JP2019164994A - Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for the same - Google Patents
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- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000396 iron Nutrition 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- -1 kovar Chemical class 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021652 non-ferrous alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/36—Seals between parts of vessels; Seals for leading-in conductors; Leading-in conductors
- H01J61/361—Seals between parts of vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/025—Associated optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/54—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
- H01J9/265—Sealing together parts of vessels specially adapted for gas-discharge tubes or lamps
- H01J9/266—Sealing together parts of vessels specially adapted for gas-discharge tubes or lamps specially adapted for gas-discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
- H01J61/16—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having helium, argon, neon, krypton, or xenon as the principle constituent
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Abstract
Description
本発明は、照明装置に関し、より具体的には、高輝度アークランプに関する。 The present invention relates to a lighting device, and more particularly to a high-intensity arc lamp.
高輝度アークランプは、高輝度の光を発する装置である。ランプは、一般的に、例えばガラスバルブ等のガス収容チャンバとともに、チャンバ内のガス(イオン化可能媒体)を励起するために用いられるアノード及びカソードを含む。アノードとカソードとの間に放電が生じ、光源の動作中、イオン化ガスによって放出される光を維持するための励起(例えばイオン化)ガスへ電力が供給される。 A high-intensity arc lamp is a device that emits high-intensity light. The lamp typically includes an anode and a cathode used to excite the gas (ionizable medium) in the chamber, along with a gas containment chamber, such as a glass bulb. A discharge occurs between the anode and the cathode, and power is supplied to the excitation (eg, ionized) gas to maintain the light emitted by the ionized gas during operation of the light source.
図1は、従来技術による低ワット型放物線形キセノンランプ100の立体図及び断面図を示す。ランプは、一般的に、金属及びセラミックによって構成される。充填ガスであるキセノン(Xe)は、不活性かつ不毒性である。ランプサブアセンブリは、アセンブリを厳しい寸法公差に制約する固定具において、高温ロウ付けによって構成され得る。図2は、ロウ付け後のこれらのランプサブアセンブリ及び固定具の一部を示す。 FIG. 1 shows a three-dimensional view and a cross-sectional view of a prior art low watt parabolic xenon lamp 100. The lamp is generally composed of metal and ceramic. The filling gas xenon (Xe) is inert and nontoxic. The lamp subassembly can be constructed by high temperature brazing in a fixture that constrains the assembly to tight dimensional tolerances. FIG. 2 shows some of these lamp subassemblies and fixtures after brazing.
従来技術のランプ100において、カソード、アノード、及び反射体という3つの主要なサブアセンブリが存在する。カソードアセンブリ3aは、ランプカソード3b、カソード3bを窓フランジに保持する複数の支柱3c、窓3d、及びゲッタ3eを含む。ランプカソード3bは、例えばトリエーテッドタングステンから作られた、小さなペン密封型の部品である。動作中、カソード3bは、ランプアークギャップを横断して移動しアノード3gに衝突する電子を放出する。電子は、カソード3bから熱電子放出されるので、カソード先端部は、機能するために高温かつ低電子放出を維持しなければならない。 In the prior art lamp 100, there are three main subassemblies: cathode, anode, and reflector. The cathode assembly 3a includes a lamp cathode 3b, a plurality of columns 3c that hold the cathode 3b on the window flange, a window 3d, and a getter 3e. The lamp cathode 3b is a small pen-sealed part made of, for example, triated tungsten. In operation, the cathode 3b moves across the lamp arc gap and emits electrons that impinge on the anode 3g. As electrons are emitted from the cathode 3b, the cathode tip must maintain high temperature and low electron emission in order to function.
カソード支柱3cは、カソード3bを定位置に確実に保持し、カソード3bへ電流を導通する。ランプ窓3dは、研削及び研磨された単結晶サファイア(AlO2)であってもよい。サファイアは、窓3dの熱膨張がフランジ3cのフランジ熱膨張に一致することを可能にし、それによって、広い動作温度範囲にわたり気密密封が維持される。サファイアの熱伝導性によってランプのフランジ3cへ熱が輸送され、熱が均等に分散するので、窓3dの割れが防がれる。ゲッタ3eは、カソード3bを取り巻き、支柱に載置される。ゲッタ3eは、動作中にランプ内に発生する汚染ガスを吸収し、汚染物質がカソード3bを汚染すること及び反射体3k及び窓3dに不要物を運ぶことを防ぐことによって、ランプ寿命を引き延ばす。アノードアセンブリ3fは、アノード3g、基部3h、及び造管3iから成る。アノード3gは、一般的に、純タングステンで構成され、カソード3bよりも大幅に鈍い形状である。この形状は主に、アークがその陽極の電気的接続点で広がるという放電物理学の結果である。アークは、典型的にやや円錐形状であり、円錐の頂点がカソード3bに接し、円錐の基部がアノード3gに触れている。アノード3gはカソード3bよりも大きく、より多くの熱を伝導する。ランプ内の伝導排熱の約80%はアノード3gを通って外へ伝導され、20%はカソード3bを通って伝導される。アノードは、一般的に、ランプ熱シンクへの低熱抵抗経路を有するように構成されるので、ランプ基部3hは比較的大きい。基部3hは、ランプアノード3gから熱負荷を伝導するために鉄又は他の熱伝導性材料で構成される。造管3iは、ランプ100を空にして、キセノンガスで充填するためのポートである。充填後、造管3iは密封され、例えば油圧工具を用いて締め付け又は冷間圧接されるので、ランプ100は、密封されると同時に充填及び処理ステーションから切り離される。反射体アセンブリ3jは、反射体3k及び2つのスリーブ3lから成る。反射体3kは、反射体に反射面をもたらすために高温材料で上塗りされたほぼ純粋な多結晶アルミナ体であってよい。反射体3kはその後、スリーブ31に封着され、反射コーティングは、上塗りされた内側表面に塗布される。 The cathode support 3c securely holds the cathode 3b in place and conducts current to the cathode 3b. The lamp window 3d may be ground and polished single crystal sapphire (AlO2). Sapphire allows the thermal expansion of the window 3d to match the flange thermal expansion of the flange 3c, thereby maintaining a hermetic seal over a wide operating temperature range. Heat is transported to the flange 3c of the lamp by the thermal conductivity of sapphire and the heat is evenly distributed, so that the window 3d is prevented from cracking. The getter 3e surrounds the cathode 3b and is placed on a support column. The getter 3e absorbs pollutant gases generated in the lamp during operation and extends lamp life by preventing contaminants from contaminating the cathode 3b and carrying unwanted material to the reflector 3k and window 3d. The anode assembly 3f includes an anode 3g, a base 3h, and a tube 3i. The anode 3g is generally made of pure tungsten and has a shape that is significantly duller than the cathode 3b. This shape is mainly the result of discharge physics that the arc spreads at the electrical connection point of its anode. The arc is typically somewhat conical, with the apex of the cone touching the cathode 3b and the base of the cone touching the anode 3g. The anode 3g is larger than the cathode 3b and conducts more heat. About 80% of the conducted exhaust heat in the lamp is conducted out through the anode 3g and 20% is conducted through the cathode 3b. Since the anode is generally configured to have a low thermal resistance path to the lamp heat sink, the lamp base 3h is relatively large. The base 3h is made of iron or other thermally conductive material to conduct a heat load from the lamp anode 3g. The tube making 3i is a port for emptying the lamp 100 and filling it with xenon gas. After filling, the tube 3i is sealed and clamped or cold welded using, for example, a hydraulic tool, so that the lamp 100 is disconnected and simultaneously disconnected from the filling and processing station. The reflector assembly 3j includes a reflector 3k and two sleeves 3l. The reflector 3k may be a substantially pure polycrystalline alumina body that is overcoated with a high temperature material to provide a reflective surface for the reflector. The reflector 3k is then sealed to the sleeve 31 and the reflective coating is applied to the overcoated inner surface.
動作中、アノード及びカソードは、アノードとカソードとの間にあるイオン化ガスにもたらされた放電により、非常に高温になる。例えば、点火キセノンプラズマは、15,000C以上で燃焼してもよく、タングステンアノード/カソードは、約3600C度以上で融解し得る。アノード及び/又はカソードは、粒子を摩耗し、放出し得る。そのような粒子は、ランプの動作を損ない、アノード及び/又はカソードの劣化を招き得る。 In operation, the anode and cathode become very hot due to the discharge caused to the ionized gas between the anode and cathode. For example, an ignition xenon plasma may burn at 15,000 C or higher, and a tungsten anode / cathode may melt at about 3600 C degrees or higher. The anode and / or cathode can wear and release particles. Such particles can impair lamp operation and lead to anode and / or cathode degradation.
従来のロウ付け方法によって構成された既存のレーザ維持プラズマランプの場合、これらのロウ付け境界面は、製品寿命にわたるエンベロープ及び密封の一貫性のために、摂氏300度付近まで冷却されなくてはならない。上記冷却により、ランプの動作温度は、そのようなランプのエンベロープ内のガス乱れを最小限にするために理想的なものではない。より高いランプエンベロープ温度での動作は、ガス乱れを大幅に小さくし、より高いプラズマ安定性、及び直接の結果として開口部にわたるより高い輝度をもたらすことが示されている。同様に、いくつかの既存のレーザ維持プラズマランプは、高い内部動作圧を得るための水銀強化充填ガスに対応できない材料で形成される。したがって、上述した欠点の1又は複数に対処する必要がある。 For existing laser-sustained plasma lamps constructed by conventional brazing methods, these brazing interfaces must be cooled to around 300 degrees Celsius for envelope and sealing consistency over the life of the product. . Due to the cooling, the operating temperature of the lamp is not ideal to minimize gas turbulence in the envelope of such lamp. Operation at higher lamp envelope temperatures has been shown to significantly reduce gas turbulence, resulting in higher plasma stability and, as a direct consequence, higher brightness across the aperture. Similarly, some existing laser-sustained plasma lamps are formed of a material that cannot accommodate mercury-enhanced fill gas to obtain high internal operating pressure. It is therefore necessary to address one or more of the above-mentioned drawbacks.
本発明の実施形態は、レーザ維持プラズマランプ用の機械的密封管及びその製造方法を提供するものである。簡単に言うと、本発明は、イオン化可能材料を収容するように構成された密封機械的加圧密封チャンバアセンブリを有するレーザ維持プラズマランプに関する。チャンバアセンブリは、チャンバ管と、入口サファイア窓と、チャンバ管入口端と、入口サファイア窓に対して密封するように構成された第1金属密封リングと、出口サファイア窓と、チャンバ管出口端及び出口サファイア窓に対して密封するように構成された第2金属密封リングとによって囲まれている。チャンバアセンブリの外部にある機械締結構造は、入口サファイア窓及び出口サファイア窓の少なくとも一部に架かり締結するように構成される。入口サファイア窓及び出口サファイア窓は、溶接及び/又はロウ付けによってチャンバ管に連結されていない。 Embodiments of the present invention provide a mechanically sealed tube for a laser-sustained plasma lamp and a method for manufacturing the same. Briefly stated, the present invention relates to a laser sustained plasma lamp having a sealed mechanical pressurized sealed chamber assembly configured to contain an ionizable material. The chamber assembly includes a chamber tube, an inlet sapphire window, a chamber tube inlet end, a first metal sealing ring configured to seal against the inlet sapphire window, an outlet sapphire window, a chamber tube outlet end and an outlet. Surrounded by a second metal sealing ring configured to seal against the sapphire window. A mechanical fastening structure external to the chamber assembly is configured to span and fasten at least a portion of the entrance sapphire window and the exit sapphire window. The entrance sapphire window and the exit sapphire window are not connected to the chamber tube by welding and / or brazing.
本発明の他のシステム、方法、及び特徴は、以下の図面及び詳細な説明を検閲することによって当業者に明らかになる。そのような追加のシステム、方法、及び特徴は、本説明に含まれ、本発明の範囲内であり、添付の特許請求の範囲によって保護されるものである。 Other systems, methods, and features of the present invention will become apparent to those skilled in the art upon review of the following drawings and detailed description. Such additional systems, methods, and features are included in this description, are within the scope of the invention, and are protected by the following claims.
添付図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を成すものである。図面内の構成要素は必ずしも一定の縮尺ではなく、本発明の原理を明確に示すために強調が設けられる。図面は、本発明の実施形態を例示し、説明とともに、本発明の原理を説明するために役立つものである。 The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the invention, and are incorporated in and constitute a part of this specification. The components in the drawings are not necessarily to scale, emphasis is placed upon clearly illustrating the principles of the present invention. The drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
以下の定義は、本明細書に開示される実施形態の特徴に適用される用語を解釈するために役立つものであり、本開示における要素を定義することしか意図されない。 The following definitions serve to interpret terms that apply to the features of the embodiments disclosed herein and are intended only to define elements in the present disclosure.
本開示において、レンズは、光学素子を通過する光の方向/形状を変化させる光学素子を指す。これに対して、鏡又は反射体は、鏡又は反射体から反射された光の方向/形状を変化させる。 In this disclosure, a lens refers to an optical element that changes the direction / shape of light passing through the optical element. In contrast, the mirror or reflector changes the direction / shape of the light reflected from the mirror or reflector.
本開示において、直接経路は、例えば鏡によって反射されたものではない光ビーム又は光ビームの一部の経路を指す。レンズ又は平坦窓を通過する光ビームは、直接光であると考えられる。 In this disclosure, a direct path refers to a path of a light beam or a portion of a light beam that is not reflected by, for example, a mirror. A light beam passing through a lens or flat window is considered to be direct light.
本開示において、「ほぼ」は「非常に近い」こと、又は通常の製作公差の範囲内であることを意味する。例えば、ほぼ平坦な窓は、設計によって平坦であることが意図されるが、制作による変動に基づいて完全な平坦とは異なることがある。 In this disclosure, “approximately” means “very close” or within normal manufacturing tolerances. For example, a substantially flat window is intended to be flat by design, but may differ from perfect flat based on production variations.
以下、本発明の実施形態が詳しく参照され、それらの例は、添付図面に示される。可能である限り、同じ又は同様の部品を示すために図面及び説明において同じ参照番号が使用される。 Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Wherever possible, the same reference numbers are used in the drawings and the description to refer to the same or like parts.
レーザ維持プラズマランプは、点火されてプラズマを形成し、入口窓を介してチャンバ(又はエンベロープ)内に入るレーザ光によって維持される、イオン化可能媒体(希ガス混合物)を収容する加圧チャンバを含む。背景技術に記載したように、プラズマによって生じる高輝度光は、例えば出口窓又は導波管を介してチャンバから放出される。プラズマランプチャンバは、従来のロウ付け方法によって構成され、ランプ寿命にわたるエンベロープ及び密封の一貫性のために、ランプの動作温度は、ロウ付け境界面を摂氏300度付近又はそれより低く維持するように上限を定められなくてはならない。しかし、そのような動作温度は、チャンバ内のガス乱れを最小限にするために理想的ではない。また、ロウ付け材料は、特定のイオン化可能媒体に対応できないことがある。サファイア窓がサファイア管に溶接されるエンベロープは、製造することが困難かつ高費用であった(US9,230,771号B2を参照)。 A laser sustaining plasma lamp includes a pressurized chamber containing an ionizable medium (a noble gas mixture) that is ignited to form a plasma and is maintained by laser light entering the chamber (or envelope) through an entrance window. . As described in the background art, the high intensity light produced by the plasma is emitted from the chamber, for example via an exit window or a waveguide. The plasma lamp chamber is constructed by conventional brazing methods, and for the consistency of envelope and sealing over the lamp life, the operating temperature of the lamp is such that the brazing interface is maintained near or below 300 degrees Celsius. An upper limit must be set. However, such operating temperatures are not ideal for minimizing gas turbulence in the chamber. Also, the brazing material may not be compatible with certain ionizable media. Envelopes in which sapphire windows are welded to sapphire tubes have been difficult and expensive to manufacture (see US 9,230,771 B2).
第1典型的な実施形態は、サファイアチャンバ(又は「エンベロープ」)を有する加圧レーザ維持プラズマランプ300に関する。図3Aは、レーザ維持プラズマランプ300の第1典型的な実施形態の断面図を示し、図3Bは、レーザ維持プラズマランプ300の斜視図を示す。ランプ300は、図4A、図4B、及び図4Cに詳細に示されるサファイア管310を含む。第1実施形態において、サファイア管310は、略円筒形状であり、内壁311及び外壁312を有する。サファイア管310の各端部に蓋をする、精密加工、研削、及び研磨がされた2つの略平面状サファイア窓340、342、すなわち入口サファイア窓340及び出口サファイア窓342が存在する。サファイア管310の各端部は、円筒形の外壁312の高さが円筒形の内壁311の高さよりも大きく、外壁312がサファイア管310の両端において内壁の上に張り出すような差込み部315を含む。輪状表面を有する外壁312の第1端部における平坦部316は、入口サファイア窓340の内側表面341に面するが、直接触しなくてもよい。同様に、輪状表面を有する外壁312の第2端部における平坦部316は、出口サファイア窓342の内側表面343に面するが、直接触しなくてもよい。差込み部315は、サファイア管310の第1端部において入口金属密封リング320を収容し、サファイア管310の第2端部において出口金属密封リング322を収容するための輪状空隙体積を提供する。 The first exemplary embodiment relates to a pressurized laser sustained plasma lamp 300 having a sapphire chamber (or “envelope”). FIG. 3A shows a cross-sectional view of a first exemplary embodiment of a laser sustained plasma lamp 300 and FIG. 3B shows a perspective view of the laser sustained plasma lamp 300. The lamp 300 includes a sapphire tube 310 shown in detail in FIGS. 4A, 4B, and 4C. In the first embodiment, the sapphire tube 310 has a substantially cylindrical shape and includes an inner wall 311 and an outer wall 312. There are two substantially planar sapphire windows 340, 342 that are precision machined, ground, and polished that cover each end of the sapphire tube 310, an entrance sapphire window 340 and an exit sapphire window 342. Each end portion of the sapphire tube 310 has an insertion portion 315 in which the height of the cylindrical outer wall 312 is larger than the height of the cylindrical inner wall 311, and the outer wall 312 projects over the inner wall at both ends of the sapphire tube 310. Including. The flat portion 316 at the first end of the outer wall 312 having an annular surface faces the inner surface 341 of the entrance sapphire window 340 but may not be in direct contact. Similarly, the flat portion 316 at the second end of the outer wall 312 having an annular surface faces the inner surface 343 of the exit sapphire window 342 but may not be in direct contact. The insert 315 provides an annular void volume for receiving the inlet metal sealing ring 320 at the first end of the sapphire tube 310 and the outlet metal sealing ring 322 at the second end of the sapphire tube 310.
入口金属密封リング320は、サファイア管310の平坦部316及び入口サファイア窓340の内側表面341の両方に接し、それらの間を密封してもよい。同様に、出口金属密封リング322は、サファイア管310の平坦部316及び出口サファイア窓342の内側表面343の両方に接し、それらの間を密封してもよい。好ましくは、サファイア管310は、入口サファイア窓340又は出口サファイア窓342のいずれかに直接接するのではなく、金属密封リング320、322は、出口及び入口方向の両方における窓340、342及び/又はサファイア管310の熱膨張のためのバッファとして機能する非常に小さい空隙を設ける。 The entrance metal sealing ring 320 may contact and seal between the flat portion 316 of the sapphire tube 310 and the inner surface 341 of the entrance sapphire window 340. Similarly, the exit metal sealing ring 322 may contact and seal between the flat portion 316 of the sapphire tube 310 and the inner surface 343 of the exit sapphire window 342. Preferably, the sapphire tube 310 does not directly contact either the entrance sapphire window 340 or the exit sapphire window 342, but the metal sealing rings 320, 322 are the windows 340, 342 and / or sapphire in both the exit and entrance directions. A very small gap is provided that serves as a buffer for thermal expansion of the tube 310.
差込み部315は、L字型断面を有するものとして図示されるが、例えば湾曲断面等他の構成も可能である。差込み断面形状は、好ましくは、金属メカニカル密封リング320、322に圧力をかけ、サファイア窓340、342とサファイア管310との間で金属メカニカル密封リング320、322を保持するように形成される。 The plug-in portion 315 is illustrated as having an L-shaped cross section, but other configurations such as a curved cross section are possible. The plug-in cross-sectional shape is preferably formed to apply pressure to the metal mechanical seal rings 320, 322 and hold the metal mechanical seal rings 320, 322 between the sapphire windows 340, 342 and the sapphire tube 310.
サファイア窓340、342をサファイア管310にロウ付けするのではなく、金属メカニカル密封リング320、322が、管310と窓340、342との間を密封するために管310の各端部に設けられている。金属密封リング320、322は、サファイア窓340、342及びサファイア管310に緊密に押し当てられ、例えばキセノン及び/又はクリプトン等のイオン化可能媒体及び(点火時の)プラズマをチャンバ330内に包含するための密封を提供するように構成される。金属密封リング320、322は、考えられる様々な構成の中でも特にC字形状、O字形状、V字形状、又はW字形状であってもよく、好ましくは、300系ステンレス鋼、X750合金又は718合金等によって形成される。 Rather than brazing the sapphire windows 340, 342 to the sapphire tube 310, metal mechanical seal rings 320, 322 are provided at each end of the tube 310 to seal between the tube 310 and the windows 340, 342. ing. The metal sealing rings 320, 322 are pressed tightly against the sapphire windows 340, 342 and the sapphire tube 310 to contain an ionizable medium such as xenon and / or krypton and a plasma (on ignition) in the chamber 330. Configured to provide a hermetic seal. The metal sealing rings 320, 322 may be C-shaped, O-shaped, V-shaped or W-shaped, among other possible configurations, preferably 300 series stainless steel, X750 alloy or 718. It is formed of an alloy or the like.
金属密封リング320、322は、約40ミクロンの圧縮率を有してもよい。金属密封リング320、322は、軟質メッキされることが好ましく、軽微な漏れでも長期に亘ってキャビティ330を減圧する可能性がある。改善された密封性を確実にするために、金属密封リング320、322とサファイア管310との接合箇所は、任意選択的に、例えば金、銀、又は(好ましくは)軟質ニッケルによって軟質コーティングされてもよい。密封構成自体は、最大1300Fの温度で最大50,000psi、又はそれ以上を対応できるように構成される。 The metal sealing rings 320, 322 may have a compressibility of about 40 microns. The metal sealing rings 320 and 322 are preferably soft-plated, and even a slight leak may depressurize the cavity 330 over a long period of time. To ensure improved sealing, the joints between the metal sealing rings 320, 322 and the sapphire tube 310 are optionally soft-coated, for example with gold, silver, or (preferably) soft nickel. Also good. The sealing configuration itself is configured to accommodate up to 50,000 psi or higher at temperatures up to 1300F.
サファイア管310と窓340、342の接合面及び/又は金属密封リング320、322の金属表面の一部は、メカニカル密封からのイオン化可能材料の漏洩を抑制するために、例えば金、銀、又はニッケル等の軟質金属によってメッキされてもよい。サファイア管310は、イオン化可能材料を充填及び/又は放出するための1又は複数の密封可能な入口(不図示)を有してもよい。 The interface between the sapphire tube 310 and the windows 340, 342 and / or a portion of the metal surface of the metal seal rings 320, 322 may be, for example, gold, silver, or nickel to suppress leakage of ionizable material from the mechanical seal. It may be plated with a soft metal such as. The sapphire tube 310 may have one or more sealable inlets (not shown) for filling and / or discharging ionizable material.
チャンバアセンブリ330は、入口サファイア窓340の入口端及び出口窓342の出口端に圧力をかけるクランプとしての機能を果たす外部構造によって、機械的一体化に保持され得る。この締圧は、入口サファイア窓340とサファイア管310との間の入口金属密封リング320による密封、及び出口サファイア窓342とサファイア管310との間の出口金属密封リング322による密封を少なくとも部分的に維持するために用いられ得る。 The chamber assembly 330 can be held in mechanical integration by an external structure that serves as a clamp that applies pressure to the inlet end of the inlet sapphire window 340 and the outlet end of the outlet window 342. This clamping pressure at least partially seals the inlet sapphire window 340 and the sapphire tube 310 by the inlet metal sealing ring 320 and the outlet sapphire window 342 and the sapphire tube 310 by the outlet metal sealing ring 322. Can be used to maintain.
第1実施形態において、機械的締結は、溶接された2ピーススリーブ構造350、355によって実行される。図5に示すように、第1スリーブ部350及び第2スリーブ部355で形成された、タングステン不活性ガス(TIG)溶接金属スリーブ及びフランジ付きコンテナアセンブリは、加圧メッキチャンバ330アセンブリを一体として保持する。スリーブ350、355に適した金属は、例えばアンバー、インコネル、又は(好ましくは)コバール等、ランプ用途の動作温度範囲に亘るサファイア熱膨張係数に適合するように選択され得る。他の材料は、例えば温度及び伸び率にわたる膨張係数の変化を操作するために、適用することが可能である。いくつかの実施形態において、膨張係数が温度に亘り線形ではない場合にサファイア熱膨張係数に適合するために、例えばコバール、アンバー、インコネル、及び他の様々な鉄等、様々な金属の組み合わせがスリーブ350、355のために用いられ得る。 In the first embodiment, mechanical fastening is performed by welded two-piece sleeve structures 350, 355. As shown in FIG. 5, a tungsten inert gas (TIG) welded metal sleeve and flanged container assembly formed of a first sleeve portion 350 and a second sleeve portion 355 holds the pressure plating chamber 330 assembly together. To do. Suitable metals for the sleeves 350, 355 may be selected to match the sapphire coefficient of thermal expansion over the operating temperature range of the lamp application, such as, for example, amber, inconel, or (preferably) kovar. Other materials can be applied, for example, to manipulate the change in expansion coefficient over temperature and elongation. In some embodiments, combinations of various metals, such as kovar, amber, inconel, and various other irons, can be used to fit the sapphire thermal expansion coefficient when the expansion coefficient is not linear over temperature. 350, 355 can be used.
第1スリーブ部350及び第2スリーブ部355は、略円筒形状であってもよく、第1スリーブ部350及び第2スリーブ部355の少なくとも内側部分は、チャンバアセンブリ330の外壁312に一致する。 The first sleeve portion 350 and the second sleeve portion 355 may have a substantially cylindrical shape, and at least inner portions of the first sleeve portion 350 and the second sleeve portion 355 coincide with the outer wall 312 of the chamber assembly 330.
第1スリーブ部350は、入口サファイア窓340に当接するように構成された第1内側に突出した環状リップ部351を含んでもよい。同様に、第2スリーブ部355は、出口窓342に当接するように構成された第2内側に突出した環状リップ部356を含んでもよい。第1スリーブ部350が第2スリーブ部355に溶接されると、第1内側に突出した環状リップ部351は入口サファイア窓340に圧力をかけ、同様に第2内側に突出した環状リップ部356は出口窓342に圧力をかけ、それによってチャンバアセンブリ330を一体として保持する。 The first sleeve portion 350 may include a first inwardly projecting annular lip portion 351 configured to abut the entrance sapphire window 340. Similarly, the second sleeve portion 355 may include a second inwardly projecting annular lip portion 356 configured to abut the exit window 342. When the first sleeve portion 350 is welded to the second sleeve portion 355, the annular lip portion 351 projecting in the first inward applies pressure to the inlet sapphire window 340, and the annular lip portion 356 projecting in the second inward is similarly formed. Pressure is applied to the exit window 342, thereby holding the chamber assembly 330 together.
第1スリーブ部350は、チャンバアセンブリ330を取り囲む溶接継手370(図3A)において第2スリーブ部355と嵌合するように構成される。第1実施形態において、第1スリーブ部350は、張り出して環状凹部360を形成するように構成された突出フランジ361を含む。環状凹部360は、嵌合部362を受け入れるように構成される。 The first sleeve portion 350 is configured to mate with the second sleeve portion 355 at a weld joint 370 (FIG. 3A) surrounding the chamber assembly 330. In the first embodiment, the first sleeve portion 350 includes a protruding flange 361 configured to overhang and form an annular recess 360. The annular recess 360 is configured to receive the fitting portion 362.
第1実施形態において、第1スリーブ部350及び第2スリーブ部355は、環状凹部360内部の上で突出フランジ361及び嵌合部362に架かる溶接継手370において接合されるが、他の接合構成であってもよい。 In the first embodiment, the first sleeve portion 350 and the second sleeve portion 355 are joined at the welded joint 370 over the projecting flange 361 and the fitting portion 362 on the inside of the annular recess 360, but in other joining configurations. There may be.
図3〜5は、入口サファイア窓340に隣接した第1スリーブ部350及び出口窓342に隣接した第2スリーブ部355を示すが、代替実施形態において、第1スリーブ部350は出口窓342に隣接するように構成され、第2スリーブ部355は入口サファイア窓340に隣接するように構成され得る。 3-5 show a first sleeve portion 350 adjacent to the entrance sapphire window 340 and a second sleeve portion 355 adjacent to the exit window 342, but in an alternative embodiment, the first sleeve portion 350 is adjacent to the exit window 342. The second sleeve portion 355 may be configured to be adjacent to the entrance sapphire window 340.
代替実施形態において、例えば、チャンバ330内の動作圧力が最大3500psiであり、300C〜約900Cの温度で動作するランプに関して、コバール又はアンバーがサファイアの代わりに管材料として用いられ得る。窓340、342は、例えば8mm〜100mmの径を有してもよい。異なる実施形態において、窓340、342は、所望の波長を透過及び/又は反射するようにコーティングされ得る。窓340、342は、入口レーザ光及び/又は出口高輝度光を造形するための入口及び/又は出口レンズの形式であってもよい。 In alternative embodiments, for example, for a lamp operating at a maximum pressure of 3500 psi in chamber 330 and operating at a temperature of 300C to about 900C, Kovar or amber can be used as the tube material instead of sapphire. The windows 340 and 342 may have a diameter of 8 mm to 100 mm, for example. In different embodiments, the windows 340, 342 may be coated to transmit and / or reflect desired wavelengths. The windows 340, 342 may be in the form of entrance and / or exit lenses for shaping entrance laser light and / or exit high brightness light.
一般的に、ランプ300は、例えばサファイア管310を貫通する電極等、従来の点火電極を含まなくてもよい。代わりにランプ300は、入口レーザのエネルギによって点火されてもよい。代替実施形態において、例えばKr−85及び/又は内部受動トリエーテッドタングステン電極リング等の活性電荷キャリアが、点火(イオン化可能媒体のイオン化)を容易にするためにチャンバ330内に収容されてもよい。 In general, the lamp 300 may not include a conventional ignition electrode, such as an electrode that penetrates the sapphire tube 310. Alternatively, the lamp 300 may be ignited by the energy of the entrance laser. In an alternative embodiment, active charge carriers such as Kr-85 and / or internal passively tritated tungsten electrode rings may be housed in chamber 330 to facilitate ignition (ionization of ionizable media).
図6に示すように、組立て及び密封プロセスは自動化されてよく、希ガス(Xe、Ar、He、Kr)のアトモスフィアを有する密封加圧ツーリングチャンバ600内で実行され得る。可動棒630は、窓340、342及び金属密封リング320、322を、窓340、342及び管310によって形成された加圧チャンバ330内に押し込むために用いられる。最終TIG溶接シーリングステップは、大気下で実行され得る。 As shown in FIG. 6, the assembly and sealing process may be automated and may be performed in a sealed pressurized tooling chamber 600 having a noble gas (Xe, Ar, He, Kr) atmosphere. The movable rod 630 is used to push the windows 340, 342 and the metal sealing rings 320, 322 into the pressurized chamber 330 formed by the windows 340, 342 and the tube 310. The final TIG weld sealing step can be performed under air.
第1実施形態は、管310、2つのサファイア窓340、342、及び2つの金属密封リング320、322を有するチャンバアセンブリ330を含むが、第2実施形態(不図示)において、チャンバアセンブリは、1つの開放端及び閉鎖端を有し、開放端が第1実施形態と同様に窓及び金属密封リングで密封された管を有してもよい。チャンバ管が溶接されず、溶接外部構造/クランプによって一体として保持される他の代替実施形態も可能である。 While the first embodiment includes a chamber assembly 330 having a tube 310, two sapphire windows 340, 342, and two metal sealing rings 320, 322, in a second embodiment (not shown), the chamber assembly includes 1 One open end and one closed end may be provided, and the open end may have a tube sealed with a window and a metal sealing ring as in the first embodiment. Other alternative embodiments are possible where the chamber tube is not welded and is held together by a welded external structure / clamp.
図7は、密封可能加圧レーザ維持プラズマランプ300を形成するための方法の典型的な実施形態のフローチャート700を示す。留意すべき点として、フローチャートにおける任意のプロセス説明又はブロックは、プロセスにおける特定の論理機能を実装するための1又は複数の命令を含むモジュール、セグメント、コードの一部、又はステップを表すものとして理解すべきであり、本発明に関する当業者によって理解されるように、含まれる機能性に依存して、実質的に同時又は逆の順序を含む、図示又は説明したものとは異なる順序で機能が実行され得る代替の実装は、本発明の範囲内に含まれる。 FIG. 7 shows a flowchart 700 of an exemplary embodiment of a method for forming a sealable pressurized laser sustained plasma lamp 300. It should be noted that any process description or block in the flowchart is understood to represent a module, segment, piece of code, or step that includes one or more instructions for implementing a particular logic function in the process. And, as will be appreciated by those skilled in the art of the present invention, the functions are performed in a different order than that shown or described, including substantially simultaneous or reverse order, depending on the functionality included. Alternative implementations that may be made are within the scope of the present invention.
ブロック710に示すように、ランプ300のための部品(例えば、スリーブ350、355、及び管310、金属密封リング320、322、及び窓340、342を含むチャンバアセンブリ330)は、例えば大気圧において、加圧ツーリングチャンバ600内のジグ610の内側に配置される。ここで、チャンバアセンブリ330の部品は、スリーブ350、355によって機械的に定位置に保持されるが、チャンバアセンブリ330は機能的に密封されていない。 As shown in block 710, the components for the lamp 300 (e.g., the chamber assembly 330 including the sleeves 350, 355 and the tube 310, the metal sealing rings 320, 322, and the windows 340, 342) may be at atmospheric pressure, for example. It is arranged inside the jig 610 in the pressurized tooling chamber 600. Here, the components of the chamber assembly 330 are mechanically held in place by the sleeves 350, 355, but the chamber assembly 330 is not functionally sealed.
ブロック720に示すように、加圧ツーリングチャンバ600は密封されている。ブロック730に示すように、加圧ツーリングチャンバ600は、ランプ300のチャンバ330を充填するために用いられるイオン化可能媒体で充填される。加圧ツーリングチャンバ600は、その後、例えば250〜2000psiに加圧される。ブロック740に示すように、加圧ツーリングチャンバ600内の可動棒630は、窓340、342及び金属密封リング320、322をサファイア管310とともに押し込むことで、チャンバアセンブリ330の密封を形成するように設けられている。例えば、棒は、ランプ300をジグ610に対して圧縮してもよい。 As shown in block 720, the pressurized tooling chamber 600 is sealed. As shown in block 730, the pressurized tooling chamber 600 is filled with an ionizable medium that is used to fill the chamber 330 of the lamp 300. The pressurized tooling chamber 600 is then pressurized to, for example, 250-2000 psi. As shown in block 740, the movable rod 630 in the pressurized tooling chamber 600 is provided to form a seal for the chamber assembly 330 by pushing the windows 340, 342 and the metal sealing rings 320, 322 with the sapphire tube 310. It has been. For example, the bar may compress the lamp 300 against the jig 610.
チャンバアセンブリ330の密封が実現されると、ブロック750に示すように、ツーリングチャンバは空にされる。例えば、可動棒630が金属密封リング320、322にサファイア窓340、342の両方を押し付け、密封が係合しているとこれがわずかに曲がり、密封の係合が測定され得る。充填ガス(イオン化可能媒体)は、今後の充填処理のために回収され得る。 Once sealing of the chamber assembly 330 is achieved, the tooling chamber is emptied, as shown at block 750. For example, the movable rod 630 presses both the sapphire windows 340, 342 against the metal seal rings 320, 322, and if the seal is engaged, it bends slightly and the seal engagement can be measured. The fill gas (ionizable medium) can be recovered for future filling processes.
ブロック760に示すように、金属スリーブ部350、355は、例えばTIG溶接によって一体に溶接される。可動棒630は、TIG溶接の後に外され、TIG溶接スリーブ350、355が、窓340、342を拘束する機能を引き継ぐ。TIG溶接は、スリーブ350、355の周囲を切れ目なく360度取り囲まなくてもよい。例えば、90%の部分又は他の適切な構成が、加圧ツーリングチャンバ600の設計に対してスリーブ350、355の一貫性を維持するために十分であり得る。TIG溶接金属スリーブ350、355は、窓340、342及びサファイア管310をすべての圧力に対して保持するためのクランプとして機能し、チャンバアセンブリ330の内部充填ガス圧によってスリーブ350、355に対して外側へ押された窓340、342は、製品寿命に亘り完全に収容される。 As shown in block 760, the metal sleeve portions 350, 355 are integrally welded, for example, by TIG welding. The movable rod 630 is removed after TIG welding, and the TIG welding sleeves 350 and 355 take over the function of restraining the windows 340 and 342. The TIG welding may not surround the sleeves 350 and 355 360 degrees without a break. For example, a 90% portion or other suitable configuration may be sufficient to maintain the consistency of the sleeves 350, 355 with respect to the design of the pressurized tooling chamber 600. TIG welded metal sleeves 350, 355 serve as clamps to hold windows 340, 342 and sapphire tube 310 against all pressures and are external to sleeves 350, 355 by the internal fill gas pressure of chamber assembly 330. The pushed windows 340, 342 are fully accommodated over the life of the product.
代替実施形態において、大気圧下で金属スリーブ350、355を一体にTIG溶接するのではなく、金属スリーブ350、355は、例えば金属スリーブ350、355の少なくとも1つに埋め込まれた無線周波(RF)コイルによって、ツーリングチャンバが空にされる前にロウ付けされ得る。RFコイルを流れる電流が金属スリーブを加熱し、金属スリーブ350、355よりも低い融解点を有する非鉄合金を用いたロウ付けを可能にする。 In an alternative embodiment, rather than TIG welding the metal sleeves 350, 355 together under atmospheric pressure, the metal sleeves 350, 355 are, for example, radio frequency (RF) embedded in at least one of the metal sleeves 350, 355. The coil can be brazed before the tooling chamber is emptied. The current flowing through the RF coil heats the metal sleeve, allowing brazing using a non-ferrous alloy having a melting point lower than that of the metal sleeves 350, 355.
上述の方法は、サファイア窓及び管に関して説明されたが、この方法は、サファイア窓及び/又はサファイア管シーリングに限定されるものではない。例えば、この方法は、任意の高温化学不活性管へのサファイア窓(又は他の材料の窓)のシーリングに適用され得る。この方法は、密封及び加圧環境を生成し、その結果生じる構造がプラズマ温度及びプラズマ放射に耐性を持つようにするために利用され得る。 Although the method described above has been described with respect to sapphire windows and tubes, the method is not limited to sapphire windows and / or sapphire tube ceilings. For example, the method can be applied to sealing sapphire windows (or other material windows) to any high temperature chemically inert tube. This method can be utilized to create a sealed and pressurized environment so that the resulting structure is resistant to plasma temperature and plasma radiation.
また、上述した実施形態は、黒体色温度、関連するスペクトル及び放射輝度に直接影響を与える金属蒸気による動作圧力を高めるために、メタルハライド、水銀、及び他の固体のランプチャンバへの導入容易性を有利にもたらす。 Also, the above-described embodiments facilitate ease of introduction into metal halide, mercury, and other solid lamp chambers to increase operating pressure with metal vapor that directly affects black body color temperature, associated spectrum and radiance. Advantageously.
当業者には明らかであるように、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、本発明の構造に対する様々な変更例及び変形例が作られてもよい。上記の観点から、本発明は、本発明の変更例及び変形例が以下の特許請求の範囲及びその均等物の範囲に収まる場合、これを包含することが意図される。
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the structure of the present invention without departing from the scope or spirit of the invention. In view of the above, the present invention is intended to cover modifications and variations of the present invention provided they come within the scope of the following claims and their equivalents.
Claims (16)
前記チャンバ管の前記入口端に設けられた入口サファイア窓(340)、
前記チャンバ管の前記入口端及び前記入口サファイア窓に対して密封するように構成された第1金属密封リング(320)、
前記チャンバ管の前記出口端に設けられた出口サファイア窓(342)、及び
前記チャンバ管の前記出口端及び前記出口サファイア窓に対して密封するように構成された第2金属密封リング(322)
を有するとともに、前記チャンバ管(310)、前記入口サファイア窓(340)、前記第1金属密封リング(320)、前記出口サファイア窓(342)及び前記第2金属密封リング(322)によって囲まれ、イオン化可能材料を収容するように構成される、機械的加圧密封チャンバアセンブリ(330)と、
前記入口サファイア窓及び前記出口サファイア窓の少なくとも一部に架かり締結するように構成された、前記チャンバアセンブリの外部にある機械締結構造(350、355)と、
を備え、
前記入口サファイア窓及び前記出口サファイア窓は、溶接及び/又はロウ付けによって前記チャンバ管に連結されていない、レーザ維持プラズマランプ(300)。 A chamber tube (310) having an inlet end and an outlet end;
An inlet sapphire window (340) provided at the inlet end of the chamber tube;
A first metal sealing ring (320) configured to seal against the inlet end of the chamber tube and the inlet sapphire window;
An exit sapphire window (342) provided at the exit end of the chamber tube; and a second metal sealing ring (322) configured to seal against the exit end of the chamber tube and the exit sapphire window.
And surrounded by the chamber tube (310), the inlet sapphire window (340), the first metal sealing ring (320), the outlet sapphire window (342) and the second metal sealing ring (322), A mechanical pressure sealed chamber assembly (330) configured to contain an ionizable material;
A mechanical fastening structure (350, 355) external to the chamber assembly configured to span and fasten at least a portion of the entrance sapphire window and the exit sapphire window;
With
The laser sustained plasma lamp (300), wherein the inlet sapphire window and the outlet sapphire window are not connected to the chamber tube by welding and / or brazing.
前記チャンバ管の前記入口端に設けられた第1スリーブ部(350)と、
前記チャンバ管の前記出口端に設けられた第2スリーブ部(355)と、
をさらに有する、請求項2に記載のランプ。 The sleeve is
A first sleeve portion (350) provided at the inlet end of the chamber tube;
A second sleeve portion (355) provided at the outlet end of the chamber tube;
The lamp of claim 2, further comprising:
第1スリーブ部及び第2スリーブ部を備えるスリーブアセンブリ内に、チャンバ管、第1チャンバ窓、第1チャンバ密封、第2チャンバ窓、及び第2チャンバ密封を有するチャンバアセンブリを配置するステップと、
前記スリーブアセンブリ及び前記チャンバアセンブリをツーリングチャンバ内のジグ内に固定するステップと、
前記ツーリングチャンバを密封するステップと、
前記ツーリングチャンバを加圧イオン化可能媒体によって充填するステップと、
前記ジグに対して、前記第1窓、前記第1密封、前記チャンバ管、前記第2密封、及び前記第2窓を圧縮し、前記チャンバアセンブリを密封するステップと、
前記ツーリングチャンバを空にするステップと、
を含む、方法。 A method of manufacturing a laser sustained plasma lamp, comprising:
Placing a chamber assembly having a chamber tube, a first chamber window, a first chamber seal, a second chamber window, and a second chamber seal in a sleeve assembly comprising a first sleeve portion and a second sleeve portion;
Securing the sleeve assembly and the chamber assembly in a jig in a tooling chamber;
Sealing the tooling chamber;
Filling the tooling chamber with a pressurized ionizable medium;
Compressing the first window, the first seal, the chamber tube, the second seal, and the second window against the jig to seal the chamber assembly;
Emptying the tooling chamber;
Including a method.
前記チャンバ管の開放端に設けられたサファイア窓と、
前記チャンバ管の開放端及び前記サファイア窓に対して密封するように構成された金属密封リングと、
を有するとともに、前記チャンバ管、前記サファイア窓及び前記金属密封リングによって囲まれ、イオン化可能材料を収容するように構成される、機械的加圧密封チャンバアセンブリと、
前記サファイア窓及び前記チャンバの前記管閉鎖端の少なくとも一部に架かり締結するように構成された、前記チャンバアセンブリの外部にある機械締結構造と、
を備え、
前記サファイア窓は、溶接及び/又はロウ付けによって前記チャンバ管に連結されていない、レーザ維持プラズマランプ。 A chamber tube having an open inlet end and a closed outlet end;
A sapphire window provided at the open end of the chamber tube;
A metal sealing ring configured to seal against an open end of the chamber tube and the sapphire window;
And a mechanical pressure sealed chamber assembly surrounded by the chamber tube, the sapphire window and the metal sealing ring and configured to receive an ionizable material;
A mechanical fastening structure external to the chamber assembly configured to span and fasten at least a portion of the sapphire window and the tube closed end of the chamber;
With
The sapphire window is a laser-sustained plasma lamp that is not connected to the chamber tube by welding and / or brazing.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/880,754 | 2018-01-26 | ||
US15/880,754 US10109473B1 (en) | 2018-01-26 | 2018-01-26 | Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019164994A true JP2019164994A (en) | 2019-09-26 |
JP7296736B2 JP7296736B2 (en) | 2023-06-23 |
Family
ID=63833042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019010954A Active JP7296736B2 (en) | 2018-01-26 | 2019-01-25 | Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and method of making same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10109473B1 (en) |
EP (1) | EP3540760B1 (en) |
JP (1) | JP7296736B2 (en) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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