JP2020144272A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１透明基板１０と、スイッチング素子ＳＷと、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極ＰＥと、を備えた第１基板ＳＵＢ１と、第２透明基板２０と、第１共通電極ＣＥ１と、前記第１共通電極と同電位の第２共通電極ＣＥ２と、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間に設けられた絶縁膜２１と、を備えた第２基板ＳＵＢ２と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層ＬＣと、を備え、前記第１共通電極は、前記液晶層と前記絶縁膜との間に設けられ、第１開口部ＡＰ１と、第１電極部ＥＬ１と、を備え、前記第２共通電極は、前記絶縁膜と前記第２透明基板２０との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部ＥＬ２を備えている、表示装置。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、光に対して散乱性あるいは透明性を呈する光変調素子を備えた照明装置が種々提案されている。一例では、光変調素子は、光変調層として高分子分散液晶層を備えている。光変調素子は、導光板の背後に配置され、導光板の側面から入射した光を散乱するものである。

特開２０１２−１５１０８１号公報 国際公開第２０１３／１６８６３９号

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１基板と、第２透明基板と、第１共通電極と、前記第１共通電極と同電位の第２共通電極と、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１共通電極は、前記液晶層と前記絶縁膜との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、前記第２共通電極は、前記絶縁膜と前記第２透明基板との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された第１画素電極及び第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第１基板と、第２透明基板と、共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１画素電極は、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、前記第２画素電極は、前記第１透明基板と前記絶縁膜との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第２基板の側面と対向する発光素子と、を備え、前記第１基板または前記第２基板は、透明基板と、第１透明電極と、前記第１透明電極と同電位の第２透明電極と、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた絶縁膜と、を備え、前記第１透明電極及び前記第２透明電極はそれぞれ、複数の開口部を有し、前記第１透明電極の開口部と、前記第２透明電極の開口部とは互いに重畳せず、前記第１透明電極は、第１開口部と、第３開口部と、を備え、前記第１開口部は、前記発光素子と第３開口部との間に設けられ、前記第３開口部より大きい幅を有する、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。 図３は、図２に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。 図４は、図２に示した第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２の一例を示す平面図である。 図５は、図４に示した第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２が重畳した状態を示す平面図である。 図６は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す断面図である。 図７は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の一例を示す断面図である。 図８は、画素ＰＸ３における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。 図９は、画素ＰＸ１における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。 図１０は、図８に示した画素ＰＸ３における輝度分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。 図１１は、図９に示した画素ＰＸ１における輝度分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。 図１２は、画素ＰＸ２における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。 図１３は、第２構成例を示す断面図である。 図１４は、第３構成例を示す断面図である。 図１５は、第４構成例を示す断面図である。 図１６は、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２に電圧を印加するための給電構造を示す断面図である。 図１７は、第５構成例を示す断面図である。 図１８は、図１７に示した共通電極ＣＥに電圧を印加するための給電構造を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、高分子分散型液晶を適用した液晶表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２と、発光素子ＬＤと、を備えている。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シールＳＥと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、重畳している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シールＳＥによって接着されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、シールＳＥによって封止されている。図１において、液晶層ＬＣ及びシールＳＥは、異なる斜線で示している。

図１において拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延出した筋状に形成されている。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。液晶層ＬＣに電圧が印加された状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置している。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された画素ＰＸを備えている。
図１において拡大して示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥに対して共通に設けられている。画素電極ＰＥの各々は、第３方向Ｚにおいて共通電極ＣＥと対向している。液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

後に説明するが、走査線Ｇ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、及び、画素電極ＰＥは、第１基板ＳＵＢ１に設けられ、共通電極ＣＥは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。第１基板ＳＵＢ１において、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、配線基板１あるいはＩＣチップ２と電気的に接続されている。

配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の延出部Ｅｘに電気的に接続されている。配線基板１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、配線基板１に電気的に接続されている。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに電気的に接続されてもよい。

発光素子ＬＤは、平面視で延出部Ｅｘに重畳している。複数の発光素子ＬＤは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。

〔第１構成例〕
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に設けられている。
第１基板ＳＵＢ１は、第１透明基板１０と、絶縁膜１１及び１２と、容量電極１３と、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＬ１と、を備えている。第１透明基板１０は、主面（下面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面（上面）１０Ｂと、を備えている。スイッチング素子ＳＷは、主面１０Ｂ側に配置されている。絶縁膜１１は、スイッチング素子ＳＷを覆っている。なお、図１に示した走査線Ｇ及び信号線Ｓは、第１透明基板１０と絶縁膜１１との間に配置されているが、ここでは図示を省略している。容量電極１３は、絶縁膜１１及び１２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２と配向膜ＡＬ１との間において、画素ＰＸ毎に配置されている。画素電極ＰＥは、容量電極１３の開口部ＯＰを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２を挟んで、容量電極１３と重畳し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＣに接している。

第２基板ＳＵＢ２は、第２透明基板２０と、第１共通電極ＣＥ１と、第２共通電極ＣＥ２と、絶縁膜２１と、配向膜ＡＬ２と、を備えている。第２透明基板２０は、主面（下面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面（上面）２０Ｂと、を備えている。第２透明基板２０の主面２０Ａは、第１透明基板１０の主面１０Ｂと向かい合っている。なお、第２基板ＳＵＢ２は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷの直上に遮光層を備えていてもよい。

絶縁膜２１は、第１共通電極ＣＥ１と第２共通電極ＣＥ２との間に設けられている。一例では、絶縁膜２１は、透明な有機絶縁膜であるが、無機絶縁膜であってもよい。第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は、複数の画素ＰＸに亘って配置され、第３方向Ｚにおいて、複数の画素電極ＰＥと対向している。

第１共通電極ＣＥ１は、液晶層ＬＣと絶縁膜２１との間に設けられている。第１共通電極ＣＥ１は、第１開口部ＡＰ１と、第１開口部ＡＰ１を規定する第１電極部ＥＬ１と、を備えている。換言すると、第１共通電極ＣＥ１のうち、第１開口部ＡＰ１ではない領域を第１電極部ＥＬ１とする。配向膜ＡＬ２は、第１共通電極ＣＥ１を覆っている。配向膜ＡＬ２は、第１開口部ＡＰ１において絶縁膜２１に接している。また、配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。
第２共通電極ＣＥ２は、第１共通電極ＣＥ１と同電位であり、後述するが、非表示部ＮＤＡにおいて互いに電気的に接続されている。また、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は、容量電極１３と電気的に接続されており、容量電極１３とは同電位である。第２共通電極ＣＥ２は、絶縁膜２１と第２透明基板２０との間に設けられている。第２共通電極ＣＥ２は、第１開口部ＡＰ１と重畳する第２電極部ＥＬ２を備えている。図２に示した例では、第２共通電極ＣＥ２は、第２電極部ＥＬ２によって規定される第２開口部ＡＰ２を備えている。なお、第２共通電極ＣＥ２のうち、第２開口部ＡＰ２ではない領域を第２電極部ＥＬ２とする。絶縁膜２１は、第２開口部ＡＰ２において第２透明基板２０に接している。第１電極部ＥＬ１は、第２開口部ＡＰ２と重畳している。
第３方向Ｚにおいて、画素電極ＰＥは、第１電極部ＥＬ１と対向し、また、第１開口部ＡＰ１では第２電極部ＥＬ２と対向している。

第１透明基板１０及び第２透明基板２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。絶縁膜１１は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アクリル樹脂などの透明な絶縁材料によって形成されている。一例では、絶縁膜１１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜を含んでいる。絶縁膜１２は、シリコン窒化物などの無機絶縁膜である。容量電極１３、画素電極ＰＥ、第１共通電極ＣＥ１、及び、第２共通電極ＣＥ２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば第１方向Ｘに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。

図３は、図２に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。走査線Ｇは第１方向Ｘに延出し、信号線Ｓは第２方向Ｙに延出している。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓの交差部に設けられている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、走査線Ｇと一体のゲート電極ＳＷＧに重畳している。信号線Ｓと一体のソース電極ＳＷＳ、及び、ドレイン電極ＳＷＤは、それぞれ半導体層ＳＣと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、隣接する走査線Ｇの間、及び、隣接する信号線Ｓの間に設けられている。画素電極ＰＥは、ドレイン電極ＳＷＤに重畳し、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。

図４は、図２に示した第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２の一例を示す平面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ２個ずつ並んだ４個の画素電極ＰＥを点線で示している。

図４（Ａ）に示すように、第１共通電極ＣＥ１は、１個の画素電極ＰＥに重畳する３個の第１開口部ＡＰ１を備えている。複数の第１開口部ＡＰ１は、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。なお、複数の第１開口部ＡＰ１は、第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに延出してもよい。第１開口部ＡＰ１の形状は、図４に示した例の長方形に限定されるものではなく、正方形、円形、楕円形など他の形状であってもよい。第１共通電極ＣＥ１は、１個の画素電極ＰＥに重畳する領域において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んだ複数の第１開口部ＡＰ１を備えていてもよい。第１電極部ＥＬ１は、第１開口部ＡＰ１を規定し、各画素電極ＰＥに重畳している。また、第１電極部ＥＬ１の一部は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣接する画素電極ＰＥに跨って重畳している。

図４（Ｂ）に示すように、第２共通電極ＣＥ２は、１個の画素電極ＰＥに重畳する４個の第２開口部ＡＰ２を備えている。また、一部の第２開口部ＡＰ２は、第２方向Ｙに隣接する画素電極ＰＥに跨って重畳している。第２開口部ＡＰ２は、第１電極部ＥＬ１と重畳する領域に形成されている。複数の第２開口部ＡＰ２は、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。なお、第２開口部ＡＰ２のレイアウト及び形状については、第１開口部ＡＰ１と同様に、図示した例に限定されるものではない。第２電極部ＥＬ２は、第２開口部ＡＰ２を規定し、各画素電極ＰＥに重畳している。第２電極部ＥＬ２は、少なくとも第１開口部ＡＰ１と重畳する領域に形成されている。換言すると、第２電極部ＥＬ２の形状は、第１開口部ＡＰ１の形状に合わせて適宜変形されてもよい。

図５は、図４に示した第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２が重畳した状態を示す平面図である。
第１共通電極ＣＥ１はドットパターンで示し、第２共通電極ＣＥ２は斜線で示している。画素電極ＰＥの各々は、第１電極部ＥＬ１と重畳するとともに、第１開口部ＡＰ１においては第２電極部ＥＬ２と重畳している。平面視において、第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との間に隙間がないことが望ましい。

図６は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す断面図である。なお、表示パネルＰＮＬについては、主要部のみを図示し、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は簡略化して図示している。

第２透明基板２０は、第２方向Ｙにおいて、発光素子ＬＤと対向する側面２０Ｃを備えている。発光素子ＬＤは、配線基板Ｆに電気的に接続されている。発光素子ＬＤは、例えば、発光ダイオードであり、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。

次に、図６を参照しながら、発光素子ＬＤから出射される光Ｌ１について説明する。
発光素子ＬＤは、側面２０Ｃに向けて光Ｌ１を出射する。発光素子ＬＤから出射された光Ｌ１は、第２方向Ｙを示す矢印の向きに沿って進行し、側面２０Ｃから第２透明基板２０に入射する。第２透明基板２０に入射した光Ｌ１は、繰り返し反射されながら、表示パネルＰＮＬの内部を進行する。電圧が印加されていない液晶層ＬＣに入射した光Ｌ１は、ほとんど散乱されることなく液晶層ＬＣを透過する。また、電圧が印加された液晶層ＬＣに入射した光Ｌ１は、液晶層ＬＣで散乱される。表示装置ＤＳＰは、主面１０Ａ側から観察可能であるとともに、主面２０Ｂ側からも観察可能である。また、表示装置ＤＳＰは、主面１０Ａ側から観察した場合であっても、主面２０Ｂ側から観察した場合であっても、表示装置ＤＳＰを介して、表示装置ＤＳＰの背景を観察可能である。

図６に示した表示パネルＰＮＬにおいて、発光素子ＬＤに近接した画素ＰＸ３、画素ＰＸ３よりも発光素子ＬＤから離間した画素ＰＸ１、画素ＰＸ１よりも発光素子ＬＤから離間した画素ＰＸ２について、それぞれの構成を説明する。例えば、画素ＰＸ１は表示パネルＰＮＬのほぼ中央に位置していてもよい。

図７は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の一例を示す断面図である。なお、ここでは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の主要部のみを図示している。

画素ＰＸ１において、第１共通電極ＣＥ１は、第１開口部ＡＰ１と、第１電極部ＥＬ１と、を備えている。第１開口部ＡＰ１は、第２方向Ｙに沿って幅Ｗ１１を有している。第１電極部ＥＬ１は、第２方向Ｙに沿って幅Ｗ１２を有している。第２共通電極ＣＥ２は、第１電極部ＥＬ１と重畳する第２開口部ＡＰ２と、第１開口部ＡＰ１と重畳する第２電極部ＥＬ２と、を備えている。第２開口部ＡＰ２の幅は幅Ｗ１２と同等であり、第２電極部ＥＬ２の幅は幅Ｗ１１と同等である。画素電極ＰＥ１は、第１電極部ＥＬ１及び第２電極部ＥＬ２と重畳している。

画素ＰＸ２において、第１共通電極ＣＥ１は、第３開口部ＡＰ３と、第３開口部ＡＰ３を規定する第３電極部ＥＬ３と、を備えている。換言すると、画素ＰＸ２の第１共通電極ＣＥ１のうち、第３開口部ＡＰ３ではない領域を第３電極部ＥＬ３とする。第３電極ＥＬ３は、第１電極部ＥＬ１と一体的に形成され、第１電極部ＥＬ１とは同電位である。第３開口部ＡＰ３は、第２方向Ｙに沿って、幅Ｗ１１とは異なる幅Ｗ２１を有している。第３電極部ＥＬ３は、第２方向Ｙに沿って、幅Ｗ１２とは異なる幅Ｗ２２を有している。
第２共通電極ＣＥ２は、第４開口部ＡＰ４と、第４開口部ＡＰ４を規定する第４電極部ＥＬ４と、を備えている。換言すると、画素ＰＸ２の第２共通電極ＣＥ１のうち、第４開口部ＡＰ４ではない領域を第４電極部ＥＬ４とする。第４電極ＥＬ４は、第２電極部ＥＬ２と一体的に形成され、第２電極部ＥＬ２とは同電位である。第４開口部ＡＰ４は第３電極部ＥＬ３と重畳し、第４電極部ＥＬ４は第３開口部ＡＰ３と重畳している。第４開口部ＡＰ４の幅は幅Ｗ２２と同等であり、第４電極部ＥＬ４の幅は幅Ｗ２１と同等である。画素電極ＰＥ２は、第３電極部ＥＬ３及び第４電極部ＥＬ４と重畳している。

第１共通電極ＣＥ１において、第１開口部ＡＰ１は、第２方向Ｙに沿って、発光素子ＬＤと第３開口部ＡＰ３との間に設けられている。第３開口部ＡＰ３の幅Ｗ２１は、第１開口部ＡＰ１の幅Ｗ１１より小さい。また、第１電極部ＥＬ１は、第２方向Ｙに沿って、発光素子ＬＤと第３電極部ＥＬ３との間に設けられている。第３電極部ＥＬ３の幅Ｗ２２は、第１電極部ＥＬ１の幅Ｗ１２より小さい。

画素電極ＰＥ２に重畳する第３開口部ＡＰ３の個数は、画素電極ＰＥ１に重畳する第１開口部ＡＰ１の個数よりも多い。また、第３開口部ＡＰ３を規定する第３電極部ＥＬ３のエッジの本数は、第１開口部ＡＰ１を規定する第１電極部ＥＬ１のエッジの本数よりも多い。つまり、第１共通電極ＣＥ１は、画素ＰＸ１よりも画素ＰＸ２において、より細分化されている。

画素ＰＸ３において、第１共通電極ＣＥ１は、第５電極部ＥＬ５を備えている。第５電極ＥＬ５は、第１電極部ＥＬ１と一体的に形成され、第１電極部ＥＬ１とは同電位である。なお、第１共通電極ＣＥ１は、第５開口部を備えていてもよいが、ここでは図示を省略している。第２共通電極ＣＥ２は、第５電極部ＥＬ５と重畳する第６開口部ＡＰ６を備えている。なお、第２共通電極ＣＥ２は、第１共通電極ＣＥ１が第５開口部を備えている場合に、第５開口部と重畳する第６電極部を備えていることが望ましい。画素電極ＰＥ３は、第５電極部ＥＬ５と重畳している。第２共通電極ＣＥ２が第６電極部を備えている場合には、画素電極ＰＥ３は、第６電極と重畳する。

図８は、画素ＰＸ３における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。画素ＰＸ３に電圧が印加された際には、画素電極ＰＥ３と第１共通電極ＣＥ１の第５電極部ＥＬ５との間に電界が形成される。このとき、等電位面の各々は、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行である。つまり、画素電極ＰＥ３と第５電極部ＥＬ５との間には、第３方向Ｚにほぼ平行な電気力線が形成される。液晶分子ＬＭは、正の誘電率異方性を有しており、その長軸が電気力線に沿うように配向する。つまり、画素電極ＰＥ３と第５電極部ＥＬ５との間の液晶層ＬＣにおいて、ほぼすべての液晶分子ＬＭは、第３方向Ｚに沿うように配向している。

図９は、画素ＰＸ１における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。画素ＰＸ１に電圧が印加された際には、画素電極ＰＥ１と第１共通電極ＣＥ１の第１電極部ＥＬ１との間、及び、画素電極ＰＥ１と第２共通電極ＣＥ２の第２電極部ＥＬ２との間にそれぞれ電界が形成される。このとき、画素電極ＰＥ１と第１電極部ＥＬ１との間の等電位面は、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行である。画素電極ＰＥ１と第２電極部ＥＬ２との間の等電位面の間隔は、第３方向Ｚに広がり、一部の等電位面が第１開口部ＡＰ１を超えて第２電極部ＥＬ２に向かって形成される。第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との境界（あるいは第１電極部ＥＬ１のエッジＥ１）付近では、等電位面は、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜する。
画素電極ＰＥ１と第１電極部ＥＬ１との間の液晶分子ＬＭは、第３方向Ｚに沿うように配向している。第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との境界付近では、傾斜した等電位面の影響を受けて、液晶分子ＬＭは、第３方向Ｚに対して斜めに配向している。

図１０は、図８に示した画素ＰＸ３における輝度分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。図中の輝度分布Ｂ３は、画素ＰＸ３に電圧が印加された際に、発光素子から画素ＰＸ３に伝播された光の散乱強度の分布に相当する。画素電極ＰＥ３と第５電極部ＥＬ５との間において、輝度ＢＡは、場所によらず、ほぼ一定となる。

図１１は、図９に示した画素ＰＸ１における輝度分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。図中の輝度分布Ｂ１は、画素ＰＸ１に電圧が印加された際に、発光素子から画素ＰＸ１に伝播された光の散乱強度の分布に相当する。第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との境界付近において、画素ＰＸ３の輝度ＢＡより高い輝度ＢＢが得られる。例えば、輝度ＢＢは、輝度ＢＡの１．３〜１．５倍である。このような輝度の増加は、第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との境界付近において、第３方向Ｚに対して斜めに配向した液晶分子ＬＭによってもたらされるものである。
なお、画素電極ＰＥ１と第１電極部ＥＬ１との間、及び、画素電極ＰＥ１と第２電極部ＥＬ２との間において、液晶分子ＬＭが第３方向Ｚに沿って配向した領域では、画素ＰＸ３と同等の輝度ＢＡが得られる。
したがって、画素ＰＸ１及び画素ＰＸ３に同一輝度の光が伝播された場合には、画素ＰＸ１における散乱光の輝度は、画素ＰＸ３における散乱光の輝度より大きくなる。

図１２は、画素ＰＸ２における電界分布及び液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。画素ＰＸ２に電圧が印加された際には、画素電極ＰＥ２と第１共通電極ＣＥ１の第３電極部ＥＬ３との間、及び、画素電極ＰＥ２と第２共通電極ＣＥ２の第４電極部ＥＬ４との間にそれぞれ電界が形成される。第３電極部ＥＬ３と第４電極部ＥＬ４との境界付近では、等電位面は、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜する。第３電極部ＥＬ３と第４電極部ＥＬ４との境界付近では、傾斜した等電位面の影響を受けて、液晶分子ＬＭは、第３方向Ｚに対して斜めに配向している。画素電極ＰＥ２と第３電極部ＥＬ３との間、及び、画素電極ＰＥ２と第４電極部ＥＬ４との間においては、液晶分子ＬＭは、第３方向Ｚに沿うように配向している。

図７を参照して説明したように、画素ＰＸ２における第３開口部ＡＰ３の個数は、画素ＰＸ１における第１開口部ＡＰ１の個数よりも多い。つまり、第３電極部ＥＬ３と第４電極部ＥＬ４との境界の個数は、第１電極部ＥＬ１と第２電極部ＥＬ２との境界の個数よりも多い。このため、画素ＰＸ２において輝度が増加する領域は、画素ＰＸ１において輝度が増加する領域より大きい。したがって、画素ＰＸ１及び画素ＰＸ２に同一輝度の光が伝播された場合には、画素ＰＸ２における散乱光の輝度は、画素ＰＸ１における散乱光の輝度より大きくなる。

本実施形態の表示装置ＤＳＰは、発光素子ＬＤからの光Ｌ１が第２基板ＳＵＢ２の側面２０Ｃから入射し、表示パネルＰＮＬを伝播する方式である。このような表示装置ＤＳＰにおける輝度分布に着目すると、発光素子ＬＤから離れるほど輝度が低下する傾向にある。
画素ＰＸ１に伝播される光の輝度を第１輝度と称し、画素ＰＸ１より発光素子ＬＤに近接する画素ＰＸ３に伝播される光の輝度を第３輝度と称する。第１輝度は、第３輝度より低い。一方で、画素ＰＸ１における散乱光の輝度は、画素ＰＸ３における散乱光の輝度より大きい。このため、画素ＰＸ１及び画素ＰＸ３において、表示に寄与する光量を同等化することができる。
画素ＰＸ１より発光素子ＬＤから離間した画素ＰＸ２に伝播される光の輝度を第２輝度と称する。第２輝度は、第１輝度より低い。一方で、画素ＰＸ２における散乱光の輝度は、画素ＰＸ１における散乱光の輝度より大きい。このため、画素ＰＸ１及び画素ＰＸ２において、表示に寄与する光量を同等化することができる。したがって、輝度の低下に伴う表示品位の低下を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、第２共通電極ＣＥ２は、第１電極部ＥＬ１と重畳する第２開口部ＡＰ２を備えている。このため、第２共通電極ＣＥ２が光吸収性の透明電極であったとしても、第２開口部ＡＰ２を備えていない場合と比較して、電極面積を低減することができ、光吸収を抑制することができる。

〔第２構成例〕
図１３は、第２構成例を示す断面図である。図１３に示す第２構成例の第２基板ＳＵＢ２は、図２に示した第１構成例の第２基板ＳＵＢ２と比較して、透明層ＴＬを備えた点で相違している。なお、図１３では、第２基板ＳＵＢ２及び液晶層ＬＣを図示し、第１基板の図示を省略している。

透明層ＴＬは、第２電極部ＥＬ２と第２透明基板２０との間に設けられている。透明層ＴＬは、第２透明基板２０及び第２電極部ＥＬ２にそれぞれ接している。また、図示しないが、第２共通電極ＣＥ２の他の電極部と第２透明基板２０との間にも同様の透明層ＴＬが設けられている。なお、第２電極部ＥＬ２と透明層ＴＬとの間に、他の部材が介在していてもよい。絶縁膜２１は、第２電極部ＥＬ２及び透明層ＴＬを覆っている。
透明層ＴＬは、例えば、シロキサン系樹脂や、フッ素系樹脂などの透明な有機材料によって形成された絶縁層である。屈折率に関して、透明層ＴＬの屈折率ｎＴＬは、第２透明基板２０の屈折率ｎ２０より低い。なお、第１透明基板１０の屈折率ｎ１０は、屈折率ｎ２０と同等である。例えば、屈折率ｎ１０及びｎ２０は１．５程度であり、屈折率ｎＴＬは、１．０以上１．５以下である。

第２透明基板２０に入射した光のうち、第２電極部ＥＬ２に向かう光Ｌ１１は、第２透明基板２０と透明層ＴＬとの界面で反射され、第２電極部ＥＬ２に到達しない。第２開口部ＡＰに向かう光Ｌ１２は、絶縁膜２１を透過して液晶層ＬＣに入射する。

このような第２構成例によれば、第１構成例と同様の効果が得られる。また、第２共通電極ＣＥ２の光吸収性が絶縁膜２１の光吸収性より高い場合であったとしても、第２共通電極ＣＥ２での光Ｌ１１の吸収を抑制することができ、発光素子ＬＤからの光の利用効率の低下を抑制することができる。

〔第３構成例〕
図１４は、第３構成例を示す断面図である。図１４に示す第３構成例の第２基板ＳＵＢ２は、図１３に示した第２構成例の第２基板ＳＵＢ２と比較して、第２開口部ＡＰ２において絶縁膜２１と第２透明基板２０との間に透明層ＴＬを備えた点で相違している。なお、図１４では、第２基板ＳＵＢ２及び液晶層ＬＣを図示し、第１基板の図示を省略している。透明層ＴＬは、絶縁膜２１及び第２透明基板２０にそれぞれ接している。また、図示しないが、第２共通電極ＣＥ２の他の開口部にも同様の透明層ＴＬが設けられている。透明層ＴＬの材料は、第２構成例で説明したのと同様の材料が適用可能である。透明層ＴＬの屈折率は、第２透明基板２０の屈折率より低い。

第２透明基板２０に入射した光のうち、第２開口部ＡＰ２に向かう光Ｌ２１は、第２透明基板２０と透明層ＴＬとの界面で反射され、第２開口部ＡＰ２を介して絶縁膜２１に到達しない。第２電極部ＥＬ２に向かう光Ｌ２２は、第２電極部ＥＬ２を透過して液晶層ＬＣに入射する。

このような第３構成例によれば、第１構成例と同様の効果が得られる。また、絶縁膜２１の光吸収性が第２共通電極ＣＥ２の光吸収性より高い場合であったとしても、絶縁膜２１での光Ｌ２１の吸収を抑制することができ、発光素子ＬＤからの光の利用効率の低下を抑制することができる。

〔第４構成例〕
図１５は、第４構成例を示す断面図である。図１５に示す第４構成例の表示パネルＰＮＬは、図２に示した第１構成例の表示パネルＰＮＬと比較して、第２共通電極ＣＥ２が開口部を有していない点で相違している。すなわち、第２共通電極ＣＥ２は、第１開口部ＡＰ１及び第１電極部ＥＬ１と重畳している。
このような第４構成例においても、第１構成例と同様に、画素ＰＸに電圧が印加された際には、第１電極部ＥＬ１のエッジＥ１付近で散乱光の輝度が増加する。したがって、第４構成例において、第１構成例と同様の効果が得られる。

〔給電構造〕
図１６は、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２に電圧を印加するための給電構造を示す断面図である。

第１基板ＳＵＢ１は、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する給電線ＦＬと、給電線ＦＬと電気的に接続された給電パッドＰＤと、を備えている。給電線ＦＬは、例えば走査線Ｇあるいは信号線Ｓと同一材料によって形成されている。給電パッドＰＤは、例えば画素電極ＰＥと同一材料によって形成されている。給電線ＦＬ及び給電パッドＰＤは、非表示部ＮＤＡに設けられている。図１６に示した例では、給電線ＦＬは、延出部Ｅｘに設けられている。給電パッドＰＤは、絶縁膜１１及び１２を貫通する貫通孔ＣＨ１において給電線ＦＬに接している。給電パッドＰＤは、配向膜ＡＬ１から露出している。

第２基板ＳＵＢ２において、第１共通電極ＣＥ１は、給電パッドＰＤと重畳する第１接続部ＣＮ１を備えている。第１接続部ＣＮ１は、第１電極部ＥＬ１などの各電極部と一体的に形成されている。第２共通電極ＣＥ２は、第１接続部ＣＮ１と重畳する第２接続部ＣＮ２を備えている。第２接続部ＣＮ２は、第２電極部ＥＬ２などの各電極部と一体的に形成されている。第１接続部ＣＮ１は、絶縁膜２１を貫通する貫通孔ＣＨ２において第２接続部ＣＮ２に接している。これにより、第１接続部ＣＮ１及び第２接続部ＣＮ２は、互いに電気的に接続される。

接続部材ＣＭは、給電パッドＰＤ及び第１接続部ＣＮ１にそれぞれ接している。これにより、給電パッドＰＤ及び第１接続部ＣＮ１は、互いに電気的に接続される。このような接続部材ＣＭは、例えば金メッキなどが施された導電粒子であり、シールＳＥに含まれている。つまり、給電パッドＰＤ及び第１接続部ＣＮ１は、シールＳＥが設けられる領域に配置され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が接着される際に、接続部材ＣＭによって互いに電気的に接続される。

このような給電構造によれば、給電線ＦＬにコモン電圧が供給された際に、給電パッドＰＤ、接続部材ＣＭ、及び、第１接続部ＣＮ１を介して第１共通電極ＣＥ１にコモン電圧を印加することができるとともに、第２接続部ＣＮ２を介して第２共通電極ＣＥ２にも同一のコモン電圧を印加することができる。

〔第５構成例〕
図１７は、第５構成例を示す断面図である。図１７に示す第５構成例の表示パネルＰＮＬは、図７に示した第１構成例の表示パネルＰＮＬと比較して、画素電極が２層化された点で相違している。なお、共通電極ＣＥは、単層であり、図１７に示した例では、配向膜ＡＬ２と絶縁膜２１との間に設けられている。但し、第５構成例においても、図７に示したように、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２が設けられていてもよい。

画素ＰＸ１は、スイッチング素子ＳＷ１と、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続された第１画素電極ＰＥ１１及び第２画素電極ＰＥ１２と、を備えている。第１画素電極ＰＥ１１は、絶縁膜１２と液晶層ＬＣとの間に設けられ、配向膜ＡＬ１によって覆われている。第２画素電極ＰＥ１２は、第１透明基板１０と絶縁膜１２との間に設けられている。第２画素電極ＰＥ１２は、絶縁膜１１の貫通孔ＣＨ１１においてスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。第１画素電極ＰＥ１１は、絶縁膜１２の貫通孔ＣＨ１２において第２画素電極ＰＥ１２に接している。このため、第１画素電極ＰＥ１１及び第２画素電極ＰＥ１２は、同電位である。
画素ＰＸ２においても同様に、第３画素電極ＰＥ１３は絶縁膜１２と液晶層ＬＣとの間に設けられ、第４画素電極ＰＥ１４は第１透明基板１０と絶縁膜１２との間に設けられている。第３画素電極ＰＥ１３及び第４画素電極ＰＥ１４は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、同電位である。
画素ＰＸ３においても同様に、第５画素電極ＰＥ１５は絶縁膜１２と液晶層ＬＣとの間に設けられ、第６画素電極ＰＥ１６は第１透明基板１０と絶縁膜１２との間に設けられている。第５画素電極ＰＥ１５及び第６画素電極ＰＥ１６は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続され、同電位である。

画素ＰＸ１において、第１画素電極ＰＥ１１は、第１開口部ＡＰ１１と、第１開口部ＡＰ１１を規定する第１電極部ＥＬ１１と、を備えている。第１開口部ＡＰ１１は、第２方向Ｙに沿って幅Ｗ３１を有している。第１電極部ＥＬ１１は、第２方向Ｙに沿って幅Ｗ３２を有している。第２画素電極ＰＥ１２は、第２開口部ＡＰ１２と、第２開口部ＡＰ１２を規定する第２電極部ＥＬ１２と、を備えている。第２開口部ＡＰ１２は第１電極部ＥＬ１１と重畳し、第２電極部ＥＬ１２は第１開口部ＡＰ１１と重畳している。第２開口部ＡＰ１２の幅は幅Ｗ３２と同等であり、第２電極部ＥＬ１２の幅は幅Ｗ３１と同等である。共通電極ＣＥは、第１電極部ＥＬ１１及び第２電極部ＥＬ１２と重畳している。

画素ＰＸ２において、第３画素電極ＰＥ１３は、第３開口部ＡＰ１３と、第３開口部ＡＰ１３を規定する第３電極部ＥＬ１３と、を備えている。第３開口部ＡＰ１３は、第２方向Ｙに沿って、幅Ｗ３１とは異なる幅Ｗ４１を有している。第３電極部ＥＬ１３は、第２方向Ｙに沿って、幅Ｗ３２とは異なる幅Ｗ４２を有している。
第４画素電極ＰＥ１４は、第４開口部ＡＰ１４と、第４開口部ＡＰ１４を規定する第４電極部ＥＬ１４と、を備えている。第４開口部ＡＰ１４は第３電極部ＥＬ１３と重畳し、第４電極部ＥＬ１４は第３開口部ＡＰ１３と重畳している。第４開口部ＡＰ１４の幅は幅Ｗ４２と同等であり、第４電極部ＥＬ１４の幅は幅Ｗ４１と同等である。共通電極ＣＥは、第３電極部ＥＬ１３及び第４電極部ＥＬ１４と重畳している。

第１画素電極ＰＥ１１は、第２方向Ｙに沿って、発光素子ＬＤと第３画素電極ＰＥ１３との間に設けられている。第１開口部ＡＰ１１は、第２方向Ｙに沿って、発光素子ＬＤと第３開口部ＡＰ１３との間に設けられている。第３開口部ＡＰ１３の幅Ｗ４１は、第１開口部ＡＰ１１の幅Ｗ３１より小さい。また、第１電極部ＥＬ１１は、第２方向Ｙに沿って、発光素子ＬＤと第３電極部ＥＬ１３との間に設けられている。第３電極部ＥＬ１３の幅Ｗ４２は、第１電極部ＥＬ１１の幅Ｗ３２より小さい。

第３画素電極ＰＥ１３における第３開口部ＡＰ１３の個数は、第１画素電極ＰＥ１１における第１開口部ＡＰ１１の個数よりも多い。また、第３開口部ＡＰ１３を規定する第３電極部ＥＬ１３のエッジの本数は、第１開口部ＡＰ１１を規定する第１電極部ＥＬ１１のエッジの本数よりも多い。つまり、第３画素電極ＰＥ１３は、第１画素電極ＰＥ１１よりも細分化されている。

このような第５構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。

〔給電構造〕
図１８は、図１７に示した共通電極ＣＥに電圧を印加するための給電構造を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する給電線ＦＬと、給電線ＦＬと電気的に接続された接続部ＣＮと、接続部ＣＮと電気的に接続された給電パッドＰＤと、を備えている。給電線ＦＬは、例えば走査線Ｇあるいは信号線Ｓと同一材料によって形成されている。接続部ＣＮは、例えば第２画素電極ＰＥ１２と同一材料によって形成されているが、第２画素電極ＰＥ１２とは電気的に絶縁されている。給電パッドＰＤは、例えば第１画素電極ＰＥ１１と同一材料によって形成されているが、第１画素電極ＰＥ１１とは電気的に絶縁されている。給電線ＦＬ、接続部ＣＮ、及び、給電パッドＰＤは、非表示部ＮＤＡに設けられている。接続部ＣＮは給電線ＦＬに接し、給電パッドＰＤは絶縁膜１２を貫通する貫通孔ＣＨ３において接続部ＣＮに接している。給電パッドＰＤは、配向膜ＡＬ１から露出している。
共通電極ＣＥは、非表示部ＮＤＡにおいて、給電パッドＰＤと重畳している。シールＳＥに含まれる接続部材ＣＭは、給電パッドＰＤ及び共通電極ＣＥにそれぞれ接している。これにより、給電パッドＰＤ及び共通電極ＣＥは、互いに電気的に接続される。
このような給電構造によれば、給電線ＦＬにコモン電圧が供給された際に、接続部ＣＮ、給電パッドＰＤ、及び、接続部材ＣＭを介して共通電極ＣＥにコモン電圧を印加することができる。

本実施形態において、上記の第１構成例では、第２透明基板２０が透明基板に相当し、第１共通電極ＣＥ１が第１透明電極に相当し、第２共通電極ＣＥ２が第２透明電極に相当する。第５構成例では、第１透明基板１０が透明基板に相当し、第１画素電極ＰＥ１１が第１透明電極に相当し、第２画素電極ＰＥ１２が第２透明電極に相当する。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１基板と、
第２透明基板と、第１共通電極と、前記第１共通電極と同電位の第２共通電極と、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第１共通電極は、前記液晶層と前記絶縁膜との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、
前記第２共通電極は、前記絶縁膜と前記第２透明基板との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置。
（２）
前記第２共通電極は、前記第１電極部と重畳する第２開口部を備えている、（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１共通電極は、第３開口部と、第３電極部と、を備え、
前記第２共通電極は、前記第３開口部と重畳する第４電極部を備え、
前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅とは異なる、（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２共通電極は、前記第３電極部と重畳する第４開口部を備えている、（３）に記載の表示装置。
（５）
発光素子を備え、
前記第２透明基板は、前記発光素子と対向する側面を備え、
前記第１開口部は、前記発光素子と前記第３開口部との間に設けられ、
前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅より小さい、（３）または（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第２基板は、前記第２電極部と前記第２透明基板との間に設けられた透明層を備え、
前記透明層は、前記第２透明基板に接し、前記第２透明基板より低い屈折率を有している、（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
前記第２基板は、前記第２開口部において前記絶縁膜と前記第２透明基板との間に設けられた透明層を備え、
前記透明層は、前記第２透明基板に接し、前記第２透明基板より低い屈折率を有している、（２）に記載の表示装置。
（８）
前記第１基板は、給電パッドを備え、
前記第１共通電極は、前記給電パッドと重畳する第１接続部を備え、
前記第２共通電極は、前記第１接続部と重畳する第２接続部を備え、
前記第１接続部は、前記絶縁膜の貫通孔において前記第２接続部に接し、
前記給電パッドと前記第１接続部とを電気的に接続する接続部材を備えている、（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）
前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールを備え、
前記接続部材は、前記シールに含まれている、（８）に記載の表示装置。
（１０）
第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された第１画素電極及び第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第１基板と、
第２透明基板と、共通電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第１画素電極は、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、
前記第２画素電極は、前記第１透明基板と前記絶縁膜との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置。
（１１）
前記第２画素電極は、前記第１電極部と重畳する第２開口部を備えている、（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記第１基板は、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた第３画素電極と、前記第１透明基板と前記絶縁膜との間に設けられ前記第３画素電極と同電位の第４画素電極と、を備え、
前記第３画素電極は、第３開口部と、第３電極部と、を備え、
前記第４画素電極は、前記第３開口部と重畳する第４電極部を備え、
前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅とは異なる、（１０）または（１１）に記載の表示装置。
（１３）
前記第４画素電極は、前記第３電極部と重畳する第４開口部を備えている、（１２）に記載の表示装置。
（１４）
発光素子を備え、
前記第２透明基板は、前記発光素子と対向する側面を備え、
前記第１開口部は、前記発光素子と前記第３開口部との間に設けられ、
前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅より小さい、（１２）または（１３）に記載の表示装置。
（１５）
前記第２画素電極は、前記絶縁膜の貫通孔において前記第１画素電極に接している、（１０）乃至（１４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１６）
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第２基板の側面と対向する発光素子と、を備え、
前記第１基板または前記第２基板は、透明基板と、第１透明電極と、前記第１透明電極と同電位の第２透明電極と、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた絶縁膜と、を備え、
前記第１透明電極及び前記第２透明電極はそれぞれ、複数の開口部を有し、
前記第１透明電極の開口部と、前記第２透明電極の開口部とは互いに重畳せず、
前記第１透明電極は、第１開口部と、第３開口部と、を備え、
前記第１開口部は、前記発光素子と第３開口部との間に設けられ、前記第３開口部より大きい幅を有する、表示装置。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＬＤ…発光素子
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板
ＬＣ…液晶層 ３１…ポリマー ３２…液晶分子
ＰＥ…画素電極 ＣＥ…共通電極
１０…透明基板 ２０…透明基板

Claims (16)

1. 第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１基板と、
   第２透明基板と、第１共通電極と、前記第１共通電極と同電位の第２共通電極と、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
   前記第１共通電極は、前記液晶層と前記絶縁膜との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、
   前記第２共通電極は、前記絶縁膜と前記第２透明基板との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置。
2. 前記第２共通電極は、前記第１電極部と重畳する第２開口部を備えている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１共通電極は、第３開口部と、第３電極部と、を備え、
   前記第２共通電極は、前記第３開口部と重畳する第４電極部を備え、
   前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅とは異なる、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第２共通電極は、前記第３電極部と重畳する第４開口部を備えている、請求項３に記載の表示装置。
5. 発光素子を備え、
   前記第２透明基板は、前記発光素子と対向する側面を備え、
   前記第１開口部は、前記発光素子と前記第３開口部との間に設けられ、
   前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅より小さい、請求項３または４に記載の表示装置。
6. 前記第２基板は、前記第２電極部と前記第２透明基板との間に設けられた透明層を備え、
   前記透明層は、前記第２透明基板に接し、前記第２透明基板より低い屈折率を有している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２基板は、前記第２開口部において前記絶縁膜と前記第２透明基板との間に設けられた透明層を備え、
   前記透明層は、前記第２透明基板に接し、前記第２透明基板より低い屈折率を有している、請求項２に記載の表示装置。
8. 前記第１基板は、給電パッドを備え、
   前記第１共通電極は、前記給電パッドと重畳する第１接続部を備え、
   前記第２共通電極は、前記第１接続部と重畳する第２接続部を備え、
   前記第１接続部は、前記絶縁膜の貫通孔において前記第２接続部に接し、
   前記給電パッドと前記第１接続部とを電気的に接続する接続部材を備えている、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールを備え、
   前記接続部材は、前記シールに含まれている、請求項８に記載の表示装置。
10. 第１透明基板と、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された第１画素電極及び第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた絶縁膜と、を備えた第１基板と、
    第２透明基板と、共通電極と、を備えた第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
    前記第１画素電極は、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられ、第１開口部と、第１電極部と、を備え、
    前記第２画素電極は、前記第１透明基板と前記絶縁膜との間に設けられ、前記第１開口部と重畳する第２電極部を備えている、表示装置。
11. 前記第２画素電極は、前記第１電極部と重畳する第２開口部を備えている、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１基板は、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた第３画素電極と、前記第１透明基板と前記絶縁膜との間に設けられ前記第３画素電極と同電位の第４画素電極と、を備え、
    前記第３画素電極は、第３開口部と、第３電極部と、を備え、
    前記第４画素電極は、前記第３開口部と重畳する第４電極部を備え、
    前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅とは異なる、請求項１０または１１に記載の表示装置。
13. 前記第４画素電極は、前記第３電極部と重畳する第４開口部を備えている、請求項１２に記載の表示装置。
14. 発光素子を備え、
    前記第２透明基板は、前記発光素子と対向する側面を備え、
    前記第１開口部は、前記発光素子と前記第３開口部との間に設けられ、
    前記第３開口部の幅は、前記第１開口部の幅より小さい、請求項１２または１３に記載の表示装置。
15. 前記第２画素電極は、前記絶縁膜の貫通孔において前記第１画素電極に接している、請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 第１基板と、
    第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
    前記第２基板の側面と対向する発光素子と、を備え、
    前記第１基板または前記第２基板は、透明基板と、第１透明電極と、前記第１透明電極と同電位の第２透明電極と、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた絶縁膜と、を備え、
    前記第１透明電極及び前記第２透明電極はそれぞれ、複数の開口部を有し、
    前記第１透明電極の開口部と、前記第２透明電極の開口部とは互いに重畳せず、
    前記第１透明電極は、第１開口部と、第３開口部と、を備え、
    前記第１開口部は、前記発光素子と第３開口部との間に設けられ、前記第３開口部より大きい幅を有する、表示装置。

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