JP2020095075A - Display device with sensing function and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、センシング機能を備える表示装置および電子機器に関する。 The present invention relates to a display device and electronic equipment having a sensing function.
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている。このような表示装置の検出方法として、静電容量方式や電磁誘導方式が知られている。電磁誘導方式では、検出装置に磁界を発生するコイルと、磁界を検出するコイルが設けられる。外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子が設けられる。検出装置は、検出装置の各コイルとペン内のコイルとの間の電磁誘導によってペンを検出する。下記特許文献1には、表示装置上に一体化された電磁誘導方式の座標入力装置に関する技術が記載されている。 In recent years, a touch detection device called a touch panel, which can detect an external proximity object, has been receiving attention. The touch panel is mounted on or integrated with a display device such as a liquid crystal display device, and is used as a display device with a touch detection function. Capacitive methods and electromagnetic induction methods are known as detection methods for such display devices. In the electromagnetic induction method, a coil that generates a magnetic field and a coil that detects the magnetic field are provided in the detection device. The pen, which is an external object, is provided with a coil and a capacitive element that form a resonance circuit. The detection device detects the pen by electromagnetic induction between each coil of the detection device and the coil in the pen. The following Patent Document 1 describes a technique relating to an electromagnetic induction type coordinate input device integrated on a display device.
表示装置に設けられた電極や各種配線及びこれらの駆動構成を用い、そのまま電磁誘導方式に採用する場合、表示期間とセンサ期間を分ける必要があり、表示およびタッチ検出に必要な時間が足りなくなる可能性がある。また期間を分けるため駆動構成は非常に複雑になる。 When using the electrodes and various wirings provided in the display device and their drive configuration and directly adopting the electromagnetic induction method, it is necessary to separate the display period and the sensor period, and the time required for display and touch detection may be insufficient. There is a nature. Moreover, since the periods are divided, the driving configuration becomes very complicated.
本発明は、表示装置の表示機能を損なわず、また追加の工程なく、電磁誘導方式のタッチ検出およびその他のセンシングの機能を付与した表示装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a display device provided with an electromagnetic induction type touch detection function and other sensing functions without impairing the display function of the display device and without additional steps.
本発明の一態様のセンシング機能付き表示装置は、第1基板と複数の第1センサ電極と複数の画素電極と、表示機能層と、シールド電極と第2基板を備え、前記第1基板、複数の前記第1センサ電極、前記シールド電極、複数の前記画素電極、前記表示機能層、前記第2基板は、この順で重なって設けられ、前記第1シールド電極の電位変動が前記シールド電極によって遮蔽され、前記画素電極の電位に与える影響を軽減する。複数の前記画素電極は外光を反射する少なくとも一部に反射領域を備え、前記反射領域と前記第1センサ電極を重ねて配置することで画素の開口率を損なわず、センシング機能を付与することができる。 A display device with a sensing function according to one aspect of the present invention includes a first substrate, a plurality of first sensor electrodes, a plurality of pixel electrodes, a display function layer, a shield electrode, and a second substrate. The first sensor electrode, the shield electrode, the plurality of pixel electrodes, the display function layer, and the second substrate are provided in this order so as to be overlapped with each other, and a potential fluctuation of the first shield electrode is shielded by the shield electrode. Therefore, the influence on the potential of the pixel electrode is reduced. At least a part of the plurality of pixel electrodes is provided with a reflection area that reflects external light, and the reflection area and the first sensor electrode are arranged so as to overlap each other, thereby providing a sensing function without impairing the aperture ratio of the pixel. You can
第1センサ電極と平面視で交差する第1アナログフロントエンド回路に接続された第2センサ電極を備え、制御部からの制御信号に応じて、前記第1センサ電極に信号が供給され、電磁誘導を形成し、前記第2センサ電極に接続された前記第1アナログフロントエンド回路にて、信号を検出する。 A second sensor electrode connected to a first analog front-end circuit that intersects with the first sensor electrode in a plan view is provided, and a signal is supplied to the first sensor electrode in accordance with a control signal from a control unit to perform electromagnetic induction. And a signal is detected by the first analog front-end circuit connected to the second sensor electrode.
前記第2センサ電極は例えば、前記第1基板と前記シールド電極の間に設けられる。または、前記シールド電極と同じ層で、前記シールド電極と隣接するように配置される。さらには、表示機能層よりも第2基板側に配置される。 The second sensor electrode is provided, for example, between the first substrate and the shield electrode. Alternatively, it is arranged in the same layer as the shield electrode so as to be adjacent to the shield electrode. Further, it is arranged closer to the second substrate than the display function layer.
加えて、前記表示機能層より前記第2基板側に静電容量検出のための駆動を行う第3センサ電極を備え、前記の表示機能層よりも第2基板側に設けられた第2センサ電極を用いて、静電容量検出を行うことも可能となる。 In addition, a second sensor electrode provided on the second substrate side of the display function layer is provided on the second substrate side for driving for electrostatic capacitance detection, and is provided on the second substrate side of the display function layer. It is also possible to detect electrostatic capacitance by using.
本発明に係る電子機器は、上記のセンシング機能付き表示装置を備える。 An electronic device according to the present invention includes the above display device with a sensing function.
本発明は、センサ電極をシールド電極で遮蔽することで画素電極への影響を軽減することができるため、表示に関わる動作と同時にセンシングに関わる動作を行うことが可能となり、センシングに関わる動作を行う時間が十分得られるため、センシングの検出精度が向上する。さらには画素電極のうち反射領域になる箇所でセンサ電極と重なるようにすることで、開口率の低減を防ぎ、十分な特性が得られるセンサ電極の配置面積を確保することができるので、これもセンシング精度向上が可能となる。 Since the present invention can reduce the influence on the pixel electrode by shielding the sensor electrode with the shield electrode, it is possible to perform the operation related to the display and the operation related to the sensing at the same time, and perform the operation related to the sensing. Since sufficient time is obtained, the detection accuracy of sensing is improved. Furthermore, by overlapping the sensor electrode at a portion of the pixel electrode that becomes the reflection region, it is possible to prevent the reduction of the aperture ratio and secure the arrangement area of the sensor electrode that can obtain sufficient characteristics. It is possible to improve the sensing accuracy.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the embodiments below. Further, the constituent elements described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. It should be noted that the disclosure is merely an example, and a person having ordinary skill in the art can easily think of an appropriate modification while keeping the gist of the invention, and is naturally included in the scope of the invention. Further, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention will be understood. It is not limited. In the specification and the drawings, the same elements as those described above with reference to the drawings already described are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof may be appropriately omitted.
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。本実施形態の表示装置1は、被検出体の表示面への接触や近接を検出する検出機能が内蔵されている。図1に示すように、表示装置1は、表示パネル10と、制御部11と、ゲートドライバ12と、ソースドライバ13と、駆動回路14と、検出部40とを備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a display device according to the first embodiment. The display device 1 according to the present embodiment has a built-in detection function that detects contact or proximity of the detection target to the display surface. As shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display panel 10, a controller 11, a gate driver 12, a source driver 13, a drive circuit 14, and a detector 40.
表示パネル10は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示パネル10は、映像信号の入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。 The display panel 10 includes a plurality of pixels having display elements and has a display surface facing the plurality of pixels. Further, the display panel 10 receives an input of a video signal and displays an image composed of a plurality of pixels on the display surface.
制御部11は、外部より供給された映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13及び駆動回路14に制御信号を供給して、主に表示動作を制御する回路である。 The control unit 11 is a circuit that supplies a control signal to the gate driver 12, the source driver 13, and the drive circuit 14 based on the video signal Vdisp supplied from the outside to mainly control the display operation.
ゲートドライバ12は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、表示パネル10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。 The gate driver 12 has a function of sequentially selecting one horizontal line to be a display drive target of the display panel 10 based on a control signal supplied from the control unit 11.
ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、表示パネル10の、各副画素SPixに画素信号Vpixを供給する回路である。これに限定されず、制御部11が画素信号Vpixを生成し、この画素信号Vpixをソースドライバ13に供給してもよい。 The source driver 13 is a circuit that supplies a pixel signal Vpix to each sub-pixel SPix of the display panel 10 based on a control signal supplied from the control unit 11. The invention is not limited to this, and the control unit 11 may generate the pixel signal Vpix and supply the pixel signal Vpix to the source driver 13.
駆動回路14は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、共通電極COML(図7参照)に表示用の駆動信号Vcomdcを、および第1センサ電極26(図8参照)に電磁誘導方式による検出駆動信号VTxを供給する回路である。 The drive circuit 14 supplies the drive signal Vcomdc for display to the common electrode COML (see FIG. 7) and the electromagnetic induction method to the first sensor electrode 26 (see FIG. 8) based on the control signal supplied from the control unit 11. Is a circuit for supplying the detection drive signal VTx.
表示パネル10は、電磁誘導方式によりタッチペンの接触又は近接を検出した場合、第1検出信号Vdetを検出部40に出力する。 The display panel 10 outputs the first detection signal Vdet to the detection unit 40 when detecting the contact or proximity of the touch pen by the electromagnetic induction method.
検出部40は、電磁誘導方式のタッチ検出において、表示パネル10から出力される第1検出信号Vdetに基づいて、表示パネル10の表示面へのタッチペンのタッチの有無を検出する。 In the electromagnetic induction type touch detection, the detection unit 40 detects whether or not a touch pen touches the display surface of the display panel 10 based on the first detection signal Vdet output from the display panel 10.
図1に示すように、検出部40は、第1アナログフロントエンド回路47(以下、AFE(Analog Front End)47と表す)と、信号処理部44と、座標抽出部45と、検出タイミング制御部46と、を備える。 As shown in FIG. 1, the detection unit 40 includes a first analog front end circuit 47 (hereinafter, referred to as AFE (Analog Front End) 47), a signal processing unit 44, a coordinate extraction unit 45, and a detection timing control unit. 46 and.
AFE47は、増幅部42と、A/D変換部43とを含む。増幅部42は、表示パネル10から供給された検出信号Vdetを増幅する。A/D変換部43は、駆動信号Vcom1に同期したタイミングで、増幅部42から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。AFE47は、検出信号Vdetをデジタル信号に変換して信号処理部44に出力するアナログ信号処理回路である。 The AFE 47 includes an amplification section 42 and an A/D conversion section 43. The amplifier 42 amplifies the detection signal Vdet supplied from the display panel 10. The A/D converter 43 samples each analog signal output from the amplifier 42 at a timing synchronized with the drive signal Vcom1 and converts it into a digital signal. The AFE 47 is an analog signal processing circuit that converts the detection signal Vdet into a digital signal and outputs the digital signal to the signal processing unit 44.
信号処理部44は、AFE47の出力信号に基づいて、表示パネル10に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部44は、被検出体による検出信号の差分の信号(絶対値|ΔV|)を取り出す処理を行う。信号処理部44は、絶対値|ΔV|を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値|ΔV|がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部44は、絶対値|ΔV|がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、検出部40はタッチ検出が可能となる。 The signal processing unit 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of a touch on the display panel 10 based on the output signal of the AFE 47. The signal processing unit 44 performs a process of extracting a signal (absolute value |ΔV|) of a difference between detection signals of the detected object. The signal processing unit 44 compares the absolute value |ΔV| with a predetermined threshold voltage, and if the absolute value |ΔV| is less than the threshold voltage, it is determined that the detected object is in the non-contact state. .. On the other hand, if the absolute value |ΔV| In this way, the detection unit 40 can perform touch detection.
本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を含む。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を含む。 In the present specification, the “contact state” includes a state in which the detection target is in contact with the display surface or a state in which the detection target is close enough to be regarded as contact. Further, the “non-contact state” includes a state in which the detection target is not in contact with the display surface or a state in which the detection target is not close enough to be regarded as contact.
座標抽出部45は、信号処理部44においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部45は、タッチパネル座標を出力信号Voutとして出力する。座標抽出部45は、出力信号Voutを制御部11に出力してもよい。制御部11は出力信号Voutに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。 The coordinate extraction unit 45 is a logic circuit that obtains touch panel coordinates when a touch is detected by the signal processing unit 44. The coordinate extraction unit 45 outputs the touch panel coordinates as an output signal Vout. The coordinate extraction unit 45 may output the output signal Vout to the control unit 11. The control unit 11 can execute a predetermined display operation or detection operation based on the output signal Vout.
検出タイミング制御部46は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、AFE47と、信号処理部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。 The detection timing control unit 46 controls the AFE 47, the signal processing unit 44, and the coordinate extraction unit 45 to operate in synchronization with each other, based on the control signal supplied from the control unit 11.
なお、検出部40のAFE47と、信号処理部44と、座標抽出部45と、検出タイミング制御部46とは、表示装置1に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部40の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、信号処理部44及び座標抽出部45が、表示装置1とは別の外部のコントローラ200に搭載されてもよい。 The AFE 47 of the detection unit 40, the signal processing unit 44, the coordinate extraction unit 45, and the detection timing control unit 46 are mounted on the display device 1. However, the present invention is not limited to this, and all or part of the functions of the detection unit 40 may be mounted on an external processor or the like. For example, the signal processing unit 44 and the coordinate extraction unit 45 may be mounted on an external controller 200 different from the display device 1.
次に、図3及び図4を参照して、本実施形態の表示パネル10の電磁誘導方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図3は、電磁誘導方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、磁界発生期間の説明図である。図4は、電磁誘導方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、磁界検出期間の説明図である。 Next, the basic principle of touch detection by the electromagnetic induction method of the display panel 10 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is an explanatory diagram of a magnetic field generation period for explaining a basic principle of electromagnetic induction type touch detection. FIG. 4 is an explanatory diagram of the magnetic field detection period for explaining the basic principle of electromagnetic induction type touch detection.
図3及び図4に示すように、電磁誘導方式では、タッチペン100の接触又は近接を検出する。タッチペン100の内部には、共振回路101が設けられている。共振回路101は、コイル102と容量素子103とが並列接続されて構成される。 As shown in FIGS. 3 and 4, in the electromagnetic induction method, contact or proximity of the touch pen 100 is detected. A resonance circuit 101 is provided inside the touch pen 100. The resonance circuit 101 is configured by connecting a coil 102 and a capacitive element 103 in parallel.
電磁誘導方式では、送信コイルCTと受信コイルCRが重なって設けられる。送信コイルCTは、複数の送信コイルCTxを含む。受信コイルCRは、複数の受信コイルCRxを含む。送信コイルCTxは、第1方向Dxに長手を有し、第1方向Dxと交差する第2方向Dyに複数配列される。受信コイルCRxは、第2方向Dyに長手を有し、第1方向Dxに複数配列される。受信コイルCRxは、平面視で送信コイルCTxと交差して設けられる。送信コイルCTxは、交流信号源(駆動信号源)に接続され、受信コイルCRxは電圧検出器DET(図2参照)に接続される。 In the electromagnetic induction method, the transmission coil CT and the reception coil CR are provided so as to overlap each other. The transmission coil CT includes a plurality of transmission coils CTx. The receiving coil CR includes a plurality of receiving coils CRx. The transmission coils CTx have a length in the first direction Dx and are arranged in a plurality in the second direction Dy intersecting the first direction Dx. The receiving coils CRx have a length in the second direction Dy and are arranged in a plurality in the first direction Dx. The reception coil CRx is provided so as to intersect the transmission coil CTx in a plan view. The transmission coil CTx is connected to an AC signal source (driving signal source), and the reception coil CRx is connected to a voltage detector DET (see FIG. 2).
図3に示すように、磁界発生期間では、交流信号源から送信コイルCTxに所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)の交流矩形波が印加される。これにより、送信コイルCTxに電流が流れ、送信コイルCTxはこの電流変化に応じた磁界M1を発生する。タッチペン100が接触又は近接している場合、送信コイルCTxとコイル102との相互誘導による起電力がコイル102に発生する。これにより、容量素子103が充電される。 As shown in FIG. 3, during the magnetic field generation period, an AC rectangular wave having a predetermined frequency (for example, several kHz to several hundred kHz) is applied from the AC signal source to the transmission coil CTx. As a result, a current flows through the transmission coil CTx, and the transmission coil CTx generates a magnetic field M1 according to this change in current. When the touch pen 100 is in contact with or in proximity to the touch pen 100, electromotive force is generated in the coil 102 due to mutual induction between the transmission coil CTx and the coil 102. As a result, the capacitive element 103 is charged.
次に、図4に示す磁界検出期間では、タッチペン100のコイル102は、共振回路101の共振周波数に応じて変化する磁界M2を発生する。磁界M2が受信コイルCRxを通過することで、受信コイルCRxとコイル102との相互誘導による起電力が受信コイルCRxに発生する。検出部40における電圧検出器DETには、受信コイルCRxの起電力に応じた電流が流れる。 Next, in the magnetic field detection period shown in FIG. 4, the coil 102 of the touch pen 100 generates a magnetic field M2 that changes according to the resonance frequency of the resonance circuit 101. When the magnetic field M2 passes through the receiving coil CRx, an electromotive force due to mutual induction between the receiving coil CRx and the coil 102 is generated in the receiving coil CRx. A current corresponding to the electromotive force of the receiving coil CRx flows through the voltage detector DET in the detection unit 40.
電圧検出器DETは、受信コイルCRxの起電力に応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。検出部40は、上述したように絶対値|ΔV|を所定のしきい値電圧と比較することで、タッチペン100が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。送信コイルCTx及び受信コイルCRxをそれぞれ走査することにより、検出部40は、電磁誘導方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチペン100の検出が可能となる。 The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the electromotive force of the receiving coil CRx into the fluctuation of the voltage. The detection unit 40 determines whether the touch pen 100 is in a non-contact state, a contact state, or a proximity state by comparing the absolute value |ΔV| with a predetermined threshold voltage as described above. By scanning the transmission coil CTx and the reception coil CRx respectively, the detection unit 40 can detect the touch pen 100 based on the basic principle of touch detection of the electromagnetic induction method.
次に、本実施形態の表示装置1の構成例を詳細に説明する。図5は、第1の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図5に示すように、表示装置1は、画素基板2と、対向基板3と、表示機能層としての液晶層6と、カバー基板50とを備える。対向基板3は、画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6は画素基板2と対向基板3との間に設けられる。 Next, a configuration example of the display device 1 of this embodiment will be described in detail. FIG. 5 is a sectional view showing a schematic sectional structure of the display device according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the display device 1 includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3, a liquid crystal layer 6 as a display function layer, and a cover substrate 50. The counter substrate 3 is arranged so as to face the surface of the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface. The liquid crystal layer 6 is provided between the pixel substrate 2 and the counter substrate 3.
カバー基板50は、対向基板3の表面に設けられる。カバー基板50は、画素基板2及び対向基板3を覆って保護するための保護部材である。カバー基板50は、第1面50aと、第1面50aの反対側の第2面50bとを有する。カバー基板50の第1面50aは、画像が表示される表示面であり、被検出体が接触又は近接する検出面である。本実施形態において、タッチ検出は、第1面50aに直接、接触する被検出体を検出する場合を含む。また、タッチ検出は、第1面50aに保護フィルム(図示しない)等が設けられ、保護フィルムに接触する被検出体を検出する場合も含む。 The cover substrate 50 is provided on the surface of the counter substrate 3. The cover substrate 50 is a protective member for covering and protecting the pixel substrate 2 and the counter substrate 3. The cover substrate 50 has a first surface 50a and a second surface 50b opposite to the first surface 50a. The first surface 50a of the cover substrate 50 is a display surface on which an image is displayed, and is a detection surface with which an object to be detected contacts or approaches. In the present embodiment, the touch detection includes the case of detecting the detected object that directly contacts the first surface 50a. In addition, the touch detection includes a case where a protective film (not shown) or the like is provided on the first surface 50a and the detection target that contacts the protective film is detected.
カバー基板50の第2面50bは、接着層55を介して偏光板36と接着される。カバー基板50は、ガラス基板であってもよく、樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。第1面50a側の外部から入射した光は、画素基板2の画素電極25によって反射されて第1面50aから出射する。本実施形態の表示装置1は、この反射光を利用して画像を表示する反射型液晶表示装置である。 The second surface 50b of the cover substrate 50 is bonded to the polarizing plate 36 via the adhesive layer 55. The cover substrate 50 may be a glass substrate or may be a film-shaped base material using a resin material or the like. Light incident from the outside on the first surface 50a side is reflected by the pixel electrode 25 of the pixel substrate 2 and emitted from the first surface 50a. The display device 1 of the present embodiment is a reflective liquid crystal display device that displays an image using this reflected light.
なお、本明細書において、第1面50aと平行な方向を第1方向Dxとし、第1面50aと平行な面において第1方向Dxと交差する方向を第2方向Dyとする。また、第1面50aに垂直な方向を第3方向Dzとする。また、本明細書において、第1基板21に垂直な方向において、第1基板21から第2基板31に向かう方向を「上側」とする。また、第2基板31から第1基板21に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第1基板21の表面に垂直な方向から見た場合を示す。 In this specification, the direction parallel to the first surface 50a is the first direction Dx, and the direction parallel to the first surface 50a and the first direction Dx is the second direction Dy. The direction perpendicular to the first surface 50a is the third direction Dz. Further, in the present specification, the direction from the first substrate 21 to the second substrate 31 in the direction perpendicular to the first substrate 21 is referred to as “upper side”. Further, the direction from the second substrate 31 to the first substrate 21 will be referred to as “lower side”. Further, “plan view” refers to a case viewed from a direction perpendicular to the surface of the first substrate 21.
画素基板2は、第1基板21と、第1センサ電極26と、第2センサ電極27と、画素電極25と、シールド電極24と、TFT(Thin Film Transistor)を形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIと、絶縁膜23および23A、平坦化膜29と、配向膜28とを有する。第1センサ電極26、シールド電極24及び画素電極25は、この順で第1基板21に設けられる。第1基板21は、例えば、ガラス基板が用いられる。 The pixel substrate 2 includes a first substrate 21, a first sensor electrode 26, a second sensor electrode 27, a pixel electrode 25, a shield electrode 24, a signal line SGL that forms a TFT (Thin Film Transistor), and a gate line. It has GCL, a silicon layer SI, insulating films 23 and 23A, a planarizing film 29, and an alignment film 28. The first sensor electrode 26, the shield electrode 24, and the pixel electrode 25 are provided on the first substrate 21 in this order. As the first substrate 21, for example, a glass substrate is used.
画素電極25は、絶縁膜23Aの上に複数設けられる。配向膜28は、画素基板2の最表面に配置され、画素電極25と液晶層6との間に設けられる。画素電極25は、例えばアルミニウム(Al)や銀(Ag)等の金属で形成されている。また、画素電極25は、これらの金属材料と、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性導電材料とを積層した構成としてもよい。画素電極25は、良好な反射率を有する材料が用いられ、外部から入射する光を拡散反射させる反射電極として形成される。画素電極25は絶縁膜23Aに設けられたコンタクトホール部CHを介してコンタクトホール接続部CHAに接続し、コンタクトホール接続部CHAはドレイン電極部DRに接続する。 A plurality of pixel electrodes 25 are provided on the insulating film 23A. The alignment film 28 is disposed on the outermost surface of the pixel substrate 2 and is provided between the pixel electrode 25 and the liquid crystal layer 6. The pixel electrode 25 is formed of a metal such as aluminum (Al) or silver (Ag). Further, the pixel electrode 25 may have a configuration in which these metal materials and a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) are laminated. The pixel electrode 25 is made of a material having a good reflectance, and is formed as a reflective electrode that diffuses and reflects light incident from the outside. The pixel electrode 25 is connected to the contact hole connecting portion CHA via the contact hole portion CH provided in the insulating film 23A, and the contact hole connecting portion CHA is connected to the drain electrode portion DR.
シールド電極24は平坦化膜29の上に設けられる。シールド電極はITO等の透光性導電材料で設けられる。またシールド電極24に金属材料を用いることや、一部の領域で金属材料と積層した構成として電気抵抗をさげることで電気的なシールド性能を向上させることができる。 The shield electrode 24 is provided on the flattening film 29. The shield electrode is made of a transparent conductive material such as ITO. Further, by using a metal material for the shield electrode 24, or by reducing the electric resistance by laminating the metal material in a part of the region, it is possible to improve the electric shield performance.
第1センサ電極26は、信号線SGLと同じ金属材料、例えばアルミニウム(Al)や銅(Cu)等で、信号線SGLと同じフォトリソ工程で形成される。同様に第2センサ電極27はゲート線GCLと同じ金属材料、例えばアルミニウム、銅、モリブデン(Mo)等で、ゲート線GCLと同じフォトリソ工程で形成される。 The first sensor electrode 26 is made of the same metal material as the signal line SGL, such as aluminum (Al) or copper (Cu), and is formed in the same photolithography process as the signal line SGL. Similarly, the second sensor electrode 27 is made of the same metal material as the gate line GCL, for example, aluminum, copper, molybdenum (Mo), etc., and is formed in the same photolithography process as the gate line GCL.
第1センサ電極26は、第1基板21の表面に対して垂直な方向において、第1基板21とシールド電極24との間に設けられる。第1センサ電極26は、絶縁層23および23A、平坦化膜29を介してシールド電極24と画素電極25と重なって設けられる。これにより、シールド電極24と画素電極25との間に保持容量53(図6参照)が形成され、また第1センサ電極と画素電極の間の容量はほぼ無くすことができるため、第1センサ電極26に印加される信号により、画素電極25の電位に影響を与えられることを防ぐことができる。本実施形態において、第1センサ電極26は、さらに、表示パネル10の送信コイルCTx(図3、図4参照)として機能する。 The first sensor electrode 26 is provided between the first substrate 21 and the shield electrode 24 in the direction perpendicular to the surface of the first substrate 21. The first sensor electrode 26 is provided so as to overlap the shield electrode 24 and the pixel electrode 25 with the insulating layers 23 and 23A and the flattening film 29 interposed therebetween. As a result, the storage capacitor 53 (see FIG. 6) is formed between the shield electrode 24 and the pixel electrode 25, and the capacitance between the first sensor electrode and the pixel electrode can be almost eliminated. The signal applied to 26 can prevent the potential of the pixel electrode 25 from being affected. In the present embodiment, the first sensor electrode 26 further functions as the transmission coil CTx (see FIGS. 3 and 4) of the display panel 10.
同様に、第2センサ電極27は、第1基板21の表面に対して垂直な方向において、第1基板21とシールド電極24との間に設けられる。第2センサ電極27は、絶縁層23および23A、平坦化膜29を介してシールド電極24と画素電極25と重なって設けられる。これにより、シールド電極24と画素電極25との間に保持容量53(図6参照)が形成される。本実施形態において、第2センサ電極27は、さらに、表示パネル10の受信コイル(図3、図4参照)として機能する。 Similarly, the second sensor electrode 27 is provided between the first substrate 21 and the shield electrode 24 in the direction perpendicular to the surface of the first substrate 21. The second sensor electrode 27 is provided so as to overlap the shield electrode 24 and the pixel electrode 25 with the insulating layers 23 and 23A and the flattening film 29 interposed therebetween. As a result, the storage capacitor 53 (see FIG. 6) is formed between the shield electrode 24 and the pixel electrode 25. In the present embodiment, the second sensor electrode 27 further functions as a receiving coil (see FIGS. 3 and 4) of the display panel 10.
対向基板3は、第2基板31と、第2基板31の一方の面に設けられたカラーフィルタ32と、共通電極COMLと、配向膜38と、第2基板31の他方の面に設けられた絶縁層35と、偏光板36とを有する。本実施形態において、第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。 The counter substrate 3 is provided on the second substrate 31, the color filter 32 provided on one surface of the second substrate 31, the common electrode COML, the alignment film 38, and the other surface of the second substrate 31. It has an insulating layer 35 and a polarizing plate 36. In the present embodiment, the second substrate 31 is, for example, a glass substrate or a resin substrate.
カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は第1基板21の上に配置されてもよい。カラーフィルタ32は、例えば、色領域32R(赤色)、色領域32G(緑色)、色領域32B(青色、図示しない)の3つのフィルタを有する。カラーフィルタ32は、W(白色)のフィルタを含んでいてもよく、或いは5つ以上の異なる色のフィルタを含んでいてもよい。色領域32R、32G、32Bの境界部分に遮光層39が設けられる。遮光層39は、いわゆるブラックマトリクスと呼ばれる着色された樹脂層、或いは金属層である。 The color filter 32 faces the liquid crystal layer 6 in the direction perpendicular to the first substrate 21. The color filter 32 may be arranged on the first substrate 21. The color filter 32 has three filters, for example, a color area 32R (red), a color area 32G (green), and a color area 32B (blue, not shown). The color filter 32 may include a W (white) filter, or may include five or more different color filters. A light shielding layer 39 is provided at the boundary between the color regions 32R, 32G, 32B. The light-shielding layer 39 is a colored resin layer called a so-called black matrix or a metal layer.
共通電極COMLは、第2基板31に対して、偏光板36の反対側に設けられる。また、共通電極COMLは、第1基板21と垂直な方向において、カラーフィルタ32と液晶層6との間に設けられる。共通電極COMLは、透光性の導電材料、例えばITO等で形成されている。 The common electrode COML is provided on the opposite side of the polarizing plate 36 with respect to the second substrate 31. The common electrode COML is provided between the color filter 32 and the liquid crystal layer 6 in the direction perpendicular to the first substrate 21. The common electrode COML is formed of a translucent conductive material such as ITO.
液晶層6は、例えば、ネマティック(Nematic)液晶を含んでいる。液晶層6は、共通電極COMLと画素電極25との間の電圧レベルが変更されることにより、共通電極COMLと画素電極25の間に形成される電界に基づいて初期配向からの向きを変更する。これにより、液晶層6を透過する光が副画素SPixごとに変調する。 The liquid crystal layer 6 contains, for example, a nematic liquid crystal. The liquid crystal layer 6 changes its direction from the initial alignment based on the electric field formed between the common electrode COML and the pixel electrode 25 by changing the voltage level between the common electrode COML and the pixel electrode 25. .. Thereby, the light transmitted through the liquid crystal layer 6 is modulated for each sub-pixel SPix.
このような構成により、第1基板21、複数の第1センサ電極26および複数の第2センサ電極27、シールド電極24、複数の画素電極25、表示機能層としての液晶層6、共通電極COML、この順で重なって設けられる。また、共通電極COMLの上側には、絶縁基板である第2基板31が設けられる。表示装置1の第1面50a側から入射する入射光は、対向基板3及び液晶層6を透過して画素電極25に到達する。そして、入射光は画素電極25で反射される。画素電極25で反射された光は、液晶層6を透過して副画素SPixごとに変調されて第1面50aから出射される。 With such a configuration, the first substrate 21, the plurality of first sensor electrodes 26 and the plurality of second sensor electrodes 27, the shield electrode 24, the plurality of pixel electrodes 25, the liquid crystal layer 6 as the display function layer, the common electrode COML, They are provided overlapping in this order. Further, the second substrate 31, which is an insulating substrate, is provided above the common electrode COML. Incident light incident from the first surface 50a side of the display device 1 passes through the counter substrate 3 and the liquid crystal layer 6 and reaches the pixel electrode 25. Then, the incident light is reflected by the pixel electrode 25. The light reflected by the pixel electrode 25 passes through the liquid crystal layer 6, is modulated for each sub-pixel SPix, and is emitted from the first surface 50a.
本実施形態における表示装置1は外部の光を反射させて表示を行う反射型表示装置であるため、第1センサ電極26および第2センサ電極27は平面視で画素電極と重なっていても、表示にかかわる光の損失はない。そのため、十分な面積の第1センサ電極26および第2センサ電極27を配置でき、電気的にも低抵抗に設計できるため、センシング特性を向上することができる。 Since the display device 1 according to the present embodiment is a reflective display device that reflects external light to perform display, even if the first sensor electrode 26 and the second sensor electrode 27 overlap with the pixel electrode in plan view, There is no light loss associated with it. Therefore, the first sensor electrode 26 and the second sensor electrode 27 having a sufficient area can be arranged, and the electrical resistance can be designed so that the sensing characteristics can be improved.
また、表示装置1は、外部の光を反射させて表示を行う反射型表示装置であるため、フロントライトやバックライト等の光源は配置されていない。これに限定されず、フロントライトやバックライト等の光源を備えていてもよい。この場合、フロントライトは第1面50a側に設けられる。また、バックライトは、画素基板2の背面、すなわち、第1基板21に対して液晶層6の反対側に設けられる。バックライトを用いる場合、バックライトからの光は画素電極25の間を通過して第1面50aに至る。バックライトからの光は補助光として機能する。さらには1つの画素の、第1センサ電極26および第2センサ電極27と重ならない領域において、画素電極25の一部を透明電極することで、バックライトからの光は画素電極25の透明電極の部分を通過して第1面50aに至る。 Further, since the display device 1 is a reflective display device that reflects external light to perform display, no light source such as a front light or a backlight is arranged. The present invention is not limited to this, and a light source such as a front light or a backlight may be provided. In this case, the front light is provided on the first surface 50a side. The backlight is provided on the back surface of the pixel substrate 2, that is, on the opposite side of the first substrate 21 from the liquid crystal layer 6. When a backlight is used, the light from the backlight passes between the pixel electrodes 25 and reaches the first surface 50a. The light from the backlight functions as auxiliary light. Furthermore, by making a part of the pixel electrode 25 transparent in a region of one pixel that does not overlap the first sensor electrode 26 and the second sensor electrode 27, the light from the backlight can be emitted from the transparent electrode of the pixel electrode 25. It passes through the portion and reaches the first surface 50a.
次に本実施形態に係る表示装置の概略平面図を説明する。図6は図5における画素基板2の平面構成を示したものである。第1センサ電極26と、第2センサ電極27と、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIを示す。副画素SPixごとに、画素電極24はそれぞれに、シールド電極24および平坦化膜(図示しない)に設けられたコンタクトホールを介してTFTに接続される。ゲート線GCLの延伸方向と平行に第2センサ電極27を配置し、信号線SGLの延伸方向と平行に第1センサ電極26を配置している。 Next, a schematic plan view of the display device according to the present embodiment will be described. FIG. 6 shows a planar configuration of the pixel substrate 2 in FIG. The first sensor electrode 26, the second sensor electrode 27, the pixel electrode 25, the shield electrode 24, the signal line SGL forming the TFT, the gate line GCL, and the silicon layer SI are shown. For each sub-pixel SPix, the pixel electrode 24 is connected to the TFT via a contact hole provided in the shield electrode 24 and the flattening film (not shown). The second sensor electrode 27 is arranged in parallel with the extending direction of the gate line GCL, and the first sensor electrode 26 is arranged in parallel with the extending direction of the signal line SGL.
副画素SPixごとにTFT素子の位置を変え、信号線および第1センサ電極26を屈曲させながら配置することで、第1センサ電極26の幅が極端に狭くなる箇所ができないようにしている。これにより第1センサ電極26による配線の抵抗値を下げることができる。 By changing the position of the TFT element for each sub-pixel SPix and arranging the signal line and the first sensor electrode 26 while bending them, the width of the first sensor electrode 26 is prevented from becoming extremely narrow. This can reduce the resistance value of the wiring formed by the first sensor electrode 26.
ゲート線GCL、信号線SGL、第1センサ電極26、第2センサ電極27は平面視でシールド電極24に覆われている。これにより各電極と画素電極24は電気的にほぼ離間されているため、センシングに関わる電位変動の影響を受けないので、表示駆動とセンシングの駆動を同時に行うことも可能となる。 The gate line GCL, the signal line SGL, the first sensor electrode 26, and the second sensor electrode 27 are covered with the shield electrode 24 in a plan view. As a result, each electrode and the pixel electrode 24 are electrically separated from each other, and are not affected by potential fluctuations related to sensing, so that display driving and sensing driving can be performed at the same time.
次に表示装置1の表示動作について説明する。図7は、第1の実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。図7に示す第1基板21には、各副画素SPixのスイッチング素子Tr、各画素電極25に画素信号Vpixを供給する信号線SGL、各スイッチング素子Trを駆動する駆動信号を供給するゲート線GCL等の配線が形成されている。信号線SGL及びゲート線GCLは、第1基板21の表面と平行な平面に設けられる。複数のゲート線GCLと、これら複数の信号線SGLとは交差して設けられる。これらゲート線GCLと信号線SGLによって表示領域Ad(図8参照)が行列状に区画されている。この1区画領域を副画素SPixという。 Next, the display operation of the display device 1 will be described. FIG. 7 is a circuit diagram showing a pixel array of the display device according to the first embodiment. On the first substrate 21 shown in FIG. 7, the switching element Tr of each sub-pixel SPix, the signal line SGL that supplies the pixel signal Vpix to each pixel electrode 25, and the gate line GCL that supplies the drive signal that drives each switching element Tr. Etc. are formed. The signal line SGL and the gate line GCL are provided on a plane parallel to the surface of the first substrate 21. The plurality of gate lines GCL and the plurality of signal lines SGL are provided so as to intersect with each other. The display area Ad (see FIG. 8) is divided into a matrix by the gate lines GCL and the signal lines SGL. This one-partitioned area is called a sub-pixel SPix.
図7に示すように、表示装置1は、マトリクス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr、液晶素子52及び保持容量53を備えている。副画素SPixには画素電極25(図6参照)が設けられ、各画素電極25はスイッチング素子Trに接続されている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。液晶素子52は、画素電極25と共通電極COMLとの間で発生する液晶容量を含む。保持容量53は、画素電極25とシールド電極24との間に形成される容量を用いることができる。これに限定されず、容量素子を設けてもよい。 As shown in FIG. 7, the display device 1 has a plurality of sub-pixels SPix arranged in a matrix. Each sub-pixel SPix includes a switching element Tr, a liquid crystal element 52, and a storage capacitor 53. A pixel electrode 25 (see FIG. 6) is provided in the sub-pixel SPix, and each pixel electrode 25 is connected to the switching element Tr. The switching element Tr is composed of a thin film transistor, and in this example, is composed of an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT. The liquid crystal element 52 includes a liquid crystal capacitance generated between the pixel electrode 25 and the common electrode COML. As the storage capacitor 53, a capacitor formed between the pixel electrode 25 and the shield electrode 24 can be used. The invention is not limited to this, and a capacitor may be provided.
前述のように画素電極25とシールド電極24の間で保持容量53を設けることで、本来別途必要になる保持容量素子を最小限ないし無くすことができるため、その分、第1センサ電極26および第2センサ電極27の面積を多くとることができるので、センシング特性を向上させることができる。 By providing the storage capacitor 53 between the pixel electrode 25 and the shield electrode 24 as described above, it is possible to minimize or eliminate a storage capacitor element that is originally required separately, and accordingly, the first sensor electrode 26 and the first sensor electrode 26 and Since the area of the two-sensor electrode 27 can be increased, the sensing characteristics can be improved.
複数のゲート線GCLは、ゲートドライバ12に接続される。ゲートドライバ12は、ゲート線GCLを順次選択する。ゲートドライバ12は、選択されたゲート線GCLを介して走査信号Vscan(図1参照)をスイッチング素子Trのゲートに印加する。これにより、副画素SPixのうちの1行(1水平ライン)が表示駆動の対象として順次選択される。また、複数の信号線SGLは、ソースドライバ13に接続される。ソースドライバ13は、選択された1水平ラインを構成する副画素SPixに、信号線SGLを介して画素信号Vpixを供給する。そして、これらの副画素SPixでは、供給される画素信号Vpixに応じて1水平ラインずつ表示が行われる。 The plurality of gate lines GCL are connected to the gate driver 12. The gate driver 12 sequentially selects the gate line GCL. The gate driver 12 applies the scanning signal Vscan (see FIG. 1) to the gate of the switching element Tr via the selected gate line GCL. As a result, one row (one horizontal line) of the sub-pixel SPix is sequentially selected as a display drive target. Further, the plurality of signal lines SGL are connected to the source driver 13. The source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the sub-pixels SPix forming one selected horizontal line via the signal line SGL. Then, in these sub-pixels SPix, display is performed one horizontal line at a time according to the supplied pixel signal Vpix.
この表示動作を行う際、駆動回路14(図1参照)は、共通電極COMLおよびシールド電極24に対して表示用の駆動信号Vcomdcを印加する。これにより、各共通電極COMLは、表示動作時には画素電極25に対する共通電極として機能する。 When performing this display operation, the drive circuit 14 (see FIG. 1) applies the drive signal Vcomdc for display to the common electrode COML and the shield electrode 24. As a result, each common electrode COML functions as a common electrode for the pixel electrode 25 during the display operation.
上述した図6に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、32G、32Bが1組として対応付けられ、3色の色領域32R、32G、32Bに対応する副画素SPixを1組として画素Pixが構成される。 Each of the sub-pixels SPix shown in FIG. 6 described above is associated with the color regions 32R, 32G, 32B of three colors of R, G, B as one set, and the sub-regions corresponding to the color regions 32R, 32G, 32B of three colors. Pixels Pix are configured with one set of pixels SPix.
次に、共通電極COMLの構成と、タッチ検出動作について説明する。図8は、第1の実施形態に係る表示装置を模式的に表す平面図である。図8に示すように、表示装置1において、表示領域Adと、周辺領域Gdとが設けられている。本明細書において、表示領域Adは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Pix(副画素SPix)と重なる領域である。本実施形態において、表示領域Adの長辺に沿った方向を第2方向Dyとし、第2方向Dyと交差する方向を第1方向Dxとする。 Next, the configuration of the common electrode COML and the touch detection operation will be described. FIG. 8 is a plan view schematically showing the display device according to the first embodiment. As shown in FIG. 8, the display device 1 includes a display area Ad and a peripheral area Gd. In the present specification, the display area Ad is an area for displaying an image, and is an area overlapping the plurality of pixels Pix (sub-pixels SPix). In the present embodiment, the direction along the long side of the display area Ad is the second direction Dy, and the direction intersecting the second direction Dy is the first direction Dx.
図8に示すように、第1基板21の周辺領域Gdには、フレキシブル基板110が接続される。フレキシブル基板110には、表示パネル10の検出動作を制御するための駆動IC19およびタッチIC49が設けられている。駆動IC19はタッチIC49による検出動作と同期をとって動作する。第1センサ電極26はそれぞれ駆動IC19に電気的に接続される。また第2センサ電極27はそれぞれタッチIC49に電気的に接続される。図1に示すソースドライバ13、駆動回路14等の各種回路は、駆動IC19に形成されている。また、図1に示すAFE47、タッチIC49に形成されている。 As shown in FIG. 8, the flexible substrate 110 is connected to the peripheral region Gd of the first substrate 21. The flexible substrate 110 is provided with a drive IC 19 and a touch IC 49 for controlling the detection operation of the display panel 10. The drive IC 19 operates in synchronization with the detection operation by the touch IC 49. The first sensor electrodes 26 are electrically connected to the drive ICs 19, respectively. The second sensor electrodes 27 are electrically connected to the touch ICs 49, respectively. Various circuits such as the source driver 13 and the drive circuit 14 shown in FIG. 1 are formed in the drive IC 19. Further, it is formed on the AFE 47 and the touch IC 49 shown in FIG.
図8に示すように、第1センサ電極26は、第1基板21の表示領域Adに、第1センサ電極につながる第1センサ配線26Wは周辺領域Gdに設けられる。第1センサ電極26は、第2方向Dyに長尺に設けられ、第1方向Dxに複数配列されている。第1センサ電極26は駆動IC19からの外部電流印加により磁界を発生するコイルとなっていて、隣接する第1センサ電極によるコイルは一部で重なり合っている。これにより隣接する第1センサ電極の間の磁界が発生しない領域をなくすことができる。図7ではコイルを形成する第1センサ電極26は1つの画素分の幅の電極となっているが、複数の画素の第1センサ電極26を並列に束ねてコイルを形成してもよい。 As shown in FIG. 8, the first sensor electrode 26 is provided in the display area Ad of the first substrate 21, and the first sensor wiring 26W connected to the first sensor electrode is provided in the peripheral area Gd. The first sensor electrodes 26 are elongated in the second direction Dy and are arranged in the first direction Dx. The first sensor electrode 26 is a coil that generates a magnetic field by applying an external current from the driving IC 19, and the coils of the adjacent first sensor electrodes partially overlap each other. As a result, it is possible to eliminate a region where the magnetic field is not generated between the adjacent first sensor electrodes. In FIG. 7, the first sensor electrode 26 forming the coil is an electrode having a width corresponding to one pixel, but the first sensor electrodes 26 of a plurality of pixels may be bundled in parallel to form the coil.
同様に、第2センサ電極27は、第1基板21の表示領域Adに、第2センサ電極につながる第2センサ配線27Wは周辺領域Gdに設けられる。第2センサ電極27は、第1方向Dyに長尺に設けられ、第2方向Dxに複数配列されている。第2センサ電極27は外部のタッチペンからの磁界を受け、相互誘導で信号電流を発生させるコイルとなっており、発生した信号電流はタッチIC49にて検出される。第1センサ電極26と同様に、第2センサ電極27も隣接する第2センサ電極と重なり合っており、ペンからの磁界を受けれない領域をなくしている。また、複数の画素の第2センサ電極27を並列に束ねてコイルを形成してもよい。 Similarly, the second sensor electrode 27 is provided in the display area Ad of the first substrate 21, and the second sensor wiring 27W connected to the second sensor electrode is provided in the peripheral area Gd. The second sensor electrodes 27 are elongated in the first direction Dy and are arranged in the second direction Dx. The second sensor electrode 27 is a coil that receives a magnetic field from an external touch pen and generates a signal current by mutual induction, and the generated signal current is detected by the touch IC 49. Similar to the first sensor electrode 26, the second sensor electrode 27 overlaps with the adjacent second sensor electrode, and eliminates the region that cannot receive the magnetic field from the pen. Further, the second sensor electrodes 27 of a plurality of pixels may be bundled in parallel to form a coil.
第1基板21の周辺領域Gdの長辺には、ゲート走査部等の各種回路が設けられている。ゲート走査部は、ゲートドライバ12(図1参照)に含まれる回路であり、ゲート線GCLを順次選択する。第1センサ電極26に電気的に接続された第1センサ電極配線26Wが配置され、フレキシブル基板110の所定の端子へ接続する。同様に、第1基板21の周辺領域Gdの短辺には、マルチプレクサ等のソース選択回路を含むソースドライバ13が設けられる。第2センサ電極に電気的に接続された第2センサ電極配線27Wが配置され、フレキシブル基板110の所定の端子へ接続する。 Various circuits such as a gate scanning unit are provided on the long side of the peripheral region Gd of the first substrate 21. The gate scanning unit is a circuit included in the gate driver 12 (see FIG. 1) and sequentially selects the gate line GCL. A first sensor electrode wiring 26W electrically connected to the first sensor electrode 26 is arranged and connected to a predetermined terminal of the flexible substrate 110. Similarly, a source driver 13 including a source selection circuit such as a multiplexer is provided on the short side of the peripheral region Gd of the first substrate 21. A second sensor electrode wiring 27W electrically connected to the second sensor electrode is arranged and connected to a predetermined terminal of the flexible substrate 110.
この構成により、図5に示すシールド電極24にて、第1センサ電極26と第2センサ電極27は画素電極や液晶層から電気的に分離されているので、表示にかかわる動作と同時にセンシング動作を行うことができるため、センシングに費やす時間を多くとれるので高精度のセンシングが可能となる。 With this configuration, in the shield electrode 24 shown in FIG. 5, the first sensor electrode 26 and the second sensor electrode 27 are electrically separated from the pixel electrode and the liquid crystal layer, so that the sensing operation is performed at the same time as the display operation. Since it can be performed, a large amount of time can be spent on sensing, which enables highly accurate sensing.
(第2の実施形態)
次に第1の実施形態の変形例として第2の実施形態の表示装置の概略平面図を説明する。図9は図5と同様の層構成をもつ画素基板2の平面構成を示したものである。第1センサ電極26と、第2センサ電極27と、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIを示す。副画素SPixごとに、画素電極24はそれぞれに、シールド電極24および平坦化膜(図示しない)に設けられたコンタクトホールを介してTFTに接続される。ゲート線GCLの延伸方向と平行に第2センサ電極27を配置し、信号線SGLの延伸方向と平行に第1センサ電極26を配置している。
(Second embodiment)
Next, a schematic plan view of the display device of the second embodiment will be described as a modification of the first embodiment. FIG. 9 shows a planar structure of the pixel substrate 2 having the same layer structure as that of FIG. The first sensor electrode 26, the second sensor electrode 27, the pixel electrode 25, the shield electrode 24, the signal line SGL forming the TFT, the gate line GCL, and the silicon layer SI are shown. For each sub-pixel SPix, the pixel electrode 24 is connected to the TFT via a contact hole provided in the shield electrode 24 and the flattening film (not shown). The second sensor electrode 27 is arranged parallel to the extending direction of the gate line GCL, and the first sensor electrode 26 is arranged parallel to the extending direction of the signal line SGL.
副画素SPixごとの信号線SGLは図面上横方向に配列している一方で、画素電極25は図面上縦方向に配列している。副画素SPixごとにTFT素子の位置を変え、信号線を屈曲させながら配置することで信号線SGLの配置位置を不均等にすることができ、より幅の広い第1センサ電極26を配置することができる。シールド電極24が画素電極25とそのほかの電極を電気的に分離しており、また反射型の表示装置であるため画素電極25よりも基板21側に配置される電極設計が光学的に開口率に影響しないため、このような電極配置が可能となる。 The signal lines SGL for each sub-pixel SPix are arranged in the horizontal direction on the drawing, while the pixel electrodes 25 are arranged in the vertical direction on the drawing. By changing the position of the TFT element for each sub-pixel SPix and arranging the signal line while bending it, it is possible to make the arrangement position of the signal line SGL non-uniform, and to arrange the wider first sensor electrode 26. You can The shield electrode 24 electrically separates the pixel electrode 25 from the other electrodes, and since the display device is a reflection type display device, the electrode design arranged closer to the substrate 21 than the pixel electrode 25 has an optical aperture ratio. Since there is no influence, such an electrode arrangement is possible.
副画素SPixごとの画素電極25の間に位置するところの第1センサ電極26を一部細くすることで、第1センサ電極25に外光があたり反射し表示コントラストを劣化させる影響を最小限にすることができる。同様に第2センサ電極27も画素電極間を避けて配置することで、表示コントラストが低下することを防ぐことができる。 By partially thinning the first sensor electrode 26 located between the pixel electrodes 25 of each sub-pixel SPix, the influence that external light hits the first sensor electrode 25 and is reflected to deteriorate the display contrast is minimized. can do. Similarly, by arranging the second sensor electrode 27 while avoiding between the pixel electrodes, it is possible to prevent the display contrast from being lowered.
(第3の実施形態)
図10は、第3の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図10に示すように、表示装置1は、第1の実施形態と同様に画素基板2と、対向基板3と、表示機能層としての液晶層6と、カバー基板50とを備える。対向基板3は、画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6は画素基板2と対向基板3との間に設けられる。画素電極25で外光を反射して画像を表示する反射型表示装置である。
(Third Embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic cross-sectional structure of the display device according to the third embodiment. As shown in FIG. 10, the display device 1 includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3, a liquid crystal layer 6 as a display functional layer, and a cover substrate 50, as in the first embodiment. The counter substrate 3 is arranged so as to face the surface of the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface. The liquid crystal layer 6 is provided between the pixel substrate 2 and the counter substrate 3. The reflective display device displays an image by reflecting external light from the pixel electrode 25.
画素基板2は、第1基板21と、第1センサ電極26と、第2センサ電極27Aと、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIと、絶縁膜23および23A、平坦化膜29と、配向膜28とを有する。第1センサ電極26は信号線SGLと同時に、同じフォトリソ工程で形成されるアルミニウム(Al)などの金属配線であり、シールド電極24に平面視で覆われているため、画素電極25と電気的に分離されている。 The pixel substrate 2 includes a first substrate 21, a first sensor electrode 26, a second sensor electrode 27A, a pixel electrode 25, a shield electrode 24, a signal line SGL forming a TFT, a gate line GCL, and a silicon layer SI. And insulating films 23 and 23A, a flattening film 29, and an alignment film 28. The first sensor electrode 26 is a metal wiring such as aluminum (Al) formed in the same photolithography process at the same time as the signal line SGL, and is electrically covered with the pixel electrode 25 because it is covered with the shield electrode 24 in a plan view. It is separated.
第2センサ電極27Aはシールド電極24と同じく平坦化膜29上に形成され、シールド電極24とは接続されていない。第2センサ電極27はアルミニウム(Al)などの金属層とITO等の透光性導電材料の積層で形成されている。この積層されるITO層はシールド電極24の形成するのと同時に形成される。 The second sensor electrode 27A is formed on the flattening film 29 like the shield electrode 24 and is not connected to the shield electrode 24. The second sensor electrode 27 is formed by laminating a metal layer such as aluminum (Al) and a translucent conductive material such as ITO. This laminated ITO layer is formed at the same time when the shield electrode 24 is formed.
第1センサ電極26は、第1基板21の表面に対して垂直な方向において、第1基板21とシールド電極24との間に設けられる。第1センサ電極26は、絶縁層23および23A、平坦化膜29を介してシールド電極24と画素電極25と重なって設けられる。これにより、シールド電極24と画素電極25との間に保持容量53(図7参照)が形成され、また第1センサ電極26と画素電極25の間の容量はほぼ無くすことができる。第1センサ電極26に印加される信号により送信コイルCTx(図3、図4参照)として機能するが、シールド電極24に覆われているため、画素電極25の電位に影響を与えられることを防ぐことができる。 The first sensor electrode 26 is provided between the first substrate 21 and the shield electrode 24 in the direction perpendicular to the surface of the first substrate 21. The first sensor electrode 26 is provided so as to overlap the shield electrode 24 and the pixel electrode 25 with the insulating layers 23 and 23A and the flattening film 29 interposed therebetween. As a result, the storage capacitor 53 (see FIG. 7) is formed between the shield electrode 24 and the pixel electrode 25, and the capacitance between the first sensor electrode 26 and the pixel electrode 25 can be almost eliminated. The signal applied to the first sensor electrode 26 functions as the transmission coil CTx (see FIG. 3 and FIG. 4), but since it is covered by the shield electrode 24, the potential of the pixel electrode 25 is prevented from being affected. be able to.
第2センサ電極27Aは、シールド電極24と並列して平坦化層29の上に設けれ、画素電極25との間に保持容量53を形成するとともに、受信コイルCRx(図3、図4参照)として機能も有する。シールド電極24と同様に信号線SGLと画素電極25の間の寄生容量を削減することもできる。第2センサ電極27Aは第1センサ電極26と異なり、センシング駆動のための信号印加による電位変動が少ないため、画素電極25への電気的な影響は無視できる程度である。 The second sensor electrode 27A is provided on the flattening layer 29 in parallel with the shield electrode 24, forms a storage capacitor 53 with the pixel electrode 25, and receives coil CRx (see FIGS. 3 and 4). Also has a function as. Similar to the shield electrode 24, the parasitic capacitance between the signal line SGL and the pixel electrode 25 can be reduced. Unlike the first sensor electrode 26, the second sensor electrode 27A has a small potential fluctuation due to application of a signal for sensing driving, and therefore the electrical influence on the pixel electrode 25 is negligible.
第1の実施形態における第2センサ電極27はゲート線GCLと同じフォトリソ工程で形成されるため、プロセス上の制約からモリブデン(Mo)など高抵抗な材料を使う必要がある。本実施形態では第2センサ電極27Aをシールド電極24と同じく平坦化層29に形成するため、プロセス上の制約が少なく、アルミニウム(Al)など低抵抗な材料を選択できるほか、ゲート線GCLを避けて設計配置する必要もないため、幅広く低抵抗に設計することも可能となる。また、第1の実施形態では第1センサ電極26と第2センサ電極27が絶縁膜23を介して交差しているため、互いに大きな容量をもっており、駆動時や検出時に大きな負荷が発生していた。本実施形態では第2センサ電極27Aは平坦化層29を介して第1センサ電極26やその他の電極と重なっている。平坦化層29はアクリル樹脂などで形成されるため、特に第2センサ電極27Aの容量負荷が低減し、信号の遅れや容量によるノイズなどを改善することができる。 Since the second sensor electrode 27 in the first embodiment is formed in the same photolithography process as the gate line GCL, it is necessary to use a high resistance material such as molybdenum (Mo) due to process restrictions. In the present embodiment, since the second sensor electrode 27A is formed on the flattening layer 29 like the shield electrode 24, there are few process restrictions and a low resistance material such as aluminum (Al) can be selected, and the gate line GCL is avoided. Since it is not necessary to design and place the device, it is possible to design a wide range of low resistance. Further, in the first embodiment, since the first sensor electrode 26 and the second sensor electrode 27 intersect with each other with the insulating film 23 interposed therebetween, they have large capacitances with each other, and a large load is generated during driving and detection. .. In the present embodiment, the second sensor electrode 27A overlaps with the first sensor electrode 26 and other electrodes via the flattening layer 29. Since the flattening layer 29 is formed of an acrylic resin or the like, the capacitive load on the second sensor electrode 27A is particularly reduced, and signal delay and noise due to the capacitance can be improved.
次に本実施形態に係る表示装置の概略平面図を説明する。図11は図10における画素基板2の平面構成を示したものである。第1センサ電極26と、第2センサ電極27Aと、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIを示す。副画素SPixごとに、画素電極25はそれぞれに、シールド電極24および平坦化膜(図示しない)に設けられたコンタクトホールを介してTFTに接続される。ゲート線GCLの延伸方向と平行に第2センサ電極27を配置し、信号線SGLの延伸方向と平行に第1センサ電極26を配置している。 Next, a schematic plan view of the display device according to the present embodiment will be described. FIG. 11 shows a planar configuration of the pixel substrate 2 in FIG. The first sensor electrode 26, the second sensor electrode 27A, the pixel electrode 25, the shield electrode 24, the signal line SGL forming the TFT, the gate line GCL, and the silicon layer SI are shown. For each sub-pixel SPix, the pixel electrode 25 is connected to the TFT via a contact hole provided in the shield electrode 24 and the flattening film (not shown). The second sensor electrode 27 is arranged in parallel with the extending direction of the gate line GCL, and the first sensor electrode 26 is arranged in parallel with the extending direction of the signal line SGL.
シールド電極24と隣接するように配置された第2センサ電極27Aはアルミニウムとそれを覆うようにITOを積層して設けられる。アルミニウムの部分は画素電極25と重なるように設けられており、アルミニウム部分で外光が反射しコントラストを低下させることはない。 The second sensor electrode 27A arranged so as to be adjacent to the shield electrode 24 is provided by laminating aluminum and ITO so as to cover it. The aluminum portion is provided so as to overlap with the pixel electrode 25, and external light is not reflected by the aluminum portion to reduce the contrast.
ゲート線GCL、信号線SGL、第1センサ電極26は平面視でシールド電極24および第2センサ電極27Aに覆われている。これによりセンシングに関わる電位変動の大きい第1センサ電極は画素電極24と電気的にほぼ離間されているため、表示駆動とセンシングの駆動を同時に行うことも可能となる。 The gate line GCL, the signal line SGL, and the first sensor electrode 26 are covered with the shield electrode 24 and the second sensor electrode 27A in plan view. As a result, since the first sensor electrode, which has a large potential fluctuation related to sensing, is electrically separated from the pixel electrode 24, it is possible to drive the display and the sensing at the same time.
(第4の実施形態)
図12は、第4の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図12に示すように、表示装置1は、第1の実施形態と同様に画素基板2と、対向基板3と、表示機能層としての液晶層6と、カバー基板50とを備える。対向基板3は、画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6は画素基板2と対向基板3との間に設けられる。画素電極25で外光を反射して画像を表示する反射型表示装置である。
(Fourth Embodiment)
FIG. 12 is a sectional view showing a schematic sectional structure of the display device according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 12, the display device 1 includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3, a liquid crystal layer 6 as a display function layer, and a cover substrate 50, as in the first embodiment. The counter substrate 3 is arranged so as to face the surface of the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface. The liquid crystal layer 6 is provided between the pixel substrate 2 and the counter substrate 3. The reflective display device displays an image by reflecting external light from the pixel electrode 25.
画素基板2は、第1基板21と、第1センサ電極26と、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIと、絶縁膜23および23A、平坦化膜29と、配向膜28とを有する。対向基板3は、第2基板31と、第2基板31の一方の面に設けられた遮光層39と第2センサ電極27Bとカラーフィルタ32と、共通電極COMLと、配向膜38と、第2基板31の他方の面に設けられた絶縁層35と、偏光板36と接着層55とカバー基板50とを有する。 The pixel substrate 2 includes a first substrate 21, a first sensor electrode 26, a pixel electrode 25, a shield electrode 24, a signal line SGL forming a TFT, a gate line GCL, a silicon layer SI, and insulating films 23 and 23A. , A planarizing film 29 and an alignment film 28. The counter substrate 3 includes a second substrate 31, a light shielding layer 39 provided on one surface of the second substrate 31, a second sensor electrode 27B, a color filter 32, a common electrode COML, an alignment film 38, and a second substrate. It has an insulating layer 35 provided on the other surface of the substrate 31, a polarizing plate 36, an adhesive layer 55, and a cover substrate 50.
第1センサ電極26は、第1の実施形態と同様に、第1基板21の表面に対して垂直な方向において、第1基板21とシールド電極24との間に設けられる。第1センサ電極26は、絶縁層23および23A、平坦化膜29を介してシールド電極24と画素電極25と重なって設けられる。これにより、シールド電極24と画素電極25との間に保持容量53(図6参照)が形成され、また第1センサ電極26と画素電極25の間の容量はほぼ無くすことができる。第1センサ電極26に印加される信号により送信コイルCTx(図3、図4参照)として機能するが、シールド電極24に覆われているため、画素電極25の電位に影響を与えられることを防ぐことができる。 Similar to the first embodiment, the first sensor electrode 26 is provided between the first substrate 21 and the shield electrode 24 in the direction perpendicular to the surface of the first substrate 21. The first sensor electrode 26 is provided so as to overlap the shield electrode 24 and the pixel electrode 25 with the insulating layers 23 and 23A and the flattening film 29 interposed therebetween. As a result, the storage capacitor 53 (see FIG. 6) is formed between the shield electrode 24 and the pixel electrode 25, and the capacitance between the first sensor electrode 26 and the pixel electrode 25 can be almost eliminated. The signal applied to the first sensor electrode 26 functions as the transmission coil CTx (see FIG. 3 and FIG. 4), but since it is covered by the shield electrode 24, the potential of the pixel electrode 25 is prevented from being affected. be able to.
第2センサ電極27Bは遮光層39に少なくとも一部が重なるように設けられ、アルミニウム(Al)や銅(Cu)などの金属層で形成されている。これにより外光が表示装置1に当たったときにも、遮光層39により光が吸収されるため、第2センサ電極27Bからの反射による表示への影響はない。遮光層39は顔料を含む樹脂などで形成される。酸化銅(CuO)の積層など、第2センサ電極27B自体の反射率を低くする黒色化がされている場合、遮光層39は必ずしも第2センサ電極27Bをすべて覆う必要はない。第2センサ電極27Bは受信コイルCRx図3、図4参照)として機能する。第2センサ電極27Bと液晶層6の間には共通電極COMLがあるので、第2センサ電極27Bの電位は液晶層6へは影響しない。 The second sensor electrode 27B is provided so as to at least partially overlap the light shielding layer 39, and is formed of a metal layer such as aluminum (Al) or copper (Cu). As a result, even when external light strikes the display device 1, the light is absorbed by the light shielding layer 39, so that the display is not affected by the reflection from the second sensor electrode 27B. The light shielding layer 39 is formed of a resin containing a pigment or the like. In the case where the second sensor electrode 27B itself is blackened such that the reflectance of the second sensor electrode 27B itself is low, such as a laminated layer of copper oxide (CuO), the light shielding layer 39 does not necessarily have to cover the entire second sensor electrode 27B. The second sensor electrode 27B functions as a receiving coil CRx (see FIGS. 3 and 4). Since the common electrode COML is provided between the second sensor electrode 27B and the liquid crystal layer 6, the potential of the second sensor electrode 27B does not affect the liquid crystal layer 6.
第2センサ電極27Bと共通電極COMLの間にはアクリル樹脂などから形成されるカラーフィルタ層32が配置され、十分な平坦化が可能なため、低抵抗化のため第2センサ電極27Bを厚く形成することが可能である。 Since the color filter layer 32 made of acrylic resin or the like is disposed between the second sensor electrode 27B and the common electrode COML, the second sensor electrode 27B is formed thick to reduce resistance because it can be sufficiently flattened. It is possible to
図13に示すように、対向基板3では、第2基板31の一方の面にカラーフィルタ32が設けられる。共通電極COMLは、カラーフィルタ層32と液晶層6との間に設けられる。また、カラーフィルタ層32と遮光層39との間には第2センサ電極27Bが設けられる。第2センサ電極27Bは、表示領域Adから周辺領域Gdまで連続して設けられる。周辺領域Gdでは、第2センサ電極27Bはセンサ導通部72で覆われている。 As shown in FIG. 13, in the counter substrate 3, the color filter 32 is provided on one surface of the second substrate 31. The common electrode COML is provided between the color filter layer 32 and the liquid crystal layer 6. Further, the second sensor electrode 27B is provided between the color filter layer 32 and the light shielding layer 39. The second sensor electrode 27B is continuously provided from the display area Ad to the peripheral area Gd. In the peripheral region Gd, the second sensor electrode 27B is covered with the sensor conducting portion 72.
周辺領域Gdには、第1基板21と第2基板31との間に導通部81が設けられている。導通部81は、第1基板21と第2基板31との間を封止するシール部である。導通部81は、封止材に分散された複数の導電粒子82を含む。導通部81は、平坦化膜29を介して周辺回路領域80の上側に設けられる。なお、図13はあくまで模式的に示しており、導通部81に1つの導電粒子82のみ示している。これに限定されず、導電粒子82は導通部81に複数分散されて、センサ導通部72と導電層71とを電気的に接続する。 In the peripheral region Gd, the conducting portion 81 is provided between the first substrate 21 and the second substrate 31. The conducting portion 81 is a seal portion that seals between the first substrate 21 and the second substrate 31. The conductive portion 81 includes a plurality of conductive particles 82 dispersed in the sealing material. The conductive portion 81 is provided on the upper side of the peripheral circuit region 80 via the flattening film 29. Note that FIG. 13 is only schematically shown, and only one conductive particle 82 is shown in the conductive portion 81. Without being limited to this, a plurality of conductive particles 82 are dispersed in the conductive portion 81 to electrically connect the sensor conductive portion 72 and the conductive layer 71.
導通部81の上部は、センサ導通部72と接続される。導通部81の下部は、導電層71を介して接続電極72と接続される。導電層71は、例えばITO等の透光性を有する導電性材料である。 The upper portion of the conducting portion 81 is connected to the sensor conducting portion 72. The lower portion of the conductive portion 81 is connected to the connection electrode 72 via the conductive layer 71. The conductive layer 71 is a transparent conductive material such as ITO.
次に本実施形態に係る表示装置の概略平面図を説明する。図14は図12における画素基板2の平面構成と対向基板3における第2センサ電極27Bのみを示したものである。第1センサ電極26と、画素電極25と、シールド電極24と、TFTを形成する信号線SGL、ゲート線GCL、シリコン層SIを示す。副画素SPixごとに、画素電極25はそれぞれに、シールド電極24および平坦化膜(図示しない)に設けられたコンタクトホールを介してTFTに接続される。信号線SGLの延伸方向と平行に第1センサ電極26を配置し、ゲート線GCLの延伸方向と平行に第2センサ電極27を配置し、隣接する第2センサ電極同士は一定の間隔で連結部27Baにて連結されている。 Next, a schematic plan view of the display device according to the present embodiment will be described. FIG. 14 shows only the planar structure of the pixel substrate 2 in FIG. 12 and the second sensor electrode 27B on the counter substrate 3. The first sensor electrode 26, the pixel electrode 25, the shield electrode 24, the signal line SGL forming the TFT, the gate line GCL, and the silicon layer SI are shown. For each sub-pixel SPix, the pixel electrode 25 is connected to the TFT via a contact hole provided in the shield electrode 24 and the flattening film (not shown). The first sensor electrode 26 is arranged in parallel with the extending direction of the signal line SGL, the second sensor electrode 27 is arranged in parallel with the extending direction of the gate line GCL, and adjacent second sensor electrodes are connected at a constant interval. It is connected at 27Ba.
第1センサ電極26および信号線SGL、ゲート線GCLなどは第1の実施形態と同様に、シールド電極24に覆われてており、画素電極25と寄生容量をもたないため、センシング駆動における電位変動は画素電極電位および表示品位には影響しないので表示駆動とセンシング駆動を同時に行うことができる。 Like the first embodiment, the first sensor electrode 26, the signal line SGL, the gate line GCL, etc. are covered with the shield electrode 24 and have no parasitic capacitance with the pixel electrode 25. Since the fluctuation does not affect the pixel electrode potential and the display quality, display driving and sensing driving can be performed at the same time.
第2センサ電極27Bは副画素SPix間に位置する箇所に配置される。第1から第3の実施形態の場合と異なり、第2センサ電極27Bは画素電極よりも対向基板側に配置されるため、画素の開口部を避けて配置することで表示性能への影響を減らす必要がある。図15は複数画素を含む領域における概略平面図である。第2センサ電極27Bを副画素間に位置する箇所に配置しても、画素開口部を減少させてしまうため、第2センサ電極27Bを全副画素間に配置すると、反射率の低減になる。図15のように一定の間隔でずらしながら、連結部27Baを配置することにより、開口率の低減を最小限にし、さらにスジ不良などの表示不具合が発生しないようにすることができる。 The second sensor electrode 27B is arranged at a position located between the sub-pixels SPix. Unlike the cases of the first to third embodiments, the second sensor electrode 27B is arranged closer to the counter substrate than the pixel electrode. Therefore, the second sensor electrode 27B is arranged avoiding the openings of the pixels to reduce the influence on the display performance. There is a need. FIG. 15 is a schematic plan view of a region including a plurality of pixels. Even if the second sensor electrode 27B is arranged at a position located between the sub-pixels, the pixel opening portion is reduced. Therefore, if the second sensor electrode 27B is arranged between all the sub-pixels, the reflectance is reduced. By arranging the connecting portions 27Ba while shifting them at regular intervals as shown in FIG. 15, it is possible to minimize the reduction in the aperture ratio and prevent display defects such as streak defects from occurring.
第2センサ電極27Bは副画素SPix間に位置する箇所に配置される。第1から第3の実施形態の場合と異なり、第2センサ電極27Bは画素電極よりも対向基板側に配置されるため、画素の開口部を避けて配置することで表示性能への影響を減らす必要がある。なお、本実施形態では第2センサ電極27Bは液晶層6と第2基板31との間に設けれられテイルが、第2センサ電極27Bは第2基板31の液晶層6とは反対側の面に設けてもよく、さらには第2基板31の液晶層6とは反対側に第2センサ電極27Bを設けた別の基板を配置してもよい。 The second sensor electrode 27B is arranged at a position located between the sub-pixels SPix. Unlike the cases of the first to third embodiments, the second sensor electrode 27B is arranged closer to the counter substrate than the pixel electrode. Therefore, the second sensor electrode 27B is arranged avoiding the openings of the pixels to reduce the influence on the display performance. There is a need. In the present embodiment, the second sensor electrode 27B has a tail provided between the liquid crystal layer 6 and the second substrate 31, but the second sensor electrode 27B is a surface of the second substrate 31 opposite to the liquid crystal layer 6. Alternatively, another substrate provided with the second sensor electrode 27B may be provided on the opposite side of the second substrate 31 from the liquid crystal layer 6.
(第5の実施形態)
第5の実施形態における概略断面図は第4の実施形態と同様であり、図10に示す構造となる。表示装置1は、第1の実施形態と同様に画素基板2と、対向基板3と、表示機能層としての液晶層6と、カバー基板50とを備える。対向基板3は、画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6は画素基板2と対向基板3との間に設けられる。画素電極25で外光を反射して画像を表示する反射型表示装置である。
(Fifth Embodiment)
The schematic cross-sectional view of the fifth embodiment is similar to that of the fourth embodiment, and has the structure shown in FIG. The display device 1 includes the pixel substrate 2, the counter substrate 3, the liquid crystal layer 6 as a display function layer, and the cover substrate 50, as in the first embodiment. The counter substrate 3 is arranged so as to face the surface of the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface. The liquid crystal layer 6 is provided between the pixel substrate 2 and the counter substrate 3. The reflective display device displays an image by reflecting external light from the pixel electrode 25.
第5の実施形態では第4の実施形態と同様に第2センサ電極27Bが第2基板31に設けられているおり、それに加え、静電タッチ駆動を行うための第3センサ電極41が第2センサ電極27Bと同じ層で設けられている。第3センサ電極41は第2センサ電極27Bと同様に周辺領域Gdにおいて導通部81の導通粒子82を介して、第1基板21に接続し、配線を通してパネルの外部の静電タッチ駆動回路に接続される。 In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the second sensor electrode 27B is provided on the second substrate 31, and in addition to that, the third sensor electrode 41 for performing electrostatic touch driving is provided in the second. It is provided in the same layer as the sensor electrode 27B. Similar to the second sensor electrode 27B, the third sensor electrode 41 is connected to the first substrate 21 via the conductive particles 82 of the conductive portion 81 in the peripheral region Gd, and is connected to the electrostatic touch drive circuit outside the panel through the wiring. To be done.
第5の実施形態に係る表示装置の第2基板31における第2センサ電極27Bと第3センサ電極41の概略平面図を図16に示す。第2基板31の液晶層側に設けられた第2センサ電極27Bと第3センサ電極41がマトリクス状にパターンを形成している。第2センサ電極27Bと第3センサ電極41は同じ金属層で設けられる所謂シングルレイヤー構造であり、それぞれのセンサ電極は配線で周辺領域Gdに引き出され、周辺領域Gd内で導通部81(図示しない)を通して第1基板21に接続したのち、さらに配線を通って、フレキシブル基板110に接続される。細かく分割された第3センサ電極41は配線を通してフレキシブル基板110に引き出され、紙面列方向に並ぶ分割された電極パターンを1つのタッチ駆動電極として、フレキシブル基板110上で電気的に接続され、静電タッチ駆動IC19Aに接続される。第2センサ電極27Bはコイル状の形状をしており、コイルの両端から配線が接続され、タッチIC49に接続される。このようにして、第2センサ電極27Bの接続をタッチIC内で切り替えることで、電磁誘導検出時と静電タッチ検出時の両方で検出センサとして用いることができる。 FIG. 16 shows a schematic plan view of the second sensor electrode 27B and the third sensor electrode 41 on the second substrate 31 of the display device according to the fifth embodiment. The second sensor electrodes 27B and the third sensor electrodes 41 provided on the liquid crystal layer side of the second substrate 31 form a pattern in a matrix. The second sensor electrode 27B and the third sensor electrode 41 have a so-called single layer structure provided by the same metal layer, and each sensor electrode is drawn out to the peripheral region Gd by a wiring, and the conducting portion 81 (not shown) in the peripheral region Gd. ) To the first substrate 21, and then to the flexible substrate 110 through the wiring. The finely divided third sensor electrode 41 is drawn out to the flexible substrate 110 through the wiring, and is electrically connected on the flexible substrate 110 by using the divided electrode pattern arranged in the row direction of the paper surface as one touch drive electrode, and electrostatically. It is connected to the touch drive IC 19A. The second sensor electrode 27B has a coil shape, and wiring is connected from both ends of the coil and is connected to the touch IC 49. In this way, by switching the connection of the second sensor electrode 27B within the touch IC, it can be used as a detection sensor during both electromagnetic induction detection and electrostatic touch detection.
電磁誘導方式による検出を行う際は、第1基板21に設けられた第1センサ電極26に信号が印加され、タッチペン100を介して、第2センサ電極27Bから信号を検出する。静電タッチによる検出を行う際は、第3センサ電極41に信号が印加され、それによる電場の変動を第2センサ電極27Bにて検出することができる。 When performing detection by the electromagnetic induction method, a signal is applied to the first sensor electrode 26 provided on the first substrate 21, and the signal is detected from the second sensor electrode 27B via the touch pen 100. When the detection is performed by electrostatic touch, a signal is applied to the third sensor electrode 41, and the variation of the electric field due to the signal can be detected by the second sensor electrode 27B.
第5の実施形態において、第2センサ電極27Bと第3センサ電極41は第2基板31よりも液晶層側の遮光層39上に設けれているが、この限りではなく、例えば第2基板31の観察者側に配置されていてもよく、または第2基板31とカバー基板50の間に第2センサ電極27Bと第3センサ51電極を設けた追加の基板を配置してもよい。さらには、第2センサ電極27Bと第3センサ電極41は必ずしも同じ層で作る必要はなく、例えば、第2センサ電極27Bは第4の実施形態のように第2基板21の液晶層側に配置し、第3センサ電極41のみをカバー基板50に直接形成してもよい。 In the fifth embodiment, the second sensor electrode 27B and the third sensor electrode 41 are provided on the light-shielding layer 39 closer to the liquid crystal layer than the second substrate 31, but not limited to this, for example, the second substrate 31. Of the second sensor electrode 27B and the third sensor 51 electrode may be disposed between the second substrate 31 and the cover substrate 50. Furthermore, the second sensor electrode 27B and the third sensor electrode 41 do not necessarily have to be formed in the same layer. For example, the second sensor electrode 27B is arranged on the liquid crystal layer side of the second substrate 21 as in the fourth embodiment. However, only the third sensor electrode 41 may be directly formed on the cover substrate 50.
(第6の実施形態)
図17は第6の実施形態の原理を示す原理図である。第1から第5の実施形態においては、図3および図4で示すような原理で、送信コイルCTxでタッチペン100における容量素子103を充電し、タッチペン100からの磁界を送信コイルと交差する受信コイルCRxで受けて検出していた。第6の実施形態では、延在方向が互いに交差する2つの受信コイルCRを配置し、タッチペン100からの磁界をそれぞれで検出することによりペンの位置を検出する。タッチペンに含まれる容量素子103の充電には内蔵するバッテリーを用いてもよいし、別に用意した充電用コイル(図示しない)によって充電してもよい。
(Sixth Embodiment)
FIG. 17 is a principle diagram showing the principle of the sixth embodiment. In the first to fifth embodiments, the transmitting coil CTx charges the capacitive element 103 in the touch pen 100 based on the principle shown in FIGS. 3 and 4, and the magnetic field from the touch pen 100 intersects the transmitting coil. It was detected by CRx. In the sixth embodiment, two receiving coils CR whose extending directions intersect each other are arranged, and the magnetic field from the touch pen 100 is detected by each of them to detect the position of the pen. A built-in battery may be used to charge the capacitive element 103 included in the touch pen, or may be charged by a separately prepared charging coil (not shown).
このような検出原理を適用すると、第1から第5の実施形態におけるセンサーパネルの構造において、第1センサ電極26を受信コイルCRxとして活用することも可能である。第1センサ電極26を送信コイルとして1つずつ順次駆動していく場合と比較し、検出時間が短くできる利点がある。 When such a detection principle is applied, it is possible to utilize the first sensor electrode 26 as the receiving coil CRx in the sensor panel structures according to the first to fifth embodiments. There is an advantage that the detection time can be shortened as compared with the case where the first sensor electrodes 26 are sequentially driven as transmission coils one by one.
(第7の実施形態)
第7の実施形態は第1〜第6の実施形態で説明した電磁誘導式センサと異なり、他種のセンサを配置した場合の例である。図18は第7の実施形態を模式的にあらわす概略平面図である。断面構造は第1の実施形態の断面図を示す図5と同様であり、第1の実施形態において第1センサ電極26を構成するアルミニウム層と第2センサ電極を構成するアルミニウムを用いて、第7の実施形態では表示領域Ad内で第4センサ電極51を形成する。第4センサ電極51は所謂歪ゲージのパターンとなっており、表示領域Ad内に複数個所均等に配置されている。歪ゲージは外部からの圧力によって金属の抵抗値が変わることを利用した圧力センサであり、第1基板21の表示領域Ad内に配置することで、表示装置の表示面を外部から強く押した場合に、外部圧力として検出することができる。
(Seventh embodiment)
The seventh embodiment is an example in which another type of sensor is arranged, unlike the electromagnetic induction type sensor described in the first to sixth embodiments. FIG. 18 is a schematic plan view schematically showing the seventh embodiment. The cross-sectional structure is the same as that of FIG. 5 showing the cross-sectional view of the first embodiment. In the first embodiment, the aluminum layer forming the first sensor electrode 26 and the aluminum forming the second sensor electrode are used to In the seventh embodiment, the fourth sensor electrode 51 is formed in the display area Ad. The fourth sensor electrodes 51 have a so-called strain gauge pattern, and are arranged at a plurality of locations uniformly in the display area Ad. The strain gauge is a pressure sensor that utilizes the change of the resistance value of the metal due to the pressure from the outside, and when the strain gauge is arranged in the display area Ad of the first substrate 21, when the display surface of the display device is strongly pressed from the outside. In addition, it can be detected as an external pressure.
第4センサ電極51の配線を表示装置の外部に設けられた検出器に直接接続し、第4センサ電極51の抵抗値を測定することで印加される圧力を検出する。第4センサ電極51はシールド電極24にてシールドされているため、表示を行うための信号などがノイズとならず精度の高い圧力検出が可能となる。 The wiring of the fourth sensor electrode 51 is directly connected to a detector provided outside the display device, and the applied pressure is detected by measuring the resistance value of the fourth sensor electrode 51. Since the fourth sensor electrode 51 is shielded by the shield electrode 24, the signal for displaying and the like do not become noise, and the pressure can be detected with high accuracy.
(第8の実施形態)
図19、図20に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、パーソナルコンピュータ、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体180の表面に表示部111を有している。この表示部111は、第1〜第7の実施形態及び変形例に係るペンタッチ検出機能付き表示装置1及び表示装置である。
(Eighth Embodiment)
The electronic devices illustrated in FIGS. 19 and 20 are information portable terminals that operate as portable computers, portable computers capable of voice communication, or portable computers capable of communication, and are sometimes called personal computers or tablet terminals. This portable information terminal has a display unit 111 on the surface of a housing 180, for example. The display unit 111 is the display device 1 with a pen touch detection function and the display device according to the first to seventh embodiments and the modifications.
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。 Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to such an embodiment. The contents disclosed in the embodiments are merely examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present invention naturally belong to the technical scope of the present invention.
1 表示装置
2 画素基板
3 対向基板
6 液晶層
10 表示パネル
11 制御部
12 ゲートドライバ
13 ソースドライバ
14 駆動回路
19 駆動IC
21 第1基板
23、23A 絶縁膜
24、シールド電極
25 画素電極
26 第1センサ電極
26W 第1センサ配線
27、27A、27B 第2センサ電極
27W 第2センサ配線
27Ba 連結部
28 配向膜
29 平坦化膜
31 第2基板
32、32R、32G、32B カラーフィルタ
35 絶縁膜
36 偏光板
38 配向膜
39 遮光層
40 検出部
41 第3センサ電極
42 増幅器
43 A/D変換部
44 信号処理部
45 座標抽出部
46 検出タイミング制御部
47 第1AFE
48 マルチプレクサ
49 タッチIC
50 カバー基板
51 第4センサ電極
52 液晶素子
53 保持容量
55 接着層
71 導電層
72 センサ導通部
80 周辺回路領域
81 導通部
82 導通粒子
100 タッチペン
101 共振回路
102 コイル
103 容量素子
110 フレキシブル基板
111 表示部
180 筐体
Ad 表示領域
Gd 周辺領域
COML 共通電極
CT、CTx 送信コイル
CR、CRx 受信コイル
DET 電圧検出器
SGL 信号線
GCL ゲート線
SI シリコン層
DR ドレイン線
CH、CHA コンタクトホール
Tr スイッチング素子
SPix 副画素
Pix 画素
VTx 検出駆動信号
Vcomdc 表示用駆動信号
Vscan 走査信号
Vdet 検出信号
Vpix 画素信号
Vout 出力信号
1 Display Device 2 Pixel Substrate 3 Counter Substrate 6 Liquid Crystal Layer 10 Display Panel 11 Control Section 12 Gate Driver 13 Source Driver 14 Drive Circuit 19 Drive IC
21 first substrate 23, 23A insulating film 24, shield electrode 25 pixel electrode 26 first sensor electrode 26W first sensor wiring 27, 27A, 27B second sensor electrode 27W second sensor wiring 27Ba connecting portion 28 alignment film 29 flattening film 31 Second Substrate 32, 32R, 32G, 32B Color Filter 35 Insulating Film 36 Polarizing Plate 38 Alignment Film 39 Light-Shielding Layer 40 Detecting Section 41 Third Sensor Electrode 42 Amplifier 43 A/D Converting Section 44 Signal Processing Section 45 Coordinate Extracting Section 46 Detection timing control unit 47 First AFE
48 Multiplexer 49 Touch IC
50 Cover Substrate 51 Fourth Sensor Electrode 52 Liquid Crystal Element 53 Storage Capacitance 55 Adhesive Layer 71 Conductive Layer 72 Sensor Conductive Section 80 Peripheral Circuit Area 81 Conductive Section 82 Conductive Particle 100 Touch Pen 101 Resonance Circuit 102 Coil 103 Capacitive Element 110 Flexible Board 111 Display Section 180 housing Ad display area Gd peripheral area COML common electrode CT, CTx transmission coil CR, CRx reception coil DET voltage detector SGL signal line GCL gate line SI silicon layer DR drain line CH, CHA contact hole Tr switching element SPix subpixel Pix Pixel VTx detection drive signal Vcomdc Display drive signal Vscan Scan signal Vdet Detection signal Vpix Pixel signal Vout Output signal
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