JP2021036198A - 電流センサの製造方法および電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】外部磁場の影響を低減することができる電流センサを提供する。【解決手段】検出対象の電流によって生じる磁場に基づき電流を検出する電流センサの製造方法である。本方法は、電流センサ（１）を準備する工程と、同相磁場（Ｂｃ）を電流センサに印加する工程（ＳＴ１）と、ゲインを調整する工程（ＳＴ２）とを含む。電流センサは、電流（Ｉ）に応じて互いに逆相の磁場（Ｂ１，Ｂ２）を感知する第１及び第２磁気センサと、出力部とを備える。出力部は、第１磁気センサの感知結果と第２磁気センサの感知結果との差動増幅を演算して、電流の検出結果を示す出力信号を生成する。同相磁場は、第１磁気センサと第２磁気センサとに同相で入力される。ゲインを調整する工程は、同相磁場に応じて、第１及び第２磁気センサの感知結果として出力部に差動増幅される２つの信号量が合致するように、電流センサにおける信号のゲインを調整する。【選択図】図９

Description

本発明は、電流によって生じる磁場に基づいて電流を検出する電流センサの製造方法および電流センサに関する。

特許文献１は、電流が流れるバスバーに取り付けられる電流センサを開示している。特許文献１の電流センサは、２つの磁気センサと、２つの増幅器と、演算回路とを備えている。２つの磁気センサは、互いの磁界感知面が直交するように配置されている。各々の磁気センサの出力は、それぞれの増幅回路を介して演算回路に入力されている。演算回路は、各々の出力に基づいて、互いに直交するベクトルのベクトル合成を演算することにより、電流センサの取り付け角度に依らない計測精度を得ている。特許文献１では、上記のようにバスバーへの取り付け誤差に対して計測精度を維持する目的で２つの磁気センサを用いる際に、２組の磁気センサ及び増幅器を同一性能にするべく、一方の増幅器の増幅抵抗が調整されている。

特開２００２−３３３４５６号公報

本発明の目的は、電流によって生じる磁場に基づいて電流を検出する電流センサにおいて、外部磁場の影響を低減することができる電流センサ及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る電流センサの製造方法は、検出対象の電流によって生じる磁場に基づき電流を検出する電流センサの製造方法である。本方法は、電流センサを準備する工程と、同相磁場を電流センサに印加する工程と、電流センサにおける信号のゲインを調整する工程とを含む。電流センサは、磁場を感知する第１磁気センサと、電流に応じて第１磁気センサが感知する磁場とは逆相の磁場を感知する第２磁気センサと、出力部とを備える。出力部は、第１磁気センサの感知結果と第２磁気センサの感知結果との差動増幅を演算して、電流の検出結果を示す出力信号を生成する。同相磁場は、第１磁気センサと第２磁気センサとに同相で入力される。ゲインを調整する工程は、同相磁場に応じて、第１及び第２磁気センサの感知結果として出力部に差動増幅される２つの信号量が合致するように、電流センサにおける信号のゲインを調整する。

本発明に係る電流センサは、第１磁気センサと、第１演算部と、第２磁気センサと、第２演算部と、第３演算部と、調整部とを備える。第１磁気センサは、第１のセンサゲインにおいて磁場を感知する。第１演算部は、第１磁気センサの感知結果に第１の演算ゲインを乗算する。第２磁気センサは、電流に応じて第１磁気センサが感知する磁場とは逆相の磁場を、第２のセンサゲインにおいて感知する。第２演算部は、第２磁気センサの感知結果に第２の演算ゲインを乗算する。第３演算部は、第１及び第２演算部の演算結果に基づき電流の検出結果を示す出力信号を算出する。調整部は、第１及び第２のセンサゲイン並びに第１及び第２の演算ゲインのうちの少なくとも１つのゲインを調整する。調整部は、第１のセンサゲインと第１の演算ゲインの積と、第２のセンサゲインと第２の演算ゲインの積とを合致させる。

本発明に係る電流センサ及びその製造方法によると、電流によって生じる磁場に基づいて電流を検出する電流センサにおける信号のゲインが調整されることにより、外部磁場の影響を低減することができる。

実施形態１に係る電流センサの外観を例示する斜視図 実施形態１に係る電流センサの構成を示すブロック図 電流センサにおける磁気センサの構成を例示する回路図 実施形態１に係る電流センサの調整部及び第１演算部の構成例を示す図 電流センサにおける第３演算部の構成例を示す図 電流センサにおける信号磁場と磁気センサとの関係を説明するための図 電流センサにおける外部磁場耐性を説明するための図 電流センサにおける各種信号に対する外部磁場の影響を例示するグラフ 実施形態１に係る電流センサの調整方法を示すフローチャート 電流センサに同相磁場が印加される状態の一例を示す図 実施形態１に係る電流センサのゲイン調整を説明するための図 電流センサの通電補正を説明するための図 電流センサに同相磁場が印加される状態の別例を示す図 実施形態２に係る電流センサの構成を示すブロック図 実施形態２に係る電流センサの調整部の構成例を示す図 実施形態３に係る電流センサの構成を示すブロック図 実施形態４に係る電流センサの構成を示すブロック図 実施形態４に係る電流センサのゲイン調整を説明するための図 電流センサに検出される電流が流れる導体の変形例１を示す図 電流センサに検出される電流が流れる導体の変形例２を示す図 変形例２において同相磁場が印加される状態を例示する図

以下、添付の図面を参照して本発明に係る電流センサ及びその製造方法の実施形態を説明する。

各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。実施形態２以降では実施形態１と共通の事項についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。

（実施形態１）
実施形態１では、検出対象の電流によって生じる磁場（以下「信号磁場」という）に基づいて電流を検出する電流センサにおいて、外部磁場耐性を確保するための調整機能を有する電流センサを提供する。外部磁場耐性は、信号磁場とは別に外部から印加される外部磁場の影響によって、電流の検出結果が変動しないようにする耐性である。

１．構成
実施形態１に係る電流センサの構成について、図１，２を用いて説明する。図１は、実施形態１に係る電流センサ１の外観を例示する斜視図である。図２は、本実施形態に係る電流センサ１の構成を示すブロック図である。

電流センサ１は、例えば図１に示すように、バスバー２に取り付けられる。バスバー２は、長手方向（Ｙ方向）に電流センサ１の検出対象の電流Ｉが流れる導体の一例である。以下、バスバー２の幅方向をＸ方向とし、長手方向をＹ方向とし、厚さ方向をＺ方向とする。

本実施形態に係る電流センサ１は、図２に示すように、２つの磁気センサ１１，１２と、演算装置３とを備える。電流センサ１は、２つの磁気センサ１１，１２を用いて、バスバー２に流れる電流Ｉによる信号磁場を感知して、電流Ｉの検出結果を演算装置３で算出する。

バスバー２は、Ｙ方向における途中の一部分において、２つの流路２１，２２に分岐されている。電流センサ１は、第１及び第２流路２１，２２間に配置されている。第１流路２１は電流センサ１よりも＋Ｚ側に位置し、第２流路２２は電流センサ１よりも−Ｚ側に位置する。図１に例示するように、電流Ｉがバスバー２を＋Ｙ向きに流れると、第１流路２１と第２流路２２とに分流する。分流した各々の電流は、第１流路２１と第２流路２２との双方において＋Ｙ向きに流れる。

電流センサ１において、２つの磁気センサ１１，１２は、例えばＸ方向に並んで配置される。第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とは、それぞれ第１流路２１近傍と第２流路２２近傍とにおいて、電流Ｉに基づく信号磁場が互いに逆相に分布する領域に配置される（図６参照）。第１及び第２磁気センサ１１，１２は、例えば磁気抵抗素子を含み、１軸成分の磁場を感知する感度軸を有する。各々の磁気センサ１１，１２は、例えば感度軸の方向がＸ方向に適宜、許容誤差の範囲内で平行になるように配置される。磁気センサ１１，１２の構成の詳細については後述する。

第１磁気センサ１１は、磁電変換のためのセンサゲインを有する（以下「Ｇ１」とする）。第１磁気センサ１１は、センサゲインＧ１に従って磁場の感知結果を示す第１センサ信号Ｓ１を生成する。第１磁気センサ１１のセンサゲインＧ１は、本実施形態における第１のセンサゲインの一例である。

また、第２磁気センサ１２は、磁電変換のためのセンサゲインを有する（以下「Ｇ２」とする）。第２磁気センサ１２は、センサゲインＧ２に従って磁場の感知結果を示す第２センサ信号Ｓ２を生成する。第２磁気センサ１２のセンサゲインＧ２は、本実施形態における第２のセンサゲインの一例である。

演算装置３は、図２に示すように、第１演算部３１と、第２演算部３２と、第３演算部３３と、温度検出部３４と、調整部４とを備える。演算装置３は、本実施形態における電流センサ１の出力部の一例である。演算装置３の構成の詳細については後述する。

第１演算部３１は、例えば１倍以上の倍率を示す演算ゲインを有する（以下「Ａ１」とする）。第１演算部３１は、第１磁気センサ１１から第１センサ信号Ｓ１を入力し、入力した第１センサ信号Ｓ１に演算ゲインＡ１を乗算する。第１センサ信号Ｓ１は、第１演算部３１による乗算を介して、第１検出信号Ｓｐ１として第３演算部３３に出力される。第１演算部３１と第１磁気センサ１１とは、第１検出信号Ｓｐ１を生成する磁気検出部１０Ａを構成する。第１演算部３１の演算ゲインＡ１は、本実施形態における第１の演算ゲインの一例である。

第２演算部３２は、例えば１倍以上の倍率を示す演算ゲインを有する（以下「Ａ２」とする）。第２演算部３２は、第２磁気センサ１２から第２センサ信号Ｓ２を入力し、入力した第２センサ信号Ｓ２に演算ゲインＡ２を乗算する。第２センサ信号Ｓ２は、第２演算部３２による乗算を介して、第２検出信号Ｓｐ２として第３演算部３３に出力される。第２演算部３２と第２磁気センサ１２とは、第２検出信号Ｓｐ２を生成する磁気検出部１０Ｂを構成する。第２演算部３２の演算ゲインＡ２は、本実施形態における第２の演算ゲインの一例である。

第３演算部３３は、例えば１倍以上の倍率を示す演算ゲインを有する。第３演算部３３は、固有の演算ゲインにおいて、第１演算部３１からの第１検出信号Ｓｐ１と第２演算部３２からの第２検出信号Ｓｐ２との差動増幅を演算して、演算結果を示す出力信号Ｓｏｕｔを生成する。第３演算部３３は、電流センサ１による電流Ｉの検出結果として、出力信号Ｓｏｕｔを出力する。

また、本実施形態において、第３演算部３３は、温度補償回路等を含む。第３演算部３３は、温度検出部３４による検出結果の温度に応じて、演算ゲイン等の変動を補正するように、出力信号Ｓｏｕｔの温度補償を行う。

温度検出部３４は、例えば半導体温度センサであり、周囲の温度を検出する。温度検出部３４の種類は特に限定されず、例えば、サーミスタ、熱電対、リニア正温度係数抵抗器、白金測温抵抗体などが用いられてもよい。また、温度検出部３４は、第３演算部３３の温度補償回路に組み込まれてもよい。

調整部４は、電流センサ１における種々のゲインを調整する機能を実現するための回路等である。本実施形態において、調整部４は、第１演算部３１の演算ゲインＡ１及び／又は第２演算部３２の演算ゲインＡ２を調整する。調整部４は、演算装置３に組み込まれていてもよいし、演算装置３とは別途、構成されてもよい。

本実施形態では、調整部４による調整機能によって、電流センサ１における外部磁場耐性を確保する（詳細は後述）。調整部４による調整機能は、アナログ領域において実現されてもよいし、デジタル領域において実現されてもよい。

演算装置３において、第１〜第３演算部３１〜３３は、バッファとして機能してもよい。また、本実施形態において、各演算部３１〜３３は、各々のオフセットを調整するオフセット調整回路を含み得る。オフセットは、各演算部３１〜３３が、入力される信号がない状態で出力する信号の値についての基準値からのずれを示す。例えば、第３演算部３３は、出力信号Ｓｏｕｔにおけるオフセットの温度補償を行ってもよい。

また、２つの磁気センサ１１，１２と演算装置３とは、図２に示すような電流センサ１において、例えば同一のパッケージ内に配置される。２つの磁気センサ１１，１２は、例えば１つの集積チップ内に配置される。２つの磁気センサ１１，１２を同一チップ内で近接配置することにより、外部磁場が空間的に不均一な場合における外部磁場耐性を向上できる。さらに、電流センサ１の周囲温度に勾配が合った場合において、磁気センサｌ１、ｌ２間の温度に対する磁電変換利得ばらつきを抑制でき、外部磁場耐性を向上できる。

第１及び第２演算部３１，３２は、例えば、電流センサ１内部で同一の集積チップ内に近接配置される。これにより、電流センサ１の周囲温度に勾配があった場合において、第１及び第２演算部３１，３２間の温度に対するゲインばらつきを抑制でき、外部磁場耐性を向上できる。

磁気センサ１１，１２と演算装置３との間にループ配線がある場合、交流の外部磁場が鎖交して起電力を発生することにより、電流の検出誤差を招くことが想定される。これに対して、上述のように第１及び第２演算部３１，３２のばらつきを抑制することで、起電力の同相成分を第３演算部３３において打ち消すことができ、電流センサ１における交流の外部磁場耐性を向上できる。

また、２つの磁気センサ１１，１２と演算装置３とは、図２に示すような電流センサ１において、例えば、ループ配線が生じないように最短に配線される。これにより、交流の外部磁場耐性を向上でき、電流センサ１の検出精度を良くすることができる。

１−１．磁気センサについて
電流センサ１における磁気センサ１１，１２の構成の詳細について、図３を用いて説明する。２つの磁気センサ１１，１２は同様に構成される。以下では、一方の磁気センサ１１について説明する。図３は、電流センサ１における磁気センサ１１の構成を例示する回路図である。

図３の例において、磁気センサ１１は、４つの磁気抵抗素子１３ａ〜１３ｄを含み、ホイートストンブリッジ回路を構成する。磁気センサ１１は、例えば電源電圧Ｖｄｄにより定電圧駆動される。それぞれの磁気抵抗素子１３ａ〜１３ｄは、例えばＡＭＲ(Anisotropic Magneto Resistance)素子である。

本例において、４つの磁気抵抗素子１３ａ〜１３ｄのうちの第１及び第２磁気抵抗素子１３ａ，１３ｂの直列回路と、第３及び第４磁気抵抗素子１３ｃ，１３ｄの直列回路とが並列に接続される。第１及び第４磁気抵抗素子１３ａ，１３ｄは、磁気センサ１１に入力される磁場に対して増減傾向が共通する磁気抵抗値ＭＲ１，ＭＲ４を有する。第２及び第３磁気抵抗素子１３ｂ，１３ｃは、第１及び第４磁気抵抗素子１３ａ，１３ｄの磁気抵抗値ＭＲ１，ＭＲ４とは逆の増減傾向の磁気抵抗値ＭＲ２，ＭＲ３を有する。

磁気センサ１１の電源電圧Ｖｄｄは、第１及び第３磁気抵抗素子１３ａ，１３ｃ間の接続点に供給される。第２及び第４磁気抵抗素子１３ｂ，１３ｄ間の接続点は接地される。第１及び第２磁気抵抗素子１３ａ，１３ｂ間のノード１４ｐは、電位Ｓ１ｐを有する。第３及び第４磁気抵抗素子１３ｃ，１３ｄ間のノード１４ｍは、電位Ｓ１ｍを有する。各ノード１４ｐ，１４ｍの電位Ｓ１ｐ，Ｓ１ｍは、例えばＶｄｄ／２を中点電位として変動する。本例において、磁気センサ１１は、２つの電位Ｓ１ｐ，Ｓ１ｍによる差動信号として、センサ信号Ｓ１を生成する。

以上の磁気センサ１１の構成は一例であり、特にこれに限定されない。例えば、磁気センサ１１は、ハーフブリッジ回路で構成されてもよく、シングルエンドでセンサ信号Ｓ１を生成してもよい。また、磁気抵抗素子１３ａ〜１３ｄはＡＭＲ素子に限らず、例えばＧＭＲ(Giant Magneto Resistance)、ＴＭＲ(Tunnel Magneto Resistance)、ＢＭＲ(Balistic Magneto Resistance)、ＣＭＲ(Colossal Magneto Resistance)等の種々のＭＲ素子であってもよい。

また、磁気センサ１１，１２として、ホール素子を有する磁気素子、磁気インピーダンス効果を利用するＭＩ(Magneto Impedance)素子を有する磁気素子又はフラックスゲート型磁気素子などが用いられてもよい。また、磁気センサ１１，１２の駆動方法としては、定電流駆動、パルス駆動などが採用されてもよい。

１−２．演算装置について
電流センサ１における演算装置３の構成の詳細について、図４，５を用いて説明する。図４は、実施形態１における調整部４と第１演算部３１の構成例を示す図である。図５は、第３演算部３３の構成例を示す図である。

電流センサ１の演算装置３においては、各部３１〜３３，４に種々の構成を採用することができる。例えば、調整部４は、電流センサ１の製造出荷時等に、レーザトリム、ツェナーザッピング、抵抗リンク、ＥＥＰＲＯＭトリム、デジタルトリムなどを適用可能な各種回路を含んでもよい。以下では、調整部４が第１演算部３１を調整対象とする例を説明する。第２演算部３２は、第１演算部３１と同様に構成することができる。

図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ調整部４及び第１演算部３１についての第１、第２及び第３の構成例を示す。図４（ａ）に示す第１の構成例は、調整部４がアナログ領域において演算ゲインＡ１を調整する例である。図４（ｂ）に示す第２の構成例と、図４（ｃ）に示す第３の構成例とは、それぞれ調整部４がデジタル領域において演算ゲインＡ１を調整する例である。

第１の構成例において、第１演算部３１は、図４（ａ）に示すように増幅器５０を備える。本構成例において、調整部４は、増幅器５０のゲインすなわち演算ゲインＡ１を規定する抵抗４０などを含み、抵抗４０の抵抗値Ｒを調整する。増幅器５０は、シングルエンドの入力端子を有してもよいし、差動の入力端子を有してもよい。また、増幅器は、シングルエンドの出力端子を有してもよいし、差動の出力端子を有してもよい。増幅器５０は、バッファアンプであってもよい。

第２の構成例において、第１演算部３１は、図４（ｂ）に示すように、増幅器５０と、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器５１と、デジタル処理部５２とを備える。本構成例において、調整部４は、例えば、フラッシュメモリ等の内部メモリ４１を有する。調整部４は、内部メモリに演算ゲインＡ１を規定する値を格納する。

図４（ｂ）の構成例において、第１演算部３１のＡ／Ｄ変換器５１は、増幅器５０を介して入力するセンサ信号Ｓ１をＡ／Ｄ変換する。デジタル処理部５２は、例えば調整部４の内部メモリ４１に格納された値を参照し、Ａ／Ｄ変換された信号に演算処理を行って、演算結果を第１検出信号Ｓｐ１として出力する。

第３の構成例において、第１演算部３１は、図４（ｂ）の構成に加えて、図４（ｂ）に示すように、Ｄ／Ａ（デジタル／アナログ）変換器５３をさらに備える。本構成例の第１演算部３１において、Ｄ／Ａ変換器５３は、デジタル処理部５２の演算処理結果にＤ／Ａ変換を行って、変換結果を第１検出信号Ｓｐ１として出力する。Ｄ／Ａ変換器５３は、シングルエンドの出力端子を有してもよいし、差動の出力端子を有してもよい。

以上のような各種構成において、調整部４は、上述した各種手法等を適用して、例えば演算ゲインＡ１を０．１％以下の分解能で調整する。これにより、電流センサ１における外部磁場耐性を精度良く確保することができる。調整部４は、上記の構成例と同様に、第２演算部３２の調整を行ってもよい。調整部４は、第１及び第２演算部３１，３２の双方を調整可能に構成されてもよいし、一方のみ調整可能に構成されてもよい。

演算装置３の第３演算部３３についても、種々の構成を採用可能である。第３演算部３３の各種構成例を図５（ａ）〜（ｇ）に示す。図５（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す構成例は、それぞれ第３演算部３３がアナログ入力で且つアナログ出力で構成される例である。

例えば、図５（ａ）に示すように、第３演算部３３は、差動増幅器６０を備えてもよい。この場合、第３演算部３３における温度補償は、差動増幅器６０のゲインおよびオフセットを調整することによって、アナログ領域で行われてもよい。差動増幅器６０は、シングルエンドの出力端子を有してもよいし、差動の出力端子を有してもよい。

また、第３演算部３３は、図５（ｂ）に示すように、差動増幅器６０に加えて、Ａ／Ｄ変換器６１と、デジタル処理部６２と、Ｄ／Ａ変換器６３とを備えてもよい。Ｄ／Ａ変換器６３は、シングルエンドの出力端子を有してもよいし、差動の出力端子を有してもよい。Ｄ／Ａ変換器６３の出力側に、バッファアンプ等が設けられてもよい。

第３演算部３３における温度補償は、図５（ｂ）のデジタル処理部６２等において、デジタル領域で行われてもよい。また、第３演算部３３においては、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）の構成例から差動増幅器６０が省略されてもよい。この場合、Ａ／Ｄ変換器６１は差動入力する。

また、第３演算部３３は、デジタル出力で構成されてもよい。例えば図５（ｄ）に示すように、第３演算部３３は、図５（ｂ）の構成例からＤ／Ａ変換器６３を省略して構成されてもよい。また、図５（ｅ）に示すように、図５（ｃ）の構成例からＤ／Ａ変換器６３が省略されてもよい。

また、第３演算部３３は、デジタル入力で構成されてもよい。例えば、図５（ｆ）に示すように、第３演算部３３は、図５（ｃ）の構成例からＡ／Ｄ変換器６１を省略して構成されてもよい。また、第３演算部３３は、図５（ｇ）に示すように、デジタル処理部６２を備え、デジタル入力で且つデジタル出力で構成されてもよい。

以上のように構成される第３演算部３３は、例えば電流センサ１の製造出荷時に温度補償等の各種調整を行われてもよい。例えば、上記の調整部４と同様に、レーザトリム等の各種手法を適用することにより、第３演算部３３が調整されてもよい。第３演算部３３の調整により、電流センサ１の検出精度を向上することができる。

また、演算装置３は、電流センサ１の各種機能を実現するための各種半導体集積回路等を含んでもよい。例えば、演算装置３は、所定の機能を実現するように設計された専用の電子回路や再構成可能な電子回路などのハードウェア回路を含んでもよい。また、演算装置３は、例えばソフトウェアと協働して所定の機能を実現するＣＰＵ等を含んでもよい。演算装置３は、フラッシュメモリ等の内部メモリを含んでもよく、内部メモリに各種データ及びプログラム等を格納してもよい。演算装置３は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、マイコン、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣ等の種々の半導体集積回路で構成されてもよい。

２．動作
以上のように構成される電流センサ１の動作について、以下説明する。

本実施形態に係る電流センサ１の基本的な動作について、図６を用いて説明する。図６は、電流センサ１における信号磁場Ｂ１，Ｂ２と磁気センサ１１，１２との関係を説明するための図である。図６は、図１のＡ−Ａ’断面近傍における各流路２１，２２及び各磁気センサ１１，１２を示している。

図６では、検出対象の電流がバスバー２を＋Ｙ向きに流れた際に（図１参照）、第１流路２１近傍に生じる信号磁場Ｂ１と、第２流路２２近傍に生じる信号磁場Ｂ２とを例示している。バスバー２においては、電流が分流して第１流路２１と第２流路２２とに流れる。これにより、図６に示すように、第１流路２１近傍の信号磁場Ｂ１は第１流路２１の周囲を周回し、第２流路２２近傍の信号磁場Ｂ２は第２流路２２の周囲を周回する。

本実施形態に係る電流センサ１では、第１流路２１と第２流路２２とにおいて電流が同じ向き（例えば＋Ｙ向き）に流れるため、第１流路２１近傍の信号磁場Ｂ１と第２流路２２近傍の信号磁場Ｂ２とは、同じ周回方向を有する（例えば時計回り）。このことから、図６に示すように、第１及び第２流路２１，２２間における第１流路２１近傍の領域Ｒ１と第２流路２２近傍の領域Ｒ２とにおいて、それぞれを通過する信号磁場Ｂ１，Ｂ２のＸ成分が、互いに逆向きになる。

そこで、本実施形態の電流センサ１では、上記のような第１流路２１近傍の領域Ｒ１に一方の磁気センサ１１が配置され、他方の磁気センサ１２が第２流路２２近傍の領域Ｒ２に配置される。これにより、２つの磁気センサ１１，１２には、互いに逆相の信号磁場Ｂ１，Ｂ２が入力されることとなる。

第１磁気センサ１１は、第１流路２１近傍の信号磁場Ｂ１の検出結果として、入力された磁場に応じた第１センサ信号Ｓ１を生成する（図２参照）。第２磁気センサ１２は、第２流路２２近傍の信号磁場Ｂ２の検出結果として、入力された磁場に応じた第２センサ信号Ｓ２を生成する。

ここで、各磁気センサ１１，１２に入力される磁場には、信号磁場Ｂ１，Ｂ２だけでなく、外乱磁場のようなノイズも含まれることが想定される。このようなノイズは、２つの磁気センサ１１，１２の配置位置を近接させることにより、各磁気センサ１１，１２に対して、同相（同じ向きで且つ同程度の大きさ）で入力されると考えられる。

そこで、本実施形態に係る電流センサ１においては、演算装置３が、２つの磁気センサ１１，１２の感知結果の差動増幅を演算して、電流の検出結果を示す出力信号Ｓｏｕｔを算出する。これにより、それぞれの磁気センサ１１，１２の感知結果に同相で含まれ得るノイズを相殺して、信号磁場Ｂ１，Ｂ２に基づく電流の検出精度を良くすることができる。

２−１．外部磁場耐性について
以上のような電流センサ１において、外部磁場によって出力信号Ｓｏｕｔを変動させないようにする外部磁場耐性について、図７，８を用いて説明する。図７は、電流センサ１における外部磁場耐性を説明するための図である。図８は、電流センサ１における各種信号に対する外部磁場の影響を例示するグラフである。

図７では、図６と同様の断面近傍の各流路２１，２２及び各磁気センサ１１，１２において、想定される外部磁場の一例として同相磁場Ｂｃが印加される様子を示している。同相磁場Ｂｃは、上述の信号磁場Ｂ１，Ｂ２（図６）とは異なり、第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とに同相で入力される磁場である。

電流センサ１の使用時には、例えば電流センサ１が取り付けられたバスバー２とは別の隣接するバスバー等からの磁場や、地磁気、鉄塔から発生する磁場などの種々の外部磁場が想定される。これらの外部磁場は、図７に例示する同相磁場Ｂｃのように、電流センサ１の各磁気センサ１１，１２に入力されることが想定される。図８（ａ）に、同相磁場Ｂｃが入力されたときの各磁気センサ１１，１２の各センサ信号Ｓ１，Ｓ２を例示する。

図８（ａ）は、第１磁気センサ１１のセンサゲインＧ１と、第２磁気センサ１２のセンサゲインＧ２とがずれている場合のセンサ信号Ｓ１，Ｓ２の特性を例示している。電流センサ１における２つの磁気センサ１１，１２のセンサゲインＧ１，Ｇ２には、例えば数パーセント程度の製造ばらつきが在ることが想定される。この場合、図８（ａ）に示すように、同相磁場Ｂｃに応じた２つのセンサ信号Ｓ１，Ｓ２の変動の仕方（グラフの傾き）が、互いに異なることとなる。

図８（ｂ）は、図８（ａ）の各センサ信号Ｓ１，Ｓ２に基づく各検出信号Ｓｐ１’，Ｓｐ２’の一例を示す。図８（ｃ）は、図８（ｂ）の各検出信号Ｓｐ１’，Ｓｐ２’に基づく出力信号Ｓｏｕｔ’を示す。

図８（ｂ），（ｃ）では、上記のような２つの磁気センサ１１，１２間のばらつきを考慮せずに各検出信号Ｓｐ１’，Ｓｐ２’が生成された場合を例示している。この場合、図８（ｂ）に示すように、同相磁場Ｂｃに応じた２つの検出信号Ｓｐ１’，Ｓｐ２’の変動の仕方が、２つのセンサ信号Ｓ１，Ｓ２と同様に互いに異なっている。このため、２つの検出信号Ｓｐ１’，Ｓｐ２’の差動増幅時に同相磁場Ｂｃの影響が残り、図８（ｃ）に示すように、出力信号Ｓｏｕｔ’が同相磁場Ｂｃに応じて変動してしまう。

そこで、本実施形態に係る電流センサ１は、次式（１）を適宜、許容誤差の範囲内で成立させるように、調整部４において第１及び第２演算部３１，３２の演算ゲインＡ１，Ａ２の少なくとも一方を調整する。

Ｇ１×Ａ１＝Ｇ２×Ａ２ …（１）
上式（１）によると、２つのセンサゲインＧ１，Ｇ２がばらつく場合においても、電流センサ１において各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２を生成するための通算のゲイン「Ｇ１×Ａ１」、「Ｇ２×Ａ２」が合致する。これにより、２つの検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の差動増幅時に同相磁場Ｂｃの様な外部磁場の影響を適切に打ち消して、電流センサ１の外部磁場耐性を確保することができる。以上のような外部磁場耐性を有する電流センサ１の製造方法について、以下説明する。

２−２．電流センサの製造方法について
本実施形態に係る電流センサ１の調整部４は、例えば電流センサ１の製造出荷時に、同相磁場Ｂｃを用いて設定される。以下、電流センサ１の製造時にゲイン等を調整する方法について、図９〜１３を用いて説明する。図９は、本実施形態に係る電流センサ１の調整方法を示すフローチャートである。

図９のフローチャートは、電流センサ１の製造出荷時における検査段階等において、出荷前の電流センサ１が準備された状態において開始される。電流センサ１は、上述した基本的な動作が実行可能な状態にまで準備される。本フローチャートにおける各処理は、例えば検査者が所定の制御装置（例えばＰＣ又は各種検査装置）を用いて実施される。

図９に示す調整方法においては、調整対象として準備された電流センサ１に、同相磁場Ｂｃを印加する（ＳＴ１）。同相磁場Ｂｃは、例えばヘルムホルツコイルを用いて発生させることができる。同相磁場Ｂｃの発生方法は特に限定されず、例えば電磁石や永久磁石が用いられてもよい。発生させた同相磁場Ｂｃが電流センサ１に印加される様子の一例を、図１０に示す。

図１０は、電流センサ１がバスバー２に取り付けられた状態において同相磁場Ｂｃが印加される例を示している。図１０の例において、同相磁場Ｂｃは、Ｘ方向に沿って印加され、電流センサ１を含む空間領域において均一な分布を有する。同相磁場Ｂｃは、適宜許容誤差の範囲内で各磁気センサ１１，１２の感度軸の方向に平行に印加されてもよいし、特に感度軸の方向を考慮せずに印加されてもよい。また、同相磁場Ｂｃは、２つの磁気センサ１１，１２を含む範囲内で均一な空間分布を有してもよい。

本実施形態では、上記のような同相磁場Ｂｃを用いて、第１演算部３１の演算ゲインＡ１及び第２演算部３２の演算ゲインＡ２の少なくとも一方を調整する（ＳＴ２）。ステップＳＴ２について、図１１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。

図１１（ａ）は、未調整の各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２と同相磁場Ｂｃとの関係を例示するグラフである。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の例からステップＳＴ２の調整後の各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２と同相磁場Ｂｃとの関係を示すグラフである。図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）の状態に対応する出力信号Ｓｏｕｔと同相磁場Ｂｃとの関係を示すグラフである。

図１１（ａ）は、ステップＳＴ２の調整前において、同相磁場Ｂｃに応じた各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２が、互いに異なった例を示している。変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２は、各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２が同相磁場Ｂｃの印加によって、印加されていない状態から変化した信号量を示す。同相磁場Ｂｃと各々の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２との間の関係は、次式（２），（３）のように表される。

ΔＳｐ１＝Ａ１×Ｇ１×Ｂｃ …（２）
ΔＳｐ２＝Ａ２×Ｇ２×Ｂｃ …（３）
上式（２）において、同相磁場Ｂｃに対するゲイン「Ａ１×Ｇ１」は、図１１（ａ）では、第１検出信号Ｓｐ１のグラフの傾きに対応する。また、上式（３）におけるゲイン「Ａ２×Ｇ２」は、第１検出信号Ｓｐ２のグラフの傾きに対応する。図１１（ａ）では、式（２）のゲイン「Ａ１×Ｇ１」と式（３）のゲイン「Ａ２×Ｇ２」とがずれていることから、第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２のグラフの傾きが互いに異なっている。

ステップＳＴ２では、例えば、図１１（ａ），（ｂ）に示すように第１検出信号Ｓｐ１の変化量ΔＳｐ１が第２検出信号Ｓｐ２の変化量ΔＳｐ２に合致するように、調整部４を用いて第１演算部３１の演算ゲインＡ１が調整される。ステップＳＴ２は、第１演算部３１からの第１検出信号Ｓｐ１の変化量ΔＳｐ１と、第２演算部３２からの第２検出信号Ｓｐ２の変化量ΔＳｐ２とを測定することにより行われる。各々の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２は、例えば、同相磁場Ｂｃを印加する前後の各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の値に基づき測定できる。

ステップＳＴ２において、変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２間の合致は、適宜、許容誤差の範囲内で行える。許容誤差は、例えば±０．１％である。例えば、各々の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２をモニタしながら演算ゲインＡ１を徐々に変更することにより、両者を合致させることができる。或いは、演算ゲインＡ１の調整前の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２等に基づいて、適切な調整後の演算ゲインＡ１の値が算出されてもよい。この場合、例えば上式（２），（３）のＧ１×Ｂｃ，Ｇ２×Ｂｃに対応するセンサ信号Ｓ１，Ｓ２の変化量が参照されてもよい。

上記のステップＳＴ２の調整によると、図１１（ｂ）に示すように、第１検出信号Ｓｐ１のグラフの傾きと第２検出信号Ｓｐ２のグラフの傾きとが等しくなる。このような第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２を差動入力することにより、図１１（ｃ）に示すように、同相磁場Ｂｃによっては変動しない出力信号Ｓｏｕｔを得ることができる。よって、電流センサ１における外部磁場耐性を確保することができる。

図１１（ｃ）の例において、出力信号Ｓｏｕｔは、図１１（ｂ）の第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２間の信号差ΔＯＳに起因するオフセット成分ΔＯｆｓを含んでいる。出力信号Ｓｏｕｔのオフセット成分ΔＯｆｓは、電流の検出時に検出誤差になると想定される。そこで、図９に示す調整方法では、ステップＳＴ２の次に、第１演算部３１による第１検出信号Ｓｐ１のオフセット及び第２演算部３２による第２検出信号Ｓｐ２のオフセットの少なくとも一方を調整する（ＳＴ３）。

ステップＳＴ３では、例えば同相磁場Ｂｃが印加されていない状態における第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２間の信号差ΔＯＳが測定される。信号差ΔＯＳは、同相磁場Ｂｃが印加された状態で測定されてもよい。ステップＳＴ３では、第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２間の信号差ΔＯＳが適宜、許容誤差の範囲内で「０」となるように、例えば第２演算部３２のオフセットが調整される（図１１（ｂ）参照）。これにより、出力信号Ｓｏｕｔにおけるオフセット成分ΔＯｆｓが抑制され（図１１（ｃ）参照）、電流センサ１の検出誤差を低減することができる。

次に、以上のような調整が為された電流センサ１に対して、通電補正を行う（ＳＴ４）。通電補正は、電流センサ１が取り付けられたバスバー２に電流Ｉを流して、電流センサ１の第３演算部３３等を調整するキャリブレーション工程である。図１２を用いて、電流センサ１の通電補正（ＳＴ４）について説明する。

図１２（ａ）は、ステップＳＴ４における各センサ信号Ｓ１，Ｓ２と電流Ｉとの関係を示すグラフである。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の各センサ信号Ｓ１，Ｓ２に対して調整済みの各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２を例示するグラフである。図１２（ｃ）は、図１２（ｂ）の各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２に基づく出力信号Ｓｏｕｔを例示するグラフである。

図１２（ａ）は、電流Ｉに基づく信号磁場を感知する２つの磁気センサ１１，１２がばらついている場合における２つのセンサ信号Ｓ１，Ｓ２を例示している。図１２（ａ）の各センサ信号Ｓ１，Ｓ２のグラフでは、互いに逆向きの傾きの大きさが異なっている。また、電流Ｉ＝０の場合の第１及び第２センサ信号Ｓ１，Ｓ２の値がずれている。

これに対して、図１２（ｂ）に示すように第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２では、ステップＳＴ２の調整により、グラフの傾きの大きさが合致している。また、ステップＳＴ３の調整により、電流Ｉ＝０の場合における第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の値が合致している。このように調整された各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２に基づいて、第３演算部３３は、図１２（ｃ）に示すように、電流Ｉに対して線形応答する出力信号Ｓｏｕｔを生成することができる。

ステップＳＴ４の通電補正においては、例えばバスバー２に所望の大きさの電流Ｉを流した場合に応答する出力信号Ｓｏｕｔの値を確認して、第３演算部３３のゲイン及びオフセット等を調整することができる。また、バスバー２の通電による発熱を利用して、電流センサ１における温度補償の確認及び調整を行うこともできる。例えば、第３演算部３３における温度係数の関数形を、各種パラメータを用いて予め設定しておき、通電時における出力信号Ｓｏｕｔの温度ドリフト等をモニタしながら、各種パラメータを調整することができる。

ステップＳＴ４の通電補正を完了することにより、図９に示す調整方法は終了する。

以上の調整方法によると、同相磁場Ｂｃに応じた各検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２を合致させる調整により（ＳＴ２）、調整後の電流センサ１では、同相磁場Ｂｃに基づく式（２），（３）から式（１）が成立する。すなわち、ステップＳＴ２では、第１磁気検出部１０ＡによるゲインＧ１×Ａ１と、第２磁気検出部１０ＢによるゲインＧ２×Ａ２とを合致させるように、調整部４が設定される。このように、電流センサ１の製造工程において、外部磁場耐性を確保する設定を行うことができる。

また、以上の説明では、電流センサ１がバスバー２に取り付けられた状態でステップＳＴ１〜ＳＴ３が行われる例を説明したが、ステップＳＴ１〜ＳＴ３において電流センサ１はバスバー２に取り付けられていなくてもよい。ステップＳＴ１において同相磁場Ｂｃが印加される状態の別例を図１３に示す。

図１３においては、特にバスバー２に取り付けられていない電流センサ１に対して、図１０の例と同様に同相磁場Ｂｃが印加されている。このような状態においても、ステップＳＴ２，ＳＴ３の調整を行うことができる。これにより、例えば、電流センサ１を取り付けるバスバー２の形状が複雑な場合であっても、ステップＳＴ１〜ＳＴ３を容易に実施可能である。

また、上述したステップＳＴ４の通電補正は、ステップＳＴ１〜ＳＴ３の後に、電流センサ１をバスバー２に取り付けた状態において実施される。通電補正（ＳＴ４）は、例えば三相交流の測定用など、複数の電流センサ１が各々バスバー２に組み付けられた電流センサユニットが製造される場合に、電流センサユニットを組み上げた状態において、実施することもできる。

また、以上の説明では、ステップＳＴ２において第１演算部３１の演算ゲインＡ１を調整する例を説明したが、ステップＳＴ２は特にこれに限らない。ステップＳＴ２では、第２演算部３２の演算ゲインＡ２が調整されてもよいし、双方の演算ゲインＡ１，Ａ２が調整されてもよい。

また、以上の説明では、ステップＳＴ３のオフセット調整が、ステップＳＴ２の後に実施されたが、ステップＳＴ３は特にこれに限らない。例えば、ステップＳＴ３はステップＳＴ１，ＳＴ２の前に実施されてもよい。また、特に第１及び第２演算部３１，３２のオフセット調整が必要ない場合等には、適宜、ステップＳＴ３の調整が省略されてもよい。

３．まとめ
以上のように、本実施形態に係る電流センサ１の製造方法は、検出対象の電流Ｉによって生じる信号磁場Ｂ１，Ｂ２に基づき電流Ｉを検出する電流センサ１の製造方法である。本方法は、電流センサ１を準備する工程と、同相磁場Ｂｃを電流センサ１に印加する工程（ＳＴ１）と、電流センサ１における信号のゲインを調整する工程（ＳＴ２）とを含む。電流センサ１は、磁場を感知する第１磁気センサ１１と、電流Ｉに応じて第１磁気センサ１１が感知する信号磁場Ｂ１とは逆相の信号磁場Ｂ２を感知する第２磁気センサ１２と、出力部の一例である演算装置３とを備える。演算装置３は、第１磁気センサ１１の感知結果と第２磁気センサ１２の感知結果との差動増幅を演算して、電流Ｉの検出結果を示す出力信号Ｓｏｕｔを生成する。同相磁場Ｂｃは、第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とに同相で入力される。ゲインを調整する工程は、同相磁場Ｂｃに応じて、第１及び第２磁気センサ１１，１２の感知結果として演算装置３に差動増幅される２つの信号量の一例として、第１及び第２検出信号Ｓｐ１，Ｓｐ２の変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２が合致するように、電流センサ１における信号のゲインを調整する。

以上の方法によると、同相磁場Ｂｃに応じた変化量ΔＳｐ１，ΔＳｐ２が合致するように調整されることにより、外部磁場耐性を確保した電流センサ１を製造でき、電流センサ１における外部磁場の影響を低減することができる。

本実施形態において、同相磁場Ｂｃは、均一な空間分布を有する。均一な同相磁場Ｂｃを用いることにより、電流センサ１のゲインの調整を適切に行うことができる。

また、本実施形態において、第１磁気センサ１１は、センサゲインＧ１（第１のセンサゲイン）において第１センサ信号Ｓ１を生成する。第２磁気センサ１２は、センサゲインＧ２（第２のセンサゲイン）において第２センサ信号Ｓ２を生成する。演算装置３は、第１演算部３１と、第２演算部３２と、第３演算部３３とを備える。第１演算部３１は、第１センサ信号Ｓ１を入力して、入力した信号に演算ゲインＡ１（第１の演算ゲイン）を乗算する。第２演算部３２は、第２センサ信号Ｓ２を入力して、入力した信号に演算ゲインＡ２（第２の演算ゲイン）を乗算する。第３演算部３３は、第１演算部３１の演算結果と第２演算部３２の演算結果とに基づき出力信号Ｓｏｕｔを算出する。ゲインを調整する工程（ＳＴ２）は、演算ゲインＡ１，Ａ２の少なくとも一方を調整する。

これにより、磁気センサ１１，１２のセンサゲインＧ１，Ｇ２間にばらつきがあっても、外部磁場耐性を確保することができる。また、電流センサ１における２つの磁気センサ１１，１２間の製造ばらつきを抑える必要性をなくして、任意の磁気センサ１１，１２を使用可能にすることもできる。

また、本実施形態において、ゲインを調整する工程（ＳＴ２）は、第１磁気検出部１０ＡにおけるセンサゲインＧ１と演算ゲインＡ１の積と、第２磁気検出部１０ＢにおけるセンサゲインＧ２と演算ゲインＡ２の積とが合致するように、少なくとも１つのゲインを調整する（式（１）参照）。これにより、第１検出信号Ｓｐ１と第２検出信号Ｓｐ２とにおける外部磁場の影響を精度良く打ち消して、出力信号Ｓｏｕｔにおける外部磁場の影響を低減することができる。

また、本実施形態に係る電流センサ１は、第１磁気センサ１１と、第１演算部３１と、第２磁気センサ１２と、第２演算部３２と、第３演算部３３と、調整部４とを備える。第１磁気センサ１１は、センサゲインＧ１において磁場を感知する。第１演算部３１は、第１磁気センサ１１の感知結果に演算ゲインＡ１を乗算する。第２磁気センサ１２は、電流Ｉに応じて第１磁気センサ１１が感知する信号磁場Ｂ１とは逆相の信号磁場Ｂ２を、センサゲインＧ２において感知する。第２演算部３２は、第２磁気センサ１２の感知結果に演算ゲインＡ２を乗算する。第３演算部３３は、第１及び第２演算部３１，３２の演算結果に基づき電流Ｉの検出結果を示す出力信号Ｓｏｕｔを算出する。調整部４は、演算ゲインＡ１，Ａ２のうちの少なくとも一方を調整する。調整部４は、センサゲインＧ１と演算ゲインＡ１の積と、センサゲインＧ２と演算ゲインＡ２の積とを合致させる。これにより、電流センサ１において、外部磁場の影響を低減することができる。

また、本実施形態において、調整部４は、第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とに同相で磁場Ｂｃが入力されたときに（ＳＴ１）、同相磁場Ｂｃに応じて、第１演算部３１の演算結果を示す信号量としての変化量ΔＳｐ１と第２演算部３２の演算結果を示す信号量としての変化量ΔＳｐ２とが合致するように、少なくとも１つのゲインを調整する（ＳＴ２）。このような同相磁場Ｂｃを入力することによって、調整部４の調整機能が確認できる。

なお、調整部４は、特に同相磁場Ｂｃを用いずに設定されてもよい。調整部４の設定は、式（１）を適宜許容誤差の範囲内で成立させる、「Ａ１×Ｇ１」と「Ａ２×Ｇ２」とを合致させるように行われてもよい。

（実施形態２）
実施形態１では、演算ゲインＡ１，Ａ２が調整される電流センサ１について説明した。演算ゲインＡ１，Ａ２に限らず、センサゲインＧ１，Ｇ２の調整によっても電流センサの外部磁場耐性を確保することができる。実施形態２では、センサゲインＧ１，Ｇ２が調整される電流センサについて、図１４，１５を用いて説明する。

図１４は、実施形態２に係る電流センサ１Ａの構成を示すブロック図である。本実施形態に係る電流センサ１Ａは、実施形態１の電流センサ１と同様の構成において（図２参照）、図１４に示すように、調整部４Ａが第１及び第２磁気センサ１１，１２のセンサゲインＧ１，Ｇ２を調整するように構成される。

本実施形態における調整部４Ａは、実施形態１の調整部４と同様に、上述した式（１）を成立させるように、第１磁気センサ１１のセンサゲインＧ１と第２磁気センサ１２のセンサゲインＧ２との少なくとも一方を調整する。本実施形態の電流センサ１Ａは、例えば実施形態１と同様の製造方法において、図９のステップＳＴ２において、調整部４を用いてセンサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方を調整することにより製造できる。

本実施形態における調整部４Ａとしては、センサゲインＧ１，Ｇ２を調整可能な種々の構成を採用することができる。例えば第１及び第２磁気センサ１１，１２を駆動する電圧又は電流を制御することにより、各々のセンサゲインＧ１，Ｇ２を調整する。図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）に、本実施形態における調整部４Ａの第１、第２及び第３の構成例を示す。

第１の構成例において、調整部４Ａは、図１５（ａ）に示すように、電源電圧Ｖｄｄの電源と第１磁気センサ１１の間に接続される抵抗４２Ａと、電源と第２磁気センサ１２との間に接続される抵抗４２Ｂとを備える。各抵抗４２Ａ，４２Ｂは、例えば各々の抵抗値Ｒａ，Ｒｂを半固定又は可変に構成される。

図１５（ａ）の構成例において、調整部４Ａは、各抵抗４２Ａ，４２Ｂを介して、第１磁気センサ１１に供給する駆動電圧Ｖ１１と、第２磁気センサ１２に供給する駆動電圧Ｖ１２とを制御する。各々の抵抗値Ｒａ，Ｒｂは、例えば図９のステップＳＴ２において、実施形態１と同様にレーザトリム、ツェナーザッピング、抵抗リンク、ＥＥＰＲＯＭトリム、デジタルトリム等の各種手法によって設定される。

第２の構成例において、調整部４Ａは、図１５（ｂ）に示すように、第１磁気センサ１１の駆動電圧Ｖ１１を生成する電圧制御回路４３Ａと、第２磁気センサ１２の駆動電圧Ｖ１２を生成する電圧制御回路４３Ｂとを備える。本例において、各電圧制御回路４３Ａ，４３Ｂは、それぞれ基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を入力するオペアンプと、ＮＭＯＳトランジスタとを備える。

図１５（ｂ）の構成例の調整部４Ａにおいて、各電圧制御回路４３Ａ，４３Ｂは、それぞれ基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２に合致させるように、各磁気センサ１１，１２の駆動電圧Ｖ１１，Ｖ１２を制御する。上記の第１の構成例と同様に各種手法等によって、各基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を設定することにより、各駆動電圧Ｖ１１，Ｖ１２を調整することができる。

第３の構成例において、調整部４Ａは、図１５（ｃ）に示すように、第１磁気センサ１１の駆動電流Ｉ１１を生成する電流制御回路４４Ａと、第２磁気センサ１２の駆動電流Ｉ１２を生成する電流制御回路４４Ｂとを備える。本例において、各電流制御回路４４Ａ，４４Ｂは、それぞれ抵抗値Ｒａ，Ｒｂを有する抵抗と、基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を入力するオペアンプと、ＰＭＯＳトランジスタとを備える。

図１５（ｃ）の構成例の調整部４Ａにおいて、各電流制御回路４４Ａ，４４Ｂは、それぞれ次式（２１），（２２）のように各磁気センサ１１，１２の駆動電流Ｉ１１，Ｉ１２を制御する。

Ｉ１１＝（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ１）／Ｒ１１ …（２１）
Ｉ１２＝（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ２）／Ｒ１２ …（２２）
本構成例においては、上式（２１），（２２）に基づき、各基準電圧Ｖｒｅｆ，Ｖｒｅｆ２、或いは抵抗値Ｒａ，Ｒｂを設定することにより、各駆動電流Ｉ１１，Ｉ１２を調整することができる。本構成例においても、第１及び第２の構成例と同様に、各種手法等を適用して上記の調整を行える。

以上の説明では、本実施形態の調整部４Ａが２つの磁気センサ１１，１２の双方のセンサゲインＧ１，Ｇ２を調整可能に構成される例を説明した。本実施形態の調整部４Ａは、特にこれに限らず、２つの磁気センサ１１，１２のセンサゲインＧ１，Ｇ２のうちのいずれか一方を調整可能に構成されてもよい。

以上のように、本実施形態に係る電流センサ１Ａにおいて、調整部４Ａは、センサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方を調整する。また、本実施形態に係る電流センサ１Ａの製造方法において、ゲインを調整する工程（図９のＳＴ２）は、センサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方を調整する。

これにより、例えば第１演算部３１の演算ゲインＡ１と、第２演算部３２の演算ゲインＡ２との間にばらつきがある場合であっても外部磁場耐性を確保して、電流センサ１Ａにおける外部磁場の影響を低減することができる。

上記の実施形態１，２では、演算ゲインＡ１，Ａ２とセンサゲインＧ１，Ｇ２とのうちの一方を調整する電流センサ１，１Ａ及びその製造方法について説明した。これに限らず、演算ゲインＡ１，Ａ２とセンサゲインＧ１，Ｇ２との双方が調整可能な電流センサ及びその製造方法が提供されてもよい。即ち、本実施形態に係る電流センサは、２つの演算ゲインＡ１，Ａ２と２つのセンサゲインＧ１，Ｇ２のうちの少なくとも１つのゲインを調整する調整部を備えてもよい。また、本実施形態に係る電流センサの製造方法において、ゲインを調整する工程は、２つの演算ゲインＡ１，Ａ２と２つのセンサゲインＧ１，Ｇ２のうちの少なくとも１つのゲインを調整してもよい。これによっても、電流センサにおける外部磁場の影響を低減することができる。

（実施形態３）
実施形態３では、周囲の温度に応じて調整部が動作する電流センサについて説明する。実施形態３に係る電流センサについて、図１６を参照して説明する。

図１６は、実施形態３に係る電流センサ１Ｂの構成を示すブロック図である。本実施形態に係る電流センサ１Ｂは、実施形態１の電流センサ１と同様の構成において（図２参照）、図１６に示すように、調整部４Ｂが、温度検出部３４によって検出される温度に基づき動作する。

本実施形態における調整部４Ｂは、例えば実施形態１と同様の構成に加えて、温度補償回路等を備える。本実施形態の調整部４Ｂは、例えば温度検出部３４によって検出される温度に応じて、式（１）についての許容誤差の範囲から脱しないように、演算ゲインＡ１，Ａ２の少なくとも一方を調整する。これにより、種々の温度環境下において、電流センサ１Ｂの外部磁場耐性を向上することができる。

以上の説明では、温度に応じて調整部４Ｂが演算ゲインＡ１，Ａ２を調整する例を説明した。これに限らず、例えば実施形態２と同様に、調整部４Ｂが、温度に応じてセンサゲインＧ１，Ｇ２を調整してもよい。また、温度検出部３４は、調整部４Ｂの温度補償回路に組み込まれていてもよい。

以上のように、本実施形態に係る電流センサ１Ｂは、周囲の温度を検出する温度検出部３４をさらに備える。調整部４Ａは、温度検出部３４によって検出される温度に応じて、演算ゲインＡ１，Ａ２及びセンサゲインＧ１，Ｇ２のうちの少なくとも１つのゲインを調整する。これにより、種々の温度環境下において、電流センサ１Ｂにおける外部磁場の影響を低減できる。

（実施形態４）
実施形態４では、実施形態２とは演算装置と磁気センサ間の接続関係が異なる電流センサについて説明する。実施形態４に係る電流センサについて、図１７，１８を参照して説明する。

図１７は、実施形態４に係る電流センサ１Ｃの構成を示すブロック図である。本実施形態に係る電流センサ１Ｃは、実施形態２の電流センサ１Ａと同様の構成において（図１４参照）、第１及び第２磁気センサ１１Ａ，１２Ａの双方が、第１及び第２演算部３１Ａ，３２Ａの双方に接続される。本実施形態において、第１及び第２磁気センサ１１Ａ，１２Ａは差動出力し、第１及び第２演算部３１Ａ，３２Ａは差動入力する。本実施形態の各磁気センサ１１Ａ，１２Ａは、例えば図３の構成例の磁気センサ１１と同様に構成される。

第１磁気センサ１１Ａは、次式（４１），（４２）のように互いに差動のセンサ信号Ｓ１ｐ，Ｓ１ｍを生成する。

Ｓ１ｐ＝Ｖｄｄ／２＋ＤＳ１／２ …（４１）
Ｓ１ｍ＝Ｖｄｄ／２−ＤＳ１／２ …（４２）
上式（４１），（４２）において、ＤＳ１は、第１磁気センサ１１Ａのセンサ信号Ｓ１ｐ，Ｓ１ｍ間の信号差である。信号差ＤＳ１は、例えば図６の例の信号磁場Ｂ１が入力された場合に正となる。

また、第１磁気センサ１１Ａと同様に、第２磁気センサ１２Ａは、次式（４３），（４４）のように互いに差動のセンサ信号Ｓ２ｐ，Ｓ２ｍを生成する。

Ｓ２ｐ＝Ｖｄｄ／２＋ＤＳ２／２ …（４３）
Ｓ２ｍ＝Ｖｄｄ／２−ＤＳ２／２ …（４４）
上式（４３），（４４）において、ＤＳ２は、第２磁気センサ１２Ａのセンサ信号Ｓ２ｐ，Ｓ２ｍ間の信号差である。信号差ＤＳ２は、例えば図６の例の信号磁場Ｂ２が入力された場合に正となる。

第１演算部３１Ａは、例えば、第１磁気センサ１１Ａからのセンサ信号Ｓ１ｐと第２磁気センサ１２Ａからのセンサ信号Ｓ２ｍとを入力し、次式（４５）のように第１演算信号Ｓｏ１を算出する。

Ｓｏ１＝Ａ１×（Ｓ１ｐ−Ｓ２ｍ） …（４５）
即ち、第１演算部３１Ａは、演算ゲインＡ１の乗算と、センサ信号Ｓ１ｐ，Ｓ２ｍ間の減算とを演算する。本実施形態において、第１磁気センサ１１Ａからのセンサ信号Ｓ１ｐは第１センサ信号の一例であり、第２磁気センサ１２からのセンサ信号Ｓ２ｍは第４センサ信号の一例である。第１演算部３１Ａは、算出した第１演算信号Ｓｏ１を第３演算部３３に出力する。

一方、第２演算部３２Ａは、第１磁気センサ１１Ａからのセンサ信号Ｓ１ｍと第２磁気センサ１２Ａからのセンサ信号Ｓ２ｐとを入力し、次式（４６）のように第２演算信号Ｓｏ２を算出する。

Ｓｏ２＝Ａ２×（Ｓ１ｍ−Ｓ２ｐ） …（４６）
即ち、第２演算部３２Ａは、演算ゲインＡ２の乗算と、センサ信号Ｓ１ｍ，Ｓ２ｐ間の減算とを演算する。本実施形態において、第１磁気センサ１１Ａからのセンサ信号Ｓ１ｍは第３センサ信号の一例であり、第２磁気センサ１２からのセンサ信号Ｓ２ｐは第２センサ信号の一例である。第２演算部３２Ａは、算出した第２演算信号Ｓｏ２を第３演算部３３に出力する。

第３演算部３３は、第１演算部３１Ａからの第１演算信号Ｓｏ１と第２演算部３２Ａからの第２演算信号Ｓｏ２とに基づき次式（４７）を演算して、電流センサ１Ｃによる検出結果としての出力信号Ｓｏｕｔを生成する。

Ｓｏｕｔ＝Ａ３×（Ｓｏ１−Ｓｏ２） …（４７）
＝Ａ３×（Ａ１＋Ａ２）×（ＤＳ１＋ＤＳ２）／２ …（４７ａ）
上式（４７）において、Ａ３は第３演算部３３の演算ゲインである。上式（４７ａ）によると、本実施形態に係る電流センサ１Ｃでは、出力信号Ｓｏｕｔにおいて、外部磁場による影響を、２つの磁気センサ１１，１２の信号差ＤＳ１，ＤＳ２間で打ち消すことができる。

そこで、本実施形態における調整部４Ｃは、同相磁場Ｂｃに応じた２つの磁気センサ１１，１２の信号差ＤＳ１，ＤＳ２に基づいて、センサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方を調整する。本実施形態における電流センサ１Ｃのゲイン調整について、図１８を用いて説明する。

図１８（ａ）は、未調整のセンサゲインＧ１，Ｇ２による信号差ＤＳ１，ＤＳ２と同相磁場Ｂｃとの関係を例示するグラフである。図１８（ｂ）は、図１８（ａ）の信号差ＤＳ１，ＤＳ２に対応する出力信号Ｓｏｕｔを示すグラフである。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）から調整後の信号差ＤＳ１，ＤＳ２を示すグラフである。図１８（ｄ）は、図１８（ｃ）の信号差ＤＳ１，ＤＳ２に対応する出力信号Ｓｏｕｔを示すグラフである。

図１８（ａ）〜（ｄ）のゲイン調整は、例えば図９のステップＳＴ２において、同相磁場Ｂｃを用いて行われる。図１８（ａ）では、センサゲインＧ１，Ｇ２が未調整であることから、双方の信号差ＤＳ１，ＤＳ２のグラフの傾きが異なっている。この際、図１８（ｂ）に示すように、出力信号Ｓｏｕｔは同相磁場Ｂｃに応じて変動している。

そこで、本実施形態におけるゲイン調整では、図１８（ａ）に示すように、同相磁場Ｂｃに応じた各々の信号差ＤＳ１，ＤＳ２の変化量ΔＳ１，ΔＳ２が測定される。双方の変化量ΔＳ１，ΔＳ２が適宜、許容誤差の範囲内で合致するように、調整部４ＣにおいてセンサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方が調整される。

上記の調整により、図１８（ｃ）に示すように、双方の信号差ＤＳ１，ＤＳ２のグラフの傾きを同じにすることができる。これにより、図１８（ｄ）に示すように、同相磁場Ｂｃによっては変動しない出力信号Ｓｏｕｔを得ることができる。よって、本実施形態に係る電流センサ１Ｃにおける外部磁場耐性を確保することができる。

以上の説明では、同相磁場Ｂｃに応じた信号差ＤＳ１，ＤＳ２の変化量ΔＳ１，ΔＳ２を用いてセンサゲインＧ１，Ｇ２の調整が行われる例を説明した。これに限らず、同相磁場Ｂｃに応じた各演算信号Ｓｏ１，Ｓｏ２の変化量や、各演算部３１Ａ，３２Ａへの入力信号の変化量を用いて、センサゲインＧ１，Ｇ２の調整が行われてもよい。

以上のように、本実施形態に係る電流センサ１Ｃにおいて、第１磁気センサ１１Ａは、センサゲインＧ１を用いてセンサ信号Ｓ１ｐ（第１センサ信号）と、同信号とは差動のセンサ信号Ｓ１ｍ（第３センサ信号）とを生成する。第２磁気センサ１２Ａは、センサゲインＧ２を用いて、センサ信号Ｓ２ｐ（第２センサ信号）と、同信号とは差動のセンサ信号Ｓ２ｍ（第４センサ信号）とをさらに生成する。第１演算部３１Ａは、センサ信号Ｓ１ｐとセンサ信号Ｓ２ｍとを入力する。第２演算部３２Ａは、センサ信号Ｓ２ｐとセンサ信号Ｓ１ｍとを入力する。ゲインを調整する工程（図９のＳＴ２）は、センサゲインＧ１，Ｇ２の少なくとも一方を調整する。これにより、本実施形態に係る電流センサ１Ｃにおいて、外部磁場の影響を低減することができる。

以上の説明では、調整部４Ｃが図９のステップＳＴ２において用いられる例を説明した。これに限らず、例えば調整部４Ｃは、実施形態３の調整部４Ｂと同様に、温度検出部３４によって検出される温度に応じて動作してもよい。

また、以上の説明において、第１及び第２演算部３１Ａ，３２Ａは、入力する信号間の減算を演算した（式（４５），（４６））。減算の代わりに、第１及び第２演算部３１Ａ，３２Ａは、入力する信号の加算を演算してもよい。この場合、例えば第２磁気センサ１２Ａが各演算部３１Ａ，３２Ａに出力するセンサ信号Ｓ２ｐ，Ｓ２ｍを入れ替えることにより、式（４７ａ）のように出力信号Ｓｏｕｔを得ることができる。

また、本実施形態において、第３演算部３３は、式（４７）のような第１及び第２演算信号Ｓｏ１，Ｓｏ２間の減算により、式（４７ａ）のように、第１及び第２磁気センサ１１Ａ，１２Ａの感知結果において同相磁場Ｂｃの影響が打ち消される差動増幅を演算した。第３演算部３３は、第１及び第２演算信号Ｓｏ１，Ｓｏ２を加算してもよい。この場合、例えば第２演算部３２Ａに入力するセンサ信号Ｓ１ｍ，Ｓ２ｐを入れ替えることによって、式（４７ａ）と同じ結果が得られる。即ち、第３演算部３３において、第１及び第２磁気センサ１１Ａ，１２Ａの感知結果の差動増幅を演算することができる。

（他の実施形態）
上記の各実施形態では、電流センサ１が取り付けられる導体の一例として、図１のバスバー２を説明したが、特にこれに限らず、種々の導体が用いられてもよい。電流センサ１の検出対象の電流が流れる導体の変形例について、図１９〜２１を用いて説明する。

図１９は、電流が流れる２つの流路２１，２２を有する導体２Ａの変形例１を示す。図１９（ａ）は、本変形例の導体２Ａの平面図を示している。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の導体２Ａにおいて同相磁場Ｂｃを印加する状態を例示している。

本変形例の導体２Ａは、長手方向（Ｙ方向）において第１及び第２流路２１，２２が＋Ｙ側の端部で連結しており、−Ｙ側の端部で分離している。図１９（ａ）に示すように、導体２Ａを流れる電流は、第１流路２１を＋Ｙ向きに流れると、＋Ｙ側の端部で迂回することにより、第２流路２２を−Ｙ向きに流れる。電流による信号磁場Ｂ１，Ｂ２は、図１９（ａ）に示すように、例えばＺ方向における導体２Ａの同じ側（例えば＋Ｚ側）で第１流路２１近傍の領域Ｒ１０と、第２流路２２近傍の領域Ｒ２０とにおいて、互いに逆相を有する。

本変形例においては、例えば電流センサ１が導体２Ａに取り付けられた状態において、２つの磁気センサ１１，１２が、それぞれ第１流路２１近傍の領域Ｒ１０と第２流路２２近傍の領域Ｒ２０とに配置される。これにより、本変形例においても、上記各実施形態と同様に、電流センサ１におけるＳ／Ｎ比を良くして電流の検出精度を向上できる。

本変形例の導体２Ａに電流センサ１を取り付けた状態において、同相磁場Ｂｃを用いた調整を行う場合、例えば図１９（ｂ）に示すように、同相磁場Ｂｃを印加する（図９のＳＴ１）。これにより、ゲイン調整（ＳＴ２）等を行える。

図２０は、電流センサ１に検出される電流の流路が１つの導体２Ｂの変形例２を示す。図２０（ａ），（ｂ）は、それぞれＸＺ平面における導体２Ｂの断面図において、各磁気センサ１１，１２の配置例を示している。

図２０の例では、導体２Ｂの長手方向（Ｙ方向）に電流が流れており、電流による信号磁場Ｂ１は、ＸＺ平面において導体２Ｂの周囲を周回している。信号磁場Ｂ１は、例えば図２０（ａ）に示すように、Ｚ方向における導体２Ｂの＋Ｚ側の領域Ｒ１１と−Ｚ側の領域Ｒ２１とで、互いに逆相を有する。本変形例においては、例えば電流センサ１が導体２Ｂに取り付けられた状態において、２つの磁気センサ１１，１２が、それぞれ＋Ｚ側の領域Ｒ１１と−Ｚ側の領域Ｒ２１とに配置される。この際、各々の磁気センサ１１，１２は、例えば感度軸の方向がＸ方向に適宜、許容誤差の範囲内で平行になるように配置される。

また、信号磁場Ｂ１は、図２０（ｂ）に示すように、Ｘ方向における導体２Ｂの＋Ｘ側の領域Ｒ１２と−Ｘ側の領域Ｒ２２とにおいても、互いに逆相を有する。２つの磁気センサ１１，１２は、それぞれ＋Ｘ側の領域Ｒ１２と−Ｘ側の領域Ｒ２２とに配置されてもよい。この際、各々の磁気センサ１１，１２は、例えば感度軸の方向がＺ方向に適宜、許容誤差の範囲内で平行になるように配置される。上記の領域Ｒ１１〜Ｒ２２に限らず、２つの磁気センサ１１，１２は、導体２Ｂを介して対向し、信号磁場Ｂ１が互いに逆相となる種々の領域に配置可能である。

図２１（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２０（ａ），（ｂ）に対応して、変形例２の導体２Ｂにおいて同相磁場Ｂｃを印加する状態を例示している。図２０（ａ），（ｂ）のような磁気センサ１１，１２の配置で同相磁場Ｂｃを用いた調整を行う場合、例えば図２１（ａ），（ｂ）に示すように、同相磁場Ｂｃを印加する（図９のＳＴ１）。図２１（ａ），（ｂ）に限らず、適宜、同相磁場Ｂｃを印加する方向を設定可能である。

以上のように、本変形例に係る電流センサ１において、２つの磁気センサ１１，１２は、電流が流れる導体２Ｂを介して対向するように配置される。これによっても、電流センサ１におけるＳ／Ｎ比を良くして電流の検出精度を向上できる。

１，１Ａ〜１Ｃ 電流センサ
１１，１１Ａ 第１磁気センサ
１２，１２Ａ 第２磁気センサ
２，２Ａ，２Ｂ バスバー
３ 演算装置
３１，３１Ａ 第１演算部
３２，３２Ａ 第２演算部
３３ 第３演算部
３４ 温度検出部

Claims (9)

1. 検出対象の電流によって生じる磁場に基づき前記電流を検出する電流センサの製造方法であって、
   磁場を感知する第１磁気センサと、
   前記電流に応じて前記第１磁気センサが感知する磁場とは逆相の磁場を感知する第２磁気センサと、
   前記第１磁気センサの感知結果と前記第２磁気センサの感知結果との差動増幅を演算して、前記電流の検出結果を示す出力信号を生成する出力部と
   を備える電流センサを準備する工程と、
   前記第１磁気センサと前記第２磁気センサとに同相で入力される同相磁場を前記電流センサに印加する工程と、
   前記同相磁場に応じて、前記第１及び第２磁気センサの感知結果として前記出力部に差動増幅される２つの信号量が合致するように、前記電流センサにおける信号のゲインを調整する工程と
   を含む電流センサの製造方法。
2. 前記同相磁場は、均一な空間分布を有する
   請求項１に記載の電流センサの製造方法。
3. 前記第１磁気センサは、第１のセンサゲインにおいて第１センサ信号を生成し、
   前記第２磁気センサは、第２のセンサゲインにおいて第２センサ信号を生成し、
   前記出力部は、
   前記第１センサ信号を入力して、入力した信号に第１の演算ゲインを乗算する第１演算部と、
   前記第２センサ信号を入力して、入力した信号に第２の演算ゲインを乗算する第２演算部と、
   前記第１演算部の演算結果と前記第２演算部の演算結果とに基づき前記出力信号を算出する第３演算部とを備え、
   前記ゲインを調整する工程は、前記第１及び第２のセンサゲイン並びに前記第１及び第２の演算ゲインのうちの少なくとも１つのゲインを調整する
   請求項１又は２に記載の電流センサの製造方法。
4. 前記ゲインを調整する工程は、前記第１のセンサゲインと前記第１の演算ゲインの積と、前記第２のセンサゲインと前記第２の演算ゲインの積とが合致するように、前記少なくとも１つのゲインを調整する
   請求項３に記載の電流センサの製造方法。
5. 前記ゲインを調整する工程は、前記第１の演算ゲインと前記第２の演算ゲインの少なくとも一方を調整する
   請求項３又は４に記載の電流センサの製造方法。
6. 前記第１磁気センサは、前記第１のセンサゲインを用いて前記第１センサ信号とは差動の第３センサ信号をさらに生成し、
   前記第２磁気センサは、前記第２のセンサゲインを用いて前記第２センサ信号とは差動の第４センサ信号をさらに生成し、
   前記第１演算部は、前記第１センサ信号と前記第４センサ信号とを入力し、
   前記第２演算部は、前記第２センサ信号と前記第３センサ信号とを入力し、
   前記ゲインを調整する工程は、前記第１のセンサゲイン及び前記第２のセンサゲインの少なくとも一方を調整する
   請求項３に記載の電流センサの製造方法。
7. 検出対象の電流によって生じる磁場に基づき前記電流を検出する電流センサであって、
   第１のセンサゲインにおいて磁場を感知する第１磁気センサと、
   前記第１磁気センサの感知結果に第１の演算ゲインを乗算する第１演算部と、
   前記電流に応じて前記第１磁気センサが感知する磁場とは逆相の磁場を、第２のセンサゲインにおいて感知する第２磁気センサと、
   前記第２磁気センサの感知結果に第２の演算ゲインを乗算する第２演算部と、
   前記第１及び第２演算部の演算結果に基づき前記電流の検出結果を示す出力信号を算出する第３演算部と、
   前記第１及び第２のセンサゲイン並びに前記第１及び第２の演算ゲインのうちの少なくとも１つのゲインを調整する調整部とを備え、
   前記調整部は、前記第１のセンサゲインと前記第１の演算ゲインの積と、前記第２のセンサゲインと前記第２の演算ゲインの積とを合致させる
   電流センサ。
8. 前記調整部は、前記第１磁気センサと前記第２磁気センサとに同相で磁場が入力されたときに、当該磁場に応じて、前記第１演算部の演算結果を示す信号量と前記第２演算部の演算結果を示す信号量とが合致するように、前記少なくとも１つのゲインを調整する
   請求項７に記載の電流センサ。
9. 周囲の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
   前記調整部は、前記温度検出部によって検出される温度に応じて、前記少なくとも１つのゲインを調整する
   請求項７又は８に記載の電流センサ。

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