JP2021061284A - ダイボンディングフィルム、フィルム状接着剤、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
【課題】優れた放熱性を有するフィルム状接着剤を提供すること。【解決手段】フィルム状接着剤10は、金属フィラーと、はんだと、ポリオールと、熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有する。フィルム状接着剤10は、半導体チップと支持基板との接着、又は半導体チップ同士の接着に使用されるダイボンディングフィルムであってよい。【選択図】図1
Description
本開示は、ダイボンディングフィルム、フィルム状接着剤、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウェハを貼り付け、その状態で半導体ウェハを半導体チップに個片化する(ダイシング工程)。その後、ピックアップ工程、圧着工程、及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献1には、ダイシング工程において半導体ウェハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを支持基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着シート(ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム)が開示されている。ダイシング工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化することによって、接着剤片付き半導体チップが得られる。
ところで、近年、電力の制御等を行うパワー半導体装置と称されるデバイスが普及している。パワー半導体装置は、供給される電流に起因して熱が発生し易く、例えば、ダイシング・ダイボンディング一体型シートを構成するフィルム状接着剤には優れた放熱性が求められている。
そこで、本開示は、優れた放熱性を有するフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。
本開示の一側面は、金属フィラーと、はんだと、ポリオールと、熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有する、フィルム状接着剤を提供する。フィルム状接着剤は、半導体チップ(ダイ)と支持基板との接着(ボンディング)、又は半導体チップ(ダイ)同士の接着(ボンディング)に使用されるダイボンディングフィルムであり得る。
フィルム状接着剤は、カルボキシ基を有する化合物に由来する構成単位を含むポリマーをさらに含有していてもよい。
はんだの溶融温度は、180℃以下であってよい。
本開示の他の一側面は、上記のダイボンディングフィルムを用いて、半導体チップと支持基板とを接着する工程を備える、半導体装置の製造方法を提供する。
本開示の他の一側面は、半導体チップと、半導体チップを搭載する支持基板と、半導体チップ及び支持基板の間に設けられ、半導体チップと支持基板とを接着する接着部材とを備え、接着部材が、上記のダイボンディングフィルムの硬化物である、半導体装置を提供する。
本開示によれば、優れた放熱性を有するフィルム状接着剤(特に、ダイボンディングフィルム)が提供される。また、本開示によれば、このようなダイボンディングフィルムを用いた半導体装置及びその製造方法が提供される。
以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(ステップ等も含む)は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本明細書において、(メタ)アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。(メタ)アクリル酸等の他の類似表現についても同様である。
[フィルム状接着剤]
図1は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。フィルム状接着剤10は、図1に示すとおり、支持フィルム20上に設けられていてもよい。フィルム状接着剤10は、熱硬化性であり、半硬化(Bステージ)状態を経て、硬化処理後に完全硬化物(Cステージ)状態となり得る。フィルム状接着剤は、半導体チップと支持基板との接着、又は半導体チップ同士の接着に使用されるダイボンディングフィルムであってよい。
図1は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。フィルム状接着剤10は、図1に示すとおり、支持フィルム20上に設けられていてもよい。フィルム状接着剤10は、熱硬化性であり、半硬化(Bステージ)状態を経て、硬化処理後に完全硬化物(Cステージ)状態となり得る。フィルム状接着剤は、半導体チップと支持基板との接着、又は半導体チップ同士の接着に使用されるダイボンディングフィルムであってよい。
フィルム状接着剤10は、金属フィラー(以下、(a)成分という場合がある。)と、はんだ(以下、(b)成分という場合がある。)と、ポリオール(以下、(c)成分という場合がある。)と、熱硬化性樹脂成分(以下、(d)成分という場合がある。)と、エラストマー(以下、(e)成分という場合がある。)とを含有し、必要に応じて、カルボキシ基を有する化合物に由来する構成単位を含むポリマー(以下、(f)成分という場合がある。)、硬化促進剤(以下、(g)成分という場合がある。)をさらに含有していてもよい。
(a)成分:金属フィラー
(a)成分は、フィルム状接着剤における放熱性を高めるために用いられる成分である。(a)成分としては、例えば、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子;金属粒子、樹脂粒子等のコア粒子の表面を金属材料で被覆した粒子などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a)成分は、放熱性により優れることから、銅粒子であってよい。(a)成分の形状は、特に制限されず、例えば、フレーク状、球状等であってよい。
(a)成分は、フィルム状接着剤における放熱性を高めるために用いられる成分である。(a)成分としては、例えば、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子;金属粒子、樹脂粒子等のコア粒子の表面を金属材料で被覆した粒子などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a)成分は、放熱性により優れることから、銅粒子であってよい。(a)成分の形状は、特に制限されず、例えば、フレーク状、球状等であってよい。
(a)成分の平均粒径は、0.01〜10μmであってよい。(a)成分の平均粒径が0.01μm以上であると、接着剤ワニスを作製したときの粘度上昇を防ぎ、所望の量の(a)成分をフィルム状接着剤に含有させることができるとともに、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる傾向にある。(a)成分の平均粒径が10μm以下であると、フィルム成形性により優れ、(a)成分の添加による導電性をより向上させることができる傾向にある。また、このような範囲にすることによって、フィルム状接着剤の厚みをより薄くすることができ、さらに半導体チップを高積層化することができるとともに、フィルム状接着剤から(a)成分が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる傾向にある。(a)成分の平均粒径は、0.1μm以上、1.0μm以上、2.0μm以上、又は3.0μm以上であってもよく、9.0μm以下、8.0μm以下、又は7.0μm以下であってもよい。なお、(a)成分の平均粒径は、(a)成分全体の体積に対する比率(体積分率)が50%のときの粒径(D50)を意味する。(a)成分の平均粒径(D50)は、レーザー散乱型粒径測定装置(例えば、マイクロトラック)を用いて、水中に(a)成分を懸濁させた懸濁液をレーザー散乱法によって測定することによって求めることができる。
(a)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量(溶媒を除く成分の合計量、以下、同様)を基準として、40質量%以上であってよい。(a)成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、40質量%以上であると、フィルム状接着剤の熱伝導率を向上させることができ、結果として、放熱性を向上させることができる。(a)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、45質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、又は60質量%以上であってもよい。(a)成分の含有量の上限は、特に制限されないが、フィルム状接着剤の全量を基準として、80質量%以下、75質量%以下、又は70質量%以下であってよい。
(b)成分:はんだ
(b)成分は、(a)成分と焼結し得る成分であり、(a)成分とともにフィルム状接着剤における放熱性を高めるために用いられる成分である。(b)成分は、例えば、スズ合金であってよい。スズ合金としては、例えば、インジウム−スズ(In−Sn)、インジウム−スズ−銀(In−Sn−Ag)、スズ−ビスマス(Sn−Bi)、スズ−ビスマス−銀(Sn−Bi−Ag)、スズ−銀−銅(Sn−Ag−Cu)、スズ−銅(Sn−Cu)等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(b)成分は、ビスマスを含むスズ合金であってよい。
(b)成分は、(a)成分と焼結し得る成分であり、(a)成分とともにフィルム状接着剤における放熱性を高めるために用いられる成分である。(b)成分は、例えば、スズ合金であってよい。スズ合金としては、例えば、インジウム−スズ(In−Sn)、インジウム−スズ−銀(In−Sn−Ag)、スズ−ビスマス(Sn−Bi)、スズ−ビスマス−銀(Sn−Bi−Ag)、スズ−銀−銅(Sn−Ag−Cu)、スズ−銅(Sn−Cu)等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(b)成分は、ビスマスを含むスズ合金であってよい。
(b)成分の溶融温度は、低温(例えば、180℃以下)での焼結が可能であることから、180℃以下であってよく、170℃以下、160℃以下、又は150℃以下であってもよい。(b)成分の溶融温度の下限は、特に制限されないが、例えば、120℃以上とすることができる。
(b)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、10質量%以上であってよい。(b)成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、10質量%以上であると、フィルム状接着剤の放熱性を向上させることができる。(a)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、15質量%以上、20質量%以上、又は25質量%以上であってもよい。(b)成分の含有量の上限は、特に制限されないが、フィルム状接着剤の全量を基準として、50質量%以下、40質量%以下、又は30質量%以下であってよい。
(c)成分:ポリオール
(c)成分は、主に(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜を還元し得る成分である。(c)成分は、分子内に2以上のヒドロキシ基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。(c)成分としては、例えば、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、1,2,6−ヘキサントリオール、1,2,4−ブタントリオール、ソルビトール、ペンタエリスリトール等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。(c)成分は、フィルム状接着剤中に存在させる観点から、後述で使用される溶媒の沸点よりも高いものであることが好ましい。(c)成分は、比較的に高い沸点を有することから、グリセリンであってよい。
(c)成分は、主に(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜を還元し得る成分である。(c)成分は、分子内に2以上のヒドロキシ基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。(c)成分としては、例えば、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、1,2,6−ヘキサントリオール、1,2,4−ブタントリオール、ソルビトール、ペンタエリスリトール等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。(c)成分は、フィルム状接着剤中に存在させる観点から、後述で使用される溶媒の沸点よりも高いものであることが好ましい。(c)成分は、比較的に高い沸点を有することから、グリセリンであってよい。
(c)成分の含有量は、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.1質量%以上であってよい。(c)成分の含有量が、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.1質量%以上であると、(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜をより還元できる傾向にある。(c)成分の含有量は、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.3質量%以上、0.5質量%以上、又は0.8質量%以上であってもよく、10質量%以下、5質量%以下、又は3質量%以下であってもよい。
(d)成分:熱硬化性樹脂成分
(d)成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分である。(d)成分は、硬化後に接着作用を示す成分であれば、特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂(以下、(d−1)成分という場合がある。)と、エポキシ樹脂の硬化剤(以下、(d−2)成分という場合がある。)との組み合わせであってよい。
(d)成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分である。(d)成分は、硬化後に接着作用を示す成分であれば、特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂(以下、(d−1)成分という場合がある。)と、エポキシ樹脂の硬化剤(以下、(d−2)成分という場合がある。)との組み合わせであってよい。
(d−1)成分:エポキシ樹脂
(d−1)成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。(d−1)成分は、分子内に2以上のエポキシ基を有しているものであってよい。(d−1)成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(d−1)成分は、硬化物の耐熱性等の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂であってよい。
(d−1)成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。(d−1)成分は、分子内に2以上のエポキシ基を有しているものであってよい。(d−1)成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(d−1)成分は、硬化物の耐熱性等の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂であってよい。
(d−1)成分は、25℃で液状のエポキシ樹脂であってよい。このようなエポキシ樹脂を用いることによって、各成分と混合する際に後述の溶媒を使用しないでもペーストを調製できる傾向にある。25℃で液状のエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、EXA−830CRP(商品名、DIC株式会社製)、YDF−8170C(商品名、日鉄ケミカル&マテリアル株式会社)等が挙げられる。
(d−1)成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、90〜300g/eq、110〜290g/eq、又は110〜290g/eqであってよい。(d−1)成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物の流動性を確保し易い傾向にある。
(d−1)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、0.1質量%以上、1質量%以上、2質量%以上、又は3質量%以上であってよく、15質量%以下、12質量%以下、10質量%以下、又は8質量%以下であってよい。
(d−2)成分:エポキシ樹脂の硬化剤
(d−2)成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(d−2)成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
フェノール樹脂の水酸基当量は、40〜300g/eq、70〜290g/eq、又は100〜280g/eqであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が40g/eq以上であると、フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、300g/eq以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
(d−1)成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量と(d−2)成分であるフェノール樹脂の水酸基当量との比((d−2)成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量/(d−1)成分であるフェノール樹脂の水酸基当量)は、硬化性の観点から、0.30/0.70〜0.70/0.30、0.35/0.65〜0.65/0.35、0.40/0.60〜0.60/0.40、又は0.45/0.55〜0.55/0.45であってよい。当該当量比が0.30/0.70以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が0.70/0.30以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
(d−2)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、0.1質量%以上、1質量%以上、2質量%以上、又は2.5質量%以上であってよく、15質量%以下、12質量%以下、10質量%以下、又は8質量%以下であってよい。
(e)成分:エラストマー
(e)成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等であって、架橋性官能基を有するものが挙げられる。ここで、アクリル樹脂とは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであってよい。また、アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(e)成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等であって、架橋性官能基を有するものが挙げられる。ここで、アクリル樹脂とは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであってよい。また、アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、SG−70L、SG−708−6、WS−023 EK30、SG−280 EK23、HTR−860P−3、HTR−860P−3CSP、HTR−860P−3CSP−3DB(いずれもナガセケムテックス株式会社製)等が挙げられる。
(e)成分のガラス転移温度(Tg)は、−50〜50℃又は−30〜20℃であってよい。アクリル樹脂のTgが−50℃以上であると、フィルム状接着剤のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。アクリル樹脂のTgが50℃以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、(e)成分のガラス転移温度(Tg)は、DSC(熱示差走査熱量計)(例えば、株式会社リガク製、商品名:Thermo Plus 2)を用いて測定した値を意味する。
(e)成分の重量平均分子量(Mw)は、5万〜120万、10万〜120万、又は30万〜90万であってよい。(b)成分の重量平均分子量が5万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。(b)成分の重量平均分子量が120万以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物の流動性により優れる傾向にある。なお、重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
本明細書において、重量平均分子量(Mw)の測定装置、測定条件等は、以下のとおりである。
ポンプ:L−6000(株式会社日立製作所製)
カラム:ゲルパック(Gelpack)GL−R440(日立化成株式会社製)、ゲルパック(Gelpack)GL−R450(日立化成株式会社製)、及びゲルパックGL−R400M(日立化成株式会社製)(各10.7mm(直径)×300mm)をこの順に連結したカラム
溶離液:テトラヒドロフラン(以下、「THF」という。)
サンプル:試料120mgをTHF5mLに溶解させた溶液
流速:1.75mL/分
ポンプ:L−6000(株式会社日立製作所製)
カラム:ゲルパック(Gelpack)GL−R440(日立化成株式会社製)、ゲルパック(Gelpack)GL−R450(日立化成株式会社製)、及びゲルパックGL−R400M(日立化成株式会社製)(各10.7mm(直径)×300mm)をこの順に連結したカラム
溶離液:テトラヒドロフラン(以下、「THF」という。)
サンプル:試料120mgをTHF5mLに溶解させた溶液
流速:1.75mL/分
(e)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、0.1質量%以上、0.5質量%以上、1質量%以上、又は1.5質量%以上であってよく、10質量%以下、8質量%以下、6質量%以下、又は5質量%以下であってよい。
(f)成分:カルボキシ基を有する化合物に由来する構成単位を含むポリマー
フィルム状接着剤が(f)成分をさらに含有することによって、主に(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜を還元してより充分に除去することが可能となる。また、(f)成分は、(a)成分及び(b)成分に由来する金属イオンによってアイオノマ状のイオン性の架橋構造を形成することができ、結果として、フィルム状接着剤の表面強度をより高めることが可能となる。
フィルム状接着剤が(f)成分をさらに含有することによって、主に(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜を還元してより充分に除去することが可能となる。また、(f)成分は、(a)成分及び(b)成分に由来する金属イオンによってアイオノマ状のイオン性の架橋構造を形成することができ、結果として、フィルム状接着剤の表面強度をより高めることが可能となる。
カルボキシ基を有する化合物は、構成単位となり得ることから、カルボキシ基と重合性不飽和結合との両方を有する化合物であってよい。このような化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸等が挙げられる。(f)成分におけるカルボキシ基を有する化合物(カルボキシ基と重合性不飽和結合との両方を有する化合物)に由来する構成単位の含有量は、特に制限されないが、例えば、50質量%以上、70質量%以上、又は90質量%以上であってよい。
(f)成分は、カルボキシ基を有する化合物と共重合可能な化合物に由来する構成単位をさらに含んでいてもよい。このような化合物としては、例えば、アルキル(メタ)アクリレート、スチレン、4−メチルスチレン、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、酢酸ビニル、シクロヘキシルマレイミド、フェニルマレイミド、無水マレイン酸等が挙げられる。当該化合物に由来する構成単位の含有量は、50質量%以下、30質量%以下、又は10質量%以下であってよい。
(f)成分は、入手のし易さから、例えば、(メタ)アクリル酸から構成されるポリ(メタ)アクリル酸であってよい。
(f)成分の重量平均分子量(Mw)は、0.1万〜30万、0.5万〜10万、又は1万〜5万であってよい。なお、重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
(f)成分の含有量は、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.1質量%以上であってよい。(f)成分の含有量が、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.1質量%以上であると、(a)成分及び(b)成分の金属表面の酸化被膜をより還元できる傾向にある。(f)成分の含有量は、(a)成分及び(b)成分の全量を基準として、0.3質量%以上、0.5質量%以上、又は0.8質量%以上であってもよく、10質量%以下、5質量%以下、又は3質量%以下であってもよい。
(g)成分:硬化促進剤
フィルム状接着剤が(g)成分をさらに含有することによって、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。(g)成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(g)成分は、反応性の観点から、イミダゾール類及びその誘導体であってよい。
フィルム状接着剤が(g)成分をさらに含有することによって、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。(g)成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(g)成分は、反応性の観点から、イミダゾール類及びその誘導体であってよい。
イミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(g)成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、0.001〜1質量%であってよい。(g)成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。
フィルム状接着剤10は、(a)成分〜(g)成分以外のその他の成分として、カップリング剤、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。カップリング剤としては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。その他の成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、0.01〜3質量%であってよい。
溶媒は、各成分を分散できるものであれば特に制限されない。溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、p−シメン等の芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素;メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等の環状エーテル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等のケトン;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の1価のアルコールなどが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、10〜80質量%であってよい。
接着剤ワニスは、(a)成分〜(g)成分、その他の成分、及び溶媒を、混合又は混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合又は混練の順序は、特に制限されず適宜設定することができる。混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。
支持フィルム20としては、特に制限されず、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムなどが挙げられる。支持フィルム20の厚みは、例えば、10〜200μm又は20〜170μmであってよい。
接着剤ワニスを支持フィルム20に塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮発する条件を適宜選択することができ、例えば、50〜200℃で0.1〜90分間とすることができる。
フィルム状接着剤10の厚みは、用途に合わせて、適宜調整することができるが、例えば、3〜200μmであってよい。フィルム状接着剤10の厚みが3μm以上であると、接着力が充分となる傾向にあり、200μm以下であると、放熱性が充分となる傾向にある。フィルム状接着剤10の厚みは、接着力及び半導体装置の薄型化の観点から、10〜100μm又は120〜75μmであってもよい。
フィルム状接着剤10における熱伝導率は、1.5W/mK以上であってよい。フィルム状接着剤10における熱伝導率が1.5W/mK以上であると、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは放熱性により優れる傾向にある。ダイボンディングフィルムにおける熱伝導率は、1.6W/mK以上、1.8W/mK以上、1.9W/mK以上、又は2.0W/mK以上であってもよい。フィルム状接着剤10における熱伝導率の上限は、特に制限されないが、30W/mK以下であってよい。なお、本明細書において、「熱伝導率」は、実施例に記載の方法で算出された値を意味する。
[ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム]
図2は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図2に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、基材40と基材40上に設けられた粘着剤層30とを有するダイシングテープ50と、ダイシングテープ50の粘着剤層30上に配置されたダイボンディングフィルム10A(フィルム状接着剤10)とを備える。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、ダイボンディングフィルム10Aに支持フィルム20が備えられていてもよい。
図2は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図2に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、基材40と基材40上に設けられた粘着剤層30とを有するダイシングテープ50と、ダイシングテープ50の粘着剤層30上に配置されたダイボンディングフィルム10A(フィルム状接着剤10)とを備える。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、ダイボンディングフィルム10Aに支持フィルム20が備えられていてもよい。
ダイシングテープ50における基材40としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、基材40は、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。
粘着剤層30は、ダイシングテープの分野で使用される粘着剤からなるものであってよく、感圧型の粘着剤からなるものであっても、紫外線硬化型の粘着剤からなるものであってもよい。粘着剤層30が紫外線硬化型の粘着剤からなるものである場合、粘着剤層2は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有するものであり得る。
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、ダイシングテープ50及びダイボンディングフィルム10Aを準備し、ダイボンディングフィルム10Aをダイシングテープ50の粘着剤層30に貼り付けることによって作製することができる。
[半導体装置(半導体パッケージ)の製造方法]
一実施形態に係る半導体装置(半導体パッケージ)の製造方法は、上述のダイボンディングフィルムを用いて、半導体チップと支持基板とを接着する(又は、半導体チップ同士を接着する)工程を備える。図3は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、及び(f)は、各工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の製造方法は、上述のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100のダイボンディングフィルム10A(接着剤層)を半導体ウェハWに貼り付ける工程(ウェハラミネート工程、図3(a)、(b)参照)と、半導体ウェハW、ダイボンディングフィルム10A(接着剤層)、及び粘着剤層30を個片化する工程(ダイシング工程、図3(c)参照)と、必要に応じて、粘着剤層30に対して(基材40を介して)紫外線を照射する工程(紫外線照射工程、図3(d)参照)と、粘着剤層30aからダイボンディングフィルム片10aが付着した半導体チップWa(接着剤片付き半導体チップ60)をピックアップする工程(ピックアップ工程、図3(e)参照)と、ダイボンディングフィルム片10aを介して、接着剤片付き半導体チップ60を支持基板80に接着する工程(半導体チップ接着工程、図3(f)参照))とを備える。
一実施形態に係る半導体装置(半導体パッケージ)の製造方法は、上述のダイボンディングフィルムを用いて、半導体チップと支持基板とを接着する(又は、半導体チップ同士を接着する)工程を備える。図3は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、及び(f)は、各工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の製造方法は、上述のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100のダイボンディングフィルム10A(接着剤層)を半導体ウェハWに貼り付ける工程(ウェハラミネート工程、図3(a)、(b)参照)と、半導体ウェハW、ダイボンディングフィルム10A(接着剤層)、及び粘着剤層30を個片化する工程(ダイシング工程、図3(c)参照)と、必要に応じて、粘着剤層30に対して(基材40を介して)紫外線を照射する工程(紫外線照射工程、図3(d)参照)と、粘着剤層30aからダイボンディングフィルム片10aが付着した半導体チップWa(接着剤片付き半導体チップ60)をピックアップする工程(ピックアップ工程、図3(e)参照)と、ダイボンディングフィルム片10aを介して、接着剤片付き半導体チップ60を支持基板80に接着する工程(半導体チップ接着工程、図3(f)参照))とを備える。
<ウェハラミネート工程>
まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100を所定の装置に配置する。続いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100のダイボンディングフィルム10A(接着剤層)を半導体ウェハWの表面Wsに貼り付ける(図3(a)、(b)参照)。半導体ウェハWの回路面は、表面Wsとは反対側の面に設けられていることが好ましい。
まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100を所定の装置に配置する。続いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100のダイボンディングフィルム10A(接着剤層)を半導体ウェハWの表面Wsに貼り付ける(図3(a)、(b)参照)。半導体ウェハWの回路面は、表面Wsとは反対側の面に設けられていることが好ましい。
<ダイシング工程>
次に、半導体ウェハW、ダイボンディングフィルム10A(接着剤層)、及び粘着剤層30をダイシングする(図3(c)参照)。このとき、基材40の一部がダイシングされていてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、ダイシングシートとしても機能する。
次に、半導体ウェハW、ダイボンディングフィルム10A(接着剤層)、及び粘着剤層30をダイシングする(図3(c)参照)。このとき、基材40の一部がダイシングされていてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム100は、ダイシングシートとしても機能する。
<紫外線照射工程>
粘着剤層30が紫外線硬化型の粘着剤からなるものである場合は、必要に応じて、粘着剤層30に対して(基材40を介して)紫外線を照射してもよい(図3(d)参照)。紫外線硬化型の粘着剤である場合、当該粘着剤層30が硬化し、粘着剤層30とダイボンディングフィルム10A(接着剤層)との間の接着力を低下させることができる。紫外線照射においては、波長200〜400nmの紫外線を用いることが好ましい。紫外線照射条件は、照度及び照射量をそれぞれ30〜240mW/cm2の範囲及び50〜500mJ/cm2の範囲に調整することが好ましい。
粘着剤層30が紫外線硬化型の粘着剤からなるものである場合は、必要に応じて、粘着剤層30に対して(基材40を介して)紫外線を照射してもよい(図3(d)参照)。紫外線硬化型の粘着剤である場合、当該粘着剤層30が硬化し、粘着剤層30とダイボンディングフィルム10A(接着剤層)との間の接着力を低下させることができる。紫外線照射においては、波長200〜400nmの紫外線を用いることが好ましい。紫外線照射条件は、照度及び照射量をそれぞれ30〜240mW/cm2の範囲及び50〜500mJ/cm2の範囲に調整することが好ましい。
<ピックアップ工程>
次に、基材40をエキスパンドすることによって、ダイシングされた接着剤片付き半導体チップ60を互いに離間させつつ、基材40側からニードル72で突き上げられた接着剤片付き半導体チップ60を吸引コレット74で吸引して粘着剤層30aからピックアップする(図3(e)参照)。なお、接着剤片付き半導体チップ60は、半導体チップWaとダイボンディングフィルム片10aとを有する。半導体チップWaは半導体ウェハWがダイシングによって個片化されたものであり、ダイボンディングフィルム片10aはダイボンディングフィルム10Aがダイシングによって個片化されたものである。また、粘着剤層30aは粘着剤層30がダイシングによって個片化されたものである。粘着剤層30aは接着剤片付き半導体チップ60をピックアップする際に基材40上に残存し得る。ピックアップ工程では、必ずしも基材40をエキスパンドすることは必要ないが、基材40をエキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。
次に、基材40をエキスパンドすることによって、ダイシングされた接着剤片付き半導体チップ60を互いに離間させつつ、基材40側からニードル72で突き上げられた接着剤片付き半導体チップ60を吸引コレット74で吸引して粘着剤層30aからピックアップする(図3(e)参照)。なお、接着剤片付き半導体チップ60は、半導体チップWaとダイボンディングフィルム片10aとを有する。半導体チップWaは半導体ウェハWがダイシングによって個片化されたものであり、ダイボンディングフィルム片10aはダイボンディングフィルム10Aがダイシングによって個片化されたものである。また、粘着剤層30aは粘着剤層30がダイシングによって個片化されたものである。粘着剤層30aは接着剤片付き半導体チップ60をピックアップする際に基材40上に残存し得る。ピックアップ工程では、必ずしも基材40をエキスパンドすることは必要ないが、基材40をエキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。
ニードル72による突き上げ量は、適宜設定することができる。さらに、極薄ウェハに対しても充分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、2段又は3段の突き上げを行ってもよい。また、吸引コレット74を用いる方法以外の方法で接着剤片付き半導体チップ60をピックアップしてもよい。
<半導体チップ接着工程>
接着剤片付き半導体チップ60をピックアップした後、接着剤片付き半導体チップ60を、熱圧着によって、ダイボンディングフィルム片10aを介して支持基板80に接着する(図3(f)参照)。支持基板80には、複数の接着剤片付き半導体チップ60を接着してもよい。なお、ダイボンディングフィルム片10aは、熱圧着によって、ダイボンディングフィルム片10aの硬化物が形成され得る。
接着剤片付き半導体チップ60をピックアップした後、接着剤片付き半導体チップ60を、熱圧着によって、ダイボンディングフィルム片10aを介して支持基板80に接着する(図3(f)参照)。支持基板80には、複数の接着剤片付き半導体チップ60を接着してもよい。なお、ダイボンディングフィルム片10aは、熱圧着によって、ダイボンディングフィルム片10aの硬化物が形成され得る。
半導体装置の製造方法は、必要に応じて、半導体チップWaと支持基板80とをワイヤーボンドによって電気的に接続する工程と、支持基板80の表面80A上に、樹脂封止材を用いて半導体チップWaを樹脂封止する工程とをさらに備えていてもよい。
[半導体装置(半導体パッケージ)]
図4は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図4に示される半導体装置200は、半導体チップWaと、半導体チップWaを搭載する支持基板80と、半導体チップWa及び支持基板80の間に設けられ、半導体チップWaと支持基板80とを接着する接着部材10cとを備える。接着部材10cは、ダイボンディングフィルム(ダイボンディングフィルム片10a)の硬化物である。図4に示される半導体装置200は、上述の工程を経ることによって製造することができる。半導体装置200は、半導体チップWaと支持基板80とがワイヤーボンド70によって電気的に接続されていてもよい。半導体装置200は、支持基板80の表面80A上に、樹脂封止材92を用いて半導体チップWaが樹脂封止されていてもよい。支持基板80の表面80Aと反対側の面に、外部基板(マザーボード)との電気的な接続用として、はんだボール94が形成されていてもよい。
図4は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図4に示される半導体装置200は、半導体チップWaと、半導体チップWaを搭載する支持基板80と、半導体チップWa及び支持基板80の間に設けられ、半導体チップWaと支持基板80とを接着する接着部材10cとを備える。接着部材10cは、ダイボンディングフィルム(ダイボンディングフィルム片10a)の硬化物である。図4に示される半導体装置200は、上述の工程を経ることによって製造することができる。半導体装置200は、半導体チップWaと支持基板80とがワイヤーボンド70によって電気的に接続されていてもよい。半導体装置200は、支持基板80の表面80A上に、樹脂封止材92を用いて半導体チップWaが樹脂封止されていてもよい。支持基板80の表面80Aと反対側の面に、外部基板(マザーボード)との電気的な接続用として、はんだボール94が形成されていてもよい。
以下、実施例により本開示について説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
<接着剤ワニスの調製>
表1に示す記号及び組成比(単位:質量部)で、(d)成分及び(e)成分に溶媒を加え、撹拌することによって混合物を得た。得られた混合物に対して、(a)成分及び(b)成分を加えて、ディスパー翼を用いて撹拌し、各成分が均一になるまで分散して分散液を得た。次いで、別途、(c)成分及び(f)成分を最小量の溶媒(エタノール)に溶解させたエタノール溶液を調製し、(g)成分及びエタノール溶液を分散液に加え、各成分が均一になるまで分散することによって、接着剤ワニスA〜Dを得た。
表1に示す記号及び組成比(単位:質量部)で、(d)成分及び(e)成分に溶媒を加え、撹拌することによって混合物を得た。得られた混合物に対して、(a)成分及び(b)成分を加えて、ディスパー翼を用いて撹拌し、各成分が均一になるまで分散して分散液を得た。次いで、別途、(c)成分及び(f)成分を最小量の溶媒(エタノール)に溶解させたエタノール溶液を調製し、(g)成分及びエタノール溶液を分散液に加え、各成分が均一になるまで分散することによって、接着剤ワニスA〜Dを得た。
なお、表1の各成分の記号は下記のものを意味する。
(a)成分
・UCI−8(商品名、DOWAエレクトロニクス株式会社製、銅粉、形状:球状、平均粒径(レーザー50%粒径(D50)):6.3μm)
(b)成分
・Sn−58Bi(商品名、千住金属工業株式会社製、スズ含有量:42質量%、ビスマス含有量:58質量%、溶融温度:139〜141℃)
(c)成分
・グリセリン(富士フイルム和光純薬株式会社製)
(d)成分
(d−1)成分
・EXA−830CRP(商品名、DIC株式会社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量:159g/eq、25℃で液状)
(d−2)成分
・HE−100C(商品名、エア・ウォーター株式会社製、フェニルアラキル型フェノール樹脂、水酸基当量:170g/eq)
(e)成分
・HTR−860P−3CSP(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)
(f)成分
・ポリアクリル酸(富士フイルム和光純薬株式会社製、重量平均分子量:25000)
(g)成分
・2PZ−CN(商品名、四国化成工業株式会社製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)
・UCI−8(商品名、DOWAエレクトロニクス株式会社製、銅粉、形状:球状、平均粒径(レーザー50%粒径(D50)):6.3μm)
(b)成分
・Sn−58Bi(商品名、千住金属工業株式会社製、スズ含有量:42質量%、ビスマス含有量:58質量%、溶融温度:139〜141℃)
(c)成分
・グリセリン(富士フイルム和光純薬株式会社製)
(d)成分
(d−1)成分
・EXA−830CRP(商品名、DIC株式会社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量:159g/eq、25℃で液状)
(d−2)成分
・HE−100C(商品名、エア・ウォーター株式会社製、フェニルアラキル型フェノール樹脂、水酸基当量:170g/eq)
(e)成分
・HTR−860P−3CSP(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:−7℃)
(f)成分
・ポリアクリル酸(富士フイルム和光純薬株式会社製、重量平均分子量:25000)
(g)成分
・2PZ−CN(商品名、四国化成工業株式会社製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)
(実施例1)
<フィルム状接着剤の作製>
フィルム状接着剤の作製に、接着剤ワニスAを用いた。真空脱泡した接着剤ワニスAを、支持フィルムとしての離型処理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚み38μm)上に塗布した。塗布したワニスを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の2段階で加熱乾燥し、支持フィルム上に、Bステージ状態にある厚み20μmの実施例1のフィルム状接着剤を得た。
<フィルム状接着剤の作製>
フィルム状接着剤の作製に、接着剤ワニスAを用いた。真空脱泡した接着剤ワニスAを、支持フィルムとしての離型処理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚み38μm)上に塗布した。塗布したワニスを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の2段階で加熱乾燥し、支持フィルム上に、Bステージ状態にある厚み20μmの実施例1のフィルム状接着剤を得た。
<柔軟性の評価>
実施例1のフィルム状接着剤を用いて、柔軟性の評価を行った。フィルム状接着剤を支持フィルムごと180℃に折り曲げ、フィルム状接着剤が割れなかった場合を柔軟性に優れるとして「A」、割れた場合を「B」と評価した。結果を表2に示す。
実施例1のフィルム状接着剤を用いて、柔軟性の評価を行った。フィルム状接着剤を支持フィルムごと180℃に折り曲げ、フィルム状接着剤が割れなかった場合を柔軟性に優れるとして「A」、割れた場合を「B」と評価した。結果を表2に示す。
<ラミネート性の評価>
実施例1のフィルム状接着剤を2枚用いて、ラミネート性の評価を行った。フィルム状接着剤同士を重ね合わせて、70℃のホットロールラミネータでラミネータして積層体を得た。積層体において、片面の支持フィルムを剥離できた場合をラミネート性に優れるとして「A」、フィルム状接着剤同士がはく離した場合を「B」と評価した。結果を表2に示す。
実施例1のフィルム状接着剤を2枚用いて、ラミネート性の評価を行った。フィルム状接着剤同士を重ね合わせて、70℃のホットロールラミネータでラミネータして積層体を得た。積層体において、片面の支持フィルムを剥離できた場合をラミネート性に優れるとして「A」、フィルム状接着剤同士がはく離した場合を「B」と評価した。結果を表2に示す。
<熱伝導率の測定>
(積層体の作製)
Leon13DX(株式会社ラミーコーポレーション製)を用いて、厚みが100μm以上になるようにフィルム状接着剤を70℃でラミネートして積層体を得た。
(積層体の作製)
Leon13DX(株式会社ラミーコーポレーション製)を用いて、厚みが100μm以上になるようにフィルム状接着剤を70℃でラミネートして積層体を得た。
(測定試料の作製)
積層体に対して、110℃で30分間、175℃で180分間の熱履歴を与え、測定試料を得た。
積層体に対して、110℃で30分間、175℃で180分間の熱履歴を与え、測定試料を得た。
(熱伝導率の測定)
測定試料の熱伝導率は、下記式によって算出した。結果を表2に示す。
熱伝導率(W/mK)=比熱(J/kg・K)×熱拡散率(m2/s)×比重(kg/m3)
なお、比熱、熱拡散率、及び比重は以下の方法によって測定した。熱伝導率が高くなることは、放熱性により優れることを意味する。
測定試料の熱伝導率は、下記式によって算出した。結果を表2に示す。
熱伝導率(W/mK)=比熱(J/kg・K)×熱拡散率(m2/s)×比重(kg/m3)
なお、比熱、熱拡散率、及び比重は以下の方法によって測定した。熱伝導率が高くなることは、放熱性により優れることを意味する。
(比熱(25℃)の測定)
・測定装置:示差走査熱量測定装置(株式会社パーキンエルマージャパン製、商品名:DSC8500)
・基準物質:サファイア
・昇温速度:10℃/分
・昇温温度範囲:20℃〜100℃
・測定装置:示差走査熱量測定装置(株式会社パーキンエルマージャパン製、商品名:DSC8500)
・基準物質:サファイア
・昇温速度:10℃/分
・昇温温度範囲:20℃〜100℃
(熱拡散率の測定)
・測定装置:熱拡散率測定装置(ネッチ・ジャパン株式会社社製、商品名:LFA467 HyperFlash)
・測定試料の処理:測定試料の両面をカーボンスプレーで黒化処理
・測定方法:キセノンフラッシュ法
・測定雰囲気温度:25℃
・測定装置:熱拡散率測定装置(ネッチ・ジャパン株式会社社製、商品名:LFA467 HyperFlash)
・測定試料の処理:測定試料の両面をカーボンスプレーで黒化処理
・測定方法:キセノンフラッシュ法
・測定雰囲気温度:25℃
(比重の測定)
・測定装置:電子比重計(アルファミラージュ株式会社製、商品名:SD200L)
・測定方法:アルキメデス法
・測定装置:電子比重計(アルファミラージュ株式会社製、商品名:SD200L)
・測定方法:アルキメデス法
(実施例2)
接着剤ワニスAを接着剤ワニスBに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2のフィルム状接着剤を得た。実施例2のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
接着剤ワニスAを接着剤ワニスBに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2のフィルム状接着剤を得た。実施例2のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
(比較例1)
接着剤ワニスAを接着剤ワニスCに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例1のフィルム状接着剤を得た。比較例1のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
接着剤ワニスAを接着剤ワニスCに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例1のフィルム状接着剤を得た。比較例1のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
(比較例2)
接着剤ワニスAを接着剤ワニスDに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例2のフィルム状接着剤を得た。比較例2のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
接着剤ワニスAを接着剤ワニスDに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例2のフィルム状接着剤を得た。比較例2のフィルム状接着剤を用いて、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
表2に示すとおり、実施例のフィルム状接着剤は、フィルムとしての充分な性質を有しているとともに、比較例のフィルム状接着剤よりも熱伝導率に優れていた。また、実施例1と実施例2との対比から、フィルム状接着剤が(f)成分を含有することによって、熱伝導率がより一層向上することが判明した。以上の結果より、本開示のフィルム状接着剤が、優れた放熱性を有することが確認された。
10…フィルム状接着剤、10A…ダイボンディングフィルム、10a…ダイボンディングフィルム片、10c…接着部材、20…支持フィルム、30…粘着剤層、40…基材、50…ダイシングテープ、60…接着剤片付き半導体チップ、70…ワイヤーボンド、72…ニードル、74…吸引コレット、80…支持基板、92…樹脂封止材、94…はんだボール、100…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、200…半導体装置。
Claims (8)
- 金属フィラーと、はんだと、ポリオールと、熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有する、ダイボンディングフィルム。
- カルボキシ基を有する化合物に由来する構成単位を含むポリマーをさらに含有する、請求項1に記載のダイボンディングフィルム。
- 前記はんだの溶融温度が180℃以下である、請求項1又は2に記載のダイボンディングフィルム。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体チップと支持基板とを接着する工程を備える、半導体装置の製造方法。
- 半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する支持基板と、
前記半導体チップ及び前記支持基板の間に設けられ、前記半導体チップと前記支持基板とを接着する接着部材と、
を備え、
前記接着部材が、請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムの硬化物である、半導体装置。 - 金属フィラーと、はんだと、ポリオールと、熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有する、フィルム状接着剤。
- カルボキシ基を有する化合物に由来する構成単位を含むポリマーをさらに含有する、請求項6に記載のフィルム状接着剤。
- 前記はんだの溶融温度が180℃以下である、請求項6又は7に記載のフィルム状接着剤。
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---|---|---|---|
JP2019183208A JP2021061284A (ja) | 2019-10-03 | 2019-10-03 | ダイボンディングフィルム、フィルム状接着剤、並びに半導体装置及びその製造方法 |
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