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JP2019138658A - Contact probe and socket for semiconductor device including the same - Google Patents

Contact probe and socket for semiconductor device including the same Download PDF

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JP2019138658A
JP2019138658A JP2018019432A JP2018019432A JP2019138658A JP 2019138658 A JP2019138658 A JP 2019138658A JP 2018019432 A JP2018019432 A JP 2018019432A JP 2018019432 A JP2018019432 A JP 2018019432A JP 2019138658 A JP2019138658 A JP 2019138658A
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plunger
contact
contact probe
semiconductor device
locked
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JP2018019432A
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Japanese (ja)
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鈴木 威之
Takeshi Suzuki
威之 鈴木
鈴木 勝己
Katsumi Suzuki
勝己 鈴木
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Yamaichi Electronics Co Ltd
Original Assignee
Yamaichi Electronics Co Ltd
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Abstract

To provide a contact probe and a socket for a semiconductor device including the same, capable of facilitating contact probe assembling, and surely adjusting preload in a contact preload energizing member.SOLUTION: A stepped part 16A of a lower plunger 16 is slidably arranged in an inner peripheral surface of a large diameter part of an upper plunger 12, and received in and locked to a prescribed position by a pair of dowels 12Bd of the upper plunger 12 in a state in which the stepped part is pulled on the basis of an energizing force of a coil spring 14.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、コンタクトプローブ、および、それを備える半導体装置用ソケットに関する。   The present invention relates to a contact probe and a semiconductor device socket including the contact probe.

電子機器などに実装される電子装置としての半導体装置において、例えば、特許文献1に示されるように、実装される以前の段階でその潜在的欠陥を除去するための試験が半導体装置用ソケット(特許文献1においては、半導体素子用ソケットと称されている)を介してなされる。半導体装置用ソケットは、上述の半導体装置と半導体装置用ソケットが配されるプリント配線基板(特許文献1においては、検査用基板と称されている)を電気的に接続する複数のコンタクトプローブをそのプローブ収容ブロック内に備えている。そのようなコンタクトプローブは、半導体素子の電極部に接触され電気的に接続される上部接触子を有する上部プランジャと、プリント配線基板の電極部に接触され電気的に接続される下部接触子を有する下部プランジャと、上部プランジャと下部プランジャとを互いに離隔する方向に付勢するコイルスプリングとを含んで構成されている。上部プランジャは、下部プランジャの挿入孔に向けて延びる接触軸部と、接触軸部の基端部に形成されるフランジ部とを上述の上部接触子に連なって有している。下部プランジャは、上部プランジャのフランジ部と協働してコイルスプリングを、その自由長の状態で保持するフランジ部と、上述の接触軸部が挿入される挿入孔と、を上述の下部接触子に連なって有している。これにより、上部プランジャと、下部プランジャと、コイルスプリングとが互いに組み付けられる場合、コイルスプリングの一端には、上部プランジャのフランジ部に一体に形成される接触軸部の基部が挿入され、コイルスプリングの他端(ガイド部)には、下部プランジャのフランジ部に一体に形成される接続端部が挿入される。   In a semiconductor device as an electronic device mounted on an electronic device or the like, for example, as disclosed in Patent Document 1, a test for removing a potential defect at a stage before mounting is performed on a socket for a semiconductor device (patent In Document 1, it is referred to as a socket for semiconductor elements). The semiconductor device socket includes a plurality of contact probes that electrically connect the above-described semiconductor device and a printed wiring board on which the semiconductor device socket is disposed (referred to as an inspection substrate in Patent Document 1). It is provided in the probe housing block. Such a contact probe has an upper plunger having an upper contact that is in contact with and electrically connected to the electrode portion of the semiconductor element, and a lower contact that is in contact with and electrically connected to the electrode portion of the printed wiring board. The lower plunger, and a coil spring that urges the upper plunger and the lower plunger in a direction away from each other are configured. The upper plunger has a contact shaft portion extending toward the insertion hole of the lower plunger, and a flange portion formed at the base end portion of the contact shaft portion, which is connected to the above-described upper contact. The lower plunger cooperates with the flange portion of the upper plunger to provide a flange portion that holds the coil spring in its free length state and an insertion hole into which the contact shaft portion is inserted into the lower contact member. Has a series. Accordingly, when the upper plunger, the lower plunger, and the coil spring are assembled to each other, the base portion of the contact shaft portion that is integrally formed with the flange portion of the upper plunger is inserted into one end of the coil spring, A connecting end formed integrally with the flange portion of the lower plunger is inserted into the other end (guide portion).

特許第6011103号公報Japanese Patent No. 6011103

特許文献1に示されるような、半導体装置用ソケットにおいて、0.5mm以下の微細なピッチで複数個のバンプを有する半導体装置を搭載する場合、例えば、直径0.2mm以下の接触軸部を有する上部プランジャを切削加工により形成することは、その寸法管理が容易ではなく、生産効率が悪い場合がある。また、顕微鏡等を使って微細な上部プランジャと、下部プランジャと、コイルスプリングとを互いに組み付けることも、上述の接触軸部および挿入孔の嵌合精度が高精度なので難しい。その際、上述の上部プランジャと、下部プランジャとの間に配されるコイルスプリングが、その自由長の状態で保持されるのでばね荷重を調整するためにコイルスプリングにプリロード(予荷重)をかけた状態で上部プランジャと、下部プランジャとを組み合わせ保持することも難しい。   When mounting a semiconductor device having a plurality of bumps at a fine pitch of 0.5 mm or less in a socket for a semiconductor device as disclosed in Patent Document 1, for example, a contact shaft portion having a diameter of 0.2 mm or less is provided. Forming the upper plunger by cutting may not be easy to manage its dimensions, and production efficiency may be poor. Also, it is difficult to assemble the fine upper plunger, the lower plunger, and the coil spring with a microscope or the like because the fitting accuracy of the contact shaft portion and the insertion hole is high. At that time, since the coil spring arranged between the above-described upper plunger and the lower plunger is held in its free length state, a preload (preload) was applied to the coil spring in order to adjust the spring load. It is also difficult to hold the upper plunger and the lower plunger in combination.

以上の問題点を考慮し、本発明は、コンタクトプローブ、および、それを備える半導体装置用ソケットであって、コンタクトプローブの組み立て作業を容易にでき、しかも、コンタクトプローブの付勢部材におけるプリロード調整を確実にできるコンタクトプローブ、および、それを備える半導体装置用ソケットを提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention provides a contact probe and a socket for a semiconductor device including the contact probe. The contact probe can be easily assembled, and the preload adjustment in the biasing member of the contact probe can be performed. An object of the present invention is to provide a contact probe that can be surely provided and a socket for a semiconductor device including the contact probe.

上述の目的を達成するために、本発明に係るコンタクトプローブは、一方の電極部に当接する接点部を有する接触端子部と、弾性変位可能な少なくとも1つの係止部を有する段付円筒状の第1のプランジャと、一方の電極部に向き合う他方の電極部に当接する接点部を有する接触端子部と、第1のプランジャの内周部に押し込まれ係止部に係止される被係止部とを有する第2のプランジャと、所定の圧縮量をもって保持された状態で第1のプランジャの円筒状部の端部と第2のプランジャの接触端子部との間に配され、第1のプランジャおよび第2のプランジャを互いに離隔する方向に付勢する付勢部材と、を備えて構成される。   In order to achieve the above object, a contact probe according to the present invention has a stepped cylindrical shape having a contact terminal portion having a contact portion that contacts one electrode portion and at least one locking portion that can be elastically displaced. The first plunger, the contact terminal portion having a contact portion that contacts the other electrode portion facing one electrode portion, and the locked portion that is pushed into the inner peripheral portion of the first plunger and locked to the locking portion. A second plunger having a portion, and is arranged between the end portion of the cylindrical portion of the first plunger and the contact terminal portion of the second plunger while being held with a predetermined compression amount, And an urging member that urges the plunger and the second plunger in directions away from each other.

また、段付円筒状の第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離が、第2のプランジャの被係止部の外径よりも小であり、第2のプランジャの被係止部が第1のプランジャの一対の係止部の相互間に押し込められる場合、第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離が弾性力に抗して第2のプランジャの被係止部の外径よりも大となった後、第2のプランジャの被係止部が第1のプランジャの一対の係止部に保持されるものでもよい。   The distance between the pair of locking portions of the stepped cylindrical first plunger is smaller than the outer diameter of the locked portion of the second plunger, and the locked portion of the second plunger Is pushed between the pair of locking portions of the first plunger, the distance between the pair of locking portions of the first plunger is against the elastic force of the locked portion of the second plunger. After becoming larger than an outer diameter, the to-be-latched part of a 2nd plunger may be hold | maintained at a pair of latching part of a 1st plunger.

第1のプランジャの係止部は、合せ目を有する段付円筒状の第1のプランジャの円筒状部内に突出した突起部であってもよく、あるいは、第1のプランジャの係止部は、合せ目を有する段付円筒状の第1のプランジャの円筒状部内に突出したランスであってもよい。合せ目を有する段付円筒状の第1のプランジャは、薄板状のブランクの両端面を互いに向き合うように筒状に成形されたものであってもよい。さらに、第2のプランジャの被係止部の外径は、段付円筒状の第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離よりも大に形成され、かつ、第1のプランジャの円筒状部の内径よりも小に形成されるとともに、第2のプランジャの被係止部に連なる軸部の外径は、第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離よりも小に形成されてもよい。第2のプランジャは、コイニング加工工程を含むプレス加工により形成されてもよい。   The locking portion of the first plunger may be a protrusion protruding into the cylindrical portion of the stepped cylindrical first plunger having a seam, or the locking portion of the first plunger is The lance which protruded in the cylindrical part of the stepped cylindrical 1st plunger which has a seam may be sufficient. The stepped cylindrical first plunger having a seam may be formed in a cylindrical shape so that both end faces of the thin plate blank face each other. Furthermore, the outer diameter of the locked portion of the second plunger is formed larger than the distance between the pair of locking portions of the stepped cylindrical first plunger, and the cylinder of the first plunger The outer diameter of the shaft connected to the locked portion of the second plunger is smaller than the distance between the pair of locking portions of the first plunger. May be. The second plunger may be formed by press working including a coining process.

さらにまた、本発明に係る半導体装置用ソケットは、コンタクトプローブと、複数個のコンタクトプローブを収容するコンタクトプローブ収容部と、コンタクトプローブの第1のプランジャまたは第2のプランジャの接点部が当接する電極部を複数個有する半導体装置を着脱可能に収容する半導体装置載置部と、を有し、コンタクトプローブと電気的に接続される配線基板上に配されるハウジングと、を備えて構成される。   Furthermore, the socket for a semiconductor device according to the present invention includes a contact probe, a contact probe housing portion that houses a plurality of contact probes, and an electrode that contacts a contact portion of the first plunger or the second plunger of the contact probe. A semiconductor device mounting portion that detachably accommodates a semiconductor device having a plurality of portions, and a housing disposed on a wiring board that is electrically connected to the contact probe.

本発明に係るコンタクトプローブ、および、それを備える半導体装置用ソケットによれば、被検査物の電極部または配線基板の電極部のうちのいずれか一方に当接する接点部を有する接触端子部と、弾性変位可能な少なくとも1つの係止部を有する段付円筒状の第1のプランジャと、第1のプランジャの接点部が当接した被検査物の電極部または配線基板の電極部と向き合う配線基板の電極部または被検査物の電極部に当接する接点部を有する接触端子部と、第1のプランジャの円筒状部の内周部に押し込まれ係止部に係止される被係止部とを有する第2のプランジャと、を備えるのでコンタクトプローブの組み立て作業を容易にでき、また、付勢部材が、所定の圧縮量をもって保持された状態で第1のプランジャの円筒状部の端部と第2のプランジャの接触端子部との間に配され、第1のプランジャおよび第2のプランジャを互いに離隔する方向に付勢するのでコンタクトプローブの付勢部材におけるプリロード調整を確実にできる。   According to the contact probe according to the present invention and the socket for a semiconductor device including the contact probe, a contact terminal portion having a contact portion that comes into contact with either the electrode portion of the object to be inspected or the electrode portion of the wiring board; A stepped cylindrical first plunger having at least one latching portion that can be elastically displaced, and a wiring board facing the electrode part of the object to be inspected or the electrode part of the wiring board in contact with the contact part of the first plunger A contact terminal portion having a contact portion that comes into contact with the electrode portion or the electrode portion of the object to be inspected, and a locked portion that is pushed into the inner peripheral portion of the cylindrical portion of the first plunger and locked to the locking portion. And a second plunger having a first contact point, the contact probe can be assembled easily, and the biasing member is held at a predetermined compression amount with the end of the cylindrical portion of the first plunger. Second Disposed between the contact terminal of the plunger, it can preload adjustment in biasing member of the contact probe reliably since biasing the first plunger and the second plunger in a direction away from each other.

(A)は、本発明に係るコンタクトプローブの第1実施例の外観を示す斜視図であり、(B)は、(A)に示されるIB−IB線に沿ったコンタクトプローブの断面図である。(A) is a perspective view showing the appearance of the first embodiment of the contact probe according to the present invention, (B) is a cross-sectional view of the contact probe along the IB-IB line shown in (A). . (A)は、図1(B)に示されるアッパプランジャの拡大した断面図であり、(B)は、(A)における矢印IIBの示す方向から見た矢視図である。(A) is the expanded sectional view of the upper plunger shown by FIG. 1 (B), (B) is the arrow line view seen from the direction which the arrow IIB in (A) shows. (A)は、図1(B)に示されるロアプランジャの正面図であり、(B)、(C)、および、(D)は、それぞれ、(A)に示されるロアプランジャの上面図、下面図、および、側面図である。(A) is a front view of the lower plunger shown in FIG. 1 (B), and (B), (C), and (D) are respectively a top view of the lower plunger shown in (A), It is a bottom view and a side view. 本発明に係る半導体装置用ソケットの一例の構成を示す部分断面図を含む構成図である。It is a block diagram including the fragmentary sectional view which shows the structure of an example of the socket for semiconductor devices which concerns on this invention. 図4に示される半導体装置用ソケットの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the socket for semiconductor devices shown by FIG. 図4に示される半導体装置用ソケットの要部VIを部分的に拡大して示す部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a principal part VI of the socket for a semiconductor device shown in FIG. 4 partially enlarged. (A)は、アッパプランジャの加工手順の説明に供されるブランクを展開した概略図であり、(B)および(C)は、それぞれ、加工後のアッパプランジャの正面図および側面図である。(A) is the schematic which expand | deployed the blank with which it uses for description of the processing procedure of an upper plunger, (B) and (C) are the front views and side views of a processed upper plunger, respectively. (A)および(B)は、それぞれ、コンタクトプローブの組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) And (B) is a perspective view of an upper plunger and a lower plunger which are provided for explanation of the assembly procedure of the contact probe, respectively, and a partially enlarged view showing a part of the perspective view. (A)および(B)は、それぞれ、コンタクトプローブの組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) And (B) is a perspective view of an upper plunger and a lower plunger which are provided for explanation of the assembly procedure of the contact probe, respectively, and a partially enlarged view showing a part of the perspective view. (A)および(B)は、それぞれ、コンタクトプローブの組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) And (B) is a perspective view of an upper plunger and a lower plunger which are provided for explanation of the assembly procedure of the contact probe, respectively, and a partially enlarged view showing a part of the perspective view. 本発明に係るコンタクトプローブの第2実施例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of 2nd Example of the contact probe which concerns on this invention. 図11に示されるアッパプランジャを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the upper plunger shown by FIG. (A)、(B)、および、(C)は、それぞれ、図11に示されるアッパプランジャの正面図、側面図、背面図であり、(D)は、(B)における矢印XIIIDの示す方向から見た矢視図である。(A), (B), and (C) are respectively a front view, a side view, and a rear view of the upper plunger shown in FIG. 11, and (D) is a direction indicated by an arrow XIIID in (B). It is the arrow view seen from. (A)、(B)、(C)は、それぞれ、図12に示されるロアプランジャの正面図、背面図、断面図であり、(D)は、(A)における矢印XIVDの示す方向から見た矢視図である。(A), (B), and (C) are respectively a front view, a rear view, and a cross-sectional view of the lower plunger shown in FIG. 12, and (D) is viewed from the direction indicated by the arrow XIVD in (A). FIG. (A)および(B)は、それぞれ、本発明に係るコンタクトプローブの第3実施例の組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) and (B) are respectively a perspective view of an upper plunger and a lower plunger used for explaining an assembly procedure of a third embodiment of the contact probe according to the present invention, and an enlarged part of the perspective view. FIG. (A)および(B)は、それぞれ、本発明に係るコンタクトプローブの第3実施例の組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) and (B) are respectively a perspective view of an upper plunger and a lower plunger used for explaining an assembly procedure of a third embodiment of the contact probe according to the present invention, and an enlarged part of the perspective view. FIG. (A)および(B)は、それぞれ、本発明に係るコンタクトプローブの第3実施例の組み立て手順の説明に供されるアッパプランジャおよびロアプランジャの斜視図、および、その斜視図の一部を拡大して示す部分拡大図である。(A) and (B) are respectively a perspective view of an upper plunger and a lower plunger used for explaining an assembly procedure of a third embodiment of the contact probe according to the present invention, and an enlarged part of the perspective view. FIG. 本発明に係るコンタクトプローブの第4実施例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of 4th Example of the contact probe which concerns on this invention. (A)は、図18に示されるロアプランジャの正面図であり。(B)は、(A)における矢印XIXBの示す方向から見た矢視図であり、(C)は、(A)における矢印XIXCの示す方向から見た矢視図である。(A) is a front view of the lower plunger shown in FIG. (B) is an arrow view seen from the direction shown by arrow XIXB in (A), and (C) is an arrow view seen from the direction shown by arrow XIXC in (A).

図4は、本発明に係るコンタクトプローブの第1実施例、または、後述する他の実施例を備える半導体装置用ソケットの一例を概略的に示す。   FIG. 4 schematically shows an example of a socket for a semiconductor device provided with a first embodiment of a contact probe according to the present invention or another embodiment to be described later.

図4において、半導体装置用ソケット(以下、ICソケットともいう)は、例えば、テストボードとしてのプリント配線基板PCB上に複数個、配置されている。なお、図4においては、代表的に、プリント配線基板PCB上における1個のICソケットが示されている。   In FIG. 4, a plurality of semiconductor device sockets (hereinafter also referred to as IC sockets) are arranged on a printed circuit board PCB as a test board, for example. FIG. 4 typically shows one IC socket on the printed wiring board PCB.

プリント配線基板PCBは、例えば、ガラスエポキシ樹脂で作られ、後述する複数個のコンタクトプローブ10ai(i=1〜n,nは正の整数)の配置に対応し格子状に形成される複数の電極パッドからなる電極群(不図示)を一方の表面部の略中央部に有している。その周囲には、ICソケットを固定するための小ねじ(不図示)が挿入される透孔が4箇所に形成されている。   The printed wiring board PCB is made of, for example, glass epoxy resin, and is formed with a plurality of electrodes formed in a lattice shape corresponding to the arrangement of a plurality of contact probes 10ai (i = 1 to n, n are positive integers) described later. An electrode group (not shown) composed of pads is provided at the substantially central portion of one surface portion. Around it, there are formed four through holes into which machine screws (not shown) for fixing the IC socket are inserted.

ICソケットは、例えば、押圧機構ユニットと、アッパハウジング22およびロアハウジング20と、アッパハウジング22およびロアハウジング20内に形成されるコンタクトプローブ収容部22Cに配されるコンタクトプローブ群(図6参照)とを備えるものとされる。   The IC socket includes, for example, a pressing mechanism unit, an upper housing 22 and a lower housing 20, and a contact probe group (see FIG. 6) arranged in a contact probe accommodating portion 22C formed in the upper housing 22 and the lower housing 20. It shall be equipped with.

押圧機構ユニットは、装着された半導体装置DV1の電極面をコンタクトプローブ群に対して押圧する押圧体26と、アッパハウジング22の上端面に載置されるベース部材24と、ベース部材24の両端部にそれぞれ、回動可能に支持され互いに協働して押圧体26を着脱可能に保持するラッチ部材28Rおよびラッチ部材28Lと、を含んで構成されている。   The pressing mechanism unit includes a pressing body 26 that presses the electrode surface of the mounted semiconductor device DV1 against the contact probe group, a base member 24 placed on the upper end surface of the upper housing 22, and both end portions of the base member 24. Each of them includes a latch member 28R and a latch member 28L that are rotatably supported and hold the pressing body 26 in a detachable manner in cooperation with each other.

半導体装置DV1は、例えば、BGA型のパッケージ内に集積回路を備えるものとされる。半導体装置DV1の底部には、複数個の半球状の電極部DVa(図6参照)が縦横に形成されている。複数個の電極部DVaは、例えば、約0.3mmの間隔で縦横に形成されている。半導体装置DV1が後述するアッパハウジング22の被検査物載置部としての半導体装置載置部22Aに位置決めされるとき、図6に拡大されて示されるように、半導体装置DV1の各電極部DVaが、半導体装置載置部22Aに突出する各コンタクトプローブ10aiのアッパプランジャ12の接点部12Apに当接される。   The semiconductor device DV1 includes, for example, an integrated circuit in a BGA type package. A plurality of hemispherical electrode portions DVa (see FIG. 6) are formed vertically and horizontally on the bottom of the semiconductor device DV1. The plurality of electrode portions DVa are formed vertically and horizontally at an interval of about 0.3 mm, for example. When the semiconductor device DV1 is positioned on the semiconductor device mounting portion 22A as the inspection object mounting portion of the upper housing 22 to be described later, each electrode portion DVa of the semiconductor device DV1 is expanded as shown in FIG. The contact probe 10ai that protrudes from the semiconductor device mounting portion 22A comes into contact with the contact portion 12Ap of the upper plunger 12 of the contact probe 10ai.

押圧体26は、ベース部材24の開口部24aに向き合う部分には、開口部24aに向けて突出する押圧用突起部26Pが形成されている。図4に示されるように、半導体装置DV1が半導体装置載置部22Aに搭載された状態で押圧体26がベース部材24を介してアッパハウジング22に保持される場合、押圧用突起部26Pの端面は、半導体装置DV1のパッケージの上面に当接し半導体装置DV1をコンタクトプローブ群に向けて押圧するものとされる。   In the pressing body 26, a pressing protrusion 26 </ b> P that protrudes toward the opening 24 a is formed at a portion facing the opening 24 a of the base member 24. As shown in FIG. 4, when the pressing body 26 is held by the upper housing 22 via the base member 24 with the semiconductor device DV1 mounted on the semiconductor device mounting portion 22A, the end surface of the pressing projection 26P Is in contact with the upper surface of the package of the semiconductor device DV1, and presses the semiconductor device DV1 toward the contact probe group.

ベース部材24の外形寸法は、アッパハウジング22およびロアハウジング20の外形寸法と略同一となるように設定されている。ベース部材24の中央部には、半導体装置DV1の着脱のとき、押圧体26の押圧部26Pが通過する開口部24aが形成されている。開口部24aの周囲には、ベース部材24をアッパハウジング22に固定するための小ネジBS1が挿入される透孔24bが4箇所に形成されている。なお、図4および図5においては、1個の透孔24bが代表的に示されている。これにより、小ネジBS1は、透孔24bを介して後述するアッパハウジング22の雌ねじ孔22FS1にねじ込まれる。ベース部材24の上面部には、開口部24aに対し押圧体26を位置決めする位置決めピン24P1が一体に形成されている。位置決めピン24P1は、押圧体26の位置決め孔(不図示)に嵌合される。また、ベース部材24の下面部には、アッパハウジング22の半導体装置載置部22Aに対しベース部材24の開口部24aおよび押圧体26の押圧部26Pを位置決めする位置決めピン24P2が一体に形成されている。   The outer dimensions of the base member 24 are set to be substantially the same as the outer dimensions of the upper housing 22 and the lower housing 20. An opening 24a through which the pressing portion 26P of the pressing body 26 passes is formed at the center of the base member 24 when the semiconductor device DV1 is attached or detached. Around the opening 24a, there are formed four through holes 24b into which small screws BS1 for fixing the base member 24 to the upper housing 22 are inserted. 4 and 5, one through hole 24b is representatively shown. Thereby, the machine screw BS1 is screwed into the female screw hole 22FS1 of the upper housing 22 described later through the through hole 24b. A positioning pin 24P1 for positioning the pressing body 26 with respect to the opening 24a is integrally formed on the upper surface portion of the base member 24. The positioning pin 24P1 is fitted into a positioning hole (not shown) of the pressing body 26. A positioning pin 24P2 for positioning the opening 24a of the base member 24 and the pressing portion 26P of the pressing body 26 with respect to the semiconductor device mounting portion 22A of the upper housing 22 is integrally formed on the lower surface portion of the base member 24. Yes.

ラッチ部材28Rおよび28Lは、互いに同一の構造を有するのでラッチ部材28Rの構造について説明し、ラッチ部材28Lの構造の説明を省略する。紙面に対し垂直方向に所定の横幅を有するラッチ部材28Rは、その一端部で支持軸30を介してベース部材24の軸受部24Bの孔に回動可能に支持されている。支持軸30の両端は、それぞれ、Eリング32により軸受部24Bに係止されている。ラッチ部材32の一端部から離隔した中間部には、図4に示されるように、押圧体26を、ベース部材24を介してアッパハウジング22に保持する状態、あるいは、図5に示されるように、押圧体26を解放状態とする爪部28Rn(ラッチ部材28Lにおいては爪部28Ln)が一体に形成されている。爪部28Rnは、ラッチ部材32の縦軸線に対し略垂直に、保持された押圧体26の凹部26Rに向けて突出している。これにより、爪部28Rnは、押圧体26の最上端部に形成される凹部26R内の溝26Raに係止される。従って、図4に示されるように、押圧体26の押圧用突起部26Pの根元の周囲と、ベース部材24の開口部24a周縁との間に所定の隙間が形成される状態で、ラッチ部材28Rおよび28Lにより押圧体26が、ベース部材24に保持されることとなる。   Since the latch members 28R and 28L have the same structure, the structure of the latch member 28R will be described, and the description of the structure of the latch member 28L will be omitted. The latch member 28R having a predetermined lateral width in the direction perpendicular to the paper surface is rotatably supported at one end of the latch member 28R via the support shaft 30 in the bearing portion 24B of the base member 24. Both ends of the support shaft 30 are locked to the bearing portion 24B by E-rings 32, respectively. As shown in FIG. 4, the pressing member 26 is held in the upper housing 22 via the base member 24, or as shown in FIG. 5, at the intermediate portion separated from one end of the latch member 32. The claw portion 28Rn (the claw portion 28Ln in the latch member 28L) that releases the pressing body 26 is integrally formed. The claw portion 28 </ b> Rn protrudes toward the recessed portion 26 </ b> R of the held pressing body 26 substantially perpendicularly to the longitudinal axis of the latch member 32. Thereby, the claw portion 28Rn is locked to the groove 26Ra in the recess 26R formed at the uppermost end portion of the pressing body 26. Therefore, as shown in FIG. 4, the latch member 28 </ b> R is formed in a state where a predetermined gap is formed between the periphery of the base of the pressing protrusion 26 </ b> P of the pressing body 26 and the periphery of the opening 24 a of the base member 24. Thus, the pressing body 26 is held by the base member 24 by 28L.

アッパハウジング22は、上述のベース部材24の開口部24aの真下の位置であって中央部に半導体装置載置部22Aを有している。上方に向けて開口する半導体装置載置部22Aは、半導体装置DV1の装着のとき、半導体装置DV1を誘い込む斜面部22Dによって四方が囲まれて形成されている。各斜面部22Dの裾には、半導体装置DV1のパッケージにおける電極群の周囲の縁が当接される位置決め用壁部が形成されている。各位置決め用壁部の紙面に垂直方向に沿った両端は、それぞれ、隣接する斜面部22Dの位置決め用壁部の端に連結されている。また、装着される半導体装置DV1のパッケージの角部に対応した逃げが、位置決め用壁部の端に位置する各隅部に形成されている。半導体装置載置部22A内には、後述するコンタクトプローブ群の各接点部が突出している。   The upper housing 22 has a semiconductor device mounting portion 22A at a central position at a position directly below the opening 24a of the base member 24 described above. The semiconductor device mounting portion 22A that opens upward is formed so as to be surrounded on all sides by a slope portion 22D that guides the semiconductor device DV1 when the semiconductor device DV1 is mounted. At the skirt of each inclined surface portion 22D, a positioning wall portion is formed to which the peripheral edge of the electrode group in the package of the semiconductor device DV1 abuts. Both ends of each positioning wall portion along the direction perpendicular to the paper surface are connected to the ends of the positioning wall portions of the adjacent inclined surface portions 22D. Further, reliefs corresponding to the corners of the package of the semiconductor device DV1 to be mounted are formed at each corner located at the end of the positioning wall. Each contact portion of a contact probe group, which will be described later, protrudes in the semiconductor device mounting portion 22A.

アッパハウジング22における上端部には、上述の各小ネジBS1がねじ込まれる雌ねじ部22FS1が4箇所に形成されている。半導体装置DV1が着脱される半導体装置載置部22Aの底部を形成する部分には、図6に部分的に拡大されて示されるように、各コンタクトプローブ10aiのアッパプランジャ12の接点部12Apが貫通し突出する小径孔22dが開口している。アッパハウジング22の各小径孔22dは、同心上に形成される各大径孔22bに連通している。大径孔22bは、コンタクトプローブ10aiのアッパプランジャ12、および、コイルスプリング14の一部を収容するものとされる。また、半導体装置載置部22Aの底部を形成する部分において、その両端に形成される小径孔22dおよび大径孔22bから離隔した位置には、ロアハウジング20をアッパハウジング22に固定するための小ネジBS2が捻じ込まれる雌ねじ孔22FS2が4隅に形成されている。   At the upper end portion of the upper housing 22, female screw portions 22FS1 into which the machine screws BS1 described above are screwed are formed at four locations. A contact portion 12Ap of the upper plunger 12 of each contact probe 10ai penetrates through a portion forming the bottom portion of the semiconductor device mounting portion 22A to which the semiconductor device DV1 is attached and detached, as partially enlarged in FIG. A small-diameter hole 22d that protrudes is opened. Each small-diameter hole 22d of the upper housing 22 communicates with each large-diameter hole 22b formed concentrically. The large-diameter hole 22b accommodates the upper plunger 12 of the contact probe 10ai and a part of the coil spring 14. Further, in the portion forming the bottom of the semiconductor device mounting portion 22A, the small housing for fixing the lower housing 20 to the upper housing 22 is located at a position separated from the small diameter hole 22d and the large diameter hole 22b formed at both ends thereof. Female screw holes 22FS2 into which the screw BS2 is screwed are formed at the four corners.

板状のロアハウジング20は、アッパハウジング22の各雌ねじ孔22FS2に対応した位置に、小ネジBS2が挿入される段付き穴を有している。また、ロアハウジング20は、図6に部分的に拡大されて示されるように、アッパハウジング22の大径孔22bに対応した位置に、ロアプランジャ16およびコイルスプリング14の残部を収容する大径孔20bと、ロアプランジャ16の接触端部16D(接点部16P)が貫通し突出する小径孔20dとを有している。小径孔20dおよび大径孔20bは、互いに連通するとともに、同心上に形成されている。   The plate-like lower housing 20 has a stepped hole into which the machine screw BS2 is inserted at a position corresponding to each female screw hole 22FS2 of the upper housing 22. Further, the lower housing 20 is a large-diameter hole that accommodates the lower plunger 16 and the remainder of the coil spring 14 at a position corresponding to the large-diameter hole 22b of the upper housing 22, as shown in FIG. 20b and a small diameter hole 20d through which the contact end portion 16D (contact point portion 16P) of the lower plunger 16 penetrates and protrudes. The small diameter hole 20d and the large diameter hole 20b communicate with each other and are concentrically formed.

これにより、ベース部材24、アッパハウジング22およびロアハウジング20は、固定用小ネジ(不図示)がアッパハウジング22およびロアハウジング20の透孔(不図示)、および、上述のプリント配線基板PCBの透孔(不図示)を介してナットおよびワッシャにより締結されることにより、プリント配線基板PCBに固定されることとなる。
従って、上述のコンタクトプローブ収容部22Cは、アッパハウジング22の複数個の小径孔22dおよび大径孔22bと、ロアハウジング20の複数個の小径孔20dおよび大径孔20bとにより形成されることとなる。
Thereby, the base member 24, the upper housing 22 and the lower housing 20 have fixing screws (not shown) through the through holes (not shown) of the upper housing 22 and the lower housing 20 and the above-described printed wiring board PCB. By being fastened by a nut and a washer through a hole (not shown), it is fixed to the printed circuit board PCB.
Therefore, the contact probe accommodating portion 22C described above is formed by a plurality of small diameter holes 22d and large diameter holes 22b of the upper housing 22, and a plurality of small diameter holes 20d and large diameter holes 20b of the lower housing 20. Become.

本発明に係るコンタクトプローブの第1実施例としてのコンタクトプローブ10aiは、図1(A)および(B)に拡大されて示されるように、半導体装置DV1の電極部DVaに対し選択的に当接する接点部12Apを有するアッパプランジャ12と、プリント配線基板PCBのコンタクトパッドに当接する接点部16Pを有するロアプランジャ16と、アッパプランジャ12とロアプランジャ16とを互いに離隔する方向に付勢する付勢部材(弾性部材)としてのコイルスプリング14とを含んで構成されている。   The contact probe 10ai as the first embodiment of the contact probe according to the present invention selectively contacts the electrode portion DVa of the semiconductor device DV1, as shown in enlarged views in FIGS. An upper plunger 12 having a contact portion 12Ap, a lower plunger 16 having a contact portion 16P that comes into contact with a contact pad of the printed wiring board PCB, and a biasing member that biases the upper plunger 12 and the lower plunger 16 in a direction away from each other. A coil spring 14 as an (elastic member) is included.

第1のプランジャとしてのアッパプランジャ12は、例えば、ベリリウム銅合金で曲げ加工により、段付き円筒状に作られ、接点部12Apが一端に形成される接触端部12Aと、接触端部12Aに連なり後述する被係止部としてのロアプランジャ16の段付部16Aを収容する大径部12Bと、から構成されている。接触端部12Aおよび大径部12Bは、図1(A)に拡大されて示されるように、後述する曲げ加工により形成される合せ目12Sをアッパプランジャ12の中心軸線に沿って有している。接触端部12Aの接点部12Apは、図2(B)に拡大されて示されるように、尖頭状の当接部12Ap1、12Ap2、および、12Ap3を円周方向に沿って120°間隔で開口端周縁に有している。当接部12Ap1および12Ap3は、合せ目12Sの両脇に形成されている。なお、アッパプランジャ12の接触端部12Aの接点部12Apの当接部は、斯かる例に限られることなく、例えば、半導体装置の電極部の形状に応じた平坦面や略半球状の当接部であってもよい。   The upper plunger 12 as the first plunger is formed into a stepped cylindrical shape by bending, for example, with a beryllium copper alloy, and is connected to the contact end portion 12A having a contact portion 12Ap formed at one end and the contact end portion 12A. And a large-diameter portion 12B that accommodates a stepped portion 16A of a lower plunger 16 as a locked portion described later. The contact end portion 12 </ b> A and the large diameter portion 12 </ b> B have a seam 12 </ b> S formed by bending, which will be described later, along the central axis of the upper plunger 12 as shown in an enlarged view in FIG. . The contact portion 12Ap of the contact end portion 12A opens the pointed contact portions 12Ap1, 12Ap2, and 12Ap3 at intervals of 120 ° along the circumferential direction, as shown in an enlarged view in FIG. It has at the end periphery. The contact portions 12Ap1 and 12Ap3 are formed on both sides of the joint 12S. The contact portion of the contact portion 12Ap of the contact end portion 12A of the upper plunger 12 is not limited to such an example. For example, a flat surface or a substantially hemispherical contact according to the shape of the electrode portion of the semiconductor device is used. Part.

図2(A)に拡大されて示されるように、貫通する接触端部12Aの小径孔12aは、貫通する大径部12Bの大径孔12bに連通している。大径部12Bは、合せ目12Sに対し円周方向に沿って略90°となる位置に互いに向き合う係止部としてのだぼ(突起部)12Bdを有している。また、大径部12Bの内径は、ロアプランジャ16の段付部16Aの外径よりも若干大に設定されている。大径部12Bの下方の開口端面には、コイルスプリング14の一端が当接されている。これにより、ロアプランジャ16の段付部16Aは、大径部12Bの内周面に摺動可能に配されるとともに、コイルスプリング14の付勢力に基づき引張られた状態で、一対のだぼ12Bdにより、所定位置に受け止められ係止される。従って、アッパプランジャ12の大径部12Bの開口端部周縁と後述するロアプランジャ16のスプリング受け部16Fとの間に配されるコイルスプリング14は、所定のプリロード(予荷重)を調整することが可能となる。   As shown in an enlarged view in FIG. 2A, the small diameter hole 12a of the penetrating contact end 12A communicates with the large diameter hole 12b of the penetrating large diameter section 12B. The large-diameter portion 12B has dowels (projections) 12Bd as locking portions facing each other at a position that is substantially 90 ° along the circumferential direction with respect to the joint 12S. Further, the inner diameter of the large diameter portion 12B is set to be slightly larger than the outer diameter of the stepped portion 16A of the lower plunger 16. One end of the coil spring 14 is in contact with the opening end surface below the large diameter portion 12B. As a result, the stepped portion 16A of the lower plunger 16 is slidably disposed on the inner peripheral surface of the large diameter portion 12B and is stretched based on the urging force of the coil spring 14 in a pair of dowels 12Bd. Thus, it is received and locked at a predetermined position. Accordingly, the coil spring 14 disposed between the opening end peripheral edge of the large-diameter portion 12B of the upper plunger 12 and a spring receiving portion 16F of the lower plunger 16 described below can adjust a predetermined preload (preload). It becomes possible.

第2のプランジャとしてのロアプランジャ16は、例えば、ベリリウム銅合金でプレス加工(面打ち、コイニング加工を含む)により作られ、図3(A)、(B)、(C)、(D)に拡大されて示されるように、接点部16Pが一端に形成される接触端部16Dと、コイルスプリング14の他端を受け止めるスプリング受け部(以下、フランジ部ともいう)16Fと、接触端部16Dおよびフランジ部16Fと段付部16Aとを連結する小径軸部16Bおよび大径軸部16Cとから構成されている。
段付部16Aは、尖頭状部16Apを一端に有している。この実施例において、段付部16A、接触端部16D、および、大径軸部16Cの直径は、小径軸部16Bの直径よりも大に設定されている。大径軸部16C、小径軸部16Bおよび段付部16Aの直径は、コイルスプリング14の内径よりも若干小に設定されている。接触端部16Dの接点部16Pは、尖頭状部を一端に有している。また、大径軸部16Cの外径とコイルスプリング14の内径との間に若干のクリアランスを設けることによって、大径軸部16Cがコイルスプリング14の芯棒として機能することにより、コイルスプリング14とロアプランジャ16との同心度を高めることができる。
The lower plunger 16 as the second plunger is made of, for example, a beryllium copper alloy by press working (including face punching and coining), and is shown in FIGS. 3 (A), (B), (C), and (D). As shown in an enlarged manner, a contact end portion 16D having a contact portion 16P formed at one end, a spring receiving portion (hereinafter also referred to as a flange portion) 16F that receives the other end of the coil spring 14, a contact end portion 16D, and It is composed of a small diameter shaft portion 16B and a large diameter shaft portion 16C that connect the flange portion 16F and the stepped portion 16A.
The stepped portion 16A has a pointed portion 16Ap at one end. In this embodiment, the diameter of the stepped portion 16A, the contact end portion 16D, and the large diameter shaft portion 16C is set larger than the diameter of the small diameter shaft portion 16B. The diameters of the large-diameter shaft portion 16C, the small-diameter shaft portion 16B, and the stepped portion 16A are set slightly smaller than the inner diameter of the coil spring 14. The contact portion 16P of the contact end portion 16D has a pointed portion at one end. Further, by providing a slight clearance between the outer diameter of the large-diameter shaft portion 16C and the inner diameter of the coil spring 14, the large-diameter shaft portion 16C functions as a core rod of the coil spring 14, so that the coil spring 14 The concentricity with the lower plunger 16 can be increased.

略長方形断面を有するフランジ部16Fの長辺の寸法は、大径軸部16Cの寸法よりも大であってコイルスプリング14の外径と略同一に設定されている。なお、フランジ部16Fの短辺の寸法は、大径軸部16Cの寸法よりも小に設定されてもよい。   The dimension of the long side of the flange portion 16F having a substantially rectangular cross section is set to be substantially the same as the outer diameter of the coil spring 14 and larger than the dimension of the large diameter shaft portion 16C. In addition, the dimension of the short side of the flange part 16F may be set smaller than the dimension of the large diameter shaft part 16C.

上述のアッパプランジャ12を曲げ加工により成形するにあたっては、例えば、図7(A)に示されるように、先ず、アッパプランジャ12の全体形状に対応した薄板状のブランク32が用意される。ブランク32は、接触端部12Aに対応した部分32Aと、大径部12Bに対応した部分32Bとからなる。部分32Aの先端は、接点部12Apの当接部12Ap1、12Ap2、および、12Ap3に対応した凹凸部32Pを有している。部分32Aの凹凸部32Pに対し直交する一対の端面(側面)32Aeは、合せ目12Sの一部を形成するものとされる。また、部分32Bにおける一対の端面32Aeに連なる一対の端面32Beも、その合せ目12Sの残部を形成するものとされる。部分32Bは、アッパプランジャ12における一対のだぼ12Bdに対応した位置に、所定の相互間隔をもってだぼ32Bdを有している。次に、ブランク32は、例えば、プレス加工(面打ち、コイニング加工を含む)やロールベンダー等により、図7(B)および(C)に示されるように、丸められることにより、アッパプランジャ12が得られる。   In forming the above-described upper plunger 12 by bending, for example, as shown in FIG. 7A, first, a thin plate-like blank 32 corresponding to the overall shape of the upper plunger 12 is prepared. The blank 32 includes a portion 32A corresponding to the contact end portion 12A and a portion 32B corresponding to the large diameter portion 12B. The tip of the portion 32A has an uneven portion 32P corresponding to the contact portions 12Ap1, 12Ap2, and 12Ap3 of the contact portion 12Ap. A pair of end surfaces (side surfaces) 32Ae orthogonal to the concavo-convex portion 32P of the portion 32A form a part of the joint 12S. Further, the pair of end surfaces 32Be connected to the pair of end surfaces 32Ae in the portion 32B also form the remaining portion of the joint 12S. The portion 32B has a dowel 32Bd at a position corresponding to the pair of dowels 12Bd in the upper plunger 12 with a predetermined mutual interval. Next, as shown in FIGS. 7B and 7C, the blank 32 is rounded by, for example, pressing (including face punching and coining), a roll bender, etc. can get.

さらに、アッパプランジャ12、コイルスプリング14、および、ロアプランジャ16を互いに組み付けるにあたっては、先ず、ロアプランジャ16の小径軸部16Bおよび大径軸部16Cがコイルスプリング14内に挿入された後、図8(A)および(B)に示される矢印の示す方向に、ロアプランジャ16の段付部16Aがアッパプランジャ12の大径部12Bの大径孔12bに挿入される。なお、図8(A)、(B),図9(A)、(B)、図10(A)、(B)においては、コイルスプリング14が省略されている。   Further, in assembling the upper plunger 12, the coil spring 14, and the lower plunger 16, first, after the small diameter shaft portion 16B and the large diameter shaft portion 16C of the lower plunger 16 are inserted into the coil spring 14, FIG. The stepped portion 16A of the lower plunger 16 is inserted into the large-diameter hole 12b of the large-diameter portion 12B of the upper plunger 12 in the direction indicated by the arrows shown in (A) and (B). In addition, the coil spring 14 is abbreviate | omitted in FIG. 8 (A), (B), FIG. 9 (A), (B), FIG. 10 (A), (B).

次に、ロアプランジャ16の段付部16Aが、さらにアッパプランジャ12の一対のだぼ12Bd相互間にアッパプランジャ12の弾性力およびコイルスプリング14の付勢力に抗して押し込まれる。これにより、図9(A)および(B)に示されるように、合せ目12Sを形成する一対の端面が互いに離隔するのでアッパプランジャ12の合せ目12Sに所定の隙間CLが形成される。そして、ロアプランジャ16の段付部16Aが、一対のだぼ12Bd相互間を通過しさらに大径孔12bに押し込まれることにより、図10(A)および(B)に示されるように、アッパプランジャ12の復元力により一対の端面が互いに近接するのでアッパプランジャ12の合せ目12Sが初期状態に戻される。これにより、図1(B)に示されるように、ロアプランジャ16の段付部16Aが、アッパプランジャ12の一対のだぼ12Bdに係止されることとなる。従って、アッパプランジャ12、コイルスプリング14、および、ロアプランジャ16が互いに容易に組み付けられることにより、コンタクトプローブ10aiの組み立てが完了する。   Next, the stepped portion 16 </ b> A of the lower plunger 16 is pushed against the elastic force of the upper plunger 12 and the biasing force of the coil spring 14 between the pair of dowels 12 </ b> Bd of the upper plunger 12. Accordingly, as shown in FIGS. 9A and 9B, the pair of end surfaces forming the joint 12S are separated from each other, so that a predetermined gap CL is formed in the joint 12S of the upper plunger 12. Then, when the stepped portion 16A of the lower plunger 16 passes between the pair of dowels 12Bd and is further pushed into the large-diameter hole 12b, as shown in FIGS. 10A and 10B, the upper plunger Since the pair of end faces approach each other due to the restoring force of 12, the joint 12S of the upper plunger 12 is returned to the initial state. Thereby, as shown in FIG. 1B, the stepped portion 16 </ b> A of the lower plunger 16 is locked to the pair of dowels 12 </ b> Bd of the upper plunger 12. Therefore, the assembly of the contact probe 10ai is completed when the upper plunger 12, the coil spring 14, and the lower plunger 16 are easily assembled together.

図11は、本発明に係るコンタクトプローブの第2実施例の構成を示す。   FIG. 11 shows the configuration of a second embodiment of the contact probe according to the present invention.

図1(A)および(B)に示されるコンタクトプローブ10aiのアッパプランジャ12がだぼ12Bdを有し、ロアプランジャ16が、プレス加工(コイニング加工)により作られるものであるのに対し、一方、図11に示されるコンタクトプローブ40aiのアッパプランジャ42が切り込み(以下、ランスともいう)42Bdを有し、ロアプランジャ46は、板材を曲げ加工で丸めることにより棒状に成形するものとされる。なお、図11において、図1(A)および(B)に示される例における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付して示し、その重複説明を省略する。   Whereas the upper plunger 12 of the contact probe 10ai shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B) has a dowel 12Bd and the lower plunger 16 is made by pressing (coining), The upper plunger 42 of the contact probe 40ai shown in FIG. 11 has a cut (hereinafter also referred to as a lance) 42Bd, and the lower plunger 46 is formed into a rod shape by rounding a plate material by bending. In FIG. 11, the same components as those in the example shown in FIGS. 1A and 1B are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.

コンタクトプローブ40aiは、半導体装置DV1の電極部DVaに対し選択的に当接する接点部42Apを有するアッパプランジャ42と、プリント配線基板PCBのコンタクトパッドに当接する接点部46Pを有するロアプランジャ46と、アッパプランジャ42とロアプランジャ46とを互いに離隔する方向に付勢する弾性部材としてのコイルスプリング14とを含んで構成されている。   The contact probe 40ai includes an upper plunger 42 having a contact portion 42Ap that selectively contacts the electrode portion DVa of the semiconductor device DV1, a lower plunger 46 having a contact portion 46P that contacts a contact pad of the printed circuit board PCB, and an upper The coil spring 14 is configured as an elastic member that biases the plunger 42 and the lower plunger 46 in a direction in which they are separated from each other.

第1のプランジャとしてのアッパプランジャ42は、図12に拡大されて示されるように、例えば、ベリリウム銅合金で曲げ加工により、段付き円筒状に作られ、接点部42Apが一端に形成される接触端部42Aと、接触端部42Aに連なり後述する被係止部としてのロアプランジャ46の段付部46Aを収容する大径部42Bと、から構成されている。接触端部42Aおよび大径部42Bは、図13(C)に示されるように、曲げ加工により形成される合せ目42Sをアッパプランジャ42の中心軸線に沿って有している。接触端部42Aの接点部42Apは、図13(D)に示されるように、尖頭状の当接部42Ap1、42Ap2、および、42Ap3を円周方向に沿って120°間隔で開口端周縁に有している。当接部42Ap1および42Ap3は、合せ目42Sの両脇に形成されている。貫通する接触端部42Aの小径孔42aは、貫通する大径部42Bの大径孔42bに連通している。   The upper plunger 42 as the first plunger is formed into a stepped cylindrical shape by bending, for example, with a beryllium copper alloy as shown in FIG. 12, and a contact portion 42Ap is formed at one end. It comprises an end portion 42A and a large-diameter portion 42B that is connected to the contact end portion 42A and accommodates a stepped portion 46A of a lower plunger 46 as a locked portion described later. As shown in FIG. 13C, the contact end portion 42A and the large diameter portion 42B have a seam 42S formed by bending along the central axis of the upper plunger 42. As shown in FIG. 13 (D), the contact portion 42Ap of the contact end portion 42A has a pointed contact portion 42Ap1, 42Ap2, and 42Ap3 on the periphery of the opening end at intervals of 120 ° along the circumferential direction. Have. The contact portions 42Ap1 and 42Ap3 are formed on both sides of the joint 42S. The small diameter hole 42a of the contact end portion 42A that penetrates communicates with the large diameter hole 42b of the large diameter portion 42B that penetrates.

大径部42Bは、図12および図13(B)に示されるように、合せ目42Sに対し円周方向に沿って略90°となる位置に互いに向き合う係止部としてのランス42Bdを有している。また、大径部42Bの内径は、ロアプランジャ46の段付部46Aの外径よりも若干大に設定されている。大径部42Bの下方の開口端面には、コイルスプリング14の一端が当接されている。これにより、ロアプランジャ46の段付部46Aは、大径部42Bの内周面に摺動可能に配されるとともに、コイルスプリング14の付勢力に基づき引張られた状態で、一対のランス42Bdの係止端42Beにより、所定位置に受け止められ係止される。従って、アッパプランジャ42の大径部42Bの開口端面と後述するロアプランジャ46のスプリング受け部46Fとの間に配されるコイルスプリング14は、所定のプリロード(予荷重)を調整することが可能となる。   As shown in FIGS. 12 and 13B, the large-diameter portion 42B has a lance 42Bd as a locking portion that faces each other at a position that is approximately 90 ° along the circumferential direction with respect to the joint 42S. ing. Further, the inner diameter of the large diameter portion 42B is set to be slightly larger than the outer diameter of the stepped portion 46A of the lower plunger 46. One end of the coil spring 14 is in contact with the opening end surface below the large diameter portion 42B. As a result, the stepped portion 46A of the lower plunger 46 is slidably disposed on the inner peripheral surface of the large diameter portion 42B, and in a state of being pulled based on the urging force of the coil spring 14, the pair of lances 42Bd The locking end 42Be is received and locked at a predetermined position. Accordingly, the coil spring 14 disposed between the opening end surface of the large-diameter portion 42B of the upper plunger 42 and a spring receiving portion 46F of the lower plunger 46 described later can adjust a predetermined preload (preload). Become.

第2のプランジャとしてのロアプランジャ46は、例えば、ベリリウム銅合金でプレス加工(面打ち、コイニング加工を含む)により円筒状に丸められて作られ、図14(A)、(B)、(C)、(D)に拡大されて示されるように、接点部46Pが一端に形成される接触端部46Dと、コイルスプリング14の他端を受け止めるスプリング受け部(以下、フランジ部ともいう)46Fと、接触端部46Dおよびフランジ部46Fと段付部46Aとを連結する軸部46Bとから構成されている。   The lower plunger 46 as the second plunger is made of, for example, a beryllium copper alloy that is rounded into a cylindrical shape by pressing (including face punching and coining), and FIGS. 14A, 14B, 14C. ) And (D), as shown in an enlarged view, a contact end portion 46D where the contact portion 46P is formed at one end, and a spring receiving portion (hereinafter also referred to as a flange portion) 46F that receives the other end of the coil spring 14. The contact end portion 46D, the flange portion 46F, and the shaft portion 46B that connects the stepped portion 46A.

接触端部46Dの直径は、フランジ部46Fの直径よりも小に設定されている。段付部46Aおよび軸部46Bの直径は、コイルスプリング14の内径よりも若干小に設定されている。接触端部46Dの接点部46Pは、略半球状の形状を有している。段付部46Aは、先端に略半球状の形状を有している。フランジ部46Fの直径は、コイルスプリング14の外径と略同一に設定されている。フランジ部46Fおよび接触端部46Dの内側には、軸部46Bの軸孔46bに連通する空洞46CAが形成されている。また、軸部46Bの一部の外径をコイルスプリング14の内径と略同一に設定することによって、その一部がコイルスプリング14の芯棒として機能することにより、コイルスプリング14とロアプランジャ46との同心度を高めることができる。   The diameter of the contact end portion 46D is set smaller than the diameter of the flange portion 46F. The diameters of the stepped portion 46 </ b> A and the shaft portion 46 </ b> B are set slightly smaller than the inner diameter of the coil spring 14. The contact portion 46P of the contact end portion 46D has a substantially hemispherical shape. The stepped portion 46A has a substantially hemispherical shape at the tip. The diameter of the flange portion 46F is set to be approximately the same as the outer diameter of the coil spring 14. A cavity 46CA communicating with the shaft hole 46b of the shaft portion 46B is formed inside the flange portion 46F and the contact end portion 46D. Further, by setting the outer diameter of a part of the shaft portion 46B to be substantially the same as the inner diameter of the coil spring 14, a part of the shaft part 46B functions as a core rod of the coil spring 14, so that the coil spring 14 and the lower plunger 46 Can increase the degree of concentricity.

なお、接触端部46Dの接点部の形状は、斯かる例に限られることなく、例えば、尖頭状の3個の当接部を円周方向に沿って120°間隔で開口端周縁に有するものであってもよい。   The shape of the contact portion of the contact end portion 46D is not limited to such an example. For example, the contact end portion 46D has three pointed contact portions on the periphery of the opening end at intervals of 120 ° along the circumferential direction. It may be a thing.

さらにまた、図15(A)および(B)に示されるように、本発明に係るコンタクトプローブの第3実施例としてコンタクトプローブ50aiが、半導体装置DV1の電極部DVaに対し選択的に当接する接点部42Apを有するアッパプランジャ42と(図12参照)、プリント配線基板PCBのコンタクトパッドに当接する接点部16Pを有するロアプランジャ16と(図3(A)〜(D)参照)、アッパプランジャ42とロアプランジャ16とを互いに離隔する方向に付勢する弾性部材としてのコイルスプリング14とを含んで構成されてもよい。   Furthermore, as shown in FIGS. 15A and 15B, as a third embodiment of the contact probe according to the present invention, the contact probe 50ai selectively contacts the electrode portion DVa of the semiconductor device DV1. An upper plunger 42 having a portion 42Ap (see FIG. 12), a lower plunger 16 having a contact portion 16P that contacts the contact pad of the printed circuit board PCB (see FIGS. 3A to 3D), and an upper plunger 42. A coil spring 14 as an elastic member that urges the lower plunger 16 in a direction away from each other may be included.

斯かる構成において、アッパプランジャ42、コイルスプリング14、および、ロアプランジャ16を互いに組み付けるにあたっては、図15(A)および(B)に示されるように、先ず、ロアプランジャ16の小径軸部16Bおよび大径軸部16Cがコイルスプリング14内に挿入された後、図15(A)および(B)に示される矢印の示す方向に、ロアプランジャ16の段付部16Aがアッパプランジャ42の大径部42Bの大径孔42bに挿入される。なお、図15(A)、(B),図16(A)、(B)、図17(A)、(B)においては、コイルスプリング14が省略されている。   In such a configuration, in assembling the upper plunger 42, the coil spring 14, and the lower plunger 16 with each other, as shown in FIGS. 15A and 15B, first, the small-diameter shaft portion 16B of the lower plunger 16 and After the large-diameter shaft portion 16C is inserted into the coil spring 14, the stepped portion 16A of the lower plunger 16 is connected to the large-diameter portion of the upper plunger 42 in the direction indicated by the arrows shown in FIGS. 42B is inserted into the large-diameter hole 42b. In addition, the coil spring 14 is abbreviate | omitted in FIG. 15 (A), (B), FIG. 16 (A), (B), FIG. 17 (A), (B).

次に、ロアプランジャ16の段付部16Aが、さらにアッパプランジャ42の一対のランス42Bd相互間にランス42Bdの弾性力およびコイルスプリング14の付勢力に抗して押し込まれる。これにより、図16(A)および(B)に示されるように、一対のランス42Bdが互いに離隔する方向に押し広げられる。そして、ロアプランジャ16の段付部16Aが、一対のランス42Bd相互間を通過しさらに大径孔42bに押し込まれることにより、図17(A)および(B)に示されるように、ランス42Bdの復元力により一対のランス42Bdが互いに近接するので一対のランス42Bdが初期状態に戻される。これにより、図17(B)に示されるように、ロアプランジャ16の段付部16Aが、アッパプランジャ42の一対のランス42Bdの係止端42Beに係止されることとなる。従って、アッパプランジャ42、コイルスプリング14、および、ロアプランジャ16が互いに容易に組み付けられることにより、コンタクトプローブ50aiの組み立てが完了する。   Next, the stepped portion 16 </ b> A of the lower plunger 16 is further pushed between the pair of lances 42 </ b> Bd of the upper plunger 42 against the elastic force of the lance 42 </ b> Bd and the biasing force of the coil spring 14. As a result, as shown in FIGS. 16A and 16B, the pair of lances 42Bd are pushed apart in a direction away from each other. Then, when the stepped portion 16A of the lower plunger 16 passes between the pair of lances 42Bd and is further pushed into the large-diameter hole 42b, as shown in FIGS. 17 (A) and 17 (B), the lance 42Bd Since the pair of lances 42Bd approach each other due to the restoring force, the pair of lances 42Bd is returned to the initial state. Thus, as shown in FIG. 17B, the stepped portion 16A of the lower plunger 16 is locked to the locking ends 42Be of the pair of lances 42Bd of the upper plunger 42. Therefore, the assembly of the contact probe 50ai is completed when the upper plunger 42, the coil spring 14, and the lower plunger 16 are easily assembled together.

図18は、本発明に係るコンタクトプローブの第4実施例の構成を示す。   FIG. 18 shows the configuration of a fourth embodiment of the contact probe according to the present invention.

図18に拡大されて示されるように、コンタクトプローブ60aiは、半導体装置DV1の電極部DVaに対し選択的に当接する接点部12Apを有するアッパプランジャ12と、プリント配線基板PCBのコンタクトパッドに当接する接触端部56Pを有するロアプランジャ56と、アッパプランジャ12とロアプランジャ56とを互いに離隔する方向に付勢する付勢部材(弾性部材)としてのコイルスプリング14とを含んで構成されている。なお、図18において、図1(B)に示される例における構成要素と同一の構成要素について同一の符号を付して示し。その重複説明を省略する。   As shown in an enlarged view in FIG. 18, the contact probe 60ai contacts the upper plunger 12 having the contact portion 12Ap that selectively contacts the electrode portion DVa of the semiconductor device DV1 and the contact pad of the printed wiring board PCB. The lower plunger 56 having the contact end portion 56P, and the coil spring 14 as an urging member (elastic member) that urges the upper plunger 12 and the lower plunger 56 in a direction away from each other are configured. In FIG. 18, the same components as those in the example shown in FIG. 1B are denoted by the same reference numerals. The duplicate description is omitted.

第2のプランジャとしてのロアプランジャ56は、例えば、ベリリウム銅合金で切削加工(機械加工)により作られている。ロアプランジャ56は、接点部56Pcが一端に形成される接触端部56Pと、コイルスプリング14の他端を受け止めるスプリング受け部(以下、フランジ部ともいう)56Fと、接触端部56Pおよびフランジ部56Fと段付部56Aとを連結する軸部56Bとから構成されている。   The lower plunger 56 as the second plunger is made of a beryllium copper alloy by cutting (machining), for example. The lower plunger 56 includes a contact end portion 56P having a contact portion 56Pc formed at one end thereof, a spring receiving portion (hereinafter also referred to as a flange portion) 56F that receives the other end of the coil spring 14, and a contact end portion 56P and a flange portion 56F. And a shaft portion 56B that connects the stepped portion 56A.

接触端部56Pの直径は、フランジ部56Fの直径よりも小に設定されている。段付部56Aおよび軸部56Bの直径は、コイルスプリング14の内径よりも若干小に設定されている。接触端部56Pの接点部56Pcは、円錐状の形状を有している。段付部56Aは、図19(A)および(B)に示されるように、円錐状の先端部56Apを有している。フランジ部56Fの直径は、コイルスプリング14の外径と略同一に設定されている。また、軸部56Bの一部の外径をコイルスプリング14の内径と略同一に設定することによって、その一部がコイルスプリング14の芯棒として機能することにより、コイルスプリング14とロアプランジャ56との同心度を高めることができる。   The diameter of the contact end portion 56P is set smaller than the diameter of the flange portion 56F. The diameters of the stepped portion 56 </ b> A and the shaft portion 56 </ b> B are set slightly smaller than the inner diameter of the coil spring 14. The contact portion 56Pc of the contact end portion 56P has a conical shape. As shown in FIGS. 19A and 19B, the stepped portion 56A has a conical tip portion 56Ap. The diameter of the flange portion 56F is set to be approximately the same as the outer diameter of the coil spring 14. Further, by setting the outer diameter of a part of the shaft portion 56B to be substantially the same as the inner diameter of the coil spring 14, a part of the shaft part 56B functions as a core rod of the coil spring 14, so that the coil spring 14 and the lower plunger 56 Can increase the degree of concentricity.

なお、接触端部56Pの接点部は、斯かる例に限られることなく、例えば、半導体装置の電極部の形状に応じた平坦な接点部や略半球状の接点部を有しても良く、あるいは、尖頭状の3個の当接部を円周方向に沿って120°間隔で有するものであってもよい。   The contact portion of the contact end portion 56P is not limited to such an example. For example, the contact end portion 56P may have a flat contact portion or a substantially hemispherical contact portion according to the shape of the electrode portion of the semiconductor device. Alternatively, it may have three pointed contact portions at 120 ° intervals along the circumferential direction.

なお、上述の各実施例においては、第1のプランジャとしてのアッパプランジャの接触端部、および、第2のプランジャとしてのロアプランジャの接触端部の接点部が、それぞれ、半導体装置DV1の電極部DVa、プリント配線基板PCBのコンタクトパッドに対し当接するように構成されているが、必ずしもこのようになされる必要がなく、例えば、第1のプランジャとしてのアッパプランジャの接触端部の接点部がプリント配線基板PCBのコンタクトパッドに対し当接し、第2のプランジャとしてのロアプランジャの接触端部の接点部が、半導体装置DV1の電極部DVaに当接するように構成されてもよい。また、コンタクトプローブにおいて、上述のアッパプランジャ12とロアプランジャ46とを組み合わせる事、および、アッパプランジャ42とロアプランジャ56とを組み合わせる事も可能である。さらに、上述の例においては、本発明に係るコンタクトプローブの各実施例が半導体装置用ソケットに適用されているが、斯かる例に限られることなく、例えば、本発明に係るコンタクトプローブの各実施例が、電気接続コネクタ等の他の電子機器に適用されてもよいことは勿論である。   In each of the above-described embodiments, the contact end portion of the upper plunger as the first plunger and the contact portion of the contact end portion of the lower plunger as the second plunger are the electrode portions of the semiconductor device DV1, respectively. Although it is configured to abut against the contact pads of the DVa and the printed wiring board PCB, it is not always necessary to do so. For example, the contact portion of the contact end portion of the upper plunger as the first plunger is printed. The contact portion of the lower plunger as the second plunger may be in contact with the contact pad of the wiring board PCB, and may be configured to contact the electrode portion DVa of the semiconductor device DV1. Further, in the contact probe, the above-described upper plunger 12 and the lower plunger 46 can be combined, and the upper plunger 42 and the lower plunger 56 can be combined. Furthermore, in the above-described example, each embodiment of the contact probe according to the present invention is applied to a socket for a semiconductor device. However, the present invention is not limited to such an example. For example, each embodiment of the contact probe according to the present invention is described. It goes without saying that the example may be applied to other electronic devices such as an electrical connection connector.

10ai、40ai、50ai、60ai コンタクトプローブ
12、42 アッパプランジャ
12S 合せ目
12Bd だぼ
14 コイルスプリング
16、46、56 ロアプランジャ
32 ブランク
42Bd ランス
10ai, 40ai, 50ai, 60ai Contact probe 12, 42 Upper plunger 12S Joint 12Bd Dowel 14 Coil spring 16, 46, 56 Lower plunger 32 Blank 42Bd Lance

Claims (8)

一方の電極部に当接する接点部を有する接触端子部と、弾性変位可能な少なくとも1つの係止部を有する段付円筒状の第1のプランジャと、
前記一方の電極部に向き合う他方の電極部に当接する接点部を有する接触端子部と、前記第1のプランジャの内周部に押し込まれ前記係止部に係止される被係止部とを有する第2のプランジャと、
所定の圧縮量をもって保持された状態で前記第1のプランジャの円筒状部の端部と前記第2のプランジャの接触端子部との間に配され、該第1のプランジャおよび第2のプランジャを互いに離隔する方向に付勢する付勢部材と、を具備して構成されるコンタクトプローブ。
A contact terminal portion having a contact portion that comes into contact with one of the electrode portions; a stepped cylindrical first plunger having at least one locking portion that can be elastically displaced;
A contact terminal portion having a contact portion that contacts the other electrode portion facing the one electrode portion; and a locked portion that is pushed into the inner peripheral portion of the first plunger and locked to the locking portion. A second plunger having;
The first plunger and the second plunger are arranged between an end portion of the cylindrical portion of the first plunger and a contact terminal portion of the second plunger in a state where the first plunger and the second plunger are held with a predetermined compression amount. A contact probe configured to be biased in a direction away from each other.
前記段付円筒状の第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離が、前記第2のプランジャの被係止部の外径よりも小であり、該第2のプランジャの被係止部が第1のプランジャの一対の係止部の相互間に押し込められる場合、第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離が弾性力に抗して前記第2のプランジャの被係止部の外径よりも大となった後、前記第2のプランジャの被係止部が前記第1のプランジャの一対の係止部に保持されることを特徴とする請求項1記載のコンタクトプローブ。   The distance between the pair of locking portions of the stepped cylindrical first plunger is smaller than the outer diameter of the locked portion of the second plunger, and the locked position of the second plunger When the portion is pushed between the pair of locking portions of the first plunger, the distance between the pair of locking portions of the first plunger resists the elastic force and the second plunger is locked. 2. The contact probe according to claim 1, wherein after the outer diameter of the first portion becomes larger, the locked portion of the second plunger is held by the pair of locking portions of the first plunger. . 前記第1のプランジャの係止部は、合せ目を有する前記段付円筒状の第1のプランジャの円筒状部内に突出した突起部であることを特徴とする請求項1記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the locking portion of the first plunger is a protrusion protruding into the cylindrical portion of the stepped cylindrical first plunger having a seam. 前記第1のプランジャの係止部は、合せ目を有する前記段付円筒状の第1のプランジャの円筒状部内に突出したランスであることを特徴とする請求項1記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the locking portion of the first plunger is a lance protruding into the cylindrical portion of the stepped cylindrical first plunger having a seam. 前記第2のプランジャの被係止部の外径は、前記段付円筒状の第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離よりも大に形成され、かつ、該第1のプランジャの円筒状部の内径よりも小に形成されるとともに、前記第2のプランジャの被係止部に連なる軸部の外径は、前記第1のプランジャの一対の係止部の相互間距離よりも小に形成されることを特徴とする請求項2記載のコンタクトプローブ。   The outer diameter of the locked portion of the second plunger is formed larger than the distance between the pair of locking portions of the stepped cylindrical first plunger, and the first plunger The outer diameter of the shaft portion connected to the locked portion of the second plunger is smaller than the distance between the pair of locking portions of the first plunger. The contact probe according to claim 2, wherein the contact probe is formed small. 前記第2のプランジャは、コイニング加工工程を含むプレス加工により形成されることを特徴とする請求項5記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 5, wherein the second plunger is formed by press working including a coining process. 前記合せ目を有する前記段付円筒状の第1のプランジャは、薄板状のブランクの両端面を互いに向き合うように筒状に成形されたものであることを特徴とする請求項3または請求項4記載のコンタクトプローブ。   5. The stepped cylindrical first plunger having the seam is formed in a cylindrical shape so that both end faces of a thin plate-like blank face each other. Contact probe as described. 複数個の請求項1記載のコンタクトプローブと、
前記複数個のコンタクトプローブを収容するコンタクトプローブ収容部と、前記コンタクトプローブの第1のプランジャまたは第2のプランジャの接点部が当接する電極部を複数個有する半導体装置を着脱可能に収容する半導体装置載置部と、を有し、前記コンタクトプローブと電気的に接続される配線基板上に配されるハウジングと、
を具備して構成される半導体装置用ソケット。
A plurality of contact probes according to claim 1;
A semiconductor device that detachably accommodates a semiconductor device having a plurality of contact probe accommodating portions that accommodate the plurality of contact probes and a plurality of electrode portions that contact the contact portions of the first plunger or the second plunger of the contact probes. A housing that is disposed on a wiring board that is electrically connected to the contact probe;
A socket for a semiconductor device comprising:
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