[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2019117818A - Mounting substrate, light emitting device, and manufacturing method of light emitting device - Google Patents

Mounting substrate, light emitting device, and manufacturing method of light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2019117818A
JP2019117818A JP2017249707A JP2017249707A JP2019117818A JP 2019117818 A JP2019117818 A JP 2019117818A JP 2017249707 A JP2017249707 A JP 2017249707A JP 2017249707 A JP2017249707 A JP 2017249707A JP 2019117818 A JP2019117818 A JP 2019117818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
mounting portion
mounting
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017249707A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7193698B2 (en
Inventor
池田 智宏
Tomohiro Ikeda
智宏 池田
陽介 中山
Yosuke Nakayama
陽介 中山
陽平 稲吉
Yohei Inayoshi
陽平 稲吉
勝又 雅昭
Masaaki Katsumata
雅昭 勝又
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2017249707A priority Critical patent/JP7193698B2/en
Publication of JP2019117818A publication Critical patent/JP2019117818A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7193698B2 publication Critical patent/JP7193698B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

To provide a mounting substrate, a light emitting device, and a manufacturing method of a light emitting device which are excellent in light extraction efficiency.SOLUTION: A mounting substrate 11 includes a metal plate 1 having a mounting region E1 including a bottom surface 2 and a plurality of convex light emitting element mounting portions 3 extending from the bottom surface 2 and mounting a light emitting element 30, a reflective material 10 covering at least the bottom surface 2 and the entire side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 in the mounting region E1, and a circuit board 20 laminated on the metal plate 1 so that the mounting region E1 of the metal plate 1 is exposed in an opening 25 formed so as to surround the mounting region E1, and the reflectance of the reflective material 10 is higher than the reflectance of the metal plate 1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、実装基板、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present disclosure relates to a mounting substrate, a light emitting device, and a method of manufacturing the light emitting device.

近年、高輝度、高出力の発光素子が開発され、例えば、放熱基板に直接LEDチップを実装するCOB(チップオンボード)タイプのLED装置(以下、発光装置という)が多数提案されている。この発光装置は、例えば、放熱基板にサブマウント構造によりLEDチップを実装することで光取出し効率を高める構造が開示されている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, light emitting elements with high brightness and high output have been developed, and for example, many COB (chip on board) type LED devices (hereinafter referred to as light emitting devices) have been proposed in which LED chips are mounted directly on a heat dissipation substrate. In this light emitting device, for example, a structure is disclosed in which the light extraction efficiency is enhanced by mounting an LED chip on a heat dissipation substrate with a submount structure (see, for example, Patent Document 1).

また、他の例として、発光装置は、凸形状に形成した金属板のLED素子実装部にLED素子を実装し、LED素子実装部の周辺に形成した溝の内部に高反射性インクを充填した構成が開示されている(例えば、特許文献2参照)。   As another example, in the light emitting device, the LED element is mounted on the LED element mounting portion of the convexly formed metal plate, and the inside of the groove formed around the LED element mounting portion is filled with high reflective ink A configuration is disclosed (see, for example, Patent Document 2).

特開2016−111179号公報JP, 2016-111179, A 特開2016−207757号公報JP, 2016-207757, A

しかし、特許文献1の発光装置は、発光素子からの熱がサブマウント材料を介してアルミ板に伝導することになるため、放熱特性が損なわれるおそれがある。また、発光素子と同数のサブマウントを実装する必要があるため、実装に関わる工数が増加している。
さらに、特許文献2の発光装置は、凸形状に形成したLED素子実装部の周囲に溝を形成して高反射性インクを充填しているため、溝に充填した高反射性インクがLED素子実装部に付着し易く、LED素子の実装不良の原因となりやすい。また、LED素子の下面とLED素子実装部の上面との大きさの関係や、LED素子と高反射性インクとの距離との関係が特定されていないため、さらなる光取出し効率が望まれている。
However, in the light emitting device of Patent Document 1, the heat from the light emitting element is conducted to the aluminum plate through the submount material, and thus the heat dissipation characteristics may be impaired. In addition, since it is necessary to mount the same number of submounts as the number of light emitting elements, the number of steps involved in mounting has increased.
Furthermore, in the light emitting device of Patent Document 2, since the groove is formed around the LED element mounting portion formed in a convex shape to be filled with the highly reflective ink, the highly reflective ink filled in the groove is the LED element mounted It easily adheres to parts and tends to cause mounting defects of LED elements. Further, since the relationship between the size of the lower surface of the LED element and the upper surface of the LED element mounting portion and the relationship between the distance between the LED element and the highly reflective ink are not specified, further light extraction efficiency is desired. .

そこで、本開示に係る実施形態は、光取出し効率に優れる実装基板、発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを課題とする。   Therefore, an embodiment according to the present disclosure is to provide a mounting substrate, a light emitting device, and a method of manufacturing the light emitting device, which are excellent in light extraction efficiency.

本実施形態に係る実装基板は、底面と、前記底面から延びて発光素子を実装する複数の凸状の発光素子実装部と、を含む実装領域を有する金属板と、前記実装領域において、少なくとも、前記底面と、前記凸状の発光素子実装部の側面の全面と、を覆う反射材料と、前記実装領域を囲むように形成した開口に前記金属板の実装領域が露出するように前記金属板に積層される回路基板と、を備え、前記反射材料の反射率は、前記金属板の反射率よりも高い。
また、本実施形態に係る発光装置は、前記実装基板と、前記実装基板の発光素子実装部に実装される発光素子とを備える。
The mounting substrate according to the present embodiment includes at least a metal plate having a mounting area including a bottom surface and a plurality of convex light emitting element mounting portions extending from the bottom surface and mounting the light emitting element; A reflective material that covers the bottom surface and the entire side surface of the convex light emitting element mounting portion, and the metal plate so that the mounting area of the metal plate is exposed in an opening formed to surround the mounting area And a circuit board to be laminated, wherein the reflectance of the reflective material is higher than the reflectance of the metal plate.
The light emitting device according to the present embodiment includes the mounting substrate and a light emitting element mounted on a light emitting element mounting portion of the mounting substrate.

さらに、本実施形態に係る発光装置の製造方法は、底面と、前記底面から延びる発光素子を実装する複数の凸状の発光素子実装部と、を含む実装領域を有する金属板と、前記実装領域を囲むように形成した開口を持つ回路基板と、を準備する工程と、前記発光素子実装部を形成した実装領域を露出するように前記回路基板を前記金属板に積層する工程と、前記発光素子実装部の上面より下方に反射面の上面が位置するように前記実装領域の底面、及び、前記発光素子実装部の側面の全面に反射材料を設ける工程と、前記発光素子実装部の上面のそれぞれに発光素子を実装する工程と、前記発光素子と前記回路基板とをワイヤにより電気的な接続を行う工程と、を含み、前記発光素子実装部の上面の面積は、前記発光素子の底面の面積よりも小さく、前記反射材料の反射率は、前記金属板の反射率よりも高い。   Furthermore, in the method of manufacturing a light emitting device according to the present embodiment, a metal plate having a mounting area including a bottom surface and a plurality of convex light emitting element mounting portions mounting the light emitting element extending from the bottom surface; Preparing a circuit board having an opening formed to surround the light emitting element mounting portion, laminating the circuit board on the metal plate to expose a mounting region in which the light emitting element mounting portion is formed, and the light emitting element A step of providing a reflective material on the bottom surface of the mounting area and the entire side surface of the light emitting element mounting portion such that the upper surface of the reflecting surface is located below the top surface of the mounting portion; Mounting the light emitting element, and electrically connecting the light emitting element and the circuit board with a wire, and the area of the top surface of the light emitting element mounting portion is the area of the bottom of the light emitting element Less than Ku, the reflectivity of the reflective material is higher than the reflectance of the metal plate.

本実施形態に係る実装基板及び発光装置は、光取出し効率を向上することができる。また、本実施形態に係る発光装置の製造方法は、光取出し効率を向上する発光装置を提供できる。   The mounting substrate and the light emitting device according to the present embodiment can improve the light extraction efficiency. Moreover, the manufacturing method of the light emitting device according to the present embodiment can provide the light emitting device which improves the light extraction efficiency.

実施形態に係る実装基板を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically the mounting board concerning an embodiment. 実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the light-emitting device concerning embodiment typically. 実施形態に係る実装基板及び発光装置を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the mounted substrate and light-emitting device which concern on embodiment. 図3のIV−IV線における断面図である。It is sectional drawing in the IV-IV line of FIG. 図3のV領域を拡大して模式的に示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which expands the V area | region of FIG. 3, and is shown typically. 図5のVI-VI線における断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 5; 図5のVII-VII線における断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII of FIG. 5; 実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において準備工程で用いられる回路基板集合体を一部省略して模式的に示す平面図である。It is a top view which omits a part of circuit board aggregate used at a preparation process in a manufacturing method of a light emitting device concerning an embodiment, and is shown typically. 実施形態に係る発光装置の製造方法において準備工程で用いられる金属板集合体の一部を省略して模式的に示す平面図である。It is a top view which omits and shows a part of metal plate aggregate used at a preparatory process in a manufacturing method of a light emitting device concerning an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体のうちの1つの金属板に対応する部分を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the part corresponding to one metal plate among metal plate assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体のうちの1つの金属板の部分についてエッチングして発光素子実装部を形成した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which etched about the part of one metal plate among metal plate assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment, and formed the light emitting element mounting part. 実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体及び回路基板集合体のうちの1つの金属板及び回路基板に対応する部分を積層した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which laminated | stacked the part corresponding to one metal plate and a circuit board among a metal plate aggregate and a circuit board aggregate in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの金属板の実装領域に反射材料を形成した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which formed the reflective material in the mounting area | region of one metal plate among the mounting board assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの金属板の実装領域に形成した発光素子実装部の上面の反射材料を除去した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which removed the reflective material of the upper surface of the light emitting element mounting part formed in the mounting area | region of one metal plate among mounting board assemblies in the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの実装領域の発光素子実装部に発光素子を実装した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which mounted the light emitting element in the light emitting element mounting part of one mounting area | region of mounting substrate assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの金属板発光素子にワイヤを接続した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which connected the wire to one metal plate light emitting element of the mounting substrate assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの実装領域に封止部材を形成した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which formed the sealing member in one mounting area | region of mounting substrate assemblies in the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光装置において金属板の変形例について一部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically one part about the modification of a metal plate in the light-emitting device which concerns on embodiment. 実施形態に係る実装基板及び発光装置の変形例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the modification of the mounted substrate which concerns on embodiment, and a light-emitting device.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。さらに、図面によってはXYZ方向を図示して説明するが図面上で説明する方向は任意である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the embodiments described below are for embodying the technical concept of the present invention, and the present invention is not limited to the following ones unless there is a specific description. Further, the sizes and positional relationships of members shown in the drawings may be exaggerated in order to clarify the description. Furthermore, in the drawings, the XYZ directions are illustrated and described, but the directions described in the drawings are arbitrary.

(第1実施形態)
図1は、実施形態に係る実装基板を模式的に示す斜視図、図2は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図、図3は、実施形態に係る実装基板及び発光装置を模式的に示す平面図、図4は、図3のIV−IV線における断面図、図5は、図3のV領域を拡大して模式的に示す拡大平面図、図6は、図5のVI-VI線における断面図、図7は、図5のVII-VII線における断面図である。
First Embodiment
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a mounting substrate according to the embodiment, FIG. 2 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to the embodiment, and FIG. 3 shows the mounting substrate and the light emitting device according to the embodiment. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3, FIG. 5 is an enlarged plan view schematically showing an enlarged V region in FIG. 3, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG.

発光装置100は、底面2と、底面2から延びて発光素子30を実装する複数の凸状の発光素子実装部3と、を含む実装領域E1を有する金属板1と、実装領域E1において、少なくとも、底面2と発光素子実装部3の側面4の全面とを覆う反射材料10と、実装領域E1を囲むように形成した開口25に金属板1の実装領域E1が露出するように金属板1に積層される回路基板20と、を備えている。なお、発光装置100は、複数の発光素子30を設けることができるように、実装領域E1に複数の発光素子実装部3を形成している。   The light emitting device 100 includes at least a metal plate 1 having a mounting area E1 including a bottom surface 2 and a plurality of convex light emitting element mounting portions 3 extending from the bottom surface 2 for mounting the light emitting element 30; And the metal plate 1 so that the mounting area E1 of the metal plate 1 is exposed to the reflecting material 10 covering the bottom 2 and the entire side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 and the opening 25 formed to surround the mounting area E1. And a circuit board 20 to be stacked. In the light emitting device 100, the plurality of light emitting element mounting portions 3 are formed in the mounting area E1 so that the plurality of light emitting elements 30 can be provided.

金属板1は、底面2と、底面2より高い位置に形成された複数の発光素子実装部3と、を所定の領域範囲となる実装領域E1内に形成して備えている。金属板1は、一例として矩形の板の中央に円形の実装領域E1が設定されるように形成され、実装領域E1の周縁となる周縁部6に後記する回路基板20が設置される。金属板1は、例えば、銅あるいは銅合金、アルミニウム板、鋼板(例えばSUS板)等の加工がし易い金属で形成されていること好ましい。また、金属板1は、その周縁部6が発光素子実装部3の上面5よりも高くなるように形成されている。   The metal plate 1 is provided with a bottom surface 2 and a plurality of light emitting element mounting portions 3 formed at a position higher than the bottom surface 2 in a mounting area E1 which is a predetermined area range. The metal plate 1 is formed such that a circular mounting area E1 is set at the center of a rectangular plate as an example, and a circuit board 20 described later is installed on the peripheral portion 6 which is the periphery of the mounting area E1. The metal plate 1 is preferably made of, for example, a metal that can be easily processed, such as copper or a copper alloy, an aluminum plate, a steel plate (for example, a SUS plate). Further, the metal plate 1 is formed such that its peripheral portion 6 is higher than the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3.

発光素子実装部3は、底面2よりも高い位置で発光素子30を設置する部分である。この発光素子実装部3は、所定の間隔を隔てて複数が実装領域E1内に形成されている。発光素子実装部3は、底面2から一体に形成されている。発光素子実装部3は、底面2から上方に延びた側面4と、側面4の上端部に形成された上面5とを有している。つまり、発光素子実装部3の上面5は、底面2から延びた高い位置に形成されている。発光素子実装部3は、後記する製造方法において、板厚方向にエッチングあるいは平板を折り曲げて底面2と一体に形成される。発光素子実装部3は、底面2から延びて高い位置に上面5を形成し底面2と上面5とが側面4を介して段差を有するように形成さている。なお、底面2から延びてとは、底面2と上面5とが高さを変えて形成されることを示しており、プレス加工やエッチングで形成することも含む。したがって、底面2から延びてとは、板を延ばして形成していることに限定されるものではない。発光素子実装部3は、底面2と一体に形成されることで放熱性が向上する。   The light emitting element mounting portion 3 is a portion where the light emitting element 30 is installed at a position higher than the bottom surface 2. A plurality of the light emitting element mounting portions 3 are formed in the mounting area E1 at predetermined intervals. The light emitting element mounting portion 3 is integrally formed from the bottom surface 2. The light emitting element mounting portion 3 has a side surface 4 extending upward from the bottom surface 2 and an upper surface 5 formed at an upper end portion of the side surface 4. That is, the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is formed at a high position extending from the bottom surface 2. The light emitting element mounting portion 3 is integrally formed with the bottom surface 2 by etching or bending a flat plate in the thickness direction in a manufacturing method described later. The light emitting element mounting portion 3 extends from the bottom surface 2 to form the top surface 5 at a high position, and the bottom surface 2 and the top surface 5 are formed to have a step via the side surface 4. Note that “extending from the bottom surface 2” indicates that the bottom surface 2 and the top surface 5 are formed with different heights, and includes forming by pressing or etching. Therefore, extending from the bottom surface 2 is not limited to extending and forming the plate. The light emitting element mounting portion 3 is integrally formed with the bottom surface 2 to improve the heat dissipation.

発光素子実装部3は、ここでは角錐台形状に形成した例として示しているが、その形状は、例えば、柱状、円錐台、直方体、立方体等であってもよい。また、発光素子実装部3は、側面4が傾斜を有する形状の場合には、反射性を向上することができる。なお、発光素子実装部3は、側面4が傾斜する角錐台等の形状である場合、底面2と側面4とのなす傾斜角度θ1が90度を超えて120度以下であることが好ましい。側面4の傾斜角度θ1が120度を超えて大きくなると発光素子実装部3の実装領域における間隔を大きく取る必要があり、多くの発光素子30を実装する必要がある構成では不向きとなる場合がある。また、側面4の傾斜角度θ1が90度未満(特に80度以下)であると、上面5の面積より側面4の下端で囲まれた領域の面積が小さくなり形成し難くなる場合がある。また、傾斜角度θ1が90度を超えて120度以下とすることで、反射材料10が発光素子実装部3の側面4を這い上がり易く、少量の反射材料10で発光素子実装部3の側面4の全面を覆うことができる。また、隣り合う発光素子30との間隔を狭くすることができ、高密度に発光素子30を実装することができる。また、発光素子30から金属板1への熱伝導性を高めることで、放熱性を高めることができる。さらに、発光素子実装部3の側面4、底面2と、反射材料10と、の接触面積を増やすことで剥離を低減することができる。   Here, the light emitting element mounting portion 3 is illustrated as an example formed in a truncated pyramid shape, but the shape may be, for example, a column, a truncated cone, a rectangular parallelepiped, a cube or the like. Moreover, the light emitting element mounting part 3 can improve reflectivity, when the side surface 4 is a shape which has inclination. When the light emitting element mounting portion 3 has a shape such as a truncated pyramid in which the side surface 4 is inclined, the inclination angle θ1 formed by the bottom surface 2 and the side surface 4 is preferably more than 90 degrees and 120 degrees or less. When the inclination angle θ1 of the side surface 4 becomes larger than 120 degrees, it is necessary to increase the distance in the mounting area of the light emitting element mounting portion 3, which may be unsuitable for the configuration in which many light emitting elements 30 need to be mounted. . If the inclination angle θ1 of the side surface 4 is less than 90 degrees (particularly 80 degrees or less), the area of the region surrounded by the lower end of the side surface 4 may be smaller than the area of the upper surface 5 and it may be difficult to form. Further, by setting the inclination angle θ1 to be more than 90 degrees and not more than 120 degrees, the reflective material 10 tends to crawl up the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3, and the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 with a small amount of reflective material 10 Can cover the entire surface of the Further, the distance between adjacent light emitting elements 30 can be narrowed, and the light emitting elements 30 can be mounted with high density. Further, by enhancing the thermal conductivity from the light emitting element 30 to the metal plate 1, the heat dissipation can be enhanced. Furthermore, peeling can be reduced by increasing the contact area between the side surface 4 and the bottom surface 2 of the light emitting element mounting portion 3 and the reflective material 10.

また、底面2及びおよび発光素子実装部3の上面5は、互いに平行な平面となっていることが好ましい。底面2と発光素子実装部3の上面5が平行であることで、反射材料10を設けるときに、反射材料10が発光素子実装部3の側面4に対して均等な高さに形成し易くなる。
また、発光素子実装部3は、紙面に対して上下となる方向を、列(縦)方向としたときに、一定の間隔で配置されている。また、発光素子実装部3は、紙面に対して左右となる方向を行(横)方向としたときに、列方向よりも間隔を空けて配置されている。前記した配置を、異なる見方をしたときには、発光素子実装部3は、図5で示すように、中心に位置するものに対して周囲に6つのものが均等に配置されるように整列している。あるいは、発光素子実装部3は、一定の間隔で右斜め下及び左斜め下に整列するように配置されている。発光素子実装部3の配列は、設置される数や間隔により設定されることとなる。
Further, it is preferable that the bottom surface 2 and the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 be parallel to each other. When the bottom surface 2 and the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 are parallel to each other, the reflecting material 10 can be easily formed at an even height with respect to the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 when the reflecting material 10 is provided. .
In addition, the light emitting element mounting units 3 are arranged at regular intervals when the vertical direction with respect to the plane of the drawing is a row (vertical) direction. Further, the light emitting element mounting portion 3 is disposed with a gap in between in the row direction (horizontal direction) when the direction to the left and right with respect to the paper surface is the row direction. When the above-mentioned arrangement is viewed differently, the light emitting element mounting portion 3 is aligned so that six things are evenly arranged in the periphery with respect to the one located at the center, as shown in FIG. 5 . Alternatively, the light emitting element mounting units 3 are arranged to be aligned obliquely downward to the right and obliquely downward to the left at fixed intervals. The arrangement of the light emitting element mounting units 3 is set according to the number and intervals of installation.

さらに、発光素子実装部3は、上面5の面積が発光素子30の底面の面積の80%以下、さらに70%以下であることが好ましい。発光素子実装部3の上面5の面積が発光素子30の底面の面積よりも小さいことで、発光素子30からの光の一部が反射材料10側に向かって出射されても、反射材料10により反射して上方に送ることができる。また、上面5の面積が発光素子30の底面の面積よりも大幅に小さいと発光素子30を載置することに高い精度が要求される。そのため、上面5の面積は、発光素子30の底面の面積に対して40%以上、好ましくは50%以上である。
なお、発光素子30の中心は、発光素子実装部3の上面5の中心に相当するものであることが好ましいが、発光素子40の中心が、発光素子実装部3の上面5の中心からずれていてもよい。ただし、平面視において、発光素子実装部3の上面5が発光素子30に覆われて視認できない程度のズレであることが好ましい。
金属板1に形成された凸状の部分(上面5)には、発光素子を実装する代わりに、保護素子や半導体素子等を載置してもよく、何も載置しなくてもよい。
Furthermore, in the light emitting element mounting portion 3, the area of the upper surface 5 is preferably 80% or less, more preferably 70% or less of the area of the bottom surface of the light emitting element 30. Since the area of the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is smaller than the area of the bottom of the light emitting element 30, even if part of the light from the light emitting element 30 is emitted toward the reflective material 10 side, It can be reflected and sent upward. In addition, when the area of the upper surface 5 is significantly smaller than the area of the bottom surface of the light emitting element 30, high accuracy is required for mounting the light emitting element 30. Therefore, the area of the upper surface 5 is 40% or more, preferably 50% or more, with respect to the area of the bottom surface of the light emitting element 30.
The center of the light emitting element 30 is preferably equivalent to the center of the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3, but the center of the light emitting element 40 is offset from the center of the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3. May be However, it is preferable that the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 be covered with the light emitting element 30 and not be visually recognized in a plan view.
Instead of mounting the light emitting element, a protective element, a semiconductor element or the like may be mounted on the convex portion (upper surface 5) formed in the metal plate 1, or nothing may be mounted.

発光素子実装部3は、底面2から上面5までの高さが0.01mm以上となるように形成されている。そして、発光素子実装部3の上面5までの高さが底面2から0.03mm以上であることが好ましく、0.05mm以上であることがより好ましい。また、発光素子実装部3の上面5は、底面2よりも0.08mm以上高い位置に形成されることであってもよく、0.2mm以上であっても構わない。なお、発光素子実装部3の上面5の高さが底面2よりも所定の範囲を超えて高い位置に形成される場合、一回のエッチングあるいは1回のプレス加工等では形成できない場合は、複数回のエッチングやプレス加工等を行うことで形成することができる。金属板1の厚みは、特に限定されないが、0.5mm〜5mmであることが好ましく、1mm〜3mmであることが更に好ましい。ここでの金属板1の厚みとは、金属板1の背面から、凸状の発光素子実装部3の上面5までをいう。   The light emitting element mounting portion 3 is formed such that the height from the bottom surface 2 to the top surface 5 is 0.01 mm or more. And it is preferable that the height to the upper surface 5 of the light emitting element mounting part 3 is 0.03 mm or more from bottom face 2, and it is more preferable that it is 0.05 mm or more. Further, the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 may be formed at a position higher by 0.08 mm or more than the bottom surface 2, and may be 0.2 mm or more. In the case where the height of the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is formed at a position higher than the bottom surface 2 by a predetermined range, a plurality of them can not be formed by one etching or one press. It can be formed by performing etching, pressing, or the like. The thickness of the metal plate 1 is not particularly limited, but is preferably 0.5 mm to 5 mm, and more preferably 1 mm to 3 mm. Here, the thickness of the metal plate 1 means from the back surface of the metal plate 1 to the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 in a convex shape.

また、実装領域E1の広さは、形成される発光素子実装部3の数と間隔により予め設定される。実装領域E1は、ここでは、平面視において円形となるように形成されているが、その形状は矩形や楕円形等、特に限定されるものではない。なお、実装領域E1の周縁部6は、後記する配線22が形成されるために、発光素子実装部3の上面5の高さと同等あるいは同等以上の高さで平坦に形成されている。   Further, the size of the mounting area E1 is set in advance by the number and intervals of the light emitting element mounting portions 3 to be formed. Here, the mounting area E1 is formed to be circular in plan view, but its shape is not particularly limited, such as rectangular or elliptical. The peripheral portion 6 of the mounting area E1 is formed flat at a height equal to or greater than or equal to the height of the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 in order to form a wiring 22 described later.

反射材料10は、実装領域E1内において底面2及び発光素子実装部3の側面4の全面を覆うように形成される。反射材料10は、発光素子30からの光を上方に反射して送るために設けられている。そして、反射材料10は、金属板1の反射率よりも高い反射率となるものが用いられている。反射材料10の反射率は、可視光反射率で80%以上であることが好ましい。発光素子30からの光を反射することができるもので、金属板1の可視光反射率よりも高い材料となる母材として、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等と、反射性物質とを用いて形成することができる。金属板1の可視光反射率よりも高い材料となる反射物質としては、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。なお、反射材料10では、前記した母材中に反射物質を分散させることや、母材上に反射物質を分散させることで形成することとしてもよい。そして、反射物質としては、無機材料であることがより好ましい。   The reflective material 10 is formed so as to cover the whole of the bottom surface 2 and the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 in the mounting area E1. The reflective material 10 is provided to reflect and transmit the light from the light emitting element 30 upward. As the reflective material 10, a material having a reflectance higher than that of the metal plate 1 is used. The reflectance of the reflective material 10 is preferably 80% or more in visible light reflectance. As a base material which can reflect light from the light emitting element 30 and which is a material higher than the visible light reflectance of the metal plate 1, for example, silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, acrylic It can form using resin, a hybrid resin, etc. containing 1 or more types of resin, and a reflective substance. Examples of the reflective material to be a material having a higher reflectance than the visible light of the metal plate 1 include titanium oxide, silica, silicon oxide, zirconium oxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite and the like. In the reflective material 10, the reflective material may be dispersed in the above-described base material or may be formed by dispersing the reflective material on the base material. And as a reflective substance, it is more preferable that it is an inorganic material.

反射性物質等の含有量は、反射材料10の光の反射量及び透過量等を変動させることができるため、得ようとする発光装置100の特性等によって適宜調整することができる。反射材料10は、例えば、反射性物質の含有量を30wt%以上とすることが好ましい。
反射材料10は、反射性に加え、放熱性を有する材料を用いてもよい。反射材料10の熱伝導率は0.2W/m・K以上が好ましく、1W/m・K以上がより好ましい。熱伝導率を高く設定することにより放熱性を向上させることができる。熱伝導率を上げる材料としては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が挙げられる。
The content of the reflective substance or the like can be appropriately adjusted according to the characteristics of the light emitting device 100 to be obtained because the amount of reflection and transmission of light of the reflective material 10 can be varied. The reflective material 10 preferably has a reflective material content of, for example, 30 wt% or more.
The reflective material 10 may use a material having heat dissipation in addition to the reflectivity. The thermal conductivity of the reflective material 10 is preferably 0.2 W / m · K or more, and more preferably 1 W / m · K or more. Heat dissipation can be improved by setting the thermal conductivity high. As a material for increasing the thermal conductivity, aluminum nitride and boron nitride can be mentioned.

なお、反射材料10は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形、グラビア印刷、インクジェット印刷、ディッピング、ディスペンス、スプレーコートなどで成形することができる。反射材料10は、一例として、実装領域E1に柔らかい状態で発光素子実装部3の上面5と同等の高さになるまで充填し、乾燥で生じる、引け、により側面4から離れた位置では反射材料10の高さを下げて形成することができる。あるいは、反射材料10は、発光素子実装部3の側面4の全面と上面5の位置まで覆うようにして乾燥させ、上面5の反射材料10を除去することで設けるようにしてもよい。このように反射材料10の高さを発光素子実装部3の上面5よりも低くすることで、仮にダイボンド樹脂40が発光素子実装部3の上面5からはみ出しとしても、発光素子30の側面にダイボンド樹脂が付着することなく、発光素子30の実装不良を低減することができる。また、反射材料10が引けることにより、発光素子10と反射材料10との間に隙間ができ、発光素子10の底面から出射された光を反射材料10で効率良く反射させることができる。   The reflective material 10 can be formed by, for example, injection molding, potting molding, resin printing, transfer molding, compression molding, gravure printing, ink jet printing, dipping, dispensing, spray coating, or the like. The reflective material 10 is, as an example, filled in the mounting area E1 in a soft state to the same height as the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 and resulting in drying. It can be formed by lowering the height of ten. Alternatively, the reflective material 10 may be dried by covering the entire side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 and the position of the upper surface 5 and removing the reflective material 10 on the upper surface 5. By making the height of the reflective material 10 lower than the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 as described above, even if the die bonding resin 40 protrudes from the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3, die bonding is performed on the side surface of the light emitting element 30. The mounting defect of the light emitting element 30 can be reduced without the resin adhering. In addition, when the reflective material 10 is drawn, a gap is formed between the light emitting element 10 and the reflective material 10, and light emitted from the bottom surface of the light emitting element 10 can be efficiently reflected by the reflective material 10.

回路基板20は、発光素子30と電気的な接続をする共に、外部との電気的な接続を行うためのものである。回路基板20は、ここでは接着材を介して金属板1の周縁部6の上面に積層されている。回路基板20は、外形が矩形に形成された絶縁性の基材21と、基材21上に形成される配線22と、実装領域E1を囲むように形成した開口25とを備えている。
回路基板20の基材21は、絶縁性を有している。基材21は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、絶縁部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基材21の材料は、安価であるBTレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の絶縁性材料を用いることが好ましい。但し、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用することもできる。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられる。
The circuit board 20 is for electrically connecting to the light emitting element 30 and for electrically connecting to the outside. Here, the circuit board 20 is laminated on the upper surface of the peripheral portion 6 of the metal plate 1 via an adhesive. The circuit board 20 includes an insulating base 21 whose outer shape is formed in a rectangular shape, a wiring 22 formed on the base 21, and an opening 25 formed so as to surround the mounting area E1.
The base 21 of the circuit board 20 has an insulating property. Examples of the substrate 21 include insulating members such as glass epoxy, resin, and ceramics, and metal members provided with the insulating members. Among them, it is preferable to use an inexpensive insulating material such as BT resin, glass epoxy, epoxy resin, or polyimide as the material of the base 21. However, ceramics having high heat resistance and weather resistance can also be used. The ceramic material may, for example, be alumina, aluminum nitride or mullite.

配線22は、基材21上に形成され、発光素子30からのワイヤ50との接続を行うワイヤ接続部23a,24aと、外部との接続を行う外部接続端子23,24とを備えている。配線22の材料は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属またはこれらを含む合金等によって形成することができる。また、配線22は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成できる。
ワイヤ接続部23a,24aは、開口25から離間して、開口25の周縁に沿って半円弧の帯状にそれぞれ形成されている。そして、ワイヤ接続部23a,24aは、端部同士を対向させて離間した状態で外部接続端子23,24のそれぞれに接続線を介して連続して形成されている。ワイヤ接続部23a,24aは、所定の幅に形成され、ワイヤ50が接続し易いように形成されている。
外部接続端子23,24は、平面視において4つの角部のうちの2つの角部にそれぞれ矩形に形成されている。この外部接続端子23,24は、一方がアノードあるいはカソードであることが分かるように、隣り合う位置において印をつけるようにしてもよい。外部接続端子23,24の形状は、矩形等、特に限定されるものではない。
The wiring 22 is formed on the base material 21 and includes wire connection parts 23 a and 24 a for connecting to the wires 50 from the light emitting element 30 and external connection terminals 23 and 24 for connecting to the outside. The material of the wiring 22 can be formed of, for example, a metal such as copper, aluminum, gold, silver, platinum, titanium, tungsten, palladium, iron, nickel or an alloy containing these. The wiring 22 can be formed by electrolytic plating, electroless plating, vapor deposition, sputtering or the like.
The wire connection portions 23 a and 24 a are formed in a semicircular arc band along the periphery of the opening 25 so as to be separated from the opening 25. The wire connection portions 23a and 24a are continuously formed on the external connection terminals 23 and 24 via connection lines in a state in which the end portions face each other and are separated. The wire connection portions 23a and 24a are formed to have a predetermined width, and are formed so that the wires 50 can be easily connected.
The external connection terminals 23 and 24 are respectively formed in a rectangular shape at two of four corners in plan view. The external connection terminals 23 and 24 may be marked at adjacent positions so that one is an anode or a cathode. The shape of the external connection terminals 23 and 24 is not particularly limited, such as rectangular.

回路基板20と金属板1とは接着材15により接合されている。
接着材15は、金属板1の周縁部6あるいは回路基板20の下面のいずれか一方又は両方に設けられることで回路基板20と金属板1とを接合する。接着材15は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂のような周知の接着材、熱可塑性又は熱硬化性樹脂の接着材、有機接着材、低融点ガラスの接着材などを用いることができる。なお、接着材15は、無機系接着材であることがより好ましい。接着材15は、無機系接着材であると、熱及び光で劣化し難いため、特に高輝度の光を照射する発光素子30の近くで用いる場合に都合がよい。
また、回路基板20の上面は、配線22の部分を除き絶縁性の樹脂26で被覆されていることが好ましい。また、被覆する樹脂26は、光反射性に優れていることがさらに好ましい。被覆する樹脂26は、例えば、反射材料10で説明したもので絶縁性を有するものであれば用いることができる。回路基板20の配線22を除く周縁部6の部分に樹脂26を設けることで、絶縁性の確保ができる。
The circuit board 20 and the metal plate 1 are bonded by an adhesive 15.
The adhesive 15 bonds the circuit board 20 to the metal plate 1 by being provided on either or both of the peripheral portion 6 of the metal plate 1 and the lower surface of the circuit board 20. The adhesive 15 may be a known adhesive such as epoxy resin, silicone resin, acrylic resin or fluorine resin, adhesive of thermoplastic or thermosetting resin, organic adhesive, adhesive of low melting point glass, or the like. it can. The adhesive 15 is more preferably an inorganic adhesive. The adhesive 15 is less likely to be deteriorated by heat and light when it is an inorganic adhesive, and is particularly convenient when used near the light emitting element 30 that emits high-intensity light.
Further, it is preferable that the upper surface of the circuit board 20 be covered with the insulating resin 26 except for the portion of the wiring 22. Further, the resin 26 to be coated is more preferably excellent in light reflectivity. For example, the resin 26 to be coated can be used if it is the one described in the reflective material 10 and has insulation. By providing the resin 26 in the portion of the peripheral portion 6 excluding the wiring 22 of the circuit board 20, insulation can be ensured.

金属板1と回路基板20とが接合され反射材料10が形成されることで実装基板11が形成される。そして、実装基板11は、発光素子30及びワイヤ50が設けられることで発光装置100となる。なお、実装基板11は、発光素子実装部3を互いに等間隔となるように実装領域E1に複数形成している。発光装置100では、金属板1の実装領域E1に発光素子30等を保護するための封止部材60が形成される。   The mounting board 11 is formed by joining the metal plate 1 and the circuit board 20 and forming the reflective material 10. The mounting substrate 11 becomes the light emitting device 100 by being provided with the light emitting element 30 and the wire 50. The mounting substrate 11 is formed with a plurality of light emitting element mounting portions 3 in the mounting area E1 so as to be equally spaced from one another. In the light emitting device 100, the sealing member 60 for protecting the light emitting element 30 and the like is formed in the mounting area E1 of the metal plate 1.

(発光素子)
発光素子30は、例えばLEDチップを用いることができる。また、発光素子30は、同一の構成のものを複数設けることや、複数の種類の構成のものを設けるようにしてもよい。さらに、発光素子30は、互いに異なる色の光を発光するものであってもよい。発光素子30は、実装領域E1内の発光素子実装部3の上面5に1つずつ実装される。発光素子30は、実装領域E1内に略均等な間隔で配置されていることで、発光装置100の出射光の輝度ムラを抑えることができる。
(Light emitting element)
For example, an LED chip can be used as the light emitting element 30. Further, the light emitting element 30 may be provided with a plurality of elements having the same configuration, or may be provided with a plurality of types of configurations. Furthermore, the light emitting element 30 may emit light of different colors. The light emitting elements 30 are mounted one by one on the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 in the mounting area E1. Since the light emitting elements 30 are arranged at substantially equal intervals in the mounting area E1, it is possible to suppress unevenness in luminance of the light emitted from the light emitting device 100.

発光素子30は、シリコーン樹脂などの絶縁性のダイボンド樹脂40を用いて、素子電極が設けられる面と反対側の面が発光素子実装部3の上面5に対向して設置される。また、発光素子30は、発光素子実装部3に実装されたもの同士がワイヤ50を用いて、直列あるいは並列に電気的に接続されている。発光素子30の発光強度は、配線22の電流又は電圧を制御することで変えることができる。なお、発光素子30を2種類用いるときの発光強度は、配線間の電流又は電圧を制御することで変えることができるように構成される。発光素子30の個数は、1個以上あればよい。発光素子30の配置間隔は、略均等であることが好ましい。また、発光素子30の電気的な接続方法は特に限定されず、複数個を1組以上に分けてそれぞれ直列接続されてもよく、並列接続又は並列接続と直列接続とを組み合わせて電気的に接続されてもよい。   The light emitting element 30 is installed using the insulating die bonding resin 40 such as silicone resin, with the surface opposite to the surface on which the element electrode is provided facing the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3. The light emitting elements 30 mounted on the light emitting element mounting portion 3 are electrically connected in series or in parallel using the wires 50. The emission intensity of the light emitting element 30 can be changed by controlling the current or voltage of the wiring 22. The light emission intensity when using two types of light emitting elements 30 can be changed by controlling the current or voltage between the wirings. The number of light emitting elements 30 may be one or more. The arrangement intervals of the light emitting elements 30 are preferably approximately equal. Further, the electrical connection method of the light emitting element 30 is not particularly limited, and a plurality of the light emitting elements 30 may be divided into one or more sets and may be connected in series, respectively. It may be done.

発光素子30は、サファイアなどの基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaNなどの半導体を発光層として形成させたものが用いられる。この内、紫外領域から可視光の短波長領域(360nm〜550nm)に発光ピーク波長を有する窒化物系化合物半導体素子を用いることができる。なお、可視光の長波長領域(551nm〜780nm)に発光ピーク波長を有する発光素子も用いることもできる。   The light emitting element 30 is formed by forming a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, AlInGaN or the like on a substrate such as sapphire as a light emitting layer. Among these, a nitride-based compound semiconductor device having an emission peak wavelength in the short wavelength range (360 nm to 550 nm) of visible light from the ultraviolet range can be used. Note that a light emitting element having a light emission peak wavelength in a long wavelength range (551 nm to 780 nm) of visible light can also be used.

発光素子30を発光素子実装部3の上面5に設置するダイボンド樹脂40としては、発光素子30が発する光や熱によって変色や劣化が起き難い樹脂材料が好ましい。ダイボンド樹脂40は、さらに、良好な透光性を有し、後記する封止部材60の屈折率と同等以下が好ましい。ダイボンド樹脂40の屈折率を封止部材60の屈折率と同等以下にすることで、発光素子30からダイボンド樹脂40を介して出射される光が、ダイボンド樹脂40と封止部材60との界面で全反射されずに、効率的に外部に取出すことができる。このような樹脂材料としては、シロキサン骨格を有するシリコーン系のダイボンド樹脂が好ましい。シリコーン系のダイボンド樹脂としては、シリコーン樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、シリコーン変性樹脂が挙げられる。   As the die-bonding resin 40 for placing the light emitting element 30 on the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3, a resin material which is less likely to cause discoloration or deterioration by light or heat emitted from the light emitting element 30 is preferable. Furthermore, the die-bonding resin 40 preferably has good transparency and is preferably equal to or less than the refractive index of the sealing member 60 described later. By making the refractive index of the die bonding resin 40 equal to or less than the refractive index of the sealing member 60, light emitted from the light emitting element 30 through the die bonding resin 40 is at the interface between the die bonding resin 40 and the sealing member 60. It can be efficiently taken out without being totally reflected. As such a resin material, a silicone-based die-bonding resin having a siloxane skeleton is preferable. Examples of silicone-based die-bonding resins include silicone resins, silicone hybrid resins, and silicone-modified resins.

ワイヤ50は、発光素子30のn側電極の外部接続部とp側電極の外部接続部との接続、あるいは、発光素子30の外部接続部とワイヤ接続部23a,24aとを電気的に接続するものである。また、ワイヤ50は、保護素子を設ける場合にはその保護素子の電極とも電気的に接続するためにも用いられる。
ワイヤ50としては、Au,Cu,Al,Ag又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる
なお、保護素子は、発光素子30を静電放電から保護するために設けることが好ましい。保護素子としては、ツェナーダイオードを発光素子30と並列に、かつ、逆極性に接続して用いることができる。また、保護素子として、バリスタ、抵抗、キャパシタなどを用いることもできる。
The wire 50 connects the external connection portion of the n-side electrode of the light emitting element 30 to the external connection portion of the p-side electrode, or electrically connects the external connection portion of the light emitting element 30 to the wire connection portions 23a and 24a. It is a thing. The wire 50 is also used to electrically connect to the electrode of the protective element when the protective element is provided.
As the wire 50, Au, Cu, Al, Ag, or an alloy containing any of these metals as a main component can be suitably used. The protective element is for protecting the light emitting element 30 from electrostatic discharge. It is preferable to provide. As a protective element, a zener diode can be used in parallel with the light emitting element 30 and connected in reverse polarity. In addition, as a protective element, a varistor, a resistor, a capacitor, or the like can also be used.

また、反射材料10が設けられた実装領域E1には、封止部材60が設けられることが好ましい(図4参照)。なお、封止部材60は、周縁部6のワイヤ接続部23a,24a及びそのワイヤ接続部23a,24aに接続しているワイヤ50を覆うように封止部材60を設けるようにすることがさらに好ましい。
封止部材60は、発光素子30やワイヤ50などを覆う部材である。封止部材60は設けなくともよいが、設けることで前記の封止した部材を水分やガスによる劣化や機械的な接触による損傷から保護することができる。封止部材60は、例えば、発光素子30が発する光の波長に対して良好な透光性を有することが好ましく、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。
封止部材60として用いることができる材料は、特に限定されないが、良好な透光性を有することが好ましい。このような材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料、ガラスなどの無機材料を挙げることができる。
また、封止部材60には、発光素子30からの光を波長変換させる蛍光物質や、発光素子30からの光を散乱させる光反射性物質を含有してもよい。
Moreover, it is preferable that the sealing member 60 be provided in the mounting area | region E1 in which the reflective material 10 was provided (refer FIG. 4). The sealing member 60 is more preferably provided so as to cover the wire connecting portions 23a and 24a of the peripheral portion 6 and the wires 50 connected to the wire connecting portions 23a and 24a. .
The sealing member 60 is a member that covers the light emitting element 30, the wire 50, and the like. The sealing member 60 may not be provided, but by providing it, the sealed member can be protected from deterioration due to moisture or gas or damage due to mechanical contact. The sealing member 60 preferably has, for example, good transparency to the wavelength of light emitted by the light emitting element 30, and a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used.
Although the material which can be used as the sealing member 60 is not particularly limited, it is preferable to have good translucency. Examples of such a material include resin materials such as silicone resin and epoxy resin, and inorganic materials such as glass.
In addition, the sealing member 60 may contain a fluorescent material for converting the wavelength of the light from the light emitting element 30 or a light reflective material for scattering the light from the light emitting element 30.

光反射性物質としては、絶縁性を有することが好ましく、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなどの粒子を用いることができる。
また、蛍光物質としては、発光素子30からの光を吸収して異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、アルミニウムガーネット系蛍光体等、蛍光物質として一般に使用されるものであればよい。
また、個々の発光素子30上に蛍光物質を配置し、それを異なる蛍光物質入り封止部材60で被覆してもよい。発光素子30上への蛍光物質の配置は、蛍光物質の粒子を塗布したり、蛍光物質が含有された層やシートを貼り付けたり、することができる。これにより、種々の色味の発光装置を提供することができる。
The light reflective material preferably has an insulating property, and for example, particles of titanium oxide, aluminum oxide or the like can be used.
Moreover, as a fluorescent substance, what is necessary is to be what absorbs the light from the light emitting element 30, and carries out wavelength conversion to the light of a different wavelength. For example, what is generally used as a fluorescent material, such as aluminum garnet fluorescent substance, may be used.
Alternatively, fluorescent materials may be disposed on individual light emitting elements 30 and covered with sealing members 60 containing different fluorescent materials. The disposition of the fluorescent substance on the light emitting element 30 can be performed by applying particles of the fluorescent substance, or attaching a layer or a sheet containing the fluorescent substance. Thereby, light emitting devices of various colors can be provided.

以上のような構成を備える発光装置100は、発光素子実装部3の側面4を覆うように反射材料10が設けられていることと、反射材料10の反射率が金属板1の反射率よりも高くなるように形成されている。そのため、発光装置100は、発光素子30からの一部の光が反射材料10側に向かった場合でも効率的に反射して光を取出すことが可能となる。特に、発光素子実装部3の側面が斜面である場合に、より効率的に光を取出すことができる。また、発光装置100では、発光素子実装部3の上面5の面積が発光素子30の底面の面積の70%以下である場合で、発光素子実装部3の側面4が傾斜面のときに、発光素子からの一部の光を反射材料10から反射し易くなり、光取出し効率を向上させることが可能となる。   In the light emitting device 100 having the above configuration, the reflective material 10 is provided so as to cover the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3, and the reflectance of the reflective material 10 is higher than the reflectance of the metal plate 1. It is formed to be high. Therefore, even when part of the light from the light emitting element 30 travels to the side of the reflective material 10, the light emitting device 100 can efficiently reflect and take out light. In particular, when the side surface of the light emitting element mounting portion 3 is a slope, light can be extracted more efficiently. Further, in the light emitting device 100, light is emitted when the area of the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is 70% or less of the area of the bottom surface of the light emitting element 30, and the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 is an inclined surface It becomes easy to reflect a part of light from the element from the reflective material 10, and it becomes possible to improve the light extraction efficiency.

次に、発光装置100の製造方法において以下に、図面を参照して説明する。図8は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
発光装置の製造方法は、ここでは、金属板1と回路基板20とを準備する準備工程S11と、金属板1と回路基板20とを積層する積層工程S12と、金属板1の実装領域E1に反射材料10を設ける反射材料形成工程S13と、発光素子実装部に発光素子を実装する発光素子実装工程S14と、発光素子30にワイヤ50を設けるワイヤ接続工程S15と、を主として行う。なお、発光装置の実装方法では、ワイヤ接続工程S15の後に封止部材を実装領域E1に形成する封止部材形成工程S16及び発光装置の集合体を個片化する個片化工程S17を行う。なお、図10A〜図10Hでは、金属板集合体A1及び回路基板集合体B1において、1つの金属板1の部分と1つの回路基板20の部分との状態を、一部を省略して模式的に示している。
Next, a method of manufacturing the light emitting device 100 will be described below with reference to the drawings. FIG. 8 is a flowchart showing a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment.
Here, the method of manufacturing the light emitting device includes a preparation step S11 of preparing the metal plate 1 and the circuit board 20, a lamination step S12 of laminating the metal plate 1 and the circuit board 20, and a mounting area E1 of the metal plate 1. A reflective material forming step S13 for providing the reflective material 10, a light emitting element mounting step S14 for mounting the light emitting element on the light emitting element mounting portion, and a wire connecting step S15 for providing the wire 50 to the light emitting element 30 are mainly performed. In the mounting method of the light emitting device, a sealing member forming step S16 of forming a sealing member in the mounting area E1 after the wire connecting step S15 and a singulation step S17 of singulating the assembly of light emitting devices are performed. 10A to 10H, in the metal plate assembly A1 and the circuit board assembly B1, the state of one metal plate 1 portion and one circuit board 20 portion is schematically omitted by omitting a part thereof. Is shown.

(準備工程)
準備工程について、図9A乃至図10Bを用いて説明する。図9Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法において準備工程で用いられる回路基板集合体を一部省略して模式的に示す平面図、図9Bは、実施形態に係る発光装置の製造方法において準備工程で用いられる金属板集合体の一部を省略して模式的に示す平面図である。また、図10Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体のうちの1つの金属板に対応する部分を示す断面図、図10Bは、実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体のうちの1つの金属板の部分についてエッチングして発光素子実装部を形成した状態を模式的に示す断面図である。
準備工程S11では、実質的には、金属板1を複数形成した金属板集合体A1と、回路基板20を複数形成した回路基板集合体B1とをそれぞれ準備する。金属板1の金属板集合体A1を準備する場合、ここでは、一定の厚みの金属の板、例えば銅合金板にマスクを設けてエッチングする。金属板集合体A1は、複数の実装領域E1及び周縁部6に対応する部分がエッチングにより形成された状態となる。また、回路基板集合体B1は、基材21上に配線22が形成された1つの回路基板20となる領域を複数備えている。回路基板20の回路基板集合体B1を準備する場合、基材21となる領域を複数形成できる基材板C1に、その領域ごとに配線22を形成する。基材板C1は、配線22が形成された後に配線以外の周縁部6の上面を被覆する樹脂26が設けられる。そして、基材板C1は、金属板1の実装領域E1に対応する位置を切断して開口25をそれぞれ形成することで回路基板集合体B1が準備される。
(Preparation process)
The preparation process will be described with reference to FIGS. 9A to 10B. FIG. 9A is a plan view schematically showing a circuit board assembly used in the preparation step in the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment, and FIG. 9B is a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment. It is a top view which abbreviate | omits a part of metal plate aggregate | assembly used by a preparatory process, and is shown typically. 10A is a cross-sectional view showing a portion corresponding to one metal plate of the metal plate assembly in the method for manufacturing a light emitting device according to the embodiment, and FIG. 10B is a method for manufacturing a light emitting device according to the embodiment It is sectional drawing which shows typically the state which etched about the part of one metal plate among metal plate aggregate | assembly, and formed the light emitting element mounting part.
In the preparation step S11, substantially, a metal plate assembly A1 in which a plurality of metal plates 1 are formed and a circuit board assembly B1 in which a plurality of circuit boards 20 are formed are respectively prepared. When preparing the metal plate assembly A1 of the metal plate 1, here, a mask is provided on a metal plate of a fixed thickness, for example, a copper alloy plate, and etching is performed. In the metal plate assembly A1, portions corresponding to the plurality of mounting areas E1 and the peripheral portion 6 are formed by etching. In addition, the circuit board assembly B1 includes a plurality of areas to be one circuit board 20 in which the wirings 22 are formed on the base material 21. When preparing the circuit board assembly B1 of the circuit board 20, the wiring 22 is formed for each area on the base plate C1 where a plurality of areas to be the base 21 can be formed. The base plate C1 is provided with a resin 26 which covers the upper surface of the peripheral portion 6 other than the wiring after the wiring 22 is formed. And the circuit board aggregate B1 is prepared by cutting the position corresponding to the mounting area | region E1 of the metal plate 1, and forming the opening 25 as the base material board C1.

(積層工程)
積層工程について、図10Cを用いて説明する。図10Cは、実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体及び回路基板集合体のうちの1つの金属板及び回路基板に対応する部分を積層した状態を模式的に示す断面図である。
次に、積層工程S12では、準備工程S11において準備した金属板1を複数有する金属板集合体A1と回路基板20を複数有する回路基板集合体B1とを接着材15を介して接着する。なお、積層工程S12において接着材15を介して接着した後に、接着材15の種類により加熱工程あるいは紫外線照射工程を行って接着材15を硬化させる工程を行ってもよい。
(Lamination process)
The lamination step will be described using FIG. 10C. FIG. 10C is a cross-sectional view schematically showing a state in which a portion corresponding to one of the metal plate and the circuit board in the metal plate assembly and the circuit board assembly is stacked in the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment. .
Next, in the laminating step S12, the metal plate assembly A1 having a plurality of metal plates 1 prepared in the preparation step S11 and the circuit board assembly B1 having a plurality of circuit boards 20 are adhered via the adhesive 15. In addition, after bonding through the adhesive 15 in the laminating step S12, a heating step or an ultraviolet irradiation step may be performed depending on the type of the adhesive 15 to cure the adhesive 15.

(反射材料形成工程)
反射材料形成工程について、図10Dを用いて説明する。図10Dは、実施形態に係る発光装置の製造方法において金属板集合体のうちの1つの金属板の実装領域に反射材料を形成した状態を模式的に示す断面図である。
反射材料形成工程S13では、金属板集合体A1と回路基板集合体B1とが積層された後に、それぞれの金属板1の実装領域E1に反射材料10を設ける。反射材料形成工程S13では、反射材料10を、例えば、スプレーコートあるいは印刷方法等により実装領域E1の底面2及び発光素子実装部3の側面4の全面を覆うように形成する。反射材料10は、乾燥させることで部材に、引け、を生じさせ、隣り合う発光素子実装部3の側面4の間となる部分を凹ませている。このような凹みが形成されることで反射材料10は、光取出し面側に光を反射し易くなる。
(Reflective material formation process)
The reflective material forming step will be described with reference to FIG. 10D. FIG. 10D is a cross-sectional view schematically showing a state in which the reflective material is formed in the mounting area of one metal plate of the metal plate assembly in the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
In the reflective material forming step S13, after the metal plate assembly A1 and the circuit board assembly B1 are stacked, the reflective material 10 is provided in the mounting area E1 of each of the metal plates 1. In the reflective material forming step S13, the reflective material 10 is formed to cover the entire bottom surface 2 of the mounting area E1 and the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 by, for example, spray coating or a printing method. The reflective material 10 is dried to cause shrinkage on the member, and indents a portion between the side surfaces 4 of the adjacent light emitting element mounting portions 3. By forming such a recess, the reflective material 10 easily reflects light to the light extraction surface side.

なお、反射材料10を設ける場合に、底面2、発光素子実装部3の側面4及び上面5まで被覆するように設けた後に、発光素子実装部3の上面5の反射材料を除去することとしてもよい。図10Eは、実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの金属板の実装領域に形成した発光素子実装部の上面の反射材料を除去した状態を模式的に示す断面図である。上面5の反射材料を除去する場合には、研磨加工又は切削加工を行う。そして、研磨加工又は切削加工を行った後には、研磨くず又は切削くずを洗浄作業等で除去する作業を行うことが好ましい。
反射材料10は、金属板1の可視光反射率よりも高いので、底面2及び発光素子実装部3の側面4の全面に設けることにより、発光素子30からの光を反射して取出す効率を高めることができる。反射材料10が実装領域E1に形成されることで、実装基板11の実装基板集合体が形成される。反射材料10が形成されることで、実装基板11を多数う有する実装基板集合体が形成される。
When the reflective material 10 is provided, it is provided so as to cover the bottom surface 2, the side surface 4 and the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3, and then the reflecting material on the top surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is removed. Good. FIG. 10E is a cross section schematically showing a state in which the reflective material on the upper surface of the light emitting element mounting portion formed in the mounting region of one metal plate of the mounting substrate assembly in the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment is removed. FIG. When the reflective material on the upper surface 5 is removed, polishing or cutting is performed. Then, after the polishing process or the cutting process is performed, it is preferable to perform an operation of removing the grinding waste or the cutting waste by the cleaning operation or the like.
Since the reflective material 10 has a higher reflectance than the visible light of the metal plate 1, the reflective material 10 is provided on the entire surface of the bottom surface 2 and the side surface 4 of the light emitting element mounting portion 3 to enhance the efficiency of reflecting light from the light emitting element 30. be able to. By forming the reflective material 10 in the mounting area E1, a mounting substrate assembly of the mounting substrate 11 is formed. By forming the reflective material 10, a mounting substrate assembly having a large number of mounting substrates 11 is formed.

(発光素子実装工程)
発光素子実装工程について、図10Fを用いて説明する。図10Fは、実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの実装領域の発光素子実装部に発光素子を実装した状態を模式的に示す断面図である。
発光素子実装工程S14では、発光素子実装部3の上面5にダイボンド樹脂40を介して発光素子30を実装する。発光素子実装工程S14では、発光素子実装部3の上面5の面積が発光素子30の下面の面積より小さく(例えば40%以上)形成されている。ここでは、発光素子30は、その中心が上面5の中心と一致し、発光素子30の下面の周縁が上面5から外側にはみ出した状態で発光素子実装部3の上面5に設置される。
(Light emitting element mounting process)
The light emitting element mounting process will be described using FIG. 10F. FIG. 10F is a cross-sectional view schematically showing a state in which the light emitting element is mounted on the light emitting element mounting portion in one mounting region of the mounting substrate assembly in the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment.
In the light emitting element mounting step S14, the light emitting element 30 is mounted on the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 via the die bonding resin 40. In the light emitting element mounting step S14, the area of the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 is formed smaller (for example, 40% or more) than the area of the lower surface of the light emitting element 30. Here, the light emitting element 30 is installed on the upper surface 5 of the light emitting element mounting portion 3 in a state where the center thereof coincides with the center of the upper surface 5 and the peripheral edge of the lower surface of the light emitting element 30 protrudes outward from the upper surface 5.

(ワイヤ接続工程)
ワイヤ接続工程について、図10Gを用いて説明する。図10Gは、実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの金属板発光素子にワイヤを接続した状態を模式的に示す断面図である。
ワイヤ接続工程S15では、発光素子実装部3の上面5に設けられた発光素子30にワイヤ50を接続する。ワイヤ50は、ここでは、予め設定された発光素子30のグループがワイヤ接続部23a,24aに直列に接続され、各グループが互いに並列となるように接続されている。なお、ワイヤ50を発光素子30に設ける場合に、並列接続とは、隣り合う発光素子30におけるp電極同士又はn電極同士がワイヤ50によって電気的に接続された状態を意味している。
(Wire connection process)
The wire connection process will be described with reference to FIG. 10G. FIG. 10G is a cross-sectional view schematically showing a state in which a wire is connected to one metal plate light emitting element of the mounting substrate aggregate in the method for manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
In the wire connection step S <b> 15, the wire 50 is connected to the light emitting element 30 provided on the upper surface 5 of the light emitting element mounting unit 3. Here, in the wire 50, groups of light emitting elements 30 set in advance are connected in series to the wire connection portions 23a and 24a, and the groups are connected in parallel to each other. In the case where the wires 50 are provided in the light emitting element 30, the parallel connection means that the p electrodes or the n electrodes in the adjacent light emitting elements 30 are electrically connected by the wire 50.

(封止部材形成工程)
封止部材形成工程について、図10Hを用いて説明する。図10Hは、実施形態に係る発光装置の製造方法において実装基板集合体のうちの1つの実装領域に封止部材を形成した状態を模式的に示す断面図である。
封止部材形成工程S16は、金属板1上に枠体27を形成した後、金属板1の実装領域E1内に封止部材60を形成することで、実装領域E1内に配置されている発光素子30やワイヤ50等を封止する工程である。枠体27は、光反射性物質を含有した樹脂を用いることが好ましい。枠体27は、反射材料10と同様の材料を用いてもよく、例えば、酸化チタンやシリカなどの光反射性物質を高濃度に分散させたシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などを用いることができる。枠体27は、回路基板20上に樹脂を環状となるよう滴下し硬化することで形成することができる。また、枠体27はワイヤを覆っていないため、環状の成形体を形成した後、接着材で枠体27を回路基板20に貼り付けることもできる。封止部材形成工程S16では、溶融状態の封止部材60が、例えば、ポッティングにより、実装領域E1内に充填される。また、封止部材60は、実装領域E1において中央を周縁よりも高く形成することでレンズの役割ができるようにも形成することができる。
(Sealing member formation process)
The sealing member forming step will be described with reference to FIG. 10H. FIG. 10H is a cross-sectional view schematically showing a state in which the sealing member is formed in one mounting region of the mounting substrate assembly in the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
In the sealing member forming step S16, after the frame 27 is formed on the metal plate 1, the sealing member 60 is formed in the mounting region E1 of the metal plate 1, thereby the light emission being disposed in the mounting region E1. This is a step of sealing the element 30, the wire 50 and the like. It is preferable that the frame 27 use a resin containing a light reflective substance. The frame 27 may use the same material as the reflective material 10, and for example, a silicone resin or an epoxy resin in which a light reflective substance such as titanium oxide or silica is dispersed at a high concentration can be used. The frame 27 can be formed by dropping and curing the resin in a ring shape on the circuit board 20. In addition, since the frame 27 does not cover the wire, the frame 27 can be attached to the circuit board 20 with an adhesive after the annular formed body is formed. In the sealing member forming step S16, the sealing member 60 in the molten state is filled in the mounting area E1 by potting, for example. Further, the sealing member 60 can be formed to be able to serve as a lens by forming the center in the mounting area E1 higher than the peripheral edge.

(個片化工程)
封止部材形成工程S16の後に個片化工程S17が行われる。
個片化工程S17は、発光装置100ごとに、金属板集合体A1において予め設定されている接続線に沿って切断作業が行われることで、個々の発光装置100を形成する工程である。個片化工程S17では、予め設定されている切断部分を、切断装置を使用して切断することで、発光装置100ごとに個片化している。
(Dividing process)
A singulation step S17 is performed after the sealing member formation step S16.
The singulation step S17 is a step of forming the individual light emitting devices 100 by performing the cutting operation along the connection lines set in advance in the metal plate aggregate A1 for each of the light emitting devices 100. In the singulation step S17, the light emitting device 100 is singulated by cutting a preset cut portion using a cutting device.

以上説明したように、準備工程S11〜反射材料形成工程S13を行うことで実装基板11を複数有する実装基板集合体が形成される。また、準備工程S11〜ワイヤ接続工程S15を含み、個片化工程S17を行うことで発光装置100を製造することができる。   As described above, by performing the preparation step S11 to the reflection material formation step S13, a mounting board assembly having a plurality of mounting boards 11 is formed. Further, the light emitting device 100 can be manufactured by performing the singulation step S17 including the preparation step S11 to the wire connection step S15.

なお、以上説明した実装基板11あるいは発光装置100では、前記した各構成に限定されるものではなく、例えば、以下に示す構成であってもよい。図11は、実施形態に係る発光装置において金属板の変形例について一部を模式的に示す断面図である。
例えば、金属板1の底面2から一体に形成される発光素子実装部3は、エッチングにより形成される例として説明したが、図11に示すように、プレス加工等により金属板1Aをプレスして底面2Aから延びた高い位置に発光素子実装部3Aを突出させて形成してもよい。金属板1Aは、金属の薄板を加工することで形成する以外は、前記した実装基板11及び発光装置100と変わらない構成となる。
The mounting substrate 11 or the light emitting device 100 described above is not limited to the above-described configurations, and may have the following configuration, for example. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a part of a modification of the metal plate in the light emitting device according to the embodiment.
For example, although the light emitting element mounting portion 3 integrally formed from the bottom surface 2 of the metal plate 1 has been described as an example formed by etching, as shown in FIG. 11, the metal plate 1A is pressed by pressing or the like. The light emitting element mounting portion 3A may be formed to protrude at a high position extending from the bottom surface 2A. The metal plate 1A has the same configuration as the mounting substrate 11 and the light emitting device 100 described above except that the metal plate 1A is formed by processing a thin metal plate.

また、発光素子実装部3,3Aは、上面5,5Aが、金属板1,1Aとは異なる材料で鍍金されていてもよい。鍍金する金属は、例えば、金属板1,1Aよりも可視光反射率が高い材料が使用されることが望ましい。具体的には、金属板1,1Aに加工性が高い銅あるいは銅合金等の金属材料を使用し、鍍金する金属材料として反射率が銅合金等よりも高いアルミニウムあるいはアルミニウム合金や、銀あるいは銀合金等を使用することとしてもよい。金属板1,1Aの金属の材質と鍍金する金属の材質を変えることで、設計の幅を広げることができる。   In the light emitting element mounting portions 3 and 3A, the top surfaces 5 and 5A may be plated with a material different from that of the metal plates 1 and 1A. As the metal to be plated, for example, it is desirable to use a material having a higher visible light reflectance than the metal plates 1 and 1A. Specifically, a metal material such as copper or copper alloy having high workability is used for the metal plate 1, 1A, and as a metal material to be plated, aluminum or an aluminum alloy having a reflectance higher than that of a copper alloy or the like, silver or silver An alloy or the like may be used. The range of design can be expanded by changing the material of the metal of the metal plates 1 and 1A and the material of the metal to be plated.

また、実装領域E1は、発光素子実装部3を等間隔で形成するとして説明したが、発光装置100が使用される用途等により発光素子実装部3の配置を適宜変えて形成する構成としてもよい。そして、実装領域E1の平面視形状は、円形に限定されるものではなく、例えば、矩形、矩形の角を曲線に形成した形状、楕円形等であってもよい。
なお、発光素子30を複数の種類、例えば、2つの種類、3つの種類、あるいは、4つの種類を使用してもよく、各発光素子30の種類ごとに実装する領域を決めて発光素子実装部3に実装する構成としてもよい。また、発光素子30を複数使用してその種類ごとに制御するには、種類ごとに配線22を独立して有することとすればよい。
The mounting area E1 is described as forming the light emitting element mounting portions 3 at equal intervals, but the light emitting element mounting portions 3 may be appropriately changed in arrangement depending on the use for which the light emitting device 100 is used. . The plan view shape of the mounting area E1 is not limited to a circle, and may be, for example, a rectangle, a shape in which corners of a rectangle are formed into a curve, or an ellipse.
A plurality of types of light emitting elements 30, for example, two types, three types, or four types may be used, and an area to be mounted is determined for each type of each light emitting element 30, and a light emitting element mounting portion It is good also as composition mounted in 3. Further, in order to control a plurality of light emitting elements 30 by type, the wirings 22 may be provided independently for each type.

さらに、異なる実施形態として、図12を用いて説明する。図12は、実施形態に係る実装基板及び発光装置の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例は、枠体の形状が異なる以外は上述とほぼ同じである。
上述の封止部材形成工程において、ワイヤ接続部23a,24a及びワイヤ50の一部を覆うように、光反射性物質を含有した樹脂を用いて滴下又は射出にて枠体27aを形成する。ワイヤ接続部23a、24aを枠体27aで覆っており、かつ、枠体27aを所定の厚み及び高さにすることができるため、発光素子30からの光取り出し効率を向上させることができる。
Further, another embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the mounting substrate and the light emitting device according to the embodiment. This modification is substantially the same as the above except that the shape of the frame is different.
In the above-described sealing member forming step, the frame 27a is formed by dropping or injecting a resin containing a light reflective substance so as to cover the wire connecting portions 23a and 24a and a part of the wire 50. Since the wire connection parts 23a and 24a are covered with the frame 27a and the frame 27a can be made to have a predetermined thickness and height, the light extraction efficiency from the light emitting element 30 can be improved.

1,1A 金属板
2,2A 底面
3,3A 発光素子実装部
4 側面
5 上面
6 周縁部
10 反射材料
11 実装基板
15 接着材
20 回路基板
21 基材
22 配線
23 外部接続端子
23a ワイヤ接続部
25 開口
26 樹脂
27,27a 枠体
29 凹部
30 発光素子
40 ダイボンド樹脂
50 ワイヤ
60 封止部材
100 発光装置
A1 金属板集合体
B1 回路基板集合体
C1 基材板
E1 実装領域
S11 準備工程
S12 積層工程
S13 反射部材形成工程
S14 発光素子実装工程
S15 ワイヤ接続工程
S16 封止部材形成工程
S17 個片化工程
1, 1A metal plate 2, 2A bottom surface 3, 3A light emitting element mounting portion 4 side surface 5 top surface 6 peripheral portion 10 reflective material 11 mounting substrate 15 adhesive 20 circuit substrate 21 base 22 wiring 23 external connection terminal 23a wire connection portion 25 opening Reference Signs List 26 resin 27, 27a frame 29 recess 30 light emitting element 40 die bonding resin 50 wire 60 sealing member 100 light emitting device A1 metal plate aggregate B1 circuit board aggregate C1 base plate E1 mounting region S11 preparation step S12 lamination step S13 reflection member Forming step S14 Light emitting element mounting step S15 Wire connecting step S16 Sealing member forming step S17 Segmenting step

Claims (15)

底面と、前記底面から延びて発光素子を実装する複数の凸状の発光素子実装部と、を含む実装領域を有する金属板と、
前記実装領域において、少なくとも、前記底面と、前記凸状の発光素子実装部の側面の全面と、を覆う反射材料と、
前記実装領域を囲むように形成した開口に前記金属板の実装領域が露出するように前記金属板に積層される回路基板と、を備え、
前記反射材料の反射率は、前記金属板の反射率よりも高い実装基板。
A metal plate having a mounting area including a bottom surface, and a plurality of convex light emitting element mounting portions extending from the bottom surface and mounting the light emitting element;
A reflective material that covers at least the bottom surface and the entire side surface of the convex light emitting element mounting portion in the mounting region;
And a circuit board laminated on the metal plate such that the mounting region of the metal plate is exposed in an opening formed so as to surround the mounting region.
The mounting substrate wherein the reflectance of the reflective material is higher than the reflectance of the metal plate.
前記発光素子実装部が円錐台、角錐台もしくは柱状に形成され、前記発光素子実装部の上面と前記底面とが共に平行な平面で形成される請求項1に記載の実装基板。   The mounting substrate according to claim 1, wherein the light emitting element mounting portion is formed in a truncated cone, a truncated pyramid, or a columnar shape, and the top surface and the bottom surface of the light emitting element mounting portion are both formed in parallel planes. 前記発光素子実装部は、底面と側面とのなす角度が90度よりも大きく形成された傾斜を有する側面を備える請求項1に記載の実装基板。   The mounting substrate according to claim 1, wherein the light emitting element mounting portion includes a side surface having a slope formed such that an angle between a bottom surface and a side surface is larger than 90 degrees. 前記発光素子実装部の上面の面積が前記発光素子の底面の面積の70%以下である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の実装基板。   The mounting substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the area of the top surface of the light emitting element mounting portion is 70% or less of the area of the bottom surface of the light emitting element. 前記反射材料は、反射面からの可視光反射率が80%以上である材料を使用する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の実装基板。   The mounting substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the reflective material is a material having a visible light reflectance of 80% or more from a reflective surface. 前記反射材料は、樹脂中、又は、樹脂上に無機材料が分散されている請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の実装基板。   The mounting substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein an inorganic material is dispersed in the resin or on the resin. 前記金属板は、少なくとも前記凸状の発光素子実装部の上面に、前記金属板と異なる材料で鍍金されている請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の実装基板。   The mounting substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the metal plate is plated at least on the top surface of the convex light emitting element mounting portion with a material different from the metal plate. 前記発光素子実装部の上面と前記底面上に形成された前記反射材料の反射面とが平行な平面で形成され、前記発光素子実装部の上面が前記反射材料の反射面より0.01mm以上高い位置である請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の実装基板。   The upper surface of the light emitting element mounting portion and a reflective surface of the reflective material formed on the bottom surface are formed in parallel planes, and the upper surface of the light emitting element mounting portion is higher by 0.01 mm or more than the reflective surface of the reflective material The mounting substrate according to any one of claims 1 to 7, which is a position. 前記実装領域は、平面視において円形又は矩形であって、前記発光素子実装部が、等間隔で複数形成される請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の実装基板。   The mounting substrate according to any one of claims 1 to 8, wherein the mounting region is circular or rectangular in plan view, and a plurality of the light emitting element mounting portions are formed at equal intervals. 請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の実装基板と、前記実装基板の発光素子実装部に実装される発光素子と、を備えた発光装置。   A light emitting device comprising: the mounting substrate according to any one of claims 1 to 9; and a light emitting element mounted on a light emitting element mounting portion of the mounting substrate. 前記発光素子は、ワイヤを介して互いに接続されると共に前記回路基板のワイヤ接続部に接続される請求項10に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 10, wherein the light emitting elements are connected to each other via a wire and connected to a wire connection portion of the circuit board. 底面と、前記底面から延びる発光素子を実装する複数の凸状の発光素子実装部と、を含む実装領域を有する金属板と、前記実装領域を囲むように形成した開口を持つ回路基板と、を準備する工程と、
前記発光素子実装部を形成した実装領域を露出するように前記回路基板を前記金属板に積層する工程と、
前記発光素子実装部の上面より下方に反射面の上面が位置するように前記実装領域の底面、及び、前記発光素子実装部の側面の全面に反射材料を設ける工程と、
前記発光素子実装部の上面のそれぞれに発光素子を実装する工程と、
前記発光素子と前記回路基板とをワイヤにより電気的な接続を行う工程と、を含み、
前記発光素子実装部の上面の面積は、前記発光素子の底面の面積よりも小さく、
前記反射材料の反射率は、前記金属板の反射率よりも高い、発光装置の製造方法。
A metal plate having a mounting area including a bottom surface and a plurality of convex light emitting element mounting portions for mounting the light emitting element extending from the bottom surface; and a circuit board having an opening formed to surround the mounting area The step of preparing
Laminating the circuit board on the metal plate so as to expose a mounting area in which the light emitting element mounting portion is formed;
Providing a reflective material on the entire bottom surface of the mounting area and the entire side surface of the light emitting element mounting portion such that the upper surface of the reflecting surface is located below the top surface of the light emitting element mounting portion;
Mounting a light emitting element on each of the upper surfaces of the light emitting element mounting portion;
Electrically connecting the light emitting element and the circuit board with a wire;
The area of the top surface of the light emitting element mounting portion is smaller than the area of the bottom surface of the light emitting element,
A method of manufacturing a light emitting device, wherein the reflectance of the reflective material is higher than the reflectance of the metal plate.
前記発光素子実装部の上面の面積は、前記発光素子の底面の面積の70%以下に形成され、
前記反射面からの可視光反射率が80%以上である請求項12に記載の発光装置の製造方法。
The area of the top surface of the light emitting element mounting portion is 70% or less of the area of the bottom surface of the light emitting element,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 12, wherein the visible light reflectance from the reflection surface is 80% or more.
前記準備する工程で準備される金属板は、前記発光素子実装部が、円錐台、角錐台もしくは柱状に形成され、前記金属板の底面と前記発光素子実装部の上面とが平行な平面に形成される請求項13に記載の発光装置の製造方法。   In the metal plate prepared in the preparing step, the light emitting element mounting portion is formed in a truncated cone, a truncated pyramid, or a columnar shape, and the bottom surface of the metal plate and the upper surface of the light emitting element mounting portion are formed in parallel planes The manufacturing method of the light-emitting device according to claim 13. 前記反射材料は、前記実装領域の底面及び発光素子実装部の上面を覆うように充填された後に、前記発光素子実装部の上面の前記反射材料を研磨又は研削することで除去し、前記実装領域の底面、及び、前記発光素子実装部の側面の全面に設ける請求項12から請求項14のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。   The reflective material is filled so as to cover the bottom surface of the mounting area and the top surface of the light emitting element mounting portion, and is then removed by polishing or grinding the reflective material on the top surface of the light emitting element mounting portion The method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 12 to 14, wherein the method is provided on the entire surface of the light emitting element mounting portion and the bottom surface of the light emitting element mounting portion.
JP2017249707A 2017-12-26 2017-12-26 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device Active JP7193698B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017249707A JP7193698B2 (en) 2017-12-26 2017-12-26 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017249707A JP7193698B2 (en) 2017-12-26 2017-12-26 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019117818A true JP2019117818A (en) 2019-07-18
JP7193698B2 JP7193698B2 (en) 2022-12-21

Family

ID=67304749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017249707A Active JP7193698B2 (en) 2017-12-26 2017-12-26 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7193698B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7549214B2 (en) 2020-10-30 2024-09-11 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing the same

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332305A (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP2003163379A (en) * 2001-11-27 2003-06-06 Matsushita Electric Works Ltd Led light emitting device
JP2007013107A (en) * 2005-05-31 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP2007201171A (en) * 2006-01-26 2007-08-09 Sony Corp Light source device and display device
JP2007288067A (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Cable Ltd Light-emitting diode
US20070290328A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-20 Gigno Technology Co., Ltd. Light emitting diode module
JP2011108688A (en) * 2009-11-12 2011-06-02 Denka Agsp Kk Substrate for mounting light emitting element, and method for producing the same
JP2011176270A (en) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Led package
JP2012089539A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device, and method of manufacturing the same
JP2013058695A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, semiconductor device, illumination device, manufacturing method of lead frame with resin, and manufacturing method of semiconductor device
JP2015063448A (en) * 2013-08-28 2015-04-09 信越化学工業株式会社 Composite particle, production method of the same, resin composition comprising particle, reflector formed from resin composition, and light-emitting semiconductor device using reflector
JP2016111179A (en) * 2014-12-05 2016-06-20 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JP2016207757A (en) * 2015-04-17 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Led light-emitting device and manufacturing method therefor

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332305A (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP2003163379A (en) * 2001-11-27 2003-06-06 Matsushita Electric Works Ltd Led light emitting device
JP2007013107A (en) * 2005-05-31 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP2007201171A (en) * 2006-01-26 2007-08-09 Sony Corp Light source device and display device
JP2007288067A (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Cable Ltd Light-emitting diode
US20070290328A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-20 Gigno Technology Co., Ltd. Light emitting diode module
JP2011108688A (en) * 2009-11-12 2011-06-02 Denka Agsp Kk Substrate for mounting light emitting element, and method for producing the same
JP2011176270A (en) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Led package
JP2012089539A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device, and method of manufacturing the same
JP2013058695A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, semiconductor device, illumination device, manufacturing method of lead frame with resin, and manufacturing method of semiconductor device
JP2015063448A (en) * 2013-08-28 2015-04-09 信越化学工業株式会社 Composite particle, production method of the same, resin composition comprising particle, reflector formed from resin composition, and light-emitting semiconductor device using reflector
JP2016111179A (en) * 2014-12-05 2016-06-20 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JP2016207757A (en) * 2015-04-17 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Led light-emitting device and manufacturing method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7549214B2 (en) 2020-10-30 2024-09-11 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP7193698B2 (en) 2022-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9728523B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6269702B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
US9512968B2 (en) LED module
JP4990355B2 (en) Semiconductor light emitting device package submount and semiconductor light emitting device package including the submount
JP4303550B2 (en) Light emitting device
JP5842813B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US8044423B2 (en) Light emitting device package
US9711691B2 (en) Side-view type light emitting device including base body having protruding component
US20080036362A1 (en) Light-Emitting Device, Light-Emitting Module, Display Unit, Lighting Unit and Method for Manufacturing Light-Emitting Device
US9711700B2 (en) Light emitting device and method for producing the same
JP2008071955A (en) Light-emitting device
US9425373B2 (en) Light emitting module
JP5724573B2 (en) Light emitting device
JP2013062416A (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
JP5817297B2 (en) Light emitting device and lighting device
KR100634189B1 (en) Thin light emitting diode package and method for manufacturing the same
JP5126127B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4016925B2 (en) Light emitting device
JP7193698B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
KR20150121364A (en) Semiconductor optical device and method of manufacturing the same
JP5422906B2 (en) Light emitting device
JP2015041722A (en) Semiconductor light-emitting device
JP6402890B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4737218B2 (en) Method for manufacturing light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211130

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220825

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221121

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7193698

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151