送方向下流側かつ第5ガイドロール19(後述)の搬送方向上流側に配置されている。 The fourth guide roll 17 is a rotating member that guides the transparent conductive film 2 conveyed from the film forming roll 15 to the winding unit 7. The fourth guide roll 17 is arranged on the downstream side in the transport direction of the film forming roll 15 and on the upstream side in the transport direction of the fifth guide roll 19 (described later).

成膜チャンバー18は、第2ガイドロール23、第3ガイドロール14、成膜ロール15、ターゲット16、第4ガイドロール17を収容するケーシングである。成膜チャンバー18には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている。 The film forming chamber 18 is a casing that houses the second guide roll 23, the third guide roll 14, the film forming roll 15, the target 16, and the fourth guide roll 17. The film forming chamber 18 is provided with a vacuum unit that allows the inside to be evacuated.

巻取ユニット7は、第5ガイドロール19と、巻取ロール20と、巻取チャンバー21とを備える。巻取ユニット7は、スパッタユニット6の搬送方向下流側に、スパッタユニット6と隣接するように配置されている。 The take-up unit 7 includes a fifth guide roll 19, a take-up roll 20, and a take-up chamber 21. The take-up unit 7 is arranged on the downstream side of the sputtering unit 6 in the transport direction so as to be adjacent to the sputtering unit 6.

第5ガイドロール19は、スパッタユニット6から搬送される透明導電性フィルム2を巻取ロール20にガイドする回転部材である。第5ガイドロール19は、第4ガイドロール17の搬送方向下流側かつ巻取ロール20の搬送方向上流側に配置されている。 The fifth guide roll 19 is a rotating member that guides the transparent conductive film 2 conveyed from the sputter unit 6 to the take-up roll 20. The fifth guide roll 19 is arranged on the downstream side in the transport direction of the fourth guide roll 17 and on the upstream side in the transport direction of the take-up roll 20.

巻取ロール20は、透明導電性フィルム2を巻き取るための回転軸を有する円柱部材である。巻取ロール20は、フィルム製造装置1の搬送方向最下流に配置されている。巻取ロール20は、巻取ロール20を回転させるためのモータ(図示せず)が接続されている。 The take-up roll 20 is a cylindrical member having a rotation axis for taking up the transparent conductive film 2. The take-up roll 20 is arranged at the most downstream side in the transport direction of the film manufacturing apparatus 1. A motor (not shown) for rotating the take-up roll 20 is connected to the take-up roll 20.

巻取チャンバー21は、巻取ロール20および第5ガイドロール19を収容するケーシングである。巻取チャンバー21には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている。 The take-up chamber 21 is a casing that houses the take-up roll 20 and the fifth guide roll 19. The take-up chamber 21 is provided with a vacuum unit that allows the inside to be evacuated.

次に、フィルム製造装置1を用いて透明導電性フィルム2を製造する方法の一実施形態を説明する。 Next, an embodiment of a method of manufacturing the transparent conductive film 2 using the film manufacturing apparatus 1 will be described.

透明導電性フィルム2の製造方法は、長尺透明フィルム10を長手方向に搬送しながら、透明導電層22を長尺透明フィルム10の一方面に形成する。 In the method of manufacturing the transparent conductive film 2, the transparent conductive layer 22 is formed on one surface of the long transparent film 10 while the long transparent film 10 is conveyed in the longitudinal direction.

長尺透明フィルム10を長手方向に搬送するには、まず、長尺透明フィルム10を準備する。 In order to convey the long transparent film 10 in the longitudinal direction, first, the long transparent film 10 is prepared.

長尺透明フィルム10としては、例えば、長尺の高分子フィルムが挙げられる。高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの(メタ)アクリル樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられ、好ましくは、オレフィン樹脂、より好ましくは、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。 Examples of the long transparent film 10 include a long polymer film. Examples of the material of the polymer film include polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, (meth) acrylic resins such as polymethacrylate, and olefin resins such as polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymers. For example, polycarbonate resin, polyether sulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin and the like can be mentioned, preferably an olefin resin, and more preferably a cycloolefin polymer. ..

シクロオレフィンポリマーとして、例えば、シクロオレフィンモノマーの重合生成物、シクロオレフィンモノマーとエチレンなどのオレフィンとの重合生成物が挙げられる。 Examples of the cycloolefin polymer include a polymerization product of a cycloolefin monomer and a polymerization product of a cycloolefin monomer and an olefin such as ethylene.

シクロオレフィンモノマーとしては、例えば、ノルボルネン、メチルノルボルネン、ジメチルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブチルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエンなどの多環式オレフィン、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シシクロオクタジエン、シクロオクタトリエンなどの単環式オレフィンなどが挙げられる。 Examples of the cycloolefin monomer include polycyclic olefins such as norbornene, methylnorbornene, dimethylnorbornene, etilidennorbornene, butylnorbornene, dicyclopentadiene, dihydrodicyclopentadiene, tetracyclododecene, and tricyclopentadiene. Examples thereof include monocyclic olefins such as cyclopentene, cicyclooctadien, and cyclooctatriene.

シクロオレフィンモノマーは、単独使用または2種以上併用することができる。 The cycloolefin monomer can be used alone or in combination of two or more.

上記材料がシクロオレフィンポリマーであれば(つまり、長尺透明フィルム10がシクロオレフィンフィルムであれば)、光学特性(透明性を含む。)に優れる。 If the material is a cycloolefin polymer (that is, if the long transparent film 10 is a cycloolefin film), the optical properties (including transparency) are excellent.

長尺透明フィルム10の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、100mm以下である。 The thickness of the long transparent film 10 is, for example, 10 μm or more, preferably 30 μm or more, and for example, 100 mm or less.

長尺透明フィルム10の厚みが、上記下限以上であれば、搬送性およびハンドリングに優れる。 When the thickness of the long transparent film 10 is at least the above lower limit, the transportability and handling are excellent.

長尺透明フィルム10の厚みが、上記上限以下であれば、生産性に優れる。 If the thickness of the long transparent film 10 is not more than the above upper limit, the productivity is excellent.

また、長尺透明フィルム10の短手方向長さ(幅方向長さ)は、例えば、100mm以上、好ましくは、200mm以上であり、また、例えば、5000mm以下、好ましくは、2000mm以下である。 The length (length in the width direction) of the long transparent film 10 in the lateral direction is, for example, 100 mm or more, preferably 200 mm or more, and for example, 5000 mm or less, preferably 2000 mm or less.

また、長尺透明フィルム10の一方面または他方面には、予め、機能層を配置することができる。このような場合には、得られる透明導電性フィルム2は、長尺透明フィルム10と、機能層と、透明導電層22とを順に備えるか、または、機能層と、長尺透明フィルム10と、透明導電層22とを順に備える。 Further, a functional layer can be arranged in advance on one surface or the other surface of the long transparent film 10. In such a case, the obtained transparent conductive film 2 includes the long transparent film 10, the functional layer, and the transparent conductive layer 22 in this order, or the functional layer, the long transparent film 10, and the long transparent film 10. The transparent conductive layer 22 is provided in this order.

機能層としては、例えば、ハードコート層、光学調整層などの長尺透明フィルム10の一方面に配置される機能層、例えば、アンチブロッキング層などの長尺透明フィルム10の他方面に配置される機能層などが挙げられる。 As the functional layer, for example, it is arranged on one surface of the long transparent film 10 such as a hard coat layer and an optical adjustment layer, for example, on the other surface of the long transparent film 10 such as an anti-blocking layer. The functional layer and the like can be mentioned.

ハードコート層は、ハードコート組成物から形成される。 The hard coat layer is formed from the hard coat composition.

ハードコート組成物は、樹脂、および、必要により、粒子を含有する。 The hard coat composition contains a resin and, if necessary, particles.

樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂(例えば、ポリオレフィン樹脂)などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include curable resins and thermoplastic resins (for example, polyolefin resins), and preferably curable resins.

硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線(具体的には、紫外線、電子線など)の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the curable resin include an active energy ray-curable resin that is cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, a thermosetting resin that is cured by heating. Preferably, an active energy ray-curable resin is used.

活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、(メタ)アクリロイル基(メタクリロイル基および/またはアクリロイル基)などが挙げられる。 Examples of the active energy ray-curable resin include polymers having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. Examples of such functional groups include vinyl groups, (meth) acryloyl groups (methacryloyl groups and / or acryloyl groups), and the like.

活性エネルギー線硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートなどの(メタ)アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。 Specific examples of the active energy ray-curable resin include (meth) acrylic ultraviolet-curable resins such as urethane acrylate and epoxy acrylate.

樹脂は、単独使用または2種以上併用することができる。 The resin can be used alone or in combination of two or more.

粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。 Examples of the particles include inorganic particles and organic particles.

無機粒子としては、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などからなる金属酸化物粒子、例えば、炭酸カルシウムなどの炭酸塩粒子などが挙げられる。 Examples of the inorganic particles include metal oxide particles made of zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide and the like, and carbonate particles such as calcium carbonate.

有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子などが挙げられる。 Examples of the organic particles include crosslinked acrylic resin particles.

粒子は、単独使用または2種以上併用することができる。 The particles can be used alone or in combination of two or more.

そして、ハードコート組成物は、樹脂および必要により配合される粒子を混合することにより得られる。 The hard coat composition is then obtained by mixing the resin and, if necessary, the particles to be blended.

また、ハードコート組成物には、必要により、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を配合することができる。 Further, if necessary, a known additive such as a leveling agent, a thixotropy agent, and an antistatic agent can be added to the hard coat composition.

ハードコート層を形成するには、ハードコート組成物の希釈液を長尺透明フィルム10の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。 To form the hard coat layer, a diluted solution of the hard coat composition is applied to one surface of the long transparent film 10 in the thickness direction, dried, and then the hard coat composition is cured by ultraviolet irradiation.

これにより、ハードコート層を形成する。 As a result, a hard coat layer is formed.

ハードコート層の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.5μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、3μm以下である。 From the viewpoint of scratch resistance, the thickness of the hard coat layer is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less.

ハードコート層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。 The thickness of the hard coat layer can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.

このような場合には、得られる透明導電性フィルム2は、長尺透明フィルム10と、ハードコート層と、透明導電層22とを順に備える。 In such a case, the obtained transparent conductive film 2 includes a long transparent film 10, a hard coat layer, and a transparent conductive layer 22 in this order.

光学調整層は、透明導電層22のパターン視認を抑制したり、透明導電性フィルム2内の界面での反射を抑制しつつ、透明導電性フィルム2に優れた透明性を確保するために、透明導電性フィルム2の光学物性(例えば、屈折率)を調整する層である。 The optical adjustment layer is transparent in order to ensure excellent transparency of the transparent conductive film 2 while suppressing the pattern visibility of the transparent conductive layer 22 and suppressing reflection at the interface in the transparent conductive film 2. This is a layer for adjusting the optical physical characteristics (for example, the refractive index) of the conductive film 2.

光学調整層は、例えば、光学調整組成物から形成される。 The optical adjustment layer is formed from, for example, an optical adjustment composition.

光学調整組成物は、上記した樹脂および上記した粒子を含有する。 The optical adjustment composition contains the above-mentioned resin and the above-mentioned particles.

樹脂としては、ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられ、好ましくは、(メタ)アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include the resins mentioned in the hard coat composition, and preferably (meth) acrylic ultraviolet curable resins.

粒子としては、ハードコート組成物で挙げた粒子が挙げられ、好ましくは、屈折率の観点から、好ましくは、酸化ジルコニウムが挙げられる。 Examples of the particles include the particles mentioned in the hard coat composition, and preferably zirconium oxide from the viewpoint of the refractive index.

そして、光学調整組成物は、樹脂および粒子を混合することにより得られる。 Then, the optical adjustment composition is obtained by mixing the resin and the particles.

光学調整組成物は、さらに、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を含有することができる。 The optical conditioning composition can further contain known additives such as leveling agents, thixotropy agents, antistatic agents and the like.

光学調整層を形成するには、光学調整組成物の希釈液を長尺透明フィルム10の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。 To form the optical adjustment layer, a diluted solution of the optical adjustment composition is applied to one surface of the long transparent film 10 in the thickness direction, dried, and then the optical adjustment composition is cured by irradiation with ultraviolet rays.

これにより、光学調整層を形成する。 As a result, an optical adjustment layer is formed.

光学調整層の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、10nm以上、好ましくは、50nm以上であり、また、例えば、200nm以下である。光学調整層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。 From the viewpoint of scratch resistance, the thickness of the optical adjustment layer is, for example, 10 nm or more, preferably 50 nm or more, and for example, 200 nm or less. The thickness of the optical adjustment layer can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.

このような場合には、得られる透明導電性フィルム2は、長尺透明フィルム10と、光学調整層と、透明導電層22とを順に備える。 In such a case, the obtained transparent conductive film 2 includes a long transparent film 10, an optical adjustment layer, and a transparent conductive layer 22 in this order.

アンチブロッキング層は、透明導電性フィルム2を厚み方向に積層した場合などに、互いに接触する複数の透明導電性フィルム2のそれぞれの表面に耐ブロッキング性を付与する。 The anti-blocking layer imparts blocking resistance to the respective surfaces of the plurality of transparent conductive films 2 in contact with each other when the transparent conductive films 2 are laminated in the thickness direction.

アンチブロッキング層の材料は、例えば、アンチブロッキング組成物である。 The material of the anti-blocking layer is, for example, an anti-blocking composition.

アンチブロッキング組成物としては、例えば、特開2016−179686号公報に記載の混合物などが挙げられる。 Examples of the anti-blocking composition include the mixture described in JP-A-2016-179686.

アンチブロッキング層を形成するには、アンチブロッキング組成物の希釈液を長尺透明フィルム10の厚み方向他方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、アンチブロッキング組成物を硬化させる。 To form the anti-blocking layer, a diluted solution of the anti-blocking composition is applied to the other surface of the long transparent film 10 in the thickness direction, dried, and then the anti-blocking composition is cured by irradiation with ultraviolet rays.

これにより、アンチブロッキング層を形成する。 As a result, an anti-blocking layer is formed.

このような場合には、得られる透明導電性フィルム2は、アンチブロッキング層と、長尺透明フィルム10と、透明導電層22とを順に備える。 In such a case, the obtained transparent conductive film 2 includes an anti-blocking layer, a long transparent film 10, and a transparent conductive layer 22 in this order.

アンチブロッキング層の厚みは、例えば、0.1μm以上であり、また、例えば、10μm以下である。 The thickness of the anti-blocking layer is, for example, 0.1 μm or more, and is, for example, 10 μm or less.

長尺透明フィルム10には、1層または2層以上の機能層を配置することができ、好ましくは、長尺透明フィルム10には、予め、ハードコート層と光学調整層とを順に配置する。つまり、得られる透明導電性フィルム2は、長尺透明フィルム10と、ハードコート層と、光学調整層と、透明導電層22とを順に備える。 One layer or two or more functional layers can be arranged on the long transparent film 10, and preferably, the hard coat layer and the optical adjustment layer are arranged in order on the long transparent film 10 in advance. That is, the obtained transparent conductive film 2 includes a long transparent film 10, a hard coat layer, an optical adjustment layer, and a transparent conductive layer 22 in this order.

そして、このような場合には、上記した方法により、長尺透明フィルム10の厚み方向一方面にハードコート層を形成した後、ハードコート層の厚み方向一方面に光学調整組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。 In such a case, a hard coat layer is formed on one side of the long transparent film 10 in the thickness direction by the above method, and then a diluted solution of the optical adjustment composition is applied to one side of the hard coat layer in the thickness direction. After coating and drying, the optical adjustment composition is cured by irradiation with ultraviolet rays.

そして、長尺透明フィルム10を送出ロール11に配置する。すなわち、長尺な長尺透明フィルム10がロール状に巻回されたロール体を、送出ロール11に装着する。 Then, the long transparent film 10 is placed on the delivery roll 11. That is, the roll body in which the long transparent film 10 is wound in a roll shape is attached to the delivery roll 11.

これにより、長尺透明フィルム10を準備する。 As a result, the long transparent film 10 is prepared.

次いで、長尺透明フィルム10を長手方向に搬送する。 Next, the long transparent film 10 is conveyed in the longitudinal direction.

具体的には、送出ロール11および巻取ロール20をモータにより回転駆動させて、長尺透明フィルム10を送出ロール11から送り出し、第1ガイドロール12、第2ガイドロール23、第3ガイドロール14、成膜ロール15、第4ガイドロール17および第5ガイドロール19を順に搬送して、巻取ロール20により巻き取る。 Specifically, the delivery roll 11 and the take-up roll 20 are rotationally driven by a motor to feed the long transparent film 10 from the delivery roll 11, and the first guide roll 12, the second guide roll 23, and the third guide roll 14 are sent out. , The film forming roll 15, the fourth guide roll 17, and the fifth guide roll 19 are conveyed in this order, and are wound by the winding roll 20.

これにより、長尺透明フィルム10が、ロールトゥロール方式にて、送出ロール11から巻取ロール20まで搬送方向に搬送される。 As a result, the long transparent film 10 is conveyed from the delivery roll 11 to the take-up roll 20 in the transfer direction by a roll-to-roll method.

搬送速度は、例えば、3m/分以上であり、また、例えば、15m/分以下である。 The transport speed is, for example, 3 m / min or more, and for example, 15 m / min or less.

次いで、長尺透明フィルム10を長手方向に搬送しながら、透明導電層22を長尺透明フィルム10の一方面に形成する。 Next, the transparent conductive layer 22 is formed on one surface of the long transparent film 10 while conveying the long transparent film 10 in the longitudinal direction.

具体的には、長尺透明フィルム10を長手方向に搬送しながら、スパッタリングを実施する。すなわち、スパッタユニット6を作動させて、長尺透明フィルム10に透明導電層22を形成する。 Specifically, sputtering is performed while conveying the long transparent film 10 in the longitudinal direction. That is, the sputter unit 6 is operated to form the transparent conductive layer 22 on the long transparent film 10.

具体的には、真空下の成膜チャンバー18の内部にガス(アルゴンなど)を供給するとともに、電圧を印加して、ガスをターゲット16に衝突させる。その結果、成膜ロール15の下方において、搬送方向上流側から搬送されてくる長尺透明フィルム10の下面(一方面)に、ターゲット16からはじき出されたターゲット材料が付着され、透明導電層22が形成される。 Specifically, a gas (argon or the like) is supplied to the inside of the film forming chamber 18 under vacuum, and a voltage is applied to cause the gas to collide with the target 16. As a result, the target material ejected from the target 16 is adhered to the lower surface (one side) of the long transparent film 10 transported from the upstream side in the transport direction below the film forming roll 15, and the transparent conductive layer 22 is formed. It is formed.

つまり、この方法では、透明導電層22は、長尺透明フィルム10を成膜ロール15の周面に沿って搬送しながら、スパッタリングによって形成される。 That is, in this method, the transparent conductive layer 22 is formed by sputtering while transporting the long transparent film 10 along the peripheral surface of the film forming roll 15.

このとき、長尺透明フィルム10は、成膜ロール15の周方向に沿って、好ましくは、180°以上密着している。 At this time, the long transparent film 10 is preferably in close contact with each other along the circumferential direction of the film forming roll 15 by 180 ° or more.

ターゲット16の材料、すなわち、透明導電層22の材料は、例えば、インジウムスズ複合酸化物、アンチモンスズ複合酸化物などの金属酸化物、例えば、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、窒化ガリウムおよびこれらの複合窒化物などの金属窒化物、例えば、金、銀、銅、ニッケルおよびこれらの合金などの金属などが挙げられ、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物が挙げられる。 The material of the target 16, that is, the material of the transparent conductive layer 22, is, for example, a metal oxide such as an indium tin composite oxide or an antimonthine composite oxide, for example, aluminum nitride, titanium nitride, tantalum nitride, chromium nitride, gallium nitride. And metal nitrides such as these composite nitrides, such as metals such as gold, silver, copper, nickel and alloys thereof, preferably indium tin composite oxides.

つまり、好ましくは、透明導電層22は、インジウムスズ複合酸化物を主成分として含む。 That is, preferably, the transparent conductive layer 22 contains an indium tin composite oxide as a main component.

透明導電層22は、インジウムスズ複合酸化物を主成分として含むと、透明導電層22の比抵抗を低くできる。 When the transparent conductive layer 22 contains an indium tin composite oxide as a main component, the specific resistance of the transparent conductive layer 22 can be lowered.

透明導電層22の材料としてインジウムスズ複合酸化物を用いる場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、0.5質量%以上、好ましくは、3質量%以上、より好ましくは、5質量%以上、さらに好ましくは、8質量%以上、とりわけ好ましくは、9質量%以上であり、また、例えば、20質量%以下、好ましくは、15質量%以下である。 When an indium tin composite oxide is used as the material of the transparent conductive layer 22, the content ratio of tin oxide is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass, based on the total amount of tin oxide and indium oxide. The above is more preferably 5% by mass or more, further preferably 8% by mass or more, particularly preferably 9% by mass or more, and for example, 20% by mass or less, preferably 15% by mass or less.

酸化スズの含有割合が上記した下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が上記した上限以下であれば、透明導電層22は、強度に優れる。 When the content ratio of tin oxide is equal to or higher than the above lower limit, the resistance reduction is promoted. When the content ratio of tin oxide is not more than the above upper limit, the transparent conductive layer 22 is excellent in strength.

また、好ましくは、透明導電層22は、酸化スズの割合が8質量%以上である領域を含むことができる。透明導電層22が酸化スズの割合が8質量%以上である領域を含む場合に場合には、表面抵抗値を小さくすることができる。 Further, preferably, the transparent conductive layer 22 can include a region in which the proportion of tin oxide is 8% by mass or more. When the transparent conductive layer 22 includes a region in which the proportion of tin oxide is 8% by mass or more, the surface resistance value can be reduced.

例えば、透明導電層22は、酸化スズの割合が8質量%以上である領域の一例としての第1領域と、第1領域における酸化スズの割合より低い酸化スズの割合である第2領域とを含む。具体的には、透明導電層22は、層状の第1領域と、第1領域の厚み方向一方面に配置される層状の第2領域とを順に含む。なお、第1領域および第2領域の境界は、測定装置による観察で確認されず、不明瞭であることが許容される。なお、この透明導電層22では、厚み方向一方面から他方面に向かって酸化スズ濃度が次第に高くなる濃度勾配を有してもよい。透明導電層22が上記した第1領域に加え、第2領域を含む場合には、その領域の比率調整により所望の結晶化速度を得ることができる。 For example, the transparent conductive layer 22 has a first region as an example of a region in which the ratio of tin oxide is 8% by mass or more, and a second region in which the ratio of tin oxide is lower than the ratio of tin oxide in the first region. include. Specifically, the transparent conductive layer 22 sequentially includes a layered first region and a layered second region arranged on one surface in the thickness direction of the first region. The boundary between the first region and the second region is not confirmed by observation with a measuring device, and it is permissible that the boundary is unclear. The transparent conductive layer 22 may have a concentration gradient in which the tin oxide concentration gradually increases from one surface in the thickness direction to the other surface. When the transparent conductive layer 22 includes a second region in addition to the first region described above, a desired crystallization rate can be obtained by adjusting the ratio of that region.

第1領域における酸化スズの割合は、好ましくは、9質量%以上であり、また、20質量%以下である。 The proportion of tin oxide in the first region is preferably 9% by mass or more and 20% by mass or less.

透明導電層22の厚みにおける第1領域の厚みの割合は、例えば、50%超過、好ましくは、70%以上、より好ましくは、80%以上、さらに好ましくは、90%以上であり、また、例えば、99%以下、好ましくは、97%以下である。 The ratio of the thickness of the first region to the thickness of the transparent conductive layer 22 is, for example, more than 50%, preferably 70% or more, more preferably 80% or more, still more preferably 90% or more, and for example. , 99% or less, preferably 97% or less.

第1領域の厚みの割合が上記した下限以上であれば、透明導電層22における酸化スズの割合を高くでき、そのため、表面抵抗値を十分に低くできる。 When the ratio of the thickness of the first region is equal to or higher than the above-mentioned lower limit, the ratio of tin oxide in the transparent conductive layer 22 can be increased, and therefore the surface resistance value can be sufficiently lowered.

第2領域における酸化スズの割合は、例えば、8質量%未満、好ましくは、7質量%以下、より好ましくは、5質量%以下、さらに好ましくは、4質量%以下であり、また、例えば、1質量%以上、好ましくは、2質量%以上、より好ましくは、3質量%以上である。 The proportion of tin oxide in the second region is, for example, less than 8% by mass, preferably 7% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 4% by mass or less, and for example, 1. By mass or more, preferably 2% by mass or more, more preferably 3% by mass or more.

透明導電層22の厚みにおける第2領域の厚みの割合は、例えば、1%以上、好ましくは、3%以上であり、また、例えば、50%以下、好ましくは、30%以下、より好ましくは、20%以下、さらに好ましくは、10%以下である。 The ratio of the thickness of the second region to the thickness of the transparent conductive layer 22 is, for example, 1% or more, preferably 3% or more, and for example, 50% or less, preferably 30% or less, more preferably. It is 20% or less, more preferably 10% or less.

第2領域における酸化スズの割合に対する、第1領域における酸化スズの割合の比(第1領域における酸化スズの割合/第2領域における酸化スズの割合)は、例えば、1.5以上、好ましくは、2以上、より好ましくは、2.5以上であり、また、例えば、5以下、好ましくは、4以下である。 The ratio of the ratio of tin oxide in the first region to the ratio of tin oxide in the second region (ratio of tin oxide in the first region / ratio of tin oxide in the second region) is, for example, 1.5 or more, preferably 1.5 or more. 2, 2 or more, more preferably 2.5 or more, and for example, 5 or less, preferably 4 or less.

透明導電層22、第1領域および第2領域のそれぞれにおける酸化スズ濃度は、X線光電子分光法によって、測定される。または、酸化スズの含有割合は、非晶質の透明導電層22をスパッタリングで形成するときに用いられるターゲットの成分(既知)から推測することもできる。 The tin oxide concentration in each of the transparent conductive layer 22, the first region and the second region is measured by X-ray photoelectron spectroscopy. Alternatively, the tin oxide content can be estimated from the target component (known) used when forming the amorphous transparent conductive layer 22 by sputtering.

また、ターゲット16からはじき出されたターゲット材料は、例えば、100℃以上、200℃以下に加熱されているため、この方法では、成膜ロール15によって、透明導電層22を冷却し、透明導電層22の結晶化を抑制する。 Further, since the target material ejected from the target 16 is heated to, for example, 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, in this method, the transparent conductive layer 22 is cooled by the film forming roll 15 and the transparent conductive layer 22 is cooled. Suppresses crystallization.

詳しくは、成膜ロール15の温度は、例えば、20℃以上であり、また、例えば、60℃以下である。 Specifically, the temperature of the film forming roll 15 is, for example, 20 ° C. or higher, and for example, 60 ° C. or lower.

成膜ロール15の温度が、上記下限以上または上記上限以下であれば、透明導電層22を十分に冷却することができ、透明導電層22の結晶化を抑制できる(非晶質の透明導電層22を得ることができる。)。 When the temperature of the film forming roll 15 is equal to or higher than the above lower limit or lower than the above upper limit, the transparent conductive layer 22 can be sufficiently cooled and the crystallization of the transparent conductive layer 22 can be suppressed (amorphous transparent conductive layer). 22 can be obtained.).

また、透明導電層22の形成時における長尺透明フィルム10の搬送張力は、例えば、250N以上、好ましくは、330N以上、より好ましくは、420N以上であり、また、例えば、600N以下、好ましくは、500N以下である。 Further, the transport tension of the long transparent film 10 at the time of forming the transparent conductive layer 22 is, for example, 250 N or more, preferably 330 N or more, more preferably 420 N or more, and for example, 600 N or less, preferably 600 N or less. It is 500 N or less.

なお、搬送張力は、テンションメーターにより求めることができる。 The transport tension can be determined by a tension meter.

また、透明導電層22の形成時における長尺透明フィルム10の長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力は、3.3N/mm以上、好ましくは、4.5N/mm以上、より好ましくは、6.0N/mm以上であり、また、例えば、10N/mm以下である。 Further, the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film 10 at the time of forming the transparent conductive layer 22 is 3.3 N / mm 2 or more, preferably 4.5 N / mm 2 or more. more preferably at 6.0 N / mm 2 or more, and is, for example, is 10 N / mm 2 or less.

なお、上記搬送張力は、下記式(1)により、算出することができる。 The transport tension can be calculated by the following formula (1).

長尺透明フィルム10の長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力=長尺透明フィルム10の搬送張力/(長尺透明フィルム10の幅方向の長さ×長尺透明フィルム10の幅方向の厚み) (1)
上記搬送張力が、上記下限以上であれば、長尺透明フィルム10と成膜ロール15とを十分に密着させることができ、長尺透明フィルム10の幅方向外側(短手方向外側(両側))が浮き上がることを抑制することができる。そうすると、成膜ロール15によって、長尺透明フィルム10の短手方向内側と同程度に、長尺透明フィルム10の短手方向外側を十分に冷却できるため、長尺透明フィルム10の短手方向外側に積層された透明導電層22の結晶化を抑制できる。その結果、長尺透明フィルム10の短手方向外側に積層された透明導電層22と、長尺透明フィルム10の短手方向内側に積層された透明導電層22との抵抗の差を小さくすることができる。換言すれば、長尺透明フィルム10の短手方向において、透明導電層22の抵抗値のバラツキを小さくできる。
Transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film 10 = Transport tension of the long transparent film 10 / (length in the width direction of the long transparent film 10 × width direction of the long transparent film 10) Thickness) (1)
When the transport tension is equal to or higher than the above lower limit, the long transparent film 10 and the film forming roll 15 can be sufficiently brought into close contact with each other, and the long transparent film 10 is outside in the width direction (outside in the lateral direction (both sides)). Can be suppressed from rising. Then, the film-forming roll 15 can sufficiently cool the outside of the long transparent film 10 in the short direction to the same extent as the inside of the long transparent film 10 in the short direction, so that the outside of the long transparent film 10 in the short direction can be sufficiently cooled. Crystallization of the transparent conductive layer 22 laminated on the above can be suppressed. As a result, the difference in resistance between the transparent conductive layer 22 laminated on the outer side of the long transparent film 10 in the lateral direction and the transparent conductive layer 22 laminated on the inner side in the lateral direction of the long transparent film 10 is reduced. Can be done. In other words, the variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 can be reduced in the lateral direction of the long transparent film 10.

また、とりわけ、成膜ロール15の温度の低い場合(具体的には、20℃以上60℃以下)である場合には、、長尺透明フィルム10のシワの観点から、長尺透明フィルム10の短手方向における透明導電層22の抵抗値のバラツキが大きくなる傾向があるが、この方法では、透明導電層22の形成時における長尺透明フィルム10の長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力が、上記下限以上であるため、透明導電性フィルム2の短手方向外側における透明導電層22の抵抗値のバラツキを小さくできる。 Further, in particular, when the temperature of the film forming roll 15 is low (specifically, 20 ° C. or higher and 60 ° C. or lower), the long transparent film 10 is formed from the viewpoint of wrinkles. The resistance value of the transparent conductive layer 22 tends to vary greatly in the lateral direction. However, in this method, per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film 10 when the transparent conductive layer 22 is formed. Since the transport tension is equal to or higher than the above lower limit, the variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 on the lateral side of the transparent conductive film 2 in the lateral direction can be reduced.

一方、上記搬送張力が、上記下限未満であれば、長尺透明フィルム10と成膜ロール15とを十分に密着させることができず、長尺透明フィルム10の短手方向両端が浮き上がることを抑制することができない。そうすると、成膜ロール15によって、長尺透明フィルム10の短手方向内側と同程度に、透明導電層22を十分に冷却することができず、長尺透明フィルム10の短手方向において、短手方向外側のみが結晶化し、透明導電性フィルム2の短手方向において、透明導電層22の抵抗値のバラツキが大きくなる。 On the other hand, if the transport tension is less than the above lower limit, the long transparent film 10 and the film forming roll 15 cannot be sufficiently brought into close contact with each other, and it is possible to prevent both ends of the long transparent film 10 from floating in the lateral direction. Can not do it. Then, the film-forming roll 15 cannot sufficiently cool the transparent conductive layer 22 to the same extent as the inside of the long transparent film 10 in the short direction, and the long transparent film 10 is short in the short direction. Only the outer side of the direction crystallizes, and the variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 increases in the lateral direction of the transparent conductive film 2.

以上より、この方法では、長尺透明フィルム10の長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力が、3.3N/mm以上であるため、透明導電層22が厚くても(具体的には、35nm超過(後述))、長尺透明フィルム10の短手方向において、透明導電層22の抵抗値のバラツキを小さくできる。 From the above, in this method, since the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film 10 is 3.3 N / mm 2 or more, even if the transparent conductive layer 22 is thick (specifically). In the short direction of the long transparent film 10 exceeding 35 nm (described later), the variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 can be reduced.

これにより、成膜ロール15の下側において、長尺透明フィルム10と、その下面(一方面)に積層された透明導電層22とを順に備える透明導電性フィルム2が得られる。 As a result, the transparent conductive film 2 including the long transparent film 10 and the transparent conductive layer 22 laminated on the lower surface (one surface) thereof in order is obtained on the lower side of the film forming roll 15.

その後、成膜ロール15の下側で作製された透明導電性フィルム2は、成膜ロール15および第4ガイドロール17により、搬送方向下流側の巻取ロール20に向かって搬送される。 After that, the transparent conductive film 2 produced on the lower side of the film forming roll 15 is conveyed by the film forming roll 15 and the fourth guide roll 17 toward the take-up roll 20 on the downstream side in the conveying direction.

得られた透明導電性フィルム2において、透明導電層22は、好ましくは、非晶質部を含み、より好ましくは、非晶質部のみからなる。 In the obtained transparent conductive film 2, the transparent conductive layer 22 preferably contains an amorphous portion, and more preferably consists of only an amorphous portion.

透明導電層22は、非晶質部を含むと、屈曲性に優れる。 The transparent conductive layer 22 is excellent in flexibility when it contains an amorphous portion.

透明導電層22の厚みは、35nmを超過し、また、例えば、100nm以下、好ましくは、65nm以下である。 The thickness of the transparent conductive layer 22 exceeds 35 nm, and is, for example, 100 nm or less, preferably 65 nm or less.

透明導電層22の厚みが、上記下限以上であれば、透明導電層22の表面抵抗を低くできる。 When the thickness of the transparent conductive layer 22 is at least the above lower limit, the surface resistance of the transparent conductive layer 22 can be lowered.

透明導電層22の表面抵抗値は、例えば、65Ω/□以下であり、また、例えば、35Ω/□以上である。表面抵抗値は、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定することができる。 The surface resistance value of the transparent conductive layer 22 is, for example, 65 Ω / □ or less, and for example, 35 Ω / □ or more. The surface resistance value can be measured by the 4-terminal method in accordance with JIS K7194.

そして、このような透明導電性フィルム2は、長尺透明フィルム10と、透明導電層22とを順に備える。 Then, such a transparent conductive film 2 includes a long transparent film 10 and a transparent conductive layer 22 in this order.

また、上記したように、透明導電性フィルム2の短手方向における透明導電層22の抵抗値のバラツキが小さい。 Further, as described above, the variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 in the lateral direction of the transparent conductive film 2 is small.

具体的には、後述する試験により測定される第1抵抗差および第2抵抗差の両方が、−10Ω/□以上、好ましくは、−8Ω/□以上であり、また、10Ω/□以下、好ましくは、5Ω/□以下である。 Specifically, both the first resistance difference and the second resistance difference measured by the test described later are -10Ω / □ or more, preferably -8Ω / □ or more, and 10Ω / □ or less, preferably 10Ω / □ or less. Is 5Ω / □ or less.

詳しくは、試験では、透明導電性フィルム2の短手方向一方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50を、透明導電性フィルム2の短手方向一方側端部から、30mmの抵抗値R30で差し引いた値(R50−R30)を、第1抵抗差として算出する。別途、透明導電性フィルム2の短手方向他方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50´を、透明導電性フィルム2の短手方向他方側端部から、30mmの抵抗値R30´で差し引いた値(R50´−R30´)を、第2抵抗差として算出する。 Specifically, in the test, the lateral direction one side end portion of the transparent conductive film 2, the resistance value R 50 of 50mm portion of the lateral direction one side end portion of the transparent conductive film 2, 30 mm of the resistance value The value (R 50- R 30 ) subtracted by R 30 is calculated as the first resistance difference. Separately, the resistance value R 50 ′ of the portion 50 mm from the other side end portion in the lateral direction of the transparent conductive film 2 and the resistance value R 30 ′ of 30 mm from the other side end portion in the lateral direction of the transparent conductive film 2. The value subtracted in (R 50 ′ −R 30 ′) is calculated as the second resistance difference.

また、後述する表面抵抗測定により得られる標準偏差が、例えば、10以下、好ましくは、8以下である。 The standard deviation obtained by the surface resistance measurement described later is, for example, 10 or less, preferably 8 or less.

このような透明導電性フィルム2は、透明導電性フィルム2の短手方向における透明導電層22の抵抗値のバラツキが小さいので、この透明導電性フィルム2を加熱して、透明導電層22を結晶化させるときに、クラックの発生を抑制することができる。 Since such a transparent conductive film 2 has a small variation in the resistance value of the transparent conductive layer 22 in the lateral direction of the transparent conductive film 2, the transparent conductive film 2 is heated to crystallize the transparent conductive layer 22. It is possible to suppress the occurrence of cracks at the time of conversion.

また、このときの透明導電層22(結晶化後の透明導電層22)の表面抵抗値は、例えば、100Ω/□以下、好ましくは、60Ω/□以下であり、また、例えば、1Ω/□以上である。 The surface resistance value of the transparent conductive layer 22 (transparent conductive layer 22 after crystallization) at this time is, for example, 100 Ω / □ or less, preferably 60 Ω / □ or less, and for example, 1 Ω / □ or more. Is.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
1.透明導電性フィルムの製造
実施例1
長尺透明フィルムとして、シクロオレフィンポリマー(COP)フィルム(ゼオン社製、商品名「ゼオノア」、厚み43μm、短手方向長さ1586mm)を用いた。
Examples and comparative examples are shown below, and the present invention will be described in more detail. The present invention is not limited to Examples and Comparative Examples. In addition, specific numerical values such as the compounding ratio (content ratio), physical property values, and parameters used in the following description are described in the above-mentioned "Form for carrying out the invention", and the compounding ratios corresponding to them ( Substitute the upper limit value (value defined as "less than or equal to" or "less than") or the lower limit value (value defined as "greater than or equal to" or "excess") such as content ratio), physical property value, parameter, etc. be able to.
1. 1. Production of transparent conductive film Example 1
As the long transparent film, a cycloolefin polymer (COP) film (manufactured by Zeon Co., Ltd., trade name "Zeonoa", thickness 43 μm, length 1586 mm in the lateral direction) was used.

次いで、シクロオレフィンポリマーフィルムの一方面に、ハードコート組成物(アクリル樹脂からなる紫外線硬化性樹脂)を塗布し、紫外線照射により硬化させて、厚みが1μmであるハードコート層を形成した。 Next, a hard coat composition (ultraviolet curable resin made of an acrylic resin) was applied to one surface of the cycloolefin polymer film and cured by ultraviolet irradiation to form a hard coat layer having a thickness of 1 μm.

次いで、ハードコート層の一方面に、光学調整組成物(屈折率1.62のジルコニア粒子含有紫外線硬化型組成物)を塗布し、紫外線照射により硬化させて、厚みが100nmである光学調整層を形成した。 Next, an optical adjustment composition (ultraviolet curable composition containing zirconia particles having a refractive index of 1.62) is applied to one surface of the hard coat layer and cured by ultraviolet irradiation to form an optical adjustment layer having a thickness of 100 nm. Formed.

次いで、このシクロオレフィンポリマーフィルムを、上記フィルム製造装置における送出ロールに配置した。すなわち、シクロオレフィンポリマーフィルムがロール状に巻回されたロール体を、送出ロールに装着した。 The cycloolefin polymer film was then placed on a delivery roll in the film manufacturing apparatus. That is, the roll body in which the cycloolefin polymer film was wound in a roll shape was attached to the delivery roll.

次いで、送出ロールおよび巻取ロールをモータにより回転駆動させて、シクロオレフィンポリマーを、ロールトゥロール方式にて、送出ロールから巻取ロールまで搬送方向に搬送させた。 Next, the delivery roll and the take-up roll were rotationally driven by a motor to transport the cycloolefin polymer from the delivery roll to the take-up roll in the transport direction by a roll-to-roll method.

次いで、スパッタリングにより、光学調整層の厚み方向一方面に、厚み40nmの非晶質の透明導電層を形成した。詳しくは、まず、フィルム製造装置に、酸化スズ濃度が10重量%であるITOからなる第1ターゲットと、酸化スズ濃度が3.3重量%であるITOからなる第2ターゲットとを配置した。 Next, an amorphous transparent conductive layer having a thickness of 40 nm was formed on one surface of the optical adjustment layer in the thickness direction by sputtering. Specifically, first, a first target made of ITO having a tin oxide concentration of 10% by weight and a second target made of ITO having a tin oxide concentration of 3.3% by weight were placed in a film manufacturing apparatus.

そして、非晶質の透明導電層における第1領域の厚みの割合、および、第2領域の厚みの割合が、それぞれ、95%、および、5%となるように、スパッタリングした。 Then, sputtering was performed so that the ratio of the thickness of the first region and the ratio of the thickness of the second region in the amorphous transparent conductive layer were 95% and 5%, respectively.

また、透明導電層の形成時における長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力は、7.04N/mmであった。 Further, the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film at the time of forming the transparent conductive layer was 7.04 N / mm 2 .

なお、透明導電層22の形成時における長尺透明フィルム10の搬送張力は、テンションメーターにより求め、透明導電層の形成時における長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力は、上記式(1)により算出した。 The transport tension of the long transparent film 10 at the time of forming the transparent conductive layer 22 is determined by a tension meter, and the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film at the time of forming the transparent conductive layer 22 is obtained. Was calculated by the above formula (1).

これにより、シクロオレフィンポリマーフィルムと、ハードコート層と、光学調整層と、透明導電層(第1領域(酸化スズ濃度10質量%)および第2領域(酸化スズ濃度3.3質量%))とを順に備える透明導電性フィルムを得た。 As a result, the cycloolefin polymer film, the hard coat layer, the optical adjustment layer, and the transparent conductive layer (first region (tin oxide concentration 10% by mass) and second region (tin oxide concentration 3.3% by mass)) A transparent conductive film was obtained in this order.

実施例2〜実施例4、比較例1および比較例2
表1の記載に従い、透明導電層の形成時における長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力、および、透明導電層の厚みを変更した以外は、実施例1と同様の手順で、透明導電性フィルムを得た。
2.評価
(表面抵抗)
各実施例および各比較例の透明導電層の表面抵抗を、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定した。透明導電性フィルムの短手方向両端部30mmの部分より内側に向けて、20mm毎に測定を実施した。
Examples 2 to 4, Comparative Example 1 and Comparative Example 2
According to the description in Table 1, the same as in Example 1 except that the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film at the time of forming the transparent conductive layer and the thickness of the transparent conductive layer are changed. A transparent conductive film was obtained by the procedure of.
2. Evaluation (surface resistance)
The surface resistance of the transparent conductive layer of each Example and each Comparative Example was measured by the 4-terminal method in accordance with JIS K7194. Measurements were carried out every 20 mm toward the inside of the 30 mm portions at both ends of the transparent conductive film in the lateral direction.

得られた結果から、表面抵抗値の最大値、最小値、平均値、標準偏差、第1抵抗差、および、第2抵抗差を算出し、その結果を表1に示す。
(透明導電層の結晶化および結晶化後の透明導電層の表面抵抗)
各実施例および各比較例の透明導電性フィルムを、130℃、90分加熱して、非晶質の透明導電層を結晶化して、結晶質の透明導電層を調製した。
From the obtained results, the maximum value, the minimum value, the average value, the standard deviation, the first resistance difference, and the second resistance difference of the surface resistance values are calculated, and the results are shown in Table 1.
(Crystallization of transparent conductive layer and surface resistance of transparent conductive layer after crystallization)
The transparent conductive films of each Example and each Comparative Example were heated at 130 ° C. for 90 minutes to crystallize the amorphous transparent conductive layer to prepare a crystalline transparent conductive layer.

その後、透明導電層の表面抵抗を、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定した。その結果を表1および図2に示す Then, the surface resistance of the transparent conductive layer was measured by the 4-terminal method in accordance with JIS K7194. The results are shown in Table 1 and FIG.

Figure 2021143395
Figure 2021143395

2 透明導電性フィルム
10 長尺透明フィルム
15 成膜ロール
22 透明導電層
2 Transparent conductive film 10 Long transparent film 15 Film-forming roll 22 Transparent conductive layer

Claims (7)

長尺透明フィルムを長手方向に搬送しながら、透明導電層を前記長尺透明フィルムの一方面に形成する透明導電性フィルムの製造方法であって、
前記透明導電層は、前記長尺透明フィルムを成膜ロールの周面に沿って搬送しながら、スパッタリングによって形成し、
前記透明導電層の厚みは、35nmを超過し、
前記透明導電層の形成時における前記長尺透明フィルムの長手方向に垂直な断面の単位面積あたりの搬送張力が、3.3N/mm以上であることを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。
A method for producing a transparent conductive film in which a transparent conductive layer is formed on one surface of the long transparent film while conveying the long transparent film in the longitudinal direction.
The transparent conductive layer is formed by sputtering while transporting the long transparent film along the peripheral surface of the film forming roll.
The thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm,
Production of a transparent conductive film, characterized in that the transport tension per unit area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the long transparent film at the time of forming the transparent conductive layer is 3.3 N / mm 2 or more. Method.
前記長尺透明フィルムがシクロオレフィンフィルムであることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a transparent conductive film according to claim 1, wherein the long transparent film is a cycloolefin film. 前記長尺透明フィルムの厚みが、10μm以上70μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the long transparent film is 10 μm or more and 70 μm or less. 前記透明導電層が非晶質部を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the transparent conductive layer contains an amorphous portion. 前記透明導電層がインジウムスズ複合酸化物を主成分として含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 4, wherein the transparent conductive layer contains an indium tin composite oxide as a main component. 前記成膜ロールの表面温度が、20℃以上60℃以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 5, wherein the surface temperature of the film-forming roll is 20 ° C. or higher and 60 ° C. or lower. 長尺透明フィルムと、透明導電層とを順に備え、
前記透明導電層の厚みが、35nmを超過し、
下記試験により測定される第1抵抗差および第2抵抗差が、−10Ω/□以上10Ω/□以下であることを特徴とする、透明導電性フィルム。
試験:透明導電性フィルムの短手方向一方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50を、透明導電性フィルムの短手方向一方側端部から、30mmの抵抗値R30で差し引いた値(R50−R30)を、第1抵抗差として算出する。別途、透明導電性フィルムの短手方向他方側端部から、50mmの部分の抵抗値R50´を、透明導電性フィルムの短手方向他方側端部から、30mmの抵抗値R30´で差し引いた値(R50´−R30´)を、第2抵抗差として算出する。
A long transparent film and a transparent conductive layer are provided in order,
The thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm,
A transparent conductive film characterized in that the first resistance difference and the second resistance difference measured by the following tests are -10Ω / □ or more and 10Ω / □ or less.
Test: A value obtained by subtracting the resistance value R 50 of the 50 mm portion from the one side end in the lateral direction of the transparent conductive film by the resistance value R 30 of 30 mm from the one side end in the lateral direction of the transparent conductive film. (R 50- R 30 ) is calculated as the first resistance difference. Separately, the resistance value R 50 ′ of the 50 mm portion is subtracted from the other end of the transparent conductive film in the lateral direction by the resistance value R 30 ′ of 30 mm from the other end of the transparent conductive film in the lateral direction. The value (R 50 ′ −R 30 ′) is calculated as the second resistance difference.
JP2020043205A 2020-03-12 2020-03-12 Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film Pending JP2021143395A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020043205A JP2021143395A (en) 2020-03-12 2020-03-12 Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film
KR1020210028373A KR20210116254A (en) 2020-03-12 2021-03-03 Producing method of transparent electrically conductive film and transparent electrically conductive film
TW110108665A TW202135099A (en) 2020-03-12 2021-03-11 Manufacturing method of the transparent conductive film and the transparent conductive film having transparent conductive layer with less deviation of resistance in short-side direction
CN202110268823.2A CN113393972A (en) 2020-03-12 2021-03-12 Method for producing transparent conductive film and transparent conductive film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020043205A JP2021143395A (en) 2020-03-12 2020-03-12 Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021143395A true JP2021143395A (en) 2021-09-24

Family

ID=77617517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020043205A Pending JP2021143395A (en) 2020-03-12 2020-03-12 Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2021143395A (en)
KR (1) KR20210116254A (en)
CN (1) CN113393972A (en)
TW (1) TW202135099A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164818A (en) * 2004-12-09 2006-06-22 Central Glass Co Ltd Method of depositing ito transparent conductive film and substrate with ito transparent conductive film
JP2012234796A (en) * 2011-04-20 2012-11-29 Nitto Denko Corp Method of producing conductive laminated film
JP2017122282A (en) * 2011-11-28 2017-07-13 日東電工株式会社 Production of transparent conductive film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164818A (en) * 2004-12-09 2006-06-22 Central Glass Co Ltd Method of depositing ito transparent conductive film and substrate with ito transparent conductive film
JP2012234796A (en) * 2011-04-20 2012-11-29 Nitto Denko Corp Method of producing conductive laminated film
JP2017122282A (en) * 2011-11-28 2017-07-13 日東電工株式会社 Production of transparent conductive film

Also Published As

Publication number Publication date
TW202135099A (en) 2021-09-16
KR20210116254A (en) 2021-09-27
CN113393972A (en) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8790479B2 (en) Manufacturing method of functional film
TWI508101B (en) A zinc oxide-based conductive laminate, a method for manufacturing the same, and an electronic device
CN109641422B (en) Gas barrier film and method for producing gas barrier film
KR20190141127A (en) Conductive Film and Touch Panel
KR20190103014A (en) Transparent conductive film laminate and method for producing transparent conductive film
KR102327593B1 (en) The barrier film and manufacturing method thereof
JP2021143395A (en) Method for manufacturing transparent conductive film, and transparent conductive film
WO2015115510A1 (en) Gas-barrier film and method for manufacturing same
WO2021060139A1 (en) Transparent electroconductive film and method for producing same
US10988631B2 (en) Gas barrier film and method of producing a gas barrier film
TW200401707A (en) Laminated film
JP5906840B2 (en) Laminated sheet
EP2752251B1 (en) Functional film manufacturing method and functional film
WO2023042841A1 (en) Method for producing transparent electroconductive film
CN111194471B (en) Transparent conductive film and method for producing same
JP7438274B2 (en) Method for manufacturing transparent conductive film
JP2020116942A (en) Laminate
TW202040598A (en) Thin film laminate and method for manufacturing patterned conductive film capable of achieving thinning and suppressing dimensional changes
JP6892751B2 (en) Double-sided conductive film
TW202040597A (en) Film laminate and method for producing patterned conductive film
WO2023042842A1 (en) Manufacturing method for transparent conductive film
KR101606488B1 (en) A method for producing a plastic film electrode
JP2024005996A (en) Production method of transparent conductive film
KR102258294B1 (en) barrier film
JP2021094852A (en) Laminate, organic el device, and method for manufacturing laminate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240321

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240702