JP2019201004A

JP2019201004A - Light-emitting device

Info

Publication number: JP2019201004A
Application number: JP2019155376A
Authority: JP
Inventors: 修一関; Shuichi Seki; 田中　信介; Shinsuke Tanaka; 信介田中; 金内　一浩; Kazuhiro Kaneuchi; 一浩金内
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2019-08-28
Filing date: 2019-08-28
Publication date: 2019-11-21
Anticipated expiration: 2035-02-10
Also published as: JP6785354B2

Abstract

To make electric charge hard to be stacked on a sealing film when sealing an organic EL element by the sealing film.SOLUTION: A light-emitting unit 140 is formed on a substrate 100, and includes an organic layer 120. A first lead-out wiring 114 is formed on the substrate 100, and electrically connected to the light-emitting unit 140. A first insulating layer 156 is formed on at least a part of the first lead-out wiring 114. A sealing film 160 is formed on the substrate 100, and covers at least a part of the first insulating layer 156 and the light-emitting unit 140. The first insulating layer 156 is located between the sealing film 160 and the first lead-out wiring 114.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子は封止される必要がある。有機ＥＬ素子を封止する方法の一つに、封止膜を用いる方法がある。例えば特許文献１及び特許文献２には、封止膜として複数の膜を積層した積層膜を用いることが記載されている。 In recent years, development of light-emitting devices having organic EL (Organic Electroluminescence) elements as light-emitting elements has been progressing. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. Since the organic layer is vulnerable to moisture and oxygen, the organic EL element needs to be sealed. One method for sealing the organic EL element is to use a sealing film. For example, Patent Literature 1 and Patent Literature 2 describe using a laminated film in which a plurality of films are laminated as a sealing film.

例えば特許文献１には、下側の膜の材料に、酸化カルシウム、アルミナ、シリカ、チタニア、酸化インジウム、酸化スズ、酸化シリコン、窒化シリコン、又は窒化アルミニウムを用いること、及び、上側の膜に有機層を用いることが記載されている。 For example, in Patent Document 1, calcium oxide, alumina, silica, titania, indium oxide, tin oxide, silicon oxide, silicon nitride, or aluminum nitride is used as the material for the lower film, and organic is used for the upper film. The use of layers is described.

また特許文献２には、封止膜を４層構造にすることが記載されている。そして最も下の膜の材料にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用い、その上の膜にアモルファスシリコン、ＳｉＯ_２、又はＳｉＯを用い、その上の膜に有機物を用い、一番上の膜にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用いることが記載されている。 Patent Document 2 describes that the sealing film has a four-layer structure. Then, SiN, SiON, or SiO is used for the material of the lowermost film, amorphous silicon, SiO ₂ , or SiO is used for the upper film, an organic substance is used for the upper film, and SiN, The use of SiON or SiO is described.

特開２０１２−２３８６１１号公報JP 2012-238611 A 特開２０１４−１７９２７８号公報JP 2014-179278 A

封止膜を用いて有機ＥＬ素子を封止する場合、この封止膜は第１電極と第２電極の双方に接する。本発明者が検討した結果、封止膜を、導電性膜と絶縁性膜との積層構造にした場合（特にこの積層構造を繰り返し積層した場合）、この封止膜が抵抗性を持つ容量素子として機能することが判明した。このような容量素子が存在すると、発光装置の発光品質や発光装置の検査に影響がでる。ここで有機ＥＬ素子を動作させるために第１電極及び第２電極の間に電圧を印加した場合、封止膜に電荷が蓄積されることにより有機ＥＬ素子が発光するタイミングが遅れてしまう。そして、有機ＥＬ素子を停止させるため第１電極及び第２電極の間に電圧を印加しなくなった場合、封止膜に蓄積された電荷が有機ＥＬ素子に向けて流れ、有機ＥＬ素子の発光が停止するタイミングが遅れてしまう。 When the organic EL element is sealed using the sealing film, the sealing film is in contact with both the first electrode and the second electrode. As a result of the study by the present inventors, when the sealing film has a laminated structure of a conductive film and an insulating film (particularly when this laminated structure is repeatedly laminated), the capacitive element in which the sealing film has resistance. Was found to function as. If such a capacitive element exists, the light emission quality of the light emitting device and the inspection of the light emitting device are affected. Here, when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode in order to operate the organic EL element, the timing at which the organic EL element emits light is delayed due to accumulation of charge in the sealing film. When no voltage is applied between the first electrode and the second electrode to stop the organic EL element, the charge accumulated in the sealing film flows toward the organic EL element, and the organic EL element emits light. The stop timing will be delayed.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子を封止膜で封止した場合において、封止膜に電荷が蓄積されにくくすることが一例として挙げられる。 As a problem to be solved by the present invention, for example, when an organic EL element is sealed with a sealing film, it is difficult to accumulate charges in the sealing film.

第１の発明は、基板と、
前記基板の上に形成され、有機層を有する発光部と、
前記基板の上の前記発光部が形成される領域以外に形成され、前記発光部に電気的に接続する配線と、
前記配線の少なくとも一部の上に形成された第１絶縁層と、
前記基板の上に形成され、前記第１絶縁層の少なくとも一部及び前記発光部を覆う封止膜と、
を備え、
前記封止膜と前記配線の間には、前記第１絶縁層が位置している発光装置である。 The first invention comprises a substrate;
A light emitting part formed on the substrate and having an organic layer;
A wiring formed on the substrate other than the region where the light emitting unit is formed, and electrically connected to the light emitting unit;
A first insulating layer formed on at least a part of the wiring;
A sealing film formed on the substrate and covering at least a part of the first insulating layer and the light emitting unit;
With
In the light emitting device, the first insulating layer is located between the sealing film and the wiring.

第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment. 図１から隔壁、第２電極、有機層、及び第２絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the 2nd insulating layer from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図１のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。It is the figure which expanded the area | region enclosed with the dotted line (alpha) of FIG. 封止膜が第１引出配線と第２引出配線に接している場合の発光装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the light-emitting device when the sealing film is in contact with the first lead wiring and the second lead wiring. 第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment. 図８から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図９から有機層、第２絶縁層、及び第１絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer, the 2nd insulating layer, and the 1st insulating layer from FIG. 図８のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び第２絶縁層１５０を取り除いた図である。図３は図１のＡ−Ａ断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図１のＣ−Ｃ断面図である。図１及び図２において、説明のため封止膜１６０は点線で示されている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 10 according to the first embodiment. FIG. 2 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the second insulating layer 150 are removed from FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1 and 2, the sealing film 160 is indicated by a dotted line for explanation.

実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１引出配線（配線）１１４、第１絶縁層１５６、及び封止膜１６０を有している。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層１２０を有している。第１引出配線１１４は基板１００のうち発光部１４０が形成されている領域以外に形成されており、発光部１４０に電気的に接続する。第１絶縁層１５６は少なくとも第１引出配線１１４の一部の上に形成されている。封止膜１６０は、基板１００に形成されており、第１絶縁層１５６の少なくとも一部及び発光部１４０を覆っている。そして封止膜１６０と第１引出配線１１４の間には、第１絶縁層１５６が位置している。以下、詳細に説明する。 The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, a first extraction wiring (wiring) 114, a first insulating layer 156, and a sealing film 160. The light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and has an organic layer 120. The first lead-out wiring 114 is formed outside the region where the light emitting unit 140 is formed in the substrate 100 and is electrically connected to the light emitting unit 140. The first insulating layer 156 is formed on at least a part of the first lead wiring 114. The sealing film 160 is formed on the substrate 100 and covers at least a part of the first insulating layer 156 and the light emitting unit 140. A first insulating layer 156 is located between the sealing film 160 and the first lead wiring 114. Details will be described below.

本図に示す例において、発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２（端子）、複数の第２端子１３２（端子）、発光部１４０、第２絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、第１絶縁層１５６、複数の第１引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４（配線）、及び複数の隔壁１７０を有している。 In the example shown in the figure, the light-emitting device 10 is a display device, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a plurality of first terminals 112 (terminals), a plurality of second terminals 132 (terminals), a light-emitting unit 140, a second Insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a first insulating layer 156, a plurality of first extraction wirings 114, an organic layer 120, a second electrode 130, a plurality of second extraction wirings 134 (wirings), and a plurality of The partition wall 170 is provided.

発光装置１０が後記するボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後記のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 When the light emitting device 10 is a bottom emission type which will be described later, the substrate 100 is formed of a light transmitting material such as glass or a light transmitting resin. However, when the light emitting device 10 is a top emission type described later, the substrate 100 may be formed of a material that does not have translucency. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. The substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In particular, when the substrate 100 is glass, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. When the substrate 100 is a resin, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. In the case where the substrate 100 is a resin, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from passing through the substrate 100. .

発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光部１４０は、表示装置の画素ごとに設けられている。 The light emitting unit 140 has an organic EL element. This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order. The light emitting unit 140 is provided for each pixel of the display device.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply | coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合（例えば発光装置１０におけるボトムエミッション型）の例である。一方で、基板１００とは逆側を光が透過する場合（例えば発光装置１０におけるトップエミッション型）もある。このトップエミッション型には、逆積型と、順積型との２種類の積層構造がある。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した2種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。 Note that the materials of the first electrode 110 and the second electrode 130 described above are examples in the case where light is transmitted through the substrate 100 (for example, a bottom emission type in the light emitting device 10). On the other hand, there is a case where light passes through the side opposite to the substrate 100 (for example, a top emission type in the light emitting device 10). This top emission type includes two types of laminated structures, a reverse product type and a forward product type. In the reverse product type, the material of the first electrode 110 and the material of the second electrode 130 are opposite to those of the bottom emission type. That is, the material of the second electrode 130 is used as the material of the first electrode 110, and the material of the first electrode 110 is used as the material of the second electrode 130. In the other stacking type, the material of the first electrode 110 is formed on the material of the second electrode 130 described above, the organic layer 120 is further formed thereon, and the second electrode 130 is further formed thinly thereon. Thus, the light is extracted from the side opposite to the substrate 100. The light emitting device 10 according to the present embodiment may be of any structure of a bottom emission type and the above two types of top emission types.

また、第１電極１１０は、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。第１引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料からなる導電層を有している。この導電層は、第１電極１１０と一体になっている。本図に示す例において、第１引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。また、第１端子１１２は複数設けられているため、第１引出配線１１４も複数設けられている。 The first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 1). The end portion of the first electrode 110 is connected to the first lead wiring 114. The first lead wiring 114 has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is integrated with the first electrode 110. In the example shown in this drawing, the end of the first lead-out wiring 114 is the first terminal 112. Further, since a plurality of first terminals 112 are provided, a plurality of first lead wires 114 are also provided.

第１引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は、第１引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１８０は単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。導体層１８０が単層構造を有している場合、導体層１８０は、例えばＡｌ又はＡｌ合金を用いて形成されている。導体層１８０が多層構造を有している場合、導体層１８０は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。 A conductor layer 180 may be formed on the first lead wiring 114. The conductor layer 180 is made of a material having a lower resistance than that of the first lead wiring 114, for example, a metal. The conductor layer 180 may have a single layer structure or a multilayer structure. When the conductor layer 180 has a single layer structure, the conductor layer 180 is formed using, for example, Al or an Al alloy. When the conductor layer 180 has a multilayer structure, the conductor layer 180 is, for example, a first conductive layer that is a metal layer such as Mo or Mo alloy, a second conductive layer that is a metal layer such as Al or Al alloy, And it has the structure which laminated | stacked the 3rd conductive layer which is metal layers, such as Mo or Mo alloy, in this order. The thickness of the second conductive layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. Preferably it is 100 nm or less. The first conductive layer and the third conductive layer are thinner than the second conductive layer, for example, 30 nm or less, preferably 25 nm or less. Note that the conductor layer 180 may or may not cover the first terminal 112.

第２絶縁層１５０は、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルやノボラック系の樹脂材料によって形成されており、可視光に対して透光性を有する。第２絶縁層１５０は、例えば、第２絶縁層１５０となる樹脂材料に感光性の材料を混入させ、この樹脂材料を塗布し、さらにこの樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。また、第２絶縁層１５０は、インクジェット法やスクリーン印刷法を用いて形成されてもよい。第２絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 The second insulating layer 150 is made of, for example, polyimide, epoxy, acrylic, or a novolac resin material, and has a light-transmitting property with respect to visible light. The second insulating layer 150 is formed, for example, by mixing a photosensitive material into a resin material to be the second insulating layer 150, applying the resin material, and further exposing and developing the resin material. In addition, the second insulating layer 150 may be formed using an inkjet method or a screen printing method. A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the second insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 1). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (the Y direction in FIG. 1). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 1). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 1, ie, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the second lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The second lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる導電層を有している。この導電層は第１電極１１０から分離している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、第２絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして第２引出配線１３４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。なお、本図に示す例において、第２端子１３２は複数設けられている。このため、第２引出配線１３４も複数設けられている。 The second lead wire 134 is a wire that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is separated from the first electrode 110. One end side of the second lead wire 134 is located below the opening 154, and the other end side of the second lead wire 134 is drawn to the outside of the second insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the second lead wiring 134 is a second terminal 132. A conductor layer 180 may be formed on the second lead wiring 134. The conductor layer 180 may or may not cover the second terminal 132. In the example shown in this figure, a plurality of second terminals 132 are provided. For this reason, a plurality of second lead wires 134 are also provided.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。 In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. The hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.

なお、図３及び図４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 In the example shown in FIGS. 3 and 4, each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude to the outside of the opening 152. The organic layer 120 may or may not be formed continuously between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends. However, as shown in FIG. 5, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図１〜図４に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば第２絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 1 to 4, the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 1) that intersects the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the second insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺（第１辺）に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。 In addition, a conductive member such as an FPC (Flexible Printed Circuit) is connected to the first terminal 112 and the second terminal 132. In the example shown in this drawing, the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side (first side) of the substrate 100. For this reason, when FPC is used as the conductive member, the first terminal 112 and the second terminal 132 can be connected to one FPC.

また、基板１００には第１絶縁層１５６が形成されている。第１絶縁層１５６は、少なくとも一部の第１引出配線１１４、好ましくはすべての第１引出配線１１４を覆っている。また図１及び図２に示す例では、第１絶縁層１５６は第２引出配線１３４も覆っている。ただし、第１絶縁層１５６は、複数の第１引出配線１１４及び複数の第２引出配線１３４からなる配線群のうち、一部の配線を覆っていなくてもよい。例えば、第１絶縁層１５６は、複数の第１引出配線１１４のみを覆い、かつ、いずれの第２引出配線１３４を覆っていなくてもよい。また第１絶縁層１５６は、複数の第２引出配線１３４のみを覆い、かついずれの第１引出配線１１４を覆っていなくてもよいし、また、第１絶縁層１５６は、一部の第１引出配線１１４及び一部の第２引出配線１３４の少なくとも一方を覆っていなくてもよい。第１絶縁層１５６は、封止膜１６０を介して、発光領域外の第１引出配線１１４と第２引出配線１３４とが導通しないようにするために設けられている。 A first insulating layer 156 is formed on the substrate 100. The first insulating layer 156 covers at least a part of the first lead wirings 114, preferably all the first lead wirings 114. In the example shown in FIGS. 1 and 2, the first insulating layer 156 also covers the second lead wiring 134. However, the first insulating layer 156 may not cover a part of the wiring group including the plurality of first extraction wirings 114 and the plurality of second extraction wirings 134. For example, the first insulating layer 156 may cover only the plurality of first lead wires 114 and may not cover any second lead wires 134. Further, the first insulating layer 156 may cover only the plurality of second lead wires 134 and may not cover any of the first lead wires 114, and the first insulating layer 156 may include a part of the first lead wires 114. It is not necessary to cover at least one of the lead wiring 114 and some of the second lead wirings 134. The first insulating layer 156 is provided so that the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134 outside the light emitting region are not electrically connected via the sealing film 160.

さらに第１絶縁層１５６は、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方の端部を覆っていなくてもよい。例えば本図に示す例では、第１絶縁層１５６は、第１引出配線１１４のうち第１電極１１０とは逆側の端部（すなわち第１端子１１２）を覆っていない。また、第１絶縁層１５６は、第２引出配線１３４のうち第２電極１３０とは逆側の端部（すなわち第２端子１３２）を覆っていない。 Further, the first insulating layer 156 may not cover at least one end of the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134. For example, in the example shown in this drawing, the first insulating layer 156 does not cover the end portion (that is, the first terminal 112) on the opposite side of the first extraction wiring 114 from the first electrode 110. In addition, the first insulating layer 156 does not cover the end portion (that is, the second terminal 132) of the second lead wiring 134 on the side opposite to the second electrode 130.

なお、本図に示す例において、第１絶縁層１５６は第２絶縁層１５０の一部として形成されている。言い換えると、第２絶縁層１５０は第１引出配線１１４を覆う方向に拡張されており、また、第２引出配線１３４を覆う方向にも拡張されている。 In the example shown in this drawing, the first insulating layer 156 is formed as a part of the second insulating layer 150. In other words, the second insulating layer 150 is extended in a direction covering the first lead wiring 114 and also extended in a direction covering the second lead wiring 134.

発光装置１０は、さらに封止膜１６０を有している。封止膜１６０は発光部１４０を封止するために設けられている。封止膜１６０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜１６０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止膜１６０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜１６０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜１６０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。特にＡＬＤ法を用いることにより、封止膜１６０の段差被覆性は高くなる。そして第１引出配線１１４及び封止膜１６０の間、及び第２引出配線１３４と封止膜１６０の間の少なくとも一方（好ましくは双方）には、第１絶縁層１５６が位置している。 The light emitting device 10 further has a sealing film 160. The sealing film 160 is provided to seal the light emitting unit 140. The sealing film 160 is formed on the surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140. The sealing film 160 is made of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material. The thickness of the sealing film 160 is preferably 300 nm or less. Moreover, the thickness of the sealing film 160 is, for example, 50 nm or more. The sealing film 160 is formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In particular, by using the ALD method, the step coverage of the sealing film 160 is increased. The first insulating layer 156 is located between at least one (preferably both) between the first lead wiring 114 and the sealing film 160 and between the second lead wiring 134 and the sealing film 160.

第１端子１１２及び第２端子１３２は、封止膜１６０から露出している。このため、封止膜１６０の縁の一部は、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重なっている。 The first terminal 112 and the second terminal 132 are exposed from the sealing film 160. For this reason, a part of the edge of the sealing film 160 overlaps the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134.

図１に示す例において、封止膜１６０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分及び第２引出配線１３４と重なる部分は、いずれも第１絶縁層１５６の上に位置している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止膜１６０と直接接していない。封止膜１６０の縁は封止膜１６０の外周から１００μｍ以上１０００μｍの範囲の領域であるが、基板１００のサイズによって、導電層１６０の縁の範囲は適宜選択される。 In the example shown in FIG. 1, the portion of the edge of the sealing film 160 that overlaps the first lead wiring 114 and the portion that overlaps the second lead wiring 134 are both located on the first insulating layer 156. In other words, neither the first lead wiring 114 nor the second lead wiring 134 is in direct contact with the sealing film 160. The edge of the sealing film 160 is a region in the range of 100 μm to 1000 μm from the outer periphery of the sealing film 160, but the edge range of the conductive layer 160 is appropriately selected depending on the size of the substrate 100.

なお、封止膜１６０は発光部１４０となる領域及びその周囲を被覆している。このため、発光部１４０と第２絶縁層１５０（第１絶縁層１５６を含む）の面積の和は、基板１００のうち封止膜１６０によって覆われている領域の面積の９５％以上１０５％以下、好ましくは１００％以上１０５％以下になっている。 Note that the sealing film 160 covers a region to be the light emitting portion 140 and its periphery. Therefore, the sum of the areas of the light emitting unit 140 and the second insulating layer 150 (including the first insulating layer 156) is 95% or more and 105% or less of the area of the substrate 100 covered with the sealing film 160. Preferably, it is 100% or more and 105% or less.

図６は、図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示すように、封止膜１６０は複数の膜を積層した積層構造を有している。このようにすることで、一つの膜で封止膜１６０を形成する場合と比較して、封止膜１６０に生じる膜応力を小さくすることができる。なお、封止膜１６０を構成するいずれの膜も、無機膜で形成されている。そしてこれら無機膜は、例えばＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いて形成される。 FIG. 6 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line α in FIG. As shown in this figure, the sealing film 160 has a laminated structure in which a plurality of films are laminated. By doing in this way, the film | membrane stress which arises in the sealing film 160 can be made small compared with the case where the sealing film 160 is formed with one film. Note that any film constituting the sealing film 160 is formed of an inorganic film. These inorganic films are formed using, for example, a CVD method or an ALD method.

封止膜１６０は、少なくとも３つの膜を積層した構成を有している。これらの膜の厚さは、いずれも例えば３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、図６に示した例において、封止膜１６０を構成する膜の層数は、４つである。ただし封止膜１６０を構成する膜の層数は、これ以上（例えば１０層以上）であってもよい。 The sealing film 160 has a configuration in which at least three films are stacked. The thickness of these films is, for example, 3 nm or more and 10 nm or less. In the example shown in FIG. 6, the number of layers constituting the sealing film 160 is four. However, the number of layers constituting the sealing film 160 may be more than this (for example, 10 layers or more).

本図に示す例において、封止膜１６０は、第１の材料からなる第１封止膜１６２と、第２の材料からなる第２封止膜１６４とをこの順に繰り返し積層した構成を有している。第１の材料は絶縁材料である。第２の材料も絶縁材料であるのが好ましい。第１の材料は、例えば酸化アルミニウムであり、第２の材料は、例えば酸化チタンである。酸化チタンは室温の状態で絶縁性を有するが、例えば、薄膜形成することで導電性を有することが知られている。発光部１４０に接する膜を酸化アルミニウムで形成することにより、封止膜１６０の常温における防湿性を高めることができる。また、第１封止膜１６２を覆う第２封止膜１６４を酸化チタンで形成することにより、封止膜１６０の高温での防湿性を高めることができる。 In the example shown in this figure, the sealing film 160 has a configuration in which a first sealing film 162 made of a first material and a second sealing film 164 made of a second material are repeatedly laminated in this order. ing. The first material is an insulating material. The second material is also preferably an insulating material. The first material is, for example, aluminum oxide, and the second material is, for example, titanium oxide. Titanium oxide has an insulating property at room temperature, but is known to have conductivity by forming a thin film, for example. By forming the film in contact with the light emitting portion 140 with aluminum oxide, the moisture resistance of the sealing film 160 at room temperature can be improved. Further, by forming the second sealing film 164 covering the first sealing film 162 with titanium oxide, the moisture resistance of the sealing film 160 at a high temperature can be improved.

次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４を形成する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 in the present embodiment will be described. First, the first electrode 110, the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wire 114, and the second lead wire 134 are formed on the substrate 100.

次いで、第１引出配線１１４上及び第２引出配線１３４上を含む領域に、導体層１８０となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１８０が形成される。 Next, a conductive film to be the conductor layer 180 is formed in a region including the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134. Next, the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the conductor layer 180 is formed.

次いで、第１電極１１０上に、第２絶縁層１５０となる感光性の絶縁層を形成し、この絶縁層を露光及び現像する。これにより、第２絶縁層１５０（第１絶縁層１５６を含む）、及び開口１５２，１５４が形成される。さらに第２絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、第２絶縁層１５０の形成方法と同様である。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。 Next, a photosensitive insulating layer to be the second insulating layer 150 is formed on the first electrode 110, and this insulating layer is exposed and developed. Accordingly, the second insulating layer 150 (including the first insulating layer 156) and the openings 152 and 154 are formed. Further, a partition wall 170 is formed on the second insulating layer 150. The method for forming the partition 170 is the same as the method for forming the second insulating layer 150. Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed.

次いで、例えばＡＬＤ法を用いて、第１封止膜１６２及び第２封止膜１６４を、この順に繰り返し形成する。これにより、封止膜１６０が形成される。その後、封止膜１６０のうち、第１端子１１２上に位置する部分及び第２端子１３２上に位置する部分を除去する。封止膜１６０の除去は、例えば、シャドーマスク法、フォトリソグラフィー法、リフトオフ法を用いて行われる。リフトオフ法を用いる場合は、封止膜１６０を形成する前に、封止膜１６０を除去すべき領域にはリフトオフ層が形成される。 Next, the first sealing film 162 and the second sealing film 164 are repeatedly formed in this order by using, for example, an ALD method. Thereby, the sealing film 160 is formed. Thereafter, a portion of the sealing film 160 located on the first terminal 112 and a portion located on the second terminal 132 are removed. The removal of the sealing film 160 is performed using, for example, a shadow mask method, a photolithography method, or a lift-off method. In the case of using the lift-off method, a lift-off layer is formed in a region where the sealing film 160 is to be removed before the sealing film 160 is formed.

図７は、封止膜１６０が第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している場合の発光装置１０の等価回路図である。発光装置１０の発光部１４０を発光させるとき、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間には電圧が印加される。一方、封止膜１６０は絶縁膜により形成されているが、薄い膜を多数積層した構成を有している。このため、図７に示した等価回路において、封止膜１６０は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、封止膜１６０が第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している場合、封止膜１６０にある程度電流が流れ、その結果、発光部１４０が発光するときに封止膜１６０に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部１４０に流れる。これにより、発光部１４０のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部１４０を点灯させるとき、電流の一部は封止膜１６０に流れてしまう。このため、発光部１４０を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。 FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the light emitting device 10 when the sealing film 160 is in contact with the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134. When the light emitting unit 140 of the light emitting device 10 is caused to emit light, a voltage is applied between the first lead wire 114 and the second lead wire 134. On the other hand, the sealing film 160 is formed of an insulating film, but has a structure in which a large number of thin films are stacked. Therefore, in the equivalent circuit shown in FIG. 7, the sealing film 160 has a configuration in which a capacitor and a resistor are connected in series between the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134. Therefore, when the sealing film 160 is in contact with the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134, a certain amount of current flows through the sealing film 160, and as a result, when the light emitting unit 140 emits light, the sealing film 160. The charge is accumulated in the. This electric charge flows into the light emitting unit 140 when a voltage is no longer applied between the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134. As a result, the response speed when turning off the light emitting unit 140 decreases. Further, when the light emitting unit 140 is turned on, part of the current flows through the sealing film 160. For this reason, the response speed when the light emitting unit 140 is turned on also decreases.

これに対して本実施形態によれば、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方と封止膜１６０の間には、第１絶縁層１５６が形成されている。このため、図７の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。 On the other hand, according to the present embodiment, the first insulating layer 156 is formed between at least one of the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134 and the sealing film 160. For this reason, the magnitude of the resistance in the equivalent circuit diagram of FIG. 7 increases. Therefore, it is difficult for current to flow through the sealing film 160, and as a result, the response speed of the light emitting unit 140 is unlikely to decrease.

（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図９は、図８から第２電極１３０を取り除いた図である。図１０は、図９から有機層１２０、第２絶縁層１５０、及び第１絶縁層１５６を取り除いた図である。図１１は図８のＤ−Ｄ断面図である。本図に示す発光装置１０は照明装置である。このため、発光部１４０は基板１００の縁を除いた領域に形成されている。 (Second Embodiment)
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment. FIG. 9 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. FIG. 10 is a diagram in which the organic layer 120, the second insulating layer 150, and the first insulating layer 156 are removed from FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. The light emitting device 10 shown in this figure is a lighting device. For this reason, the light emitting unit 140 is formed in a region excluding the edge of the substrate 100.

詳細には、第１電極１１０は基板１００のほぼ全面に形成されている。第２絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。第２絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを防止している。また、有機層１２０は、第１電極１１０のうち第２絶縁層１５０で囲まれた領域の中に形成されている。言い換えると、第２絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。なお、第１電極１１０の上には複数の補助電極が形成されていてもよい。 Specifically, the first electrode 110 is formed on almost the entire surface of the substrate 100. The second insulating layer 150 covers the edge of the first electrode 110. The second insulating layer 150 prevents the first electrode 110 and the second electrode 130 from being short-circuited at the edge of the first electrode 110. The organic layer 120 is formed in a region surrounded by the second insulating layer 150 in the first electrode 110. In other words, the second insulating layer 150 defines the light emitting unit 140. A plurality of auxiliary electrodes may be formed on the first electrode 110.

また、第１端子１１２と第１電極１１０の間には第１引出配線１１４が形成されており、第２端子１３２のうち第１電極１１０側の端部には、第２引出配線１３４が形成されている。第１端子１１２及び第１引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と一体になっている。ただし、第２端子１３２及び第２引出配線１３４は第１電極１１０から分離している。 A first lead wire 114 is formed between the first terminal 112 and the first electrode 110, and a second lead wire 134 is formed at the end of the second terminal 132 on the first electrode 110 side. Has been. The first terminal 112 and the first lead wiring 114 are integrated with the first electrode 110, and the second lead wiring 134 is integrated with the second terminal 132. However, the second terminal 132 and the second lead wiring 134 are separated from the first electrode 110.

そして、第１引出配線１１４は第２絶縁層１５０によって覆われており、第２引出配線１３４は、第２電極１３０との接続部分（例えば、第２引出配線１３４のうち第１電極１１０側の端部）を除いて、第１絶縁層１５６によって覆われている。本図に示す例において、第１絶縁層１５６は第２絶縁層１５０から分離している。そして第１絶縁層１５６と第２絶縁層１５０の間において、第２引出配線１３４は第２電極１３０に接続している。 The first lead wire 114 is covered with the second insulating layer 150, and the second lead wire 134 is connected to the second electrode 130 (for example, the second lead wire 134 on the first electrode 110 side). The first insulating layer 156 is covered except for the end portion. In the example shown in this drawing, the first insulating layer 156 is separated from the second insulating layer 150. The second lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 between the first insulating layer 156 and the second insulating layer 150.

本実施形態においても、封止膜１６０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分は第２絶縁層１５０の上に位置しており、封止膜１６０の縁のうち第２引出配線１３４と重なる部分は第１絶縁層１５６の上に位置している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止膜１６０と直接接していない。そして、第１引出配線１１４と封止膜１６０の間には第２絶縁層１５０が位置しており、第２引出配線１３４と封止膜１６０の間には第１絶縁層１５６が位置している。このため、第１の実施形態と同様に、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。 Also in the present embodiment, the portion of the edge of the sealing film 160 that overlaps the first extraction wiring 114 is located on the second insulating layer 150, and the second extraction wiring 134 of the edge of the sealing film 160 and The overlapping portion is located on the first insulating layer 156. In other words, neither the first lead wiring 114 nor the second lead wiring 134 is in direct contact with the sealing film 160. The second insulating layer 150 is located between the first lead wire 114 and the sealing film 160, and the first insulating layer 156 is located between the second lead wire 134 and the sealing film 160. Yes. For this reason, as in the first embodiment, it is difficult for current to flow through the sealing film 160, and as a result, the response speed of the light emitting unit 140 is unlikely to decrease.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１１２第１端子
１１４第１引出配線
１２０有機層
１３０第２電極
１３２第２端子
１３４第２引出配線
１４０発光部
１５０第２絶縁層
１５６第１絶縁層
１６０封止膜
１６２第１封止膜
１６４第２封止膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Board | substrate 110 1st electrode 112 1st terminal 114 1st extraction wiring 120 Organic layer 130 2nd electrode 132 2nd terminal 134 2nd extraction wiring 140 Light-emitting part 150 2nd insulation layer 156 1st insulation layer 160 Sealing Film 162 First sealing film 164 Second sealing film

Claims

A substrate,
A light emitting part located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first wiring electrically connected to the first electrode and a second wiring electrically connected to the second electrode, located on a region other than the region where the light emitting unit is located on the substrate;
An insulating layer located on the first wiring and the second wiring and having a portion defining the light emitting portion;
A sealing film covering a part of the first wiring, a part of the second wiring, and the light emitting unit;
With
A portion of the sealing film that is located on at least one of the first wiring and the second wiring is located on the insulating layer and separated from at least one of the first wiring and the second wiring. And
A light emitting device in which an edge of the sealing film that overlaps at least one of the first wiring and the second wiring is located on the insulating layer.

The light-emitting device according to claim 1.
The light emitting device, wherein the first wiring and the second wiring are directly connected to the first electrode and the second electrode, respectively.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The sealing film is a light emitting device in which a plurality of films are stacked, and the sealing film includes aluminum oxide and titanium oxide.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
A light emitting device comprising a terminal connected to the first wiring and exposed from the sealing film.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The light emitting unit is located between the first wiring and the second wiring as viewed from the direction perpendicular to the surface on which the light emitting unit is located on the substrate,
A part of the insulating layer is separated from the light emitting unit in a cross-sectional view passing through the first wiring and the second wiring in a direction perpendicular to the surface of the substrate where the light emitting unit is located. .