[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2021072221A - Microwave heating device - Google Patents

Microwave heating device Download PDF

Info

Publication number
JP2021072221A
JP2021072221A JP2019198861A JP2019198861A JP2021072221A JP 2021072221 A JP2021072221 A JP 2021072221A JP 2019198861 A JP2019198861 A JP 2019198861A JP 2019198861 A JP2019198861 A JP 2019198861A JP 2021072221 A JP2021072221 A JP 2021072221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave heating
cavity resonator
exciter
microwave
heating device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019198861A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7253481B2 (en
Inventor
保 須田
Tamotsu Suda
保 須田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nisshinbo Holdings Inc
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Nisshinbo Holdings Inc
Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nisshinbo Holdings Inc, Japan Radio Co Ltd filed Critical Nisshinbo Holdings Inc
Priority to JP2019198861A priority Critical patent/JP7253481B2/en
Publication of JP2021072221A publication Critical patent/JP2021072221A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7253481B2 publication Critical patent/JP7253481B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

To provide a microwave heating system in which power efficiency can be increased and device dimensions can be reduced by eliminating the need for a matching unit between a microwave generator and a microwave heating device.SOLUTION: The present disclosure relates to a microwave heating device 3 including a cavity resonator 31 for microwave heating, a housing container 32 of a microwave heating target, an exciter 33 of the cavity resonator 31, and a feeder 34 of the exciter 33. The microwave heating device 3 is characterized in that the exciter 33 is fixed at the inside away from the side wall of the cavity resonator 31 and the tilt angle of the exciter 33 with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator 31 is adjusted such that the input impedance of the microwave heating device 3 is matched with the output impedance of a microwave generator 1.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本開示は、空洞共振器を用いるマイクロ波加熱技術に関する。 The present disclosure relates to a microwave heating technique using a cavity resonator.

空洞共振器を用いるマイクロ波加熱技術は、マイクロ波加熱した触媒を用いて、エタノールを反応させ水素を発生させ、水素を燃料電池に供給し、入力電力より大きい出力電力を取得する用途等に適用されている(例えば、特許文献1等を参照。)。 Microwave heating technology using a cavity resonator is applied to applications such as using a microwave-heated catalyst to react ethanol to generate hydrogen, supply hydrogen to a fuel cell, and obtain output power larger than the input power. (See, for example, Patent Document 1 and the like).

従来技術のマイクロ波加熱システムの構成を図1に示す。従来技術のマイクロ波加熱システムMは、マイクロ波発生器1、整合器2及びマイクロ波加熱装置3から構成される。従来技術のマイクロ波加熱装置の構成を図2に示す。従来技術のマイクロ波加熱装置3は、マイクロ波加熱用の空洞共振器31、マイクロ波加熱対象の収容容器32、空洞共振器31の励振器33及び励振器33の給電線34から構成される。 The configuration of the conventional microwave heating system is shown in FIG. The conventional microwave heating system M is composed of a microwave generator 1, a matching device 2, and a microwave heating device 3. The configuration of the conventional microwave heating device is shown in FIG. The conventional microwave heating device 3 is composed of a cavity resonator 31 for microwave heating, a storage container 32 for microwave heating, an exciter 33 of the cavity resonator 31, and a feeder line 34 of the exciter 33.

空洞共振器31は、TM010モード空洞共振器である。収容容器32は、空洞共振器31の中心軸上に配置され、反応物質を流入され生成物質を流出する。よって、空洞共振器31の電界強度は、収容容器32の配置位置で最大となり、収容容器32での反応効率は、マイクロ波発生器1での供給電力に対して最大となる。そして、共振器モードの電磁界強度分布は、単調に変化する単純な分布となる(図3を参照。)。 The cavity resonator 31 is a TM010 mode cavity resonator. The containment vessel 32 is arranged on the central axis of the cavity resonator 31 and allows the reactant to flow in and the product material to flow out. Therefore, the electric field strength of the cavity resonator 31 is maximized at the arrangement position of the accommodating container 32, and the reaction efficiency in the accommodating vessel 32 is maximum with respect to the power supplied by the microwave generator 1. Then, the electromagnetic field intensity distribution in the resonator mode becomes a simple distribution that changes monotonously (see FIG. 3).

特開2019−087410号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-087410

従来技術では、励振器33は、空洞共振器31の側壁に配置される。ここで、空洞共振器31の中心軸に垂直な面内のうち、収容容器32と励振器33とを結ぶ方向に垂直な方向をX軸方向とし、収容容器32と励振器33とを結ぶ方向に平行な方向をY軸方向とする。そして、空洞共振器31の中心軸に平行な方向をZ軸方向とする。 In the prior art, the exciter 33 is located on the side wall of the cavity resonator 31. Here, in the plane perpendicular to the central axis of the cavity resonator 31, the direction perpendicular to the direction connecting the accommodating container 32 and the exciter 33 is defined as the X-axis direction, and the direction connecting the accommodating container 32 and the exciter 33 is defined as the X-axis direction. The direction parallel to is the Y-axis direction. Then, the direction parallel to the central axis of the cavity resonator 31 is defined as the Z-axis direction.

従来技術のマイクロ波加熱装置のインピーダンス整合特性を図3に示す。ここで、空洞共振器31の電界強度Eは、空洞共振器31の側壁に近づくほど低くなり、空洞共振器31の中心軸に近づくほど高くなる。一方で、空洞共振器31の磁界強度Hは、空洞共振器31の側壁に近づくほど高くなり、空洞共振器31の中心軸に近づくほど低くなる。なお、空洞共振器31のTM010モードは、励振器33から1mm程度以内にある位置では乱れているが、励振器33から1mm程度以上離れた位置では乱れていない。 The impedance matching characteristics of the conventional microwave heating device are shown in FIG. Here, the electric field strength E of the cavity resonator 31 decreases as it approaches the side wall of the cavity resonator 31, and increases as it approaches the central axis of the cavity resonator 31. On the other hand, the magnetic field strength H of the cavity resonator 31 increases as it approaches the side wall of the cavity resonator 31, and decreases as it approaches the central axis of the cavity resonator 31. The TM010 mode of the cavity resonator 31 is disturbed at a position within about 1 mm from the exciter 33, but is not disturbed at a position about 1 mm or more away from the exciter 33.

よって、空洞共振器31の側壁に配置される励振器33での空間インピーダンスZ=E/H=√(μ/ε)は、マイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと等しくすることが難しい。つまり、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスは、マイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合することが難しい。そこで、マイクロ波発生器1とマイクロ波加熱装置3との間に、整合器2が必要となる。すると、マイクロ波加熱システムMは、電力効率を高くすることができず、装置寸法を小さくすることができない。 Therefore, it is difficult for the spatial impedance Z 0 = E / H = √ (μ / ε) of the exciter 33 arranged on the side wall of the cavity resonator 31 to be equal to the output impedance of the microwave generator 1 of 50 Ω. That is, it is difficult for the input impedance of the microwave heating device 3 to match the output impedance of 50Ω of the microwave generator 1. Therefore, a matching device 2 is required between the microwave generator 1 and the microwave heating device 3. Then, the microwave heating system M cannot increase the power efficiency and cannot reduce the device size.

そこで、前記課題を解決するために、本開示は、マイクロ波発生器とマイクロ波加熱装置との間に、整合器を不要とすることにより、マイクロ波加熱システムにおいて、電力効率を高くするとともに、装置寸法を小さくすることを目的とする。 Therefore, in order to solve the above problems, the present disclosure improves the power efficiency in the microwave heating system by eliminating the need for a matching device between the microwave generator and the microwave heating device. The purpose is to reduce the device dimensions.

前記課題を解決するために、励振器が、空洞共振器の側壁から離れた内部に固定される。そして、空洞共振器の磁界方向に対する励振器の傾斜角度が、適切な角度に調整される。よって、励振器での実効的な空間インピーダンスは、マイクロ波発生器の出力インピーダンスと等しくすることができる。つまり、マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスは、マイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合することができる。 To solve the above problems, the exciter is fixed inside away from the side wall of the cavity resonator. Then, the inclination angle of the exciter with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator is adjusted to an appropriate angle. Therefore, the effective spatial impedance of the exciter can be equal to the output impedance of the microwave generator. That is, the input impedance of the microwave heating device can be matched with the output impedance of the microwave generator.

具体的には、本開示は、マイクロ波加熱用の空洞共振器と、マイクロ波加熱対象の収容容器と、前記空洞共振器の励振器と、前記励振器の給電線と、を備えるマイクロ波加熱装置であって、前記励振器は前記空洞共振器の側壁から離れた内部に固定され、前記マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスがマイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合するように、前記空洞共振器の磁界方向に対する前記励振器の傾斜角度が調整されることを特徴とするマイクロ波加熱装置である。 Specifically, the present disclosure comprises a cavity heating device for microwave heating, a storage container for microwave heating, an exciter for the cavity resonator, and a feeding line for the exciter. In the device, the exciter is fixed inside the cavity resonator away from the side wall of the cavity resonator so that the input impedance of the microwave heater matches the output impedance of the microwave generator. It is a microwave heating device characterized in that the inclination angle of the exciter with respect to the magnetic field direction is adjusted.

この構成によれば、空洞共振器の内部で、励振器の傾斜を調整する一方で、マイクロ波発生器とマイクロ波加熱装置との間に、整合器を不要とすることにより、マイクロ波加熱システムにおいて、電力効率を高くするとともに、装置寸法を小さくすることができる。 According to this configuration, the microwave heating system by adjusting the tilt of the exciter inside the cavity resonator, while eliminating the need for a matcher between the microwave generator and the microwave heating device. In, the power efficiency can be increased and the device size can be reduced.

また、本開示は、前記マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化に応じて、前記空洞共振器の磁界方向に対する前記励振器の傾斜角度が調整されることにより、前記マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化によらず、前記マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスが前記マイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合するように調整されることを特徴とするマイクロ波加熱装置である。 Further, in the present disclosure, the tilt angle of the exciter with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator is adjusted according to the temperature change of the dielectric positive contact of the microwave heating target, so that the dielectric positive contact of the microwave heating target is adjusted. The microwave heating device is characterized in that the input impedance of the microwave heating device is adjusted to match the output impedance of the microwave generator regardless of the temperature change of the above.

マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化に応じて、共振器モードの電磁界強度分布が変化し、マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスがマイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合しなくなる。この構成によれば、空洞共振器の磁界方向に対する励振器の傾斜角度を調整することにより、励振器での空間インピーダンスを実効的に調整し、マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化によらず、マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスをマイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合させることができる。 The electromagnetic field intensity distribution in the resonator mode changes according to the temperature change of the dielectric loss tangent of the microwave heating target, and the input impedance of the microwave heating device does not match the output impedance of the microwave generator. According to this configuration, the spatial impedance of the exciter is effectively adjusted by adjusting the inclination angle of the exciter with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator, regardless of the temperature change of the dielectric positive contact of the microwave heating target. , The input impedance of the microwave heating device can be matched with the output impedance of the microwave generator.

また、本開示は、前記空洞共振器は、TM010モード空洞共振器であり、前記収容容器は、前記TM010モード空洞共振器の中心軸上に配置されることを特徴とするマイクロ波加熱装置である。 Further, the present disclosure is a microwave heating device, wherein the cavity resonator is a TM010 mode cavity resonator, and the storage container is arranged on the central axis of the TM010 mode cavity resonator. ..

この構成によれば、空洞共振器の電界強度を収容容器の配置位置で最大とし、収容容器での反応効率をマイクロ波発生器での供給電力に対して最大とすることができる。そして、共振器モードの電磁界強度分布を単調に変化する単純な分布とすることができる。 According to this configuration, the electric field strength of the cavity resonator can be maximized at the arrangement position of the accommodating vessel, and the reaction efficiency in the accommodating vessel can be maximized with respect to the power supplied by the microwave generator. Then, the electromagnetic field intensity distribution in the resonator mode can be a simple distribution that changes monotonically.

このように、本開示は、マイクロ波発生器とマイクロ波加熱装置との間に、整合器を不要とすることにより、マイクロ波加熱システムにおいて、電力効率を高くするとともに、装置寸法を小さくすることができる。 As described above, in the present disclosure, by eliminating the need for a matching device between the microwave generator and the microwave heating device, the power efficiency is increased and the device size is reduced in the microwave heating system. Can be done.

従来技術のマイクロ波加熱システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the microwave heating system of the prior art. 従来技術のマイクロ波加熱装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the microwave heating apparatus of the prior art. 従来技術のマイクロ波加熱装置のインピーダンス整合特性を示す図である。It is a figure which shows the impedance matching characteristic of the conventional microwave heating apparatus. 本開示のマイクロ波加熱システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the microwave heating system of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the microwave heating apparatus of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置のインピーダンス整合特性を示す図である。It is a figure which shows the impedance matching characteristic of the microwave heating apparatus of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置の反射特性及びスミスチャートを示す図である。It is a figure which shows the reflection characteristic and the Smith chart of the microwave heating apparatus of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化を示す図である。It is a figure which shows the temperature change of the dielectric loss tangent of the object of microwave heating of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整機構を示す図である。It is a figure which shows the adjustment mechanism of the inclination angle of the exciter of the microwave heating apparatus of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整原理を示す図である。It is a figure which shows the adjustment principle of the inclination angle of the exciter of the microwave heating apparatus of this disclosure. 本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整方法を示す図である。It is a figure which shows the adjustment method of the inclination angle of the exciter of the microwave heating apparatus of this disclosure.

添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本開示の実施の例であり、本開示は以下の実施形態に制限されるものではない。 Embodiments of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below are examples of the embodiments of the present disclosure, and the present disclosure is not limited to the following embodiments.

(本開示のマイクロ波加熱装置のインピーダンス整合)
本開示のマイクロ波加熱システムの構成を図4に示す。本開示のマイクロ波加熱システムMは、マイクロ波発生器1及びマイクロ波加熱装置3から構成されるが、整合器2を必要としない。本開示のマイクロ波加熱装置の構成を図5に示す。本開示のマイクロ波加熱装置3は、マイクロ波加熱用の空洞共振器31、マイクロ波加熱対象の収容容器32、空洞共振器31の励振器33及び励振器33の給電線34から構成される。
(Impedance matching of the microwave heating device of the present disclosure)
The configuration of the microwave heating system of the present disclosure is shown in FIG. The microwave heating system M of the present disclosure includes a microwave generator 1 and a microwave heating device 3, but does not require a matching device 2. The configuration of the microwave heating device of the present disclosure is shown in FIG. The microwave heating device 3 of the present disclosure includes a cavity resonator 31 for microwave heating, a container 32 for microwave heating, an exciter 33 of the cavity resonator 31, and a feeder line 34 of the exciter 33.

空洞共振器31は、TM010モード空洞共振器である。収容容器32は、空洞共振器31の中心軸上に配置され、反応物質を流入され生成物質を流出する。よって、空洞共振器31の電界強度は、収容容器32の配置位置で最大となり、収容容器32での反応効率は、マイクロ波発生器1での供給電力に対して最大となる。そして、共振器モードの電磁界強度分布は、単調に変化する単純な分布となる(図6を参照。)。 The cavity resonator 31 is a TM010 mode cavity resonator. The containment vessel 32 is arranged on the central axis of the cavity resonator 31 and allows the reactant to flow in and the product material to flow out. Therefore, the electric field strength of the cavity resonator 31 is maximized at the arrangement position of the accommodating container 32, and the reaction efficiency in the accommodating vessel 32 is maximum with respect to the power supplied by the microwave generator 1. Then, the electromagnetic field intensity distribution in the resonator mode becomes a simple distribution that changes monotonously (see FIG. 6).

本開示では、励振器33は、空洞共振器31の側壁から離れた内部に固定される。そして、空洞共振器31の磁界方向に対する励振器33の傾斜角度は、適切な角度に調整される。ここで、空洞共振器31の中心軸に垂直な面内のうち、収容容器32と励振器33とを結ぶ方向に垂直な方向をX軸方向とし、収容容器32と励振器33とを結ぶ方向に平行な方向をY軸方向とする。そして、空洞共振器31の中心軸に平行な方向をZ軸方向とする。なお、励振器33は、励振ループ等であり、マイクロ波加熱装置3のインピーダンス整合特性(図6を参照。)を充足するような半径及び/又は巻数を有する。また、給電線34は、セミリジッドケーブル等であり、その先端にバラン(平衡−不平衡変換器)を有する。 In the present disclosure, the exciter 33 is fixed inside the cavity resonator 31 away from the side wall. Then, the inclination angle of the exciter 33 with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator 31 is adjusted to an appropriate angle. Here, in the plane perpendicular to the central axis of the cavity resonator 31, the direction perpendicular to the direction connecting the accommodating container 32 and the exciter 33 is defined as the X-axis direction, and the direction connecting the accommodating container 32 and the exciter 33 is defined as the X-axis direction. The direction parallel to is the Y-axis direction. Then, the direction parallel to the central axis of the cavity resonator 31 is defined as the Z-axis direction. The exciter 33 is an exciter loop or the like, and has a radius and / or a number of turns that satisfies the impedance matching characteristic (see FIG. 6) of the microwave heating device 3. The feeder line 34 is a semi-rigid cable or the like, and has a balun (balanced-unbalanced converter) at its tip.

本開示のマイクロ波加熱装置のインピーダンス整合特性を図6に示す。ここで、空洞共振器31の電界強度Eは、空洞共振器31の側壁に近づくほど低くなり、空洞共振器31の中心軸に近づくほど高くなる。一方で、空洞共振器31の磁界強度Hは、空洞共振器31の側壁に近づくほど高くなり、空洞共振器31の中心軸に近づくほど低くなる。なお、空洞共振器31のTM010モードは、励振器33から1mm程度以内にある位置では乱れているが、励振器33から1mm程度以上離れた位置では乱れていない。 The impedance matching characteristics of the microwave heating device of the present disclosure are shown in FIG. Here, the electric field strength E of the cavity resonator 31 decreases as it approaches the side wall of the cavity resonator 31, and increases as it approaches the central axis of the cavity resonator 31. On the other hand, the magnetic field strength H of the cavity resonator 31 increases as it approaches the side wall of the cavity resonator 31, and decreases as it approaches the central axis of the cavity resonator 31. The TM010 mode of the cavity resonator 31 is disturbed at a position within about 1 mm from the exciter 33, but is not disturbed at a position about 1 mm or more away from the exciter 33.

よって、空洞共振器31の側壁から離れた内部に固定される励振器33での空間インピーダンスZ=E/H=√(μ/ε)は、空洞共振器31の側壁近傍での空間インピーダンスEmin/Hmaxより大きく、空洞共振器31の中心軸近傍での空間インピーダンスEmax/Hminより小さく、マイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωにほぼ等しくすることはできる。そして、傾斜角度を変更可能な励振器33での実効的な空間インピーダンスZ’は、励振器33の傾斜角度を適切に調整することにより、マイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωにより等しくすることが可能となる。 Therefore, the spatial impedance Z 0 = E / H = √ (μ / ε) in the exciter 33 fixed inside the cavity resonator 31 away from the side wall is the spatial impedance E in the vicinity of the side wall of the cavity resonator 31. It is larger than min / H max and smaller than the spatial impedance E max / H min near the central axis of the cavity resonator 31, and can be made substantially equal to the output impedance of the microwave generator 1 of 50 Ω. Then, the effective space impedance Z 0 at changeable exciter 33 the inclination angle ', by appropriately adjusting the inclination angle of the exciter 33, be equal by the output impedance 50Ω of the microwave generator 1 Is possible.

つまり、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスは、マイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合することができる。そこで、マイクロ波発生器1とマイクロ波加熱装置3との間に、整合器2が不要となる。すると、マイクロ波加熱システムMは、電力効率を高くすることができ、装置寸法を小さくすることができる。 That is, the input impedance of the microwave heating device 3 can be matched with the output impedance of 50Ω of the microwave generator 1. Therefore, the matching device 2 is not required between the microwave generator 1 and the microwave heating device 3. Then, the microwave heating system M can increase the power efficiency and reduce the device size.

本開示のマイクロ波加熱装置の反射特性及びスミスチャートを図7に示す。図7の上段に示した反射特性では、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときに、VSWRはほぼ1に等しく、マイクロ波加熱装置3のインピーダンス整合特性(図6を参照。)は充足される。図7の下段に示したスミスチャートでは、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときに、スミスチャート上の点P0はスミスチャートの中心近傍にあり、マイクロ波加熱装置3のインピーダンス整合特性(図6を参照。)は充足される。 The reflection characteristics and Smith chart of the microwave heating device of the present disclosure are shown in FIG. In the reflection characteristics shown in the upper part of FIG. 7, when the excitation frequency is the desired frequency of 2.45 GHz, VSWR is approximately equal to 1, and the impedance matching characteristics of the microwave heating device 3 (see FIG. 6) are satisfied. To. In the Smith chart shown in the lower part of FIG. 7, when the excitation frequency is the desired frequency 2.45 GHz, the point P0 on the Smith chart is near the center of the Smith chart, and the impedance matching characteristic of the microwave heating device 3 (FIG. 7). 6) is satisfied.

(本開示のマイクロ波加熱対象の温度変化への対処方法)
本開示のマイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化を図8に示す。図8の上段では、空洞共振器31の中心軸近傍での電界強度を示す。(1)マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが0.01から0.001へと変化したときに、ピーク周波数は所望周波数2.45GHzから変化せず、ピーク強度は高くなり、ピーク幅は狭くなる。(2)マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが0.01から0.05へと変化したときに、ピーク周波数は所望周波数2.45GHzから変化せず、ピーク強度は低くなり、ピーク幅は広くなる。
(Coping method for temperature change of microwave heating target of the present disclosure)
The temperature change of the dielectric loss tangent of the object to be heated by the microwave of the present disclosure is shown in FIG. The upper part of FIG. 8 shows the electric field strength in the vicinity of the central axis of the cavity resonator 31. (1) When the dielectric loss tangent tan δ to be heated by the microwave changes from 0.01 to 0.001, the peak frequency does not change from the desired frequency of 2.45 GHz, the peak intensity becomes high, and the peak width becomes narrow. .. (2) When the dielectric loss tangent tan δ to be heated by the microwave changes from 0.01 to 0.05, the peak frequency does not change from the desired frequency of 2.45 GHz, the peak intensity becomes low, and the peak width becomes wide. ..

図8の下段では、スミスチャートを示す。(1)マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが0.01から0.001へと変化したときに、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P1からスミスチャートの容量性領域の点P2へと変化し、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの容量性領域へと半径を広げている。(2)マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが0.01から0.05へと変化したときに、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P1からスミスチャートの誘導性領域の点P3へと変化し、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの誘導性領域へと半径を狭めている。 The lower part of FIG. 8 shows a Smith chart. (1) When the dielectric tangent tan δ of the object to be heated by the microwave changes from 0.01 to 0.001, the point on the Smith chart when the excitation frequency is the desired frequency of 2.45 GHz is near the center of the Smith chart. The locus on the Smith chart changes from the point P1 of the Smith chart to the point P2 of the capacitive region of the Smith chart, and when the excitation frequency is swept in the vicinity of the desired frequency of 2.45 GHz, the locus on the Smith chart has a radius to the capacitive region of the Smith chart. Is spreading. (2) When the dielectric tangent tan δ of the object to be heated by the microwave changes from 0.01 to 0.05, the point on the Smith chart when the excitation frequency is the desired frequency of 2.45 GHz is near the center of the Smith chart. The locus on the Smith chart changes from the point P1 of the Smith chart to the point P3 of the inductive region of the Smith chart, and when the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz, the locus on the Smith chart has a radius to the inductive region of the Smith chart. Is narrowing.

このように、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化に応じて、共振器モードの電磁界強度分布が変化し、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスがマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合しなくなる。ただし、空洞共振器31の共振周波数は、所望周波数2.45GHzに一致した状態を維持している。 In this way, the electromagnetic field intensity distribution in the resonator mode changes according to the temperature change of the dielectric positive contact tan δ to be heated by the microwave, and the input impedance of the microwave heating device 3 becomes the output impedance of 50Ω of the microwave generator 1. It becomes inconsistent. However, the resonance frequency of the cavity resonator 31 maintains a state corresponding to the desired frequency of 2.45 GHz.

本開示のマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化への対処方法として、本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整機構を図9に示す。空洞共振器31の磁界方向(空洞共振器31の角度座標方向)に対する励振器33の傾斜角度θを調整することにより、励振器33での空間インピーダンスを実効的に調整し、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化によらず、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスをマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合させることができる。 FIG. 9 shows a mechanism for adjusting the tilt angle of the exciter of the microwave heating device of the present disclosure as a method of coping with the temperature change of the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target of the present disclosure. By adjusting the tilt angle θ of the exciter 33 with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator 31 (the angular coordinate direction of the cavity resonator 31), the spatial impedance of the exciter 33 can be effectively adjusted, and the microwave heating target can be used. The input impedance of the microwave heating device 3 can be matched with the output impedance of 50Ω of the microwave generator 1 regardless of the temperature change of the dielectric positive contact tan δ.

本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整原理を図10に示す。図10では、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδは、マイクロ波加熱対象の温度変化前の0.01であり、マイクロ波加熱対象の比誘電率εは、マイクロ波加熱対象の温度変化前の3.0であり、励振器33の傾斜角度θを0°から変化させている。 The principle of adjusting the tilt angle of the exciter of the microwave heating device of the present disclosure is shown in FIG. In FIG. 10, the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target is 0.01 before the temperature change of the microwave heating target, and the relative permittivity ε r of the microwave heating target is before the temperature change of the microwave heating target. It is 3.0, and the inclination angle θ of the exciter 33 is changed from 0 °.

図10の上段では、反射係数を示す。励振器33の傾斜角度θが0°から20°を経て40°へと変化したときに、ディップ周波数は所望周波数2.45GHzからほぼ変化せず、ディップ強度は低くなり、ディップ幅は広くなる。 The upper part of FIG. 10 shows the reflectance coefficient. When the inclination angle θ of the exciter 33 changes from 0 ° to 40 ° via 20 °, the dip frequency hardly changes from the desired frequency of 2.45 GHz, the dip intensity becomes low, and the dip width becomes wide.

図10の下段では、スミスチャートを示す。励振器33の傾斜角度θが0°から20°を経て40°へと変化したときに、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P4からスミスチャートのいくぶん誘導性領域の点P5を経てスミスチャートのさらなる誘導性領域の点P6へと変化し、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの誘導性領域へと半径を狭めている。 The lower part of FIG. 10 shows a Smith chart. When the tilt angle θ of the exciter 33 changes from 0 ° to 40 ° via 20 °, the points on the Smith chart when the excitation frequency is the desired frequency of 2.45 GHz are the points near the center of the Smith chart. The locus on the Smith chart when it changes from P4 through the point P5 in the somewhat inductive region of the Smith chart to the point P6 in the further inductive region of the Smith chart and the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz. Narrows the radius to the inductive region of the Smith chart.

このように、励振器33の傾斜角度θの変化に応じて、励振器33(励振ループ等)を通過する磁束が変化し、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスがマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合しなくなる。ただし、空洞共振器31の共振周波数は、所望周波数2.45GHzに一致した状態をほぼ維持している。 In this way, the magnetic flux passing through the exciter 33 (excitation loop, etc.) changes according to the change in the inclination angle θ of the exciter 33, and the input impedance of the microwave heating device 3 becomes the output impedance of the microwave generator 1. It will not match with 50Ω. However, the resonance frequency of the cavity resonator 31 is substantially maintained in a state of matching the desired frequency of 2.45 GHz.

このことを利用して、励振器33の傾斜角度θを調整することにより、励振器33を通過する磁束を調整し、励振器33での空間インピーダンスを実効的に調整し、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化によらず、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスをマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合させるのである。 Utilizing this, by adjusting the inclination angle θ of the exciter 33, the magnetic flux passing through the exciter 33 is adjusted, the spatial impedance in the exciter 33 is effectively adjusted, and the microwave heating target is used. The input impedance of the microwave heating device 3 is matched with the output impedance of 50Ω of the microwave generator 1 regardless of the temperature change of the dielectric loss tangent tan δ.

本開示のマイクロ波加熱装置の励振器の傾斜角度の調整方法を図11に示す。図11の上段に示したマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化前では、励振器33の傾斜角度θはθ(0°でない理由は後述。)であり、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P7にあり、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの容量性領域と誘導性領域とを分ける線分と接する。 FIG. 11 shows a method of adjusting the tilt angle of the exciter of the microwave heating device of the present disclosure. Before the temperature change of the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target shown in the upper part of FIG. 11, the inclination angle θ of the exciter 33 is θ 0 (the reason why it is not 0 ° will be described later), and the excitation frequency is the desired frequency 2. The point on the Smith chart at 45 GHz is at point P7 near the center of the Smith chart, and the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept near the desired frequency 2.45 GHz is the capacitance of the Smith chart. It touches the line that separates the sexual region and the inducible region.

図11の中左段に示したマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが小さくなる温度変化後では、励振器33の傾斜角度θがθのままであれば、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの容量性領域の点P8にあり、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの容量性領域へと半径を広げている。 After the temperature change in which the dielectric positive contact tan δ of the microwave heating target shown in the middle left of FIG. 11 becomes small , if the inclination angle θ of the exciter 33 remains θ 0 , the excitation frequency is the desired frequency 2.45 GHz. The point on the Smith chart at one time is at point P8 in the capacitive region of the Smith chart, and the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz is the capacitive of the Smith chart. The radius is extended to the area.

図11の下左段に示したマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが小さくなる温度変化後でも、励振器33の傾斜角度θがθに大きくなれば、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P9にあり、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの容量性領域と誘導性領域とを分ける線分と接する。 Even after the temperature change in which the dielectric positive contact tan δ of the microwave heating target shown in the lower left column of FIG. 11 becomes small, if the inclination angle θ of the exciter 33 increases to θ 1 , the excitation frequency is the desired frequency 2.45 GHz. The point on the Smith chart at that time is at the point P9 near the center of the Smith chart, and the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz is the capacitive region of the Smith chart. It touches the line that separates the inductive region.

図11の中右段に示したマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが大きくなる温度変化後では、励振器33の傾斜角度θがθのままであれば、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの誘導性領域の点P10にあり、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの誘導性領域へと半径を狭めている。 After the temperature change in which the dielectric positive contact tan δ of the microwave heating target shown in the middle right of FIG. 11 becomes large , if the inclination angle θ of the exciter 33 remains θ 0 , the excitation frequency is the desired frequency 2.45 GHz. The point on the Smith chart at one time is at point P10 in the inductive region of the Smith chart, and the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz is the inducibility of the Smith chart. The radius is narrowed to the area.

図11の下右段に示したマイクロ波加熱対象の誘電正接tanδが大きくなる温度変化後でも、励振器33の傾斜角度θがθに小さくなれば、励振周波数が所望周波数2.45GHzであるときのスミスチャート上の点は、スミスチャートの中心近傍の点P11にあり、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡は、スミスチャートの容量性領域と誘導性領域とを分ける線分と接する。 Even after the temperature change in which the dielectric positive contact tan δ of the microwave heating target shown in the lower right part of FIG. 11 becomes large, if the inclination angle θ of the exciter 33 becomes small to θ 2 , the excitation frequency is the desired frequency 2.45 GHz. The point on the Smith chart at that time is at the point P11 near the center of the Smith chart, and the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept near the desired frequency of 2.45 GHz is the capacitive region of the Smith chart. It touches the line that separates the inductive region.

ここで、励振器33の傾斜角度θを最適化するためには、(1)マイクロ波発生器1とマイクロ波加熱装置3との間の方向性結合器を用いて、反射電力を最小化するように、励振器33の傾斜角度θをフィードバック制御してもよく、(2)空洞共振器31の内部のピックアップループを用いて、電界強度を最大化するように、励振器33の傾斜角度θをフィードバック制御してもよく、(3)空洞共振器31の側壁のサーモグラフィーを用いて、励振器33の傾斜角度θをフィードフォーワード制御してもよい。 Here, in order to optimize the inclination angle θ of the exciter 33, (1) a directional coupler between the microwave generator 1 and the microwave heating device 3 is used to minimize the reflected power. As described above, the tilt angle θ of the exciter 33 may be feedback-controlled, and (2) the tilt angle θ of the exciter 33 is maximized by using the pickup loop inside the cavity resonator 31. (3) The tilt angle θ of the exciter 33 may be feed forward controlled by using the thermography of the side wall of the cavity resonator 31.

そして、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化前に、励振器33の傾斜角度θをθ(≠0°)とした理由は、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化後に、励振器33の傾斜角度θをθ(<θ)とすることにより、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡の半径を広げるためである。さらに、励振周波数が所望周波数2.45GHzの近傍で掃引されたときのスミスチャート上の軌跡の半径を広げるためには、励振器33(励振ループ等)において、半径を大きくすることが望ましく、及び/又は、巻数を多くすることが望ましい。 The reason why the inclination angle θ of the exciter 33 is set to θ 0 (≠ 0 °) before the temperature change of the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target is that the excitation is performed after the temperature change of the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target. This is because the inclination angle θ of the vessel 33 is set to θ 2 (<θ 0 ) to widen the radius of the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept in the vicinity of the desired frequency of 2.45 GHz. Further, in order to widen the radius of the locus on the Smith chart when the excitation frequency is swept in the vicinity of the desired frequency of 2.45 GHz, it is desirable to increase the radius in the exciter 33 (excitation loop or the like), and / Or, it is desirable to increase the number of turns.

(本開示のマイクロ波加熱システムの補足)
マイクロ波加熱対象の種類に応じて、マイクロ波加熱対象の誘電正接tanδの温度変化範囲は様々である。そこで、マイクロ波加熱対象の種類に応じて、励振器33の傾斜角度θの可変範囲を設計することが望ましい。
(Supplement to the microwave heating system of the present disclosure)
The temperature change range of the dielectric loss tangent tan δ of the microwave heating target varies depending on the type of the microwave heating target. Therefore, it is desirable to design a variable range of the tilt angle θ of the exciter 33 according to the type of microwave heating target.

マイクロ波加熱対象の最適反応温度においてのみ、マイクロ波出力を大きくして、インピーダンス整合を高精度で実現してもよい。一方で、マイクロ波加熱対象の最適反応温度に上げるまで、マイクロ波出力を小さくして、インピーダンス整合を高精度で実現しなくてもよい。すると、励振器33の傾斜角度θを、マイクロ波加熱対象の最適反応温度における最適値に固定すればよい。 Impedance matching may be achieved with high accuracy by increasing the microwave output only at the optimum reaction temperature of the microwave heating target. On the other hand, it is not necessary to reduce the microwave output and realize impedance matching with high accuracy until the optimum reaction temperature of the microwave heating target is raised. Then, the inclination angle θ of the exciter 33 may be fixed to the optimum value at the optimum reaction temperature of the microwave heating target.

本実施形態では、共振器モードとしてTM010モードを励振したうえで、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスがマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合するように、空洞共振器31の磁界方向に対する励振器33の傾斜角度が調整される。変形例として、共振器モードとして他の高次モードを励振したうえで、マイクロ波加熱装置3の入力インピーダンスがマイクロ波発生器1の出力インピーダンス50Ωと整合するように、空洞共振器31の磁界方向に対する励振器33の傾斜角度が調整されてもよい。 In the present embodiment, after exciting the TM010 mode as the resonator mode, the cavity resonator 31 is excited in the magnetic field direction so that the input impedance of the microwave heating device 3 matches the output impedance of the microwave generator 1 of 50Ω. The tilt angle of the vessel 33 is adjusted. As a modification, the magnetic field direction of the cavity resonator 31 is such that the input impedance of the microwave heating device 3 matches the output impedance of the microwave generator 1 of 50Ω after exciting another higher-order mode as the resonator mode. The inclination angle of the exciter 33 with respect to the above may be adjusted.

本開示のマイクロ波加熱装置は、マイクロ波加熱した触媒を用いて、エタノールを反応させ水素を発生させ、水素を燃料電池に供給し、入力電力より大きい出力電力を取得する用途等のように、マイクロ波加熱を用いる様々な用途に適用することができる。 The microwave heating device of the present disclosure uses a catalyst heated by microwave to react ethanol to generate hydrogen, supply hydrogen to a fuel cell, and obtain output power larger than input power. It can be applied to various applications using microwave heating.

M:マイクロ波加熱システム
1:マイクロ波発生器
2:整合器
3:マイクロ波加熱装置
31:空洞共振器
32:収容容器
33:励振器
34:給電線
M: Microwave heating system 1: Microwave generator 2: Matching device 3: Microwave heating device 31: Cavity resonator 32: Containment vessel 33: Exciter 34: Feed line

Claims (3)

マイクロ波加熱用の空洞共振器と、マイクロ波加熱対象の収容容器と、前記空洞共振器の励振器と、前記励振器の給電線と、を備えるマイクロ波加熱装置であって、
前記励振器は前記空洞共振器の側壁から離れた内部に固定され、前記マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスがマイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合するように、前記空洞共振器の磁界方向に対する前記励振器の傾斜角度が調整される
ことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
A microwave heating device including a cavity resonator for microwave heating, a container for microwave heating, an exciter for the cavity resonator, and a feeder line for the exciter.
The exciter is fixed inside away from the side wall of the cavity resonator, and the excitation with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator so that the input impedance of the microwave heater matches the output impedance of the microwave generator. A microwave heating device characterized in that the tilt angle of the vessel is adjusted.
前記マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化に応じて、前記空洞共振器の磁界方向に対する前記励振器の傾斜角度が調整されることにより、前記マイクロ波加熱対象の誘電正接の温度変化によらず、前記マイクロ波加熱装置の入力インピーダンスが前記マイクロ波発生器の出力インピーダンスと整合するように調整される
ことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロ波加熱装置。
By adjusting the inclination angle of the exciter with respect to the magnetic field direction of the cavity resonator according to the temperature change of the dielectric tangent of the microwave heating target, the temperature change of the dielectric tangent of the microwave heating target does not matter. The microwave heating device according to claim 1, wherein the input impedance of the microwave heating device is adjusted to match the output impedance of the microwave generator.
前記空洞共振器は、TM010モード空洞共振器であり、
前記収容容器は、前記TM010モード空洞共振器の中心軸上に配置される
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載のマイクロ波加熱装置。
The cavity resonator is a TM010 mode cavity resonator.
The microwave heating device according to claim 1 or 2, wherein the storage container is arranged on the central axis of the TM010 mode cavity resonator.
JP2019198861A 2019-10-31 2019-10-31 microwave heating device Active JP7253481B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019198861A JP7253481B2 (en) 2019-10-31 2019-10-31 microwave heating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019198861A JP7253481B2 (en) 2019-10-31 2019-10-31 microwave heating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021072221A true JP2021072221A (en) 2021-05-06
JP7253481B2 JP7253481B2 (en) 2023-04-06

Family

ID=75713332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019198861A Active JP7253481B2 (en) 2019-10-31 2019-10-31 microwave heating device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7253481B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023074704A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 日本無線株式会社 Microwave heating device
WO2024004428A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 日本無線株式会社 Microwave heating device
WO2024004429A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 日本無線株式会社 Microwave heating device

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1092861A (en) * 1963-06-19 1967-11-29 John Crawford Method and apparatus for heat treating coal
JPS53131977A (en) * 1977-04-25 1978-11-17 Toshiba Corp Activated gas generator
JPS61290722A (en) * 1985-06-19 1986-12-20 Tokuda Seisakusho Ltd Plasma generator
JPH11507476A (en) * 1996-04-02 1999-06-29 フュージョン システムズ コーポレーション Plasma apparatus and method using azimuthally and axially uniform electric fields
JP2000150137A (en) * 1998-11-11 2000-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave heating apparatus
JP2001052852A (en) * 1999-08-04 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-frequency heating device
US20020112819A1 (en) * 1999-04-12 2002-08-22 Mohammad Kamarehi Remote plasma generator with sliding short tuner
JP2006338895A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Microwave heating device
WO2014192062A1 (en) * 2013-05-27 2014-12-04 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー Microwave plasma emitter device cavity resonator
WO2017141826A1 (en) * 2016-02-17 2017-08-24 パナソニック株式会社 Microwave heating device
JP2019087410A (en) * 2017-11-07 2019-06-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Microwave heating device and chemical reaction method
JP2019517707A (en) * 2016-05-27 2019-06-24 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated Compact microwave plasma irradiation system using electric field coupling

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1092861A (en) * 1963-06-19 1967-11-29 John Crawford Method and apparatus for heat treating coal
JPS53131977A (en) * 1977-04-25 1978-11-17 Toshiba Corp Activated gas generator
JPS61290722A (en) * 1985-06-19 1986-12-20 Tokuda Seisakusho Ltd Plasma generator
JPH11507476A (en) * 1996-04-02 1999-06-29 フュージョン システムズ コーポレーション Plasma apparatus and method using azimuthally and axially uniform electric fields
JP2000150137A (en) * 1998-11-11 2000-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave heating apparatus
US20020112819A1 (en) * 1999-04-12 2002-08-22 Mohammad Kamarehi Remote plasma generator with sliding short tuner
JP2001052852A (en) * 1999-08-04 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-frequency heating device
JP2006338895A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Microwave heating device
WO2014192062A1 (en) * 2013-05-27 2014-12-04 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー Microwave plasma emitter device cavity resonator
WO2017141826A1 (en) * 2016-02-17 2017-08-24 パナソニック株式会社 Microwave heating device
JP2019517707A (en) * 2016-05-27 2019-06-24 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated Compact microwave plasma irradiation system using electric field coupling
JP2019087410A (en) * 2017-11-07 2019-06-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Microwave heating device and chemical reaction method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023074704A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 日本無線株式会社 Microwave heating device
WO2024004428A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 日本無線株式会社 Microwave heating device
WO2024004429A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 日本無線株式会社 Microwave heating device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7253481B2 (en) 2023-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5280372B2 (en) Microwave heating device
JP2021072221A (en) Microwave heating device
EP2896088B1 (en) Rf oven with inverted f antenna
JP6010406B2 (en) Microwave radiation mechanism, microwave plasma source, and surface wave plasma processing apparatus
EP1013150B1 (en) Tubular microwave applicator
US6020580A (en) Microwave applicator having a mechanical means for tuning
CN102655708B (en) Surface wave plasma generation antenna and surface wave plasma processing apparatus
WO2008013112A1 (en) Microwave plasma source and plasma processing apparatus
EP2139303A1 (en) Plasma generating apparatus and plasma film forming apparatus
JP2013157520A (en) Microwave emission mechanism and surface wave plasma processor
JP6624833B2 (en) Microwave plasma source and plasma processing apparatus
CN102027575A (en) Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing device
US7186314B2 (en) Plasma processor and plasma processing method
CN105932404A (en) Plasma flexible antenna system
US7156046B2 (en) Plasma CVD apparatus
CN107430978A (en) For the microwave rotation by the aperture in power supply waveguide and the general cylindrical cavity system of resistance shift
CN108173354A (en) Radio energy transmission system and its transmission method
JP4022590B2 (en) Microwave plasma generator
KR102387618B1 (en) Plasma density monitor, plasma processing apparatus, and plasma processing method
US20230054430A1 (en) Apparatus for Plasma Processing
JP3720005B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102387621B1 (en) Plasma electric field monitor, plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20220016968A (en) Microwave supply apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5916467B2 (en) Microwave radiation antenna, microwave plasma source, and plasma processing apparatus
JP6444782B2 (en) Tuner and microwave plasma source

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220801

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230308

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230314

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7253481

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150