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JP2020167242A - 載置台のコーティング方法および載置台 - Google Patents

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Abstract

【課題】載置台の接着部分の消耗を抑制する。【解決手段】載置台のコーティング方法は、挿入工程と、膨張工程と、塗布工程と、を含む。挿入工程において、第1端にバルーンが取り付けられたチューブを、載置台の載置面で開口し当該載置台を貫通する貫通穴に挿入する。膨張工程において、チューブの第1端が所定位置に到達した時、チューブの第2端から当該チューブ内に気体を供給することでバルーンを膨張させる。塗布工程において、膨張させたバルーンの表面を貫通穴の内周面に押し付けて、貫通穴の内周面にコーティング剤を塗布する。【選択図】図4

Description

以下の開示は、載置台のコーティング方法および載置台に関する。
静電チャック装置に形成された貫通孔にプラズマが侵入した際に、静電チャック装置の静電チャック部とベース部とを固定する接着層をプラズマが侵食することが知られている。接着層の侵食は、耐電圧の低下や静電チャック装置の寿命の短縮、貫通孔周辺の経時的な温度変化の原因となる。そこで、静電チャック部の第1の貫通孔と連通する、ベース部の第2の貫通孔内に筒状の絶縁碍子を固定した構造が提案されている(特許文献1)。この構造では、静電チャック部と絶縁碍子先端面との間に環状のシール部材を挟み込み、シール部材の径方向内側に筒状の絶縁壁部材を配置している。
国際公開第2017/126534号
本開示は、載置台の接着部分の消耗を抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による載置台のコーティング方法は、挿入工程と、膨張工程と、塗布工程と、を含む。挿入工程において、第1端にバルーンが取り付けられたチューブを、載置台の載置面で開口し当該載置台を貫通する貫通穴に挿入する。膨張工程において、チューブの第1端が所定位置に到達した時、チューブの第2端から当該チューブ内に気体を供給することでバルーンを膨張させる。塗布工程において、膨張させたバルーンの表面を貫通穴の内周面に押し付けて、貫通穴の内周面にコーティング剤を塗布する。
本開示によれば、載置台の接着部分の消耗を抑制することができる。
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成図である。 図2は、一実施形態に係るプラズマ処理装置が備える載置台の一部の構成例を示す概略断面図である。 図3は、一実施形態に係るコーティング方法に用いるコーティング装置の一例の概略図である。 図4は、一実施形態に係るコーティング方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図5は、一実施形態のコーティング方法の挿入工程を説明するための図である。 図6は、一実施形態のコーティング方法の判定工程を説明するための図である。 図7Aは、一実施形態のコーティング方法の膨張工程において膨張したバルーンの一例を説明するための図である。 図7Bは、一実施形態のコーティング方法の膨張工程において膨張したバルーンの他の例を説明するための図である。 図8は、貫通穴に対するコーティング装置の大きさの目安を示す図である。
以下に、開示する実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態は限定的なものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
(実施形態に係るプラズマ処理装置10の構成)
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置10の概略構成図である。プラズマ処理装置10は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器30を有している。この処理容器30は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム等から構成されている。処理容器30は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器30内には、ウエハWを水平に支持する載置台31が収容されている。
載置台31は、上下方向に底面を向けた略円柱状を呈しており、上側の底面が載置面36dとされている。載置台31の載置面36dは、ウエハWよりも大きいサイズとされている。載置台31は、基台33と、静電チャック36とを含んでいる。
基台33は、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されている。基台33は、下部電極として機能する。基台33は、絶縁体の支持台34に支持されており、支持台34が処理容器30の底部に設置されている。
静電チャック36は、上面が平坦な円盤状とされ、当該上面がウエハWの載置される載置面36dとされている。静電チャック36は、平面視において載置台31の中央に設けられている。静電チャック36は、電極36a及び絶縁体36bを有している。電極36aは、絶縁体36bの内部に設けられており、電極36aには直流電源42が接続されている。静電チャック36は、電極36aに直流電源42から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハWを吸着するように構成されている。また、静電チャック36は、絶縁体36bの内部にヒータ36cが設けられている。ヒータ36cは、後述する給電機構を介して電力が供給され、ウエハWの温度を制御する。静電チャック36と基台33とは接着層38により接着されている。接着層38の材料は特に限定されないが、耐プラズマ性、耐熱性を有する材料が好ましい。たとえば、アクリル系樹脂、シリコーン(シリコン樹脂)、エポキシ系樹脂等を用いることができる。接着層38を介して、静電チャック36の裏面から基台33へと抜熱される。
また、載置台31の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング35が設けられている。さらに、載置台31及び支持台34の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材37が設けられている。
基台33には、給電棒50が接続されている。給電棒50には、第1の整合器41aを介して第1のRF電源40aが接続され、また、第2の整合器41bを介して第2のRF電源40bが接続されている。第1のRF電源40aは、プラズマ発生用の電源であり、この第1のRF電源40aからは所定の周波数の高周波電力が載置台31の基台33に供給されるように構成されている。また、第2のRF電源40bは、イオン引き込み用(バイアス用)の電源であり、この第2のRF電源40bからは第1のRF電源40aより低い所定周波数の高周波電力が載置台31の基台33に供給されるように構成されている。
基台33の内部には、冷媒流路33dが形成されている。冷媒流路33dは、一方の端部に冷媒入口配管33bが接続され、他方の端部に冷媒出口配管33cが接続されている。プラズマ処理装置10は、冷媒流路33dの中に冷媒、例えば冷却水等をそれぞれ循環させることによって、載置台31の温度を制御可能な構成とされている。また、プラズマ処理装置10は、ウエハWやフォーカスリング35の裏面側に冷熱伝達用ガスを供給して温度を個別に制御可能な構成である。このため、載置台31等を貫通するように、ウエハWの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス(バックサイドガス)を供給するためのガス供給穴60が設けられている。ガス供給穴60は、ガス供給源61に接続されている。これらの構成によって、載置台31の上面に静電チャック36によって吸着保持されたウエハWを、所定の温度に制御する。また、載置台31を貫通するように、ウエハWの裏面に到達する貫通穴70が形成されている。貫通穴70内にはリフタピン71が配置される。リフタピン71は、貫通穴70を通って上下方向に移動可能かつウエハWの裏面に当接可能に配置される。リフタピン71は、載置台31下部に配置された駆動機構72により駆動されて上下方向に動き、載置面36d上に配置されたウエハWを載置台31から持ち上げる。なお、図1には1つのリフタピン71を示すが、複数のリフタピン71を配置してもよい。
一方、載置台31の上方には、載置台31に平行に対面するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド46が設けられている。シャワーヘッド46と載置台31は、一対の電極(上部電極と下部電極)として機能する。
シャワーヘッド46は、処理容器30の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド46は、本体部46aと、電極板をなす上部天板46bとを備えており、絶縁性部材47を介して処理容器30の上部に支持される。本体部46aは、導電性材料、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム等からなり、その下部に上部天板46bを着脱自在に支持できるように構成されている。
本体部46aの内部には、ガス拡散室46cが設けられ、このガス拡散室46cの下部に位置するように、本体部46aの底部には、多数のガス通流孔46dが形成されている。また、上部天板46bには、当該上部天板46bを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔46eが、上記したガス通流孔46dと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室46cに供給された処理ガスは、ガス通流孔46d及びガス導入孔46eを介して処理容器30内にシャワー状に分散されて供給される。
本体部46aには、ガス拡散室46cへ処理ガスを導入するためのガス導入口46gが形成されている。このガス導入口46gには、ガス供給配管45aの一端が接続されている。このガス供給配管45aの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源45が接続される。ガス供給配管45aには、上流側から順にマスフローコントローラ(MFC)45b、及び開閉弁V2が設けられている。そして、処理ガス供給源45から処理ガスが、ガス供給配管45aを介してガス拡散室46cに供給され、このガス拡散室46cから、ガス通流孔46d及びガス導入孔46eを介して処理容器30内にシャワー状に分散されて供給される。
上記した上部電極としてのシャワーヘッド46には、ローパスフィルタ(LPF)48aを介して可変直流電源48bが電気的に接続されている。この可変直流電源48bは、オン・オフスイッチ48cにより給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源48bの電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ48cのオン・オフは、後述する制御部90によって制御される。なお、後述のように、第1のRF電源40a、第2のRF電源40bから高周波が載置台31に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部90によりオン・オフスイッチ48cがオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド46に所定の直流電圧が印加される。
また、処理容器30の側壁からシャワーヘッド46の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体30aが設けられている。この円筒状の接地導体30aは、その上部に天壁を有している。
処理容器30の底部には、排気口81が形成されており、この排気口81には、排気管82を介して排気装置83が接続されている。排気装置83は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器30内を所定の真空度まで減圧することができるように構成されている。
一方、処理容器30内の側壁には、ウエハWの搬入出に使用される第1ゲート84が設けられている。この第1ゲート84には、当該第1ゲート84を開閉するゲートバルブGが設けられている。第1ゲート84は、図1に示すように、ゲートバルブGを介して真空搬送室に気密性を保ちつつ接続されており、真空雰囲気の状態のまま真空搬送室からウエハWの搬入出が可能とされている。
処理容器30の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド86が設けられている。デポシールド86は、処理容器30に副生成物(デポ)が付着することを防止する。デポシールド86は、着脱自在に構成されている。
上記構成のプラズマ処理装置10は、制御部90によって、動作が統括的に制御される。制御部90は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置10の各部を制御する。プラズマ処理装置10は、制御部90によって、動作が統括的に制御される。制御部90は、プラズマ処理装置10の各部を制御する情報処理装置である。制御部90の具体的な構成および機能は特に限定されない。制御部90は、たとえば、記憶部、処理部、入出力インタフェース(IO I/F)および表示部を備える。記憶部はたとえば、ハードディスク、光ディスク、半導体メモリ素子等の任意の記憶装置である。制御部はたとえば、CPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)などのプロセッサである。表示部は、たとえば液晶画面やタッチパネル等、情報を表示する機能部である。処理部は、記憶部に格納されたプログラムやレシピを読み出して実行することにより、入出力インタフェースを介してプラズマ処理装置10の各部を制御する。
(載置台の構成例)
図2は、一実施形態に係るプラズマ処理装置が備える載置台31の一部の構成例を示す概略断面図である。図2においては、図1の載置台31中、基台33、接着層38、静電チャック36を、ガス供給穴60および貫通穴70が貫通している部分を拡大して示している。また、図2は、リフタピン71によりウエハWが持ち上げられた状態を示している。
ガス供給穴60は、支持台34を貫通する第1貫通穴60aと、基台33を貫通する第2貫通穴60bと、静電チャック36を貫通する第3貫通穴60cとを含む。第1貫通穴60aおよび第2貫通穴60bは略同径で載置面36dに対して略垂直方向に形成されている。第3貫通穴60cは、第2貫通穴60bよりも小径であり、第2貫通穴60bに接続する位置に段差が形成されている。第2貫通穴60bと第3貫通穴60cの間で露出する接着層38の断面38a上にコーティング剤が塗布されている。接着層38の断面38aは、第3貫通穴60cの内周面よりも第2貫通穴60bの内周面方向にくぼんだ状態となり、第3貫通穴60cとの間に段差を形成している。また、接着層38の断面38aは、第2貫通穴60bの内周面よりも大径であり、断面38aと第2貫通穴60bとの間にも段差が形成されている。基台33中、ガス供給穴60の周りにはスリーブ202が配置されている。
貫通穴70は、支持台34を貫通する第1貫通穴70aと、基台33を貫通する第2貫通穴70bと、静電チャック36を貫通する第3貫通穴70cとを含む。第1貫通穴70a、第2貫通穴70b、第3貫通穴70cは、略同径である。第2貫通穴70bと第3貫通穴70cとの間で露出する接着層38の断面38b上にコーティング剤が塗布されている。断面38bは、第2貫通穴70bおよび第3貫通穴70cの内周面よりもくぼんでおり、第2貫通穴70bおよび第3貫通穴70cとの間に段差を形成している。基台33中、貫通穴70の周りにはスリーブ201が配置されている。
(コーティング装置1の一例)
図3は、一実施形態に係るコーティング方法に用いるコーティング装置1の一例の概略図である。コーティング装置1は、チューブ2と、バルーン3と、ガイド4と、ガス供給部5と、を備える。
チューブ2は、可撓性の管状部材である。チューブ2の材料は特に限定されず、所定の剛性および可撓性を有すればよい。チューブ2は内部に気体を供給可能な構成であり、一端においてバルーン3に接続され、他端においてガス供給部5に接続される。
バルーン3は、伸縮自在の材料で形成され、所定の大きさに膨張可能である。バルーン3は、膨張したときには略球形状となり、収縮したときにはチューブ2と略同径の管状となる。バルーン3は、チューブ2の一端を外側から覆うように装着されている。チューブ2の他端から気体が供給されると、チューブ2の一端に装着されたバルーン3が膨張する。また、チューブ2の他端から気体が吸引されると、チューブ2の一端に装着されたバルーン3が収縮する。バルーン3の一端はチューブ2が接続され、バルーンの他端にはガイド4が接続されている。
ガイド4は、バルーン3よりも剛性の部材であり、バルーン3をガス供給穴60および貫通穴70に挿入するときに、バルーン3の方向を規定しバルーン3を案内する役割を有する。ただし、バルーン3の形状および材質に応じてガイド4は省略することもできる。また、ガイド4は、図示するような針形状であってもよく、ガス供給穴60および貫通穴70の穴径に適合する径方向突出部を有してもよい。
ガス供給部5は、チューブ2の他端に接続され、所定の気体をチューブ2を介してバルーン3内に供給する。ガス供給部5は、たとえば、オペレータが操作するポンプと気体貯留部とを含む。
(コーティング方法の流れの一例)
図4は、一実施形態に係るコーティング方法の流れの一例を示すフローチャートである。以下、ガス供給穴60および貫通穴70をまとめて、貫通穴60,70と呼ぶ。また、ガス供給穴60および貫通穴70に対して適用するコーティング方法は概ね共通であるため、図4〜6、図8には代表として貫通穴70の形状を示す。
まず、コーティング装置1のバルーン3表面にコーティング剤を塗布する。そして、コーティング装置1のガイド4側からバルーン3を貫通穴60,70に挿入する挿入工程を実行する(ステップS1)。
図5は、一実施形態のコーティング方法の挿入工程を説明するための図である。図5に示すように、コーティング装置1は、貫通穴60,70の下方から挿入してもよく、上方から挿入してもよい。なお、挿入時はバルーン3表面のコーティング剤が貫通穴60,70の内周面の不要な部分に付着しないよう、コーティング装置1の周方向に張り出すガイドを別途設けてもよい。また、たとえば、コーティング装置1のバルーン3を覆う外皮を設けて、バルーン3が所定位置に到達した時点で外皮を取り外すことができるようにしてもよい。たとえば、バルーン3部分を二重管構造としてもよい。
次に、ガイド4が貫通穴60,70の所定位置に到達したか否かを判定する判定工程を実行する(ステップS2)。図6は、一実施形態のコーティング方法の判定工程を説明するための図である。コーティング装置1のチューブ2は予め所定の長さL1に形成される。また、貫通穴60,70の入口から接着層38の断面38a,38bまでの距離L2は予め取得しておく。そして、貫通穴60,70に未挿入のチューブ2の長さL3がL1−L2となったとき、ガイド3が所定位置に到達したと判定する。所定位置に到達していないと判定された場合は、さらコーティング装置1の挿入(ステップS1)を続ける。所定位置に到達したと判定された場合は、次の膨張工程(ステップS3)に進む。
膨張工程においては、ガス供給部5の操作によりバルーン3を膨張させる。バルーン3の表面が貫通穴60,70の内周面に接する大きさまでバルーン3が膨張すると、膨張工程を終える。
図7Aは、一実施形態のコーティング方法の膨張工程において膨張したバルーンの一例を説明するための図である。図7Aの例は、貫通穴70内にバルーン3を挿入して膨張させた状態を示している。貫通穴70は、内周面が第2貫通穴70bと第3貫通穴70cとで略同一径である。このため、接着層38の断面38bは、溝状にくぼんだ凹部となっている。バルーン3は、断面38bを第2貫通穴70b側および第3貫通穴70c側の双方から塞ぐ位置に配置されて膨張される。このため、バルーン3の膨張によって断面38bの凹部にコーティング剤を集中させることができる。
図7Bは、一実施形態のコーティング方法の膨張工程において膨張したバルーンの他の例を説明するための図である。図7Bの例は、ガス供給穴60内にバルーン3を挿入して膨張させた状態を示している。ガス供給穴60は、内周面が第3貫通穴60c側で第2貫通穴60b側よりも小径となっている。このため、バルーン3は、ガイド4側が静電チャック36の下面に接する位置まで挿入された時点で膨張される。この位置でバルーン3を膨張させることで、バルーン3のガイド4側が、静電チャック36の下面から第2貫通穴60bの内周面までを覆うように膨張し、接着層38の断面38aを覆う位置にコーティング剤を集中させることができる。
次に、塗布工程を実行する(ステップS4)。塗布工程では、バルーン3が膨張した状態で、貫通穴60,70の内周面上にバルーンを押し付けつつ細かく摺動させる。これによって、バルーン3の表面上のコーティング剤が貫通穴60,70の内周面上に塗布される。なお、塗布工程の後に、コーティング剤を乾燥させる乾燥工程を設けてもよい。
塗布工程が終了すると、コーティング装置1を貫通穴60,70から抜き取る抜脱工程を実行する(ステップS5)。これで実施形態のコーティング方法は終了する。
なお、コーティング剤は、上記のように挿入工程の前にバルーン3の表面に塗布しておくことで、ガス供給穴60または貫通穴70の内周面上に付着させてもよい。また、予め別の手段によりコーティング剤をガス供給穴60または貫通穴70内に導入しておき、挿入したバルーン3によって内周面上になじませてもよい。接着層38の断面38a,38bは内周面上で凹部または段差を形成している。このため、何れの場合も、コーティング剤が付着したバルーン3の表面がガス供給穴60または貫通穴70内の内周面に接触した状態でバルーン3を動かすことにより、断面38a,38b上にコーティング剤を塗布することができる。
また、上記実施形態のコーティング方法は、オペレータが手動で実行するものとしてもよく、プラズマ処理装置10の制御部90に記憶されたプログラムにしたがい、制御部90が自動で実行するものとしてもよい。
また、上記実施形態のコーティング方法において、コーティング装置は載置台31の上方から挿入しても下方から挿入してもよい。
また、膨張工程でバルーン3に供給するガスは、温調ガスとしてもよい。たとえば、所定の温度まで加熱した気体を供給することにより熱硬化性のコーティング剤を硬化させるようにしてもよい。
また、塗布工程は、バルーン3を動かさずに、一定期間バルーンが膨張した状態を維持しつつ貫通穴60,70の内周面に押し付けることで実行してもよい。この場合、バルーン3の表面をコーティング剤が剥離しやすい材料で形成することが好ましい。たとえば、バルーン3の材質は、シリコーン、ナイロン等であってよい。
なお、上記実施形態において用いるコーティング剤は、耐ラジカル性のある材料を選択する。たとえば、フッ化物をコーティング剤に用いることができる。またたとえば、熱可塑性、熱硬化性の材料が好ましい。ただし、プラズマ処理において載置台が高温となることから、耐熱性のある材料が好ましい。また、貫通穴60,70内で所定位置にコーティング剤を滞留させるために、コーティング剤は流動性が低い材料が好ましい。
また、バルーンの形状および材質は貫通穴内部の形状および貫通穴の径に応じて選択できる。このため、本実施形態のコーティング装置1を用いて、多様な形状および大きさの貫通穴内部をコーティングできる。また、コーティング装置1が備えるチューブ2の長さやガイド4の形状を調整することにより、載置台深部の構造体にもコーティングできる。
図8は、貫通穴60,70に対するコーティング装置1の大きさの目安を示す図である。図8に示すように、貫通穴60,70の径をXとした場合、コーティング装置1中バルーン3上にコーティング剤が塗布された状態でのバルーン3部分の径は、X/2程度が好ましい。この大きさとすることで、貫通穴60,70へのバルーン3の挿入が容易となるとともに、膨張時のバルーン3を貫通穴60,70の内周面に確実に押し付けることができる。なお、貫通穴70の径はたとえば、3〜3.5ミリメートル程度である。また、ガス供給穴60の径はたとえば、0.8〜1ミリメートル程度である。
なお、上記実施形態のコーティング装置を用いることで、使用中にダメージが生じたプラズマ処理装置のメンテナンス時に、接着層部分を再コーティングすることも可能である。
(実施形態の効果)
上記のように、実施形態における載置台のコーティング方法は、挿入工程と、膨張工程と、塗布工程と、を含む。挿入工程において、第1端にバルーンが取り付けられたチューブを、載置台の載置面で開口し載置台を貫通する貫通穴に挿入する。そして、膨張工程において、チューブの第1端が所定位置に到達した時、チューブの第2端から当該チューブ内に気体を供給することでバルーンを膨張させる。塗布工程において、膨張させたバルーンの表面を貫通穴の内周面に押し付けて、貫通穴の内周面にコーティング剤を塗布する。このため、予め構造物を載置台内に配置する必要なく、載置台の任意の位置にコーティングを施すことができる。また、バルーンを用いることで、細径の貫通穴や、多様な内周面形状の貫通穴内にコーティングを施すことができる。また、上記コーティング方法によれば、載置台内部の静電チャックと基台との間で露出する接着層の断面をコーティングできる。このため、実施形態のコーティング方法によれば、載置台の接着部分の消耗を抑制できる。
また、上記実施形態のコーティング方法は、膨張工程において、チューブ内に温調ガスを供給する。このため、上記コーティング方法によれば、短時間で貫通穴内のコーティングを完了することができる。
また、上記実施形態のコーティング方法は、チューブの第1端が所定位置に到達したか否かを、チューブの挿入長さに応じて判定する判定工程をさらに含む。このため、簡便な手段によりバルーン位置を判定してコーティングを実行することができる。なお、バルーンおよびチューブの形状によっては、バルーンの先端またはガイドの先端が所定位置に到達したか否かに応じて、チューブの第1端が所定位置に到達したか否かを判定してもよい。
また、上記実施形態のコーティング方法は、チューブの第1端が、載置台の静電チャックと基台とを接着する接着層の露出断面に到達したときにチューブの第1端が所定位置に到達したと判定する。このため、上記コーティング方法によれば、プラズマに曝露されて消耗する接着層をコーティング剤により被覆して保護することができる。
また、上記実施形態のコーティング方法は、塗布工程において、バルーンの表面を貫通穴の内周面中、接着層の露出断面に押し付けて、コーティング剤を塗布する。このため、上記コーティング方法によれば、プラズマに曝露されて消耗する接着層をコーティング剤により被覆して保護することができる。
また、上記実施形態のコーティング方法は、塗布工程において、所定時間、バルーンの表面を貫通穴の内周面に押し付けた状態で維持する。このため、コーティング剤の位置や表面の状態をバルーン表面の位置や形状にあわせて調整することができる。
また、上記実施形態のコーティング方法において、コーティング剤は、熱可塑性または熱硬化性の材料である。このため、接着層部分におけるコーティング剤の形状を容易に調整できる。
また、上記実施形態の載置台は、静電チャックと、基台と、接着層と、貫通穴と、被覆部と、を備える。静電チャックは、基板を載置する載置面を有する。基台は、静電チャックを支持する。接着層は静電チャックと基台とを接着する。貫通穴は、静電チャック、接着層および基台を貫通し、静電チャックの載置面で開口する。被覆部は、貫通穴内において接着層を覆う。このため、実施形態の載置台によれば、貫通穴内で接着層がプラズマに対して露出することが防止され、接着層の消耗を抑制できる。
また、上記実施形態の載置台において、被覆部は、コーティング剤である。このため、上記実施形態によれば、容易に被覆部を形成して接着層の消耗を抑制できる。
また、上記実施形態の載置台において、貫通穴内において、接着層の断面は静電チャックおよび基台の少なくとも一方の断面より凹んだ凹部を形成し、被覆部は、接着層の凹部を埋め込んで形成される。このように、被覆部は凹部を埋め込んで形成されるため、コーティング剤により被覆部を確実に形成できる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
1 コーティング装置
2 チューブ
3 バルーン
4 ガイド
5 ガス供給部
10 プラズマ処理装置
30 処理容器
30a 接地導体
31 載置台
33 基台
33b 冷媒入口配管
33c 冷媒出口配管
33d 冷媒流路
34 支持台
35 フォーカスリング
36 静電チャック
36a 電極
36b 絶縁体
36c ヒータ
36d 載置面
37 内壁部材
38 接着層
38a,38b 断面
40a 第1のRF電源
40b 第2のRF電源
41a 第1の整合器
42 直流電源
45a ガス供給配管
45b マスフローコントローラ(MFC)
46 シャワーヘッド
46a 本体部
46b 上部天板
46c ガス拡散室
46d ガス通流孔
46e ガス導入孔
46g ガス導入口
47 絶縁性部材
48a ローパスフィルタ(LPF)
48b 可変直流電源
48c オン・オフスイッチ
50 給電棒
60 ガス供給穴
60a 第1貫通穴
60b 第2貫通穴
60c 第3貫通穴
70 貫通穴
70a 第1貫通穴
70b 第2貫通穴
70c 第3貫通穴
71 リフタピン
72 駆動機構
81 排気口
82 排気管
83 排気装置
84 第1ゲート
86 デポシールド
90 制御部
GV ゲートバルブ
W ウエハ

Claims (10)

  1. 第1端にバルーンが取り付けられたチューブを、載置台の載置面で開口し当該載置台を貫通する貫通穴に挿入する挿入工程と、
    前記チューブの第1端が所定位置に到達した時、前記チューブの第2端から当該チューブ内に気体を供給することで前記バルーンを膨張させる膨張工程と、
    膨張させた前記バルーンの表面を前記貫通穴の内周面に押し付けて、前記貫通穴の内周面にコーティング剤を塗布する塗布工程と、
    を含む、載置台のコーティング方法。
  2. 前記膨張工程において、前記チューブ内に温調ガスを供給する、請求項1に記載のコーティング方法。
  3. 前記チューブの第1端が所定位置に到達したか否かを、前記チューブの挿入長さに応じて判定する判定工程をさらに含む、請求項1または2に記載のコーティング方法。
  4. 前記チューブの第1端が、前記載置台の静電チャックと基台とを接着する接着層の露出断面に到達したときに前記チューブの第1端が所定位置に到達したと判定する、請求項3に記載のコーティング方法。
  5. 前記塗布工程において、前記バルーンの表面を前記貫通穴の内周面中、前記接着層の露出断面に押し付けて、前記コーティング剤を塗布する、請求項4に記載のコーティング方法。
  6. 前記塗布工程において、所定時間、前記バルーンの表面を前記貫通穴の内周面に押し付けた状態で維持する、請求項1から5のいずれか1項に記載のコーティング方法。
  7. 前記コーティング剤は、熱可塑性または熱硬化性の材料である、請求項1から6のいずれか1項に記載のコーティング方法。
  8. 基板を載置する載置面を有する静電チャックと、
    前記静電チャックを支持する基台と、
    前記静電チャックと前記基台とを接着する接着層と、
    前記静電チャック、前記接着層および前記基台を貫通し、前記静電チャックの載置面で開口する貫通穴と、
    前記貫通穴内において前記接着層を覆う被覆部と、
    を備える、載置台。
  9. 前記被覆部は、コーティング剤である、請求項8に記載の載置台。
  10. 前記貫通穴内において、前記接着層の断面は前記静電チャックおよび前記基台の少なくとも一方の断面より凹んだ凹部を形成し、
    前記被覆部は、前記接着層の凹部を埋め込んで形成される、
    請求項8または9に記載の載置台。
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