JP2020040866A - Method for manufacturing lithium tantalate substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タンタル酸リチウム結晶を用いてタンタル酸リチウム基板を製造する方法に係り、特に、色むら(還元むら)の無い電気的特性に優れたタンタル酸リチウム基板を安定して製造できるタンタル酸リチウム基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a lithium tantalate substrate using a lithium tantalate crystal, and particularly to a method for stably manufacturing a lithium tantalate substrate excellent in electrical characteristics without color unevenness (reduction unevenness). The present invention relates to a method for manufacturing a lithium substrate.
タンタル酸リチウム(以下、LTと略称することがある)結晶は、融点が約1650℃、キュリー温度が約600℃の強誘電体であり、この結晶を用いて製造されたタンタル酸リチウム基板は、主に、携帯電話の送受信用デバイスに用いられる表面弾性波(SAW)フィルター材料として適用されている。 A lithium tantalate (hereinafter sometimes abbreviated as LT) crystal is a ferroelectric substance having a melting point of about 1650 ° C. and a Curie temperature of about 600 ° C. A lithium tantalate substrate manufactured using this crystal has It is mainly applied as a surface acoustic wave (SAW) filter material used in transmitting and receiving devices of mobile phones.
そして、携帯電話の高周波化、各種電子機器の無線LANであるBluetooth(登録商標)(2.45GHz)の普及等により、2GHz前後の周波数領域のSAWフィルターが今後急増すると予測されている。 It is predicted that the number of SAW filters in the frequency range around 2 GHz will increase rapidly in the future due to the increase in the frequency of mobile phones and the spread of Bluetooth (registered trademark) (2.45 GHz), which is a wireless LAN for various electronic devices.
上記SAWフィルターは、LT等の圧電材料で構成された基板上に、Al、Cu等の金属薄膜で一対の櫛型電極が形成された構造となっており、この櫛型電極がデバイスの特性を左右する重要な役割を担っている。また、上記櫛型電極は、圧電材料上にスパッタリングにより金属薄膜を成膜した後、一対の櫛型パターンを残し、フォトリソグラフ技術により不要な部分をエッチングにより除去することで形成される。 The SAW filter has a structure in which a pair of comb-shaped electrodes is formed of a metal thin film of Al, Cu, or the like on a substrate made of a piezoelectric material such as LT. It has an important role to play. The above-mentioned comb-shaped electrode is formed by forming a metal thin film on a piezoelectric material by sputtering, leaving a pair of comb-shaped patterns, and removing unnecessary portions by etching using a photolithographic technique.
また、上記LT単結晶は、産業的には、主にチョクラルスキー法によって、酸素濃度が数%〜20%程度の窒素−酸素混合ガス雰囲気の電気炉中で育成されており、通常、高融点のイリジウム坩堝が用いられ、育成されたLT単結晶は電気炉内で所定の冷却速度で冷却された後、電気炉から取り出して得られている。 In addition, the LT single crystal is industrially grown mainly by the Czochralski method in an electric furnace having a nitrogen-oxygen mixed gas atmosphere having an oxygen concentration of about several% to 20%. An iridium crucible having a melting point is used, and the grown LT single crystal is obtained by being cooled at a predetermined cooling rate in an electric furnace and then taken out of the electric furnace.
育成されたLT結晶は、無色透明若しくは透明度の高い淡黄色を呈している。育成後、結晶の熱応力による残留歪みを取り除くため、融点に近い均熱下で熱処理を行い、更に単一分極とするためのポーリング処理、すなわち、LT結晶を室温からキュリー温度以上の所定温度まで昇温し、結晶に電圧を印加し、電圧を印加したままキュリー温度以下の所定温度まで降温した後、電圧印加を停止して室温まで冷却する一連の処理を行う。ポーリング処理後、結晶の外径を整えるために外周研削されたLT結晶(インゴットと称する)は、スライス、ラップ、ポリッシュ工程等の機械加工を経て基板となる。最終的に得られた基板はほぼ無色透明で、その体積抵抗率はおよそ1014〜1015Ω・cm程度である。 The grown LT crystal has a colorless and transparent color or a highly transparent pale yellow color. After the growth, in order to remove the residual strain due to the thermal stress of the crystal, heat treatment is performed under a soaking temperature close to the melting point, and further, a poling treatment for making the single polarization, that is, the LT crystal is heated from room temperature to a predetermined temperature equal to or higher than the Curie temperature. After the temperature is raised, a voltage is applied to the crystal, and the temperature is lowered to a predetermined temperature equal to or lower than the Curie temperature while the voltage is applied, a series of processes of stopping the voltage application and cooling to room temperature are performed. After the poling process, the LT crystal (referred to as an ingot) that has been subjected to outer peripheral grinding to adjust the outer diameter of the crystal becomes a substrate through mechanical processing such as slicing, wrapping, and polishing. The substrate finally obtained is almost colorless and transparent, and has a volume resistivity of about 10 14 to 10 15 Ω · cm.
ところで、このような従来の方法で得られた基板では、表面弾性波素子(SAWフィルター)製造プロセスにおいて、LT結晶の特性である焦電性のため、プロセスで受ける温度変化によって電荷が基板表面にチャージアップし、これにより生ずる放電が原因となって基板表面に形成した櫛型電極が破壊され、更には基板の割れ等を生じて素子製造プロセスでの歩留まり低下が起きている。 By the way, in a substrate obtained by such a conventional method, in a surface acoustic wave device (SAW filter) manufacturing process, due to pyroelectricity, which is a characteristic of LT crystal, electric charges are deposited on the substrate surface by a temperature change received in the process. The comb-shaped electrodes formed on the substrate surface are destroyed due to the charge-up and the resulting discharge, and furthermore, the substrate is cracked or the like, and the yield in the element manufacturing process is reduced.
そこで、LT結晶の焦電性による不具合を解消するため、導電率を増大させる技術がいくつか提案されている。例えば、特許文献1では、アルゴン、水、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素およびこれ等の組合せから選択されたガスの還元雰囲気で基板の状態に加工されたLT結晶(以下「基板形状のLT結晶」とし、還元処理後のLT基板と区別する)を熱処理(還元処理)してその導電性を増大させる方法が提案され、特許文献2では、基板形状のLT結晶を20Pa以下の減圧雰囲気で熱処理してその導電性を増大させる方法が提案されている。また、特許文献3では、基板形状のLT結晶が収容された処理室内に酸素ポンプを用いて酸素分圧が1×10-22atm以下の不活性ガスを供給しながら熱処理する方法が提案され、特許文献4では、基板形状のLT結晶をアルミニウム粉末(Al粉)と酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)との混合粉中に埋め込んで熱処理する方法が提案されている。尚、導電性を増大させたLT基板は、酸素空孔が導入されたことにより光吸収を起こすようになる。そして、観察されるLT基板の色調は、透過光では赤褐色系に、反射光では黒色に見えるため、導電性を増大させる還元処理は黒化処理とも呼ばれており、このような色調の変化現象を黒化と呼んでいる。 In order to solve the problem caused by the pyroelectricity of the LT crystal, several techniques for increasing the conductivity have been proposed. For example, in Patent Document 1, an LT crystal (hereinafter, referred to as a “substrate”) processed into a substrate in a reducing atmosphere of a gas selected from argon, water, hydrogen, nitrogen, carbon dioxide, carbon monoxide, oxygen and a combination thereof. A method of increasing the conductivity by heat treatment (reduction treatment) of the “LT crystal having a shape” and distinguishing it from the LT substrate after the reduction treatment) has been proposed. A method of increasing the conductivity by heat treatment in a reduced-pressure atmosphere has been proposed. Patent Document 3 proposes a method in which a heat treatment is performed while supplying an inert gas having an oxygen partial pressure of 1 × 10 −22 atm or less using a oxygen pump into a processing chamber in which a substrate-shaped LT crystal is accommodated. Patent Document 4 proposes a method in which a substrate-shaped LT crystal is embedded in a mixed powder of an aluminum powder (Al powder) and an aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder) and heat-treated. The LT substrate having the increased conductivity causes light absorption due to the introduction of oxygen vacancies. Since the color tone of the LT substrate observed is reddish brown in transmitted light and black in reflected light, the reduction treatment for increasing conductivity is also referred to as blackening treatment. Is called blackening.
ところで、融点が1250℃程度と比較的低いニオブ酸リチウム結晶と異なり、融点が約1650℃と高いタンタル酸リチウム結晶に対して特許文献1および特許文献2の方法を適用した場合、LT基板の導電性が十分に増大しないため、焦電性による不具合を十分に改善でない問題があった。また、LT結晶が収容された処理室内に酸素ポンプを用いて酸素分圧が1×10-22atm以下の不活性ガスを供給しながら熱処理する特許文献3の方法では、10-12〜10-11Ω-1・cm-1(特許文献3における図3のグラフ参照)程度の導電率(1011〜1012Ω・cm程度の体積抵抗率)は得られるものの、処理室内に供給する不活性ガスの酸素分圧を1×10-22atmにするには、酸化ジルコニウム(ZrO2)等の固体電解質で構成された高価な酸素ポンプを設置する必要があり、かつ、酸素ポンプで調製される不活性ガス量は少量であるため僅かな枚数のLT結晶しか処理できず、生産コストと生産性に劣る問題を有していた。 By the way, unlike the lithium niobate crystal having a relatively low melting point of about 1250 ° C. and applying the methods of Patent Documents 1 and 2 to a lithium tantalate crystal having a high melting point of about 1650 ° C., the conductivity of the LT substrate is low. However, there is a problem that the problem due to pyroelectricity is not sufficiently improved because the property is not sufficiently increased. Further, in the method of Patent Document 3 in which heat treatment is performed by using an oxygen pump to supply an inert gas having an oxygen partial pressure of 1 × 10 −22 atm or less into a processing chamber in which LT crystals are accommodated, 10 −12 to 10 − An electrical conductivity (volume resistivity of about 10 11 to 10 12 Ω · cm) of about 11 Ω −1 · cm −1 (see the graph of FIG. 3 in Patent Document 3) is obtained, but inertness supplied into the processing chamber. In order to make the oxygen partial pressure of the gas 1 × 10 −22 atm, it is necessary to install an expensive oxygen pump composed of a solid electrolyte such as zirconium oxide (ZrO 2 ), which is prepared by the oxygen pump. Since the amount of the inert gas is small, only a small number of LT crystals can be processed, and there is a problem that production cost and productivity are poor.
一方、基板形状のLT結晶をアルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に埋め込んで熱処理(還元処理)する特許文献4の方法においては、所望とする体積抵抗率(導電性)が得られると共に、高価な酸素ポンプを設置する必要がないため生産コストにも優れた利点を有している。しかし、所望される体積抵抗率が低くなる(下記参考例1で例示された7.0×108Ω・cm程度)につれて、上記混合粉中におけるアルミニウム粉末の比率を高く設定する必要があり、アルミニウム粉末の比率が20質量%以上になった場合、直径1〜5mm程度の黒い点(色むら、すなわち還元むら)が発生し易くなり、生産性を悪化させる問題を有していた。 On the other hand, in the method of Patent Document 4 in which a substrate-shaped LT crystal is embedded in a mixed powder of aluminum powder and aluminum oxide powder and heat-treated (reduction treatment), a desired volume resistivity (conductivity) can be obtained, In addition, since there is no need to install an expensive oxygen pump, there is an advantage that the production cost is excellent. However, as the desired volume resistivity becomes lower (about 7.0 × 10 8 Ω · cm exemplified in Reference Example 1 below), it is necessary to set the ratio of the aluminum powder in the mixed powder to be higher, When the ratio of the aluminum powder is 20% by mass or more, black dots (color unevenness, that is, reduction unevenness) having a diameter of about 1 to 5 mm are easily generated, and there is a problem that productivity is deteriorated.
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、所望される体積抵抗率が低い(例えば108Ω・cm程度)場合でも、色むら(還元むら)の無い電気的特性に優れたタンタル酸リチウム基板を安定して製造できるタンタル酸リチウム基板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a problem, and the subject thereof is that even when a desired volume resistivity is low (for example, about 10 8 Ω · cm), color unevenness (reduction unevenness) is caused. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a lithium tantalate substrate capable of stably manufacturing a lithium tantalate substrate excellent in electrical characteristics without any problem.
そこで、本発明者は、アルミニウム粉末の比率を20質量%未満に設定しても、熱処理後におけるタンタル酸リチウム基板の体積抵抗率を低く(例えば108Ω・cm程度)調整できる方法を完成させるため鋭意研究を行ったところ、アルミニウム粉末との混合粉に用いる酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させることで達成できることを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見により完成されたものである。 Therefore, the present inventor completes a method capable of adjusting the volume resistivity of the lithium tantalate substrate to be low (for example, about 10 8 Ω · cm) after the heat treatment even if the ratio of the aluminum powder is set to less than 20% by mass. Therefore, as a result of diligent research, they have found that this can be achieved by adsorbing alcohol on aluminum oxide powder used as a mixed powder with aluminum powder. The present invention has been completed based on such technical findings.
すなわち、本発明に係る第1の発明は、
タンタル酸リチウム結晶を用いてタンタル酸リチウム基板を製造する方法であって、容器内に充填されたアルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム結晶を埋め込み、かつ、上記容器を加熱炉内に配置した後、タンタル酸リチウム結晶のキュリー温度未満の温度で熱処理してタンタル酸リチウム基板を製造する方法において、
上記混合粉が、アルミニウム粉末とアルコールを吸着した酸化アルミニウム粉末とで構成されることを特徴とする。
That is, the first invention according to the present invention is:
A method for producing a lithium tantalate substrate using lithium tantalate crystals, wherein a lithium tantalate crystal processed into a substrate state is embedded in a mixed powder of aluminum powder and aluminum oxide powder filled in a container. And, after disposing the container in a heating furnace, a method for producing a lithium tantalate substrate by heat treatment at a temperature lower than the Curie temperature of lithium tantalate crystals,
The mixed powder is characterized by comprising an aluminum powder and an aluminum oxide powder adsorbing alcohol.
第2の発明は、
第1の発明に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
アルコールを吸着した酸化アルミニウム粉末に含まれる炭素量が0.1質量%〜2.0質量%であることを特徴とする。
The second invention is
In the method for producing a lithium tantalate substrate according to the first invention,
The amount of carbon contained in the aluminum oxide powder having adsorbed alcohol is 0.1% by mass to 2.0% by mass.
第3の発明は、
第1の発明または第2の発明に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記アルコールが、炭素数2〜18のアルコールで構成されることを特徴とする。
The third invention is
In the method for producing a lithium tantalate substrate according to the first invention or the second invention,
It is characterized in that the alcohol is composed of an alcohol having 2 to 18 carbon atoms.
第4の発明は、
第1の発明〜第3の発明のいずれかに記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記混合粉中におけるアルミニウム粉末の比率が20質量%未満であることを特徴とする。
The fourth invention is
In the method for producing a lithium tantalate substrate according to any one of the first to third inventions,
The ratio of the aluminum powder in the mixed powder is less than 20% by mass.
第5の発明は、
第1の発明〜第4の発明のいずれかに記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
大気圧雰囲気下の上記加熱炉内に不活性ガスを連続的に給排することを特徴とする。
The fifth invention is
The method for producing a lithium tantalate substrate according to any one of the first to fourth inventions,
An inert gas is continuously supplied and discharged into the heating furnace under an atmospheric pressure atmosphere.
また、第6の発明は、
第5の発明に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記不活性ガスがアルゴンガスで構成され、加熱炉内に連続的に給排されるアルゴンガスの流量が0.5〜5L/minであることを特徴とする。
In a sixth aspect,
In the method for producing a lithium tantalate substrate according to the fifth invention,
The inert gas is composed of argon gas, and the flow rate of argon gas continuously supplied and discharged into the heating furnace is 0.5 to 5 L / min.
本発明に係るタンタル酸リチウム基板の製造方法によれば、
アルミニウム粉末との混合粉に用いる酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させているため、上記混合粉中に埋め込まれたタンタル酸リチウム結晶が熱処理される際、酸化アルミニウム粉末に吸着されたアルコールが分解して炭素を生成する。
According to the method for producing a lithium tantalate substrate according to the present invention,
Since the alcohol is adsorbed on the aluminum oxide powder used for the powder mixture with the aluminum powder, when the lithium tantalate crystal embedded in the powder mixture is heat-treated, the alcohol adsorbed on the aluminum oxide powder is decomposed. Generates carbon.
そして、アルミニウム粉末の還元作用と共に生成した炭素の還元作用が加わるため、アルミニウム粉末の比率が20質量%未満に設定されても、タンタル酸リチウム基板の体積抵抗率を低く(例えば108Ω・cm程度)調整でき、色むら(還元むら)の無い電気的特性に優れたタンタル酸リチウム基板を安定して製造することが可能となる。 Then, since the reducing action of the generated carbon is added together with the reducing action of the aluminum powder, the volume resistivity of the lithium tantalate substrate is low (for example, 10 8 Ω · cm) even when the ratio of the aluminum powder is set to less than 20% by mass. It is possible to stably produce a lithium tantalate substrate which can be adjusted and has excellent electrical characteristics without color unevenness (reduction unevenness).
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
本発明は、基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム結晶(基板形状のLT結晶)をアルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に埋め込んで熱処理するLT基板の製造方法において、所望される体積抵抗率が低い(例えば108Ω・cm程度)場合においても、直径1〜5mm程度の黒い点(還元むら)が発生しないように上記酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させたことを特徴とするものである。 The present invention provides a method for manufacturing an LT substrate in which a lithium tantalate crystal (LT crystal having a substrate shape) processed into a substrate state is embedded in a mixed powder of an aluminum powder and an aluminum oxide powder and heat-treated. Alcohol is adsorbed on the aluminum oxide powder so that black spots (reduction unevenness) having a diameter of about 1 to 5 mm do not occur even when the resistivity is low (for example, about 10 8 Ω · cm). It is.
以下、本発明に係るLT基板の製造方法について工程毎に説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing an LT substrate according to the present invention will be described for each process.
(A)酸化アルミニウム粉末のアルコール吸着工程
この工程は、酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させる工程である。この工程において、酸化アルミニウム粉末に吸着させるアルコールの種類は任意であり、メタノール、エタノール、プロパノール(n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール)、ブタノール(n-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、第2ブチルアルコール、第3ブチルアルコール)、オレイルアルコール等の一価アルコール、エチレングリコール等の二価アルコール等、炭素数2〜18のアルコールが例示される。
(A) Alcohol adsorption step of aluminum oxide powder This step is a step of adsorbing alcohol on aluminum oxide powder. In this step, the type of alcohol adsorbed on the aluminum oxide powder is arbitrary, and methanol, ethanol, propanol (n-propyl alcohol, isopropyl alcohol), butanol (n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, secondary butyl alcohol, tertiary butyl alcohol) are used. Examples thereof include alcohols having 2 to 18 carbon atoms, such as monohydric alcohols such as butyl alcohol) and oleyl alcohol, and dihydric alcohols such as ethylene glycol.
また、酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させる方法も任意であり、トレーに収容された酸化アルミニウム粉末に向け噴霧器等を用いてアルコールを噴霧し、酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させる方法が例示される。また、アルコールの噴霧量としては、アルコールを吸着した酸化アルミニウム粉末に含まれる炭素量が0.1質量%〜2.0質量%、好ましくは0.1質量%〜1.0質量%に相当する量である。尚、酸化アルミニウム粉末にアルコールを吸着させない場合、熱重量・質量分析装置を用いて測定した酸化アルミニウム粉末に含まれる炭素量は0.02質量%以下であった。 The method of adsorbing the alcohol on the aluminum oxide powder is also optional. For example, a method of spraying the alcohol onto the aluminum oxide powder stored in the tray using a sprayer or the like and adsorbing the alcohol on the aluminum oxide powder is exemplified. Further, as the spray amount of alcohol, the amount of carbon contained in the aluminum oxide powder to which the alcohol is adsorbed corresponds to 0.1% by mass to 2.0% by mass, preferably 0.1% by mass to 1.0% by mass. Quantity. When no alcohol was adsorbed on the aluminum oxide powder, the amount of carbon contained in the aluminum oxide powder measured using a thermogravimetric / mass spectrometer was 0.02% by mass or less.
(B)アルミニウム粉と酸化アルミニウム粉の混合工程
この工程は、アルミニウム粉末(Al粉)と酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)を混合する工程である。この工程において、上記(A)酸化アルミニウム粉末のアルコール吸着工程によりアルコールが吸着された酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)と、アルミニウム粉末(Al粉)を混合する。
(B) Step of mixing aluminum powder and aluminum oxide powder This step is a step of mixing aluminum powder (Al powder) and aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder). In this step, the aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder) and the aluminum powder (Al powder), to which the alcohol has been adsorbed in the alcohol adsorption step (A) of aluminum oxide powder, are mixed.
混合するAl粉の比率は、20質量%未満が好ましく、より好ましくは15質量%以下、更に好ましくは5〜15質量%の範囲である。 The ratio of the Al powder to be mixed is preferably less than 20% by mass, more preferably 15% by mass or less, and further preferably 5 to 15% by mass.
Al粉の比率を20質量%以上とした場合、LT基板の充分な導電性(体積抵抗率)が達成される反面、Al粉比率の上昇に伴い、直径1〜5mm程度の黒い点(色むら不良)の発生率が増加する傾向が確認され、生産性が悪化してしまう。 When the ratio of the Al powder is set to 20% by mass or more, sufficient conductivity (volume resistivity) of the LT substrate can be achieved, but a black dot (color unevenness) of about 1 to 5 mm in diameter increases as the ratio of the Al powder increases. It is confirmed that the rate of occurrence of "defective" increases, and the productivity is deteriorated.
そして、本発明においては、Al粉の比率が20質量%未満であっても、酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)に吸着させるアルコール量を適宜調整することにより、LT基板の体積抵抗率を所望とする値に低下させることが可能となる。 In the present invention, even when the ratio of the Al powder is less than 20% by mass, the volume resistivity of the LT substrate is adjusted by appropriately adjusting the amount of alcohol adsorbed on the aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder). It becomes possible to reduce to a desired value.
(C)タンタル酸リチウム基板(LT基板)の熱処理工程
この工程は、アルミニウム粉末(Al粉)と酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)の混合粉中に基板形状のLT結晶を埋め込んで熱処理する工程である。
(C) Heat Treatment Step of Lithium Tantalate Substrate (LT Substrate) In this step, heat treatment is performed by embedding LT crystal in the form of a substrate in a mixed powder of aluminum powder (Al powder) and aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder). It is a process.
熱処理温度はLT結晶のキュリー温度未満(約600℃未満)とし、熱処理の雰囲気は、真空条件または不活性ガスの封止条件でよく、あるいは、大気圧雰囲気下で不活性ガスを加熱炉内に連続的に給排する雰囲気でもよい。尚、真空条件または不活性ガスの封止条件とした場合、加熱炉内の熱が一か所に溜まって還元むら(色むら)を起こすことがあるため、熱処理の雰囲気としては、大気圧雰囲気下で不活性ガスを加熱炉内に連続的に給排する雰囲気が好ましい。不活性ガスを加熱炉内に連続的に給排することで、炉内において熱を均一にすることができる。不活性ガスとしては、アルゴンガスや窒素ガス等を使用できる。加熱炉内に連続的に給排される不活性ガスの流量は、不活性ガスがアルゴンガスである場合、0.5〜5L/minであることが好ましい。 The heat treatment temperature is lower than the Curie temperature of the LT crystal (less than about 600 ° C.), and the heat treatment atmosphere may be a vacuum condition or an inert gas sealing condition, or the inert gas may be introduced into a heating furnace under an atmospheric pressure atmosphere. The atmosphere may be a continuous supply and discharge. In the case of vacuum conditions or inert gas sealing conditions, the heat in the heating furnace may accumulate at one location and cause reduction unevenness (color unevenness). It is preferable to use an atmosphere in which an inert gas is continuously supplied and discharged into the heating furnace. By continuously supplying and discharging the inert gas into the heating furnace, heat can be made uniform in the furnace. As the inert gas, an argon gas, a nitrogen gas, or the like can be used. When the inert gas is an argon gas, the flow rate of the inert gas continuously supplied and discharged into the heating furnace is preferably 0.5 to 5 L / min.
ところで、基板形状のLT結晶が熱処理される際、この熱処理により混合粉中の酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)に吸着されたアルコールが分解して炭素を生成し、強力な還元剤となる。 By the way, when the LT crystal in the form of a substrate is subjected to heat treatment, the alcohol adsorbed on the aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder) in the mixed powder is decomposed by the heat treatment to generate carbon, which becomes a strong reducing agent. .
そして、酸化アルミニウムに吸着されるアルコール量(すなわち炭素量)が増えるに伴い、熱処理後のLT基板の体積抵抗率は低下する傾向にある。従って、上記(A)酸化アルミニウムのアルコール吸着工程で吸着させるアルコール量を適宜調整することにより、混合粉中のAl粉比率を従前より低く設定でき、これにより混合粉中のAl粉比率を20質量%以上に設定する必要がなくなることから、直径1〜5mm程度の黒い点(色むら不良)の発生を抑制することが可能となる。 Then, as the amount of alcohol (that is, the amount of carbon) adsorbed on the aluminum oxide increases, the volume resistivity of the LT substrate after the heat treatment tends to decrease. Therefore, by appropriately adjusting the amount of alcohol adsorbed in the alcohol adsorption step of (A) aluminum oxide, the ratio of Al powder in the mixed powder can be set lower than before, whereby the ratio of Al powder in the mixed powder can be reduced to 20 mass%. %, It is possible to suppress the occurrence of black spots (defective color unevenness) having a diameter of about 1 to 5 mm.
以下、本発明の実施例について参考例も挙げて具体的に説明するが、本発明の技術範囲は下記実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, examples of the present invention will be specifically described with reference to reference examples, but the technical scope of the present invention is not limited by the following examples.
[加熱炉の構成]
実施例と参考例で用いられる加熱炉には給気口と排気口が設けられ、一般的に市販されているアルゴンガス(酸素分圧は1×10-6atm程度)が給気口を介し加熱炉内に連続的に供給されると共に、排気口を介してアルゴンガス(不活性ガス)が加熱炉外へ連続的に排気されて、加熱炉内は大気圧雰囲気下に調整されている。尚、加熱炉内に給排されるアルゴンガスの流量は2L/minに設定されている。
[Configuration of heating furnace]
The heating furnace used in the examples and the reference examples is provided with an air supply port and an exhaust port, and a commercially available argon gas (oxygen partial pressure is about 1 × 10 −6 atm) is supplied through the air supply port. In addition to being continuously supplied into the heating furnace, argon gas (inert gas) is continuously exhausted outside the heating furnace through an exhaust port, and the inside of the heating furnace is adjusted to an atmospheric pressure atmosphere. The flow rate of the argon gas supplied and discharged into the heating furnace is set at 2 L / min.
[LT結晶の育成とインゴットの加工等]
コングルエント組成の原料を用い、チョクラルスキー法により、直径4インチであるLT単結晶の育成を行った。育成雰囲気は、酸素濃度約3%の窒素−酸素混合ガスである。得られたLT結晶のインゴットは透明な淡黄色であった。
[Growth of LT crystal and processing of ingot, etc.]
Using a raw material having a congruent composition, an LT single crystal having a diameter of 4 inches was grown by the Czochralski method. The growth atmosphere is a nitrogen-oxygen mixed gas having an oxygen concentration of about 3%. The obtained LT crystal ingot was transparent and pale yellow.
LT結晶のインゴットに対し、熱歪み除去のための熱処理と単一分極とするためのポーリング処理を行った後、外周研削、スライス、および研磨を行って42゜RY(Rotated Y axis)の基板形状に加工されたLT結晶とした。 The LT crystal ingot is subjected to heat treatment for removing thermal strain and poling treatment for forming a single polarization, and then is subjected to outer circumference grinding, slicing, and polishing to obtain a substrate shape of 42 ゜ RY (Rotated Y axis). LT crystal processed into
得られた42゜RYのLT結晶は、無色透明で、体積抵抗率は1×1015Ω・cm、キュリー温度は603℃であった。 The obtained 42 ° RY crystal was colorless and transparent, had a volume resistivity of 1 × 10 15 Ω · cm, and a Curie temperature of 603 ° C.
[実施例1]
トレーに収容した平均粒径52μmのAl2O3粉(酸化アルミニウム粉末)に向け、噴霧器を用いてエタノールを噴霧し、Al2O3粉にエタノールを吸着させた。尚、噴霧器によるエタノールの噴霧量は、エタノールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が0.1質量%に相当する量である。また、平均粒径は、Al2O3粉をレーザー回折式粒度分布計で測定した値である。
[Example 1]
Ethanol was sprayed toward the Al 2 O 3 powder (aluminum oxide powder) having an average particle size of 52 μm stored in the tray using a sprayer, and the ethanol was adsorbed on the Al 2 O 3 powder. The amount of ethanol sprayed by the atomizer is an amount corresponding to 0.1% by mass of carbon contained in the Al 2 O 3 powder having ethanol adsorbed thereon. The average particle size is a value obtained by measuring the Al 2 O 3 powder with a laser diffraction type particle size distribution meter.
エタノールが吸着されたAl2O3粉を90質量%と、平均粒径100μmのAl粉(アルミニウム粉末)を10質量%の割合で混合してAl粉とAl2O3粉の混合粉を得た。 90 mass% of Al 2 O 3 powder to which ethanol is adsorbed and 10 mass% of Al powder (aluminum powder) having an average particle size of 100 μm are mixed to obtain a mixed powder of Al powder and Al 2 O 3 powder. Was.
次いで、上記混合粉をステンレス製容器に充填し、該混合粉中に基板の状態に加工されたLT結晶を埋め込み、かつ、LT結晶が埋め込まれたステンレス製容器を給気口と排気口を有する上記加熱炉内に配置した。 Next, the mixed powder is filled in a stainless steel container, the LT crystal processed into a substrate state is embedded in the mixed powder, and the stainless steel container in which the LT crystal is embedded has an air supply port and an exhaust port. It was placed in the heating furnace.
そして、一般的に市販されているアルゴンガスを流量2L/minの条件で大気圧雰囲気下の上記加熱炉内に給排し、580℃、20時間の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。 Then, a commercially available argon gas is supplied and discharged into the heating furnace under an atmospheric pressure atmosphere at a flow rate of 2 L / min, and heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) is performed at 580 ° C. for 20 hours. Was.
そして、基板の状態に加工された200枚のLT結晶について同様の熱処理を行い、処理後のLT基板の体積抵抗率を測定し、かつ、色むらの発生率を調査した。 The same heat treatment was performed on 200 LT crystals processed into a substrate state, the volume resistivity of the processed LT substrate was measured, and the occurrence rate of color unevenness was investigated.
尚、体積抵抗率は、JIS K−6911に準拠した3端子法により測定している。 The volume resistivity is measured by a three-terminal method based on JIS K-6911.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は9.0×108Ω・cm(200枚の基板の平均値、以下同様)で、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。これ等結果を表1に示す。 The volume resistivity of the LT substrate after the heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) is 9.0 × 10 8 Ω · cm (average value of 200 substrates, the same applies hereinafter), and the color unevenness occurrence rate is 2%. Thus, an LT substrate having excellent electrical characteristics could be obtained. The results are shown in Table 1.
[実施例2]
エタノールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が1.0質量%に相当する量とした以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 2]
Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal was performed under the same conditions as in Example 1 except that the amount of carbon contained in the Al 2 O 3 powder to which ethanol had been adsorbed was set to an amount corresponding to 1.0% by mass. went.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は5.0×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the volume resistivity of the LT substrate is 5.0 × 10 8 Ω · cm, the color unevenness occurrence rate is 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics is obtained. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例3]
トレーに収容した平均粒径52μmのAl2O3粉に向けてブタノールを噴霧し、ブタノールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が0.1質量%に相当する量とした以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 3]
Butanol was sprayed toward the Al 2 O 3 powder having an average particle size of 52 μm contained in the tray, except that the amount of carbon contained in the Al 2 O 3 powder having adsorbed butanol was adjusted to an amount corresponding to 0.1% by mass. Heat-treated (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal under the same conditions as in Example 1.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は9.0×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the volume resistivity of the LT substrate is 9.0 × 10 8 Ω · cm, the color unevenness occurrence rate is 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics is obtained. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例4]
ブタノールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が1.0質量%に相当する量とした以外は実施例3と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 4]
Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal was performed under the same conditions as in Example 3 except that the amount of carbon contained in the Al 2 O 3 powder to which butanol was adsorbed was set to an amount corresponding to 1.0% by mass. went.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は4.8×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the LT substrate has a volume resistivity of 4.8 × 10 8 Ω · cm, a color unevenness occurrence rate of 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例5]
トレーに収容した平均粒径52μmのAl2O3粉に向けてオレイルアルコールを噴霧し、オレイルアルコールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が0.1質量%に相当する量とした以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 5]
Oleyl alcohol is sprayed toward the Al 2 O 3 powder having an average particle size of 52 μm stored in the tray, and the amount of carbon contained in the Al 2 O 3 powder having adsorbed oleyl alcohol is equivalent to 0.1% by mass. Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal was performed under the same conditions as in Example 1 except for the above.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は8.9×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the volume resistivity of the LT substrate is 8.9 × 10 8 Ω · cm, the color unevenness occurrence rate is 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics is obtained. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例6]
オレイルアルコールを吸着したAl2O3粉に含まれる炭素の量が1.0質量%に相当する量とした以外は実施例5と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 6]
Heat treatment of LT crystal (reduction treatment, blackening treatment) under the same conditions as in Example 5 except that the amount of carbon contained in Al 2 O 3 powder to which oleyl alcohol was adsorbed was set to an amount corresponding to 1.0% by mass. Was done.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は4.8×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the LT substrate has a volume resistivity of 4.8 × 10 8 Ω · cm, a color unevenness occurrence rate of 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例7]
炭素の量が1.0質量%に相当する量のエタノールが吸着されたAl2O3粉を95質量%と、Al粉を5質量%の割合で混合し以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 7]
The same conditions as in Example 1 except that 95% by mass of Al 2 O 3 powder having adsorbed ethanol in an amount corresponding to 1.0% by mass of carbon and 5% by mass of Al powder were mixed. Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は1.3×109Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the LT substrate has a volume resistivity of 1.3 × 10 9 Ω · cm, a color unevenness occurrence rate of 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例8]
炭素の量が1.0質量%に相当する量のエタノールが吸着されたAl2O3粉を85質量%と、Al粉を15質量%の割合で混合し以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
Example 8
The same conditions as in Example 1 except that 85% by mass of Al 2 O 3 powder having adsorbed ethanol in an amount corresponding to 1.0% by mass of carbon and 15% by mass of Al powder were mixed. Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は1.0×108Ω・cmで、色むら発生率は5%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the volume resistivity of the LT substrate is 1.0 × 10 8 Ω · cm, the color unevenness occurrence rate is 5%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics is obtained. Was completed.
これ等結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.
[実施例9]
炭素の量が2.0質量%に相当する量のエタノールが吸着されたAl2O3粉を90質量%と、Al粉を10質量%の割合で混合し以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Example 9]
The same conditions as in Example 1 except that 90% by mass of Al 2 O 3 powder having adsorbed ethanol corresponding to 2.0% by mass of carbon and 90% by mass of Al powder were mixed. Heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は1.0×108Ω・cmで、色むら発生率は2%であり、電気的特性に優れたLT基板を得ることができた。 After heat treatment (reduction treatment, blackening treatment), the volume resistivity of the LT substrate is 1.0 × 10 8 Ω · cm, the color unevenness occurrence rate is 2%, and an LT substrate having excellent electrical characteristics is obtained. Was completed.
但し、アルコール量が多く(2.0質量%)なる分、生産コストが割高になった。これ等結果を表1に示す。 However, as the amount of alcohol increased (2.0% by mass), the production cost became higher. The results are shown in Table 1.
[参考例1]
Al2O3粉にエタノールを吸着させず、かつ、Al2O3粉を80質量%とAl粉を20質量%の割合で混合した以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Reference Example 1]
Al 2 O 3 without adsorb ethanol flour, and heat treatment of the LT crystal in the same conditions as in Example 1 except that the Al 2 O 3 80 wt% powder and Al powder were mixed at a ratio of 20 mass% ( Reduction treatment, blackening treatment).
尚、エタノールが吸着されていないAl2O3粉の炭素量を、熱重量・質量分析装置で測定した結果、炭素量は0.02質量%であった。 The carbon content of the Al 2 O 3 powder on which ethanol was not adsorbed was measured by a thermogravimetric / mass spectrometer, and as a result, the carbon content was 0.02% by mass.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は7.0×108Ω・cmで電気的特性に優れていたが、色むら発生率が17%であり、直径1〜5mm程度の黒い点(色むら不良)が発生した。これ等結果を表1に示す。 The volume resistivity of the LT substrate after the heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) was 7.0 × 10 8 Ω · cm, which was excellent in electrical characteristics, but the color unevenness occurrence rate was 17%, and the diameter was 1 to 1. Black spots (improper color unevenness) of about 5 mm occurred. The results are shown in Table 1.
[参考例2]
Al2O3粉にエタノールが吸着されていない以外は実施例1と同様の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理、黒化処理)を行った。
[Reference Example 2]
The heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) of the LT crystal was performed under the same conditions as in Example 1 except that ethanol was not adsorbed on the Al 2 O 3 powder.
尚、エタノールが吸着されていないAl2O3粉の炭素量を、参考例1と同様、熱重量・質量分析装置で測定した結果、炭素量は0.02質量%であった。 The carbon amount of the Al 2 O 3 powder on which ethanol was not adsorbed was measured by a thermogravimetric / mass spectrometer in the same manner as in Reference Example 1, and as a result, the carbon amount was 0.02% by mass.
熱処理(還元処理、黒化処理)後におけるLT基板の体積抵抗率は1.5×109Ω・cmであり、Al粉割合が5質量%の実施例7と同様の電気的特性を有していたが、色むら発生率は2.5%であり、実施例7より劣っていた。これ等結果を表1に示す。 The volume resistivity of the LT substrate after the heat treatment (reduction treatment, blackening treatment) is 1.5 × 10 9 Ω · cm, and has the same electrical characteristics as in Example 7 in which the Al powder ratio is 5% by mass. However, the occurrence rate of color unevenness was 2.5%, which was inferior to that of Example 7. The results are shown in Table 1.
[確 認]
(1)Al粉10質量%、エタノール吸着Al2O3粉適用の実施例1、2、9において
実施例1(Al2O3粉の炭素量:0.1質量%、体積抵抗率:9.0×108Ω・cm)、
実施例2(Al2O3粉の炭素量:1.0質量%、体積抵抗率:5.0×108Ω・cm)、
実施例9(Al2O3粉の炭素量:2.0質量%、体積抵抗率:1.0×108Ω・cm)
なるデータからAl2O3粉の炭素量が多い程、体積抵抗率は小さくなっている。
[Verification]
(1) In Examples 1, 2 and 9 in which Al powder was used at 10% by mass and ethanol adsorbed Al 2 O 3 powder was used, Example 1 (carbon content of Al 2 O 3 powder: 0.1% by mass, volume resistivity: 9.0 × 10 8 Ω · cm),
Example 2 (carbon content of Al 2 O 3 powder: 1.0% by mass, volume resistivity: 5.0 × 10 8 Ω · cm),
Example 9 (Carbon content of Al 2 O 3 powder: 2.0% by mass, volume resistivity: 1.0 × 10 8 Ω · cm)
According to the data, the larger the carbon content of the Al 2 O 3 powder, the smaller the volume resistivity.
このことから、LT結晶の還元には混合粉中の酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)に含まれる炭素が関与していることが確認されている。 From this, it has been confirmed that the carbon contained in the aluminum oxide powder (Al 2 O 3 powder) in the mixed powder is involved in the reduction of the LT crystal.
(1-1)Al粉10質量%、ブタノール吸着Al2O3粉適用の実施例3〜4、および、
(1-2)Al粉10質量%、オレイルアルコール吸着Al2O3粉適用の実施例5〜6においても同様である。
(1-1) Examples 3 and 4 of Al powder 10 mass%, butanol adsorption Al 2 O 3 powder application, and
(1-2) The same applies to Examples 5 to 6 in which Al powder is used at 10% by mass and oleyl alcohol-adsorbed Al 2 O 3 powder is used.
(2)また、参考例1(Al粉が20質量%、体積抵抗率:7.0×108Ω・cm)と略同等の体積抵抗率を有する実施例1(体積抵抗率:9.0×108Ω・cm)、実施例2(体積抵抗率:5.0×108Ω・cm)、実施例3(体積抵抗率:9.0×108Ω・cm)、実施例4(体積抵抗率:4.8×108Ω・cm)、実施例5(体積抵抗率:8.9×108Ω・cm)、および、実施例6(体積抵抗率:4.8×108Ω・cm)等から、Al粉の比率が20質量%未満(実施例1〜6:10質量%)であっても参考例1と同等の体積抵抗率が得られる。 (2) Example 1 (volume resistivity: 9.0) having substantially the same volume resistivity as Reference Example 1 (20 mass% of Al powder, volume resistivity: 7.0 × 10 8 Ω · cm). × 10 8 Ω · cm), Example 2 (volume resistivity: 5.0 × 10 8 Ω · cm), Example 3 (volume resistivity: 9.0 × 10 8 Ω · cm), Example 4 ( Volume resistivity: 4.8 × 10 8 Ω · cm, Example 5 (volume resistivity: 8.9 × 10 8 Ω · cm), and Example 6 (volume resistivity: 4.8 × 10 8) Ω · cm), the volume resistivity equivalent to that of Reference Example 1 can be obtained even when the ratio of the Al powder is less than 20% by mass (Examples 1 to 6: 10% by mass).
従って、アルミニウム粉末の比率を20質量%以上に設定する必要がないため、直径1〜5mm程度の黒い点(色むら不良)の発生を抑制できることが確認される。 Therefore, since it is not necessary to set the ratio of the aluminum powder to 20% by mass or more, it is confirmed that generation of black spots (defective color unevenness) having a diameter of about 1 to 5 mm can be suppressed.
(3)他方、Al2O3粉に含まれる炭素量が0.02質量%、Al粉の比率が10質量%である参考例2では、LT基板の体積抵抗率が1.5×109Ω・cmと高い数値になっており、体積抵抗率を低く(例えば108Ω・cm程度)するにはアルミニウム粉末の比率を20質量%以上(参考例1参照)に設定する必要があることも確認される。 (3) On the other hand, in Reference Example 2 in which the amount of carbon contained in the Al 2 O 3 powder was 0.02% by mass and the ratio of the Al powder was 10% by mass, the volume resistivity of the LT substrate was 1.5 × 10 9 It is a high value of Ω · cm, and it is necessary to set the ratio of the aluminum powder to 20% by mass or more (see Reference Example 1) in order to lower the volume resistivity (for example, about 10 8 Ω · cm). Is also confirmed.
本発明方法によれば、所望される体積抵抗率が低い(例えば108Ω・cm程度)場合でも、色むら(還元むら)の無い電気的特性に優れたタンタル酸リチウム基板を製造できるため、表面弾性波素子用の基板材料に用いられるタンタル酸リチウム基板を安定して提供できる産業上の利用可能性を有している。 According to the method of the present invention, even if the desired volume resistivity is low (for example, about 10 8 Ω · cm), a lithium tantalate substrate excellent in electrical characteristics without color unevenness (reduction unevenness) can be manufactured. It has industrial applicability to provide a stable lithium tantalate substrate used as a substrate material for a surface acoustic wave device.
Claims (6)
上記混合粉が、アルミニウム粉末とアルコールを吸着した酸化アルミニウム粉末とで構成されることを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 A method for producing a lithium tantalate substrate using lithium tantalate crystals, wherein a lithium tantalate crystal processed into a substrate state is embedded in a mixed powder of aluminum powder and aluminum oxide powder filled in a container. And, after disposing the container in a heating furnace, a method for producing a lithium tantalate substrate by heat treatment at a temperature lower than the Curie temperature of lithium tantalate crystals,
A method for producing a lithium tantalate substrate, wherein the mixed powder is composed of aluminum powder and aluminum oxide powder adsorbing alcohol.
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