JP2019192442A - 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】装置構成および製造プロセスの簡略化が図れる光源装置を提供する。【解決手段】本発明の光源装置は、第1面を有する基板と、基板の第1面側に設けられた複数の発光素子と、複数の発光素子を囲んで設けられ、基板の第1面側に接合された枠体と、複数の発光素子から射出された光を透過させる透光性部材を有し、基板の第1面に対向して設けられ、枠体の基板とは反対側に接合された蓋体と、を備える。複数の発光素子は、基板と枠体と蓋体とにより形成された収容空間に収容されている。枠体は、樹脂を含む材料で構成されている。【選択図】図2
Description
本発明は、光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法に関する。
近年、プロジェクターの高性能化を目的として、広色域かつ高効率な光源であるレーザー光源を用いたプロジェクターが注目されている。
下記の特許文献1に、基板と、複数の半導体レーザー素子と、レンズアレイと、を備えた発光装置が開示されている。この発光装置においては、凸部と側壁とを有する基板の凸部上に複数の半導体レーザー素子が実装され、半導体レーザー素子が収容された空間が窓部と透光性部材とを有する封止部材により封止され、封止部材の上面にレンズアレイが設けられた構成を有する発光装置が開示されている。
特許文献1の発光装置は、構成が複雑であり、製造プロセスが煩雑であるという課題を有していた。
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、装置構成および製造プロセスの簡略化が図れる光源装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一つの態様は、上記の光源装置を備えたプロジェクターを提供することを目的の一つとする。また、本発明の一つの態様は、上記の光源装置を製造する方法を提供することを目的の一つとする。
上記の目的を達成するために、本発明の一つの態様の光源装置は、第1面を有する基板と、前記基板の前記第1面側に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子を囲んで設けられ、前記基板の前記第1面側に接合された枠体と、前記複数の発光素子から射出された光を透過させる透光性部材を有し、前記基板の前記第1面に対向して設けられ、前記枠体の前記基板とは反対側に接合された蓋体と、を備え、前記複数の発光素子は、前記基板と前記枠体と前記蓋体とにより形成された収容空間に収容され、前記枠体は、樹脂を含む材料で構成されている。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記蓋体は、前記透光性部材が接合された支持部材をさらに有し、前記支持部材は、前記枠体の前記基板とは反対側に接合されていてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置は、前記基板の前記第1面に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記基板とは反対側に設けられた配線層と、をさらに備えていてもよく、前記発光素子の接続端子と前記配線層とは、電気的に接続されていてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記枠体の側面にガスバリア層が設けられていてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記枠体の前記収容空間側の側面に光反射層が設けられていてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の一つの態様の光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備える。
本発明の一つの態様の光源装置の製造方法は、第1面を有する基板と、前記基板の前記第1面側に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子を囲んで設けられ、前記基板の前記第1面側に接合された枠体と、前記複数の発光素子から射出された光を透過させる透光性部材を有し、前記基板の前記第1面に対向して設けられ、前記枠体の前記基板とは反対側に接合された蓋体と、を備えた光源装置の製造方法であって、前記基板と前記枠体との接合、および、前記枠体と前記蓋体との接合のうちの少なくとも一方を、溶着によって行う。
[第1実施形態:光源装置]
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図2、図3A〜図3Dを用いて説明する。
以下の各実施形態では、後述するプロジェクターに用いて好適な光源装置の一例について説明する。
なお、以下の全ての図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図2、図3A〜図3Dを用いて説明する。
以下の各実施形態では、後述するプロジェクターに用いて好適な光源装置の一例について説明する。
なお、以下の全ての図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
[第1構成例]
図1は、第1実施形態の光源装置10の斜視図である。
図2は、図1のII−II線に沿う光源装置10の断面図である。
図1および図2に示すように、第1実施形態の光源装置10は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体16と、複数のリード端子17と、を備えている。基板12、枠体15および蓋体16は、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
図1は、第1実施形態の光源装置10の斜視図である。
図2は、図1のII−II線に沿う光源装置10の断面図である。
図1および図2に示すように、第1実施形態の光源装置10は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体16と、複数のリード端子17と、を備えている。基板12、枠体15および蓋体16は、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
基板12は、第1面12aと、第1面12aとは反対側の第2面12bと、を有する板材で構成されている。基板12は、第1面12aの法線方向から見た平面視において、略正方形もしくは略長方形等の四角形の形状を有する。基板12の第1面12a側には、後述する複数のサブマウント13を介して複数の発光素子14が設けられている。
基板12の第2面12bには、発光時に複数の発光素子14から発せられる熱を放出するためのフィン、ヒートシンク等の放熱部材(図示略)が適宜設けられる。そのため、基板12は、熱伝導率が高い金属材料で構成されている。この種の金属材料として、銅、アルミニウムなどが好ましく用いられ、銅が特に好ましく用いられる。なお、基板12は、金属材料以外で構成されていてもよい。
以下、単に「平面視」と記載した場合、基板12の第1面12aの法線方向から見たときの平面視を意味する。
以下、単に「平面視」と記載した場合、基板12の第1面12aの法線方向から見たときの平面視を意味する。
図1に示すように、複数のサブマウント13は、基板12の第1面12aにおいて、基板12の一辺と平行な方向に所定の間隔を空けて設けられている。複数のサブマウント13の各々は、複数の発光素子14に対応して設けられている。第1実施形態では、サブマウント13は、4個の発光素子14に対して共通に設けられているが、発光素子14の数は特に限定されない。
サブマウント13は、例えば窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミック材料で構成されている。サブマウント13は、基板12と発光素子14との間に介在し、基板12と発光素子14との線膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和する。サブマウント13は、例えば銀ロウ、金−スズはんだ等の接合材により基板12に接合されている。
複数の発光素子14は、基板12の第1面12a側に設けられている。発光素子14は、例えば半導体レーザー、発光ダイオードなどの固体光源から構成されている。発光素子14は、光源装置10の用途に応じて任意の波長の発光素子を用いればよい。第1実施形態では、蛍光体励起用の波長430nm〜490nmの青色光を射出する発光素子14として、例えば窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)で構成される端面発光型の半導体レーザーが用いられる。また、上記の一般式に加えて、III族元素の一部がホウ素原子で置換されたもの、V族元素として窒素原子の一部がリン原子、ヒ素原子で置換されたもの等を含んでもよい。
図1に示すように、複数の発光素子14は、平面視において、例えば(m×n)個(m,n:2以上の自然数)の半導体レーザーがm行n列の格子状に配列された構成を有する。第1実施形態では、複数の発光素子14として、例えば16個の半導体レーザーが4行4列の格子状に配列されている。
図2に示すように、発光素子14は、直方体状の発光素子14の6つの面のうち、光射出面14aとは反対側の面が基板12の第1面12aと対向するように、サブマウント13上に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略垂直な方向に光Lを射出する。また、発光素子14は、光射出面14aがサブマウント13の一つの端面13aと略同一平面上に揃うように、サブマウント13上に設けられている。発光素子14は、銀ロウ、金−スズはんだ等の接合材(図示略)によりサブマウント13に接合されている。
枠体15は、複数の発光素子14を囲んで設けられ、基板12の第1面12a側に接合されている。枠体15は、平面視において、四角形の環状の形状を有する。枠体15は、四角形の4辺が全て一体の部材であってもよいし、複数の部材が接合された構成であってもよい。枠体15は、基板12と蓋体16との間の距離(間隔)を一定に保持し、複数の発光素子14が収容される収容空間Sの一部を構成する。そのため、枠体15は、所定の剛性を有することが好ましい。
枠体15は、樹脂を含む材料で構成されている。枠体15の材料として、有機系樹脂材料が用いられる。
有機系樹脂材料の一例として、アクリル樹脂(PMMA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂(ABS)、ポリカーボネート(PC)、液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
また、有機系樹脂材料の一例として、エポキシ樹脂(EP)、フェノール樹脂(PF)、熱硬化ポリイミド(PI)等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
有機系樹脂材料の一例として、アクリル樹脂(PMMA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂(ABS)、ポリカーボネート(PC)、液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
また、有機系樹脂材料の一例として、エポキシ樹脂(EP)、フェノール樹脂(PF)、熱硬化ポリイミド(PI)等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
枠体15の材料として熱可塑性樹脂を用いた場合、熱硬化性樹脂を用いた場合に比べて、接合時に樹脂中の未反応分に由来するアウトガスが放出される量を減らすことができる。ただし、枠体15の材料として熱硬化性樹脂を用いた場合であっても、熱硬化反応を十分に進行させた後で焼成を行うことによって、アウトガスの放出量を減らすことができる。アウトガスの放出量を減らすことによって、発光素子14の信頼性を高めることができる。
蓋体16は、複数の発光素子14から射出された光Lを透過させる板状の透光性部材18から構成されている。蓋体16は、基板12の第1面12aに対向して設けられ、枠体15の基板12とは反対側に接合されている。蓋体16は、平面視において、正方形、長方形を含む四角形の形状を有する。透光性部材18の材料としては、光透過率の高い透光性材料が好ましく用いられる。透光性部材18の具体例として、例えばBK7等のホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等が用いられる。
本実施形態において、基板12と枠体15とは、枠体15を構成する有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。同様に、枠体15と蓋体16とは、枠体15を構成する有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。
このように、基板12と枠体15、および、枠体15と蓋体16とが接合されたことにより、基板12と枠体15と蓋体16とによって囲まれた空間は、外気から遮断され、複数の発光素子14が気密に収容されるための密閉空間となる。以下、この密閉空間を収容空間Sと称する。すなわち、複数の発光素子14は、基板12と枠体15と蓋体16とにより形成された収容空間Sに収容されている。
複数の発光素子14が収容空間Sに収容されることにより、発光素子14への有機物や水分等の異物の付着が低減される。収容空間Sは、減圧状態であることが好ましい。もしくは、収容空間Sは、窒素ガスなどの不活性ガス、もしくは乾燥空気で満たされていてもよい。なお、減圧状態は、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間の状態のことである。減圧状態において、収容空間Sに満たされる気体は、不活性ガスや乾燥空気であることが好ましい。
図1に示すように、枠体15には、複数の貫通孔15cが設けられている。複数の貫通孔15cの各々には、複数の発光素子14の各々に電力を供給するためのリード端子17が設けられている。リード端子17の構成材料としては、例えばコバールが用いられる。リード端子17の表面には、例えばニッケル−金からなるめっき層が設けられている。
図1では、一つのサブマウント13に実装された複数の発光素子14が直列に接続され、各サブマウント13の側方に一対のリード端子17が設けられた例が示されている。ただし、複数の発光素子14の電気的な接続やリード端子17の配置については、この例に限らず、適宜変更が可能である。
収容空間Sには、リード端子17の一端と発光素子14の端子とを電気的に接続するボンディングワイヤー(図示略)が設けられている。リード端子17の他端は、外部回路(図示略)と接続されている。枠体15の貫通孔15cの内壁とリード端子17との間の隙間は、封止材によって封止されている。封止材としては、例えば低融点ガラスなどが好ましく用いられる。
[第1実施形態の光源装置の製造方法]
以下、上記構成例の光源装置10の製造方法について、図3A〜図3Dを用いて説明する。
図3A〜図3Dは、第1実施形態の光源装置10の製造工程を、順を追って示す斜視図である。
以下、上記構成例の光源装置10の製造方法について、図3A〜図3Dを用いて説明する。
図3A〜図3Dは、第1実施形態の光源装置10の製造工程を、順を追って示す斜視図である。
最初に、図3Aに示すように、基板12を準備する。
次に、図3Bに示すように、基板12の第1面12aに枠体15を接合する。このとき、枠体15と基板12とを接触させた状態で熱を加え、枠体15と基板12とを溶着する。これにより、枠体15は、基板12の第1面12aに接合される。また、図示を省略するが、枠体15には複数のリード端子17を予め取り付けておいてもよい。
次に、図3Bに示すように、基板12の第1面12aに枠体15を接合する。このとき、枠体15と基板12とを接触させた状態で熱を加え、枠体15と基板12とを溶着する。これにより、枠体15は、基板12の第1面12aに接合される。また、図示を省略するが、枠体15には複数のリード端子17を予め取り付けておいてもよい。
次に、図3Cに示すように、基板12の第1面12aに複数の発光素子14を実装する。このとき、複数(4個)の発光素子14が実装された複数のサブマウント13を予め準備しておく。そして、各サブマウント13の基板12との接合面(下面)もしくは基板12の第1面12aに接合材を塗布した後、サブマウント13と基板12とを接触させた状態で熱を加え、接合材を硬化させる。これにより、複数の発光素子14は、サブマウント13を介して基板12の第1面12aに接合される。
次に、図示を省略するが、ボンディングワイヤーを用いて発光素子14とリード端子17とを電気的に接続する。具体的には、超音波接合、熱圧着接合等の手法を用いて、ボンディングワイヤーの一端をリード端子17に接合し、ボンディングワイヤーの他端を発光素子14の外部接続端子に接合する。
次に、図3Dに示すように、枠体15の上面に蓋体16を接合する。このとき、枠体15と蓋体16とを接触させた状態で熱を加え、枠体15と蓋体16とを溶着する。これにより、蓋体16は、枠体15の上面に接合される。このとき、減圧雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下、乾燥空気雰囲気下において上記の接合を行うことにより、収容空間Sの内部は、減圧状態、もしくは不活性ガス、乾燥空気等により満たされた状態となる。
すなわち、第1実施形態の光源装置10の製造方法においては、基板12と枠体15との接合、および、枠体15と蓋体16との接合のうちの少なくとも一方を、溶着によって行う。
以上の工程により、第1実施形態の光源装置10が完成する。
すなわち、第1実施形態の光源装置10の製造方法においては、基板12と枠体15との接合、および、枠体15と蓋体16との接合のうちの少なくとも一方を、溶着によって行う。
以上の工程により、第1実施形態の光源装置10が完成する。
なお、図3Bに示した基板12への枠体15の接合工程と、図3Cに示したサブマウント13を介した発光素子14の基板12への接合工程と、の順番は、いずれが先でもよい。ただし、上記の例のように、枠体15の接合工程を先に行えば、枠体15の接合工程で発生する熱が発光素子14に加わらないようにすることができる。
第1実施形態の光源装置10は、基板12、枠体15、複数の発光素子14、蓋体16等を含む構成部品の点数が少なく、従来の光源装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。特に第1実施形態では、基板12、枠体15、蓋体16等の部材を相互に接合するための接合材が不要である。これにより、光源装置10の生産性が向上するとともに、製造コストを低減させることができる。
また、第1実施形態の光源装置10によれば、基板12と枠体15、および、枠体15と蓋体16とが溶着によって接合されているため、第1接合部および第2接合部の双方が銀ロウ等の金属接合材で構成された従来の光源装置に比べて、接合工程での加熱温度を低下させることができる。具体的には、従来の接合工程における加熱温度が例えば600℃程度であったのに対し、第1実施形態の接合工程においては、加熱温度を例えば300℃程度にまで低下させることができる。これにより、製造プロセスにおける省エネルギー化が図れ、製造コストを低減させることができる。
また、基板12に複数の発光素子14を実装した後に実施される、枠体15と蓋体16とを接合する工程の温度が例えば600℃程度から300℃程度にまで低下するため、複数の発光素子14における熱によるダメージを低減することができる。これにより、複数の発光素子14の信頼性をさらに向上させることができる。
また、第1実施形態の光源装置10によれば、基板12と蓋体16との間に介在する枠体15が有機系樹脂材料で構成されているため、各部材間が銀ロウ等の金属接合材で構成された従来の光源装置に比べて、基板12の線膨張係数と蓋体16の線膨張係数とが異なっていても、各部材に生じる熱応力を緩和しやすい。これにより、光源装置10の信頼性を高めることができる。
[第2実施形態]
以下、本発明の第2実施形態について、図4および図5を用いて説明する。
第2実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図4は、第2実施形態の光源装置50の斜視図である。図5は、図4のV−V線に沿う光源装置50の断面図である。
図4および図5において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
以下、本発明の第2実施形態について、図4および図5を用いて説明する。
第2実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図4は、第2実施形態の光源装置50の斜視図である。図5は、図4のV−V線に沿う光源装置50の断面図である。
図4および図5において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図4および図5に示すように、第2実施形態の光源装置50は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体53と、複数のリード端子17と、を備えている。基板12、枠体15および蓋体53は、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
蓋体53は、透光性部材54と、透光性部材54が接合された支持部材55と、を有している。第2実施形態では、透光性部材54は、支持部材55の2つの面のうち、基板12の第1面12aと対向する面55b(図5における下面)に接合されている。
支持部材55は、平面視において、矩形枠状に構成され、中央に四角形状の開口部55hを有している。支持部材55は、枠体15の基板12とは反対側に接合されている。支持部材55は、例えば銅、アルミニウム等の金属材料で構成されている。支持部材55の表面に、例えばニッケル等からなるメッキ層が設けられていてもよい。なお、支持部材55は、金属材料以外の材料で構成されていてもよい。
透光性部材54は、平面視において、正方形、長方形等の四角形の形状を有し、支持部材55の開口部55hよりも一回り大きな外形寸法を有している。透光性部材54の材料としては、光透過率の高い透光性材料が好ましく用いられる。透光性部材54の具体例として、例えばBK7等のホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等が用いられる。
第2実施形態において、基板12と枠体15とは、枠体15の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。同様に、枠体15と支持部材55(蓋体53)とは、枠体15の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。
支持部材55と透光性部材54とは、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材521によって接合されている。もしくは、支持部材55と透光性部材54とは、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の有機接着剤を含む接合材521によって接合されていてもよい。
第2実施形態の光源装置50を製造する際には、蓋体53と枠体15とを接合する工程に先だって、支持部材55と透光性部材54とを接合し、蓋体53を作製しておけばよい。その他の工程は、第1実施形態と同様である。
第2実施形態の光源装置50においても、装置構成を簡略化できる、光源装置50の生産性が向上し、製造コストを低減できる、製造プロセスにおける省エネルギー化が図れる、基板12−蓋体53間の熱膨張差を緩和しやすく、発光素子14および光源装置50の信頼性を向上させることができる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
さらに第2実施形態の場合、透光性部材54は、支持部材55の基板12側に設けられている。これにより、発光素子14と透光性部材54との間の距離を小さくすることができる。一般に、半導体レーザー等の発光素子14から射出された光は発散光である。そのため、発光素子14と透光性部材54との間の距離が短くなる程、発光素子14から射出された光Lを、透光性部材54を通して効率的に取り出すことができる。また、透光性部材54に、例えば集光レンズなどの光学素子が設けられていてもよい。その場合も、発光素子14と光学素子との間の距離が短くなるため、発光素子14から射出された光Lを効率的に利用することができる。
[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態について、図6および図7を用いて説明する。
第3実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図6は、第3実施形態の光源装置60の斜視図である。図7は、図6のVII−VII線に沿う光源装置60の断面図である。
図6および図7において、上記実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
以下、本発明の第3実施形態について、図6および図7を用いて説明する。
第3実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図6は、第3実施形態の光源装置60の斜視図である。図7は、図6のVII−VII線に沿う光源装置60の断面図である。
図6および図7において、上記実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図6および図7に示すように、第3実施形態の光源装置60は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体64と、複数のリード端子17と、を備えている。基板12、枠体15および蓋体64は、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
蓋体64は、複数の透光性部材62と、複数の透光性部材62が接合された支持部材63と、を有している。第3実施形態では、複数の透光性部材62は、支持部材63の2つの面のうち、基板12の第1面12aと対向する面63b(図7における下面)に接合されている。
支持部材63は、平面視において矩形の板材で構成され、各発光素子14から射出される光Lの経路に対応する位置に開口部63hを有している。すなわち、支持部材63は、発光素子14の数と同数の開口部63hを有している。支持部材63は、枠体15の基板12とは反対側に接合されている。支持部材63は、例えば銅、アルミニウム等の金属材料で構成されている。支持部材63の表面に、例えばニッケル等からなるメッキ層が設けられていてもよい。
複数の透光性部材62の各々は、平凸レンズで構成されている。平凸レンズからなる透光性部材62は、各発光素子14から射出される光Lを集光させる機能を有する。透光性部材62は、平面視において、支持部材63の開口部63hよりも一回り大きな外形寸法を有している。透光性部材62の材料としては、光透過率の高い透光性材料が好ましく用いられる。透光性部材62の具体例として、例えばBK7等のホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等が用いられる。
なお、透光性部材62は、必ずしも平凸レンズで構成されていなくてもよく、特に集光機能を求めないのであれば、平板で構成されていてもよい。また、各透光性部材62は、支持部材63の面63bと反対側の面(図7における上面)に接合されていてもよい。
第3実施形態において、基板12と枠体15とは、枠体15の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。同様に、枠体15と支持部材63(蓋体64)とは、枠体15の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。
支持部材63と各透光性部材62とは、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材521によって接合されている。もしくは、支持部材63と各透光性部材62とは、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の有機接着剤を含む接合材521によって接合されていてもよい。
第3実施形態の光源装置60を製造する際には、蓋体64と枠体15とを接合する工程に先だって、支持部材63と複数の透光性部材62の各々とを接合し、蓋体64を作製しておけばよい。その他の工程は、第1実施形態と同様である。
第3実施形態の光源装置60においても、装置構成を簡略化できる、光源装置60の生産性が向上し、製造コストを低減できる、製造プロセスにおける省エネルギー化が図れる、基板12−蓋体64間の熱膨張差を緩和しやすく、発光素子14および光源装置60の信頼性を向上させることができる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
さらに第3実施形態の場合、支持部材63は、複数の発光素子14に対応した複数の開口部63hと、各開口部63hを覆う複数の透光性部材62と、を備えている。そのため、全ての発光素子14に対して共通の透光性部材54が設けられている第2実施形態と比較して、支持部材63の面積に対する透光性部材62の総面積の割合が小さい。また、支持部材63の線膨張係数は、透光性部材62の線膨張係数よりも大きいことが好ましい。さらに、支持部材63の線膨張係数は、基板12の線膨張係数よりも大きいことが好ましい。このような材料を選択した場合、支持部材63と複数の透光性部材62とからなる蓋体64の線膨張係数を第2実施形態の蓋体53の線膨張係数よりも大きくして、基板12の線膨張係数に近付けることができる。
これにより、光源装置60が高温下に曝された場合でも、透光性部材62が破損したり、支持部材63から脱落したりするおそれを低減できる。この作用により、光源装置60の信頼性を高めることができる。
また、第2実施形態と同様、複数の透光性部材62は、支持部材63の基板12側に設けられている。これにより、発光素子14と各透光性部材62との間の距離を短くすることができ、透光性部材62は、発光素子14から射出された光Lを効率的に集光させることができる。
[第4実施形態]
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、枠体および蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図8は、第4実施形態の光源装置76の断面図である。
図8において、上記実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、枠体および蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図8は、第4実施形態の光源装置76の断面図である。
図8において、上記実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図8に示すように、第4実施形態の光源装置76は、基板12と、枠体77と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、蓋体78と、複数のリード端子17(図示略)と、を備えている。基板12と枠体77と蓋体78とは、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
基板12は、第1面12aと第2面12bとを有する板材で構成されている。基板12の第1面12a側には、複数のサブマウント13を介して複数の発光素子14が設けられている。基板12は、例えば銅、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
枠体77は、複数の発光素子14を囲んで設けられ、基板12の第1面12a側に接合されている。枠体77は、基板12の第1面12aに対して略垂直に突出する壁部77aと、壁部77aの上端から壁部77aと略垂直(基板12の第1面12aと略平行)に突出する支持部77bと、を有する。支持部77bは、蓋体78(透光性部材79)を支持する。壁部77aと支持部77bとは、一体の部材である。
枠体77は、アクリル樹脂(PMMA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂(ABS)、ポリカーボネート(PC)、液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂(EP)、フェノール樹脂(PF)、熱硬化ポリイミド(PI)等の熱硬化性樹脂等を含む有機系樹脂材料から構成されている。
蓋体78は、板状の透光性部材79で構成されている。透光性部材79は、平面視において、四角形の形状を有している。透光性部材79の材料としては、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等が用いられる。蓋体78は、枠体77の支持部77bの下面に接合されている。
第4実施形態において、基板12と枠体77とは、枠体77の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。同様に、枠体77と蓋体78(透光性部材79)とは、枠体77の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。
第4実施形態の光源装置76を製造する際には、蓋体78が枠体77の支持部77bの下面に接合されるため、枠体77を基板12に接合した後に蓋体78を枠体77に接合することはできない。そのため、図3A〜図3Dに示した第1実施形態の製造プロセスとは異なり、蓋体78を枠体77に接合した後に、蓋体78が接合された枠体77を複数の発光素子14が実装された基板12に接合する。
第4実施形態の光源装置76においても、装置構成を簡略化できる、光源装置76の生産性が向上し、製造コストを低減できる、製造プロセスにおける省エネルギー化が図れる、基板12−蓋体78間の熱膨張差を緩和しやすく、発光素子14および光源装置76の信頼性を向上させることができる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
特に第4実施形態の光源装置76においては、図5に示した第2実施形態における枠体15と支持部材55とが一体化された枠体77が用いられているため、第2実施形態に比べて装置構成や製造プロセスを簡略化しつつ、第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
[第5実施形態]
以下、本発明の第5実施形態について、図9を用いて説明する。
第5実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、枠体および蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図9は、第5実施形態の光源装置87の断面図である。
図9において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
以下、本発明の第5実施形態について、図9を用いて説明する。
第5実施形態の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、枠体および蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図9は、第5実施形態の光源装置87の断面図である。
図9において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図9に示すように、第5実施形態の光源装置87は、基板12と、枠体88と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、蓋体89と、複数のリード端子17(図示略)と、を備えている。基板12と枠体88と蓋体89とは、各々が別体の部材であり、互いに接合されている。
基板12は、図2に示した第1実施形態と同様である。すなわち、基板12は、銅、アルミニウム等の金属材料で構成され、第1面12aと第2面12bとを有する。
枠体88は、複数の発光素子14を囲んで設けられ、基板12の第1面12a側に接合されている。枠体88は、基板12の第1面12aに対して略垂直に突出する壁部88aと、壁部88aの上端から壁部88aと略垂直(基板12の第1面12aと略平行)に突出する支持部88bと、を有する。支持部88bは、複数の開口部を有し、複数の透光性部材62からなる蓋体89を支持する。壁部88aと支持部88bとは、一体の部材である。
枠体88は、アクリル樹脂(PMMA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂(ABS)、ポリカーボネート(PC)、液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂(EP)、フェノール樹脂(PF)、熱硬化ポリイミド(PI)等の熱硬化性樹脂等を含む有機系樹脂材料から構成されている。
蓋体89は、複数の透光性部材62から構成されている。複数の透光性部材62の各々は、平凸レンズから構成されている。透光性部材62には、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等が用いられる。また、各透光性部材62は、支持部88bの第1面12aと対向する面(図9における下面)に接合されていてもよいし、支持部88bの第1面12aと対向する面と反対側の面(図9における上面)に接合されていてもよい。
第5実施形態において、基板12と枠体88とは、枠体88の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。同様に、枠体88と蓋体89(透光性部材62)とは、枠体88の構成材料である有機系樹脂材料による溶着によって接合されている。
第5実施形態の光源装置87を製造する際には、蓋体89を構成する複数の透光性部材62が枠体88の支持部88bの下面に接合されるため、枠体88を基板12に接合した後に複数の透光性部材62を枠体88に接合することはできない。そのため、図3A〜図3Dに示した第1実施形態の製造プロセスとは異なり、複数の透光性部材62を枠体88に接合した後に、複数の透光性部材62が接合された枠体88を複数の発光素子14が実装された基板12に接合する。
第5実施形態の光源装置87においても、装置構成を簡略化できる、光源装置87の生産性が向上し、製造コストを低減できる、製造プロセスにおける省エネルギー化が図れる、基板12−蓋体89間の熱膨張差を緩和しやすく、発光素子14および光源装置87の信頼性を向上させることができる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
特に第5実施形態の光源装置87においては、図7に示した第3実施形態における枠体15と支持部材63とが一体化された枠体88が用いられているため、第3実施形態に比べて装置構成や製造プロセスを簡略化しつつ、第3実施形態と同様の効果を得ることができる。
[変形例]
上記の第1〜第5実施形態のうち、複数の実施形態の光源装置に共通する変形例について、以下説明する。以下の変形例に関する図面については、上記の実施形態で用いた図面と共通の構成要素に同一の符号を付し、説明を省略する。
上記の第1〜第5実施形態のうち、複数の実施形態の光源装置に共通する変形例について、以下説明する。以下の変形例に関する図面については、上記の実施形態で用いた図面と共通の構成要素に同一の符号を付し、説明を省略する。
[第1変形例]
図10は、第1変形例の光源装置56の要部の断面図である。
図10に示すように、第1変形例の光源装置56は、基板12の第1面12aに設けられたプリズム8をさらに備えている。発光素子14は、サブマウント9を介して基板12の第1面12a側に設けられている。発光素子14は、発光素子14の複数の面のうち、光射出面14aが基板12の第1面12aと略直交するように、サブマウント9上に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略平行な方向に光Lを射出する。
図10は、第1変形例の光源装置56の要部の断面図である。
図10に示すように、第1変形例の光源装置56は、基板12の第1面12aに設けられたプリズム8をさらに備えている。発光素子14は、サブマウント9を介して基板12の第1面12a側に設けられている。発光素子14は、発光素子14の複数の面のうち、光射出面14aが基板12の第1面12aと略直交するように、サブマウント9上に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略平行な方向に光Lを射出する。
プリズム8は、当該プリズム8に対応する発光素子14から射出される光Lの光路上に設けられている。プリズム8は、複数の発光素子14の各々に対応して別個に設けられていてもよいし、一つのサブマウント9に実装された複数の発光素子14に対して共通に設けられていてもよい。
プリズム8は、光の射出方向に平行、かつ基板12の第1面12aに垂直な平面で切断した断面形状が略三角形状を呈する。プリズム8は、発光素子14から射出された光Lを基板12の第1面12aと略直交する方向に向けて反射させる反射面8aを有する。反射面8aは、基板12の第1面12aに対して傾斜しており、反射面8aと基板12の第1面12aとのなす角度θは例えば45°である。発光素子14から射出された光Lは、プリズム8の反射面8aで反射して進行方向を変え、透光性部材18を介して外部に取り出される。
なお、第1変形例において、透光性部材18の上面(収容空間Sと反対側の面)に、集光レンズが透光性部材18と一体に設けられていてもよい。
第1変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
[第2変形例]
図11は、第2変形例の光源装置57の要部の断面図である。
図11に示すように、第2変形例の光源装置57は、透光性部材19の基板12の第1面12aと対向する面に設けられたプリズム23をさらに備えている。第1変形例と同様、発光素子14は、光射出面14aが基板12の第1面12aと略直交するように、サブマウント9上に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略平行な方向に光Lを射出する。
図11は、第2変形例の光源装置57の要部の断面図である。
図11に示すように、第2変形例の光源装置57は、透光性部材19の基板12の第1面12aと対向する面に設けられたプリズム23をさらに備えている。第1変形例と同様、発光素子14は、光射出面14aが基板12の第1面12aと略直交するように、サブマウント9上に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略平行な方向に光Lを射出する。
プリズム23は、光Lの射出方向に平行、かつ基板12の第1面12aに垂直な平面で切断した断面形状が略三角形状を呈する。プリズム23は、発光素子14から射出された光Lが入射する入射面23bと、光Lを基板12の第1面12aと略直交する方向に向けて反射させる反射面23aと、を有する。反射面23aは、基板12の第1面12aに対して傾斜しており、反射面23aと基板12の第1面12aとのなす角度は例えば45°である。発光素子14から射出された光Lは、プリズム23に入射した後、反射面23aで反射して進行方向を変え、外部に取り出される。
なお、第2変形例において、透光性部材19の上面(収容空間Sと反対側の面)に、集光レンズが透光性部材19と一体に設けられていてもよい。
第2変形例の構成は、第1実施形態、第2実施形態、および第4実施形態の光源装置に適用可能である。
[第3変形例]
図12は、第3変形例の光源装置58の要部の断面図である。
図12に示すように、第3変形例の光源装置58は、透光性部材28の基板12の第1面12aと対向する面に設けられたレンズ29をさらに備えている。第1実施形態と同様、発光素子14は、光射出面14aが基板12の第1面12aと略平行になるように、サブマウント13に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略垂直な方向に光Lを射出する。
図12は、第3変形例の光源装置58の要部の断面図である。
図12に示すように、第3変形例の光源装置58は、透光性部材28の基板12の第1面12aと対向する面に設けられたレンズ29をさらに備えている。第1実施形態と同様、発光素子14は、光射出面14aが基板12の第1面12aと略平行になるように、サブマウント13に設けられている。この配置により、複数の発光素子14の各々は、基板12の第1面12aと略垂直な方向に光Lを射出する。
レンズ29は、当該レンズ29に対応する発光素子14から射出される光Lの光路上に設けられている。発光素子14から射出された光Lは、レンズ29を透過することによって集光された状態で外部に取り出される。
なお、第3変形例において、透光性部材28の上面(収容空間Sと反対側の面)に、透光性部材28と一体にレンズ(収容空間Sと反対側に突出する凸レンズ)が設けられていてもよい。
第3変形例の構成は、第1実施形態、第2実施形態、および第4実施形態の光源装置に適用可能である。
[第4変形例]
図13は、第4変形例の光源装置の断面図である。
図13に示すように、第4変形例の光源装置35において、蓋体36を構成する透光性部材54は、支持部材55の2つの面のうち、基板12の第1面12aと対向する面と反対側の面55a(図13における上面)に接合されている。すなわち、透光性部材54は、支持部材55に対して収容空間Sの外側に接合されている。
図13は、第4変形例の光源装置の断面図である。
図13に示すように、第4変形例の光源装置35において、蓋体36を構成する透光性部材54は、支持部材55の2つの面のうち、基板12の第1面12aと対向する面と反対側の面55a(図13における上面)に接合されている。すなわち、透光性部材54は、支持部材55に対して収容空間Sの外側に接合されている。
透光性部材54と支持部材55とは、第2実施形態などと同様、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材で構成されていてもよいし、有機接着剤を含む接合材で構成されていてもよい。
第4変形例の構成は、第2実施形態、第3実施形態、第4実施形態、第5実施形態の光源装置に適用可能である。
[第5変形例]
図14は、第5変形例の光源装置の断面図である。
図14に示すように、第5変形例の光源装置37において、透光性部材38は、支持部材39の開口部39hに嵌合する形態で接合されている。
図14は、第5変形例の光源装置の断面図である。
図14に示すように、第5変形例の光源装置37において、透光性部材38は、支持部材39の開口部39hに嵌合する形態で接合されている。
透光性部材38と支持部材39とは、互いに接合される接合面同士が、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材によって接合されていてもよいし、有機接着剤を含む接合材で構成されていてもよい。また、図14に示すような支持部材39の段部に透光性部材38が嵌合する構成であってもよく、接合部の形状は適宜変更が可能である。
第5変形例の構成は、第2実施形態、第3実施形態、第4実施形態、第5実施形態の光源装置に適用可能である。
[第6変形例]
上記実施形態において、各発光素子の接続端子に接続された配線を収容空間の外部に引き出すための手段として、枠体を貫通するリード端子を採用した。この構成に代えて、基板の第1面に設けられた配線層を採用してもよい。
第6変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
上記実施形態において、各発光素子の接続端子に接続された配線を収容空間の外部に引き出すための手段として、枠体を貫通するリード端子を採用した。この構成に代えて、基板の第1面に設けられた配線層を採用してもよい。
第6変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
図15は、第6変形例の光源装置43の斜視図である。
図16は、図15のXVI−XVI線に沿う光源装置43の要部の断面図である。
図15に示すように、第6変形例の光源装置43においては、一つのサブマウント13に実装された複数の発光素子14が直列に接続され、基板12の第1面12a上の各サブマウント13の側方に、一対の配線層44が設けられている。なお、複数の発光素子14の電気的な接続や配線層44の配置については、この例に限らず、適宜変更が可能である。
図16は、図15のXVI−XVI線に沿う光源装置43の要部の断面図である。
図15に示すように、第6変形例の光源装置43においては、一つのサブマウント13に実装された複数の発光素子14が直列に接続され、基板12の第1面12a上の各サブマウント13の側方に、一対の配線層44が設けられている。なお、複数の発光素子14の電気的な接続や配線層44の配置については、この例に限らず、適宜変更が可能である。
図16に示すように、枠体15は、絶縁層45および配線層44を介して基板12の第1面12a側に接合されている。すなわち、枠体15は、配線層44上に接合されている。枠体15は、上記実施形態と同様、有機系樹脂材料から構成されている。
絶縁層45は、基板12の第1面12aに設けられている。絶縁層45は、無機膜で形成されていてもよいし、有機膜で形成されていてもよい。配線層44は、絶縁層45の基板12とは反対側の面に設けられている。配線層44は、枠体15の下方において収容空間Sの内側と外側とにわたって設けられている。配線層44は、例えばメッキ法等により形成された銅等の金属膜で形成されている。発光素子14の接続端子14gと配線層44とは、ボンディングワイヤー46によって電気的に接続されている。
なお、基板12が銅、アルミニウム等の導電性材料で構成されている場合には絶縁層45は必須であるが、基板12が非導電性材料で構成されている場合には絶縁層45は設けられていなくてもよい。
第6変形例の光源装置43においては、枠体15が有機系樹脂材料、すなわち絶縁材料で構成されているため、枠体15が配線層44に直接接触する構成であっても、複数の配線層44同士が短絡することがない。そのため、例えば配線層44の上面を他の絶縁層でさらに覆う等の構成を用いることがない。これにより、装置構成や製造プロセスを複雑にすることなく、配線層44による配線取り出し構造を採用することができる。
[第7変形例]
図17は、第7変形例の光源装置47の要部の断面図である。
図17に示すように、第7変形例の光源装置47において、基板12と枠体15とは、溶着によって接合されている。収容空間Sの内側にあたる枠体15の側面、および収容空間Sの外側にあたる枠体15の側面には、ガスバリア層48a,48bがそれぞれ設けられている。ガスバリア層48a,48bは、枠体15の側面の全域に設けられることが好ましいが、枠体15の側面の一部に設けられていてもよい。なお、枠体15の側面は、基板12の第1面12aに垂直な枠体15の面である。
図17は、第7変形例の光源装置47の要部の断面図である。
図17に示すように、第7変形例の光源装置47において、基板12と枠体15とは、溶着によって接合されている。収容空間Sの内側にあたる枠体15の側面、および収容空間Sの外側にあたる枠体15の側面には、ガスバリア層48a,48bがそれぞれ設けられている。ガスバリア層48a,48bは、枠体15の側面の全域に設けられることが好ましいが、枠体15の側面の一部に設けられていてもよい。なお、枠体15の側面は、基板12の第1面12aに垂直な枠体15の面である。
ガスバリア層48a,48bは、例えばSiN、SiO、Al2O3、HfO2等の無機膜、Cr、Ni、Al等の金属膜を例えばCVD法やPVD法で成膜した薄膜を用いることができる。ただし、上記の金属膜は、CVD法で成膜されることが望ましい。また、ガスバリア層48a,48bに熱可塑性樹脂材料を用いることもできる。この場合、熱可塑性樹脂材料に例えばモンモリロナイトや雲母などの無機フィラー材を添加することにより、ガスバリア性を高めることができる。無機フィラー材は、薄片状になるものを用いることが望ましい。
上記実施形態の光源装置においては、有機系樹脂材料からなる枠体が用いられているため、金属材料からなる枠体が用いられた従来の光源装置に比べて、場合によっては収容空間内の気密性が低下する懸念がある。この点、第7変形例の光源装置47においては、枠体15の両側面にガスバリア層48a,48bがそれぞれ設けられているため、収容空間S内の気密性を維持することができる。また、枠体の構成材料である有機系樹脂材料から発生するアウトガスが収容空間S内に漏出することが抑えられ、発光素子14への悪影響を抑制することができる。この観点から、アウトガスの発生が少ない有機系樹脂材料が用いられることが好ましい。
さらに、枠体15の収容空間S側の側面に、光反射層が設けられていてもよい。光反射層の材料としては、例えばSiO2、Al2O3、TiO3、MgF2等を含む誘電体多層膜、Ni、Ag、Al等の金属膜等を例えばCVD法やPVD法で成膜した薄膜を用いることができる。また、上記の誘電体多層膜と金属膜とを組み合わせて用いてもよい。これにより、反射特性を強化することも可能である。また、上記のガスバリア層48a,48bが光拡散性を有していてもよい。その場合、ガスバリア層48a,48bは、光反射層を兼ねる。
枠体15の収容空間S側の側面に光反射層が設けられている場合、発光素子14から射出された光Lが枠体15に照射されることによって、枠体15を構成する有機系樹脂材料が光Lによって劣化することを抑制できる。
また、光Lによる枠体15の劣化を抑制するために、基板12の第1面12aに光吸収層が設けられていてもよい。基板12の第1面12aに光吸収層が設けられている場合、基板12の第1面12aにおける光Lの乱反射を抑制することができる。さらに、蓋体の基板12の第1面12aと対向する面のうち、光Lが通過する領域以外の領域に、光吸収層が設けられていてもよい。
第7変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
[第8変形例]
図18は、第8変形例の光源装置の一製造工程を示す断面図である。
図18に示すように、第8変形例の光源装置の製造方法では、枠体21を基板12に接合する工程において、枠体21の基板12との接合面に凸部21tを予め設けておく。ここでは、半球状の凸部21tの例を挙げたが、凸部の形状は特に限定されない。凸部の大きさも特に限定されないが、次工程で凸部が溶融した際に、溶融した樹脂が少なくとも枠体の基板との接合面(下面)全体に行き渡るだけの大きさであることが望ましい。
図18は、第8変形例の光源装置の一製造工程を示す断面図である。
図18に示すように、第8変形例の光源装置の製造方法では、枠体21を基板12に接合する工程において、枠体21の基板12との接合面に凸部21tを予め設けておく。ここでは、半球状の凸部21tの例を挙げたが、凸部の形状は特に限定されない。凸部の大きさも特に限定されないが、次工程で凸部が溶融した際に、溶融した樹脂が少なくとも枠体の基板との接合面(下面)全体に行き渡るだけの大きさであることが望ましい。
次に、枠体21の凸部21tを局所的に加熱することによって凸部21tを溶融させ、枠体21を基板12の第1面12aに溶着する。凸部21tを局所的に加熱する手段として、例えば凸部21tにレーザー光Fを照射するレーザー加熱等を用いることができる。このような工程を経て、枠体21と基板12とを接合することができる。
上記の方法は、枠体21と蓋体16とを接合する工程においても採用することができる。すなわち、枠体21の蓋体16との接合面に予め凸部21tを設けておき、凸部21tを局所的に加熱することによって凸部21tを溶融させ、枠体21を蓋体16に溶着する。このような工程を経て、枠体21と蓋体16とを接合することができる。
枠体と基板、もしくは枠体と蓋体とを接合する工程において、枠体の全体が軟化、溶融することがないように、枠体の接合面の近傍のみを加熱して溶融させることが望ましいが、そのような加熱を行うことが難しい場合がある。その点、第8変形例の製造方法によれば、枠体21の接合面に凸部21tが設けられているため、例えばレーザー光Fを凸部21tに照射すると、体積が小さい凸部21tに熱が集中して凸部21tが溶融しやすい。そのため、枠体21と基板12、もしくは枠体21と蓋体16との接合が容易になり、短時間で済む。これにより、光源装置の信頼性を高めることができる。特に基板12に発光素子14を実装した後の接合工程においては、発光素子14に対する熱によるダメージが少なくなるため、発光素子14の信頼性を高めることができる。
[第9変形例]
上記実施形態においては、枠体と基板、もしくは枠体と蓋体とが有機系樹脂材料の溶着によって接合されていた。この構成に代えて、枠体と基板、もしくは枠体と蓋体とが接合材を介して接合されていてもよい。
第9変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
上記実施形態においては、枠体と基板、もしくは枠体と蓋体とが有機系樹脂材料の溶着によって接合されていた。この構成に代えて、枠体と基板、もしくは枠体と蓋体とが接合材を介して接合されていてもよい。
第9変形例の構成は、第1〜第5実施形態の光源装置の全てに適用可能である。
図19は、第9変形例の光源装置31の要部を示す断面図である。
図19に示すように、基板12と枠体15とは、接合材32を介して接合されている。接合材32として、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の有機接着剤を含む接合材が用いられてもよいし、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材が用いられてもよい。ただし、枠体15を構成する有機系樹脂材料の耐熱性を考慮すると、金属材料や無機材料よりも接合温度が低い有機接着剤を含む接合材が用いられることが好ましい。
図19に示すように、基板12と枠体15とは、接合材32を介して接合されている。接合材32として、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の有機接着剤を含む接合材が用いられてもよいし、銀ロウ、金−スズはんだ等の金属材料、もしくは低融点ガラス等の無機材料を含む接合材が用いられてもよい。ただし、枠体15を構成する有機系樹脂材料の耐熱性を考慮すると、金属材料や無機材料よりも接合温度が低い有機接着剤を含む接合材が用いられることが好ましい。
上記の構造は、枠体と蓋体との接合部においても採用することができる。
[第6実施形態:プロジェクター]
以下に、第6実施形態に係るプロジェクターの一例について説明するが、プロジェクターの実施形態はこの例に限定されることはない。
以下に、第6実施形態に係るプロジェクターの一例について説明するが、プロジェクターの実施形態はこの例に限定されることはない。
図20は、第6実施形態のプロジェクター1000の概略構成図である。
図20に示すように、プロジェクター1000は、照明装置100、色分離導光光学系200、光変調装置としての3つの液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400B、クロスダイクロイックプリズム500、および投射光学装置600を備える。
図20に示すように、プロジェクター1000は、照明装置100、色分離導光光学系200、光変調装置としての3つの液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400B、クロスダイクロイックプリズム500、および投射光学装置600を備える。
照明装置100は、光源装置10、集光光学系80、波長変換素子90、コリメート光学系110、第1レンズアレイ120、第2レンズアレイ130、偏光変換素子140、および重畳レンズ150を備える。
光源装置10は、上記実施形態の光源装置のいずれかを用いることができる。光源装置10は、例えば青色光Bを集光光学系80に向けて射出する。
集光光学系80は、第1レンズ82および第2レンズ84を備える。集光光学系80は、光源装置10から波長変換素子90までの光路中に配置され、全体として青色光Bを略集光した状態で後述する波長変換層92に入射させる。第1レンズ82および第2レンズ84は、凸レンズで構成される。
波長変換素子90は、いわゆる透過型の波長変換素子であり、モーター98により回転可能な円形の基板96の一部に、単一の波長変換層92が基板96の周方向に沿って連続して設けられている。波長変換素子90は、青色光Bを赤色光Rと緑色光Gとを含む黄色の蛍光光に変換し、蛍光光を青色光Bが入射する側とは反対側に向けて射出する。
基板96は、青色光Bを透過する材料で構成される。基板96の材料としては、例えば、石英ガラス、水晶、サファイア、光学ガラス、透明樹脂等を用いることができる。
光源装置10からの青色光Bは、基板96側から波長変換素子90に入射する。波長変換層92は、青色光Bを透過し、赤色光Rおよび緑色光Gを反射するダイクロイック膜94を介して基板96上に形成されている。ダイクロイック膜94は、例えば誘電体多層膜で構成される。
波長変換層92は、光源装置10からの波長が約445nmの青色光Bの一部を蛍光光に変換して射出し、かつ、青色光Bの残りの一部を変換せずに通過させる。すなわち、波長変換層92は、光源装置10から射出された光によって励起され、蛍光光を射出する。このように、励起光を射出する光源装置10と波長変換層92とを用いて所望の色光を得ることができる。波長変換層92は、例えばYAG系蛍光体の一例である(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12:Ceと有機バインダーとを含有する層で構成される。
コリメート光学系110は、第1レンズ112と第2レンズ114を備える。コリメート光学系110は、波長変換素子90からの光を略平行化する。第1レンズ112および第2レンズ114の各々は、凸レンズから構成されている。
第1レンズアレイ120は、コリメート光学系110からの光を複数の部分光束に分割する。第1レンズアレイ120は、照明光軸100axと直交する面内にマトリクス状に配列された複数の第1レンズ122から構成されている。
第2レンズアレイ130は、照明光軸100axに直交する面内にマトリクス状に配列された複数の第2レンズ132から構成されている。複数の第2レンズ132は、第1レンズアレイ120の複数の第1レンズ122に対応して設けられている。第2レンズアレイ130は、重畳レンズ150とともに、第1レンズアレイ120の各第1レンズ122の像を液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bの画像形成領域の近傍に結像させる。
偏光変換素子140は、第1レンズアレイ120により分割された各部分光束の偏光方向を、偏光方向の揃った略1種類の直線偏光光として射出する偏光変換素子である。偏光変換素子140は、図示しない偏光分離層と反射層と位相差板とを有する。偏光分離層は、波長変換素子90からの光に含まれる偏光成分のうち、一方の直線偏光成分をそのまま透過し、他方の直線偏光成分を照明光軸100axに垂直な方向に反射する。反射層は、偏光分離層で反射された他方の直線偏光成分を照明光軸100axに平行な方向に反射する。位相差板は、反射層で反射された他方の直線偏光成分を一方の直線偏光成分に変換する。
重畳レンズ150は、偏光変換素子140からの各部分光束を集光して液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bの画像形成領域近傍に重畳させる。
第1レンズアレイ120、第2レンズアレイ130および重畳レンズ150は、波長変換素子90からの光の面内光強度分布を均一にするインテグレーター光学系を構成する。
色分離導光光学系200は、ダイクロイックミラー210、ダイクロイックミラー220、反射ミラー230、反射ミラー240、反射ミラー250、リレーレンズ260、およびリレーレンズ270を備える。色分離導光光学系200は、照明装置100からの光を赤色光R、緑色光G、および青色光Bに分離し、赤色光R、緑色光Gおよび青色光Bの各々の色光を照明対象となる液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bに導光する。
色分離導光光学系200と液晶ライトバルブ400Rとの間には、フィールドレンズ300Rが配置されている。色分離導光光学系200と液晶ライトバルブ400Gとの間には、フィールドレンズ300Gが配置されている。色分離導光光学系200と液晶ライトバルブ400Bとの間には、フィールドレンズ300Bが配置されている。
ダイクロイックミラー210は、赤色光R成分を通過させ、ダイクロイックミラー220に向けて、緑色光G成分、および青色光B成分を反射する。ダイクロイックミラー220は、フィールドレンズ300Gに向けて緑色光G成分を反射して、青色光B成分を通過させる。
ダイクロイックミラー210を通過した赤色光Rは、反射ミラー230で反射され、フィールドレンズ300Rを通過して赤色光R用の液晶ライトバルブ400Rの画像形成領域に入射する。
ダイクロイックミラー210で反射された緑色光Gは、ダイクロイックミラー220でさらに反射され、フィールドレンズ300Gを通過して緑色光G用の液晶ライトバルブ400Gの画像形成領域に入射する。
ダイクロイックミラー220を通過した青色光Bは、リレーレンズ260、入射側の反射ミラー240、リレーレンズ270、出射側の反射ミラー250、フィールドレンズ300Bを経て、青色光B用の液晶ライトバルブ400Bの画像形成領域に入射する。
液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bは、光源装置10から射出された光を変調する。これらの液晶ライトバルブは、入射された色光を画像情報に応じて変調してカラー画像を形成するものであり、照明装置100の照明対象となる。
また、図示は省略したが、液晶ライトバルブ400Rの光入射側と光射出側にはそれぞれ、入射側偏光板と射出側偏光板とが設けられている。液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bに関しても同様である。
クロスダイクロイックプリズム500は、液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bの各々から射出された画像光を合成してカラー画像を形成する。クロスダイクロイックプリズム500は、4つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた略X字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。
投射光学装置600は、液晶ライトバルブ400R、液晶ライトバルブ400G、液晶ライトバルブ400Bによって形成されたカラー画像をスクリーンSCR上に投射する。投射光学装置600は、複数の投射レンズから構成されている。
第6実施形態のプロジェクター1000は、上述した光源装置10を備えているため、信頼性が高く、かつ、製造コストの低減が図れる。また、プロジェクター1000は、波長変換素子90を備えるため、所望の色の画像を表示することができる。なお、蛍光体として、黄色以外の蛍光光を発する蛍光体を用いてもよい。例えば、赤色の蛍光光を発する蛍光体を用いたり、緑色の蛍光光を発する蛍光体を用いたりしてもよい。プロジェクターの用途に応じて、任意の色の蛍光光を発する波長変換素子を選択することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施形態の光源装置において、複数の接合部のうちのいずれかは有機接着剤を含む接合材で構成されているが、接合材は、有機接着剤のみで構成されていてもよいし、有機接着剤と他の材料が組み合わされた接合材で構成されていてもよい。
例えば上記実施形態の光源装置において、複数の接合部のうちのいずれかは有機接着剤を含む接合材で構成されているが、接合材は、有機接着剤のみで構成されていてもよいし、有機接着剤と他の材料が組み合わされた接合材で構成されていてもよい。
上記実施形態では、光源装置がサブマウントを備えている例を示したが、光源装置は必ずしもサブマウントを備えていなくてもよい。また、サブマウントの有無に係わらず、複数の発光素子からの光の射出方向は、基板の第1面に対して垂直な方向であってもよいし、基板の第1面に対して平行な方向であってもよい。上述したように、光の射出方向が基板の第1面に対して平行な場合には、プリズム等を用いて発光素子からの光の光路を折り曲げ、透光性部材に導くようにすればよい。
また、光源装置を構成する基板、発光素子、枠体、蓋体、支持部材、透光性部材等を含む各種部材の形状、大きさ、数、配置、材料等の具体的な構成、および光源装置の製造方法に関する具体的な記載については、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である。
上記実施形態においては、透過型のプロジェクターに本発明を適用した場合の例について説明したが、本発明は、反射型のプロジェクターにも適用することも可能である。ここで、「透過型」とは、液晶パネル等を含む液晶ライトバルブが光を透過する形態であることを意味する。「反射型」とは、液晶ライトバルブが光を反射する形態であることを意味する。なお、光変調装置は、液晶ライトバルブに限られず、例えばデジタルマイクロミラーデバイスが用いられてもよい。
上記実施形態において、3つの液晶パネルを用いたプロジェクターの例を挙げたが、本発明は、1つの液晶ライトバルブのみを用いたプロジェクター、4つ以上の液晶ライトバルブを用いたプロジェクターにも適用可能である。
上記実施形態では、透過型の波長変換素子を備えた光源装置の例を示したが、反射型の波長変換素子を備えた光源装置であってもよい。さらに、光源装置が波長変換素子を備えた例を示したが、波長変換素子を備えていなくてもよい。このような場合には、プロジェクターの光源装置として、赤色光を射出する光源装置、緑色光を射出する光源装置、青色光を射出する光源装置、のうち少なくとも一つに上記光源装置が用いられればよい。
上記実施形態では、本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限定されない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
12…基板、12a…(基板の)第1面、14…発光素子、14g…接続端子、15,21,77,88…枠体、16,36,53,64,78,89…蓋体、18,19,28,38,54,62,79…透光性部材、10,35,37,43,47,50,56,57,58,60,76,87…光源装置、39,55,63…支持部材、44…配線層、45…絶縁層、48a,48b…ガスバリア層、400R,400G,400B…液晶ライトバルブ(光変調装置)、600…投射光学装置、1000…プロジェクター、S…収容空間。
Claims (7)
- 第1面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を囲んで設けられ、前記基板の前記第1面側に接合された枠体と、
前記複数の発光素子から射出された光を透過させる透光性部材を有し、前記基板の前記第1面に対向して設けられ、前記枠体の前記基板とは反対側に接合された蓋体と、を備え、
前記複数の発光素子は、前記基板と前記枠体と前記蓋体とにより形成された収容空間に収容され、
前記枠体は、樹脂を含む材料で構成されている、光源装置。 - 前記蓋体は、前記透光性部材が接合された支持部材をさらに有し、
前記支持部材は、前記枠体の前記基板とは反対側に接合されている、請求項1に記載の光源装置。 - 前記基板の前記第1面に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の前記基板とは反対側に設けられた配線層と、をさらに備え、
前記発光素子の接続端子と前記配線層とは、電気的に接続されている、請求項1または請求項2に記載の光源装置。 - 前記枠体の側面にガスバリア層が設けられた、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の光源装置。
- 前記枠体の前記収容空間側の側面に光反射層が設けられた、請求項4に記載の光源装置。
- 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えた、プロジェクター。 - 第1面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を囲んで設けられ、前記基板の前記第1面側に接合された枠体と、
前記複数の発光素子から射出された光を透過させる透光性部材を有し、前記基板の前記第1面に対向して設けられ、前記枠体の前記基板とは反対側に接合された蓋体と、を備えた光源装置の製造方法であって、
前記基板と前記枠体との接合、および、前記枠体と前記蓋体との接合のうちの少なくとも一方を、溶着によって行う、光源装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021111715A (ja) * | 2020-01-14 | 2021-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112825411A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-21 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
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CN112825413A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-21 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN112825409A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-21 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN116885548A (zh) * | 2019-11-19 | 2023-10-13 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN112825410A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-21 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN113437634A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN113437635A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
WO2022111335A1 (zh) * | 2020-11-25 | 2022-06-02 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
CN115764537A (zh) * | 2021-06-22 | 2023-03-07 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05145186A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Rohm Co Ltd | パツケージ型半導体レーザ装置 |
JPH09274121A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-10-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光用半導体装置とその製造方法 |
JP2000164966A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2004128273A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 発光素子 |
WO2010113911A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
JP2012038819A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
JP2015506071A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-26 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 回折光学素子を備える光学装置 |
JP2017138566A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター |
JP2019191320A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998044475A1 (fr) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Idec Izumi Corporation | Dispositif d'affichage et d'eclairage |
JP5320560B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-10-23 | 東芝ライテック株式会社 | 光源ユニット及び照明装置 |
JP2010228441A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-10-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 液晶ポリマーの成形体とガラス基材とを溶着する方法、及び、これにより製造された複合体 |
KR101869246B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2018-07-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP6037293B2 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP2014197166A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子、光学素子の製造方法およびプロジェクター |
JP6606517B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-11-13 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9971235B2 (en) * | 2016-01-29 | 2018-05-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device, projector, and method of manufacturing light source device |
US10054849B2 (en) * | 2016-05-17 | 2018-08-21 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector |
JP2018073950A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール及び照明器具 |
JP6504193B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2018
- 2018-04-23 JP JP2018082631A patent/JP2019192442A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-04-22 US US16/390,053 patent/US20190324360A1/en not_active Abandoned
- 2019-04-22 CN CN201910323337.9A patent/CN110389493A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05145186A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Rohm Co Ltd | パツケージ型半導体レーザ装置 |
JPH09274121A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-10-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光用半導体装置とその製造方法 |
JP2000164966A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2004128273A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 発光素子 |
WO2010113911A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
JP2012038819A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
JP2015506071A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-26 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 回折光学素子を備える光学装置 |
JP2017138566A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター |
JP2019191320A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021111715A (ja) * | 2020-01-14 | 2021-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP7294152B2 (ja) | 2020-01-14 | 2023-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110389493A (zh) | 2019-10-29 |
US20190324360A1 (en) | 2019-10-24 |
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