JP2020053617A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020053617A JP2020053617A JP2018183357A JP2018183357A JP2020053617A JP 2020053617 A JP2020053617 A JP 2020053617A JP 2018183357 A JP2018183357 A JP 2018183357A JP 2018183357 A JP2018183357 A JP 2018183357A JP 2020053617 A JP2020053617 A JP 2020053617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting element
- emitting device
- phosphor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- -1 Lutetium-aluminum Chemical compound 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
このような用途に用いられる発光装置は、複数の発光素子を備え、それぞれの発光素子を個別に点灯/消灯状態とすることで、所望の配光性を得ることが提案されている(例えば、特許文献1)。
上面を光取り出し面とする複数の発光素子と、
該発光素子の光取出し面より大きな平面積で、前記光取出し面を被覆する蛍光体層と、
該蛍光体層に対面し、前記発光素子の光取出し面よりも大きな平面積を有する下面と、該下面よりも大きな平面積を有する上面と、該下面よりも大きな平面積を有する上面と、該上面に連続する垂直面を有する側面とを備える透光性部材と、
前記透光性部材の側面を包囲する光反射性部材とを備える。
このような構成を備えることにより、複数の発光面を有する発光装置10において、隣接する発光面間の距離を、隣接する発光素子間の距離及び隣接する蛍光体層間の距離よりも短くすることができる。さらに、蛍光体層2の厚みを薄くすることにより、具体的には蛍光体層2の厚みを透光性部材3の厚みよりも薄くすることにより、発光素子から出射され、蛍光体層に入射した光の横方向への伝播を抑制することができる。つまり、隣接する発光素子上に配置される蛍光体層へ光が漏れ伝わることを抑制することができる。その結果、隣接する発光面の点灯/消灯間との輝度差が急峻な発光装置を得ることができる。
発光素子1は、通常、発光ダイオードが用いられる。発光素子1は、1つの発光装置において複数含まれている。
発光素子は、その組成、発光色又は波長、大きさ、個数等、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSe、窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPなどの半導体層を用いたもの、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどの半導体層を用いたものが挙げられる。
発光素子は、通常、透光性の支持基板(例えば、サファイア基板)上に、半導体層を積層させて形成される。基板が発光素子の上面側となり、発光素子の主な光取り出し面となる。支持基板は半導体層との接合面に凹凸を有していてもよい。これにより半導体層から出射された光が、基板に当たるときの臨界角を意図的に変えて、基板の外部に光を容易に取り出すことができる。
発光素子においては、支持基板は半導体層の積層後に除去されていてもよい。除去は、例えば、研磨、LLO(Laser Lift Off)等で行うことができる。支持基板が除去された場合は、支持基板に最も近かった半導体層の表面が発光素子の上面となり、発光素子の主な光取り出し面となる。
発光素子は、同一面側に正負一対の電極を有するものが好ましい。これにより、発光素子を実装基板にフリップチップ実装することができる。そして、一対の電極が形成された面と対向する面が光取り出し面となる。
発光素子1の数は、得ようとする発光装置の特性、サイズ等に応じて適宜設定することができる。複数の発光素子1は、互いに近接して整列していることが好ましい。発光装置10の輝度分布、さらに車両用途として用いること等を考慮すると、隣接する発光素子間の距離は個々の発光素子のサイズ(例えば一辺の長さ)よりも短いものが好ましく、例えば、発光素子自体のサイズの30%程度以下がより好ましく、20%以下がさらに好ましい。発光素子1は、例えば、表面に配線を有する基板5の上に、規則的に配列されていることが好ましい。
発光素子1は、図1に示すように、基板5上に配置されている。
基板5は、当該分野で公知であり、発光素子1等が実装されるために用いられる基板のいずれをも用いることができる。例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、BTレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。基板5は、通常、図4に示すように、その表面に発光素子1と接続される配線7を有するものが用いられる。発光素子1は、基板5上において、例えば、ランダムに又は図1に示すように、一列に配列されてもよいし、図4に示すように行列状に整列されていてもよい。なかでも、発光素子1は、行列状に整列して配置されていることが好ましい。
基板5上の配線は、基板5上に配置される複数の発光素子1を任意に駆動し得るように形成されている。なかでも、複数の発光素子1を個別に駆動し得るように形成されていることが好ましい。
蛍光体層2は、例えば、蛍光体の焼結体、樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を蛍光体のバインダーとして混合して成形したものが挙げられる。蛍光体層2の透明度が高いほど、後述する光反射性部材との界面において光を反射させやすいため、輝度を向上させることが可能となる。
蛍光体には、発光素子1からの光で励起可能なものが使用される。例えば、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(例えばCaO−Al2O3−SiO2:Eu)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体(例えば(Sr,Ba)2SiO4:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAlzOzN8-z:Eu(0<Z<4.2))、CASN系蛍光体(例えばCaAlSiN3:Eu)、SCASN系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)等の窒化物系蛍光体、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム系蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、所望の発光色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を得ることができる。白色に発光可能な発光装置とする場合、蛍光体層2に含有される蛍光体の種類、濃度によって白色となるよう調整される。このような蛍光体が透光性材料に含有される場合、蛍光体の濃度を、例えば30%〜80%程度とすることが好ましい。
接着剤には拡散材、上述した蛍光体等を含有させてもよい。
蛍光体層2の厚みは、蛍光体層を構成する材料、蛍光体の含有量等によって適宜設定することができる。なかでも、蛍光体層2は薄層であることが好ましく、例えば50μm以下であることが好ましく、40μm以下がより好ましい。波長変換に必要な量の蛍光体を含むことを考慮して、例えば蛍光体層2の厚みは、30μm〜40μm程度とすることが好ましい。このような厚みとすることで、物理的に経路が狭くなる横方向への光の伝播を抑制することができる。これにより隣接する蛍光体層への光伝搬を抑制することができる。
蛍光体層2は、上述した材料を用いて、板状に成型し、所望の形状に分割して形成することができる。また、後述する透光性部材3の一面に印刷、塗工、噴霧等により蛍光体層2を形成し、蛍光体層2と透光性部材3との積層体としてもよい。
透光性部材3は、蛍光体層2から出射される光を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。
透光性部材3は、上面3aと、上面3aと対向する下面3bとを有している。下面3bは、蛍光体層2からの光が入射される面であり、蛍光体層2に対面して配置される。上面3aは、発光装置10の発光面を構成する面であり、発光素子1からの光および蛍光体層2により波長変換された光を外部に出射する面となる。蛍光体層2に対面する透光性部材3の下面3bの平面積は、蛍光体層の上面の平面積と同等又はそれ以上の大きさとすることが好ましい。例えば、蛍光体層の上面の平面積の100%〜110%が挙げられる。言い換えると、透光性部材3の下面3bの外縁が、蛍光体層2の上面の外縁を包含することが好ましい。具体的には、透光性部材3の下面3bの外縁を、蛍光体層2の上面の外縁より0μm〜20μm程度外側に配置することが挙げられる。これにより、発光素子1の光取り出し面の全て、及び蛍光体層の上面の全てを透光性部材3で被覆することができる。
透光性部材3の上面3aは、下面3bよりも大きい平面積を有する。例えば、透光性部材3の上面3aの面積として、下面の面積の105%〜140%が挙げられる。また、透光性部材3の上面3aの外縁は、平面視、下面3bの外縁よりも外側に配置されていることがより好ましい。これにより、隣接する透光性部材3間の距離を、それぞれに対応する発光素子間の距離よりも近づけることが可能となり、発光装置10が備える複数の発光面をより近接して配置することが可能となり、より小型な発光装置10を得ることができる。
透光性部材3の上面3aは、下面3bよりも平面積が大きい。透光性部材3の上面3a及び下面3bに挟まれる側面3cは、図2A〜図2Dに示すように、上面3a側において、上面3aに対して垂直な垂直面を有する。さらに、側面3cは、徐々に、段階的に又は急激に、上面3aに向かうに従って、透光性部材3の外側に広がる部分を、その下面側の一部に備える。例えば、図1及び図2Aに示すように、透光性部材3Aは、上面3a及び下面3bに挟まれる側面3cが、1つの凸部又は凹部を備えていてもよい。図2B及び図3に示すように、透光性部材3Bは、上面3a及び下面3bに挟まれる側面3cが、上面3a側において、上面3aに対して垂直な垂直面と、その下方において下面3bに接する曲面とを有していてもよい。ここでの曲面は、内側に凸、外側に凸のいずれの形状でもよい。図2Cに示すように、透光性部材3Cは、上面3a側において、上面3aに対して垂直な垂直面と、その下方の傾斜面とを有する側面3cを有していてもよい。図2Dに示すように、透光性部材3Dは、上面3aから下面3bにわたって複数段の段差を有する側面3cを有していてもよい。透光性部材が、このような形状の側面を有することにより、横方向への光の漏れを抑制することができるとともに、隣接する透光性部材間の距離を短くすることができる。これにより、小型でかつ発光素子の点灯/消灯状態の輝度差が急峻な発光装置とすることができる。
一実施形態では、透光性部材3の側面3cにおける上面3aに接する垂直面は、平坦な面であることが好ましい。これにより、透光性部材の側面3cを被覆する光反射部材の、上面3aへの濡れ広がりを抑制することが可能となる。
図2Cに示すように、側面3cが下面に接する傾斜面を有する場合、傾斜角αは、例えば、75°〜85°とすることができる。図2Bに示すように、側面3cが曲面を含む場合、断面視において、曲線の上端及び下端を結んだ直線を傾斜角βとすることができ、傾斜角βは、例えば、75°〜85°とすることができる。
なお、透光性部材3の厚み(下面から上面までの高さ、図2A中、M+N)は、例えば、50μm〜500μmが挙げられ、70μm〜300μmが好ましい。また、垂直面の垂直長さ(図2A中、N)は、透光性部材3の厚みの10%〜90%が挙げられ、30%〜55%が好ましい。
透光性部材3は、蛍光体層2の上面と、その下面が接合されていることが好ましい。透光性部材3と蛍光体層2との接合は、蛍光体層2を発光素子1に接合又は接着する方法で例示した方法等によって行うことができる。なかでも、透光性部材3の下面に印刷により蛍光体層2が形成されることが好ましい。
板状の透光性部材3の一面に蛍光体層2を形成し、その後、蛍光体層2側から上述したような加工を行うことで、蛍光体層2と透光性部材3との積層体が得られる。これにより、蛍光体層2と透光性部材3とを一括して発光素子上に載置することができるため、製造工程を簡略化することができる。
発光装置10は、複数の透光性部材3を備える。複数の透光性部材3はそれぞれの上面が発光装置10の発光面を構成し、発光装置10の上面において整列して配置されている。透光性部材3は、1つ以上の発光素子の上に、1つ配置されており、隣接する透光性部材は互いに離間している。この場合、透光性部材の上面間の距離は、下面間の距離よりも小さい。具体的には、透光性部材の上面間の距離は、30μm〜100μmが挙げられ、50μm〜70μmが好ましい。
発光装置は、図1に示すように、透光性部材3の側面を包囲する光反射性部材4を備えている。光反射性部材4は、透光性部材3の側面のみならず、蛍光体層2及び発光素子1の側面の双方を包囲するものが好ましい。なかでも、発光素子及び蛍光体層の側面の全部と透光性部材の側面の少なくとも一部とを包囲するものが好ましい。言い換えると、透光性部材は、その上面が、光反射性部材の上面から突出していてもよい。さらに、光反射性部材4は、蛍光体層及び透光性部材の側面の全部に接触して包囲するものが好ましい。ただし、光反射性部材4が発光素子1、蛍光体層2を包囲する場合、上述した接合又は接着に用いる材料を介して包囲していてもよい。
一般に、光出射面となる透光性部材の上面から出射された光は、横方向にも広がりを有する。光反射性部材の上面が、透光性部材の上面の高さよりも高い場合には、透光性部材の上面から出射された光が光反射性部材に当たって反射され、配光のばらつきが生じる。これに対して、透光性部材の側面を光反射性部材で覆いつつ、その側面の外周を覆う光反射性部材の高さを低くすることにより、出射された光を外部に直接取り出すことができる。
光反射性部材は、絶縁材料を用いることが好ましく、例えば樹脂座量を用いて形成することができる。樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。光反射性部材は、これらの樹脂材料に、反射性物質と含有させることにより形成することができる。反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
光反射性部材は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
図2Aに示す透光性部材3Aを用いて、図1に示す発光装置10を作製し、コントラストを測定した。
この発光装置10は、基板5上に、複数の発光素子1(サイズ:0.6mm×0.6mm)が行列状に載置されている。基板5は、熱電導率が170W/m・K程度の窒化アルミニウム板材(厚み1.0mm)の表面に、配線7としてチタン、パラジウム、金がパターン蒸着されたものであり、その上にさらに金メッキが施されている。発光素子は、金からなるバンプによって、フリップチップ実装されている。
発光素子1は、光取り出し面を、蛍光体層2及び透光性部材3の積層体によって被覆されている。蛍光体層2は、YAG蛍光体を5重量%〜10重量%含有した樹脂層により、サイズ:610μm×610μm×35μm(厚み)で形成されている。蛍光体層2の下面と発光素子1の上面とは、シリコーン樹脂からなる透光性の接着剤を用いて接合されている。蛍光体層2の下面の外縁は、発光素子1の光取り出し面の外縁より外側に位置し、蛍光体層2は発光素子1の光取り出し面の全てを被覆している。透光性部材3は、ガラスからなり、図2Bに示すように、上面3aに接する垂直面と、下面3bに接する内側に凸の曲面を有する側面3cを有する。垂直面と曲面の高さを含む総厚みは100μmであり、垂直面及び凸曲面の高さはいずれも50μmである。透光性部材3Aの上面3aは、650μm×650μmであり、下面3bは、610μm×610μmである。蛍光体層2は、透光性部材3の下面3bと略同様の平面積で、下面3bに印刷層として形成されている。
発光素子1、蛍光体層2及び透光性部材3の側面は、光反射性部材4で被覆されている。発光素子1の側面には、蛍光体層との接着剤6が、発光素子1の側面から蛍光体層の下面に亘ってフィレット状に広がるように配置されており、発光素子1の側面は、この接着剤6を介して光反射性部材4に被覆されている。光反射性部材4は、シリコーン樹脂に酸化チタンが30wt%含有されている。
光反射性部材4は、透光性部材3の上面3aと略面一である。
発光面側における、隣接する透光性部材3間の距離は、70μm程度である。
また、比較のために、上述した発光装置10及び30のそれぞれに対して、透光性部材が平板状(650μm×650μm)とした以外、同様の構成を有する発光装置A(透光性部材の厚み100μm)、発光装置B(透光性部材の厚み145μm)を作製した。
透光性部材における上面の平面積が下面の平面積よりも大きな形状(厚み:100μm)とした発光装置10は、点灯発光素子と消灯発光素子との輝度比が110:1と、同じ厚みの平板状の透光性部材を載置した発光装置Aのコントラスト97:1に比較して、有意かつ顕著に良好であった。
また、透光性部材における上面の平面積が下面の平面積よりも大きな形状とした発光装置30は、点灯発光素子と消灯発光素子とのコントラストが106:1と、同じ厚みの平板状の透光性部材を載置した発光装置Bのコントラスト100:1に比較して、有意に良好であった。
なお、発光装置は、それぞれn=2で測定した結果の平均値で評価した。
例えば、発光装置をヘッドランプ等に組み込んだ際には、不要な光が不要な箇所を照らすことを阻止すること、また、グレア光を回避すること及び発光部と非発光部との境界がはっきりしている(見切り性が良い)ことが重要である。
本願における一実施形態の発光装置においては、発光面間の距離を最小限に設定しながら、発光素子から出射され、蛍光体層及び透光性部材に入射した光の横方向への伝播を抑制し、横方向への漏れ光を確実に防止することができる。その結果、発光装置のさらなる小型化を図りながら、発光素子の点灯/消灯間又は発光部(発光素子の光取り出し面)と、非発光部(発光素子間)との輝度差が急峻な高いコントラストを得ることができる。
2 蛍光体層
3A、3B、3C、3D、 透光性部材
3a 上面
3b 下面
3c 側面
4 光反射性部材
5 基板
6 接着剤
7 配線
10、20 発光装置
Claims (9)
- 上面を光取り出し面とする複数の発光素子と、
該発光素子の光取出し面より大きな平面積で、前記光取出し面を被覆する蛍光体層と、
該蛍光体層に対面し、前記発光素子の光取出し面よりも大きな平面積を有する下面と、該下面よりも大きな平面積を有する上面と、該上面に連続する垂直面を有する側面と、を備える透光性部材と、
前記透光性部材の側面を包囲する光反射性部材とを備える発光装置。 - 前記光反射性部材が、前記蛍光体層及び前記発光素子の側面をも被覆する請求項1に記載の発光装置。
- 隣接する前記透光性部材は互いに離間し、前記透光性部材の前記上面間の距離が、前記下面間の距離よりも小さい請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、前記下面から上面に向かって内側に凸の曲面を、その側面に有する請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、前記上面と前記下面とが平行である請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、その上面が、前記光反射性部材の上面と面一であるか又は前記光反射性部材の上面から突出している請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の外縁、前記透光性部材の前記下面の外縁及び上面の外縁が、平面視、前記発光素子の外縁よりも外側に配置する請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記複数の発光素子は、基板上に行列状に整列して配置されている請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記基板は、上面に前記複数の発光素子を個別に駆動するための配線を有する請求項8に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018183357A JP7054005B2 (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 発光装置 |
US16/567,711 US11050007B2 (en) | 2018-09-28 | 2019-09-11 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018183357A JP7054005B2 (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020053617A true JP2020053617A (ja) | 2020-04-02 |
JP7054005B2 JP7054005B2 (ja) | 2022-04-13 |
Family
ID=69945101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018183357A Active JP7054005B2 (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11050007B2 (ja) |
JP (1) | JP7054005B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024129316A1 (en) * | 2022-12-14 | 2024-06-20 | Lumileds Llc | TRANSPARENT STRUCTURE ON pcLED TO INCREASE LIGHT FLUX |
Citations (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5373888U (ja) * | 1976-11-19 | 1978-06-20 | ||
JP2006080312A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
KR20090032866A (ko) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 서울반도체 주식회사 | 계면 분리를 줄인 led 패키지 |
WO2011013581A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2012119481A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2012134355A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
WO2013061511A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP2013187371A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
US20150091035A1 (en) * | 2012-04-06 | 2015-04-02 | Ctlab Co. Ltd. | Semiconductor device structure |
JP2015079805A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2015126209A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015138838A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015138839A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015188069A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2016072515A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2016524344A (ja) * | 2013-07-08 | 2016-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 波長変換式半導体発光デバイス |
US9431591B1 (en) * | 2015-07-16 | 2016-08-30 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | LED package with reflecting cup |
JP2017033971A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP2017050359A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
JP2017108091A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US20170365746A1 (en) * | 2014-12-08 | 2017-12-21 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
JP2018049875A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び車両用灯具 |
JP2018148075A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US20180269361A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007021009A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
US8531126B2 (en) * | 2008-02-13 | 2013-09-10 | Canon Components, Inc. | White light emitting apparatus and line illuminator using the same in image reading apparatus |
JP5617372B2 (ja) | 2010-06-21 | 2014-11-05 | コニカミノルタ株式会社 | 反りを抑えた基板、それを用いた発光装置及びそれらの製造方法 |
JP2012138454A (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5730680B2 (ja) | 2011-06-17 | 2015-06-10 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置とその製造方法 |
JP6149487B2 (ja) | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP6216272B2 (ja) | 2014-03-14 | 2017-10-18 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
EP2919284B1 (en) | 2014-03-14 | 2019-07-03 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US9660151B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-05-23 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
JP5808840B2 (ja) | 2014-05-26 | 2015-11-10 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2016171188A (ja) | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置とその製造方法 |
US10763404B2 (en) | 2015-10-05 | 2020-09-01 | Maven Optronics Co., Ltd. | Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same |
TW201717334A (zh) | 2015-11-05 | 2017-05-16 | 凌北卿 | 封裝結構及其製法 |
TWI608636B (zh) | 2016-01-28 | 2017-12-11 | 行家光電股份有限公司 | 具非對稱性光形的發光裝置及其製造方法 |
US10230030B2 (en) | 2016-01-28 | 2019-03-12 | Maven Optronics Co., Ltd. | Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same |
JP2017228604A (ja) | 2016-06-21 | 2017-12-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
EP3279952A1 (en) | 2016-08-05 | 2018-02-07 | Maven Optronics Co., Ltd. | Moisture-resistant chip scale packaging light-emitting device |
TWI599078B (zh) | 2016-08-05 | 2017-09-11 | 行家光電股份有限公司 | 具濕氣阻隔結構之晶片級封裝發光裝置 |
KR102709497B1 (ko) * | 2016-10-27 | 2024-09-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 |
JP6798279B2 (ja) | 2016-11-28 | 2020-12-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10164159B2 (en) * | 2016-12-20 | 2018-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same |
-
2018
- 2018-09-28 JP JP2018183357A patent/JP7054005B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-11 US US16/567,711 patent/US11050007B2/en active Active
Patent Citations (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5373888U (ja) * | 1976-11-19 | 1978-06-20 | ||
JP2006080312A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
KR20090032866A (ko) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 서울반도체 주식회사 | 계면 분리를 줄인 led 패키지 |
WO2011013581A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2012119481A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2012134355A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
WO2013061511A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP2013187371A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20150091035A1 (en) * | 2012-04-06 | 2015-04-02 | Ctlab Co. Ltd. | Semiconductor device structure |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2016524344A (ja) * | 2013-07-08 | 2016-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 波長変換式半導体発光デバイス |
JP2015079805A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2015126209A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015138839A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015138838A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015188069A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2016072515A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US20170365746A1 (en) * | 2014-12-08 | 2017-12-21 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
US9431591B1 (en) * | 2015-07-16 | 2016-08-30 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | LED package with reflecting cup |
JP2017033971A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP2017050359A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
JP2017108091A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2018049875A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び車両用灯具 |
JP2018148075A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US20180269361A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200105982A1 (en) | 2020-04-02 |
JP7054005B2 (ja) | 2022-04-13 |
US11050007B2 (en) | 2021-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6444299B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5482378B2 (ja) | 発光装置 | |
CN109860381B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP6399017B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6519311B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6186904B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6481559B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010272847A5 (ja) | ||
US10991859B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2018206819A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2019016763A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6724639B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6579159B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6485503B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6947990B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP2008108994A (ja) | 発光装置及びこれを用いた面状光源 | |
JP7054005B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6947997B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7460898B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2020013948A (ja) | 発光装置 | |
JP2024014705A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7054005 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |