JP2020071274A - 露光装置、および物品製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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Abstract
Description
図1は、本実施形態における走査露光装置50の概略構成を示す図である。走査露光装置50は、原版(マスクまたはレチクルとも呼ばれうる)17および基板20を走査しながら原版17のパターンを投影光学系POによって基板20に投影して基板20を走査露光するように構成されている。
(B)基板20を第1方向とは逆方向の第2方向に傾斜させた状態でショット領域を露光する場合。
Ki=Bi/Ai
Pm1=Ki・Om1
Pm2=Ki・Om2
第1実施形態では、ショット領域上に形成される潜像の位置ずれにより、潜像のエラーを特定したが、第2実施形態では、ショット領域上に形成される潜像のディストーションによって潜像のエラーを特定する。第2実施形態では、ディストーションの観点から、図3(B2)のようにスリット形状が非対称にされている露光装置においてFLEX露光を行う場合に発生するデフォーカス量とテレセン成分によりX方向の像高ごとに発生するシフト成分を考慮する。
Qm=Ki・Rm
図9は、基板の複数の傾斜量のそれぞれについて、基板の傾斜によって発生する潜像のエラーの例を示すグラフである。本実施形態では、例えば、このグラフに従うデータが、制御部30のメモリ32に予め記憶されている。制御部30は、設定された基板の傾け量Mによって発生するエラーOmを、メモリ32に記憶されているデータから求める。制御部30は、求めたエラーOmとデフォーカス係数Kiとから、スリット形状より原理的に発生するエラーPmを、次式により算出する。
Pm=Ki・Om
図10は、基板の複数の傾斜量のそれぞれについて、基板の傾斜によって発生するディストーションの例を示す図である。本実施形態では、例えば、この図に従うディストーションデータが、制御部30のメモリ32に予め記憶されている。制御部30は、基板の傾け量Mによって発生するディストーションRmを、メモリ32に記憶されているディストーションデータから求める。制御部30は、求めたディストーションRmとデフォーカス係数Kiとから、スリット形状より原理的に発生するディストーションQmを、次式により算出する。
Qm=Ki・Rm
前述の実施形態では、1つのショット領域について、潜像のエラーが小さくなるように基板20の傾斜を調整することを説明した。したがって、制御部30は、基板20に配列されている複数のショット領域のそれぞれ毎に調整部21による基板の傾斜の調整を行うことができる。これにより、それぞれのショット領域内で均一な焦点深度拡大の効果を得ることができ、露光精度を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (10)
- 原版を照明する照明光学系および前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系を有し、前記原版または前記基板を前記投影光学系の像面に対して傾斜させた状態で前記原版および前記基板を走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、
前記原版または前記基板の前記像面に対する傾斜を調整する調整部と、
前記調整部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記原版または前記基板を第1方向に傾斜させた状態で前記基板上のショット領域を露光する場合と、前記原版または前記基板を前記第1方向とは逆方向の第2方向に傾斜させた状態で前記ショット領域を露光する場合との間で、前記ショット領域上に形成される潜像のエラーが小さくなるように前記傾斜の方向を決定することを特徴とする露光装置。 - 前記制御部は、
前記原版または前記基板を傾斜させない状態で前記ショット領域を露光する場合における、前記ショット領域上に形成される潜像のエラーである第1エラーを取得し、
前記原版または前記基板を前記第1方向に傾斜させた状態で前記ショット領域を露光する場合における、前記ショット領域上に形成される潜像の、当該傾斜に起因するエラーである第2エラーを求め、
前記原版または前記基板を前記第2方向に傾斜させた状態で前記ショット領域を露光する場合における、前記ショット領域上に形成される潜像の、当該傾斜に起因するエラーである第3エラーを求め、
前記第1エラーと前記第2エラーとを合成した第1合成エラーと、前記第1エラーと前記第3エラーとを合成した第2合成エラーとの比較の結果に基づいて、前記傾斜の方向を決定する
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記照明光学系は、前記原版の照明領域を規定する照明視野絞りを含み、
前記制御部は、前記照明視野絞りによって形成されるスリットの走査方向と直交する方向における各位置の幅に依存したデフォーカス係数と、前記基板の傾斜に起因して前記ショット領域上に形成される潜像のエラーとに基づいて算出される、前記スリットの形状に応じた前記潜像のエラーを、前記第2エラーまたは前記第3エラーとして求める
ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記第2エラーまたは前記第3エラーを補正するように前記投影光学系に含まれるレンズを駆動しながら露光を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板の複数の傾斜量のそれぞれについての前記基板の傾斜によって発生するエラーのデータに基づいて前記第2エラーおよび前記第3エラーを求めることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板に配列されている複数のショット領域のそれぞれ毎に前記調整部による前記傾斜の調整を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板に配列されている複数のショット領域の、露光の順番が連続しかつ走査方向が互いに同じであるグループ毎に、前記調整部による前記傾斜の調整を行い、各グループ内では前記傾斜の調整状態を固定とすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、露光制御モードとして、露光精度を優先する精度優先モードと、スループットを優先するスループット優先モードとを有し、前記精度優先モードが選択された場合は、前記基板に配列されている複数のショット領域のそれぞれ毎に、前記調整部による前記傾斜の調整を行い、前記スループット優先モードが選択された場合は、前記複数のショット領域の、露光の順番が連続しかつ走査方向が互いに同じであるグループ毎に、前記調整部による前記傾斜の調整を行い、各グループ内では前記傾斜の調整状態を固定とすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記潜像のエラーは、潜像の位置ずれ、ディストーション、線幅の誤差のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、
前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018203253A JP7222659B2 (ja) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 露光装置、および物品製造方法 |
KR1020190126651A KR102568839B1 (ko) | 2018-10-29 | 2019-10-14 | 노광장치, 및 물품 제조방법 |
CN201911033882.0A CN111103765B (zh) | 2018-10-29 | 2019-10-29 | 曝光装置以及物品制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018203253A JP7222659B2 (ja) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 露光装置、および物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020071274A true JP2020071274A (ja) | 2020-05-07 |
JP2020071274A5 JP2020071274A5 (ja) | 2021-11-25 |
JP7222659B2 JP7222659B2 (ja) | 2023-02-15 |
Family
ID=70420505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018203253A Active JP7222659B2 (ja) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 露光装置、および物品製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7222659B2 (ja) |
KR (1) | KR102568839B1 (ja) |
CN (1) | CN111103765B (ja) |
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KR20200049528A (ko) | 2020-05-08 |
KR102568839B1 (ko) | 2023-08-21 |
JP7222659B2 (ja) | 2023-02-15 |
CN111103765B (zh) | 2023-04-14 |
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