JP2020113762A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 第１領域及び第２領域を含み、互いに対向する第１面及び第２面を有する半導体層と、
   前記半導体層内に配置されて、複数のピクセルを定義する素子分離膜と、
   前記半導体層の前記第１領域の前記第１面上に配置された第１グリッドパターンと、
   前記半導体層の前記第２領域の前記第１面上に配置された遮光パターンと、を含み、
   前記第１グリッドパターンの上面は第１レベルに位置し、前記遮光パターンの上面は第２レベルに位置し、前記第１レベルは前記第２レベルよりも低く、前記第１レベル及び前記第２レベルは前記半導体層の前記第１面に対して定義されることを特徴とするイメージセンサー。
2. 前記第１グリッドパターンの厚さは、前記遮光パターンの厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
3. 前記第１グリッドパターン上の第２グリッドパターンをさらに含み、
   前記第１グリッドパターンは、金属及び金属窒化膜の中の少なくとも１つを含み、
   前記第２グリッドパターンは、低屈折物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
4. 前記第１グリッドパターンは、前記第２領域上に延長されて前記遮光パターンの側面を覆い、前記遮光パターンの上面を露出させることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
5. 前記第１グリッドパターンは、前記第２領域上に延長されて前記遮光パターンの側面及び上面を覆うことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
6. 前記第１グリッドパターン上の第２グリッドパターンをさらに含み、
   前記第１グリッドパターンの側面と前記第２グリッドパターンの側面とが整列されたことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
7. 前記第１グリッドパターンは、前記半導体層の前記第１領域内に配置された前記素子分離膜上に配置されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
8. 前記複数のピクセルは、前記半導体層の前記第１領域内に提供された第１ピクセル及び前記半導体層の前記第２領域内に提供された第２ピクセルを含み、
   前記イメージセンサーは、
   前記第１ピクセル内の第１光電変換素子と、
   前記第２ピクセル内の第２光電変換素子と、をさらに含み、
   前記第１グリッドパターンは、前記第１光電変換素子を露出させ、
   前記遮光パターンは、前記第２光電変換素子を覆うことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
9. 前記複数のピクセルは、前記半導体層の前記第１領域内に提供された第１ピクセル及び前記半導体層の前記第２領域内に提供された第２ピクセルを含み、
   前記イメージセンサーは、
   前記第１ピクセル内の一対の第１光電変換素子と、
   前記第２ピクセル内の一対の第２光電変換素子と、
   前記半導体層の前記第１面上に配置され、前記一対の第１光電変換素子を覆うマイクロレンズと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
10. 前記半導体層は、第３領域をさらに含み、
    前記イメージセンサーは、前記半導体層の前記第３領域の前記第１面上のパッドをさらに含み、
    前記第１グリッドパターンは、前記遮光パターンを通じて前記パッドに連結されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
11. 前記素子分離膜は、前記半導体層を貫通して前記半導体層の前記第１面及び前記第２面に接触することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
12. 前記素子分離膜は、前記半導体層の前記第１面に接触し、前記半導体層の前記第２面から離隔されたことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
13. 前記第１グリッドパターンの物質は、前記遮光パターンの物質とは異なることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
14. 前記複数のピクセルは、前記半導体層の前記第１領域内の第１ピクセル及び前記半導体層の前記第２領域内の第２ピクセルを含み、
    前記イメージセンサーは、
    前記第１ピクセル上のカラーフィルターと、
    前記第２領域上のカラーフィルター膜と、
    前記カラーフィルター上のマイクロレンズと、を含み、
    前記マイクロレンズは、前記カラーフィルター膜を露出させることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
15. 第１領域及び前記第１領域周辺の第２領域を含む半導体層と、
    前記半導体層内に配置されて、複数のピクセルを定義する素子分離膜と、
    前記半導体層の前記第１領域上で前記素子分離膜に沿って延長され、第１パターンを含むグリッドパターンと、
    前記半導体層の前記第２領域上の遮光パターンと、を含み、
    前記第１パターンの厚さは、前記遮光パターンの厚さよりも小さく、
    前記第１パターンは、前記遮光パターンの側面を覆い、
    前記グリッドパターンは、前記第１パターン上の低屈折パターンをさらに含むことを特徴とするイメージセンサー。
16. 前記遮光パターンは、単一膜からなることを特徴とする請求項１５に記載のイメージセンサー。
17. 前記第１パターンは、金属物質を含むことを特徴とする請求項１５に記載のイメージセンサー。
18. 第１領域及び第２領域を含む半導体層と、
    前記半導体層内に配置されて、複数のピクセルを定義する素子分離膜と、
    前記半導体層の前記第１領域上のグリッドパターンと、
    前記半導体層の前記第２領域上の遮光構造体と、を含み、
    前記グリッドパターンは、
    前記半導体層上に配置されて前記遮光構造体の側面を覆う第１グリッドパターンと、
    前記第１グリッドパターンを覆う第２グリッドパターンと、を含み、
    前記第１グリッドパターンは、前記遮光構造体の側面と前記第２グリッドパターンとの間に挟まれ、
    前記第１グリッドパターンの厚さは、前記遮光構造体の厚さよりも薄いことを特徴とするイメージセンサー。
19. 前記遮光構造体は、前記半導体層の前記第２領域上に積層された遮光パターン、導電パターン、及び有機パターンを含み、
    前記第１グリッドパターンは、前記導電パターンに連結され、
    前記第２グリッドパターンは、前記有機パターンに連結されたことを特徴とする請求項１８に記載のイメージセンサー。