JP2020091216A - Component state detection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品の状態を検知する部品状態検出装置に関する。 The present invention relates to a component state detection device that detects a state of an electronic component.
従来、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、インダクタ、IC(Integrated Circuit)等の電子部品をトレイやキャリアテープのポケットに収容する際、電子部品がポケット内の所定位置に配されているか否かを非接触式のセンサによって判定していた。例えば、非接触式センサによってキャリアテープのポケット外に物体が検出された場合、電子部品が所定位置に配されていないとの判定をし、同センサによって物体が検出されない場合、電子部品が所定位置に配されているとの判定をする。 Conventionally, when electronic parts such as diodes, transistors, capacitors, inductors, ICs (Integrated Circuits) are stored in a pocket of a tray or a carrier tape, it is a non-contact type whether or not the electronic parts are arranged at predetermined positions in the pocket. It was judged by the sensor. For example, if an object is detected outside the pocket of the carrier tape by the non-contact type sensor, it is determined that the electronic component is not placed at the predetermined position, and if the object is not detected by the sensor, the electronic component is placed at the predetermined position. It is determined that it is distributed to.
但し、上述した方法は、薄い電子部品(例えば、0.1mmの厚みの電子部品)の配置を安定的に検出できない。この点、位相シフト法を利用して3次元情報を導出する方法を採用すれば(特許文献1参照)、薄い電子部品の配置を安定的に検出できることが考えられる。また、位相シフト法を利用すると、電子部品の配置に加え電子部品の形状等の検出も可能となることが期待される。 However, the method described above cannot stably detect the arrangement of thin electronic components (for example, electronic components having a thickness of 0.1 mm). In this respect, it is conceivable that the arrangement of thin electronic components can be stably detected by adopting a method of deriving three-dimensional information using the phase shift method (see Patent Document 1). In addition, it is expected that the phase shift method can detect the shape of the electronic component in addition to the arrangement of the electronic component.
しかしながら、位相シフト法を利用した電子部品の状態(配置や形状等)の検出は、1つの電子部品に対し複数回の撮像を行う必要があり、単位時間当たりに多くの電子部品の状態を検出することを要する装置において、この方法を採用することはできないという課題があった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、電子部品の状態を効率的に検出可能な部品状態検出装置を提供することを目的とする。
However, in order to detect the state (arrangement, shape, etc.) of electronic components using the phase shift method, it is necessary to perform imaging for one electronic component multiple times, and the state of many electronic components can be detected per unit time. There is a problem that this method cannot be adopted in a device that needs to do so.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a component state detection device capable of efficiently detecting the state of an electronic component.
前記目的に沿う本発明に係る部品状態検出装置は、電子部品の状態を検出する部品状態検出装置において、光源、所定のパターンが形成され、前記光源から発せられた光が通過して該パターンに対応したパターン光となる光学部材、及び、入射する前記パターン光を、主光線が光軸に対して平行な平行光にして出射する第1のテレセントリックレンズを有する平行光生成手段と、前記平行光が前記電子部品に反射して生じる反射光が透過する第2のテレセントリックレンズを有する撮像手段と、前記撮像手段の撮像画像を基に前記電子部品の状態を検知する画像解析手段とを備える。 The component state detecting device according to the present invention in accordance with the above-mentioned object, in the component state detecting device for detecting the state of an electronic component, a light source, a predetermined pattern is formed, the light emitted from the light source passes through the pattern. An optical member which becomes a corresponding pattern light; a parallel light generating means having a first telecentric lens for emitting the incident pattern light into a parallel light whose principal ray is parallel to the optical axis; and the parallel light. Is provided with an image pickup means having a second telecentric lens through which reflected light generated by being reflected by the electronic component is transmitted, and an image analysis means for detecting the state of the electronic component based on an image picked up by the image pickup means.
本発明に係る部品状態検出装置は、入射するパターン光を主光線が光軸に対して平行な平行光にして出射する第1のテレセントリックレンズを有する平行光生成手段と、平行光が電子部品に反射して生じる反射光が透過する第2のテレセントリックレンズを有する撮像手段と、撮像手段の撮像画像を基に電子部品の状態を検知する画像解析手段とを備えるので、1つの撮像画像を基にその撮像画像中にとらえられた反射光から電子部品の状態を検知でき、1つの電子部品に対し1回の撮像のみを行った、効率的な処理で電子部品の状態を検出可能である。 The component state detecting device according to the present invention includes a parallel light generation unit having a first telecentric lens that emits incident pattern light into parallel light whose principal ray is parallel to the optical axis, and parallel light to an electronic component. Since the image pickup means having the second telecentric lens through which the reflected light generated by the reflection is transmitted and the image analysis means for detecting the state of the electronic component based on the picked-up image of the image pickup means are provided, based on one picked-up image The state of the electronic component can be detected from the reflected light captured in the captured image, and the state of the electronic component can be detected by efficient processing in which one image of the electronic component is captured only once.
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図1、図2(A)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る部品状態検出装置10は、電子部品Wの状態を検出する装置であって、平行光Pを電子部品Wに照射する平行光生成手段11と、平行光Pの電子部品Wでの反射により生じる反射光Qをとらえる位置に設けられて、電子部品Wを撮像する撮像手段12と、撮像手段12の撮像画像Rを基に電子部品Wの状態を検知する画像解析手段13を備えている。以下、詳細に説明する。
Subsequently, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
As shown in FIGS. 1 and 2A, a component
平行光生成手段11は、図1に示すように、光源14、所定のパターン(本実施の形態ではスリット15)が形成された光学部材16及びテレセントリックレンズ17(第1のテレセントリックレンズ)を有している。本実施の形態において、光源14はLED照明であり、光学部材16は板状のストライプレチクル(複数のスリットが等間隔で形成されたフォトマスク)であるが、これらに限定されない。光源14から照射された光は光学部材16を通過して、スリット15(即ち、光学部材16に形成されたパターン)に対応したパターン光となる。
As shown in FIG. 1, the parallel light generating means 11 has a
テレセントリックレンズ17は、中空部材18内に固定され、テレセントリックレンズ17に入射するパターン光を、主光線が光軸(テレセントリックレンズ17の光軸)に対して平行な複数(スリット15と同数)の平行光Pにして出射する。平行光Pは、図1、図2(A)に示すように、キャリアテープTのポケットT1に収容されて所定位置に配された電子部品Wの表面Sで反射され、当該電子部品Wの表面Sには、平行光Pの各反射領域に他の領域に比べて明るい直線状の明部Kが表れる。各明部Kは平行である。
以下、本実施の形態において、電子部品Wは、撮像手段12によって撮像される位置に配されているものとする。
The
Hereinafter, in the present embodiment, it is assumed that the electronic component W is arranged at a position where an image is picked up by the image pickup means 12.
ここで、電子部品Wの表面Sに照射されるのが平行光Pであることから、図3(A)に示すように、電子部品Wの位置が異なり電子部品Wの表面Sと平行光生成手段11との距離が変わったとしても、隣り合う平行光Pの一方が電子部品Wの表面Sに到達する位置と他方が電子部品Wの表面Sに到達する位置の間隔は変わらず、隣り合う明部K間の距離は変わらない。従って、本実施の形態では、電子部品Wの表面Sと平行光生成手段11との距離が変わっても、電子部品Wの表面Sに表れる各明部K間の距離は一定の値となる。なお、電子部品Wの位置が異なる場合に加え、電子部品Wとは厚みが異なる電子部品を採用する場合にも、電子部品の表面と平行光生成手段11との距離が変わることとなる。
Here, since the parallel light P is irradiated on the surface S of the electronic component W, the position of the electronic component W is different and the parallel light P is generated on the surface S of the electronic component W, as shown in FIG. 3A. Even if the distance from the
これに対し、図3(B)に示すように、電子部品Wの表面Sに対し平行ではない2つの光Uが照射されている場合、電子部品Wの表面Sと光Uを照射する機構との距離が変わると、一方の光Uが電子部品Wの表面Sに到達する位置と他方の光Uが電子部品Wの表面Sに到達する位置の間隔が変わる。
また、本実施の形態では、平行光P(平行光Pの主光線)が、光学部材16に対して垂直で電子部品Wの表面に対して斜めとなる(非平行かつ非垂直となる)向きに進行するように、光源14、光学部材16及びテレセントリックレンズ17が配置されている。
On the other hand, as shown in FIG. 3(B), when two lights U that are not parallel to the surface S of the electronic component W are irradiated, a surface S of the electronic component W and a mechanism for irradiating the light U are provided. When the distance is changed, the distance between the position where one light U reaches the surface S of the electronic component W and the position where the other light U reaches the surface S of the electronic component W is changed.
Further, in the present embodiment, the direction in which the parallel light P (the chief ray of the parallel light P) is perpendicular to the
撮像手段12は、図1に示すように、平行光Pの電子部品Wの表面での反射により生じた反射光Qが透過するテレセントリックレンズ19(第2のテレセントリックレンズ)と、テレセントリックレンズ19を透過した反射光Qを電気信号に変換するイメージセンサ20等を備えて、電子部品Wを撮像した撮像画像(例えば、図2(A)、(B)、(C)にそれぞれ示す撮像画像R、R1、R2)を得る。撮像手段12には、マイクロコンピュータ等によって構成可能な画像解析手段13が接続されており、画像解析手段13は撮像手段12から撮像画像を受信することができる。
As shown in FIG. 1, the
撮像手段12は、テレセントリックレンズ19を有するため、撮像手段12と被写体との距離が異なっても被写界深度内で像(例えば、電子部品Wの像)の寸法は変化しない。そして、平行光Pの電子部品Wの表面での反射により生じた反射光の中で、主光線が撮像手段12(テレセントリックレンズ19)の光軸に対し平行な反射光Qのみ(実質的に反射光Qのみを意味する)がイメージセンサ20に到達する。
なお、図1、図2(A)、(B)、(C)では、主光線が撮像手段12の光軸に対し非平行な反射光を記載していない。
Since the
Note that FIGS. 1, 2A, 2B, and 2C do not describe reflected light in which the chief ray is not parallel to the optical axis of the
次に、撮像画像中の電子部品Wの像、表面Sの像、及び明部Kの像を、それぞれ電子部品W’、表面S’、及び明部K’として(即ち、明部K’は撮像画像中にとらえられた反射光Q)、電子部品Wの配置と撮像画像中の明部K’間の距離との関係について説明する。
電子部品Wの表面Sの平行光Pに対する角度が異なる場合、図2(A)、(B)、(C)に示すように、電子部品Wの表面Sにおいて平行光Pが到達する位置が相違し、各平行光Pに対応する各反射光Q間の距離が異なることとなる。従って、表面Sが撮像手段12の光軸に対して垂直な電子部品Wの撮像によって得られた撮像画像R(図2(A)参照)と、表面Sが撮像手段12の光軸に対して非垂直な電子部品Wの撮像によって得られた撮像画像R1、R2(図2(B)、(C)参照)とでは、明度K’間の距離がそれぞれ相違する。平行光Pと表面Sのなす角度が図2(A)の例より大きい図2(B)の例では、明度K’の間隔が図2(A)の例より狭くなり、同角度が図2(A)の例より小さい図2(C)の例では、明度K’の間隔が図2(A)の例より広くなる。
Next, the image of the electronic component W, the image of the surface S, and the image of the bright portion K in the captured image are referred to as the electronic component W′, the surface S′, and the bright portion K′ (that is, the bright portion K′ is The relationship between the reflected light Q) captured in the captured image, the arrangement of the electronic component W, and the distance between the bright portions K′ in the captured image will be described.
When the angle of the surface S of the electronic component W with respect to the parallel light P is different, the position where the parallel light P reaches on the surface S of the electronic component W is different as shown in FIGS. 2(A), (B), and (C). However, the distances between the reflected lights Q corresponding to the parallel lights P are different. Therefore, the captured image R (see FIG. 2A) obtained by capturing an image of the electronic component W in which the surface S is perpendicular to the optical axis of the image pickup means 12 and the surface S with respect to the optical axis of the image pickup means 12. The distances between the lightness values K′ are different from the captured images R1 and R2 (see FIGS. 2B and 2C) obtained by capturing the non-vertical electronic component W. In the example of FIG. 2B in which the angle formed by the parallel light P and the surface S is larger than the example of FIG. 2A, the interval of the lightness K′ is narrower than in the example of FIG. In the example of FIG. 2(C), which is smaller than the example of (A), the interval of the lightness K′ is wider than in the example of FIG. 2(A).
画像解析手段13には、撮像画像中の明部K’間の距離として、ポケットT1内での電子部品Wの配置が正常である際の範囲(以下、「正常範囲」と言う)が予め設定されている。画像解析手段13は、撮像手段12から取得した撮像画像を解析して、撮像画像中の電子部品W’の表面S’上の明部K’を検出し、撮像画像中の明部K’間の距離が正常範囲内であれば、電子部品WのポケットT1内での配置が正常であると判定し、撮像画像中の明部K’間の距離が正常範囲外であれば、電子部品WのポケットT1内での配置が正常でないと判定する。本実施の形態では、撮像手段12の光軸に対し電子部品Wの表面Sが垂直に配されている状態を、電子部品Wが正常に配置されている状態とする。
In the image analysis means 13, a range (hereinafter referred to as “normal range”) when the arrangement of the electronic components W is normal in the pocket T1 is preset as the distance between the bright portions K′ in the captured image. Has been done. The
ここで、撮像手段12は被写体までの距離が変わっても被写界深度内で像の寸法が変化しないことから、撮像手段12から電子部品Wの表面Sまでの距離が異なる場合でも、撮像手段12に対する電子部品Wの表面Sの角度が変化しない限り、撮像画像における電子部品Wの表面Sの明部K間の距離や各明部Kの幅が変わらない。
従って、画像解析手段13は、設定された1つの正常範囲を基にして、厚みの異なる電子部品について、その配置が正常か否かを判定できる。
Here, the image pickup means 12 does not change the size of the image within the depth of field even if the distance to the subject changes. Therefore, even if the distance from the image pickup means 12 to the surface S of the electronic component W is different, the image pickup means As long as the angle of the surface S of the electronic component W with respect to 12 does not change, the distance between the bright portions K of the surface S of the electronic component W in the captured image and the width of each bright portion K do not change.
Therefore, the
また、部品状態検出装置10では、図4(A)に示すように、光学部材16とテレセントリックレンズ17の主面(平行光Pに対して垂直な面)が平行で、正常に配置された電子部品Wの表面Sが光学部材16及びテレセントリックレンズ17の主面に対して非平行である。そのため、全ての平行光Pの焦点が合う仮想面Jは正常配置された電子部品Wの表面Sに対し非平行である。
Further, in the component
この点、光学部材16を、図4(B)に示すように、テレセントリックレンズ17の主面に対して非平行に(即ち、平行光Pに対し傾斜して)配置し、光学部材16が配された仮想面とテレセントリックレンズ17の主面が配された仮想面と正常配置された電子部品Wの表面Sが配された仮想面とが同一直線(紙面に対し直交する直線)上で交わるようにすることによって、全ての平行光Pの焦点が正常配置された電子部品Wの表面Sで合うようになる。従って、正常配置された電子部品Wの表面Sで全ての平行光Pの焦点を合わせるべく(又は、当該表面Sに全ての平行光Pの焦点を近付けるべく)、光学部材16をテレセントリックレンズ17の主面に対し非平行に配置してもよい。
In this regard, as shown in FIG. 4B, the
次に、図5(A)、(B)を参照して、複数(本実施の形態では2つ)の平行光生成手段31、32を備える、本発明の第2の実施の形態に係る部品状態検出装置30について説明する。なお、部品状態検出装置30において、部品状態検出装置10と同様の構成については、同じ符号を付して詳細な説明を省略し、電子部品Wは、キャリアテープTのポケットT1に収容された状態で、撮像手段12によって撮像される位置に配されているとする。
Next, referring to FIGS. 5A and 5B, a component according to a second embodiment of the present invention, which includes a plurality (two in the present embodiment) of parallel light generating means 31 and 32. The
平行光生成手段31は、光源33、複数のスリットが形成された光学部材34及び中空部材35内に設けられたテレセントリックレンズ36(第1のテレセントリックレンズ)を備えて、主光線がテレセントリックレンズ36の光軸に対して平行な平行光P1を電子部品Wの表面Sに照射する。平行光P1が電子部品Wの表面Sで反射することによって、電子部品Wの表面Sには複数の直線状の明部K1が平行に表れる。
The parallel light generating means 31 includes a
平行光生成手段32は、光源37、複数のスリットが形成された光学部材38及び中空部材39内に設けられたテレセントリックレンズ40(第1のテレセントリックレンズ)を有して、主光線がテレセントリックレンズ40の光軸に対して平行な平行光P2を、平行光生成手段31とは異なる角度で電子部品Wの表面Sに照射する。電子部品Wの表面Sには、平行光P2の電子部品Wの表面Sでの反射によって、複数の直線状の明部K2が表れる。
The parallel light generating means 32 has a
明部K1と明部K2は非平行である。本実施の形態では明部K1、K2が実質的に交差するように、平行光生成手段31、32が配置されている。
光源37から発せられる光の色(波長)は光源33から発せられる光の色(波長)と異なり、電子部品Wの表面S上の明部K1の色と明部K2の色は相違する。なお、光源33、37から同色の光を発するようにしてもよい。
The bright portion K1 and the bright portion K2 are non-parallel. In the present embodiment, the parallel light generation means 31, 32 are arranged so that the bright portions K1, K2 substantially intersect.
The color (wavelength) of the light emitted from the
撮像手段12には、撮像手段12から撮像画像を取得する図示しない画像解析手段が接続されている。画像解析手段には、撮像画像における電子部品W’の表面S’上の明部K1’(明部K1の像)の間隔及び明部K2’(明部K2の像)の間隔としてそれぞれ、ポケットT1内での電子部品Wの配置が正常である際の範囲(以下、「正常範囲」と言う)が予め設定されている。
画像解析手段は、取得した撮像画像から明部K1’、K2’を検出し、撮像画像における電子部品W’の表面S’上の明部K1’の間隔及び明部K2’の間隔を基に、電子部品Wの配置を検知する。明部K1、K2は色が異なることから、画像解析手段は撮像画像中の明部K1’、K2’を明確に区別して検出することができる。
An image analysis unit (not shown) that acquires a captured image from the
The image analysis means detects the bright portions K1′ and K2′ from the acquired captured image, and based on the spacing between the bright portions K1′ and the bright portions K2′ on the surface S′ of the electronic component W′ in the captured image. , The placement of the electronic component W is detected. Since the bright portions K1 and K2 have different colors, the image analysis unit can clearly distinguish and detect the bright portions K1′ and K2′ in the captured image.
部品状態検出装置30では、明部K1、K2が非平行であることから、電子部品Wの表面Sが正常な位置から如何なる向きに傾いても、電子部品Wが傾いていることを検出可能である。
なお、検出対象の電子部品は、キャリアテープのポケットに収容されているものに限定されないのは言うまでもなく、例えば、トレイに収容された電子部品や、図6に示すように、収容状態にない電子部品も検出対象にすることができる。
Since the bright parts K1 and K2 are not parallel to each other, the component
Needless to say, the electronic parts to be detected are not limited to those housed in the pockets of the carrier tape. For example, the electronic parts housed in the tray or the electronic parts that are not in the housed state as shown in FIG. Parts can also be detected.
図6に示す例では、電子部品Wが回転体50に昇降可能(進退可能の一例)に取り付けられた吸着部材51に吸着されており、電子部品Wの表面Sに対し、平行光P3を照射する平行光生成手段52と、平行光P3の照射によって明部が表れた電子部品Wの表面Sを撮像する撮像手段53とを設けて、電子部品Wが水平配置された状態(正常に配置された状態)で吸着部材51に吸着されているか否かが検知される。
In the example shown in FIG. 6, the electronic component W is adsorbed by the adsorbing
そして、電子部品に対する検知は、電子部品の配置だけに限定されず、例えば、電子部品の形状についても検知することができる。
図6に示す例において電子部品Wが変形している場合、図7に示すように、撮像手段53が撮像した撮像画像R3における電子部品W’の表面S’上の複数の明部K3’の一部又は全部が等間隔でなくなったり、直線状ではなくなったりする。画像解析手段は、撮像画像R3における電子部品W’の表面S’上の隣り合う明部K3’間の距離が他と異なっている場合や、直線状でない明部K3’が存在する場合に、電子部品Wに変形が生じていると判定する。よって、画像解析手段は、撮像画像R3中の明部K3’(撮像画像中にとらえられた反射光Q3)の配置に基づいて電子部品Wの状態(配置及び形状の双方又は一方)を検知できる。
The detection of the electronic component is not limited to the arrangement of the electronic component, and for example, the shape of the electronic component can also be detected.
When the electronic component W is deformed in the example shown in FIG. 6, as shown in FIG. 7, a plurality of bright portions K3′ on the surface S′ of the electronic component W′ in the captured image R3 captured by the
更に、図6に示す例において電子部品Wの代わりに、図8(A)、(B)に示すように、本体部LにリードMが接続された電子部品W1を適用した場合、リードMに平行光P3が照射されることによって、撮像画像中のリードMの像に表れる明部K4の像を基にリードMが正常な形状であるか否かが判定可能である。
この例では、形状が正常なリードM上の明部K4の間隔(図8(A)参照)に比べて、先端側が浮いた状態のリードM上の明部K4の間隔(図8(B)参照)が狭くなる。形状の検知が可能な電子部品の部位はリードに限定されないことや、電子部品の特定部位についての検知対象は形状だけでなく配置であってもよいことは言うまでもない。
Further, instead of the electronic component W in the example shown in FIG. 6, when the electronic component W1 in which the lead M is connected to the body portion L is applied as shown in FIGS. By irradiating the parallel light P3, it is possible to determine whether or not the lead M has a normal shape based on the image of the bright portion K4 appearing in the image of the lead M in the captured image.
In this example, as compared with the interval of the bright portion K4 on the lead M having a normal shape (see FIG. 8A), the interval of the bright portion K4 on the lead M with the tip side floating (FIG. 8(B)). (See) becomes narrower. It goes without saying that the part of the electronic component capable of detecting the shape is not limited to the lead, and the detection target for the specific part of the electronic component may be not only the shape but also the arrangement.
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記した形態に限定されるものでなく、要旨を逸脱しない条件の変更等は全て本発明の適用範囲である。
例えば、光学部材において、光源から照射された光を透過させる部分は貫通孔である必要はなく、透光材によって形成されていてもよい。
また、画像解析手段は撮像された撮像画像内での反射光(明部)の間隔ではなく、反射光の幅や大きさの変化から電子部品の状態を検知するようにしてもよいし、フーリエ変換により反射光の周波数成分を取得し、当該周波数成分の変化から電子部品の状態を検知するようにしてもよい。
そして、3つ以上の平行光生成手段を設けてもよい。
更に、光学部材はスリットが形成されたものに限定されず、例えば、電子部品の表面に前後方向及び左右方向にそれぞれ等間隔(平面状に等間隔)で点状の明部が表れる光学部材を採用してもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and changes in conditions and the like without departing from the gist are all within the scope of application of the present invention.
For example, in the optical member, the portion that transmits the light emitted from the light source does not need to be a through hole, and may be formed of a light transmissive material.
Further, the image analysis means may detect the state of the electronic component based on the change in the width or size of the reflected light instead of the interval of the reflected light (bright portion) in the captured image. The frequency component of the reflected light may be acquired by the conversion, and the state of the electronic component may be detected from the change in the frequency component.
Further, three or more parallel light generating means may be provided.
Further, the optical member is not limited to one having slits formed therein, and for example, an optical member in which dot-shaped bright portions appear at equal intervals (planar intervals) in the front-rear direction and the left-right direction on the surface of the electronic component. May be adopted.
10:部品状態検出装置、11:平行光生成手段、12:撮像手段、13:画像解析手段、14:光源、15:スリット、16:光学部材、17:テレセントリックレンズ、18:中空部材、19:テレセントリックレンズ、20:イメージセンサ、30:部品状態検出装置、31、32:平行光生成手段、33:光源、34:光学部材、35:中空部材、36:テレセントリックレンズ、37:光源、38:光学部材、39:中空部材、40:テレセントリックレンズ、50:回転体、51:吸着部材、52:平行光生成手段、53:撮像手段、J:仮想面、K、K’、K1、K1’、K2、K2’、K3’、K4:明部、L:本体部、M:リード、P、P1、P2、P3:平行光、Q、Q3:反射光、R、R1、R2、R3:撮像画像、S、S’:表面、T:キャリアテープ、T1:ポケット、U:光、W、W’、W1:電子部品 10: Component state detection device, 11: Parallel light generation means, 12: Imaging means, 13: Image analysis means, 14: Light source, 15: Slit, 16: Optical member, 17: Telecentric lens, 18: Hollow member, 19: Telecentric lens, 20: Image sensor, 30: Component state detection device, 31, 32: Parallel light generating means, 33: Light source, 34: Optical member, 35: Hollow member, 36: Telecentric lens, 37: Light source, 38: Optical Member, 39: Hollow member, 40: Telecentric lens, 50: Rotating body, 51: Adsorption member, 52: Parallel light generating means, 53: Imaging means, J: Virtual surface, K, K′, K1, K1′, K2 , K2′, K3′, K4: bright part, L: body part, M: lead, P, P1, P2, P3: parallel light, Q, Q3: reflected light, R, R1, R2, R3: captured image, S, S': surface, T: carrier tape, T1: pocket, U: light, W, W', W1: electronic component
Claims (5)
光源、所定のパターンが形成され、前記光源から発せられた光が通過して該パターンに対応したパターン光となる光学部材、及び、入射する前記パターン光を、主光線が光軸に対して平行な平行光にして出射する第1のテレセントリックレンズを有する平行光生成手段と、
前記平行光が前記電子部品に反射して生じる反射光が透過する第2のテレセントリックレンズを有する撮像手段と、
前記撮像手段の撮像画像を基に前記電子部品の状態を検知する画像解析手段とを備えることを特徴とする部品状態検出装置。 In a component state detection device that detects the state of electronic components,
A light source, an optical member in which a predetermined pattern is formed, and light emitted from the light source passes through to become pattern light corresponding to the pattern, and the incident pattern light, the chief ray is parallel to the optical axis. Parallel light generating means having a first telecentric lens for emitting parallel light and emitting the parallel light;
An image pickup unit having a second telecentric lens, through which reflected light generated when the parallel light is reflected by the electronic component is transmitted;
An image analysis unit for detecting the state of the electronic component based on an image captured by the image capturing unit.
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