[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2020008516A - Sample analyzer, electron microscope and focusing mirror unit - Google Patents

Sample analyzer, electron microscope and focusing mirror unit Download PDF

Info

Publication number
JP2020008516A
JP2020008516A JP2018132206A JP2018132206A JP2020008516A JP 2020008516 A JP2020008516 A JP 2020008516A JP 2018132206 A JP2018132206 A JP 2018132206A JP 2018132206 A JP2018132206 A JP 2018132206A JP 2020008516 A JP2020008516 A JP 2020008516A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
mirror
charged particles
unit
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018132206A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7072457B2 (en
Inventor
粟田 正吾
Shogo Awata
正吾 粟田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP2018132206A priority Critical patent/JP7072457B2/en
Publication of JP2020008516A publication Critical patent/JP2020008516A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7072457B2 publication Critical patent/JP7072457B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

To irradiate decelerated charged particles to a sample so as not to lower detection efficiency of cathode luminescence.SOLUTION: A sample analyzer 100 for analyzing a sample W by detecting light emitted from the sample W which is irradiated with charged particles, includes an irradiation part 3 for irradiating the sample W with the charged particles, and a focusing mirror 41 provided between the irradiation part 3 and the sample W, for focusing light emitted from the sample W, in which a deceleration electric field for decelerating the charged particles is generated between the irradiation part 3 and the focusing mirror 41.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、例えば電子線やイオンビーム等が照射された試料から出る光を検出して、当該試料を分析する試料分析装置、この試料分析装置を用いた電子顕微鏡、及びこの試料分析装置に用いられる集光ミラーユニットに関するものである。   The present invention is applied to, for example, a sample analyzer that detects light emitted from a sample irradiated with an electron beam or an ion beam and analyzes the sample, an electron microscope using the sample analyzer, and the sample analyzer. Related to a condensing mirror unit to be used.

この種の試料分析装置としては、試料に荷電粒子を照射することで生じるカソードルミネッセンス(CL)を集光ミラーで集光して検出する、いわゆるカソードルミネッセンス分析装置がある。   As this type of sample analyzer, there is a so-called cathodoluminescence analyzer which collects and detects cathodoluminescence (CL) generated by irradiating a sample with charged particles by a condensing mirror.

特許文献1に示すカソードルミネッセンス分析装置は、試料にリターディング電圧を印加して荷電粒子を試料直前で減速させることで、低加速電圧による試料表面の観察を行えるように構成されている。   The cathodoluminescence analyzer disclosed in Patent Literature 1 is configured to apply a retarding voltage to a sample to decelerate charged particles immediately before the sample, so that the sample surface can be observed with a low acceleration voltage.

このようにリターディング電圧を試料に印加すると、試料と集光ミラーとの間に電場が生じる。このとき、集光ミラーの電位が例えばゼロであると、電場は集光ミラーに引き寄せられてミラー面に沿って歪む。その結果、試料に向かう荷電粒子の軌道が曲げられ、得られる画像が歪んでしまう。   When the retarding voltage is applied to the sample in this manner, an electric field is generated between the sample and the focusing mirror. At this time, if the potential of the light collecting mirror is, for example, zero, the electric field is attracted to the light collecting mirror and is distorted along the mirror surface. As a result, the trajectory of the charged particles toward the sample is bent, and the obtained image is distorted.

そこで、同特許文献1に示すカソードルミネッセンス分析装置は、試料と集光ミラーとの間に中間部材を設けることで、電場が集光ミラーに引き寄せられることを防ぐようにしている。そして、中間部材に複数の孔が形成するとともに、中間部材と試料との間に荷電粒子がほとんど曲がらないような電場を生じさせることで、上述した画像の歪みを防ぐようにしている。   In view of this, the cathodoluminescence analyzer disclosed in Patent Literature 1 prevents an electric field from being attracted to the converging mirror by providing an intermediate member between the sample and the converging mirror. In addition, a plurality of holes are formed in the intermediate member, and an electric field is generated between the intermediate member and the sample such that the charged particles hardly bend, thereby preventing the above-described image distortion.

しかしながら、上述した構成では、試料から生じて集光ミラーに向かうカソードルミネッセンスの一部が中間部材によって遮られてしまい、カソードルミネッセンスの検出効率が低下するという新たな問題が生じる。   However, in the above-described configuration, a part of the cathodoluminescence generated from the sample and heading toward the condensing mirror is blocked by the intermediate member, and a new problem arises in that the cathodoluminescence detection efficiency is reduced.

国際公開WO2017/131132International Publication WO2017 / 131132

そこで本発明は、上述した問題点を一挙に解決するものであり、カソードルミネッセンスの検出効率を低下させることなく、荷電粒子を減速させて試料に照射できるようにすることをその主たる所期課題とするものである。   Therefore, the present invention is to solve the above problems at once, without reducing the efficiency of detecting the cathodoluminescence, the main problem is to reduce the speed of the charged particles and irradiate the sample. Is what you do.

すなわち本発明に係る試料分析装置は、荷電粒子が照射された試料から出る光を検出して前記試料を分析する試料分析装置であって、荷電粒子を前記試料に照射する照射部と、前記照射部と前記試料との間に設けられるとともに、前記試料から出る光を集光する集光ミラーとを具備し、前記照射部及び前記集光ミラーの間に前記荷電粒子を減速させる減速電場が生じるように構成されていることを特徴とするものである。   That is, the sample analyzer according to the present invention is a sample analyzer that analyzes the sample by detecting light emitted from the sample irradiated with the charged particles, and an irradiation unit that irradiates the sample with the charged particles; A converging mirror provided between the unit and the sample, and condensing light emitted from the sample, and a deceleration electric field for decelerating the charged particles is generated between the irradiation unit and the condensing mirror. It is characterized by having such a configuration.

このような試料分析装置であれば、照射部及び集光ミラーの間、つまり集光ミラーのミラー面の裏側に減速電場を生じさせるので、集光ミラーと試料との間に部材を設けずとも、減速電場が集光ミラーのミラー面に沿って歪んでしまうことを抑えることができる。これにより、例えば試料にリターディング電圧を印加することで、荷電粒子を減速させて試料に照射させることを可能にしつつも、カソードルミネッセンスの検出効率の低下を防ぐことができる。   With such a sample analyzer, a deceleration electric field is generated between the irradiation unit and the condensing mirror, that is, on the back side of the mirror surface of the condensing mirror, so that no member is required between the condensing mirror and the sample. In addition, it is possible to prevent the deceleration electric field from being distorted along the mirror surface of the condenser mirror. Thus, for example, by applying a retarding voltage to the sample, the charged particles can be decelerated and irradiated to the sample, while preventing a decrease in the efficiency of detecting the cathodoluminescence.

前記荷電粒子を減速させるリターディング電圧を、前記試料又は前記試料が載置される試料台と、前記集光ミラーとに印加するリターディング電圧印加部を具備することが好ましい。
このような構成であれば、リターディング電圧により照射部と集光ミラーとの間に減速電場が生じるので、荷電粒子を集光ミラーの直前で減速させることができる。しかも、試料又は試料台と集光ミラーとに同じ大きさのリターディング電圧を印加することで、これらの間では荷電粒子に電磁気的な力が作用せず、荷電粒子をその軌道を曲げることなく試料に導くことができ、画像の歪みを抑えることができる。
It is preferable that the apparatus further includes a retarding voltage application unit that applies a retarding voltage for decelerating the charged particles to the sample or a sample stage on which the sample is mounted, and the condensing mirror.
With such a configuration, a retarding electric field is generated between the irradiation unit and the condenser mirror due to the retarding voltage, so that the charged particles can be decelerated immediately before the condenser mirror. Moreover, by applying the same amount of retarding voltage to the sample or sample stage and the focusing mirror, no electromagnetic force acts on the charged particles between them, and the charged particles do not bend their trajectories. It can be guided to the sample, and image distortion can be suppressed.

ところで、上述したリターディング電圧のみによって照射部と集光ミラーとの間に減速電圧を生じさせると、減速電場が集光ミラーのミラー面側に回り込んでしまい、この回り込んだ減速電場によって荷電粒子の軌道が曲げられる恐れがある。
そこで、前記照射部及び前記集光ミラーの間に設けられた静電レンズと、前記荷電粒子を減速させる減速電圧を前記静電レンズに印加する減速電圧印加部とを具備することが好ましい。
このような構成であれば、主として静電レンズと照射部との間に減速電場が生じるように減速電圧や静電レンズの配置を調整することで、減速電場が集光ミラーのミラー面側に回り込んでしまうことを防ぐことができる。
By the way, if a deceleration voltage is generated between the irradiation part and the condensing mirror only by the above-described retarding voltage, the decelerating electric field wraps around the mirror surface side of the condensing mirror, and the decelerated electric field is charged by the wrapped deceleration electric field. The trajectory of the particles may be bent.
Therefore, it is preferable to include an electrostatic lens provided between the irradiation unit and the condenser mirror, and a deceleration voltage application unit that applies a deceleration voltage for decelerating the charged particles to the electrostatic lens.
With such a configuration, the deceleration electric field is adjusted on the mirror surface side of the focusing mirror by adjusting the deceleration voltage and the arrangement of the electrostatic lens so that a deceleration electric field is generated mainly between the electrostatic lens and the irradiation unit. It is possible to prevent sneaking around.

具体的な実施態様としては、前記照射部が、前記荷電粒子が通過する対物レンズを有し、前記静電レンズが、前記対物レンズと前記集光ミラーとの間に設けられており、前記対物レンズの中心軸と前記静電レンズの中心軸とが同軸上であることが好ましい。
このような構成であれば、荷電粒子の軌道を曲げることなく、静電レンズによって荷電粒子を集光或いは発散させることができる。
As a specific embodiment, the irradiation unit has an objective lens through which the charged particles pass, and the electrostatic lens is provided between the objective lens and the condenser mirror, It is preferable that the center axis of the lens and the center axis of the electrostatic lens are coaxial.
With such a configuration, the charged particles can be collected or diverged by the electrostatic lens without bending the trajectory of the charged particles.

また、上述した試料分析装置を備えた電子顕微鏡も本発明の1つである。   An electron microscope equipped with the above-described sample analyzer is also one of the present invention.

また、本発明に係る集光ミラーユニットは、試料に荷電粒子を照射する照射部を具備し、前記荷電粒子が照射された前記試料から出る光を検出して前記試料を分析する試料分析装置に用いられる集光ミラーユニットであって、前記照射部と前記試料との間に設けられるとともに、前記試料から出る光を集光する集光ミラーと、前記荷電粒子を減速させるリターディング電圧を、前記試料又は前記試料が載置される試料台、及び、前記集光ミラーに印加するリターディング電圧印加部とを備えることを特徴とするものである。
このような集光ミラーユニットを用いれば、上述した試料分析装置と同様の作用効果を得ることができる。
このような構成であれば、リターディング電圧により照射部と集光ミラーとの間に減速電場が生じるので、荷電粒子を集光ミラーの直前で減速させることができる。しかも、試料又は試料台と集光ミラーとに同じ大きさのリターディング電圧を印加することで、これらの間では荷電粒子に電磁気的な力が作用せず、荷電粒子をその軌道を曲げることなく試料に導くことができ、画像の歪みを抑えることができる。
Further, the condensing mirror unit according to the present invention includes an irradiation unit for irradiating the sample with charged particles, and a sample analyzer for analyzing the sample by detecting light emitted from the sample irradiated with the charged particles. A condensing mirror unit that is used, provided between the irradiation unit and the sample, a condensing mirror that condenses light emitted from the sample, and a retarding voltage that decelerates the charged particles, It is characterized by comprising a sample or a sample stage on which the sample is placed, and a retarding voltage applying unit for applying the sample to the focusing mirror.
By using such a condensing mirror unit, the same operation and effect as those of the above-described sample analyzer can be obtained.
With such a configuration, a retarding electric field is generated between the irradiation unit and the condenser mirror due to the retarding voltage, so that the charged particles can be decelerated immediately before the condenser mirror. Moreover, by applying the same magnitude of retarding voltage to the sample or sample stage and the focusing mirror, no electromagnetic force acts on the charged particles between them, and the charged particles do not bend their trajectories. It can be guided to the sample, and image distortion can be suppressed.

このように構成した本発明によれば、カソードルミネッセンスの検出効率を低下させることなく、荷電粒子を減速させて試料に照射することができる。   According to the present invention configured as described above, the charged particles can be irradiated onto the sample at a reduced speed without reducing the detection efficiency of the cathode luminescence.

本実施形態の一実施形態に係る試料分析装置の構成を示す模式図。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a sample analyzer according to an embodiment of the present invention. 同実施形態の集光ミラーの周辺構成を示す模式図。FIG. 2 is a schematic diagram showing a peripheral configuration of a condenser mirror of the embodiment. リターディング電圧により生じる電場の一例を説明する図。FIG. 4 illustrates an example of an electric field generated by a retarding voltage. リターディング電圧及び減速電圧により生じる電場を説明する図。The figure explaining the electric field produced by the retarding voltage and the deceleration voltage. 変形実施形態における集光ミラーの周辺構成を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a peripheral configuration of a condenser mirror according to a modified embodiment. 変形実施形態における集光ミラーの周辺構成を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a peripheral configuration of a condenser mirror according to a modified embodiment. 変形実施形態に板状部材の構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of a plate-shaped member in a modified embodiment. 変形実施形態における集光ミラーの周辺構成を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a peripheral configuration of a condenser mirror according to a modified embodiment. 変形実施形態の検出装置の構成を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a configuration of a detection device according to a modified embodiment.

以下に本発明に係る試料分析装置の一実施形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of a sample analyzer according to the present invention will be described with reference to the drawings.

<装置構成>
本実施形態に係る試料分析装置100は、電子顕微鏡に組み込まれたものであり、荷電粒子線である電子線(エネルギー線)EBを半導体ウエハ等の試料Wに照射することにより試料Wから生じるカソードルミネッセンスCLを用いて、試料Wの微小領域における物性評価や半導体素子の解析を行う、いわゆるカソードルミネッセンス分析装置である。
<Apparatus configuration>
The sample analyzer 100 according to the present embodiment is incorporated in an electron microscope, and a cathode generated from the sample W by irradiating the sample W such as a semiconductor wafer with an electron beam (energy beam) EB that is a charged particle beam. This is a so-called cathodoluminescence analyzer that uses a luminescence CL to evaluate physical properties and analyze a semiconductor element in a minute region of the sample W.

具体的にこのものは、図1に示すように、試料Wを収容する真空チャンバ2と、その真空チャンバ2内に収容された試料Wに電子線EBを照射する照射部たる電子線照射装置3と、電子線EBの照射によって試料Wから発生するカソードルミネッセンスCLを分光し、検出する光検出部たる検出装置4と、その検出装置4からの出力信号を受信し、前記試料Wを評価等(例えば応力測定)するために所定の演算処理を行う情報処理装置5とを備えている。   Specifically, as shown in FIG. 1, a vacuum chamber 2 for accommodating a sample W, and an electron beam irradiator 3 as an irradiation unit for irradiating the sample W accommodated in the vacuum chamber 2 with an electron beam EB. And a detection device 4 serving as a light detection unit for separating and detecting the cathode luminescence CL generated from the sample W by the irradiation of the electron beam EB, and receiving an output signal from the detection device 4 to evaluate the sample W ( For example, an information processing device 5 that performs predetermined arithmetic processing for performing stress measurement).

以下、各部2〜5について図1を参照して説明する。   Hereinafter, each of the units 2 to 5 will be described with reference to FIG.

真空チャンバ2は、電子線EBが照射される試料Wを収容する容器と、当該容器内を真空にする真空ポンプと、試料Wが載置される試料台201とを備えている。   The vacuum chamber 2 includes a container that stores the sample W to be irradiated with the electron beam EB, a vacuum pump that evacuates the container, and a sample table 201 on which the sample W is placed.

電子線照射装置3は、例えば熱電界放出型の電子銃31と、電子銃31から射出された電子線EBを試料Wの所定部位に収束させるレンズ機構及び電子線EBを走査させるための走査機構等からなる電子線制御機構32と、電子銃31及び電子線制御機構32を内部に有する収容部材たる鏡筒33とを備えている。この鏡筒33の下端部は、前記真空チャンバ2の上壁に連続して設けられている。なお、電子線制御機構32は、一部又は全部が鏡筒33の外部に設けられていても良い。
前記走査機構としては、例えば電子線EBを走査方向に沿って偏向する走査コイルを利用したものが挙げられる。また、前記レンズ機構としては、コンデンサレンズや対物レンズを利用したものが挙げられる。
The electron beam irradiation device 3 includes, for example, a thermal field emission type electron gun 31, a lens mechanism for converging an electron beam EB emitted from the electron gun 31 to a predetermined portion of the sample W, and a scanning mechanism for scanning the electron beam EB. An electron beam control mechanism 32 including an electron gun 31 and a lens barrel 33 which is a housing member having the electron beam control mechanism 32 therein. The lower end of the lens barrel 33 is provided continuously to the upper wall of the vacuum chamber 2. Note that the electron beam control mechanism 32 may be partially or entirely provided outside the lens barrel 33.
As the scanning mechanism, for example, a mechanism using a scanning coil that deflects the electron beam EB in the scanning direction is used. Further, as the lens mechanism, a lens mechanism using a condenser lens or an objective lens may be used.

検出装置4は、集光ミラー41、光ファイバ42、分光部43及びセンシング部44を備えている。   The detection device 4 includes a condenser mirror 41, an optical fiber 42, a light splitting unit 43, and a sensing unit 44.

集光ミラー41は、図1及び図2に示すように、電子線照射装置3及び試料Wの間(具体的には鏡筒33の下部に設けられた対物レンズLと試料Wとの間)に設けられ、試料Wから発生するカソードルミネッセンスCLを集光して光ファイバ42に導くものである。この集光ミラー41は、鏡筒33で収束された電子線EBを通過させ、その電子線EBを試料Wに照射するための電子線通過孔41aと、その電子線通過孔41aの軸線上に焦点が設定されたミラー面41bとが形成されたものである。なお、ミラー面41bは、放物面鏡又は楕円面鏡などが考えられるが本実施形態では楕円面鏡を用いている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the condenser mirror 41 is between the electron beam irradiation device 3 and the sample W (specifically, between the objective lens L provided below the lens barrel 33 and the sample W). The cathode luminescence CL generated from the sample W is condensed and guided to the optical fiber 42. The condenser mirror 41 allows the electron beam EB converged by the lens barrel 33 to pass therethrough, and an electron beam passing hole 41a for irradiating the sample W with the electron beam EB, and an electron beam passing hole 41a. The mirror surface 41b on which the focus is set is formed. The mirror surface 41b may be a parabolic mirror or an ellipsoidal mirror, but the present embodiment uses an ellipsoidal mirror.

光ファイバ42は、集光ミラー41により集光されたカソードルミネッセンスCLを分光部43に転送するものである。この光ファイバ42の受光面である先端面は、集光ミラー41の焦点に配置されるとともに、後端部分が分光部43に接続される。   The optical fiber 42 transfers the cathodoluminescence CL collected by the collecting mirror 41 to the spectroscopy unit 43. The front end surface, which is the light receiving surface of the optical fiber 42, is arranged at the focal point of the condenser mirror 41, and the rear end portion is connected to the light splitting unit 43.

分光部43は、前記集光ミラー41で集光されたカソードルミネッセンスCLをスペクトルにするもので、例えばモノクロメータを利用して構成している。   The spectroscopy unit 43 converts the cathodoluminescence CL collected by the condensing mirror 41 into a spectrum, and is configured using, for example, a monochromator.

センシング部44は、光検出部であり、前記分光部43で波長毎に複数に分光された各単色光の強度をそれぞれ測定し、各単色光の強度に応じた値の電流値(又は電圧値)を有する出力信号を出力する。   The sensing unit 44 is a light detection unit, which measures the intensity of each monochromatic light that has been divided into a plurality of wavelengths by the spectroscopic unit 43 for each wavelength, and obtains a current value (or a voltage value) corresponding to the intensity of each monochromatic light. ) Is output.

情報処理装置5は、構造としては、CPU、メモリ、入出力インターフェイス、AD変換器、入力手段等からなる汎用又は専用のコンピュータである。そして、前記メモリの所定領域に格納してあるプログラムに基づいてCPUやその周辺機器が作動することにより、この情報処理装置5は、前記検出装置4からの出力信号を受信する受信部51と、走査した各測定ポイントでの応力等を算出する演算部52としての機能を発揮する。   The information processing device 5 is a general-purpose or dedicated computer including a CPU, a memory, an input / output interface, an AD converter, an input unit, and the like. When the CPU and its peripheral devices operate based on a program stored in a predetermined area of the memory, the information processing device 5 receives the output signal from the detection device 4, The function as the calculation unit 52 for calculating the stress and the like at each scanned measurement point is exhibited.

然して、本実施形態の試料分析装置100は、電子線照射装置3と集光ミラー41との間に試料に向かう電子線EBを減速させる減速電場が生じるように構成されている。   However, the sample analyzer 100 of the present embodiment is configured such that a decelerating electric field for decelerating the electron beam EB toward the sample is generated between the electron beam irradiation device 3 and the condenser mirror 41.

具体的に試料分析装置100は、図1に示すように、試料Wが載置される試料台201と集光ミラー41とに電子線EBを減速させるリターディング電圧を印加するリターディング電圧印加部6をさらに具備する。
本実施形態では、試料Wと試料台201とは電気的に接続されており、試料台201を介して試料Wにリターディング電圧を印加するようにしているが、試料Wと試料台201とが電気的に接続されていない場合など、試料Wに直接リターディング電圧を印加しても良い。
Specifically, as shown in FIG. 1, the sample analyzer 100 includes a retarding voltage applying unit that applies a retarding voltage for decelerating the electron beam EB to the sample table 201 on which the sample W is mounted and the condenser mirror 41. 6 is further provided.
In the present embodiment, the sample W and the sample table 201 are electrically connected, and a retarding voltage is applied to the sample W via the sample table 201. A retarding voltage may be directly applied to the sample W, for example, when it is not electrically connected.

リターディング電圧印加部6は、試料W及び集光ミラー41に同じ大きさのリターディング電圧を印加するものであり、具体的には、負のリターディング電圧を印加するリターディング電源を有している。なお、ここではリターディング電圧を可変にしてある。
このリターディング電圧は、例えば前記情報処理装置5又はこれとは別の処理装置に備えさせたリターディング電圧制御部によって、電子線EBのビーム電流や電子線照射装置3の加速電圧に基づき制御される。
The retarding voltage applying unit 6 applies a retarding voltage of the same magnitude to the sample W and the condenser mirror 41, and specifically has a retarding power supply for applying a negative retarding voltage. I have. Here, the retarding voltage is made variable.
The retarding voltage is controlled based on the beam current of the electron beam EB or the acceleration voltage of the electron beam irradiation device 3 by, for example, the retarding voltage control unit provided in the information processing device 5 or another processing device. You.

ここで、リターディング電圧が試料W及び集光ミラー41に印加されると、図3に示すように、試料W及び集光ミラー41の周囲には電場が生じる。特に、集光ミラー41におけるミラー面41bの裏面41cと、この裏面41cに対向する対向部材との間には、電子線EBを減速させる減速電場が生じる。ここでの対向部材は、電子線照射装置3のレンズ機構を構成する鏡筒33や対物レンズLであり、ここでは接地されている。より具体的には、対物レンズLは、例えば所定の電流が印加されるコイル(不図示)や、このコイルを収容するヨーク(不図示)等を有するものであり、ここではヨークの下端面と集光ミラー41の裏面41cとの間に減速電場を生じさせている。なお、対物レンズLとしては、静電レンズ型のものであっても良い。   Here, when the retarding voltage is applied to the sample W and the light collecting mirror 41, an electric field is generated around the sample W and the light collecting mirror 41 as shown in FIG. In particular, a deceleration electric field for decelerating the electron beam EB is generated between the back surface 41c of the mirror surface 41b of the condensing mirror 41 and an opposing member facing the back surface 41c. The opposing members here are the lens barrel 33 and the objective lens L that constitute the lens mechanism of the electron beam irradiation device 3, and are grounded here. More specifically, the objective lens L includes, for example, a coil (not shown) to which a predetermined current is applied, a yoke (not shown) for accommodating the coil, and the like. A deceleration electric field is generated between the light collecting mirror 41 and the back surface 41c. The objective lens L may be an electrostatic lens type.

図3に示す構成において、試料W及び集光ミラー41の周囲に生じる電場は、その一部が集光ミラー41の裏面41c側からミラー面41b側に回り込んでミラー面41bに沿うように歪む(図3における一点鎖線で囲む部分)。その結果、この歪んだ電場が集光ミラー41の電子線通過孔41aを通過した電子に力を及ぼし、試料Wに向かう電子線EBの軌道が曲がられて電子顕微鏡で得られる画像が歪んでしまう。   In the configuration shown in FIG. 3, the electric field generated around the sample W and the condenser mirror 41 is partially distorted from the back surface 41c side of the condenser mirror 41 to the mirror surface 41b side and is distorted along the mirror surface 41b. (A part surrounded by a chain line in FIG. 3). As a result, the distorted electric field exerts a force on the electrons passing through the electron beam passage holes 41a of the condensing mirror 41, the trajectory of the electron beam EB toward the sample W is bent, and the image obtained by the electron microscope is distorted. I will.

そこで本実施形態の試料分析装置100は、図1、図2及び図4に示すように、照射部3及び集光ミラー41の間に設けられた静電レンズ7と、この静電レンズ7にリターディング電圧とは別の減速電圧を減速電圧印加部8とをさらに備えている。なお、ここでは減速電圧を可変にしてある。   Therefore, as shown in FIGS. 1, 2 and 4, the sample analyzer 100 of the present embodiment includes an electrostatic lens 7 provided between the irradiation unit 3 and the condenser mirror 41, and the electrostatic lens 7 It further includes a deceleration voltage application unit 8 for applying a deceleration voltage different from the retarding voltage. Here, the deceleration voltage is made variable.

かかる構成により、電子線EBのエネルギー、すなわちビーム電流の大きさは、電子線照射装置3における加速電圧とリターディング電圧と減速電圧とに応じて決まり、リターディング電圧や減速電圧を変えることにより、試料Wに照射される電子線EBのビーム電流を変えることができる。   With such a configuration, the energy of the electron beam EB, that is, the magnitude of the beam current is determined according to the acceleration voltage, the retarding voltage, and the deceleration voltage in the electron beam irradiation device 3, and by changing the retarding voltage and the deceleration voltage, The beam current of the electron beam EB applied to the sample W can be changed.

静電レンズ7は、通過する電子線EBに対して静電レンズとしての機能を発揮するものであり、電子線EBが通過する電子線通過孔7hを有する1又は複数の電極(不図示)から構成されている。ここでは、静電レンズ7の中心軸と対物レンズLの中心軸とが同軸上に位置するように、各レンズが配置されており、より具体的には、静電レンズ7に形成された電子線通過孔7hの中心軸と対物レンズLを構成するコイルの中心軸とが同軸上に配置されている。   The electrostatic lens 7 functions as an electrostatic lens with respect to the passing electron beam EB, and is formed from one or a plurality of electrodes (not shown) having an electron beam passage hole 7h through which the electron beam EB passes. It is configured. Here, each lens is arranged so that the central axis of the electrostatic lens 7 and the central axis of the objective lens L are coaxially located. More specifically, the electronic lens formed on the electrostatic lens 7 is The central axis of the line passage hole 7h and the central axis of the coil forming the objective lens L are coaxially arranged.

減速電圧印加部8は、静電レンズ7を構成する1又は複数の電極に所定の減速電圧を印加するものである。ここでの減速電圧は、対物レンズLと集光ミラー41との間に生じる減速電場が、主として対物レンズLと静電レンズ7との間に生じる大きさに設定されている。つまり、対物レンズLと静電レンズ7との間における減速電場の勾配が、静電レンズ7と集光ミラー41との間における減速電場の勾配よりも大きくなるように、言い換えれば対物レンズLと静電レンズ7との電位差が、静電レンズ7と集光ミラー41との電位差よりも大きくなるように、減速電圧が設定されている。これにより、電子線EBを減速させながら集光させることができる。   The deceleration voltage application unit 8 applies a predetermined deceleration voltage to one or a plurality of electrodes forming the electrostatic lens 7. The deceleration voltage here is set so that the deceleration electric field generated between the objective lens L and the condenser mirror 41 is generated mainly between the objective lens L and the electrostatic lens 7. That is, the gradient of the deceleration electric field between the objective lens L and the electrostatic lens 7 is set to be larger than the gradient of the deceleration electric field between the electrostatic lens 7 and the condenser mirror 41, in other words, the gradient of the The deceleration voltage is set so that the potential difference between the electrostatic lens 7 and the condenser mirror 41 is larger than the potential difference between the electrostatic lens 7 and the condenser mirror 41. Thus, the electron beam EB can be focused while being decelerated.

ここで、試料Wや集光ミラー41にリターディング電圧を印加するとともに、静電レンズ7に減速電圧を印加した場合に生じる電場をシミュレーションした結果を図4に示す。なお、対物レンズは接地されているものとし、計算条件は、電子線EBのエネルギーは−2.0V、リターディング電圧は−1.0V、減速電圧は−1.5Vである。   Here, FIG. 4 shows a result of simulating an electric field generated when a retarding voltage is applied to the electrostatic lens 7 while a retarding voltage is applied to the sample W and the condenser mirror 41. It is assumed that the objective lens is grounded, and the calculation conditions are that the energy of the electron beam EB is -2.0 V, the retarding voltage is -1.0 V, and the deceleration voltage is -1.5 V.

このシミュレーション結果から分かるように、静電レンズ7に減速電圧を印加することで、集光ミラー41の裏面41c側からミラー面41b側に回り込む電場が抑制されていることが分かる。これにより、電子線EBが試料Wに向かって可及的に曲がることなく進むようになる。   As can be seen from the simulation results, by applying the deceleration voltage to the electrostatic lens 7, it is understood that the electric field that goes from the back surface 41 c of the condenser mirror 41 to the mirror surface 41 b is suppressed. As a result, the electron beam EB advances toward the sample W without bending as much as possible.

このように、本実施形態の静電レンズ7は、電場が集光ミラー41裏面41c側からミラー面41b側に回り込むことを抑制する回り込み抑制機能を備えている。
なお、静電レンズ7としては、裏面41c側からミラー面41b側への電場の回り込みを完全に抑制する必要はなく、試料分析装置100が組み込まれた電子顕微鏡により得られる画像が、実質的に歪みがない程度に抑制できるものであれば良い。
As described above, the electrostatic lens 7 of the present embodiment has the wraparound suppressing function of preventing the electric field from wrapping around from the back surface 41c of the condenser mirror 41 to the mirror surface 41b.
It is not necessary for the electrostatic lens 7 to completely suppress the electric field from flowing from the back surface 41c side to the mirror surface 41b side, and an image obtained by an electron microscope in which the sample analyzer 100 is incorporated is substantially eliminated. What is necessary is just to be able to suppress to the extent that there is no distortion.

<本実施形態の効果>
このように構成した本実施形態に係る試料分析装置100によれば、減速電場を対物レンズL及び集光ミラー41の間、つまり集光ミラー41の裏面41c側に生じさせるので、集光ミラー41と試料Wとの間に部材を設けずとも、減速電場が集光ミラー41のミラー面41bに沿って歪んでしまうことを抑えることができる。
その結果、試料Wにリターディング電圧を印加することで、電子線を減速させて試料に照射させることが可能であり、しかもカソードルミネッセンスの検出効率を低下させることを防ぐことができる。
<Effect of this embodiment>
According to the sample analyzer 100 according to the present embodiment configured as described above, the deceleration electric field is generated between the objective lens L and the condenser mirror 41, that is, on the back surface 41c side of the condenser mirror 41. Distortion of the deceleration electric field along the mirror surface 41b of the focusing mirror 41 can be suppressed without providing a member between the focusing mirror 41 and the sample W.
As a result, by applying a retarding voltage to the sample W, it is possible to decelerate the electron beam and irradiate the sample with the electron beam, and it is possible to prevent the detection efficiency of the cathode luminescence from lowering.

さらに、対物レンズLと集光ミラー41との間に静電レンズ7を設けて、この静電レンズ7に減速電圧を印加することで、減速電場を主として静電レンズ7と対物レンズLとの間に生じさせているので、減速電場が集光ミラー41のミラー面41b側に回り込んでしまうことをより確実に抑えることができる。   Further, an electrostatic lens 7 is provided between the objective lens L and the condenser mirror 41, and a deceleration voltage is applied to the electrostatic lens 7, so that a deceleration electric field is mainly generated between the electrostatic lens 7 and the objective lens L. Since the decelerating electric field is generated in between, it is possible to more reliably suppress the deceleration electric field from wrapping around the mirror surface 41b of the focusing mirror 41.

また、試料W及び集光ミラー41に同じ大きさのリターディング電圧を印加するので、これらの間では電位勾配が生じず、電子に電磁気的な力が作用しないことから、電子線をその軌道EBを曲げることなく試料Wに導くことができ、画像の歪みを防ぐことができる。   Also, since the same magnitude of the retarding voltage is applied to the sample W and the condensing mirror 41, no potential gradient is generated between them, and no electromagnetic force acts on the electrons. Can be guided to the sample W without bending, and image distortion can be prevented.

加えて、静電レンズ7の中心軸と対物レンズLの中心軸とを同軸上に設けてあるので、電子線EBをその軌道を曲げることなく、例えば集光させながら試料Wに導くことができる。   In addition, since the central axis of the electrostatic lens 7 and the central axis of the objective lens L are provided coaxially, the electron beam EB can be guided to the sample W while being focused, for example, without bending its trajectory. .

<その他の変形実施形態>
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
<Other modified embodiments>
Note that the present invention is not limited to the above embodiment.

例えば、試料及び集光ミラーには必ずしもリターディング電圧を必要はなく、例えば試料及び集光ミラーを接地しても良い。   For example, a retarding voltage is not necessarily required for the sample and the condensing mirror. For example, the sample and the condensing mirror may be grounded.

また、図3に示す構成において、画像の歪みが許容範囲内であれば、対物レンズL及び集光ミラー41の間に静電レンズ7を設ける必要はない。   Further, in the configuration shown in FIG. 3, it is not necessary to provide the electrostatic lens 7 between the objective lens L and the condenser mirror 41 if the image distortion is within the allowable range.

さらに、前記実施形態では、静電レンズに印加する減速電圧(−1.5V)が、試料Wや集光ミラー41に印加するリターディング電圧(−1.0V)よりも小さい場合について説明したが、減速電圧は、リターディング電圧よりも大きくても良いし、同じ大きさであっても良い。   Further, in the above-described embodiment, the case where the deceleration voltage (-1.5 V) applied to the electrostatic lens is smaller than the retarding voltage (-1.0 V) applied to the sample W and the condenser mirror 41 has been described. The deceleration voltage may be greater than or equal to the retarding voltage.

加えて、試料分析装置100としては、静電レンズ7を中心軸に沿って移動させる位置調整機構を備えていても良い。これにより、例えば静電レンズ7と対物レンズLとの離間距離を、例えばこれらの間で放電が起こらない程度に設定したり、対物レンズLと集光ミラー41との間に生じる電側電場が、主として対物レンズLと静電レンズ7との間に生じるように設定したりすることができる。   In addition, the sample analyzer 100 may include a position adjustment mechanism for moving the electrostatic lens 7 along the central axis. Thereby, for example, the separation distance between the electrostatic lens 7 and the objective lens L is set, for example, to such an extent that no discharge occurs between them, or the electric-side electric field generated between the objective lens L and the condenser mirror 41 is reduced. Can be set to occur mainly between the objective lens L and the electrostatic lens 7.

さらに加えて、試料分析装置100としては必ずしも静電レンズ7を用いる必要はなく、集光ミラー41の裏面41c側からミラー面41b側に回り込む電場を抑えるべく、図5に示すように、集光ミラー41の裏面41c側に板状部材91を設けても良い。この板状部材91は、集光ミラー41の裏面41cと平行であることが好ましく、ここでは集光ミラー41の裏面41cと連続的且つ一体的に設けられている。ただし、板状部材91は、集光ミラー41cの裏面41cと不連続であっても良いし、集光ミラー41と別体であっても良い。
このような構成であれば、同図5のシミュレーション結果に示すように、集光ミラー41と対物レンズLとの間に生じる電場のミラー面41b側への回り込みを抑えることができる。
なお、図5に示す構成においては、集光ミラー41cにリターディング電圧を印加すること生じる電場が板状部材91に引き寄せられる恐れがある。そこで、同図5に示すように、板状部材91よりも試料W側に配置されて板状部材91と対向する第2の板状部材92を設けても良い。これならば、リターディング電圧によって生じる電場が板状部材91に引き寄せられることを防ぐことができる。
In addition, it is not always necessary to use the electrostatic lens 7 as the sample analyzer 100. In order to suppress an electric field that goes from the back surface 41c side of the condenser mirror 41 to the mirror surface 41b side, as shown in FIG. A plate-like member 91 may be provided on the back surface 41c side of the mirror 41. The plate-shaped member 91 is preferably parallel to the back surface 41c of the light collecting mirror 41, and is provided here continuously and integrally with the back surface 41c of the light collecting mirror 41. However, the plate member 91 may be discontinuous with the back surface 41c of the light collecting mirror 41c, or may be separate from the light collecting mirror 41.
With such a configuration, as shown in the simulation result of FIG. 5, the electric field generated between the condenser mirror 41 and the objective lens L can be prevented from wrapping around the mirror surface 41b.
In the configuration shown in FIG. 5, there is a possibility that an electric field generated by applying a retarding voltage to the light collecting mirror 41c is drawn to the plate-like member 91. Therefore, as shown in FIG. 5, a second plate-like member 92 may be provided which is disposed closer to the sample W than the plate-like member 91 and faces the plate-like member 91. In this case, it is possible to prevent the electric field generated by the retarding voltage from being attracted to the plate member 91.

また、本発明に係る試料分析装置としては、荷電粒子が照射された試料から出る光を検出して前記試料を分析するものであって、荷電粒子を前記試料に照射する照射部と、前記照射部と前記試料との間に設けられるとともに、前記試料から出る光を集光する集光ミラーと、前記荷電粒子を減速させるリターディング電圧を、前記試料又は前記試料が載置される試料台に印加するリターディング電圧印加部と、前記集光ミラーのミラー面よりも前記試料側において、前記荷電粒子の照射を妨げることなく前記試料に対向配置された板状部材とを具備するものであっても良い。
このような構成であっても、カソードルミネッセンスの検出効率を低下させることなく、リターディング電圧によって生じる試料と集光ミラーとの間の電場の歪みを板状部材によって抑えることができる。
Further, the sample analyzer according to the present invention, which detects the light emitted from the sample irradiated with the charged particles and analyzes the sample, an irradiation unit that irradiates the sample with charged particles, A part is provided between the sample and the sample, and a collecting mirror for collecting light emitted from the sample, and a retarding voltage for decelerating the charged particles, the sample or the sample table on which the sample is mounted. A retarding voltage applying section to be applied, and a plate-shaped member disposed on the sample side of the converging mirror on the sample side with respect to the mirror surface without disturbing the irradiation of the charged particles. Is also good.
Even with such a configuration, the plate-shaped member can suppress the distortion of the electric field between the sample and the light-collecting mirror caused by the retarding voltage without lowering the efficiency of detecting the cathodoluminescence.

具体的には、図6に示すように、試料Wと集光ミラー41との間に平板状の板状部材93を設ける態様が挙げられる。具体的に板状部材93は、試料Wと平行に配置されており、ここでは集光ミラー41のミラー面41bより下方において、ミラー面41bの反射方向側に設けられている。この板状部材93は、試料Wから生じて集光ミラー41のミラー面41bに向かうカソードルミネッセンスを遮らない位置に設けられており、試料Wとの間でリターディング電圧による電場を生じさせるものである。なお、板状部材93の配置は、カソードルミネッセンスの検出効率を担保できる程度であれば、ミラー面41bに向かうカソードルミネッセンスの一部を遮っていても構わない。   Specifically, as shown in FIG. 6, a mode in which a flat plate-shaped member 93 is provided between the sample W and the light collecting mirror 41 is exemplified. Specifically, the plate member 93 is arranged in parallel with the sample W, and is provided below the mirror surface 41b of the condenser mirror 41 and on the reflection direction side of the mirror surface 41b. The plate-like member 93 is provided at a position that does not block the cathode luminescence generated from the sample W toward the mirror surface 41b of the focusing mirror 41, and generates an electric field due to a retarding voltage with the sample W. is there. Note that the arrangement of the plate-like member 93 may block part of the cathode luminescence toward the mirror surface 41b as long as the detection efficiency of the cathode luminescence can be ensured.

この板状部材93における集光ミラー41側の端部93aには、図7に示すように、例えば半円状や部分円弧状の切欠きが設けられている。また、この端部93aにおける試料W側の面には、試料W側に向かって末広がりなテーパ93bが設けられている。   As shown in FIG. 7, for example, a notch in a semicircular shape or a partial arc shape is provided in an end portion 93a of the plate member 93 on the side of the light collecting mirror 41. Further, a taper 93b diverging toward the sample W side is provided on the surface of the end portion 93a on the sample W side.

図6には、上記構成において、試料Wや試料台にリターディング電圧を印加した場合に生じる電場をシミュレーションした結果を示してある。なお、計算条件は、電子線EBのエネルギーは−2.0V、リターディング電圧は−1.0V、集光ミラー41の電圧は0V、板状部材91の電圧は0Vである。このシミュレーション結果から、電子線EBの軌道に影響を与える電場の歪みが板状部材93によって抑制されていることが分かる。   FIG. 6 shows a result of simulating an electric field generated when a retarding voltage is applied to the sample W or the sample stage in the above configuration. The calculation conditions are as follows: the energy of the electron beam EB is -2.0 V, the retarding voltage is -1.0 V, the voltage of the condenser mirror 41 is 0 V, and the voltage of the plate member 91 is 0 V. From this simulation result, it is understood that the distortion of the electric field affecting the trajectory of the electron beam EB is suppressed by the plate member 93.

さらに板状部材93としては、図8に示すように、集光ミラー41のミラー面41bに向かうカソードルミネッセンスを通過させる貫通孔93hが設けられたものであっても良い。
このような構成であれば、同図8に示すシミュレーション結果から分かるように、電場の歪みをさらに抑制することができ、電子線の曲がりをより確実に抑えることができる。
Further, as shown in FIG. 8, the plate-like member 93 may be provided with a through-hole 93h for passing the cathode luminescence toward the mirror surface 41b of the condenser mirror 41.
With such a configuration, as can be seen from the simulation results shown in FIG. 8, the distortion of the electric field can be further suppressed, and the bending of the electron beam can be suppressed more reliably.

なお、図6〜図8における構成において、板状部材93は、集光ミラー41と一体であっても良いし、別体であっても良い。   6 to 8, the plate-like member 93 may be integrated with the condenser mirror 41 or may be separate.

さらに加えて、検出装置4としては、例えば深紫外光のように空気に吸収される波長域の光を検出する場合、図9に示すように、光の通過領域を窒素ガスで満たすようにしても良い。具体的にこの検出装置4は、集光ミラー41で集光したカソードルミネッセンスを透過させるレンズ等の透過窓45が設けられた外筒46と、外筒46の内部に設けられた内筒47とを有する二重管構造のものである。そして、透過窓45と内筒47の開口47hとが離間して配置されている。この構成により、外筒46と内筒47との間に流入させた窒素ガスを、透過窓45と内筒47の開口47hとの間の隙間から、光の通過領域となる内筒47の内部空間に流入させることができる。なお、内筒47の内部空間は必ずしも窒素ガスで満たす必要はなく、減圧して真空状態にしても良い。   In addition, when detecting light in a wavelength range that is absorbed by air, such as deep ultraviolet light, for example, as shown in FIG. 9, the detection device 4 is configured to fill the light passage region with nitrogen gas. Is also good. Specifically, the detection device 4 includes an outer tube 46 provided with a transmission window 45 such as a lens for transmitting the cathode luminescence collected by the collecting mirror 41, and an inner tube 47 provided inside the outer tube 46. Having a double tube structure. Further, the transmission window 45 and the opening 47h of the inner cylinder 47 are arranged apart from each other. With this configuration, the nitrogen gas that has flowed between the outer cylinder 46 and the inner cylinder 47 passes through the gap between the transmission window 45 and the opening 47h of the inner cylinder 47 into the inside of the inner cylinder 47 that serves as a light passage area. It can flow into the space. Note that the internal space of the inner cylinder 47 does not necessarily need to be filled with nitrogen gas, and may be reduced in pressure to a vacuum state.

その上、前記実施形態ではエネルギー線として電子線を照射するものをであったが、その他、例えばX線、イオンビーム等を照射するものであっても良い。   In addition, in the above-described embodiment, an electron beam is irradiated as an energy beam, but other devices such as an X-ray or an ion beam may be irradiated.

加えて、前記実施形態ではカソードルミネッセンスを測定するものであったが、その他、例えばフォトルミネッセンス、ラマン光等を測定するものであっても良い。   In addition, in the above embodiment, the cathode luminescence is measured. However, for example, a photoluminescence, a Raman light, or the like may be measured.

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。   In addition, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the gist thereof.

100・・・試料分析装置
2 ・・・真空チャンバ
3 ・・・電子線照射装置(照射部)
W ・・・試料
41 ・・・集光ミラー
6 ・・・リターディング電圧印加部
7 ・・・静電レンズ
8 ・・・減速電圧印加部
100 sample analyzer 2 vacuum chamber 3 electron beam irradiation device (irradiation unit)
W: sample 41: condenser mirror 6: retarding voltage application unit 7: electrostatic lens 8: deceleration voltage application unit

Claims (7)

荷電粒子が照射された試料から出る光を検出して前記試料を分析する試料分析装置であって、
荷電粒子を前記試料に照射する照射部と、
前記照射部と前記試料との間に設けられるとともに、前記試料から出る光を集光する集光ミラーとを具備し、
前記照射部及び前記集光ミラーの間に前記荷電粒子を減速させる減速電場が生じるように構成されている、試料分析装置。
A sample analyzer for analyzing the sample by detecting light emitted from the sample irradiated with the charged particles,
An irradiation unit that irradiates the sample with charged particles,
A light-collecting mirror that is provided between the irradiation unit and the sample and collects light emitted from the sample,
A sample analyzer configured to generate a decelerating electric field for decelerating the charged particles between the irradiation unit and the condenser mirror.
前記荷電粒子を減速させるリターディング電圧を、前記試料又は前記試料が載置される試料台と、前記集光ミラーとに印加するリターディング電圧印加部を具備する、請求項1記載の試料分析装置。   2. The sample analyzer according to claim 1, further comprising a retarding voltage applying unit that applies a retarding voltage for decelerating the charged particles to the sample or a sample stage on which the sample is mounted, and the focusing mirror. 3. . 前記照射部及び前記集光ミラーの間に設けられた静電レンズと、
前記荷電粒子を減速させる減速電圧を前記静電レンズに印加する減速電圧印加部とを具備する、請求項1又は2記載の試料分析装置。
An electrostatic lens provided between the irradiation unit and the condenser mirror,
The sample analyzer according to claim 1, further comprising: a deceleration voltage application unit configured to apply a deceleration voltage for decelerating the charged particles to the electrostatic lens.
前記照射部が、前記荷電粒子が通過する対物レンズを有し、
前記静電レンズが、前記対物レンズと前記集光ミラーとの間に設けられており、前記対物レンズの中心軸と前記静電レンズの中心軸とが同軸上である、請求項3記載の試料分析装置。
The irradiation unit has an objective lens through which the charged particles pass,
The sample according to claim 3, wherein the electrostatic lens is provided between the objective lens and the condenser mirror, and a central axis of the objective lens and a central axis of the electrostatic lens are coaxial. Analysis equipment.
請求項1乃至4記載うち何れか一項に記載の試料分析装置を備えた電子顕微鏡。   An electron microscope comprising the sample analyzer according to any one of claims 1 to 4. 試料に荷電粒子を照射する照射部を具備し、前記荷電粒子が照射された前記試料から出る光を検出して前記試料を分析する試料分析装置に用いられる集光ミラーユニットであって、
前記照射部と前記試料との間に設けられるとともに、前記試料から出る光を集光する集光ミラーと、
前記荷電粒子を減速させるリターディング電圧を、前記試料又は前記試料が載置される試料台、及び、前記集光ミラーに印加するリターディング電圧印加部とを備える、集光ミラーユニット。
A light collecting mirror unit used in a sample analyzer for analyzing the sample by detecting light emitted from the sample irradiated with the charged particles, comprising an irradiation unit for irradiating the sample with charged particles,
A light-collecting mirror that is provided between the irradiation unit and the sample, and collects light emitted from the sample.
A converging mirror unit comprising: a retarding voltage for decelerating the charged particles; and a sample stage on which the sample or the sample is placed; and a retarding voltage applying unit for applying the retarding voltage to the converging mirror.
前記照射部及び前記集光ミラーの間に設けられて、前記荷電粒子が通過する静電レンズと、
前記荷電粒子を減速させる減速電圧を前記静電レンズに印加する減速電圧印加部とをさらに備える、請求項6記載の集光ミラーユニット。
An electrostatic lens provided between the irradiation unit and the condenser mirror, through which the charged particles pass,
The focusing mirror unit according to claim 6, further comprising: a deceleration voltage application unit that applies a deceleration voltage for decelerating the charged particles to the electrostatic lens.
JP2018132206A 2018-07-12 2018-07-12 Sample analyzer, electron microscope, and condensing mirror unit Active JP7072457B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018132206A JP7072457B2 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Sample analyzer, electron microscope, and condensing mirror unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018132206A JP7072457B2 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Sample analyzer, electron microscope, and condensing mirror unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020008516A true JP2020008516A (en) 2020-01-16
JP7072457B2 JP7072457B2 (en) 2022-05-20

Family

ID=69151557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018132206A Active JP7072457B2 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Sample analyzer, electron microscope, and condensing mirror unit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7072457B2 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003157789A (en) * 2001-11-20 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corp Cathodoluminescence detection device for scanning electron microscope or the like
JP2004234993A (en) * 2003-01-30 2004-08-19 Shimadzu Corp Scanning electron microscope
EP1956632A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-13 FEI Company Particle-optical apparatus for simultaneous observing a sample with particles and photons
JP2015106565A (en) * 2013-12-02 2015-06-08 エフ イー アイ カンパニFei Company Charged-particle microscope with enhanced electron detection
JP2016200560A (en) * 2015-04-14 2016-12-01 三菱電機株式会社 Cathode luminescence measurement apparatus, energy adjustment member and cathode luminescence measurement method
WO2017131132A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 株式会社堀場製作所 Sample analysis device and collector mirror unit for sample analysis device
WO2018025849A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 松定プレシジョン株式会社 Charged particle beam device and scanning electron microscope

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003157789A (en) * 2001-11-20 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corp Cathodoluminescence detection device for scanning electron microscope or the like
JP2004234993A (en) * 2003-01-30 2004-08-19 Shimadzu Corp Scanning electron microscope
EP1956632A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-13 FEI Company Particle-optical apparatus for simultaneous observing a sample with particles and photons
JP2015106565A (en) * 2013-12-02 2015-06-08 エフ イー アイ カンパニFei Company Charged-particle microscope with enhanced electron detection
JP2016200560A (en) * 2015-04-14 2016-12-01 三菱電機株式会社 Cathode luminescence measurement apparatus, energy adjustment member and cathode luminescence measurement method
WO2017131132A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 株式会社堀場製作所 Sample analysis device and collector mirror unit for sample analysis device
WO2018025849A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 松定プレシジョン株式会社 Charged particle beam device and scanning electron microscope

Also Published As

Publication number Publication date
JP7072457B2 (en) 2022-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2487704B1 (en) Detection method for use in charged-particle microscopy
JP6177915B2 (en) Scanning electron microscope
NL1025500C2 (en) Particle source with selectable beam current and energy distribution.
KR20190039353A (en) Charged particle beam device and scanning electron microscope
JP2005539359A (en) Particle-optical device and detection means
JP5948083B2 (en) Scanning electron microscope
US10586681B2 (en) Charged particle beam apparatus
CN108352284B (en) Wide-field atmospheric scanning electron microscope
JP6778081B2 (en) Charged particle microscope with astigmatism compensation and energy selection
JP6412952B2 (en) Scanning electron microscope and electron trajectory adjustment method thereof
JP2020008516A (en) Sample analyzer, electron microscope and focusing mirror unit
JP5934513B2 (en) Transmission electron microscope
US9543115B2 (en) Electron microscope
JP7294971B2 (en) Scanning electron microscope and secondary electron detection method for scanning electron microscope
JP6754780B2 (en) Condensing mirror unit for sample analyzer and sample analyzer
US11404260B2 (en) Input lens and electron spectrometer
JP2002025492A (en) Method and apparatus for imaging sample using low profile electron detector for charged particle beam imaging system containing electrostatic mirror
JP4920539B2 (en) Cathodoluminescence measuring device and electron microscope
JP4914178B2 (en) Schottky electron gun and charged particle beam apparatus equipped with Schottky electron gun
JP6640531B2 (en) Measuring device and measuring method of electron energy
WO2018220809A1 (en) Charged particle beam device
TWI807604B (en) Charged particle beam apparatus, scanning electron microscope, and method of operating a charged particle beam apparatus
JP2018190731A (en) Particle source for producing particle beam and particle-optical apparatus
JP2010055883A (en) X-ray tube and fluorescence x-ray spectroscopic analyzer using same
JP3814968B2 (en) Inspection device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7072457

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150