JP2020042234A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
一般に、液晶プロジェクターでは、投射される画像の高輝度化が要求されるが、高輝度化のためには、液晶パネルに入射される光量を増大させる必要がある。入射光量を増大させると、液晶パネルの発熱が問題となる。このため、液晶パネルの光が入射する側の光入射面または光が出射する側の光出射面にサファイヤ基板を設けて放熱を促進する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。
図1は、第1実施形態に係る電気光学装置を適用した液晶プロジェクターの構成を示す図である。
図1に示されるように、液晶プロジェクター2100は、透過型の液晶パネル100R、100Gおよび100Bを備える。プロジェクター2100の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット2102が設けられている。このランプユニット2102から射出された投射光は、内部に配置された3枚のミラー2106および2枚のダイクロイックミラー2108によって、赤、緑および青の3原色に分離される。このうち、赤の光は液晶パネル100Rに、緑の光は液晶パネル100Gに、青の光は液晶パネル100Bに、それぞれ入射する。
なお、青の光の光路は、他の赤や緑と比較して長い。このため、青の光は、光路での損失を防ぐために、入射レンズ2122、リレーレンズ2123および出射レンズ2124からなるリレーレンズ系2121を介して液晶パネル100Bに導かれる。
同様に、液晶パネル100Gおよび100Bでは、緑色成分のデータ信号および青色成分のデータ信号が、駆動回路によって画素毎に書き込まれて、それぞれ表示すべき画像のうち、緑および青の成分の透過像が生成される。
なお、液晶パネル100R、100Bによる各透過像は、ダイクロイックプリズム2112により反射した後に投射されるのに対し、液晶パネル100Gの透過像は直進して投射される。このため、液晶パネル100R、100Bによる各透過像は、液晶パネル100Gの透過像に対して左右反転した関係となっている。
液晶パネル100Rは、後述するように素子基板と対向基板とを含み、このうち、素子基板には、FPC基板74の一端が接続されている。なお、FPCは、Flexible Printed Circuitsの略語である。また、FPC基板74の他端には、複数の端子76が設けられて、上記上位回路に接続される。FPC基板74には、半導体チップの制御回路5が実装されるとともに、当該上位回路から、複数の端子76を介して映像信号や同期信号が供給される。映像信号は、表示すべき画像のうち、R成分の画像の階調レベルをR画素毎に例えば8ビットで規定する。
制御回路5は、映像信号を液晶の駆動に適したアナログのデータ信号に変換するとともに、同期信号に基づき、上記駆動回路を制御する制御信号を生成して、データ信号とともに液晶パネル100Rの素子基板に供給する。
図3に示されるように、液晶パネル100Rでは、第1に、素子基板102および対向基板104が貼り合わせられた構成となっている。詳細には、素子基板102には、画素電極や薄膜トランジスターなどが形成され、対向基板104には、対向電極やレンズアレイなどが形成される。そして、素子基板102と対向基板104とは、スペーサを含むシール材によって一定の間隙を保ち、互いに電極が形成された内側面が対向するように貼り合わせられて、当該内側面同士の間隙に液晶が封入された構成となっている。なお、上記間隙は数マイクロメートルオーダーであり、対向基板104および素子基板102におけるミリメートルオーダーの厚さと比較して十分に薄いので、図3や、後述する図4乃至図8では、素子基板102と対向基板104とが密着された状態で表現されている。
なお、後述するように、素子基板102および対向基板104にはそれぞれ石英基板が用いられるので、素子基板102が第1石英基板の一例となり、対向基板104が第2石英基板の一例となっている。
また、素子基板102および対向基板104が貼り合わせられた後に、素子基板102の外側面である光が出射する側の光出射面および対向基板104の外側面である光入射する側の光入射面は、それぞれ切削または研磨等によって、図3の破線で示される状態から実線で示される状態に、薄型化されている。
なお、貼り合わせるとは、素子基板102と放熱基板152と、または、対向基板104と放熱基板154とが、接着材を介して接着されて配置されている場合、周辺領域のみ接着材で接着され、中央部分は、熱伝導部材を介して張り合わされて配置されている場合、接着材や熱伝導部材を介さずに素子基板102と放熱基板152が直接に接触して配置されている場合等、素子基板102または対向基板104の熱を放熱基板152または154に熱伝導が可能な形態で、両者が配置された状態を意味している。
後述するように、放熱基板152および154にはそれぞれサファイヤ基板が用いられるので、放熱基板152が第1サファイヤ基板の一例となり、放熱基板154が第2サファイヤ基板の一例となっている。
また、放熱基板154、対向基板104、素子基板102および放熱基板152の各厚みを順にそれぞれt6、t2、t1およびt5と表記しているが、具体的な数値については後述する。放熱基板152および154の外形は、平面視した場合(図3または図4において対向基板104の上面側から眺めた場合)、対向基板104よりも一回り小さい。
図5において、ケース71は金属などからなる。ケース71において光の入射側には、フロントプレート72が設けられる。フロントプレート72は、例えばアルミニウムなどの反射性金属からなり、図5および図6に示されるように枠状の開口部72aを有し、液晶パネル100Rに入射させる光以外の光、すなわち、透過像の形成に寄与しない光を反射させる。
なお、開口部72aは、平面視した場合に、液晶パネル100Rにおける画素電極の配列領域(図示省略)よりも広く、放熱基板154よりも狭い。
なお、ケース71、フロントプレート72、液晶パネル100Rおよびリアプレート73同士は接着剤などにより固着される。
次に便宜的に、第2実施形態に係る液晶パネル100Rについて説明する。第2実施形態における液晶パネル100Rは、放熱基板152および154にサファイヤ基板が使用され、素子基板102および対向基板104の各々に石英基板を使用される点において、第1実施形態と同様であるが、第1実施形態とは各基板の厚みが異なる。
詳細には、図7に示されるように、第1実施形態における液晶パネル100Rでは、第1に、素子基板102および対向基板104が貼り合わせられた状態において、さらに図8に示されるように素子基板102に放熱基板152が、対向基板104に放熱基板154が、それぞれ貼り合わせられた構成となっている。ただし、第2実施形態における液晶パネル100Rにおいて、放熱基板154、対向基板104、素子基板102および放熱基板152の各厚みを順にそれぞれt16、t12、t11およびt15と表記した場合に、図10に示されるように、厚さt16が2.15mmであり、厚さt12が0.15mmであり、厚さt11が0.15mmであり、厚さt15が2.05mmである。
なお、これらの例では、液晶パネル100Rの総厚みを4.5mmで揃えている。総厚みが異なると、液晶プロジェクターの光路長が変わるので、全体的な光学設計等の変更が余儀なくされるためである。
しかしながら、素子基板102には、上述したように800℃以上の高温ポリシリコン製造プロセスにより薄膜トランジスター等が形成されるが、サファイヤ(Al2O3)基板を用いると、Al成分によって高温ポリシリコン製造装置が汚染されるだけでなく、素子基板102に形成される薄膜トランジスターの特性を劣化させることにもなる。対向基板104には、画素への集光力を高めるためにマルチレンズアレイが形成されるが、サファイヤの屈折率が高いので、集光効率を高めることができない、つまり光の利用効率が低下してしまう、という不都合がある。
このため、素子基板102および対向基板104には、このような不都合を避けるために、石英基板を用いざるを得ない。したがって、比較例3および比較例7のほか、比較例5および比較例6が採用できない。なお、各基板をすべて石英基板とした比較例1では、光束値が低いので、採用できない。また、放熱基板154のみをサファイヤ基板とした比較例2においても、光束値は低い。
具体的には、第1実施形態のように、放熱基板152の厚さおよび放熱基板154の厚さを、素子基板102の厚さまたは対向基板104の厚さの2倍以上とすること、また、素子基板102の厚さまたは対向基板104の厚さを0.50mm以下とし、放熱基板152の厚さおよび放熱基板154の厚さを1.10mm以上とすること、望ましくは、放熱基板152の厚さおよび放熱基板154の厚さを、素子基板102の厚さまたは対向基板104の厚さの3倍以上とすること、によって光束値を高めることができる。
また、第1実施形態および第2実施形態に係る液晶パネル100Rでは、ランプユニットの入射光が画素(液晶層)で焦点を結び、その透過像がスクリーンに投射されるが、放熱基板152および154の厚みを確保することによって、放熱基板152の入射面または放熱基板154の出射面にゴミが付着しても焦点から外れるので、投射画像に当該ゴミが結像されてしまうのを防止することができる。
また、素子基板102および対向基板104を薄型化すればするほど、放熱基板152および154の厚みを確保することができるが、素子基板102および対向基板104を薄型化するにしても限度がある。具体的には、素子基板102および対向基板104の厚さが0.15mm未満になると、基板が変形して、製造プロセスにおいて搬送が困難になり、また、反りやクラック等が発生する、という問題が生じる。また、素子基板102にFPC基板74の一端を接続する際の圧着に不良が生じやすくなる、という問題もある。
このため、第2実施形態では、貼り合わせ後に、素子基板102または対向基板104の厚さを、0.15mmを限度として薄型化する構成とした。
Claims (8)
- 第1石英基板と、
前記第1石英基板と対向する第2石英基板と、
前記第1石英基板および前記第2石英基板により挟持された液晶層と、
前記第1石英基板に貼り合わされた第1サファイヤ基板と、
前記第2石英基板に貼り合わされた第2サファイヤ基板と、
を有し、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さは、
前記第1石英基板または前記第2石英基板の厚さの2倍以上である
電気光学装置。 - 請求項1において、
前記第1石英基板および前記第2石英基板の各厚さが0.50mm以下であり、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さが1.10mm以上である
電気光学装置。 - 請求項2において、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さは、
前記第1石英基板または前記第2石英の厚さの3倍以上である
電気光学装置。 - 請求項3において、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さが1.70mm以上である
電気光学装置。 - 請求項1において、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さは、
前記第1石英基板または前記第2石英の厚さの10倍以上である
電気光学装置。 - 請求項5において、
前記第1石英基板および前記第2石英の各厚さが0.15mm以上であり、
前記第1サファイヤ基板および第2サファイヤ基板の各厚さが2.05mm以上である
電気光学装置。 - 請求項5または6において、
前記第1石英基板は、前記第1サファイヤ基板との貼り合わせ前に、切削または研磨により薄型化され、
前記第2石英は、前記第1サファイヤ基板との貼り合わせ前に、切削または研磨により薄型化された
電気光学装置。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。
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